JP6024496B2 - 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

半導体の微細加工技術として、レジスト組成物を用いた光リソグラフィー技術が検討されている。特許文献１には、光リソグラフィーに適用できるレジスト組成物として、下記式（Ｉａ）または下記式（Ｉｂ）で示される構造単位を有する樹脂を含有するレジスト組成物が記載されている。

（式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基を示し、Ｑ¹およびＱ²は２価の連結基を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³およびＺ⁴は、互いに独立にフッ素原子または炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基を示す。Ａ¹⁺およびＡ²⁺は、互いに独立に、有機対イオンを表す。Ｕは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、あるいは、酸素原子または窒素原子を含む１価の極性基を示し、ｍは０〜２の整数を表す。）

特開２００７−１９７７１８号公報

本発明の目的は、解像度に優れたレジストパターンを容易に得ることができるレジスト組成物を提供することにある。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される基を有する構造単位と式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位とを含む樹脂（Ｅ）と、
酸に不安定な基を有し、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、
酸発生剤（Ｂ）とを含有し、
前記樹脂（Ｅ）の含有量は、前記樹脂（Ａ）１００質量部あたり、５質量部以上、３０質量％以下であるレジスト組成物。

［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。］

［式（ＩＩ）中、Ｒ^２及びＲ^３は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］
［２］ 式（Ｉ）で表される基を有する構造単位は、式（Ｉ−１）で表される構造単位である［１］記載のレジスト組成物。

［式（Ｉ−１）中、
Ｒ^１ｘは、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^４は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。］
［３］ 式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位は、式（ＩＩ−１）で表される構造単位、又は式（ＩＩ−２）で表される構造単位である［１］又は［２］記載のレジスト組成物。

［式（ＩＩ−１）及び式（ＩＩ−２）中、
Ｒ^２Ｘ、Ｒ^３Ｘ、Ｒ^２ｙ及びＲ^３ｙは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^６及びＲ^７は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^２及びＸ^３は、互いに独立に、２価の連結基を表す。
Ｚ２^＋及びＺ３^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］
［４］式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位は、式（ＩＩ−３）で表される構造単位である［１］〜［３］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｒ^１３は、水素原子又はメチル基を表す。
ｕは、１又は２を表す。
Ｒ^１４は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^１５は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｚ４^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］
［５］ さらにクエンチャーを含有する［１］〜［４］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
［６］（１）［１］〜［５］のいずれか１項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び、
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
［７］ 式（Ｉ）

［式中、Ｒ^１は、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
で表される基を有する構造単位と、
式（ＩＩ−１）

［式中、
Ｒ^２ｘ及びＲ^３ｘは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^６は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^２は、２価の連結基を表す。
Ｚ２^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］
で表される構造単位とを含む樹脂。
［８］ 式（Ｉ）で表される基を有する構造単位は、式（Ｉ−１）で表される構造単位である［７］記載の樹脂。

［式（Ｉ−１）中、
Ｒ^１Xは、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^４は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。］

本発明のレジスト組成物によれば、高解像度なレジストパターンを容易に製造できる。

本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。

本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。また、＊は結合てを表す。以下の置換基の例示において、「Ｃ」に付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。

本明細書において、「炭化水素基」とは、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせを包含する。該脂肪族炭化水素基は、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及びこれらの組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。

鎖式の脂肪族炭化水素基（以下「鎖式炭化水素基」という場合がある。）のうち１価のものは、例えばアルキル基であり、アルキル基としては、メチル基（Ｃ_１）、エチル基（Ｃ_２）、プロピル基（Ｃ_３）、ブチル基（Ｃ_４）、ペンチル基（Ｃ_５）、ヘキシル基（Ｃ_６）、ヘプチル基（Ｃ_７）、オクチル基（Ｃ_８）、デシル基（Ｃ₁₀）、ドデシル基（Ｃ₁₂）、ヘキサデシル基（Ｃ₁₄）、ペンタデシル基（Ｃ₁₅）、ヘキシルデシル基（Ｃ₁₆）、ヘプタデシル基（Ｃ₁₇）及びオクタデシル基（Ｃ₁₈）等が挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式炭化水素基は特に限定しない限り、鎖式不飽和炭化水素基でもよいが、鎖式飽和炭化水素基、すなわちアルキル基が好ましい。２価の鎖式炭化水素基としては、例えば、ここに示したアルキル基から水素原子を１個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。

脂環式の脂肪族炭化水素基（以下「脂環式炭化水素基」という場合がある。）のうち１価のものは、脂環式炭化水素から水素原子１個を取り去った基である。該脂環式炭化水素基は、脂環式不飽和炭化水素基でもよいが、本明細書においては脂環式飽和炭化水素基が好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式でも、多環式でもよい。単環式の脂環式炭化水素は典型的にはシクロアルカンであり、例えば、式（ＫＡ−１）で表されるシクロプロパン（Ｃ_３）、式（ＫＡ−２）で表されるシクロブタン（Ｃ_４）、式（ＫＡ−３）で表されるシクロペンタン（Ｃ_５）、式（ＫＡ−４）で表されるシクロヘキサン（Ｃ_６）、式（ＫＡ−５）で表されるシクロヘプタン（Ｃ_７）、式（ＫＡ−６）で表されるシクロオクタン（Ｃ₈）、及び、式（ＫＡ−７）で表されるシクロドデカン（Ｃ₁₂）等が挙げられる。

多環式の脂環式炭化水素は例えば、式（ＫＡ−８）で示されるビシクロ〔２．２．１〕ヘプタン（以下「ノルボルナン」という場合がある。）（Ｃ_７）、式（ＫＡ−９）で示されるアダマンタン（Ｃ₁₀）、式（ＫＡ−１０）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₀）、式（ＫＡ−１１）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₄）、式（ＫＡ−１２）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₇）、式（ＫＡ−１３）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₀）、式（ＫＡ−１４）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₁）、式（ＫＡ−１５）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₅）、式（ＫＡ−１６）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₂）、式（ＫＡ−１７）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₄）、式（ＫＡ−１８）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₅）、式（ＫＡ−１９）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₇）、式（ＫＡ−２０）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₉）、式（ＫＡ−２１）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₈）及び、式（ＫＡ−２２）で示される脂環式炭化水素（Ｃ₁₀）等が挙げられる。

２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、式（ＫＡ−１）〜式（ＫＡ−２２）の脂環式炭化水素から水素原子を２個取り去った基が挙げられる。

本明細書において、１価の芳香族炭化水素基は、例えば、アリール基であり、フェニル基（Ｃ_６）、ナフチル基（Ｃ₁₀）、アントリル基（Ｃ₁₄）、ビフェニル基（Ｃ₁₂）、フェナントリル基（Ｃ₁₄）及びフルオレニル基（Ｃ₁₃）等が挙げられる。２価の芳香族炭化水素基としては、１価の芳香族炭化水素基から、さらに１個の水素原子を取り去ったアリーレン基が挙げられる。

脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基をが挙げられる。

ハロゲン原子は特に限定のない限り、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。
アルコキシ基としては、メトキシ基（Ｃ_１）、エトキシ基（Ｃ_２）、プロポキシ基（Ｃ_３）、ブトキシ基（Ｃ_４）、ペンチルオキシ基（Ｃ_５）、ヘキシルオキシ基（Ｃ_６）、ヘプチルオキシ基（Ｃ₇）、オクチルオキシ基（Ｃ₈）、デシルオキシ基（Ｃ₁₀）及びドデシルオキシ基（Ｃ₁₂）等が挙げられ、該アルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。
アシル基としては、アセチル基（Ｃ_２）、プロピオニル基（Ｃ_３）、ブチリル基（Ｃ_４）、バレイル基（Ｃ_５）、ヘキサノイル基（Ｃ_６）、ヘプタノイル基（Ｃ₇）、オクタノイル基（Ｃ₈）、デカノイル基（Ｃ₁₀）及びドデカノイル基（Ｃ₁₂）等のアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、ベンゾイル基（Ｃ₇）等のようにアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。該アシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐でもよい。
アリールオキシ基は、上記アリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル基（Ｃ₇）、フェネチル基（Ｃ₈）、フェニルプロピル基（Ｃ₉）、ナフチルメチル基（Ｃ₁₁）及びナフチルエチル基（Ｃ₁₂）等が挙げられる。

芳香族炭化水素基は置換基を有することがある。該置換基としては、例えばハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げられる。

本発明のレジスト組成物は、
式（Ｉ）で表される基を有する構造単位と式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位とを含む樹脂（Ｅ）と、
酸に不安定な基を有し、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、
酸発生剤（Ｂ）とを含有する。

［式中、Ｒ^１はフッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。］

［式（ＩＩ）中、Ｒ^２及びＲ^３は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］
本発明のレジスト組成物において、樹脂（Ｅ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部あたり５質量部以上、３０質量％以下である。
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ｅ）と樹脂（Ａ）とを含有し、更に樹脂（Ｅ）の含有量が上記範囲内にあるので、解像度が高いレジストパターンを容易に製造することができる。
以下、本発明のレジスト組成物に含まれる各成分について説明する。

＜樹脂（Ｅ）＞
樹脂（Ｅ）は、式（Ｉ）で表される基を有する構造単位と式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位とを含む。

［式（Ｉ）中、Ｒ^１はフッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。］

［式（ＩＩ）中、Ｒ^２及びＲ^３は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｒ^１により表わされる、フッ素原子を含むアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、３−（トリフルオロメチル）−２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。

Ｒ^１は、好ましくはフッ素原子を含む炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基又はパーフルオロプロピル基であり、さらに好ましくは、トリフルオロメチル基である。

式（Ｉ）で表される基を有する構造単位としては、例えば、式（Ｉ）で表される基と重合性基とを有する化合物に由来する構造単位が挙げられる。
重合性基としては、炭素炭素二重結合を有する基が挙げられ、好ましくはエチレン性二重結合を有する基であり、より好ましくは（メタ）アクリル基である。

式（Ｉ）で表される基を有する構造単位としては、式（Ｉ−１）で表される構造単位が好ましい。

［式（Ｉ−１）中、
Ｒ^１ｘは、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^４は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^１は、炭素数１〜１０の２価の飽和炭化水素基を表す。］

Ｒ^１ｘにより表わされるフッ素原子を含むアルキル基としては、上述のＲ^１により表わされる基として例示したものが挙げられる。

Ｒ^１ｘは、好ましくはフッ素原子を含む炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基及びパーフルオロプロピル基であり、さらに好ましくは、トリフルオロメチル基である。

Ｘ^１により表わされる２価の飽和炭化水素基としては、炭素数１〜１０のアルカンジイル基及び炭素数３〜１０の２価の脂環式炭化水素基が挙げられる。

Ｘ^１としては、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等の炭素数２〜５のアルカンジイル基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等のアダマンタン環またはノボルナン環を有する基が好ましく、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基及び２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等の炭素数２〜４のアルカンジイル基がより好ましい。

式（Ｉ−１）で表される構造単位は、式（Ｉ−１’）で表される化合物から導かれる。

［式（Ｉ−１’）中、各符号は前記と同義である。］

式（Ｉ−１’）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。

式（Ｉ−１’）で表される化合物は、特開２００５−２３３０４号公報及び特開２００５−２８１３０１号公報記載の方法等により製造することができる。

式（Ｉ）で表される基を有する構造単位の含有率は、樹脂（Ｅ）の全構造単位に対して、通常４０〜９９モル％であり、さらに好ましくは６０〜９８モル％であり、より好ましくは８０〜９７モル％である。

式（ＩＩ）

で表される基において、Ｒ^２及びＲ^３は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^２及びＲ^３により表わされるペルフルオロアルキル基とは、炭素数１〜６のアルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子に置換されたものであり、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒ^２及びＲ^３は、好ましくは、互いに独立に、ペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはともにフッ素原子である。

式（ＩＩ）において、Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。
Ｚ１^＋で表される有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンソチアゾニウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましい。

式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位としては、式（ＩＩ−１）で表される構造単位及び式（ＩＩ−２）で表される構造単位が好ましい。

［各式において、Ｒ^２ｘ、Ｒ^３ｘ、Ｒ^２ｙ及びＲ^３ｙは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^６及びＲ^７は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^２及びＸ^３は、互いに独立に、２価の連結基を表す。
Ｚ２^＋及びＺ３^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］

Ｒ^２ｘ、Ｒ^３ｘ、Ｒ^２ｙ及びＲ^３ｙにより表わされるペルフルオロアルキル基としては、Ｒ^２及びＲ^３により表わされる基として例示したものが挙げられる。
Ｒ^２ｘ、Ｒ^３ｘ、Ｒ^２ｙ及びＲ^３ｙは、好ましくは、互いに独立にペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

Ｘ^２及びＸ^３により表わされる２価の連結基は、好ましくは、炭素数１〜２３の２価の炭化水素基であり、これらの炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
このような２価の連結基としては、例えば、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−、＊−Ｓ−、＊−ＣＯ−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−、＊−Ｏ−Ｘ^４−、＊−Ｓ−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｓ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｓ−Ｘ^５−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^５−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−ＣＯ−Ｘ^５−、＊−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−、＊−Ｘ^４−Ｓ−Ｘ^５−、＊−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^５−、＊−Ｘ^４−Ｏ−ＣＯ−Ｘ^５−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−Ｏ−Ｘ^６−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｓ−Ｘ^５−Ｓ−Ｘ^６−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｓ−Ｘ^５−Ｏ−Ｘ^６−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−Ｓ−Ｘ^６−及び＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−ＣＯ−Ｘ^６−等（各式中、＊はＣ（Ｒ^２x）（Ｒ^３x）またはＣ（Ｒ^２y）（Ｒ^３y）との結合手を表す。Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６は、互いに独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。ただし、各式で表される基において炭素数の合計はそれぞれ２３以下であり、この炭素数は、メチレン基が酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わる前の炭素数を表す。）
が挙げられる。
Ｘ^２としては、好ましくは、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^５−、＊−Ｘ^４−Ｏ−ＣＯ−Ｘ^５−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−Ｏ−Ｘ^６−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｓ−Ｘ^５−Ｏ−Ｘ^６−であり、
より好ましくは、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｓ−Ｘ^５−Ｏ−Ｘ^６−であり、
更に好ましくは、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−
である。
Ｘ^３としては、好ましくは、＊−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^５−、＊−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^５−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−ＣＯ−Ｘ^６−が挙げられ、
より好ましくは、＊−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^５−、＊−Ｘ^４−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^５−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−Ｏ−Ｘ^５−ＣＯ−Ｘ^６−であり、
更に好ましくは、＊−Ｘ^４−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^４−が挙げられる。
Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６により表わされる炭化水素基としては、アルカンジイル基（具体的には炭素数１〜１２のアルカンジイル基、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基 ）、２価の脂環式炭化水素基（具体的には炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基、好ましくはアダマンタン−１，３−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の炭素数６〜１０の２価の脂環式炭化水素基）、２価の芳香族炭化水素基（具体的には炭素数３〜１２の２価の芳香族炭化水素基、好ましくは1,4-ベンゼン基、1,4-ナフタレン基等の炭素数６〜１０の２価の芳香族炭化水素基）、上記アルカンジイル基および上記２価の脂環式炭化水素基が組み合わさった基が挙げられる。

式（ＩＩ−１）で表される構造単位に含まれるアニオンとしては、例えば、以下の構造単位及び特開２０１１−１５８８９６号公報記載の構造単位が挙げられる。

式（ＩＩ−２）で表される構造単位のアニオンとしては、例えば、以下の構造単位、並びに特開２０１１−７６０８４号公報、特開２０１１−１９０２４６号公報、２０１１−２１９４５９号公報、特開２００７−１９７７１８号公報及び特開２００６−１７８３１７号公報に記載の構造単位が挙げられる。

式（ＩＩ−２）により表わされる構造単位として、さらに式（ＩＩ−３）で表される構造単位が挙げられる。

［式中、Ｒ^１３は、水素原子又はメチル基を表す。
ｕは、１又は２を表す。
Ｒ^１４は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^１５は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｚ４^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］

Ｒ^１４で表わされる飽和炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基が挙げられる。
Ｒ^１４としては、炭素数１〜８のアルキル基及び炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がより好ましい。
Ｘ^１５は、好ましくはメチレン基又はエチレン基である。

式（Ｉ−３）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及びＷＯ２０１２／０５００１５記載の構造単位が挙げられる。

Ｚ２^＋、Ｚ３^＋及びＺ４^＋で表わされるカチオンとしては、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオンが挙げられる。

［式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）中、
Ｒ^b4、Ｒ^b5及びＲ^b6は、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基を表す。
Ｒ^b7及びＲ^b8は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、互いに独立に０〜５の整数を表す。
Ｒ^b9及びＲ^b10は、互いに独立に、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表すか、Ｒ^b9とＲ^b10とは、それらが結合する硫黄原子とともに互いに結合して３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成する。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b12は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b11とＲ^b12は、それらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成していてもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^b13、Ｒ^b1４、Ｒ^b1５、Ｒ^b1６、Ｒ^b1７及びＲ^b18は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２及びｔ２は、互いに独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、互いに独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^b13は同一でも異なってもよく、ｐ２が２以上のとき、複数のＲ^b14は同一でも異なってもよく、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^b15は同一でも異なってもよく、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^b18は同一でも異なってもよい。］

Ｒ^b4、Ｒ^b5及びＲ^b6により表わされる炭化水素基としては、好ましくは、互いに独立に、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であり、前記アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。

Ｒ^b12により表わされるアルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^b9、Ｒ^b10、Ｒ^b11及びＲ^b12により表わされるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等が好ましい。
Ｒ^b9、Ｒ^b10及びＲ^b11により表わされる脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基及びイソボルニル基等が好ましい。
Ｒ^b12により表わされる芳香族炭化水素基としては、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等が好ましい。
Ｒ^b12により表わされる芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。
Ｒ^b9とＲ^b10とが結合して形成する環としては、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オキサチアン−４−イウム環等が挙げられる。
Ｒ^b11とＲ^b12とが結合して形成する環としては、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）で表されるカチオンとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたものが挙げられる。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）で表されるカチオンの中でも、式（ｂ２−１）で表されるカチオン及び式（ｂ２−２）で表されるカチオンが好ましく、式（ｂ２−１）で表されるカチオンがより好ましく、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンが更に好ましい。式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンとしては、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０である。）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝１であり、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21がいずれもメチル基である。）がさらに好ましい。

［式（ｂ２−１−１）中、
Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、互いに独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、互いに独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。
ｖ２が２以上のとき、複数のＲ^b19は互いに同一でも異なってもよく、ｗ２が２以上のとき、複数のＲ^b20は互いに同一でも異なってもよく、ｘ２が２以上のとき、複数のＲ^b21は互いに同一でも異なってもよい。］

Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21により表わされる脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数４〜１８の脂環式炭化水素基である。上記脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数２〜４のアシル基及びグリシジルオキシ基が挙げられる。
Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、好ましくは、互いに独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

式（ＩＩ）で表される構造単位としては、上述のアニオン及び上述の有機カチオンの組合せが挙げられる。これらは任意に組み合わせることができ、例えば、以下の構造単位が挙げられる。

式（ＩＩ）で表される基を含む構造単位の含有量は、樹脂（Ｅ）の全構造単位に対して通常１〜２５モル％であり、さらに好ましくは２〜２０モル％であり、より好ましくは３〜１５モル％である。
樹脂（Ｅ）は、式（Ｉ）で表される基を含む構造単位及び式（ＩＩ）で表される基を含む構造単位を、それぞれ１種のみ又は２種以上を有していてもよく、これら構造単位を導くモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。各構造単位の含有率は、樹脂（Ｅ）を製造する際に用いるモノマーの使用量で調整できる。

上記樹脂（Ｅ）のうち、上述の式（Ｉ）で表される基を有する構造単位と、上述の式（ＩＩ−１）で表される構造単位とを含む樹脂は、新たに見出された樹脂であり、本願発明の１つである。
本願発明の樹脂における各構造単位の具体例及び好ましい範囲は、樹脂（Ｅ）に関する説明で挙げたものと同様である。

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、酸に不安定な基（以下「酸不安定基」という場合がある。）を有し、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する特性（以下、場合により「酸作用特性」という。）を有するものである。なお、「酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する」とは、酸との接触によりアルカリ水溶液への溶解性が増大することを意味する。酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との接触後にアルカリ水溶液に可溶となることが好ましい。
なお、樹脂（Ａ）は、式（ＩＩ）で表される基を有しない点で樹脂（Ｅ）と異なる。

樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する。つまり、樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）に由来する構造単位を有する。

＜酸不安定を有する構造単位＞
「酸不安定基」は、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。
酸不安定基としては、例えば、式（１）で表される基（以下「酸不安定基（１）」という場合がある。）、式（２）で表される基（以下「酸不安定基（２）」という場合がある。）等が挙げられる。

［式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、Ｒ^a3は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。＊は結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^ａ１’は、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わってもよい。＊は結合手を表す。］

Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６である。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、例えば、下記の基が挙げられる。該２価の炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。

酸不安定基（１）としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2が結合してアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）等が挙げられる。

酸不安定基（２）のＲ^a1’及びＲ^a2’の炭化水素基は例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等である。Ｒ^a1'及びＲ^a2'のうち少なくとも１つは水素原子が好ましい。

酸不安定基（２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。

モノマー（ａ１）は、酸不安定基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーが好ましく、酸不安定基と（メタ）アクリル基とを有するモノマーがより好ましい。
モノマー（ａ１）は、酸不安定基（１）及び／又は酸不安定基（２）を有するモノマー（ａ１）が好ましく、酸不安定基（１）及び／又は酸不安定基（２）を有するを有する（メタ）アクリル系モノマーが特に好ましい。
また、モノマー（ａ１）は、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するモノマー（ａ１）が好ましい。このようなモノマー（ａ１）を用いて得られる樹脂（Ａ）は、嵩高い構造である脂環式炭化水素基を有するので、該樹脂（Ａ）を含有する本発明のレジスト組成物から得られるレジストパターンの解像度が一層高くなる傾向がある。

モノマー（ａ１）に由来する構造単位としては、式（ａ１−１）で表される構造単位（以下、場合により「構造単位（ａ１−１）」という。）及び式（ａ１−２）で表される構造単位（以下、場合により「構造単位（ａ１−２）」という。）が好ましく、構造単位（ａ１−１）がより好ましい。

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、互いに独立に、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、互いに独立に、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

Ｌ^a1及びＬ^a2の^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−におけるｋ１は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基である。該アルキル基は、好ましくは炭素数８以下であり、より好ましくは炭素数６以下である。該脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下であり、より好ましくは炭素数６以下である。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ１−１−１）〜（ａ１−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

構造単位（ａ１−２）を導くモノマー（ａ１）としては、例えば、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート及び１−イソプロピルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる

構造単位（ａ１−２）としては、好ましくは、式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−６）］のいずれかで表される構造単位がであり、より好ましくは、式（ａ１−２−３）又は（ａ１−２−４）で表される構造単位（ａ１−２）であり、さらに好ましくは式（ａ１−２−３）で表される構造単位である。

樹脂（Ａ）中、モノマー（ａ１）に由来する構造単位の含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、１５〜９０モル％がより好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましく、２０〜６０モル％が特に好ましい。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を有する場合、これらの合計含有率が上記の範囲内であることが好ましい。
また、構造単位（ａ１）としては、アダマンチル基を有する構造単位（ａ１）（特に好ましくは、構造単位（ａ１−１））を有していることが好ましい。この場合、アダマンチル基を有する構造単位（ａ１）の含有率は、構造単位（ａ１）の合計に対して、１５モル％以上が好ましい。樹脂（Ａ）が、このような含有率で、アダマンチル基を有する構造単位（ａ１）を有すると、該樹脂（Ａ）を含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性が良好となる傾向がある。

モノマー（ａ１）としては、さらに、式（ａ１−３）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−３）」という場合がある。）が挙げられる。このようなモノマーから得られる、主鎖に剛直なノルボルナン環を含む樹脂（Ａ）を本発明のレジスト組成物に用いると、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造できる傾向がある。

式（ａ１−３）中、
Ｒ^a9は、水素原子、置換基（例えばヒドロキシ基）を有していてもよい炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又は−ＣＯＯＲ^a13で表される基を表し、Ｒ^a13は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基等に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｒ^a10、Ｒ^a11及びＲ^a12は、互いに独立に、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^a10及びＲ^a11は互いに結合してこれらが結合する炭素原子とともに環を形成し、Ｒ^a12は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基及に含まれる水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。

Ｒ^a9、Ｒ^a10、Ｒ^a11及びＲ^a12で表される脂肪族炭化水素基としては、アルキル基が挙げられる。置換基、特にヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基としては、ヒドロキシメチル基及び２−ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
Ｒ^a13としては、メチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基及び２−オキソ−オキソラン−４−イル基等が挙げられる。

Ｒ^a10とＲ^a11とが結合しこれらが結合する炭素原子とともに形成される環としては、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。

モノマー（ａ１−３）としては、例えば特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたものが用いられる。これらの中でも、以下の式（ａ１−３−１）、式（ａ１−３−２）、式（ａ１−３−３）及び式（ａ１−３−４）でそれぞれ表されるモノマー（ａ１−３）が好ましく、式（ａ１−３−２）又は（ａ１−３−４）で表されるモノマー（ａ１−３）がより好ましく、式（ａ１−３−２）で表されるモノマー（ａ１−３）がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が、モノマー（ａ１−３）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、１５〜９０モル％がより好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましい。

モノマー（ａ１）としては、さらに、式（ａ１−４）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−４）」という場合がある。）が挙げられる。

式（ａ１−４）中、
Ｒ¹⁰は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
ｌ^ａは０〜４の整数を表す。
Ｒ¹¹は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表し、ｌ^ａが２以上である場合、複数のＲ¹¹は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒ¹²及びＲ¹³は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
Ｘ^a2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基又は単結合を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−（ただし、Ｒ^ｃは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す）で置き換わっていてもよい。
Ｙ^a3は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の炭化水素基を表す。

Ｒ¹⁰で表される、炭素数１〜６のアルキル基が有していてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。フッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、式（Ｉ−１）のＲ^１におけるものと同じ基が挙げられる。
Ｒ¹⁰は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒ¹¹で表されるアルコキシ基は、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＹ^a3の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。
Ｘ^a2で表される脂肪族炭化水素基としては、２価の鎖式炭化水素基、２価の脂環式炭化水素基又は、これらが組み合わさった２価の基が挙げられる。

モノマー（ａ１−４）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、以下の式（ａ１−４−１）、式（ａ１−４−２）、式（ａ１−４−３）、式（ａ１−４−４）、式（ａ１−４−５）、式（ａ１−４−６）、及び式（ａ１−４−７）［式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−７）］でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−５）で表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ）がモノマー（ａ１−４）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、１５〜９０モル％がより好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましい。

モノマー（ａ１）に由来する構造単位としては、さらに、式（ａ１−５）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−５）」という場合がある。）に由来する構造単位（ａ１）が挙げられる。

式（ａ１−５）中、
Ｒ^a8は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^１は、単結合、酸素原子又はカルボニル基を表す。
Ａ^２は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3は、前記と同義である。

構造単位（ａ１−５）のＲ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3は、互いに独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基及びヘキシル基であるか、Ｒ^２及びＲ^３が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに、炭素数３〜１２の環を形成していることが好ましい。該環は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環等が好ましい。

構造単位（ａ１−５）としては、例えば、以下の構造単位が挙げられる。式中、Ｒ^a8は、水素原子又はメチル基を表す。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、３〜８０モル％が好ましく、５〜７０モル％がより好ましく、５〜６０モル％がさらに好ましい。

＜酸安定構造単位＞
樹脂（Ａ）は、モノマー（ａ１）に由来する構造単位とともに、酸不安定基を有さない構造単位（以下「酸安定構造単位」という場合がある）を有することが好ましい。酸安定構造単位は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）から導かれる。

樹脂（Ａ）が酸安定構造単位を有する場合、モノマー（ａ１）に由来する構造単位と酸安定性構造単位との含有比（〔モノマー（ａ１）に由来する構造単位〕／〔酸安定構造単位〕；モル比）は、好ましくは１０／９０〜８０／２０であり、より好ましくは２０／８０〜６０／４０である。このような含有比であると、本発明のレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより一層良好になる傾向がある。

酸安定構造単位としては、ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位（以下「酸安定構造単位（ａ２）」というという場合がある。）及びラクトン環を有する酸安定構造単位（以下「酸安定構造単位（ａ３）」というという場合がある。）が挙げられる。これらの構造単位を有する樹脂（Ａ）を用いると、本発明のレジスト組成物を基板に塗布した膜及び／又は組成物層は、基板と密着性に優れる傾向があるため、高解像度で、レジストパターンを製造できる。

＜酸安定構造単位（ａ２）＞
酸安定構造単位（ａ２）は、本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって選択できる。例えば、該露光源が、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、電子線あるいはＥＵＶ光等の高エネルギー線の場合には、酸安定構造単位（ａ２）としては、後述のフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位（ａ２−０）が好ましい。該露光源が、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）の場合は、酸安定構造単位（ａ２）として、式（ａ２−１）で表される酸安定構造単位が好ましい。

酸安定構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−１）で表される構造単位（以下「酸安定構造単位（ａ２−１）」というという場合がある。）が挙げられる。

式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−（ｋ２は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基（−ＣＯ−）との結合手を表す。）で表される基を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、互いに独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

Ｌ^a3は、好ましくは、酸素原子又は、ｋ２が１〜４の整数である−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

酸安定構造単位（ａ２−１）としては、例えば、以下のもの及び特開２０１０−２０４６４６号公報に記載のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。

これらの中でも、式（ａ２−１−１）、式（ａ２−１−２）、式（ａ２−１−３）及び式（ａ２−１−４）のいずれかで表される酸安定構造単位が好ましく、式（ａ２−１−１）又は（ａ２−１−３）で表される酸安定構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が酸安定構造単位（ａ２−１）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜４５モル％が好ましく、２〜３５モル％がより好ましく、３〜３０モル％がさらに好ましい。

酸安定構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−０）で表される構造単位（以下「酸安定構造単位（ａ２−０）」というという場合がある。）が挙げられる。

式（ａ２−０）中、
Ｒ^a30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｒ^a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^a31は同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^a30は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒ^a31は、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
ｍａは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

酸安定構造単位（ａ２−０）としては、式（ａ２−０−１）、式（ａ２−０−２）、式（ａ２−０−３）又は式（ａ２−０−４）で表されるものが好ましい。かかる構造単位を導く酸安定モノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６３４号公報に記載のモノマーが挙げられる。

酸安定構造単位（ａ２−０）を含む樹脂（Ａ）は、酸安定構造単位（ａ２−０）を導くモノマー（ａ２）にあるフェノール性ヒドロキシ基を、酸又は塩基で脱離可能な保護基で予め保護して重合し、次いで、酸又は塩基で保護基を脱離させることにより製造できる。構造単位（ａ１）を著しく損なわないために、該脱保護は塩基で行うことが好ましい。保護基としては、例えば、アセチル基が挙げられる。

樹脂（Ａ）が酸安定構造単位（ａ２−０）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５〜９０モル％が好ましく、１０〜８５モル％がより好ましく、１５〜８０モル％がさらに好ましい。

＜酸安定構造単位（ａ３）＞
酸安定構造単位（ａ３）が有するラクトン環は例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環及びδ−バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。

酸安定構造単位（ａ３）は好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される構造単位である。

［式（ａ３−１）中、
Ｌ^a4は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^a21は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｐ１が２以上の場合、複数のＲ^a21は互いに同一でも異なってもよい。
式（ａ３−２）中、
Ｌ^a5は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
ｑ１は、０〜３の整数を表す。
Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｑ１が２以上の場合、複数のＲ^a22は互いに同一でも異なってもよい。
式（ａ３−３）中、
Ｌ^a6は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
ｒ１は、０〜３の整数を表す。
Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｒ１が２以上の場合、複数のＲ^a23は互いに同一でも異なってもよい。］

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）において、Ｌ^a4、Ｌ^a5及びＬ^a6は、式（ａ２−１）のＬ^a3で説明したものと同じものが挙げられる。
Ｌ^a4、Ｌ^a5及びＬ^a6は、互いに独立に、酸素原子又は、ｋ３が１〜４の整数である＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−で表される基が好ましく、酸素原子及び、＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a18、Ｒ^a19、Ｒ^a20及びＲ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、互いに独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。

式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される構造単位としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載された酸安定モノマーに由来する構造単位が挙げられる。
式（ａ３−１）で表される構造単位は、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）、式（ａ３−１−３）又は式（ａ３−１−４）で表される構造単位が好ましい。

式（ａ３−２）で表される構造単位は、以下の式（ａ３−２−１）、式（ａ３−２−２）、式（ａ３−２−３）又は式（ａ３−２−４）で表される構造単位が好ましい。

式（ａ３−３）で表される構造単位は、以下の式（ａ３−３−１）、式（ａ３−３−２）、式（ａ３−３−３）又は式（ａ３−３−４）で表される構造単位が好ましい。

特に、酸安定構造単位（ａ３）は、式（ａ３−１）で表される構造単位又は式（ａ３−２）で表される構造単位が好ましく、式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−２）又は式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）で表される構造単位がより好ましく、式（ａ３−１−１）又は式（ａ３−２−３）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が、酸安定構造単位（ａ３）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５〜７０モル％が好ましく、１０〜６５モル％がより好ましく、１０〜６０モル％がさらに好ましい。

＜その他の酸安定構造単位＞
樹脂（Ａ）は、上記以外のその他の酸安定構造単位（以下「酸安定構造単位（ａ４）」という場合がある。］を有してもよい。
酸安定構造単位（ａ４）を導く酸安定モノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、イソイソボロニルアクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート及びテトラシクロドデセニル（メタ）アクリレート等が挙げられ、好ましくは、スチレン、α−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−メチルスチレン及び３−メチルスチレンが挙げられる。

樹脂（Ａ）が、このような酸安定構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜５０モル％が好ましく、２〜４０モル％がより好ましく、３〜３０モル％がさらに好ましい。

＜樹脂（Ａ）の製造方法＞
樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を有していてもよく、これら構造単位を導くモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。各構造単位の含有率は、樹脂（Ａ）を製造する際に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）は、好ましくは、モノマー（ａ１）と酸安定モノマーとの共重合体であり、より好ましくは、構造単位（ａ１−１）を導くモノマー及び／又は構造単位（ａ１−２）を導くモノマー（ａ１）と、酸安定構造単位（ａ２）を導くモノマー及び／又は酸安定構造単位（ａ３）を導く酸安定モノマーとの共重合体である。

樹脂（Ａ）の具体例を構造単位の組み合わせで示すと、例えば、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）で表される樹脂が挙げられる。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上５０，０００以下であり、より好ましくは３，０００以上３０，０００以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、いずれでもよい。
非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン４−スルホネート）、及びスルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。
イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）等が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、及びスルホニルメチドアニオン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、例えば特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは、式（Ｂ１）で表される基を含み且つ炭化水素基や水酸基を末端に含むアニオンを有する化合物からなる酸発生剤である）。このような酸発生剤としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報記載の塩等が挙げられる。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］

酸発生剤（Ｂ）としては、式（Ｂ１）で表される基を含み、かつ炭素数１７以上のアニオンを有する塩が好ましく、式（Ｂ１−１）で表される塩がより好ましい。

［式（Ｂ１−１）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｙ^１は、２価の炭素数６〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わってもよい。
Ｙ^２は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、フッ素原子または水素原子を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わってもよい。
Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の直鎖または分岐鎖の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わってもよい。
Ｌ^２は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の直鎖または分岐鎖の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わってもよい。
ｎは、０又は１を表す。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］

Ｑ¹及びＱ²のペルフルオロアルキル基としては、上述の式（ＩＩ）におけるＲ^２及びＲ^３と同じ基が挙げられ、好ましくは、互いに独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくは、ともにフッ素原子である。

Ｙ^１で表される脂環式炭化水素基は、好ましくは、式（Ｙ１）〜式（Ｙ７）のいずれかで表される基である。＊は結合手を表す。

Ｙ^１で表される脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（Ｙ８）〜式（Ｙ２０）で表される基が挙げられる。

Ｙ^１は、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ１６）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ７）、式（Ｙ８）、式（Ｙ１０）又は式（Ｙ１４）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ７）又は式（Ｙ１４）で表される基である。

Ｙ^２で表される脂環式炭化水素基としては、式（Ｙ２１）〜式（Ｙ３１）で表される基が挙げられる。

Ｙ^２で表される脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（Ｙ３２）〜式（Ｙ４６）で表される基が挙げられる。

Ｙ^２は、好ましくは式（Ｙ２１）〜式（Ｙ３９）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ２３）、式（Ｙ２４）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３４）、式（Ｙ３５）又は式（Ｙ３９）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ２４）、式（Ｙ３１）または式（Ｙ３４）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｙ２４）又は式（Ｙ３１）で表される基である。

Ｙ²で表される脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基、−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1（式中、Ｒ^b1は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ^b２−Ｏ−Ｒ^b３（式中、Ｒ^b２は炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｒ^b３は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）等が挙げられる。
脂環式炭化水素基の置換基であるアルキル基において、その水素原子は、炭素数１〜６のアルコキシ基又はフッ素原子で置換されていてもよく、脂環式炭化水素基の置換基である脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基において、その水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又はフッ素原子で置換されていてもよい。

ハロゲン原子としては、すでに例示したもののいずれでもよい。
ヒドロキシ基を有するアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、及びヒドロキシエチル基等が挙げられる。

Ｙ^２で表される脂環式炭化水素基のうち、置換基を有する基としては、例えば、式（Ｙ４７）〜式（Ｙ５６）で表される基が挙げられる。

Ｙ^２は、好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わってもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又は芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又はフッ素原子で置換されていてもよい。
Ｙ^２は、より好ましくは、置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、この場合の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、ヒドロキシ基及び炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基が挙げられる。ｎ＝１の場合、無置換又は炭素数１〜６のアルキル基を有するアダマンチル基がさらに好ましく、ｎ＝０の場合、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を有するアダマンチル基がさらに好ましい。

Ｌ^１で表される飽和炭化水素基は、直鎖状又は分岐状の飽和炭化水素基が好ましい。
Ｌ^１で表される飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）では、その左右を式（Ｂ１−１）に合わせて記載しており、左側でＣ（Ｑ¹）（Ｑ²）と結合し、右側でＹ^１（又はＹ^２）と結合する。

式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜１５のアルカンジイル基を表す。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜１２のアルカンジイル基を表す。
Ｌ^b4は、炭素数１〜１３のアルカンジイル基を表す。但しＬ^b3及びＬ^b4の合計炭素数の上限は１３である。
Ｌ^b5は、単結合又は、炭素数１〜１５のアルカンジイル基を表す。
Ｌ^b6及びＬ^b7は、互いに独立に、炭素数１〜１５のアルカンジイル基を表す。但しＬ^b6及びＬ^b7の合計炭素数の上限は１６である。
Ｌ^b8は、炭素数１〜１４のアルキレン基を表す。
Ｌ^b9及びＬ^b10は、互いに独立に、炭素数１〜１１のアルカンジイル基を表す。但しＬ^b9及びＬ^b10の合計炭素数の上限は１２である。
Ｌ^１は、式（ｂ１−１）で表される基が好ましく、Ｌ^b2が単結合又はメチレン基である式（ｂ１−１）で表される基がより好ましい。

Ｌ^１の飽和炭化水素基は、直鎖状又は分岐状の飽和炭化水素基であって、そのメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基が好ましい。
Ｌ^２の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、Ｌ^１と同じ基が挙げられる。
Ｌ^２は、式（ｂ１−１）で表される基又は式（ｂ１−５）で表される基が好ましく、Ｌ^b2が単結合又はメチレン基である式（ｂ１−１）で表される基、又はＬ^b８がメチレン基である式（ｂ１−５）で表される基がより好ましい。

式（Ｂ１−１）で表される塩のアニオンとしては、例えば、式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−１４）のいずれかで表されるアニオン、並びに特開２０１１-４６６９４号公報及び特開２００８−７４８４３号公報に記載のスルホン酸アニオンが挙げられる。式中、Ｌ^１、Ｌ^ｂ２及びＬ^ｂ８は前記と同義であり、好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−５）で表される基である。Ｒ^ｂ１及びＲ^ｂ２は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくはメチル基である。

式（Ｂ１−１）のＺ^＋としては、例えば、式（ＩＩ）のＺ１^＋、Ｚ２^＋及びＺ３^＋と同様の有機カチオンが挙げられ、好ましくは、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオンである。

式（Ｂ１−１）で表される塩は、上述のアニオンと上述の有機カチオンとの組合せである。これらは任意に組み合わせることができ、好ましい組み合わせとしては、例えば、下記式で表される塩である。

＜クエンチャー（Ｃ）＞
本発明のレジスト組成物は、更にクエンチャーを含有してもよい。
本発明のレジスト組成物におけるクエンチャーは、酸拡散抑制作用、つまり、露光により酸発生剤から発生する酸をトラップする作用を有する化合物であればよく、この作用に加えて、自ら酸を発生し得る化合物であってもよい。例えば、塩基性の含窒素有機化合物及び弱酸塩が挙げられる。
塩基性の含窒素有機化合物としては、例えば、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
アミンとしては、例えば、式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）のいずれかで表される化合物が挙げられ、好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物である。

［式（Ｃ１）中、
Ｒ^c1、Ｒ^c2及びＲ^c3は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

［式（Ｃ１−１）中、
Ｒ^c2及びＲ^c3は、前記と同義である。
Ｒ^c4は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c4は、互いに同一でも異なってもよい。］

［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、
Ｒ^c5、Ｒ^c6、Ｒ^c7及びＲ^c8は、互いに独立に、Ｒ^c1と同義である。
Ｒ^c9は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜６のアルカノイル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c9は、互いに同一又は相異なる。］
アルカノイル基としては、アセチル基、２−メチルアセチル基、２，２−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。

［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、
Ｒ^c10、Ｒ^c11、Ｒ^c12、Ｒ^c13及びＲ^c16は、互いに独立に、Ｒ^c1と同義である。
Ｒ^c14、Ｒ^c15及びＲ^c17は、互いに独立に、Ｒ^c4と同義である。
ｏ３及びｐ３は、互いに独立に０〜３の整数を表し、ｏ３が２以上のとき、複数のＲ^c14は互いに同一でも異なってもよく、ｐ３が２以上のとき、複数のＲ^c15は互いに同一でも異なってもよい。
Ｌ^c1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、
Ｒ^c18、Ｒ^c19及びＲ^c20は、互いに独立に、Ｒ^c4と同義である。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、互いに独立に０〜３の整数を表し、ｑ３が２以上のとき、複数のＲ^c18は互いに同一でも異なってもよく、ｒ３が２以上のとき、複数のＲ^c19は互いに同一でも異なってもよく、ｓ３が２以上のとき、複数のＲ^c20は互いに同一でも異なってもよい。
Ｌ^c2は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン及び４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール及び４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン及び４−メチルピリジン等が挙げられる。
式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン及びビピリジン等が挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

弱酸塩としては、酸発生剤（Ｂ）より発生する酸よりも弱い酸の塩が挙げられる。弱酸塩としては、例えば、カルボン酸塩やスルホン酸塩が挙げられ、中でも、式（Ｃ９）で表されるカルボン酸塩及び式（Ｃ１０）又は式（Ｃ１１）で表されるスルホン酸塩が好ましい。

［式（Ｃ９）中、
Ｒ^Ｃ２１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
Ｚ'^＋は、有機カチオンを表す。］

［式（Ｃ１０）中、
Ｒ^Ｃ２２及びＲ^Ｃ２３は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式飽和炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基又は炭素数７〜２１のアラルキル基を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式飽和炭化水素基、該芳香族炭化水素基及びアラルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、シアノ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はニトロ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよく、Ｒ^Ｃ２２及びＲ^Ｃ２３は互いに結合してこれらが結合する窒素原子とともに炭素数４〜２０の環を形成してもよい。］

［式（Ｃ１１）中、
Ｑ^ｅ1及びＱ^ｅ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^ｅ２は、単結合または炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該脂肪族飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｙ^Ｎは窒素原子を含む有機基を表す。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｑ^ｅ1及びＱ^ｅ2としては、式（ｂ１−１）のＱ¹及びＱ²と同じ基が挙げられ、好ましいものも同じである。
Ｌ^e２で表わされる脂肪族飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基などの炭素数１〜１７のアルキレン基；アダマンチレン基、シクロヘキシレン基などの炭素数３〜１７の脂環式炭化水素基；及び該アルキレン基と該脂環式炭化水素基とを組み合わせた基等が挙げられる。
Ｌ^e２としては、メチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった炭素数５〜１０のアルキレン基、及び該アルキレン基と脂環式炭化水素とが組み合わさった基であることが好ましい。
Ｙ^Ｎは、好ましくは窒素原子を含む複素環基である。該複素環としては、イミダゾール環、モリホリン環等が挙げられる。

Ｚ^＋の有機カチオンとしては、式（Ｉ）のＺ１^＋と同様の有機カチオンが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオン、更に好ましくは式（ｂ２−１）で表されるカチオンである。

式（Ｃ９）で表される化合物としては、例えば、下記の化合物及び特開２０１１−３９５０２号公報記載の化合物が挙げられる。

式（Ｃ１０）で表される化合物としては、例えば、下記の化合物及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の化合物が挙げられる。

式（Ｃ１１）で表される塩としては、例えば、下記式で表される塩及び特開２０１２−６９０８号公報記載の塩が挙げられる。

＜溶剤（Ｄ）＞
本発明のレジスト組成物は、通常、溶剤を含む。
溶剤（Ｄ）は、本発明のレジスト組成物に含まれる成分を溶解するものであれば、特に限定されず、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類等、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。

＜その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）＞
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等が挙げられる。

＜レジスト組成物の製造方法＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ｅ）、樹脂（Ａ）及び酸発生剤（Ｂ）、並びに、必要に応じて用いられる及び溶剤（Ｄ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製できる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、樹脂の種類や溶剤（Ｄ）への溶解度等に応じて、１０〜４０℃の範囲で適宜選択できる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の範囲で適宜選択できる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

本発明のレジスト組成物中の樹脂の総含有量は、固形分の総量に対して、好ましくは８０質量％以上９９質量％以下である。

本発明のレジスト組成物中の樹脂（Ｅ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、５質量部以上、３０質量部以下であり、好ましくは２５質量部以下である。

酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上３５質量部以下であり、より好ましくは３質量部以上３０質量部以下である。

本発明のレジスト組成物がクエンチャー（Ｃ）を含む場合、その含有率は、固形分の総量に対して、０．０１〜４質量％程度が好ましい。
尚、本明細書において「固形分」とは、本発明のレジスト組成物から溶剤（Ｄ）を除いた成分の合計を意味する。該固形分の質量及び本発明のレジスト組成物に含まれる各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

溶剤（Ｄ）の含有率は、本発明のレジスト組成物の総量に対して、９０質量％以上が好ましく、９２質量％以上がより好ましく、９４質量％以上がさらに好ましく、９９．９質量％以下が好ましく、９９．５質量％以下がより好ましい。溶剤（Ｄ）の含有率が上記範囲内であると、レジストパターンを製造する際に、厚み３０〜３００ｎｍ程度の組成物層を形成しやすい。

その他の成分（Ｆ）を用いる場合、その含有量は、その他の成分（Ｆ）の種類に応じて適宜選択する。

＜レジストパターンの製造方法＞
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程
を含む。

工程（１）における本発明のレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、通常、当該分野で用いられている塗布装置によって行うことができる。基板としては、例えば、シリコンウェハ等が挙げられる。本発明のレジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜等が形成されていてもよい。

工程（２）により、塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤が除去され、基板上に組成物層が形成される。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱乾燥（いわゆるプリベーク）、減圧装置を用いた減圧乾燥、或いはこれらの手段を組み合わせて行われる。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が好ましい。また、圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度が好ましい。

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。該露光機は液浸露光機であってもよい。

工程（３）は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光する工程である。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。該露光機は液浸露光機であってもよい。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。

工程（４）は、露光後の組成物層を加熱する工程（いわゆるポストエキスポジャーベーク）であり、好ましくは、加熱装置により現像する工程である。加熱装置としては、ホットプレート等が挙げられる。加熱温度としては、通常、５０〜２００℃、好ましくは、７０〜１５０℃である。加熱時間としては、通常、２０〜９０秒、好ましくは、３０〜７０秒である。工程（４）を行うことにより、樹脂（Ａ）の脱保護反応が促進される。

工程（５）は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像液で現像する工程である。現像方法は、ポジ型現像、ネガ型現像の何れであってもよい。現像液として、ケトン溶剤、エステル溶剤、アミド溶剤、エーテル溶剤、炭化水素溶剤等の有機溶剤やアルカリ現像液を用いることができる。
現像には、通常、アルカリ現像液が利用される。該アルカリ現像液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。

＜用途＞
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）照射用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物等に有用である。特に、高解像度のレジストパターンを製造できるため、電子線用又はＥＵＶ用のレジスト組成物に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型）により求めた値である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

樹脂の合成
樹脂の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

合成例１（樹脂Ｅ１の合成）
モノマーＪを特開２００７−１９７７１８号公報に記載された方法で合成した。
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、アセトニトリル６．３０部を仕込み、６０℃まで昇温した。そこへモノマーＩ（セントラル硝子社製）２０．４７部、モノマーＪ４．６６部〔モル比；モノマーＩ：モノマーＪ＝９０：１０〕及びアゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．４８８部をアセトニトリル２４．１２部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後６０℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にｎ−ヘプタン６５３部を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。濾取した樹脂をテトラヒドロフラン６５．３部に溶解した。さらに１０℃に冷却したｎ−ヘプタン６４３部に溶解した樹脂を注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量５．２×１０^３の樹脂を２３．４部得た。この樹脂を樹脂Ｅ１とする。この樹脂Ｅ１は、以下の構造単位を有する。

合成例２（樹脂Ｅ２の合成）
モノマーＫを特開２００７−１９７７１８号公報に記載された方法で合成した。
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、アセトニトリル６．３０部を仕込み、６０℃まで昇温した。そこへモノマーＩ（セントラル硝子社製）２０．４７部、モノマーＫ５．２７部〔モル比；モノマーＩ：モノマーＫ＝９０：１０〕及びアゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．４８８部をアセトニトリル２４．１２部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後６０℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にｎ−ヘプタン６５３部を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。濾取した樹脂をテトラヒドロフラン６５．３部に溶解した。さらに１０℃に冷却したｎ−ヘプタン６４３部に溶解した樹脂を注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量５．０×１０^３の樹脂を２３．９部得た。この樹脂を樹脂Ｅ２とする。この樹脂Ｅ２は、以下の構造単位を有する。

合成例３（樹脂Ｅ３の合成）
モノマーＬを特開２０１１−７６０８４号公報に記載された方法で合成した。
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、アセトニトリル６．３０部を仕込み、６０℃まで昇温した。そこへモノマーＩ（セントラル硝子社製）２０．４７部、モノマーＬ５．６５部〔モル比；モノマーＩ：モノマーＬ＝９０：１０〕及びアゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．４８８部をアセトニトリル２４．１２部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後６０℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にｎ−ヘプタン６５３部を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。濾取した樹脂をテトラヒドロフラン６５．３部に溶解した。さらに１０℃に冷却したｎ−ヘプタン６４３部に溶解した樹脂を注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量５．３×１０^３の樹脂を２４．０部得た。この樹脂を樹脂Ｅ３とする。この樹脂Ｅ３は、以下の構造単位を有する。

合成例４〔樹脂Ｅ４の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、１，４-ジオキサン４．６０部を仕込み、６０℃まで昇温した。そこへモノマーＩ（セントラル硝子社製）１５．００部、モノマーＸ（セントラル硝子社製）９．９８部〔モル比；モノマーＩ：モノマーＸ＝９０：１０〕及びアゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．２４３部を１，４-ジオキサン１５．６３部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後６０℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にｎ−ヘプタン４９９部を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。濾取した樹脂をテトラヒドロフラン４９．８部に溶解した。さらに１０℃に冷却したｎ−ヘプタン４９９部に溶解した樹脂を注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量５．６×１０^３の樹脂を１８．３部得た。この樹脂を樹脂Ｅ４とする。この樹脂Ｅ４は、以下の構造単位を有する。

合成例５〔樹脂Ａ１の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、１，４−ジオキサンを９２．８部及びモノマーＡ１６．７部仕込み、８５℃まで昇温した。そこへモノマーＭ６０．０部、モノマーＡ３９．０部、モノマーＣ９．２２部、モノマーＮ４．０６部、モノマーＤ２６．６部〔モル比；モノマーＭ：モノマーＡ：モノマーＣ：モノマーＮ：モノマーＤ＝４０：３０：５：５：２０〕及びアゾビスイソブチロニトリル１１．５部を１，４−ジオキサン１３８．５部に溶解した溶液を、１時間かけて滴下した。その後８５℃を保ったまま６時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却後、メタノール１６０９部及び水４０２部の混合溶液を十分冷却し、ここに反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトンに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸３．０９部及び水３０９．４部を加え６時間攪拌した。静置・分液して回収された有機層を、３回程度水洗した後、水洗後の有機層をｎ−ヘプタン２０１０部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量５．２×１０^３の樹脂を１２９部得た。この樹脂を樹脂Ａ１とする。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有する。

合成例６〔樹脂Ａ２の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、１，４−ジオキサン１５．１部を仕込み、８５℃まで昇温した。そこへモノマーＭ１２．０部、モノマーＢ４．６５部、モノマーＥ５．８５部、モノマーＦ１．３９、モノマーＮ１．３０部〔モル比；モノマーＭ：モノマーＢ：モノマーＥ：モノマーＦ：モノマーＮ＝５０：１５：２０：５：１０〕及びアゾビスイソブチロニトリル１．８４部を１，４−ジオキサン２２．７部に溶解した溶液を、１時間かけて滴下した。その後８５℃を保ったまま６時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却後、メタノール２６２部及び水６５部の混合溶液を十分冷却し、ここに反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトンに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．５０部及び水５０．４部を加え６時間攪拌した。静置・分液して回収された有機層を、３回程度水洗した後、水洗後の有機層をｎ−ヘプタン３２７部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量４．９×１０^３の樹脂を１８．１部得た。この樹脂を樹脂Ａ２とする。この樹脂Ａ２は、以下の構造単位を有する。

合成例７〔樹脂Ａ３の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＢ１５．０部、モノマーＣ３．５７部、モノマーＨ３．３６部及びモノマーＤ５．１４部〔モル比；モノマーＢ：モノマーＣ：モノマーＨ：モノマーＤ＝５０：１２．５：１２．５：２５〕を仕込み、１，４−ジオキサン４０．６部を加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．２部とアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．９部を添加し、７７℃で約５時間加熱した。その後、反応液を大量の含水メタノールに注いで沈殿させた後、大量の含水メタノールで沈殿物を洗浄する動作を３回行うことで精製し、重量平均分子量８．１×１０^３の樹脂を２１．１部得た。これを樹脂Ａ３とする。この樹脂Ａ３は、以下の構造単位を有する。

合成例８〔樹脂Ｈの合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＢ１０．００部、モノマーＣ３．２６部、モノマーＧ７．４２部、モノマーＤ３．９２部及びモノマーＫ７．７２部〔モル比；モノマーＢ：モノマーＣ：モノマーＧ：モノマーＤ：モノマーＫ＝３５：１２：２３：２０：１０〕を仕込み、１，４−ジオキサンジオキサン４８．４部を加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．２３部とアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）１．０３部を添加し、７３℃で約５時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノールに注いで沈殿させた後、大量のメタノールで沈殿物を洗浄する動作を３回行うことで精製し、重量平均分子量２．１×１０^３の共重合体を４．８部で得た。この樹脂を樹脂Ｈとする。この樹脂Ｈは、以下の構造単位を有する。

実施例１〜１６及び比較例１〜４
（レジスト組成物の調製）
以下に示す成分の各々を表１に示す質量部で混合して下記溶剤に溶解させた後、孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物１〜１９及びＨ１を調製した。

表１に示された各符号は、以下の化合物を表わす。
＜樹脂（Ａ）＞
Ａ１：樹脂Ａ１
Ａ２：樹脂Ａ２
Ａ３：樹脂Ａ３
Ｅ１：樹脂Ｅ１
Ｅ２：樹脂Ｅ２
Ｅ３：樹脂Ｅ３
Ｅ４：樹脂Ｅ４
Ｈ：樹脂Ｈ

＜酸発生剤＞
Ｂ１：式（Ｂ−１）で表される塩；特開２００８−７４８４３号公報記載の方法で合成

Ｂ２：式（Ｂ−２）で表される塩；特開２０１１−１２６８６９号公報記載の方法で合成

Ｂ３：式（Ｂ−３）で表される塩；特開２００７−２２４００８号公報記載の方法で合成

Ｂ４：セントラル硝子社製

＜クエンチャー（Ｃ）＞
Ｃ１：式（Ｃ９−１）で表される塩；特開２０１１−３９５０２号公報記載の方法で合成

Ｃ２：式（Ｃ９−２）で表される塩；（東京化成工業（株）製）

Ｃ３：式（Ｃ９−３）で表される塩；特開２０１１−３９５０２号公報記載の方法で合成

Ｃ４：式（Ｃ１１−１）で表される塩；特開２０１２−７２１０９号記載の方法で合成

Ｃ５：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（東京化成工業（株）製）
Ｃ６：２，６−ジイソプロピルアニリン（東京化成工業（株）製）

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １５０部
γ−ブチロラクトン ５部

（レジスト組成物の電子線露光評価）
６インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、表１の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。組成物層が形成されたウェハに、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表１の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、線幅１００ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。

解像度評価：上記実効感度において得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンが倒れずに解像する最小線幅を解像度とした。その結果を表２に示す。
倒れマージン評価：６０ｎｍのラインアンドスペースパターンにおいて、下記式に従って倒れマージンを求めた。値が大きいほど倒れが発生しにくく、パターン形成のための露光量の調整が容易であることを示す。その結果を表２に示した。
倒れマージン（％）＝（Ｅ_２−Ｅ_１）／Ｅ_１×１００
［Ｅ_１は、レジストパターンが分離する最小露光量を表す。
Ｅ_２は、レジストパターンが倒れることなく形成される最大露光量を表す。］

実施例１７〜２２
（レジスト組成物のＥＵＶ露光評価）
８インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を組成物層の膜厚が０．０３５μｍとなるようにスピンコートした。
その後、ダイレクトホットプレート上で、表１の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。寸法２４ｎｍまたは２２ｎｍの１：１のラインアンドスペースをウエハ上に形成できる反射型マスクとＥＵＶ露光機（ＮＡ０．３、ダイポールで露光）とを用い、露光量を段階的に変化させて、上記ウェハの組成物層上にラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表１の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で３０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、線幅２４ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。

解像度評価：ＥＵＶ露光における実効感度において得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンが倒れずに解像する最小線幅を解像度とした。その結果を表３に示す。

本発明のレジスト組成物によれば、高解像度のレジストパターンを容易に製造できる。

Claims (8)

1. 式（Ｉ）で表される基を有する構造単位と式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位とを含む樹脂（Ｅ）と、
   酸に不安定な基を有し、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、
   酸発生剤（Ｂ）とを含有し、
   前記樹脂（Ｅ）の含有量は、前記樹脂（Ａ）１００質量部あたり、５質量部以上、３０質量％以下であるレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
   

   

   ［式（ＩＩ）中、Ｒ^２及びＲ^３は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］
2. 式（Ｉ）で表される基を有する構造単位は、式（Ｉ−１）で表される構造単位である請求項１記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ−１）中、
   Ｒ^１ｘは、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｒ^４は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。］
3. 式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位は、式（ＩＩ−１）で表される構造単位、又は式（ＩＩ−２）で表される構造単位である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（ＩＩ−１）及び式（ＩＩ−２）中、
   Ｒ^２ｘ、Ｒ^３ｘ、Ｒ^２ｙ及びＲ^３ｙは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｒ^６及びＲ^７は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｘ^２及びＸ^３は、互いに独立に、２価の連結基を表す。
   Ｚ２^＋及びＺ３^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］
4. 式（ＩＩ）で表される基を有する構造単位は、式（ＩＩ−３）で表される構造単位である請求項１〜３のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式中、Ｒ^１３は、水素原子又はメチル基を表す。
   ｕは、１又は２を表す。
   Ｒ^１４は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
   Ｘ^１５は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
   Ｚ４^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］
5. さらにクエンチャーを含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
6. （１）請求項１〜５のいずれか１項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程及び、
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程、
   を含むレジストパターンの製造方法。
7. 式（Ｉ）
   

   

   ［式中、Ｒ^１は、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
   で表される基を有する構造単位と、
   式（ＩＩ−１）
   

   

   ［式中、
   Ｒ^２ｘ及びＲ^３ｘは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｒ^６は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｘ^２は、２価の連結基を表す。
   Ｚ２^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］
   で表される構造単位とを含む樹脂。
8. 式（Ｉ）で表される基を有する構造単位は、式（Ｉ−１）で表される構造単位である請求項７記載の樹脂。
   

   

   ［式（Ｉ−１）中、
   Ｒ^１ｘは、フッ素原子を含む炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｒ^４は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。］