JP6265021B2 - Touch panel sensor, touch panel device, and display device - Google Patents
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Description
本発明は、電極を有したタッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを含むタッチパネル装置、タッチパネルセンサを含む表示装置、並びに、タッチパネルセンサの製造方法に関する。 The present invention relates to a touch panel sensor having electrodes, a touch panel device including a touch panel sensor, a display device including a touch panel sensor, and a method for manufacturing the touch panel sensor.
今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の画像表示機構が組み込まれた種々の装置等(例えば、券売機、ATM装置、携帯電話、ゲーム機)に対する入力手段として、画像表示機構とともに用いられている。このような装置において、タッチパネルセンサは画像表示機構の表示面上に配置され、これにより、タッチパネル装置は表示装置に対する極めて直接的な入力を可能にする。タッチパネルセンサのうちの画像表示機構の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置(接近位置)を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。 Today, touch panel devices are widely used as input means. In many cases, the touch panel device is used as an input means for various devices including an image display mechanism such as a liquid crystal display or a plasma display (for example, a ticket vending machine, an ATM device, a mobile phone, a game machine) and the image display mechanism. It is used. In such a device, the touch panel sensor is disposed on the display surface of the image display mechanism, and thus the touch panel device enables a very direct input to the display device. An area of the touch panel sensor that faces the display area of the image display mechanism is transparent, and this area of the touch panel sensor constitutes an active area that can detect a contact position (approach position).
タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置(接近位置)を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別され得る。昨今では、種々の利点から、投影型容量結合方式のタッチパネル装置が普及している。投影型の容量結合方式のタッチパネル装置は、アクティブエリア内に配置された一対の検出電極群を含んでいる。例えば特許文献1に開示されたタッチパネルセンサでは、アクティブエリア内に位置する検出電極が、金属材料からなる導線で形成されている。このタッチパネルセンサでは、金属材料の導電率が高いことから、面抵抗率(単位:Ω/□)を十分小さくすることができる。その一方で、導電性に優れた金属材料は、不透明である。したがって、各検出電極は、多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて金属導線を配置してなる導電体メッシュとして、構成され、アクティブエリアでのタッチパネルセンサの可視光透過性を確保している。ただし、このような導電体メッシュは、モアレや濃淡むらといった不具合を引き起こすことが知られている。そして、このような不具合を解消するため、種々の研究が行われてきた。 The touch panel device can be classified into various types based on the principle of detecting a contact position (approach position) on the touch panel sensor. In recent years, a projected capacitive coupling type touch panel device has been widely used due to various advantages. The projected capacitive touch panel device includes a pair of detection electrode groups arranged in an active area. For example, in the touch panel sensor disclosed in Patent Document 1, the detection electrode located in the active area is formed of a conductive wire made of a metal material. In this touch panel sensor, since the electrical conductivity of the metal material is high, the surface resistivity (unit: Ω / □) can be sufficiently reduced. On the other hand, a metal material excellent in conductivity is opaque. Therefore, each detection electrode is configured as a conductor mesh in which metal conductors are arranged in a mesh pattern that defines a large number of opening areas, and ensures the visible light transparency of the touch panel sensor in the active area. . However, such a conductor mesh is known to cause problems such as moire and shading unevenness. Various studies have been conducted to eliminate such problems.
モアレは、明暗の筋模様が視認されるようになる現象であり、導電体メッシュのメッシュパターンの規則性(周期性)と、導電体メッシュと重ねられる他の部材のパターンの規則性(例えば、画像表示機構の画素配列の規則性)との干渉によって生じるとされている。このため、一般的には、導電体メッシュのメッシュパターンを不規則化することが、モアレの不可視化に有効であるとされてきた。 Moire is a phenomenon in which light and dark streaks become visible. Regularity (periodicity) of the mesh pattern of the conductor mesh and regularity of the pattern of other members overlaid on the conductor mesh (for example, This is caused by interference with the regularity of the pixel arrangement of the image display mechanism. For this reason, it has been generally considered that making the mesh pattern of the conductor mesh irregular is effective for making moiré invisible.
一方、濃淡むらは、導電体メッシュの透過光量や導電体メッシュからの外光反射量が面内で不均一となり、明るく観察される部分が局所的に存在するようになる現象である。濃淡むらの発生は、導電体メッシュのメッシュパターンの局所的な不均一性が原因であると考えられている。 On the other hand, shading unevenness is a phenomenon in which the amount of light transmitted through the conductor mesh and the amount of external light reflected from the conductor mesh are not uniform in the surface, and a brightly observed portion is locally present. The occurrence of shading unevenness is considered to be caused by local non-uniformity of the mesh pattern of the conductor mesh.
すなわち、モアレの不可視化には、導電体メッシュのメッシュパターンの不規則化が有効であり、濃淡むらの不可視化には、導電体メッシュのメッシュパターンの規則化が有効である。このため、従来の技術では、モアレ及び濃淡むらの両方に対処できる導電体メッシュは存在しなかった。本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせるメッシュパターンにて形成された検出電極を有するタッチパネルセンサを提供することを目的とする。また、本発明は、このタッチパネルセンサを含むタッチパネル装置及び表示装置を提供することを目的とする。 That is, making the mesh pattern of the conductor mesh irregular is effective for making the moire invisible, and making the mesh pattern of the conductor mesh effective for making the shading unevenness invisible. For this reason, in the prior art, there is no conductor mesh that can cope with both moire and shading unevenness. The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a touch panel sensor having detection electrodes formed in a mesh pattern that makes both moire and shading unevenness inconspicuous. Another object of the present invention is to provide a touch panel device and a display device including the touch panel sensor.
本発明によるタッチパネルセンサは、
複数の開口領域を画成するメッシュパターンを形成する検出電極を備え、
平面スキャナを用いて作成した前記メッシュパターンのスキャンデータに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記メッシュパターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる第1ピーク角度θp1〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σp1と、
前記メッシュパターンの前記パワースペクトル積算値分布において、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる第2ピーク角度θp2〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp2±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σp2と、
前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの積算値分布における前記第1ピーク角度θp1〔°〕及び第2ピーク角度θp2〔°〕と、前記第1ピーク角度θp1〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第1空間周波数と、前記第2ピーク角度θp2〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第2空間周波数と、に基づいて決定された規則パターンの画像データに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記規則パターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第1ピーク角度θp1〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σap1、及び、前記第2ピーク角度θp2〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp2±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σap2とが、次の条件を満たし、
1.02 ≦ σp1/σap1 ≦ 1.16
1.02 ≦ σp2/σap2 ≦ 1.16
前記規則パターンは、前記メッシュパターンのスキャンデータから当該メッシュパターンの前記パワースペクトルを特定する際と同様に座標系を設定し、第1ピーク角度θp1〔°〕となる方向に、前記第1空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第1直線群と、第2ピーク角度θp2〔°〕となる方向に、前記第2の空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第2直線群と、によって形成されている。
The touch panel sensor according to the present invention includes:
Comprising a detection electrode for forming a mesh pattern defining a plurality of opening regions;
In the integrated value distribution at each angle of the power spectrum of the mesh pattern obtained by applying Fourier transform and polar coordinate transformation to the scan data of the mesh pattern created by using a planar scanner, it is 0 ° or more and less than 180 °. The standard deviation σ p1 of the power spectrum integrated value within the range of 60 ° (θ p1 ± 30 [°]) centered on the first peak angle θ p1 [°] at which the power spectrum integrated value becomes the largest within the range, and ,
In the power spectrum integrated value distribution of the mesh pattern, within the range of 60 ° centered on the second peak angle θ p2 [°] at which the power spectrum integrated value becomes the second largest within the range of 0 ° to less than 180 °. The standard deviation σ p2 of the power spectrum integrated value at (θ p2 ± 30 [°]),
The first peak angle θ p1 [°] and second peak angle θ p2 [°] in the integrated value distribution of the power spectrum of the mesh pattern, and the mesh pattern at the first peak angle θ p1 [°]. A first spatial frequency forming a first peak located on a higher frequency side than a fundamental frequency in the distribution of power spectrum at each spatial frequency, and the mesh pattern at the second peak angle θ p2 [°]. The image data of the regular pattern determined based on the second spatial frequency forming the first peak located on the higher frequency side than the fundamental frequency in the distribution of the power spectrum at each spatial frequency, Fourier transform and In the integrated value distribution at each angle of the power spectrum of the regular pattern obtained by performing polar coordinate transformation The first peak angle theta p1 standard deviation of the power spectrum integral value in [°] in the range of 60 ° around the (theta p1 ± 30 [°]) sigma ap1, and the second peak angle theta p2 The standard deviation σ ap2 of the power spectrum integrated value within a range of 60 ° centered on [°] (θ p2 ± 30 [°]) satisfies the following condition,
1.02 ≦ σ p1 / σ ap1 ≦ 1.16
1.02 ≦ σ p2 / σ ap2 ≦ 1.16
The regular pattern has a coordinate system set in the same manner as when the power spectrum of the mesh pattern is specified from the scan data of the mesh pattern, and the first space has a first peak angle θ p1 [°]. The first straight line groups arranged at a constant pitch having a length corresponding to the frequency, and arranged at a constant pitch having a length corresponding to the second spatial frequency in the direction of the second peak angle θ p2 [°]. And a second straight line group.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布において、パワースペクトル積算値の極大値は0°以上180°未満の範囲内に二つだけ存在するようにしてもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, in the integrated value distribution of the power spectrum of the mesh pattern, only two local maximum values of the power spectrum integrated value may exist within a range of 0 ° to less than 180 °.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
60°≦|θp1−θp2|≦80°、又は、100°≦|θp1−θp2|≦120°
であるようにしてもよい。
In the touch panel sensor according to the present invention,
60 ° ≦ | θ p1 −θ p2 | ≦ 80 °, or 100 ° ≦ | θ p1 −θ p2 | ≦ 120 °
You may make it be.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記開口領域は、交差する二つの方向に配列されていてもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the opening regions may be arranged in two intersecting directions.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記開口領域は、四角形形状であるようにしてもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the opening area may have a quadrangular shape.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
前記メッシュパターンは、二つの分岐点の間を延びて前記開口領域を画成する導電性の接続要素を含み、
前記メッシュパターンの各分岐点は、二つの交点の間を延びて開口領域を画成する複数の線分から形成され前記開口領域が規則的に配列されてなる参照パターンの一つの交点上または所定長さ以下となる長さだけ当該一つの交点からずれた位置に位置しており、且つ、前記メッシュパターンの各接続要素は、一つの線分の両端に位置する二つの交点にそれぞれ対応する二つの分岐点の間を延びていてもよい。
In the touch panel sensor according to the present invention,
The mesh pattern includes conductive connecting elements extending between two branch points to define the open area;
Each branch point of the mesh pattern is formed on a plurality of line segments extending between two intersections to define an opening region, and is on one intersection of a reference pattern in which the opening regions are regularly arranged or a predetermined length. Less than or equal to the length of the one intersection point, and each connecting element of the mesh pattern has two intersection points respectively corresponding to two intersection points located at both ends of one line segment. You may extend between the branch points.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記参照パターンでは、一定形状の開口領域が交差する二つの方向に規則的に配列されていてもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the reference pattern may be regularly arranged in two directions in which opening regions having a certain shape intersect.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記参照パターンでは、一定の四角形形状の開口領域が交差する二つの方向に規則的に配列されていてもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the reference pattern may be regularly arranged in two directions in which certain rectangular opening areas intersect.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記メッシュパターンの前記スキャンデータは、前記メッシュパターンをなす導線の線幅が複数ピクセルによって構成され且つメッシュパターンの3cm×3cm以上となる領域の二次元画像として、前記メッシュパターンを画像データ化したものであってもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the scan data of the mesh pattern may include the mesh as a two-dimensional image of a region in which a line width of a conductive wire forming the mesh pattern is configured by a plurality of pixels and is 3 cm × 3 cm or more The pattern may be converted into image data.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記スキャンデータは、フーリエ変換される前に、二値化処理を施されていてもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the scan data may be binarized before being subjected to Fourier transform.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、二値化処理された前記スキャンデータは、フーリエ変換される前に、細線化処理を施されていてもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the binarized scan data may be subjected to a thinning process before being subjected to Fourier transform.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布に関する前記標準偏差は、当該積算値分布を、ガウシアンフィルタを用いて±10°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後に、特定された値であってもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the standard deviation related to the integrated value distribution of the power spectrum of the mesh pattern is subjected to a blurring process within an angular range of ± 10 ° using a Gaussian filter. The specified value may be used later.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記規則パターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布に関する前記標準偏差は、当該積算値分布を、ガウシアンフィルタを用いて±10°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後に、特定された値であってもよい。 In the touch panel sensor according to the present invention, the standard deviation related to the integrated value distribution of the power spectrum of the regular pattern is subjected to a blurring process within ± 10 ° angle range using a Gaussian filter. The specified value may be used later.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
前記検出電極は、第1検出電極と、前記第1検出電極と重ねて配置された第2検出電極と、を含み、
前記メッシュパターンは、前記第1検出電極によって形成されていてもよい。
In the touch panel sensor according to the present invention,
The detection electrode includes a first detection electrode and a second detection electrode arranged to overlap the first detection electrode;
The mesh pattern may be formed by the first detection electrode.
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
前記検出電極は、第1検出電極と、前記第1検出電極と重ねて配置された第2検出電極と、を含み、
前記メッシュパターンの一部分が、前記第1検出電極によって形成され、前記メッシュパターンの他の部分が、前記第2検出電極によって形成されていてもよい。
In the touch panel sensor according to the present invention,
The detection electrode includes a first detection electrode and a second detection electrode arranged to overlap the first detection electrode;
A part of the mesh pattern may be formed by the first detection electrode, and another part of the mesh pattern may be formed by the second detection electrode.
本発明によるタッチパネル装置は、上述した本発明によるタッチパネルセンサのいずれかを備える。 The touch panel device according to the present invention includes any of the touch panel sensors according to the present invention described above.
本発明による表示装置は、
上述した本発明によるタッチパネルセンサのいずれかと、
前記タッチパネルセンサと重ねて配置された画像表示機構と、を備える。
A display device according to the present invention comprises:
Any of the touch panel sensors according to the invention described above;
An image display mechanism disposed to overlap the touch panel sensor.
本発明によれば、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせることができる。 According to the present invention, both moire and shading unevenness can be made inconspicuous.
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale, the vertical / horizontal dimension ratio, and the like are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.
なお、本明細書において、「板(基板)」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。 In the present specification, the terms “plate (substrate)”, “sheet”, and “film” are not distinguished from each other based only on the difference in names. For example, the “plate” is a concept including a member that can be called a sheet or a film, and cannot be distinguished only by a difference in names.
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。 Furthermore, as used in this specification, the shape and geometric conditions and the degree thereof are specified. For example, terms such as “parallel”, “orthogonal”, “identical”, length and angle values, etc. Without being bound by meaning, it should be interpreted including the extent to which similar functions can be expected.
図1〜図17は、本発明による一実施の形態を説明するための図である。このうち図1はタッチパネル装置を画像表示機構とともに概略的に示す図であり、図2はタッチパネル装置を示す平面図であり、図3及び図4はタッチパネル装置の層構成を例示する図面である。図5〜7は、タッチパネルセンサの検出電極により形成されるメッシュパターンを示す平面図であり、図8及び図9は、導電体メッシュのメッシュパターンの設計方法の一例を説明するための図である。図10〜図14は、導電体メッシュのメッシュパターンを評価する方法を説明するためのメッシュパターンに関する写真であり、図15、図16及び図18は、メッシュパターンのパワースペクトルに関連したグラフであり、図17は、メッシュパターンのパワースペクトルから特定された規則パターンを示す平面図である。 1-17 is a figure for demonstrating one Embodiment by this invention. Among these, FIG. 1 is a diagram schematically showing the touch panel device together with an image display mechanism, FIG. 2 is a plan view showing the touch panel device, and FIGS. 3 and 4 are diagrams illustrating the layer configuration of the touch panel device. 5 to 7 are plan views showing mesh patterns formed by the detection electrodes of the touch panel sensor, and FIGS. 8 and 9 are diagrams for explaining an example of a method for designing a mesh pattern of a conductor mesh. . 10 to 14 are photographs relating to a mesh pattern for explaining a method for evaluating a mesh pattern of a conductor mesh, and FIGS. 15, 16 and 18 are graphs related to the power spectrum of the mesh pattern. FIG. 17 is a plan view showing a regular pattern identified from the power spectrum of the mesh pattern.
図1に示すように、タッチパネル装置20は、画像表示機構(例えば液晶表示装置)12とともに組み合わせられて用いられ、表示装置10を構成している。画像表示機構12は、画像を表示することができる表示領域A1と、表示領域A1を取り囲むようにして表示領域A1の外側に配置された非表示領域(額縁領域とも呼ばれる)A2と、を含んでいる。タッチパネル装置20は、タッチパネルセンサ25と、タッチパネルセンサ25の観察者側に配置された透明カバー22と、タッチパネルセンサ25に接続された図示しない回路と、を含む。透明カバー22は、タッチパネル装置20によって外部導体の接触(接近)位置の検出を実施されるタッチ面を形成する。透明カバー22は、接合層を介してタッチパネルセンサ25と接合されている。 As shown in FIG. 1, the touch panel device 20 is used in combination with an image display mechanism (for example, a liquid crystal display device) 12 to constitute a display device 10. The image display mechanism 12 includes a display area A1 that can display an image, and a non-display area (also referred to as a frame area) A2 that is disposed outside the display area A1 so as to surround the display area A1. Yes. The touch panel device 20 includes a touch panel sensor 25, a transparent cover 22 disposed on the viewer side of the touch panel sensor 25, and a circuit (not shown) connected to the touch panel sensor 25. The transparent cover 22 forms a touch surface on which the touch panel device 20 detects the contact (approach) position of the external conductor. The transparent cover 22 is bonded to the touch panel sensor 25 via a bonding layer.
タッチパネルセンサ25は、位置検出に利用される電極を有する位置検出電極基板30を含んでいる。位置検出電極基板30は、画像表示機構12の表示面12aに対面する位置に配置され、位置を検知するための電極40を有している。以下においては、タッチパネル装置20が、投影型容量結合方式のタッチパネル装置として構成された例について説明する。 The touch panel sensor 25 includes a position detection electrode substrate 30 having electrodes used for position detection. The position detection electrode substrate 30 is disposed at a position facing the display surface 12a of the image display mechanism 12, and has an electrode 40 for detecting the position. Hereinafter, an example in which the touch panel device 20 is configured as a projected capacitive coupling type touch panel device will be described.
図2に示すように、投影型容量結合方式として構成されたタッチパネルセンサ25は、その法線方向に沿って離間して配置された第1電極40及び第2電極50を有している。投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ25は、図3に示すように、各々が電極40a,40bを有した二つの位置検出電極基板30a,30bを含むようにしてもよい。図3に示された例において、第1の位置検出電極基板30aは、基材シート35と、基材シート35上に設けられた第1電極40aと、を有している。第2の位置検出電極基板30bも同様に、基材シート35と、基材シート35上に設けられた第2電極40bと、を有している。 As shown in FIG. 2, the touch panel sensor 25 configured as a projected capacitive coupling system includes a first electrode 40 and a second electrode 50 that are spaced apart along the normal direction. As shown in FIG. 3, the projected capacitive coupling type touch panel sensor 25 may include two position detection electrode substrates 30a and 30b each having electrodes 40a and 40b. In the example illustrated in FIG. 3, the first position detection electrode substrate 30 a includes a base sheet 35 and a first electrode 40 a provided on the base sheet 35. Similarly, the second position detection electrode substrate 30 b includes a base sheet 35 and a second electrode 40 b provided on the base sheet 35.
その一方で、投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ25は、図4に示すように、単一の位置検出電極基板30のみを有するようにしてもよい。この位置検出電極基板30は、単一の基材シート35と、基材シート35の両側にそれぞれ設けられた第1電極40a及び第2電極40bと、を有している。 On the other hand, the projected capacitively coupled touch panel sensor 25 may have only a single position detection electrode substrate 30 as shown in FIG. The position detection electrode substrate 30 includes a single base sheet 35 and a first electrode 40a and a second electrode 40b provided on both sides of the base sheet 35, respectively.
以下においては、図3に示された層構成について説明していく。ただし、第1位置検出電極基板30aと第2位置検出電極基板30bは、電極40a,40bの平面視における配列パターン等は相違するが、材料、層構成、寸法等のその他において同様に構成することができる。したがって、第1位置検出電極基板30aと第2位置検出電極基板30bに共通する説明については、「第1」及び「第2」を区別することなく、符号「30」を用いて説明する。 In the following, the layer configuration shown in FIG. 3 will be described. However, the first position detection electrode substrate 30a and the second position detection electrode substrate 30b are configured in the same manner in materials, layer configurations, dimensions, and the like, although the arrangement patterns and the like of the electrodes 40a and 40b in plan view are different. Can do. Therefore, the description common to the first position detection electrode substrate 30a and the second position detection electrode substrate 30b will be described using the reference numeral “30” without distinguishing between “first” and “second”.
位置検出電極基板30に用いられる基材シート35は、電極40a,40bを支持する基材として機能し、且つ、タッチパネルセンサ25における誘電体としても機能する。図2に示すように、基材シート35は、外部導体(例えば、指)の接触(接近)位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアAa1と、アクティブエリアAa1に隣接する非アクティブエリアAa2と、を含んでいる。図1に示すように、位置検出電極基板30のアクティブエリアAa1は、画像表示機構12の表示領域A1に対面する領域を占めている。一方、非アクティブエリアAa2は、矩形状のアクティブエリアAa1を四方から周状に取り囲むように、言い換えると、額縁状に形成されている。この非アクティブエリアAa2は、画像表示機構12の非表示領域A2に対面する領域に形成されている。 The base material sheet 35 used for the position detection electrode substrate 30 functions as a base material that supports the electrodes 40 a and 40 b and also functions as a dielectric in the touch panel sensor 25. As shown in FIG. 2, the base sheet 35 includes an active area Aa1 corresponding to a region where a contact (approach) position of an external conductor (for example, a finger) can be detected, and an inactive area Aa2 adjacent to the active area Aa1. , Including. As shown in FIG. 1, the active area Aa1 of the position detection electrode substrate 30 occupies an area facing the display area A1 of the image display mechanism 12. On the other hand, the non-active area Aa2 is formed in a frame shape so as to surround the rectangular active area Aa1 from the four sides. The inactive area Aa2 is formed in a region facing the non-display region A2 of the image display mechanism 12.
アクティブエリアAa1を介して画像表示機構12の画像を観察することができるよう、基材シート35は、透明または半透明となっている。基材シート35は、可視光領域における透過率が80%以上であることが好ましく、84%以上であることがより好ましい。なお、基材シート35の可視光透過率は、分光光度計((株)島津製作所製「UV−3100PC」、JISK0115準拠品)を用いて測定波長380nm〜780nmの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。 The substrate sheet 35 is transparent or translucent so that the image of the image display mechanism 12 can be observed through the active area Aa1. The substrate sheet 35 preferably has a transmittance in the visible light region of 80% or more, and more preferably 84% or more. The visible light transmittance of the substrate sheet 35 is measured using a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation “UV-3100PC”, JIS K0115 compliant product) within a measurement wavelength range of 380 nm to 780 nm. It is specified as an average value of transmittance at each wavelength.
基材シート35は、例えば、誘電体として機能し得るガラスや樹脂フィルムから構成され得る。樹脂フィルムとしては、光学部材の基材として使用されている種々の樹脂フィルムを好適に用いることができる。一例として、複屈折性を有さない光学等方性のフィルム、典型的には、トリアセチルセルロースに代表されるセルロースエステルからなるフィルムを、基材シート35として用いることができる。その一方で、複屈折性を有する光学等方性のフィルムも、基材シート35として用いることができる。例えば、安価で安定性に優れたポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステルフィルムを、基材シート35として用いることができる。ポリエステルフィルムは、吸湿性が低く、高温多湿の環境化においても変形等が生じ難いといった利点を、有している。 The base material sheet 35 can be comprised from the glass and resin film which can function as a dielectric material, for example. As the resin film, various resin films used as the base material of the optical member can be suitably used. As an example, an optically isotropic film having no birefringence, typically a film made of a cellulose ester typified by triacetyl cellulose can be used as the substrate sheet 35. On the other hand, an optically isotropic film having birefringence can also be used as the substrate sheet 35. For example, a polyester film such as polyethylene terephthalate (PET) that is inexpensive and excellent in stability can be used as the base sheet 35. Polyester films have the advantage that they are less hygroscopic and less likely to be deformed even in high temperature and high humidity environments.
次に、基材シート35上に設けられた第1電極40a及び第2電極40bについて説明する。図2に示すように、第1電極40aは、位置検出に用いられる第1検出電極45aと、第1検出電極45aに接続された第1取出電極(取出配線)42aと、を有している。同様に、第2電極40bは、位置検出に用いられる第2検出電極45bと、第2検出電極45bに接続された第2取出電極(取出配線)42bと、を有している。各検出電極45a,45bは、パターンをなすようにしてアクティブエリアAa1内に配置されている。一方、取出電極42a,52aは、非アクティブエリアAa2内に配置されている。 Next, the first electrode 40a and the second electrode 40b provided on the base sheet 35 will be described. As shown in FIG. 2, the first electrode 40a includes a first detection electrode 45a used for position detection, and a first extraction electrode (extraction wiring) 42a connected to the first detection electrode 45a. . Similarly, the second electrode 40b includes a second detection electrode 45b used for position detection, and a second extraction electrode (extraction wiring) 42b connected to the second detection electrode 45b. Each detection electrode 45a, 45b is arranged in the active area Aa1 so as to form a pattern. On the other hand, the extraction electrodes 42a and 52a are disposed in the inactive area Aa2.
なお、以下の説明において、第1電極40a及び第2電極40bに共通する説明については、「第1」及び「第2」を区別することなく、符号「40」を用いて説明する。同様に、第1検出電極45a及び第2検出電極45bに共通する説明については、「第1」及び「第2」を区別することなく、符号「45」を用いて説明し、さらに、第1取出電極42a及び第2取出電極42bに共通する説明については、「第1」及び「第2」を区別することなく、符号「42」を用いて説明する。 In the following description, the description common to the first electrode 40a and the second electrode 40b will be described using the symbol “40” without distinguishing between “first” and “second”. Similarly, the description common to the first detection electrode 45a and the second detection electrode 45b will be described using the symbol “45” without distinguishing between “first” and “second”, and the first The description common to the extraction electrode 42a and the second extraction electrode 42b will be described using the symbol “42” without distinguishing between “first” and “second”.
取出電極42は、検出電極45の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一つまたは二つ設けられている。各取出電極42は、対応する検出電極45に接続されて配線を形成している。取出電極42は、基材シート35の非アクティブエリアAa2内を、対応する検出電極45から基材シート35の端縁まで延びている。そして、取出電極42の検出電極45とは反対側の端部に、端子部43が形成されている。取出電極42は、その端子部43にて、図示しない外部接続配線(例えば、FPC)を介し、制御回路(図示せず)に接続される。 One or two extraction electrodes 42 are provided for each of the detection electrodes 45 depending on the detection method of the contact position. Each extraction electrode 42 is connected to a corresponding detection electrode 45 to form a wiring. The extraction electrode 42 extends from the corresponding detection electrode 45 to the edge of the base sheet 35 in the inactive area Aa <b> 2 of the base sheet 35. A terminal portion 43 is formed at the end of the extraction electrode 42 opposite to the detection electrode 45. The extraction electrode 42 is connected to a control circuit (not shown) at the terminal portion 43 via an external connection wiring (for example, FPC) (not shown).
図3に示された例では、第1検出電極45a及び第2検出電極45bは、対応する基材シート35の観察者側の面上に互いに異なる所定のパターンで配置されている。具体的には、図2に示すように、第1検出電極45aは、長方形の輪郭形状を有して線状に延び、且つ、その長手方向と交差する方向に配列されている。同様に、第2検出電極45bも、長方形の輪郭形状を有して線状に延び、且つ、その長手方向と交差する方向に配列されている。ただし、第1検出電極45aの配列方向と第2検出電極45bの配列方向とは非平行となっている。図示された例において、第1検出電極45aは、ストライプ状となるよう、図2における上下に並べられ且つその配列方向に直交する方向(図2における左右)に直線状に延びている。また、第2検出電極45bも、ストライプ状となるよう、図2における左右に並べられ且つその配列方向に直交する方向(図2における上下)に直線状に延びている。さらに、第1検出電極45aの配列方向と第2検出電極45bの配列方向とは直交している。 In the example shown in FIG. 3, the first detection electrodes 45 a and the second detection electrodes 45 b are arranged in different predetermined patterns on the viewer-side surface of the corresponding base material sheet 35. Specifically, as shown in FIG. 2, the first detection electrodes 45a have a rectangular outline shape, extend linearly, and are arranged in a direction intersecting the longitudinal direction thereof. Similarly, the second detection electrodes 45b also have a rectangular outline shape, extend linearly, and are arranged in a direction intersecting the longitudinal direction. However, the arrangement direction of the first detection electrodes 45a and the arrangement direction of the second detection electrodes 45b are not parallel. In the illustrated example, the first detection electrodes 45a are arranged vertically in FIG. 2 and extend linearly in a direction perpendicular to the arrangement direction (left and right in FIG. 2) so as to have a stripe shape. Further, the second detection electrodes 45b are also arranged in the left and right directions in FIG. 2 so as to have a stripe shape, and extend linearly in a direction (up and down in FIG. 2) perpendicular to the arrangement direction. Furthermore, the arrangement direction of the first detection electrodes 45a and the arrangement direction of the second detection electrodes 45b are orthogonal to each other.
検出電極45は、外部導体がタッチパネルセンサ25に接触または接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化を検知するために設けられるものである。従って、検出電極45には、電磁的な変化または静電容量の変化に起因する電流を検知可能なレベルで流すことができる程度の導電性が求められる。このような検出電極45を構成するための材料として、優れた導電性を有する金属材料、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、及び、これらの合金の一以上を用いることができる。 The detection electrode 45 is provided to detect an electromagnetic change or a change in capacitance that occurs when an external conductor comes into contact with or approaches the touch panel sensor 25. Therefore, the detection electrode 45 is required to have conductivity that allows a current caused by an electromagnetic change or a change in capacitance to flow at a detectable level. As a material for constituting such a detection electrode 45, a metal material having excellent conductivity, for example, gold, silver, copper, platinum, aluminum, chromium, molybdenum, nickel, titanium, palladium, indium, and these One or more of these alloys can be used.
一方、これらの金属材料は、可視光に対して遮光性を有している。そこで、検出電極45は、図5及び図6に示すように、導線が多数の開口領域51を画成するメッシュパターン50にて配置されてなる導電体メッシュ46を含んでいる。とりわけ図2に示された例においては、各検出電極45が、細長い領域に形成された導電体メッシュ46から形成されている。導電体メッシュ46をなす導線の線幅は、1μm以上30μm以下とすることができる。また、導電体メッシュ46の開口率は、90%以上99%以下とすることができる。また、開口領域51のピッチは、200μm以上1000μm以下とすることができる。 On the other hand, these metal materials have a light shielding property against visible light. Therefore, the detection electrode 45 includes a conductor mesh 46 in which conductive wires are arranged in a mesh pattern 50 that defines a large number of opening regions 51, as shown in FIGS. In particular, in the example shown in FIG. 2, each detection electrode 45 is formed of a conductor mesh 46 formed in an elongated region. The line width of the conducting wire forming the conductor mesh 46 can be set to 1 μm or more and 30 μm or less. The opening ratio of the conductor mesh 46 can be 90% or more and 99% or less. Moreover, the pitch of the opening area | region 51 can be 200 micrometers or more and 1000 micrometers or less.
アクティブエリアAa1の全域にメッシュ状導電体が設けられ、各電極40の検出電極45の輪郭に対応して、メッシュ状導電体をなす導線を断線させることにより、各電極40の複数の検出電極45の各々をなす導電体メッシュ46が形成され得る。すなわち、導電体メッシュ46は、アクティブエリアAa1の全域に広がるメッシュ状導電体を断線部にて断線していくことによって区画される複数のメッシュパターンの各々に対応している。各導電体メッシュ46は、多数の開口領域51を画成するメッシュパターン50を形成する。図5〜図7に示すように、このメッシュパターン50は、二つの分岐点52の間を延びて開口領域51を画成する多数の接続要素53から形成されている。すなわち、分岐点52は、三つ以上の接続要素53の一端が合流している点である。 A mesh-like conductor is provided over the entire active area Aa1, and a plurality of detection electrodes 45 of each electrode 40 are formed by disconnecting the conductive wire forming the mesh-like conductor corresponding to the outline of the detection electrode 45 of each electrode 40. Each of the conductive meshes 46 may be formed. In other words, the conductor mesh 46 corresponds to each of a plurality of mesh patterns that are partitioned by breaking the mesh-like conductor that spreads throughout the active area Aa1 at the break portion. Each conductor mesh 46 forms a mesh pattern 50 that defines a number of open areas 51. As shown in FIGS. 5 to 7, the mesh pattern 50 is formed of a large number of connecting elements 53 that extend between two branch points 52 and define an open region 51. That is, the branch point 52 is a point where one end of the three or more connection elements 53 is joined.
ところで、図19に示すように、タッチパネルセンサ25と重ねて配置される画像表示機構12の表示領域A1には、画像を形成するための画素Pが規則的に配列されている。一般的には、画像表示機構12の設置状態における水平方向(図19における方向dx)及び水平方向に直交する方向dy(例えば鉛直方向)の両方に、一定のピッチで画素Pが配列されている。なお、図19に示された例のように、一般的に、各画素Pは、複数のサブ画素RP,GP,BPを含んでいる。画素配列を有する画像表示機構12に導電体メッシュ46を有したタッチパネルセンサ25が積層されると、導電体メッシュ46の開口領域51が規則的に配列されている場合、画素Pの規則的(周期的)パターンと導電体メッシュ46の開口領域51の配列パターンとに起因した縞状の模様、すなわちモアレが視認される可能性がある。 By the way, as shown in FIG. 19, pixels P for forming an image are regularly arranged in the display area A <b> 1 of the image display mechanism 12 arranged so as to overlap the touch panel sensor 25. In general, pixels P are arranged at a constant pitch both in the horizontal direction (direction d x in FIG. 19) in the installed state of the image display mechanism 12 and in the direction d y (eg, the vertical direction) orthogonal to the horizontal direction. ing. As in the example shown in FIG. 19, each pixel P generally includes a plurality of sub-pixels RP, GP, and BP. When the touch panel sensor 25 having the conductor mesh 46 is stacked on the image display mechanism 12 having the pixel arrangement, when the opening areas 51 of the conductor mesh 46 are regularly arranged, the regular (periodic) of the pixels P are arranged. There is a possibility that a striped pattern resulting from the pattern and the arrangement pattern of the opening areas 51 of the conductor mesh 46, that is, moire, is visually recognized.
このため、導電体メッシュのパターンを不規則化することが、モアレの不可視化に有効であると考えられてきた。しかしながら、本件発明者らの研究によれば、単に導電体メッシュのパターンの形状及び配列ピッチを不規則化したとしても、常に、モアレを十分に目立たなくさせることはできなかった。また、導電体メッシュ46の開口領域51の配列の規則性を大きく崩すことによって、すなわち、開口領域51を不規則的に配列することによってモアレを目立たなくすることができたとしても、開口領域51の密度バラツキに起因した濃淡のむらが視認される可能性もある。そして、背景技術の節で説明したように、モアレ又は濃淡むらの不可視化対策が種々研究されてきたが、モアレ及び濃淡むらの双方を効果的に目立たなくさせるには至っていなかった。 For this reason, it has been considered that making the pattern of the conductor mesh irregular is effective for making the moire invisible. However, according to the study by the present inventors, even if the shape and arrangement pitch of the pattern of the conductor mesh are simply made irregular, the moire cannot always be made sufficiently inconspicuous. Further, even if the regularity of the arrangement of the opening areas 51 of the conductor mesh 46 is largely lost, that is, the opening areas 51 are irregularly arranged, even if the moire can be made inconspicuous, the opening areas 51 There is also a possibility that the unevenness in density due to the density variation is visually recognized. And as explained in the background section, various countermeasures for invisibility of moire or shading unevenness have been studied, but both moire and shading unevenness have not been effectively inconspicuous.
そして、本件発明者は、検出電極45によって形成されるメッシュパターン50が、規則的なパターンの規則性を或る程度崩したパターンになっていれば、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせることができると考えた。本件発明者は、さらにこの点について検討を重ねた結果として、最終的に得られたタッチパネルセンサ25の検出電極45によって形成されるメッシュパターン50についてのフーリエ変換パワースペクトル画像が、所定の条件を満たす場合に、モアレを極めて効果的に目立たなくさせること、及び、濃淡むらを極めて効果的に目立たなくさせることの両方が同時に可能となることを知見した。 Then, if the mesh pattern 50 formed by the detection electrode 45 is a pattern in which the regularity of the regular pattern is broken to some extent, the inventor makes both moire and shading unevenness inconspicuous. I thought it was possible. As a result of further examination on this point, the present inventor finally obtained a Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern 50 formed by the detection electrode 45 of the touch panel sensor 25 that satisfies the predetermined condition. In some cases, it has been found that it is possible simultaneously to make the moire very inconspicuous and to make the uneven density inconspicuous very effectively.
以下において、まず、規則的なパターンの規則性を或る程度崩したパターンとしてメッシュパターン50を形成された検出電極45の導電体メッシュについて説明する。そしてその後に、規則性を持ったパターンの規則性を消失させることによって形成されたメッシュパターン50が、モアレ及び濃淡むらの両方を効果的に不可視化するために満たすべき条件について、説明する。 In the following, first, the conductor mesh of the detection electrode 45 in which the mesh pattern 50 is formed as a pattern in which the regularity of the regular pattern is broken to some extent will be described. And after that, the conditions which the mesh pattern 50 formed by eliminating the regularity of the pattern having regularity should satisfy in order to effectively invisible both moire and shading unevenness will be described.
図5には、第1検出電極45aをなす導電体メッシュ46の一例が示されており、図6には、第2検出電極45bをなす導電体メッシュ46の一例が示されている。これらの導電体メッシュ46のパターンは、共に、二つの交点62の間を延びて開口領域(開口部)61を画成する複数の線分63から形成された参照パターン60(図8及び図9参照)を基礎にして、決定されている。より具体的には、これらの導電体メッシュ46のメッシュパターン50は、開口領域61が規則的に配列されてなる、言い換えると、開口領域61が周期性を持って配列されてなる参照パターン60を基礎として、濃淡むらを引き起こさないように開口領域61の配置位置の均一性を維持しつつ、その一方でモアレを十分に不可視化できる程度に、開口領域61の形状を変化させて当該開口領域61の開口面積をばらつかせることにより、決定されている。 FIG. 5 shows an example of the conductor mesh 46 that forms the first detection electrode 45a, and FIG. 6 shows an example of the conductor mesh 46 that forms the second detection electrode 45b. Both patterns of these conductor meshes 46 are a reference pattern 60 (see FIGS. 8 and 9) formed from a plurality of line segments 63 extending between two intersections 62 and defining an open region (opening) 61. (See below). More specifically, the mesh pattern 50 of these conductor meshes 46 includes a reference pattern 60 in which the opening regions 61 are regularly arranged. In other words, the reference pattern 60 in which the opening regions 61 are arranged with periodicity. As a basis, the shape of the opening area 61 is changed to such an extent that the moire can be sufficiently invisible while maintaining the uniformity of the arrangement position of the opening area 61 so as not to cause unevenness of shading. It is determined by varying the opening area.
そして、図5及び図6に示された例において、第1検出電極45aをなす導電体メッシュ46及び第2検出電極45bをなす導電体メッシュ46は、同一パターンの参照パターン60を基礎として、そのパターンを決定されている。したがって、図5及び図6に示すように、参照パターン60の規則性が大きく崩されていない状態において、第1検出電極45aをなす導電体メッシュ46及び第2検出電極45bをなす導電体メッシュ46は、概ね同様のパターンとなっている。 In the example shown in FIGS. 5 and 6, the conductive mesh 46 forming the first detection electrode 45a and the conductive mesh 46 forming the second detection electrode 45b are based on the reference pattern 60 of the same pattern. The pattern has been determined. Therefore, as shown in FIGS. 5 and 6, in a state where the regularity of the reference pattern 60 is not greatly broken, the conductor mesh 46 forming the first detection electrode 45 a and the conductor mesh 46 forming the second detection electrode 45 b. Is almost the same pattern.
図2に示された例において、第1検出電極45aをなす導電体メッシュ46及び第2検出電極45bをなす導電体メッシュ46は、大部分において、重なり合って配置される。そして、このように重なり合う部分において、第1検出電極45aをなす導電体メッシュ46及び第2検出電極45bをなす導電体メッシュ46は、それぞれに関する参照パターン60が、開口領域61の配列方向に、当該開口領域61の配列ピッチの半分の長さだけずれて配置されるようにして、互いに対して位置決めされている。結果として、図7に示すように、第1検出電極45aをなす導電体メッシュ46及び第2検出電極45bをなす導電体メッシュ46は、互いに重ね合わされた状態において、或る程度の規則性を残したパターンを形成している。 In the example shown in FIG. 2, the conductor mesh 46 forming the first detection electrode 45a and the conductor mesh 46 forming the second detection electrode 45b are disposed so as to overlap each other. In the overlapping portion in this way, the conductive mesh 46 forming the first detection electrode 45a and the conductive mesh 46 forming the second detection electrode 45b are such that the reference pattern 60 relating to each of the conductive mesh 46 in the arrangement direction of the opening regions 61 They are positioned with respect to each other so as to be displaced by a length that is half the arrangement pitch of the opening regions 61. As a result, as shown in FIG. 7, the conductor mesh 46 forming the first detection electrode 45a and the conductor mesh 46 forming the second detection electrode 45b leave a certain degree of regularity in a state where they are overlapped with each other. Pattern is formed.
なお、モアレは、第1検出電極45aによって形成されるメッシュパターン及び第2検出電極45bによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン50と、他の部材の規則的なパターン(例えば、画像表示機構12の画素Pの配列パターン)との干渉によって生じるとともに、各電極40の検出電極45によって形成されるメッシュパターン50と、他の部材の規則的なパターンとの干渉によっても生じる。同様に、濃淡むらは、第1検出電極45aによって形成されるメッシュパターン及び第2検出電極45bによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン50の局所的な不均一性によっても生じるし、また、各電極40の検出電極45によって形成されるメッシュパターン50の局所的な不均一性によっても生じ得る。したがって、後述するフーリエ変換パワースペクトル画像に関連した条件は、第1検出電極45aによって形成されるメッシュパターン及び第2検出電極45bによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン50により満たされる場合に、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効であるとともに、各電極40をなす検出電極45によって形成されるメッシュパターン50のいずれかが一以上により単独で満たされる場合にも、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効である。 The moire pattern includes a mesh pattern 50 formed by superimposing a mesh pattern formed by the first detection electrode 45a and a mesh pattern formed by the second detection electrode 45b, and a regular pattern of other members (for example, an image display mechanism). This is caused by interference between the mesh pattern 50 formed by the detection electrode 45 of each electrode 40 and a regular pattern of other members. Similarly, shading unevenness is also caused by local non-uniformity of the mesh pattern 50 formed by superimposing the mesh pattern formed by the first detection electrode 45a and the mesh pattern formed by the second detection electrode 45b. It can also be caused by local non-uniformity of the mesh pattern 50 formed by the detection electrode 45 of each electrode 40. Therefore, when the conditions related to the Fourier transform power spectrum image to be described later are satisfied by the mesh pattern 50 formed by overlapping the mesh pattern formed by the first detection electrode 45a and the mesh pattern formed by the second detection electrode 45b, It is effective in making both moiré and shading unevenness inconspicuous, and even when any one of the mesh patterns 50 formed by the detection electrodes 45 constituting each electrode 40 is independently filled with one or more, moire and shading This is effective in making both of the unevenness inconspicuous.
次に、以上に説明した導電体メッシュ46のパターンの決定方法の一具体例について説明する。以下に説明する方法では、二つの交点62の間を延びて開口領域61を画成する複数の線分63から形成された参照パターン60を決定する工程と、参照パターン60の交点62に基づいてメッシュパターン50の分岐点52の位置を決定する工程と、決定された分岐点52及び参照パターン60の線分63に基づき、メッシュパターン50の接続要素53の位置を決定する工程と、を有している。以下、各工程について順に説明していく。 Next, a specific example of the method for determining the pattern of the conductor mesh 46 described above will be described. In the method described below, a reference pattern 60 formed from a plurality of line segments 63 extending between two intersections 62 and defining an open region 61 is determined, and based on the intersections 62 of the reference pattern 60. Determining the position of the branch point 52 of the mesh pattern 50, and determining the position of the connection element 53 of the mesh pattern 50 based on the determined branch point 52 and the line segment 63 of the reference pattern 60. ing. Hereinafter, each step will be described in order.
まず、参照パターン60を決定する工程において、導電体メッシュ46の基礎となる規則的なパターン、すなわち、参照パターン60を決定する。ここで決定される参照パターン60は、二つの交点62の間を延びて開口領域61を画成する複数の線分63から形成されている。図8及び図9に示されたこの参照パターン60において、一定形状の開口領域61が交差する二以上の方向dr1,dr2に規則的に配列されている。なお、参照パターン60に複数種類の開口領域61が含まれ、各種の開口領域61が交差する二以上の方向に規則的に配列されるようにしてもよい。 First, in the step of determining the reference pattern 60, a regular pattern that is the basis of the conductor mesh 46, that is, the reference pattern 60 is determined. The reference pattern 60 determined here is formed from a plurality of line segments 63 extending between two intersections 62 and defining an open region 61. In the reference pattern 60 shown in FIGS. 8 and 9, the opening regions 61 having a fixed shape are regularly arranged in two or more directions d r1 and d r2 intersecting each other. The reference pattern 60 may include a plurality of types of opening regions 61, and the various opening regions 61 may be regularly arranged in two or more directions where they intersect.
図8及び図9に示された参照パターン60では、一定の四角形形状の開口領域61が、隙間なく敷き詰められたパターンとなっている。開口領域61は、互いに交差する第1基準方向dr1及び第2基準方向dr2にそれぞれ一定ピッチで配列されている。とりわけ、図示された参照パターン60は、各々が第1基準方向dr1に直線状に延び且つ第1基準方向dr1に直交する方向に一定ピッチpb1で配列された複数の第1直線66aからなる第1平行線群66と、各々が第2基準方向dr2に直線状に延び且つ第2基準方向dr2に直交する方向に前記一定ピッチpr1と同一の一定ピッチpr2で配列された第2の直線67aからなる第2平行線群67と、によって画成されている。結果として、参照パターン60に含まれる開口領域61は、すべて同一の四角形形状、とりわけ菱形形状に形成されている。 In the reference pattern 60 shown in FIG. 8 and FIG. 9, a certain rectangular opening area 61 is laid out without any gap. The opening regions 61 are arranged at a constant pitch in the first reference direction dr1 and the second reference direction dr2 that intersect each other. Especially, the reference pattern 60 shown is, from each of the plurality of first straight line 66a which are arranged at a constant pitch p b1 in the direction perpendicular to the linearly extending and first reference direction d r1 in a first reference direction d r1 A first parallel line group 66 each extending linearly in the second reference direction dr2 and arranged in a direction orthogonal to the second reference direction dr2 at a constant pitch pr2 equal to the constant pitch pr1 . And a second parallel line group 67 composed of second straight lines 67a. As a result, all the opening regions 61 included in the reference pattern 60 are formed in the same quadrangular shape, in particular, a rhombus shape.
また、図9に示すように、図示された例において、第1検出電極45aが形成するメッシュパターンに関する参照パターンと、第2検出電極45bが形成するメッシュパターンに関する参照パターンとは同一のパターンとなっている。図9に示すように、各検出電極45a,45bのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第1基準方向dr1が互いに平行となるように配置されている。また、各検出電極45a,45bのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第2基準方向dr2が互いに平行となるように配置されている。各検出電極45a,45bのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第1平行線群66の群が、第1基準方向dr1に直交する方向に、一定ピッチpr1の半分(pr1/2)だけ互いからずれて配置されている。加えて、各検出電極45a,45bのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第2平行線群67が、第2基準方向dr2に直交する方向に、一定ピッチpr2の半分(pr2/2)だけ互いからずれて配置されている。この参照パターン60の決定によれば、参照パターン60に基づいて作製される二つの導電体メッシュ46が互いに重なり合って、開口している領域が或る程度の規則性を残しながらその一方で一定ではない形状を持つようになるメッシュパターン50を示すようになる。すなわち、導電体メッシュ46は、単独の状態だけでなく重ね合わせた状態においても、開口領域が或る程度均一に分散したパターンを呈するようになる。 As shown in FIG. 9, in the illustrated example, the reference pattern related to the mesh pattern formed by the first detection electrode 45a and the reference pattern related to the mesh pattern formed by the second detection electrode 45b are the same pattern. ing. As shown in FIG. 9, the reference patterns related to the mesh patterns of the detection electrodes 45a and 45b are arranged so that the respective first reference directions dr1 are parallel to each other. The reference patterns related to the mesh patterns of the detection electrodes 45a and 45b are arranged so that the second reference directions dr2 are parallel to each other. The reference pattern related to the mesh pattern of each of the detection electrodes 45a and 45b is that the group of the first parallel line groups 66 is half the constant pitch p r1 (p r1 / 2) in the direction orthogonal to the first reference direction dr1. Are just offset from each other. In addition, the reference pattern related to the mesh pattern of each of the detection electrodes 45a and 45b is such that each second parallel line group 67 has a half (p r2 / 2) of a constant pitch p r2 in a direction orthogonal to the second reference direction dr2. ) Are just offset from each other. According to the determination of the reference pattern 60, the two conductor meshes 46 produced based on the reference pattern 60 are overlapped with each other, and the open region remains with a certain degree of regularity, while being constant. A mesh pattern 50 having a non-existent shape is shown. That is, the conductor mesh 46 exhibits a pattern in which the opening regions are dispersed to a certain degree even in a state where they are not only separated but also overlapped.
ところで、一般に、画像表示機構12の画素配列とタッチパネルセンサ25の導電体メッシュ46との干渉によるモアレを不可視化する観点からは、画像表示機構12における画素の配列方向dx,dyに対し、タッチパネルセンサ25の開口領域51の配列方向を傾斜させることが好ましいとされている。一方、本件発明者らが実験を繰り返したところ、図19に示された正方格子配列された画素Pとのモアレを不可視化する上では、さらに、画素の対角線方向doに対しても、タッチパネルセンサ25の開口領域51の配列方向を傾斜させることが有効であった。これは、図19に示すように、画素Pの対角線上となる位置に、画素Pを画成する遮光部(例えばブラックマトリクス)13の幅太部13aが並び、一定間隔で並べられた遮光部13の幅太部13aと開口領域51とのモアレが生じ易くなるためと考えられる。 Incidentally, in general, the moire caused by interference with the conductive mesh 46 of the pixel array and the touch panel sensor 25 of the image display system 12 from the perspective of invisible, the arrangement direction of the pixels in the image display mechanism 12 d x, to d y, It is preferable to incline the arrangement direction of the opening areas 51 of the touch panel sensor 25. On the other hand, when the present inventors have repeated experiments, in order to invisible moire with square lattice arrayed pixels P shown in FIG. 19, further, even for diagonal d o of the pixel, the touch panel It was effective to incline the arrangement direction of the opening regions 51 of the sensor 25. This is because, as shown in FIG. 19, the light blocking portions 13a are arranged at regular intervals with the wide width portions 13a of the light blocking portions (for example, black matrix) 13 defining the pixels P arranged at diagonal positions of the pixels P. This is because moire between the 13 thick portions 13a and the opening region 51 is likely to occur.
正方格子配列された一般的な画素Pは、平面視において正方形形状を有している。このような画素Pを用いた場合、対角線方向doは、画素配列方向dx,dyに対して45°傾斜する。そして、本件発明者が確認したところ、正方形形状の画素Pとのモアレを不可視化する上で、開口領域51の配列方向が、直交する画素配列方向dx,dyのうちの一方dxに対してなす角度が30°以上40°以下であることが好ましく、33°以上37°以下であることより好ましく、35°であることが最も好ましかった。言い換えると、正方形形状の画素Pとのモアレを不可視化する上で、開口領域51の配列方向が、直交する画素の配列方向dx,dyのうちの他方dyに対してなす角度が50°以上60°以下であることが好ましく、53°以上57°以下であることより好ましく、55°であることが最も好ましかった。 A general pixel P arranged in a square lattice has a square shape in plan view. When using such a pixel P, the diagonal d o is, 45 ° inclined with respect to the pixel arrangement direction d x, d y. As a result of confirmation by the present inventor, in order to make the moire with the square pixel P invisible, the arrangement direction of the opening region 51 is set to one of the orthogonal pixel arrangement directions d x and d dy d x . The angle formed with respect to it is preferably 30 ° or more and 40 ° or less, more preferably 33 ° or more and 37 ° or less, and most preferably 35 °. In other words, in order to invisible moire between the pixel P of a square shape, arrangement direction of the opening area 51, the arrangement direction d x of the pixel to be orthogonal, the angle formed with respect to the other d y of d y 50 The angle is preferably from 60 ° to 60 °, more preferably from 53 ° to 57 °, and most preferably from 55 °.
一方、ここで説明する導電体メッシュ46のパターン決定方法において、導電体メッシュ46の開口領域51は、概ね、参照パターン60の開口領域61の配列方向に従うようになる。そして、参照パターン60における開口領域61の配列方向は、第1基準方向dr1及び第2基準方向dr2(或いは、これらと直交する方向)となる。したがって、参照パターン60に含まれる開口領域61の向きを決める第1基準方向dr1及び第2基準方向dr2は、直交する画素Pの配列方向dx,dyのうちの一方dxに対して30°以上40°以下の角度をなすことが好ましく、33°以上37°以下の角度をなすことがより好ましく、図8及び図9に示すように35°の角度θr1x,θr2xをなすことが最も好ましい。したがって、第1基準方向dr1及び第2基準方向dr2が互いに対してなす角度θrxは、60°以上80°以下であることが好ましく、66°以上74°以下であることがより好ましく、図8及び図9に示すように70°であることが最も好ましい。また、参照パターン60に含まれる開口領域61の向きを決める第1基準方向dr1及び第2基準方向dr2は、直交する画素の配列方向のうちの他方dyに対して50°以上60°以下の角度をなすことが好ましく、53°以上57°以下の角度をなすことがより好ましく、図8及び図9に示すように55°の角度θr1y,θr2yをなすことが最も好ましい。 On the other hand, in the pattern determination method of the conductor mesh 46 described here, the opening area 51 of the conductor mesh 46 generally follows the arrangement direction of the opening areas 61 of the reference pattern 60. And the arrangement direction of the opening area | region 61 in the reference pattern 60 turns into 1st reference direction dr1 and 2nd reference direction dr2 (or direction orthogonal to these). Accordingly, the first reference direction d r1 and the second reference direction d r2 orienting of the opening region 61 included in the reference pattern 60, the arrangement direction d x of the pixel P that is orthogonal with respect to one d x of d y It is preferable that the angle is 30 ° or more and 40 ° or less, more preferably 33 ° or more and 37 ° or less, and the angles θ r1x and θ r2x of 35 ° are formed as shown in FIGS. 8 and 9. Most preferred. Therefore, the angle theta rx forming first reference direction d r1 and the second reference direction d r2 are relative to each other is preferably 60 ° or more than 80 °, more preferably 66 ° or more 74 ° or less, As shown in FIGS. 8 and 9, the angle is most preferably 70 °. The first reference direction d r1 and the second reference direction d r2 orienting of the opening region 61 included in the reference pattern 60, 60 ° 50 ° or more with respect to the other d y of the pixel arrangement direction orthogonal It is preferable to make the following angles, more preferably to make an angle of 53 ° or more and 57 ° or less, and most preferable to make the angles θ r1y and θ r2y of 55 ° as shown in FIGS.
次に、参照パターン60の交点62に基づいて分岐点52の位置を決定する工程について説明する。この工程では、参照パターン60の一つの交点62から、一つの分岐点52の位置を決定する。具体的には、各分岐点52は、参照パターン60の対応する交点62上、或いは、当該対応する交点62上から所定長さ以下の長さだけずれた位置に、配置される。この際、各分岐点52の対応する交点62からのずれ量およびずれる方向を不規則的に決定することにより、最終的に得られる導電体メッシュ46の開口領域51の形状が一定とはならず、モアレを効果的に目立たなくさせることができる。なお、不規則的に選択されるずれ量が0となった場合に、分岐点52が対応する交点62上に位置するようにしてもよい。 Next, the process of determining the position of the branch point 52 based on the intersection 62 of the reference pattern 60 will be described. In this step, the position of one branch point 52 is determined from one intersection point 62 of the reference pattern 60. Specifically, each branch point 52 is arranged on the corresponding intersection 62 of the reference pattern 60 or at a position shifted from the corresponding intersection 62 by a length equal to or less than a predetermined length. At this time, the shape of the opening region 51 of the finally obtained conductor mesh 46 does not become constant by irregularly determining the amount of deviation and the direction of deviation from the corresponding intersection 62 of each branch point 52. Moire can be effectively inconspicuous. In addition, when the deviation amount selected irregularly becomes 0, the branch point 52 may be positioned on the corresponding intersection point 62.
なお、各分岐点52の対応する交点62からのずれ量は、接続要素53が他の接続要素に接触することを回避すべく、開口領域61の配列ピッチの半分未満となっていることが好ましい。一つの接続要素53が他の接続要素と重なってしまうと、当該部分が視認されてしまい濃淡むらの原因となってしまう可能性があるからである。具体的には、接続要素53が他の接続要素に接触することを回避すべく、各分岐点52の対応する交点62からのずれ量は、第1基準方向dr1に直交する方向における第1平行線群66の配列ピッチpr1の半分未満、且つ、第2基準方向dr2に直交する方向における第2平行線群67の配列ピッチpr2の半分未満とすることができる。 It should be noted that the amount of deviation of each branch point 52 from the corresponding intersection point 62 is preferably less than half the arrangement pitch of the opening regions 61 in order to avoid the connection element 53 from contacting another connection element. . This is because, when one connection element 53 overlaps with another connection element, the portion is visually recognized and may cause uneven shading. Specifically, in order to avoid the connection element 53 from coming into contact with other connection elements, the deviation amount of each branch point 52 from the corresponding intersection 62 is the first in the direction orthogonal to the first reference direction dr1 . It can be less than half of the arrangement pitch p r1 of the parallel line group 66 and less than half of the arrangement pitch p r2 of the second parallel line group 67 in the direction orthogonal to the second reference direction dr2 .
また、上述したように、図示された例では、各検出電極45a,45bのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第1平行線群66が、第1基準方向dr1に直交する配列方向に、一定ピッチpr1の半分(p1/2)だけずれて配置されている。加えて、各検出電極45a,45bのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第2平行線群67が、第2基準方向dr2に直交する配列方向に、一定ピッチpr2の半分(pr2/2)だけずれて配置されている。このような例においては、第1検出電極45aの導電体メッシュ46に関する接続要素48と、第2検出電極45bの導電体メッシュ46に関する接続要素58とが接触してしまうことを回避すべく、各分岐点52の対応する交点62からのずれ量は、開口領域61の配列ピッチの1/4未満となっていることが好ましい。第1検出電極45aのメッシュパターン50に関する接続要素48と、第2検出電極45bのメッシュパターン50に関する接続要素58とが接触してしまうと、当該部分が視認されてしまい濃淡むらの原因となってしまう可能性があるからである。具体的には、第1検出電極45aのメッシュパターン50に関する接続要素48と、第2検出電極45bのメッシュパターン50に関する接続要素58とが接触してしまうことを回避すべく、各分岐点52の対応する交点62からのずれ量は、第1基準方向dr1に直交する方向における第1平行線群66の配列ピッチpr1の1/4未満、且つ、第2基準方向dr2に直交する方向における第2平行線群67の配列ピッチpr2での1/4未満とすることができる。 Further, as described above, in the illustrated example, the reference pattern related to the mesh pattern of each of the detection electrodes 45a and 45b is such that each first parallel line group 66 is arranged in an arrangement direction orthogonal to the first reference direction dr1 . It is displaced by half the predetermined pitch p r1 (p 1/2) . In addition, reference pattern for the mesh pattern of the detection electrodes 45a, 45b, each second group of parallel lines 67, the arrangement direction perpendicular to the second reference direction d r2, half of the predetermined pitch p r2 (p r2 / 2) It is displaced by a distance. In such an example, in order to avoid contact between the connection element 48 related to the conductive mesh 46 of the first detection electrode 45a and the connection element 58 related to the conductive mesh 46 of the second detection electrode 45b, The amount of deviation of the branch point 52 from the corresponding intersection point 62 is preferably less than ¼ of the arrangement pitch of the opening regions 61. If the connection element 48 related to the mesh pattern 50 of the first detection electrode 45a and the connection element 58 related to the mesh pattern 50 of the second detection electrode 45b come into contact with each other, this portion is visually recognized, which causes uneven density. It is because there is a possibility that it will end. Specifically, in order to avoid contact between the connection element 48 related to the mesh pattern 50 of the first detection electrode 45a and the connection element 58 related to the mesh pattern 50 of the second detection electrode 45b, The amount of deviation from the corresponding intersection point 62 is less than 1/4 of the arrangement pitch p r1 of the first parallel line group 66 in the direction orthogonal to the first reference direction dr1, and the direction orthogonal to the second reference direction dr2 In the second parallel line group 67, the arrangement pitch p r2 may be less than ¼.
さらに、各分岐点52について、対応する交点62からのずれ量およびずれる方向の両方をそれぞれ決定していくことに代えて、各分岐点52について、対応する交点62からの予め設定した二方向へのずれ量をそれぞれ決定していくようにしてもよい。一例として、画像表示機構12の画素Pの配列方向dx,dyへの対応する交点62からのずれ量δrx,δry(図8参照)を、分岐点52毎に決定していくようにしてもよい。この例において、濃淡むらの発生を抑制する観点から画素Pの一方の配列方向dxに沿った開口領域61の配列ピッチprxの一定割合以下(例えば15%以下)となり且つモアレの発生を防止する観点から画素Pの一方の配列方向dxに沿った開口領域61の配列ピッチprxの一定割合以上(例えば2%以上)となるようにずれ量δrxが決定されるようにし、且つ、濃淡むらの発生を抑制する観点から画素Pの他方の配列方向dyに沿った開口領域61の配列ピッチpryの一定割合以下(例えば1530%以下)となり且つモアレの発生を防止する観点から画素Pの一方の配列方向dyに沿った開口領域61の配列ピッチpryの一定割合以上(例えば2%以上)となるようにずれ量δryが決定されるようにすることで、対応する交点62からの分岐点52のずれ量に制約を課してもよい。 Furthermore, instead of determining both the amount of deviation from the corresponding intersection 62 and the direction of deviation for each branch point 52, each branch point 52 is set in two preset directions from the corresponding intersection 62. The amount of deviation may be determined. As an example, the arrangement direction d x of the pixel P of the image display system 12, the deviation amount [delta] rx from the corresponding intersection 62 to d y, [delta] ry (see FIG. 8), as will be determined for each branch point 52 It may be. In this example, from the viewpoint of suppressing the occurrence of shading unevenness, the arrangement pitch p rx of the opening regions 61 along one arrangement direction d x of the pixels P is less than a certain ratio (for example, 15% or less) and the occurrence of moire is prevented. From this viewpoint, the shift amount δ rx is determined so as to be equal to or greater than a certain ratio (for example, 2% or more) of the arrangement pitch p rx of the opening regions 61 along one arrangement direction d x of the pixels P, and certain percentage or less (e.g., less 1530%) and and the pixel from the viewpoint of preventing occurrence of moire arrangement pitch p ry open area 61 along the occurrence of uneven density from the viewpoint of suppressing the other arrangement direction d y of the pixel P by so more than a certain percentage of the arrangement pitch p ry open area 61 along one of the arrangement direction d y of P (e.g., 2% or more) and so as to shift amount [delta] ry is determined, pairs It may impose restrictions on the amount of deviation of the branching point 52 from the intersection 62.
次に、接続要素53の位置を決定する工程について説明する。以上のようにして、導電体メッシュ46における分岐点52の位置が決定すると、次に、決定された分岐点52に基づき、接続要素53の位置を決定する。具体的には、参照パターン60の或る一つ線分63の両端に位置する二つの交点62にそれぞれ対応する二つの分岐点52の間を延びるように、導電体メッシュ46の一つの接続要素53の位置を決定する。二つの分岐点52の間における接続要素53の経路は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、折れ線であってもよいし、直線及び曲線の組み合わせであってもよい。また、接続要素53の線幅は、上述したように0.2μm以上2μm以下とすることができるし、或いは、この範囲外の太さとしてもよい。 Next, the process of determining the position of the connection element 53 will be described. When the position of the branch point 52 in the conductor mesh 46 is determined as described above, the position of the connection element 53 is then determined based on the determined branch point 52. Specifically, one connection element of the conductor mesh 46 extends between the two branch points 52 respectively corresponding to the two intersections 62 located at both ends of a certain line segment 63 of the reference pattern 60. 53 position is determined. The path of the connecting element 53 between the two branch points 52 may be a straight line, a curved line, a broken line, or a combination of a straight line and a curved line. Further, the line width of the connection element 53 can be set to 0.2 μm or more and 2 μm or less as described above, or may be a thickness outside this range.
このようにして、電極40の検出電極45をなす導電体メッシュ46のメッシュパターン50が設計される。メッシュパターン50の分岐点52の位置が、規則性を有した参照パターン60の交点62の位置に基づいて決定されているため、得られた導電体メッシュ46において開口領域51が或る程度均一に分散して、濃淡むらの発生を抑制することが可能となる。ただし、分岐点52の位置は対応する交点62の位置から不規則的に選択された所定範囲内の量だけずれている。したがって、得られた導電体メッシュ46において開口領域51の形状または開口面積の規則性または一定性が失われ、モアレによる不具合も回避することができる。 In this way, the mesh pattern 50 of the conductor mesh 46 that forms the detection electrode 45 of the electrode 40 is designed. Since the position of the branch point 52 of the mesh pattern 50 is determined based on the position of the intersection point 62 of the reference pattern 60 having regularity, the opening region 51 is uniformly uniform in the obtained conductor mesh 46. It is possible to disperse and suppress the occurrence of shading unevenness. However, the position of the branch point 52 is shifted from the position of the corresponding intersection point 62 by an amount within a predetermined range selected irregularly. Therefore, regularity or regularity of the shape or opening area of the opening region 51 is lost in the obtained conductor mesh 46, and a problem due to moire can be avoided.
以上のようにしてメッシュパターン50を決定された導電体メッシュ46は、基材シート35上に形成された金属薄膜を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより、基材シート35上に作製され得る。 The conductor mesh 46 having the mesh pattern 50 determined as described above is produced on the base sheet 35 by patterning a metal thin film formed on the base sheet 35 using a photolithography technique. obtain.
上述したように、規則性を持ったパターンの規則性を或る程度消失させることによって形成されたメッシュパターン50は、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせることが可能となる。しかしながら、規則性を大きく崩し過ぎてしまうと、濃淡むらが視認されて問題となり、規則性を崩しきれていないとモアレが視認されて問題となる。そして、本件発明者は、検討を重ねた結果として、最終的に得られたタッチパネルセンサ25の検出電極45によって形成されるメッシュパターン50についてのフーリエ変換パワースペクトル画像が、所定の条件を満たす場合に、モアレを極めて効果的に目立たなくさせること及び濃淡むらを極めて効果的に目立たなくさせることの両方が同時に可能となることを知見した。すなわち、規則性をどの程度崩すかを定量的に評価し、これにより、モアレ及び濃淡むらの両者を効果的に目立たなくし得ることを見出した。 As described above, the mesh pattern 50 formed by erasing the regularity of the pattern having regularity to some extent can make both moire and shading unevenness inconspicuous. However, if the regularity is greatly deteriorated, the unevenness of density is visually recognized and becomes a problem. If the regularity is not fully lost, moire is visually recognized. As a result of repeated studies, the present inventor has finally obtained a Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern 50 formed by the detection electrode 45 of the touch panel sensor 25 that satisfies a predetermined condition. It has been found that it is possible simultaneously to make moire very inconspicuous and to make shading unevenness very inconspicuous. In other words, it was quantitatively evaluated how much the regularity was broken, and it was found that both moire and shading unevenness can be effectively inconspicuous.
具体的に説明すると、メッシュパターン50に関する標準偏差σp1,σp2と、メッシュパターン50に関連した規則パターン70に関する標準偏差σap1,σap2とが、次の条件(a)及び(b)を満たす場合、モアレ及び濃淡むらの両者を効果的に目立たなくすることができた。
1.02 ≦ σp1/σap1 ≦ 1.16 ・・・(a)
1.02 ≦ σp2/σap2 ≦ 1.16 ・・・(b)
ここで、メッシュパターン50に関する標準偏差σp1,σp2は、メッシュパターン50のフーリエ変換パワースペクトル画像に基づき、メッシュパターン50の規則性の程度を示す指標として、メッシュパターン50の特定のパワースペクトル積算値についての標準偏差である。一方、規則パターン70は、メッシュパターン50のフーリエ変換パワースペクトル画像から、メッシュパターン50に類似する規則的なパターンとして特定される。そして、規則パターン70に関する標準偏差σap1,σap2は、メッシュパターン50に関する標準偏差σp1,σp2と同様の条件にて、規則パターン70のフーリエ変換パワースペクトル画像に基づき特定される。
More specifically, the standard deviations σ p1 and σ p2 related to the mesh pattern 50 and the standard deviations σ ap1 and σ ap2 related to the rule pattern 70 related to the mesh pattern 50 satisfy the following conditions (a) and (b). When satisfying, both moire and shading unevenness could be effectively made inconspicuous.
1.02 ≦ σ p1 / σ ap1 ≦ 1.16 (a)
1.02 ≦ σ p2 / σ ap2 ≦ 1.16 (b)
Here, the standard deviations σ p1 and σ p2 related to the mesh pattern 50 are based on the Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern 50, and are used as an index indicating the degree of regularity of the mesh pattern 50 as a specific power spectrum integration of the mesh pattern 50. The standard deviation for the value. On the other hand, the regular pattern 70 is specified as a regular pattern similar to the mesh pattern 50 from the Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern 50. The standard deviations σ ap1 and σ ap2 related to the regular pattern 70 are specified based on the Fourier transform power spectrum image of the regular pattern 70 under the same conditions as the standard deviations σ p1 and σ p2 related to the mesh pattern 50.
したがって、規則パターン70に関する標準偏差σap1,σap2に対するメッシュパターン50に関する標準偏差σp1,σp2の比は、メッシュパターン50が、当該メッシュパターン50に類似する規則パターン70からどの程度規則性を消失したものであるかを示す指標となる。そして、この指標が所定の範囲となっている場合に、メッシュパターン50が、規則的なパターンから適切な程度に規則性を崩したパターンとなり、モアレ及び濃淡むらの双方に適切に対処できると考えられる。 Therefore, the ratio of the standard deviations σ p1 , σ p2 for the mesh pattern 50 to the standard deviations σ ap1 , σ ap2 for the regular pattern 70 indicates how regular the mesh pattern 50 is from the regular pattern 70 similar to the mesh pattern 50. It becomes an index indicating whether it has disappeared. When this index is within a predetermined range, the mesh pattern 50 becomes a pattern in which regularity is broken from a regular pattern to an appropriate degree, and it is considered that both moire and shading unevenness can be appropriately dealt with. It is done.
以下、規則性を持ったパターンの規則性を消失させることによって形成されたメッシュパターン50が、モアレ及び濃淡むらの両方を効果的に不可視化するために満たすべき条件についてより詳細に説明する。 Hereinafter, the conditions that the mesh pattern 50 formed by eliminating the regularity of the regular pattern to satisfy both the moire and the shading unevenness effectively will be described in detail.
まず、メッシュパターン50に関する標準偏差σp1,σp2の特定方法について、図10〜図15を参照しながら、説明する。なお、図10〜図15は、図8及び図9を参照して説明した上述の方法により決定された第1検出電極45aのメッシュパターン50にて導電体メッシュ46を実際に作製し、当該作製された第1検出電極45aの導電体メッシュ46についてのデータである。 First, a method for specifying the standard deviations σ p1 and σ p2 for the mesh pattern 50 will be described with reference to FIGS. 10-15, the conductor mesh 46 is actually produced with the mesh pattern 50 of the first detection electrode 45a determined by the above-described method described with reference to FIGS. 8 and 9, and the production is performed. This is data on the conductive mesh 46 of the first detection electrode 45a.
まず、第1標準偏差σp1は、平面スキャナを用いて作成したメッシュパターン50のスキャンデータに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られたメッシュパターン50のパワースペクトルの各角度での積算値分布(図15参照)において、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる第1ピーク角度θp1〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差である。また、第2標準偏差σp2は、メッシュパターン50のパワースペクトル積算値分布において、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる第2ピーク角度θp2〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp2±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差である。 First, the first standard deviation σ p1 is an integrated value at each angle of the power spectrum of the mesh pattern 50 obtained by subjecting the scan data of the mesh pattern 50 created by using a planar scanner to Fourier transform and polar coordinate conversion. In the distribution (see FIG. 15), within the range of 60 ° centered on the first peak angle θ p1 [°] where the power spectrum integrated value becomes the largest within the range of 0 ° to less than 180 ° (θ p1 ± 30 [ °]) is the standard deviation of the integrated power spectrum. The second standard deviation σ p2 is a second peak angle θ p2 [°] at which the power spectrum integrated value becomes the second largest in the range of 0 ° or more and less than 180 ° in the distribution of the power spectrum integrated value of the mesh pattern 50. Is the standard deviation of the integrated value of the power spectrum within a range of 60 ° (θ p2 ± 30 [°]).
したがって、メッシュパターン50に関する標準偏差σp1,σp2を特定するにあたり、最初に、導電体メッシュ46を平面スキャナでスキャンすることにより、メッシュパターン50に関するスキャンデータを二次元画像として作成する。この際、実際に流通しているタッチパネルセンサ25の開口領域51のピッチ等を考慮して、メッシュパターン50のスキャンデータを作成されるべき導電体メッシュ46の領域は、3cm×3cm以上の領域とすることが好ましい。また、メッシュパターン50をなす導線(接続要素53)の線幅が複数ピクセルで構成されるよう、解像度を調整することが好ましい。線幅が複数ピクセルで構成されるような解像度であれば、実物には存在しない断線箇所がスキャンデータに形成されてしまうことを効果的に防止することができる。図10には、メッシュパターン50のスキャンデータの一部が示されている。 Therefore, when specifying the standard deviations σ p1 and σ p2 related to the mesh pattern 50, first, the conductor mesh 46 is scanned with a planar scanner, thereby creating scan data related to the mesh pattern 50 as a two-dimensional image. At this time, in consideration of the pitch of the opening area 51 of the touch panel sensor 25 actually distributed, the area of the conductor mesh 46 for which the scan data of the mesh pattern 50 is to be created is an area of 3 cm × 3 cm or more. It is preferable to do. Moreover, it is preferable to adjust the resolution so that the line width of the conducting wire (connecting element 53) forming the mesh pattern 50 is configured by a plurality of pixels. If the resolution is such that the line width is composed of a plurality of pixels, it is possible to effectively prevent the disconnection portion that does not exist in the actual object from being formed in the scan data. FIG. 10 shows a part of the scan data of the mesh pattern 50.
メッシュパターン50のスキャンデータを画像処理することにより、メッシュパターン50のフーリエ変換パワースペクトル画像が作成される。この際、フーリエ変換パワースペクトル画像の作成精度を向上させるため、いくつかの画像上の処理が行われることが好ましい。 By performing image processing on the scan data of the mesh pattern 50, a Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern 50 is created. At this time, in order to improve the creation accuracy of the Fourier transform power spectrum image, it is preferable to perform some processing on the image.
例えば、導電体メッシュ46をなす金属導線以外を示す低周波成分をスキャンデータから除去するため、スキャンデータに二値化処理を行うことが好ましい。除去されるべき低周波成分としては、必然的に生じてしまう照明むらを例示することができる。図11には、図10に示された画像データを二値化処理した画像データが示されている。 For example, it is preferable to perform binarization processing on the scan data in order to remove low frequency components other than the metal conductors forming the conductor mesh 46 from the scan data. Illumination unevenness that inevitably occurs can be exemplified as the low frequency component to be removed. FIG. 11 shows image data obtained by binarizing the image data shown in FIG.
また、フーリエ変換パワースペクトル画像の作成精度を向上させる上で、フーリエ変換前に細線化処理を行っておくことも有効である。とりわけ上述したように、メッシュパターン50をなす導線(接続要素53)の線幅が複数ピクセルで構成されている場合には、細線化処理が有効となる。 Further, in order to improve the creation accuracy of the Fourier transform power spectrum image, it is also effective to perform a thinning process before the Fourier transform. In particular, as described above, when the line width of the conducting wire (connecting element 53) forming the mesh pattern 50 is composed of a plurality of pixels, the thinning process is effective.
図12には、二値化処理および細線化処理を行った後のスキャンデータが示されている。このスキャンデータは、実際に作製された第1検出電極45aの導電体メッシュ46の4155μm×4155μmについての画像データである。そして、図13には、図12に示されたスキャンデータにフーリエ変換を施すことによって得られたフーリエ変換パワースペクトル画像が、示されている。また、図14は、図13のフーリエ変換パワースペクトル画像を極座標変換して示している。なお、図12〜図14における座標系は、互いに同様に設定されており、図5〜図9に示された座標系とも同様に設定されている。また、図14における座標系の設定は、図13に示したとおりである。 FIG. 12 shows scan data after the binarization process and the thinning process. This scan data is image data of 4155 μm × 4155 μm of the conductor mesh 46 of the first detection electrode 45a actually produced. FIG. 13 shows a Fourier transform power spectrum image obtained by performing Fourier transform on the scan data shown in FIG. FIG. 14 shows the Fourier transform power spectrum image of FIG. The coordinate systems in FIGS. 12 to 14 are set similarly to each other, and are also set in the same manner as the coordinate systems shown in FIGS. The setting of the coordinate system in FIG. 14 is as shown in FIG.
図13及び図14の画像データから、各角度θ〔°〕での、メッシュパターン50のパワースペクトルの分布が特定され得る。次に、各角度θ〔°〕毎にパワースペクトルを積分した値としてのパワースペクトルの積算値を特定する。図15には、メッシュパターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布が示されている。このパワースペクトル積算値分布において、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる角度を第1ピーク角度θp1〔°〕とし、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる角度を第2ピーク角度θp2〔°〕とする。ただし、パワースペクトル積算値分布において、積算値が最も大きくなる角度と二番面に大きくなる角度の区別が付かない場合には、いずれか一方を第1ピーク角度θp1とし、他方を第2ピーク角度θp2とすればよい。 From the image data of FIGS. 13 and 14, the distribution of the power spectrum of the mesh pattern 50 at each angle θ [°] can be specified. Next, an integrated value of the power spectrum is specified as a value obtained by integrating the power spectrum for each angle θ [°]. FIG. 15 shows the integrated value distribution at each angle of the power spectrum of the mesh pattern. In this power spectrum integrated value distribution, the angle at which the power spectrum integrated value is the largest within the range of 0 ° to less than 180 ° is the first peak angle θ p1 [°], and the power is within the range of 0 ° to less than 180 °. The angle at which the spectrum integrated value becomes the second largest is defined as the second peak angle θ p2 [°]. However, in the power spectrum integrated value distribution, when it is not possible to distinguish between the angle at which the integrated value is the largest and the angle at which the second surface is increased, either one is the first peak angle θ p1 and the other is the second peak. The angle θ p2 may be set.
なお、第1ピーク角度θp1及び第2ピーク角度θp2、さらには後に後述の標準偏差σp1,σp2を高精度に特定するため、いくつかの処理が積算値分布に対して行われてもよい。例えば、パワースペクトル積算値分布に対して、周囲±10°の範囲でぼかし処理を行うようにし、特定の高周波成分を除去するようにしてもよい。このような処理によれば、パワースペクトルの積算値分布において極大値がより明確に現れるようになる。ぼかし処理には、ガウシアンフィルタを用いることができる。図15に示されたパワースペクトル積算値分布は、ガウシアンフィルタを用いて±10°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後の積算値分布である。 Note that in order to specify the first peak angle θ p1 and the second peak angle θ p2 , and later described standard deviations σ p1 and σ p2 with high accuracy, several processes are performed on the integrated value distribution. Also good. For example, the power spectrum integrated value distribution may be subjected to a blurring process in a range of ± 10 ° around, and a specific high-frequency component may be removed. According to such processing, the maximum value appears more clearly in the integrated value distribution of the power spectrum. A Gaussian filter can be used for the blurring process. The power spectrum integrated value distribution shown in FIG. 15 is an integrated value distribution after performing blurring processing within an angle range of ± 10 ° using a Gaussian filter.
図15の積算値分布において、第1ピーク角度θp1は125°となっており、第2ピーク角度θp2は55°となっている。メッシュパターン50のパワースペクトルの積算値分布では、積算値のピークが現れる角度方向に、メッシュパターン50をなす金属導線が配列されていることを意味する。したがって、ピーク角度θp1,θp2が55°および125°に出現するから、対象となるメッシュパターン50が、図5〜図9に示された導電体メッシュ46と同様のパターンとなっていること、並びに、図8及び図9に示された参照パターン60に類似したパターンとなっていることが予測される。 In the integrated value distribution of FIG. 15, the first peak angle θ p1 is 125 °, and the second peak angle θ p2 is 55 °. In the integrated value distribution of the power spectrum of the mesh pattern 50, it means that the metal conductors forming the mesh pattern 50 are arranged in the angle direction in which the peak of the integrated value appears. Therefore, since the peak angles θ p1 and θ p2 appear at 55 ° and 125 °, the target mesh pattern 50 is the same pattern as the conductor mesh 46 shown in FIGS. , And a pattern similar to the reference pattern 60 shown in FIGS. 8 and 9 is predicted.
なお、図19に示された画像表示機構12との間でのモアレを目立たなくさせる観点から、参照パターン60の第1基準方向dr1及び第2基準方向dr2が互いに対してなす角度θrxが、60°以上80°以下であることが好ましく、66°以上74°以下であることがより好ましく、70°であることが最も好ましいことを説明した。この点からすれば、メッシュパターン50のパワースペクトルの積算値分布において、パワースペクトル積算値の極大値が0°以上180°未満の範囲内に二つだけ存在するという前提において、第1ピーク角度θp1及び第2ピーク角度θp2が、次の条件を満たすことが好ましく、
60°≦|θp1-θp2|≦80°、又は、100°≦|θp1-θp2|≦120°
次の条件を満たすことがより好ましく、
66°≦|θp1-θp2|≦74°、又は、106°≦|θp1-θp2|≦114°
さらに、次の条件を満たすことが最も好ましい。
|θp1−θp2|=70°、又は、|θp1−θp2|=110°
From the viewpoint of making the moire between the image display mechanism 12 shown in FIG. 19 inconspicuous, the angle θ rx formed by the first reference direction dr 1 and the second reference direction dr 2 of the reference pattern 60 with respect to each other. However, it is preferably 60 ° or more and 80 ° or less, more preferably 66 ° or more and 74 ° or less, and most preferably 70 °. From this point of view, in the integrated distribution of the power spectrum of the mesh pattern 50, the first peak angle θ is assumed on the assumption that there are only two power spectrum integrated values within the range of 0 ° to less than 180 °. It is preferable that p1 and the second peak angle θ p2 satisfy the following condition:
60 ° ≦ | θ p1 −θ p2 | ≦ 80 °, or 100 ° ≦ | θ p1 −θ p2 | ≦ 120 °
It is more preferable to satisfy the following conditions:
66 ° ≦ | θ p1 −θ p2 | ≦ 74 ° or 106 ° ≦ | θ p1 −θ p2 | ≦ 114 °
Furthermore, it is most preferable to satisfy the following conditions.
| Θ p1 −θ p2 | = 70 °, or | θ p1 −θ p2 | = 110 °
上述したように、第1標準偏差σp1は、第1ピーク角度θp1を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)での、メッシュパターン50のパワースペクトル積算値の標準偏差の値である。したがって、図15に示された例において、第1標準偏差σp1は、95°以上155°以下の範囲内におけるパワースペクトル積算値の標準偏差の値となる。一方、第2標準偏差σp2は、第2ピーク角度θp2を中心とした60°の範囲内(θp2±30〔°〕)での、メッシュパターン50のパワースペクトル積算値の標準偏差の値である。したがって、図15に示された例において、第2標準偏差σp2は、25°以上85°以下の範囲内におけるパワースペクトル積算値の標準偏差の値となる。第1標準偏差σp1及び第2標準偏差σp2が小さければ、対象となるメッシュパターン50をなす金属導線が、第1ピーク角度θp1又は第2ピーク角度θp2に対応する方向に規則的に配列されていること、すなわち対象となるメッシュパターン50の規則性が強いことを意味する。反対に、第1標準偏差σp1及び第2標準偏差σp2が大きければ、対象となるメッシュパターン50をなす金属導線が、第1ピーク角度θp1又は第2ピーク角度θp2に対応する方向への規則配列性が弱いこと、すなわち対象となるメッシュパターン50の規則性が弱いことを意味する。 As described above, the first standard deviation σ p1 is the standard of the power spectrum integrated value of the mesh pattern 50 within the range of 60 ° (θ p1 ± 30 [°]) with the first peak angle θ p1 as the center. Deviation value. Accordingly, in the example shown in FIG. 15, the first standard deviation σ p1 is a standard deviation value of the power spectrum integrated value within a range of 95 ° to 155 °. On the other hand, the second standard deviation σ p2 is a standard deviation value of the integrated power spectrum value of the mesh pattern 50 within a range of 60 ° (θ p2 ± 30 [°]) with the second peak angle θ p2 as the center. It is. Therefore, in the example shown in FIG. 15, the second standard deviation σ p2 is a standard deviation value of the power spectrum integrated value within a range of 25 ° to 85 °. If the first standard deviation σ p1 and the second standard deviation σ p2 are small, the metal conductors forming the target mesh pattern 50 are regularly arranged in a direction corresponding to the first peak angle θ p1 or the second peak angle θ p2. That is, it means that the regularity of the target mesh pattern 50 is strong. On the contrary, if the first standard deviation σ p1 and the second standard deviation σ p2 are large, the metal conductive wire forming the target mesh pattern 50 is in the direction corresponding to the first peak angle θ p1 or the second peak angle θ p2 . Means that the regularity of the target mesh pattern 50 is weak.
次に、規則パターン70の特定方法について説明する。上述したように、規則パターン70は、メッシュパターン50のフーリエ変換パワースペクトル画像から、メッシュパターン50に類似する規則的なパターンとして特定される。例えば、図8及び図9を参照して説明した上述の方法でメッシュパターン50が決定されている場合、規則パターン70の特定は、メッシュパターン50を決定する上での基準となった規則的な参照パターン60を推定することになる。 Next, a method for specifying the rule pattern 70 will be described. As described above, the regular pattern 70 is specified as a regular pattern similar to the mesh pattern 50 from the Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern 50. For example, when the mesh pattern 50 is determined by the above-described method described with reference to FIGS. 8 and 9, the specification of the regular pattern 70 is a regular basis that is used as a basis for determining the mesh pattern 50. The reference pattern 60 is estimated.
規則パターン70は、メッシュパターン50のパワースペクトルの積算値分布における第1ピーク角度θp1及び第2ピーク角度θp2と、第1ピーク角度θp1におけるメッシュパターン50のパワースペクトルの空間周波数に対する分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のパワースペクトルのピーク(極大値)を形成する第1空間周波数と、第2ピーク角度θp2におけるメッシュパターン50のパワースペクトルの空間周波数に対する分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第2空間周波数と、に基づいて決定される。より具体的には、規則パターン70は、メッシュパターン50のスキャンデータから当該メッシュパターン50のフーリエ変換パワースペクトル画像を特定する際と同様に座標系を設定し、極座標における第1ピーク角度θp1〔°〕となる方向に、第1空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第1直線群76と、極座標における第2ピーク角度θp2〔°〕となる方向に、第2空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第2直線群77と、によって形成される。 The regular pattern 70 has a first peak angle θ p1 and a second peak angle θ p2 in the integrated distribution of power spectra of the mesh pattern 50, and a distribution of the power spectrum of the mesh pattern 50 at the first peak angle θ p1 with respect to the spatial frequency. In the distribution with respect to the spatial frequency of the power spectrum of the mesh pattern 50 at the first spatial frequency forming the peak (maximum value) of the first power spectrum located on the higher frequency side than the fundamental frequency and the second peak angle θp2 . And a second spatial frequency forming a first peak located on the higher frequency side than the fundamental frequency. More specifically, the rule pattern 70 sets the coordinate system in the same manner as when the Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern 50 is specified from the scan data of the mesh pattern 50, and the first peak angle θ p1 [ °] in a direction corresponding to the first spatial frequency and a second line frequency in the direction corresponding to the second peak angle θ p2 [°] in polar coordinates. And a second straight line group 77 arranged at a constant pitch having a length corresponding to.
図16は、図10〜図15で対象としたメッシュパターン50に関し、極座標において55°となる方向での、空間周波数に対するパワースペクトルの分布を示している。つまり、図16は、第2ピーク角度θp2におけるメッシュパターン50のパワースペクトルの各空間周波数での分布を示している。上述したように、図示された例において、フーリエ変換パワースペクトル画像を取得した元の導電体メッシュ46の領域は、4155μm×4155μmの領域である。そして、基本周波数に対応する長さ、すなわち基本周波数(1〔cycle〕/4.155〔mm〕=0.24〔cycle/mm〕)での波長は4155μmとなる。一方、図16のパワースペクトル分布において、基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のパワースペクトルピークが現れる第2空間周波数は、1.9976〔cycle/mm〕である。したがって、第2空間周波数での波長は約500.6μm=1000μm/1.9976周期となる。図17に示すように、第2直線群77の配列方向daa2は、極座標における基準方向(0°方向)となっていたx軸方向に対し、第2ピーク角度θp2である55°だけ反時計回り方向に傾斜した方向となる。そして、第2直線群77をなす第2直線77aは、その配列方向daa2に、第2空間周波数での波長(第2空間周波数に対応する長さ)となる500.6μmのピッチPa2で配列される。 FIG. 16 shows the distribution of the power spectrum with respect to the spatial frequency in the direction of 55 ° in polar coordinates for the mesh pattern 50 targeted in FIGS. That is, FIG. 16 illustrates the distribution of the power spectrum of the mesh pattern 50 at the second peak angle θ p2 at each spatial frequency. As described above, in the illustrated example, the region of the original conductor mesh 46 from which the Fourier transform power spectrum image is acquired is a region of 4155 μm × 4155 μm. The length corresponding to the fundamental frequency, that is, the wavelength at the fundamental frequency (1 [cycle] /4.155 [mm] = 0.24 [cycle / mm]) is 4155 μm. On the other hand, in the power spectrum distribution of FIG. 16, the second spatial frequency at which the first power spectrum peak located on the higher frequency side than the fundamental frequency appears is 1.9976 [cycle / mm]. Therefore, the wavelength at the second spatial frequency is approximately 500.6 μm = 1000 μm / 1.9976 periods. As shown in FIG. 17, the arrangement direction d aa2 of the second straight line group 77 is opposite to the x-axis direction that is the reference direction (0 ° direction) in polar coordinates by 55 ° that is the second peak angle θ p2. The direction is inclined in the clockwise direction. The second straight line 77a which forms a second linear group 77, in its arrangement direction d aa2, at a pitch P a2 of 500.6μm as the wavelength at the second spatial frequency (length corresponding to the second spatial frequency) Arranged.
なお、図17に示された規則パターン70では、第2直線群77と同様にして特定された第1直線群76も示されている。すなわち、第1直線群76の配列方向daa1は、極座標における基準方向(0°方向)となっていたx軸方向に対し、第1ピーク角度θp1である125°だけ反時計回り方向に傾斜した方向となっている。そして、第1直線群76をなす第1直線76aは、その配列方向daa1に、第1空間周波数に対応する長さと同一のピッチPa1で配列される。 In the regular pattern 70 shown in FIG. 17, the first straight line group 76 specified in the same manner as the second straight line group 77 is also shown. In other words, the arrangement direction d aa1 of the first straight line group 76 is inclined counterclockwise by 125 ° which is the first peak angle θ p1 with respect to the x-axis direction which is the reference direction (0 ° direction) in polar coordinates. It has become the direction. The first straight lines 76a forming the first straight line group 76 are arranged in the arrangement direction d aa1 at the same pitch P a1 as the length corresponding to the first spatial frequency.
次に、特定された規則パターン70に関する標準偏差σap1,σap2の特定方法について説明する。規則パターン70に関する標準偏差σap1,σap2は、メッシュパターン50のスキャンデータから標準偏差σp1,σp2と概ね同様にして特定することができる。 Next, a method for specifying the standard deviations σ ap1 and σ ap2 related to the specified rule pattern 70 will be described. The standard deviations σ ap1 and σ ap2 related to the regular pattern 70 can be specified from the scan data of the mesh pattern 50 in substantially the same manner as the standard deviations σ p1 and σ p2 .
まず、規則パターン70を画像データとして作製するが、この際、メッシュパターン50のスキャンデータと同様に、3cm×3cm以上の領域のデータとして作製されることが好ましい。また、規則パターン70をなす第1直線群76の第1直線76a及び第2直線群77の第2直線77aは、細線化されていることが好ましい。 First, the regular pattern 70 is produced as image data. At this time, it is preferable that the regular pattern 70 is produced as data of an area of 3 cm × 3 cm or more, like the scan data of the mesh pattern 50. The first straight line 76a of the first straight line group 76 and the second straight line 77a of the second straight line group 77 forming the regular pattern 70 are preferably thinned.
規則パターン70の画像データにフーリエ変換および極座標変換を施すことによって、規則パターン70のフーリエ変換パワースペクトル画像を取得する。規則パターン70に関する第1の標準偏差σap1は、規則パターン70のパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第1ピーク角度θp1〔°〕(図15に示された例においては125°)を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差の値として特定される。また、規則パターン70に関する第2の標準偏差σap2は、規則パターン70のパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第2ピーク角度θp2〔°〕(図15に示された例においては55°)を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差の値として特定される。 A Fourier transform power spectrum image of the regular pattern 70 is obtained by subjecting the image data of the regular pattern 70 to Fourier transform and polar coordinate transform. The first standard deviation σ ap1 related to the regular pattern 70 is the first peak angle θ p1 [°] (125 in the example shown in FIG. 15) in the integrated value distribution at each angle of the power spectrum of the regular pattern 70. Is specified as the value of the standard deviation of the power spectrum integrated value within a range of 60 [deg.] ([Theta] p1 ± 30 [[deg.]]). The second standard deviation σ ap2 related to the regular pattern 70 is the second peak angle θ p2 [°] (in the example shown in FIG. 15) in the integrated value distribution at each angle of the power spectrum of the regular pattern 70. Is specified as the value of the standard deviation of the integrated power spectrum value within the range of 60 ° (θ p1 ± 30 [°]) centering around 55 °.
なお、規則パターン70に関する標準偏差σap1,σap2を高精度に特定するため、いくつかの処理が行われてもよい。例えば、パワースペクトル積算値分布に対して、周囲±10°の範囲でぼかし処理を行うようにし、特定の高周波成分を除去するようにしてもよい。このような処理によれば、パワースペクトルの積算値分布において極大値がより明確に現れるようになる。ぼかし処理には、ガウシアンフィルタを用いることができる。 In order to specify the standard deviations σ ap1 and σ ap2 related to the regular pattern 70 with high accuracy, several processes may be performed. For example, the power spectrum integrated value distribution may be subjected to a blurring process in a range of ± 10 ° around, and a specific high-frequency component may be removed. According to such processing, the maximum value appears more clearly in the integrated value distribution of the power spectrum. A Gaussian filter can be used for the blurring process.
以上のようにして特定されたメッシュパターン50に関する標準偏差σp1,σp2と、メッシュパターン50に関連した規則パターン70に関する標準偏差σap1,σap2とが、次の条件(a)及び(b)を満たす場合、上述したように、モアレ及び濃淡むらの両者を効果的に目立たなくすることができる。
1.02 ≦ σp1/σap1 ≦ 1.16 ・・・(a)
1.02 ≦ σp2/σap2 ≦ 1.16 ・・・(b)
The standard deviations σ p1 and σ p2 related to the mesh pattern 50 specified as described above and the standard deviations σ ap1 and σ ap2 related to the rule pattern 70 related to the mesh pattern 50 are expressed by the following conditions (a) and (b ), As described above, both moire and shading unevenness can be effectively made inconspicuous.
1.02 ≦ σ p1 / σ ap1 ≦ 1.16 (a)
1.02 ≦ σ p2 / σ ap2 ≦ 1.16 (b)
なお、既に説明したように、モアレは、第1検出電極45aによって形成されるメッシュパターン(例えば、図5のメッシュパターン)及び第2検出電極45bによって形成されるメッシュパターン(例えば、図6のメッシュパターン)を重ねたメッシュパターン50(例えば、図7のメッシュパターン)と、他の部材の規則的なパターン(例えば、画像表示機構12の画素Pの配列パターン)との干渉によって生じるとともに、各電極40a,40bの検出電極45a,45bによって形成されるメッシュパターン50(例えば、図5のメッシュパターン又は図6のメッシュパターン)と、他の部材の規則的なパターンとの干渉によっても生じる。同様に、濃淡むらは、第1検出電極45aによって形成されるメッシュパターン及び第2検出電極45bによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン50の局所的な不均一性によっても生じるし、また、各電極40a,40bの検出電極45a,45bによって形成されるメッシュパターン50の局所的な不均一性によっても生じ得る。そして、メッシュパターンのフーリエ変換パワースペクトル画像に関連した条件(a)及び(b)は、第1検出電極45aによって形成されるメッシュパターン及び第2検出電極45bによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン50により満たされる場合に、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効であるとともに、各電極40a,40bをなす検出電極45a,45bによって形成されるメッシュパターン50のいずれか一以上により単独で満たされる場合にも、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効である。 As already described, the moire pattern is a mesh pattern formed by the first detection electrode 45a (for example, the mesh pattern in FIG. 5) and a mesh pattern formed by the second detection electrode 45b (for example, the mesh in FIG. 6). This is caused by interference between the mesh pattern 50 (for example, the mesh pattern of FIG. 7) on which the pattern is superimposed and a regular pattern of other members (for example, the arrangement pattern of the pixels P of the image display mechanism 12), and each electrode. This also occurs due to interference between the mesh pattern 50 (for example, the mesh pattern of FIG. 5 or the mesh pattern of FIG. 6) formed by the detection electrodes 45a and 45b of 40a and 40b and the regular pattern of other members. Similarly, shading unevenness is also caused by local non-uniformity of the mesh pattern 50 formed by superimposing the mesh pattern formed by the first detection electrode 45a and the mesh pattern formed by the second detection electrode 45b. This may also be caused by local non-uniformity of the mesh pattern 50 formed by the detection electrodes 45a and 45b of the electrodes 40a and 40b. The conditions (a) and (b) related to the Fourier transform power spectrum image of the mesh pattern are the meshes obtained by superimposing the mesh pattern formed by the first detection electrode 45a and the mesh pattern formed by the second detection electrode 45b. When it is satisfied by the pattern 50, it is effective for making both moire and shading unevenness inconspicuous, and by any one or more of the mesh patterns 50 formed by the detection electrodes 45a and 45b forming the electrodes 40a and 40b. Even when satisfied alone, it is effective in making both moire and shading unevenness inconspicuous.
ここで、本件発明者が行った実験の一例について説明する。まず、サンプル1〜7に係る導電体メッシュを作製した。 Here, an example of an experiment conducted by the present inventors will be described. First, conductor meshes according to samples 1 to 7 were produced.
サンプル1の導電体メッシュは、図7に示された参照パターン60と同一のメッシュパターンとした。すなわち、x軸方向(基準方向)に対して145°傾斜した方向に延びる第1の平行線群と、x軸方向(基準方向)に対して35°傾斜した方向に延びる第2の平行線群と、からなるパターンとした。第1の平行線群に含まれる直線は、その長手方向に直交する方向に500μmのピッチで配列され、第2の平行線群に含まれる直線は、その長手方向に直交する方向に500μmのピッチで配列されるようにした。したがって、サンプル1の導電体メッシュのメッシュパターンは、一定の菱形形状の開口領域が規則的に配列されてなるパターンとなっている。 The conductor mesh of Sample 1 was the same mesh pattern as the reference pattern 60 shown in FIG. That is, a first parallel line group extending in a direction inclined by 145 ° with respect to the x-axis direction (reference direction) and a second parallel line group extending in a direction inclined by 35 ° with respect to the x-axis direction (reference direction). And a pattern consisting of The straight lines included in the first parallel line group are arranged at a pitch of 500 μm in a direction orthogonal to the longitudinal direction, and the straight lines included in the second parallel line group are arranged at a pitch of 500 μm in the direction orthogonal to the longitudinal direction. It was arranged in. Therefore, the mesh pattern of the conductor mesh of Sample 1 is a pattern in which certain rhombic opening regions are regularly arranged.
一方、サンプル2〜7の導電体メッシュのメッシュパターンは、上述した参照パターンの規則性を崩すことにより作製した。参照パターンは、サンプル1の導電体メッシュのメッシュパターンとした。各サンプルのメッシュパターンの分岐点は、参照パターンの対応する交点をx軸方向およびy軸方向のそれぞれ独立したずれ量δrx,δry(図8参照)だけずらすことにより決定していった。x軸方向へのずれ量δrxは、開口領域の一方の対角線の長さに相当する開口領域のx軸方向への配列ピッチprxに基づいた制限を課して乱数表に従ってランダムに決定し、y軸方向へのずれ量δryは、開口領域の他方の対角線の長さに相当する開口領域のy軸方向への配列ピッチpryに基づいた制限を課して乱数表に従ってランダムに決定した。 On the other hand, the mesh patterns of the conductor meshes of Samples 2 to 7 were produced by breaking the regularity of the reference pattern described above. The reference pattern was a mesh pattern of the conductor mesh of Sample 1. The branch points of the mesh pattern of each sample were determined by shifting the corresponding intersections of the reference patterns by independent shift amounts δ rx and δ ry (see FIG. 8) in the x-axis direction and the y-axis direction, respectively. The shift amount δ rx in the x-axis direction is randomly determined according to a random number table by imposing a limit based on the arrangement pitch p rx in the x-axis direction of the opening region corresponding to the length of one diagonal line of the opening region. The displacement amount δ ry in the y-axis direction is determined randomly according to a random number table by imposing a limit based on the arrangement pitch p ry in the y-axis direction of the opening region corresponding to the length of the other diagonal line of the opening region. did.
具体的には、サンプル2のメッシュパターンでは、「0≦δrx≦0.05×prx」及び「0≦δry≦0.05×pry」とした。サンプル3のメッシュパターンでは、「0≦δrx≦0.1×prx」及び「0≦δry≦0.1×pry」とした。サンプル4のメッシュパターンでは、「0≦δrx≦0.2×prx」及び「0≦δry≦0.2×pry」とした。サンプル5のメッシュパターンでは、「0≦δrx≦0.3×prx」及び「0≦δry≦0.3×pry」とした。サンプル6のメッシュパターンでは、「0≦δrx≦0.4×prx」及び「0≦δry≦0.4×pry」とした。サンプル7のメッシュパターンでは、「0≦δrx≦0.5×prx」及び「0≦δry≦0.5×pry」とした。 Specifically, in the mesh pattern of sample 2, “0 ≦ δ rx ≦ 0.05 × p rx ” and “0 ≦ δ ry ≦ 0.05 × p ry ” were set. In the mesh pattern of Sample 3, “0 ≦ δ rx ≦ 0.1 × p rx ” and “0 ≦ δ ry ≦ 0.1 × p ry ” were set. In the mesh pattern of sample 4, “0 ≦ δ rx ≦ 0.2 × p rx ” and “0 ≦ δ ry ≦ 0.2 × p ry ” were set. In the mesh pattern of Sample 5, “0 ≦ δ rx ≦ 0.3 × p rx ” and “0 ≦ δ ry ≦ 0.3 × p ry ” were set. In the mesh pattern of sample 6, “0 ≦ δ rx ≦ 0.4 × p rx ” and “0 ≦ δ ry ≦ 0.4 × p ry ” were set. In the mesh pattern of sample 7, “0 ≦ δ rx ≦ 0.5 × p rx ” and “0 ≦ δ ry ≦ 0.5 × p ry ” were set.
次に、各サンプルのメッシュパターンの接続要素は、参照パターンの一つの線分の両端に位置する二つの交点に対応する二つの分岐点の間を直線状に延びるようにした。そして、以上のようにして決定したメッシュパターンにて、サンプル2〜7に係る導電体メッシュを作製した。 Next, the connecting elements of the mesh pattern of each sample were extended linearly between two branch points corresponding to two intersections located at both ends of one line segment of the reference pattern. And the conductor mesh which concerns on samples 2-7 was produced with the mesh pattern determined as mentioned above.
作製されたサンプル1〜7に係る導電体メッシュから、上述したようにして、メッシュパターンに関する標準偏差σp1,σp2と、各メッシュパターンに関連した規則パターンに関する標準偏差σap1,σap2とを求め、これらの比(σp1/σap1)及び比(σp2/σap2)を算出した。これらの比の値を、次の条件(a)及び(b)を満たすか否かとともに、表1に示す。
1.02 ≦ σp1/σap1 ≦ 1.16 ・・・(a)
1.02 ≦ σp2/σap2 ≦ 1.16 ・・・(b)
As described above, the standard deviations σ p1 and σ p2 related to the mesh pattern and the standard deviations σ ap1 and σ ap2 related to the regular pattern related to each mesh pattern are obtained from the conductor meshes according to the samples 1 to 7 thus manufactured. The ratio (σ p1 / σ ap1 ) and the ratio (σ p2 / σ ap2 ) were calculated. The values of these ratios are shown in Table 1 along with whether or not the following conditions (a) and (b) are satisfied.
1.02 ≦ σ p1 / σ ap1 ≦ 1.16 (a)
1.02 ≦ σ p2 / σ ap2 ≦ 1.16 (b)
各サンプルに係る導電体メッシュを、市販されている液晶表示装置の表示面上に配置して、モアレ及び濃淡むらの有無を確認した。液晶表示装置は、図19に示された画素配列と同様に、画素がx軸方向およびy軸方向の両方に同一の一定のピッチで配列されていた。モアレ及び濃淡むらの有無の確認は、液晶表示装置が全面白色を表示した状態で行った。確認結果を表1に示す。表1の評価の欄は、次の基準で判断した結果を示している。
「×:モアレ又は濃淡むらが通常の使用において、問題となる程度に確認された。」
「○:モアレ又は濃淡むらが通常の使用において、問題となる程度に確認されなかった。
」
“X: Moire or shading unevenness was confirmed to be a problem in normal use.”
“O: Moire or shading unevenness was not confirmed to an extent that would cause problems in normal use.
"
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、適宜図面を参照しながら、変形の一例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。 Note that various modifications can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, an example of modification will be described with reference to the drawings as appropriate. In the following description and the drawings used in the following description, the same reference numerals as those used for the corresponding parts in the above embodiment are used for the parts that can be configured in the same manner as in the above embodiment. A duplicate description is omitted.
上述した実施の形態の図2に示されたタッチパネルセンサ25では、各検出電極45がアクティブエリアAa1内に配置された細長い矩形状の導電体メッシュ46として形成されているが、これに限られない。検出電極45の構成は、種々の変更が可能である。図20に示された例では、各第1検出電極45aが、その長手方向に間隔を明けて配列された多数の導電体メッシュ46と、隣り合う二つの導電体メッシュ46の間を接続する接続部48と、を有している。各検出電極45は、導電体メッシュ46および接続部48により、アクティブエリアAa1内を直線状に延びている。各検出電極45が配置されている領域の幅は、導電体メッシュ46が設けられている部分において太くなっている。第1電極40aに含まれる各第1検出電極45aは、第2電極40bに含まれる多数の第2検出電極45bと交差している。そして、図20に示すように、第1電極40aの第1検出電極45aは、その接続部43において、第2電極40bの第2検出電極45bの接続部48と交差している。したがって、第1検出電極45aの導電体メッシュ46は、隣り合う二つの第2検出電極45bの間に配置され、第2検出電極45bの導電体メッシュ46は、隣り合う二つの第1検出電極45aの間に配置されている。 In the touch panel sensor 25 shown in FIG. 2 of the above-described embodiment, each detection electrode 45 is formed as an elongated rectangular conductor mesh 46 disposed in the active area Aa1, but is not limited thereto. . The configuration of the detection electrode 45 can be variously changed. In the example shown in FIG. 20, each first detection electrode 45 a is connected to connect a plurality of conductor meshes 46 arranged at intervals in the longitudinal direction and two adjacent conductor meshes 46. Part 48. Each detection electrode 45 extends linearly in the active area Aa1 by the conductor mesh 46 and the connection portion 48. The width of the region where each detection electrode 45 is disposed is thicker in the portion where the conductor mesh 46 is provided. Each first detection electrode 45a included in the first electrode 40a intersects a number of second detection electrodes 45b included in the second electrode 40b. As shown in FIG. 20, the first detection electrode 45a of the first electrode 40a intersects the connection portion 48 of the second detection electrode 45b of the second electrode 40b at the connection portion 43 thereof. Therefore, the conductor mesh 46 of the first detection electrode 45a is disposed between two adjacent second detection electrodes 45b, and the conductor mesh 46 of the second detection electrode 45b is adjacent to the two first detection electrodes 45a. It is arranged between.
なお、図20に示された変形例においては、第1電極40aの導電体メッシュ46と、第2電極40bの導電体メッシュ46とが、タッチパネルセンサ25の法線方向に重なっていない。したがって、各電極40a,40bをなす導電体メッシュ46のメッシュパターン50が単独で上述の条件(a)及び(b)を満たすことで、モアレ及び濃淡むらの両方を効果的に目立たなくさせることが可能となる。 In the modification shown in FIG. 20, the conductor mesh 46 of the first electrode 40 a and the conductor mesh 46 of the second electrode 40 b do not overlap in the normal direction of the touch panel sensor 25. Therefore, when the mesh pattern 50 of the conductor mesh 46 forming each of the electrodes 40a and 40b satisfies the above conditions (a) and (b) alone, both moire and shading unevenness can be effectively inconspicuous. It becomes possible.
また、上述した実施の形態において、参照パターン60の一例を示したが、上述した例に限られず、種々のパターンを採用することができる。例えば、参照パターン60がハニカムパターンとして形成されていてもよい。また、上述したように、参照パターン60が、二種類以上の開口領域61を含み、各種の開口領域61が規則的に配列されているようにしてもよい。 In the above-described embodiment, an example of the reference pattern 60 has been described. However, the present invention is not limited to the above-described example, and various patterns can be employed. For example, the reference pattern 60 may be formed as a honeycomb pattern. Further, as described above, the reference pattern 60 may include two or more types of opening regions 61, and the various opening regions 61 may be regularly arranged.
なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。 In addition, although the some modification with respect to embodiment mentioned above was demonstrated above, naturally, it is also possible to apply combining several modifications suitably.
10 表示装置
12 画像表示機構
13 遮光部
13a 幅太部
20 タッチパネル装置
22 透明カバー
25 タッチパネルセンサ
30 位置検知電極基板
30a 第1位置検知電極基板
30b 第2位置検知電極基板
35 基材シート
40 電極
40a 第1電極
40b 第2電極
42 取出電極
42a 第1取出電極
42b 第2取出電極
43 端子部
45 検出電極
45a 第1検出電極
45b 第2検出電極
46 導電体メッシュ
48 接続部
50 メッシュパターン
51 開口領域
52 分岐点
53 接続要素
60 参照パターン
61 開口領域
62 交点
63 線分
66 第1平行線群
66a 第1直線
67 第2平行線群
67a 第2直線
70 規則パターン
76 第1直線群
76a 第1直線
77 第2直線群
77a 第2直線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Display apparatus 12 Image display mechanism 13 Light-shielding part 13a Wide part 20 Touch panel apparatus 22 Transparent cover 25 Touch panel sensor 30 Position detection electrode substrate 30a First position detection electrode substrate 30b Second position detection electrode substrate 35 Base material sheet 40 Electrode 40a First 1 electrode 40b 2nd electrode 42 extraction electrode 42a 1st extraction electrode 42b 2nd extraction electrode 43 terminal part 45 detection electrode 45a 1st detection electrode 45b 2nd detection electrode 46 conductor mesh 48 connection part 50 mesh pattern 51 opening area 52 branch Point 53 Connection element 60 Reference pattern 61 Opening region 62 Intersection 63 Line segment 66 First parallel line group 66a First straight line 67 Second parallel line group 67a Second straight line 70 Regular pattern 76 First straight line group 76a First straight line 77 Second Straight line group 77a second straight line
Claims (17)
平面スキャナを用いて作成した前記メッシュパターンのスキャンデータに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記メッシュパターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる第1ピーク角度θp1〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σp1と、
前記メッシュパターンの前記パワースペクトル積算値分布において、0°以上180°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる第2ピーク角度θp2〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp2±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σp2と、
前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの積算値分布における前記第1ピーク角度θp1〔°〕及び第2ピーク角度θp2〔°〕と、前記第1ピーク角度θp1〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第1空間周波数と、前記第2ピーク角度θp2〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第2空間周波数と、に基づいて決定された規則パターンの画像データに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記規則パターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第1ピーク角度θp1〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp1±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σap1、及び、前記第2ピーク角度θp2〔°〕を中心とした60°の範囲内(θp2±30〔°〕)でのパワースペクトル積算値の標準偏差σap2とが、次の条件を満たし、
1.02 ≦ σp1/σap1 ≦ 1.16
1.02 ≦ σp2/σap2 ≦ 1.16
前記規則パターンは、前記メッシュパターンのスキャンデータから当該メッシュパターンの前記パワースペクトルを特定する際と同様に座標系を設定し、第1ピーク角度θp1〔°〕となる方向に、前記第1空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第1直線群と、第2ピーク角度θp2〔°〕となる方向に、前記第2の空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第2直線群と、によって形成されている、タッチパネルセンサ。 Comprising a detection electrode for forming a mesh pattern defining a plurality of opening regions;
In the integrated value distribution at each angle of the power spectrum of the mesh pattern obtained by applying Fourier transform and polar coordinate transformation to the scan data of the mesh pattern created by using a planar scanner, it is 0 ° or more and less than 180 °. The standard deviation σ p1 of the power spectrum integrated value within the range of 60 ° (θ p1 ± 30 [°]) centered on the first peak angle θ p1 [°] at which the power spectrum integrated value becomes the largest within the range, and ,
In the power spectrum integrated value distribution of the mesh pattern, within the range of 60 ° centered on the second peak angle θ p2 [°] at which the power spectrum integrated value becomes the second largest within the range of 0 ° to less than 180 °. The standard deviation σ p2 of the power spectrum integrated value at (θ p2 ± 30 [°]),
The first peak angle θ p1 [°] and second peak angle θ p2 [°] in the integrated value distribution of the power spectrum of the mesh pattern, and the mesh pattern at the first peak angle θ p1 [°]. A first spatial frequency forming a first peak located on a higher frequency side than a fundamental frequency in the distribution of power spectrum at each spatial frequency, and the mesh pattern at the second peak angle θ p2 [°]. The image data of the regular pattern determined based on the second spatial frequency forming the first peak located on the higher frequency side than the fundamental frequency in the distribution of the power spectrum at each spatial frequency, Fourier transform and In the integrated value distribution at each angle of the power spectrum of the regular pattern obtained by performing polar coordinate transformation The first peak angle theta p1 standard deviation of the power spectrum integral value in [°] in the range of 60 ° around the (theta p1 ± 30 [°]) sigma ap1, and the second peak angle theta p2 The standard deviation σ ap2 of the power spectrum integrated value within a range of 60 ° centered on [°] (θ p2 ± 30 [°]) satisfies the following condition,
1.02 ≦ σ p1 / σ ap1 ≦ 1.16
1.02 ≦ σ p2 / σ ap2 ≦ 1.16
The regular pattern has a coordinate system set in the same manner as when the power spectrum of the mesh pattern is specified from the scan data of the mesh pattern, and the first space has a first peak angle θ p1 [°]. The first straight line groups arranged at a constant pitch having a length corresponding to the frequency, and arranged at a constant pitch having a length corresponding to the second spatial frequency in the direction of the second peak angle θ p2 [°]. A touch panel sensor formed by the second straight line group.
前記メッシュパターンの各分岐点は、二つの交点の間を延びて開口領域を画成する複数の線分から形成され前記開口領域が規則的に配列されてなる参照パターンの一つの交点上または所定長さ以下となる長さだけ当該一つの交点からずれた位置に位置しており、且つ、前記メッシュパターンの各接続要素は、一つの線分の両端に位置する二つの交点にそれぞれ対応する二つの分岐点の間を延びている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。 The mesh pattern includes conductive connecting elements extending between two branch points to define the open area;
Each branch point of the mesh pattern is formed on a plurality of line segments extending between two intersections to define an opening region, and is on one intersection of a reference pattern in which the opening regions are regularly arranged or a predetermined length. Less than or equal to the length of the one intersection point, and each connecting element of the mesh pattern has two intersection points respectively corresponding to two intersection points located at both ends of one line segment. The touch panel sensor according to any one of claims 1 to 5, wherein the touch panel sensor extends between the branch points.
前記メッシュパターンは、前記第1検出電極によって形成されている、請求項1〜13のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。 The detection electrode includes a first detection electrode and a second detection electrode arranged to overlap the first detection electrode;
The touch panel sensor according to claim 1, wherein the mesh pattern is formed by the first detection electrode.
前記メッシュパターンの一部分が、前記第1検出電極によって形成され、前記メッシュパターンの他の部分が、前記第2検出電極によって形成されている、請求項1〜13のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。 The detection electrode includes a first detection electrode and a second detection electrode arranged to overlap the first detection electrode;
The touch panel according to any one of claims 1 to 13, wherein a part of the mesh pattern is formed by the first detection electrode and the other part of the mesh pattern is formed by the second detection electrode. Sensor.
前記タッチパネルセンサと重ねて配置された画像表示機構と、を備える、表示装置。 The touch panel sensor according to any one of claims 1 to 16, and
An image display mechanism disposed to overlap the touch panel sensor.
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