JP6265655B2 - 検出装置及び検出システム - Google Patents
検出装置及び検出システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6265655B2 JP6265655B2 JP2013174676A JP2013174676A JP6265655B2 JP 6265655 B2 JP6265655 B2 JP 6265655B2 JP 2013174676 A JP2013174676 A JP 2013174676A JP 2013174676 A JP2013174676 A JP 2013174676A JP 6265655 B2 JP6265655 B2 JP 6265655B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- electrically connected
- drain
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
- H10F39/8037—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements the integrated elements comprising a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/189—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H10F39/1898—Indirect radiation image sensors, e.g. using luminescent members
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
まず、図1(a)、図1(b)、及び、図1(c)を用いて、第1の実施形態に係る検出装置を説明する。図1(a)は、第1の実施形態に係る検出装置の1画素の概略的等価回路図であり、図1(b)は、全体の概略的等価回路図であり、図1(c)は、読出回路の概略的等価回路図である。
次に、図4(a)、図4(b)、図4(c)及び、図11を用いて、第2の実施形態に係る検出装置を説明する。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。図4(a)は、第2の実施形態に係る検出装置の1画素の概略的等価回路図であり、図4(b)は、第2の実施形態に係る検出装置の1画素の平面模式図であり、図4(c)は、図4(b)のB− B’箇所の断面模式図である。なお、図4(b)のA− A’箇所の断面模式図は第1の実施形態と同様であるため、図示及び詳細な説明は割愛する。図11は、第2の実施形態に係る検出装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
次に、図5(a)、図5(b)、及び、図6を用いて、第3の実施形態に係る検出装置を説明する。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。図5(a)は、第3の実施形態に係る検出装置の1画素の概略的等価回路図であり、図5(b)は、第3の実施形態に係る検出装置の1画素の平面模式図である。なお、断面模式図は第1の実施形態と同様であるため、図示及び詳細な説明は割愛する。図6は、第3の実施形態の検出装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
次に、図7(a)、図7(b)、及び、図7(c)を用いて、第4の実施形態に係る検出装置を説明する。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。図7(a)は、第4の実施形態に係る検出装置の1画素の概略的等価回路図であり、図7(b)は、第4の実施形態に係る検出装置の1画素の平面模式図であり、図7(c)は、図7(b)のB− B’箇所の断面模式図である。なお、図7(b)のA− A’箇所の断面模式図は第1の実施形態と同様であるため、図示及び詳細な説明は割愛する。
次に、図8を用いて、第5の実施形態に係る検出装置を説明する。図8は、第5の実施形態に係る検出装置の2行×2列分の画素の平面模式図である。
次に、図9(a)、及び、図9(b)を用いて、第6の実施形態に係る検出装置を説明する。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。図9(a)は、第6の実施形態に係る検出装置の1画素の概略的等価回路図であり、図9(b)は、第6の実施形態に係る他の例の検出装置の1画素の概略的等価回路図である。
次に、図10を用いて、検出装置を用いた放射線検出システムを説明する。
TA 増幅用薄膜トランジスタ
CP 容量素子
TT 転送用薄膜トランジスタ
TS 選択用薄膜トランジスタ
TRS リセット用薄膜トランジスタ
TRC 容量リセット用薄膜トランジスタ
VS 電極電源配線
VDD 動作電源配線
VR リセット電源配線
GT 転送用駆動配線
GS 選択用駆動配線
GRS リセット用駆動配線
GRC 容量リセット用駆動配線
10 基板
21 駆動配線群
22 信号配線群
23 電源配線群
30 駆動回路
40 読出回路
50 電源回路
60 制御回路
Claims (20)
- 行列状に複数配列された画素と、前記画素に電気的に接続された信号配線と、を基板の上に有する検出装置であって、
前記画素は、放射線又は光を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に応じた電気信号を出力する増幅用薄膜トランジスタと、前記増幅用薄膜トランジスタによって出力された電気信号を保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電気信号を前記信号配線に転送する転送用薄膜トランジスタと、を含み、
前記容量素子は、前記基板の上に配置された第1導電層と、前記第1導電層の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上に配置された第2導電層と、を含み、前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタと前記基板との間に配置されており、
層間絶縁層が前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタと前記容量素子との間に配置されており、
前記絶縁層及び前記層間絶縁層の材料は、窒化シリコンであり、
前記層間絶縁層の膜厚は、前記絶縁層の膜厚よりも厚いことを特徴とする検出装置。 - 前記容量素子の容量値は、前記変換素子の容量値の3〜10倍で、且つ、前記信号配線の寄生容量の容量値の1/30〜1/10であることを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタは、多結晶シリコンの薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項2に記載の検出装置。
- 前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタと前記容量素子との間に配置されたパッシベーション層及び前記層間絶縁層を更に含み、
前記パッシベーション層の材料は、窒化シリコンであることを特徴とする請求項3に記載の検出装置。 - 前記層間絶縁層の膜厚は、前記絶縁層の膜厚6〜20倍であることを特徴とする請求項4に記載の検出装置。
- 前記変換素子の一方の電極に電気的に接続された電極電源配線と、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された動作電源配線と、前記転送用薄膜トランジスタのゲートに接続された転送用駆動配線と、を更に含み、
前記増幅用薄膜トランジスタのゲートは、前記変換素子の他方の電極に電気的に接続されており、
前記第1導電層は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続されており、前記第2導電層は、前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されており、
前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記信号配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記変換素子の一方の電極に電気的に接続された電極電源配線と、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された動作電源配線と、前記転送用薄膜トランジスタのゲートに接続された転送用駆動配線と、を更に含み、
前記増幅用薄膜トランジスタのゲートは、前記変換素子の他方の電極に電気的に接続されており、
前記第1導電層は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方、及び、前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されており、前記第2導電層は、所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続されており、
前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記信号配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続された電源回路を更に含み、
前記電源回路は、前記所定の電位が供給され得る配線に供給する電位を変更することが可能な構成であることを特徴とする請求項7に記載の検出装置。 - 前記画素は、前記増幅用薄膜トランジスタのゲートをリセットするリセット用薄膜トランジスタと、前記画素を選択する選択用薄膜トランジスタと、前記容量素子をリセットする容量リセット用薄膜トランジスタと、を更に含み、
前記リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、リセット電源配線に電気的に接続されており、前記リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記増幅用薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記選択用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続されており、前記選択用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1導電層に電気的に接続されており、
前記容量リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続されており、前記容量リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1導電層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載の検出装置。 - 行列状に複数配列された画素と、前記画素に電気的に接続された信号配線と、を基板の上に有する検出装置であって、
前記画素は、放射線又は光を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に応じた電気信号を出力する増幅用薄膜トランジスタと、前記増幅用薄膜トランジスタによって出力された電気信号を保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電気信号を前記信号配線に転送する転送用薄膜トランジスタと、前記容量素子をリセットする容量リセット用薄膜トランジスタと、前記変換素子の一方の電極に電気的に接続された電極電源配線と、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された動作電源配線と、前記転送用薄膜トランジスタのゲートに接続された転送用駆動配線と、を含み、
前記増幅用薄膜トランジスタのゲートは、前記変換素子の他方の電極に電気的に接続されており、
前記容量素子は、第1導電層と、第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に配置された絶縁層と、を含み、
前記第1導電層は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続されており、前記第2導電層は、前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されており、
前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記信号配線に電気的に接続されており、
前記容量リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続されており、前記容量リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1導電層に電気的に接続されていることを特徴とする検出装置。 - 前記容量素子の容量値は、前記変換素子の容量値の3〜10倍で、且つ、前記信号配線の寄生容量の容量値の1/30〜1/10であることを特徴とする請求項10に記載の検出装置。
- 前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタは、多結晶シリコンの薄膜トランジスタであり、
前記第1導電層は、前記基板の上に配置されており、前記絶縁層は、前記第1導電層の上に配置されており、前記第2導電層は、前記絶縁層の上に配置されており、
前記絶縁層の材料は、窒化シリコンであることを特徴とする請求項11に記載の検出装置。 - 前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタと前記容量素子との間に配置されたパッシベーション層及び層間絶縁層を更に含み、
前記パッシベーション層及び前記層間絶縁層の材料は、窒化シリコンであり、
前記層間絶縁層の膜厚は、前記絶縁層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項12に記載の検出装置。 - 前記層間絶縁層の膜厚は、前記絶縁層の膜厚6〜20倍であることを特徴とする請求項13に記載の検出装置。
- 前記所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続された電源回路を更に含み、
前記電源回路は、前記所定の電位が供給され得る配線に供給する電位を変更することが可能な構成であることを特徴とする請求項10〜14のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記画素は、前記増幅用薄膜トランジスタのゲートをリセットするリセット用薄膜トランジスタと、前記画素を選択する選択用薄膜トランジスタと、を更に含み、
前記リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、リセット電源配線に電気的に接続されており、前記リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記増幅用薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記選択用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続されており、前記選択用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1導電層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項10から15のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記第1導電層及び前記第2導電層は、光透過性導電材料で形成されることを特徴とする請求項9又は16に記載の検出装置。
- 前記選択用薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続された選択用駆動配線と、前記リセット用薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続されたリセット用駆動配線と、前記転送用駆動配線と前記選択用駆動配線に電気的に接続された駆動回路と、前記信号配線に電気的に接続された読出回路と、前記駆動回路及び前記読出回路を制御する制御回路と、更に含み、
前記読出回路は、前記信号配線をリセットするリセットスイッチと、前記信号配線に電気的に接続された演算増幅器と、前記演算増幅器に電気的に接続されたサンプルホールド回路と、を含み、
前記サンプルホールド回路は、信号用のサンプルホールド回路と、ノイズ用のサンプルホールド回路と、を含み、
前記制御回路は、前記信号配線を前記リセットスイッチがリセットした後で、前記転送用薄膜トランジスタが導通状態とされている間に、前記ノイズ用のサンプルホールド回路が前記演算増幅器の出力を保持し、前記ノイズ用のサンプルホールド回路が前記演算増幅器の出力を保持した後に前記転送用薄膜トランジスタが導通状態とされ、前記転送用薄膜トランジスタが導通状態とされた後に前記信号用のサンプルホールド回路が前記演算増幅器の出力を保持するように、前記駆動回路及び前記読出回路を制御することを特徴とする請求項9又は16に記載の検出装置。 - 前記容量リセット用薄膜トランジスタのゲートは前記選択用駆動配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項18に記載の検出装置。
- 請求項1から19のいずれか1項に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備する検出システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013174676A JP6265655B2 (ja) | 2012-10-09 | 2013-08-26 | 検出装置及び検出システム |
US14/048,200 US9450002B2 (en) | 2012-10-09 | 2013-10-08 | Detecting apparatus and detecting system |
CN201310465678.2A CN103716551B (zh) | 2012-10-09 | 2013-10-09 | 检测装置和检测系统 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012224238 | 2012-10-09 | ||
JP2012224238 | 2012-10-09 | ||
JP2013174676A JP6265655B2 (ja) | 2012-10-09 | 2013-08-26 | 検出装置及び検出システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014096566A JP2014096566A (ja) | 2014-05-22 |
JP2014096566A5 JP2014096566A5 (ja) | 2016-09-23 |
JP6265655B2 true JP6265655B2 (ja) | 2018-01-24 |
Family
ID=50409084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013174676A Active JP6265655B2 (ja) | 2012-10-09 | 2013-08-26 | 検出装置及び検出システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9450002B2 (ja) |
JP (1) | JP6265655B2 (ja) |
CN (1) | CN103716551B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10515606B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-12-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Parallelizing display update |
JP7209170B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2023-01-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置、及び撮像装置 |
JP7319825B2 (ja) * | 2019-05-17 | 2023-08-02 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
US11843022B2 (en) * | 2020-12-03 | 2023-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | X-ray imaging panel and method of manufacturing X-ray imaging panel |
CN114973302A (zh) * | 2021-02-18 | 2022-08-30 | 群创光电股份有限公司 | 生物识别感测装置及包括其的显示装置 |
US11916094B2 (en) * | 2021-08-02 | 2024-02-27 | Sharp Display Technology Corporation | Photoelectric conversion panel and method for manufacturing photoelectric conversion panel |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235319A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | 密着形二次元イメージセンサ |
GB9209734D0 (en) * | 1992-05-06 | 1992-06-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An image sensor |
JPH11307756A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線読取装置 |
JPH11331703A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-11-30 | Toshiba Corp | 撮像装置 |
JP5329732B2 (ja) * | 2000-02-02 | 2013-10-30 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | センサ及びセンサの動作方法 |
JP4724313B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
GB0300056D0 (en) * | 2003-01-03 | 2003-02-05 | Koninkl Philips Electronics Nv | Image sensor |
JP2005175418A (ja) | 2003-11-19 | 2005-06-30 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP4793281B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2011-10-12 | ソニー株式会社 | 撮像装置および表示装置 |
KR20090040158A (ko) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | 삼성전자주식회사 | 투명한 트랜지스터를 구비한 시모스 이미지 센서 |
JP5096946B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5119000B2 (ja) | 2008-02-26 | 2013-01-16 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5124368B2 (ja) | 2008-07-03 | 2013-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
JP4957925B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2012-06-20 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | 増幅型固体撮像装置 |
JP5495711B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、それらの制御方法及びそのプログラム |
JP2011119950A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Panasonic Corp | 固体撮像装置および駆動方法 |
JP5751766B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-07-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5665484B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-02-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮影システム、イメージセンサの制御方法 |
JP5625833B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2014-11-19 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器および放射線撮影装置 |
-
2013
- 2013-08-26 JP JP2013174676A patent/JP6265655B2/ja active Active
- 2013-10-08 US US14/048,200 patent/US9450002B2/en active Active
- 2013-10-09 CN CN201310465678.2A patent/CN103716551B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140097348A1 (en) | 2014-04-10 |
US9450002B2 (en) | 2016-09-20 |
JP2014096566A (ja) | 2014-05-22 |
CN103716551B (zh) | 2017-05-31 |
CN103716551A (zh) | 2014-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6265655B2 (ja) | 検出装置及び検出システム | |
JP4307322B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP4991459B2 (ja) | 撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2014003542A (ja) | 検出装置、検出システム及び検出装置の駆動方法 | |
JP5847472B2 (ja) | 検出装置及び検出システム | |
JP2005175418A (ja) | 光電変換装置 | |
JP5730030B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP6132283B2 (ja) | 増幅回路および増幅回路を用いたイメージセンサ | |
JP2009043826A (ja) | 撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2007300183A (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
US9357143B2 (en) | Image pickup unit and image pickup display system | |
JP2012129425A (ja) | マトリクス基板、検出装置、検出システム、及び、検出装置の駆動方法 | |
JP2013235934A (ja) | 検出装置、検出システム、及び、検出装置の製造方法 | |
JP2012079860A (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP2014225527A (ja) | 検出装置、及び、検出システム | |
US20110073750A1 (en) | Image pickup apparatus and radiation image pickup system | |
CN103491285B (zh) | 摄像部及摄像显示系统 | |
JP2012079820A (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP6470508B2 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
CN103219349B (zh) | 矩阵基板、检测装置和检测系统 | |
JP2020107668A (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP2017098830A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 | |
JP2011097409A (ja) | X線画像検出器 | |
JP6164924B2 (ja) | 検出装置、及び、検出システム | |
JP2009186268A (ja) | 画像検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160803 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160803 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171121 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6265655 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |