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JP6129970B2 - 電力出力を増強するための装置および方法 - Google Patents

電力出力を増強するための装置および方法 Download PDF

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Description

発明の分野
この発明は、たとえば直流(DC)から交流(AC)への変換時に電力出力を増強するための装置および方法に関する。
背景
DC電力を供給するある種の分配型発電機は、不安定な電圧を提供する。一例は、ソーラーパワーに依存する発電機であろう。よって、そのような発電機によって供給されたDC電力をAC電力に変換する回路の設計では、不安定な電圧を考慮しなければならないであろう。
DC−ACコンバータ回路は典型的には、パルス幅変調(pulse width modulation:PWM)ベースのコントローラ、パワーエレクトロニクススイッチおよびキャパシタといったコントローラ部品を含む。さまざまなDC−ACコンバータ回路構成はまた、フルブリッジまたはハーフブリッジインバータを含んでいてもよい。そのような電子部品の使用は、発電機によって供給された不安定な電圧を補償するのに役立ち得る。
しかしながら、現在のDC−ACインバータ回路は、いくつかの欠点を有する。たとえば、ソーラーパネルに依存する発電機用に使用されるDC−ACインバータ回路は、パネル間の接続線において高い電力伝送損失を有する。DC−ACインバータ回路のある部品を動作させるために、外部電源が必要とされる場合もある。DC−ACインバータ回路はまた、サイズがかさばり、また、高い熱損失を有する大きいトランス巻線を含む場合がある。加えて、現在のDC−ACインバータ回路で使用されるパワーエレクトロニクススイッチはスイッチング損失を有しており、それらはDC−ACインバータ回路の設計不良によって悪化する場合があり、それは、DC−ACインバータ回路のいくつかの既存の設計について事実である。また、電源、たとえばソーラーパネルからの電圧が一定ではない場合、DC−ACインバータ回路は、バッテリまたはグリッドパワーからの補助電源なしでは動かないであろう。
加えて、オングリッド太陽光発電システムで使用される現在の技術は、住宅での使用および商業的使用において固有の問題を有している。たとえば、安全機能がないことは、システムを設置または保守する作業員、および太陽光発電設備の近傍で火災を処理する消防士の双方に対し、リスクをもたらす。
したがって、とりわけ熱損失、伝送損失、スイッチング損失および変換損失全体を減少させるように、DC電力を供給する発電機用の良好に較正されたDC−ACインバータを設計することが、重要である。
図面の簡単な説明
発明のさまざまな実施形態を、単なる例示として、添付図面を参照して以下に説明する。
DC−AC電力増強器システムのブロック図である。 DC電圧ブースタ処理システムの回路図である。 DC電圧ブースタの詳細な回路図である。 DC−AC変換プロセスの回路図である。 DC−AC変換プロセスのマイクロコントローラ回路の回路図である。 AC電力ブースタの回路図である。 DCブースタ処理システムで行なわれるステップを説明するフローチャートである。 DC電圧ブースタで行なわれるステップを説明するフローチャートである。 DC−AC変換プロセスで行なわれるステップを説明するフローチャートである。 AC電力ブースタで行なわれるステップを説明するフローチャートである。 DC電圧ブースタにおける特定の点での電圧プロファイルを示すチャートである。 AC電力ブースタにおける特定の点での電圧プロファイルを示すチャートである。 絶縁ゲートバイポーラトランジスタをトリガした後に生成された波形を示す図である。 絶縁ゲートバイポーラトランジスタをトリガした後に生成された波形を示す図である。
発明の概要
この発明の一局面によれば、電力出力を増強するための装置が提供され、装置は、アノード、カソードおよびゲートを有するサイリスタと、ゲート、カソードおよびアノードに接続されたコントローラとを含み、アノードに電圧が提供されると、コントローラは、増強された電圧をカソードに提供するために、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために構成され、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために構成されており、増強された電圧は、アノードでの電圧の増強である。
コントローラは、調整信号を通して、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動してもよく、調整信号は、パルス波を有する第1の期間と、アノードでの電圧まで上昇する電圧を有する第2の期間とを含む。
調整信号は、アノードでの電圧から低電圧まで低下する電圧を有する第3の期間と、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために、第3の期間中、第4の期間続く、低電圧値への電圧の降下とを含んでいてもよい。
第1の相と第2の相との間の時差は、マイクロ秒程度であってもよく、または、増強された電圧を依然としてカソードで提供するであろう程度までより短くてもよい。
装置は、カソードでの電圧を補足するためにゲートに配置されたキャパシタを含んでいてもよい。
装置は、直流(DC)源と、スイッチとを含んでいてもよく、スイッチは、DC源の電圧がしきい値未満であることをコントローラが検出した場合、DC源からアノードに電流を導くようにスイッチを切替え、DC源の電圧がしきい値を上回ることをコントローラが検出した場合、カソードに接続された出力端子に電流を導くようにスイッチを切替えるためのものである。
装置は、スイッチと並列に配置された1つ以上のキャパシタを含んでいてもよく、コントローラは、DC源の電圧がしきい値未満である場合、1つ以上のキャパシタから放電された電流がスイッチに流れることを可能にするように構成されている。
装置は、カソードでの電圧を交流(AC)信号に変換するようにコントローラによって制御される1つ以上の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を含んでいてもよく、コントローラは、1つ以上のIGBTによって引き起こされたエネルギー損失を検出し、検出されたエネルギー損失に基づいてエネルギー損失を補償するように補償回路を調節するために構成されている。
装置は、抵抗を調節するためにカソードとアノードとの間に配置された1つ以上の抵抗器を含んでいてもよい。
コントローラは、アノードまたはカソードでの電圧をモニタリングし、モニタリングされた電圧に基づいてそれぞれのアノードまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くために構成されてもよい。
装置は、カソードでの抵抗を調節するために、カソードとアノードとの間、およびアノードとゲートとの間に配置された1つ以上の抵抗器を含んでいてもよい。
コントローラは、アノード、ゲートまたはカソードでの抵抗値をモニタリングし、モニタリングされた抵抗値に基づいてそれぞれのアノード、ゲートまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くために構成されてもよい。
コントローラは、サイリスタのアノードでの電圧をモニタリングし、モニタリングされた電圧に基づいて電流をダイオードに導くために構成されてもよく、ダイオードは、サイリスタのアノードから電流を受信するためのダイオードアノードと、サイリスタのゲートに接続されたダイオードカソードとを含む。
コントローラは、カソードでの電圧が増強された電圧へと増加する前に、調整信号を通して、カソードでの電流が1%増加することを可能にするようにサイリスタを起動してもよい。
装置は、第2のサイリスタを含んでいてもよく、第2のサイリスタは、増強された電圧を受信するためのアノードと、負荷に接続するためのゲートと、負荷に接続するためのカソードとを含んでいてもよい。
第1の期間の間、アノードで計算された抵抗値がゲートで計算された抵抗値と同様になるまで、コントローラは、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動してもよい。
第2の期間の間、アノードで計算された抵抗値がカソードで計算された抵抗値と同様になるまで、コントローラは、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動してもよい。
第2の期間は第1の期間よりも長くてもよい。
第1の期間の間、アノードでの電圧がゲートでの電圧と同様になるまで、コントローラは、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動してもよい。
第2の期間の間、アノードでの電圧がカソードでの電圧と同様になるまで、コントローラは、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動してもよい。
第2の期間は第1の期間よりも長くてもよい。
調整信号は、負のピーク電圧からゼロ電圧まで上昇する電圧を有する第5の期間と、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために、第5の期間中、第6の期間続く、電圧の上昇とを含んでいてもよい。
この発明の別の局面によれば、アノード、カソードおよびゲートを有するサイリスタを含む装置の電力出力を増強するための方法が提供され、アノードには電圧が提供され、方法は、増強された電圧をカソードに提供するために、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップと、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップとを含み、増強された電圧は、アノードでの電圧の増強である。
方法は、調整信号を通して、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含んでいてもよく、調整信号は、パルス波を有する第1の期間と、アノードでの電圧まで上昇する電圧を有する第2の期間とを含む。
調整信号は、アノードでの電圧から低電圧まで低下する電圧を有する第3の期間と、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために、第3の期間中、第4の期間続く、低電圧値への電圧の降下とを含んでいてもよい。
第1の相と第2の相との間の時差は、マイクロ秒程度であってもよく、または、増強された電圧を依然としてカソードで提供するであろう程度までより短くてもよい。
方法は、ゲートに配置されたキャパシタから放電された電流で、カソードでの電圧を補足するステップを含んでいてもよい。
方法は、DC源の電圧がしきい値未満であることをコントローラが検出した場合、DC源からアノードに電流を導くようにスイッチを切替えるステップと、DC源の電圧がしきい値を上回ることをコントローラが検出した場合、カソードに接続された出力端子に電流を導くようにスイッチを切替えるステップとを含んでいてもよい。
方法は、DC源の電圧がしきい値未満である場合、スイッチと並列に配置された1つ以上のキャパシタから放電された電流がスイッチに流れることを可能にするステップを含んでいてもよい。
方法は、コントローラによって制御される1つ以上の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を用いて、カソードでの電圧を交流(AC)信号に変換するステップと、1つ以上のIGBTによって引き起こされたエネルギー損失を検出するステップと、検出されたエネルギー損失に基づいてエネルギー損失を補償するように補償回路を調節するステップとを含んでいてもよい。
方法は、カソードとアノードとの間に配置された1つ以上の抵抗器を用いて、抵抗を調節するステップを含んでいてもよい。
方法は、アノードまたはカソードでそれぞれモニタリングされた電圧に基づいて、アノードまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くステップを含んでいてもよい。
方法は、カソードとアノードとの間、およびアノードとゲートとの間に配置された1つ以上の抵抗器を用いて、抵抗を調節するステップを含んでいてもよい。
方法は、アノード、ゲートまたはカソードでそれぞれモニタリングされた抵抗値に基づいて、アノード、ゲートまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くステップを含んでいてもよい。
方法は、サイリスタのアノードでの電圧をモニタリングし、モニタリングされた電圧に基づいて電流をダイオードに導くステップを含んでいてもよく、ダイオードは、サイリスタのアノードから電流を受信するためのダイオードアノードと、サイリスタのゲートに接続されたダイオードカソードとを含む。
方法は、カソードでの電圧が増強された電圧へと増加する前に、調整信号を通して、カソードでの電流が1%増加することを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含んでいてもよい。
方法は、増強された電圧を第2のサイリスタのアノードに印加するために、第2のサイリスタのアノードにサイリスタのカソードからの電流を導くステップを含んでいてもよく、第2のサイリスタのゲートおよびカソードは、負荷に接続されている。
方法は、第1の期間の間、アノードで計算された抵抗値がゲートで計算された抵抗値と同様になるまで、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含んでいてもよい。
方法は、第2の期間の間、アノードで計算された抵抗値がカソードで計算された抵抗値と同様になるまで、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含んでいてもよい。
第2の期間は第1の期間よりも長くてもよい。
方法は、第1の期間の間、アノードでの電圧がゲートでの電圧と同様になるまで、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含んでいてもよい。
方法は、第2の期間の間、アノードでの電圧がカソードでの電圧と同様になるまで、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含んでいてもよい。
第2の期間は第1の期間よりも長くてもよい。
調整信号は、負のピーク電圧からゼロ電圧まで上昇する電圧を有する第5の期間と、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために、第5の期間中、第6の期間続く、電圧の上昇とを含んでいてもよい。
詳細な説明
図1は、DC−AC電力増強器システム100のブロック図である。DC−AC電力増強器システム100は、装置として、またはより特定的には回路基板として実現可能であることが理解される。電力増強器システム100は、(DC入力源としても公知の)DC源101からDC入力電力を受け取り、AC出力電力を供給する。DC源101は、たとえば、ソーラーパワーに依存する分配型発電機、または、バッテリ、風力タービン、水力タービン、ウルトラキャパシタ、および任意の他の直流電源といった任意の他のDC源であってもよい。
電力増強器システム100は、DC電圧ブースタサブシステム200と、DC−AC変換サブシステム300と、AC電力ブースタサブシステム400とを含む。
DC電圧ブースタ処理システム200は、マイクロコントローラ211に接続されたDC電圧ブースタ202を含む。DC電圧ブースタ処理システム200は、ソーラーパワーに依存する分配型発電機用の、電圧が典型的には12〜45ボルト間で変動し得るDC源101から、その入力を取る。DC電圧ブースタ202は、マイクロコントローラ211から受信された変換およびスイッチング制御信号に従って、ある特定の波形のDC電圧をDC−AC変換サブシステム300に供給する。DC電圧ブースタ処理システム200は、DC源101からのDC出力電圧を増強し、安定化するために使用される。DC源101からのDC出力電圧を調整することにより、より正確なDC−AC変換が、DC−AC変換サブシステム300によって実行可能である。
DC−AC変換サブシステム300は、DC−ACコンバータ301と、マイクロコントローラ311とを含む。他の例では、マイクロコントローラ311およびマイクロコントローラ211は、全く同じ物理的マイクロコントローラであってもよい。同じ物理的マイクロコントローラは、マイクロコントローラ311の動作用の別個の入力ピンおよび出力ピンを有し、マイクロコントローラ211のものとは別個の論理アルゴリズムを実行してもよい。DC−ACコンバータ301は、DC電圧ブースタ201の出力から、その入力を取る。DC−ACコンバータ301はさらにマイクロコントローラ311に結合されており、マイクロコントローラ311から受信された変換およびスイッチング制御信号に従って、AC電圧をAC電力ブースタサブシステム400に供給する。
AC電力ブースタサブシステム400は、マイクロコントローラ411に接続されたAC電力ブースタ401を含む。他の例では、マイクロコントローラ411、マイクロコントローラ211および/またはマイクロコントローラ311は、全く同じ物理的マイクロコントローラであってもよい。同じ物理的マイクロコントローラは、マイクロコントローラ211および/またはマイクロコントローラ311の動作用の別個の入力ピンおよび出力ピンを有し、マイクロコントローラ211および/またはマイクロコントローラ311のものとは別個の論理アルゴリズムを実行してもよい。AC電力ブースタ401は、DC−ACコンバータ301の出力から、その入力を取る。AC電力ブースタ401はさらにマイクロコントローラ411に結合されており、マイクロコントローラ411から受信された変換およびスイッチング制御信号に従って、増強されたAC電力を1つ以上の接続負荷102に供給する。AC電力ブースタ401は、安定していて1つ以上の接続負荷102によって使用可能であるAC電圧を出力する。
他の例では、たった1つのマイクロコントローラが、マイクロコントローラ211、311および/または411の機能を動作させてもよい、ということが理解される。簡潔にするために、以下の説明では、上述のような3つのマイクロコントローラ(すなわち、211、311および411)の機能を実行するために1つのマイクロコントローラ211を使用することについて、説明する。
「ブーストする」および「ブースタ」という用語はそれぞれ、「増強する」および「増強器」という用語と交換可能に使用される。電圧または電力増強は必ずしも、増加した電圧および/または電流を提供することを意味していない、ということが理解される。それは、たとえばより多くの負荷をサポートするために、特定の電圧および/または電流で十分な駆動を提供するための電力出力に対する増強をカバーする。十分な駆動を提供することは必ずしも、増加した電圧または電流を伴なわないかもしれない。増加した電圧を提供することによる増強は、DC電圧ブースタ202によって示される。より多くの負荷にとって十分な駆動を提供することによる増強は、AC電力ブースタ401によって示される。
図2Aは、図1のDC電圧ブースタサブシステム200の回路図の一例である。図1のDC入力源101は、過電流保護機能を提供するヒューズ240を通して、2つのキャパシタ203と、マイクロコントローラ211と、回路接合部212とに接続されている。DC入力源101は、そのダイオードカソード端がマイクロコントローラ211に接続されたダイオード281に、電流を提供する。ダイオード281は、マイクロコントローラ211が動作するために、たとえば2〜5ボルトという安定した電力供給を提供するように、マイクロコントローラ211への電流の流れを調節する。さらに、回路接合部212は、回路接合部222に接続されている。回路接合部212および222は双方とも、マイクロコントローラ211に個々に接続されている。
図2A、図2Bおよび図4では、同じマイクロコントローラ211が、各対象回路接合部に、それぞれの回路接合部へのその接続を示すために描かれている、ということが理解される。
回路接合部212では、マイクロコントローラ211は、対応する回路点251、252および253に接続された、電流/電圧を調整するための1つの「R」ピンと、電流/電圧をモニタリングするための2つの「M」ピンとを有する。回路点251はまた、ヒューズ240を通してDC入力源101に接続されている。回路点252はキャパシタ203に接続され、回路点253は回路接合部222の点254に接続されている。
点251に接続された「M」ピンは、ヒューズ240を通過した後のDC入力源101からの入来DC電圧値をモニタリングする。点251でモニタリングされたDC電圧が、この例では35ボルト以上である場合、点212に接続された「R」ピンは、電流がマイクロコントローラ211を通して点251から点253に流れ、またマイクロコントローラ211を通して点251から点252に流れることを可能にして、キャパシタ203を充電する。点251でモニタリングされたDC電圧が、この例では35ボルト未満である場合、「R」ピンは、電流がマイクロコントローラ211を通して点251から点252に流れ、また点252から点253に流れることを可能にして、キャパシタ203が放電することを可能にする。
回路接合部222では、マイクロコントローラ211は、対応する回路点254、255および256に接続された、電流/電圧を調整するのために2つの「R」ピンと、電流/電圧をモニタリングするための1つの「M」ピンとを有する。回路点254はまた、回路接合部212の点253に接続されている。回路点255は、内部分配点221の入力B226に接続されている。回路点256は、内部分配点221の入力点A224に接続されている。
点254に接続された「M」ピンは、点254での電圧値をモニタリングし、それは点253と同じ電圧値を有する。点254での電圧値が、ある範囲、この例では12〜34ボルト間にある場合、電流は点254から点256に流れることが可能にされる。点254での電圧値が、この例では35ボルト以上である場合、電流は点254から点255に流れることが可能にされる。
回路接合部212および222で接続された「R」ピンは、さまざまな回路接合部での電流の流れおよび電圧を調整するのを助けるように構成されており、回路接合部212および222で接続された「M」ピンは、それぞれの回路接合部での電圧値および電流値をモニタリングするために構成されている。
内部分配点221は、マイクロコントローラ211に接続されたスイッチである。内部分配点221は、2つの入力A224およびB226と、2つの出力C228およびD230とを有する。回路接合部222は、2つの別個の線へと分割し、すなわち、内部分配点221の入力A224および入力B226にそれぞれ接続された点256および点255を通して分割する。内部分配点221の出力C228は、DC電圧ブースタ202の入力に結合されている。DC電圧ブースタ202の出力は、回路接合部214に接続されている。内部分配点221の出力D230は、回路接合部214で、DC電圧ブースタ202の出力に接続されている。内部分配点221のスイッチングは、点254、255および256に接続されたマイクロコントローラ211の3つのピンを介して制御される。
DC電圧ブースタ202は、回路点215で接地接続されている。回路点215は、端子ブロック204の接地点(すなわち、負端子)に結合されている。DC電圧ブースタ202の出力はまた、回路接合部214を通して端子ブロック204に接続されている。回路接合部214は、必要であれば、DC電圧ブースタ202によって提供されるブーストされたDC電圧を提供するために、端子ブロック204の正端子223に接続されている。
DC電圧ブースタサブシステム200の電圧増強能力を説明するために、DC入力源101が12〜45ボルトの不安定な供給を提供するソーラーパネルであり、DC電圧ブースタサブシステム200が、DC入力源101からの12〜45ボルトの不安定な供給をブーストすることによって35ボルトの安定したDC供給を得るためのものである場合について、以下のように検討する。12〜45ボルトの不安定な供給のために、ヒューズ240の定格は45ボルト以上として設定され得る。
マイクロコントローラ211は、内部分配点221における接続を、以下のステップに従って制御する。キャパシタ203に結合されたDC入力源101が、予め設定された所望の電圧基準(図2Aの213)、この場合35ボルト以上で安定していることがモニタリングされた場合、マイクロコントローラは、回路接合部212を回路接合部214まで接続することにより、キャパシタ203内の電圧エネルギーを放出する。DC入力源101が、予め設定された所望の電圧基準(図2Aの213)(35ボルト)未満であることを、マイクロコントローラ211が感知すると、回路接合部212と214との間の内部分配点221での接続が絶たれるであろう。むしろ、内部分配点221をそれに応じて接続することによって、より弱いDC源電圧が、ブーストのためにDC電圧ブースタ202に放出されるであろう。
内部分配点221の入力A224については、マイクロコントローラ211が、点254に接続された「M」ピンを介して、回路接合部222での電圧が12〜34ボルトであると判断した場合、マイクロコントローラ211は、入力A224を出力C228に接続するように内部分配点221を制御するであろう。入力A224を出力C228に接続した後、DC電圧ブースタ202は、回路接合部222での12〜34ボルトの電圧を受信し、12〜34ボルトにブーストを提供するために起動されて、回路接合部214で所望の35ボルトのDC出力を試みて達成するであろう。
内部分配点221の入力B226については、マイクロコントローラ211が、回路接合部222での電圧が12〜34ボルトであると判断し、キャパシタ203で電荷が利用可能であると判断した場合、マイクロコントローラ211は、キャパシタ203内の電荷が入力B226を通して引き出されて出力D230に向けられるように、入力B226を出力D230に接続するように内部分配点221を制御するであろう。キャパシタ203内の電荷が入力B226を通して引き出されて出力D230に向けられることを可能にするために、251、252および253に接続された3つのピン、ならびに点254、255および256に接続された3つのピンを介して、必要な制御がマイクロコントローラ211によって行なわれるであろう。マイクロコントローラ211は、点251および253に接続された「M」ピンのうちの一方または双方を介して回路接合部212での電圧レベルをモニタリングすることによって、キャパシタ203で電荷が利用可能かどうか判断する。
マイクロコントローラ211は、供給の流れについて回路接合部212をモニタリングし、電圧が35ボルト以上かどうか、状態をチェックするように構成されている。回路接合部212での点251および253に接続された「M」ピンのうちの一方または双方を介して判断されるように、電圧が35ボルト以上である場合、キャパシタは充電されるであろう。そうではない場合、マイクロコントローラ211は、回路接合部222をモニタリングし始めるであろう。
回路接合部222では、点254に接続された「M」ピンを介して、回路接合部222での電圧が35ボルト未満であることが検出された場合、マイクロコントローラ211は、キャパシタ203でバックアップ電荷が利用可能かどうかチェックする。キャパシタ203でバックアップ電荷が利用可能である場合、それは、必要な電圧を放出するためにキャパシタ203から電荷を引き出すであろう。その他の場合、マイクロコントローラ211は、入力A224を出力C228に接続して、回路接合部222での35ボルト未満の電圧を、ブーストのためにDC電圧ブースタに向けるであろう。バックアップ電荷が利用可能かどうかは、回路接合部212の点251、252および253に接続されたマイクロコントローラピンのうちの1つ以上を介して推測できる。
DC電圧ブースタサブシステム200を通して、この場合35ボルトという予め設定された所望の電圧基準(図2Aの213)を得るためのより多くの詳細を、図5を参照して以下に提供する。
図5は、DC変換サブシステム200によって提供されるDCブーストを提供するために行なわれるステップを説明するフローチャートを示す。この場合、12〜45ボルトで変動するDC電圧を提供しているDC入力源101から、35ボルトの安定したDC出力が得られることになっている。図2Aおよび図2Bの構成要素を参照する。
ステップ501で、マイクロコントローラ211は、回路接合部212で、図2Aの点251および253に接続されたMピンのうちの一方または双方を介して、変動するDC入力源101をモニタリングする。
ステップ502で、マイクロコントローラ211は、回路接合部212で、図2Aの点251および253に接続されたMピンのうちの一方または双方を介して、DC入力源101の電圧Vdcが予め定められた35ボルト以上であるかどうかチェックする。
ステップ502でVdcが35ボルト以上である場合、マイクロコントローラ211は、ステップ503で、図2Aの点251、252および253に接続されたピンのうちの1つ以上を介して、35ボルトよりも大きいVdcの電圧エネルギーがキャパシタ203に蓄えられることを可能にし、同時に、回路接合部212を回路接合部214まで接続することにより、すなわち、ステップ504で図2Aの入力B226を出力D230に接続し、図2Aの入力A224を出力C228から切り離すことにより、キャパシタ203内のVdcの電圧エネルギーを放出する。ステップ504の後、回路接合部214は、図2Aの回路接合部214で35ボルトのDC出力を提供し、この出力は、ステップ505でのさらなる処理のために次の段階に向けられるであろう。
ステップ502でVdcが35ボルト未満である場合、マイクロコントローラ211は、ステップ506で、図2Aの点251、252および253に接続されたピンのうちの1つ以上を介して、キャパシタ203からのバックアップ電荷供給をチェックし、探すであろう。
ステップ506の後、マイクロコントローラ211は、ステップ507で、回路接合部222で、図2Aの点254、255および256に接続されたピンのうちの1つ以上を介して、キャパシタ203でのバックアップ電圧供給Vdc(backup)が35Vdcよりも大きいかどうかチェックする。
ステップ507でVdc(backup)が35ボルト以上である場合、マイクロコントローラは、図2Aの点251、252、253、254、255および266に接続されたピンのうちの1つ以上の制御を介して、ステップ508でキャパシタ203から電圧エネルギーを引き出して、ステップ504で回路接合部212を回路接合部214まで接続することにより、すなわち、図2Aの入力B226を出力D230に接続し、図2Aの入力A224を出力C228から切り離すことにより、キャパシタ203内のVdcの電圧エネルギーを放出するであろう。ステップ504の後、回路接合部214は、図2Aの回路接合部214で35ボルトのDC出力を提供し、この出力は、ステップ505でのさらなる処理のために次の段階に向けられるであろう。
ステップ507でVdc(backup)が35ボルト未満である場合、ステップ509で、Vdcを35ボルトにするために、DC電圧ブースタ202によってブーストが行なわれるであろう。ブーストが行なわれた後、マイクロコントローラ211は、図2Aの点251、252、253、254、255および266に接続されたピンのうちの1つ以上の制御を介して、ステップ504で回路接合部212を回路接合部214まで接続することにより、すなわち、図2Aの入力A224を出力C228に接続し、図2Aの入力B226を出力D230から切り離すことにより、キャパシタ203内のVdcの電圧エネルギーを放出するであろう。ステップ504の後、回路接合部214は、図2Aの回路接合部214で35ボルトのDC出力を提供し、この出力は、ステップ505でのさらなる処理のために次の段階に向けられるであろう。
ステップ509でDC電圧ブースタ202によって行なわれるDCブーストについての詳細を、以下に提供する。
図2Bは、図2AのDC電圧ブースタ202の回路図の一例である。DC電圧ブースタ202は、サイリスタ231と、抵抗器232と、キャパシタ234とを含む。抵抗器232は、1つ以上の可変または非可変抵抗器から構成されてもよいことが理解される。サイリスタ231は、シリコン制御整流器サイリスタ、または任意の他の同様のサイリスタであってもよい。サイリスタ231のゲート(回路接合部217に対応)は、キャパシタ234の一方端に接続されている。この場合、キャパシタは、可能ならいつでも充電され、また、入力A224を出力C228に接続した後で、回路接合部222で12ボルトよりも大きい電圧がDC電圧ブースタ202によって受信された場合に充電される。サイリスタ231のカソード(回路接合部214に対応)は回路接合部214に接続され、サイリスタ231のアノード(回路接合部216に対応)は出力C228に接続されている。サイリスタ231のカソード(回路接合部214に対応)およびアノード(回路接合部216に対応)は、抵抗器232を通して結合されている。
マイクロコントローラ211は、回路接合部214、216および217で、DC電圧ブースタ202に結合されている。より特定的には、回路接合部216では、マイクロコントローラ211の3つのピン、すなわち、調整用の「R」、比較器用の「C」、およびモニタリング用の「Μ」が、対応する回路点241、242および243にそれぞれ接続されている。回路点241はまた、内部分配点221の図2Aの出力C228に接続されている。回路点242は抵抗器232に接続され、回路点243はサイリスタ231のアノードに接続されている。
回路接合部214では、マイクロコントローラ211の3つのピン、すなわち、調整用の「R」、モニタリング用の「Μ」、および比較器用の「C」が、以下のように接続されている。回路接合部214でのマイクロコントローラ211の「R」ピンおよび「M」ピンは、回路点245に接続され、回路点245はまた、サイリスタ231のカソードと端子ブロック204とに接続されている。回路接合部214でのマイクロコントローラ211の「C」ピンは、回路点246に接続され、回路点246はまた、抵抗器232に接続されている。
回路接合部217では、マイクロコントローラ211の4つのピン、すなわち、モニタリング用の「M」、放出用の「REL」、保持用の「H」、および調整用の「R」がすべて、1つの回路点244に接続されている。回路点244は、キャパシタ234とサイリスタ231のゲートとに接続されている。
この例では、全部で、マイクロコントローラ211の10個のピンが、すべての3つの回路接合部214、216および217で利用されており、各ピンは他のピンとは異なっている。マイクロコントローラ211によって実行されるアルゴリズムを調節することにより、1つのピンが2つ以上の回路点で使用され得る、ということが可能である。
「R」ピンは、さまざまな回路点で電流の流れおよび電圧を調整するのを助けるように構成されている。「R」ピンは、ある機能のためにサイリスタ231を起動するために、調整信号を送信してもよい。
「Μ」ピンは、さまざまな回路点で電圧値および電流値をモニタリングするために構成されている。
「C」ピンは、それぞれの回路点での電圧値および/または電流値、もしくは電圧値および電流値に基づいた計算された抵抗値を、予め定められたしきい値と比較するために構成されている。
「H」ピンは、サイリスタ231のゲート(すなわち回路接合部217)での電荷の蓄積を可能にするように構成されている。「H」ピンは、この例では一定の5ボルト信号であり得る保持信号を、「R」ピンの調整信号と連動して働くように送信して、たとえば0.001〜2マイクロ秒を含むマイクロ秒程度でサイリスタ231を起動し、第1の時間範囲の間、サイリスタ231のアノードでの電圧Vがゲートでの電圧Vと同様になるように、サイリスタ231のアノード(回路接合部216)からサイリスタ231のゲート(回路接合部217)まで電流を伝導してもよい。この例では、保持信号の期間中、サイリスタ231のカソードでの電圧Vは、約2ボルトと低いままであろう。
「REL」ピンは、サイリスタ231がゲート(回路接合部217)からカソード(回路接合部214)に電流を伝導するために起動された場合、サイリスタ231のゲート(すなわち回路接合部217)での蓄積された電荷の放出を可能にするように構成されている。「REL」ピンは、この例では一定の2ボルト信号であり得る放出信号を、「R」ピンの調整信号と連動して働くように送信して、たとえば0.001〜2マイクロ秒を含むマイクロ秒程度でサイリスタ231を起動し、第2の時間範囲の間、サイリスタ231のゲートでの電圧Vがカソードでの電圧Vと同様になるように、ゲート(回路接合部217)からカソード(回路接合部214)まで電流を伝導してもよい。放出信号の期間中、カソードでの電圧Vは、最初は上昇し、ある期間の間、ゲートでの電圧Vの値に従ってから、降下する。
観察から、VがVと同様である第2の時間範囲は、VがVと同様である第1の時間範囲よりも長い。それが長いほど、サイリスタ231のカソードでの電圧増強はより良好である。
加えて、回路接合部216については、(点243に接続された)「M」ピンはまた、マイクロコントローラ211によって(点241に接続された)「R」ピンで受信された入力からの、またはマイクロコントローラ211によって(点242に接続された)「C」ピンで受信された入力からの、サイリスタ231のアノードへの適時の電流の流れ用の出力として、構成されている。同様に、回路接合部214で点246に接続された「C」ピンは、マイクロコントローラ211によって(点245に接続された)「R」ピンで受信された入力からの、またはマイクロコントローラ211によって(点245に接続された)「M」ピンで受信された入力からの、抵抗器232への適時の電流の流れ用の出力として、構成されている。この場合、電流の流れが制御されている状態で、電圧に影響を与えるように抵抗を調節することができる。よって、抵抗器232の目的は、抵抗を調節すること、この場合高めることを助け、プロセスで必要とされる所望の電圧を増加させるかまたは維持することである。
たとえば、マイクロコントローラ211は、回路点245に接続されたMピンを用いて、回路接合部214での電圧をモニタリングするように構成されている。回路点246へのマイクロコントローラ211の「C」ピンが、回路接合部214での電圧が35ボルト以下であることを検出した場合、マイクロコントローラ211は、図2Aを参照して前述した態様で、回路接合部222をモニタリングすることに移るように構成されてもよい。
キャパシタ234については、サイリスタ231のゲートに、あるしきい値を越えた過剰電荷がある場合はいつも、たとえば、ゲートでの電圧Vが12ボルトよりも大きい場合はいつも、キャパシタ234は自動的に充電される。
回路接合部216でのDC入力源101の電圧が、所望の電圧基準(図2Aの213)、すなわち35ボルトよりも低いものの、DC入力源101の起こり得る変動(すなわち12〜45ボルト)の下限である12ボルトよりも高いことが、マイクロコントローラ211の「C」ピンによって検出された場合、サイリスタ231は、回路点244に接続されたマイクロコントローラ211の「R」ピンからの信号によって、順方向伝導モードに設定され、電流は、そのアノード(回路接合部216に対応)からそのカソード(回路接合部214に対応)まで通されるであろう。
回路接合部216での電圧が、マイクロコントローラ211の「C」ピンによって、35ボルト未満であることが検出された場合、キャパシタ234内に蓄えられた電圧エネルギーは、十分あるならば、回路接合部214での電圧を35ボルトという所望の電圧基準(図2Aの213)まで補足するように、ブーストを提供するために利用されるであろう。この場合35ボルトいう、予め設定された所望の電圧基準(図2Aの213)を得るためのより多くの詳細を、以下に提供する。
図6は、DC電圧ブースタ202によって実行されるDCブーストを提供するために行なわれるステップを説明するフローチャートを示す。この場合、35ボルトのDC出力が得られることになっている。図2Aおよび図2Bの構成要素を参照する。
ステップ601で、マイクロコントローラ211は、回路接合部216で、回路点243に接続されたMピンを用いて、変動するDC入力源101をモニタリングする。
ステップ602で、マイクロコントローラ211の「C」ピンは、回路接合部216でのDC入力源101の電圧Vdcが、12ボルトという下限以上であるかどうかチェックする。
ステップ602でVdcが12ボルト以上である場合、マイクロコントローラ211はステップ603で、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)とサイリスタ231のカソード(回路接合部214)との間の電流の流れを、およそ1%増加させるであろう。
より特定的には、たとえば0.001〜2マイクロ秒を含むマイクロ秒程度で、マイクロコントローラ211はステップ603で、サイリスタ231を起動するために、第1の調整信号を、回路点244に接続された「R」ピンを通してサイリスタ231のゲート(回路接合部217)に送信するであろう。この第1の相において、「H」ピンは、「R」ピンと連動して保持信号を送信する。サイリスタ231が一旦、「H」ピンの保持信号と連動して送信された第1の調整信号によって起動されると、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)とサイリスタ231のアノード(回路接合部216)とが導通し始め、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)の電圧Vが、サイリスタ231のアノード(回路接合部216)での電圧Vと同様になるであろう、ということが観察される。第1の調整信号および保持信号の送信は、ここに保持ステップと呼ばれる。それは、サイリスタ231のゲートに電荷が蓄積されるかまたは保持されるという意味で、「保持」である。
調整信号および保持信号を送信する短い期間の後、マイクロコントローラ211は、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)からサイリスタ231のカソード(回路接合部214)に電流が流れることを可能にするようにサイリスタ231を起動するために、第2の調整信号を、回路点244に接続された「R」ピンを通してサイリスタ231のゲート(回路接合部217)に送信するであろう。この第2の相において、「REL」ピンは、「R」ピンと連動して放出信号を送信する。サイリスタ231が一旦、「REL」ピンの放出信号と連動して送信された第2の調整信号によって起動されると、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)とサイリスタ231のカソード(回路接合部214)とが導通し始め、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)の電圧Vが、サイリスタ231のカソード(回路接合部214)での電圧Vと同様になるであろう、ということが観察される。第2の調整信号および放出信号の送信は、ここに放出ステップと呼ばれる。それは、サイリスタ231のゲートに蓄積された電荷がサイリスタ231のカソードに放出されるという意味で、「放出」である。
サイリスタ231のゲート(回路接合部217)とサイリスタ231のカソード(回路接合部214)とが導通し始めた後、マイクロコントローラ211は、「H」ピンの保持信号と連動して、第3の調整信号を、回路点244に接続された「R」ピンを通してサイリスタ231のゲート(回路接合部217)に送信する。この第3の相において、ゲートの電圧Vは上昇し始めることが観察されている。その後、マイクロコントローラ211は、「REL」ピンの放出信号と連動して、第4の調整信号を、回路点244に接続された「R」ピンを通してサイリスタ231のゲート(回路接合部217)に送信する。これにより、ゲート(回路接合部217)は、カソード(回路214)と再度導通するようになり、今回、カソードの電圧Vは、Vの上昇した値を有するであろう。この場合におけるV値の上昇は、回路接合部217と回路接合部214との間の電流のおよそ1%の増加に相当する。
前述の態様でのサイリスタ231の使用は従来なかったものであり、結果は観察を通して得られる、と考えられる。
ステップ602でVdcが12ボルト未満である場合、何も行なわれず、プロセスはステップ609で終了する。12ボルトは、DC入力源101、この場合12〜45ボルトを供給するソーラーパネルが提供するであろう最小電圧である。Vdcが12ボルト未満である場合、回路接合部214での電圧の望ましくない降下が発生するであろう。しかしながら、12ボルトはDC入力源101が提供する最小電圧であるため、そのような発生は通常動作ではまれであろうと予想される。
ステップ603の後、マイクロコントローラ211はステップ604で、および回路接合部216で、DC入力源101の電圧Vdcが、12ボルトという下限以上であるかどうかを、それぞれの「C」ピンを用いて再度チェックする。
ステップ604でVdcが12ボルト以上である場合、マイクロコントローラ211はステップ605で、抵抗値Rが、R値の以前の計算値から一定のままかどうかチェックするであろう。マイクロコントローラ211は、ステップ605でチェックを行なうために、回路点246に接続された「C」ピンを使用する。Rは、サイリスタのカソードでの、すなわち回路接合部214での電圧値(V)および電流値から計算され、それらはマイクロコントローラ211によって、回路点245に接続されたそれぞれの「M」ピンを通して取得可能である。
ステップ604でVdcが12ボルト未満である場合、ステップ610で、マイクロコントローラ211は、電圧エネルギーが十分あるならばそれをキャパシタ234から引き出すであろう。十分な電荷がある場合、回路接合部217でのサイリスタ231のゲートから回路接合部214でのサイリスタ231のカソードに電流が流れることを可能にするように、マイクロコントローラ211がサイリスタ231を起動することによって、電圧エネルギーを引き出すことができる。同様に、「REL」ピンを通る放出信号と連動して使用される、それぞれの「R」ピンを通る適切な調整信号を用いて、そのような起動を行なうことができる。ステップ610の後、ステップ602が再度行なわれる。
ステップ605で抵抗値Rが一定のままである場合、マイクロコントローラ211は、サイリスタ231のカソード(回路接合部214)での電流が、このDC−AC電力変換システム(図1の100)の予め規定された最大負荷条件にとって十分な電力を提供するために必要とされる予め定められた電流値に達したかどうかを、点246に接続された「C」ピンを通してチェックするであろう。達していない場合、電流は、予め定められた電流値に達するように、保持ステップ、続いて放出ステップを1回以上繰り返すことにより、増加されるであろう。その他の場合、DC−AC変換サブシステム(図1の300)によって実行されるべき次のプロセスが始まるであろう。
ステップ605で抵抗値Rが一定ではない場合、ステップ608で、マイクロコントローラ211は、回路接合部214で、点245に接続された「R」ピンおよび「M」ピンによって受信された電流を、点246に接続された「C」ピンを通して出力するために向けるであろう。電流を向けた後に続くことは、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)により多くの電荷を蓄積するために、保持ステップを繰り返すことである。今回、調整信号および保持信号の持続時間は、サイリスタ231をブレークダウンし得るサイリスタ231のブレークダウン電圧にゲートでの電圧Vが達する直前の最大保持点に達するまで、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)に電荷を蓄積するように、数マイクロ秒長い。最大保持点に達した後、サイリスタ231のゲート(回路接合部217)からサイリスタ231のカソード(回路接合部214)に、蓄積された電荷を放出するために、放出ステップが実行される。放出ステップの後、Rが読まれた以前のR値と一定かどうかチェックするために、ステップ605が再度行なわれる。
図9は、DC電圧ブースタ202で行なわれるDC電圧ブーストの一例を示す。特に、第1の相において発生する保持ステップと、第2の相において発生する放出ステップとが説明される。結果は観察から得られる。なお、たとえば0.001〜2マイクロ秒を含むマイクロ秒程度の特定のタイミングが提供されるが、それらは単なる推定値として見なされるべきであり、それらは商業的に入手可能な1つの標準シリコン制御整流器(Silicon-Controlled Rectifier:SCR)サイリスタに関する。タイミングは、使用中のサイリスタの構成および設計に依存して変化してもよい。サイリスタのカソードでの電圧が要望通り増強される程度まで、タイミングをより長く、またはより短くすることが可能である。
図2Bを参照して、図9では、サイリスタ231のアノード(回路接合部216)の電圧Vでの読取り値は、12ボルトであると仮定される。目標は、Vでの12ボルトで、比較的安定した35ボルト(DC)を達成するために、サイリスタ231のカソード(回路接合部217)での電圧Vをブーストすることである。便宜上、以下の文章の一部では、前述の保持ステップおよび放出ステップの言及に従って、対応する保持信号または放出信号が調整信号に伴うであろう、ということが理解される。
最初に、マイクロコントローラ211は、約0.167マイクロ秒の第1の期間902の間、調整信号を送信する。期間902内で、調整信号はパルス波903で始まり、それはまず、約0.0278マイクロ秒間、2ボルトであり、続いて、別の約0.0278マイクロ秒間、5ボルトである。その後、調整信号は、第2の期間において約0.0556マイクロ秒間、12ボルトまで直線的に傾斜し、別の約0.0556マイクロ秒間、12ボルト[すなわち、サイリスタ231のアノード(回路接合部216)の電圧V]で横這い状態になる。期間902のパルス波903は、アノード(回路接合部216)からゲート(回路接合部217)まで導通するようにサイリスタ231を起動することを担っている。パルス波903は1つ以上のパルスを含んでいてもよい、ということが理解される。パルス波903はまた、スパイクと見なされてもよく、また、必ずしも図9に示すように方形である必要はない。起動中、ゲート(回路接合部217)での電圧Vは、約0.0833マイクロ秒で、図9の点913での約12ボルトまで、アノード(回路接合部216)での電圧値まで直線的に傾斜する。一旦起動されると、Vは約1.08マイクロ秒後まで12ボルトを保ち、そこには1%電流増加点914があり、そこでVも、それに応じて1%増加する。期間902の間、電荷がゲート(回路接合部217)に蓄積され、それにより保持ステップを行なう。
期間902の後、調整信号は、約0.5833マイクロ秒の期間904を経る。それは放出ステップを行ない、そこでサイリスタ231は、ゲート(回路接合部217)からカソード(回路接合部214)まで導通するように起動される。期間904における放出ステップの波形は、まず、第3の期間において約0.0833マイクロ秒間、12ボルトから2ボルトまで略直線的に降下するものの、途中に、約0.0167マイクロ秒続く急激な降下905(すなわち、第4の期間)が存在する。その後、波形は、約0.5マイクロ秒後まで2ボルトのままである。期間904の効果は、サイリスタ231が、期間902中にゲート(回路接合部217)に蓄積された電荷をすべてカソード(回路接合部214)に放出する、ということである。これにより、カソード(回路接合部214)での電圧Vは、図9の点94で、約12ボルトまで直線的に傾斜するようになる。カソード(回路接合部214)での電圧Vは約12ボルトで横這い状態になり、放出された電荷がなくなり始めると、Vは期間904の終わりに向かって12ボルトから2ボルトまで降下するようになる。
期間904の後、調整信号は、約0.25マイクロ秒の別の期間906を経る。それは保持ステップを行なう。期間906は、急激な低下905とほぼ同じ時間続く約5ボルトの急激なスパイク907で始まる。スパイク907の後、波形は、約2ボルトから12ボルトまで直線的に上昇し、約0.0556マイクロ秒間、12ボルトのままであり、それから、12ボルトを越える電圧のわずかな上昇の存在が観察される点に達する。わずかな上昇は、約0.111マイクロ秒間続く。このわずかな上昇は、後述する期間908における、Vでの電圧および電流の約1%の増加を担っている。期間906の効果は、それが、ゲート(回路接合部217)に電荷を蓄積して保持するようにサイリスタ231を起動する、ということである。期間906の持続時間中、電荷がカソード(回路接合部214)に放出されないため、Vは2ボルトのままである。
期間906の後、調整信号は、約0.4165マイクロ秒の別の期間908を経る。それは放出ステップを行ない、そこでサイリスタ231は、ゲート(回路接合部217)からカソード(回路接合部214)まで導通するように起動される。期間908における放出ステップの波形は、まず、約0.0833マイクロ秒間、12ボルトから2ボルトまで略直線的に降下するものの、途中に、約0.0167マイクロ秒続く急激な降下905が存在する。その後、波形は、約0.278マイクロ秒間、2ボルトのままであり、それから、同じく急激なスパイク907と、約0.0833マイクロ秒で2ボルトから35ボルトまで上昇する直線状の傾斜とが続く。35ボルトまでの急な増加は、顕著な観察事項である。期間908の効果は、サイリスタ231が、期間906中にゲート(回路接合部217)に蓄積された電荷をすべてカソード(回路接合部214)に放出する、ということである。これにより、カソード(回路接合部214)での電圧Vは、図9の点912で、約12ボルトまで直線的に傾斜するようになる。期間906中の12ボルトを越えるわずかな上昇のために、電流および電圧の1%の増加がある。カソード(回路接合部214)での電圧Vは約12ボルトで横這い状態になり、放出された電荷がなくなり始めると、Vは期間908の終わりに向かって12ボルトから2ボルトまで降下するようになる。
期間908の後、調整信号は、約0.15マイクロ秒の別の期間910を経る。それは保持ステップを行なう。基本的に、調整信号は、期間910の間、35ボルトに保持される。期間910の間、Vは2ボルトのままである。
期間910における保持ステップの後、放出ステップが再度行なわれる。この場合、調整信号は、約0.0833マイクロ秒間、35ボルトから2ボルトまで略直線的に降下するものの、途中に、約0.0167マイクロ秒続く急激な降下905が存在する。この場合の放出ステップの効果は、図9の点915でVが2ボルトから35ボルトまで上昇し始める点で、かなり重要である。その後、Vは約35ボルトで横這い状態になり、放出された電荷がなくなり始めると、Vは35ボルトから2ボルトまで降下するようになる。
図9の1.25マイクロ秒の印と1.75マイクロ秒の印との間の期間911がその後、Vが約35ボルトで横這い状態になり続けるように繰り返され、それにより、約35ボルトの比較的安定したDC電圧出力を維持する。マイクロ秒程度以内で、放出時間、すなわち、Vが35ボルトで保たれる時間は、保持時間、すなわち、Vが2ボルトである時間よりも約6倍長く、このため、電圧ブーストにおいて高い効率が得られる、ということが考えられる。
期間910の発生後、Vの著しいブーストが達成される前に、期間906が繰り返されることが要求される場合がある、ということが理解される。
については、図9の点914の時間相の1%の増加後、1%の増加は1.25マイクロ秒の印まで続くであろう。その後、電圧は、ほぼ期間910が始まる時に、35ボルトまでほぼ直線的に増加する。その後、Vは約35ボルトのままである。
図3Aは、図1のDC−AC変換サブシステム301の回路図である。DC−ACコンバータ301は、8つの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated gate Bipolar Transistor:IGBT)321、322、323、324、325、326、327および328を含む。ここに説明されるIGBTはすべて、同じ設計のものである。IGBT321およびIGBT323のカソードは、DC−DC変換サブシステム200から得られたブーストされたDC電圧の正端子223に接続されている。端子ブロック204での正端子223はまた、キャパシタ331の一方端に、および、パルス幅変調作動/損失補償回路311に結合されている。キャパシタ331の他方端は接地接続されている。なお、IGBTに関する「作動する」および「トリガする」という用語は、交換可能に使用される。
ここに説明されるようなIGBTは、他の例ではフィルタリング回路と置き換えられてもよい、ということが理解される。
IGBT321およびIGBT323のエミッタ端は、トランス340の一次巻線341の2つの異なる端に接続されている。IGBT321およびIGBT323のエミッタ端はまた、IGBT322およびIGBT324のカソードにそれぞれ結合されている。そしてIGBT322およびIGBT324のエミッタ端は、接地接続されている。
同様に、IGBT325およびIGBT327のエミッタ端は、トランス340の二次巻線342の2つの異なる端に接続されている。IGBT325およびIGBT327のエミッタ端はまた、IGBT326およびIGBT328のカソードにそれぞれ結合されている。そしてIGBT326およびIGBT328のエミッタ端は、接地接続されている。
IGBT321、32、323、324、325、326、327および328の各ゲートは、パルス幅変調作動/損失補償回路311に結合されている。パルス幅変調作動/損失補償回路311は、それぞれのIGBTのトリガ電圧、パルスタイミング、およびパルス波変調(PWM)を行なうためのシーケンスを提供する。トランス340の二次巻線342での電圧を測定することにより、ならびに、二次巻線342でのトランス340の出力信号の変調値を判断し、および/または変調値を予め規定された望ましい基準変調値と比較するアルゴリズムを実行することにより、マイクロコントローラ311は、二次巻線342でのトランス340の出力で、所望の周波数を有するAC電圧波形(すなわち、230〜240のAC電圧供給)を生成するために、トリガシーケンスを調節するであろう。マイクロコントローラ311はまた、測定された電圧を予め規定された基準電圧値と比較し、その比較に依存して、IGBTのトリガを調節する。変調値とは、電圧信号のピーク間電圧値を指す。この場合、IGBT321、32、323、324、325、326、327および328のトリガまたは作動シーケンスは、連続的に順にループされ、すなわち、321→32→323→324→325→326→327→328→321などのようにループされる。
8つのIGBT321、32、323、324、325、326、327および328の各々の各作動の後に、損失がある。パルス幅変調作動/損失補償回路311は、DC−AC変換プロセスが効率的であることを確実にするために、各作動をモニタリングして必要な補償を提供することによって、それらの損失を減少させるのを助ける。
図3Bは、図3Aのパルス幅変調(PWM)作動/損失補償回路311の回路図である。
PWM作動/損失補償回路311は、2つの集積回路IC1 370およびIC2 380を含む。IC1 370およびIC2 380の各々は、8つのピンを有する。IC1 370およびIC2 380はそれぞれ、ピン371および381を介してマイクロコントローラ211に接続されている。IC1 370およびIC2 380は、エネルギー補償を実行し、また、8つのIGBT321、32、323、324、325、326、327および328の作動を制御するように、マイクロコントローラ211からそれぞれピン371および381を介してコマンドを受信する。明らかに、IGBT321、32、323、324、325、326、327および328の作動は、作動によるエネルギー損失の補償と連動して生じる。
電力は、DC電圧ブースタ202からのブーストされたDC出力を有する正端子223から、IC1 370およびIC2 380の双方に、それぞれピン372および382を介して供給される。IC1 370およびIC2 380が、動作するのに必要な所望の電力供給を受信することを確実にするために、いくつかの回路(図3Bに図示せず)が正端子223およびマイクロコントローラ211に接続されてもよい。
互いに接続された、IGBT321および322のエミッタ端は、IC1 370のピン377によってモニタリングされる。IC1 370は、IGBT321および322のエミッタ端で計算された抵抗値、ならびに電流値をモニタリングする。同様に、互いに接続された、IGBT323および324のエミッタ端は、IC1 370のピン378によってモニタリングされる。IC1 370は、IGBT321、322、323および324のエミッタ端で計算された抵抗値、ならびにそれらのエミッタ端での電流値をモニタリングする。モニタリングされた電流値および抵抗値は、必要に応じ、予め規定された所望の基準抵抗値および電流値との比較のために、マイクロコントローラ211またはIC1 370のメモリに保存される。所望の基準抵抗値および電流値と、ピン377または378によってモニタリングされた実際の抵抗値および電流値とに差がある場合はいつも、マイクロコントローラ211は、補償を行なうようにIC1 370に命令するコマンドを送信するであろう。または、それに代えて、IC1 370は、必要な補償を自動的に実行するように構成されている。メモリは、読出し専用メモリ(Read Only Memory:ROM)、ランダムアクセスメモリ(Random Access Memory:RAM)、フラッシュメモリ、磁気ディスクなどであってもよい。
IC1 370のピン373は、抵抗器R1 361と第2の抵抗器R2 369と可変抵抗器VR1 362とを含む回路ループ352に接続されている。R2 369はVR1 362と直列接続されており、R1 361はR2 369およびVR1 362と並列接続されている。可変抵抗器VR1 362は、ピン377または378でモニタリングされた計算された抵抗値と、比較のためにマイクロコントローラ211またはIC1 370によって利用される予め規定された所望の基準抵抗値とのあらゆる差を補償するために、マイクロコントローラ211によって調節可能である。
IC1 370のピン374は、キャパシタC1 363の一方端に接続されており、キャパシタC1 363は動作中、IC1 370によって制御される。C1 363の同じ端は、正端子223にも接続されている。C1 363の他方端は、接地接続されている。C1 363は、ピン373によって検出された電流値が、比較のためにマイクロコントローラ211またはIC1 370によって利用される予め規定された所望の基準電流値よりも低い場合に、電流を補償するように電荷を提供するために使用される。C1 363は、可能ならいつでも、正端子223でのブーストされたDC電圧によって充電される。
IC1 370のピン375は、抵抗器R3 356に接続されている。NPNトランジスタTR1 364のベース端は、抵抗器R3 356と直列接続されている。トランジスタTR1 364のエミッタ端は接地接続されており、トランジスタTR1 364のコレクタ端は、IGBT321、322、325および326のゲートに接続されている。そして抵抗器R4 355が、一方端でIGBT321、322、325および326のゲートに、別の端で正端子223に接続されている。
抵抗器R3 356は、マイクロコントローラ211によって利用される予め規定された所望の基準抵抗値と比較される、ピン377によってモニタリングされた抵抗値をさらに精緻化するために使用される。R 356によって提供されるさらなる精緻化は、IGBT321および322の作動によるエネルギー損失を補償するために回路ループ352およびキャパシタ363が利用される場合に、それらによって引き起こされるエネルギー損失を補償する
IC1 370のピン376は、抵抗器R5 366に接続されている。NPNトランジスタTR2 365のベース端は、抵抗器R5 366と直列接続されている。トランジスタTR 36のエミッタ端は接地接続されており、トランジスタTR 36のコレクタ端は、IGBT323、324、327および328のゲートに接続されている。そして抵抗器R6 354が、一方端でIGBT323、324、327および328のゲートに、別の端で正端子223に接続されている。
抵抗器R5 366は、マイクロコントローラ211によって利用される予め規定された所望の基準抵抗値と比較される、ピン378によってモニタリングされた抵抗値をさらに精緻化するために使用される。R5 366によって提供されるさらなる精緻化は、IGBT323および324の作動によるエネルギー損失を補償するために回路ループ352およびキャパシタ363が利用される場合に、それらによって引き起こされるエネルギー損失を補償する。
トランジスタTR1 364およびTR2 365は双方とも、回路におけるそれらのそれぞれの点での過電流保護のために、特に、正端子223でのブーストされたDC電圧によって引き起こされた過電流に対して保護するために、使用される。
IC2 380のピン388は、二次巻線342の出力に接続されている。ピン388は、二次巻線342の出力で計算された電圧値をモニタリングするために使用される。モニタリングされた電圧値は、必要に応じ、予め規定された所望の基準電圧値との比較のために、マイクロコントローラ211またはIC2 380のメモリに保存される。所望の基準電圧値と、二次巻線342の出力でモニタリングされた実際の電圧値とに差がある場合はいつも、マイクロコントローラ211は、補償を行なうようにIC2 380に命令するコマンドを送信するであろう。または、それに代えて、IC2 380は、必要な補償を自動的に実行するように構成されている。メモリは、読出し専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、磁気ディスクなどであってもよい。
IC2 380のピン383は、キャパシタC3 358の一方端に接続されており、キャパシタC3 358は動作中、IC 380によって制御される。C3 358の同じ端は、正端子223にも接続されている。C3 358の他方端は、接地接続されている。C3 358は、ピン388によって検出された電圧値が、比較のためにマイクロコントローラ211またはIC2 380によって利用される予め規定された所望の基準電圧値よりも低い場合に、電流を補償するように電荷を提供するために使用される。C3
358は、可能ならいつでも、正端子223でのブーストされたDC電圧によって充電される。
同様に、IC2 380のピン384は、キャパシタC2 353の一方端に接続されており、キャパシタC2 353は動作中、IC 380によって制御される。C2 353の同じ端は、正端子223にも接続されている。C2 353の他方端は、接地接続されている。C2 353は、ピン388によって検出された電圧値が、比較のためにマイクロコントローラ211またはIC2 380によって利用される予め規定された所望の基準電圧値よりも低い場合に、電流を補償するように電荷を提供するために使用される。C2 353は、可能ならいつでも、正端子223でのブーストされたDC電圧によって充電される。
IC2 380は、抵抗器R4 355の一方端に接続された別のピン385を含む。R4 355の他方端は、IGBT321、322、325および326のゲートに接続されている。R4 355は、ピン388によって検出された電圧値と、比較のためにマイクロコントローラ211またはIC2 380によって利用される予め規定された所望の基準電圧値との差に基づいて、IGBT325および324の作動による損失を補償する。
同様に、IC2 380は、抵抗器R6 354の一方端に接続されたさらに別のピン386を含む。R6 354の他方端は、IGBT323、324、327および328のゲートに接続されている。R6 354は、ピン388によって検出された電圧値と、比較のためにマイクロコントローラ211またはIC2 380によって利用される予め規定された所望の基準電圧値との差に基づいて、IGBT327および328の作動による損失を補償する。
この例では、C2 353、C3 358、R4 355、およびR6 354は、互いに並列接続されている。さらに、IC2 380によって必要とされるあらゆる接地の必要性を提供するために、IC2 380のピン387が接地接続されている。
マイクロコントローラ211、IC1 370および/またはIC2 380によって適用される方法ステップの詳細を、図7を参照して以下に説明する。図3Aおよび図3Bの構成要素を参照する。
この例では、第4のIGBT、すなわち324がトリガされた後、端子ブロック204の正端子223から受信された35ボルトのDC電圧信号は、AC信号に変化する。8つのIGBT 321、32、323、324、325、326、327および328をトリガするかまたは作動するための動作プロセスは、条件が満たされるまでループする。条件とは、トランス340の二次巻線342で得られた出力信号を示すVout値が、Voutとの比較のためにマイクロコントローラ211によって利用される予め規定された望ましい基準電圧値(初期ルックアップ電圧値としても公知)と等しくなることである。Voutとは、IGBTのトリガに従って変化するであろう値である。Vrefは、図1のDC−AC電力増強器システム100の所望のAC出力要件に基づいて選択され、たとえば、Vrefは110〜120ボルトまたは230〜240ボルト(二乗平均平方根)(すなわち、Vrms)であってもよい。
ステップ701で、マイクロコントローラ211は、メモリから初期ルックアップ電圧値Vrefを読出すかまたは検索する。メモリは、マイクロコントローラ211、IC1 370またはIC2 380内に存在していてもよく、もしくは、マイクロコントローラ211、IC1 370またはIC2 380に外部接続されていてもよい。メモリは、読出し専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、磁気ディスクなどであってもよい。
ステップ701の後、ステップ702で、マイクロコントローラ211は、二次巻線342でのパルス幅変調(PWM)制御信号をチェックする。PWM制御信号をチェックするステップは、PWM制御信号のある特定の時間相で抽出された電圧読取り値であるVout値を判断するためのものである。PWM制御信号は、IC 380のピン388を介して検出される。Voutとは、IGBTのトリガに従って変わり得る値である。
ステップ702の後、ステップ703で、Vout値がPWM制御信号から得られ、IC2 380を介してマイクロコントローラ211に入力される。
ステップ703でVoutの値を受信すると、ステップ704で、マイクロコントローラ211は、Voutの値を、予め規定された望ましい基準電圧値Vrefと比較する。
ステップ705は、ステップ704でマイクロコントローラ211によって実行された比較を行なう。マイクロコントローラ11はステップ705で、VoutがVrefと等しいかどうかチェックする。
ステップ705でVoutがVrefと等しい場合、ステップ706で、マイクロコントローラ211は、M値、すなわち、Voutの値に対する変調値を判断する。M値とは、PWM制御信号のピーク間値を指す。たとえば、IGBTの作動前にVoutが最初35ボルト(DC)である場合、Vout値の変調値も35ボルトであり、それは35ボルト(DC)のピーク間電圧である。IGBTを作動してAC電圧信号を取得した後、M値は、取得したAC電圧信号のピーク間電圧に従って変化する。この例では、最終的には、取得すべき望ましい出力AC電圧信号は、230〜240または110〜120の二乗平均平方根電圧Vrmsを有する正弦波信号である。Vrmsは2の平方根で除算したVpeakと等しく、ここでVpeakは、AC電圧信号のピーク間電圧の半分である、ということが理解される。
ステップ705でVoutがVrefと等しくない場合、マイクロコントローラ211はステップ710で、8つのIGBT321、32、323、324、325、326、327および328をすべて、そのシーケンスでトリガし、続いて、再度ステップ702に進むであろう。8つのIGBTのトリガによってVoutがVrefと等しくなるまで、ステップ702、703、704および705はループするであろう。VoutがVrefと等しくなることを確実にするために好ましいのであれば、マイクロコントローラ211は、8つのIGBTのうちのの1つ以上を任意のシーケンスでトリガしてもよい、ということが理解される。
ステップ706の後、ステップ707で、マイクロコントローラ211は、メモリからルックアップ変調値を読出すかまたは検索する。ルックアップ変調値とは、ステップ706で判断されたM値との比較のためにマイクロコントローラ211によって利用される、予め規定された望ましい基準変調値である。ルックアップ変調値は、図1のDC−AC電力増強器システム100の所望のAC出力要件に基づいて選択される。メモリは、マイクロコントローラ211、IC1 370またはIC2 380内に存在していてもよく、もしくは、マイクロコントローラ211、IC1 370またはIC2 380に外部接続されていてもよい。メモリは、読出し専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、磁気ディスクなどであってもよい。
ステップ707でルックアップ変調値を読出すかまたは検索した後、ステップ708で、マイクロコントローラ11は、ステップ706で判断されたM値が、ルックアップ変調値と等しいかどうかチェックする。
ステップ708で、ステップ706で判断されたM値が、ステップ707で読出されたルックアップ変調値と等しい場合、これは、DC−ACコンバータ301の二次巻線342での出力AC波形のM値(すなわち、ピーク間電圧値)が、所望の変調値要件を満たした、ということを意味するであろう。そのため、何もさらに行なう必要はなく、プロセスはステップ709で終了する。次のプロセス、すなわち、図1のAC電力ブースタ401によって実行されるAC電力ブーストが、その後始まってもよい。
しかしながら、ステップ708で、ステップ706で判断されたM値が、ステップ707で読出されたルックアップ変調値と等しくない場合、マイクロコントローラ211はステップ710で、8つのIGBT321、32、323、324、325、326、327および328をすべて、そのシーケンスでトリガし、続いて、再度ステップ702に進むであろう。IGBTのトリガによって、ステップ706で判断されたM値がステップ707で読出されたルックアップ変調値と等しくなるまで、ステップ702〜708はループするであろう。
ステップ706〜708は、トランス340の第2の巻線342で所望のAC出力要件を得ることができることを確実にするために含まれる追加のステップである。所望のAC出力要件は、ステップ702〜705を通してすでに得られていてもよい。
DC−AC変換の段階のために、回路の電力容量、すなわち、回路がどれだけの電力を提供するかに依存して、より少ない数のIGBTが使用されてもよい、ということが理解される。使用可能なIGBTの数は2〜8であってもよい、ということが理解される。
図11および図12はともに、8つのIGBT321、322、323、324、325、326、327および328の各々がそのシーケンスで作動した後に得られる、起こり得るPWM制御信号(電圧対時間のフォーマット)を示す。図11および図12の作動結果の場合、IGBT328のPWM制御信号が、所望のAC出力である。図11では、最初の4つのIGBT321、322、323および324によって得られたPWM制御信号は、依然としてDC信号である。図12では、最初の4つのIGBT321、322、323および324の作動後に、最後の4つのIGBT325、326、327および328によって得られたPWM制御信号は、AC信号である。
図4は、図1のAC電力ブースタ401の回路図を示す。AC電力ブースタ401は、2つのサイリスタ431および432と、2つの抵抗器422および423と、ダイオード424と、接続負荷420とを含む。抵抗器422および423は、1つ以上の可変または非可変抵抗器から構成されてもよいことが理解される。サイリスタ431は、シリコン制御整流器サイリスタ、または任意の他の同様のサイリスタであってもよい。前述の図面を参照して説明されたマイクロコントローラ211への接続を有する、さまざまな回路接合部411、434、436および438がある。サイリスタ431のゲートは、回路接合部438に接続されている。サイリスタ431のアノードは、回路接合部411に接続されている。サイリスタ431のカソードは、回路接合部434に接続されている。図3Aのトランス340の二次巻線342の一方端B0 410が、回路接合部411に接続され、トランス340の二次巻線342の他方端B1 412が、回路接合部436に接続されている。回路接合部434は、回路接合部436に接続されている。抵抗器423は、ダイオード424と直列接続されている。ダイオード424のダイオードアノードは抵抗器423に接続され、ダイオード424のダイオードカソードは回路接合部438に接続されている。回路接合部411と436との間には、抵抗器422が接続されている。サイリスタ432のアノードは回路接合部434に接続され、サイリスタ432のゲートおよびカソードは各々、AC電力ブースタ401によって増強されたAC信号を用いて負荷420を駆動するように、負荷420に接続されている。サイリスタ431のカソードでの電圧が増強される。増強された電圧をサイリスタ432のアノードに印加するために、電流が、サイリスタ431のカソードからサイリスタ432のアノードに導かれる。
回路接合部411では、マイクロコントローラ211の3つのピン、すなわち、調整用の「R」、比較器用の「C」、およびモニタリング用の「Μ」が、対応する回路点413、414および415にそれぞれ接続されている。回路点413はまた、B0 410に接続されている。回路点414は抵抗器422に接続され、回路点415はサイリスタ431のアノードに接続されている。
回路接合部411では、回路点413に接続された「R」ピンは、回路点413、414および415間の電流の流れを調整するのを助ける。すなわち、それは、必要であれば、マイクロコントローラ211を通る回路点413と414との間の電流の流れ、およびマイクロコントローラ211を通る回路点413と415との間の電流の流れを伝導するのを助ける。回路点414に接続された「C」ピンは、回路点415での抵抗値と、点416に接続された「Μ」ピンによってモニタリングされた電圧値との比較を可能にする。点415での電圧値が点416での電圧値よりも小さい場合、回路点413と414との間の電流の流れが生じるであろう。その他の場合、回路点413と415との間の電流の流れが生じるであろう。回路点415に接続された「M」ピンは、点415の電圧値をモニタリングし、それを、「C」ピンによる比較のためにマイクロコントローラ211のキャッシュメモリに格納する。
回路接合部436では、マイクロコントローラ211の3つのピン、すなわち、調整用の「R」、比較器用の「C」、およびモニタリング用の「Μ」が、対応する回路点403、402および404にそれぞれ接続されている。回路点403はまた、B1 412に接続されている。回路点402は抵抗器422に接続され、回路点404は抵抗器423に接続されている。
回路接合部436では、点402に接続された「C」ピンは、点402での電流および電圧に基づいて計算された第1の抵抗値と、第1の予め規定された抵抗値との比較を可能にする。点403に接続された「R」ピンは、第1の抵抗値が第1の予め規定された抵抗値よりも小さい場合、電流を点402からマイクロコントローラ211を通して点404に流すことが可能にされている。その他の場合、点403に接続された「R」ピンは、電流を点403と点402との間でマイクロコントローラ211を通して流すことが可能にされている。第1の抵抗値が第1の予め規定された抵抗値よりも小さい場合、「M」ピン404は、点402で計算された第1の抵抗値に関連付けられた電流を出力する。第1の予め規定された抵抗値は、サイリスタ431のカソードでの電圧増強に寄与するように、それに応じて選択される、ということが理解される。
回路接合部434では、マイクロコントローラ211の3つのピン、すなわち、調整用の「R」、比較器用の「C」、およびモニタリング用の「Μ」が、以下のように接続されている。「R」ピンおよび「M」ピンは、回路点416に接続されている。「C」ピンは、回路点417に接続されている。回路点416はまた、サイリスタ431のカソードに接続されている。回路点417は、回路点418に接続されている。回路点418はまた、回路点403およびB1 412に接続されている。
回路点434では、点417に接続された「C」ピンは、(点416に接続された「M」ピンによって)点416でモニタリングされた電流および電圧に基づいて計算された第2の抵抗値と、第2の予め規定された抵抗値との比較に基づいて反応する。電流は常に、サイリスタ431のカソードとサイリスタ432のアノードとの間を流れる。しかしながら、計算された第2の抵抗値が第2の予め規定された抵抗値よりも小さい場合、点416に接続された「R」ピンは、電流を点416と点417との間でマイクロコントローラ211を通して流すことが可能にされている。点416に接続された「M」ピンは、点416での電流および電圧をモニタリングし、それらの値を、第2の抵抗値の計算のためにメモリに保存する。第2の予め規定された抵抗値は、サイリスタ431のカソードでの電圧増強に寄与するように、それに応じて選択される、ということが理解される。
回路点418および403は、マイクロコントローラ211の2つのピン、すなわち、「M」(モニタリング)ピンおよび「R」(調整)ピンにそれぞれ接続されている。
点418に接続された「M」ピンは、点418での第3の抵抗値の計算のために、点418での電流および電圧をモニタリングする。点403および418に接続された「R」ピンは、第3の抵抗値が第3の予め規定された抵抗値よりも大きい場合、点403と418との間の電流の流れを可能にする。第3の予め規定された抵抗値は、サイリスタ431のカソードでの電圧増強に寄与するように、それに応じて選択される、ということが理解される。
第1、第2および第3の予め規定された抵抗値の各々は、AC電力ブースタ401の電力容量に依存して変化してもよく、1〜100オームに及んでいてもよい。たとえば、AC電力ブースタ401が1200ワットの電力供給容量を提供するには、第1、第2および第3の予め規定された抵抗値の各々は、約10オームであってもよい。
回路接合部438では、マイクロコントローラ211の4つのピン、すなわち、モニタリング用の「M」、放出用の「REL」、保持用の「H」、および調整用の「R」がすべて、1つの回路点405に接続されている。回路点405は、ダイオード424のダイオードカソード端と、サイリスタ431のゲートとに接続されている。
回路接合部438では、点405に接続された「R」ピンは、サイリスタ431を、そのアノードとカソードとの間の、およびそのゲートとカソードとの間の電流の流れのために起動するために、調整信号を送信するように構成されている。
点405に接続された「M」ピンは、回路点405での電圧値および電流値をモニタリングするために構成されている。
点405に接続された「H」ピンは、サイリスタ431のゲート(すなわち回路接合部438)での電荷の蓄積を可能にするように構成されている。点405に接続された「H」ピンは、この例では一定の5ボルト信号であり得る保持信号を、点405に接続された「R」ピンの調整信号と連動して働くように送信して、たとえば0.001〜2マイクロ秒を含むマイクロ秒程度でサイリスタ431を起動し、第1の時間範囲の間、サイリスタ431のアノードでモニタリングされた電流および電圧に基づいて計算された抵抗値Rが、サイリスタ431のゲートでモニタリングされた電流および電圧に基づいて計算された抵抗値Rと同様になるように、サイリスタ431のアノードからゲートまで電流を伝導してもよい。保持信号の期間中、サイリスタ431のカソードでの電圧Vは、増強されないであろう。
「REL」ピンは、サイリスタ431がサイリスタ431のゲートからサイリスタ431のカソードに電流を伝導するために起動された場合、サイリスタ431のゲートでの蓄積された電荷の放出を可能にするように構成されている。「REL」ピンは、この例では一定の2ボルト信号であり得る放出信号を、「R」ピンの調整信号と連動して働くように送信して、たとえば0.001〜2マイクロ秒を含むマイクロ秒程度でサイリスタ431を起動し、第2の時間範囲の間、サイリスタ431のゲートでモニタリングされた電流および電圧に基づいて計算された抵抗値Rが、サイリスタ431のカソードでモニタリングされた電流および電圧に基づいて計算された抵抗値Rと同様になるように、サイリスタ431のゲートからサイリスタ431のカソードまで電流を伝導してもよい。放出信号の期間中、Rは、最初は上昇し、しばらくRの値に従ってから、降下する。放出信号の期間中、カソードでの電圧Vは、負荷420をサポートするために十分な電力出力または駆動を提供するように増強されるであろう。
観察から、RがRと同様である第2の時間範囲は、RがRと同様である第1の時間範囲よりも長い。それが長いほど、サイリスタ431のカソードでの電圧増強はより良好である。
この例では、全部で、マイクロコントローラ211の15個のピンが、すべての4つの回路接合部411、434、436および438で利用されており、各ピンは他のピンとは異なっている。マイクロコントローラ211によって実行されるアルゴリズムを調節することにより、1つのピンが2つ以上の回路点で使用され得る、ということが可能である。
回路接合部411については、(点415に接続された)「M」ピンは、(点413に接続された)「R」ピンまたは(点414に接続された)「C」ピンからサイリスタ431のアノードに適時に信号を出力するために構成されている。同様に、回路接合部436の点403に接続された「M」ピンは、(点40に接続された)「R」ピンまたは(点402に接続された)「C」ピンから適時に信号を出力するために構成されている。
交流電流がAC電力ブースタ401を通って流れると、電流の流れは回路接合部411で2つの経路へと分割する。第1の経路は、サイリスタ431のアノードにつながり、第2の経路は、抵抗器422および423ならびにダイオード424につながっている。抵抗器422および423は、負荷420のための所望の電力出力を達成するために抵抗値を精緻化するのを助ける。電力は、電圧、電流および抵抗の関数である、ということが理解される。抵抗を調節することは、電力も同様に調節するのを助ける。
図2Aおよび図2BのDC電圧ブースタ202のサイリスタ231で採用されたのと同様の方法を使用することによって、サイリスタ431のカソードでの電力出力を増強するために電流を精緻化することができる。より詳細には、ダイオード424は、第2の経路における電流の流れを、サイリスタ431のゲートの方へ向ける。マイクロコントローラ211から、「R」ピンからの適切な調整信号を、点405に接続された「H」ピンまたは「REL」ピンからの信号と連動して送信することによって、サイリスタ431は、第1の相(すなわち保持ステップ)においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするように起動され得る。マイクロコントローラ211から、「R」ピンからの別の適切な調整信号を、点405に接続された「H」ピンまたは「REL」ピンからの信号と連動して送信することによって、サイリスタ431は、第2の相(すなわち放出ステップ)においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするように起動され得る。その結果、電流ひいては電圧の増強がカソードで提供され、カソードでの増強された電圧は、アノードでの電圧の増強である。サイリスタ431のカソードで得られた精緻化された電流値および抵抗値により、増強された電力出力を有する所望のAC出力信号も、サイリスタ431のカソードで得られる。所望のAC出力信号はその後、通常のサイリスタとして動作している他のサイリスタ432に渡され、そして負荷420に送信される。
抵抗値または電流値は、さまざまなモニタリング点で、たとえば点405および416でモニタリングされている。第1の相と第2の相との間の時差は、保持時間を示す。保持時間中、さまざまなモニタリング点で、たとえば点405および416でモニタリングされた抵抗値または電流値が、マイクロコントローラ211によって利用される予め規定された望ましい基準抵抗値または電流値と比較された後で、所望の電力出力を提供するには不十分である場合、保持時間は、ゲートでより多くの電荷を保持するために遅延される。しかしながら、遅延は、サイリスタ431のゲートで集められた電荷によってサイリスタ431がその限界、すなわちゲートでのブレークダウン電圧に達するようになるほど、長くなってはならない。
AC電力ブースタ401によって実行されるACブーストプロセスの詳細を、図8を参照して以下に説明する。図4の構成要素を参照する。
ステップ801で、図3Aのトランス340の二次巻線342からのAC信号が、回路接合部411で受信される。より特定的には、AC信号は、点413に接続された「R」ピンによって受信される。AC信号の入力電圧は、Vacと呼ばれる。
その後、ステップ802で、AC信号は回路接合部411で前述の2つの経路へと分割され、第1の経路はサイリスタ431へとつながり、第2の経路は抵抗器422および423へとつながっている。
ステップ804で、ステップ802で分割されたAC信号は、抵抗器422および423に流れている。電流が制御された状態で、電力に影響を与えるように抵抗を調節することができる。よって、抵抗器422および423の目的は、抵抗を調節すること、この場合高めることを助け、プロセスで必要とされる所望の電力を増加させるかまたは維持することである。
続いて、ステップ804で抵抗器422および423に流れている電流は、ステップ806でダイオード424に流れるであろう。
ステップ806でダイオード424に流れた後、マイクロコントローラ11はステップ808で、入来AC信号の計算された抵抗値Rが、この場合10オームであるように選択された、マイクロコントローラ211によって利用される予め規定された基準抵抗値であるかどうかチェックする。10オームはこの例にとって有用であることが、発見されている。
この例では、予め規定された基準抵抗値は、200オームまでの範囲から選択可能である、ということが理解される。
R値は、点415、416および404に接続された「M」ピンから得られた電圧値および電流値から計算される。I値は、点415、416および404に接続された「M」ピンから得られる。
ステップ808で、マイクロコントローラ211の点404に接続された「M」ピンを介して読出された電圧値および電流値から計算された抵抗値が10オームである場合、マイクロコントローラ211は、ステップ810で、サイリスタ431のゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタ431を起動し、続いてステップ803に進むであろう。
ステップ803で、ステップ802で分割されたAC信号は、サイリスタ431に流れている。
ステップ805で、サイリスタ431は、第1の相においてサイリスタ431のアノードとゲートとの間の、および第2の相においてサイリスタ431のゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするように、マイクロコントローラによって起動される。第1の相と第2の相との間の保持時間は、たとえば1マイクロ秒遅延され、それから、サイリスタのゲートでの電荷の増強された電力が、最も効率的な抵抗値Rおよび電流値Iで、サイリスタ431のカソードに放出される。
最も効率的なR値およびI値は、点415、416および404に接続された「M」ピンから得られた計算されたR値およびその対応するI値との比較のために、マイクロコントローラ211によって利用される、予め規定された望ましい基準抵抗値または電流値である。
点414、402および417に接続された「C」ピンは、R値およびI値が最も効率的なR値およびI値に達した場合、または、R値およびI値が最も効率的なR値およびI値にまだ達していない場合の双方において、それに応じて電流の流れを向けるために用いられる。
ステップ807で、ステップ805で得られた増強された電力出力が、回路接合部434でのマイクロコントローラ211の制御を介して、第2のサイリスタ423に向けられる。増強された電力出力は次に、第2のサイリスタ423から、負荷420を駆動するために向けられる。
ステップ807の後、AC電力ブースタ401によって実行されたAC電力ブーストのプロセスは、終了する。
図10は、AC電力ブースタ401で行なわれるAC電力ブーストの一例を示す。特に、第1の相において発生する保持ステップと、第2の相において発生する放出ステップとが説明される。結果は観察から得られる。なお、たとえば0.001〜2マイクロ秒を含むマイクロ秒程度の特定のタイミングが提供されるが、それらは単なる推定値として見なされるべきであり、それらは商業的に入手可能な1つの標準シリコン制御整流器(SCR)サイリスタに関する。タイミングは、使用中のサイリスタの構成および設計に依存して変化してもよい。サイリスタのカソードでの電圧が要望通り増強される程度まで、タイミングをより長く、またはより短くすることが可能である。
図4を参照して、図10では、サイリスタ431のアノード(回路接合部411)の電圧Vでの読取り値は、230〜240の正弦波AC電圧信号(すなわち、二乗平均平方根電圧)であると仮定される。目標は、230〜240Vrmsの増強された電力出力を達成するために、サイリスタ431のカソード(回路接合部434)でのAC電圧信号Vを増強することである。この場合では、ゲート(回路接合部438)の電圧Vは、アノード(回路接合部411)の電圧Vのそれに正確に従っている。カソード(回路接合部434)での電圧Vは、ゲートでの電圧V、およびアノードでの電圧Vとは、位相が約180度ずれている。便宜上、以下の文章の一部では、前述の保持ステップおよび放出ステップの言及に従って、対応する保持信号または放出信号が調整信号に伴うであろう、ということが理解される。図10の波形の上昇および降下のすべての相は、正弦波の形状に従っている。
最初に、マイクロコントローラ211は、約0.125マイクロ秒の期間1002の間、調整信号を送信する。期間1002内で、調整信号は、約0.06マイクロ秒続くパルス波1003で始まり、それは第1の期間であり、約0.02マイクロ秒の間隔で2ボルトと5ボルトとの間を脈動する。その後、調整信号は、約0.0625マイクロ秒間、2ボルトから230ボルトまで傾斜し、それは第2の期間である。期間1002のパルス波1003は、アノード(回路接合部411)とゲート(回路接合部438)との間の電流の流れを可能にするように、サイリスタ431を起動することを担っている。パルス波1003は1つ以上のパルスを含んでいてもよい、ということが理解される。パルス波1003はまた、スパイクと見なされてもよく、また、必ずしも図10に示すように方形である必要はない。アノード(回路接合部411)とゲート(回路接合部438)との間の電流の流れが確立されるにつれて、1002の期間において、ゲート(回路接合部438)での電圧Vが、アノード(回路接合部411)での電圧Vとほぼ同期して、2ボルトから230ボルトまで上昇し始める。ゲート(回路接合部434)での電圧Vは、期間1002の間、230ボルトから−230ボルトまで降下する。期間1002の間、Vは増強されないと考えられる。
期間1002の後、調整信号は、約0.375マイクロ秒の期間1004を経る。それは放出ステップを行ない、そこでサイリスタ431は、ゲート(回路接合部438)からカソード(回路接合部434)まで導通するように起動される。期間1004における放出ステップの波形は、まず、第3の期間において約0.125マイクロ秒間、230ボルトから0ボルトまで概して降下するものの、途中に、0.168マイクロ秒の印のあたりで、約0.04マイクロ秒続く降下1005(すなわち、第4の期間)が存在する。その後、波形は、約0.125マイクロ秒間、−230ボルトまで降下し続ける。期間1004の効果は、サイリスタ431が、期間1002中にゲート(回路接合部438)に蓄積された電荷をすべてカソード(回路接合部434)に放出する、ということである。期間1004の間、カソード(回路接合部434)の電圧Vは、それが−230ボルトから230ボルトまで傾斜するにつれて増強される。Vが0ボルトから230ボルトまで傾斜し続けるにつれて、放出される電荷はなくなると考えられる。
期間1004の後、調整信号は、約0.25マイクロ秒の別の期間1006を経る。それは保持ステップを行なう。期間1006における保持ステップの波形は、まず、第5の期間において約0.125マイクロ秒間、−230ボルトから0ボルトまで概して上昇するものの、途中に、0.51マイクロ秒の印のあたりで、約0.04マイクロ秒続く上昇1007(すなわち、第6の期間)が存在する。その後、波形は、約0.125マイクロ秒間、230ボルトまで上昇し続ける。期間1006の効果は、それが、ゲート(回路接合部438)に電荷を蓄積して保持するようにサイリスタ431を起動する、ということである。期間1006の持続時間中、電荷がカソード(回路接合部434)に放出されないため、Vは230ボルトから−230ボルトまで低下する。
期間1006の後、調整信号は、所望の電圧増強をカソード(回路接合部434)に提供するために、期間1004において実行された放出ステップと、期間1006において実行された保持ステップとを連続的に順に繰り返す。
ここに述べたマイクロコントローラは、ここに述べた回路のさまざまなプロセスに対して制御を提供するためのコントローラであることが理解される。より初歩的な、またはより高度なマイクロプロセッサもしくはコンピュータといった、マイクロコントローラと同様の他のコントローラも、使用されてもよい。それは、回路のさまざまなコンポーネントに、直接、または集積回路(すなわち、同様にマイクロコントローラなどであり得るIC1 370およびIC2 380)を通して、もしくはプリント回路基板を走る導線を通して接続されている。マイクロコントローラまたは集積回路が、回路内のさまざまな点で起こるさまざまな活動をモニタリングし、命令することを可能にするように、プログラマブル統合制御(Programmable Integrated Control:PIC)言語(すなわち、一種のアセンブリ言語)で書かれたプログラムが、マイクロコントローラにプログラミングされている。マイクロコントローラとコンポーネントとの間の通信は、導線を通過する電子波の形をしている。ここに述べる回路で使用されているマイクロコントローラは、40個のピンを有していてもよい。各ピン、または各グループのピンは、回路の特定の点で指定された機能をモニタリングしてもよく、または命令してもよい。集積回路は各々、8本のピンを有していてもよい。ここに述べた方法ステップのステップに遅れずついていくために、PICプログラムは約68,356個のコード行を有していてもよく、マイクロ秒で測定されるコード実行時最小応答時間を有していてもよい。
ここに述べたすべての回路点は、回路における選択された対象電流伝導点を指す、ということがさらに理解される。ここに述べたすべての回路接合部は、1つ以上の回路点を含む、回路における対象領域を指す。回路接合部への接続または結合とは、回路接合部における回路点のうちの1つ以上への接続を指す。回路接合部が電流または信号を入力または出力すると、それは、その回路接合部における回路点のうちの1つ以上が、電流または信号の入力または出力に関わっている、ということを意味する。
電力出力を増強するための装置および方法には、図面とともに上述の開示についての理解を有する当業者によって、多くの修正が行なわれ得る。したがって、電力出力を増強するための装置および方法は、ここに含まれる上述の説明のみに限定されるものではない、ということが理解されるはずである。

Claims (44)

  1. 電力出力を増強するための装置であって、装置は、
    アノード、カソードおよびゲートを有するサイリスタと、
    ゲート、カソードおよびアノードに接続されたコントローラとを含み、
    アノードに電圧が提供されると、コントローラは、増強された電圧をカソードに提供するために、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために構成され、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために構成されており、増強された電圧は、アノードでの電圧の増強である、装置。
  2. コントローラは、調整信号を通して、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動し、
    調整信号は、
    パルス波を有する第1の期間と、
    アノードでの電圧まで上昇する電圧を有する第2の期間とを含む、請求項1に記載の装置。
  3. 調整信号は、
    アノードでの電圧から低電圧まで低下する電圧を有する第3の期間と、
    第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために第4の期間続く、低電圧値への電圧の降下とを含み、第4の期間は、第3の期間に含まれる、請求項2に記載の装置。
  4. 第1の相と第2の相との間の時差は、0.001〜2マイクロ秒の範囲である、請求項1、2または3に記載の装置。
  5. カソードでの電圧を補足するためにゲートに配置されたキャパシタを含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
  6. 直流(DC)源と、
    スイッチとを含み、スイッチは、DC源の電圧がしきい値未満であることをコントローラが検出した場合、DC源からアノードに電流を導くようにスイッチを切替え、DC源の電圧がしきい値を上回ることをコントローラが検出した場合、カソードに接続された出力端子に電流を導くようにスイッチを切替えるためのものである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
  7. 装置は、スイッチと並列に配置された1つ以上のキャパシタを含み、
    コントローラは、DC源の電圧がしきい値未満である場合、1つ以上のキャパシタから放電された電流がスイッチに流れることを可能にするように構成されている、請求項6に記載の装置。
  8. 装置は、カソードでの電圧を交流(AC)信号に変換するようにコントローラによって制御される1つ以上の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を含み、
    コントローラは、1つ以上のIGBTによって引き起こされたエネルギー損失を検出し、検出されたエネルギー損失に基づいてエネルギー損失を補償するように補償回路を調節するために構成されている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。
  9. 抵抗を調節するためにカソードとアノードとの間に配置された1つ以上の抵抗器を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。
  10. コントローラは、アノードまたはカソードでの電圧をモニタリングし、モニタリングされた電圧に基づいてそれぞれのアノードまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くために構成されている、請求項9に記載の装置。
  11. カソードでの抵抗を調節するために、カソードとアノードとの間、およびアノードとゲートとの間に配置された1つ以上の抵抗器を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。
  12. コントローラは、アノード、ゲートまたはカソードでの抵抗値をモニタリングし、モニタリングされた抵抗値に基づいてそれぞれのアノード、ゲートまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くために構成されている、請求項11に記載の装置。
  13. コントローラは、サイリスタのアノードでの電圧をモニタリングし、モニタリングされた電圧に基づいて電流をダイオードに導くために構成されており、
    ダイオードは、サイリスタのアノードから電流を受信するためのダイオードアノードと、サイリスタのゲートに接続されたダイオードカソードとを含む、請求項11または12に記載の装置。
  14. コントローラは、カソードでの電圧が増強された電圧へと増加する前に、調整信号を通して、カソードでの電流が1%増加することを可能にするようにサイリスタを起動する、請求項3に記載の装置。
  15. 装置は、第2のサイリスタを含み、
    第2のサイリスタは、
    増強された電圧を受信するためのアノードと、
    負荷に接続するためのゲートと、
    負荷に接続するためのカソードとを含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載の装置。
  16. 第1の期間の間、アノードで計算された抵抗値がゲートで計算された抵抗値と同様になるまで、コントローラは、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動する、請求項1〜15のいずれか1項に記載の装置。
  17. 第2の期間の間、アノードで計算された抵抗値がカソードで計算された抵抗値と同様になるまで、コントローラは、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動する、請求項16に記載の装置。
  18. 第2の期間は第1の期間よりも長い、請求項17に記載の装置。
  19. 第1の期間の間、アノードでの電圧がゲートでの電圧と同様になるまで、コントローラは、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動する、請求項1〜15のいずれか1項に記載の装置。
  20. 第2の期間の間、アノードでの電圧がカソードでの電圧と同様になるまで、コントローラは、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動する、請求項19に記載の装置。
  21. 第2の期間は第1の期間よりも長い、請求項20に記載の装置。
  22. 調整信号は、
    負のピーク電圧からゼロ電圧まで上昇する電圧を有する第5の期間と、
    第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために第6の期間続く、電圧の上昇とを含み、第6の期間は、第5の期間に含まれる、請求項3に記載の装置。
  23. アノード、カソードおよびゲートを有するサイリスタを含む装置の電力出力を増強するための方法であって、アノードには電圧が提供され、方法は、増強された電圧をカソードに提供するために、
    第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップと、
    第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップとを含み、
    増強された電圧は、アノードでの電圧の増強である、方法。
  24. 方法は、調整信号を通して、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含み、
    調整信号は、
    パルス波を有する第1の期間と、
    アノードでの電圧まで上昇する電圧を有する第2の期間とを含む、請求項23に記載の方法。
  25. 調整信号は、
    アノードでの電圧から低電圧まで低下する電圧を有する第3の期間と、
    第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために第4の期間続く、低電圧値への電圧の降下とを含み、第4の期間は、第3の期間に含まれる、請求項24に記載の方法。
  26. 第1の相と第2の相との間の時差は、0.001〜2マイクロ秒の範囲である、請求項23、24または25に記載の方法。
  27. ゲートに配置されたキャパシタから放電された電流で、カソードでの電圧を補足するステップを含む、請求項23〜26のいずれか1項に記載の方法。
  28. DC源の電圧がしきい値未満であることをコントローラが検出した場合、DC源からアノードに電流を導くようにスイッチを切替えるステップと、
    DC源の電圧がしきい値を上回ることをコントローラが検出した場合、カソードに接続された出力端子に電流を導くようにスイッチを切替えるステップとを含む、請求項23〜27のいずれか1項に記載の方法。
  29. DC源の電圧がしきい値未満である場合、スイッチと並列に配置された1つ以上のキャパシタから放電された電流がスイッチに流れることを可能にするステップを含む、請求項28に記載の方法。
  30. コントローラによって制御される1つ以上の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を用いて、カソードでの電圧を交流(AC)信号に変換するステップと、
    1つ以上のIGBTによって引き起こされたエネルギー損失を検出するステップと、
    検出されたエネルギー損失に基づいてエネルギー損失を補償するように補償回路を調節するステップとを含む、請求項23〜29のいずれか1項に記載の方法。
  31. カソードとアノードとの間に配置された1つ以上の抵抗器を用いて、抵抗を調節するステップを含む、請求項23〜30のいずれか1項に記載の方法。
  32. アノードまたはカソードでそれぞれモニタリングされた電圧に基づいて、アノードまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くステップを含む、請求項31に記載の方法。
  33. カソードとアノードとの間、およびアノードとゲートとの間に配置された1つ以上の抵抗器を用いて、抵抗を調節するステップを含む、請求項23〜30のいずれか1項に記載の方法。
  34. アノード、ゲートまたはカソードでそれぞれモニタリングされた抵抗値に基づいて、アノード、ゲートまたはカソードでの電流を1つ以上の抵抗器に導くステップを含む、請求項33に記載の方法。
  35. 方法は、サイリスタのアノードでの電圧をモニタリングし、モニタリングされた電圧に基づいて電流をダイオードに導くステップを含み、
    ダイオードは、サイリスタのアノードから電流を受信するためのダイオードアノードと、サイリスタのゲートに接続されたダイオードカソードとを含む、請求項33または34に記載の方法。
  36. カソードでの電圧が増強された電圧へと増加する前に、調整信号を通して、カソードでの電流が1%増加することを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含む、請求項25に記載の方法。
  37. 方法は、増強された電圧を第2のサイリスタのアノードに印加するために、第2のサイリスタのアノードにサイリスタのカソードからの電流を導くステップを含み、
    第2のサイリスタのゲートおよびカソードは、負荷に接続されている、請求項23〜36のいずれか1項に記載の方法。
  38. 第1の期間の間、アノードで計算された抵抗値がゲートで計算された抵抗値と同様になるまで、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含む、請求項23〜37のいずれか1項に記載の方法。
  39. 第2の期間の間、アノードで計算された抵抗値がカソードで計算された抵抗値と同様になるまで、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含む、請求項38に記載の方法。
  40. 第2の期間は第1の期間よりも長い、請求項39に記載の方法。
  41. 第1の期間の間、アノードでの電圧がゲートでの電圧と同様になるまで、第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含む、請求項23〜37のいずれか1項に記載の方法。
  42. 第2の期間の間、アノードでの電圧がカソードでの電圧と同様になるまで、第2の相においてゲートとカソードとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するステップを含む、請求項41に記載の方法。
  43. 第2の期間は第1の期間よりも長い、請求項42に記載の方法。
  44. 調整信号は、
    負のピーク電圧からゼロ電圧まで上昇する電圧を有する第5の期間と、
    第1の相においてアノードとゲートとの間の電流の流れを可能にするようにサイリスタを起動するために第6の期間続く、電圧の上昇とを含み、第6の期間は、第5の期間に含まれる、請求項25に記載の方法。
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