JP6068462B2 - 高速ガス交換、高速ガス切換、及びプログラミング可能なガス送出のための方法及び装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、概して、改良された基板処理システムに関する。具体的には、本発明の実施形態は、エッチング及び/又は堆積処理に適している高速ガス交換システムに関する。
マイクロ電子デバイスの製造は、各々が様々な処理を含む多くの段階を含む。1つの段階の間に、特定の処理は、基板(例えば、シリコン基板)の表面にプラズマを付与する工程を含み、これによって基板の物理特性及び材料特性を変えることができる。この処理は、基板内に穴、ビア、及び/又は他の開口(本明細書内では「トレンチ」と呼ぶ)を形成する、材料の除去を含む場合のあるエッチングとして知られているかもしれない。
Claims (14)
- 処理チャンバにガスを供給する方法であって、
第1処理中に第1高速ガス交換モジュールを介して第1ガスパネルから処理チャンバへ第1処理ガスを供給する工程であって、第1処理は、
第1処理ガスを第1フローコントローラから第2フローコントローラを介して処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させる工程、又は第1処理ガスを第1フローコントローラから第3フローコントローラを介して処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させる工程を含み、第2フローコントローラは第3フローコントローラと流体連通している工程と、
第2処理中に第2高速ガス交換モジュールを介して第2ガスパネルから処理チャンバへ第2処理ガスを供給する工程であって、第2処理は、
第2処理ガスを第4フローコントローラから第5フローコントローラを介して処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させる工程、又は第2処理ガスを第4フローコントローラから第6フローコントローラを介して処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させる工程を含み、第5フローコントローラは第6フローコントローラと流体連通している工程と、
処理チャンバ内へ流れる第1又は第2処理ガスの周波数が、第1又は第2高速ガス交換モジュール内のフローコントローラのそれぞれに対する迂回状態の変化周波数の2倍となるように、第1及び第2高速ガス交換モジュール内のフローコントローラのそれぞれの迂回状態の変化を同期させる工程を含み、
第1及び第2処理ガスは、交互の順序で処理チャンバに供給される方法。 - 処理チャンバにガスを供給する方法であって、
第1処理中に第1高速ガス交換モジュールを介して第1ガスパネルから処理チャンバに第1処理ガスを供給する工程であって、第1高速ガス交換モジュールは、
第1ガスパネルに結合する第1フローコントローラと、
第1フローコントローラ及び処理チャンバに結合する第2フローコントローラと、
第2フローコントローラ及び処理チャンバに結合する第3フローコントローラを含み、第1フローコントローラは、第1ガスパネルから流れる第1処理ガスを第2フローコントローラ又は第3フローコントローラへ選択的に迂回させるように動作可能であり、第2フローコントローラは、第1フローコントローラから流れる第1処理ガスを処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させるように動作可能であり、第3フローコントローラは、第2フローコントローラから流れる第1処理ガスを処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させるように動作可能である工程と、
第2処理中に第2高速ガス交換モジュールを介して第2ガスパネルから処理チャンバへ第2処理ガスを供給する工程であって、第1及び第2処理ガスは、エッチングガス、堆積ガス、パッシベーションガス、及びクリーニングガスからなる群から選択され、第2高速ガス交換モジュールは、
第2ガスパネルに結合する第4フローコントローラと、
第4フローコントローラ及び処理チャンバに結合する第5フローコントローラと、
第4フローコントローラ及び処理チャンバに結合する第6フローコントローラを含み、第4フローコントローラは、第2ガスパネルから第5フローコントローラ又は第6フローコントローラへ流れる第2処理ガスを選択的に迂回させるように動作可能であり、第5フローコントローラは、第4フローコントローラから流れる第2処理ガスを処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させるように動作可能であり、第6フローコントローラは、第5フローコントローラから流れる第2処理ガスを処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させるように動作可能である工程と、
処理チャンバ内へ流れる第1又は第2処理ガスの周波数が、第1又は第2高速ガス交換モジュール内のフローコントローラのそれぞれに対する迂回状態の変化周波数の2倍となるように、第1及び第2高速ガス交換モジュール内のフローコントローラのそれぞれの迂回状態の変化を同期させる工程を含む方法。 - 第2及び第3フローコントローラは、互いに反対の迂回状態で同時に動作するように制御される請求項2記載の方法。
- 第1及び第2フローコントローラは、第1ガスパネルから処理チャンバへ第1処理ガスを同時に導く請求項3記載の方法。
- 第1フローコントローラ及び第3フローコントローラは、第1ガスパネルから処理チャンバへ第1処理ガスを同時に導く請求項3記載の方法。
- 第5及び第6フローコントローラは、互いに反対の迂回状態で同時に動作するように制御される請求項2記載の方法。
- 第4及び第5フローコントローラは、第2ガスパネルから処理チャンバへ第2処理ガスを同時に導く請求項2記載の方法。
- 第4フローコントローラ及び第6フローコントローラは、第2ガスパネルから処理チャンバへ第2処理ガスを同時に導く請求項2記載の方法。
- 第1及び第2処理は、交互の順序で実行される請求項2記載の方法。
- 基板を処理するための処理チャンバと、
第1ガスパネル及び処理チャンバに流体連通する高速ガス交換モジュールを含み、高速ガス交換モジュールは、
第1ガスパネルに結合された第1フローコントローラと、
第1フローコントローラと処理チャンバを結合する第2フローコントローラと、
第2フローコントローラと処理チャンバを結合する第3フローコントローラであって、第3フローコントローラは、第1サブフローコントローラと、第2サブフローコントローラと、第2サブフローコントローラと流体連通していない第3サブフローコントローラとを含み、第1サブフローコントローラ及び第2サブフローコントローラ、又は第1サブフローコントローラ及び第3サブフローコントローラは、互いに流体連通しており、かつ第2フローコントローラから流れる第1ガスを処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させるように動作可能である第3フローコントローラとを含む第1フローコントローラ構成を含み、
第2フローコントローラは、第3フローコントローラと流体連通しており、第1フローコントローラは、第1ガスパネルから流れる第1ガスを第2フローコントローラ又は第3フローコントローラへ選択的に迂回させるように動作可能であり、第2フローコントローラは、第1フローコントローラから流れる第1ガスを処理チャンバ又は第3フローコントローラへ選択的に迂回させるように動作可能であるガス送出システム。 - 第2及び第3フローコントローラは、互いに反対の迂回状態で同時に動作するように制御される請求項10記載のガス送出システム。
- 第2ガスパネルと、
第2ガスパネル及び処理チャンバと流体連通する第2フローコントローラ構成であって、
第2ガスパネルに結合された第4フローコントローラと、
第4フローコントローラと処理チャンバを結合する第5フローコントローラと、
第5フローコントローラと処理チャンバを結合する第6フローコントローラであって、第6フローコントローラは、第4サブフローコントローラと、第5サブフローコントローラと、第5サブフローコントローラと流体連通していない第6サブフローコントローラとを含み、第4サブフローコントローラ及び第5サブフローコントローラ、又は第4サブフローコントローラ及び第6サブフローコントローラは、互いに流体連通しており、かつ第2フローコントローラから流れる第2ガスを処理チャンバ又は排気装置へ選択的に迂回させるように動作可能である第6フローコントローラとを含む第2フローコントローラ構成を含み、
第5フローコントローラは、第6フローコントローラと流体連通しており、第4フローコントローラは、第2ガスパネルから流れる第2ガスを第5フローコントローラ又は第6フローコントローラへ選択的に迂回させるように動作可能であり、第5フローコントローラは、第4フローコントローラから流れる第2ガスを処理チャンバ又は第6フローコントローラへと選択的に迂回させるように動作可能である請求項10記載のガス送出システム。 - 第5及び第6フローコントローラは、互いに反対の迂回状態で同時に動作するように制御される請求項10記記載のガス送出システム。
- 第1、第2、第3、第4、第5、及び第6フローコントローラは、三方弁を含む請求項10記記載のガス送出システム。
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US9090972B2 (en) * | 2012-12-31 | 2015-07-28 | Lam Research Corporation | Gas supply systems for substrate processing chambers and methods therefor |
US9488315B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution apparatus for directional and proportional delivery of process gas to a process chamber |
JP5793170B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-10-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN104752137A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种气体供应装置及其等离子体反应装置 |
KR20160012302A (ko) * | 2014-07-23 | 2016-02-03 | 삼성전자주식회사 | 기판 제조 방법 및 그에 사용되는 기판 제조 장치 |
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US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US10957561B2 (en) * | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US10256075B2 (en) * | 2016-01-22 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
KR101924689B1 (ko) * | 2016-07-15 | 2019-02-28 | 연세대학교 산학협력단 | 이차원 나노 물질의 처리 장치 및 방법 |
US10283329B2 (en) * | 2017-07-10 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | ICP source for M and W-shape discharge profile control |
CN118380374A (zh) | 2017-11-21 | 2024-07-23 | 朗姆研究公司 | 底部边缘环和中部边缘环 |
CN111101115B (zh) * | 2018-10-25 | 2022-03-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气路切换装置及其控制方法、半导体加工设备 |
CN112628600B (zh) * | 2020-12-03 | 2024-06-25 | 河南省日立信股份有限公司 | C5-pfk混合气体分离提纯系统 |
US12068135B2 (en) | 2021-02-12 | 2024-08-20 | Applied Materials, Inc. | Fast gas exchange apparatus, system, and method |
CN114352936B (zh) * | 2022-03-14 | 2022-06-28 | 西南科技大学 | 一种可快速更换多种燃料的燃料供应装置及其使用方法 |
US20240047232A1 (en) * | 2022-08-04 | 2024-02-08 | Applied Materials, Inc. | High conductance divert line architecture |
US11940819B1 (en) * | 2023-01-20 | 2024-03-26 | Applied Materials, Inc. | Mass flow controller based fast gas exchange |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1155119B (it) * | 1982-03-05 | 1987-01-21 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento e dispositivo per la produzione di preforme per fibre ottiche |
JPH03276719A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Yasuhiro Horiike | デジタルエツチング方法 |
JPH06295862A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
DE4241045C1 (de) | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US5647945A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
US5683517A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with programmable reactant gas distribution |
US5826607A (en) * | 1996-11-25 | 1998-10-27 | Sony Corporation | Dual exhaust controller |
US6174377B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-01-16 | Genus, Inc. | Processing chamber for atomic layer deposition processes |
US5865205A (en) | 1997-04-17 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dynamic gas flow controller |
JP3317209B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US7829144B2 (en) * | 1997-11-05 | 2010-11-09 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a metal film for electrode |
US6337102B1 (en) | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
KR100269315B1 (ko) | 1997-11-24 | 2000-11-01 | 윤종용 | 램프가열방식의매엽식장비를이용한반도체장치의제조방법 |
US6210482B1 (en) * | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Fujikin Incorporated | Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing |
US20010047756A1 (en) | 1999-05-17 | 2001-12-06 | Bartholomew Lawrence Duane | Gas distribution system |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6817381B2 (en) * | 1999-08-24 | 2004-11-16 | Tokyo Electron Limited | Gas processing apparatus, gas processing method and integrated valve unit for gas processing apparatus |
JP4487338B2 (ja) | 1999-08-31 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置及び成膜処理方法 |
US6799603B1 (en) * | 1999-09-20 | 2004-10-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas flow controller system |
US6772781B2 (en) | 2000-02-04 | 2004-08-10 | Air Liquide America, L.P. | Apparatus and method for mixing gases |
US6507155B1 (en) | 2000-04-06 | 2003-01-14 | Applied Materials Inc. | Inductively coupled plasma source with controllable power deposition |
KR100332313B1 (ko) * | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | Ald 박막증착장치 및 증착방법 |
US6694915B1 (en) | 2000-07-06 | 2004-02-24 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna |
US6409933B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
US6414648B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
US6462481B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-10-08 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
US6685798B1 (en) | 2000-07-06 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna |
US6593244B1 (en) | 2000-09-11 | 2003-07-15 | Applied Materials Inc. | Process for etching conductors at high etch rates |
JP2002129337A (ja) | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
US6439253B1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | System for and method of monitoring the flow of semiconductor process gases from a gas delivery system |
US6418954B1 (en) | 2001-04-17 | 2002-07-16 | Mks Instruments, Inc. | System and method for dividing flow |
KR20040019293A (ko) | 2001-05-24 | 2004-03-05 | 셀레리티 그룹 아이엔씨 | 소정 비율의 프로세스 유체를 제공하는 방법 및 장치 |
US20030000924A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of gas injection sequencing |
US20030070620A1 (en) | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
FR2834382B1 (fr) | 2002-01-03 | 2005-03-18 | Cit Alcatel | Procede et dispositif de gravure anisotrope du silicium a haut facteur d'aspect |
TWI241868B (en) | 2002-02-06 | 2005-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma processing method and apparatus |
US6846746B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Method of smoothing a trench sidewall after a deep trench silicon etch process |
US6849554B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method of etching a deep trench having a tapered profile in silicon |
US7074723B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma etching a deeply recessed feature in a substrate using a plasma source gas modulated etchant system |
US20040050326A1 (en) | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
US6900133B2 (en) | 2002-09-18 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc | Method of etching variable depth features in a crystalline substrate |
US20040097077A1 (en) | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a deep trench |
US7169231B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
US7296532B2 (en) | 2002-12-18 | 2007-11-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Bypass gas feed system and method to improve reactant gas flow and film deposition |
US20040157457A1 (en) | 2003-02-12 | 2004-08-12 | Songlin Xu | Methods of using polymer films to form micro-structures |
US8101025B2 (en) | 2003-05-27 | 2012-01-24 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling corrosion of a substrate |
US7144521B2 (en) | 2003-08-22 | 2006-12-05 | Lam Research Corporation | High aspect ratio etch using modulation of RF powers of various frequencies |
US7354631B2 (en) | 2003-11-06 | 2008-04-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus and methods |
US7708859B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
US7412986B2 (en) | 2004-07-09 | 2008-08-19 | Celerity, Inc. | Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4355321B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2009-10-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
US7174263B2 (en) | 2005-03-25 | 2007-02-06 | Mks Instruments, Inc. | External volume insensitive flow verification |
KR100655445B1 (ko) | 2005-10-04 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 방법, 그리고 반도체 제조 설비 |
TW200739716A (en) * | 2006-02-27 | 2007-10-16 | Applied Materials Inc | Method for controlling corrosion of a substrate |
US8997791B2 (en) * | 2006-04-14 | 2015-04-07 | Mks Instruments, Inc. | Multiple-channel flow ratio controller |
JP5168907B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
US7846497B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
JP5034594B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US7733136B2 (en) * | 2007-10-24 | 2010-06-08 | Industrial Technology Research Institute | Frequency synthesizer |
WO2009117565A2 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of a substrate etching system and process |
US9039908B2 (en) | 2008-08-27 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Post etch reactive plasma milling to smooth through substrate via sidewalls and other deeply etched features |
JP5457021B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
KR101712348B1 (ko) * | 2009-01-31 | 2017-03-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에칭을 위한 방법 및 장치 |
JP4436884B1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-03-24 | 株式会社オーバル | 信号処理方法、信号処理装置、およびコリオリ流量計 |
KR101360876B1 (ko) | 2009-06-03 | 2014-02-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 식각을 위한 방법 및 장치 |
US8895457B2 (en) * | 2010-03-08 | 2014-11-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
US8931512B2 (en) * | 2011-03-07 | 2015-01-13 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system and method of use thereof |
JP5433660B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2014-03-05 | Ckd株式会社 | ガス流量監視システム |
-
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