JP6213540B2 - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第一実施形態に係る排気浄化装置が用いられる内燃機関を概略的に示す図である。図1に示した内燃機関は、シリンダブロック2と、シリンダブロック2上に固定されたシリンダヘッド4を備える機関本体1を具備する。シリンダブロック2内には、シリンダブロック2内に形成されたシリンダ内を往復動するピストン3が配置される。ピストン3とシリンダヘッド4との間には、混合気の燃焼が行われる燃焼室5が形成される。
上流側排気浄化触媒20及び下流側排気浄化触媒24は、酸素吸蔵能力を有する三元触媒である。具体的には、排気浄化触媒20、24は、セラミックから成る担体に、触媒作用を有する貴金属(例えば、白金(Pt))及び酸素吸蔵能力を有する物質(例えば、セリア(CeO2))を担持させた三元触媒である。三元触媒は、三元触媒に流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比に維持されていると、未燃ガス及びNOxを同時に浄化する機能を有する。加えて、排気浄化触媒20、24に或る程度の酸素が吸蔵されている場合には、排気浄化触媒20、24に流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比に対してリッチ側或いはリーン側に若干ずれたとしても未燃ガス及びNOxとが同時に浄化される。
本実施形態では、空燃比センサ40、41として、コップ型の限界電流式空燃比センサが用いられる。図2を用いて、空燃比センサ40、41の構造について簡単に説明する。空燃比センサ40、41は、固体電解質層51と、その一方の側面上に配置された排気側電極52と、その他方の側面上に配置された大気側電極53と、通過する排気ガスの拡散律速を行う拡散律速層54と、基準ガス室55と、空燃比センサ40、41の加熱、特に固体電解質層51の加熱を行うヒータ部56とを具備する。
次に、本実施形態の制御装置によって行われる空燃比制御について説明する。本実施形態の空燃比制御では、メインフィードバック制御、サブフィードバック制御、メインフィードバック学習制御(以下、「メイン学習制御」という)、サブフィードバック学習制御(以下、「サブ学習制御」という)が行われる。
まず、メインフィードバック制御について説明する。メインフィードバック制御では、上述したように、上流側空燃比センサ40の出力空燃比に基づいて、上流側空燃比センサ40の出力空燃比が目標空燃比となるように燃料噴射弁11からの燃料供給量(すなわち、燃焼室5への燃料供給量)が制御される。特に、本実施形態では、上流側空燃比センサ40の出力空燃比と目標空燃比との差である空燃比偏差DAFが小さくなるように比例・積分・微分制御(PID制御)が行われる。
DFi=Kp・DAF+Ki・SDAF+Kd・DDAF …(1)
次に、メインフィードバック学習制御(メイン学習制御)について説明する。ここで、燃料噴射弁11からの燃料供給量は必ずしもECU31からの要求燃料供給量に一致するわけではない。燃料噴射弁11間で燃料供給量にバラツキがあったり、全ての燃料噴射弁11から全体的に要求燃料供給量よりも多い側へ又は少ない側へずれたりする。このようなバラツキやずれが生じると、上流側空燃比センサ40の出力空燃比が実際の空燃比を示していたとしても、上流側空燃比センサ40の出力空燃比と目標空燃比とには定常的な偏差が存在することになる。
mfbg(n)=mfbg(n−1)+ka・SDAF …(2)
SDAF=(1−ka)・SDAF …(3)
次に、サブフィードバック制御について説明する。サブフィードバック制御では、下流側空燃比センサ41の出力空燃比等に基づいて目標空燃比がリッチ空燃比とリーン空燃比とに交互に設定される。
OED=0.23×Qi×(AFup−AFR) …(4)
ここで、0.23は空気中の酸素濃度、Qiは燃料供給量、AFupは上流側空燃比センサ40の出力空燃比、AFRは制御中心となる空燃比(本実施形態では、基本的には理論空燃比)をそれぞれ表している。
図6を参照して、上述したような操作について具体的に説明する。図6は、本実施形態のサブフィードバック制御を行った場合における、空燃比補正量AFC、上流側空燃比センサ40の出力空燃比AFup、上流側排気浄化触媒20の酸素吸蔵量OSA、積算酸素過不足量ΣOED、下流側空燃比センサ41の出力空燃比AFdwn及び上流側排気浄化触媒20から流出する排気ガス中のNOx濃度のタイムチャートである。
ところで、機関本体1が複数の気筒を有する場合、各燃料噴射弁11の形状誤差等により各気筒から排出される排気ガスの空燃比には気筒間で僅かながらずれが生じる場合がある。一方、上流側空燃比センサ40は排気マニホルド19の集合部に配置されるが、その配置位置に応じて各気筒から排出された排気ガスが上流側空燃比センサ40に曝される程度が気筒間で異なる。この結果、上流側空燃比センサ40の出力空燃比は、或る特定の気筒から排出された排気ガスの空燃比の影響を強く受けることになる。このため、この或る特定の気筒から排出された排気ガスの空燃比が全気筒から排出される排気ガスの平均空燃比とは異なる空燃比となっている場合、平均空燃比と上流側空燃比センサ40の出力空燃比との間にはずれが生じる。すなわち、上流側空燃比センサ40の出力空燃比は実際の排気ガスの平均空燃比よりもリッチ側又はリーン側にずれることになる。
そこで、本実施形態では、上流側空燃比センサ40の出力空燃比AFupにおけるずれを補償すべく、サブフィードバック学習制御(サブ学習制御)が行われる。サブ学習制御には、サブ学習基本制御及び張付き学習制御が含まれる。以下ではまず、サブ学習基本制御について説明する。サブ学習基本制御では、上述したように、上流側空燃比センサ40の出力空燃比AFup及び下流側空燃比センサ41の出力空燃比AFdwnに基づいて上流側空燃比センサ40の出力空燃比AFdwnと上流側排気浄化触媒20に流入する排気ガスの空燃比との差に応じて変化するサブ学習値が算出される。加えて、算出されたサブ学習値に基づいて上流側空燃比センサ40の出力空燃比AFupと上流側排気浄化触媒20に流入する排気ガスの空燃比との差が小さくなるように燃料噴射弁11からの燃料供給量が制御される。以下では、このサブフィードバック学習制御について説明する。
sfbg(n)=sfbg(n−1)+kb・ΔΣOED …(5)
AFR=AFRbase+sfbg(n) …(6)
なお、上記式(5)において、nは計算回数又は時間を表している。したがって、sfbg(n)は今回の計算又は現在のサブ学習値である。加えて、上記式(5)におけるkbは、過不足量誤差ΔΣOEDを制御中心空燃比AFRに反映させる程度を表すゲインである(0<kb≦1)。ゲインkbの値が大きいほど制御中心空燃比AFRの補正量が大きくなる。さらに、上記式(6)において、基本制御中心空燃比AFRbaseは、基本となる制御中心空燃比であり、本実施形態では理論空燃比である。
ところで、図7に示した例では、上流側空燃比センサ40の出力空燃比にずれが生じているが、その程度はそれほど大きくない場合を示している。したがって、図7の破線からもわかるように、目標空燃比がリッチ設定空燃比に設定されている場合において、実際の排気ガスの空燃比は、リッチ設定空燃比よりもリーンながらも、リッチ空燃比となっている。
そこで、本実施形態のサブ学習制御では、上流側空燃比センサ40の出力空燃比におけるずれが大きな場合であってもそのずれを補償すべく、上述したサブ学習基本制御に加えて、理論空燃比張付き学習制御、リーン張付き学習制御及びリッチ張付き学習制御が行われる。
まず、理論空燃比張付き学習制御について説明する。理論空燃比張付き学習制御は、図11に示した例のように、下流側空燃比センサ41の出力空燃比が理論空燃比に張り付いてしまっている場合に行われる学習制御である。
sfbg(n)=sfbg(n−1)+kc・AFCrich …(7)
なお、上記式(7)において、kcは、制御中心空燃比AFRを補正する程度を表すゲインである(0<kc≦1)。ゲインkcの値が大きいほど、制御中心空燃比AFRの補正量が大きくなる。
次に、リーン張付き学習制御について説明する。リーン張付き学習制御は、図10に示した例のように、目標空燃比をリッチ空燃比にしているにもかかわらず、下流側空燃比センサ41の出力空燃比がリーン空燃比に張り付いてしまっている場合に行われる学習制御である。リーン張付き学習制御では、空燃比補正量AFCをリッチ設定補正量AFCrichに切り替えてから、すなわち目標空燃比をリッチ設定空燃比に切り替えてから、下流側空燃比センサ41の出力空燃比AFdwnが予め定められたリーン空燃比維持判定時間以上に亘ってリーン空燃比に維持されているかを判断する。そして、リーン空燃比維持判定時間以上に亘ってリーン空燃比に維持されている場合には、上流側排気浄化触媒20に流入する排気ガスの空燃比がリッチ側に変化するようにサブ学習値sfbgが減少せしめられる。図12にこの様子を示す。
sfbg(n)=sfbg(n−1)+kd・(AFCrich−(AFdwn−14.6)) …(7)
なお、上記式(7)において、kdは、制御中心空燃比AFRを補正する程度を表すゲインである(0<kd≦1)。ゲインkdの値が大きいほど、制御中心空燃比AFRの補正量が大きくなる。
ところで、複数の気筒を有する内燃機関では、一部の気筒のみにおいて、燃料噴射弁11の故障等により、燃料噴射弁11からの実際の燃料供給量が目標値よりも多くなる場合がある。これは、例えば、燃料噴射弁11のニードル弁と弁座との間に異物が付着して、ニードル弁が完全に閉弁されなくなったような場合に発生する。このように、一部の燃料噴射弁11からの燃料供給量が多くなると、この一部の燃料噴射弁11に対応する気筒における燃焼空燃比は他の気筒における燃焼空燃比よりもリッチになる。以下では、このように一部の気筒における燃焼空燃比が他の気筒における燃焼空燃比よりもリッチになることにより気筒間で燃焼空燃比にずれが生じることをリッチインバランスと称する。
そこで、本実施形態の制御装置では、リッチインバランスが発生した場合には、サブ学習値sfbgが、上流側排気浄化触媒20に流入する排気ガスの空燃比と目標空燃比との差に応じた適切な値に変化し易くなるようにサブ学習値sfbgの変化に関連するパラメータを制御するサブ学習促進制御が行われる。サブ学習値sfbgを上記適切な値に変化し易くなるようにするサブ学習促進制御としては、以下のものが挙げられる。
また、本実施形態では、リッチインバランスが発生した場合に、サブ学習促進制御が行われる。具体的には、本実施形態では、メイン学習におけるメイン学習値mfbgとサブ学習におけるサブ学習値sfbgとの差が或る程度以上になった場合には、リッチインバランスが発生したと推定するようにしている。以下では、このことについて説明する。
図13は、インバランス発生の有無、空燃比補正量AFC、上流側空燃比センサ40の出力空燃比AFup、メイン学習値mfbg、酸素吸蔵量OSA、積算酸素過不足量ΣOED、下流側空燃比センサの出力空燃比AFdwn、サブ学習値sfbg及び学習値差Δfbgのタイムチャートである。特に、図13は、上述したサブ学習促進制御を行った場合を示している。なお、図13においても、出力空燃比AFupにおける実線は、上流側空燃比センサ40の出力空燃比を、破線は、上流側空燃比センサ40周りを流通する排気ガスの実際の空燃比をそれぞれ示している。加えて、一点鎖線は、目標空燃比、すなわち理論空燃比(基本制御中心空燃比)に空燃比補正量AFCを加算した空燃比を示している。
次に、図14〜図17を参照して、上記実施形態における制御装置について具体的に説明する。本実施形態における制御装置は、機能ブロック図である図14に示したように、A1〜A10の各機能ブロックを含んで構成されている。以下、図14を参照しながら各機能ブロックについて説明する。これら各機能ブロックA1〜A10における操作は、基本的にECU31において実行される。
まず、燃料供給量の算出について説明する。燃料供給量の算出に当たっては、筒内吸入空気量算出手段A1、基本燃料供給量算出手段A2、及び燃料供給量算出手段A3が用いられる。
次に、補正目標空燃比の算出について説明する。補正目標空燃比は、サブ学習値sfbgによって補正された目標空燃比である。補正目標空燃比の算出に当たっては、酸素過不足量算出手段A4、空燃比補正量算出手段A5、サブ学習値算出手段A6、制御中心空燃比算出手段A7、目標空燃比設定手段A8が用いられる。
次に、上流側空燃比センサ40の出力空燃比AFupに基づいたF/B補正量及びメイン学習値の算出について説明する。F/B補正量DFi及びメイン学習値mfbgの算出に当たっては、空燃比偏差算出手段A9、F/B補正量・メイン学習値算出手段A10が用いられる。
図15は、空燃比補正量AFCの算出制御の制御ルーチンを示すフローチャートである。図示した制御ルーチンは一定時間間隔で行われる。
図16は、サブ学習基本制御の制御ルーチンを示すフローチャートである。図示した制御ルーチンは一定時間間隔で行われる。
図17は、サブ学習促進制御の制御ルーチンを示すフローチャートである。図示した制御ルーチンは一定時間間隔で行われる。
5 燃焼室
7 吸気ポート
9 排気ポート
19 排気マニホルド
20 上流側排気浄化触媒
24 下流側排気浄化触媒
31 ECU
40 上流側空燃比センサ
41 下流側空燃比センサ
Claims (7)
- 内燃機関の排気通路に配置された排気浄化触媒と、該排気浄化触媒の排気流れ方向上流側に配置されると共に前記排気浄化触媒に流入する排気ガスの空燃比を検出する上流側空燃比センサと、前記排気浄化触媒の排気流れ方向下流側に配置されると共に前記排気浄化触媒から流出した排気ガスの空燃比を検出する下流側空燃比センサと、前記上流側空燃比センサ及び前記下流側空燃比センサの出力空燃比に基づいて前記内燃機関の燃焼室への燃料供給量を制御する制御装置とを具備する、内燃機関の排気浄化装置であって、
前記制御装置は、前記上流側空燃比センサの出力空燃比が目標空燃比となるように前記燃料供給量をフィードバック制御するメインフィードバック制御と、
前記下流側空燃比センサの出力空燃比に基づいて前記目標空燃比を理論空燃比よりもリッチなリッチ空燃比と理論空燃比よりもリーンなリーン空燃比とに交互に切り替えるサブフィードバック制御と、
前記上流側空燃比センサの出力空燃比と前記目標空燃比との差に基づいてこれら空燃比間に存在する定常的な偏差に応じて変化するメイン学習値を算出し、該算出したメイン学習値に基づいて前記上流側空燃比センサの出力空燃比と前記目標空燃比との差が小さくなるように前記内燃機関の燃焼室への燃料供給量を制御するメイン学習制御と、
前記上流側空燃比センサの出力空燃比及び前記下流側空燃比センサの出力空燃比に基づいて前記排気浄化触媒に流入する排気ガスの空燃比と目標空燃比との差に応じて変化するサブ学習値を算出し、該算出したサブ学習値に基づいて前記排気浄化触媒に流入する排気ガスの空燃比と前記目標空燃比との差が小さくなるように前記内燃機関の燃焼室への燃料供給量を制御するサブ学習制御と、を実行し、
前記制御装置は、サブ学習促進条件が成立したときには、該サブ学習促進条件が成立していないときに比べて、前記サブ学習制御におけるサブ学習値が前記排気浄化触媒に流入する排気ガスの空燃比と前記目標空燃比との差に応じた適切な値に変化し易くなるように前記サブ学習値に関連するパラメータを制御するサブ学習促進制御を実行し、
前記サブ学習促進条件が成立するときは、少なくとも、前記メイン学習値及び前記サブ学習値の絶対値が予め定められたそれぞれの基準絶対値以上であって且つ前記メイン学習値と前記サブ学習値とで正負が反対であるときである、内燃機関の排気浄化装置。 - 前記サブ学習促進条件が成立するときは、少なくとも、前記メイン学習値及び前記サブ学習値の絶対値が予め定められたそれぞれの基準絶対値以上であって且つ前記メイン学習値と前記サブ学習値とで正負が反対であり、更に前記メイン学習値と前記サブ学習値との差が予め定められた基準差以上であるときである、請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 前記サブ学習値は、その絶対値が所定のガード値以下に維持され、
前記サブ学習促進制御では、前記ガード値の絶対値が増大せしめられる、請求項1又は2に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 前記サブ学習制御では、前記目標空燃比と前記排気浄化触媒に流入する排気ガスの空燃比との差に所定の係数を乗算した値を積算することでサブ学習値を算出し、
前記サブ学習促進制御では、前記サブ学習促進条件が成立したときには、該サブ学習促進条件が成立していないときに比べて、前記サブ学習値を算出する際の前記係数が大きくされる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 前記制御装置は、前記サブフィードバック制御において、前記目標空燃比を理論空燃比よりもリッチなリッチ設定空燃比と理論空燃比よりもリーンなリーン設定空燃比とに交互に切り替え、
前記サブ学習促進制御では、前記サブ学習促進条件が成立したときには、前記サブ学習促進条件が成立していないときに比べて、前記リッチ設定空燃比のリッチ度合いが大きくされる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 前記制御装置は、前記上流側空燃比センサの出力空燃比に基づいて前記排気浄化触媒の酸素吸蔵量を推定すると共に、前記サブフィードバック制御において、前記排気浄化触媒の酸素吸蔵量の推定値が切替基準吸蔵量以上になると、前記目標空燃比をリーン空燃比からリッチ空燃比に切り替え、
前記サブ学習促進制御では、前記サブ学習促進条件が成立したときには、前記サブ学習促進条件が成立していないときに比べて、前記切替基準吸蔵量が少なくされる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 前記制御装置は、前記サブフィードバック制御において、前記目標空燃比を理論空燃比よりもリッチなリッチ設定空燃比と理論空燃比よりもリーンなリーン設定空燃比とに交互に切り替え、
前記サブ学習促進制御では、前記サブ学習促進条件が成立したときには、前記サブ学習促進条件が成立していないときに比べて、前記リーン設定空燃比のリーン度合いが小さくされる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
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