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JP6252023B2 - Light emitting device - Google Patents

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JP6252023B2 JP2013162407A JP2013162407A JP6252023B2 JP 6252023 B2 JP6252023 B2 JP 6252023B2 JP 2013162407 A JP2013162407 A JP 2013162407A JP 2013162407 A JP2013162407 A JP 2013162407A JP 6252023 B2 JP6252023 B2 JP 6252023B2
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Description

本発明は、液晶ディスプレイのバックライト、パネルメーター、表示灯や面発光スイッチなどに用いられる発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device used for a backlight of a liquid crystal display, a panel meter, an indicator lamp, a surface emitting switch, and the like.

特許文献1には、半導体素子と、該半導体素子を収納する凹部を有し、前記半導体素子と接続するリード電極を有する支持体とを備えた半導体装置であって、前記支持体の主面は、前記凹部の側から少なくとも第一の主面と、第二の主面とを有することを特徴とする半導体装置が記載されている。特許文献1には、半導体装置の例として発光装置が記載されている。さらに、特許文献1には、LEDチップの各電極上にAuバンプを形成し、超音波接合にてパッケージ凹部底面から露出された各リード電極とそれぞれ対向させて電気的導通を取るフリップチップ実装を行うことにより、発光装置を形成することが記載されている。   Patent Document 1 discloses a semiconductor device including a semiconductor element and a support body having a recess for housing the semiconductor element and having a lead electrode connected to the semiconductor element, wherein the main surface of the support body is A semiconductor device having at least a first main surface and a second main surface from the recess side is described. Patent Document 1 describes a light emitting device as an example of a semiconductor device. Further, Patent Document 1 discloses flip chip mounting in which Au bumps are formed on each electrode of an LED chip and are electrically connected to each lead electrode exposed from the bottom of the package recess by ultrasonic bonding. It is described that a light emitting device is formed by performing.

特開2004−363537号公報JP 2004-363537 A

しかし、このような発光装置を製造すると、少なくない頻度で発光素子4とリード電極5との接合不良が発生し、発光装置が発光しないという問題が生じる場合がある。   However, when such a light-emitting device is manufactured, there is a problem that a bonding failure between the light-emitting element 4 and the lead electrode 5 occurs frequently and the light-emitting device does not emit light.

そこで、本発明は、発光素子とリード電極とへの接合不良が低減される発光装置を提供することを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a light emitting device in which defective bonding between the light emitting element and the lead electrode is reduced.

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。   In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.

本発明は、発光素子と、前記発光素子が収納される凹部を正面に有する成形体と、前記成形体に埋設されるとともに、一部が前記凹部の底面に露出され、一部が前記成形体の下面側に配置される第1および第2のリード電極とを有するパッケージと、を備えた発光装置であって、前記発光素子は、前記凹部の底面に露出した前記第1および第2のリード電極の実装部に実装され、前記第1および第2のリード電極は、前記凹部の底面において前記成形体の上下方向に並んで設けられ、前記実装部をはさむ前記成形体の凹部側面方向の両側において、前記成形体に埋設されていることを特徴とする発光装置である。   The present invention includes a light emitting element, a molded body having a concave portion in which the light emitting element is accommodated on the front surface, embedded in the molded body, partly exposed at the bottom surface of the concave part, and partly the molded body. And a package having first and second lead electrodes disposed on the lower surface side of the first and second leads, wherein the light emitting element is exposed to the bottom surface of the recess. The first and second lead electrodes are mounted on the electrode mounting portion, and are provided side by side in the vertical direction of the molded body on the bottom surface of the concave portion, and both sides of the molded body in the lateral direction of the concave portion sandwiching the mounting portion. The light-emitting device is embedded in the molded body.

以上の構成によれば、発光素子がフリップチップ実装されている側面発光型発光装置において、発光素子への電気的導通が失われるという問題を解決することができる。   According to the above configuration, in the side light emitting type light emitting device in which the light emitting element is flip-chip mounted, the problem that the electrical continuity to the light emitting element is lost can be solved.

本発明により、発光素子がフリップチップ実装されている側面発光型発光装置において、発光素子への電気的導通が失われることを抑制することのできる発光装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a light-emitting device that can suppress loss of electrical conduction to a light-emitting element in a side-emitting light-emitting device in which the light-emitting element is flip-chip mounted.

本発明に係る発光装置の一実施例を示す模式的な正面図(a)、および正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図(b)である。1A is a schematic front view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of a portion indicated by A-A ′ in the front view. 図1に示す本発明に係る発光装置に用いるパッケージの模式的な正面図(a)、および正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図(b)である。FIG. 2 is a schematic front view (a) of a package used in the light emitting device according to the present invention shown in FIG. 1 and a schematic cross-sectional view (b) of a portion indicated by A-A ′ in the front view (a). 図2に示すパッケージに用いる成形体の模式的な正面図(a)、ならびに正面図(a)にA−A’およびB−B’として示す部分の模式的な断面図(b)および(c)である。FIG. 2 is a schematic front view (a) of a molded body used in the package shown in FIG. 2, and schematic cross-sectional views (b) and (c) of portions indicated as AA ′ and BB ′ in the front view (a). ). 図1に示す本発明に係る発光装置に用いるリード電極の模式図であって、第1および第2のリード電極の形状を示す模式図(a)、第1および第2のリード電極の寸法を説明するための模式図(b)および(c)である。It is a schematic diagram of the lead electrode used for the light-emitting device according to the present invention shown in FIG. 1, and is a schematic diagram (a) showing the shape of the first and second lead electrodes, and the dimensions of the first and second lead electrodes. It is the schematic diagram (b) and (c) for demonstrating. 本発明に係る発光装置の別の実施例を示す模式的な正面図(a)、および正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図(b)である。It is typical front view (a) which shows another Example of the light-emitting device based on this invention, and typical sectional drawing (b) of the part shown as A-A 'in front view (a). 図5に示す本発明に係る発光装置に用いるパッケージの模式的な正面図(a)、および正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図(b)である。FIG. 6 is a schematic front view (a) of a package used in the light emitting device according to the present invention shown in FIG. 5 and a schematic cross-sectional view (b) of a portion indicated as A-A ′ in the front view (a). 本発明に係る発光装置のさらに別の実施例を示す模式的な正面図(a)、および正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図(b)である。FIG. 6 is a schematic front view (a) showing still another embodiment of the light emitting device according to the present invention, and a schematic cross-sectional view (b) of a portion indicated by A-A ′ in the front view (a). 図7に示す本発明に係る発光装置に用いるパッケージの模式的な正面図(a)、および正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図(b)である。FIG. 8 is a schematic front view (a) of a package used in the light emitting device according to the present invention shown in FIG. 7 and a schematic cross-sectional view (b) of a portion indicated by A-A ′ in the front view (a). 本発明の発光装置に用いることのできる発光素子を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows the light emitting element which can be used for the light-emitting device of this invention. 本発明の発光装置に用いることのできる発光素子を示す模式的な断面図であって、図9にA−A’として示す部分の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the light emitting element which can be used for the light-emitting device of this invention, Comprising: It is typical sectional drawing of the part shown as A-A 'in FIG. 本発明に係る発光装置を用いた光源の一実施例を示す模式的な斜視図である。It is a typical perspective view which shows one Example of the light source using the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置を用いた光源の一実施例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows one Example of the light source using the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の一例の斜視模式図である。It is a perspective schematic diagram of an example of the light-emitting device which concerns on this invention.

従来の側面発光型発光装置は、少なくない頻度で発光素子が点灯しないという問題が生じる場合がある。本発明者らが、その問題の原因を調査したところ、2箇所ある発光素子とリード電極との接合部のうち、少なくとも一箇所が接合していないことを見出した。さらに、本発明者らは、その理由を検討したところ、発光素子をパッケージに実装するための加熱の際に、パッケージを構成する成形体の材料とリード電極の材料との熱膨張率に差があるために、成形体とリード電極とでは異なった熱膨張を生じることによるものであるとの推測に至った。すなわち、成形体が加熱されるときに、成形体およびリード電極の熱膨張係数、特に線熱膨張係数が異なるため、リード電極に対して成形体から機械的な力が加わり、リード電極が変形することにより、リード電極と発光素子が接触せず、接合できない、もしくは接合した後にリード電極と発光素子との接合部あるいは発光素子が破壊されると推測される。   In the conventional side light emitting type light emitting device, there is a case where the light emitting element does not light up frequently. When the present inventors investigated the cause of the problem, they found that at least one of the joint portions between the two light emitting elements and the lead electrode was not joined. Furthermore, the present inventors examined the reason, and when heating for mounting the light emitting element on the package, there was a difference in the coefficient of thermal expansion between the material of the molded body constituting the package and the material of the lead electrode. For this reason, it has been speculated that this is due to different thermal expansion between the molded body and the lead electrode. That is, when the molded body is heated, the molded body and the lead electrode have different thermal expansion coefficients, in particular, the linear thermal expansion coefficient. Therefore, mechanical force is applied to the lead electrode from the molded body, and the lead electrode is deformed. Accordingly, it is presumed that the lead electrode and the light emitting element do not contact and cannot be joined, or the joined portion of the lead electrode and the light emitting element or the light emitting element is destroyed after the joining.

そこで、本発明者らは、上述の問題の発生理由および推測に基づき解決方法を検討した。その結果、図2に示すようなパッケージ1に発光素子4を実装することで、リード電極2と、発光素子4との間の接合不良を低減できることを見出した。具体的には、本発明の発光装置80の第1および第2のリード電極2a、2bが、実装部52a、52bをはさむ成形体40の凹部側面方向の両側(第1および第2の凹部側面41、42)において、成形体40に埋設されているという構造を有することにより、第1および第2のリード電極2a、2bに対する成形体40による支持部が増加する。そのため、パッケージ1が温度変化により変形する際の、第1および第2のリード電極2a、2bの変形を抑制することができる。また、第1および第2のリード電極2a、2bが所定の形状を有することにより、第1および第2のリード電極2a、2bに多少の変形が生じる場合であっても、リード電極2と、発光素子4との間の接触を確保することができる。   Therefore, the present inventors examined a solution method based on the reason for the occurrence of the above-described problem and the estimation. As a result, it has been found that the bonding failure between the lead electrode 2 and the light emitting element 4 can be reduced by mounting the light emitting element 4 on the package 1 as shown in FIG. Specifically, the first and second lead electrodes 2a and 2b of the light emitting device 80 of the present invention are disposed on both sides (first and second concave side surfaces) of the molded body 40 sandwiching the mounting portions 52a and 52b. 41, 42), the support portion of the molded body 40 for the first and second lead electrodes 2a, 2b is increased by having the structure of being embedded in the molded body 40. Therefore, deformation of the first and second lead electrodes 2a and 2b when the package 1 is deformed due to temperature change can be suppressed. Even if the first and second lead electrodes 2a and 2b have a predetermined shape, the first and second lead electrodes 2a and 2b are slightly deformed. Contact with the light emitting element 4 can be ensured.

本発明の発光装置80は、発光装置80の実装面に略平行な方向に光を照射可能な側面発光型発光装置に対して、好適に用いることができる。この側面発光型発光装置の場合には、液晶ディスプレイのバックライト等の用途のため、薄い発光装置80が望まれる。そのため、これらの用途の発光装置80では、発光面の形状の短辺をなるべく短くすることが必要である。本発明の発光装置80の第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bが、それぞれ長辺を有し、互いに略平行に配置される構造であることができる。そのため、発光素子4がフリップチップ実装されている本発明の発光装置80は、発光装置80の実装面に略平行な方向に光を照射可能な側面発光型発光装置として、好適に用いることができる。   The light-emitting device 80 of the present invention can be suitably used for a side-emitting light-emitting device that can emit light in a direction substantially parallel to the mounting surface of the light-emitting device 80. In the case of this side-emitting type light emitting device, a thin light emitting device 80 is desired for uses such as a backlight of a liquid crystal display. Therefore, in the light emitting device 80 for these uses, it is necessary to make the short side of the shape of the light emitting surface as short as possible. The mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b of the light emitting device 80 of the present invention may have a structure in which each has a long side and is arranged substantially parallel to each other. Therefore, the light emitting device 80 of the present invention in which the light emitting element 4 is flip-chip mounted can be suitably used as a side light emitting type light emitting device capable of irradiating light in a direction substantially parallel to the mounting surface of the light emitting device 80. .

以下、図面を参照して、本発明の発光装置80を説明する。   Hereinafter, the light emitting device 80 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1に、本発明の発光装置80の一例の模式図を示す。図1(a)は模式的な正面図であり、図1(b)は、正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図である。図1に示すように、本発明の発光装置80は、発光素子4およびパッケージ1を備える。本明細書において、発光装置80の外表面のうち、発光素子4からの光が取り出される発光面84側の面のことを、発光装置80の「主面82」という。すなわち、図1(a)の正面図として図示されている面が、発光装置80の「主面82」である。本発明において、発光装置80の主面82に形成される発光面84の形状は、図1に示されるような六角形状に限定されるものではなく、例えば楕円形状等とすることもできる。なお、図1においては図示していないが、発光装置80は、図13に示すように、パッケージの凹部内には封止部材を備える。以下の図においても同様である。   In FIG. 1, the schematic diagram of an example of the light-emitting device 80 of this invention is shown. FIG. 1A is a schematic front view, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of a portion indicated by A-A ′ in the front view (a). As shown in FIG. 1, a light emitting device 80 of the present invention includes a light emitting element 4 and a package 1. In the present specification, a surface on the light emitting surface 84 side from which light from the light emitting element 4 is extracted out of the outer surface of the light emitting device 80 is referred to as a “main surface 82” of the light emitting device 80. That is, the surface illustrated as the front view of FIG. 1A is the “main surface 82” of the light emitting device 80. In the present invention, the shape of the light emitting surface 84 formed on the main surface 82 of the light emitting device 80 is not limited to the hexagonal shape as shown in FIG. Although not shown in FIG. 1, the light emitting device 80 includes a sealing member in the recess of the package as shown in FIG. The same applies to the following drawings.

図2に、本発明の発光装置80に用いられるパッケージ1の一例の模式図を示す。図2(a)は模式的な正面図であり、図2(b)は、正面図(a)にA−A’として示す部分の模式的な断面図である。パッケージ1は、発光素子4が収納される凹部43を正面に有する成形体40と、成形体40に埋設されるとともに、一部が凹部の底面(以後、凹部底面44と呼ぶ)に露出され、一部が成形体40から露出され成形体40の下面側に配置される第1および第2のリード電極2a、2bとを有する。発光素子4は、凹部底面44に露出した第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52に実装される。   In FIG. 2, the schematic diagram of an example of the package 1 used for the light-emitting device 80 of this invention is shown. FIG. 2A is a schematic front view, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of a portion indicated by A-A ′ in the front view (a). The package 1 has a concave portion 43 on the front side in which the light emitting element 4 is housed, and is embedded in the molded body 40, and a part thereof is exposed to the bottom surface of the concave portion (hereinafter referred to as the concave portion bottom surface 44). The first and second lead electrodes 2a and 2b are partially exposed from the molded body 40 and disposed on the lower surface side of the molded body 40. The light emitting element 4 is mounted on the mounting portion 52 of the first and second lead electrodes 2a and 2b exposed at the bottom surface 44 of the recess.

パッケージ1は、成形体40を有する。図3に示すように、成形体40は、発光素子4を収納することが可能な凹部43を正面に有する。本明細書においてパッケージ1の「正面」とは、発光装置80の「主面82」に対応する面のことをいう。具体的には、図2(a)に示すように見える向きを「正面」とするものである。本明細書においてパッケージ1の「正面」とは、本発明の発光装置80の他の部品等との相対的な配置関係を示すための用語である。   The package 1 has a molded body 40. As shown in FIG. 3, the molded body 40 has a concave portion 43 that can accommodate the light emitting element 4 on the front surface. In this specification, the “front surface” of the package 1 refers to a surface corresponding to the “main surface 82” of the light emitting device 80. Specifically, the direction that appears as shown in FIG. In the present specification, the “front” of the package 1 is a term for indicating a relative arrangement relationship with other components of the light emitting device 80 of the present invention.

また、本明細書において、成形体40の「凹部底面44」とは、図3(a)に正面図として示す成形体40の凹部43の一番奥の略平坦な部分をいう。本明細書において「成形体40の凹部底面44」とは、本発明の発光装置80の他の部品等との相対的な配置関係を示すための用語である。   Further, in this specification, the “concave bottom surface 44” of the molded body 40 refers to a substantially flat part at the back of the concave portion 43 of the molded body 40 shown as a front view in FIG. In this specification, “the concave bottom surface 44 of the molded body 40” is a term for indicating a relative positional relationship with other components of the light emitting device 80 of the present invention.

図2に示すように、本発明の発光装置80のパッケージ1は、第1および第2のリード電極2a、2bの一端部が成形体40に埋設されるように形成される。なお、第1および第2のリード電極2a、2bのうち、一方は正のリード電極2であり、他方は負のリード電極2である。   As shown in FIG. 2, the package 1 of the light emitting device 80 of the present invention is formed such that one end portions of the first and second lead electrodes 2 a and 2 b are embedded in the molded body 40. One of the first and second lead electrodes 2 a and 2 b is a positive lead electrode 2, and the other is a negative lead electrode 2.

図2に示すように、第1および第2のリード電極2a、2bは、パッケージ1の凹部底面44において成形体40の上下方向に並んで設けられる。本発明の発光装置80において、第1および第2のリード電極2a、2bは、実装部52a、52bをはさむ成形体40の凹部側面方向の両側、本実施形態においては第1および第2の凹部側面41、42において、成形体40に埋設されていることを特徴とする。本明細書において、第1および第2のリード電極2a、2bの「実装部52a、52b」とは、第1および第2のリード電極2a、2bのうち、成形体40の凹部底面44に露出している、発光素子4を実装するための部分である。第1および第2のリード電極2a、2bの間は離間し、その間には成形体が充填されている。図4(a)に示すように、第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52のそれぞれを、符号52aおよび52bで示す。後述するインナーリード部50、接続部51、電極端部53およびアウターリード部60についても同様に、第1および第2のリード電極2a、2bのそれぞれに対応するものを、符号50a、50b等で示す。なお、図1および図2では、アウターリード部60は、底面から突出して折り曲げられずに延伸しているが、図13に示すように、発光装置80のアウターリード部60は、パッケージ1の下面に沿って、主面82に対向する裏面側に向かって折り曲げられて側面発光型の発光装置80とされる。以下の図面においても同様である。   As shown in FIG. 2, the first and second lead electrodes 2 a and 2 b are provided side by side in the vertical direction of the molded body 40 on the bottom surface 44 of the recess of the package 1. In the light emitting device 80 of the present invention, the first and second lead electrodes 2a and 2b are provided on both sides in the side surface direction of the concave portion of the molded body 40 sandwiching the mounting portions 52a and 52b, in the present embodiment, the first and second concave portions. The side surfaces 41 and 42 are embedded in the molded body 40. In this specification, the “mounting portions 52a, 52b” of the first and second lead electrodes 2a, 2b are exposed to the bottom surface 44 of the recess 40 of the molded body 40 of the first and second lead electrodes 2a, 2b. This is a portion for mounting the light emitting element 4. The first and second lead electrodes 2a and 2b are separated from each other, and a molded body is filled therebetween. As shown in FIG. 4A, the mounting portions 52 of the first and second lead electrodes 2a and 2b are denoted by reference numerals 52a and 52b, respectively. Similarly, the inner lead portion 50, the connecting portion 51, the electrode end portion 53, and the outer lead portion 60 described later correspond to the first and second lead electrodes 2a and 2b, respectively, with reference numerals 50a and 50b. Show. 1 and 2, the outer lead portion 60 protrudes from the bottom surface and extends without being bent. However, as shown in FIG. 13, the outer lead portion 60 of the light emitting device 80 is formed on the lower surface of the package 1. A side-emitting light emitting device 80 is formed by being bent toward the back side opposite to the main surface 82. The same applies to the following drawings.

本発明の発光装置80において、第1および第2のリード電極2a、2bは、凹部底面44において成形体40の上下方向に並んで設けられ、実装部52a、52bをはさむ成形体40の凹部側面方向の両側(第1および第2の凹部側面41、42)において、成形体40に埋設されている。第1および第2のリード電極2a、2bが、実装部52a、52bをはさむ成形体40の凹部側面方向の両側(第1および第2の凹部側面41、42)において、成形体40に埋設されていることにより、発光素子4を実装するための加熱等の際のリード電極2の変形を抑制することができる。その結果、リード電極2と、発光素子4との間の接合不良を抑制することができる。   In the light emitting device 80 of the present invention, the first and second lead electrodes 2a, 2b are provided side by side in the vertical direction of the molded body 40 on the concave bottom surface 44, and the side surface of the molded body 40 sandwiching the mounting portions 52a, 52b. It is embedded in the molded body 40 on both sides in the direction (first and second recess side surfaces 41, 42). The first and second lead electrodes 2a, 2b are embedded in the molded body 40 on both sides of the molded body 40 sandwiching the mounting portions 52a, 52b in the concave side surface direction (first and second concave side surfaces 41, 42). As a result, deformation of the lead electrode 2 during heating or the like for mounting the light emitting element 4 can be suppressed. As a result, poor bonding between the lead electrode 2 and the light emitting element 4 can be suppressed.

本明細書において「成形体40の上下方向」とは、図2(a)に示す成形体40の正面模式図において、上側および下側を向く方向のことをいう。なお、本明細書において「成形体40の上下方向」とは、本発明の発光装置80が実装された際の上下方向に対応するとともに、他の部品等との相対的な配置関係を示すための用語である。図2(a)に示す例では、第1のリード電極2aが上側、第2のリード電極2bが下側になるように並んで配置されている。   In the present specification, the “vertical direction of the molded body 40” refers to a direction facing the upper side and the lower side in the schematic front view of the molded body 40 shown in FIG. In the present specification, the “vertical direction of the molded body 40” corresponds to the vertical direction when the light emitting device 80 of the present invention is mounted, and indicates a relative positional relationship with other components and the like. Is the term. In the example shown in FIG. 2A, the first lead electrode 2a is arranged side by side so that the first lead electrode 2a is on the upper side and the second lead electrode 2b is on the lower side.

本明細書において「成形体40の凹部側面方向」とは、成形体40の凹部43を形成する凹部側面(第1および第2の凹部側面41、42)のうち、図2(a)に示す右方向の側面(第1の凹部側面41)から左方向の側面(第2の凹部側面42)へと向かう方向(またはその逆の方向)のことである。すなわち、「成形体40の凹部側面方向」とは、図2(a)において、水平方向のことである。なお、本明細書において「成形体40の凹部側面方向」とは、本発明の発光装置80の他の部品等との相対的な配置関係を示すための用語である。   In this specification, “the concave side surface direction of the molded body 40” is shown in FIG. 2A among the concave side surfaces (first and second concave side surfaces 41, 42) that form the concave portion 43 of the molded body 40. This is the direction from the right side surface (first concave side surface 41) to the left side surface (second concave side surface 42) (or the opposite direction). That is, “the concave side surface direction of the molded body 40” refers to the horizontal direction in FIG. In the present specification, “the direction of the concave portion side surface of the molded body 40” is a term for indicating a relative positional relationship with other components of the light emitting device 80 of the present invention.

本発明の発光装置80において、発光素子4は、パッケージ1の凹部底面44に露出した第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bに実装される。本発明の発光装置80では、発光素子4が、フリップチップ実装されていることが好ましい。フリップチップ方式にて発光素子4を実装することにより、ワイヤを用いずに実装することができるため、凹部を浅くすることができ、高い出力の発光装置とすることができる。   In the light emitting device 80 of the present invention, the light emitting element 4 is mounted on the mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b exposed on the bottom surface 44 of the recess of the package 1. In the light emitting device 80 of the present invention, the light emitting element 4 is preferably flip-chip mounted. By mounting the light emitting element 4 by the flip chip method, mounting can be performed without using a wire, so that the concave portion can be shallowed, and a high output light emitting device can be obtained.

第1および第2のリード電極2a、2bの一部(アウターリード部60a、60b)は、成形体40から露出され成形体40の下面側に配置される。このアウターリード部60a、60bは、例えば配線を備えるプリント基板等にはんだなどを用いて接合され、外部の電源から電力の供給を受けるためのものである。本明細書において「成形体40の下面側」とは、図3(a)に示す成形体40の正面模式図において、下側の方向の表面のことをいう。図2(a)に示すように、第1および第2のリード電極2a、2bの一部は、図2(a)の下側の方向に成形体40から露出されている。なお、本明細書において「成形体40の下面側」とは、本発明の発光装置80の他の部品等との相対的な配置関係を示すための用語である。   Part of the first and second lead electrodes 2a, 2b (outer lead portions 60a, 60b) is exposed from the molded body 40 and disposed on the lower surface side of the molded body 40. The outer lead portions 60a and 60b are for example joined to a printed circuit board or the like having wiring using solder or the like, and are supplied with electric power from an external power source. In this specification, “the lower surface side of the molded body 40” refers to a surface in the lower direction in the schematic front view of the molded body 40 shown in FIG. As shown in FIG. 2A, a part of the first and second lead electrodes 2a and 2b is exposed from the molded body 40 in the lower direction of FIG. In the present specification, “the lower surface side of the molded body 40” is a term for indicating a relative positional relationship with other components of the light emitting device 80 of the present invention.

図1に示す本発明の発光装置80の例では、第1および第2のリード電極2a、2bの一方の端部(アウターリード部60a、60b)が、パッケージ1の下面より突出するように成形体40に埋設されている。「パッケージ1の下面」とは、「成形体40の下面側」に対応する面であり、発光装置80の実装面に相当する外表面のことをいう。   In the example of the light emitting device 80 of the present invention shown in FIG. 1, one end of the first and second lead electrodes 2 a and 2 b (outer lead portions 60 a and 60 b) is molded so as to protrude from the lower surface of the package 1. Embedded in the body 40. “The lower surface of the package 1” is a surface corresponding to “the lower surface side of the molded body 40” and refers to an outer surface corresponding to the mounting surface of the light emitting device 80.

図13に、本発明の発光装置80の一例の斜視模式図を示す。図13に示すように、第1および第2のリード電極2a、2bのアウターリード部60は、上記パッケージ1の下面に沿って、主面82に対向する裏面側に向かって折り曲げられる。図13に示すように、アウターリード部60は、先端に分岐部を有し、その分岐部の少なくとも一つをパッケージ1の側面側に折り曲げることもできる。なお、図1および図13に示す本発明の発光装置80は、パッケージ1の下面を実装面とし、その実装面に対して略平行な方向へ光を発光する側面発光型発光装置80である。   FIG. 13 shows a schematic perspective view of an example of the light emitting device 80 of the present invention. As shown in FIG. 13, the outer lead portions 60 of the first and second lead electrodes 2 a and 2 b are bent along the lower surface of the package 1 toward the back surface facing the main surface 82. As shown in FIG. 13, the outer lead portion 60 has a branch portion at the tip, and at least one of the branch portions can be bent to the side surface side of the package 1. The light emitting device 80 of the present invention shown in FIGS. 1 and 13 is a side-emitting light emitting device 80 that emits light in a direction substantially parallel to the mounting surface with the lower surface of the package 1 as a mounting surface.

さらに、図1〜4を参照して、本発明の発光装置80を具体的に説明すると、次の通りである。   Furthermore, with reference to FIGS. 1-4, the light-emitting device 80 of this invention is demonstrated concretely as follows.

図2および図4(a)に示すように、本明細書において、第1のリード電極2aのうち、成形体40に埋設されその一部が凹部底面44に露出する部分を、インナーリード部50aという。本明細書において、第1のリード電極2aのうち、成形体40から露出してパッケージ1の下面側に配置される部分を、アウターリード部60aという。本発明の発光装置80の第1のリード電極2aは、インナーリード部50aおよびアウターリード部60aを有する。第2のリード電極2bも、第1のリード電極2aと同様に、インナーリード部50bおよびアウターリード部60bを有する。   As shown in FIG. 2 and FIG. 4A, in this specification, a portion of the first lead electrode 2a that is embedded in the molded body 40 and a part of which is exposed to the recess bottom surface 44 is referred to as an inner lead portion 50a. That's it. In the present specification, a portion of the first lead electrode 2a that is exposed from the molded body 40 and disposed on the lower surface side of the package 1 is referred to as an outer lead portion 60a. The first lead electrode 2a of the light emitting device 80 of the present invention has an inner lead portion 50a and an outer lead portion 60a. Similarly to the first lead electrode 2a, the second lead electrode 2b also has an inner lead portion 50b and an outer lead portion 60b.

図2および図4(a)に示すように、第1のリード電極2aのインナーリード部50aは、電極端部53aと、発光素子4が実装される実装部52aと、実装部52aとアウターリード部60aとの間にある接続部51aとを有する。図2に示すように、これらの部分のうち、電極端部53aの少なくとも一部および接続部51aは成形体40に埋設されている。同様に、第2のリード電極2bのインナーリード部50bは、電極端部53bと、発光素子4が実装される実装部52bと、実装部52bとアウターリード部60bとの間にある接続部51bとを有する。これらの部分のうち、電極端部53bの少なくとも一部および接続部51bは成形体40に埋設されている。なお、図2および図4(a)に示す例では、電極端部53aおよび53bの全体が、成形体40に埋設されている。   As shown in FIGS. 2 and 4A, the inner lead portion 50a of the first lead electrode 2a includes an electrode end portion 53a, a mounting portion 52a on which the light emitting element 4 is mounted, a mounting portion 52a, and an outer lead. And a connecting portion 51a between the portion 60a and the connecting portion 51a. As shown in FIG. 2, among these portions, at least a part of the electrode end portion 53 a and the connection portion 51 a are embedded in the molded body 40. Similarly, the inner lead portion 50b of the second lead electrode 2b includes an electrode end portion 53b, a mounting portion 52b on which the light emitting element 4 is mounted, and a connecting portion 51b between the mounting portion 52b and the outer lead portion 60b. And have. Among these portions, at least a part of the electrode end portion 53 b and the connection portion 51 b are embedded in the molded body 40. In the example shown in FIGS. 2 and 4A, the entire electrode end portions 53 a and 53 b are embedded in the molded body 40.

本発明の発光装置80において、第1のリード電極2aは、接続部51aを成形体40の第1の凹部側面41側に有し、電極端部53aを成形体40の第1の凹部側面41の反対側の第2の凹部側面42側に有し、第2のリード電極2bは、接続部51bを成形体40の第2の凹部側面42側に有し、電極端部53bを成形体40の第1の凹部側面41側に有することが好ましい。第1および第2のリード電極2a、2bの電極端部53a、53bおよび接続部51a、51bが、互いに逆方向に配置されていることにより、第1および第2のリード電極2a、2bのアウターリード部60a、60bの配置を、発光装置80の実装が容易な配置とすることができ、かつ、リード電極2と、発光素子4との間の接合不良を抑制することができる。   In the light emitting device 80 of the present invention, the first lead electrode 2 a has the connection portion 51 a on the first concave side surface 41 side of the molded body 40, and the electrode end portion 53 a has the first concave side surface 41 of the molded body 40. The second lead electrode 2b has a connection portion 51b on the second recess side surface 42 side of the molded body 40 and an electrode end portion 53b on the molded body 40 side. It is preferable to have it on the first recess side surface 41 side. Since the electrode end portions 53a and 53b and the connection portions 51a and 51b of the first and second lead electrodes 2a and 2b are arranged in directions opposite to each other, the outer portions of the first and second lead electrodes 2a and 2b are arranged. The arrangement of the lead portions 60a and 60b can be an arrangement in which the light emitting device 80 can be easily mounted, and the bonding failure between the lead electrode 2 and the light emitting element 4 can be suppressed.

図5および図6には、第1のリード電極2aおよび第2のリード電極2bの、別の配置の例を示す。図5および図6に示す例では、成形体40が凹部43内に設けられた電極埋設部45を有し、第1のリード電極2aの電極端部53aおよび第2のリード電極2bの電極端部53bの一部が電極埋設部45に埋設されているが、電極端部53a、53bの最先端部は露出している。図5に示す本発明の発光装置80の例でも、第1および第2のリード電極2a、2bの電極端部53a、53bの一部が、実装部52a、52bをはさむ成形体40の凹部側面方向の両側、すなわち第1の凹部側面41または第2の凹部側面42と、電極埋設部45とによって、成形体40に埋設されていることにより、発光素子4を実装するための加熱等の際のリード電極2の変形を低減することができる。その結果、リード電極2と、発光素子4との間の接合不良を抑制することができる。   5 and 6 show another example of the arrangement of the first lead electrode 2a and the second lead electrode 2b. In the example shown in FIGS. 5 and 6, the molded body 40 has an electrode embedding portion 45 provided in the recess 43, and the electrode end 53 a of the first lead electrode 2 a and the electrode end of the second lead electrode 2 b. A part of the portion 53b is embedded in the electrode embedded portion 45, but the most distal end portions of the electrode end portions 53a and 53b are exposed. Also in the example of the light-emitting device 80 of the present invention shown in FIG. 5, the side surfaces of the concave portion of the molded body 40 in which part of the electrode end portions 53a and 53b of the first and second lead electrodes 2a and 2b sandwich the mounting portions 52a and 52b. In the case of heating or the like for mounting the light emitting element 4 by being embedded in the molded body 40 by both sides of the direction, that is, the first recessed portion side surface 41 or the second recessed portion side surface 42 and the electrode embedded portion 45. The deformation of the lead electrode 2 can be reduced. As a result, poor bonding between the lead electrode 2 and the light emitting element 4 can be suppressed.

図7および図8には、第1のリード電極2aおよび第2のリード電極2bの、さらに別の配置の例を示す。図7および図8に示す例では、第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bが、正面から見てリード電極2a、2bの長手方向の辺から突出した形状の突出部を有しており、実装部52a、52bの突出部が、互い違いに、成形体40の凹部底面44の中央部に配置されている。図7および図8に示す例では、第1のリード電極2aの実装部52aの突出部が、第2の凹部側面42の側の凹部底面44の中央部に、第2のリード電極2bの突出部が、第1の凹部側面41の側の凹部底面44の中央部に配置されている。第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bの突出部は、図7および図8に示す配置とは逆の側の凹部底面44の中央部に配置することもできる。図7および図8に示す例では、第1および第2のリード電極2a、2bの、最先端部を含む電極端部53a、53bが、成形体40に埋設されている。   7 and 8 show another example of the arrangement of the first lead electrode 2a and the second lead electrode 2b. In the example shown in FIGS. 7 and 8, the mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b protrude from the longitudinal sides of the lead electrodes 2a and 2b when viewed from the front. The projecting portions of the mounting portions 52a and 52b are alternately arranged at the central portion of the bottom surface 44 of the recessed portion of the molded body 40. In the example shown in FIGS. 7 and 8, the protrusion of the mounting portion 52a of the first lead electrode 2a is protruded from the center of the bottom surface 44 of the recess on the side of the second recess side surface 42. Is disposed at the center of the concave bottom surface 44 on the first concave side surface 41 side. The protruding portions of the mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b can be arranged at the center of the concave bottom surface 44 on the side opposite to the arrangement shown in FIGS. In the example shown in FIGS. 7 and 8, electrode end portions 53 a and 53 b including the most distal portions of the first and second lead electrodes 2 a and 2 b are embedded in the molded body 40.

図7に示す本発明の発光装置80の例では、発光素子4の正負の電極は、発光素子4の長手方向に正電極および負電極が分かれて配置されるように形成される。図7に示す本発明の発光装置80の例では、発光素子4が、パッケージ1の凹部底面44に露出した第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bに実装される。図7に示す発光装置80の例でも、第1および第2のリード電極2a、2bの電極端部53a、53bが、実装部52a、52bをはさむ成形体40(第1および第2の凹部側面41、42)において、成形体40に埋設されていることにより、発光素子4を実装するための加熱等をする際のリード電極2の変形を低減することができる。その結果、リード電極2と、発光素子4との間の接合不良を抑制することができる。   In the example of the light emitting device 80 of the present invention shown in FIG. 7, the positive and negative electrodes of the light emitting element 4 are formed so that the positive electrode and the negative electrode are separately arranged in the longitudinal direction of the light emitting element 4. In the example of the light emitting device 80 of the present invention shown in FIG. 7, the light emitting element 4 is mounted on the mounting portions 52 a and 52 b of the first and second lead electrodes 2 a and 2 b exposed on the bottom surface 44 of the recess of the package 1. Also in the example of the light emitting device 80 shown in FIG. 7, the molded body 40 (side surfaces of the first and second recesses) where the electrode end portions 53a and 53b of the first and second lead electrodes 2a and 2b sandwich the mounting portions 52a and 52b. 41, 42), by being embedded in the molded body 40, it is possible to reduce deformation of the lead electrode 2 when heating to mount the light emitting element 4 or the like. As a result, poor bonding between the lead electrode 2 and the light emitting element 4 can be suppressed.

さらに、図1〜4を参照して説明する。本発明の発光装置80において、成形体40の凹部43は、成形体40の凹部側面方向の長さよりも成形体40の上下方向に狭いことが好ましい。成形体40の凹部側面方向よりも成形体40の上下方向の長さが短いという凹部43の形状を有することにより、発光装置80の形状を、上下方向に薄い形状とすることができる。この結果、発光装置80を薄型化することができる。   Furthermore, it demonstrates with reference to FIGS. In the light emitting device 80 of the present invention, the concave portion 43 of the molded body 40 is preferably narrower in the vertical direction of the molded body 40 than the length of the molded body 40 in the side surface of the concave portion. By having the shape of the concave portion 43 in which the length of the molded body 40 in the vertical direction is shorter than the side surface of the concave portion of the molded body 40, the shape of the light emitting device 80 can be made thin in the vertical direction. As a result, the light emitting device 80 can be thinned.

本発明の発光装置80は、第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bがそれぞれ長辺を有し、それら二つの長辺の少なくとも一部が互いに略平行に配置されることが好ましい。第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bがそれぞれ長辺を有し、長辺が互いに略平行に配置されることにより、第1および第2のリード電極2a、2bへの発光素子4の固定を容易にすることができる。なお、図1〜4に示すように、第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bの間隔は、すべて同じ間隔であることができる。しかしながら、第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bの間隔は、異なる間隔であってもよい。   In the light emitting device 80 of the present invention, the mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b have long sides, respectively, and at least a part of the two long sides is arranged substantially parallel to each other. It is preferable. The mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b each have long sides, and the long sides are arranged substantially parallel to each other, so that the first and second lead electrodes 2a and 2b are connected. The light emitting element 4 can be easily fixed. 1 to 4, the intervals between the mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b can all be the same interval. However, the intervals between the mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b may be different intervals.

本発明の発光装置80では、第1および第2のリード電極2a、2bの一方の接続部51と、他の一方の電極端部53とが、対向して配置されることが好ましい。「対向して配置」とは、図2(a)に示すように、例えば、第1の凹部側面41近傍において、第1のリード電極2aの接続部51aと、第2のリード電極2bの電極端部53bとが、成形体の上下方向に互いに並ぶよう近接して配置されている状態を意味する。第1および第2のリード電極2a、2bの一方の接続部51と、他方の電極端部53とが、対向して配置されることにより、第1および第2のリード電極2a、2bの一方の接続部51および他の一方の電極端部53を、所定の成形体40に埋設することが容易となる。第1および第2の凹部側面41、42のそれぞれに、一組の電極端部53を埋設することができることから、本発明の発光装置80は、第1および第2のリード電極2a、2bの一方の接続部51と他の一方の電極端部53が、上下方向に対向して配置されることが好ましい。なお、対向する方向は、上下方向に限られず、側面方向であってもよい。   In the light emitting device 80 of the present invention, it is preferable that one connection portion 51 of the first and second lead electrodes 2a and 2b and the other one electrode end portion 53 are arranged to face each other. As shown in FIG. 2 (a), “facing oppositely” means, for example, in the vicinity of the side surface 41 of the first recess, the connection portion 51a of the first lead electrode 2a and the electric current of the second lead electrode 2b. The extreme portion 53b means a state in which the extreme portions 53b are arranged close to each other in the vertical direction of the molded body. One connecting portion 51 of the first and second lead electrodes 2a, 2b and the other electrode end portion 53 are arranged to face each other, so that one of the first and second lead electrodes 2a, 2b is arranged. It becomes easy to embed the connecting portion 51 and the other electrode end portion 53 in the predetermined molded body 40. Since a pair of electrode end portions 53 can be embedded in each of the first and second recess side surfaces 41, 42, the light emitting device 80 of the present invention has the first and second lead electrodes 2a, 2b. It is preferable that one connection part 51 and the other one electrode end part 53 are arranged to face each other in the vertical direction. The facing direction is not limited to the vertical direction, and may be a side surface direction.

本発明の発光装置80は、第1および第2のリード電極2a、2bの接続部51a、51bの上下方向の幅は、それぞれ電極端部53b、53aと対向する部分において、電極端部53b、53aの接続部51a、51bと対向する部分における上下方向の幅の0.8〜1.2倍であることが好ましく、0.9〜1.1倍であることが好ましい。成形体40に埋設される接続部51および電極端部53の幅が、同程度であることにより、発光素子4を実装するための加熱等をする際のリード電極2の変形をより低減することができるので、リード電極2と、発光素子4との間の接合不良を確実に抑制することができる。   In the light emitting device 80 of the present invention, the vertical widths of the connecting portions 51a and 51b of the first and second lead electrodes 2a and 2b are set to the electrode end portions 53b and 53a at the portions facing the electrode end portions 53b and 53a, respectively. It is preferably 0.8 to 1.2 times, and more preferably 0.9 to 1.1 times the width in the vertical direction at the portion of 53a facing the connecting portions 51a and 51b. By reducing the width of the connecting portion 51 and the electrode end portion 53 embedded in the molded body 40 to the same extent, the deformation of the lead electrode 2 during heating for mounting the light emitting element 4 is further reduced. Therefore, it is possible to reliably suppress a bonding failure between the lead electrode 2 and the light emitting element 4.

また、本発明の発光装置80の電極端部53a、53bの上下方向の幅は、実装部52a、52bの上下方向の幅よりも狭いことが好ましい。第1および第2のリード電極2a、2bの電極端部53a、53bの上下方向の幅が、実装部52a、52bの上下方向の幅よりも狭いことにより、発光装置の上下方向の幅の増加を防止しつつ、実装部の幅を広くすることができ、52a、52bへの発光素子4の実装を容易にすることができる。   Moreover, it is preferable that the vertical width of the electrode end portions 53a and 53b of the light emitting device 80 of the present invention is narrower than the vertical width of the mounting portions 52a and 52b. The vertical width of the electrode end portions 53a and 53b of the first and second lead electrodes 2a and 2b is smaller than the vertical width of the mounting portions 52a and 52b, thereby increasing the vertical width of the light emitting device. The width of the mounting portion can be widened while preventing the light emitting element 4 from being easily mounted on 52a and 52b.

本発明の発光装置80は、発光素子4は、はんだを用いて実装部52a、52bに実装されることが好ましい。はんだを用いたフリップチップ方式にて発光素子4を実装する場合には、実装時にパッケージ1に高温がかかるため、リード電極2等の変形が大きくなり、発光素子4への電気的導通が失われることがある。本発明の発光装置80を用いるならば、はんだを用いたフリップチップ方式にて発光素子4を実装する場合であっても、第1および第2のリード電極2a、2bの変形を低減することができるので、発光素子4への電気的導通が失われることを抑制することができる。   In the light emitting device 80 of the present invention, the light emitting element 4 is preferably mounted on the mounting portions 52a and 52b using solder. When the light emitting element 4 is mounted by a flip-chip method using solder, the package 1 is heated at the time of mounting, so that the deformation of the lead electrode 2 and the like is increased, and the electrical continuity to the light emitting element 4 is lost. Sometimes. If the light-emitting device 80 of the present invention is used, deformation of the first and second lead electrodes 2a and 2b can be reduced even when the light-emitting element 4 is mounted by a flip-chip method using solder. Since it can do, it can suppress that the electrical continuity to the light emitting element 4 is lost.

上述の本発明の発光装置80は、次のような構成を有することができる。すなわち、本発明の発光装置80は、発光素子4と、発光素子4が収納される凹部43を正面に有する成形体40と、成形体40に埋設され、第1および第2のリード電極2a、2bとを有するパッケージ1と、を備えた発光装置80であって、第1および第2のリード電極2a、2bは、成形体40に埋設されその一部が凹部底面44に露出するインナーリード部50a、50bと、成形体40から露出してパッケージ1の下面側に配置されるアウターリード部60a、60bとを有し、インナーリード部50a、50bは、電極端部53a、53bと、発光素子4が実装される実装部52a、52bと、実装部52a、52bとアウターリード部60a、60bとの間にある接続部51a、51bとを有し、電極端部53a、53bと接続部51a、51bとは成形体40に埋設されており、発光素子4は実装部52にフリップチップ実装されていることを特徴とする発光装置80である。本構成の発光装置80において、上述のような第1および第2のリード電極2a、2bの配置および形状、ならびに成形体40の凹部43の形状等を有することが好ましい。   The light emitting device 80 of the present invention described above can have the following configuration. That is, the light-emitting device 80 of the present invention includes the light-emitting element 4, a molded body 40 having a recess 43 in which the light-emitting element 4 is accommodated in the front, and the first and second lead electrodes 2 a embedded in the molded body 40. A light emitting device 80 including a package 1 having 2b, wherein the first and second lead electrodes 2a, 2b are embedded in the molded body 40 and a part thereof is exposed to the bottom surface 44 of the recess. 50a, 50b and outer lead portions 60a, 60b exposed from the molded body 40 and disposed on the lower surface side of the package 1. The inner lead portions 50a, 50b include electrode end portions 53a, 53b, and a light emitting element. 4 are mounted, and connecting portions 51a and 51b are provided between the mounting portions 52a and 52b and the outer lead portions 60a and 60b, and are in contact with the electrode end portions 53a and 53b. Part 51a, are embedded in the molded body 40 and 51b, the light emitting element 4 is a light emitting device 80 which is characterized in that is flip-chip mounted on the mounting portion 52. The light emitting device 80 having this configuration preferably has the arrangement and shape of the first and second lead electrodes 2a and 2b as described above, the shape of the concave portion 43 of the molded body 40, and the like.

上述の本発明の発光装置80は、液晶ディスプレイのバックライト、パネルメーター、表示灯や面発光スイッチおよび光学センサなどに利用可能である。また、上述したリード電極2の構造および発光素子4の実装方法は、発光装置80以外の半導体装置を製造する場合も適用することが可能である。その場合には、発光素子4の代わりに、所定の半導体素子、例えば受光素子、静電保護素子(ツェナーダイオード、コンデンサ等)、あるいはそれらを少なくとも二種以上組み合わせたものを用いて、所定の構造の第1および第2のリード電極2a、2bを有するパッケージ1に実装することができる。   The above-described light emitting device 80 of the present invention can be used for a backlight of a liquid crystal display, a panel meter, an indicator lamp, a surface emitting switch, an optical sensor and the like. Further, the structure of the lead electrode 2 and the mounting method of the light emitting element 4 described above can also be applied when manufacturing a semiconductor device other than the light emitting device 80. In that case, instead of the light emitting element 4, a predetermined semiconductor element, for example, a light receiving element, an electrostatic protection element (a zener diode, a capacitor, etc.), or a combination of at least two of them is used. It can be mounted on the package 1 having the first and second lead electrodes 2a, 2b.

次に、図1〜4に記載されている本発明の発光装置80を例に、本発明の実施の形態について、具体的に説明する。   Next, the embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the light emitting device 80 of the present invention described in FIGS.

図3に示すように、本実施の形態のパッケージ1の成形体40は、発光素子4を収納することが可能な凹部43を有している。凹部43は、発光素子が実装される凹部底面44と、発光を主に取り出される開口とを有している。凹部43を形成する内壁面の形状は、特に限定されないが、発光素子4を実装する場合、開口側へ内径が徐々に大きくなるようなテーパー形状とすることが好ましい。これにより、発光素子4の端面から発光される光を効率良く発光観測面方向へ取り出すことができる。また、光の反射を高めるため、凹部43の内壁面に銀等の金属メッキを施すなど、光反射機能を有するようにしてもよい。   As shown in FIG. 3, the molded body 40 of the package 1 of the present embodiment has a recess 43 that can accommodate the light emitting element 4. The recess 43 has a recess bottom surface 44 on which the light emitting element is mounted, and an opening from which light emission is mainly extracted. The shape of the inner wall surface that forms the concave portion 43 is not particularly limited, but when the light emitting element 4 is mounted, it is preferable to have a tapered shape such that the inner diameter gradually increases toward the opening side. Thereby, the light emitted from the end face of the light emitting element 4 can be efficiently extracted in the direction of the emission observation surface. Further, in order to enhance the reflection of light, the inner wall surface of the recess 43 may have a light reflection function such as metal plating such as silver.

パッケージ1の成形体40の形状は、上下方向よりも側面方向のテーパー角度が浅いことが好ましい。このような成形体40の形状により、光取出し効率の向上を図ることができる。また、このような成形体40の形状の場合、成形体40を薄型化することができ、凹部底面44を取り囲む壁が延びるような形状となるので、第1および第2のリード電極2a、2bの電極端部53a、53bを埋設することが容易となる。   The shape of the molded body 40 of the package 1 is preferably such that the taper angle in the side surface direction is shallower than the vertical direction. The shape of the molded body 40 can improve the light extraction efficiency. Further, in the case of such a shape of the molded body 40, the molded body 40 can be thinned and the wall surrounding the recess bottom surface 44 is extended, so that the first and second lead electrodes 2 a and 2 b are formed. It becomes easy to embed the electrode end portions 53a and 53b.

パッケージ1の成形体40の形状について、図3を参照してさらに説明する。図3では、図2に示すパッケージに用いる成形体の模式的な正面図を図3(a)、正面図(図3(a))のA−A’およびB−B’として示す部分の模式的な断面図を図3(b)および図3(c)として示す。成形体40の凹部43の形状は、発光素子4を凹部43内に実装できるような大きさを有する形状であることが必要である。   The shape of the molded body 40 of the package 1 will be further described with reference to FIG. In FIG. 3, the schematic front view of the molded body used for the package shown in FIG. 2 is a schematic diagram of a portion shown as AA ′ and BB ′ in FIG. 3 (a) and the front view (FIG. 3 (a)). Typical sectional views are shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c). The shape of the concave portion 43 of the molded body 40 needs to be a shape having such a size that the light emitting element 4 can be mounted in the concave portion 43.

具体的には、凹部43の形状等は、次のような寸法であることが好ましい。すなわち、凹部43の開口の上下方向の幅H2は、0.28〜0.50mmであることが好ましく、0.35〜0.4mmであることがより好ましい。凹部43の凹部底面44の上下方向の幅H3は、0.27〜0.48mmであることが好ましく、0.32〜0.39mmであることがより好ましい。凹部43の開口の、凹部側面方向の長さW2は、1.3〜2.8mmであることが好ましく、2.0〜2.5mmであることがより好ましい。凹部底面44の、凹部側面方向の長さW3は、0.5〜1.5mmであることが好ましく、0.7〜1.2mmであることがより好ましい。また、凹部43の深さL2は、0.2〜0.5mmであることが好ましく、0.29〜0.35mmであることがより好ましい。   Specifically, the shape and the like of the recess 43 are preferably the following dimensions. That is, the vertical width H2 of the opening of the recess 43 is preferably 0.28 to 0.50 mm, and more preferably 0.35 to 0.4 mm. The width H3 in the vertical direction of the bottom surface 44 of the concave portion 43 is preferably 0.27 to 0.48 mm, and more preferably 0.32 to 0.39 mm. The length W2 of the opening of the recess 43 in the recess side surface direction is preferably 1.3 to 2.8 mm, and more preferably 2.0 to 2.5 mm. The length W3 of the recess bottom surface 44 in the recess side surface direction is preferably 0.5 to 1.5 mm, and more preferably 0.7 to 1.2 mm. Further, the depth L2 of the recess 43 is preferably 0.2 to 0.5 mm, and more preferably 0.29 to 0.35 mm.

成形体40の外形は、上述の凹部43を形成することができるような大きさを有することが必要である。具体的には、成形体40の外形は、次のような寸法であることが好ましい。すなわち、成形体40の上下方向の幅H1は、0.4〜0.7mmであることが好ましく、0.45〜0.6mmであることがより好ましい。また、別の態様では、成形体40の上下方向の幅H1は、0.40〜0.55mmであることが好ましく、0.48〜0.51mmであることがより好ましい。成形体40の側面方向の外形、すなわち、第1の成形体側面47と、第2の成形体側面48との距離W1は、2.5〜4.0mmであることが好ましく、2.8〜3.2mmであることがより好ましい。また、成形体40の奥行きL1は、0.5〜1.0mmであることが好ましく、0.6〜0.8mmであることがより好ましい。   The outer shape of the molded body 40 needs to have such a size that the above-described recess 43 can be formed. Specifically, it is preferable that the outer shape of the molded body 40 has the following dimensions. That is, the vertical width H1 of the molded body 40 is preferably 0.4 to 0.7 mm, and more preferably 0.45 to 0.6 mm. Moreover, in another aspect, it is preferable that the vertical width H1 of the molded object 40 is 0.40-0.55 mm, and it is more preferable that it is 0.48-0.51 mm. The outer shape in the side surface direction of the molded body 40, that is, the distance W1 between the first molded body side surface 47 and the second molded body side surface 48 is preferably 2.5 to 4.0 mm, and preferably 2.8 to 2.8. More preferably, it is 3.2 mm. Further, the depth L1 of the molded body 40 is preferably 0.5 to 1.0 mm, and more preferably 0.6 to 0.8 mm.

図2に示すように、所定の形状を有する第1および第2のリード電極2a、2bは、パッケージ1の凹部底面44において成形体40の上下方向に並んで設けられる。本実施の形態の発光装置80において、第1および第2のリード電極2a、2bは、実装部52a、52bをはさむ成形体40の凹部側面方向の両側(第1および第2の凹部側面41、42)において、成形体40に埋設されている。   As shown in FIG. 2, the first and second lead electrodes 2 a and 2 b having a predetermined shape are provided side by side in the vertical direction of the molded body 40 on the bottom surface 44 of the recess of the package 1. In the light emitting device 80 of the present embodiment, the first and second lead electrodes 2a, 2b are arranged on both sides in the concave side surface direction of the molded body 40 sandwiching the mounting portions 52a, 52b (first and second concave side surfaces 41, 42), it is embedded in the molded body 40.

本実施の形態の発光装置80は、以上のように構成されたパッケージ1の凹部43内の実装部52a、52bに、発光素子4が実装され、凹部43内の発光素子4を被覆するように透光性樹脂が充填され、封止部材が形成される。次に、本実施の形態に係る発光装置80の製造工程および各構成部材について詳述する。   In the light emitting device 80 of the present embodiment, the light emitting element 4 is mounted on the mounting portions 52a and 52b in the recess 43 of the package 1 configured as described above, and covers the light emitting element 4 in the recess 43. The sealing member is formed by filling the translucent resin. Next, the manufacturing process and each component of the light emitting device 80 according to the present embodiment will be described in detail.

[工程1:リード電極2の形成]
本実施の形態では、まず第一の工程として、金属板に対し打ち抜き加工を施して、第1および第2のリード電極2a、2bとなる端部を複数対有するリードフレームを形成し、該リードフレーム表面に金属メッキを施す。なお、リード電極2のカットフォーミング工程から発光装置80の分離工程までパッケージ1の外表面に設けられたハンガーリードにかん合して、パッケージ1を支持するハンガーリードをリードフレームの一部に設けることができる。
[Step 1: Formation of lead electrode 2]
In the present embodiment, first, as a first step, a metal plate is punched to form a lead frame having a plurality of pairs of end portions to be the first and second lead electrodes 2a, 2b. Apply metal plating to the frame surface. It should be noted that the hanger leads for supporting the package 1 are provided on a part of the lead frame so as to engage with the hanger leads provided on the outer surface of the package 1 from the cut forming process of the lead electrode 2 to the separation process of the light emitting device 80. Can do.

(リード電極2)
本実施の形態におけるリード電極2は、発光素子4に電力を供給するとともに、該発光素子4を実装可能な導電体である。特に、本実施の形態に係るリード電極2は、一方の端部(インナーリード部50)がパッケージ1下面から成形体40に埋設され、他方の端部(アウターリード部60)がパッケージ1下面から突出するように成形体40の成形時に一体成形される。また、成形体40に埋設されたリード電極2の実装部52には、成形用型の一部をリード電極2に接触させることにより、パッケージ1の凹部底面44から露出するように一体成形することができる。
(Lead electrode 2)
The lead electrode 2 in the present embodiment is a conductor capable of supplying power to the light emitting element 4 and mounting the light emitting element 4. Particularly, in the lead electrode 2 according to the present embodiment, one end portion (inner lead portion 50) is embedded in the molded body 40 from the lower surface of the package 1, and the other end portion (outer lead portion 60) is extended from the lower surface of the package 1. The molded body 40 is integrally molded so as to protrude. In addition, the mounting portion 52 of the lead electrode 2 embedded in the molded body 40 is integrally molded so as to be exposed from the concave bottom surface 44 of the package 1 by bringing a part of the molding die into contact with the lead electrode 2. Can do.

リード電極2の材料は、導電性であれば特に限定されないが、半導体素子と電気的に接続する部材であるはんだ等の接合部材6との接着性および電気伝導性が良いことが求められる。具体的な電気抵抗としては、300μΩ−cm以下が好ましく、より好ましくは3μΩ−cm以下である。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅および銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、銅等が好適に挙げられる。   The material of the lead electrode 2 is not particularly limited as long as it is conductive. However, the lead electrode 2 is required to have good adhesion and electrical conductivity with the joining member 6 such as solder which is a member electrically connected to the semiconductor element. The specific electric resistance is preferably 300 μΩ-cm or less, more preferably 3 μΩ-cm or less. Suitable materials satisfying these conditions include iron, copper, iron-containing copper, tin-containing copper and copper, gold, silver plated aluminum, iron, copper and the like.

プレス加工後の長尺金属板の各パッケージ1に対応する部分において、第1および第2のリード電極2a、2bは、成形後の凹部底面44において成形体40の上下方向に並んで設けられ、実装部52をはさむ成形体40の凹部側面方向の両側(第1および第2の凹部側面41、42)において、成形体40に埋設されるように配置される形状を有する。第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bに相当する部分は、互いに分離されている。本実施形態では、凹部底面44に露出されるリード電極2の実装部52に特別な加工を施していないが、凹部43の長手方向を軸とし左右に貫通孔を少なくとも1対設けるなどして成形樹脂との結合強度を強めることも可能である。   In the portion corresponding to each package 1 of the long metal plate after press working, the first and second lead electrodes 2a and 2b are provided side by side in the vertical direction of the formed body 40 on the bottom surface 44 of the recessed portion after forming, It has a shape that is disposed so as to be embedded in the molded body 40 on both sides (first and second concave side surfaces 41, 42) of the molded body 40 sandwiching the mounting portion 52 in the concave side surface direction. Portions corresponding to the mounting portions 52a and 52b of the first and second lead electrodes 2a and 2b are separated from each other. In the present embodiment, the mounting portion 52 of the lead electrode 2 exposed on the recess bottom surface 44 is not specially processed, but is formed by providing at least one pair of through holes on the left and right with the longitudinal direction of the recess 43 as an axis. It is also possible to increase the bond strength with the resin.

第1および第2のリード電極2a、2bの形状について、図4を参照してさらに説明する。図4において、図2に示すパッケージに用いる第1のリード電極2aを図4(b)に、第2のリード電極2bを図4(c)に示す。第1および第2のリード電極2a、2bの形状および大きさは、上述の成形体40およびその凹部43の形状および大きさに合わせて選択することができる。   The shapes of the first and second lead electrodes 2a and 2b will be further described with reference to FIG. 4, the first lead electrode 2a used in the package shown in FIG. 2 is shown in FIG. 4 (b), and the second lead electrode 2b is shown in FIG. 4 (c). The shape and size of the first and second lead electrodes 2a and 2b can be selected according to the shape and size of the molded body 40 and the recess 43 described above.

第1および第2のリード電極2a、2bのインナーリード部50a、50bの形状等は、図4を参照して、具体的には、次のような寸法であることが好ましい。すなわち、第1のインナーリード部50aの長さDa1は、1.5〜4.0mmであることが好ましく、2.5〜3.5mmであることがより好ましい。第2のインナーリード部50bの長さDb1は、1.2〜3.8mmであることが好ましく、2.2〜3.4mmであることがより好ましい。また、第1および第2のインナーリード部50a、50bの幅Da2、Db2は、0.08〜0.15mmであることが好ましく、0.11〜0.14mmであることがより好ましい。   The shape of the inner lead portions 50a, 50b of the first and second lead electrodes 2a, 2b is preferably the following dimensions with reference to FIG. That is, the length Da1 of the first inner lead portion 50a is preferably 1.5 to 4.0 mm, and more preferably 2.5 to 3.5 mm. The length Db1 of the second inner lead portion 50b is preferably 1.2 to 3.8 mm, and more preferably 2.2 to 3.4 mm. The widths Da2 and Db2 of the first and second inner lead portions 50a and 50b are preferably 0.08 to 0.15 mm, and more preferably 0.11 to 0.14 mm.

第1および第2のリード電極2a、2bのアウターリード部60a、60bの形状等は、図4(b)および(c)を参照して、具体的には、次のような寸法であることが好ましい。すなわち、第1のアウターリード部60aの長さDa4は、0.5〜1.0mmであることが好ましく、0.65〜0.8mmであることがより好ましい。第2のアウターリード部60bの長さDb4は、0.5〜1.0mmであることが好ましく、0.65〜0.8mmであることがより好ましい。また、第1および第2のアウターリード部60a、60bの幅Da3、Db3は、0.11〜0.4mmであることが好ましく、0.28〜0.33mmであることがより好ましい。アウターリード部60の先端の形状は、T字型形状、L字型形状および単なるI字型形状等の任意の形状から、発光装置80の電気的接続方法を考慮して適宜選択することができる。図4(b)および(c)に示すT字型形状の例では、アウターリード部60の先端のT字型形状の横幅Da5、Db5は、0.4〜1.0mmであることが好ましく、0.7〜0.9mmであることがより好ましい。また、T字型形状の縦幅Da6、Db6は、0.11〜0.4mmであることが好ましく、0.15〜0.3mmであることがより好ましい。   The shape and the like of the outer lead portions 60a and 60b of the first and second lead electrodes 2a and 2b are specifically as follows with reference to FIGS. 4B and 4C. Is preferred. That is, the length Da4 of the first outer lead portion 60a is preferably 0.5 to 1.0 mm, and more preferably 0.65 to 0.8 mm. The length Db4 of the second outer lead portion 60b is preferably 0.5 to 1.0 mm, and more preferably 0.65 to 0.8 mm. Further, the widths Da3 and Db3 of the first and second outer lead portions 60a and 60b are preferably 0.11 to 0.4 mm, and more preferably 0.28 to 0.33 mm. The shape of the tip of the outer lead portion 60 can be appropriately selected from any shape such as a T-shape, an L-shape, or a simple I-shape in consideration of the electrical connection method of the light emitting device 80. . In the example of the T-shape shown in FIGS. 4B and 4C, the widths Da5 and Db5 of the T-shape at the tip of the outer lead portion 60 are preferably 0.4 to 1.0 mm. More preferably, the thickness is 0.7 to 0.9 mm. Further, the vertical widths Da6 and Db6 of the T-shape are preferably 0.11 to 0.4 mm, and more preferably 0.15 to 0.3 mm.

第1および第2のリード電極2a、2bの材料の厚さは、0.10〜0.2mmであることが好ましく、0.11〜0.13mmであることがより好ましい。また、成形体40への埋設を確実にするため、第1のリード電極2aのインナーリード部50aの先端の、成形体40へ埋設される部分の長さda(図4(b)参照)は、0.4〜1.2mmであることが好ましく、0.6〜0.8mmであることがより好ましい。同様に、第2のリード電極2bのインナーリード部50bの先端の、成形体40へ埋設される部分の長さdb(図4(c)参照)は、0.2〜0.8mmであることが好ましく、0.3〜0.5mmであることがより好ましい。   The thickness of the material of the first and second lead electrodes 2a and 2b is preferably 0.10 to 0.2 mm, and more preferably 0.11 to 0.13 mm. Further, in order to ensure the embedding in the molded body 40, the length da (see FIG. 4 (b)) of the portion embedded in the molded body 40 at the tip of the inner lead portion 50a of the first lead electrode 2a. 0.4 to 1.2 mm is preferable, and 0.6 to 0.8 mm is more preferable. Similarly, the length db (see FIG. 4C) of the portion embedded in the molded body 40 at the tip of the inner lead portion 50b of the second lead electrode 2b is 0.2 to 0.8 mm. Is preferable, and it is more preferable that it is 0.3-0.5 mm.

なお、図4で示されるリード電極2を用いる図1の発光装置80では、インナーリード部50a、50bの先端(電極端部53a、53b)が成形体40に埋設されている。しかしながら、リード電極2が成形体40に埋設される位置は、必ずしもインナーリード部50a、50bの先端には限られない。例えば、図5および図6に示すように、リード電極2のインナーリード部50の少なくとも一部が、成形体40に埋設されていれば良い。さらには、リード電極2のインナーリード部50の厚みを変更すること、インナーリード部50を曲げること等により、インナーリード部50の一部を成形体40に埋設することもできる。   In the light emitting device 80 of FIG. 1 using the lead electrode 2 shown in FIG. 4, the tips (electrode end portions 53 a and 53 b) of the inner lead portions 50 a and 50 b are embedded in the molded body 40. However, the position where the lead electrode 2 is embedded in the molded body 40 is not necessarily limited to the tip of the inner lead portions 50a and 50b. For example, as shown in FIGS. 5 and 6, at least a part of the inner lead portion 50 of the lead electrode 2 may be embedded in the molded body 40. Furthermore, a part of the inner lead part 50 can be embedded in the molded body 40 by changing the thickness of the inner lead part 50 of the lead electrode 2 or bending the inner lead part 50.

[工程2:パッケージ1の形成]
本実施の形態におけるパッケージ1は、発光素子4が実装可能で、発光素子4が実装されるリード電極2を固定保持する支持体として働く。
[Step 2: Formation of Package 1]
The package 1 according to the present embodiment can mount the light emitting element 4 and serves as a support body that fixes and holds the lead electrode 2 on which the light emitting element 4 is mounted.

工程1に続いて、上記長尺金属板を成形用型である凸型および凹型の間に配置させて、これらの型を閉じる。このとき、少なくとも二つのリード電極2の接続部51および電極端部53が凸型および凹型を閉じることにより得られる空洞部内に配置されるようにする。次に、凹型背面に設けられたゲートより空洞部内へ成形材料を注入し、二つのリード電極2の接続部51および電極端部53を被覆する。上記空洞部は、パッケージ1の形状に対応している。また、成形用型において、プレス加工された長尺金属板は、プレスの打ち抜き方向と成形用型内に樹脂を注入する方向とが一致するように凸型と凹型の間に挿入配置することが好ましい。このように長尺金属板の配置方向を決定すると、リード電極2の接続部51および電極端部53により形成される空間に隙間なく樹脂を充填することができ、注入される成形樹脂が、実装部52の発光素子4を実装する方の面へ流出することを阻止することができる。   Subsequent to step 1, the long metal plate is placed between a convex mold and a concave mold which are forming molds, and these molds are closed. At this time, the connection part 51 and the electrode end part 53 of at least two lead electrodes 2 are arranged in the cavity part obtained by closing the convex type and the concave type. Next, a molding material is injected into the hollow portion from the gate provided on the concave back surface to cover the connection portion 51 and the electrode end portion 53 of the two lead electrodes 2. The hollow portion corresponds to the shape of the package 1. In the molding die, the long metal plate that has been pressed may be inserted and disposed between the convex die and the concave die so that the stamping direction of the press coincides with the direction of injecting the resin into the molding die. preferable. When the arrangement direction of the long metal plate is determined in this way, the space formed by the connection portion 51 and the electrode end portion 53 of the lead electrode 2 can be filled with no gap, and the injected molding resin is mounted. It is possible to prevent the portion 52 from flowing out to the surface on which the light emitting element 4 is mounted.

(成形材料)
本発明で用いられるパッケージ1の成形材料は特に限定されず、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、6Tナイロン(登録商標)、9Tナイロン(登録商標)等の熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、ポリフタルアミド樹脂のように高融点結晶が含有されてなる半結晶性ポリマー樹脂を用いると、表面エネルギーが大きく、開口内部に設けることができる封止樹脂や後付することができる導光板31等との密着性が良好なパッケージ1が得られる。これにより、封止樹脂を充填し硬化する工程において、冷却過程でのパッケージ1と封止樹脂との界面に剥離が発生することを抑制することができる。また、発光素子4チップからの光を効率良く反射させるために、パッケージ1の成形体40中に、発光素子や後述する蛍光物質の光を効率良く反射する材料、例えば、酸化チタン・酸化亜鉛・酸化アルミなどの白色顔料などを混合させて、成形体を白色にすることが好ましい。
(Molding material)
The molding material of the package 1 used in the present invention is not particularly limited, and a thermoplastic resin such as liquid crystal polymer, polyphthalamide resin, polybutylene terephthalate (PBT), 6T nylon (registered trademark), and 9T nylon (registered trademark) is used. Can be used. In particular, when a semi-crystalline polymer resin containing a high melting point crystal such as polyphthalamide resin is used, the surface energy is large, and a sealing resin that can be provided inside the opening or a light guide plate that can be retrofitted The package 1 having good adhesion with 31 or the like is obtained. Thereby, in the process of filling and curing the sealing resin, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the interface between the package 1 and the sealing resin in the cooling process. Further, in order to efficiently reflect the light from the light emitting element 4 chip, a material that efficiently reflects light of the light emitting element or a fluorescent material described later, such as titanium oxide, zinc oxide, It is preferable to mix a white pigment such as aluminum oxide to make the molded body white.

[工程3:半導体素子実装]
次に、パッケージ1に設けた凹部底面44に露出されたリード電極2に対し、半導体素子を固定する。本実施の形態では、半導体素子として特に発光素子4について説明するが、本発明に使用することができる半導体素子は、発光素子4に限られず、受光素子、静電保護素子(ツェナーダイオード、コンデンサ等)、あるいはそれらを少なくとも二種以上組み合わせたものを使用することができる。
[Step 3: Semiconductor element mounting]
Next, the semiconductor element is fixed to the lead electrode 2 exposed on the bottom surface 44 of the recess provided in the package 1. In the present embodiment, the light-emitting element 4 is particularly described as a semiconductor element. However, the semiconductor element that can be used in the present invention is not limited to the light-emitting element 4, and a light-receiving element, an electrostatic protection element (a zener diode, a capacitor, or the like). ), Or a combination of at least two of them.

(発光素子4)
本実施の形態において使用される発光素子4として、LEDチップを用いることができる。本実施の形態におけるLEDチップは、凹部底面44の大きさに合わせて複数用いてもよいし、凹部底面44の形状に合わせて種々の形状とすることができる。
(Light emitting element 4)
As the light emitting element 4 used in the present embodiment, an LED chip can be used. A plurality of LED chips according to the present embodiment may be used in accordance with the size of the recess bottom surface 44, and various shapes may be used in accordance with the shape of the recess bottom surface 44.

ここで、本発明において発光素子4は特に限定されないが、蛍光物質をともに用いた場合、該蛍光物質を励起可能な波長を発光できる活性層17を有する発光素子4が好ましい。このような発光素子4として、GaNなど種々の半導体を挙げることができるが、蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、活性層17を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。 Here, the light emitting element 4 is not particularly limited in the present invention, but when a fluorescent material is used together, the light emitting element 4 having the active layer 17 capable of emitting a wavelength capable of exciting the fluorescent material is preferable. Examples of such a light-emitting element 4 include various semiconductors such as GaN. Nitride semiconductors (In X Al Y Ga 1-XY N, 0 capable of emitting phosphors efficiently and capable of emitting short wavelengths) ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) are preferable. Examples of the semiconductor structure include a homostructure having a MIS junction, a PIN junction, and a pn junction, a heterostructure, and a double heterostructure. Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal. Further, the single quantum well structure or the multiple quantum well structure in which the active layer 17 is formed in a thin film in which a quantum effect is generated can be used.

窒化物半導体を使用した場合、半導体用基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaN等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板14を用いることが好ましい。このサファイア基板14上にMOCVD法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。例えば、サファイア基板14上にGaN、AlN、GaAIN等のバッファ層を形成し、その上にpn接合を有する窒化物半導体を形成させる。また基板は、半導体層を積層した後またはフリップチップ実装した後に、レーザリフトオフ等の方法で取り除くことも可能である。これにより、光取出し効率の高い発光装置とすることができる。   When a nitride semiconductor is used, a material such as sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, or GaN is preferably used for the semiconductor substrate. In order to form a nitride semiconductor with good crystallinity with high productivity, it is preferable to use the sapphire substrate 14. A nitride semiconductor can be formed on the sapphire substrate 14 using MOCVD or the like. For example, a buffer layer of GaN, AlN, GaAIN or the like is formed on the sapphire substrate 14, and a nitride semiconductor having a pn junction is formed thereon. The substrate can also be removed by a method such as laser lift-off after stacking semiconductor layers or after flip-chip mounting. Thereby, it can be set as the light-emitting device with high light extraction efficiency.

基板を有する発光素子4がフリップチップ接合される場合には、基板は透光性を有する基板を用いることが好ましく、例えば、サファイアや炭化ケイ素などの基板を好適に用いることができる。   When the light-emitting element 4 having a substrate is flip-chip bonded, it is preferable to use a light-transmitting substrate, and for example, a substrate such as sapphire or silicon carbide can be suitably used.

本発明の発光ダイオードにおいて白色系を発光させる場合は、蛍光物質からの発光波長との補色関係や透光性樹脂の劣化等を考慮して、発光素子4の発光波長は400nm以上530nm以下であることが好ましく、420nm以上490nm以下であることがより好ましい。発光素子4と蛍光物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるためには、発光素子4の発光波長は450nm以上475nm以下であることがさらに好ましい。なお、比較的紫外線により劣化されにくい部材との組み合わせにより400nmより短い紫外あるいは可視光の短波長領域を主発光波長とする発光素子4を用いることもできる。   In the case where white light is emitted in the light emitting diode of the present invention, the light emission wavelength of the light emitting element 4 is 400 nm or more and 530 nm or less in consideration of the complementary color relationship with the light emission wavelength from the fluorescent material, deterioration of the translucent resin, or the like. It is preferable that it is 420 nm or more and 490 nm or less. In order to further improve the excitation and light emission efficiency of the light emitting element 4 and the fluorescent substance, the light emission wavelength of the light emitting element 4 is more preferably 450 nm or more and 475 nm or less. In addition, the light emitting element 4 which makes ultraviolet light shorter than 400 nm or the short wavelength area | region of visible light shorter than 400 nm by the combination with the member which cannot be easily deteriorated with an ultraviolet-ray can also be used.

(接合部材6)
本実施の形態において、発光素子4を、同一面側に設けられた1対の電極をパッケージ1の成形体40の凹部43より露出された1対のリード電極2と対向させてなるフリップチップ方式にて実装すると、発光面84側に光を遮るものが存在せず、均一な発光を得ることができる。接合部材6の材料は、導電性であれば特に限定されないが、発光素子4の正負両電極およびリード電極2のメッキ材料に含まれる材料の少なくとも1種を含有することが好ましい。接合部材6の材料として、例えばAu−Sn系、Sn−Ag−Cu系、Pb−Sn系等のはんだを挙げることができる。
(Joining member 6)
In the present embodiment, the light emitting element 4 is a flip-chip system in which a pair of electrodes provided on the same surface is opposed to a pair of lead electrodes 2 exposed from the recess 43 of the molded body 40 of the package 1. When there is no mounting, there is no light blocking member on the light emitting surface 84 side, and uniform light emission can be obtained. The material of the bonding member 6 is not particularly limited as long as it is conductive, but preferably contains at least one of the materials included in the positive and negative electrodes of the light emitting element 4 and the plating material of the lead electrode 2. Examples of the material of the bonding member 6 include Au—Sn, Sn—Ag—Cu, and Pb—Sn solders.

発光素子4の実装は、発光素子4の電極の表面に設けられたはんだで実装することが好ましい。後述するバンプ6等による実装では、発光素子4に対して荷重をかける必要があるが、リードフレームが不安定で荷重をかけにくいという問題がある。また、成形体40の凹部43が狭いので、発光素子4を載せてリフローしただけで接合できるはんだでの実装が好ましい。このようなリフロー工程を有する実装の場合には、発光装置80に対して高温の熱をかけるので、発光素子への電気的導通が失われることを抑制するという本発明の効果が特に高い。   The light emitting element 4 is preferably mounted with solder provided on the surface of the electrode of the light emitting element 4. In mounting with bumps 6 and the like described later, it is necessary to apply a load to the light emitting element 4, but there is a problem that the lead frame is unstable and difficult to apply a load. Moreover, since the recessed part 43 of the molded object 40 is narrow, mounting with the solder which can be joined only by mounting and reflowing the light emitting element 4 is preferable. In the case of mounting having such a reflow process, since the high-temperature heat is applied to the light emitting device 80, the effect of the present invention of suppressing loss of electrical conduction to the light emitting element is particularly high.

発光素子4の実装では、発光素子4の電極の表面にはんだ材料をスパッタ法等で設けられた後、はんだ材料を介して発光素子4をリード電極2に接合することが好ましい。この場合、実装されるリード電極2側に溶融助剤(フラックス)を塗布し、その上に発光素子4を実装し、リフローするなどによって、発光素子4の電極とリード電極2とを接合することができる。   In mounting the light emitting element 4, it is preferable that a solder material is provided on the surface of the electrode of the light emitting element 4 by sputtering or the like, and then the light emitting element 4 is joined to the lead electrode 2 through the solder material. In this case, the electrode of the light emitting element 4 and the lead electrode 2 are joined by applying a melting aid (flux) to the mounted lead electrode 2 side, mounting the light emitting element 4 thereon, and performing reflow. Can do.

発光素子4の実装のための他の方法として、各リード電極2上にそれぞれAuからなるバンプ6を形成し、各接合部材6上に発光素子4の各電極を対向させ、熱、超音波および荷重を印加することによりバンプ6とリード電極2とを接合する方法を採用することができる。あるいは別の実施の形態では、まず、発光素子4の各リード電極2上にそれぞれ接合部材6を形成した後、各バンプ6と各リード電極2を対向させ、同様に超音波にて接合する。それぞれ形成方法の異なるバンプの種類としては、導電性ワイヤの端部をボンディングした後、該端部を残すようにワイヤを切断して得られるスタッドバンプや、所望のマスクパターンを施した後、金属を堆積させることにより得られるバンプ6等がある。また、このようなバンプ6は、リード電極2の側に先に設けることもできるし、発光素子4の電極の側に先に設けることもできるし、リード電極2と発光素子4の電極の側にそれぞれ分けて設けることもできる。   As another method for mounting the light-emitting element 4, bumps 6 made of Au are formed on the lead electrodes 2, and the electrodes of the light-emitting element 4 are opposed to the bonding members 6. A method of joining the bump 6 and the lead electrode 2 by applying a load can be employed. Alternatively, in another embodiment, first, the bonding members 6 are formed on the respective lead electrodes 2 of the light emitting element 4, and then the bumps 6 and the respective lead electrodes 2 are opposed to each other and similarly bonded by ultrasonic waves. The types of bumps differing in formation method include stud bumps obtained by bonding the ends of conductive wires and then cutting the wires to leave the ends, and after applying a desired mask pattern, There are bumps 6 obtained by depositing. Further, such a bump 6 can be provided first on the lead electrode 2 side, can be provided first on the electrode side of the light emitting element 4, or the lead electrode 2 and the electrode side of the light emitting element 4 can be provided. They can also be provided separately.

なお、発光素子4の実装は、フリップチップ実装に限られず、ダイボンディングとワイヤボンディングとを用いて実装することができる。発光素子4を実装するためのスペースである成形体40の凹部43が狭いので、発光素子4の実装は、フリップチップ実装を用いることが好ましい。   The mounting of the light emitting element 4 is not limited to flip chip mounting, and can be mounted using die bonding and wire bonding. Since the concave portion 43 of the molded body 40, which is a space for mounting the light emitting element 4, is narrow, it is preferable to use flip chip mounting for mounting the light emitting element 4.

発光素子4の電極形状は、パッケージ1の第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bへの実装に適合するように配置される。なお、発光素子4の電極形状が任意の形状である場合であっても、発光素子4をパッケージ1へ実装する際に、パッケージ1の第1および第2のリード電極2a、2bの実装部52a、52bへの実装に適合するように、絶縁膜等を介して発光素子4の電極形状を再配置することができる。図9に、本発明の発光装置に用いることのできる発光素子4の電極を配置した面の模式的な平面図を示す。また、図10に、図9に示す発光素子4の破線A−A’における模式的な断面図を示す。発光素子4の第1電極(図9および図10の例では、n側パッド電極22)および第2電極(図9および図10の例では、p側パッド電極21)の形状は、半導体積層体(図10に示すようなn型半導体層16、活性層17およびp型半導体層18等の積層体)の形状、実装するリードフレームの実装部の形状等によって設定することができる。例えば、第1電極および第2電極は、それぞれ第1のリード電極2aおよび第2のリード電極2bの実装部52a、52bに対応した形状であることが好ましい。第1電極および第2電極は、それぞれが四角形またはこれに近い形状とすることが好ましい。この場合、少なくとも、実装部52a、52bに接続される発光素子4の最表面において、第1電極および第2電極の平面形状が略同じであることが好ましい。また、半導体積層体の中央部分をはさんで、第1電極および第2電極がそれぞれ対向するように配置されていることが好ましい。図9および図10に示す発光素子4の例では、半導体積層体に接触する電極は、n側電極20およびp側全面電極19であるが、絶縁層23を配置することにより、図2に示すようなパッケージ1への実装に適合するように、n側パッド電極22およびp側パッド電極21の形状を再配置している。   The electrode shape of the light emitting element 4 is arranged so as to be suitable for mounting the first and second lead electrodes 2a, 2b of the package 1 on the mounting portions 52a, 52b. Even when the electrode shape of the light emitting element 4 is an arbitrary shape, when the light emitting element 4 is mounted on the package 1, the mounting portions 52a of the first and second lead electrodes 2a and 2b of the package 1 are used. , 52b, the electrode shape of the light-emitting element 4 can be rearranged through an insulating film or the like so as to be suitable for mounting on 52b. FIG. 9 shows a schematic plan view of the surface on which the electrodes of the light emitting element 4 that can be used in the light emitting device of the present invention are arranged. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view taken along broken line A-A ′ of the light-emitting element 4 shown in FIG. 9. The shape of the first electrode (the n-side pad electrode 22 in the examples of FIGS. 9 and 10) and the second electrode (the p-side pad electrode 21 in the examples of FIGS. 9 and 10) of the light emitting element 4 is the semiconductor laminate. It can be set according to the shape of the laminated body (such as the n-type semiconductor layer 16, active layer 17, and p-type semiconductor layer 18 as shown in FIG. 10), the shape of the mounting portion of the lead frame to be mounted, and the like. For example, it is preferable that the first electrode and the second electrode have shapes corresponding to the mounting portions 52a and 52b of the first lead electrode 2a and the second lead electrode 2b, respectively. Each of the first electrode and the second electrode is preferably a square or a shape close to this. In this case, it is preferable that the planar shapes of the first electrode and the second electrode are substantially the same at least on the outermost surface of the light emitting element 4 connected to the mounting parts 52a and 52b. Moreover, it is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged to face each other across the central portion of the semiconductor stacked body. In the example of the light emitting element 4 shown in FIGS. 9 and 10, the electrodes that are in contact with the semiconductor stacked body are the n-side electrode 20 and the p-side full surface electrode 19. The shapes of the n-side pad electrode 22 and the p-side pad electrode 21 are rearranged so as to be suitable for mounting on the package 1.

第1電極および第2電極の上面(活性層17などの半導体層とは反対側の面)は、段差を有していてもよいが、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体のn型半導体層16の活性層17と接する側と反対側の面から第1電極の表面(第1電極の半導体積層体とは反対側の面)までの高さと、第2電極の表面までの高さとが、略同じであることを意味する。ここでの略同じとは、半導体積層体の高さの±10%程度の変動は許容される。このように、第1電極および第2電極の上面を略平坦、つまり、実質的に面一とすることにより、リードフレーム上に水平に実装することが容易となる。このような第1電極および第2電極を形成するためには、例えば、電極上にメッキ等で金属膜を設け、その後、略面一となるよう研磨や切削を行うことで実現することができる。   The upper surfaces of the first electrode and the second electrode (the surface opposite to the semiconductor layer such as the active layer 17) may have a step, but are preferably substantially flat. Here, the term “flat” refers to the surface of the n-type semiconductor layer 16 of the semiconductor stacked body from the side opposite to the side in contact with the active layer 17 to the surface of the first electrode (surface opposite to the semiconductor stacked body of the first electrode). Means that the height to the surface of the second electrode is substantially the same. Here, “substantially the same” allows a variation of about ± 10% of the height of the semiconductor stacked body. As described above, when the upper surfaces of the first electrode and the second electrode are substantially flat, that is, substantially flush with each other, it becomes easy to mount horizontally on the lead frame. In order to form such a first electrode and a second electrode, for example, a metal film is provided on the electrode by plating or the like, and thereafter, polishing and cutting are performed so as to be substantially flush with each other. .

また、電極と半導体積層体との間(図10に示す例では、p側全面電極19とp型半導体層18との間、またはn側電極20とn型半導体層16との間)に、両者の電気的な接続を阻害しない範囲で、DBR(分布ブラッグ反射器)を配置してもよい。DBRは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層とを積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させることができる。材料として、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。   Further, between the electrode and the semiconductor stacked body (in the example shown in FIG. 10, between the p-side full surface electrode 19 and the p-type semiconductor layer 18 or between the n-side electrode 20 and the n-type semiconductor layer 16), A DBR (distributed Bragg reflector) may be disposed within a range that does not hinder the electrical connection between the two. The DBR has a multilayer structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer are laminated on an underlayer arbitrarily formed of an oxide film, for example, and selectively reflects light having a predetermined wavelength. Specifically, a predetermined wavelength can be reflected with high efficiency by alternately laminating films having different refractive indexes with a thickness of ¼ wavelength. As a material, it can be formed including at least one oxide or nitride selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, and Al.

例えば、低屈折率層をSiO、高屈折率層をNb、TiO、ZrOまたはTa等とすることができる。具体的には、下地層側から順番に(Nb/SiO(nは2〜5)が挙げられる。DBRの総膜厚は0.2〜1μm程度であることが好ましい。このDBRは、上述の絶縁膜として用いられてもよい。これにより、発光装置の光取出し効率を高めることができる。 For example, the low refractive index layer can be made of SiO 2 and the high refractive index layer can be made of Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZrO 2, Ta 2 O 5 or the like. Specifically, (Nb 2 O 5 / SiO 2 ) n (n is 2 to 5) in order from the base layer side. The total film thickness of DBR is preferably about 0.2 to 1 μm. This DBR may be used as the insulating film described above. Thereby, the light extraction efficiency of the light emitting device can be increased.

発光装置80の信頼性を向上させるため、フリップチップ実装された発光素子4の正負両電極間とパッケージ1の凹部底面44に露出されたリード電極2との間に生じた隙間には、アンダフィルを充填してもよい。アンダフィルの材料は、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等を用いることができる。発光素子4からの光取出しを高めるため、アンダフィルには光反射性を有するフィラー、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、およびそれらの複合混合物等が樹脂に混入されてもよい。アンダフィルの量は、発光素子4とリード電極2との間に生じた隙間を埋めることができる量であればよいが、リード電極2を広く覆っていてもよく、また、成形体40の一部を覆っていてもよい。特に、アンダフィルが、成形体40の凹部43内でのリード電極2と成形体40との境界部分(角部)を覆っていることが好ましい。このような角部を光反射性のある樹脂で覆い、曲面状の形状とすることで、発光素子の光取出しを向上させることができる。   In order to improve the reliability of the light emitting device 80, an underfill is formed in a gap formed between the positive and negative electrodes of the light emitting element 4 mounted on the flip chip and the lead electrode 2 exposed on the bottom surface 44 of the recess 1 of the package 1. May be filled. As the underfill material, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin can be used. In order to enhance light extraction from the light emitting element 4, the underfill may be mixed with a resin having a light reflective filler such as titanium oxide, zinc oxide, aluminum oxide, and a composite mixture thereof. The amount of underfill may be an amount that can fill the gap formed between the light emitting element 4 and the lead electrode 2, but may cover the lead electrode 2 widely, The part may be covered. In particular, the underfill preferably covers the boundary portion (corner portion) between the lead electrode 2 and the molded body 40 in the recess 43 of the molded body 40. By covering such corners with a light-reflective resin so as to have a curved shape, light extraction of the light-emitting element can be improved.

[工程4:封止]
次に、発光素子4を外部環境から保護するため透光性の封止部材を設ける。発光素子4あるいはリード電極2等を覆うようにパッケージ1の凹部43内に、封止部材の材料を充填し、硬化させることにより発光素子4等を被覆する。
[Step 4: Sealing]
Next, a translucent sealing member is provided to protect the light emitting element 4 from the external environment. The recess 43 of the package 1 is filled with the material of the sealing member so as to cover the light emitting element 4 or the lead electrode 2 and the like, and the light emitting element 4 is covered by curing.

(封止部材)
封止部材の材料は透光性であれば特に限定されず、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、および、それらの樹脂を少なくとも1種以上含むハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた透光性樹脂を用いることができる。耐光性の高い材料(例えばジメチルシリコーン)、ガスバリア性の高いもの(例えばフェニルシリコーン)が好ましい。また、封止部材は有機物に限られず、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。また、本実施の形態において封止部材は、粘度増量剤、光拡散剤、顔料、蛍光物質等、使用用途に応じてあらゆる部材を添加することができる。光拡散剤として例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化珪素、重質炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム、および、それらを少なくとも1種以上含む混合物等を挙げることができる。さらにまた、封止部材の発光面84側を所望の形状にすることによってレンズ効果を持たせることができ、発光素子4のチップからの発光を集束させたりすることができる。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合わせた形状にすることができる。封止部材は1層でもよいが、2層以上に形成されてもよい。
(Sealing member)
The material of the sealing member is not particularly limited as long as it is translucent. Silicone resin, epoxy resin, urea resin, fluororesin, and hybrid resin including at least one of those resins are excellent in weather resistance. A light resin can be used. A material with high light resistance (for example, dimethyl silicone) and a material with high gas barrier property (for example, phenyl silicone) are preferable. The sealing member is not limited to an organic material, and an inorganic material having excellent light resistance such as glass and silica gel can also be used. In the present embodiment, any member such as a viscosity extender, a light diffusing agent, a pigment, a fluorescent substance, and the like can be added to the sealing member depending on the intended use. Examples of the light diffusing agent include barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, silicon dioxide, heavy calcium carbonate, light calcium carbonate, and a mixture containing at least one of them. Furthermore, by making the light emitting surface 84 side of the sealing member have a desired shape, a lens effect can be provided, and light emitted from the chip of the light emitting element 4 can be focused. Specifically, a convex lens shape, a concave lens shape, an elliptical shape as viewed from the light emission observation surface, or a shape obtained by combining a plurality of them can be used. The sealing member may be a single layer, but may be formed in two or more layers.

(蛍光物質)
本発明の発光装置80では、発光素子4、封止部材、アンダフィルおよびパッケージ1等の各構成部材中および/またはその周辺に無機蛍光物質や有機蛍光物質のような種々の蛍光物質を配置させることができる。また、本実施の形態における蛍光物質は、封止部材の発光観測面側表面を被覆するように封止部材の外部に設けられる他、封止部材の発光観測面側表面および発光素子4から離間させた位置に、蛍光体を含む層あるいはフィルターとして封止部材の内部に設けることもできる。
(Fluorescent substance)
In the light emitting device 80 of the present invention, various fluorescent materials such as an inorganic fluorescent material and an organic fluorescent material are arranged in and / or around each component member such as the light emitting element 4, the sealing member, the underfill, and the package 1. be able to. Further, the fluorescent material in the present embodiment is provided outside the sealing member so as to cover the light emission observation surface side surface of the sealing member, and is separated from the light emission observation surface side surface of the sealing member and the light emitting element 4. It can also be provided inside the sealing member as a layer containing a phosphor or a filter at the position.

本発明の発光装置80に用いることのできる蛍光物質の一例として、発光素子4として青色発光する窒化ガリウム系発光素子を用いる場合、青色光を吸収して黄色〜緑色系発光するYAG系、LAG系、緑色発光するSiAlON系(βサイアロン)、赤色発光するSCASN、およびCASN系の蛍光体を単独または組み合わせて用いることができる。   As an example of a fluorescent material that can be used in the light emitting device 80 of the present invention, when a gallium nitride-based light emitting element that emits blue light is used as the light emitting element 4, a YAG system or LAG system that absorbs blue light and emits yellow to green light. Further, SiAlON-based (β sialon) emitting green light, SCASN emitting red light, and CASN-based phosphors can be used alone or in combination.

[工程5:発光装置80毎に分離]
次に、リードフレームから各リード電極2との連結部分を切断して個々の発光装置80に分離する。なお、パッケージ1を支持するハンガーリードを設けた場合は、以下に述べるフォーミングを行った後、ハンガーリードによる支持を取り除き、図1に示されるようなパッケージ1とする。ハンガーリードを利用することにより、フォーミング工程が各1対のリード電極2に対してまとめて行えるため、発光装置80の形成工程数を減らし作業性を向上させることができる。
[Step 5: Separate for each light emitting device 80]
Next, a connection portion with each lead electrode 2 is cut from the lead frame and separated into individual light emitting devices 80. In addition, when the hanger lead which supports the package 1 is provided, after performing the forming described below, the support by the hanger lead is removed to obtain the package 1 as shown in FIG. By using the hanger leads, the forming process can be performed collectively for each pair of lead electrodes 2, so that the number of steps for forming the light emitting device 80 can be reduced and the workability can be improved.

[工程6:リード電極2のフォーミング]
次に、図13に示すように、パッケージ1の端面から突出した第1および第2のリード電極2を、パッケージ1の下面にそって折り曲げる。
[Step 6: Forming of lead electrode 2]
Next, as shown in FIG. 13, the first and second lead electrodes 2 protruding from the end surface of the package 1 are bent along the lower surface of the package 1.

本実施の形態において、第1および第2のリード電極2a、2bがパッケージ1の下面から突出してアウターリード部60を形成している場合、アウターリード部60はパッケージ1の正面に対向する裏面側に向かって折り曲げることが好ましい。これにより発光面84側に実装ハンダ等が悪影響を及ぼすことなく、発光装置80を配線基板に実装することができる。なお、本発明の接続端子部の構造は、パッケージ1の下面から突出した部分とそこから分岐した部分を有していることが好ましい。分岐部は好ましくは突出した部分に対して直角である。分岐は、1つ(L字型)であってもよく、2つ以上(T字型)等のであってもよい。   In the present embodiment, when the first and second lead electrodes 2 a and 2 b protrude from the lower surface of the package 1 to form the outer lead portion 60, the outer lead portion 60 is the back side facing the front surface of the package 1. It is preferable to bend it toward. As a result, the light emitting device 80 can be mounted on the wiring board without adverse effects of mounting solder or the like on the light emitting surface 84 side. In addition, it is preferable that the structure of the connection terminal part of this invention has the part protruded from the lower surface of the package 1, and the part branched from there. The branch is preferably perpendicular to the protruding portion. The number of branches may be one (L-shaped) or two or more (T-shaped).

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。   Examples according to the present invention will be described in detail below. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1) Example 1

図9は、本実施例におけるLEDチップの電極を配置した面の模式的な平面図を示し、図10は、図9の破線A−A’における模式的な断面図を示す。ここで、LEDチップの電極の最表面(p側パッド電極21およびn側パッド電極22の表面)には、70:30のAu−Snのはんだが、30μmの厚みで設けられている。このはんだは、電極の形成と同時に行うことができる。具体的には、LEDチップの電極形成用のマスクを用いて、スパッタ法により、はんだを電極の上に膜状に形成することができる。   FIG. 9 is a schematic plan view of the surface on which the electrodes of the LED chip in this embodiment are arranged, and FIG. 10 is a schematic cross-sectional view taken along the broken line A-A ′ in FIG. 9. Here, 70:30 Au—Sn solder with a thickness of 30 μm is provided on the outermost surfaces of the electrodes of the LED chip (the surfaces of the p-side pad electrode 21 and the n-side pad electrode 22). This soldering can be performed simultaneously with the formation of the electrodes. Specifically, the solder can be formed into a film on the electrode by sputtering using a mask for forming the electrode of the LED chip.

0.15mm厚の鉄入り銅からなる長尺金属板に対し打ち抜き加工を施し、各パッケージ1に挿入される第1および第2のリード電極2a、2bを複数有するリードフレームを形成する。また、光反射率を向上させるため、リードフレーム表面にAgメッキを施す。   A long metal plate made of iron-containing copper having a thickness of 0.15 mm is punched to form a lead frame having a plurality of first and second lead electrodes 2 a and 2 b inserted into each package 1. Further, Ag plating is applied to the surface of the lead frame in order to improve the light reflectance.

次に、図4(a)に示すような形状の第1および第2のリード電極2a、2bが連続した状態で形成されたリードフレームが挿入されて閉じられた成形用型内に、パッケージ1の下面側に相当するゲートから溶融されたポリフタルアミド樹脂を流し込み硬化させ、図2に示す構造のパッケージ1を形成する。パッケージ1は、発光素子4を収納可能な凹部43を有し、凹部底面44から第1および第2のリード電極2a、2bの一部が実装部52a、52bとして露出され、それぞれの電極端部53a、53bが成形体40に埋設されるように成形されている。また、パッケージ1の下面から突出されたリード電極2のそれぞれは、リードフレームと接続されている。   Next, the package 1 is placed in a molding die in which a lead frame formed in a state in which the first and second lead electrodes 2a and 2b having a shape as shown in FIG. A molten polyphthalamide resin is poured from a gate corresponding to the lower surface side of the resin and cured to form the package 1 having the structure shown in FIG. The package 1 has a recess 43 capable of accommodating the light emitting element 4, and a part of the first and second lead electrodes 2a and 2b is exposed from the bottom surface 44 of the recess as mounting portions 52a and 52b. 53 a and 53 b are molded so as to be embedded in the molded body 40. Each lead electrode 2 protruding from the lower surface of the package 1 is connected to a lead frame.

このように形成されたパッケージ1の凹部底面44に露出されたリード電極2の実装部52に、フラックスをピン転写で設ける。そして、発光素子4(LEDチップ)のはんだを設けた電極が、フラックスと接するように、パッケージ1の凹部底面44から露出された各リード電極2とそれぞれ対向させて配置する。そして、リフロー炉にて270℃での加熱を行い、はんだを溶融させ、発光素子4と各リード電極2との電気的導通を取るためのフリップチップ実装を行う。   The flux is provided by pin transfer on the mounting portion 52 of the lead electrode 2 exposed on the bottom surface 44 of the recess 1 of the package 1 formed in this way. And the electrode which provided the solder of the light emitting element 4 (LED chip) is arrange | positioned facing each lead electrode 2 exposed from the recessed part bottom face 44 of the package 1 so that a flux may be contacted. Then, heating at 270 ° C. is performed in a reflow furnace, the solder is melted, and flip chip mounting is performed to establish electrical continuity between the light emitting element 4 and each lead electrode 2.

次に、封止部材を形成する。まず、フェニルメチル系シリコーン樹脂組成物100wt%(屈折率1.53)に対して、蛍光体としてYAG、拡散剤として平均粒径1.0μm、吸油量70ml/100gである軽質炭酸カルシウム(屈折率1.62)を3wt%含有させた硬化性組成物を準備する。   Next, a sealing member is formed. First, light calcium carbonate (refractive index) having YAG as a phosphor, an average particle diameter of 1.0 μm as a diffusing agent, and an oil absorption of 70 ml / 100 g with respect to 100 wt% of phenylmethyl silicone resin composition (refractive index of 1.53). A curable composition containing 3 wt% of 1.62) is prepared.

こうして得られた硬化性組成物をパッケージ1の凹部43内に、凹部43の両端部上面と同一平面ラインまで充填させる。最後に、70℃×3時間、および150℃×1時間熱処理を施す。これにより、凹部43の両端部上面から中央部にかけて略左右対称の放物線状に滑らかな凹みを有する発光面84が得られる。また、硬化性組成物の硬化物からなる封止部材は、発光素子4から近い側に、蛍光体と拡散剤の含有量の多い第一の層と、発光素子4から離れた側に該第一の層より拡散剤の含有量が少ないか、もしくは含有していない第二の層との2層に分離しており、LEDチップの表面は第一の層にて被覆されている。さらに、第一の層は、凹部底面44からLEDチップの表面にかけて連続して形成されていることが好ましい。これにより、LEDチップから発光される光を効率良く外部へ取り出すことができるとともに良好な光の均一性が得られる。   The curable composition thus obtained is filled in the concave portion 43 of the package 1 up to the same plane line as the upper surfaces of both end portions of the concave portion 43. Finally, heat treatment is performed at 70 ° C. × 3 hours and 150 ° C. × 1 hour. As a result, a light emitting surface 84 having a smooth recess in a substantially parabolic shape from the upper surface to the center of both end portions of the recess 43 is obtained. In addition, the sealing member made of a cured product of the curable composition has a first layer having a high phosphor and diffusing agent content on the side closer to the light emitting element 4, and a first layer on the side away from the light emitting element 4. The content of the diffusing agent is less than that of one layer or is separated into two layers including a second layer not containing the diffusing agent, and the surface of the LED chip is covered with the first layer. Furthermore, the first layer is preferably formed continuously from the bottom surface 44 of the recess to the surface of the LED chip. Thereby, the light emitted from the LED chip can be efficiently extracted to the outside, and good light uniformity can be obtained.

このようにして得られた発光装置80は、発光素子4への電気的導通が失われることを抑制することのできるものである。   The light emitting device 80 obtained in this manner can suppress the loss of electrical continuity to the light emitting element 4.

(実施例2)
図11は、本発明の発光装置80を用いた面状光源の一実施例を示す模式的な斜視図であり、図12は、図11に示す発光装置80の断面図である。なお、図11において影になる部分は点線で示す。
(Example 2)
FIG. 11 is a schematic perspective view showing an embodiment of a planar light source using the light emitting device 80 of the present invention, and FIG. 12 is a cross-sectional view of the light emitting device 80 shown in FIG. Note that the shaded portion in FIG. 11 is indicated by a dotted line.

本実施例における面状光源は、実施例1と同様にして形成される発光装置80と、アクリル樹脂を材料とする透光性部材である導光板31とからなる。導光板31は、複数の発光装置80を装着するための装着面33を有する。また、導光板31は、複数の発光装置80からの光をそれぞれ導光板31内部に導入する光入射部34を一側面に有し、導光板31の内壁面における反射を利用して他の一側面に設けられた光出射面35から面状に光を照射する。なお、光入射部34の壁面には、発光装置80からの光が導光板31内へ広範囲に入射するようにプリズム形状(図示せず)を設けることもできる。   The planar light source in the present embodiment includes a light emitting device 80 formed in the same manner as in the first embodiment, and a light guide plate 31 that is a translucent member made of acrylic resin. The light guide plate 31 has a mounting surface 33 for mounting a plurality of light emitting devices 80. In addition, the light guide plate 31 has a light incident portion 34 that introduces light from the plurality of light emitting devices 80 into the light guide plate 31 on one side, and uses the reflection on the inner wall surface of the light guide plate 31 to make another one. Light is irradiated in a planar shape from a light emitting surface 35 provided on the side surface. Note that a prism shape (not shown) may be provided on the wall surface of the light incident portion 34 so that light from the light emitting device 80 enters the light guide plate 31 in a wide range.

本発明に係る発光装置80は、高い光束が要求される液晶ディスプレイのバックライト、パネルメーター、表示灯や面発光スイッチおよび光学センサなどに利用可能である。   The light emitting device 80 according to the present invention can be used for a backlight of a liquid crystal display, a panel meter, an indicator lamp, a surface emitting switch, an optical sensor, and the like that require a high luminous flux.

1 パッケージ
2 リード電極
2a 第1のリード電極
2b 第2のリード電極
4 発光素子
6 接合部材(バンプ)
14 サファイア基板
16 n型半導体層
17 活性層
18 p型半導体層
19 p側全面電極
20 n側電極
21 p側パッド電極(第2電極)
22 n側パッド電極(第1電極)
23 絶縁層
31 導光板
33 装着面
34 光入射部
35 光出射面
40 成形体
41 第1の凹部側面
42 第2の凹部側面
43 凹部
44 凹部底面
45 電極埋設部
47 第1の成形体側面
48 第2の成形体側面
50、50a、50b インナーリード部
51、51a、51b 接続部
52、52a、52b 実装部
53、53a、53b 電極端部
60、60a、60b アウターリード部
80 発光装置
82 主面
84 発光面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package 2 Lead electrode 2a 1st lead electrode 2b 2nd lead electrode 4 Light emitting element 6 Joining member (bump)
14 Sapphire substrate 16 n-type semiconductor layer 17 active layer 18 p-type semiconductor layer 19 p-side full surface electrode 20 n-side electrode 21 p-side pad electrode (second electrode)
22 n-side pad electrode (first electrode)
23 Insulating layer 31 Light guide plate 33 Mounting surface 34 Light incident portion 35 Light emitting surface 40 Molded body 41 First concave portion side surface 42 Second concave portion side surface 43 Recess portion 44 Recessed portion bottom surface 45 Electrode embedded portion 47 First molded body side surface 48 First Side surface 50, 50a, 50b Inner lead portion 51, 51a, 51b Connection portion 52, 52a, 52b Mounting portion 53, 53a, 53b Electrode end portion 60, 60a, 60b Outer lead portion 80 Light emitting device 82 Main surface 84 Light emitting surface

Claims (9)

発光素子と、
前記発光素子が収納される凹部を正面に有する成形体と、前記成形体に埋設されるとともに、一部が前記凹部の底面に露出され、一部が前記成形体の下面側に配置される第1および第2のリード電極とを有するパッケージと、を備えた発光装置であって、
前記発光素子は、前記凹部底面に露出した前記第1および第2のリード電極の実装部に実装され、
前記第1および第2のリード電極は、前記凹部の底面において前記成形体の上下方向に並んで設けられ、前記実装部をはさんで配置された前記成形体の第1および第2の凹部側面の両側において、前記成形体に埋設されており、
前記第1および第2のリード電極の電極端部の全体が前記成形体に埋設されており、
前記第1および第2のリード電極の前記実装部がそれぞれ長辺を有し、前記それぞれの長辺の少なくとも一部が略平行に配置され、
前記凹部は、前記成形体の前記第1および第2の凹部側面を結ぶ方向の長さよりも前記成形体の上下方向の長さが短いことを特徴とする発光装置。
A light emitting element;
A molded body having a concave portion in the front for accommodating the light emitting element, and a portion that is embedded in the molded body, part of which is exposed on the bottom surface of the concave portion, and part of the molded body is disposed on the lower surface side of the molded body. A light emitting device comprising: a package having first and second lead electrodes,
The light emitting element is mounted on the mounting portion of the first and second lead electrodes exposed on the bottom surface of the recess,
Wherein the first and second lead electrodes are arranged in the vertical direction of the molded body at the bottom of the recess, first and second recess side of the mounting portion disposed Nde Hasa the the said molded body Embedded in the molded body on both sides of the surface ,
The entire electrode ends of the first and second lead electrodes are embedded in the molded body,
The mounting portions of the first and second lead electrodes each have a long side, and at least a part of each of the long sides is arranged substantially in parallel ;
The light emitting device according to claim 1, wherein the concave portion has a length in a vertical direction of the molded body shorter than a length in a direction connecting the side surfaces of the first concave portion and the second concave portion of the molded body .
前記発光素子が、フリップチップ実装された請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is flip-chip mounted. 前記第1および第2のリード電極は、前記成形体に埋設されその一部が前記凹部の底面に露出するインナーリード部と、前記パッケージの下面側に配置されるアウターリード部を有し、
前記インナーリード部は、電極端部と、前記発光素子が実装される実装部と、前記実装部と前記アウターリード部との間にある接続部とを有し、前記電極端部の少なくとも一部と前記接続部とは前記成形体に埋設されており、前記第1のリード電極は、前記接続部を前記成形体の第1の凹部側面側に有し、前記電極端部を前記成形体の第1の凹部側面の反対側の第2の凹部側面側に有し、前記第2のリード電極は、接続部を前記成形体の第2の凹部側面側に有し、前記電極端部を前記成形体の第1の凹部側面側に有することを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
The first and second lead electrodes have an inner lead portion embedded in the molded body and a part of the inner lead portion exposed on the bottom surface of the recess, and an outer lead portion disposed on the lower surface side of the package,
The inner lead portion includes an electrode end portion, a mounting portion on which the light emitting element is mounted, and a connection portion between the mounting portion and the outer lead portion, and at least a part of the electrode end portion. And the connection portion are embedded in the molded body, and the first lead electrode has the connection portion on the side of the first concave portion of the molded body, and the electrode end portion of the molded body. The second lead electrode has a connection portion on the second recess side surface side of the molded body, and the electrode end portion has the electrode end portion on the second recess side surface side opposite to the first recess side surface. the light emitting device according to claim 1 or 2, characterized in that it has a first recess side surface side of the molded body.
前記第1および第2のリード電極の一方の前記接続部と他の一方の前記電極端部が、対向して配置される、請求項に記載の発光装置。 4. The light emitting device according to claim 3 , wherein one of the connection portions of the first and second lead electrodes and the other electrode end are disposed to face each other. 前記第1および第2のリード電極のそれぞれの前記接続部の上下方向の幅が、前記電極端部と対向する部分において、前記電極端部の上下方向の幅の0.8〜1.2倍である、請求項またはに記載の発光装置。 The vertical width of the connecting portion of each of the first and second lead electrodes is 0.8 to 1.2 times the vertical width of the electrode end at a portion facing the electrode end. The light-emitting device according to claim 3 or 4 , wherein 前記電極端部の上下方向の幅は、前記実装部の上下方向の幅よりも狭いことを特徴とする請求項からのいずれか1項に記載の発光装置。 Vertical width of the electrode end portion, the light emitting device according to any one of 5 claims 3, characterized in that narrower than the vertical width of the mounting portion. 前記発光素子は、はんだを用いて前記実装部に実装されることを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device, light emitting device according to any one of 6 claim 1, characterized in that mounted on the mounting portion using a solder. 発光素子と、
前記発光素子が収納される凹部を正面に有する成形体と、前記成形体に埋設され、第1および第2のリード電極とを有するパッケージと、を備えた発光装置であって、
前記第1および第2のリード電極は、前記成形体に埋設されその一部が前記凹部の底面に露出するインナーリード部と、前記パッケージの下面側に配置されるアウターリード部とを有し、
前記インナーリード部は、電極端部と、前記発光素子が実装される実装部と、前記実装部と前記アウターリード部との間にある接続部とを有し、前記電極端部と前記接続部とは前記成形体に埋設されており、前記発光素子は実装部にフリップチップ実装されており、
前記インナーリード部の前記電極端部の全体が前記成形体に埋設されており、
前記第1のリード電極は、前記接続部を前記成形体の第1の凹部側面側に有し、前記電極端部を前記成形体の第1の凹部側面の反対側の第2の凹部側面側に有し、前記第2のリード電極は、接続部を前記成形体の第2の凹部側面側に有し、前記電極端部を前記成形体の第1の凹部側面側に有し、
前記凹部は、前記成形体の前記第1および第2の凹部側面側を結ぶ方向よりも前記成形体の上下方向に狭いことを特徴とする発光装置。
A light emitting element;
A light emitting device comprising: a molded body having a concave portion in which the light emitting element is housed on the front; and a package embedded in the molded body and having first and second lead electrodes,
The first and second lead electrodes have an inner lead portion embedded in the molded body and a part of the first lead electrode exposed at the bottom surface of the recess, and an outer lead portion disposed on the lower surface side of the package,
The inner lead portion includes an electrode end portion, a mounting portion on which the light emitting element is mounted, and a connecting portion between the mounting portion and the outer lead portion, and the electrode end portion and the connecting portion. Is embedded in the molded body, and the light-emitting element is flip-chip mounted on the mounting portion,
The entire electrode end portion of the inner lead portion is embedded in the molded body,
The first lead electrode has the connection portion on the side of the first recess side of the molded body, and the electrode end portion on the side of the second recess on the side opposite to the first recess side of the molded body. to a, the second lead electrode, the connection portion has a second recess side surface side of the molded body, possess the electrode end portion to the first recess side surface side of the molded body,
The light emitting device according to claim 1, wherein the concave portion is narrower in a vertical direction of the molded body than a direction connecting the side surfaces of the first and second concave portions of the molded body .
前記第1および第2のリード電極は、前記凹部の底面において前記成形体の上下方向に並んで設けられていることを特徴とする請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 8 , wherein the first and second lead electrodes are provided side by side in a vertical direction of the molded body on a bottom surface of the concave portion.
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