JP6255633B2

JP6255633B2 - 安定剤化合物、液晶組成物および表示素子

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Publication number: JP6255633B2
Application number: JP2017523015A
Authority: JP
Inventors: 清香野瀬
Original assignee: DIC Corp
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2015-07-24
Filing date: 2016-07-07
Publication date: 2018-01-10
Anticipated expiration: 2036-07-07
Also published as: WO2017018153A1; JP2018021043A; JP6809410B2; JPWO2017018153A1

Description

本発明は安定剤化合物に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたＶＡ（垂直配向）型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型またはＦＦＳ（フリンジ・フィールド・スイッチング）型等がある。液晶組成物に求められる主な特性としては、（１）水分、空気、熱、光などの外的刺激に対して安定であること、（２）室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示していること、（３）低粘性であること、および（４）駆動電圧が低いことの４つが挙げられ、個々の表示素子にとって誘電率異方性（Δε）や屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、液晶組成物は数種類から数十種類の化合物から構成されていることが一般的である。

上記の液晶組成物の特性のうち、Δεについては、正の値である組成物と負の値である組成物が各々使い分けられている。これらのうち、Δεが正の値を示す液晶材料を用いる表示方式としては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＩＰＳ型、更にＦＦＳ型などが挙げられる。Δεが負の値を示す液晶材料を用いる表示方式としては、ＥＣＢ型、ＶＡ型、更にＦＦＳ型などが挙げられる。一方、全ての駆動方式において低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲が求められている。すなわち、Δεの絶対値が大きく、粘度（η）が小さく、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が要求されている。また、Δｎとセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合においては高速応答性が重視されるため、γ_１の小さい液晶組成物が要求される。

これら液晶組成物の物性における要求に加え、（１）の外的刺激に対する安定性についても更なる改善が求められている（特許文献１参照）。

特開２００６−３７０５４号特開２００８−１４４１３５号

本願発明が解決しようとする課題は、液晶組成物に添加することにより液晶組成物の劣化を防止し、液晶組成物との相溶性が高く、液晶組成物の保存安定性を損なうことなく、かつ簡便に製造可能な安定剤化合物を提供することである。

本願発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本願発明の完成に至った。
すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^ａ０は水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数３〜１２のアルケニル基を表し、
Ｒ^ａ１，Ｒ^ａ２，Ｒ^ａ３及びＲ^ａ４はそれぞれ独立して炭素数１〜８のアルキル基を表し、あるいはＲ^ａ１とＲ^ａ２，及び／又はＲ^ａ３とＲ^ａ４は一緒になって環構造を形成していてもよく、
Ｒ^ａ５及びＲ^ａ６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、
ｎは０又は１を表し、
ｔは１から４を表し、
Ｕは環構造を形成する２×ｔ価の有機基を表し、Ｒ^ａ０、Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２、Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５、Ｒ^ａ６及びｎが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び表示素子を提供する。

本発明に係る安定剤化合物は、液晶組成物の光による劣化を防止し、液晶組成物との相溶性が高く、液晶組成物の保存安定性を損なうことなく、かつ簡便に製造可能である。本発明に係る安定剤化合物を用いた液晶組成物を用いると高速応答液晶表示素子の提供が可能となる。

一般式（Ｉ）において、Ｒ^ａ０は光劣化防止能を高めるには水素原子又は水酸基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。また、液晶組成物との相溶性を高めるためには炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^ａ１，Ｒ^ａ２，Ｒ^ａ３及びＲ^ａ４はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることが特に好ましい。また、製造時に混入する極性不純物の除去を容易にするためにはＲ^ａ１とＲ^ａ２，及び／又はＲ^ａ３とＲ^ａ４は一緒になって環構造を形成することが好ましい。
Ｒ^ａ５及びＲ^ａ６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、製造の容易さから水素原子であることが特に好ましい。
ｎは１であることが好ましい。
ｔは液晶組成物の保存安定性を高めるためには１または２であることが好ましく、１であることが特に好ましい。また、光劣化防止能を高めるためには、単位重量あたりのヒンダードアミン構造の数が多くなることから３または４であることが好ましい。
Ｕは、一般式（Ｉ−ａ）

（式中、破線は各々酸素原子への結合を表し、Ｒ^ａ７及びＲ^ａ８はそれぞれ独立して水素原子または１価の有機基を表し、あるいはＲ^ａ７及びＲ^ａ８は一緒になって環構造を形成していてもよく、ｍは０または１を表す。）で表される構造であることが液晶組成物の保存安定性を高めるためには好ましい。ここで、一般的な液晶化合物と同様の直線状の構造をとりやすく、結果として液晶組成物への相溶性が高まることから、Ｒ^ａ７は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましく、ｍは１であることが特に好ましい。

一般式（Ｉ）中のｔが１を表す場合、Ｒ^ａ８は一般式（Ｉ−ｃ）

で表される構造であることが液晶組成物との相溶性を高めるためには特に好ましく、Ｓｐ^ａ１及びＳｐ^ａ２はそれぞれ独立に単結合又は炭素原子数１から１２のアルキレン基を表すことが好ましく、単結合又は炭素原子数１から８のアルキレン基であることがより好ましく、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。Ａ^ａ１及びＡ^ａ２はそれぞれ独立に
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基であることが液晶組成物の保存安定性を高めるためには好ましく、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていることがより好ましい。Ｒ^ａ９は水素原子または炭素原子数１から１２のアルキル基を表すことが好ましく、水素原子または炭素原子数１から６のアルキル基であることがより好ましく、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良く、−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−より置き換えられていることが好ましい。

また、Ｒ^ａ９は一般式（Ｉ−ｄ）

（式中、Ｒ^ｄ０、Ｒ^ｄ１，Ｒ^ｄ２，Ｒ^ｄ３、Ｒ^ｄ４、Ｒ^ｄ５及びＲ^ｄ６は一般式（Ｉ）におけるＲ^ａ０、Ｒ^ａ１，Ｒ^ａ２，Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５及びＲ^ａ６と同じ意味を表し、Ｒ^ａ１０は水素原子または１価の有機基を表し、Ｓｐ^ａ３はＳｐ^ａ１又はＳｐ^ａ２と同じ意味を表し、ｓ及びｖはそれぞれ独立に０又は１を表す。）
で表される構造であることが光劣化防止能を高めるためには好ましい。Ｒ^ｄ０は光劣化防止能を高めるには水素原子又は水酸基であることが好ましく、製造の容易さから水素原子であることが特に好ましい。また、液晶組成物との相溶性を高めるためには炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^ｄ１，Ｒ^ｄ２，Ｒ^ｄ３及びＲ^ｄ４はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることが特に好ましい。また、製造時に混入する極性不純物の除去を容易にするためにはＲ^ｄ１とＲ^ｄ２，及び／又はＲ^ｄ３とＲ^ｄ４は一緒になって環構造を形成することが好ましい。
Ｒ^ｄ５及びＲ^ｄ６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、製造の容易さから水素原子であることが特に好ましい。

Ｓｐ^ａ３はそれぞれ独立に単結合又は炭素原子数１から８のアルキレン基であることが好ましく、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。

Ｒ^ａ１０は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
ｓ及びｖはそれぞれ１であることが好ましい。
ｐ及びｑはそれぞれ０または１であることが好ましい。

一般式（Ｉ）中のｔが２を表す場合、Ｕは、一般式（Ｉ−ｂ）または一般式（Ｉ−ｅ）

（式中、破線は各々酸素原子への結合を表し、ｌ及びｏはそれぞれ独立に０または１を表す。）

（式中、破線は各々酸素原子への結合を表し、ｌｅ及びｏｅはそれぞれ独立して０又は１を表し、Ｒ^ｅ１及びＲ^ｅ２はそれぞれ独立して水素原子または１価の有機基を表し、Ｖ^ｅは２価の有機基を表す。）
で表される構造であることが光劣化防止能を高めるためには好ましい。ｌ、ｏ，ｌｅ及びｏｅは各々１であることが液晶組成物の保存安定性を高めるためには好ましい。Ｒ^ｅ１及びＲ^ｅ２は水素原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素原子数１〜３のアルキル基であることが好ましく、水素原子、メチル基、エチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｉ−ｅ）は、一般式（Ｉ−ｅ１）で表される構造であることが好ましい。

（式中、破線は各々酸素原子への結合を表し、ｌｅ及びｏｅはそれぞれ独立して０又は１を表し、Ｒ^ｅ１及びＲ^ｅ２はそれぞれ独立して水素原子または１価の有機基を表し、Ｓｐ^ａｅは単結合又は炭素原子数１から１２のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよい。）
Ｓｐ^ａｅは単結合又は炭素原子数１から８のアルキレン基であることがより好ましい。

また、一般式（Ｉ−ｅ）は、一般式（Ｉ−ｅ２）で表される構造であることが好ましい。

（式中、破線は各々酸素原子への結合を表し、ｌｅ及びｏｅはそれぞれ独立して０又は１を表し、Ｒ^ｅ１及びＲ^ｅ２はそれぞれ独立して水素原子または１価の有機基を表し、Ｓｐ^ａｅ１及びＳｐ^ａｅ２はそれぞれ独立して一般式（Ｉ−ｃ）におけるＳｐ^ａ１と同じ意味を表し、Ａ^ａｄ１は一般式（Ｉ−ｃ）におけるＡ^ａ１と同じ意味を表し、ｐｅは１又は２を表し、Ｓｐ^ａｅ１、Ｓｐ^ａｅ２及びＡ^ａｅ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
一般式（Ｉ）中のｔが３又は４を表す場合、Ｕは、一般式（Ｉ−ｆ）

（式中、破線は酸素原子への結合を表し、ｌｆは０又は１を表し、Ｒ^ｆ７は水素原子または１価の有機基を表し、Ｓｐ^ａｆ１及びＳｐ^ａｆ２はそれぞれ独立して一般式（Ｉ−ｃ）におけるＳｐ^ａ１と同じ意味を表し、Ａ^ａｆ１は一般式（Ｉ−ｃ）におけるＡ^ａ１と同じ意味を表し、ｐｆは０、１又は２を表し、ｔｆは３又は４を表し、Ｖ^ｆは３価又は４価の基を表すが、Ｖ^ｆの価数はｔｆが表す数と同じ数であり、Ｓｐ^ａｆ１、Ｓｐ^ａｆ２及びＡ^ａｆ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
で表される構造であることが光劣化防止能を高めるためには好ましい。Ｒ^ｆ７は炭素原子数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素原子数１〜３のアルキル基であることが好ましく、水素原子、メチル基、エチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｉ−ｆ）中のｔｆが３を表す場合、すなわち、Ｖ^ｆの価数が３の場合、Ｖ^ｆは炭素原子数１から１５の炭化水素基を表すことが好ましく、当該炭化水素基中の炭素原子中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。Ｖ^ｆは、式（Ｖ３−１）〜式（Ｖ３−１２）で表される基から選択される基であることがより好ましい。

（式中の、Ｒ^ｖ３１及びＲ^ｖ３２は、水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−に置換されてもよい。また、環状構造中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。）
Ｒ^Ｖ３１及びＲ^Ｖ３２は、水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことが好ましく、直鎖状であることが好ましい。また、式（Ｖ３−４）〜式（Ｖ３−１２）はそれぞれ独立して無置換であることが好ましく、又、式（Ｖ３−４）〜式（Ｖ３−１２）中の水素原子はシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていてもよい。

原料の入手容易さ及び製造の容易さの観点から、式（Ｖ３−１）、式（Ｖ３−２）、及び無置換の式（Ｖ３−３）〜（Ｖ３−１２）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ−ｆ）中のｔｆが４を表す場合、すなわち、Ｖ^ｆの価数が４の場合、Ｖ^ｆは炭素原子数１から１５の炭化水素基を表すことが好ましく、当該炭化水素基中の炭素原子中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。Ｖ^ｆは、式（Ｖ４−１）〜式（Ｖ４−２１）で表される基から選択される基であることがより好ましい。

環状構造中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルフラニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。また、式（Ｖ４−３）〜式（Ｖ４−２１）はそれぞれ独立して無置換であることが好ましく、又、式（Ｖ４−３）〜式（Ｖ４−２１）中の水素原子はシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていてもよい。

原料の入手容易さ及び製造の容易さの観点から、式（Ｖ４−１）、式（Ｖ４−２）、及び無置換の式（Ｖ−３）〜（Ｖ−２１）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。

本発明の一般式（Ｉ）に示す化合物の好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｉ−１）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ａ０１は水素原子または水酸基を表し、
Ｒ^ａ７１は水素原子または一価の有機基を表し、
Ｓｐ^ａ１１及びＳｐ^ａ２１は一般式（Ｉ−ｃ）におけるＳｐ^ａ１及びＳｐ^ａ２と同じ意味を表し、
Ａ^ａ１１及びＡ^ａ２１は一般式（Ｉ−ｃ）におけるＡ^ａ１及びＡ^ａ２と同じ意味を表し、
Ｒ^ａ９１は一般式（Ｉ−ｃ）におけるＲ^ａ９と同じ意味を表し、
ｍ１、ｐ１及びｑ１はそれぞれ独立に０又は１を表す。）
Ｒ^ａ０１は水素原子であることが好ましい。
Ｒ^ａ７１は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましい。

Ｓｐ^ａ１１及びＳｐ^ａ２１はそれぞれ独立に単結合又は炭素原子数１から６のアルキレン基であることが好ましく、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。
Ａ^ａ１１及びＡ^ａ２１はそれぞれ独立に
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基であることが液晶組成物の保存安定性を高めるためには好ましく、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていることが液晶組成物との相溶性を高めるためには好ましい。Ｒ^ａ９１は水素原子又は炭素原子数１から６のアルキル基であることが好ましく、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−により置き換えられていることも好ましい。また、Ｒ^ａ９１は一般式（Ｉ−ｄ１）

（式中、Ｒ^ｄ０１は水素原子又は水酸基を表し、Ｓｐ^ａ３１は一般式（Ｉ−ｄ）におけるＳｐ^ａ３と同じ意味を表し、Ｒ^ａ１０１は水素原子または一価の有機基を表し、ｓ１は０又は１を表す。）で表される構造であることが光劣化防止能を高めるためには特に好ましい。Ｒ^ａ１０１は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましい。Ｒ^ｄ０１は水素原子であることが好ましい。Ｓｐ^ａ３１は単結合又は炭素原子数１から６のアルキレン基であることが好ましく、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。ｓ１は１であることが好ましい。
ｍ１及びｐ１は１であることが好ましい。ｑ１は０であることが好ましい。

一般式（Ｉ−１）で表される化合物としては、以下の一般式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｖ）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ａ０２及びＲ^ａ０３は、前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ０１と同じ意味を表し、Ｒ^ａ７２およびＲ^ａ１０２は、前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ｒ^ａ９２は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ９１と同じ意味を表し、Ｓｐ^ａ１２，Ｓｐ^ａ１３及びＳｐ^ａ１４は前記一般式（Ｉ−１）におけるＳｐ^ａ１１又はＳｐ^ａ２１と同じ意味を表し、Ａ^ａ１２及びＡ^ａ１３は前記一般式（Ｉ−１）におけるＡ^ａ１１又はＡ^ａ２１と同じ意味を表す。）
一般式（Ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する組成物は、室温において液晶相を有することが好ましい。一般式（Ｉ）で表される化合物は、組成物中に下限値として、０．０１％以上含有することが好ましく、０．０２％以上含有することが好ましく、０．０３％以上含有することが好ましく、０．０５％以上含有することが好ましく、０．０７％以上含有することが好ましく、０．１％以上含有することが好ましく、０．１５％以上含有することが好ましく、０．２％以上含有することが好ましく、０．２５％以上含有することが好ましく、０．３％以上含有することが好ましく、０．５％以上含有することが好ましく、１％以上含有することが好ましい。また、上限値として５％以下含有することが好ましく、３％以下含有することが好ましく、１％以下含有することが好ましく、０．５％以下含有することが好ましく、０．４５％以下含有することが好ましく、０．４％以下含有することが好ましく、０．３５％以下含有することが好ましく、０．３％以下含有することが好ましく、０．２５％以下含有することが好ましく、０．２％以下含有することが好ましく、０．１５％以下含有することが好ましく、０．１％以下含有することが好ましく、０．０７％以下含有することが好ましく、０．０５％以下含有することが好ましく、０．０３％以下含有することが好ましい。

より具体的には、０．０１から５質量％含有することが好ましく、０．０１から０．３質量％であることが好ましく、０．０２から０．３質量％であることが更に好ましく、０．０５から０．２５質量％であることが特に好ましい。更に詳述すると、低温における析出の抑制を重視する場合にはその含有量は０．０１から０．１質量％が好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物以外に、液晶相を有する化合物を含有してもよいし、液晶相を有さない化合物を含有してもよい。

本発明において、一般式（Ｉ）で表される化合物は、以下のようにして製造することができる。勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。

（製法１）一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ａ０、Ｒ^ａ１，Ｒ^ａ２，Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５、Ｒ^ａ６、ｎ、ｔ及びＵは前記一般式（Ｉ）におけるＲ^ａ０、Ｒ^ａ１，Ｒ^ａ２，Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５、Ｒ^ａ６、ｎ、ｔ及びＵと同じ意味を表す。）
一般式（Ｓ−１）で表される化合物を一般式（Ｓ−２）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−１）で表される化合物及び一般式（Ｓ−２）で表される化合物を酸触媒の存在下加熱し脱水反応させる方法が挙げられる。酸触媒としては例えば塩酸、硫酸、重硫酸カリウムなどの無機酸や、三フッ化ホウ素などのルイス酸、フマル酸、フタル酸、オギザリル酸、カンファースルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸、アンバーリスト−１５などの固体酸等が挙げられる。この際、一般式（Ｓ−１）で表される化合物が塩基性化合物である場合、必要に応じて酸触媒は1当量を超える量を加えることができる。

（製法２）一般式（Ｉ−１ａ）、（Ｉ−１ｂ）、（Ｉ−１ｋ）又は（Ｉ−１ｌ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ａ）、（Ｉ−１ｂ）、（Ｉ−１ｋ）又は（Ｉ−１ｌ）におけるＲ^ａ０２又はＲ^ａ０３と同じ意味を表し、Ｒ^ｓ７は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ａ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｂ）又は（Ｉ−１ｌ）におけるＡ^ａ１２又はＡ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｙ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ａ）及び／又は（Ｉ−１ｂ）におけるＲ^ａ９２と同じ意味、若しくは前記一般式（Ｉ−１ｋ）及び／又は（Ｉ−１ｌ）におけるＳ^ｐａ１３と同じ意味を表し、ｐ^ｓ１は０又は１を表し、ｔ^ｓ１は１又は２を表す。）
一般式（Ｓ−３）で表される化合物を一般式（Ｓ−４）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−１ａ）、（Ｉ−１ｂ）、（Ｉ−１ｋ）又は（Ｉ−１ｌ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、製法１と同様にして、一般式（Ｓ−３）で表される化合物及び一般式（Ｓ−４）で表される化合物を酸触媒の存在下加熱し脱水反応させる方法が挙げられる。

（製法３）一般式（Ｉ−１ｃ）、（Ｉ−１ｊ）、（Ｉ−１ｍ）又は（Ｉ−１ｔ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｃ）、（Ｉ−１ｊ）、（Ｉ−１ｍ）又は（Ｉ−１ｔ）におけるＲ^ａ０２又はＲ^ａ０３と同じ意味を表し、Ｒ^ｓ７は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ａ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｃ）、（Ｉ−１ｊ）、（Ｉ−１ｍ）又は（Ｉ−１ｔ）におけるＡ^ａ１２又はＡ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｙ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｃ）又は（Ｉ−１ｊ）におけるＲ^ａ９２と同じ意味、若しくは前記一般式（Ｉ−１ｍ）又は（Ｉ−１ｔ）におけるＳｐ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｓｐ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｃ）、（Ｉ−１ｊ）、（Ｉ−１ｍ）又は（Ｉ−１ｔ）におけるＳｐ^ａ１２又はＳｐ^ａ１４と同じ意味を表し、ｍ^ｓ１及びｐ^ｓ１は各々独立して０又は１を表し、ｔ^ｓ１は１又は２を表す。）
一般式（Ｓ−３）で表される化合物を一般式（Ｓ−５）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−６）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、製法１と同様にして、一般式（Ｓ−３）で表される化合物及び一般式（Ｓ−５）で表される化合物を酸触媒の存在下加熱し脱水反応させる方法が挙げられる。
一般式（Ｓ−６）で表される化合物を一般式（Ｓ−７）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−１ｃ）、（Ｉ−１ｊ）、（Ｉ−１ｍ）又は（Ｉ−１ｔ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−６）の水酸基に対して塩化ｐ−トルエンスルホニル、塩化メチルスルホニルなどを反応させて脱離基とした後、塩基の存在下で（Ｓ−７）と反応させるウィリアムソン反応が挙げられる。塩基としては例えば炭酸カリウム、炭酸セシウムなどが挙げられる。また、水酸基をアゾカルボン酸エステルとトリフェニルホスフィンで活性化し、アルコールと反応させる光延反応が挙げられる。アゾカルボン酸エステルとしては例えばアゾジカルボン酸ジエチル、アゾジカルボン酸ジイソプロピルなどが挙げられる。（製法４）一般式（Ｉ−１ｄ）、（Ｉ−１ｉ）、（Ｉ−１ｎ）又は（Ｉ−１ｓ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｄ）、（Ｉ−１ｉ）、（Ｉ−１ｎ）又は（Ｉ−１ｓ）におけるＲ^ａ０２又はＲ^ａ０３と同じ意味を表し、Ｒ^ｓ７は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ａ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｄ）、（Ｉ−１ｉ）、（Ｉ−１ｎ）又は（Ｉ−１ｓ）におけるＡ^ａ１２又はＡ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｙ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｄ）又は（Ｉ−１ｉ）におけるＲ^ａ９２と同じ意味、若しくは前記一般式（Ｉ−１ｎ）又は（Ｉ−１ｓ）におけるＳｐ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｓｐ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｄ）、（Ｉ−１ｉ）、（Ｉ−１ｎ）又は（Ｉ−１ｓ）におけるＳｐ^ａ１２又はＳｐ^ａ１４と同じ意味を表し、ｍ^ｓ１及びｐ^ｓ１は各々独立して０又は１を表し、ｔ^ｓ１は１又は２を表す。）
一般式（Ｓ−３）で表される化合物を一般式（Ｓ−８）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−９）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、製法１と同様にして、一般式（Ｓ−３）で表される化合物及び一般式（Ｓ−８）で表される化合物を酸触媒の存在下加熱し脱水反応させる方法が挙げられる。
一般式（Ｓ−９）で表される化合物を一般式（Ｓ−７）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−１ｄ）、（Ｉ−１ｉ）、（Ｉ−１ｎ）又は（Ｉ−１ｓ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−９）のカルボキシル基に対してハロゲン化剤を作用させて酸ハロゲン化物とした後、一般式（Ｓ−７）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。ハロゲン化剤としては例えば、塩化チオニル、塩化オキサリル、塩化ホスホリル、塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン、三臭化リンなどが挙げられる。また、一般式（Ｓ−７）の水酸基をアゾカルボン酸エステルとトリフェニルホスフィンで活性化し、一般式（Ｓ−９）のカルボキシル基と反応させる光延反応が挙げられる。アゾカルボン酸エステルとしては例えばアゾジカルボン酸ジエチル、アゾジカルボン酸ジイソプロピルなどが挙げられる。

（製法５）一般式（Ｉ−１ｅ）又は（Ｉ−１ｏ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｅ）又は（Ｉ−１ｏ）におけるＲ^ａ０２又はＲ^ａ０３と同じ意味を表し、Ｒ^ｓ７は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ａ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｅ）又は（Ｉ−１ｏ）におけるＡ^ａ１２又はＡ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｙ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｅ）におけるＲ^ａ９２と同じ意味、若しくは前記一般式（Ｉ−１ｏ）におけるＳｐ^ａ１３と同じ意味を表し、ｐ^ｓ１は０又は１を表し、ｔ^ｓ１は１又は２を表す。）
一般式（Ｓ−３）で表される化合物を一般式（Ｓ−１０）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−１１）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、製法１と同様にして、一般式（Ｓ−３）で表される化合物及び一般式（Ｓ−１０）で表される化合物を酸触媒の存在下加熱し脱水反応させる方法が挙げられる。
一般式（Ｓ−１１）で表される化合物を一般式（Ｓ−１２）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−１ｅ）又は（Ｉ−１ｏ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−１２）の水酸基に対して塩化ｐ−トルエンスルホニル、塩化メチルスルホニルなどを反応させて脱離基とした後、塩基の存在下で（Ｓ−１１）と反応させるウィリアムソン反応が挙げられる。塩基としては例えば水素化ナトリウムなどが挙げられる。また、水酸基をアゾカルボン酸エステルとトリフェニルホスフィンで活性化し、アルコールと反応させる光延反応が挙げられる。アゾカルボン酸エステルとしては例えばアゾジカルボン酸ジエチル、アゾジカルボン酸ジイソプロピルなどが挙げられる。

（製法６）一般式（Ｉ−１ｆ）又は（Ｉ−１ｐ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｆ）又は（Ｉ−１ｐ）におけるＲ^ａ０２又はＲ^ａ０３と同じ意味を表し、Ｒ^ｓ７は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ａ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｆ）又は（Ｉ−１ｐ）におけるＡ^ａ１２又はＡ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｙ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｆ）におけるＲ^ａ９２と同じ意味、若しくは前記一般式（Ｉ−１ｐ）におけるＳｐ^ａ１３と同じ意味を表し、ｐ^ｓ１は０又は１を表し、ｔ^ｓ１は１又は２を表す。）
一般式（Ｓ−１１）で表される化合物を一般式（Ｓ−１３）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−１ｆ）又は（Ｉ−１ｐ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−１３）のカルボキシル基に対してハロゲン化剤を作用させて酸ハロゲン化物とした後、一般式（Ｓ−１１）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。ハロゲン化剤としては例えば、塩化チオニル、塩化オキサリル、塩化ホスホリル、塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン、三臭化リンなどが挙げられる。また、一般式（Ｓ−１１）の水酸基をアゾカルボン酸エステルとトリフェニルホスフィンで活性化し、一般式（Ｓ−１３）のカルボキシル基と反応させる光延反応が挙げられる。アゾカルボン酸エステルとしては例えばアゾジカルボン酸ジエチル、アゾジカルボン酸ジイソプロピルなどが挙げられる。

（製法７）一般式（Ｉ−１ｇ）、（Ｉ−１ｑ）、（Ｉ−１ｈ）又は（Ｉ−１ｒ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｇ）、（Ｉ−１ｑ）、（Ｉ−１ｈ）又は（Ｉ−１ｒ）におけるＲ^ａ０２又はＲ^ａ０３と同じ意味を表し、Ｒ^ｓ２はアルキル基を表し、Ｒ^ｓ７は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ａ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｇ）、（Ｉ−１ｑ）、（Ｉ−１ｈ）又は（Ｉ−１ｒ）におけるＡ^ａ１２又はＡ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｙ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｇ）又は（Ｉ−１ｈ）におけるＲ^ａ９２と同じ意味、若しくは前記一般式（Ｉ−１ｑ）又は（Ｉ−１ｒ）におけるＳｐ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｘは塩素、臭素又はヨウ素を表し、ｐ^ｓ１は０又は１を表し、ｔ^ｓ１は１又は２を表す。）
一般式（Ｓ−３）で表される化合物を一般式（Ｓ−１７）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−１４）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、製法１と同様にして、一般式（Ｓ−３）で表される化合物及び一般式（Ｓ−１３）で表される化合物を酸触媒の存在下加熱し脱水反応させる方法が挙げられる。

一般式（Ｓ−１４）で表される化合物を還元することにより、一般式（Ｓ−１５）で表される化合物を得ることができる。還元剤としては、例えば水素化ジイソブチルアルミニウムなどが挙げられる。あるいは、一般式（Ｓ−１４）で表される化合物を還元してアルコールとし、続いて酸化してアルデヒドとすることにより、一般式（Ｓ−１５）で表される化合物を得ることも出来る。この場合、還元剤としては、例えば水素化リチウムアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ビス(2-メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウムなどが挙げられる。また、酸化剤としてはクロロクロム酸ピリジニウム、塩化オキサリルなどが挙げられる。

一般式（Ｓ−１５）で表される化合物を一般式（Ｓ−１６）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−１ｇ）又は（Ｉ−１ｑ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−１６）で表される化合物に対して塩基を反応させてリンイリドとした後、一般式（Ｓ−１５）で表される化合物と反応させるヴィティヒ反応が挙げられる。この際、塩基としては、例えばｔ−ブトキシカリウムなどが挙げられる。
一般式（Ｉ−１ｇ）又は（Ｉ−１ｑ）で表される化合物を還元することにより、一般式（Ｉ−１ｈ）又は（Ｉ−１ｒ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｉ−１ｇ）又は（Ｉ−１ｑ）で表される化合物と触媒を水素雰囲気下で共存させる方法が挙げられる。この際、触媒としては例えばパラジウム炭素などが挙げられる。

（製法８）一般式（Ｉ−１ｕ）又は（Ｉ−１ｖ）で表される化合物の製造方法

（式中、Ｒ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｕ）又は（Ｉ−１ｖ）におけるＲ^ａ０２又はＲ^ａ０３と同じ意味を表し、Ｒ^ｓ７は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ａ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｕ）又は（Ｉ−１ｖ）におけるＡ^ａ１２又はＡ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｙ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｕ）におけるＲ^ａ９２と同じ意味、若しくは前記一般式（Ｉ−１ｖ）におけるＳｐ^ａ１３と同じ意味を表し、Ｓｐ^ｓ１は前記一般式（Ｉ−１ｕ）又は（Ｉ−１ｖ）におけるＳｐ^ａ１２又はＳｐ^ａ１４と同じ意味を表し、ｍ^ｓ１及びｐ^ｓ１は各々独立して０又は１を表し、ｔ^ｓ１は１又は２を表す。）
一般式（Ｓ−３）で表される化合物を一般式（Ｓ−５）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−６）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、製法１と同様にして、一般式（Ｓ−３）で表される化合物及び一般式（Ｓ−５）で表される化合物を酸触媒の存在下加熱し脱水反応させる方法が挙げられる。
一般式（Ｓ−６）で表される化合物を一般式（Ｓ−１８）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−１ｕ）又は（Ｉ−１ｖ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−１８）のカルボキシル基に対してハロゲン化剤を作用させて酸ハロゲン化物とした後、一般式（Ｓ−６）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。ハロゲン化剤としては例えば、塩化チオニル、塩化オキサリル、塩化ホスホリル、塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン、三臭化リンなどが挙げられる。また、一般式（Ｓ−６）の水酸基をアゾカルボン酸エステルとトリフェニルホスフィンで活性化し、一般式（Ｓ−１８）のカルボキシル基と反応させる光延反応が挙げられる。アゾカルボン酸エステルとしては例えばアゾジカルボン酸ジエチル、アゾジカルボン酸ジイソプロピルなどが挙げられる。
前記各工程において記載した以外の反応条件として、例えば実験化学講座（日本化学会編、丸善株式会社発行）、ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ（ＡＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）、ＢｅｉｌｓｔｅｉｎＨａｎｄｂｏｏｋｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ−ＩｎｓｔｉｔｕｔｆｕｅｒＬｉｔｅｒａｔｕｒｄｅｒＯｒｇａｎｉｓｃｈｅｎＣｈｅｍｉｅ、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−ＶｅｒｌａｇＢｅｒｌｉｎａｎｄＨｅｉｄｅｌｂｅｒｇＧｍｂＨ＆Ｃｏ．Ｋ）、Ｆｉｅｓｅｒｓ’ ＲｅａｇｅｎｔｓｆｏｒＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｉｓ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）等の文献に記載のもの又はＳｃｉＦｉｎｄｅｒ（ＣｈｅｍｉｃａｌＡｂｓｔｒａｃｔｓＳｅｒｖｉｃｅ，ＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）、Ｒｅａｘｙｓ（ＥｌｓｅｖｉｅｒＬｔｄ．）等のデータベースに収載のものが挙げられる。

また、各工程において適宜反応溶媒を用いることができる。溶媒の具体例としてはエタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジクロロメタン、水等が挙げられる。有機溶媒及び水の二相系で反応を行う場合、相間移動触媒を添加することも可能である。相間移動触媒の具体例としてはベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。

また、各工程において必要に応じて精製を行うことができる。精製方法としてはクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華、再沈殿、吸着、分液処理等が挙げられる。精製剤の具体例としてはシリカゲル、ＮＨ_２シリカゲル、アルミナ、活性炭等が挙げられる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に記述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。化合物の純度はＧＣ又はＵＰＬＣによって分析した。化合物および反応溶媒の略称は以下の通りである：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２,２,６,６−テトラメチル−４−ピペリドン（ＴＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、水素化ジイソブチルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ）
（実施例１）化合物（Ｉ−１ａ−５）の製造

窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（６．７９ｇ）及びトルエン１００ｍｌを加え、３０分間加熱還流し、生じた水を除去した。この混合物を室温まで冷却した後、ＴＭＰ（５．１１ｇ）及び２−ペンチル−１、３−プロパンジオール（４．８２ｇ）を加え、３時間加熱還流し、生じた水を除去した。この反応混合物を室温まで冷却した後、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌを加えて攪拌し、有機層を分けとり、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌ、水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（ＮＨ_２シリカゲル、トルエン）を通過させた。得られた溶液を濃縮し、化合物（Ｉ−１ａ−５）（７．８７ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ２６８．２２ [Ｍ−１５^＋]
相転移温度：Ｏｉｌ（凝固点は−２０℃以下）
¹H-NMR (400MHz, CDCl₃)δ: 0.71-0.74(t,3H), 1.09-1.34(m,8H), 1.21(d, 12H), 1.59(s,2H), 1.79(s, 2H), 1.83-1.96(m,1H), 3.56-3.61(t,2H), 3.80-3.85(dd,2H)
実施例１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例２（化合物（Ｉ−１ａ−３））〜実施例３（化合物（Ｉ−１ｋ−４））を製造した。

（実施例７）化合物（Ｉ−１ｋ−８）の製造

撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、tert−ブトキシカリウム（１３．０ｇ）を加え、テトラヒドロフラン（４００ｍＬ）に懸濁させた。マロン酸ジエチル（１８．６ｇ）を加え、続いて１，８−ジブロモオクタン（１５．８ｇ）を加えた。室温で３日間攪拌した。減圧濃縮をおこない、１０％塩酸を加えて酸性にした。ジクロロメタン（１５０ｍＬ）で２回抽出した。減圧濃縮後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、１，１，８，８−テトラ（エトキシカルボニル）オクタンを１５．０ｇ、無色液体として得た。

撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、水素化リチウムアルミニウム（１０．６ｇ）を加え、テトラヒドロフラン（２７９ｍＬ）に懸濁させた。１，１，８，８−テトラ（エトキシカルボニル）オクタン（２０．０ｇ）を加え、６０℃で５時間攪拌した。氷冷し、水（５７．０ｇ）を注意深く加えた。４０℃で１時間攪拌し、濾過して固形分を除いた。テトラヒドロフラン溶液を濃縮し、１，１，８，８−テトラ（ヒドロキシメチル）オクタンを１０．１ｇ、無色個体として得た。

撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、１，１，８，８−テトラ（ヒドロキシメチル）オクタンを１０．０ｇと２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−オン（１０．６ｇ）、４−トルエンスルホン酸一水和物（１５．２ｇ）を加え、トルエン（１００ｍＬ）に懸濁させた。窒素雰囲気下、３時間加熱還流させ、途中で生成する水をディーンスターク管で除いた。室温に冷却後、炭酸カリウム水溶液を加えてアルカリ性した。テトラヒドロフラン（１３８ｍＬ）で２回抽出した。減圧濃縮後、カラムクロマトグラフィーと再結晶にて精製し、化合物（Ｉ−１ｋ−８）（１１．６ｇ）を無色結晶として得た。
ＧＣ−ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ５３６ [Ｍ^＋]、５２１ [Ｍ−１５^＋]
相転移温度：Ｃｒｙ１０１Ｉｓｏ
実施例７と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例４（化合物（Ｉ−１ｋ−２））〜実施例６（化合物（Ｉ−１ｋ−６））を製造した。

（実施例８）化合物（Ｉ−１ｂ−Ｃ３）の製造

窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（５．０２ｇ）及びトルエン１００ｍｌを加え、３０分間加熱還流し、生じた水を除去した。この混合物を室温まで冷却した後、ＴＭＰ（３．８２ｇ）及び２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１、３−プロパンジオール（４．９２ｇ）を加え、４時間加熱還流し、生じた水を除去した。この反応混合物を室温まで冷却した後、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌを加えて攪拌し、有機層を分けとり、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌ、水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を濃縮し、ヘキサン３ｍｌを加えて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過し、トルエンに溶解させ、カラムクロマトグラフィー（ＮＨ_２シリカゲル、トルエン）を通過させた。得られた溶液を濃縮し、ヘキサン３ｍｌを加えて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過し、真空乾燥させ、化合物（Ｉ−１ｂ−３Ｃ）（１．９７ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ３２２．２７ [Ｍ−１５^＋]
相転移温度：Ｃｒｙ７０Ｉｓｏ
¹H-NMR (400MHz, CDCl₃)δ: 0.78-1.02(m,4H), 0.84-0.88(t,3H), 1.05-1.17(m,4H), 1.21(d,12H), 1.24-1.36(m,2H), 1.57(s,2H), 1.68-1.76(m,5H), 1.79(s,2H), 3.67-3.72(t,2H), 3.85-3.89(dd,2H)
実施例８と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例９（化合物（Ｉ−１ｂ−０Ｃ））〜実施例２４（化合物（Ｉ−１ｌ−Ｂ２Ｂ））を製造した。

（実施例２５）化合物（Ｉ−１ｃ−Ｂ３）の製造

（化合物（Ｅ−２）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（５．０２ｇ）及びトルエン１００ｍｌを加え、３０分間加熱還流し、生じた水を除去した。この混合物を室温まで冷却した後、ＴＭＰ（３．８２ｇ）、ＤＭＦ３０ｍｌ及び化合物（Ｅ−１）（２．６０ｇ）を加え、４時間加熱還流し、生じた水を除去した。この反応混合物を室温まで冷却した後、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌを加えて攪拌し、有機層を分けとり、水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を濃縮し、化合物（Ｅ−２）（５．７１ｇ）を得た。

（化合物（Ｉ−１ｃ−Ｂ３）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−２）（５．７１ｇ）、化合物（Ｅ−４）（３．００ｇ）、トリフェニルホスフィン（６．１６ｇ）及びＴＨＦ４５ｍｌを加え、５℃以下に冷却し攪拌した後、アゾジカルボン酸ジイソプロピル（４．４５ｇ）を５℃以下を保ちながら滴下し、室温で１時間撹拌した。この反応混合物に対し、水０．１ｍｌを加えて攪拌した後、溶媒を留去し、メタノール４０ｍｌ及び水２０ｍｌを加えて室温で１時間攪拌した。この反応混合物をろ過して得られた固体をヘキサン／トルエン混合溶媒に溶解させ、カラムクロマトグラフィー（ＮＨ_２シリカ１０ｇ）を通した。得られた溶液を濃縮し、ヘキサン５ｍｌを加えて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過し、真空乾燥させ、化合物（Ｉ−１ｃ−Ｂ３）（６．６６ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ３６２．２６ [Ｍ−１５^＋]
実施例２５と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例２６（化合物（Ｉ−１ｃ−Ｂ６））〜実施例３９（化合物（Ｉ−１ｔ−ＢＢ））を製造した。

（実施例４０）化合物（Ｉ−１ｄ−Ｂ３）の製造

（化合物（Ｅ−６）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（５．０２ｇ）及びトルエン１００ｍｌを加え、３０分間加熱還流し、生じた水を除去した。この混合物を室温まで冷却した後、ＴＭＰ（３．８２ｇ）、ＤＭＦ３０ｍｌ及び化合物（Ｅ−５）（３．３３ｇ）を加え、４時間加熱還流し、生じた水を除去した。この反応混合物を室温まで冷却した後、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液および水を加えてｐＨ＝７〜８程度に調整して攪拌し、有機層を分けとり、水１００ｍｌで２回及び飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を濃縮し、化合物（Ｅ−６）（５．３５ｇ）を得た。
（化合物（Ｉ−１ｄ−Ｂ３）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−６）（５．３５ｇ）、化合物（Ｅ−７）（２．６６ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．１２ｇ、ジクロロメタン２５ｍｌを加え、５〜１０℃で１０分間攪拌した。攪拌下、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）６．２ｇを５〜１０℃を保ちながら滴下し、続いて２５度まで昇温し７時間攪拌した。この反応混合物に対して水２５ｍｌを加えた後、有機層を分離し、さらに水層をジクロロメタン２５ｍｌで抽出した。得られた有機層を混合して一つにした後、ＮＨ_２シリカ１０ｇを充填したカラム上に加え、さらにヘキサン１００ｍｌを流して通過させた。得られた溶液の溶媒をおおむね留去した後、ヘキサン／トルエンを用いて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過、乾燥することで化合物（Ｉ−１ｄ−Ｂ３）を４．９０ｇ得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ３７６．２４ [Ｍ−１５^＋]
実施例４０と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例４１（化合物（Ｉ−１ｄ−０Ｃ））〜実施例５４（化合物（Ｉ−１ｓ−ＢＢ））を製造した。

（実施例５５）化合物（Ｉ−１ｅ−Ｃ３）の製造

（化合物（Ｅ−９）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（５０．２ｇ）及びトルエン１０００ｍｌを加え、３０分間加熱還流し、生じた水を除去した。この混合物を室温まで冷却した後、ＴＭＰ（３８．２ｇ）、ＤＭＦ３００ｍｌ及び化合物（Ｅ−８）（２２．５ｇ）を加え、４時間加熱還流し、生じた水を除去した。この反応混合物を室温まで冷却した後、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１５００ｍｌを加えて攪拌し、有機層を分けとり、水１０００ｍｌで２回及び飽和食塩水１０００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を濃縮し、化合物（Ｅ−９）（２２．４ｇ）を得た。
（化合物（Ｉ−１ｅ−Ｃ３）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−９）（１１．２ｇ）、水素化ナトリウム１．２ｇおよびＤＭＦ１００ｍｌを加え、室温で２０分撹拌した後、化合物（Ｅ−１０）（１１．５ｇ）、を加えて９０℃で３時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、トルエン１００ｍｌ、水１００ｍｌを加え有機層を分離し、さらに水層をトルエン１００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせ、水１５０ｍｌ、飽和食塩水１５０ｍｌで洗浄し、得られた有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（ＮＨ_２シリカ２０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン５０ｍｌに溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン５０ｍｌで溶出させた。得られた溶液を濃縮し、ヘキサン１０ｍｌを加えて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過し、真空乾燥させ、化合物（Ｉ−１ｅ−Ｃ３）（１２．５８ｇ）を得た。

実施例５５と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例５６（化合物（Ｉ−１ｅ−Ｂ６））〜実施例６４（化合物（Ｉ−１ｏ−ＢＥＢＥＢ））を製造した。

（実施例６５）化合物（Ｉ−１ｆ−Ｃ３）の製造

（化合物（Ｉ−１ｆ−Ｃ３）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−９）（１１．２ｇ）、化合物（Ｅ−１１）（８．３２ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．３０ｇ、ジクロロメタン８０ｍｌを加え、５〜１０℃で１０分間攪拌した。攪拌下、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）８．０ｇを５〜１０℃を保ちながら滴下し、続いて２５度まで昇温し７時間攪拌した。この反応混合物に対して水２ｍｌを加えて攪拌した後、析出した固体を除去し、得られた溶液を濃縮した。得られた固体をヘキサン２０ｍｌに溶かし、ＮＨ_２シリカ２０ｇを充填したカラム上に加え、さらにヘキサン１００ｍｌを流して通過させた。得られた溶液の溶媒をおおむね留去した後、ヘキサン／トルエンを用いて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過、乾燥することで化合物（Ｉ−１ｆ−Ｂ３）を１６．０ｇ得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ３６６．２６ [Ｍ−１５^＋]
実施例６５と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例６６（化合物（Ｉ−１ｆ−Ｂ６））〜実施例７４（化合物（Ｉ−１ｐ−ＢＥＢＥＢ））を製造した。

（実施例７５）化合物（Ｉ−１ｇ−Ｃ３）の製造

（化合物（Ｅ−１４）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（５．０２ｇ）及びトルエン１００ｍｌを加え、３０分間加熱還流し、生じた水を除去した。この混合物を室温まで冷却した後、ＴＭＰ（３．８２ｇ）及び化合物（Ｅ−１３）（３．２８ｇ）を加え、４時間加熱還流し、生じた水を除去した。この反応混合物を室温まで冷却した後、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１５０ｍｌ攪拌し、有機層を分けとり、水１００ｍｌで２回及び飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を濃縮し、化合物（Ｅ−１４）（６．３１ｇ）を得た。

（化合物（Ｅ−１５）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下漏斗を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−１４）（６．３１ｇ）および乾燥トルエン５０ｍｌを加え、−７３℃に冷却した。この混合物中にＤＩＢＡＬ（１．５Ｍトルエン溶液）２７ｍｌを−６５℃以下を保ちながら滴下し、更にー７３℃で２時間攪拌した。この反応混合物に対し、−６５℃以下を保ちながら水／ＴＨＦ混合溶媒１０ｍｌを滴下した。この反応混合物を室温まで昇温させた後、１５％水酸化ナトリウム水溶液５ｍｌ、水１５ｍｌを加えて３時間攪拌した。得られた反応混合物をろ過して固体を除去し、得られた有機層から溶媒を留去し、化合物（Ｅ−１５）（５．３２ｇ）を得た。

（化合物（Ｅ−１７）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下漏斗を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−１６）（１２．２２ｇ）及びＴＨＦ２５ｍｌを加え、ここへｔ−ブトキシカリウム（２．８５ｇ）を１０℃以下で加えて攪拌した。この反応混合物中に、ＴＨＦ１５ｍｌに溶解させた化合物（Ｅ−１５）（５．３２ｇ）を１０℃以下を保ちながら滴下し、５℃で２時間攪拌した。この反応混合物へ水０．５ｍｌ、ヘキサン４０ｍｌを加えて室温で１時間攪拌した。得られた反応混合物をろ過して固体を除去し、得られた有機層に５％次亜塩素酸ナトリウム水溶液５ｍｌを加えて室温で１時間攪拌した。この反応混合物の有機層を分けとり、水／メタノール混合溶媒２０ｍｌ、飽和食塩水２０ｍｌで洗浄し、濃縮した。得られた混合物をカラム（ＮＨ_２シリカ、ヘキサン）を通過させ、得られた溶液を濃縮し、化合物（Ｅ−１７）（７．２２ｇ）を得た。

（化合物（Ｉ−１ｇ−Ｃ３）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−１７）（３．６１ｇ）、ベンゼンスルフィン酸ナトリウム・２水和物（０．５ｇ）及びトルエン２０ｍｌを加えて攪拌した。この混合物中に１０％塩酸１．１ｇを加え、３時間加熱還流した。この反応混合物を室温まで冷却し、水５ｍｌを加えた。有機層を分けとり、10%炭酸水素ナトリウム水溶液５ｍｌ、10%食塩水５ｍｌで洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥し、有機層を濃縮した。得られた混合物をカラム（ＮＨ_２シリカ、ヘキサン）を通過させた。得られた溶液を濃縮し、ヘキサン１０ｍｌを加えて−２０℃で再結晶を行い、化合物（Ｉ−１ｇ−Ｃ３）（２．５０ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ３４８．２８ [Ｍ−１５^＋]
実施例７５と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例７６（化合物（Ｉ−１ｇ−Ｂ６））〜実施例８２（化合物（Ｉ−１ｑ−ＢＥＢＥＢ））を製造した。

（実施例８３）化合物（Ｉ−１ｈ−Ｃ３）の製造

（化合物（Ｉ−１ｈ−Ｃ３）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた耐圧反応容器に、化合物（Ｅ−１７）（３．６１ｇ）、５％パラジウム炭素（５０％含水品）（０．１８ｇ）及びＴＨＦ１５ｍｌを加え、容器内に水素（０．５ＭＰａ）を加圧充填して室温で５時間攪拌した。この反応混合物をろ過し、さらに除去された固体をＴＨＦ１００ｍｌで洗浄した。得られた溶液を濃縮し、カラム（ＮＨ_２シリカ、ヘキサン）を通過させた後に濃縮し、ヘキサン１０ｍｌを加えて−２０℃で再結晶を行い、化合物（Ｉ−１ｈ−Ｃ３）（３．４４ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ３５０．３０ [Ｍ−１５^＋]
実施例８３と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例８４（化合物（Ｉ−１ｈ−Ｂ６））〜実施例９０（化合物（Ｉ−１ｒ−ＢＥＢＥＢ））を製造した。

上記、実施例１〜９０で得られた化合物のいずれかを含有する液晶組成物について、測定した特性は以下の通りである。

ＶＨＲ：周波数６０Ｈｚ，印加電圧１Ｖの条件下で３３３Ｋにおける電圧保持率（％）を３段階評価した。

Ａ：９８〜１００％
Ｂ：９５〜９８％
Ｃ：９５％以下
耐光ＶＨＲ：液晶組成物に対して、厚さ０．５ｍｍのガラスを介して超高圧水銀ランプを用いて紫外線を１８０Ｊ／ｍ^２照射する。紫外線照射後の液晶の電圧保持率を上述のＶＨＲ測定と同様の方法で測定する。但し、照射強度は３６６ｎｍで０．１Ｗ／ｍ^２とした。評価は以下の３段階で行った。

Ａ：９０〜１００％
Ｂ：７５〜９０％
Ｃ：７５％以下
相溶性：液晶組成物に、実施例１〜９０で得られた化合物のいずれかを５００ｐｐｍ添加した際の溶解の様子を目視で３段階評価した。

Ａ：すべて溶解する
Ｂ：わずかに溶解せず分離している
Ｃ：一部溶解せず分離している
保存安定性：液晶組成物を−２０℃で１週間保存し、析出物の有無を目視で３段階評価した。

Ａ：析出物なし
Ｂ：わずかに白濁が見られる
Ｃ：析出物が明らかに確認できる
（実施例９１）液晶組成物の調製−１
以下の組成からなるホスト液晶組成物（Ｈ）を調製した。

この母体液晶（Ｈ）に対し、実施例１で得られた化合物（Ｉ−１ａ−５）を５００ｐｐｍ添加した。
実施例中の組成例を、測定した特性は以下の通りである。

ＶＨＲ：Ａ
耐光ＶＨＲ：Ａ
相溶性：Ａ
保存安定性：Ａ
以下、実施例９１と同様にして、実施例２〜実施例９０で製造した化合物を用いて、実施例９２〜実施例１８０の測定を行った結果を以下に示す。

（実施例１８１）化合物（Ｉ−１ｕ−Ｂ３）の製造

（化合物（Ｉ−１ｕ−Ｂ３）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−２）（１１．４ｇ）、化合物（Ｅ−１８）（８．２ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．３０ｇ、ジクロロメタン８０ｍｌを加え、５〜１０℃で１０分間攪拌した。攪拌下、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）７．９ｇを５〜１０℃を保ちながら滴下し、続いて２５度まで昇温し７時間攪拌した。この反応混合物に対して水２ｍｌを加えて攪拌した後、析出した固体を除去し、得られた溶液を濃縮した。得られた固体をヘキサン２０ｍｌに溶かし、ＮＨ_２シリカ２０ｇを充填したカラム上に加え、さらにヘキサン１００ｍｌを流して通過させた。得られた溶液の溶媒をおおむね留去した後、ヘキサン／トルエンを用いて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過、乾燥することで化合物（Ｉ−１ｕ−Ｂ３）を１３．６ｇ得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ３８９．２６ [Ｍ−１５^＋]
実施例１８１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例１８２（化合物（Ｉ−１ｕ−Ｂ６））〜実施例１８７（化合物（Ｉ−１ｕ−Ｔ３））を製造した。

（実施例１８８）化合物（Ｉ−１ｖ−８）の製造

（化合物（Ｉ−１ｖ−８）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、滴下ろうと（モレキュラーシーブ４Ａペレット３．５ｇを中に詰めてある）、冷却管、オイルバス、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−２）（２．２２ｇ）、化合物（Ｅ−１９）（１．０ｇ）、酸化ジブチルすず（０．１１ｇ）、キシレン１５ｍｌを加え、５時間加熱還流しながら攪拌した。この反応混合物を室温まで冷却し、ヘキサン１５ｍｌを加えた。この反応混合物を、ＮＨ_２シリカ６ｇを充填したカラム上に加え、さらにヘキサン／トルエン（体積比１：１、１００ｍｌ）を流して通過させた。得られた溶液の溶媒を留去した後、ヘキサン／酢酸エチルを用いて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過、乾燥することで化合物（Ｉ−１ｖ−８）を１．６８ｇ得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ６３７．４７ [Ｍ−１５^＋]
相転移：Ｃｒｙ７６Ｉｓｏ
（実施例１８９）化合物（Ｉ−１ｖ−Ｂ）の製造

（化合物（Ｉ−１ｖ−Ｂ）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、滴下ろうと（モレキュラーシーブ４Ａペレット１０ｇを中に詰めてある）、冷却管、オイルバス、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−２）（８．２９ｇ）、化合物（Ｅ−２０）（３．１５ｇ）、酸化ジブチルすず（０．４０ｇ）、キシレン３５ｍｌを加え、５時間加熱還流しながら攪拌した。この反応混合物を室温まで冷却し、ヘキサン４０ｍｌを加えた。この反応混合物を、ＮＨ_２シリカ６ｇを充填したカラム上に加え、さらにヘキサン／トルエン（体積比１：１、２００ｍｌ）を流して通過させた。得られた溶液の溶媒を留去した後、ＴＨＦを用いて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過、乾燥することで化合物（Ｉ−１ｖ−Ｂ）を６．３ｇ得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ６０１．３７ [Ｍ−１５^＋]
相転移：Ｃｒｙ１７０．４Ｉｓｏ
（実施例１９０）化合物（Ｉ−１ｖ−ＭＢ）の製造

（化合物（Ｅ−２２）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、ディーンスターク管を備えた反応容器に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（６４．４ｇ）及びトルエン８００ｍｌを加え、２０分間加熱還流し、生じた水を除去した。この混合物を室温まで冷却した後、ＴＭＰ（５１．０ｇ）、ＤＭＦ３０ｍｌ及び化合物（Ｅ−２１）（３８．８ｇ）を加え、４時間加熱還流し、生じた水を除去した。この反応混合物を室温まで冷却した後、１．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液４００ｍｌを加えて攪拌し、有機層を分けとり、水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を濃縮し、得られた固体を再結晶（トルエン）することで、化合物（Ｅ−２２）（６０．８ｇ）を得た。

（化合物（Ｉ−１ｖ−ＭＢ）の製造）窒素雰囲気下、撹拌装置、滴下ろうと（モレキュラーシーブ４Ａペレット４０ｇを中に詰めてある）、冷却管、オイルバス、温度計を備えた反応容器に、化合物（Ｅ−２２）（３４．３ｇ）、化合物（Ｅ−２０）（１２．２４ｇ）、酸化ジブチルすず（１．５３ｇ）、キシレン１８０ｍｌを加え、５時間加熱還流しながら攪拌した。この反応混合物を室温まで冷却し、トルエン１５０ｍｌを加えた。この反応混合物を、ＮＨ_２シリカ８０ｇを充填したカラム上に加え、さらにトルエン１５０ｍｌを流して通過させた。得られた溶液の溶媒を留去した後、ヘキサンとＴＨＦの混合溶媒（１：１、８０ｍｌ）を用いて−２０℃で再結晶を行った。析出した固体をろ過、乾燥することで化合物（Ｉ−１ｖ−ＭＢ）を２９．５ｇ得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ６２９．４０ [Ｍ−１５^＋]
相転移：Ｃｒｙ１４８Ｉｓｏ
¹H-NMR (400MHz, CDCl₃)δ: 0.96(s,6H), 1.20(s,12H), 1.23(S, 12H), 1.63(s,4H), 1.82(s,4H), 3.75(s,8H), 4.47(s,4H), 8.11(s,4H)
実施例１９０と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例１９１（化合物（Ｉ−１ｖ−ＥｔＢ））〜実施例１９７（化合物（Ｉ−１ｖ−ＥｔＢＦ））を製造した。

上記実施例１８１〜１９７で製造した化合物を用いて、実施例９１と同様にして実施例１９８〜２１４の液晶組成物を調製し、測定を行った結果を以下に示す。

（比較例１）
比較例として、母体液晶（Ｈ）に対し、特にさらなる化合物を添加することなく特性を測定した結果は以下の通りである。

ＶＨＲ：Ａ
耐光ＶＨＲ：Ｃ
保存安定性：Ａ
この結果から、本願発明の化合物は、液晶組成物の保存安定性を損なうことなく、液晶組成物の光による劣化を防止する効果があることが分かる。
（比較例２）
母体液晶（Ｈ）に対し、化合物（Ｒ−１）を５００ｐｐｍ添加し、測定を測定した結果は以下の通りである。

ＶＨＲ：Ａ
耐光ＶＨＲ：Ａ
相溶性：Ｂ
保存安定性：Ｃ
（比較例３，４）
以下、比較例２と同様にして、比較例３，４の測定を行った結果を以下に示す。

この結果から、本願発明の化合物は、液晶組成物の保存安定性を損なうことなく、液晶組成物との相溶性が高く、液晶組成物の光による劣化を防止する効果があることが分かる。

Claims

一般式（Ｉ−１）

（式中、Ｒ^ａ０１は水素原子を表し、
Ｒ^ａ７１は水素原子を表し、
Ｓｐ^ａ１１は単結合又は炭素原子数１から１２のアルキレン基を表すが、アルキレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良く、
Ｓｐ^ａ２１は単結合又は炭素原子数１から１２のアルキレン基を表すが、アルキレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良く、
Ａ^ａ１１及びＡ^ａ２１はそれぞれ独立に
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基又は１，３−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はメトキシ基で置換されていても良く、分子内にＳｐ^ａ１、Ｓｐ^ａ２、Ａ^ａ１及びＡ^ａ２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ１は１を表し、
ｐ１及びｑ１はそれぞれ独立に０、１又は２を表すが、ｐ１＋ｑ１が１又は２を表す場合、ｐ１は１又は２を表し、
Ｒ^ａ９１は水素原子または炭素原子数１から１２のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良く、あるいはＲ^ａ９１は一般式（Ｉ−ｄ１）

（式中、Ｒ^ｄ０１は水素原子又は水酸基を表し、Ｓｐ^ａ３１は一般式（Ｉ−１）におけるＳｐ^ａ１１又はＳｐ^ａ２１と同じ意味を表し、Ｒ^ａ１０１は水素原子を表し、ｓ１は１を表す。）
を表すが、ただし、ｐ１及びｑ１が共に０を表す場合、Ｒ^ａ９１は炭素原子数１から１２のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良い。）
で表される化合物。
一般式（Ｉ−１）中のＳｐ^ａ１１は単結合又は炭素原子数１から６のアルキレン基を表し、アルキレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、
Ｓｐ^ａ２１は単結合又は炭素原子数１から６のアルキレン基を表し、アルキレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよい、請求項１に記載の化合物。
一般式（Ｉ−１）が、以下の一般式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｒ）

（式中、Ｒ^ａ０２及びＲ^ａ０３は、前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ０１と同じ意味を表し、Ｒ^ａ７２およびＲ^ａ１０２は、前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ７１と同じ意味を表し、Ｒ^ａ９２は前記一般式（Ｉ−１）におけるＲ^ａ９１と同じ意味を表し、Ｓｐ^ａ１２，Ｓｐ^ａ１３及びＳｐ^ａ１４は前記一般式（Ｉ−１）におけるＳｐ^ａ１１又はＳｐ^ａ２１と同じ意味を表し、Ａ^ａ１２及びＡ^ａ１３は前記一般式（Ｉ−１）におけるＡ^ａ１１又はＡ^ａ２１と同じ意味を表す。）
である、請求項１又は２に記載の化合物。
請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物を一種又は二種以上含有する組成物。