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JP6061629B2 - Processing equipment - Google Patents

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JP6061629B2
JP6061629B2 JP2012245252A JP2012245252A JP6061629B2 JP 6061629 B2 JP6061629 B2 JP 6061629B2 JP 2012245252 A JP2012245252 A JP 2012245252A JP 2012245252 A JP2012245252 A JP 2012245252A JP 6061629 B2 JP6061629 B2 JP 6061629B2
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、切削ブレードによってウェーハの外周縁を切削する加工装置に関する。   The present invention relates to a processing apparatus for cutting an outer peripheral edge of a wafer with a cutting blade.

近年、電気機器の薄型化や小型化に伴い、ウェーハの薄化が望まれている。また、ウェーハの外周には、製造工程中における割れや発塵防止のために面取り加工が施されている。このため、ウェーハの厚さが、例えば100μm以下に研削仕上げされると、面取りされたウェーハの外周がナイフエッジ状になり、外周側から欠けが生じてウェーハが破損するという問題があった。この問題を解決するために、ウェーハの薄化後にナイフエッジになりうる面取り部を、研削加工に先だってウェーハの外周部から除去(トリミング)する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In recent years, with the thinning and miniaturization of electrical equipment, it is desired to make the wafer thinner. In addition, chamfering is performed on the outer periphery of the wafer to prevent cracking and dust generation during the manufacturing process. For this reason, when the thickness of the wafer is ground and finished to, for example, 100 μm or less, the outer periphery of the chamfered wafer becomes a knife edge, and there is a problem that the wafer is broken due to chipping from the outer peripheral side. In order to solve this problem, a method of removing (trimming) a chamfered portion that can become a knife edge after thinning of the wafer from the outer peripheral portion of the wafer prior to grinding is proposed (for example, see Patent Document 1). .

特許文献1に記載の加工方法では、チャックテーブル上にウェーハが保持され、切削ブレードでウェーハの表面側から切り込まれる。このため、チャックテーブル上にはウェーハの表面を上方に露出させた状態で搬送する必要がある。一般に、ウェーハの表面にはデバイスが形成されるため、真空吸着搬送等のように吸着パッドによってウェーハの搬送時に表面が保持されると、ウェーハの表面が傷付けられるおそれがある。このため、ウェーハの表面に触れることなくウェーハを搬送できるエッジクランプ式の搬送機構が用いられる(例えば、特許文献2参照)。   In the processing method described in Patent Document 1, a wafer is held on a chuck table and is cut from the surface side of the wafer by a cutting blade. For this reason, it is necessary to carry the wafer with the surface of the wafer exposed upward on the chuck table. Generally, since a device is formed on the surface of the wafer, there is a risk that the surface of the wafer may be damaged if the surface is held by the suction pad during the transfer of the wafer, such as vacuum suction transfer. For this reason, an edge clamp type transport mechanism that can transport the wafer without touching the surface of the wafer is used (for example, see Patent Document 2).

特開2000−173961号公報JP 2000-173961 A 特開2012−064872号公報JP 2012-064872 A

ところで、トリミング後のウェーハを前工程に戻してデバイス形成を行う場合等には、ウェーハの裏面に付着した異物が不具合を起こす事態が生じ、ウェーハの裏面の汚染が問題となることがある。ウェーハの裏面は、チャックテーブル上にウェーハを吸引保持した場合に顕著な問題となる。さらに、特許文献2に示すように、チャックテーブルの外周部に、クランプ爪が入り込む切欠きが形成される場合には、切欠き箇所においてチャックテーブルによる支持がないため、ウェーハの外周部のトリミング時の加工品質が悪化するという問題があった。   By the way, when the trimmed wafer is returned to the previous process to perform device formation, foreign matter adhering to the back surface of the wafer may cause a problem, and contamination of the back surface of the wafer may be a problem. The back surface of the wafer becomes a significant problem when the wafer is sucked and held on the chuck table. Furthermore, as shown in Patent Document 2, when a notch into which the clamp claw enters is formed in the outer periphery of the chuck table, since the chuck table does not support the notch, the outer periphery of the wafer is trimmed. There was a problem that the quality of processing deteriorated.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウェーハの汚染及び加工品質を悪化させることなくウェーハの外周縁をトリミングでき、ウェーハの表面を傷つけることなく搬送することができる加工装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and provides a processing apparatus capable of trimming the outer peripheral edge of a wafer without deteriorating wafer contamination and processing quality and transporting the wafer without damaging the surface. For the purpose.

本発明の加工装置は、ウェーハの外周縁をウェーハの表面から切削してウェーハに円形切削加工を施す加工装置であって、ウェーハの裏面を保持しウェーハの表面を露出させる回転可能なチャックテーブルと、回転駆動されるスピンドルと、該スピンドルの先端部に装着され且つ該チャックテーブルに保持されたウェーハの表面の外周縁を切削する切削ブレードとを有する切削手段と、ウェーハの外周部を把持しウェーハを該チャックテーブル上に搬送する搬送手段と、を備え、該チャックテーブルは、ウェーハの外周部を保持する環状保持面を有する環状保持部と、該環状保持面に開口する吸引口と、一端が該吸引口に連通するとともに他端が吸引源に接続される吸引路と、該環状保持部で囲繞される中央凹部と、その上面が該環状保持面よりも低い下方位置及びその上面が該環状保持面よりも高い上方位置に昇降可能に該中央凹部内に配設された昇降プレートと、該昇降プレートの該上面に複数個形成されたエアー供給口と、一端が該エアー供給口に他端が圧縮エアー供給源に接続されるエアー供給路と、を備え、該切削手段によりウェーハが切削される際には、該昇降プレートは該下方位置に位置づけられ、該ウェーハの外周部が該環状保持部のみに保持され、該搬送手段により該チャックテーブルにウェーハを搬入出する際には、該昇降プレートは該上方位置に位置づけられるとともに該エアー供給口から圧縮エアーが供給されウェーハが圧縮エアーに保持され上昇し、ウェーハの外周部裏面と該環状保持面との間に隙間が形成されることで該搬送手段によりウェーハの外周部が把持されること、を特徴とする。   The processing apparatus of the present invention is a processing apparatus that performs a circular cutting process on the wafer by cutting the outer peripheral edge of the wafer from the front surface of the wafer, and a rotatable chuck table that holds the back surface of the wafer and exposes the front surface of the wafer; A cutting means having a spindle that is driven to rotate, a cutting blade that is attached to the tip of the spindle and is held by the chuck table, and that cuts the outer peripheral edge of the surface of the wafer; Transporting means on the chuck table, and the chuck table has an annular holding portion having an annular holding surface for holding the outer peripheral portion of the wafer, a suction port opened to the annular holding surface, and one end thereof. A suction path communicating with the suction port and having the other end connected to a suction source, a central recess surrounded by the annular holding portion, and an upper surface thereof being the annular holding surface An elevating plate disposed in the central recess so that it can be moved up and down to a lower position and an upper position whose upper surface is higher than the annular holding surface, and a plurality of air supply ports formed on the upper surface of the elevating plate And an air supply path having one end connected to the air supply port and the other end connected to a compressed air supply source, and when the wafer is cut by the cutting means, the elevating plate is positioned at the lower position. The outer peripheral portion of the wafer is held only by the annular holding portion, and when the wafer is carried into and out of the chuck table by the transfer means, the elevating plate is positioned at the upper position and from the air supply port. Compressed air is supplied and the wafer is held and raised by the compressed air, and a gap is formed between the back surface of the outer peripheral portion of the wafer and the annular holding surface. The part is gripped, characterized by.

この構成によれば、チャックテーブル上にウェーハを保持する際には、昇降プレートを下降させて、ウェーハの裏面から昇降プレートを離間させる。また、チャックテーブルからウェーハを搬送する際には、昇降プレートを上昇させると共に圧縮エアーによって、搬送手段で把持できるようにウェーハを浮上させる。よって、ウェーハが切削される際には、ウェーハの外周部だけが環状保持部に保持され、ウェーハの裏面全体がチャックテーブルに保持されることがない。また、ウェーハの搬送時にも圧縮エアー層によって浮上されるため、昇降プレートにウェーハが触れることがない。このため、ウェーハの加工時及び搬送時のいずれにおいてもウェーハの裏面の汚染が抑制される。また、ウェーハの加工時には、ウェーハの外周部が全周にわたって環状保持部に保持されるため、チャックテーブルに切欠きが形成される構成のように加工品質が悪化することもない。さらに、搬送手段によってウェーハの外周部が把持されるため、デバイスが形成されるウェーハの表面に触れることなく搬送可能である。   According to this configuration, when the wafer is held on the chuck table, the elevating plate is lowered to separate the elevating plate from the back surface of the wafer. Further, when the wafer is transferred from the chuck table, the elevating plate is raised and the wafer is floated by compressed air so that the wafer can be gripped by the transfer means. Therefore, when the wafer is cut, only the outer peripheral portion of the wafer is held by the annular holding portion, and the entire back surface of the wafer is not held by the chuck table. In addition, since the wafer is transported by the compressed air layer during transportation, the wafer does not touch the lift plate. For this reason, contamination of the back surface of the wafer is suppressed during both processing and transport of the wafer. Further, when processing the wafer, the outer peripheral portion of the wafer is held by the annular holding portion over the entire periphery, so that the processing quality does not deteriorate as in the configuration in which the notch is formed in the chuck table. Furthermore, since the outer peripheral portion of the wafer is gripped by the transfer means, the transfer can be performed without touching the surface of the wafer on which the device is formed.

本発明によれば、ウェーハの加工時にはウェーハの外周部だけを保持し、ウェーハの搬送時にはウェーハを浮上させて搬送手段にウェーハの外周部を保持させることで、ウェーハの汚染及び加工品質を悪化させることなくウェーハの外周縁をトリミングでき、ウェーハの表面を傷つけることなく搬送することができる。   According to the present invention, only the outer periphery of the wafer is held during the processing of the wafer, and the wafer is levitated and the outer periphery of the wafer is held by the transfer means during the transfer of the wafer, thereby deteriorating wafer contamination and processing quality. The outer peripheral edge of the wafer can be trimmed without being transferred, and the wafer can be transported without damaging the surface of the wafer.

本実施の形態に係る加工装置の上面模式図である。It is an upper surface schematic diagram of the processing apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るウェーハの除去領域に対する円形切削加工の説明図である。It is explanatory drawing of the circular cutting process with respect to the removal area | region of the wafer which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る第1、第2の搬送アームの把持部の斜視図である。It is a perspective view of the holding part of the 1st and 2nd conveyance arm concerning this embodiment. 本実施の形態に係るチャックテーブルの斜視図及び断面図である。It is the perspective view and sectional drawing of a chuck table concerning this embodiment. 本実施の形態に係る昇降プレートの昇降動作及び第2の搬送アームの搬出動作の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the raising / lowering operation | movement of the raising / lowering plate which concerns on this Embodiment, and the carrying-out operation | movement of a 2nd conveyance arm.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態に係る加工装置の上面模式図である。図2は、本実施の形態に係るウェーハの外周縁に対する円形切削加工の説明図である。なお、本実施の形態に係る加工装置は、図1に示す構成に限定されず、適宜変更が可能である。   Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic top view of the processing apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is an explanatory diagram of circular cutting for the outer peripheral edge of the wafer according to the present embodiment. In addition, the processing apparatus which concerns on this Embodiment is not limited to the structure shown in FIG. 1, It can change suitably.

図1に示すように、加工装置1は、フルオートタイプの加工装置であり、ウェーハWに対する搬入処理、切削処理、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウェーハWは、半導体ウェーハで円板状に形成されている。ウェーハWの外周縁には、製造工程中における割れや発塵防止のための面取り部91が形成されている。また、ウェーハWの外周縁には結晶方位を示すノッチ92が形成されている。なお、ウェーハWとしてシリコン、ガリウム砒素等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の無機材料基板等でもよい。 As shown in FIG. 1, the processing apparatus 1 is a full-auto type processing apparatus, and is configured to perform a series of operations including a loading process, a cutting process, a cleaning process, and a unloading process on the wafer W fully automatically. ing. The wafer W is a semiconductor wafer and is formed in a disk shape. A chamfered portion 91 for preventing cracks and dust generation during the manufacturing process is formed on the outer peripheral edge of the wafer W. Further, a notch 92 indicating a crystal orientation is formed on the outer peripheral edge of the wafer W. The wafer W will be described by taking a semiconductor wafer such as silicon or gallium arsenide as an example, but may be a ceramic, glass, sapphire (Al 2 O 3 ) based inorganic material substrate, or the like.

加工装置1には、装置前方に搬入エリアA1、装置奥方に加工エリアA2、搬入エリアA1及び加工エリアA2に隣接して洗浄エリアA3が設定されている。また、加工装置1の前面21には、搬入エリアA1から前方に突出するように、一対のカセット台11、12が設けられている。カセット台11には、加工前のウェーハWが収容された搬入用カセットC1が載置される。カセット台12には、加工後のウェーハWが収容される搬出用カセットC2が載置される。カセット台11は加工装置1の搬入口として機能し、カセット台12は加工装置1の搬出口として機能する。   In the processing apparatus 1, a carry-in area A1 is set in front of the apparatus, and a processing area A2, a carry-in area A1, and a cleaning area A3 are set in the back of the apparatus adjacent to the process area A2. In addition, a pair of cassette tables 11 and 12 are provided on the front surface 21 of the processing apparatus 1 so as to protrude forward from the carry-in area A1. On the cassette stand 11, a loading cassette C1 in which a wafer W before processing is accommodated is placed. An unloading cassette C2 in which the processed wafer W is accommodated is placed on the cassette table 12. The cassette table 11 functions as a carry-in port for the processing apparatus 1, and the cassette table 12 functions as a carry-out port for the processing apparatus 1.

搬入エリアA1には、搬入用カセットC1及び搬出用カセットC2に対してウェーハWを出し入れする搬入搬出アーム3が設けられている。搬入搬出アーム3は、複数のアームからなる多節リンク部31と、多節リンク部31の先端に設けられたハンド部32とを有している。多節リンク部31は、ハンド部32を上下方向及び水平方向可能に移動可能に構成されている。また、多節リンク部31は、リニアモータ式の移動機構33のスライドヘッドに取り付けられ、電磁力によりX軸方向に移動可能に構成されている。搬入搬出アーム3は、搬入用カセットC1から加工エリアA2に加工前のウェーハWを搬入する他、洗浄エリアA3から搬出用カセットC2に加工後のウェーハWを搬出する。   In the loading / unloading area A1, a loading / unloading arm 3 for loading / unloading the wafer W to / from the loading cassette C1 and the loading cassette C2 is provided. The carry-in / out arm 3 includes a multi-node link portion 31 composed of a plurality of arms, and a hand portion 32 provided at the tip of the multi-node link portion 31. The multi-node link unit 31 is configured to be able to move the hand unit 32 in the vertical and horizontal directions. The multi-node link portion 31 is attached to a slide head of a linear motor type moving mechanism 33, and is configured to be movable in the X-axis direction by electromagnetic force. The loading / unloading arm 3 loads the unprocessed wafer W from the loading cassette C1 to the processing area A2, and unloads the processed wafer W from the cleaning area A3 to the unloading cassette C2.

加工エリアA2には、加工前のウェーハWをプリアライメントするプリアライメント機構4と、チャックテーブル5上のウェーハW表面の外周縁を切削する切削手段8とが設けられている。プリアライメント機構4にはセンタリングテーブル41が設けられており、センタリングテーブル41上でウェーハWの中心位置がプリアライメントされる。センタリングテーブル41の奥方には、ウェーハWの搬入位置と切削手段8による切削位置との間で往復移動するチャックテーブル5が設けられている。このチャックテーブル5の移動軌跡に沿って、基台2上には開口部22が形成されている。   In the processing area A2, a pre-alignment mechanism 4 for pre-aligning the wafer W before processing and a cutting means 8 for cutting the outer peripheral edge of the surface of the wafer W on the chuck table 5 are provided. The pre-alignment mechanism 4 is provided with a centering table 41, and the center position of the wafer W is pre-aligned on the centering table 41. A chuck table 5 that reciprocates between the loading position of the wafer W and the cutting position by the cutting means 8 is provided behind the centering table 41. An opening 22 is formed on the base 2 along the movement trajectory of the chuck table 5.

開口部22は、蛇腹状の防水カバー23に覆われており、防水カバー23の下方にはチャックテーブル5をX軸方向に往復移動させるボールネジ式のチャックテーブル移動機構(不図示)が設けられている。チャックテーブル5は、切削時にはウェーハWの外周部だけを保持し、搬送時にはウェーハWを浮上させて第2の搬送アーム15(搬送手段)にウェーハWの外周部を保持させるように構成されている。また、チャックテーブル5は、回転機構(不図示)によりZ軸回りに回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル5の詳細については後述する。   The opening 22 is covered with a bellows-shaped waterproof cover 23, and a ball screw type chuck table moving mechanism (not shown) for reciprocating the chuck table 5 in the X-axis direction is provided below the waterproof cover 23. Yes. The chuck table 5 is configured to hold only the outer peripheral portion of the wafer W at the time of cutting, and float the wafer W at the time of transfer to hold the outer peripheral portion of the wafer W on the second transfer arm 15 (transfer means). . Further, the chuck table 5 is configured to be rotatable around the Z axis by a rotation mechanism (not shown). Details of the chuck table 5 will be described later.

切削手段8は、一対のブレードユニット81を交互に用いてチャックテーブル5上のウェーハWの外周縁を切削するように構成されている。加工装置1は、開口部22を跨ぐように基台2上に立設された門型の柱部82を有している。柱部82の表面には、一対のブレードユニット81を移動させるボールネジ式のブレードユニット移動機構83が設けられている。ブレードユニット移動機構83は、Y軸方向に移動する一対のY軸テーブル84と、各Y軸テーブル84に対してZ軸方向に移動されるZ軸テーブル85とを有している。ブレードユニット81は、Y軸テーブル84及びZ軸テーブル85によりY軸方向及びZ軸方向に移動される。   The cutting means 8 is configured to cut the outer peripheral edge of the wafer W on the chuck table 5 by alternately using a pair of blade units 81. The processing apparatus 1 has a gate-shaped column portion 82 erected on the base 2 so as to straddle the opening 22. A ball screw type blade unit moving mechanism 83 for moving the pair of blade units 81 is provided on the surface of the column portion 82. The blade unit moving mechanism 83 has a pair of Y-axis tables 84 that move in the Y-axis direction, and a Z-axis table 85 that moves in the Z-axis direction with respect to each Y-axis table 84. The blade unit 81 is moved in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the Y-axis table 84 and the Z-axis table 85.

ブレードユニット81は、Y軸回りに回転するスピンドル86の先端に設けられた円板状の切削ブレード87と、切削部分に切削水を噴射する図示しないノズルとを有している。ブレードユニット81は、切削ブレード87を高速回転させ、複数のノズルから切削部分に切削水を噴射しつつウェーハWの外周縁を円形切削加工する。また、ブレードユニット81には、アライメント用の撮像機構(不図示)が設けられている。撮像機構による撮像画像に含まれるチップパターンと予め登録された基準パターンとのマッチングにより、アライメント処理が行われる。   The blade unit 81 has a disc-shaped cutting blade 87 provided at the tip of a spindle 86 that rotates about the Y axis, and a nozzle (not shown) that injects cutting water onto the cutting portion. The blade unit 81 rotates the cutting blade 87 at a high speed, and circularly cuts the outer peripheral edge of the wafer W while spraying cutting water from a plurality of nozzles onto the cutting portion. The blade unit 81 is provided with an imaging mechanism (not shown) for alignment. An alignment process is performed by matching a chip pattern included in a captured image by the imaging mechanism with a reference pattern registered in advance.

このように構成された切削手段8では、図2Aに示すようにウェーハWの中心がチャックテーブル5の回転軸に一致するように、チャックテーブル5上にウェーハWが保持される。切削ブレード87は、ウェーハWの外周縁の面取り部91を削り取るように、ウェーハWの外周縁に位置付けられる。そして、切削ブレード87が高速回転され、切削ブレード87によってウェーハWの上面側から面取り部91が切り込まれる。切削ブレード87による切り込み深さは、後工程である研削工程でのウェーハWの目標の仕上げ厚さよりも深く設定されている。   In the cutting means 8 configured as described above, the wafer W is held on the chuck table 5 so that the center of the wafer W coincides with the rotation axis of the chuck table 5 as shown in FIG. 2A. The cutting blade 87 is positioned on the outer peripheral edge of the wafer W so as to scrape the chamfered portion 91 on the outer peripheral edge of the wafer W. Then, the cutting blade 87 is rotated at a high speed, and the chamfered portion 91 is cut from the upper surface side of the wafer W by the cutting blade 87. The depth of cut by the cutting blade 87 is set deeper than the target finish thickness of the wafer W in the subsequent grinding process.

そして、図2Bに示すようにチャックテーブル5が回転することで、ウェーハWの外周縁が切削されて、ウェーハWの外周に沿った段状溝93が形成される。このように、ウェーハWの外周縁に仕上げ厚さよりも深い段状溝93が形成されるため、後工程の研削工程でウェーハWが裏面側から仕上げ厚さまで研削されても、面取り部91が残ることがなく、ウェーハWの外周がナイフエッジ状に形成されることがない。また、切削ブレード87の回転方向は、ウェーハWに対してダウンカットになる向きに設定され、切削屑を含む切削水がウェーハW上に飛散することを抑制している。   Then, as shown in FIG. 2B, the chuck table 5 rotates, whereby the outer peripheral edge of the wafer W is cut, and a stepped groove 93 is formed along the outer periphery of the wafer W. Thus, since the stepped groove 93 deeper than the finished thickness is formed on the outer peripheral edge of the wafer W, the chamfered portion 91 remains even if the wafer W is ground from the back surface side to the finished thickness in the subsequent grinding step. The outer periphery of the wafer W is not formed in a knife edge shape. Further, the rotation direction of the cutting blade 87 is set in a direction that causes a down cut with respect to the wafer W, and the cutting water containing cutting waste is prevented from being scattered on the wafer W.

図1に戻り、加工エリアA2においては、搬送手段としてのエッジクランプ式の第1、第2の搬送アーム14、15によってチャックテーブル5上にウェーハWが搬入出される。この場合、第1の搬送アーム14によってセンタリングテーブル41から加工前のウェーハWがピックアップされ、リニアモータ式のリニアモータ式の移動機構25によりチャックテーブル5に搬送される。第2の搬送アーム15によってチャックテーブル5上から加工後のウェーハWがピックアップされ、第2の搬送アーム15の基端部26を中心とした旋回移動により洗浄エリアA3に搬送される。   Returning to FIG. 1, in the processing area A <b> 2, the wafer W is loaded onto and unloaded from the chuck table 5 by the edge clamp type first and second transfer arms 14 and 15 as transfer means. In this case, the unprocessed wafer W is picked up from the centering table 41 by the first transfer arm 14 and transferred to the chuck table 5 by the linear motor type linear motor type moving mechanism 25. The processed wafer W is picked up from the chuck table 5 by the second transfer arm 15 and transferred to the cleaning area A3 by the pivotal movement around the base end portion 26 of the second transfer arm 15.

洗浄エリアA3には、ウェーハWの裏面を洗浄する裏面洗浄機構17と、ウェーハWの表面を洗浄する表面洗浄機構18とが設けられている。裏面洗浄機構17では、下方から洗浄水が噴射され、スポンジ等で擦られることでウェーハWが洗浄される。表面洗浄機構18は、ウェーハWよりも小径なスピンナテーブル29を有している。表面洗浄機構18では、ウェーハWを保持したスピンナテーブル29が高速回転され、スピンナテーブル29に向けて洗浄水が噴射されることでウェーハWの表面が洗浄される。続いて、スピンナテーブル29が回転された状態で、洗浄水の代わりに乾燥エアーが吹き付けられることでウェーハWが乾燥される。   In the cleaning area A3, a back surface cleaning mechanism 17 for cleaning the back surface of the wafer W and a surface cleaning mechanism 18 for cleaning the surface of the wafer W are provided. In the back surface cleaning mechanism 17, cleaning water is sprayed from below, and the wafer W is cleaned by rubbing with a sponge or the like. The surface cleaning mechanism 18 has a spinner table 29 having a diameter smaller than that of the wafer W. In the surface cleaning mechanism 18, the spinner table 29 holding the wafer W is rotated at a high speed, and cleaning water is sprayed toward the spinner table 29, thereby cleaning the surface of the wafer W. Subsequently, with the spinner table 29 rotated, the wafer W is dried by blowing dry air instead of the cleaning water.

また、洗浄エリアA3においては、裏面洗浄後のウェーハWは、エッジクランプ式の第3の搬送アーム16によって裏面洗浄機構17からピックアップされ、リニアモータ式の移動機構27により表面洗浄機構18に搬送される。表面洗浄後のウェーハWは、搬入搬出アーム3によってスピンナテーブル29からピックアップされ、搬出用カセットC2に向けて搬送される。また、加工装置1内は、加工エリアA2及び洗浄エリアA3と搬入エリアA1とがシャッタ等によって仕切られている。搬入エリアA1は、加工エリアA2及び洗浄エリアA3と比べてクリーンに保たれている。   In the cleaning area A3, the wafer W after the back surface cleaning is picked up from the back surface cleaning mechanism 17 by the edge clamp type third transfer arm 16, and is transferred to the front surface cleaning mechanism 18 by the linear motor type moving mechanism 27. The The wafer W after the surface cleaning is picked up from the spinner table 29 by the carry-in / carry-out arm 3 and carried toward the carry-out cassette C2. In the processing apparatus 1, a processing area A2, a cleaning area A3, and a carry-in area A1 are partitioned by a shutter or the like. The carry-in area A1 is kept clean compared to the processing area A2 and the cleaning area A3.

このように構成された加工装置1では、まず搬入搬出アーム3により搬入用カセットC1から加工前のウェーハWが取り出され、プリアライメント機構4においてプリアライメントされる。次に、第1の搬送アーム14によってウェーハWがチャックテーブル5に搬送され、切削手段8によってウェーハWの外周縁が切削される。このとき、ウェーハWの外周部分だけがチャックテーブル5に保持され、ウェーハWの裏面全体がチャックテーブル5に接触することがない。加工後のウェーハWは、チャックテーブル5からの圧縮エアーによって浮上され、第2の搬送アーム15によって把持される。   In the processing apparatus 1 configured as described above, the wafer W before processing is first taken out from the loading cassette C1 by the loading / unloading arm 3 and pre-aligned by the pre-alignment mechanism 4. Next, the wafer W is transferred to the chuck table 5 by the first transfer arm 14, and the outer peripheral edge of the wafer W is cut by the cutting means 8. At this time, only the outer peripheral portion of the wafer W is held on the chuck table 5, and the entire back surface of the wafer W does not contact the chuck table 5. The processed wafer W is levitated by the compressed air from the chuck table 5 and is held by the second transfer arm 15.

そして、加工後のウェーハWは、第2の搬送アーム15によって裏面洗浄機構17に搬送されて裏面洗浄される。裏面洗浄後のウェーハWは、第3の搬送アーム16によって表面洗浄機構18に搬送されて表面洗浄される。表面洗浄後のウェーハWは、搬入搬出アーム3により搬出用カセットC2内に収容される。このように、本実施の形態に係るチャックテーブル5は、ウェーハWの加工時にはウェーハWの外周部だけを保持し、ウェーハWの搬送時にはウェーハWを圧縮エアーによって上昇させている。よって、ウェーハWの加工時及び搬出時のいずれにおいても、チャックテーブル5に対するウェーハWの裏面全体の接触が抑えられ、ウェーハWの裏面の汚染が抑制される。   Then, the processed wafer W is transferred to the back surface cleaning mechanism 17 by the second transfer arm 15 and cleaned on the back surface. The wafer W after the back surface cleaning is transferred to the surface cleaning mechanism 18 by the third transfer arm 16 and subjected to surface cleaning. The wafer W after the surface cleaning is accommodated in the unloading cassette C2 by the loading / unloading arm 3. As described above, the chuck table 5 according to the present embodiment holds only the outer periphery of the wafer W when processing the wafer W, and raises the wafer W with compressed air when the wafer W is transferred. Therefore, the contact of the entire back surface of the wafer W with the chuck table 5 is suppressed during both processing and unloading of the wafer W, and contamination of the back surface of the wafer W is suppressed.

以下、図3及び図4を参照して、搬送手段としての第1、第2の搬送アームの把持部及びチャックテーブルの詳細構成について説明する。図3は、本実施の形態に係る第1、第2の搬送アームの把持部の斜視図である。図4Aは、本実施の形態に係るチャックテーブルの斜視図である。図4Bは、本実施の形態に係るチャックテーブルの断面図である。なお、第1、第2の搬送アームの把持部は、図3に示す構成に限定されない。第1、第2の搬送アームの把持部は、ウェーハの外周部を把持可能であれば、どのような構成でもよい。また、第3の搬送アームの把持部も第1、第2の搬送アームの把持部と同様に構成されてもよい。   Hereinafter, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, detailed configurations of the gripping portions of the first and second transfer arms as the transfer means and the chuck table will be described. FIG. 3 is a perspective view of the grip portion of the first and second transfer arms according to the present embodiment. FIG. 4A is a perspective view of the chuck table according to the present embodiment. FIG. 4B is a cross-sectional view of the chuck table according to the present embodiment. The gripping portions of the first and second transfer arms are not limited to the configuration shown in FIG. The holding part of the first and second transfer arms may have any configuration as long as it can hold the outer peripheral part of the wafer. Further, the gripping portion of the third transfer arm may be configured similarly to the gripping portions of the first and second transfer arms.

図3に示すように、把持部35は、エッジクランプ式のハンドであり、4つのエッジクランプ爪48によってウェーハWの外周部を把持可能に構成されている。把持部35は、第1、第2の搬送アーム14、15の先端側に支持部36を介して支持されている。把持部35には、上面視矩形状のベース部37から四方に延びる長尺状のガイド台38が設けられている。各ガイド台38の先端側には、ベース部37の各側面45に対向するように支持壁46が設けられている。このベース部37の側面45と支持壁46とにボールネジ47の両端が支持されている。各ボールネジ47には、エッジクランプ爪48を設けた可動ブロック39が螺合されている。   As shown in FIG. 3, the grip portion 35 is an edge clamp type hand, and is configured to be able to grip the outer peripheral portion of the wafer W by four edge clamp claws 48. The grip part 35 is supported on the distal end side of the first and second transfer arms 14 and 15 via a support part 36. The grip portion 35 is provided with a long guide base 38 extending in four directions from a base portion 37 that is rectangular when viewed from above. A support wall 46 is provided on the distal end side of each guide base 38 so as to face each side surface 45 of the base portion 37. Both ends of the ball screw 47 are supported by the side surface 45 and the support wall 46 of the base portion 37. Each ball screw 47 is screwed with a movable block 39 provided with an edge clamp claw 48.

エッジクランプ爪48は、可動ブロック39の下面に設けられており、爪先49をベース部37側に向けた断面視略L字状に形成されている。また、各ボールネジ47は、ベース部37の内部において駆動モータ(不図示)に連結されている。そして、駆動モータが回転されることで、各可動ブロック39が各ガイド台38の下面にガイドされて相互に離間及び接近される。各可動ブロック39の接近によってウェーハWの下面がエッジクランプ爪48の爪先49に引っ掛けられることで、ウェーハWの外周部が把持部35に把持される。   The edge clamp claw 48 is provided on the lower surface of the movable block 39, and is formed in a substantially L shape in sectional view with the claw tip 49 facing the base portion 37 side. Each ball screw 47 is connected to a drive motor (not shown) inside the base portion 37. Then, by rotating the drive motor, each movable block 39 is guided by the lower surface of each guide base 38 and is separated and approached from each other. When the movable block 39 approaches, the lower surface of the wafer W is hooked on the claw tip 49 of the edge clamp claw 48 so that the outer peripheral portion of the wafer W is held by the holding portion 35.

図4A及び図4Bに示すように、チャックテーブル5は、テーブル本体51の外周に沿って環状保持部52が突出され、この環状保持部52に囲繞される中央凹部53に昇降プレート54が配置されて構成される。環状保持部52の上面は、ウェーハWの外周部を保持する環状保持面55となっている。環状保持面55には、環状溝56が形成されており、環状溝56の溝底には、周方向に並んで複数の吸引口57が開口されている。また、テーブル本体51には、一端が各吸引口57に連通するとともに他端が吸引源59に接続される吸引路58が形成されている。環状保持面55には、環状溝56、吸引口57、吸引路58を通じて吸引源59からの吸引力が付与される。   As shown in FIGS. 4A and 4B, the chuck table 5 has an annular holding portion 52 protruding along the outer periphery of the table body 51, and an elevating plate 54 is disposed in a central recess 53 surrounded by the annular holding portion 52. Configured. The upper surface of the annular holding portion 52 is an annular holding surface 55 that holds the outer peripheral portion of the wafer W. An annular groove 56 is formed in the annular holding surface 55, and a plurality of suction ports 57 are opened in the circumferential direction at the groove bottom of the annular groove 56. Further, the table body 51 is formed with a suction path 58 having one end communicating with each suction port 57 and the other end connected to the suction source 59. A suction force from the suction source 59 is applied to the annular holding surface 55 through the annular groove 56, the suction port 57, and the suction path 58.

昇降プレート54は、薄厚の円板状に形成されており、テーブル本体51の中央凹部53内に昇降可能に配置されている。昇降プレート54の中央には、ウェーハWの裏面に圧縮エアーを吹き付ける複数のエアー供給口61が周方向に並んで形成されている。昇降プレート54の外周側には、昇降プレート54の下面67から環状凸部62が突出されている。環状凸部62は、中央凹部53の底面63に形成された環状凹部64に収容されている。また、テーブル本体51には、一端が複数のエアー供給口61に連通され、他端が圧縮エアー供給源66に接続されるエアー供給路65が形成されている。   The elevating plate 54 is formed in a thin disk shape, and is disposed in the central recess 53 of the table body 51 so as to be able to be raised and lowered. In the center of the elevating plate 54, a plurality of air supply ports 61 for blowing compressed air onto the back surface of the wafer W are formed side by side in the circumferential direction. On the outer peripheral side of the elevating plate 54, an annular convex portion 62 projects from the lower surface 67 of the elevating plate 54. The annular convex part 62 is accommodated in an annular concave part 64 formed on the bottom surface 63 of the central concave part 53. The table main body 51 is formed with an air supply path 65 having one end communicating with the plurality of air supply ports 61 and the other end connected to a compressed air supply source 66.

昇降プレート54の下面67側には、昇降プレート54の下面67と環状凸部62の内周面68と中央凹部53の底面63とにより空間71が形成されている(図5C参照)。この空間71に対してエアー供給路65から圧縮エアーが供給されることで、昇降プレート54が持ち上げられると同時に複数のエアー供給口61からウェーハWに圧縮エアーが供給される。昇降プレート54の上面69側には、ウェーハWの裏面94と昇降プレート54の上面69との間に圧縮エアー層が形成され、圧縮エアー層によってウェーハWが浮上される。   On the lower surface 67 side of the elevating plate 54, a space 71 is formed by the lower surface 67 of the elevating plate 54, the inner peripheral surface 68 of the annular convex portion 62, and the bottom surface 63 of the central concave portion 53 (see FIG. 5C). By supplying compressed air from the air supply path 65 to the space 71, the lift plate 54 is lifted, and at the same time, compressed air is supplied to the wafer W from the plurality of air supply ports 61. On the upper surface 69 side of the elevating plate 54, a compressed air layer is formed between the back surface 94 of the wafer W and the upper surface 69 of the elevating plate 54, and the wafer W is floated by the compressed air layer.

昇降プレート54は、テーブル本体51に取り付けられた昇降ガイド72によって昇降可能にガイドされている。昇降ガイド72は、ボディ73にピン74が挿通されており、ボディ73内のスプリング75によってピン74が下方に付勢されている。ピン74の先端部は、ボディ73から突出しており、昇降プレート54の外周部に固定されている。昇降プレート54の昇降に応じて、ピン74がボディ73内を上下動することで、昇降プレート54の昇降がガイドされる。また、昇降ガイド72は、圧縮エアーの供給停止後に、スプリング75の付勢力によって昇降プレート54を上昇位置から下方位置に復帰させる。   The elevating plate 54 is guided by an elevating guide 72 attached to the table main body 51 so as to be elevable. In the lifting guide 72, a pin 74 is inserted into the body 73, and the pin 74 is urged downward by a spring 75 in the body 73. The tip of the pin 74 protrudes from the body 73 and is fixed to the outer periphery of the elevating plate 54. As the elevating plate 54 moves up and down, the pins 74 move up and down in the body 73 to guide the elevating and lowering of the elevating plate 54. The lifting guide 72 returns the lifting plate 54 from the raised position to the lower position by the biasing force of the spring 75 after the supply of compressed air is stopped.

昇降プレート54の厚みは、中央凹部53から突出した環状保持部52の突出長よりも薄く形成されている。このため、昇降プレート54が下方位置に位置付けられると、昇降プレート54の上面69が環状保持部52の環状保持面55よりも低くなる。ウェーハWの外周縁の切削時には、昇降プレート54が下方位置に位置付けられて、ウェーハWの外周部だけが環状保持面55に保持される。よって、ウェーハWの裏面94を汚染することなく、ウェーハWの外周縁を加工することができる。このとき、ウェーハWの外周部は、全周にわたって環状保持面55に支持されているため、ウェーハWの外周縁を精度よく加工できる。   The thickness of the elevating plate 54 is thinner than the protruding length of the annular holding portion 52 protruding from the central recess 53. For this reason, when the elevating plate 54 is positioned at the lower position, the upper surface 69 of the elevating plate 54 becomes lower than the annular holding surface 55 of the annular holding portion 52. At the time of cutting the outer peripheral edge of the wafer W, the elevating plate 54 is positioned at a lower position, and only the outer peripheral portion of the wafer W is held on the annular holding surface 55. Therefore, the outer peripheral edge of the wafer W can be processed without contaminating the back surface 94 of the wafer W. At this time, since the outer peripheral portion of the wafer W is supported by the annular holding surface 55 over the entire periphery, the outer peripheral edge of the wafer W can be processed with high accuracy.

昇降プレート54が上方位置に位置付けられると、昇降プレート54の上面69が環状保持部52の環状保持面55よりも高くなる。ウェーハWの搬送時には、昇降プレート54が上方位置に位置付けられ、さらに昇降プレート54の上方にウェーハWが浮上される。このとき、ウェーハWの外周部裏面94と環状保持部52の環状保持面55との間に、エッジクランプ爪48の爪先49(図3参照)が入り込む程度の隙間Lが形成される(図5C参照)。よって、ウェーハWの搬送時においても、ウェーハWの裏面94が昇降プレート54に接触することがない。ウェーハWの裏面94を汚染することなく、ウェーハWを搬送することができる。   When the elevating plate 54 is positioned at the upper position, the upper surface 69 of the elevating plate 54 is higher than the annular holding surface 55 of the annular holding portion 52. During the transfer of the wafer W, the elevating plate 54 is positioned at the upper position, and the wafer W is further levitated above the elevating plate 54. At this time, a gap L is formed between the outer peripheral back surface 94 of the wafer W and the annular holding surface 55 of the annular holding portion 52 so that the claw tip 49 (see FIG. 3) of the edge clamp claw 48 enters (FIG. 5C). reference). Therefore, even when the wafer W is transported, the back surface 94 of the wafer W does not contact the lifting plate 54. The wafer W can be transferred without contaminating the back surface 94 of the wafer W.

図5を参照して、昇降プレートの昇降動作及び把持部の搬出動作について説明する。図5は、本実施の形態に係る昇降プレートの昇降動作及び第2の搬送アームの搬出動作の動作説明図である。   With reference to FIG. 5, the raising / lowering operation | movement of a raising / lowering plate and the carrying-out operation | movement of a holding part are demonstrated. FIG. 5 is an operation explanatory view of the lifting / lowering operation of the lifting / lowering plate and the unloading operation of the second transfer arm according to the present embodiment.

図5Aに示すように、ウェーハWの外周縁の加工時には、ウェーハWの中心がチャックテーブル5の回転中心に一致するように、ウェーハWの外周部がチャックテーブル5の環状保持部52に保持される。このとき、昇降プレート54が下方位置に位置付けられ、ウェーハWの裏面94から昇降プレート54の上面69が離間されている。そして、切削ブレード87によってウェーハWの外周縁が切り込まれ、ウェーハWが回転されることでウェーハWの外周縁が円形切削加工される。   As shown in FIG. 5A, when processing the outer peripheral edge of the wafer W, the outer peripheral portion of the wafer W is held by the annular holding portion 52 of the chuck table 5 so that the center of the wafer W coincides with the rotation center of the chuck table 5. The At this time, the elevating plate 54 is positioned at a lower position, and the upper surface 69 of the elevating plate 54 is separated from the back surface 94 of the wafer W. Then, the outer peripheral edge of the wafer W is cut by the cutting blade 87, and the outer peripheral edge of the wafer W is circularly cut by rotating the wafer W.

図5Bに示すように、ウェーハWの外周縁がトリミングされると、チャックテーブル5の上方で第2の搬送アーム15(図1参照)の把持部35が待機される。このとき、把持部35の四方に位置するエッジクランプ爪48が相互に離間されており、エッジクランプ爪48の爪先49がウェーハWの径方向外側に位置している。また、エッジクランプ爪48の爪先49は、チャックテーブル5の環状保持面55に沿う高さ位置に位置付けられている。   As shown in FIG. 5B, when the outer peripheral edge of the wafer W is trimmed, the gripping portion 35 of the second transfer arm 15 (see FIG. 1) stands by above the chuck table 5. At this time, the edge clamp claws 48 located on the four sides of the grip portion 35 are separated from each other, and the claw tips 49 of the edge clamp claws 48 are located on the outer side in the radial direction of the wafer W. Further, the claw tip 49 of the edge clamp claw 48 is positioned at a height position along the annular holding surface 55 of the chuck table 5.

図5Cに示すように、把持部35が待機された状態で、環状保持部52の吸引が停止され、テーブル本体51内のエアー供給路65から昇降プレート54の下面67に向けて圧縮エアーが供給される。圧縮エアーは、昇降プレート54の下面67と環状凸部62の内周面68と中央凹部53の底面63とで形成される空間71に入り込み、昇降ガイド72のスプリング75の付勢力に抗して昇降プレート54を押し上げる。また、圧縮エアーは、昇降プレート54のエアー供給口61から上方に噴射され、ウェーハWの裏面94に吹き付けられる。これにより、ウェーハWの裏面94側に圧縮エアー層が形成され、ウェーハWが環状保持面55から浮上される。   As shown in FIG. 5C, the suction of the annular holding portion 52 is stopped while the gripping portion 35 is in a standby state, and compressed air is supplied from the air supply path 65 in the table body 51 toward the lower surface 67 of the elevating plate 54. Is done. The compressed air enters the space 71 formed by the lower surface 67 of the elevating plate 54, the inner peripheral surface 68 of the annular convex portion 62, and the bottom surface 63 of the central concave portion 53, and resists the biasing force of the spring 75 of the elevating guide 72. The lifting plate 54 is pushed up. Further, the compressed air is sprayed upward from the air supply port 61 of the elevating plate 54 and blown to the back surface 94 of the wafer W. Thereby, a compressed air layer is formed on the back surface 94 side of the wafer W, and the wafer W is floated from the annular holding surface 55.

昇降プレート54の上昇に伴って、圧縮エアー層を介してウェーハWが押し上げられる。昇降プレート54が上方位置に位置付けられると、昇降プレート54に対してウェーハWが浮遊状態で保持される。このとき、ウェーハWの外周部裏面と環状保持部52の環状保持面55との間に隙間Lが形成される。隙間Lは、エッジクランプ爪48の爪先49が入り込むことができる程度の大きさを有している。   As the elevating plate 54 rises, the wafer W is pushed up through the compressed air layer. When the elevating plate 54 is positioned at the upper position, the wafer W is held in a floating state with respect to the elevating plate 54. At this time, a gap L is formed between the back surface of the outer peripheral portion of the wafer W and the annular holding surface 55 of the annular holding portion 52. The gap L has such a size that the toe 49 of the edge clamp claw 48 can enter.

図5Dに示すように、エッジクランプ爪48が相互に接近され、ウェーハWの外周部裏面と環状保持部52の環状保持面55との隙間Lにエッジクランプ爪48の爪先49が入り込む。これにより、ウェーハWの外周部裏面がエッジクランプ爪48の爪先49に引っ掛けられ、ウェーハWの外周部が把持部35に把持される。ウェーハWは、把持部35によって把持されて、チャックテーブル5から搬出される。そして、圧縮エアーの供給が停止され、昇降ガイド72のスプリング75によって昇降プレート54が下方位置に戻される。このように、ウェーハWの円形切削加工時及び搬出時のいずれにおいても、ウェーハWに昇降プレート54が接触することがなく、ウェーハWの裏面94の汚染が抑制される。   As shown in FIG. 5D, the edge clamp claws 48 are brought close to each other, and the claw tips 49 of the edge clamp claws 48 enter the gap L between the back surface of the outer peripheral portion of the wafer W and the annular holding surface 55 of the annular holding portion 52. As a result, the back surface of the outer peripheral portion of the wafer W is hooked on the claw tip 49 of the edge clamp claw 48, and the outer peripheral portion of the wafer W is gripped by the grip portion 35. The wafer W is gripped by the gripping part 35 and unloaded from the chuck table 5. Then, the supply of compressed air is stopped, and the elevating plate 54 is returned to the lower position by the spring 75 of the elevating guide 72. In this way, the lifting plate 54 does not come into contact with the wafer W in both circular cutting and unloading of the wafer W, and contamination of the back surface 94 of the wafer W is suppressed.

以上のように、本実施の形態に係る加工装置によれば、チャックテーブル5上にウェーハWを保持する際には、昇降プレート54を下降させて、ウェーハWの裏面94から昇降プレート54を離間させる。また、チャックテーブル5からウェーハWを搬送する際には、昇降プレート54を上昇させると共に圧縮エアーによって、把持部35で把持できるようにウェーハWを浮上させる。よって、ウェーハWが切削される際には、ウェーハWの外周部だけが環状保持部52に保持され、ウェーハWの裏面全体がチャックテーブル5に保持されることがない。また、ウェーハWの搬送時にも圧縮エアー層によって浮上されるため、昇降プレート54にウェーハWが触れることがない。このため、ウェーハWの加工時及び搬送時のいずれにおいてもウェーハWの裏面94の汚染が抑制される。また、ウェーハWの加工時には、ウェーハWの外周部が全周にわたって環状保持部52に保持されるため、チャックテーブル5に切欠きが形成される構成のように加工品質が悪化することもない。さらに、把持部35によってウェーハWの外周部が把持されるため、デバイスが形成されるウェーハWの表面に触れることなく搬送可能である。   As described above, according to the processing apparatus according to the present embodiment, when holding the wafer W on the chuck table 5, the lifting plate 54 is lowered to separate the lifting plate 54 from the back surface 94 of the wafer W. Let Further, when the wafer W is transferred from the chuck table 5, the elevating plate 54 is raised and the wafer W is lifted by compressed air so that it can be held by the holding unit 35. Therefore, when the wafer W is cut, only the outer peripheral portion of the wafer W is held by the annular holding portion 52, and the entire back surface of the wafer W is not held by the chuck table 5. Further, since the compressed air layer is levitated when the wafer W is transported, the wafer W does not touch the elevating plate 54. For this reason, contamination of the back surface 94 of the wafer W is suppressed both when the wafer W is processed and transported. Further, at the time of processing the wafer W, since the outer peripheral portion of the wafer W is held by the annular holding portion 52 over the entire periphery, the processing quality is not deteriorated unlike the configuration in which the notch is formed in the chuck table 5. Further, since the outer peripheral portion of the wafer W is gripped by the gripping portion 35, the wafer W can be transported without touching the surface of the wafer W on which the device is formed.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、上記した実施の形態において、加工装置1が一対の切削ブレード87を交互に用いて円形切削加工する構成としたが、この構成に限定されない。加工装置1は、ウェーハWの外周縁を円形切削加工できればよく、単一の切削ブレード87を備える構成でもよい。   For example, in the above-described embodiment, the processing apparatus 1 is configured to perform circular cutting using a pair of cutting blades 87 alternately, but is not limited to this configuration. The processing apparatus 1 only needs to be able to circularly cut the outer peripheral edge of the wafer W, and may be configured to include a single cutting blade 87.

また、上記した実施の形態において、把持部35が4つのエッジクランプ爪48の爪先49によりウェーハWの外周部を把持する構成としたが、この構成に限定されない。把持部35は、ウェーハWの外周部を把持可能であれば、エッジクランプ爪48の数や爪先49の形状は特に限定されない。   In the above-described embodiment, the gripper 35 grips the outer peripheral portion of the wafer W by the claw tips 49 of the four edge clamp claws 48. However, the present invention is not limited to this configuration. The number of edge clamp claws 48 and the shape of the claw tips 49 are not particularly limited as long as the gripper 35 can grip the outer peripheral portion of the wafer W.

また、上記した実施の形態において、エアー供給口61が小さな円形であるが、この構成に限定されない。エアー供給口61は、ウェーハWに対して圧縮エアーを噴射可能な形状であればよく、例えば、中央から放射方向に延びる直線形状に形成されてもよい。また、昇降プレート54の表面に環状溝を形成して、環状溝の底面に開口されてもよい。   In the above-described embodiment, the air supply port 61 is a small circle, but is not limited to this configuration. The air supply port 61 only needs to have a shape capable of injecting compressed air onto the wafer W, and may be formed in a linear shape extending in the radial direction from the center, for example. Further, an annular groove may be formed on the surface of the elevating plate 54 and opened on the bottom surface of the annular groove.

また、上記した実施の形態において、フルオートタイプの加工装置を例示したが、この構成に限定されない。本発明は、セミオートタイプの加工装置にも適用可能である。また、本実施の形態において、センタリングテーブル41もチャックテーブル5と同様に構成されてもよい。   Further, in the above-described embodiment, the full-auto type processing apparatus is illustrated, but the present invention is not limited to this configuration. The present invention can also be applied to a semi-auto type processing apparatus. In the present embodiment, the centering table 41 may be configured in the same manner as the chuck table 5.

以上説明したように、本発明は、ウェーハの加工時及び搬送時のいずれにおいてもウェーハの裏面の汚染が抑制できるという効果を有し、特に、切削ブレードによってウェーハの外周縁を切削する加工装置に有用である。   As described above, the present invention has an effect that the contamination of the back surface of the wafer can be suppressed both during the processing and transfer of the wafer, and in particular, in a processing apparatus that cuts the outer peripheral edge of the wafer with a cutting blade. Useful.

1 加工装置
5 チャックテーブル
8 切削手段
15 第2の搬送アーム
35 把持部
48 エッジクランプ爪
49 爪先
51 テーブル本体
52 環状保持部
53 中央凹部
54 昇降プレート
55 環状保持面
56 環状溝
57 吸引口
58 吸引路
59 吸引源
61 エアー供給口
62 環状凸部
65 エアー供給路
66 圧縮エアー供給源
67 昇降プレートの下面
69 昇降プレートの上面
81 ブレードユニット
86 スピンドル
87 切削ブレード
91 面取り部
94 外周部裏面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing apparatus 5 Chuck table 8 Cutting means 15 2nd conveyance arm 35 Holding part 48 Edge clamp claw 49 Claw tip 51 Table main body 52 Annular holding part 53 Central recessed part 54 Lifting plate 55 Annular holding surface 56 Annular groove 57 Suction port 58 Suction path 59 suction source 61 air supply port 62 annular convex portion 65 air supply path 66 compressed air supply source 67 lower surface of the lift plate 69 upper surface of the lift plate 81 blade unit 86 spindle 87 cutting blade 91 chamfered portion 94 back surface of the outer peripheral portion

Claims (1)

ウェーハの外周縁をウェーハの表面から切削してウェーハに円形切削加工を施す加工装置であって、
ウェーハの裏面を保持しウェーハの表面を露出させる回転可能なチャックテーブルと、回転駆動されるスピンドルと、該スピンドルの先端部に装着され且つ該チャックテーブルに保持されたウェーハの表面の外周縁を切削する切削ブレードとを有する切削手段と、ウェーハの外周部を把持しウェーハを該チャックテーブル上に搬送する搬送手段と、を備え、
該チャックテーブルは、ウェーハの外周部を保持する環状保持面を有する環状保持部と、該環状保持面に開口する吸引口と、一端が該吸引口に連通するとともに他端が吸引源に接続される吸引路と、該環状保持部で囲繞される中央凹部と、その上面が該環状保持面よりも低い下方位置及びその上面が該環状保持面よりも高い上方位置に昇降可能に該中央凹部内に配設された昇降プレートと、該昇降プレートの該上面に複数個形成されたエアー供給口と、一端が該エアー供給口に他端が圧縮エアー供給源に接続されるエアー供給路と、を備え、
該切削手段によりウェーハが切削される際には、該昇降プレートは該下方位置に位置づけられ、該ウェーハの外周部が該環状保持部のみに保持され、
該搬送手段により該チャックテーブルにウェーハを搬入出する際には、該昇降プレートは該上方位置に位置づけられるとともに該エアー供給口から圧縮エアーが供給されウェーハが圧縮エアーに保持され上昇し、ウェーハの外周部裏面と該環状保持面との間に隙間が形成されることで該搬送手段によりウェーハの外周部が把持されること、を特徴とする加工装置。
A processing device that cuts the outer peripheral edge of a wafer from the surface of the wafer and performs circular cutting on the wafer,
A rotatable chuck table that holds the back surface of the wafer and exposes the front surface of the wafer, a spindle that is driven to rotate, and an outer peripheral edge of the front surface of the wafer that is mounted on the tip of the spindle and held on the chuck table. Cutting means having a cutting blade for carrying, and conveying means for gripping the outer periphery of the wafer and conveying the wafer onto the chuck table,
The chuck table has an annular holding portion having an annular holding surface for holding the outer peripheral portion of the wafer, a suction port opened to the annular holding surface, one end communicating with the suction port, and the other end connected to a suction source. A suction path, a central recess surrounded by the annular holding portion, a lower position whose upper surface is lower than the annular holding surface, and an upper position whose upper surface is higher than the annular holding surface. A plurality of elevating plates disposed on the upper surface of the elevating plate, an air supply port formed on the upper surface of the elevating plate, an air supply path having one end connected to the air supply port and the other end connected to a compressed air supply source. Prepared,
When the wafer is cut by the cutting means, the elevating plate is positioned at the lower position, and the outer peripheral portion of the wafer is held only by the annular holding portion,
When the wafer is carried into and out of the chuck table by the conveying means, the elevating plate is positioned at the upper position and compressed air is supplied from the air supply port so that the wafer is held by the compressed air and lifted. A processing apparatus, wherein a gap is formed between a back surface of the outer peripheral portion and the annular holding surface, whereby the outer peripheral portion of the wafer is gripped by the transfer means.
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