JP6142668B2 - ヒューズ素子 - Google Patents

Description

本発明は、過電流が流れた際に溶断するヒューズ素子に関し、特に、基板に溶断部分を有する導体配線が設けられているヒューズ素子に関する。

従来、電子機器を過電流から保護するために、様々なヒューズ素子が用いられている。下記の特許文献１には、金属からなるヒューズ導体の一部に、錫や鉛等の低融点金属が付着されているヒューズ素子が開示されている。過電流が流れた場合には、低融点金属が溶融し、かつその融液がヒューズ導体を溶解させる。それによって、回路が遮断される。

特開２００９−９９３７２号公報

特許文献１に記載のような従来の低融点金属を用いたヒューズ素子には、溶断部において、低融点金属の融液や低融点金属の融液により溶解されたヒューズ導体溶液のような液状物が留まるおそれがあった。そのため、回路を確実に遮断することができないことがあった。

本発明の目的は、回路を確実に遮断することができるヒューズ素子を提供することにある。

本発明に係るヒューズ素子は、基板と、基板上に配置されておりかつ第１の端部と第２の端部とを有する導体配線とを備える。

上記導体配線は、分断部を有する。分断部は、上記第１の端部と上記第２の端部とを結ぶ第１の方向と交叉している第２の方向に延びている。分断部の第１の端部側に位置している導体配線部分が第１の導体配線部であり、分断部の第２の端部側に位置している導体配線部分が第２の導体配線部である。

本発明に係るヒューズ素子では、溶断部構成用導体部と低融点金属層とがさらに備えられている。溶断部構成用導体部は、分断部に配置されている。また、溶断部構成用導体部は、第１，第２の導体配線部に電気的に接続されておりかつ第１，第２の導体配線部とは異なる導体からなる。

上記低融点金属層は、上記分断部において上記溶断部構成用導体部の上側に設けられている。上記低融点金属層は、上記溶断部構成用導体部よりも融点が低く、融液となった際に上記溶断部構成用導体部を溶解させる。

本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、上記第１，第２の導体配線部が、それぞれ、第１の方向に延びる第１，第２の側縁を有し、上記溶断部構成用導体部が、上記第１の側縁及び第２の側縁よりも外側に至っている。

本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、上記第１，第２の導体配線部の上記第１，第２の側縁の外側に至っている上記溶断部構成用導体部の部分に連ねられており、かつ上記第２の方向に延びる上記溶断部構成用金属の幅よりも大きな幅を有する溶融金属誘導用導体部がさらに備えられている。

本発明に係るヒューズ素子では、上記溶融金属誘導用導体部は、第２の方向と異なる方向に延ばされていてもよい。

本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、上記溶断部構成用導体部が複数設けられている。

本発明に係るヒューズ素子では、上記複数の溶断部構成用導体部の内、少なくとも１つの溶断部構成用導体部の延びる方向が、残りの溶断部構成用導体部の延びる方向と異なっていてもよい。

本発明に係るヒューズ素子では、上記溶断部構成用導体部が、前記第１の方向に対して、斜め方向に交叉する方向に延ばされていてもよい。

本発明に係るヒューズ素子では、平面視した場合、上記溶断部構成用導体部は、直線状であってもよい。

本発明に係るヒューズ素子では、平面視した場合、上記溶断部構成用導体部は、曲線状であってもよい。

本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、上記溶融金属誘導用導体部が、上記第１，第２の導体配線部よりも、上記低融点金属との濡れ性が高い導体からなる。

本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、上記低融点金属層が半田からなり、上記溶断部構成用導体部が半田喰われを生じる金属からなる。

本発明に係るヒューズ素子では、好ましくは、上記溶断部構成用導体部の内、上記第１，第２の導体配線部の第１，第２の側縁よりも外側に至っている部分が、他の導体配線と電気的に接続されていないダミー導体部である。

本発明に係るヒューズ素子によれば、第２の方向に延びる分断部に溶断部構成用導体部が設けられているため、過電流が流れた際に低融点金属及び溶断部構成用導体の融液もしくは溶液が確実に分断部の外に排出される。従って、電流を確実に遮断することが可能となる。

（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、（ｃ）は、その要部を詳細に示す部分模式的断面図である。 本発明の第１の実施形態において、過電流が流れた際の融液の移動方向を示す模式的平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態のヒューズ素子において、ヒューズ素子が短辺方向を上下方向として配置されている場合及び長辺方向が上下方向として配置されている場合の低融点金属融液の流れ方向を示す各正面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第３の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

ヒューズ素子１は、基板２を有する。基板２は、適宜の絶縁性材料からなる。このような絶縁性材料としては、例えば、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを主成分とする低温焼成セラミック材料、アルミナなどの高温焼成セラミック材料などが挙げられる。また、基板２はガラスセラミックスにより構成されてもよい。

特に限定されないが、本実施形態では、基板２は矩形板状の形状を有する。基板２は、長辺側の側面２ａと、短辺側の側面２ｂとを有する。

基板２上には、導体配線３が設けられている。導体配線３は、第１の端部３ａと第２の端部３ｂとを有する。第１の端部３ａと第２の端部３ｂとを結ぶ方向に電流が流れる。この第１の端部３ａから第２の端部３ｂに向う第１の方向をＸ方向とする。Ｘ方向と斜め方向に交叉する第２の方向に延びるように、導体配線３の中央に分断部３ｃが設けられている。分断部３ｃは、平面視した場合、図１（ａ）に示すように、直線状の形状を有する。この直線状の形状の延びる方向である第２の方向が、Ｘ方向と斜め方向に交叉している。

分断部３ｃの第１の端部３ａ側の導体配線部分が、第１の導体配線部３Ａである。分断部３ｃの第２の端部３ｂ側の導体配線部分が、第２の導体配線部３Ｂである。言い換えれば、第１の導体配線部３Ａと、第２の導体配線部３Ｂとが分断部３ｃからなるギャップを隔てて対向されている。

なお、第１の導体配線部３Ａは、Ｘ方向に延びる一対の側縁３Ａ１，３Ａ２を有する。第２の導体配線部３Ｂも、Ｘ方向に延びる一対の側縁３Ｂ１，３Ｂ２を有する。

上記導体配線３は、Ｃｕ、Ａｌなどの金属もしくは合金からなる。

上記分断部３ｃには、溶断部構成用導体部１１が配置されている。溶断部構成用導体部１１は、本実施形態ではＡｇからなる。すなわち後述の低融点金属の融液と接触した際に溶解する金属からなる。このような金属としては、Ａｇの他、ＡｇとＰｔ、ＡｇとＰｄ等の合金などを挙げることができる。

溶断部構成用導体部１１は上記分断部３ｃにおいて、両側の第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂを電気的に接続するように配置されている。図１（ａ）及び（ｂ）では略図的に示しているが、より具体的には、図１（ｃ）に示すように、本実施形態では、溶断部構成用導体部１１を形成した後、その両側縁から溶断部構成用導体部１１の内側に乗り上げるように第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂが形成されている。

なお、第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂを形成した後、溶断部構成用導体部１１の両側縁が第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂに乗り上げるように溶断部構成用導体部１１を形成してもよい。その場合においても、溶断部構成用導体部１１を、第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂに確実に電気的に接続することができる。

本実施形態では、溶断部構成用導体部１１は、分断部３ｃよりも外側に至っている。すなわち、Ｘ方向と直交するＹ方向または−Ｙ方向において、分断部３ｃよりも外側の領域に、上記溶断部構成用導体部１１が至っている。

さらに、溶断部構成用導体部１１の両端に、溶融金属誘導用導体部１２，１３が設けられている。溶融金属誘導用導体部１２，１３は、本実施形態では、溶断部構成用導体部１１と同じ材料により形成されている。もっとも、溶融金属誘導用導体部１２，１３は、後述する低融点金属の融液が濡れ広がる材料である限り、適宜の金属により構成することができる。溶融金属誘導用導体部１２，１３は、第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂよりも、低融点金属層１４を構成している低融点金属との濡れ性が高い導体からなることが望ましい。

溶融金属誘導用導体部１２，１３は、溶断部構成用導体部１１が延びる方向とは異なる方向に延ばされている。本実施形態では、溶融金属誘導用導体部１２，１３はＸ方向または−Ｘ方向にそれぞれ延ばされている。また、溶融金属誘導用導体部１２，１３は、その延びる方向と直交する幅方向寸法が、溶断部構成用導体部１１の幅方向寸法よりも大きくされている。従って、上記溶融金属誘導用導体部１２，１３は比較的大きな面積を有する。なお、溶断部構成用導体部１１の幅方向寸法とは、溶断部構成用導体部１１が延びる方向と直交する方向の寸法である。

なお、本実施形態では、溶断部構成用導体部１１は、上述したように分断部３ｃよりも外側に至っている。言い換えれば、溶断部構成用導体部１１は、第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂの前述した第１の方向に延びる側縁よりも外側に至っている。溶断部構成用導体部１１のこの外側に至っている部分は、第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂを有する上記導体配線３以外の他の導体配線には電気的に接続されていない。すなわち、上記溶断部構成用導体部１１の上記外側に至っている部分は、他の導体配線と電気的に接続されていないダミー導体部である。

基板２の上面においては、上記溶断部構成用導体部１１の上側に低融点金属層１４が設けられている。低融点金属層１４は、本実施形態では、第１の導体配線部３Ａ及び第２の導体配線部３Ｂ上にも至っている。もっとも、低融点金属層１４は、溶断部構成用導体部１１の上面にのみ設けられていてもよい。

好ましくは、本実施形態のように、低融点金属層１４は、両側の第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂにも至るように設けられることが望ましい。その場合には、低融点金属層１４の形成に際しての位置決めが容易となる。

なお、本実施形態では、溶断部構成用導体部１１の上側に直接低融点金属層１４が設けられている。もっとも、後述するように、低融点金属層１４は、溶断部構成用導体部１１の上側に間接的に、すなわち他の層を間に挟んで設けられてもよい。また、低融点金属層１４は、溶断部構成用導体部１１の上面の一部にのみ設けられていてもよい。

上記低融点金属層１４は、溶断部構成用導体部１１よりも融点が低く、融液となった際に溶断部構成用導体部１１を溶解させる適宜の金属により構成することができる。このような金属としては、ＳｎとＡｇ、ＳｎとＡｇとＣｕ、ＳｎとＣｕ、ＳｎとＳｂ等の錫系半田、ＢｉとＡｇ、ＢｉとＳｂ、ＢｉとＺｎ等のビスマス系半田などを挙げることができる。なお、基板２の上面においては、枠状のダム１５が設けられている。ダム１５は、溶融した低融点金属が外部に流れ出ることを防止するために設けられている。このような、ダム１５は適宜のセラミックス、ガラスまたは樹脂等により形成することができる。

図１（ｂ）に示すように、基板２内には、ビアホール電極４，５が設けられている。また、基板２の下面には、端子電極６，７が設けられている。ビアホール電極４の上端が第１の導体配線部３Ａに電気的に接続されており、下端が端子電極６に電気的に接続されている。ビアホール電極５の上端が第２の導体配線部３Ｂの下面に電気的に接続されており、下端が端子電極７に電気的に接続されている。

また、基板２内には、発熱体１６が設けられている。発熱体１６は、例えば抵抗発熱体により形成することができる。このような抵抗発熱体としては、例えば、Ｎｉを主体とし、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ及びＦｅの内少なくとも１種の金属を含む合金を用いることができる。

発熱体１６には、ビアホール電極１７，１８が電気的に接続されている。基板２の下面には端子電極１９が設けられている。端子電極１９に、ビアホール電極１７が電気的に接続されている。他方、ビアホール電極１８の下端は、端子電極７に電気的に接続されている。端子電極７は、ビアホール電極１８とビアホール電極５とを電気的に接続する接続電極として機能している。上記ビアホール電極４，５、端子電極６，７、ビアホール電極１７，１８及び端子電極１９は適宜の金属もしくは合金により形成することができる。

次に、本実施形態のヒューズ素子１の動作を説明する。ヒューズ素子１では、端子電極６と端子電極１９との間に、上記溶断部構成用導体部１１を有するヒューズ部と、上記発熱体１６とが直列に接続されている。端子電極６と端子電極１９との間に過電流が流れると、第１，第２の導体配線部３Ａ及び３Ｂ並びに溶断部構成用導体部１１，低融点金属層１４が発熱する。加えて、発熱体１６も発熱し、大幅に温度が上昇する。その結果、低融点金属層１４が溶解する。この低融点金属層１４の融液は、溶断部構成用導体部１１を構成している金属を溶解する。従って、分断部３ｃ内において、低融点金属層１４及び溶断部構成用導体部１１を構成している材料が図２にハッチングを付して示すように、液状物Ａとなる。この液状物Ａは、例えば矢印方向に沿って、分断部３ｃ外に導かれる。

従って、図３（ａ）に示すように、基板２の短辺側の側面２ｂが上下方向を向くようにヒューズ素子１が、配置されている場合、矢印で示すように上記液状物Ａが移動する。すなわち、液状物Ａが分断部３ｃから外側に移動し、溶融金属誘導用導体部１３側に至る。溶融金属誘導用導体部１３は、前述したように、上記液状物が濡れ広がりやすい金属からなり、かつ大きな面積を有する。そのため、液状物が確実に分断部３ｃ外に導かれる。

なお、図３（ａ）に示す向きと上下方向を逆とした場合には、溶融金属誘導用導体部１２側に液状物が流れることとなる。従って、その場合においても、分断部３ｃから液状物Ａが確実に取り除かれる。よって、電流を確実に遮断することができる。

他方、基板２の長辺側の側面２ａが上下方向を向くようにヒューズ素子１が配置されている場合には、図３（ｂ）に矢印で示すように液状物Ａが移動する。従って、この場合においても、やはり、液状物が分断部３ｃから外側に確実に排出されることになる。よって、電流を確実に遮断することができる。

上記のように、本実施形態のヒューズ素子１では、分断部３ｃが上記Ｘ方向と交叉している第２の方向に延びており、該分断部３ｃに上記溶断部構成用導体部１１が配置されている。従って、ヒューズ素子１の基板２が水平面と異なる向きに配置されている場合、重力の作用により、上記液状物を確実に分断部３ｃから外側に排出させることができる。よって、ヒューズ素子１を用いることにより、電子回路の過電流からの保護をより確実に図ることが可能となる。

なお、上記のように、溶断部構成用導体部１１を低融点金属層１４の融液により溶解させて回路を遮断することができるが、本実施形態のヒューズ素子１では、発熱体１６の発熱により、基板２を破断させて回路を遮断させることもできる。すなわち、過充電の際に、ＩＣなどからの信号により、端子電極１９と端子電極７との間に電流を流し、発熱体１６を発熱させる。発熱体１６からの熱により、基板２が熱膨張する。この場合、基板２の熱膨張係数はセラミックスであり小さい。これに対して、導体配線３及び溶断部構成用導体部１１は金属からなるため、熱膨張係数が大きい。よって、基板２と、導体配線３及び溶断部構成用導体部１１との界面においては、熱膨張係数が小さい基板２の上面側に引張応力が働く。それによって、基板２が破壊され、それに伴って、導体配線３も破断される。このように、破断により回路を遮断するように動作させることもできる。

また、上記実施形態では、上記溶融金属誘導用導体部１２，１３の幅が溶断部構成用導体部１１の幅よりも大きくされている。すなわち、溶融金属誘導用導体部１２，１３の面積は大きくされている。従って、上記液状物Ａを速やかに溶融金属誘導用導体部１２，１３に移動させることができる。

さらに、上記溶融金属誘導用導体部１２，１３は、第２の方向と交叉する方向に延ばされている。特に、本実施形態では、溶融金属誘導用導体部１２，１３はＸ方向及び−Ｘ方向にそれぞれ延ばされている。従って、比較的大きな面積の溶融金属誘導用導体部１２，１３を設けたとしても、ヒューズ素子１の寸法の増大を抑制することができる。

なお、上記溶融金属誘導用導体部１２，１３は、溶断部構成用導体部１１の幅方向寸法よりも大きな幅方向寸法を有する必要は必ずしもない。また、溶融金属誘導用導体部１２，１３は必ずしも設けられずともよい。

図４（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。第２の実施形態のヒューズ素子２１では、複数の分断部３ｃ，３ｃが設けられている。そして、各分断部３ｃ，３ｃに、それぞれ、溶断部構成用導体部１１，１１が設けられている。さらに、各溶断部構成用導体部１１の両端に、溶融金属誘導用導体部１２，１３が設けられている。

言い換えれば、溶断部構成用導体部１１及び溶融金属誘導用導体部１２，１３が、複数設けられている。その他の構成は、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。従って、同一部分については、同一の参照番号を付与することにより、第１の実施形態の説明を援用することとする。

第２の実施形態のように、溶断部構成用導体部が複数設けられている場合、いずれか１個の溶断部構成用導体部１１において電流を遮断すればよい。従って、電流をより一層確実に遮断することができる。

なお、複数の溶断部構成用導体部のうち、少なくとも１つの溶断部構成用導体部の延びる方向は、少なくとも他の溶断部構成用導体部の延びる方向と異なっていてもよい（図示せず）。このような構成とすることにより、ヒューズ素子１の基板２が水平面と異なる向きに配置されている場合において、液状物Ａを分断部３ｃからさらに確実に外側に排出させることができる。

図５（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施形態に係るヒューズ素子の平面図及び（ａ）中のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

第３の実施形態のヒューズ素子３１では、分断部３ｃ及び溶断部構成用導体部１１がＸ方向と直交するＹ方向に延ばされている。また、溶融金属誘導用導体部１２Ａ，１３ＡはＸ方向に延ばされている。溶融金属誘導用導体部１２Ａ，１３Ａの中央付近に上記溶断部構成用導体部１１の端部が連ねられている。

このように、本発明においては、溶断部構成用導体部１１は、第１，第２の導体配線部３Ａ，３Ｂを結ぶ方向と直交する方向に延ばされていてもよい。

もっとも、好ましくは、第１及び第２の実施形態のように、溶断部構成用導体部１１は、第１の導体配線部３Ａと第２の導体配線部３Ｂとを結ぶ方向と斜め方向に交叉していることが望ましい。それによって、ヒューズ素子が水平面と異なるいずれの平面内に配置されている場合であっても、より一層確実に液状物を分断部３ｃ外に排出させることができる。

なお、図５（ａ）に示す通り、溶融金属誘導用導体部１２Ａ，１３Ａは、それぞれ、溶断部構成用導体部１１の端部と連なっている部分からみて、Ｘ方向、−Ｘ方向の両方向に延ばされていてもよい。このような構成とすることにより、溶融金属誘導用導体部１２Ａ，１３Ａに導かれた液状物Ａを、上述のＸ方向および−Ｘ方向に延ばされている領域のそれぞれに導き、貯留させることができる。

また、上述の実施形態における溶断部構成用導体部１１の平面形状は、直線状であったが、曲線状であってもよい。

上述の実施形態においては、溶断部構成用導体部１１の直上に、低融点金属層１４が設けられていたが、低融点金属層１４と溶断部構成用導体部１１との間に、低融点金属層１４と溶断部構成用導体部１１とを電気的に絶縁する絶縁物層を配置してもよい。絶縁物層を配置した構成では、低融点金属層１４は、溶断部構成用導体部１１上に間接的に設けられることになる。このような絶縁物層としては、低融点金属層１４が融液となった際に、当該融液に溶解したり、揮発するなどして除去される性質を有する絶縁材料からなるものが好ましい。その場合には、低融点金属層１４と溶断部構成用導体部１１とを電気的に絶縁することができるだけでなく、低融点金属層１４が融液となった際には、除去することができる。このような、絶縁層としては、例えば、ロジン系フラックスや有機酸系フラックスなどからなるものを用いることができる。

１…ヒューズ素子
２…基板
２ａ，２ｂ…側面
３…導体配線
３Ａ…第１の導体配線部
３Ａ１，３Ａ２，３Ｂ１，３Ｂ２…側縁
３ａ…第１の端部
３Ｂ…第２の導体配線部
３ｂ…第２の端部
３ｃ…分断部
４，５…ビアホール電極
６，７…端子電極
１１…溶断部構成用導体部
１２，１２Ａ，１３，１３Ａ…溶融金属誘導用導体部
１４…低融点金属層
１５…ダム
１６…発熱体
１７，１８…ビアホール電極
１９…端子電極
２１…ヒューズ素子
３１…ヒューズ素子

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板上に配置されており、かつ第１の端部と第２の端部とを有する導体配線とを備え、
   前記導体配線が、前記第１の端部と前記第２の端部とを結ぶ第１の方向と交叉している第２の方向に延びる分断部を有し、前記分断部の第１の端部側に位置している導体配線部分が第１の導体配線部、前記分断部の第２の端部側に位置している導体配線部分が第２の導体配線部であり、
   前記分断部に配置されており、前記第１，第２の導体配線部に電気的に接続されており、かつ前記第１，第２の導体配線部とは異なる導体からなる溶断部構成用導体部と、
   前記分断部において前記溶断部構成用導体部の上側に設けられており、かつ前記溶断部構成用導体部よりも融点が低く、融液となった際に前記溶断部構成用導体部を溶解させる低融点金属層とをさらに備え、
   前記第１，第２の導体配線部が、それぞれ、第１の方向に延びる第１，第２の側縁を有し、前記溶断部構成用導体部及び前記低融点金属層は、前記第１の側縁及び第２の側縁よりも外側に至っており、
   前記低融点金属層は、前記第１，第２の導体配線部にも至るように設けられている、ヒューズ素子。
2. 前記第１，第２の導体配線部の前記第１，第２の側縁の外側に至っている前記溶断部構成用導体部の部分に連ねられており、前記第２の方向に延びる前記溶断部構成用導体部の幅よりも大きな幅を有する溶融金属誘導用導体部をさらに備える、請求項１に記載のヒューズ素子。
3. 前記溶融金属誘導用導体部が前記第２の方向とは異なる方向に延びている、請求項２に記載のヒューズ素子。
4. 前記溶断部構成用導体部が複数設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
5. 前記複数の溶断部構成用導体部の内少なくとも１つの溶断部構成用導体部の延びる方向が、残りの溶断部構成用導体部の延びる方向と異なっている、請求項４に記載のヒューズ素子。
6. 前記溶断部構成用導体部が、前記第１の方向に対して、斜め方向に交叉する方向に延ばされている、請求項１〜５のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
7. 平面視した場合、前記溶断部構成用導体部が直線状である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
8. 平面視した場合、前記溶断部構成用導体部が曲線状である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
9. 前記溶融金属誘導用導体部が、前記第１，第２の導体配線部よりも、前記低融点金属との濡れ性が高い導体からなる、請求項２または３に記載のヒューズ素子。
10. 前記低融点金属層が、半田からなり、前記溶断部構成用導体部が、半田喰われを生じる金属からなる、請求項１〜９のいずれか１項に記載のヒューズ素子。
11. 前記溶断部構成用導体部の内、前記第１，第２の導体配線部の第１，第２の側縁よりも外側に至っている部分が、他の導体配線と電気的に接続されていないダミー導体部である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のヒューズ素子。

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