JP6011277B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表裏両面がモールド樹脂から露出するように当該モールド樹脂により封止された複数本のリードを有する半導体装置の製造方法に関する。

従来より、モールド樹脂に封止された回路チップと、モールド樹脂上に搭載されたセンサチップとを接続するために、モールド樹脂上に配線基板等よりなる補助配線部材を設け、この補助配線部材とセンサチップとをワイヤボンディングで接続したものが提案されている（特許文献１参照）。この場合、さらに、モールド樹脂より露出するワイヤボンディング部分は、封止材で封止される。

特開２０１０−１６９４６０号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載のものでは、補助配線部材、さらには補助配線部材をモールド樹脂上に固定するための接着剤が必要となる。また補助配線部材を設置して固定する工程が別途必要となる。

そこで、本発明者は、一面と他面とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリードを、補助配線部材として用いることを検討した。

この場合、個々のリードの両端側をモールド樹脂で封止して支持するとともに、モールド樹脂には、個々のリードの一面側、他面側をそれぞれ露出させる第１の開口部、第２の開口部を設ける。ここで、第１の開口部と第２の開口部とは、リードの隙間を介して連通する構成となる。このようにリードの表裏両面をモールド樹脂より露出させることは、たとえば次の理由による。

複数本のリードは、元々タイバーで連結されたものである。このことから、モールド樹脂の封止後にタイバーをカットするようにすれば、モールド樹脂封止前における複数本のリードの支持や取り扱い性等に優れる。このとき、モールド樹脂封止後にタイバーカットする場合、当該タイバーを第１および第２の開口部にて露出させておけば、容易にカットを行うことができる。

このカット後は、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面とを、ボンディングワイヤにより接続する。これにより、各リードが半導体チップと電気的に接続される。ここで、第１の開口部には、複数本のリードの一面およびボンディングワイヤを封止して保護する封止材を設ける。

一方、ワイヤボンディングと反対側の第２の開口部には、当該第２の開口部を閉塞する蓋部材を設けることにより、封止材の漏れを防止することになる。こうして、リードの表裏両面およびワイヤの電気絶縁性が確保されることとなる。

このような複数本のリードを補助配線部材として用いる半導体装置の製造方法は、次の通りである。まず、上記複数本のリードを用意し、これを、金型を用いて樹脂成形することでモールド樹脂を成形する。

その後、リード間のタイバーをカットし、さらに半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。その後、第２の開口部に蓋部材を圧入し、第１の開口部側に封止材を設け、この封止材を硬化する。これにより当該半導体装置ができあがる。

ここで、モールド工程では、リードの表裏両面を金型で押さえることで上記第１および第２の開口部を形成するが、リード間の隙間からモールド樹脂が侵入して、リードの一面側のワイヤボンディング部に付着する恐れがある。当該付着による汚染が発生するとリードの一面にワイヤボンディングができなくなる可能性がある。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リードのうちモールド樹脂より露出してワイヤボンディングされる面が、モールド工程時に汚染されるのを防止することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、個々のリードの両端側を支持するモールド樹脂（２０）と、モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、モールド樹脂には、個々のリードの一面側、他面側をそれぞれ露出させるとともに、リード間の隙間を介して互いに連通する第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、さらに、第１の開口部には、複数本のリードの一面およびボンディングワイヤを封止する封止材（５０）が設けられ、第２の開口部には、当該第２の開口部を閉塞する蓋部材（６０）が設けられている半導体装置を製造する製造方法であって、以下の工程を備えている。

・複数本のリードと、複数本のリードの配列方向の両外側に位置する外枠部（１１ａ）と、個々のリードにおけるワイヤボンディング部よりも両端部側に位置して隣り合うリード同士を連結するとともに外枠部とこれに隣り合うリードとを連結するタイバー（１５ａ）と、を有するものであって、外枠部およびタイバーによって複数本のリードにおけるワイヤボンディング部を取り囲む環状の環状部（１６）が構成されたリードフレーム（１０）を用意するリード用意工程。

・第１の開口部の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリードの一面側に接触する接触面（１１１）を持つ第１の押さえ部（１１０）と、第２の開口部の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリードの他面側に接触する接触面（１２１）を持つ第２の押さえ部（１２０）とを有する金型であって、第１の押さえ部における接触面については、環状部に対応した環状をなす凸部（１１２）が周辺部に設けられ当該凸部の内周は凹部（１１３）とされている金型（１００）を用い、第２の押さえ部における接触面を複数本のリードの他面側に接触させるとともに、第１の押さえ部における接触面については、リードの一面側から環状部に対して凸部を接触させることで複数本のリードの一面のうち凹部に位置する部位にモールド樹脂が入り込まない状態とし、この状態で、モールド樹脂による封止を行うことにより、第１の開口部および第２の開口部を有するモールド樹脂を成形するモールド工程。

第１の開口部および第２の開口部のいずれか一方を介して、タイバーをカットするタイバーカット工程。第１の開口部および第２の開口部の外側にてモールド樹脂に半導体チップを搭載するチップ搭載工程。第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤを形成するワイヤボンディング工程。蓋部材を、第２の開口部に対して圧入し固定する蓋設置工程。第１の開口部側から液状の封止材を注入し、個々のリードの一面を当該液状の封止材により被覆する封止材注入工程。封止材を硬化させる封止材硬化工程。本発明の製造方法は、これらの各工程を備えることを特徴としている。

それによれば、モールド工程では、複数本のリードの一面におけるワイヤボンディング部の全周囲に位置する環状部に対して、第１の押さえ部における凸部が接触することにより、当該ワイヤボンディング部は、第１の押さえ部における凹部内に閉塞される。そのため、モールド樹脂がリード間の隙間から当該ワイヤボンディング部に入り込もうとしても、リード間のタイバーにより阻止される。

こうして、モールド樹脂のリードの一面におけるワイヤボンディング部への付着が防止される。また第１の押さえ部の凹部によって当該ワイヤボンディング部に金型が接触することはなく、金型の接触による汚染も防止される。よって、本発明によれば、リードのうちモールド樹脂より露出してワイヤボンディングされる面が、モールド工程時に汚染されるのを防止することができる。

ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１の製造方法においては、第２の開口部を介してリードの他面側に樹脂よりなる接着剤（７０）を注入する接着剤注入工程を行った後、蓋設置工程を行うことにより、接着剤によって、リード間の隙間、および、蓋部材とリードの他面との隙間を埋めるようにしてもよい。

第１の開口部から注入される封止材では、リードの隙間、さらには、リードの隙間を介してリードの他面側まで充填するのは難しく、リードの隙間、および、蓋部材とリードの他面との隙間が残ってしまう。それに対して、本発明の製造方法のように、接着剤によって当該隙間を埋めてしまえば、当該隙間が残存することがなくなる。

この場合、さらに、請求項３に記載の発明のように、封止材硬化工程にて、封止材とともに接着剤を一括して硬化すれば、製造工程の効率化を図ることができる。

また、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜３に記載の半導体装置の製造方法においては、蓋部材として、当該蓋部材のうち第２の開口部にてモールド樹脂に接触する側面（６２〜６５）には粗化処理がなされたものを用いてもよい。

それによれば、蓋設置工程では、蓋部材における粗化処理された側面とモールド樹脂との密着力が向上し、第２の開口部から蓋部材が落ちにくくなる、という効果が期待できる。

この場合、請求項５に記載の発明のように、蓋部材の側面のうち少なくとも対向する２つの側面にて粗化処理がなされているものにすれば、第２の開口部においてモールド樹脂に対する蓋部材の支持が確保しやすくなる。

さらに、請求項６に記載の発明のように、蓋部材の側面のうち半導体チップに最も近い位置にて隣り合う側面から当該側面に対向する側面に向かう方向を第１の方向（Ｙ１）としたとき、この第１の方向にて対向する２つの側面（６２、６３）には粗化処理はなされず、第１の方向とは直交する方向にて対向する２つの側面（６４、６５）に粗化処理がなされているものであり、この前記粗化処理がなされた２つの側面が、第２の開口部にてモールド樹脂に接触するものであることが好ましい。

それによれば、蓋部材を第２の開口部に圧入するときにモールド樹脂に加わる応力が、半導体チップに影響しにくくなる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

（ａ）は本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の半導体装置における一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の半導体装置における一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った部分を拡大して示す概略断面図である。 （ａ）は図１に示される半導体装置における蓋部材の概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の蓋部材における一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるリード用意工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるモールド工程におけるワークと金型との関係を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は第１の押さえ部における接触面の概略平面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるモールド工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるタイバーカット工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるチップ搭載工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるダム形成工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における接着剤注入工程を示す概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における蓋設置工程を示す概略断面図である。 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における封止材注入工程を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の断面図である。 （ａ）は第２の開口部の壁面および蓋部材の側面の傾斜角度をそれぞれ規定した場合に蓋部材に掛かる力Ｆ１を示した断面図であり、（ｂ）は当該傾斜角度を規定しない場合に蓋部材に掛かる力Ｆ２を示した断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１、図２を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車に搭載されるＥＣＵ等の電子装置の構成要素として適用される。

本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、リードフレーム１０と、リードフレーム１０を封止するモールド樹脂２０と、モールド樹脂２０上に搭載された半導体チップ３０と、半導体チップ３０とモールド樹脂２０より開口するリードフレーム１０のリード１１とを接続するボンディングワイヤ４０と、を備える。

リードフレーム１０は、一面１０ａと他面１０ｂとが表裏の関係にある板状をなすものであり、板材をパターニングすることで複数本のリード１１、アイランド１２、外部接続端子１３を形成してなるものである。したがって、リードフレーム１０の一面１０ａ、他面１０ｂは、そのままリード１１、アイランド１２、外部接続端子１３の一面１０ａ、他面１０ｂに相当する。

このようなリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイ等の金属製の板材よりなる。そして、リードフレーム１０は、当該板材をプレスやエッチングでパターニングすることで、後述の図３等に示されるように、フレーム部１４およびタイバー１５ａ、１５ｂによって、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３が一体に連結された状態で形成されている。

そして、モールド樹脂２０で封止後に、これらフレーム部１４、タイバー１５ａ、１５ｂをカットすることで、リードフレーム１０は、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３が互いに分離したものとされる。したがって、図１に示される半導体装置Ｓ１においては、リードフレーム１０におけるリード１１とアイランド１２と外部接続端子１３とは、モールド樹脂２０で支持されつつ互いに分離した状態とされている。

リード１１は、一面１０ａと他面１０ｂとが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のものよりなり、ここでは、細長の板形状をなしている。各リード１１は、一面１０ａをボンディングワイヤ４０と接続されるワイヤ接続面としている。そして、各リード１１は、この一面１０ａを上方に向けつつ、同一平面にて長手方向を揃えた状態で互いに隙間を有して配列されている。

ここで、複数本のリード１１の配列方向の両外側には、外枠部１１ａが配置されている。この外枠部１１ａは、リードフレーム１０の一部として構成されたもので、モールド樹脂２０の封止前には、タイバー１５ａによりリード１１と連結されていたものである（図３参照）。

モールド樹脂２０内にて、アイランド１２には、図示しない電子部品が搭載されている。この電子部品としては、たとえば回路チップ等の表面実装部品や回路基板等が挙げられる。外部接続端子１３は、ワイヤボンディングやはんだ付け等の接続方法によって、半導体装置Ｓ１と外部との接続を行うものである。

そして、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３の各間は、モールド樹脂２０内にて、図示しないボンディングワイヤ等で結線され、電気的に接続されている。

モールド樹脂２０は、リードフレーム１０のうち、各リード１１の長手方向の両端側、外枠部１１ａ、アイランド１２全体、外部接続端子１３のインナーリード、さらには、上記したリードフレーム１０上の部品や、リードフレームの各部間を接続する図示しないボンディングワイヤを封止している。このモールド樹脂２０は、エポキシ樹脂等よりなり、トランスファーモールド法により形成されている。

このモールド樹脂２０には、半導体チップ３０を搭載するためのチップ搭載部２３が形成されている。この半導体チップ３０としては、特に限定するものではないが、流量センサ、圧力センサ、加速度センサ、角速度センサ等のセンサチップや、その他、回路チップ等が挙げられる。

ここでは、モールド樹脂２０におけるチップ搭載部２３は凹部として構成されている。そして、半導体チップ３０は、このチップ搭載部２３に配置されており、エポキシ樹脂等よりなる接着剤３１を介してモールド樹脂２０に搭載され、モールド樹脂２０に固定されている。

また、このモールド樹脂２０には、リード１１の一面１０ａ側にて第１の開口部２１が設けられている。この第１の開口部２１は、個々のリード１１の一面１０ａにおけるワイヤボンディング部をモールド樹脂２０より露出させるものである。

それとともに、モールド樹脂２０には、リード１１の他面１０ｂ側にて第２の開口部２２が設けられている。この第２の開口部２２は、個々のリード１１の他面１０ｂ側をモールド樹脂２０より露出させるものである。

ここで、第１の開口部２１と第２の開口部２２とは、リード１１間の隙間を介して互いに連通している。つまり、リード１１を境にして、リード１１の一面１０ａ側が第１の開口部２１とされ、リード１１の他面１０ｂ側が第２の開口部２２とされている。これにより、各リード１１は、その長手方向の両端側にてモールド樹脂２０に支持されている。

そして、第１の開口部２１を介して半導体チップ３０と個々のリード１１の一面１０ａとが金やアルミニウム等よりなるボンディングワイヤ４０により接続されている。このボンディングワイヤ４０による接続は、各リード１１と半導体チップ３０との間で行われているが、図１（ａ）では、一本のボンディングワイヤ４０のみ示してある。

さらに、第１の開口部２１には、第１の開口部２１にて露出するリード１１の一面１０ａおよびボンディングワイヤ４０を封止する封止材５０が設けられている。この封止材５０は、この種の半導体装置に用いられる封止材料、たとえばシリカよりなるフィラーを含有するエポキシ樹脂等よりなる。

一方、第２の開口部２２には、第２の開口部２２を閉塞する蓋部材６０が設けられている。この蓋部材６０は、第１の開口部２１への封止材５０の設置時に、第２の開口部２２からの封止材５０の漏れ防止を行うものであり、第２の開口部２２に圧入されて固定されている。

この蓋部材６０について、図２も参照して述べる。図２（ａ）では、蓋部材６０のうちリード１１の他面１０ｂに対向する面である対向面６１側から視たときの蓋部材６０の平面構成を示しているが、この蓋部材６０の平面形状は、第２の開口部２２の開口形状に対応した形状とされている。

ここでは、蓋部材６０の平面形状は、リード１１の長手方向を短辺、リード１１の配列方向を長辺とする矩形をなしている。そして、蓋部材６０の４つの側面６２〜６５は、対向面６１側からこれとは反対側に向かってテーパ状に広がるように傾斜した面とされている。

なお、図２（ａ）中の両矢印で示される第１の方向Ｙ１は、ここではリード１１の長手方向に相当する。具体的には、図２（ａ）にて蓋部材６０よりも第１の方向Ｙ１に沿った紙面上側に半導体チップ３０が位置することになる。

言い換えれば、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち半導体チップ３０に最も近い位置にて隣り合う側面６２と側面６３とを結ぶ方向が、第１の方向Ｙ１とされている。すなわち、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち半導体チップ３０に最も近い位置にて隣り合う側面６２から当該側面６３に対向する側面に向かう方向も当然第１の方向Ｙ１である。この場合、第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３は蓋部材６０の長辺の側面であり、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５は短辺の側面である。

そして、これら蓋部材６０の側面６２〜６５のうち少なくとも対向する２つの側面が、第２の開口部２２の側面に接触した状態で圧入が行われている。このような蓋部材６０は、樹脂成形により形成されたものであり、具体的には、エポキシ樹脂等よりなる。

また、本実施形態では、図１（ｃ）に示されるように、さらに、第２の開口部２２内にてリード１１の他面１０ｂと蓋部材６０との間には、エポキシ樹脂等よりなる接着剤７０が介在している。この接着剤７０によって、リード１１間の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間が埋められている。

また、図１（ｂ）に示されるように、封止材５０は、半導体チップ３０におけるボンディングワイヤ４０との接続部位を封止しているが、半導体チップ３０における当該接続部位とは反対側の部位は、封止材５０より露出している。本実施形態では、この封止材５０のはみ出しを防止するためのダム部材８０が、半導体チップ３０上およびその周辺のモールド樹脂２０上に突出して設けられている。このダム部材８０はエポキシ樹脂等よりなる。

このような半導体装置Ｓ１においては、半導体チップ３０からの信号が、ボンディングワイヤ４０、リード１１を介して、アイランド１２上の図示しない電子部品に伝わり、さらに、外部接続端子１３から外部に出力されるようになっている。

次に、本半導体装置Ｓ１の製造方法について、図３〜図１２を参照して述べることとする。なお、図３〜図１２中の断面図では、フレーム部１４やタイバー１５ａ、１５ｂは省略してある。

［図３に示す工程］
まず、リード用意工程として、複数本のリード１１を有するリードフレーム１０を用意する。ここでは、フレーム部１４およびタイバー１５ａ、１５ｂによって、リード１１、外枠部１１ａ、アイランド１２、外部接続端子１３が一体に連結された状態のリードフレーム１０を用意する。

ここで、タイバー１５ａは、個々のリード１１におけるワイヤボンディング部よりも両端部側に位置しており、隣り合う前記リード１１同士を連結するとともに外枠部１１ａとこれに隣り合うリード１１とを連結するものである。また、それ以外のタイバー１５ｂは、外枠部１１ａとフレーム部１４との間、アイランド１２とフレーム部１４との間、外部接続端子１３間を連結するものである。

さらに、図３（ａ）に示されるように、この用意されるリードフレーム１０においては、外枠部１１ａおよびタイバー１５ａによって、複数本のリード１１におけるワイヤボンディング部を取り囲む環状の環状部１６が構成されている。ここでは、環状部１６は、タイバー１５ａの延びる方向を第１の辺とし、外枠部１１ａを第１の辺に直交する第２の辺とする矩形環状のものとされている。なお、図３（ａ）では、環状部１６の表面に便宜上、斜線ハッチングを施してある。

［図４、図５に示す工程］
次に、モールド工程では、第１の開口部２１および第２の開口部２２を形成するように複数本のリード１１をモールド樹脂２０で封止する。このモールド樹脂２０は、金型１００を用いたトランスファーモールド法により行う。金型１００は、典型的なものと同様、上型１０１と下型１０２とを合致させることで、当該上下型１０１、１０２の間にキャビティ１０３が形成されるものである。

ここで、金型１００は、第１の開口部２１の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリード１１の一面１０ａ側に接触する接触面１１１を持つ第１の押さえ部１１０と、第２の開口部２２の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリード１１の他面１０ｂ側に接触する接触面１２１を持つ第２の押さえ部１２０とを有する。

第１の押さえ部１１０は、上型１０１より突出する突起として構成されており、第２の押さえ部１２０は、第１の押さえ部１１０に対向して下型１０２より突出する突起として構成されている。

さらに、図４（ｃ）に示されるように、第１の押さえ部１１０における接触面１１１については、環状部１６に対応した環状をなす凸部１１２が当該接触面１１１の周辺部に設けられ、これにより、当該凸部１１２の内周は凹部１１３とされている。ここでは、凸部１１２の平面形状は矩形枠状であり、その内周の凹部１１３は平面矩形とされている。

また、金型１００において、第２の押さえ部１２０における接触面１２１は、第２の開口部２２の開口形状に対応した矩形をなし、リード１１の他面１１ｂのうち第２の開口部２２より露出すべき部位の全体に接触する平坦面とされている。

こうして、金型１００にワークを設置した状態では、各開口部２１、２２となる部位にて、第１の押さえ部１１０における接触面１１１がリード１１の一面１０ａに接触し、第２の押さえ部１２０における接触面１２１がリード１１の他面１１ｂに接触する。

このとき、第１の押さえ部１１０における接触面１１１については、凸部１１２は接触するが凹部１１３は接触しない。つまり、リード１１の一面１０ａ側から環状部１６に対して凸部１１２を接触させると、各リード１１の一面１０ａのうち凹部１１３に位置する部位にはモールド樹脂２０が入り込まない状態となる。

図４（ａ）では、キャビティ１０３の外形を破線にて示すとともに、第１の押さえ部１１０における接触面１１１の凸部１１２に対応する部分（ここでは矩形枠状の部分）に斜線ハッチングを施し、その内周を凹部１１３に対応する部位としてある。第１の押さえ部１１０の凸部１１２は、この図４（ａ）に示される位置にて、リード１１の一面１０ａに接触する。

こうして、各押さえ部１１０、１２０でリード１１の両面１０ａ、１０ｂを押さえた状態とし、この状態で、キャビティ１０３にモールド樹脂２０を充填し、モールド樹脂２０による封止を行う。

これにより、図５に示されるように、リード１１の両端、外枠部１１ａ、アイランド１２、外部接続端子１３のインナーリードが封止される。このとき、モールド樹脂２０においては、チップ搭載部２３も形成される。こうして、第１の開口部２１および第２の開口部２２を有するモールド樹脂２０が成形される。ここまでがモールド工程である。

［図６に示す工程］
次に、タイバーカット工程では、カット型２００を用いて、第１の開口部２１および第２の開口部２２のいずれか一方を介して、リード１１間のタイバー１５ａを切断して個々のリード１１を分離する。このとき、モールド樹脂２０より露出する他のタイバー１５ｂおよびフレーム部１４も、カットする。

なお、本タイバーカット工程では、タイバー１５ｂおよびフレーム部１４のうちの一部をカットし、後の工程で残りの部分をカットする場合もある。このような場合も考慮して、本タイバーカット工程後の各工程を示した図７〜図９ではタイバー１５ｂおよびフレーム部１４も残して描いてある。したがって、本タイバーカット工程のように全てのタイバー１５ｂおよびフレーム部１４をカットした場合は、図７〜図９に示されているタイバー１５ｂおよびフレーム部１４は存在しない。

［図７に示す工程］
次に、チップ搭載工程では、第１の開口部２１および第２の開口部２２の外側にてモールド樹脂２０に半導体チップ３０を搭載する。ここでは、接着剤３１をチップ搭載部２３に配置し、この接着剤３１を介して半導体チップ３０を搭載し、チップ搭載部２３に接着する。

［図８に示す工程］
次に、ワイヤボンディング工程では、第１の開口部２１を介して半導体チップ３０と個々のリード１１との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ４０を形成する。このワイヤボンディングは、金やアルミニウム等のワイヤを用いたボールボンディング、ウェッジボンディング等によりなされる。

［図９に示す工程］
次にダム形成工程では、ダム部材８０を、半導体チップ３０上およびその周辺のモールド樹脂２０上への塗布および硬化により、形成する。

［図１０に示す工程］
次に、接着剤注入工程を行う。この工程では、第２の開口部２２を介してリード１１の他面１０ｂ側に樹脂よりなる接着剤７０を注入する。

［図１１に示す工程］
次に、蓋設置工程では、蓋部材６０を、第２の開口部２２に対して圧入し固定する。本実施形態では、第２の開口部２２に予め接着剤７０が注入されており、この蓋設置工程を行うことにより、接着剤７０によって、リード１１間の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間を埋めるようにする。

［図１２に示す工程］
次に、封止材注入工程では、第１の開口部２１側から液状の封止材５０を注入し、個々のリード１１の一面１０ａを当該液状の封止材５０により被覆する。

その後は、この封止材５０を加熱等により硬化させる封止材硬化工程を行う。ここでは、封止材硬化工程にて、封止材５０とともに接着剤７０を一括して硬化する。たとえば、両部材５０、７０ともエポキシ樹脂としたとき、１５０℃程度の加熱により、両部材５０、７０の一括硬化が可能である。こうして、本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、モールド工程では、複数本のリード１１の一面１１ａにおけるワイヤボンディング部の全周囲に位置する環状部１６に対して、第１の押さえ部１１０における凸部１１２が接触する。それにより、当該ワイヤボンディング部は、第１の押さえ部１１０における凹部１１３内に閉塞される。

そのため、モールド樹脂２０がリード１１間の隙間から当該ワイヤボンディング部に入り込もうとしても、リード１１間のタイバー１５ａにより阻止される。こうして、モールド樹脂２０のリード１１の一面１０ａにおけるワイヤボンディング部への付着が防止される。

また、第１の押さえ部１１０の凹部１１３によって当該ワイヤボンディング部に金型１００が接触することはなく、金型１００の接触による汚染も防止される。よって、本実施形態によれば、リード１１のうちモールド樹脂２０より露出してワイヤボンディングされる面１１ａが、モールド工程時に汚染されるのを防止することができる。

また、本実施形態では、第２の開口部２２を介してリード１１の他面１１ｂ側に接着剤７０を注入する接着剤注入工程を行った後、蓋設置工程を行うことにより、当該接着剤７０によって、リード１１間の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間を埋めるようにしている。

封止材５０を第１の開口部２１から注入する場合、リード１１の隙間、さらには、リード１１の隙間を介してリード１１の他面１０ｂ側まで封止材５０で充填するのは難しい。そのため、当該リード１１の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間が残ってしまう。このことは、リード１１の隙間が小さいと顕著になる。それに対して、接着剤７０によって当該隙間を埋めてしまえば、当該隙間の残存防止が期待できる。

また、本実施形態では、封止材硬化工程にて、封止材５０とともに接着剤７０を一括して硬化するようにしているから、製造工程の効率化を図ることができる。

また、本実施形態の製造方法においては、蓋部材６０として、当該蓋部材６０のうち第２の開口部２２にてモールド樹脂２０に接触する側面６２〜６５に粗化処理がなされたものを用いることが望ましい。

この粗化処理は、蓋部材６０を樹脂成形により成形するときの金型の内面を粗化したものとすることにより行える。また、粗化処理は、その他、エッチングやブラスト処理で行ってもよい。

それによれば、蓋設置工程では、蓋部材６０における粗化処理された側面６２〜６５とモールド樹脂２０との密着力が向上し、第２の開口部２２から蓋部材６０が落ちにくくなる。ここで、粗化処理の粗化のレベルとしては、互いに接触するモールド樹脂２０の面の粗度と側面６２〜６５の粗度との積が１４を超える大きさとなることが望ましい。

また、この粗化処理される側面は、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち少なくとも対向する２つの側面であればよい。具体的に、本実施形態では、上記図２（ａ）に示されるように、第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３の組と、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５の組とで、いずれか一方の組に粗化処理がなされていれば、モールド樹脂３０に対する蓋部材６０の支持が確保しやすくなる。

より望ましくは、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３には前記粗化処理はなされず、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５に粗化処理がなされていることがよい。そして、粗化処理がなされた２つの側面６４、６５が、第２の開口部２２にてモールド樹脂２０に接触し、それ以外の２つの側面６２、６３は、モールド樹脂２０とは多少隙間を有しているものとする。

仮に、上記図１、図２において、第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３に粗化処理を施した場合、蓋部材６０の圧入時には、当該２つの側面６２、６３がモールド樹脂２０に密着することになる。すると、当該圧入によって、第１の方向Ｙ１にて第２の開口部２２が広がるようにモールド樹脂２０に応力が加わるため、半導体チップ３０に対して当該応力の影響が発生しやすい。

それに対して、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５に粗化処理がなされている場合、第１の方向Ｙ１と直交する方向にて第２の開口部２２が広がるようにモールド樹脂２０に応力が加わるだけであり、当該応力の影響は半導体チップ３０におよびにくいものとなる。つまり、蓋部材６０を第２の開口部２２に圧入するときにモールド樹脂２０に加わる応力の半導体チップ３０への影響を小さいものにできる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図１１に示す蓋設置工程において、蓋部材６０がモールド樹脂２０の第２の開口部２２から抜け落ちることを防止する製造方法を提供する。

このため、本実施形態では、モールド樹脂２０の材質としてエポキシ樹脂を用い、蓋部材６０の材質としてＰＰＳ・Ｇ４０を用いる。ＰＰＳ・Ｇ４０とはポリフェニレンサルファイド樹脂にガラスが４０重量％添加されているものである。ＰＰＳは熱可塑性樹脂の中でも加熱による伸びをできるだけ抑える特性を有する。そして、ＰＰＳに対するガラスの混合量を４０重量％とすることによりＰＰＳの所望の硬さと伸びにくさが得られる。

また、モールド樹脂２０の第２の開口部２２に対する蓋部材６０の圧入角度が図１３の断面図に示される角度となるようにモールド樹脂２０および蓋部材６０が構成されている。なお、図１３は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面に相当する図である。

具体的には、モールド樹脂２０の第２の開口部２２には蓋部材６０の４つの側面６２〜６５に対応する４つの壁面がある。これら４つの壁面のうちリード１１の長手方向に沿った少なくとも２つの壁面２２ａ、２２ｂが、リード１１の他面１０ｂに垂直であると共にリード１１の長手方向に沿った基準面９０に対して５°以下の角度で第２の開口部２２の開口側に向かって広がるように傾いている。言い換えると、少なくとも２つの壁面２２ａ、２２ｂは、リード１１の他面１０ｂ側から第２の開口部２２における蓋部材６０の入口側に向かって基準面９０に対して５°以下の角度で広がったテーパ面になっている。これらの壁面２２ａ、２２ｂは、第２の開口部２２において当該第２の開口部２２の長手方向の両端にそれぞれ位置し、互いに対向している面である。

同様に、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち第２の開口部２２の壁面２２ａ、２２ｂに対応する側面６４、６５が当該壁面２２ａ、２２ｂの角度に対応するように形成されている。すなわち、蓋部材６０の側面６４、６５は、基準面９０に対して５°以下の角度で対向面６１とは反対側が広がるように傾いたテーパ面になっている。具体的には、第２の開口部２２の壁面２２ａが蓋部材６０の側面６４に対応し、第２の開口部２２の壁面２２ｂが蓋部材６０の側面６５に対応する。なお、基準面９０は対向面６１に垂直な面であると共に第１の方向Ｙ１に沿った面であるとも言える。

ここで、モールド樹脂２０の第２の開口部２２を構成する各壁面のうち、リード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面についても上記と同様に傾斜角度を規定しても良い。この場合、リード１１の他面１０ｂに垂直であると共にリード１１が並べられた方向に沿った面を基準面とし、この基準面に対して５°以下の角度で蓋部材６０の入口側が広がるように各壁面が傾いている。このように第２の開口部２２を構成する各壁面のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面の傾斜角度を規定したときは、蓋部材６０の側面６２、６３の傾斜角度も同じように傾斜させれば良い。

なお、蓋部材６０の作りやすさや蓋部材６０の圧入のしやすさ等を考慮すると、基準面９０に対する第２の開口部２２の各壁面２２ａ、２２ｂや蓋部材６０の各側面６４、６５の傾斜角度の下限値は例えば１°以上であることが好ましい。したがって、傾斜角度は例えば１°以上、５°以下の範囲とする。

次に、図１３に示された構造の半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、第１実施形態で示された各工程のうちの図４および図５に示すモールド工程において、エポキシ樹脂を材質とするモールド樹脂２０を成形する。このとき、上述のように基準面９０に対して５°以下で傾けられた各壁面２２ａ、２２ｂを持つ第２の開口部２２を形成する。なお、リード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面についても同様に５°以下で傾斜させて形成しても良い。

また、図１１に示す蓋設置工程において、ＰＰＳ・Ｇ４０で形成された蓋部材６０を用意する。本実施形態では、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち第２の開口部２２の各壁面２２ａ、２２ｂに対応する側面６４、６５の傾斜角度が各壁面２２ａ、２２ｂに対応する角度の蓋部材６０を用意する。

なお、第２の開口部２２の各壁面のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面を同様に５°以下で傾斜させているときは、これらの壁面に対応する蓋部材６０の側面６２、６３の傾斜角度も同じ角度に形成する。

そして、モールド樹脂２０の第２の開口部２２側が天井側、第１の開口部２１側が地面側になるようにモールド樹脂２０の天地を裏返しにする。この状態でモールド樹脂２０の第２の開口部２２に接着剤７０を注入し、蓋部材６０を第２の開口部２２に圧入する。

この後、再度、モールド樹脂２０の第１の開口部２１側が天井側になるようにモールド樹脂２０の天地を表返した状態とし、図１２に示す封止材注入工程、封止材硬化工程を行う。

この封止材注入工程および封止材硬化工程では、モールド樹脂２０のうちの第２の開口部２２側は地面側を向いているので、蓋部材６０も地面側に位置する。このため、封止材５０を加熱等により硬化させる際、蓋部材６０が加熱されて伸びることにより、蓋部材６０が抜け落ちる可能性がある。特に、蓋部材６０はリード１１が並べられた方向に沿って長細い直方体状の形状をなしているので、熱を受けた蓋部材６０はリード１１が並べられた方向に沿って伸びやすくなる。このため、モールド樹脂２０の第２の開口部２２の４つの壁面のうちリード１１の長手方向に沿った少なくとも２つの壁面２２ａ、２２ｂが、蓋部材６０の熱膨張による応力を受ける。

しかしながら、上記のように基準面９０に対して第２の開口部２２のうちの少なくとも壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度が基準面９０に対して５°以下に傾斜し、蓋部材６０のうちの少なくとも側面６４、６５がこれら各壁面２２ａ、２２ｂに対応して傾斜している。このため、図１４（ａ）に示されるように蓋部材６０がモールド樹脂２０の第２の開口部２２から抜け落ちる力Ｆ１が小さくなるので、蓋部材６０が第２の開口部２２から抜け落ちてしまうことを防止することができる。また、蓋部材６０の材質としてＰＰＳ・Ｇ４０を採用しているので、蓋部材６０の加熱による伸びをできるだけ抑えることができ、蓋部材６０がモールド樹脂２０から抜け落ちる力Ｆ１を小さくすることができる。

さらに、モールド樹脂２０の第２の開口部２２の各壁面のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面を同様に５°以下で傾斜させると共に、これらの壁面に対応した蓋部材６０の側面６２、６３を同様に傾斜させている場合もある。この場合は、第２の開口部２２のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの壁面が、蓋部材６０の熱膨張による応力を受ける力を小さくすることができる。

一方、基準面９０に対して少なくとも壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度が５°よりも大きい場合、図１４（ｂ）に示されるように蓋部材６０がモールド樹脂２０の第２の開口部２２から抜け落ちる力Ｆ２が大きくなる。また、蓋部材６０の材質がＰＰＳ・Ｇ４０ではなく、他の材質の場合にはこの力Ｆ２はさらに大きくなると考えられる。なお、図１４の各断面図は図１３と同じく図１（ａ）のＢ−Ｂ断面に相当する図である。図１４では接着剤７０および封止材５０を省略している。

このように、蓋部材６０の材質やモールド樹脂２０の第２の開口部２２の各壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度および蓋部材６０の側面６４、６５の傾斜角度を規定することにより、Ｆ１＜Ｆ２となるようにすることができ、モールド樹脂２０から蓋部材６０が抜け落ちることを防止することができる。また、蓋部材６０の材質をＰＰＳ・Ｇ４０としているので、安価な製品とすることもできる。

（他の実施形態）
なお、外枠部１１ａとタイバー１５ａとより構成される環状部１６の形状としては、上記矩形環状に限定されるものではなく、それ以外にも、たとえば円形環状等であってもよい。その場合、上記凸部１１２を、環状部１６の形状に対応した環状を有するものにすることはもちろんである。

また、接着剤７０は、蓋部材６０をリード１１やモールド樹脂２０に接着固定する用もなすものであるが、リード１１間の隙間や蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間が問題にならないならば、接着剤注入工程を行わずに、接着剤７０を省略してもよい。

また、上記実施形態では、封止材硬化工程にて封止材５０と接着剤７０とを一括して硬化したが、接着剤７０と封止材５０とで硬化は別々に行ってもよい。たとえば、蓋部材６０を設置して接着剤７０を硬化させた後、封止材５０の注入を行い、これを硬化させるようにしてもよい。

また、蓋部材６０の圧入による密着性が確保されるならば、蓋部材６０の側面６２〜６５は粗化処理されていなくてもよい。また、粗化処理は、モールド樹脂２０と接触する全側面６２〜６５に施されていてもよい。

上記の第２実施形態では、蓋部材６０の材質としてＰＰＳ・Ｇ４０を用いていたが、ＰＰＳに対するガラスの混入割合は４０重量％に限られない。蓋部材６０の所望の特性を得るため、例えばガラスの混入割合を４０重量％〜５０重量％の範囲で適宜設定することができる。

第２実施形態では、モールド樹脂２０の材質としてエポキシ樹脂を用いているが、これは材質の一例であり、他の材質のものを用いてもよい。

さらに、第２実施形態では、基準面９０に対して少なくとも壁面２２ａ、２２ｂおよび側面６４、６５の傾斜角度が５°以下の同じ角度に規定しているが、壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度と側面６４、６５の傾斜角度とは必ずしも同じ角度でなくてもよい。例えば側面６４、６５の傾斜角度を壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度よりもさらに小さくしてもよい。しかし、各側面６２〜６５と各壁面との間に隙間が生じて蓋部材を第２の開口部２２に圧入できなくなるので、各側面６２〜６５の傾斜角度と各壁面の傾斜角度は互いに対応していることが好ましい。

また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよく、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。

１０ リードフレーム
１１ リード
１１ａ 外枠部
１５ａ タイバー
１６ 環状部
２０ モールド樹脂
２１ 第１の開口部
２２ 第２の開口部
３０ 半導体チップ
４０ ボンディングワイヤ
５０ 封止材
６０ 蓋部材
１１０ 第１の押さえ部
１２０ 第２の押さえ部

Claims (11)

1. 一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、
   個々の前記リードの両端側を支持するモールド樹脂（２０）と、
   前記モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、
   前記モールド樹脂には、個々の前記リードの一面側、他面側をそれぞれ露出させるとともに、前記リード間の隙間を介して互いに連通する第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、
   前記第１の開口部を介して前記半導体チップと個々の前記リードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、
   さらに、前記第１の開口部には、前記複数本のリードの一面および前記ボンディングワイヤを封止する封止材（５０）が設けられ、前記第２の開口部には、当該第２の開口部を閉塞する蓋部材（６０）が設けられている半導体装置を製造する製造方法であって、
   前記複数本のリードと、
   前記複数本のリードの配列方向の両外側に位置する外枠部（１１ａ）と、
   個々の前記リードにおけるワイヤボンディング部よりも両端部側に位置して隣り合う前記リード同士を連結するとともに前記外枠部とこれに隣り合う前記リードとを連結するタイバー（１５ａ）と、を有するものであって、
   前記外枠部および前記タイバーによって前記複数本のリードにおけるワイヤボンディング部を取り囲む環状の環状部（１６）が構成されたリードフレーム（１０）を用意するリード用意工程と、
   前記第１の開口部の空間形状に対応した形状をなし、前記複数本のリードの一面側に接触する接触面（１１１）を持つ第１の押さえ部（１１０）と、前記第２の開口部の空間形状に対応した形状をなし、前記複数本のリードの他面側に接触する接触面（１２１）を持つ第２の押さえ部（１２０）とを有する金型であって、
   前記第１の押さえ部における前記接触面については、前記環状部に対応した環状をなす凸部（１１２）が周辺部に設けられ当該凸部の内周は凹部（１１３）とされている金型（１００）を用い、
   前記第２の押さえ部における前記接触面を前記複数本のリードの他面側に接触させるとともに、前記第１の押さえ部における前記接触面については、前記リードの一面側から前記環状部に対して前記凸部を接触させることで前記複数本のリードの一面のうち前記凹部に位置する部位に前記モールド樹脂が入り込まない状態とし、
   この状態で、前記モールド樹脂による封止を行うことにより、前記第１の開口部および前記第２の開口部を有する前記モールド樹脂を成形するモールド工程と、
   前記第１の開口部および前記第２の開口部のいずれか一方を介して、前記タイバーをカットするタイバーカット工程と、
   前記第１の開口部および前記第２の開口部の外側にて前記モールド樹脂に前記半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
   前記第１の開口部を介して前記半導体チップと個々の前記リードの一面との間でワイヤボンディングを行い、前記ボンディングワイヤを形成するワイヤボンディング工程と、
   前記蓋部材を、前記第２の開口部に対して圧入し固定する蓋設置工程と、
   前記第１の開口部側から液状の前記封止材を注入し、個々の前記リードの一面を当該液状の封止材により被覆する封止材注入工程と、
   前記封止材を硬化させる封止材硬化工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第２の開口部を介して前記リードの他面側に樹脂よりなる接着剤（７０）を注入する接着剤注入工程を行った後、前記蓋設置工程を行うことにより、前記接着剤によって、前記リード間の隙間、および、前記蓋部材と前記リードの他面との隙間を埋めることを特
   徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記封止材硬化工程にて、前記封止材とともに前記接着剤を一括して硬化することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記蓋部材として、当該蓋部材のうち前記第２の開口部にて前記モールド樹脂に接触する側面（６２〜６５）には粗化処理がなされたものを用いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記蓋部材の側面のうち少なくとも対向する２つの側面にて前記粗化処理がなされていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記蓋部材の側面のうち前記半導体チップに最も近い位置にて隣り合う側面から当該側面に対向する側面に向かう方向を第１の方向（Ｙ１）としたとき、この第１の方向にて対向する２つの側面（６２、６３）には前記粗化処理はなされず、前記第１の方向とは直交する方向にて対向する２つの側面（６４、６５）に前記粗化処理がなされているものであり、
   この前記粗化処理がなされた２つの側面が、前記第２の開口部にて前記モールド樹脂に接触するものであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記環状部は、前記タイバーの延びる方向を第１の辺とし、前記外枠部を前記第１の辺に直交する第２の辺とする矩形環状のものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記モールド工程では、前記リード（１１）の他面（１０ｂ）に垂直な面であると共に前記リード（１１）の長手方向に沿った面を基準面（９０）とすると、前記第２の開口部（２２）の壁面のうち前記リード（１１）の長手方向に沿った少なくとも２つの壁面（２２ａ、２２ｂ）が前記基準面（９０）に対して５°以下の角度で前記第２の開口部（２２）の開口側に広がるように傾けて前記モールド樹脂（２０）を形成し、
   前記蓋設置工程では、前記蓋部材（６０）として、当該蓋部材（６０）の側面（６２〜６５）のうち前記第２の開口部（２２）の２つの壁面（２２ａ、２２ｂ）に対応する２つの側面（６４、６５）が前記基準面（９０）に対して５°以下の角度で前記対向面（６１）とは反対側が広がるように傾いたテーパ面となっているものを用意し、当該テーパ面となった２つの側面（６４、６５）が前記第２の開口部（２２）の２つの壁面（２２ａ、２２ｂ）に対応するように前記第２の開口部（２２）に前記蓋部材（６０）を圧入し固定することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記蓋設置工程では、前記蓋部材（６０）の材質としてポリフェニレンサルファイド樹脂を用いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記蓋設置工程では、前記蓋部材（６０）の材質としてポリフェニレンサルファイド樹脂にガラスが４０重量％添加されたものを用いることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記モールド工程では、前記モールド樹脂（２０）の材質としてエポキシ樹脂を用いることを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法。

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