JP6038439B2 - チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造、およびチップ抵抗器の製造方法に関する。

従来から知られているチップ抵抗器（表面取付けレジスター）は、２つのリードと、中央抵抗部と、を備えている（たとえば、特許文献１参照）。中央抵抗部は、２つのリードに挟まれており、且つ、各リードに接合されている。このようなチップ抵抗器を製造するには複数のリールを用いる。具体的には、複数のリールの１つには、抵抗材料よりなるストリップが巻かれている。複数のリールの他の２つにはそれぞれ、導電材料よりなるストリップが巻かれている。そして各リールを回転させつつ各ストリップを引き出し、抵抗材料よりなるストリップを、導電材料よりなる２つのストリップが挟むようにストリップどうしを接合する。

同文献では、抵抗材料よりなるストリップと、導電材料よりなるストリップとを、電子ビーム溶接を用いて接合している。電子ビーム溶接は真空環境にて行う。そのため、電子ビーム溶接を行う際、各ストリップを真空チャンバーに収容したのち、真空チャンバーの内部を真空状態にする必要がある。各ストリップを真空チャンバーに収容すること、および、真空チャンバーの内部を真空状態にすることには手間を要する。更に、各ストリップどうしを接合したのち、真空チャンバーの内部を真空状態から大気圧に戻す必要もある。真空チャンバーの内部を真空状態から大気圧に戻す作業にも手間を要する。このように、各ストリップどうしを電子ビームで溶接する従来の方法は効率的ではない。

特許第３３２１７２４号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、第１電極と、上記第１電極に対し第１方向に離間している第２電極と、上記第１電極および上記第２電極に接合された抵抗部と、上記第１電極および上記抵抗部につながる第１中間層と、上記第２電極および上記抵抗部につながる第２中間層と、上記第１電極を覆う被覆膜と、を備え、上記被覆膜を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、上記第１電極を構成する材料よりも大きく、上記第１中間層は、上記被覆膜を構成する材料を少なくとも含む、チップ抵抗器が提供される。

好ましくは、上記被覆膜は、Ｓｎ、もしくはハンダよりなる。

好ましくは、上記抵抗部は、上記第１方向、および上記第１方向に交差する第２方向に広がる面に沿う形状であり、上記第１電極は、上記抵抗部の厚さ方向のうちの一方を向く第１主面を有し、上記被覆膜は、上記第１主面を覆う第１主面被覆部を含み、上記第１主面被覆部は、上記第１主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側の端から、上記第１主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側とは反対側の端にわたって、上記第１主面を覆っている。

好ましくは、上記第１電極は、上記第１主面の向く方向とは反対方向を向く第２主面を有し、上記被覆膜は、上記第２主面を覆う第２主面被覆部を含む。

好ましくは、上記第２主面被覆部は、上記第２主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側の端から、上記第２主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側とは反対側の端にわたって、上記第２主面を覆っている。

好ましくは、上記第２主面被覆部は、上記第１主面被覆部と同一の材料よりなる。

好ましくは、上記第１電極は、上記第２方向を向く第１側面を有し、上記第１側面は、上記被覆膜から露出している。

好ましくは、上記第１側面は、線状痕が形成された線状痕形成面と、上記線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された破断痕形成面と、を有する。

好ましくは、上記第１電極は、第２側面と、上記第１側面および上記第２側面につながる曲面と、を有し、上記第２側面は、上記第１方向のうち上記抵抗部の位置する側とは反対方向を向き、上記第２側面および上記曲面は、上記被覆膜から露出している。

好ましくは、上記第１電極は、第２側面を有し、上記第２側面は、上記第１方向のうち上記抵抗部の位置する側とは反対方向を向き、且つ、上記被覆膜に覆われている。

好ましくは、上記抵抗部は、上記第１電極と上記第２電極とに挟まれている。

好ましくは、上記第１中間層は、幅広部と幅狭部とを含み、上記幅広部および上記幅狭部は、互いに反対方向に露出している。

好ましくは、上記第１中間層は、幅広部と、上記第１方向における寸法が上記幅広部よりも小さい幅狭部とを含み、上記幅広部および上記幅狭部は、互いに反対方向に露出している。

好ましくは、上記第１電極は、上記第１方向および上記第１方向に交差する第２方向に沿う形状の板状部と、上記板状部に対し傾斜し且つ上記板状部よりも上記抵抗部に近接する斜行部と、を含む。

好ましくは、上記第１電極および上記第２電極は、上記抵抗部に対し同じ側に位置している。

好ましくは、上記抵抗部の厚さは、上記第１電極の厚さよりも薄い。

好ましくは、上記第１中間層内に存在する酸化物部を更に備え、上記酸化物部は、上記被覆膜を構成する材料の酸化物よりなる。

本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるチップ抵抗器と、実装基板と、上記実装基板および上記チップ抵抗器との間に介在しているハンダ層と、を備える、チップ抵抗器の実装構造が提供される。

本発明の第３の側面によると、導電材料よりなる導電性部材、および、抵抗材料よりなる抵抗体部材、を用意する工程と、上記導電性部材を覆う被覆膜を形成する工程と、上記被覆膜を形成する工程の後に、波長が所定波長である溶接レーザを照射することにより、上記導電性部材と上記抵抗体部材とを接合する工程と、を備え、上記被覆膜を構成する材料は、波長が上記所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、上記導電材料よりも大きく、上記接合する工程においては、上記溶接レーザを上記被覆膜に照射する、チップ抵抗器の製造方法が提供される。

好ましくは、上記被覆膜は、Ｓｎ、もしくはハンダよりなる。

好ましくは、上記被覆膜を形成する工程においては、メッキを用いる。

好ましくは、上記用意する工程においては、上記導電性部材として複数の導電性長板を用意し、上記接合する工程の前に、上記複数の導電性長板のいずれか一つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に沿って、上記複数の導電性長板を互いに離間した状態に配列する工程を更に備え、上記接合する工程においては、上記配列する工程の後に、上記複数の導電性長板に上記抵抗体部材を接合することにより、抵抗器集合体を形成する。

好ましくは、上記抵抗器集合体を、打ち抜きにより、２つの電極と上記２つの電極に接合された抵抗部とを含むチップ抵抗器に、分割する工程を更に備える。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。 図１のＶ−Ｖ線に沿う図（一部省略）である。 図１に示したチップ抵抗器の正面図である。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１の領域ＶＩＩＩの拡大図である。 図１の領域ＩＸの拡大図である。 各種材料の波長に対するレーザ光の吸収率の関係について示すグラフである。 本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う部分断面図である。 図１２に続く一工程を示す部分断面図である。 本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う部分断面図である。 本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。 図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う部分断面図である。 図１６に示す工程に続く一工程を示す平面図である。 図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う部分断面図である。 図１９に続く一工程を示す部分断面図である。 本発明の第１実施形態のチップ抵抗器における第１中間層の変形例を示す部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態のチップ抵抗器における第２中間層の変形例を示す部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態の第１変形例にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図２３に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。 図２３のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う（一部省略）である。 図２３に示したチップ抵抗器の正面図である。 本発明の第１実施形態の第１変形例にかかるチップ抵抗器の製造方法の一工程を示す部分断面図である。 本発明の第１実施形態の他の変形例にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。 図２９のＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 図２９に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。 図２９のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う図（一部省略）である。 本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図３４に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。 図３４のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ線に沿う図（一部省略）である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図１に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図５は、図１のＶ−Ｖ線に沿う図（一部省略）である。図６は、図１に示したチップ抵抗器の正面図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。図８は、図１の領域ＶＩＩＩの拡大図である。図９は、図１の領域ＩＸの拡大図である。

これらの図に示すチップ抵抗器の実装構造８００は、チップ抵抗器１０１と、実装基板８０１と、ハンダ層８０２とを備える。

実装基板８０１は、たとえばプリント配線基板である。実装基板８０１は、たとえば、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成されたパターン電極（図示略）とを含む。チップ抵抗器１０１は実装基板８０１に実装されている。チップ抵抗器１０１と、実装基板８０１との間には、ハンダ層８０２が介在している。ハンダ層８０２は、チップ抵抗器１０１と実装基板８０１とを接合している。

チップ抵抗器１０１は、第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１中間層４と、第２中間層５と、被覆膜６１と、被覆膜６２と、酸化物部６９１（図１では省略、図８参照）と、酸化物部６９２（図１では省略、図９参照）とを備える。図４、図５では、被覆膜６１もしくは被覆膜６２が形成されている領域を、ハッチングにより示している。

図１〜図６に示す第１電極１は導電材料よりなる。このような導電材料としては、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅが挙げられる。第１電極１の厚さは、たとえば、０．２〜１．５ｍｍである。チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装された状態において、第１電極１はハンダ層８０２に接合している。第１電極１は、ハンダ層８０２を介して、実装基板８０１におけるパターン電極（図示略）に導通している。本実施形態において、第１電極１は、板状部１８１と、斜行部１８２とを含む。

図１、図４、図５に示す板状部１８１はＸＹ平面に沿って広がる板状である。板状部１８１は、第１電極１の大部分を占めている。斜行部１８２はＸＹ平面に対し傾斜している形状である。具体的には、斜行部１８２は、板状部１８１から離れるほど方向Ｚ１に向かうように傾斜している。斜行部１８２は、方向Ｙに沿って延びる帯状である。斜行部１８２は板状部１８１につながっている。

第１電極１は、主面１１（第２主面）と、主面１２（第１主面）と、２つの側面１３（第１側面）と、側面１４（第２側面）と、２つの曲面１５とを有する。

主面１１は方向Ｚ１（後述の抵抗部３の厚さ方向のうちの一方）を向く。主面１２は方向Ｚ２（すなわち、主面１１の向く方向とは反対方向）を向く。側面１３，１４および曲面１５は、方向Ｚに直交するいずれかの方向を向く。具体的には、各側面１３は方向Ｙを向き、側面１４は方向Ｘを向く。そして曲面１５は側面１３および側面１４につながる。

図６、図７に示すように、側面１３は、線状痕形成面１３１と、破断痕形成面１３２とを有する。線状痕形成面１３１には線状痕が形成されている。線状痕は、方向Ｚに延びる線状の複数の細い溝よりなる。破断痕形成面１３２は、線状痕形成面１３１につながっている。破断痕形成面１３２には破断痕が形成されている。破断痕は、金属が引きちぎられる際に形成される凹凸形状である。図６に示すように、本実施形態において、線状痕形成面１３１は破断痕形成面１３２よりも主面１２側に位置している。チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装された状態において、線状痕形成面１３１はハンダ層８０２に覆われている。このような構成によると、線状痕形成面１３１を構成する細い溝をハンダがつたうことにより、側面１３のより多くの領域をハンダ層８０２によって覆うことができる。なお、本実施形態と異なり、破断痕形成面１３２が線状痕形成面１３１よりも主面１２側に位置していてもよい。

図６に示すように、側面１３と同様に、側面１４は、線状痕形成面１４１と、破断痕形成面１４２とを有する。側面１４における線状痕形成面１４１および破断痕形成面１４２は、側面１３における線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

図６に示すように、側面１３と同様に、曲面１５は、線状痕形成面１５１と、破断痕形成面１５２とを有する。曲面１５における線状痕形成面１５１および破断痕形成面１５２は、側面１３における線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

図１〜図６に示す第２電極２は導電材料よりなる。このような導電材料としては、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅが挙げられる。第２電極２の厚さは、たとえば、０．２〜１．５ｍｍである。チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装された状態において、第２電極２はハンダ層８０２に接合している。第２電極２は、ハンダ層８０２を介して、実装基板８０１におけるパターン電極（図示略）に導通している。本実施形態において、第２電極２は、板状部２８１と、斜行部２８２とを含む。

図１、図４、図５に示す板状部２８１はＸＹ平面に沿って広がる板状である。板状部２８１は、第２電極２の大部分を占めている。斜行部２８２はＸＹ平面に対し傾斜している形状である。具体的には、斜行部２８２は、板状部２８１から離れるほど方向Ｚ１に向かうように傾斜している。斜行部２８２は、方向Ｙに沿って延びる帯状である。斜行部２８２は板状部２８１につながっている。

第２電極２は、主面２１と、主面２２と、２つの側面２３と、側面２４と、２つの曲面２５とを有する。第２電極２は第１電極１に対し方向Ｘ（第１方向）に離間している。

主面２１は方向Ｚ１（後述の抵抗部３の厚さ方向のうちの一方）を向く。主面２２は方向Ｚ２（すなわち、主面１１の向く方向とは反対方向）を向く。側面２３，２４および曲面２５は、方向Ｚに直交するいずれかの方向を向く。具体的には、各側面２３は方向Ｙを向き、側面２４は方向Ｘを向く。そして曲面２５は側面２３および側面２４につながる。

図６に示すように、側面２３は、線状痕形成面２３１と、破断痕形成面２３２とを有する。側面２３における線状痕形成面２３１および破断痕形成面２３２は、側面１３における線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

図６に示すように、側面２３と同様に、側面２４は、線状痕形成面２４１と、破断痕形成面２４２とを有する。側面２４における線状痕形成面２４１および破断痕形成面２４２は、側面２３における線状痕形成面２３１および破断痕形成面２３２と同様であるから、説明を省略する。

図６に示すように、側面２３と同様に、曲面２５は、線状痕形成面２５１と、破断痕形成面２５２とを有する。曲面２５における線状痕形成面２５１および破断痕形成面２５２は、側面２３における線状痕形成面２３１および破断痕形成面２３２と同様であるから、説明を省略する。

図１、図４〜図６に示す抵抗部３は、第１方向である方向Ｘと第２方向である方向Ｙに沿う形状である。抵抗部３は、抵抗材料よりなる。このような抵抗材料としては、たとえば、ＣｕとＭｎとの合金、ＮｉとＣｒとの合金、ＮｉとＣｕとの合金、ないしＦｅとＣｒとの合金が挙げられる。ＣｕとＭｎとの合金は、比較的軟らかい。一方、ＮｉとＣｒとの合金、ＮｉとＣｕとの合金、および、ＦｅとＣｒとの合金は比較的硬い。抵抗部３を構成する材料である抵抗材料の抵抗率は、第１電極１ないし第２電極２を構成する材料である導電材料の抵抗率よりも、大きい。抵抗部３は、第１電極１および第２電極２に接合している。本実施形態において抵抗部３は、第１電極１および第２電極２に挟まれた位置に配置されている。

なお、本実施形態においては、板状部１８１よりも抵抗部３に近接する位置に斜行部１８２が位置している。同様に、板状部２８１よりも抵抗部３に近接する位置に斜行部２８２が位置している。

抵抗部３は、抵抗部表面３１と、抵抗部裏面３２と、２つの抵抗部側面３３とを有する。

抵抗部表面３１は、主面１１や主面２１が向く方向と同一方向（すなわち方向Ｚ１）を向く。抵抗部裏面３２は、抵抗部表面３１とは反対方向を向く。抵抗部裏面３２は、主面１２や主面２２が向く方向と同一方向（すなわち方向Ｚ２）を向く。抵抗部裏面３２よりも、抵抗部裏面３２が向く方向（すなわち方向Ｚ２）側に、主面１２の少なくとも一部、
および、主面２２の少なくとも一部が位置している。

図４、図６等に示す各抵抗部側面３３は、第１電極１および第２電極２が離間する方向と交差する方向（方向Ｙ）を向く。図６に示すように、各抵抗部側面３３は、線状痕形成面３３１と、破断痕形成面３３２とを有する。線状痕形成面３３１および破断痕形成面３３２は、上述の線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

図８に示すように、第１中間層４は、第１電極１と抵抗部３との間に介在している。第１中間層４は、第１電極１および抵抗部３につながっている。本実施形態において第１中間層４は、第１電極１および抵抗部３を接合するべく第１電極１もしくは抵抗部３に溶接レーザを照射する際に、形成されたものである。そのため、第１中間層４は、第１電極１を構成する材料と、抵抗部３を構成する材料と、被覆膜６１（後述）を構成する材料と、が混合した材料よりなる。すなわち、第１中間層６１は、被覆膜６１を構成する材料を少なくとも含む。

第１中間層４は、幅広部４３および幅狭部４４を含む。幅広部４３は方向Ｚ２に露出している。幅狭部４４は幅広部４３よりも方向Ｚ１側に位置する。幅狭部４４の方向Ｘにおける寸法は、幅広部４３の方向Ｘにおける寸法よりも小さい。すなわち、幅広部４３の幅は、幅狭部４４の幅よりも大きい。第１中間層４の幅とは、第１電極１のうちの第１中間層４に接合している部位と、抵抗部３のうちの第１中間層４に接合している部位と、が離間する方向における寸法のことをいう。幅広部４３の方向Ｘにおける寸法はたとえば１〜１．５ｍｍであり、幅狭部４４の方向Ｘにおける寸法はたとえば０．５〜１ｍｍである。なお、幅広部４３の表面にはバリ（図示略）が形成されている場合がある。なお、本実施形態とは異なり、図２１に示すように第１中間層４に凹部４９が形成されていてもよい。凹部４９は、幅広部４３の表面に形成されたバリ（図示略）を除去するために第１中間層４の一部を削りとった結果、形成されたものである。

図９に示すように、第１中間層４と同様に、第２中間層５は、第２電極２と抵抗部３との間に介在している。第２中間層５は、第２電極２および抵抗部３につながっている。本実施形態において第２中間層５は、第２電極２および抵抗部３を接合するべく第２電極２もしくは抵抗部３にレーザを照射する際に、形成されたものである。そのため、第２中間層５は、第２電極２を構成する材料と、抵抗部３を構成する材料と、被覆膜６２（後述）を構成する材料が混合した材料よりなる。すなわち、第２中間層６２は、被覆膜６１を構成する材料を少なくとも含む。

第２中間層５は、幅広部５３および幅狭部５４を含む。幅広部５３は方向Ｚ２に露出している。幅狭部５４は幅広部５３よりも方向Ｚ１側に位置する。幅狭部５４の方向Ｘにおける寸法は、幅広部５３の方向Ｘにおける寸法よりも小さい。すなわち、幅広部５３の幅は、幅狭部５４の幅よりも大きい。第２中間層５の幅とは、第２電極２のうちの第２中間層５に接合している部位と、抵抗部３のうちの第２中間層５に接合している部位と、が離間する方向における寸法のことをいう。幅広部５３の方向Ｘにおける寸法はたとえば１〜１．５ｍｍであり、幅狭部５４の方向Ｘにおける寸法はたとえば０．５〜１ｍｍである。なお、幅広部５３の表面にはバリ（図示略）が形成されている場合がある。なお、本実施形態とは異なり、図２２に示すように第２中間層５に凹部５９が形成されていてもよい。凹部５９は、幅広部５３の表面に形成されたバリ（図示略）を除去するために第２中間層５の一部を削りとった結果、形成されたものである。

被覆膜６１は第１電極１を覆っている。被覆膜６１を構成する材料は、波長が波長λ１であるときのレーザ光の吸収率が、第１電極１を構成する材料よりも大きい。波長λ１は、たとえば１．０３〜１．１０μｍであり、本実施形態では１．０５μｍである。

図１０には、各種材料の波長に対するレーザ光の吸収率の関係について示すグラフを示している。同グラフの横軸は波長（μｍ）であり、縦軸は吸収率（％）である。

同図に示すように、波長λ１が１．０５μｍであるとき、たとえば、第１電極１を構成する材料としてＣｕやＦｅやＮｉを用い、被覆膜６１を構成する材料としてＳｎやハンダ（Ｓｎを主成分としている）を用いるとよい。

被覆膜６１は、主面被覆部６１１（第２主面被覆部）と、主面被覆部６１２（第１主面被覆部）と、を含む。被覆膜６１の厚さは、たとえば、５μｍ程度である。

主面被覆部６１１は主面１１を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６１１は主面１１の全体を覆っている。図４に示すように、主面被覆部６１１は、主面１１のうち、方向Ｘにおける第２電極２の位置する側とは反対側の端を覆っている。すなわち、主面被覆部６１１は、主面１１のうち、主面１１と側面１４との境界近傍を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６１１は、主面１１のうち、方向Ｘにおける第２電極２の位置する側の端から、主面１１のうち、方向Ｘにおける第２電極２の位置する側とは反対側の端にわたって、主面１１を覆っている。すなわち、主面被覆部６１１は、主面１１のうち、第１中間層４の近傍から、主面１１のうち、主面１１と側面１４との境界近傍にわたって、主面１１を覆っている。主面被覆部６１１は、２つの側面１３の一方と主面１１との境界から、２つの側面１３の他方と主面１１との境界にわたって、主面１１を覆っている。主面被覆部６１１は、第１中間層４とつながっていても良いし、つながっていなくても良い。本実施形態とは異なり、主面被覆部６１１は主面１１の全体を覆っていなくてもよい。主面被覆部６１１から主面１１の一部が露出していてもよい。

主面被覆部６１２は主面１２を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６１２は主面１２の全体を覆っている。図５に示すように、主面被覆部６１２は、主面１２のうち、方向Ｘにおける第２電極２の位置する側とは反対側の端を覆っている。すなわち、主面被覆部６１２は、主面１２のうち、主面１２と側面１４との境界近傍を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６１２は、主面１２のうち、方向Ｘにおける第２電極２の位置する側の端から、主面１２のうち、方向Ｘにおける第２電極２の位置する側とは反対側の端にわたって、主面１２を覆っている。すなわち、主面被覆部６１２は、主面１２のうち、第１中間層４の近傍から、主面１２のうち、主面１１と側面１４との境界近傍にわたって、主面１２を覆っている。主面被覆部６１２は、２つの側面１３の一方と主面１２との境界から、２つの側面１３の他方と主面１２との境界にわたって、主面１２を覆っている。主面被覆部６１２は、第１中間層４とつながっていても良いし、つながっていなくても良い。本実施形態とは異なり、主面被覆部６１２は主面１２の全体を覆っていなくてもよい。主面被覆部６１２から主面１２の一部が露出していてもよい。

主面被覆部６１２は、主面被覆部６１１と同一の材料よりなる。これは、主面被覆部６１２と主面被覆部６１１とが同時に形成されたためである。なお、主面被覆部６１１と主面被覆部６１２とを同時に形成しない場合などには、主面被覆部６１１を構成する材料と、主面被覆部６１２を構成する材料とが異なっていても良い。図１に示すように、チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装されている状態において、主面被覆部６１２は、実装基板８０１に対向している。また、主面被覆部６１２はハンダ層８０２に覆われている。

本実施形態においては、被覆膜６１は、側面１３および側面１４のいずれをも覆っていない。そのため、被覆膜６１から側面１３および側面１４のいずれもが露出している。

被覆膜６２は第２電極２を覆っている。被覆膜６２を構成する材料は、波長が上述の波長λ１であるときのレーザ光の吸収率が、第２電極２を構成する材料よりも大きい。

図１０に示すように、波長λ１が１．０５μｍであるとき、たとえば、第２電極２を構成する材料としてＣｕやＦｅやＮｉを用い、被覆膜６２を構成する材料としてＳｎやハンダ（Ｓｎを主成分としている）を用いるとよい。

図１、図６、図９に示すように、被覆膜６２は、主面被覆部６２１と、主面被覆部６２２と、を含む。被覆膜６２の厚さは、たとえば、５μｍ程度である。

主面被覆部６２１は主面２１を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６２１は主面２１の全体を覆っている。図４に示すように、主面被覆部６２１は、主面２１のうち、方向Ｘにおける第１電極１の位置する側とは反対側の端を覆っている。すなわち、主面被覆部６２１は、主面２１のうち、主面２１と側面２４との境界近傍を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６２１は、主面２１のうち、方向Ｘにおける第１電極１の位置する側の端から、主面２１のうち、方向Ｘにおける第１電極１の位置する側とは反対側の端にわたって、主面２１を覆っている。すなわち、主面被覆部６２１は、主面２１のうち、第２中間層５の近傍から、主面２１のうち、主面２１と側面２４との境界近傍にわたって、主面２１を覆っている。主面被覆部６２１は、２つの側面２３の一方と主面２１との境界から、２つの側面２３の他方と主面２１との境界にわたって、主面２１を覆っている。主面被覆部６２１は、第２中間層５とつながっていても良いし、つながっていなくても良い。本実施形態とは異なり、主面被覆部６２１は主面２１の全体を覆っていなくてもよい。主面被覆部６２１から主面２１の一部が露出していてもよい。

主面被覆部６２２は主面２２を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６２２は主面２２の全体を覆っている。図５に示すように、主面被覆部６２２は、主面２２のうち、方向Ｘにおける第１電極１の位置する側とは反対側の端を覆っている。すなわち、主面被覆部６２２は、主面２２のうち、主面２２と側面２４との境界近傍を覆っている。本実施形態においては、主面被覆部６２２は、主面２２のうち、方向Ｘにおける第１電極１の位置する側の端から、主面２２のうち、方向Ｘにおける第１電極１の位置する側とは反対側の端にわたって、主面２２を覆っている。すなわち、主面被覆部６２２は、主面２２のうち、第２中間層５の近傍から、主面２２のうち、主面２２と側面２４との境界近傍にわたって、主面２２を覆っている。主面被覆部６２２は、２つの側面２３の一方と主面２２との境界から、２つの側面２３の他方と主面２２との境界にわたって、主面２２を覆っている。本実施形態とは異なり、主面被覆部６２２は主面２２の全体を覆っていなくてもよい。主面被覆部６２２から主面２２一部が露出していてもよい。

主面被覆部６２２は、主面被覆部６２１と同一の材料よりなる。これは、主面被覆部６２２と主面被覆部６２１とが同時に形成されたためである。図１に示すように、チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装されている状態において、主面被覆部６２２は、実装基板８０１に対向している。また、主面被覆部６２２はハンダ層８０２に覆われている。

本実施形態においては、被覆膜６２は、側面２３および側面２４のいずれをも覆っていない。そのため、被覆膜６２から側面２３および側面２４のいずれもが露出している。

図８に示すように、酸化物部６９１は、第１電極１、抵抗部３、および第１中間層４内に存在している。酸化物部６９１は、第１電極１、抵抗部３、および被覆膜６１のいずれかを構成する材料の酸化物よりなる。第１電極１内に存在する酸化物部６９１は、第１電極１を構成する材料の酸化物、もしくは、被覆膜６１を構成する材料の酸化物よりなる場合が多い。抵抗部３内に存在する酸化物部６９１は、抵抗部３を構成する材料の酸化物よりなる場合が多い。第１中間層４内に存在する酸化物部６９１は、第１電極１を構成する材料の酸化物、抵抗部３を構成する材料の酸化物、もしくは、被覆膜６１を構成する材料の酸化物よりなる。チップ抵抗器１０１の製造条件によっては、酸化物部６９１は、第１電極１や抵抗部３に形成されない場合も考えられる。なお、図８における酸化物部６９１は模式的に記載しており、実際には酸化物部６９１として粒状の物体が複数あるのではない。

図９に示すように、酸化物部６９２は、第２電極２、抵抗部３、および第２中間層５内に存在している。酸化物部６９２は、第２電極２、抵抗部３、および被覆膜６２のいずれかを構成する材料の酸化物よりなる。第２電極２内に存在する酸化物部６９２は、第２電極２を構成する材料の酸化物、もしくは、被覆膜６２を構成する材料の酸化物よりなる場合が多い。抵抗部３内に存在する酸化物部６９２は、抵抗部３を構成する材料の酸化物よりなる場合が多い。第２中間層５内に存在する酸化物部６９２は、第２電極２を構成する材料の酸化物、抵抗部３を構成する材料の酸化物、もしくは、被覆膜６２を構成する材料の酸化物よりなる。チップ抵抗器１０１の製造条件によっては、酸化物部６９２は、第２電極２や抵抗部３に形成されない場合も考えられる。なお、図９における酸化物部６９２は模式的に記載しており、実際には酸化物部６９２として粒状の物体が複数あるのではない。

次に、チップ抵抗器１０１の製造方法について説明する。

まず、図１１、図１２に示すように、導電性部材７０１を用意する。本実施形態において導電性部材７０１はリードフレームであり、少なくとも３つの導電性長板７１１を有する。本実施形態において導電性部材７０１は６つの導電性長板７１１を有する。複数の導電性長板７１１はそれぞれ、一方向に沿って延びている。導電性部材７０１において、複数の導電性長板７１１は、複数の導電性長板７１１のいずれか一つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に互いに離間した状態に、配列されている。図１２に示すように、各導電性長板７１１は断面形状が長矩形状である。なお、本実施形態においては導電性部材７０１を形成することにより、少なくとも３つの導電性長板７１１が、互いに離間した状態に配列される。

次に、図１３に示すように、導電性部材７０１に被覆膜６を形成する。被覆膜６は、のちに被覆膜６１もしくは被覆膜６２になる。被覆膜６の形成は、たとえば、メッキを用いる。被覆膜６の形成は、リードフレームを形成した後に行っても良いし、リードフレームを形成する前に行っても良い。

同様に、図１４、図１５に示すように、抵抗体部材７０２を用意する。本実施形態において抵抗体部材７０２は抵抗体フレームであり、複数の抵抗体長板７２１を有する。本実施形態において抵抗体部材７０２は５個の抵抗体長板７２１を有する。複数の抵抗体長板７２１はそれぞれ、一方向に沿って延びている。抵抗体部材７０２において、複数の抵抗体長板７２１は、複数の抵抗体長板７２１の延びる長手方向に交差する短手方向に互いに離間した状態に、配列されている。図１５に示すように、各抵抗体長板７２１は断面形状が長矩形状である。なお、図１４においては、理解の便宜上、抵抗体部材７０２にハッチングを付している。図１４以降のチップ抵抗器の製造方法にかかる平面図においても同様である。本実施形態と異なり、抵抗体部材７０２は、複数の導電性長板７１１の平面視のサイズに相当する大きな平板であってもよい。

次に、図１６、図１７に示すように、導電性部材７０１と抵抗体部材７０２とを接合することにより、抵抗器集合体７０３を形成する。抵抗器集合体７０３を形成するには、導電性部材７０１における少なくとも３つの導電性長板７１１に、抵抗体部材７０２を接合する。本実施形態においては、複数の抵抗体長板７２１をそれぞれ、少なくとも３つの導電性長板７１１のうちの互いに隣接するいずれか２つに接合する。このとき、少なくとも３つの導電性長板７１１のうち互いに隣接するいずれか２つに挟まれた位置に、複数の抵抗体長板７２１はそれぞれ配置される。

導電性長板７１１に抵抗体部材７０２を接合するには、レーザを用いる。図１７に示すように、溶接レーザ８８１を、たとえば、方向Ｚ１に沿って、導電性長板７１１と抵抗体長板７２１の隙間に照射する。溶接レーザ８８１としてはファイバーレーザを用いることができるが、溶接レーザ８８１はファイバーレーザに限定されない。ファイバーレーザは、コンパクトな発振器を用いて、大出力のレーザ光を出力するのに適する。本実施形態の溶接レーザ８８１の波長は、上述の波長λ１であり、１．０５μｍである。上述のように被覆膜６が導電性部材７０１（すなわち導電性長板７１１）を覆っているから、溶接レーザ８８１は導電性部材７０１に照射される前に、被覆膜６に照射される。そして、溶接レーザ８８１が被覆膜６に照射され被覆膜６が溶融し導電性部材７０１が被覆膜６から露出する。導電性部材７０１が被覆膜６から露出した後、導電性部材７０１に溶接レーザ８８１が直接照射される。溶接レーザ８８１が導電性部材７０１（導電性長板７１１）および抵抗体部材７０２を溶融させることにより、導電性部材７０１（導電性長板７１１）と抵抗体部材７０２とが接合する。導電性部材７０１、抵抗体部材７０２、および被覆膜６が溶融したものが凝固し、図１に示した第１中間層４や第２中間層５になる部位が形成される。

導電性部材７０１と抵抗体部材７０２との接合は、レーザを用いるため、真空ではなく空気中で行われる。空気には酸素が多く含まれる。そのため、溶接レーザ８８１が照射されることにより被覆膜６１や第１電極１や抵抗部３が溶融する際に（もしくは溶融する前後に）、被覆膜６１を構成する材料や、第１電極１を構成する材料や、抵抗部３を構成する材料の酸化物が形成される。この酸化物は、上述の酸化物部６９１を構成する。酸化物部６９２に関しても同様である。

次に、図１８〜図２０に示すように、抵抗器集合体７０３を、打ち抜きにより、複数のチップ抵抗器１０１に一括して分割する。図１８においては、抵抗器集合体７０３におけるチップ抵抗器１０１となるべき領域を、それぞれ、２点鎖線で示している。一つの抵抗器集合体７０３から、たとえば４０個程度のチップ抵抗器１０１を得ることができる。抵抗器集合体７０３を複数のチップ抵抗器１０１に分割するには、平面視のサイズが複数のチップ抵抗器１０１に相当する２つの打ち抜き金型８３１，８３２（図１９参照）を用いる。打ち抜き金型８３１と打ち抜き金型８３２とで抵抗器集合体７０３を挟みこむことにより、抵抗器集合体７０３を打ち抜く。抵抗器集合体７０３を打ち抜くことにより、上述の第１電極１における曲面１５や、上述の第２電極２における曲面２５が形成されることがある。

図２０に示すように、抵抗器集合体７０３を打ち抜く工程と同時に、複数の導電性長板７１１のいずれか１つを折り曲げる工程を行う。本実施形態では、第１電極１や第２電極２における抵抗部３に近接する部位が、第１電極１や第２電極２における抵抗部３から遠い部位よりも、上述の溶接レーザ８８１が進行する方向Ｚ１側に位置するように、各導電性長板７１１を折り曲げる。以上のようにしてチップ抵抗器１０１を複数製造することができる。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

仮に電子ビームを用いて、導電性部材７０１と抵抗体部材７０２とを接合したならば、真空チャンバー内に導電性部材７０１と抵抗体部材７０２とを収容する必要がある。本実施形態においては、溶接レーザ８８１を用いて導電性部材７０１と抵抗体部材７０２とを接合する。レーザを用いる溶接は大気圧中で行うことができ、真空の環境で行う必要がない。そのため溶接を行う際に、導電性部材７０１および抵抗体部材７０２を真空チャンバー内に収容する必要がなく、真空チャンバー内を真空にする必要もない。また、溶接を終えた後に真空チャンバーの内部を真空状態から大気圧に戻す作業も必要ない。以上より、溶接レーザ８８１を用いる本実施形態にかかる方法は、真空中にて溶接することに伴う煩わしい作業を省くことができる。したがって、本実施形態にかかる方法はチップ抵抗器１０１の製造の効率化を図るのに適する。

本実施形態においては、被覆膜６を構成する材料は、波長が波長λ１であるときのレーザ光の吸収率が、導電性部材７０１を構成する材料よりも大きい。また、導電性部材７０１と抵抗体部材７０２とを接合する工程においては、波長が波長λ１である溶接レーザ８８１を被覆膜６に照射する。このような構成では、溶接レーザ８８１が被覆膜６に照射されると、被覆膜６にて多くの熱が発生する。被覆膜６にて発生した熱の一部は、被覆膜６を溶融するために用いられる。一方、被覆膜６にて発生した熱の一部は導電性部材７０１に伝わる。被覆膜６から導電性部材７０１に伝わった熱は、導電性部材７０１を溶融させるのに用いられる。このことは、導電性部材７０１の溶融をより早く開始させるのに適する。したがって、導電性部材７０１と抵抗体部材７０２との接合に要する時間を短縮することができる。もしくは、導電性部材７０１と抵抗体部材７０２との接合に要する時間を短縮させるのではなく、溶接レーザ８８１のエネルギを低くすることもできる。もしくは、導電性部材７０１と抵抗体部材７０２との接合に要する時間を短縮させるとともに、溶接レーザ８８１のエネルギを低くすることができる。以上より、本実施形態にかかる方法は、チップ抵抗器１０１の製造の効率化を図るのに適する。

本実施形態においては、被覆膜６１および被覆膜６２は、Ｓｎ、もしくはハンダよりなる。被覆膜６１は主面被覆部６１２を含む。主面被覆部６１２は、主面１２のうち方向Ｘにおける第２電極２の位置する側とは反対側の端を覆っている。Ｓｎ、およびハンダはいずれも、はんだ濡れ性が良好な材料である。そのため、主面被覆部６１２とハンダ層８０２とをより強固に接合することができる。したがって、チップ抵抗器１０１を実装基板８０１により強固に接合することができる。同様に、被覆膜６２は主面被覆部６２２を含む。主面被覆部６２２は、主面２２のうち方向Ｘにおける第１電極１の位置する側とは反対側の端を覆っている。このような構成によっても、主面被覆部６２２とハンダ層８０２とをより強固に接合することができる。したがって、主面被覆部６２２を実装基板８０１により強固に接合することができる。

本実施形態においては、被覆膜６１は主面被覆部６１１を含む。主面被覆部６１１は、主面１１を覆っている。このような構成によると、主面１１が酸化したり変色したりすることを抑制できる。同様に、被覆膜６２は主面被覆部６２１を含む。主面被覆部６２１は主面２１を覆っている。このような構成によると、主面２１が酸化したり変色したりすることを抑制できる。

本実施形態においては、少なくとも３つの導電性長板７１１に抵抗体部材７０２を接合することにより、抵抗器集合体７０３を形成する。このような構成によると、図１８に示した方向Ｙにおける単位長さ当たりにおいて得ることのできるチップ抵抗器１０１の数を多くすることができる。また、本実施形態においては、抵抗器集合体７０３を、打ち抜きにより、複数のチップ抵抗器１０１に一括して分割する。このような構成によると、チップ抵抗器１０１を順次切断する必要がない。そのため、チップ抵抗器１０１の製造の効率化を図ることができる。以上より、本実施形態にかかる方法は、チップ抵抗器１０１を効率よく製造するのに適する。

また、打ち抜きによりチップ抵抗器１０１を製造するため、チップ抵抗器１０１の平面視の寸法精度は、打ち抜き金型８３１，８３２の形状の寸法精度により規定される。そのため、チップ抵抗器１０１の抵抗部３の方向Ｙにおける寸法精度も、打ち抜き金型８３１，８３２の寸法精度により規定される。本実施形態にかかる方法によると、抵抗器集合体７０３を打ち抜く前に、所望の寸法精度となっている打ち抜き金型８３１，８３２を選択することができる。よって、ストリップ（従来技術の項を参照）を順次切断する場合に比べ、抵抗部３の方向Ｙにおける寸法誤差をより小さくすることが可能となる。抵抗部３の方向Ｙにおける寸法誤差を小さくすることができると、抵抗部３の抵抗値すなわちチップ抵抗器１０１の抵抗値が所望の値となっているものを、より多く得ることができる。チップ抵抗器１０１の抵抗値が所望の値となっている場合、チップ抵抗器１０１の抵抗値を微調整するトリミングを行う手間を省ける。よって、トリミングを行うべきチップ抵抗器１０１の数を削減できる。これは、チップ抵抗器１０１の製造の効率化に適する。

本実施形態においては、導電性部材７０１としてリードフレームを用い、抵抗体部材７０２として抵抗体フレームを用いる。そのため、複数の導電性長板７１１や複数の抵抗体長板７２１を別々に保持する必要がなく、ハンドリングしやすい。

本実施形態においては、従来のチップ抵抗器の製造方法にて用いていたリールを使用しない。そのため、リールに抵抗材料や導電材料よりなるストリップを巻きつける必要もない。よって、リールにストリップを巻きつけるための大型の装置を用いる必要がない。また、リールからストリップを引き出すことも必要ない。よって、リールからストリップを引き出すための大型の装置を用いる必要もない。

リールを用いてチップ抵抗器を製造する場合には、ストリップのある箇所でトラブルが生じると、製造ライン全体が停止する不具合が生じる。しかしながら、本実施形態においてはリールを用いないため、このような不具合が生じない。

本実施形態においては、溶接レーザ８８１を、方向Ｚ１に沿って照射する。このような構成によると、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１のうち方向Ｚ２側の部位が、高エネルギビームのエネルギを吸収しやすいため、溶融しやすい。よって、チップ抵抗器１０１における第１中間層４には、方向Ｚ２に露出する幅広部４３が形成される。幅広部４３の表面にはバリ（図示略）が形成される場合がある。また、本実施形態においては、第１電極１や第２電極２における抵抗部３に近接する部位が、第１電極１や第２電極２における抵抗部３から遠い部位よりも、溶接レーザ８８１が進行する方向Ｚ１側に位置するように、各導電性長板７１１を折り曲げる。このような方法によると、幅広部４３の表面にバリが形成されたとしても、当該バリは、チップ抵抗器１０１の凹んだ部分に形成されるのみであり、チップ抵抗器１０１の方向Ｚ１側に形成されるわけではない。そのため、チップ抵抗器１０１を移動させる際に用いる保持部材（図示略）がチップ抵抗器１０１を掴む時に当該バリに接触するおそれを、回避できる。これは、チップ抵抗器１０１を安定して移動させるのに適する。

次に、本実施形態の変形例および他の実施形態等について説明する。なお、以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。

＜第１実施形態の第１変形例＞
図２３は、本発明の第１実施形態の第１変形例にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図２４は、図２３に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図２５は、図２３のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う（一部省略）である。図２６は、図２３に示したチップ抵抗器の正面図である。

本変形例のチップ抵抗器１０２は、第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１中間層４と、第２中間層５と、被覆膜６１と、被覆膜６２と、酸化物部６９１（本変形例では図示略、図８参照）と、酸化物部６９２（本変形例では図示略、図９参照）と、を備える。本変形例においては、抵抗部３、第１中間層４、第２中間層５、および酸化物部６９１，６９２の各構成は上述のチップ抵抗器１０１における構成と同様であるから、説明を省略する。

第１電極１は、主面１１（第２主面）と、主面１２（第１主面）と、２つの側面１３（第１側面）と、側面１４（第２側面）とを有し、曲面１５を有さない。本変形例の第１電極１は、曲面１５を有さない点、および、後述する側面１４の具体的構成以外については、上述のチップ抵抗器１０１にて説明したのと同様である。

側面１４は被覆膜６１に覆われている。側面１４は、上述したのとは異なり、線状痕形成面１４１および破断痕形成面１４２のいずれをも有さない。側面１４は平坦である。

第２電極２は、主面２１と、主面２２と、２つの側面２３と、側面２４と、を有し、曲面２５を有さない。本変形例の第２電極２は、曲面２５を有さない点、および、後述する側面２４の具体的構成以外については、上述のチップ抵抗器１０１にて説明したのと同様である。

側面２４は被覆膜６２に覆われている。側面２４は、上述したのとは異なり、線状痕形成面２４１および破断痕形成面２４２のいずれをも有さない。側面２４は平坦である。

被覆膜６１は、側面被覆部６１３を更に含む点を除き、上述のチップ抵抗器１０１における被覆膜６１と同様である。側面被覆部６１３は側面１４を覆っている。側面被覆部６１３は、主面被覆部６１１および主面被覆部６１２のいずれにもつながっている。なお、図２７に示すように、チップ抵抗器１０２を製造する際、打ち抜き金型８３１や打ち抜き金型８３２は、導電性長板７１１とこれに隣接する導電性長板７１１との隙間にて重ね合わされる。そのため、打ち抜き金型８３１および打ち抜き金型８３２によって打ち抜いた後であっても、導電性長板７１１の側面には被覆膜６が形成されたままである。そのため、被覆膜６１は側面被覆部６１３を有することとなる。なお、後述の側面被覆部６２３についても同様である。

被覆膜６２は、側面被覆部６２３を更に含む点を除き、上述のチップ抵抗器１０１における被覆膜６２と同様である。側面被覆部６２３は側面２４を覆っている。側面被覆部６２３は、主面被覆部６２１および主面被覆部６２２のいずれにもつながっている。

本変形例によると、チップ抵抗器１０１に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。

チップ抵抗器１０２においては、被覆膜６１が側面被覆部６１３を含む。側面被覆部６１３ははんだ濡れ性の良好な材料よりなる。そのため、側面被覆部６１３とハンダ層８０２とをより強固に接合することができる。したがって、チップ抵抗器１０２を実装基板８０１により強固に接合することができる。チップ抵抗器１０２においては、被覆膜６２が側面被覆部６２３を含む。側面被覆部６２３ははんだ濡れ性の良好な材料よりなる。そのため、側面被覆部６２３とハンダ層８０２とをより強固に接合することができる。したがって、チップ抵抗器１０２を実装基板８０１により強固に接合することができる。

＜第１実施形態の他の変形例＞
溶接レーザ８８１（図１７参照）を方向Ｚ１に沿って照射するのではなく、方向Ｚ２に沿って照射してもよい。この場合、図２８に示すように、第１中間層４および第２中間層５の上下方向が図１に示した場合とは反対となる。

＜第２実施形態＞
図２９は、本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図３０は、図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。図３１は、図２９のＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。図３２は、図２９に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図３３は、図２９のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う図（一部省略）である。

これらの図に示すチップ抵抗器１０４は、第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１中間層４と、第２中間層５と、被覆膜６１と、被覆膜６２と、酸化物部６９１（本実施形態では図示略、図８参照）と、酸化物部６９２（本実施形態では図示略、図９参照）と、を備える。図３２、図３３では、被覆膜６１，６２が形成されている領域を、ハッチングにより示している。抵抗部３、酸化物部６９１，６９２は、チップ抵抗器１０１における構成とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

第１電極１、第２電極２、第１中間層４、第２中間層５、被覆膜６１、および被覆膜６２は、下記の点を除き、チップ抵抗器１０１に関して説明したのと同様である。

第１電極１および第２電極２の厚さ（方向Ｚにおける寸法）が、抵抗部３の厚さ（方向Ｚにおける寸法）よりも大きい。また、チップ抵抗器１０４における第１電極１および第２電極２はＸＹ平面に沿う板状であり、第１電極１および第２電極２はいずれも斜行部を含まない。

第１電極１は内側面１６を有し、第２電極２は内側面２６を有する。内側面１６は第２電極２の位置する側を向き、内側面２６は第１電極１の位置する側を向く。内側面１６および内側面２６は互いに対向している。内側面１６および内側面２６はいずれも平坦である。内側面１６は被覆膜６１に覆われている。一方、内側面２６は被覆膜６２に覆われている。第１中間層４および第２中間層５は、チップ抵抗器１０１に対し上下方向が逆になっている。

チップ抵抗器１０４の製造方法は、導電性部材７０１における導電性長板７１１（図１２参照）の厚さが、抵抗体部材７０２における抵抗体長板７２１（図１５参照）の厚さよりも、大きい点を除き、チップ抵抗器１０１の製造方法とほぼ同様であるから、説明を省略する。なお、チップ抵抗器１０４を製造する際には導電性長板７１１を折り曲げる工程を行わない。

本実施形態によっても、チップ抵抗器１０１に関して述べたのと同様の作用効果を奏することができる。

チップ抵抗器１０４においては側面１４が被覆膜６１に覆われていないが、チップ抵抗器１０４において、第１実施形態の第１変形例のように側面１４が被覆膜６１に覆われている構成を採用しても良い。同様に、チップ抵抗器１０４について、側面２４が被覆膜６２に覆われている構成を採用しても良い。

＜第３実施形態＞
図３４は、本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図３５は、図３４に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図３６は、図３４のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ線に沿う図（一部省略）である。

チップ抵抗器１０６は、第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１中間層４と、第２中間層５と、被覆膜６１と、被覆膜６２と、酸化物部６９１（本実施形態では図示略、図８参照）と、酸化物部６９２（本実施形態では図示略、図９参照）と、を備える。図３５、図３６では、被覆膜６１，６２が形成されている領域を、ハッチングにより示している。チップ抵抗器１０６は、下記の点を除き、チップ抵抗器１０４とほぼ同様である。

チップ抵抗器１０６において、第１電極１および第２電極２のいずれもが、抵抗部３の同じ側に位置している。図３４に示すように、第１中間層４および第２中間層５が同図の横方向（方向Ｘ）に延びる形状である。

本実施形態によっても、チップ抵抗器１０１に関して述べたのと同様の作用効果を奏することができる。

チップ抵抗器１０６に電流が流れる際、抵抗部３のうち抵抗として機能する部位は、平面視（方向Ｚ視）において第１電極１および第２電極２に挟まれた隙間に重なる部位である。そのため、チップ抵抗器１０６における抵抗値は、第１電極１および第２電極２の離間距離により規定されるといえる。よって、第１電極１および第２電極２の離間距離を、抵抗器集合体７０３の段階から調整することにより、チップ抵抗器１０６の抵抗値を微調整することができる。チップ抵抗器１０６の抵抗値を微調整することができると、トリミングをすべきチップ抵抗器１０６の個数の削減を図ることが可能となる。これは、チップ抵抗器１０６の製造効率化を図るのに適する。

チップ抵抗器１０６においては側面１４が被覆膜６１に覆われていないが、チップ抵抗器１０６において、第１実施形態の第１変形例のように側面１４が被覆膜６１に覆われている構成を採用しても良い。同様に、チップ抵抗器１０６について、側面２４が被覆膜６２に覆われている構成を採用しても良い。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

側面１３が被覆膜６１に覆われていない例を上では示したが、側面１３が被覆膜６１に覆われていても良い。同様に、側面２３が被覆膜６２に覆われていない例を上では示したが、側面２３が被覆膜６２に覆われていても良い。

チップ抵抗器を製造するためにリードフレームを用いる必要は必ずしもない。たとえば、導電材料よりなる別体の２つのバーと、抵抗材料よりなるバーとを接合することによりチップ抵抗器を製造してもよい。上記実施形態では一括して複数のチップ抵抗器を打ち抜く例を示したが、順番に１つずつチップ抵抗器を打ち抜いても良い。打ち抜きを用いるのが上述したメリットを享受できる点において好ましいが、打ち抜きを使わず、レーザビーム溶断などの別の切断方法を用いても良い。

また、従来技術で説明したようなリールを用いて、チップ抵抗器を製造してもよい。

８００ 実装構造
８０１ 実装基板
８０２ ハンダ層
１０１，１０２，１０４，１０６ チップ抵抗器
１ 第１電極
１１ 主面
１２ 主面
１３ 側面
１４ 側面
１３１ 線状痕形成面
１４１ 線状痕形成面
１３２ 破断痕形成面
１４２ 破断痕形成面
１５ 曲面
１５１ 線状痕形成面
１５２ 破断痕形成面
１６ 内側面
１８１ 板状部
１８２ 斜行部
２ 第２電極
２１ 主面
２２ 主面
２３ 側面
２４ 側面
２６ 内側面
２３１ 線状痕形成面
２４１ 線状痕形成面
２３２ 破断痕形成面
２４２ 破断痕形成面
２５ 曲面
２５１ 線状痕形成面
２５２ 破断痕形成面
２８１ 板状部
２８２ 斜行部
３ 抵抗部
３１ 抵抗部表面
３２ 抵抗部裏面
３３ 抵抗部側面
３３１ 線状痕形成面
３３２ 破断痕形成面
４ 第１中間層
４３ 幅広部
４４ 幅狭部
４９ 凹部
５ 第２中間層
５３ 幅広部
５４ 幅狭部
５９ 凹部
６ 被覆膜
６１ 被覆膜
６１１ 主面被覆部
６１２ 主面被覆部
６１３ 側面被覆部
６２ 被覆膜
６２１ 主面被覆部
６２２ 主面被覆部
６２３ 側面被覆部
６９１，６９２ 酸化物部
７０１ 導電性部材
７０２ 抵抗体部材
７０３ 抵抗器集合体
７１１ 導電性長板
７２１ 抵抗体長板
８３１ 打ち抜き金型
８３２ 打ち抜き金型
８８１ 溶接レーザ

Claims (17)

1. 第１電極と、
   上記第１電極に対し第１方向に離間している第２電極と、
   上記第１電極および上記第２電極に接合された抵抗部と、
   上記第１電極および上記抵抗部につながる第１中間層と、
   上記第２電極および上記抵抗部につながる第２中間層と、
   上記第１電極を覆う被覆膜と、を備え、
   上記被覆膜を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、上記第１電極を構成する材料よりも大きく、上記第１中間層は、上記被覆膜を構成する材料を少なくとも含み、
   上記第１中間層は、第１幅広部と、上記第１方向における寸法が上記第１幅広部よりも小さい第１幅狭部とを含み、上記第１幅広部および上記第１幅狭部は、互いに反対方向に露出しており、
   上記第１電極および上記抵抗部に対して上記第１幅広部を内方に位置させる第１凹部が形成されている、チップ抵抗器。
2. 上記第２中間層は、第２幅広部と、上記第１方向における寸法が上記第２幅広部よりも小さい第２幅狭部とを含み、上記第２幅広部および上記第２幅狭部は、互いに反対方向に露出しており、
   上記第２電極および上記抵抗部に対して上記第２幅広部を内方に位置させる第２凹部が形成されている、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 上記被覆膜は、Ｓｎ、もしくはハンダよりなる、請求項１または２に記載のチップ抵抗器。
4. 上記抵抗部は、上記第１方向、および上記第１方向に交差する第２方向に広がる面に沿う形状であり、
   上記第１電極は、上記抵抗部の厚さ方向のうちの一方を向く第１主面を有し、
   上記被覆膜は、上記第１主面を覆う第１主面被覆部を含み、上記第１主面被覆部は、上記第１主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側の端から、上記第１主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側とは反対側の端にわたって、上記第１主面を覆っている、請求項３に記載のチップ抵抗器。
5. 上記第１電極は、上記第１主面の向く方向とは反対方向を向く第２主面を有し、
   上記被覆膜は、上記第２主面を覆う第２主面被覆部を含む、請求項４に記載のチップ抵抗器。
6. 上記第２主面被覆部は、上記第２主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側の端から、上記第２主面のうち、上記第１方向における上記第２電極の位置する側とは反対側の端にわたって、上記第２主面を覆っている、請求項５に記載のチップ抵抗器。
7. 上記第２主面被覆部は、上記第１主面被覆部と同一の材料よりなる、請求項５または請求項６に記載のチップ抵抗器。
8. 上記第１電極は、上記第２方向を向く第１側面を有し、上記第１側面は、上記被覆膜から露出している、請求項４ないし請求項７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
9. 上記第１側面は、線状痕が形成された線状痕形成面と、上記線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された破断痕形成面と、を有する、請求項８に記載のチップ抵抗器。
10. 上記第１電極は、第２側面と、上記第１側面および上記第２側面につながる曲面と、を有し、
    上記第２側面は、上記第１方向のうち上記抵抗部の位置する側とは反対方向を向き、上記第２側面および上記曲面は、上記被覆膜から露出している、請求項８または請求項９に記載のチップ抵抗器。
11. 上記第１電極は、第２側面を有し、
    上記第２側面は、上記第１方向のうち上記抵抗部の位置する側とは反対方向を向き、且つ、上記被覆膜に覆われている、請求項８または請求項９に記載のチップ抵抗器。
12. 上記抵抗部は、上記第１電極と上記第２電極とに挟まれている、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
13. 上記第１電極は、上記第１方向および上記第１方向に交差する第２方向に沿う形状の板状部と、上記板状部に対し傾斜し且つ上記板状部よりも上記抵抗部に近接する斜行部と、を含む、請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
14. 上記第１電極および上記第２電極は、上記抵抗部に対し同じ側に位置している、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
15. 上記抵抗部の厚さは、上記第１電極の厚さよりも薄い、請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
16. 上記第１中間層内に存在する酸化物部を更に備え、
    上記酸化物部は、上記被覆膜を構成する材料の酸化物よりなる、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
17. 請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載のチップ抵抗器と、
    実装基板と、
    上記実装基板および上記チップ抵抗器との間に介在しているハンダ層と、を備える、チップ抵抗器の実装構造。

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