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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 52
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 190
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 88
- 239000010408 film Substances 0.000 description 77
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 57
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- -1 acryloylamino, methacryloyl Chemical group 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylbenzene-1,4-diamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQRPSGLKJXYFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-9h-fluorene;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.C=12CC3=CC=CC=C3C2=CC=CC=1C1=CC=CC=C1 HTQRPSGLKJXYFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241001589086 Bellapiscis medius Species 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLNLZPBEPQIFPH-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)N[Si](O)(NC=C)OC=C Chemical compound C(C(=C)C)(=O)N[Si](O)(NC=C)OC=C OLNLZPBEPQIFPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical compound C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWCNUEFVKZFLMJ-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenylaniline;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FWCNUEFVKZFLMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical compound C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQOXOYIBKRIJMR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;triphenylene-1,2-diamine Chemical compound OC(=O)C=C.C1=CC=C2C3=C(N)C(N)=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 ZQOXOYIBKRIJMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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Description
本発明は表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
表示装置には種々のタイプのものがある。そのひとつに、画素の光源として有機EL(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置がある。この表示装置は、支持基板と、第1の方向Xに延在する複数本の隔壁部材1からなる隔壁と、各隔壁部材間1において第1の方向に沿って等間隔をあけて配置される複数の有機EL素子とを含んで構成される(図6参照)。 There are various types of display devices. One of them is a display device using an organic EL (Electro Luminescence) element as a light source of a pixel. This display device is arranged at equal intervals along the first direction between the support substrate, the partition wall composed of a plurality of partition wall members 1 extending in the first direction X, and between the partition wall members 1. A plurality of organic EL elements are included (see FIG. 6).
上記の有機EL素子は、第1の電極、1層以上の機能層、および第2の電極が、支持基板寄りからこの順番に積層されて構成される。 The organic EL element is configured by laminating a first electrode, one or more functional layers, and a second electrode in this order from the support substrate side.
有機EL素子の機能層は塗布法によって形成することができる。たとえば機能層は、当該機能層となる材料を含むインキを隔壁部材1と隔壁部材1との間の凹部に供給し、さらにこれを固化することによって形成される。インキの供給はたとえばノズルプリンティング法によっておこなわれる。機能層を形成したのちに、さらに上部電極を所定の方法によって形成することで、支持基板上に複数の有機EL素子を形成ることができる(たとえば特許文献1参照。)。 The functional layer of the organic EL element can be formed by a coating method. For example, the functional layer is formed by supplying ink containing a material to be the functional layer to the concave portion between the partition wall member 1 and the partition wall member 1 and further solidifying it. The ink is supplied by, for example, a nozzle printing method. After forming the functional layer, a plurality of organic EL elements can be formed on the support substrate by further forming the upper electrode by a predetermined method (see, for example, Patent Document 1).
図6は複数のノズルを備えるノズルプリンティング装置を用いてインキを塗布するときの態様を模式的に示す図である。ノズルプリンティング装置は、配列方向(図6に示す実施態様では第1の方向Xとは垂直な方向。)に所定の間隔をあけて配置される複数本のノズル2を備える。各ノズル2から所定のインキを吐出しつつ、前記第1の方向X(以下、走査方向Xと記載することがある。)の一方または他方にノズル2を走査することにより、隔壁部材1間にインキが供給され、これが固化することにより帯状の薄膜3が形成される。このノズル2の1回の走査により、当該ノズル2の本数分だけ帯状の薄膜3が形成される。
FIG. 6 is a diagram schematically illustrating an aspect when ink is applied using a nozzle printing apparatus including a plurality of nozzles. The nozzle printing apparatus includes a plurality of nozzles 2 arranged at predetermined intervals in the arrangement direction (in the embodiment shown in FIG. 6, a direction perpendicular to the first direction X). While ejecting predetermined ink from each nozzle 2, the nozzle 2 is scanned in one or the other of the first direction X (hereinafter sometimes referred to as a scanning direction X), so When the ink is supplied and solidifies, the band-shaped
ノズル2を走査方向の一端から他端まで走査すると、つぎに、走査方向Xとは垂直な方向(以下、塗布方向Yと記載することがある。)にノズル2を移動する。なお塗布方向Yの一方を前方(図6では下方)、塗布方向Yの他方を後方(図6では上方)と記載することがある。このノズル2の前方への移動では、ノズルの本数分の行だけノズル2を前方に移動する(図6に示す形態では5行分の距離をノズル2が移動する。)このようなノズル2の走査方向Xの移動と、塗布方向Yの前方への移動とを交互に繰り返すことにより、すべての隔壁部材1間にインキを塗布することができる。 When the nozzle 2 is scanned from one end to the other end in the scanning direction, the nozzle 2 is then moved in a direction perpendicular to the scanning direction X (hereinafter sometimes referred to as a coating direction Y). One of the application directions Y may be referred to as the front (downward in FIG. 6) and the other of the application directions Y as the rear (upward in FIG. 6). In the forward movement of the nozzle 2, the nozzle 2 is moved forward by the number of rows corresponding to the number of nozzles (in the form shown in FIG. 6, the nozzle 2 moves by a distance of 5 rows). By alternately repeating the movement in the scanning direction X and the forward movement in the application direction Y, ink can be applied between all the partition members 1.
複数本のノズル2を用いてインキを塗布する場合、塗布膜の性状に周期性があらわれる。この周期はノズルの本数に対応する。たとえば塗布膜の膜厚がノズルの本数に対応して周期的に変動する。このような現象が生じる原因としては、ノズルごとのインキの吐出量が微量にばらつくことが考えられる。たとえ、各ノズルから吐出されるインキの量を全て同じ量に設定したとしても、各ノズルから吐出されるインキの量を完全に一致させることは難しいからである。また、たとえ等しい間隔をあけて各ノズルを配置したとしても、各ノズルの間隔を完全に一致させることは難しいため、各隔壁部材間におけるインキの供給位置が各ノズルに応じてずれることがあり、これが塗布膜の性状に周期性としてあらわれる、とも考えられる。 When ink is applied using a plurality of nozzles 2, periodicity appears in the properties of the coating film. This period corresponds to the number of nozzles. For example, the film thickness of the coating film periodically varies corresponding to the number of nozzles. A possible cause of this phenomenon is that the amount of ink discharged from each nozzle varies in a very small amount. This is because even if the amount of ink ejected from each nozzle is set to the same amount, it is difficult to completely match the amount of ink ejected from each nozzle. In addition, even if the nozzles are arranged at equal intervals, it is difficult to completely match the intervals of the nozzles, so the ink supply position between the partition members may be shifted depending on the nozzles. It is considered that this appears as periodicity in the properties of the coating film.
このように、複数のノズルを備えるノズルプリンティング装置を用いてインキを供給した場合、装置の構成や性能に起因して、塗布膜の性状に周期性があらわれ、いわゆるスジムラが生じる。このようなスジムラは、表示装置において発光ムラとして視認されることになる。とくに周期的な発光ムラが生じると、人間の目に視認され易くなるため、表示品位が低下するという問題が生じる。 As described above, when ink is supplied using a nozzle printing apparatus having a plurality of nozzles, due to the configuration and performance of the apparatus, periodicity appears in the properties of the coating film, and so-called unevenness occurs. Such uneven stripes are visually recognized as light emission unevenness in the display device. In particular, when periodic light emission unevenness occurs, it is easy for the human eye to visually recognize the display quality.
したがって本発明の目的は、複数のノズルを備えるノズルプリンティング装置を使用したとしても、周期的なスジムラの発生を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device capable of suppressing the occurrence of periodic stripe unevenness even when a nozzle printing device having a plurality of nozzles is used.
本発明は、支持基板と、
当該支持基板上において、第1の方向および当該第1の方向と交差する第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、
前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、
前記絶縁膜上において前記第2の方向に隣り合う有機EL素子間に配置され、前記第2の方向に等しい間隔をあけて、第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置であって、
前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を、基準の開口として仮想的に設定すると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、
前記各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される、表示装置に関する。
The present invention includes a support substrate,
On the support substrate, a plurality of organic EL elements arranged in a matrix at predetermined intervals in a first direction and a second direction intersecting the first direction,
An insulating film provided on the support substrate, wherein openings are formed at positions corresponding to the plurality of organic EL elements, and each organic EL element is individually defined by the openings;
A partition wall formed of a plurality of partition wall members disposed between the organic EL elements adjacent to each other in the second direction on the insulating film and extending in the first direction at equal intervals in the second direction; A display device comprising:
When an opening having a specific area provided in the center of the partition wall member adjacent in the second direction is virtually set as a reference opening, each opening has a center in the second direction. Deviating in the second direction with respect to the reference opening and / or its area is different with respect to the reference opening;
The degree to which each opening is displaced in the second direction and the degree to which the area is different relates to a display device that is set at random.
また本発明は、支持基板と、当該支持基板上において、第1の方向および当該第1の方向と交差する第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、前記絶縁膜上において前記第2の方向に隣り合う有機EL素子間に配置され、前記第2の方向に等しい間隔をあけて、第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置の製造方法であって、
前記複数の有機EL素子の画素電極と、当該画素電極が前記開口から露出するように配置された前記絶縁膜とが設けられた支持基板を用意する工程と、
前記絶縁膜上に、複数本の隔壁部材を形成し、隔壁を設ける工程と、
前記隔壁部材間にノズルプリンティング法により所定のインキを供給し、これを固化することにより、有機EL素子の所定の機能層を形成する工程と、
前記機能層上に上部電極を形成する工程とを有し、
前記支持基板を用意する工程では、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を基準の開口とすると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、前記各開口の前記第2の方向のずれる程度、および面積の異なる程度が、無作為に設定された絶縁膜が設けられた支持基板を用意する、表示装置の製造方法に関する。
The present invention also provides a support substrate and a plurality of organic EL elements arranged in a matrix at predetermined intervals in the first direction and the second direction intersecting the first direction on the support substrate. An opening formed at a position corresponding to the plurality of organic EL elements, each of the organic EL elements being individually defined by the opening; and the insulating film on the insulating film; Manufacturing of a display device comprising: a partition wall formed of a plurality of partition wall members disposed between organic EL elements adjacent to each other in the second direction and extending in the first direction at equal intervals in the second direction. A method,
Preparing a support substrate provided with pixel electrodes of the plurality of organic EL elements and the insulating film arranged so that the pixel electrodes are exposed from the openings;
Forming a plurality of partition members on the insulating film and providing the partition;
A step of forming a predetermined functional layer of the organic EL element by supplying a predetermined ink between the partition members by a nozzle printing method and solidifying the ink;
Forming an upper electrode on the functional layer,
In the step of preparing the support substrate, each opening is provided in the center of the partition wall member adjacent in the second direction, and an opening having a specific area is used as a reference opening. The center of which is shifted in the second direction with respect to the reference opening, and / or the area is different from the reference opening, and the degree and area where each opening is shifted in the second direction. The present invention relates to a method of manufacturing a display device, in which a support substrate provided with a randomly set insulating film is prepared.
本発明によれば、複数のノズルを備えるノズルプリンティング装置を使用したとしても、周期的なスジムラの発生を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if it uses a nozzle printing apparatus provided with a some nozzle, the display apparatus which can suppress generation | occurrence | production of a periodic stripe unevenness can be provided.
本発明の表示装置は、支持基板と、当該支持基板上において、第1の方向および当該第1の方向と交差する第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、前記絶縁膜上において前記第2の方向に隣り合う有機EL素子間に配置され、前記第2の方向に等しい間隔をあけて、第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置であって、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を、基準の開口として仮想的に設定すると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、前記各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される、表示装置である。 The display device of the present invention includes a support substrate and a plurality of the substrate arranged in a matrix at predetermined intervals in the first direction and the second direction intersecting the first direction on the support substrate. An organic EL element; an insulating film provided on the support substrate; wherein an opening is formed at a position corresponding to the plurality of organic EL elements, and each organic EL element is individually defined by the opening; and on the insulating film And a partition comprising a plurality of partition members extending in the first direction and spaced between the organic EL elements adjacent to each other in the second direction. When an opening having a specific area provided in the center of the partition wall member adjacent in the second direction is virtually set as a reference opening, each opening is in the second direction. The center of And / or the area thereof is different from that of the reference opening, the degree of deviation of each of the openings in the second direction, and the degree of difference in area are as follows: It is a display device set at random.
表示装置には主にアクティブマトリクス駆動型の装置と、パッシブマトリクス駆動型の装置とがある。本発明は両方の型の表示装置に適用することができるが、本実施形態では一例としてアクティブマトリクス駆動型の表示装置に適用される発光装置について説明する。 There are mainly two types of display devices: an active matrix drive type device and a passive matrix drive type device. Although the present invention can be applied to both types of display devices, in this embodiment, a light emitting device applied to an active matrix drive type display device will be described as an example.
<発光装置の構成>
まず発光装置の構成について説明する。図1は本実施形態の発光装置21を模式的に示す平面図であり、図2は発光装置21を模式的に拡大して示す断面図である。発光装置21は主に支持基板11と、この支持基板上に設けられる複数の有機EL素子22とを含んで構成される。
<Configuration of light emitting device>
First, the structure of the light emitting device will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the
本実施形態では複数の有機EL素子22は、支持基板11上において、第1の方向Xおよび当該第1の方向Xと交差する第2の方向Yにそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される。なお本実施形態では有機EL素子22は、第1の方向Xに等間隔をあけて配置される。
In the present embodiment, the plurality of organic EL elements 22 are arranged in a matrix on the
本実施形態では第1の方向Xと第2の方向Yとは、それぞれ支持基板11の厚み方向Zに対して垂直な方向である。また本実施形態では第1の方向Xと第2の方向Yとは、互いに垂直な方向である。以下では、支持基板11の厚み方向Zをたんに厚み方向Zということがある。
In the present embodiment, the first direction X and the second direction Y are directions perpendicular to the thickness direction Z of the
前記支持基板上には、各有機EL素子22を個別に規定する絶縁膜15が設けられる。この絶縁膜15には、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成されている。各有機EL素子22は、厚み方向Zの一方から見て(以下、平面視ということがある。)、絶縁膜15の開口の形成される部位に設けられる。すなわち平面視で開口が設けられる部位が有機EL素子の設けられる部位に対応する。後述するように有機EL素子を構成する機能層は、第1の方向Xに隣り合う有機EL素子22と連なるように形成されており、物理的には連続しているが、上記の絶縁膜15によって、第1の方向Xに隣り合う有機EL素子22は電気的に絶縁されている。
An insulating
絶縁膜15の開口は、各有機EL素子22が設けられる位置に形成されるため、有機EL素子22と同様にマトリクス状に配置される。このように絶縁膜15にはマトリクス状に開口が形成される。換言すると絶縁膜15は平面視で格子状に形成される。絶縁膜15の開口は平面視で、後述する画素電極12と略一致するように形成され、たとえば略矩形、略円形および略楕円形などに形成される。格子状の絶縁膜15は平面視で、画素電極12を除く領域に主に形成され、その一部が画素電極12の周縁を覆って形成されている。
Since the openings of the insulating
本実施形態では絶縁膜15上に、第1の方向Xに延在する複数本の隔壁部材20から構成される隔壁17が設けられる。各隔壁部材20は、第2の方向Yに隣り合う有機EL素子間に配置される。なお本実施形態ではこの隔壁部材20は、第2の方向Yに等しい間隔をあけて配置される。このように本実施形態ではいわゆるストライプ状の隔壁17が絶縁膜15上に設けられる。
In the present embodiment, a partition wall 17 including a plurality of
有機EL素子22は隔壁17によって画定される区画に設けられる。本実施形態では複数の有機EL素子22は、第2の方向Yに隣り合う隔壁部材20間(すなわち凹部18)に設けられ、各隔壁部材20間において、第1の方向Xに所定の間隔をあけて配置されている。なお各有機EL素子22は物理的に離間している必要はなく、個別に駆動できるように電気的に絶縁されていればよい。そのため有機EL素子を構成する一部の層(電極や機能層)は他の有機EL素子と物理的につながっていてもよい。
The organic EL element 22 is provided in a section defined by the partition wall 17. In the present embodiment, the plurality of organic EL elements 22 are provided between the
有機EL素子22は、第1の電極12、機能層13,14、第2の電極16が支持基板11寄りからこの順に配置されて構成される。本明細書では、第1の電極12を画素電極12と記載し、第2の電極16を上部電極16と記載する。
The organic EL element 22 is configured by arranging the
画素電極12および上部電極16は、陽極と陰極とからなる一対の電極を構成する。すなわち画素電極12および上部電極16のうちの一方が陽極として設けられ、他方が陰極として設けられる。また画素電極12および上部電極16のうちの画素電極12が支持基板11寄りに配置され、上部電極16が、画素電極12よりも支持基板11から離間して配置される。
The
有機EL素子22は1層以上の機能層を備える。なお機能層は本明細書において画素電極12と上部電極16とに挟持される全ての層を意味する。有機EL素子22は機能層として少なくとも1層以上の発光層を備える。また電極間には発光層に限らず、必要に応じて所定の層が設けられる。たとえば陽極と発光層との間には機能層として、正孔注入層、正孔輸送層、および電子ブロック層などが設けられる。また発光層と陰極との間には機能層として、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などが設けられる。
The organic EL element 22 includes one or more functional layers. In this specification, the functional layer means all layers sandwiched between the
本実施形態の有機EL素子22は画素電極12と発光層14との間に、機能層として正孔注入層13を備える。
The organic EL element 22 of this embodiment includes a
以下では実施の一形態として、陽極として機能する画素電極12と、正孔注入層13と、発光層14と、陰極として機能する上部電極16とが、支持基板11寄りからこの順番で積層されて構成される有機EL素子22について説明する。
Hereinafter, as one embodiment, a
本実施形態の発光装置21はアクティブマトリクス型の装置であり、各有機EL素子22を個別に駆動することを可能にするために、画素電極12は有機EL素子22ごとに個別に設けられる。すなわち有機EL素子22の数と同数の画素電極12が支持基板11上に設けられる。たとえば画素電極12は薄膜状であって、平面視で略矩形状に形成される。画素電極12は支持基板11上において、各有機EL素子が設けられる位置に対応して、マトリクス状に設けられる。複数の画素電極12は、第1の方向Xに所定の間隔をあけるとともに、第2の方向Yに所定の間隔をあけて配置される。なお画素電極12は平面視で、第2の方向Yに隣り合う隔壁部材20間に設けられ、各隔壁部材20間において、第1の方向Xに所定の間隔をあけて配置されている。
The
前述したように格子状の絶縁膜15は平面視で画素電極12を除く領域に主に形成され、その一部が画素電極12の周縁を覆って形成される。すなわち絶縁膜15には画素電極12上に開口が形成され、この開口によって画素電極12の表面が絶縁膜15から露出している。
As described above, the lattice-like insulating
正孔注入層13は隔壁部材20に挟まれた領域に第1の方向Xに延在して配置される。すなわち正孔注入層13は、第2の方向Yに隣り合う隔壁部材20によって画定される凹部18に、帯状に形成されており、第1の方向Xに隣り合う有機EL素子22にわたって連続して形成されている。
The
発光層14は隔壁部材20挟まれた領域に第1の方向Xに延在して配置される。すなわち発光層14は、第2の方向Yに隣り合う隔壁部材20によって画定される凹部18に、帯状に形成されており、第1の方向Xに隣り合う有機EL素子にわたって連続して形成されている。帯状の発光層14は帯状の正孔注入層13上に積層される。
The light emitting layer 14 is disposed so as to extend in the first direction X in a region between the
本発明はモノクロ表示装置にも適用できるが、本実施形態では一例としてカラー表示装置について説明する。カラー表示装置の場合、赤色、緑色および青色のいずれか1種の光を放つ3種類の有機EL素子が支持基板11上に設けられる。カラー表示装置はたとえば以下の(I)(II)(III)の行を、この順序で、第2の方向Yに繰り返し配置することにより実現される。
Although the present invention can also be applied to a monochrome display device, in this embodiment, a color display device will be described as an example. In the case of a color display device, three types of organic EL elements that emit any one of red, green, and blue light are provided on the
(I)赤色の光を放つ複数の有機EL素子22Rが第1の方向Xに所定の間隔をあけて配置される行。
(II)緑色の光を放つ複数の有機EL素子22Gが第1の方向Xに所定の間隔をあけて配置される行。
(III)青色の光を放つ複数の有機EL素子22Bが第1の方向Xに所定の間隔をあけて配置される行。
(I) A row in which a plurality of
(II) A row in which a plurality of organic EL elements 22G that emit green light are arranged in the first direction X at a predetermined interval.
(III) A row in which a plurality of organic EL elements 22B emitting blue light are arranged in the first direction X with a predetermined interval.
このように発光色の異なる3種類の有機EL素子を形成する場合、通常は素子の種類ごとに発光色の異なる発光層が設けられる。本実施形態では以下の(i)(ii)(iii)の行を、この順序で、第2の方向Yに繰り返し配置する。 When three types of organic EL elements having different emission colors are formed as described above, a light emitting layer having a different emission color is usually provided for each type of element. In the present embodiment, the following rows (i), (ii), and (iii) are repeatedly arranged in the second direction Y in this order.
(i)赤色の光を放つ発光層14Rが設けられる行。
(ii)緑色の光を放つ発光層14Gが設けられる行。
(iii)青色の光を放つ発光層14Bが設けられる行。
(I) A row provided with a
(Ii) A row in which the light emitting layer 14G emitting green light is provided.
(Iii) A row in which the light emitting layer 14B emitting blue light is provided.
この場合、第1の方向Xに延在する帯状の3種類の発光層14R,14G,14Bが、それぞれ第2の方向Yに2行の間隔をあけて順次正孔注入層13上に積層される。
In this case, three types of strip-shaped
上部電極16は発光層14上に設けられる。なお本実施形態では上部電極16は複数の有機EL素子22にまたがって連続して形成され、複数の有機EL素子に共通の電極として設けられる。上部電極16は、発光層14上だけでなく、隔壁17上にも形成され、発光層14上の電極と隔壁17上の電極とが連なるように一面に形成されている。
The
図3は、発光装置21の断面について、絶縁膜や機能層等の形状を誇張して示す図である。図3では、理解の容易のために、画素電極12、上部電極16の図示を省略している。
FIG. 3 is a diagram illustrating exaggerated shapes of an insulating film, a functional layer, and the like in the cross section of the
本実施形態では、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を、基準の開口として仮想的に設定すると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なる。 In the present embodiment, when an opening having a specific area provided in the center of the partition wall member adjacent in the second direction is virtually set as a reference opening, each of the openings has its second The center of the direction is shifted in the second direction with respect to the reference opening and / or the area thereof is different with respect to the reference opening.
上述したように、本実施形態では、隔壁部材20の第2の方向Yの間隔pは等間隔であるが、絶縁膜15に形成される複数の開口の面積及び/又はその位置が各有機EL素子ごとに異なる。
As described above, in the present embodiment, the interval p in the second direction Y of the
本実施形態では基準の開口を仮想的に設定する。この基準の開口の平面視における面積をSoとする。さらにこの基準の開口は、その第2の方向Yの中心が、当該開口に臨む一対の隔壁部材20の第2の方向Yの中心に一致するようにその位置が設定される。この仮想的に設定される基準の開口は、たとえば通常の表示装置の設計において設定される開口に相当する。
In the present embodiment, the reference opening is virtually set. Let So be the area of this reference opening in plan view. Further, the position of the reference opening is set so that the center in the second direction Y coincides with the center in the second direction Y of the pair of
以下では、複数の開口のうちで任意に着目する特定の開口の面積をSと記載し、基準の面積と特定の開口の面積との差分「So−S」をΔSと記載する。特定の開口の面積Sが基準の開口の面積Soよりも大きい場合には、ΔSは正の値をとり、逆に特定の開口の面積Sが基準の開口の面積Soよりも小さい場合には、ΔSは負の値をとる。 Hereinafter, the area of a specific opening that is arbitrarily focused on among the plurality of openings is described as S, and the difference “So−S” between the reference area and the area of the specific opening is described as ΔS. When the area S of the specific opening is larger than the area So of the reference opening, ΔS takes a positive value. Conversely, when the area S of the specific opening is smaller than the area So of the reference opening, ΔS takes a negative value.
また相対する隔壁部材20間の第2の方向Yの中心位置をOとすると、この中心位置Oは、基準の開口の第2の方向Yの中心位置に相当する。中心位置Oを基準としたときに、特定の開口の第2の方向の中心位置Lの第2の方向のずれをΔLと記載する。中心位置Oに対して、中心位置Lが第2の方向Yの一方にずれている場合は、ΔLは正の値をとり、逆に中心位置Oに対して、中心位置Lが第2の方向Yの他方にずれている場合は、ΔLは負の値をとる。
If the center position in the second direction Y between the opposing
本実施形態では、各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される。すなわち本実施形態では、ΔS及び/又はΔLが、各開口ごとに無作為に設定される。 In the present embodiment, the degree of displacement of each opening in the second direction and the degree of area difference are set randomly. That is, in this embodiment, ΔS and / or ΔL is set randomly for each opening.
たとえば0から1までの乱数を発生させたときに、その値を「ran」とすると、各開口の面積Sは次式のように設定される。 For example, when a random number from 0 to 1 is generated and the value is “ran”, the area S of each opening is set as follows.
S=So+(ran−0.5)×A×So
ここで記号「A」は、0.02〜0.2であり、0.03〜0.07が好ましい。
S = So + (ran−0.5) × A × So
Here, the symbol “A” is 0.02 to 0.2, and preferably 0.03 to 0.07.
またΔLは、第2の方向Yに等間隔をあけて設けられる隔壁部材20のピッチをpとすると、次式のようにあらわされる。
ΔL is expressed by the following equation, where p is the pitch of the
ΔL=(ran−0.5)×B×p
ここで記号「B」は、0.02〜0.2であり、0.03〜0.07が好ましい。
ΔL = (ran−0.5) × B × p
Here, the symbol “B” is 0.02 to 0.2, preferably 0.03 to 0.07.
なお乱数は、たとえばMersenne Twister法に基づいて発生させることができる。 The random number can be generated based on, for example, the Mersenne Twister method.
開口の面積および開口の位置は、開口の第2の方向Yの中心位置における機能層の膜厚に影響を与える。たとえば開口の面積が大きくなると、機能層の膜厚は薄くなり、逆に開口の面積が小さくなると、機能層の膜厚が厚くなる。また開口の第2の方向Yの中心位置Lを、中心位置Oからずらすと、開口の第2の方向Yの中心位置Lにおける機能層の膜厚が変化する。 The area of the opening and the position of the opening affect the film thickness of the functional layer at the center position in the second direction Y of the opening. For example, when the area of the opening is increased, the thickness of the functional layer is decreased. Conversely, when the area of the opening is decreased, the thickness of the functional layer is increased. When the center position L in the second direction Y of the opening is shifted from the center position O, the film thickness of the functional layer at the center position L in the second direction Y of the opening changes.
したがってΔL、ΔSを無作為に設定すると、開口の第2の方向Yの中心位置における機能層の膜厚が、無作為に変動する。すなわち有機EL素子ごとに、機能層の膜厚が無作為に変動することになる。背景技術で説明したように、複数本のノズルを備えるノズルプリンティング装置を用いてインキを塗布した場合には、形成した薄膜の膜厚に周期性が見られるが、これに対して、本実施形態のようにΔS、ΔLを無作為に設定した場合には、各有機EL素子ごとに、機能層の膜厚に無作為な変動を与えることができるため、機能層の膜厚の周期性を緩和することができる。 Therefore, when ΔL and ΔS are set randomly, the film thickness of the functional layer at the center position in the second direction Y of the opening randomly varies. That is, the thickness of the functional layer varies randomly for each organic EL element. As described in the background art, when ink is applied using a nozzle printing apparatus having a plurality of nozzles, periodicity is seen in the thickness of the formed thin film. When ΔS and ΔL are set at random as shown in Fig. 6, the functional layer thickness can be changed randomly for each organic EL element, thus reducing the periodicity of the functional layer thickness. can do.
図4は、ΔS、ΔLを無作為に設定したときの、開口の中心における機能層の膜厚の計算結果をグラフ化したものである。また図5はΔS、ΔLを零としたときの、開口の中心における機能層の膜厚のイメージをグラフ化したものである。
図5では、ノズルの本数(8本)を周期として膜厚に周期性が顕著にあらわれているが、ΔS、ΔLを無作為に設定することにより、膜厚の周期性が緩和されることが理解される。
FIG. 4 is a graph showing the calculation result of the film thickness of the functional layer at the center of the opening when ΔS and ΔL are set randomly. FIG. 5 is a graph of an image of the thickness of the functional layer at the center of the opening when ΔS and ΔL are zero.
In FIG. 5, the periodicity appears in the film thickness with the number of nozzles (8 nozzles) as a period. However, by setting ΔS and ΔL at random, the periodicity of the film thickness can be relaxed. Understood.
スジムラにおいても、とくにそれが周期的なものであればより人間の目に知覚され易くなるが、上述のように周期性を緩和することにより、スジムラとして視認される程度を小さくすることができ、表示装置としての表示品位を向上することができる。 Even in the uneven stripe, it becomes easier for the human eye to perceive it, especially if it is periodic, but by reducing the periodicity as described above, the extent that it is visually recognized as uneven stripes can be reduced, The display quality as a display device can be improved.
<発光装置の製造方法>
つぎに発光装置の製造方法について説明する。
<Method for manufacturing light emitting device>
Next, a method for manufacturing the light emitting device will be described.
本発明の発光装置の製造方法は、支持基板と、当該支持基板上において、第1の方向および当該第1の方向と交差する第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、前記絶縁膜上において前記第2の方向に隣り合う有機EL素子間に配置され、前記第2の方向に等しい間隔をあけて、第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置の製造方法であって、複数の有機EL素子の画素電極と、当該画素電極が前記開口から露出するように配置された前記絶縁膜とが設けられた支持基板を用意する工程と、前記絶縁膜上に、複数本の隔壁部材を形成し隔壁を設ける工程と、前記隔壁部材間にノズルプリンティング法により所定のインキを供給し、これを固化することにより、有機EL素子の所定の機能層を形成する工程と、前記機能層上に上部電極を形成する工程とを有し、前記支持基板を用意する工程では、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を基準の開口とすると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、前記各開口の前記第2の方向のずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定された絶縁膜が設けられた支持基板を用意する、表示装置の製造方法に関する。 The method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention is arranged in a matrix at predetermined intervals in a first direction and a second direction intersecting the first direction on the support substrate and the support substrate. A plurality of organic EL elements, and an insulating film provided on the support substrate, wherein openings are formed at positions corresponding to the plurality of organic EL elements, and the organic EL elements are individually defined by the openings; A partition wall, which is disposed between organic EL elements adjacent in the second direction on the insulating film and includes a plurality of partition wall members extending in the first direction at an equal interval in the second direction. A method of manufacturing a display device comprising: preparing a support substrate provided with a pixel electrode of a plurality of organic EL elements and the insulating film arranged so that the pixel electrode is exposed from the opening; On the insulating film Forming a plurality of partition members and providing partition walls; supplying a predetermined ink by a nozzle printing method between the partition members and solidifying the ink; thereby forming a predetermined functional layer of the organic EL element; Forming an upper electrode on the functional layer, and in the step of preparing the support substrate, an opening provided in the center of the partition wall member adjacent in the second direction and having a specific area is used as a reference. Each opening has its center in the second direction shifted in the second direction with respect to the reference opening, and / or its area is relative to the reference opening. In contrast, the degree of displacement of the respective openings in the second direction and the degree of difference in area relate to a method of manufacturing a display device, in which a support substrate provided with a randomly set insulating film is prepared.
(支持基板を用意する工程)
本工程では複数の有機EL素子の画素電極12と、当該画素電極12が前記開口から露出するように配置された前記絶縁膜15とがその上に設けられた支持基板11を用意する。アクティブマトリクス型の表示装置の場合、複数の有機EL素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を、支持基板11として用いることができる。たとえばTFT(Thin Film Transistor)およびキャパシタなどが予め形成された基板を支持基板として用いることができる。なお画素電極12および絶縁膜15を以下のように本工程で形成することによって、画素電極12および絶縁膜15がその上に設けられた支持基板11を用意してもよいが、画素電極12および絶縁膜15が予めその上に設けられた支持基板11を市場から入手することにより支持基板11を用意してもよい。
(Process for preparing support substrate)
In this step, a
まず支持基板11上に複数の画素電極12をマトリクス状に形成する。画素電極12は、たとえば支持基板11上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法によってマトリクス状にパターニングすることによって形成される。またたとえば所定の部位に開口が形成されたマスクを支持基板11上に配置し、このマスクを介して支持基板11上の所定の部位に導電性材料を選択的に堆積することにより画素電極12をパターン形成してもよい。画素電極12の材料については後述する。
First, a plurality of
前述したように絶縁膜15の開口はその面積及び/又は位置がΔS、ΔLだけ変動するが、画素電極12は、当該画素電極12の周縁が絶縁膜に覆われるように、絶縁膜15の開口の大きさおよび位置に対応させて形成される。
As described above, the area and / or position of the opening of the insulating
つぎに格子状の絶縁膜15を支持基板11上に形成する。本工程では、前記第2の方向Yに隣り合う隔壁部材20の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を基準の開口とすると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向Yの中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、前記各開口の前記第2の方向のずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定された絶縁膜を形成する。すなわち上述したΔS及び/又はΔLが、各開口ごとに無作為に設定された絶縁膜15を形成する。
Next, a lattice-like insulating
絶縁膜15は有機物または無機物によって構成される。絶縁膜15を構成する有機物としてはアクリル樹脂、フェノール樹脂、およびポリイミド樹脂などの樹脂を挙げることができる。また絶縁膜15を構成する無機物としてはSiOxやSiNxなどを挙げることができる。
The insulating
無機物からなる絶縁膜15を形成する場合、たとえば無機物からなる薄膜をプラズマCVD法やスパッタ法などによって一面に形成し、つぎに所定の部位を除去することにより格子状の絶縁膜15を形成する。所定の部位の除去はたとえばフォトリソグラフィ法によって行われる。
In the case of forming the insulating
有機物からなる絶縁膜15を形成する場合、まずたとえばポジ型またはネガ型の感光性樹脂を一面に塗布し、所定の部位を露光、現像する。さらにこれを硬化することによって、格子状の絶縁膜15が形成される。なお感光性樹脂としてはフォトレジストを用いることができる。
When forming the insulating
つぎに隔壁17を形成する。すなわち前記絶縁膜15上に、複数本の隔壁部材20を形成し隔壁17を設ける。本工程では、第2の方向Yに等しい間隔をあけて前記隔壁部材20を形成し、当該複数の隔壁部材20からなる隔壁17を形成する。
Next, the partition wall 17 is formed. That is, a plurality of
隔壁17はたとえば絶縁膜15の材料として例示した材料を用いて、絶縁膜15を形成する方法と同様にしてストライプ状に形成することができる。
The partition wall 17 can be formed in a stripe shape in the same manner as the method of forming the insulating
なお隔壁17は有機物によって構成することが好ましい。隔壁17で囲まれた凹部18に供給されるインキを凹部18内で保持するためには、隔壁は撥液性を示すことが好ましい。一般に無機物よりも有機物の方がインキに対して撥液性を示すので、有機物によって隔壁を構成することにより、凹部18内にインキを保持する能力を高めることができる。 The partition wall 17 is preferably made of an organic material. In order to retain the ink supplied to the recess 18 surrounded by the partition wall 17 in the recess 18, the partition wall preferably exhibits liquid repellency. In general, an organic material has a liquid repellency with respect to ink rather than an inorganic material. Therefore, by forming a partition wall with an organic material, the ability to retain ink in the recess 18 can be enhanced.
隔壁17の形状、並びにその配置は、画素数および解像度などの表示装置の仕様や製造の容易さなどに応じて適宜設定される。たとえば隔壁部材20の第2の方向Yの幅L1は、5μm〜50μm程度であり、隔壁部材20の高さL2は0.5μm〜5μm程度であり、凹部18の第2の方向Yの幅L3は、10μm〜200μm程度である。また画素電極12の第1の方向Xおよび第2の方向Yの幅はそれぞれ10μm〜400μm程度である。
The shape and arrangement of the partition walls 17 are appropriately set according to the specifications of the display device such as the number of pixels and the resolution, the ease of manufacturing, and the like. For example, the width L1 of the
(機能層を形成する工程)
本工程では、前記隔壁部材間にノズルプリンティング法により所定のインキを供給し、これを固化することにより、有機EL素子の所定の機能層を形成する。なお所定のインキとは機能層(本実施形態では正孔注入層および発光層)となる材料を含むインキを意味する。なお本工程では機能層が複数層設けられる場合、少なくとも1層をノズルプリンティング法によって形成する。
(Process for forming functional layer)
In this step, a predetermined functional layer of the organic EL element is formed by supplying a predetermined ink between the partition members by a nozzle printing method and solidifying the ink. The predetermined ink means an ink containing a material that becomes a functional layer (in this embodiment, a hole injection layer and a light emitting layer). In this step, when a plurality of functional layers are provided, at least one layer is formed by a nozzle printing method.
本実施形態では全ての有機EL素子に共通する正孔注入層13を形成する。本実施形態では正孔注入層用インキを選択的に供給することが可能な塗布法として、ノズルプリンティング法によって正孔注入層用インキを供給する。
In this embodiment, the
以下、図6を参照して本工程を説明する。図6はノズルプリンティング法でインキを塗布するときの動作を模式的に示す図である。なお本図6は、課題の項において引用した図と同じものではあるが、本実施形態の表示装置と、課題の項において説明した従来の表示装置とは、開口の大きさ及び/又は配置が異なる。 Hereinafter, this process will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram schematically showing an operation when ink is applied by the nozzle printing method. Note that FIG. 6 is the same as the drawing cited in the problem section, but the display device of the present embodiment and the conventional display device described in the problem section have the size and / or arrangement of the openings. Different.
ノズルプリンティング法では一筆書きで各行(各凹部18)に正孔注入層用インキを供給する。すなわち支持基板11の上方に配置されるノズルから液柱状の正孔注入層用インキを吐出したまま、ノズル2を第1の方向Xに往復移動させつつ、ノズル2の往復移動の折り返しの際に、支持基板を第2の方向Yに所定の距離だけ移動させることによって、各行に正孔注入層用インキを供給する。たとえばノズル2の往復移動の折り返しの際に、ノズルの本数分の行だけ支持基板を第2の方向Yに移動することによって、全ての行に正孔注入層用インキを供給することができる。なお支持基板を第2の方向Yに移動するのではなく、ノズル2を第2の方向Yに移動してもよい。
In the nozzle printing method, the ink for the hole injection layer is supplied to each row (each concave portion 18) by one stroke. That is, when the nozzle 2 is reciprocated in the first direction X while the liquid columnar hole injection layer ink is discharged from the nozzle disposed above the
より具体的にはノズル2から液柱状の正孔注入層用インキを吐出したまま、以下の(1)〜(4)の工程をこの順序で繰り返すことにより、全ての隔壁部材20間(凹部18)に正孔注入層用インキを供給することができる。
(1)ノズル2を第1の方向Xの一端から他端に移動する工程。
(2)ノズルの本数分の行だけ支持基板11を第2の方向Yの一方に移動する工程。
(3)ノズル2を第1の方向Xの他端から一端に移動する工程。
(4)ノズルの本数分の行だけ支持基板を第2の方向Yの一方に移動する工程。
More specifically, the following steps (1) to (4) are repeated in this order while the liquid columnar hole injection layer ink is ejected from the nozzle 2, so that all the partition wall members 20 (recesses 18 are formed). ) Can be supplied with an ink for a hole injection layer.
(1) A step of moving the nozzle 2 from one end to the other end in the first direction X.
(2) A step of moving the
(3) A step of moving the nozzle 2 from the other end in the first direction X to one end.
(4) A step of moving the support substrate in one of the second directions Y by the number of rows corresponding to the number of nozzles.
以上のようにノズルプリンティング法によって正孔注入層用インキを供給することにより、正孔注入層用インキからなる薄膜が形成される。 As described above, by supplying the hole injection layer ink by the nozzle printing method, a thin film made of the hole injection layer ink is formed.
前述したように、本実施形態では、前記各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される。このような開口を設けることにより、ノズルプリンティング法でインキを塗布したとしても、図4に示すように、各隔壁部材20間に形成される機能層の膜厚の周期性が緩和される。
As described above, in the present embodiment, the degree to which each opening is displaced in the second direction and the degree to which the area is different are set at random. By providing such an opening, even if ink is applied by the nozzle printing method, the periodicity of the film thickness of the functional layer formed between the
(発光層を形成する工程)
つぎに発光層を形成する。前述したようにカラー表示装置を作製する場合、3種類の有機EL素子を作製する必要がある。そのため発光層の材料を行ごとに塗りわける必要がある。たとえば3種類の発光層を行ごとに形成する場合、赤色の光を放つ材料を含む赤インキ、緑色の光を放つ材料を含む緑インキ、青色の光を放つ材料を含む青インキを、それぞれ第2の方向Yに2行の間隔をあけて塗布する必要がある。これら赤インキ、緑インキ、青インキを所定の行に順次塗布することによって、各発光層を塗布成膜することができる。
(Step of forming the light emitting layer)
Next, a light emitting layer is formed. As described above, when producing a color display device, it is necessary to produce three types of organic EL elements. Therefore, it is necessary to coat the material of the light emitting layer for each row. For example, when three types of light emitting layers are formed for each row, red ink containing a material that emits red light, green ink containing a material that emits green light, and blue ink containing a material that emits blue light, respectively. It is necessary to apply in the direction Y of 2 with an interval of 2 rows. By sequentially applying the red ink, the green ink, and the blue ink to predetermined rows, each light emitting layer can be coated and formed.
赤インキ、緑インキ、青インキを所定の行に順次塗布する方法としては、隔壁部材間にインキを選択的に供給することが可能な塗布法であればどのような方法でもよい。たとえばインクジェットプリント法、ノズルプリンティング法、凸版印刷法、凹版印刷法などによってインキを供給することができる。インキの供給方法としては、短時間で均一にインキを供給可能な方法が好ましく、このような観点からはノズルプリンティング法が好ましい。本実施形態では前述した正孔注入層を形成する方法と同様に、ノズルプリンティング法によってインキを供給する。 As a method for sequentially applying the red ink, the green ink, and the blue ink to a predetermined line, any method may be used as long as the ink can be selectively supplied between the partition members. For example, the ink can be supplied by an inkjet printing method, a nozzle printing method, a relief printing method, an intaglio printing method, or the like. As a method for supplying ink, a method capable of supplying ink uniformly in a short time is preferable, and from this viewpoint, a nozzle printing method is preferable. In the present embodiment, ink is supplied by a nozzle printing method as in the method for forming the hole injection layer described above.
より具体的にはノズル2から液柱状の赤インキを吐出したまま、以下の(1)〜(4)の工程をこの順序で繰り返すことにより、第2の方向Yに2行の間隔をあけて隔壁部材20間(凹部18)に赤インキを供給することができる。
(1)ノズル2を第1の方向Xの一端から他端に移動する工程。
(2)ノズルの本数分×3行分だけ支持基板11を第2の方向Yの一方に移動する工程。
(3)ノズル2を第1の方向Xの他端から一端に移動する工程。
(4)ノズルの本数分×3行分だけ支持基板11を第2の方向Yの一方に移動する工程。
More specifically, the following steps (1) to (4) are repeated in this order while the liquid columnar red ink is discharged from the nozzle 2, so that two rows are spaced in the second direction Y. Red ink can be supplied between the partition members 20 (recesses 18).
(1) A step of moving the nozzle 2 from one end to the other end in the first direction X.
(2) A step of moving the
(3) A step of moving the nozzle 2 from the other end in the first direction X to one end.
(4) A step of moving the
上述の赤インキと同様にして緑インキ、青インキをそれぞれ供給することによって、第2の方向Yに2行の間隔をあけて隔壁部材20間(凹部18)にそれぞれ緑インキ、青インキを供給することができる。 By supplying green ink and blue ink respectively in the same manner as the above-mentioned red ink, green ink and blue ink are supplied between the partition members 20 (recesses 18) with an interval of two lines in the second direction Y, respectively. can do.
赤インキ、緑インキ、青インキに使用される発光材料については後述する。なお各インキは、エネルギーを加えることによって重合可能な重合性化合物を含んでいてもよい。インキとしては、エネルギーを加えることによって重合可能な重合性基を有する発光材料を重合性化合物として含む赤インキ、緑インキ、青インキを使用してもよく、また、自身は重合しない発光材料と、この発光材料に加えて、重合可能な重合性基を有する重合性化合物とを含む赤インキ、緑インキ、青インキを使用してもよい。 Luminescent materials used for red ink, green ink, and blue ink will be described later. Each ink may contain a polymerizable compound that can be polymerized by applying energy. As the ink, red ink, green ink, and blue ink containing a light-emitting material having a polymerizable group that can be polymerized by applying energy as a polymerizable compound may be used. In addition to the light emitting material, a red ink, a green ink, and a blue ink containing a polymerizable compound having a polymerizable polymerizable group may be used.
重合性基としては、ビニル基、エチニル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイル基、メタクリロイルアミノ基、ビニルオキシ基、ビニルアミノ基、シラノール基、シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタニル基、ジケテニル基、エピチオ基、ラクトニル基、及びラクタムニル基などがあげられる。 Polymerizable groups include vinyl, ethynyl, butenyl, acryloyl, acryloylamino, methacryloyl, methacryloylamino, vinyloxy, vinylamino, silanol, cyclopropyl, cyclobutyl, epoxy, oxetanyl Group, diketenyl group, epithio group, lactonyl group, lactamnyl group and the like.
また重合性化合物としては、重合性基を有するPDA(N, N'-テトラフェニル-1,4-フェニレンジアミン)の誘導体、重合性基を有するTPD(N, N'-ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ビス(フェニル)-ベンジジン)の誘導体、重合性基を有するNPD(N, N'-ビス(ナフタレン-1-イル)-N,N'-ビス(フェニル)-ベンジジン)の誘導体、トリフェニルアミンアクリレート、トリフェニレンジアミンアクリレート、フェニレンアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート(大阪ガスケミカル社製、商品名BPEF-A)、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬製KAYARD DPHA)、トリスペンタエリスリトールオクタアクリレート(広栄化学製)1,4−ブタンジオールジアクリレート(Alfa Aesar社製)、アロンオキセタン(OXT121;東亞合成製架橋剤)などをあげることができ、これらの中でもフェニルフルオレンアクリレートが好ましい。 Polymerizable compounds include PDA (N, N'-tetraphenyl-1,4-phenylenediamine) derivatives having a polymerizable group and TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) having a polymerizable group. ) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine) derivatives, NPD with polymerizable groups (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine) Derivatives, triphenylamine acrylate, triphenylenediamine acrylate, phenylene acrylate, bisphenoxyethanol full orange acrylate (trade name BPEF-A, manufactured by Osaka Gas Chemical Company), dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARD DPHA, manufactured by Nippon Kayaku), trispenta Erythritol octaacrylate (manufactured by Guangei Chemical) 1,4-butanediol diacrylate (manufactured by Alfa Aesar), Aron oxetane (OXT121; cross-linking agent manufactured by Toagosei Co., Ltd.), etc. You can gel, phenyl fluorene acrylate is preferable among these.
前述したように、本実施形態では、前記各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される。このような開口を設けることにより、ノズルプリンティング法でインキを塗布したとしても、図4に示すように、各隔壁部材20間に形成される薄膜の膜厚の周期性が緩和される。
As described above, in the present embodiment, the degree to which each opening is displaced in the second direction and the degree to which the area is different are set at random. By providing such an opening, even if ink is applied by the nozzle printing method, the periodicity of the thickness of the thin film formed between the
発光層を形成した後、必要に応じて所定の有機層や無機層などを所定の方法によって形成する。これらは印刷法、インクジェット法、ノズルプリンティング法などの所定の塗布法、さらには所定の乾式法を用いて形成してもよい。 After forming the light emitting layer, a predetermined organic layer, an inorganic layer, or the like is formed by a predetermined method as necessary. These may be formed using a predetermined coating method such as a printing method, an ink jet method, a nozzle printing method, or a predetermined dry method.
(上部電極を形成する工程)
つぎに上部電極を形成する。前述したように本実施形態では上部電極を支持基板上の全面に形成する。これによって複数の有機EL素子を基板上に形成することができる。
(Process of forming the upper electrode)
Next, an upper electrode is formed. As described above, in this embodiment, the upper electrode is formed on the entire surface of the support substrate. Thereby, a plurality of organic EL elements can be formed on the substrate.
以上説明したように、本実施形態では、前記各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される。このような開口を設けることにより、ノズルプリンティング法でインキを塗布したとしても、図4に示すように、各隔壁部材20間に形成される正孔注入層および発光層の膜厚の周期性が緩和される。
As described above, in the present embodiment, the degree to which each opening is displaced in the second direction and the degree to which the areas are different are set at random. By providing such an opening, even if ink is applied by the nozzle printing method, the periodicity of the film thickness of the hole injection layer and the light emitting layer formed between the
スジムラにおいてもそれが周期的なものであればより人間の目に知覚され易くなるが、上述のように周期性を緩和することにより、スジムラとして視認される程度を小さくすることができ、表示装置としての表示品位を向上することができる。 Even if it is periodic, it will be more easily perceived by the human eye if it is periodic. However, by reducing the periodicity as described above, the degree of visible irregularity can be reduced, and the display device As a result, display quality can be improved.
<有機EL素子の構成>
前述したように有機EL素子は種々の層構成をとりうるが、以下では有機EL素子の層構造、各層の構成、および各層の形成方法についてさらに詳しく説明する。
<Configuration of organic EL element>
As described above, the organic EL element can have various layer configurations. Hereinafter, the layer structure of the organic EL element, the configuration of each layer, and the method of forming each layer will be described in more detail.
前述したように有機EL素子は、陽極および陰極からなる一対の電極(画素電極および上部電極)と、該電極間に設けられる1または複数の機能層とを含んで構成され、1または複数の機能層として少なくとも1層の発光層を有する。なお有機EL素子は、無機物と有機物とを含む層、および無機層などを含んでいてもよい。有機層を構成する有機物としては、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、また低分子化合物と高分子化合物との混合物でもよい。有機層は、高分子化合物を含むことが好ましく、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜108である高分子化合物を含むことが好ましい。 As described above, the organic EL element includes a pair of electrodes (pixel electrode and upper electrode) composed of an anode and a cathode, and one or more functional layers provided between the electrodes. As a layer, at least one light emitting layer is provided. The organic EL element may include a layer containing an inorganic substance and an organic substance, an inorganic layer, and the like. The organic substance constituting the organic layer may be a low molecular compound or a high molecular compound, or a mixture of a low molecular compound and a high molecular compound. The organic layer preferably contains a polymer compound, and preferably contains a polymer compound having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 .
陰極と発光層との間に設けられる機能層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に近い層を電子注入層といい、発光層に近い層を電子輸送層という。陽極と発光層との間に設けられる機能層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に近い層を正孔注入層といい、発光層に近い層を正孔輸送層という。 Examples of the functional layer provided between the cathode and the light emitting layer include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the cathode and the light emitting layer, the layer close to the cathode is called an electron injection layer, and the layer close to the light emitting layer is called an electron transport layer. Examples of the functional layer provided between the anode and the light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer. When both the hole injection layer and the hole transport layer are provided, a layer close to the anode is referred to as a hole injection layer, and a layer close to the light emitting layer is referred to as a hole transport layer.
本実施の形態の有機EL素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
o)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
An example of a layer structure that can be taken by the organic EL element of the present embodiment is shown below.
a) anode / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode d) anode / hole injection layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode e) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode f) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode g) anode / hole transport layer / light emitting layer / Electron injection layer / cathode h) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole Injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode k) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode l) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode m) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode n) anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode o) anode / Photo layer / electron transport layer / cathode p) anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are stacked adjacent to each other) The same shall apply hereinafter.)
本実施の形態の有機EL素子は2層以上の発光層を有していてもよい。上記a)〜p)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位A」とすると、2層の発光層を有する有機EL素子の構成として、下記q)に示す層構成を挙げることができる。なお2つある(構造単位A)の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
q)陽極/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極
また「(構造単位A)/電荷発生層」を「構造単位B」とすると、3層以上の発光層を有する有機EL素子の構成として、下記r)に示す層構成を挙げることができる。
r)陽極/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極
なお記号「x」は、2以上の整数を表し、(構造単位B)xは、構造単位Bがx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
The organic EL element of the present embodiment may have two or more light emitting layers. In any one of the layer configurations of a) to p) above, when the laminate sandwiched between the anode and the cathode is referred to as “structural unit A”, the configuration of the organic EL element having two light emitting layers is obtained. And the layer structure shown in the following q). Note that the two (structural unit A) layer structures may be the same or different.
q) Anode / (structural unit A) / charge generating layer / (structural unit A) / cathode If “(structural unit A) / charge generating layer” is “structural unit B”, it has three or more light emitting layers. Examples of the structure of the organic EL element include the layer structure shown in the following r).
r) anode / (structural unit B) x / (structural unit A) / cathode The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and (structural unit B) x is a stack in which the structural unit B is stacked in x stages. Represents the body. A plurality of (structural units B) may have the same or different layer structure.
ここで、電荷発生層とは電界を印加することにより正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、たとえば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。 Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), molybdenum oxide, or the like.
有機EL素子は、陽極および陰極から構成される一対の電極のうちの陽極を陰極よりも支持基板寄りに配置して、支持基板に設けてもよく、また陰極を陽極よりも支持基板寄りに配置して、支持基板に設けてもよい。たとえば上記a)〜r)において、右側から順に各層を支持基板上に積層して有機EL素子を構成してもよく、また左側から順に各層を支持基板上に積層して有機EL素子を構成してもよい。積層する層の順序、層数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設定することができる。 In the organic EL element, the anode of the pair of electrodes composed of the anode and the cathode may be disposed closer to the support substrate than the cathode, and the cathode may be disposed closer to the support substrate than the anode. And you may provide in a support substrate. For example, in the above a) to r), each layer may be laminated on the support substrate in order from the right side to constitute an organic EL element, or each layer may be laminated on the support substrate in order from the left side to constitute an organic EL element. May be. The order of the layers to be laminated, the number of layers, and the thickness of each layer can be appropriately set in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.
次に、有機EL素子を構成する各層の材料および形成方法についてより具体的に説明する。 Next, the material and forming method of each layer constituting the organic EL element will be described more specifically.
<陽極>
発光層から放たれる光が陽極を通って素子外に出射する構成の有機EL素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。
<Anode>
In the case of an organic EL element having a configuration in which light emitted from the light emitting layer is emitted outside the element through the anode, an electrode exhibiting optical transparency is used for the anode. As the electrode exhibiting light transmittance, a thin film of metal oxide, metal sulfide, metal or the like can be used, and an electrode having high electrical conductivity and light transmittance is preferably used. Specifically, a thin film made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper, or the like is used. Among these, ITO, IZO Or a thin film made of tin oxide is preferably used.
陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。 Examples of a method for producing the anode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. Further, as the anode, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used.
陽極の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The film thickness of the anode is appropriately set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.
<陰極>
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機EL素子では、発光層から放たれる光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の13族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。
<Cathode>
A material for the cathode is preferably a material having a low work function, easy electron injection into the light emitting layer, and high electrical conductivity. Further, in the organic EL element configured to extract light from the anode side, a material having a high reflectivity with respect to visible light is preferable as the cathode material in order to reflect light emitted from the light emitting layer to the anode side by the cathode. As the cathode, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a
陰極の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The film thickness of the cathode is appropriately set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。 Examples of the method for producing the cathode include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.
<正孔注入層>
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
<Hole injection layer>
The hole injection material constituting the hole injection layer includes oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamine compounds, starburst amine compounds, phthalocyanine compounds, amorphous carbon , Polyaniline, and polythiophene derivatives.
正孔注入層の膜厚は、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the hole injection layer is appropriately set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm. is there.
<正孔輸送層>
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。
<Hole transport layer>
As the hole transport material constituting the hole transport layer, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, Triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivative thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or Examples thereof include derivatives thereof.
正孔輸送層の膜厚は、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して設定され、たとえば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the hole transport layer is set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm. .
<発光層>
発光層は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば103〜108程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
<Light emitting layer>
The light emitting layer is usually formed of an organic substance that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or an organic substance and a dopant that assists the organic substance. The dopant is added, for example, in order to improve the luminous efficiency and change the emission wavelength. In addition, the organic substance which comprises a light emitting layer may be a low molecular compound or a high molecular compound, and when forming a light emitting layer by the apply | coating method, it is preferable that a light emitting layer contains a high molecular compound. The number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound constituting the light emitting layer is, for example, about 10 3 to 10 8 . Examples of the light emitting material constituting the light emitting layer include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and dopant materials.
(色素系材料)
色素系材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
(Dye material)
Examples of dye-based materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and the like.
(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、たとえばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of the metal complex material include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Ir, Pt, etc. as a central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline. Examples include metal complexes having a structure as a ligand, such as iridium complexes, platinum complexes, etc., metal complexes having light emission from a triplet excited state, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc A complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethylzinc complex, a porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, and the like can be given.
(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
(Polymer material)
As polymer materials, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole derivatives, the above dye materials and metal complex light emitting materials are polymerized. The thing etc. can be mentioned.
発光層の厚さは、通常約2nm〜200nmである。 The thickness of the light emitting layer is usually about 2 nm to 200 nm.
<電子輸送層>
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
<Electron transport layer>
As the electron transport material constituting the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthra Quinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, etc. Can be mentioned.
電子輸送層の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the electron transport layer is appropriately set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm. .
<電子注入層>
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、たとえばLiF/Caなどを挙げることができる。
<Electron injection layer>
As a material constituting the electron injection layer, an optimal material is appropriately selected according to the type of the light emitting layer, and an alloy containing one or more of alkali metals, alkaline earth metals, alkali metals and alkaline earth metals, Alkali metal or alkaline earth metal oxides, halides, carbonates, mixtures of these substances, and the like can be given. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Examples thereof include barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. An electron injection layer may be comprised by the laminated body which laminated | stacked two or more layers, for example, LiF / Ca etc. can be mentioned.
電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。 The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.
機能層のうちで塗布法によって形成することが可能な機能層が複数ある場合には、全ての機能層を塗布法を用いて形成することが好ましいが、たとえば塗布法によって形成することが可能な複数の機能層のうちの少なくとも1層を塗布法を用いて形成し、他の機能層を塗布法とは異なる方法によって形成してもよい。また複数の機能層を塗布法で形成する場合であっても、その塗布法の具体的方法が異なる塗布法によって複数の機能層を形成してもよい。たとえば本実施形態では正孔注入層および発光層をノズルプリンティング法によって形成したが、正孔注入層をスピンコート法で形成し、発光層をノズルプリンティング法によって形成してもよい。 In the case where there are a plurality of functional layers that can be formed by a coating method among the functional layers, it is preferable to form all the functional layers by using the coating method. At least one of the plurality of functional layers may be formed by a coating method, and the other functional layers may be formed by a method different from the coating method. Further, even when a plurality of functional layers are formed by a coating method, the plurality of functional layers may be formed by a coating method in which a specific method of the coating method is different. For example, in this embodiment, the hole injection layer and the light emitting layer are formed by a nozzle printing method, but the hole injection layer may be formed by a spin coating method and the light emitting layer may be formed by a nozzle printing method.
なお塗布法では、各機能層となる有機EL材料を含むインキを塗布成膜することによって機能層を形成するが、その際に使用されるインキの溶媒には、たとえばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水などが用いられる。 In the coating method, the functional layer is formed by coating and forming an ink containing an organic EL material to be each functional layer. Examples of the ink solvent used at that time include chloroform, methylene chloride, dichloroethane, and the like. Chlorine solvents, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate, and Water or the like is used.
また塗布法とは異なる方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、ラミネート法などによって機能層を形成してもよい。 Further, as a method different from the coating method, the functional layer may be formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, a lamination method, or the like.
1 隔壁部材
2 ノズル
3 薄膜
11 支持基板
12 画素電極
13 正孔注入層
14 発光層
15 絶縁膜
16 上部電極
17 隔壁
18 凹部
20 隔壁部材
21 発光装置
22 有機EL素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Partition member 2
Claims (2)
前記複数の有機EL素子の画素電極と、当該画素電極が前記開口から露出するように配置された前記絶縁膜とが設けられた支持基板を用意する工程と、
前記絶縁膜上に、複数本の隔壁部材を形成し、隔壁を設ける工程と、
前記隔壁部材間にノズルプリンティング法により所定のインキを供給し、これを固化することにより、有機EL素子の所定の機能層を形成する工程と、
前記機能層上に上部電極を形成する工程とを有し、
前記支持基板を用意する工程では、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を基準の開口とすると、前記各開口は、それぞれ、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、前記各開口の面積の異なる程度が、無作為に設定された絶縁膜が設けられた支持基板を用意する、表示装置の製造方法。 A plurality of organic EL elements arranged in a matrix at predetermined intervals in a first direction and a second direction intersecting the first direction on the support substrate; and the support An opening is provided on the substrate, and an opening is formed at a position corresponding to the plurality of organic EL elements. The insulating film individually defines the organic EL elements through the opening, and the second direction is formed on the insulating film in the second direction. A method of manufacturing a display device, comprising: a partition wall formed of a plurality of partition wall members disposed between adjacent organic EL elements and extending in the first direction at an equal interval in the second direction,
Preparing a support substrate provided with pixel electrodes of the plurality of organic EL elements and the insulating film arranged so that the pixel electrodes are exposed from the openings;
Forming a plurality of partition members on the insulating film and providing the partition;
A step of forming a predetermined functional layer of the organic EL element by supplying a predetermined ink between the partition members by a nozzle printing method and solidifying the ink;
Forming an upper electrode on the functional layer,
In the step of preparing the support substrate, each opening is provided at the center of the partition wall member adjacent in the second direction and has an opening having a specific area as a reference opening. A method of manufacturing a display device, comprising: preparing a support substrate provided with an insulating film which is different from a reference opening and has a different degree of area of each opening.
前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれ、
前記各開口の前記第2の方向のずれる程度が無作為に設定された絶縁膜が設けられた支持基板を用意する、請求項1に記載の表示装置の製造方法。 In the step of preparing the support substrate,
Each of the openings has a center in the second direction shifted in the second direction with respect to the reference opening,
The method for manufacturing a display device according to claim 1 , wherein a support substrate provided with an insulating film in which the degree of deviation of each opening in the second direction is set at random is prepared.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012047644A JP6102064B2 (en) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | Display device |
PCT/JP2013/054925 WO2013133090A1 (en) | 2012-03-05 | 2013-02-26 | Display device |
TW102107451A TW201347259A (en) | 2012-03-05 | 2013-03-04 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012047644A JP6102064B2 (en) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | Display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013182846A JP2013182846A (en) | 2013-09-12 |
JP6102064B2 true JP6102064B2 (en) | 2017-03-29 |
Family
ID=49116572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012047644A Expired - Fee Related JP6102064B2 (en) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | Display device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6102064B2 (en) |
TW (1) | TW201347259A (en) |
WO (1) | WO2013133090A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11800769B2 (en) | 2020-04-28 | 2023-10-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113380969B (en) * | 2021-06-08 | 2022-06-14 | 武汉天马微电子有限公司 | Display panel, manufacturing method thereof and display device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004258488A (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Seiko Epson Corp | Color display device and electronic equipment |
JP2009090186A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Seiko Epson Corp | Liquid arrangement method, color filter manufacturing method, alignment film manufacturing method, organic EL display device manufacturing method |
JP4973438B2 (en) * | 2007-10-17 | 2012-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | Display device and electronic apparatus including the display device |
JP5024021B2 (en) * | 2007-12-18 | 2012-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2012047644A patent/JP6102064B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-26 WO PCT/JP2013/054925 patent/WO2013133090A1/en active Application Filing
- 2013-03-04 TW TW102107451A patent/TW201347259A/en unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11800769B2 (en) | 2020-04-28 | 2023-10-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013133090A1 (en) | 2013-09-12 |
TW201347259A (en) | 2013-11-16 |
JP2013182846A (en) | 2013-09-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |