JP5985616B2 - 浄化機能を有する補充可能なアンプル - Google Patents

Description

本開示は、浄化（パージ）機能を有する補充可能なアンプルを組み込んだ流体送達システム、流体送達システムを浄化する方法、及び、流体送達システムを浄化するように適合されたマニホールドに関する。様々な態様において、本開示は、浄化中に流体送達システム内のあらゆるプロセスライン及び／又はアンプルを隔離すること、プロセスライン及び／又はアンプルを隔離して流体送達システムを浄化する方法、並びに、プロセスライン及び／又はアンプルを隔離して流体送達システムを浄化するように適合されたマニホールドに関する。本明細書では主に半導体応用のための流体送達システム及び方法に焦点を合わせているが、本明細書に開示されたシステム及び方法は広範囲の分野に適合されることが可能である。

流体送達システムの使用において、特に高純度の流体、例えば液体又は気相材料の連続供給を望む分野では、流体を使用場所（例えば半導体製造ツール）に連続して流すことを維持するために、補充可能なアンプルを利用することが多い。補充可能なアンプル内の流体が、例えば流体在庫監視デバイス又は組立体によって検知された場合に補充される必要がある場合、バルク送達システムは、アンプルを補充するためにプロセスラインを通じて補充可能なアンプルに連結され得る。多くのこのようなアンプルは、流体を使用場所に分配する間に補充され得る。

半導体応用において利用される多くの流体は揮発性が高い。このような揮発性が高い流体を使用する際、特に補充可能なアンプルを取り外している間は細心の注意が必要である。補充可能なアンプルは、アンプル内における汚染物質の蓄積を最小にするために、定期的に取り外され、洗浄され、及び／又は、交換されなければならない。半導体の流体送達システム及びマニホールドからのアンプルの取り外しは、現在のところ、流体をシステムから浄化する期間を延長する必要がある単調なプロセスである。例えば、アンプルを空にして、プロセスラインを流体送達システムに流し戻すことには、従来の浄化方法を使用して多くの日数が掛かる可能性がある。半導体製造ツールにもたらされる作動停止時間は、実質的に歳入上の損失を招く。

その結果、当技術分野は、補充可能なアンプルの取り外し及び／又は洗浄並びにプロセスラインの浄化に関連した、作動停止時間を所定の範囲内にするためのシステム、マニホールド並びに方法の改善を求め続けている。

本開示は、浄化中にプロセスライン及び／又はアンプルを隔離するように適合されたシステム、方法及びマニホールドに関する。

一態様では、本開示は、浄化中にあらゆるアンプル及びプロセスラインを隔離するように適合された流体送達システムに関し、該システムは、補充可能なアンプルに加圧ガス源を連結するように配置された流入制御弁と、補充可能なアンプルを使用場所に連結するように配置された排出制御弁と、補充可能なアンプルにプロセスラインを連結するように配置されたプロセス制御弁と、プロセス隔離弁と、プロセス隔離弁とプロセス制御弁との間に配置された浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）と、を備える。

別の態様では、本開示は、流体送達システムを浄化する方法に関し、該方法は、補充可能なアンプルにプロセスラインを連結するプロセス隔離弁を閉じることと、プロセス隔離弁と補充可能なアンプルとの間のプロセスラインに結合された浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）を通して浄化ガスを供給することと、浄化供給弁（例えば、３方向浄化供給弁）と補充可能なアンプルとの間のプロセスラインに結合されたプロセス制御弁の開閉を少なくとも１回繰り返すことと、を含む。

さらなる態様では、本開示は、アンプルを補充して流体送達システムを浄化するように適合されたマニホールドに関し、該マニホールドは、加圧ガス源に連結された流入制御弁と、浄化供給ガス源に連結された浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）と、浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）に連結されたプロセス隔離弁と、浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）に連結されたプロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）と、真空源に連結された真空源弁と、プロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁、真空源弁、及び、流入制御弁に連結されたバイパス弁）に連結された排出制御弁と、を備える。

本開示の他の態様、特徴及び実施形態は、以下の説明及び添付の特許請求の範囲からより完全に明白になろう。

本開示の一実施形態による流体送達システム及びマニホールドの概略図である。

本開示は、流体送達システム、方法、並びに、このようなシステムの浄化中にプロセスライン及び／又はアンプルを隔離するためのマニホールドに関する。

一実施形態では、流体送達システムは、浄化中にあらゆるアンプル及びプロセスラインを隔離するように適合され、該システムは、補充可能なアンプルに加圧ガス源を連結するように配置された流入制御弁と、補充可能なアンプルを使用場所に連結するように配置された排出制御弁と、プロセスラインを補充可能なアンプルに連結するように配置されたプロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）と、プロセス隔離弁と、プロセス隔離弁とプロセス制御弁との間に配置された浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）と、を備える。

本開示の流体送達システムは、補充可能なアンプル及び／又はバルク送達システムに連結するプロセスラインを隔離することにより、システムの迅速な浄化を可能にする。

別段の指定がない限り、本明細書に使用される用語は、本開示に関連する当業者による共通の理解と同じ意味を有すると解釈されるべきである。本明細書に使用される用語は、本明細書及び関連技術分野の概念と一致する意味を有すると解釈されるべきであることがさらに理解されよう。

１つ又は複数の要素の別段の記載がない限り、本明細書に使用される場合、用語「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ（備える）」、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ（含む）」、及び「ｈａｖｉｎｇ（有する）」は、１つ又は複数の要素の存在を除外しないオープンエンド用語と解釈されるべきである。

本明細書に使用される場合、語句「流体送達システム」は、流体をアンプルから使用場所に送達するように適合されたあらゆるシステムを指す。様々な実施形態において、アンプルは補充可能なアンプルを備える。一実施形態では、流体送達システムは、アンプルを補充してアンプルから使用場所に流体を供給するための補充可能なアンプルに結合されたマニホールドを備える。

本明細書に使用される場合、語句「バルク送達システム」は、流体を流体送達システム及び／又は補充可能なアンプルに送達するように適合されたあらゆるシステムを指す。一実施形態では、バルク送達システムは、プロセスラインを通して流体送達システム及び／又は補充可能なアンプルに連結され、補充可能なアンプルを補充するように配置されている。このような一般型のバルク送達システムは、Ｕｎｉｃｈｅｍ（登録商標）３０００シリーズのバルク送達システム及びＵｎｉｃｈｅｍ（登録商標）３２５０バルク送達システムを含む、商標Ｕｎｉｃｈｅｍ（登録商標）下で米国コネチカット州ＤａｎｂｕｒｙのＡＴＭＩ，Ｉｎｃ．から市販されている。

「真空源」に関連して本明細書に使用される場合、用語「真空」は、圧力差の提供に有効な低圧を意味する。こうした低圧は、大気中の圧力より低い圧力、大気圧、又は低い過圧であってもよい。真空源自体は、ポンプ、圧縮機、送風機、排気装置（ｅｊｅｃｔｏｒ）、排出装置（ｅｄｕｃｔｏｒ）、ベンチュリ、又は流体送達システム内に必須の真空を提供するために有効な他のデバイスもしくは装置を備えてもよい。

上述したように、流体送達システム全体をプロセスラインから流体送達システムに浄化して戻すために必要な時間は、現在の半導体製造装置では約数日掛かる可能性がある。補充可能なアンプルを取り外す前に完全に空にするためにさらに時間が必要であることがある。本システムは、プロセスラインを浄化することなく、アンプルを空にすることなく、又は、バルク送達システムに連結された他のシステムを作用させることなく、アンプルを取り外す前の浄化を可能にし、それによって半導体製造ツールの作動停止時間を大幅に低減する。アンプルの定期的な取り外し、保守又は洗浄は、高純度の流体送達システムに必要とされるので、本システム、方法及びマニホールドは、こうしたアンプルの扱いの効率を向上させる。

一実施形態では、プロセスラインは、バルク送達システムを流体送達システムに連結し、バルク送達システムと流体送達システムとの間を連結するラインを閉じるためのプロセス隔離弁を含む。プロセス隔離弁により、バルク送達システム及びプロセス隔離弁からバルク送達システムまでのプロセスラインを、システムの浄化中に隔離することを可能にする。

様々な実施形態では、浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）は、浄化ガスを浄化ガス供給源からプロセス隔離弁とアンプルとの間のプロセスラインに供給するために、プロセス隔離弁と補充可能なアンプルとの間に配置される。

本明細書に使用される場合、用語「３方向弁」（並びにあらゆるタイプの３方向弁、例えば３方向浄化供給弁及び３方向プロセス制御弁を含む）は、３つの分離した流体ラインを連結する、又は、１つの流体ラインを第２の流体ラインに第２の流体ラインの端点以外の第２の流体ライン上の点で連結するように適合された弁を意味する。弁の特定の配置を、２方向弁、１つの弁ポートを外した４方向弁などの組合せを含む、３方向弁の代わりに利用することができることが理解されよう。

手動特性であるか又は自動特性であるかに関わらず、あらゆる弁を本開示の流体送達システムに利用することができる。あらゆるこのような弁が自動である場合、弁は、中央処理装置又は運用監視及び制御組立体と作動可能に連結された適切な弁アクチュエータ／コントローラ構成部品を備えてもよく、それによってそれぞれの弁を、作動の所定の周期に従って、必要に応じて開閉のために作動させることができる。

さらなる実施形態では、プロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）は、流体送達システムの浄化中にアンプルを隔離するために、浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）とアンプルとの間に配置される。プロセス制御弁は、流体送達システムの浄化中にアンプルを迂回するために、３方向浄化供給弁とアンプルとの間に配置された３方向プロセス制御弁を含んでもよい。プロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）は、排出制御弁及び／又は流体排出ラインに連結されてもよい。様々な実施形態では、流体排出ラインは、アンプルを使用場所に連結し、真空源弁及び真空源に結合されてもよい。様々な実施形態では、流体排出ラインは、廃棄点（例えば排気管又はキャニスタ）に連結される。プロセス制御弁は、３方向弁、手動弁、自動弁、２方向弁、１ポートを外した４方向弁などを備え得る、複数のあらゆるプロセス制御弁を含んでもよい。

本明細書に開示された流体送達システムは、加圧ガス供給ラインを通って加圧ガス源をアンプルに連結する流入制御弁を備えてもよい。流入制御弁は、手動弁を備えて得る複数のあらゆる流入制御弁を含んでもよい。

本明細書に開示された流体送達システムは、加圧ガス供給ラインを流体排出ラインに連結するバイパス弁を備えてもよく、それによってアンプル及びプロセスラインを迂回する。

本明細書に開示された流体送達システムは、あらゆるプロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）、化学物質排出弁、真空源弁、バイパス弁、補充可能なアンプル及び使用場所に連結された排出制御弁を備えてもよい。様々な実施形態では、排出制御弁及び／又は化学物質排出弁は、アンプルから使用場所への流体の送達を制御する。排出制御弁は、手動弁を備え得る複数のあらゆる排出制御弁を備えてもよい。

本明細書に開示された流体送達システムは、加圧ガス供給ライン、プロセス隔離弁とアンプルとの間のプロセスライン、及び、流体排出ライン（集合的に「（複数の）ライン」）の浄化を提供する。流体送達システムは、任意選択的にアンプルを空にするため、又は、そうではなくアンプルを空にする必要なしにラインのみを浄化するために利用されてもよい。バルク送達システムへのプロセスラインを隔離してラインを浄化することは、浄化中にプロセス隔離弁を閉じるものである。アンプル及びプロセスラインを隔離してラインを浄化することは、プロセス隔離弁を閉じ、アンプルを迂回しシステムを流体排出ラインまで浄化するために、アンプルに連結されたプロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）の一部を閉じるものである。

上述のシステムの配置に使用する場所は、供給された流体が、例えば加工、処理又は他の利用機能を実行するために利用される、あらゆる適切な場所であることが可能である。一実施形態では、使用場所は、その中で供給された流体が、堆積、イオン注入、エッチング又は他の流体を使用する作動もしくはプロセスなどのために利用される、例えば半導体製造ツールを備え得る半導体製造場所を含む。

一実施形態では、補充可能なアンプルにプロセスラインを連結するプロセス隔離弁を閉じることと、プロセス隔離弁と補充可能なアンプルとの間のプロセスラインに結合した浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）を通る浄化ガスを供給することと、浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）と補充可能なアンプルとの間のプロセスラインに結合したプロセス制御弁の開閉を少なくとも１回繰り返すことと、を含む、流体送達システムを浄化する方法が開示される。

このような方法は、補充可能なアンプルに連結された、流体排出ラインに結合された真空源を開始することをさらに含んでもよい。このような方法は、あらゆる浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）、流入制御弁、排出制御弁、及び、バイパス弁を通る浄化ガスを流すことをさらに含んでもよい。このような方法は、すべての弁を閉じることをさらに含んでもよい。このような方法は、補充可能なアンプルを除去するためにガスの供給を維持することをさらに含んでもよい。このような方法は、補充可能なアンプルを隔離することをさらに含んでもよい。

開示された方法の様々な実施形態では、流入制御弁は加圧ガス供給ラインに結合され、排出制御弁は流体排出ラインに結合され、バイパス弁は加圧ガスライン及び流体排出ラインの両方に結合される。さらなる様々な実施形態では、プロセス制御弁は３方向プロセス制御弁を備える。

方法は、例えば、蒸着装置、イオン注入装置、エッチング装置、フォトリソグラフィ装置、ウエハ洗浄装置などの、半導体製造場所（例えば半導体製造ツール）である供給されたガスの使用場所で実施されてもよい。

一実施形態では、方法は、すべての弁を閉じることから開始され、続いてプロセスラインをアンプルから使用場所又は排出点まで及びアンプルまで戻って浄化する。浄化に続いて、流体排出ラインに結合された真空源を開始してもよい。開始するステップに続いて、プロセス隔離弁を閉じてもよい。閉じるステップに続いて、浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）と補充可能なアンプルとの間のプロセスラインに結合されたプロセス制御弁の開閉を少なくとも１回繰り返してもよい。様々な実施形態では、プロセス制御弁は、３方向プロセス制御弁を含んでもよい。様々な実施形態では、繰り返す開閉作動は複数回起きる。

繰り返しに続いて、浄化ガスの供給を開始するために浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）を開いてもよい。様々な実施形態では、浄化ガスは、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノンなどのあらゆる不活性ガスであってもよい。浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）を開くことに続いて、プロセス制御弁を開閉する繰り返しを追加してもよい。追加の繰り返しの後に、あらゆる１つ又は複数の（１）プロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）を閉じること、（２）アンプルから使用場所又は排出点までのプロセスラインを（不活性制御弁及び／又は排出制御弁を通って）浄化すること、（３）すべての弁を閉じること、（４）補充可能なアンプルを除去するためにガスの供給を維持すること、並びに、（５）アンプルの取り外しが続いてもよい。

さらなる実施は、アンプルを補充、流体送達システムを浄化するように適合されたマニホールドとして構成することができ、該マニホールドは、（ａ）加圧ガス源に連結された流入制御弁、（ｂ）浄化供給ガス源に連結された浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）、（ｃ）浄化供給弁（例えば３方向浄化供給弁）に連結されたプロセス隔離弁、（ｄ）３方向浄化弁に連結されたプロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）、（ｅ）真空源に連結された真空源弁、並びに、（ｆ）プロセス制御弁（例えば３方向プロセス制御弁）、真空源弁、及び流入制御弁に連結されたバイパス弁に連結された、排出制御弁を備える。

開示されたようなマニホールドは、あらゆる（ａ）（第１の）流入制御弁に連結された第２の流入制御弁、（ｂ）（第１の）排出制御弁に連結された第２の排出制御弁、（ｃ）排出制御弁に連結された化学物質排出弁、及び、（ｄ）３方向プロセス制御に連結された２方向プロセス制御弁をさらに備えてもよい。様々な実施形態では、３方向浄化供給弁、プロセス隔離弁及び３方向プロセス制御弁は、浄化中にあらゆるプロセスライン及びアンプルを隔離するように配置される。

本開示の利点及び特徴は、その特定の応用において、本開示の範囲を何ら限定するものではなく、むしろ本開示の一実施形態の例示であると解釈されるべきである、以下の例を参照にさらに示される。

図１に概略的に示されたタイプのシステム１００は、本開示の様々な実施形態に従って利用されてもよく、当該システム１００は、流体１０２を流体排出ライン１４１及び排出制御弁１４３を通って使用場所（図示せず）に送達するための補充可能なアンプル１０１と、補充可能なアンプル１０１に連結されて補充可能なアンプル１０１から流体１０２を駆動するために利用される加圧ガス源１３０と、補充可能なアンプル１０１を補充るためのプロセスライン１１１及び１１５と、バルク送達システム１１０とプロセス隔離弁１１３との間のプロセスライン１１１を隔離するためのプロセス隔離弁１１３と、３方向浄化供給弁１１４によりプロセス隔離弁１１３と補充可能なアンプル１０１との間のプロセスライン１１５に連結された浄化供給ガス源１２０と、浄化中にアンプル１０１を迂回するためにプロセスライン１１５を流体排出ライン１４１に連結させる３方向プロセス制御弁１１６と、を組み込む。

また、図１に開示されたシステム１００は、加圧ガス１３０を補充可能なアンプル１０１に連結する加圧ガス供給ライン１３１に沿って、流入制御弁１３４及び手動制御弁１３２を組み込んでもよい。また、加圧ガス供給ライン１３１は、補充可能なアンプル１０１を迂回するためのバイパス弁１３３を含んでもよい。様々な実施形態では、プロセスラインは、３方向プロセス制御弁１１６に加えて、手動プロセス制御弁１１２を含んでもよい。様々な実施形態では、流体排出ライン１４１は、手動排出制御弁１４２及び／又は化学物質排出弁１６１を備える。また、開示されたシステム１００は、真空源弁１５１により流体排出ライン１４１に連結された真空源１５０を含んでもよい。

図１に概ね開示されたシステム１００は、（ａ）加圧ガス源に連結された流入制御弁１３４及び／又は１３２と、（ｂ）浄化供給ガス１２０の源に連結された３方向浄化供給弁１１４と、（ｃ）３方向浄化供給弁１１４に連結されたプロセス隔離弁１１３と、（ｄ）３方向浄化供給弁１１４に連結された３方向プロセス制御弁１１６と、（ｅ）真空源１５０に連結された真空源弁１５１と、（ｆ）３方向プロセス制御弁１１６と、真空源弁１５１並びに流入制御弁１３４及び／又は１３２にバイパス弁１３３に連結された排出制御弁１４３及び／又は１４２を含むマニホールドと、を組み込む。

図１に開示された一般型のシステムは、隔離弁１１３を閉じた結果、バルク送達システム１１０とプロセス隔離弁１１３との間のプロセスライン１１１を隔離して、及び／又は、アンプル１０１に連結された３方向プロセス制御弁１１６の一部を閉じ、浄化をプロセスライン１１５から流体排出ライン１４１に向け直すことにより、プロセスライン１１５とアンプル１０１との間の連結の端部で、補充可能なアンプル１０１を隔離して、流体送達システム１００の局所（例えば本明細書に開示されたマニホールド内）の迅速な（例えば２〜３時間）浄化を可能にする。

本明細書に記載されたあらゆる要素及び特徴を、本開示の広範囲にわたる範囲内であらゆる１つ又は複数の他の要素及び特徴と組み合わせてもよいことを理解されたい。

本開示を、特定の態様、特徴及び例示的実施形態を参照に本明細書に説明したが、本開示の有用性はこのように限定されず、むしろ本明細書の記載に基づいて本開示の分野の当業者に示唆されるように、多くの他の変形形態、修正形態及び代替的実施形態に拡大され、それを含むことが理解されよう。それに対応して以下に主張されたように本発明は、その精神及び範囲内におけるすべてのこのような変形形態、修正形態及び代替的実施形態を含んでいると、広範囲に理解され解釈されることを意図する。

Claims (31)

1. 浄化中にアンプル及び／又はプロセスラインを隔離するように適合された流体送達システムであって、
   補充可能なアンプルに加圧ガス源を連結するように配置された流入制御弁と、
   前記補充可能なアンプルを使用場所に連結するように配置された排出制御弁と、
   バルク送達システムから前記補充可能なアンプルまでその補充のためにプロセスラインを連結するように配置されたプロセス制御弁と、
   前記プロセスラインに結合されたプロセス隔離弁と、
   前記プロセス隔離弁と前記プロセス制御弁との間で前記プロセスラインに結合された浄化供給弁であって、前記浄化供給弁、前記プロセス隔離弁及び前記プロセス制御弁が前記プロセスライン内で互いに一列に並んでいる、浄化供給弁と、を備える流体送達システム。
2. 前記流入制御弁と前記排出制御弁との間を連結するように配置されたバイパス弁をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
3. 前記流入制御弁は複数の流入制御弁を備える、請求項１に記載のシステム。
4. 前記複数の流入制御弁の少なくとも１つは手動である、請求項３に記載のシステム。
5. 前記プロセス制御弁は複数のプロセス制御弁を備える、請求項１に記載のシステム。
6. 前記複数のプロセス制御弁の少なくとも１つは３方向プロセス制御弁である、請求項５に記載のシステム。
7. 前記排出制御弁は複数の排出制御弁を備える、請求項１に記載のシステム。
8. 前記複数の排出制御弁の少なくとも１つは手動である、請求項７に記載のシステム。
9. 前記補充可能なアンプルに真空源を連結するように配置された真空源弁をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
10. 前記使用場所に前記排出制御弁を連結するように配置された化学物質排出弁をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
11. 前記使用場所は半導体製造場所を含む、請求項１に記載のシステム。
12. 前記使用場所は半導体製造ツールを備える、請求項１に記載のシステム。
13. 前記プロセス制御弁は３方向プロセス制御弁を備える、請求項１に記載のシステム。
14. 前記浄化供給弁は３方向浄化供給弁を備える、請求項１に記載のシステム。
15. 流体送達システムを浄化する方法であって、
    バルク送達システムから補充可能なアンプルまでその補充のためにプロセスラインを連結するプロセス隔離弁を閉じることと、
    前記プロセス隔離弁と前記補充可能なアンプルとの間の前記プロセスラインに結合された浄化供給弁を通して浄化ガスを供給することと、
    前記浄化供給弁と前記補充可能なアンプルとの間の前記プロセスラインに結合されたプロセス制御弁の開閉を少なくとも１回繰り返すことと、を含み、
    前記浄化供給弁、前記プロセス隔離弁及び前記プロセス制御弁が前記プロセスライン内で互いに一列に並んでいる、方法。
16. 前記浄化供給弁は３方向浄化供給弁を備える、請求項１５に記載の方法。
17. 前記補充可能なアンプルに連結された流体排出ラインに結合された真空源を始動させることをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
18. 前記浄化供給弁、流入制御弁、排出制御弁、及び、前記流入制御弁と前記排出制御弁との間のバイパス弁のいずれかを通る浄化ガスを流すことをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
19. 前記流入制御弁は加圧ガス供給ラインに結合され、前記排出制御弁は流体排出ラインに結合され、前記バイパス弁は前記加圧ガスライン及び前記流体排出ラインに結合される、請求項１８に記載の方法。
20. すべての弁を閉じることをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
21. 前記補充可能なアンプルを取り外すためにガスの供給を維持することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
22. 前記補充可能なアンプルを隔離することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
23. 前記プロセス制御弁は３方向プロセス制御弁を備える、請求項１５に記載の方法。
24. 前記使用場所は半導体製造場所を含む、請求項１５に記載の方法。
25. 前記使用場所は半導体製造ツールを含む、請求項１５に記載の方法。
26. アンプルを補充して流体送達システムを浄化するように適合されたマニホールドであって、
    （ａ）加圧ガス源に連結された流入制御弁であって、補充可能なアンプルに加圧ガス源を連結するように配置された流入制御弁と、
    （ｂ）浄化供給ガス源に連結された浄化供給弁と、
    （ｃ）前記浄化供給弁に連結されたプロセス隔離弁と、
    （ｄ）前記浄化供給弁に連結されたプロセス制御弁と、
    （ｅ）真空源に連結された真空源弁と、
    （ｆ）前記プロセス制御弁と、前記真空源弁と、前記流入制御弁に連結されたバイパス弁と、に連結された排出制御弁と、を備え、
    前記プロセス制御弁は、バルク送達システムから前記補充可能なアンプルまでその補充のためにプロセスラインを連結するように配置され、前記浄化供給弁、前記プロセス隔離弁及び前記プロセス制御弁が前記プロセスライン内で互いに一列に並び、前記浄化供給弁は、前記プロセス隔離弁と前記プロセス制御弁との間で前記プロセスラインに結合される、マニホールド。
27. 前記浄化供給弁は３方向浄化供給弁を備える、請求項２６に記載のマニホールド。
28. 前記プロセス制御弁は３方向プロセス制御弁を備える、請求項２６に記載のマニホールド。
29. （ａ）前記流入制御弁に連結された第２の流入制御弁と、
    （ｂ）前記排出制御弁に連結された第２の排出制御弁と、
    （ｃ）前記排出制御弁に連結された化学物質排出弁と、
    （ｄ）３方向プロセス制御弁に連結された２方向プロセス制御弁を備える前記プロセス制御弁と、のいずれかをさらに備える、請求項２６に記載のマニホールド。
30. 前記浄化供給弁、前記プロセス隔離弁及び前記プロセス制御弁は、浄化中にプロセスライン及び／又はアンプルを隔離するように構成される、請求項２６に記載のマニホールド。
31. 前記浄化供給弁は３方向浄化供給弁を備え、前記プロセス制御弁は３方向プロセス制御弁を備える、請求項３０に記載のマニホールド。

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