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JP6248066B2 - Switching power supply circuit - Google Patents

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JP6248066B2 JP2015126048A JP2015126048A JP6248066B2 JP 6248066 B2 JP6248066 B2 JP 6248066B2 JP 2015126048 A JP2015126048 A JP 2015126048A JP 2015126048 A JP2015126048 A JP 2015126048A JP 6248066 B2 JP6248066 B2 JP 6248066B2
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耕亮 早川
耕亮 早川
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Description

本発明はスイッチング電源回路に関し、特に同期整流方式によりプロセッサ等の負荷に供給する電流を遮断した際の残留電荷を処理する場合に適用して有用なものである。   The present invention relates to a switching power supply circuit, and is particularly useful when applied to processing of residual charges when current supplied to a load such as a processor is interrupted by a synchronous rectification method.

電子機器の低消費電力要求に伴い処理用のプロセッサの低動作電圧化が進んでいる。かかるプロセッサの電源としては、同期整流方式で動作するDC/DCコンバータを有するスイッチング電源回路が汎用されている。DC/DCコンバータは電源として一般的に用いられている技術であり、リニアレギュレータなどより電圧変換時の電力損失が少ないという特長を有している。したがって、動作に際して低電圧大電流を要するプロセッサの電源用途としては最適である。   With the demand for low power consumption of electronic devices, the operating voltage of processing processors has been reduced. As a power supply for such a processor, a switching power supply circuit having a DC / DC converter that operates in a synchronous rectification method is widely used. The DC / DC converter is a technique generally used as a power source, and has a feature that power loss during voltage conversion is smaller than that of a linear regulator or the like. Therefore, it is optimal as a power supply application for a processor that requires a low voltage and a large current during operation.

機器内では、プロセッサ用の低電圧系統の他に、メモリ用、アナログ部品用、機械部品用と、幾つかの電源系統が備えられる。これらの電源系統の電圧は、おおもとの1つの電源から個別に所定電圧を生成するか、または電圧の高いものから低いものへと順に降圧することで生成する。機器内で使用する部品の中には、電圧値が異なる複数の電源系統を必要とするものもある。   In the device, in addition to the low-voltage system for the processor, several power systems are provided for memory, analog parts, and machine parts. The voltages of these power supply systems are generated by individually generating a predetermined voltage from one original power supply or by stepping down from a higher voltage to a lower voltage. Some parts used in the device require a plurality of power supply systems having different voltage values.

複数電源を要する部品が半導体素子である場合、与える電源系統の順序が適正でないと、半導体素子内に存在する寄生素子が意図せず動作して部品に損傷を与える危険がある。よって、複数電源系統を持つ機器では、それぞれの電源系統に電圧を投入/遮断する、電源オンシーケンス/オフシーケンスが定められている。ここで、電源オンシーケンスは電圧の高い電源系統から投入され、電源オフシーケンスでは電圧の低い電源系統から遮断されていくのが一般的である。   When a component requiring a plurality of power supplies is a semiconductor element, if the order of the power supply system to be applied is not appropriate, there is a risk that a parasitic element existing in the semiconductor element operates unintentionally and damages the component. Therefore, in a device having a plurality of power supply systems, a power-on sequence / off sequence for applying / cutting off voltage to each power supply system is determined. Here, the power-on sequence is generally started from a power supply system with a high voltage, and the power-off sequence is generally shut off from a power supply system with a low voltage.

電源オンシーケンスは、各電源系統を出力生成する電源部品を動作開始させるタイミングとそれら電源が所要の電圧値を出力するまでの時間で達成される。電源オフシーケンスは、各電源系統を出力生成する電源部品を動作停止させるタイミングと各電源系統の電圧値が低下するまでの時間で達成される。   The power-on sequence is achieved by the timing of starting the operation of the power supply components that generate and output each power supply system and the time until these power supplies output a required voltage value. The power-off sequence is achieved by the timing of stopping the operation of the power supply components that generate and output each power system and the time until the voltage value of each power system decreases.

電源オフシーケンスにおいては電源部品の出力動作を停止させる前に、各電源系統下にある負荷の動作が予め停止させられている。よって、電源部品が動作停止すると各電源系統から消費される電流は、高抵抗負荷やリーク電流などによるごく小さい電流である。各電源系統と接地の間には電圧安定化の為にコンデンサが設けられているが、電源部品の動作停止の後に各電源系統の負荷が低電流消費状態であると、これらの電源系統の電圧が低下するのに時間がかかってしまう。このため、電源部品には出力している電源系統に残留する電荷を放電する機構が備えられているものもある。放電する機構としては、例えば特許文献1で開示されているように、専用の放電回路を電源内に備えるものもある。しかしながら、専用回路を付加するためには追加のコストが必要になる。そこで、コスト増を回避しつつ所定の放電を行わせるために、DC/DCコンバータが内蔵しているスイッチング用のトランジスタを用いる方法が、例えば特許文献2で提案されている。特許文献2では、電源部品に停止信号が与えられるとコイルと接地間のスイッチング用のトランジスタを導通状態にして出力の電荷を放電させている。   In the power-off sequence, the operation of the load under each power supply system is stopped in advance before stopping the output operation of the power supply components. Therefore, when the power supply component stops operating, the current consumed from each power supply system is a very small current due to a high resistance load, a leakage current, or the like. Capacitors are provided between each power supply system and ground to stabilize the voltage.If the load of each power supply system is in a low current consumption state after the operation of the power supply parts stops, the voltage of these power supply systems It takes time to decrease. For this reason, some power supply components are provided with a mechanism for discharging electric charge remaining in the output power supply system. As a mechanism for discharging, for example, as disclosed in Patent Document 1, there is a mechanism including a dedicated discharge circuit in a power supply. However, additional cost is required to add a dedicated circuit. Thus, for example, Patent Document 2 proposes a method of using a switching transistor built in a DC / DC converter in order to perform predetermined discharge while avoiding an increase in cost. In Patent Document 2, when a stop signal is given to the power supply component, the transistor for switching between the coil and the ground is turned on to discharge the output charge.

ところが、特許文献2に開示する技術では、安定化用のコンデンサの容量値が大きい場合、コンデンサに蓄えられる電荷も多くなるので、放電時に過大な電流が流れて放電経路中のコイルやスイッチング用のトランジスタを破損する恐れがある。   However, in the technique disclosed in Patent Document 2, when the capacitance value of the stabilizing capacitor is large, the charge stored in the capacitor also increases. Therefore, an excessive current flows at the time of discharge, and the coil in the discharge path and the switching The transistor may be damaged.

かかる問題を解決するものとして特許文献3に開示する技術が提案されている。特許文献3では放電電流を観測し、電流値がある値を超えると接地側のスイッチング用のトランジスタを導通状態から不導通状態として過大な電流が流れるのを防止している。   As a technique for solving this problem, a technique disclosed in Patent Document 3 has been proposed. In Patent Document 3, the discharge current is observed, and when the current value exceeds a certain value, the switching transistor on the ground side is changed from the conductive state to the non-conductive state to prevent an excessive current from flowing.

特許第4383936号公報Japanese Patent No. 4383936 特開2008−113496号公報JP 2008-113696 A 特開2008−160967号公報JP 2008-160967 A

ところで、特許文献3に開示するように、放電電流の電流値が所定の閾値を超えたときに接地側のトランジスタを不導通とさせると、1次電源とコイルとの間の非接地側のトランジスタ、あるいは前記トランジスタのドレインをアノード、バックゲートをカソードとする寄生ダイオードを介して、出力安定化用のコンデンサからコイルおよび前記非接地側のスイッチング用のトランジスタ、あるいは寄生ダイオードを介して電源部品の1次電源へと放電経路が形成される場合がある。この場合には、前記出力安定化用のコンデンサから接地という放電経路を形成するフェーズと、出力用のコンデンサから1次電源という放電経路を形成するフェーズを交互に行き来しながら電荷を放電していく。   By the way, as disclosed in Patent Document 3, if the ground-side transistor is turned off when the current value of the discharge current exceeds a predetermined threshold, the non-ground-side transistor between the primary power supply and the coil Alternatively, through a parasitic diode having the drain of the transistor as an anode and a back gate as a cathode, an output stabilizing capacitor is connected to a coil and the non-grounded switching transistor or a parasitic diode to A discharge path may be formed to the next power source. In this case, the electric charge is discharged while alternately going back and forth between a phase for forming a discharge path called ground from the output stabilization capacitor and a phase for forming a discharge path called a primary power source from the output capacitor. .

ここで負荷がプロセッサである場合、電源の変動による誤動作を防ぐ為に静的にも動的にも高い精度の電圧供給が求められ、急峻な駆動電流に起因する電源電圧の変動に対処する為に、容量値の大きい安定化用のコンデンサが出力側に設けられる。安定化用のコンデンサの出力容量値が大きくなると、放電する電荷も増えるので、出力用のコンデンサから1次電源という放電経路が生じる頻度も多くなる。電源部品の1次電源にも安定化のために容量が設けられているが、1次側への放電頻度が多くなるのに伴って与えられる電荷量も増えることにより、1次電圧が上昇する。放電によって上昇した1次側電圧が電源部品の定格電圧を超えると電源部品が破損する場合がある。この結果、1次電圧の過上昇を防止するために、電源部品の出力容量値が大きい場合には、1次側のコンデンサの容量値も大きくする必要があり、コストアップの原因となる。   Here, when the load is a processor, a highly accurate voltage supply is required both statically and dynamically to prevent malfunctions due to power supply fluctuations, and to cope with power supply voltage fluctuations caused by steep drive currents. In addition, a stabilizing capacitor having a large capacitance value is provided on the output side. As the output capacitance value of the stabilizing capacitor increases, the amount of electric charge that is discharged increases, and the frequency of the discharge path of the primary power supply from the output capacitor increases. The primary power supply of the power supply component is also provided with a capacity for stabilization, but the primary voltage rises as the amount of charge applied increases as the frequency of discharge to the primary side increases. . If the primary voltage increased by the discharge exceeds the rated voltage of the power supply component, the power supply component may be damaged. As a result, in order to prevent an excessive increase in the primary voltage, when the output capacitance value of the power supply component is large, it is necessary to increase the capacitance value of the primary side capacitor, which causes an increase in cost.

本発明は、上記従来技術に鑑み、出力に設けられたコンデンサが大容量であっても、コストアップを招来することなく放電モードにおいては安全かつ円滑に所定の放電を行うことができるスイッチング電源回路を提供することを目的とする。   In view of the above-described prior art, the present invention provides a switching power supply circuit capable of performing predetermined discharge safely and smoothly in a discharge mode without incurring an increase in cost even when a capacitor provided at an output has a large capacity. The purpose is to provide.

上記目的を達成する本発明の第1の態様は、
スイッチングモード時に各プリドライバからそれぞれ出力される出力信号で同期整流方式により交互にオン/オフ動作するとともに、一端側が1次電源に接続されたスイッチング素子である第1のトランジスタと、一端側が接地されたスイッチング素子である第2のトランジスタとを有し、他端側同士を介して直列に接続した前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間からコイルおよび出力端子を介して得る所定の出力電圧を負荷に印加するスイッチング電源回路であって、
前記スイッチングモードが終了した後の出力残留電荷を放電する放電モード時に、該放電モードを表す放電制御信号に基づき動作して前記第2のトランジスタが所定の一定電流を流すように制御する放電制御回路を有するとともに、
前記放電制御回路は、前記第2のトランジスタとカレントミラー回路を形成することにより前記第2のトランジスタが所定の一定電流を流すように構成し、
さらに前記各プリドライバのうち前記第2のトランジスタに出力信号を出力するプリドライバと、前記第2のトランジスタとの間に第1のスイッチ手段を設けるとともに、前記放電制御回路のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間に第2のスイッチ手段を設け、前記放電モード時には、前記放電制御信号で前記第1のスイッチ手段を開放することにより前記第2のトランジスタに出力信号を出力する前記プリドライバから前記第2のトランジスタへの出力信号の供給を遮断すると同時に、前記放電制御信号で前記第2のスイッチ手段を投入することにより前記第2のトランジスタで前記ミラー回路が形成されるように構成したことを特徴とするスイッチング電源回路にある。
The first aspect of the present invention for achieving the above object is as follows:
In the switching mode, output signals output from the respective pre-drivers are alternately turned on / off by a synchronous rectification method, and one end side is a switching element connected to the primary power source, and one end side is grounded A predetermined transistor obtained via a coil and an output terminal from between the first transistor and the second transistor connected in series via the other ends. A switching power supply circuit for applying an output voltage to a load,
A discharge control circuit that operates based on a discharge control signal indicating the discharge mode and controls the second transistor to flow a predetermined constant current in a discharge mode in which the output residual charge is discharged after the switching mode ends. And having
The discharge control circuit is configured such that the second transistor flows a predetermined constant current by forming a current mirror circuit with the second transistor,
Further, a first switch means is provided between the pre-driver that outputs an output signal to the second transistor of the pre-drivers and the second transistor, and the transistor of the discharge control circuit and the second driver The second switch means is provided between the pre-driver and the pre-driver that outputs an output signal to the second transistor by opening the first switch means with the discharge control signal in the discharge mode. The mirror circuit is formed by the second transistor by shutting off the supply of the output signal to the second transistor and simultaneously turning on the second switch means with the discharge control signal. The switching power supply circuit is characterized by the following.

本態様によれば、第2のトランジスタが放電回路を形成するので、放電に際して別途回路や素子を設ける必要が無く、また、第2のトランジスタを介して放電する電流を放電制御回路により一定値に制限しているので、放電回路を形成するコイルやトランジスタなどの損傷を防ぐことができる。さらに、出力端子から接地への経路を有する放電回路のみを用いるので1次電源等への電荷移動が無く、1次電圧の変動を抑制するための手段を簡素化することができる。また、本態様では、ミラー回路を利用しているので、第2のトランジスタが所定の一定電流を流すように容易且つ高精度に形成することができる。 According to this aspect, since the second transistor forms a discharge circuit, there is no need to provide a separate circuit or element for discharging, and the current discharged through the second transistor is set to a constant value by the discharge control circuit. Since it is limited, damage to the coils and transistors forming the discharge circuit can be prevented. Further, since only the discharge circuit having a path from the output terminal to the ground is used, there is no charge transfer to the primary power source or the like, and the means for suppressing the fluctuation of the primary voltage can be simplified. Further, in this aspect, since the mirror circuit is used, the second transistor can be formed easily and with high accuracy so that a predetermined constant current flows.

本発明の第2の態様は、
第1の態様に記載するスイッチング電源回路において、
前記カレントミラー回路には、可変電流源が接続されていることを特徴とするスイッチング電源回路にある。
The second aspect of the present invention is:
In the switching power supply circuit described in the first aspect ,
In the switching power supply circuit, a variable current source is connected to the current mirror circuit.

本態様によれば、第2のトランジスタを流す所定の一定電流を容易に調整することができる。この結果、一定電流を動的に設定して放電電流の制限値を動的に制御することもできる。   According to this aspect, the predetermined constant current flowing through the second transistor can be easily adjusted. As a result, the limit value of the discharge current can be dynamically controlled by dynamically setting a constant current.

本発明の第3の態様は、
第1の態様に記載するスイッチング電源回路において、
前記カレントミラー回路は複数のミラー比を選択できることを特徴とするスイッチング電源回路にある。
The third aspect of the present invention is:
In the switching power supply circuit described in the first aspect ,
In the switching power supply circuit, the current mirror circuit can select a plurality of mirror ratios.

本態様によれば、ミラー比を選択することにより、第2のトランジスタを介して流す放電電流の制限値を制御することができる。   According to this aspect, the limit value of the discharge current that flows through the second transistor can be controlled by selecting the mirror ratio.

本発明の第4の態様は、
第1の態様に記載するスイッチング電源回路において、
前記カレントミラー回路は、直列に接続した複数のカレントミラー回路を含むことを特徴とするスイッチング電源回路にある。
The fourth aspect of the present invention is:
In the switching power supply circuit described in the first aspect ,
The current mirror circuit is a switching power supply circuit including a plurality of current mirror circuits connected in series.

本態様によれば、相互のミラー比を適宜設定することで、第2のトランジスタを介して流す放電電流の制限値を調整することができる。   According to this aspect, the limit value of the discharge current flowing through the second transistor can be adjusted by appropriately setting the mutual mirror ratio.

本発明によれば、スイッチング用のトランジスタのうち、コイルと接地との間に接続されている第2のトランジスタに、この第2のトランジスタを介して出力用のコンデンサから接地へ流れる放電電流を一定値に制限する機能を放電制御回路で実現することができる。すなわち、第2のトランジスタが出力用のコンデンサの放電回路を兼ねている。   According to the present invention, among the switching transistors, the second transistor connected between the coil and the ground has a constant discharge current flowing from the output capacitor to the ground through the second transistor. The function of limiting the value can be realized by the discharge control circuit. That is, the second transistor also serves as a discharge circuit for the output capacitor.

この結果、別途放電を行わせるための回路や素子を付加する必要がなく、コストの低減に寄与し得るばかりでなく、出力用のコンデンサの電荷を接地に放電する際には、放電電流を一定値に制限しているので、放電電流が過大な値に至ることがなく、このときの放電回路を構成するコイルやスイッチング用のトランジスタなどの損傷を良好に防止し得る。   As a result, it is not necessary to add a circuit or an element for causing a separate discharge, which can contribute to a reduction in cost. In addition, when discharging the output capacitor to the ground, the discharge current is kept constant. Since the value is limited to the value, the discharge current does not reach an excessive value, and damage to the coil, the switching transistor, and the like constituting the discharge circuit at this time can be prevented well.

さらに、出力用のコンデンサから1次電源へという放電経路が形成されることがない。この結果、放電に伴う1次電源の電圧上昇を生起することもない。   Further, a discharge path from the output capacitor to the primary power supply is not formed. As a result, the primary power supply voltage does not rise due to the discharge.

本発明の第1の実施の形態に係るスイッチング電源回路を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a switching power supply circuit according to a first embodiment of the present invention. 図1に示す回路図の各部の波形を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows the waveform of each part of the circuit diagram shown in FIG. 本発明の第1の実施の形態の変形例に係るスイッチング電源回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the switching power supply circuit which concerns on the modification of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の変形例に係るスイッチング電源回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the switching power supply circuit which concerns on the modification of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係るスイッチング電源回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the switching power supply circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図5に示す回路図の各部の波形を示す波形図である。FIG. 6 is a waveform diagram showing waveforms at various parts of the circuit diagram shown in FIG. 5.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
<第1の実施の形態>
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るスイッチング電源回路を示す回路図である。同図に示すように、本形態に係るスイッチング電源回路は、同期整流方式のDC/DCコンバータを構成している。さらに詳言すると、スイッチング素子である第1のトランジスタ8はP型のMOSトランジスタであり、一端側のソースが1次電源1に接続されている。1次電源1には電圧安定化用のコンデンサ2が並列に接続してある。他のスイッチング素子である第2のトランジスタ9はN型のMOSトランジスタであり、一端側であるソースが接地されている。トランジスタ8,9はそれぞれの他端側のドレイン同士を介して直列に接続してある。トランジスタ8,9のスイッチング動作に伴い生成される所定の電圧は、トランジスタ8,9の間からコイル3および出力端子Voutを介して外部の負荷5に印加される。出力端子Voutには、電圧安定化用のコンデンサ4が負荷5と並列に接続してある。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a circuit diagram showing a switching power supply circuit according to the first embodiment of the present invention. As shown in the figure, the switching power supply circuit according to this embodiment constitutes a synchronous rectification DC / DC converter. More specifically, the first transistor 8 as a switching element is a P-type MOS transistor, and the source on one end side is connected to the primary power source 1. A voltage stabilizing capacitor 2 is connected to the primary power source 1 in parallel. The second transistor 9 as another switching element is an N-type MOS transistor, and the source on one end side is grounded. The transistors 8 and 9 are connected in series via the drains on the other end side. A predetermined voltage generated by the switching operation of the transistors 8 and 9 is applied to the external load 5 from between the transistors 8 and 9 via the coil 3 and the output terminal Vout. A voltage stabilizing capacitor 4 is connected in parallel with the load 5 to the output terminal Vout.

出力端子Voutの電圧情報は、スイッチング制御回路7にフィードバックされる。スイッチング制御回路7にフィードバックされた出力端子Voutの出力電圧Voは、分割抵抗71,72で、出力電圧Voと分割抵抗71,72の抵抗値で決定される分割比とで規定されるフィードバック電圧信号として増幅器73に供給される。増幅器73には分割抵抗71,72で規定されるフィードバック電圧信号とともに、基準電圧源74から基準電圧Vrefが印加される。かくして増幅器73は供給された2つの電圧信号の電圧値の差分を増幅した増幅信号を比較器75の反転入力端子に印加する。比較器75の非反転入力端子には三角波発生器76が発生する三角波信号が印加される。かくして、比較器75では増幅器73の出力である前記増幅信号の電圧値と三角波発生器76の出力である前記三角波信号の電圧値とを比較し、三角波信号の電圧値が高い場合はHi信号を、増幅信号の電圧値が高い場合はLo信号を出力する。比較器75の出力信号はスイッチロジック77を介してプリドライバ回路10へ供給される。   The voltage information at the output terminal Vout is fed back to the switching control circuit 7. The output voltage Vo of the output terminal Vout fed back to the switching control circuit 7 is a feedback voltage signal defined by the dividing resistors 71 and 72 and the division ratio determined by the output voltage Vo and the resistance value of the dividing resistors 71 and 72. To the amplifier 73. A reference voltage Vref from a reference voltage source 74 is applied to the amplifier 73 together with a feedback voltage signal defined by the dividing resistors 71 and 72. Thus, the amplifier 73 applies the amplified signal obtained by amplifying the difference between the voltage values of the two supplied voltage signals to the inverting input terminal of the comparator 75. A triangular wave signal generated by the triangular wave generator 76 is applied to the non-inverting input terminal of the comparator 75. Thus, the comparator 75 compares the voltage value of the amplified signal, which is the output of the amplifier 73, with the voltage value of the triangular wave signal, which is the output of the triangular wave generator 76. If the voltage value of the triangular wave signal is high, the Hi signal is output. When the voltage value of the amplified signal is high, the Lo signal is output. The output signal of the comparator 75 is supplied to the pre-driver circuit 10 via the switch logic 77.

プリドライバ回路10は、トランジスタ8を駆動する為のプリドライバ101と、トランジスタ9を駆動するためのプリドライバ102で構成される。プリドライバ101の出力はトランジスタ8のゲートに接続され、プリドライバ102の出力はトランジスタ9のゲートに接続されており、それぞれスイッチング制御回路7から供給される信号に従ってトランジスタ8,9を駆動する。   The pre-driver circuit 10 includes a pre-driver 101 for driving the transistor 8 and a pre-driver 102 for driving the transistor 9. The output of the pre-driver 101 is connected to the gate of the transistor 8, and the output of the pre-driver 102 is connected to the gate of the transistor 9, and drives the transistors 8 and 9 according to signals supplied from the switching control circuit 7.

プリドライバ102とトランジスタ9の間にはスイッチ12が設けられている。このスイッチ12は、放電制御信号DISCHGにより開閉される。放電制御信号DISCHGはスイッチロジック77と、スイッチ12と、スイッチ13とに供給される。放電制御信号DISCHGがLoレベルである場合、スイッチロジック77は比較器75の出力信号と同論理の信号をプリドライバ回路10へ供給するとともに、スイッチ12を閉状態、スイッチ13を開状態とする。すなわち、放電制御信号DISCHGがLoレベルである場合、DC/DCコンバータ6は、出力端子Voutを所定の電圧値に保つ降圧DC/DCコンバータとして動作する。   A switch 12 is provided between the pre-driver 102 and the transistor 9. The switch 12 is opened and closed by a discharge control signal DISCHG. The discharge control signal DISCHG is supplied to the switch logic 77, the switch 12, and the switch 13. When the discharge control signal DISCHG is at the Lo level, the switch logic 77 supplies a signal having the same logic as the output signal of the comparator 75 to the pre-driver circuit 10, and closes the switch 12 and opens the switch 13. That is, when the discharge control signal DISCHG is at the Lo level, the DC / DC converter 6 operates as a step-down DC / DC converter that maintains the output terminal Vout at a predetermined voltage value.

一方、放電制御信号DISCHGがHiレベルである場合、スイッチロジック77は比較器75の出力信号に関わらず、トランジスタ8が不導通動作となる論理の信号をプリドライバ101へ与えるとともに、スイッチ12が開状態となり、スイッチ13が閉状態となる。このとき、出力端子Voutの電圧値に関わらずトランジスタ8は不導通状態であり、トランジスタ9のゲートは放電制御回路11により駆動される。   On the other hand, when the discharge control signal DISCHG is at the Hi level, the switch logic 77 supplies the predriver 101 with a logic signal that causes the transistor 8 to become non-conductive regardless of the output signal of the comparator 75, and the switch 12 opens. The switch 13 is closed. At this time, the transistor 8 is nonconductive regardless of the voltage value of the output terminal Vout, and the gate of the transistor 9 is driven by the discharge control circuit 11.

ここで、放電制御回路11は電流源111とN型のMOSトランジスタであるトランジスタ112とから成り、電流源111からはダイオード接続されたトランジスタ112のドレイン-ゲート共通端子へ定電流Idisが与えられている。   Here, the discharge control circuit 11 includes a current source 111 and a transistor 112 which is an N-type MOS transistor, and a constant current Idis is applied from the current source 111 to the drain-gate common terminal of the diode-connected transistor 112. Yes.

トランジスタ112は、トランジスタ9とミラー回路を構成した際にドレイン電流が1:N(Nはミラー比)となるようにチャネル幅とチャネル長が決定されている。かくして、放電制御信号DISCHGがHiである場合、トランジスタ8はオフ状態であり、トランジスタ9とトランジスタ112がミラー回路を構成する。したがって、トランジスタ9のドレイン電流はN×Idisである。   The transistor 112 has a channel width and a channel length so that the drain current is 1: N (N is a mirror ratio) when the mirror circuit is configured with the transistor 9. Thus, when the discharge control signal DISCHG is Hi, the transistor 8 is in an off state, and the transistor 9 and the transistor 112 constitute a mirror circuit. Therefore, the drain current of the transistor 9 is N × Idis.

次に、上述の如き構成の本形態に係るスイッチング電源回路の動作に伴う各部の波形を図面に基づき説明する。図2は図1に示すスイッチング電源回路の動作を表す各部の波形を示す波形図で、同図(a)はトランジスタ8のゲート電圧、(b)はトランジスタ9のゲート電圧、(c)は増幅器73の出力信号と三角波発生器76の出力信号、(d)は比較器75の出力信号、(e)はコイル3の電流(出力端子Voutへ向かう方向を正とする)、(f)は出力電圧Vo、(g)は放電制御信号、(h)はトランジスタ9のドレイン電流(ドレインからコイル3へ向かう方向を正とする)を示す。   Next, waveforms of respective parts accompanying the operation of the switching power supply circuit according to this embodiment having the above-described configuration will be described with reference to the drawings. 2A and 2B are waveform diagrams showing waveforms of respective parts representing the operation of the switching power supply circuit shown in FIG. 1. FIG. 2A is a gate voltage of the transistor 8, FIG. 2B is a gate voltage of the transistor 9, and FIG. 73, the output signal of the triangular wave generator 76, (d) is the output signal of the comparator 75, (e) is the current of the coil 3 (the direction toward the output terminal Vout is positive), and (f) is the output. Voltages Vo and (g) are discharge control signals, and (h) is the drain current of the transistor 9 (the direction from the drain to the coil 3 is positive).

図2では、出力側のコンデンサ4の放電動作開始直前であって負荷電流が0の平衡状態からの波形を示している。ここで、図2(g)に示す放電制御信号DISCHGがLoレベルの期間は通常動作期間であり、Hiレベルの期間は出力放電動作期間である。   FIG. 2 shows a waveform from an equilibrium state immediately before the discharge operation of the output-side capacitor 4 is started and the load current is zero. Here, a period in which the discharge control signal DISCHG shown in FIG. 2G is at the Lo level is a normal operation period, and a period in which the Hi level is at is an output discharge operation period.

<通常動作期間>
通常動作期間中は、出力端子Voutの電圧は分割抵抗71,72の抵抗値と、基準電圧源74が与える基準電圧Vrefにより決定されている。ここで、分割抵抗71の抵抗値をR71、分割抵抗72の抵抗値をR72とすると、出力端子Voutの出力電圧Vo=Vref×(R71+R72)/R72である。すなわち、出力端子Voutの出力電圧Voは分割抵抗71,72で分圧されて増幅器73に供給されている。増幅器73には基準電圧源74から基準電圧Vrefも与えられている。この結果、増幅器73では両方の電圧の差分を増幅して比較器75へ出力している。
<Normal operation period>
During the normal operation period, the voltage at the output terminal Vout is determined by the resistance values of the dividing resistors 71 and 72 and the reference voltage Vref provided by the reference voltage source 74. Here, when the resistance value of the dividing resistor 71 is R71 and the resistance value of the dividing resistor 72 is R72, the output voltage Vo of the output terminal Vout is Vref × (R71 + R72) / R72. That is, the output voltage Vo at the output terminal Vout is divided by the dividing resistors 71 and 72 and supplied to the amplifier 73. The amplifier 73 is also supplied with a reference voltage Vref from a reference voltage source 74. As a result, the amplifier 73 amplifies the difference between both voltages and outputs it to the comparator 75.

比較器75は増幅器73の出力信号と、三角波発生器76が生成する三角波とを比較し、すなわち入力される両者の電圧値を比較して、三角波の電圧値が高い場合にHiレベルの信号を出力し、増幅器73の出力信号の電圧値が高い場合にLoレベルの信号を出力する(図2(c)参照)。   The comparator 75 compares the output signal of the amplifier 73 with the triangular wave generated by the triangular wave generator 76, that is, compares the input voltage values of both, and outputs a Hi level signal when the voltage value of the triangular wave is high. When the voltage value of the output signal of the amplifier 73 is high, a Lo level signal is output (see FIG. 2C).

ここで、比較器75の出力信号(図2(d)参照)はDC/DCコンバータ6のスイッチングデューティにほぼ等しく、入力電圧をVin、比較器75の出力信号のHi期間をT_Hi、比較器75の出力信号のLo期間をT_Lo、としたときに、
[数1]

Figure 0006248066
なる関係が成立する。 Here, the output signal of the comparator 75 (see FIG. 2D) is substantially equal to the switching duty of the DC / DC converter 6, the input voltage is Vin, the Hi period of the output signal of the comparator 75 is T_Hi, and the comparator 75. When the Lo period of the output signal is T_Lo,
[Equation 1]
Figure 0006248066
This relationship is established.

比較器75の出力信号はスイッチロジック77を介してプリドライバ101,102へデューティ信号として与えられる。プリドライバ101,102は与えられたデューティ信号に則り図2(a)および図2(b)に示すパルス信号を生成するとともに、スイッチング用のトランジスタ8,9に供給して所定のスイッチング動作を行わせる。すなわち、比較器75の出力信号がLoレベルであるとき、プリドライバ101はPMOSトランジスタであるトランジスタ8のゲートをLoレベルに駆動してトランジスタ8を導通状態とさせる。プリドライバ102はNMOSトランジスタであるトランジスタ9のゲートをLoレベルに駆動してトランジスタ9を不導通状態とさせる。トランジスタ8が導通状態でトランジスタ9が不導通状態であると、トランジスタ8,9のドレインに共通接続されているコイル3の端子に対しては電圧Vinが印加される。ここで、コイル3の一方の端子は出力端子Voutに接続されており、Vin>Voであるので、コイル3を通して出力端子Voutへ流れる電流は増加する(チャージフェーズ(図2(e)参照))。   The output signal of the comparator 75 is given as a duty signal to the pre-drivers 101 and 102 via the switch logic 77. The pre-drivers 101 and 102 generate the pulse signals shown in FIGS. 2A and 2B in accordance with the given duty signal and supply them to the switching transistors 8 and 9 to perform a predetermined switching operation. Make it. That is, when the output signal of the comparator 75 is at the Lo level, the pre-driver 101 drives the gate of the transistor 8, which is a PMOS transistor, to the Lo level to bring the transistor 8 into a conductive state. The pre-driver 102 drives the gate of the transistor 9, which is an NMOS transistor, to the Lo level to make the transistor 9 nonconductive. When the transistor 8 is conductive and the transistor 9 is nonconductive, the voltage Vin is applied to the terminal of the coil 3 commonly connected to the drains of the transistors 8 and 9. Here, since one terminal of the coil 3 is connected to the output terminal Vout and Vin> Vo, the current flowing to the output terminal Vout through the coil 3 increases (charge phase (see FIG. 2E)). .

比較器75の出力信号がHiレベルであるとき、プリドライバ101はトランジスタ8のゲートをHiレベルに駆動してトランジスタ8を不導通状態とさせ、プリドライバ102はトランジスタ9のゲートをHiレベルに駆動してトランジスタ9を導通状態とさせる。トランジスタ8が不導通状態でトランジスタ9が導通状態であると、トランジスタ8,9のドレインに共通接続されているコイル3の端子に対しては接地電位が与えられ、コイル3を通して出力端子Voutへ流れる電流は減少する(トランスファーフェーズ(図2(e)参照))。   When the output signal of the comparator 75 is at the Hi level, the pre-driver 101 drives the gate of the transistor 8 to the Hi level to make the transistor 8 nonconductive, and the pre-driver 102 drives the gate of the transistor 9 to the Hi level. Thus, the transistor 9 is turned on. When the transistor 8 is in a non-conductive state and the transistor 9 is in a conductive state, a ground potential is applied to the terminal of the coil 3 commonly connected to the drains of the transistors 8 and 9 and flows through the coil 3 to the output terminal Vout. The current decreases (transfer phase (see FIG. 2 (e))).

平衡状態かつ無負荷状態であるとき、チャージフェーズにおけるコイル電流の増加量とトランスファーフェーズにおけるコイル電流の減少量は等しく、コイル電流の平均値は0であるので、出力端子Voutに対しては電荷の授受はない。   In an equilibrium state and no load state, the amount of increase in the coil current in the charge phase is equal to the amount of decrease in the coil current in the transfer phase, and the average value of the coil current is 0. There is no exchange.

増幅器73と比較器75の入力端子の極性は、DC/DCコンバータ6が出力端子Voutの出力電圧Voを用いた負帰還回路を構成するように設定されている。例えば外部擾乱で出力端子Voutの出力電圧Voが平衡状態より上がった場合、増幅器73の出力レベルは平衡状態より下がり、比較器75が出力するLo信号の期間T_Loは平衡状態より短くなる。よって、平衡状態に比べてチャージフェーズが短く、トランスファーフェーズが長くなり、1次側から出力側へ供給される電力量が平衡状態より減少する。この結果、出力電圧Voを低下させる作用が働く、出力電圧Voの電圧値が平衡状態時の値に近づくにつれて増幅器73の出力レベルや比較器75のHiレベル出力期間も平衡状態時の値に近づき最終的には平衡時の値となる。   The polarities of the input terminals of the amplifier 73 and the comparator 75 are set so that the DC / DC converter 6 forms a negative feedback circuit using the output voltage Vo of the output terminal Vout. For example, when the output voltage Vo at the output terminal Vout rises from the balanced state due to external disturbance, the output level of the amplifier 73 falls from the balanced state, and the period T_Lo of the Lo signal output from the comparator 75 becomes shorter than the balanced state. Therefore, the charge phase is shorter and the transfer phase is longer than in the balanced state, and the amount of power supplied from the primary side to the output side is reduced from the balanced state. As a result, the action of lowering the output voltage Vo works. As the voltage value of the output voltage Vo approaches the value in the equilibrium state, the output level of the amplifier 73 and the Hi level output period of the comparator 75 also approach the values in the equilibrium state. Ultimately, it will be the value at equilibrium.

<出力放電動作期間>
当該出力放電動作期間中、放電制御信号DISCHGは、図2(g)に示すように、Hiレベルである。かかるHiレベルの信号はスイッチロジック77と、スイッチ12,13に与えられる。スイッチロジック77は、放電制御信号DISCHGがLoレベルのときは比較器75の出力信号をプリドライバ101,102に与え、放電制御信号DISCHGがHiレベルのときは比較器75の出力信号に関わらずプリドライバ101の出力がHiレベルとなる信号を与える。プリドライバ101の出力がHiレベルのとき、PMOSトランジスタであるトランジスタ8のゲートもHiレベルに駆動されているので、トランジスタ8は不導通状態となる。
<Output discharge operation period>
During the output discharge operation period, the discharge control signal DISCHG is at the Hi level as shown in FIG. The Hi level signal is supplied to the switch logic 77 and the switches 12 and 13. The switch logic 77 gives the output signal of the comparator 75 to the pre-drivers 101 and 102 when the discharge control signal DISCHG is at the Lo level, and pre-regardless of the output signal of the comparator 75 when the discharge control signal DISCHG is at the Hi level. A signal is output to make the output of the driver 101 high. When the output of the pre-driver 101 is at Hi level, the gate of the transistor 8 which is a PMOS transistor is also driven to Hi level, so that the transistor 8 is turned off.

スイッチ12は、放電制御信号DISCHGがLoレベルのときは閉状態であり、Hiレベルのときは開状態である。一方、スイッチ13は、放電制御信号DISCHGがLoレベルのときは開状態であり、Hiレベルのときは閉状態である。よって、放電期間中は、トランジスタ9のゲートにはトランジスタ112のゲートが接続される。   The switch 12 is closed when the discharge control signal DISCHG is at the Lo level, and is open when the discharge control signal DISCHG is at the Hi level. On the other hand, the switch 13 is open when the discharge control signal DISCHG is at the Lo level, and is closed when the discharge control signal DISCHG is at the Hi level. Therefore, the gate of the transistor 112 is connected to the gate of the transistor 9 during the discharge period.

トランジスタ112とトランジスタ9はゲート電位が等しく、ともにソースも接地電位であるので、トランジスタ112のゲート−ソース間電圧はトランジスタ9のゲート−ソース間電圧に等しく、トランジスタ112とトランジスタ9とはミラー回路を構成する。このとき、トランジスタ8は不導通状態であって、トランジスタ9は導通状態であるので、コイル3、トランジスタ9を介して出力端子Voutから接地への放電回路が形成される。放電回路が形成されると、この放電回路を通して放電電流が流れて出力端子Voutの電荷を接地へ放電する。このときコイル3に流れる電流とトランジスタ9のドレイン電流は等しい。   Since the transistor 112 and the transistor 9 have the same gate potential and the source is also the ground potential, the gate-source voltage of the transistor 112 is equal to the gate-source voltage of the transistor 9, and the transistor 112 and the transistor 9 form a mirror circuit. Configure. At this time, since the transistor 8 is in a non-conductive state and the transistor 9 is in a conductive state, a discharge circuit from the output terminal Vout to the ground is formed via the coil 3 and the transistor 9. When the discharge circuit is formed, a discharge current flows through the discharge circuit to discharge the electric charge of the output terminal Vout to the ground. At this time, the current flowing through the coil 3 is equal to the drain current of the transistor 9.

放電回路にはコイルが含まれているので放電電流は回路形成からの時間に比例して漸増する。このときのt秒後の放電電流値はコイル3のインダクタンスをLとすると、(Vo×t)÷Lで示される。   Since the discharge circuit includes a coil, the discharge current gradually increases in proportion to the time from the formation of the circuit. The discharge current value after t seconds at this time is represented by (Vo × t) ÷ L, where L is the inductance of the coil 3.

漸増する放電電流はあるレベルで制限される(図2(e)参照)。このときの制限値は電流源111から供給される定電流Idisとトランジスタ9とトランジスタ112のミラー比で決定される。本形態では、トランジスタ112とトランジスタ9のドレイン電流比が1:Nとなるようにトランジスタ9のチャネル幅とチャネル長を設定しているので、放電電流制限値はIdis×Nである。   The gradually increasing discharge current is limited at a certain level (see FIG. 2 (e)). The limit value at this time is determined by the constant current Idis supplied from the current source 111 and the mirror ratio of the transistor 9 and the transistor 112. In this embodiment, since the channel width and the channel length of the transistor 9 are set so that the drain current ratio of the transistor 112 and the transistor 9 is 1: N, the discharge current limit value is Idis × N.

放電期間中は、出力端子Voutの電荷を接地へ放電する回路が形成される一方で、出力端子Voutに対して電荷を供給する回路は形成されないので、図2(f)に示すように、出力端子Voutにおける出力電圧Voは漸減する。出力電圧Voの減少に伴い、比較器75が出力するデューティ信号は、Loの時間T_Loが長く、Hiの時間T_Hiが短くなっていくが、スイッチロジック77は、放電期間中には前記デューティ信号をプリドライバ回路10に与えないので、デューティ信号の変調に関わらず、トランジスタ8は不導通状態である。一方、トランジスタ9は放電回路を形成する。   During the discharge period, a circuit that discharges the electric charge of the output terminal Vout to the ground is formed, while a circuit that supplies electric charge to the output terminal Vout is not formed, so that as shown in FIG. The output voltage Vo at the terminal Vout gradually decreases. As the output voltage Vo decreases, the duty signal output from the comparator 75 has a longer Lo time T_Lo and a shorter Hi time T_Hi, but the switch logic 77 outputs the duty signal during the discharge period. Since the pre-driver circuit 10 is not applied, the transistor 8 is non-conductive regardless of the modulation of the duty signal. On the other hand, the transistor 9 forms a discharge circuit.

以上のように、図1に示した本形態ではスイッチング用のトランジスタ9が放電回路を形成するので放電に際して別途回路や素子を設ける必要が無く、また、図2(e)に示すように、出力放電動作期間中はトランジスタ9を介して放電する電流をIdis×Nに制限しているので放電回路を形成するコイルやトランジスタなどの損傷を防ぐことができる。さらに、出力端子Voutから接地への経路を有する放電回路のみを用いるので1次電源1等への電荷移動が無く、1次電圧の変動を抑制するための手段を講じる必要もない。   As described above, in the present embodiment shown in FIG. 1, since the switching transistor 9 forms a discharge circuit, it is not necessary to provide a separate circuit or element for discharging. Also, as shown in FIG. During the discharge operation period, the current discharged through the transistor 9 is limited to Idis × N, so that it is possible to prevent damage to the coils and transistors forming the discharge circuit. Furthermore, since only the discharge circuit having a path from the output terminal Vout to the ground is used, there is no charge transfer to the primary power source 1 or the like, and it is not necessary to take means for suppressing fluctuations in the primary voltage.

なお、図1において、スイッチング制御回路7はPWM変調方式の回路例を示しているが、これはPFM変調方式や、その他のスイッチングデューティ信号を生成する手段で代替することができる。   In FIG. 1, the switching control circuit 7 shows a circuit example of a PWM modulation system, but this can be replaced by a PFM modulation system or other means for generating a switching duty signal.

また、トランジスタ8はPMOSトランジスタを示しているが、これはNMOSトランジスタで代替することもできる。また、MOSトランジスタをバイポーラトランジスタで代替しても構わない。   Further, although the transistor 8 is a PMOS transistor, it can be replaced by an NMOS transistor. Further, the MOS transistor may be replaced with a bipolar transistor.

本形態では、放電制御信号DISCHGをDC/DCコンバータ6の外部から与えているが、これは内部で生成される信号で兼ねることもできる。例えば入力低電圧保護機能を有している場合、保護動作が必要なレベルまで入力電圧が低下した際にDC/DCコンバータ6が出力動作を停止すると同時に出力電荷を放電する動作を開始させることもできる。また、DC/DCコンバータ6が外部から供給される信号に従って動作を開始/停止しているような場合は、この信号で放電制御信号DISCHGを兼用することもできる。   In this embodiment, the discharge control signal DISCHG is given from the outside of the DC / DC converter 6, but this can also be a signal generated internally. For example, when the input low voltage protection function is provided, the DC / DC converter 6 may stop the output operation and start the operation of discharging the output charge at the same time when the input voltage is lowered to a level where the protection operation is necessary. it can. Further, when the DC / DC converter 6 starts / stops operation according to a signal supplied from the outside, the discharge control signal DISCHG can also be used with this signal.

プリドライバ101は放電動作時にHiレベルの信号を出力するものとして説明しているが、放電動作時に出力フロートとするスリーステートバッファにすると共に、トランジスタ8のソース-ドレイン間にスイッチを設けて放電動作時にトランジスタ8を不導通状態とさせる構造としても良い。   The pre-driver 101 has been described as outputting a Hi level signal during the discharge operation. However, the pre-driver 101 is a three-state buffer that is used as an output float during the discharge operation, and a discharge is provided by providing a switch between the source and drain of the transistor 8. A structure in which the transistor 8 is sometimes turned off may be employed.

プリドライバ102は放電動作時でもLo/Hiレベルの信号を出力してスイッチ12を開状態にすることでトランジスタ9のゲートとプリドライバ102の出力を絶縁しているが、放電動作時にプリドライバ102の出力フロートとするスリーステートバッファとすればプリドライバ102の出力とトランジスタ9のゲートを絶縁する必要がなくスイッチ12を省略することもできる。   The pre-driver 102 outputs a Lo / Hi level signal even during the discharge operation to open the switch 12 to insulate the gate of the transistor 9 from the output of the pre-driver 102. However, during the discharge operation, the pre-driver 102 If the three-state buffer is used as the output float, the output of the pre-driver 102 and the gate of the transistor 9 do not need to be insulated, and the switch 12 can be omitted.

さらに、上記実施の形態において、電流源111は定電流源としているが、これは可変電流源としても良い。   Furthermore, in the above embodiment, the current source 111 is a constant current source, but this may be a variable current source.

可変電流源とすることで定電流Idisを動的に設定して放電電流の制限値を動的に制御することができる。同様に、放電制御回路とトランジスタ9とのミラー比を変えて放電電流の制限値を制御することや、トランジスタ112とトランジスタ9とで構成するミラー回路とは異なるミラー回路を直列に接続して放電制御回路11を構成することができる。   By using a variable current source, the constant current Idis can be set dynamically to control the discharge current limit value dynamically. Similarly, by controlling the discharge current limit value by changing the mirror ratio between the discharge control circuit and the transistor 9, or by connecting a mirror circuit different from the mirror circuit composed of the transistor 112 and the transistor 9 in series. The control circuit 11 can be configured.

図3には、トランジスタ9とのミラー比を変えて放電電流の制限値を制御する放電制御回路の一例を示す。図3の放電制御回路11Aは、トランジスタ112と、トランジスタ112と並列に接続されるトランジスタ113を具備する。トランジスタ113はトランジスタ112と同様にゲートとドレインが共通接続となっている。トランジスタ113のゲート-ドレイン接続部とトランジスタ112のゲート-ドレイン接続部との間にはスイッチ114が配されており、トランジスタ113のゲート-ドレイン接続部と接地の間にはスイッチ115が配されている。スイッチ114とスイッチ115は相補的に開状態/閉状態となる。   FIG. 3 shows an example of a discharge control circuit that controls the limit value of the discharge current by changing the mirror ratio with the transistor 9. The discharge control circuit 11A in FIG. 3 includes a transistor 112 and a transistor 113 connected in parallel with the transistor 112. Similarly to the transistor 112, the transistor 113 has a common gate and drain connection. A switch 114 is disposed between the gate-drain connection of the transistor 113 and the gate-drain connection of the transistor 112, and a switch 115 is disposed between the gate-drain connection of the transistor 113 and the ground. Yes. The switches 114 and 115 are complementarily opened / closed.

トランジスタ112はトランジスタ9とミラー回路を構成した際にドレイン電流が1:N(Nはミラー比)となるようなチャネル幅とチャネル長に設定されており、トランジスタ113はトランジスタ112と同じチャネル幅とチャネル長に設定されている。   The transistor 112 is set to have a channel width and a channel length such that the drain current is 1: N (N is a mirror ratio) when the mirror circuit is configured with the transistor 9, and the transistor 113 has the same channel width as the transistor 112. The channel length is set.

スイッチ114が開状態でスイッチ115が閉状態である場合、電流源111が与える定電流Idisはトランジスタ112に流れ、トランジスタ9とトランジスタ112とはミラー比が1:Nとなるミラー回路を構成しているので、トランジスタ9に流れる電流の制限値はIdis×Nである。   When the switch 114 is in the open state and the switch 115 is in the closed state, the constant current Idis provided by the current source 111 flows to the transistor 112, and the transistor 9 and the transistor 112 constitute a mirror circuit in which the mirror ratio is 1: N. Therefore, the limit value of the current flowing through the transistor 9 is Idis × N.

スイッチ114が閉状態でスイッチ115が開状態である場合、電流源111が与える定電流Idisはトランジスタ112と113に流れる。   When the switch 114 is closed and the switch 115 is open, the constant current Idis provided by the current source 111 flows through the transistors 112 and 113.

この場合は同じチャネル幅とチャネル長のトランジスタ112と113が並列に接続されているので、放電制御回路11Aとトランジスタのミラー比は2:Nとなる。ミラー比は1:(1/2)×Nと表すことができ、トランジスタ9に流れる電流の制限値は(1/2)×Idis×Nである。   In this case, since the transistors 112 and 113 having the same channel width and channel length are connected in parallel, the mirror ratio of the discharge control circuit 11A and the transistor is 2: N. The mirror ratio can be expressed as 1: (1/2) × N, and the limit value of the current flowing through the transistor 9 is (1/2) × Idis × N.

以上のように、放電制御回路11Aとトランジスタ9とのミラー比を変えて、トランジスタ9の制限値を制御することができる。トランジスタ112と並列に接続するトランジスタを複数設けることにより、トランジスタ9の制限値を数段階に設定することもできる。   As described above, the limit value of the transistor 9 can be controlled by changing the mirror ratio between the discharge control circuit 11A and the transistor 9. By providing a plurality of transistors connected in parallel with the transistor 112, the limit value of the transistor 9 can be set in several stages.

また、図4は、トランジスタ112とトランジスタ9とで構成するミラー回路とは異なるミラー回路を直列に接続した放電制御回路の一例を示す。図4の放電制御回路11Bは、トランジスタ9とトランジスタ112とで構成するミラー回路と、このミラー回路に直列にトランジスタ116及びトランジスタ117とから構成されるミラー回路を接続した構成を有する。これによれば、ミラー比を比較的容易に大きくすることができ、例えば、トランジスタ9とトランジスタ112とから成るミラー回路のミラー比が1:Nであり、トランジスタ116とトランジスタ117とから成るミラー回路のミラー比が1:Mである場合、トランジスタ9の制限値は、Idis×N×Mとなる。ミラー回路を直列に付加することにより、トランジスタ9の制限値を設定するために要するIdisの値を付加した回路のミラー比分だけ小さく設定することができるので、回路の低消費電流化を図ることもできる。   FIG. 4 shows an example of a discharge control circuit in which a mirror circuit different from the mirror circuit composed of the transistor 112 and the transistor 9 is connected in series. The discharge control circuit 11B of FIG. 4 has a configuration in which a mirror circuit composed of a transistor 9 and a transistor 112 and a mirror circuit composed of a transistor 116 and a transistor 117 are connected in series to the mirror circuit. According to this, the mirror ratio can be increased relatively easily. For example, the mirror ratio of the mirror circuit composed of the transistor 9 and the transistor 112 is 1: N, and the mirror circuit composed of the transistor 116 and the transistor 117. When the mirror ratio is 1: M, the limit value of the transistor 9 is Idis × N × M. By adding the mirror circuit in series, it is possible to set the Idis value required for setting the limit value of the transistor 9 to be as small as the mirror ratio of the circuit to which the circuit is added, so that the current consumption of the circuit can be reduced. it can.

また、出力安定化用のコンデンサ4の容量値が大きい場合には、放電時に生じる熱にも配慮する必要がある。放電期間中、放電回路には、P=Vo×Idisで表される電力損出が単位時間に発生しており、かかる熱量に起因する温度上昇によりDC/DCコンバータ6の焼損や、周辺部品であるコンデンサ2,4およびコイル3の特性劣化を防ぐ為に、通常DC/DCコンバータが有している過熱保護機能を放電動作時にも有効とし、DC/DCコンバータの温度が保護レベルまで到った際には放電電流値を下げて単位時間で生じる熱量を下げる、などの対処が必要になる。   In addition, when the capacitance value of the output stabilizing capacitor 4 is large, it is necessary to consider heat generated during discharge. During the discharge period, a power loss represented by P = Vo × Idis occurs in the discharge circuit in a unit time, and the DC / DC converter 6 is burned out due to a temperature rise caused by the amount of heat, or in peripheral components. In order to prevent the deterioration of the characteristics of certain capacitors 2 and 4 and coil 3, the overheat protection function that the DC / DC converter normally has is made effective during the discharge operation, and the temperature of the DC / DC converter reaches the protection level. In some cases, it is necessary to take measures such as lowering the discharge current value to lower the amount of heat generated per unit time.

<第2の実施の形態>
図5は本発明の第2の実施の形態に係るスイッチング電源回路である。同図に示すように、本形態は図1に示す第1の実施の形態に対し、放電制御回路21の構成が異なるだけである。そこで、図1と同一部分には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
<Second Embodiment>
FIG. 5 shows a switching power supply circuit according to the second embodiment of the present invention. As shown in the figure, the present embodiment is different from the first embodiment shown in FIG. 1 only in the configuration of the discharge control circuit 21. Therefore, the same parts as those in FIG.

本形態における放電制御回路21は、トランスコンダクタンスアンプ211、抵抗212、基準電圧源213および増幅器214で構成されている。トランスコンダクタンスアンプ211はトランジスタ9のドレインとソースの電位差を増幅し、これを電流に変換して出力する。トランスコンダクタンスアンプ211から出力された電流は抵抗212で電圧に変換されて増幅器214に印加される。増幅器214に対しては、前記の変換電圧信号と、基準電圧源213の出力である所定の基準電圧Vrefが印加される。増幅器214の出力はスイッチ13を介してトランジスタ9のゲートに接続されている。ここで、放電動作時には、スイッチ12が開状態でスイッチ13は閉状態となるので、トランジスタ9のゲートは増幅器214の出力電圧により制御される。増幅器214がトランジスタ9を駆動しているモードでは、放電制御回路21とトランジスタ9とは帰還回路を構成している。また、トランスコンダクタンスアンプ211と増幅器214の入力端子の極性は帰還回路が負帰還回路となるように設定されている。トランスコンダクタンスアンプ211の出力電流と抵抗212により生じる電圧をVdis、抵抗212の抵抗値をR212、トランスコンダクタンスアンプ211のトランスコンダクタンスをGm、トランジスタ9のオン抵抗をRonとするとき、放電電流の制限値Idisは、Idis×Ron×Gm×R212=Vdisから、Idis=Vdis/(Ron×Gm×R212)と表される。ここで、放電制御回路21とトランジスタ9が負帰還回路として安定していて、放電電流の制限値Idisに制限されている場合、基準電圧源213が与える基準電圧Vrefと電圧Vdisは等しいので、Idis=Vref/(Ron×Gm×R212)となる。 The discharge control circuit 21 in this embodiment includes a transconductance amplifier 211, a resistor 212, a reference voltage source 213, and an amplifier 214. The transconductance amplifier 211 amplifies the potential difference between the drain and source of the transistor 9, converts this to a current, and outputs the current. The current output from the transconductance amplifier 211 is converted into a voltage by the resistor 212 and applied to the amplifier 214. The amplifier 214 is applied with the converted voltage signal and a predetermined reference voltage Vref 2 that is the output of the reference voltage source 213. The output of the amplifier 214 is connected to the gate of the transistor 9 through the switch 13. Here, since the switch 12 is open and the switch 13 is closed during the discharging operation, the gate of the transistor 9 is controlled by the output voltage of the amplifier 214. In the mode in which the amplifier 214 is driving the transistor 9, the discharge control circuit 21 and the transistor 9 constitute a feedback circuit. The polarities of the input terminals of the transconductance amplifier 211 and the amplifier 214 are set so that the feedback circuit becomes a negative feedback circuit. When the output current of the transconductance amplifier 211 and the voltage generated by the resistor 212 are Vdis, the resistance value of the resistor 212 is R212, the transconductance of the transconductance amplifier 211 is Gm, and the on-resistance of the transistor 9 is Ron, the discharge current limit value Idis 2 is expressed as Idis 2 = Vdis / (Ron × Gm × R212) from Idis 2 × Ron × Gm × R212 = Vdis. Here, when the discharge control circuit 21 and the transistor 9 are stable as a negative feedback circuit and are limited to the discharge current limit value Idis 2 , the reference voltage Vref 2 and the voltage Vdis given by the reference voltage source 213 are equal. , Idis 2 = Vref 2 / (Ron × Gm × R212).

次に、上述のごとき構成の本形態に係るスイッチング電源回路の動作を図面に基づき説明する。図6は図5に示すスイッチング電源回路の動作に伴う各部の波形を示す波形図である。図2に示す各部の波形に対しては、放電制御回路の構成が異なることに起因して出力放電動作期間におけるトランジスタ9のゲート電圧の波形が異なるが、その他の各部の波形は同様である。図6中、(a)はトランジスタ8のゲート電圧、(b)はトランジスタ9のゲート電圧、(c)はコイル3の電流(出力端子Voutへ向かう方向を正とする)、(d)は出力電圧Vo、(e)は放電制御信号、(f)は放電制御回路21中のトランスコンダクタンスアンプ211の出力する電流と抵抗212とで生成される電圧、(g)はトランジスタ9のドレイン電流(ドレインからコイル3へ向かう方向を正とする)をそれぞれ示す。   Next, the operation of the switching power supply circuit according to this embodiment configured as described above will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a waveform diagram showing waveforms at various parts accompanying the operation of the switching power supply circuit shown in FIG. The waveforms of the respective parts shown in FIG. 2 are different from each other in the waveform of the gate voltage of the transistor 9 during the output discharge operation period due to the difference in the configuration of the discharge control circuit. In FIG. 6, (a) is the gate voltage of the transistor 8, (b) is the gate voltage of the transistor 9, (c) is the current of the coil 3 (the direction toward the output terminal Vout is positive), and (d) is the output. The voltage Vo, (e) is the discharge control signal, (f) is the voltage generated by the current output from the transconductance amplifier 211 in the discharge control circuit 21 and the resistor 212, and (g) is the drain current (drain) of the transistor 9. The direction from 1 to the coil 3 is positive).

同図に示すように、通常動作時期間の波形は図2に示した動作波形と同様である。   As shown in the figure, the waveform during the normal operation period is the same as the operation waveform shown in FIG.

一方、出力放電動作期間中には、放電制御回路21とトランジスタ9とで構成される負帰還回路が、トランジスタ9のドレイン−ソース電流IDSが制限値Idisより小さい場合はトランジスタ9のゲート電圧を上げ、トランジスタ9のオン抵抗を低減してドレイン−ソース電流IDSを増大させる。ドレイン−ソース電流IDSが制限値Idisより大きい場合はトランジスタ9のゲート電圧を下げ、オン抵抗を増やしてドレイン-ソース電流IDSを低減させる。 On the other hand, during the output discharge operation period, the negative feedback circuit composed of a discharge control circuit 21 and the transistor 9, transistor 9 drain - a gate voltage when the source current IDS is limit Idis 2 smaller than transistor 9 The on-resistance of the transistor 9 is reduced and the drain-source current IDS is increased. When the drain-source current IDS is larger than the limit value Idis 2 , the gate voltage of the transistor 9 is lowered, the on-resistance is increased, and the drain-source current IDS is reduced.

さらに詳言すると、放電動作開始直後には、0Aより時間に比例してコイル3を流れる放電電流が増加するため、トランジスタ9のドレイン−ソース電流IDSは制限値Idisより小さくなり、放電制御回路21がトランジスタ9のゲート電圧をHiレベルに上げる。この結果、ゲート電圧が上昇し、トランジスタ9が導通状態となって放電回路が形成されるので、出力端子Voutから放電が開始される。 More specifically, immediately after the start of the discharge operation, the discharge current flowing through the coil 3 increases in proportion to the time from 0 A, so that the drain-source current IDS of the transistor 9 becomes smaller than the limit value Idis 2 and the discharge control circuit 21 raises the gate voltage of the transistor 9 to the Hi level. As a result, the gate voltage rises, the transistor 9 becomes conductive, and a discharge circuit is formed, so that discharge is started from the output terminal Vout.

放電電流が増加して制限値Idisに漸近すると、トランジスタ9のゲート電圧もある値に漸減する。放電電流が制限値Idisであるとき、トランジスタ9のゲート電圧をVGSとすると、以下に示す関係が成立する。 As the discharge current increases and gradually approaches the limit value Idis 2 , the gate voltage of the transistor 9 also gradually decreases to a certain value. When the discharge current is the limit value Idis 2 and the gate voltage of the transistor 9 is VGS, the following relationship is established.

[数2]

Figure 0006248066
但し、Lはトランジスタ9のチャネル長、Wはチャネル幅、μnはトランジスタ9のキャリア移動度、Coxはトランジスタ9の単位面積あたりのゲート容量、Vthはトランジスタ9の閾値である。 [Equation 2]
Figure 0006248066
However, L is the channel length of the transistor 9, W is the channel width, μn is the carrier mobility of the transistor 9, Cox is the gate capacitance per unit area of the transistor 9, and Vth is the threshold value of the transistor 9.

これより、ゲート電圧VGSは以下のように求められる。   From this, the gate voltage VGS is obtained as follows.

[数3]

Figure 0006248066
[Equation 3]
Figure 0006248066

このように、図5に示した実施の形態では、放電電流を観測し、放電経路中のトランジスタ9のゲートを駆動することで放電電流を制限している。   Thus, in the embodiment shown in FIG. 5, the discharge current is limited by observing the discharge current and driving the gate of the transistor 9 in the discharge path.

なお、図5に示す実施の形態では、トランジスタ9のドレインとソースの電位差から放電電流値を観測しているが、電流値の観測は出力端子Voutから接地の間の放電経路中の何処で行ってもよい。また、電流観測手段も他の手段で代替可能である。例えば、電流センス抵抗が放電経路中に設けられていれば、センス抵抗間電圧を、増幅回路を介してトランジスタ9のゲートへ増幅出力することで図5に示した場合と同様の機能を実現できる。   In the embodiment shown in FIG. 5, the discharge current value is observed from the potential difference between the drain and the source of the transistor 9, but the current value is observed anywhere in the discharge path between the output terminal Vout and the ground. May be. The current observation means can be replaced with other means. For example, if a current sense resistor is provided in the discharge path, the voltage similar to that shown in FIG. 5 can be realized by amplifying and outputting the voltage between the sense resistors to the gate of the transistor 9 via the amplifier circuit. .

本発明は、プロセッサ等を負荷とする電源装置を製造・販売する産業分野において有効に利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be effectively used in the industrial field in which a power supply device having a processor or the like as a load is manufactured and sold.

1 1次電源
2,4 コンデンサ
3 コイル
5 負荷
8,9,112,113,116,117 トランジスタ
11,21 放電制御回路
12,13 スイッチ
Vout 出力端子
Vo 出力電圧
DISCHG 放電制御信号

1 Primary power supply 2, 4 Capacitor 3 Coil 5 Load 8, 9, 112, 113, 116, 117 Transistors 11, 21 Discharge control circuit 12, 13 Switch Vout Output terminal Vo Output voltage DISCHG Discharge control signal

Claims (4)

スイッチングモード時に各プリドライバからそれぞれ出力される出力信号で同期整流方式により交互にオン/オフ動作するとともに、一端側が1次電源に接続されたスイッチング素子である第1のトランジスタと、一端側が接地されたスイッチング素子である第2のトランジスタとを有し、他端側同士を介して直列に接続した前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間からコイルおよび出力端子を介して得る所定の出力電圧を負荷に印加するスイッチング電源回路であって、
前記スイッチングモードが終了した後の出力残留電荷を放電する放電モード時に、該放電モードを表す放電制御信号に基づき動作して前記第2のトランジスタが所定の一定電流を流すように制御する放電制御回路を有するとともに、
前記放電制御回路は、前記第2のトランジスタとカレントミラー回路を形成することにより前記第2のトランジスタが所定の一定電流を流すように構成し、
さらに前記各プリドライバのうち前記第2のトランジスタに出力信号を出力するプリドライバと、前記第2のトランジスタとの間に第1のスイッチ手段を設けるとともに、前記放電制御回路のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間に第2のスイッチ手段を設け、前記放電モード時には、前記放電制御信号で前記第1のスイッチ手段を開放することにより前記第2のトランジスタに出力信号を出力する前記プリドライバから前記第2のトランジスタへの出力信号の供給を遮断すると同時に、前記放電制御信号で前記第2のスイッチ手段を投入することにより前記第2のトランジスタで前記ミラー回路が形成されるように構成したことを特徴とするスイッチング電源回路。
In the switching mode, output signals output from the respective pre-drivers are alternately turned on / off by a synchronous rectification method, and one end side is a switching element connected to the primary power source, and one end side is grounded A predetermined transistor obtained via a coil and an output terminal from between the first transistor and the second transistor connected in series via the other ends. A switching power supply circuit for applying an output voltage to a load,
A discharge control circuit that operates based on a discharge control signal indicating the discharge mode and controls the second transistor to flow a predetermined constant current in a discharge mode in which the output residual charge is discharged after the switching mode ends. And having
The discharge control circuit is configured such that the second transistor flows a predetermined constant current by forming a current mirror circuit with the second transistor,
Further, a first switch means is provided between the pre-driver that outputs an output signal to the second transistor of the pre-drivers and the second transistor, and the transistor of the discharge control circuit and the second driver The second switch means is provided between the pre-driver and the pre-driver that outputs an output signal to the second transistor by opening the first switch means with the discharge control signal in the discharge mode. The mirror circuit is formed by the second transistor by shutting off the supply of the output signal to the second transistor and simultaneously turning on the second switch means with the discharge control signal. A switching power supply circuit.
請求項1に記載するスイッチング電源回路において、
前記カレントミラー回路には、可変電流源が接続されていることを特徴とするスイッチング電源回路。
In the switching power supply circuit according to claim 1,
A switching power supply circuit, wherein a variable current source is connected to the current mirror circuit.
請求項1に記載するスイッチング電源回路において、
前記カレントミラー回路は複数のミラー比を選択できることを特徴とするスイッチング電源回路。
In the switching power supply circuit according to claim 1,
A switching power supply circuit characterized in that the current mirror circuit can select a plurality of mirror ratios.
請求項1に記載するスイッチング電源回路において、
前記カレントミラー回路は、直列に接続した複数のカレントミラー回路を含むことを特徴とするスイッチング電源回路。
In the switching power supply circuit according to claim 1,
The switching power supply circuit, wherein the current mirror circuit includes a plurality of current mirror circuits connected in series.
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