JP5943578B2 - ウェーハ面取り装置、および面取り用砥石の表面状態または面取り用砥石によるウェーハの加工状態の検出方法 - Google Patents
ウェーハ面取り装置、および面取り用砥石の表面状態または面取り用砥石によるウェーハの加工状態の検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5943578B2 JP5943578B2 JP2011223970A JP2011223970A JP5943578B2 JP 5943578 B2 JP5943578 B2 JP 5943578B2 JP 2011223970 A JP2011223970 A JP 2011223970A JP 2011223970 A JP2011223970 A JP 2011223970A JP 5943578 B2 JP5943578 B2 JP 5943578B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grindstone
- wafer
- signal
- chamfering
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 36
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 30
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 16
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
したがって、距離LRは、回転周期Tを1周期として変化する。
20 面取り用砥石
23 スピンドルモータ
26 主軸部
30 フランジ
31 円形コイル(送信手段)
34 AEセンサ
40 AEセンサ固定部
41 円形コイル(受信手段)
Claims (9)
- ウェーハを保持して回転するウェーハテーブルと、前記ウェーハのエッジに接触する面取り用砥石を保持して回転する砥石回転機構と、を備えるウェーハ面取り装置であって、
前記砥石回転機構は、前記面取り用砥石を含む回転ユニットと、固定ユニットと、を備え、
前記回転ユニットは、AEセンサと、前記AEセンサに接続された円形コイルを含む送信手段と、を備え、
前記AEセンサおよび前記送信手段の前記円形コイルがLC共振回路を形成し、
前記固定ユニットは、前記回転ユニットに対向して設けられ、前記送信手段と通信する受信手段と、前記受信手段の電気信号を処理する信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記受信手段の電気信号を増幅するアンプと、前記アンプの出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器と、前記デジタル信号を処理するデジタル処理回路と、を備え、
前記デジタル処理回路は、低周波数成分を除去するフィルタリング処理を行い、さらに前記回転ユニットの回転周期に対応した信号変化を抽出する処理を行うことを特徴とするウェーハ面取り装置。 - 前記回転ユニットは、回転軸に固定され、前記面取り用砥石が取り付けられるフランジを備え、
前記AEセンサおよび前記送信手段は、前記フランジに設けられる請求項1記載のウェーハ面取り装置。 - 前記面取り用砥石は、前記回転ユニットの回転軸に固定され、
前記AEセンサおよび前記送信手段は、前記面取り用砥石に設けられる請求項1記載のウェーハ面取り装置。 - 前記送信手段および前記受信手段は、前記回転ユニットの回転軸に対して同心円状に設けられたコイルである請求項1から3のいずれか1項記載のウェーハ面取り装置。
- 前記送信手段および前記受信手段のぞれぞれは、前記回転ユニットの回転軸に対して同心円状に設けられた2個のコイルを備え、
前記回転ユニットは、前記送信手段の前記2個のコイルにそれぞれ近接して配置され、且つ前記回転ユニットの回転軸を通る直線上の前記回転軸に対して反対側の配置された2個の前記AEセンサを備える請求項4記載のウェーハ面取り装置。 - 前記回転ユニットは、前記コイルに近接して配置された周波数特性の異なる複数個の前記AEセンサを備え、
前記複数個のAEセンサは、前記送信手段に並列に接続される請求項4記載のウェーハ面取り装置。 - 前記信号処理回路の処理結果に基づいて、前記面取り用砥石の表面状態または前記面取り用砥石による前記ウェーハの加工状態を判定する判定回路をさらに備える請求項1から6のいずれか1項記載のウェーハ面取り装置。
- ウェーハを保持して回転するウェーハテーブルと、前記ウェーハのエッジに接触する面取り用砥石を保持して回転する砥石回転機構と、を備えるウェーハ面取り装置であって、
前記砥石回転機構は、前記面取り用砥石を含む回転ユニットと、固定ユニットと、を備え、
前記回転ユニットは、AEセンサと、前記AEセンサに接続された送信手段と、を備え、
前記固定ユニットは、前記回転ユニットに対向して設けられ、前記送信手段と通信する受信手段と、前記受信手段の電気信号を処理する信号処理回路と、を備え、
前記回転ユニットは、前記回転ユニットの回転軸に対して対称に配置されるように、前記回転ユニットに固定された2個の前記AEセンサを備え、
前記2個のAEセンサは、前記送信手段に並列に接続され、
前記信号処理回路は、前記受信手段の電気信号を増幅するアンプと、前記アンプの出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器と、前記デジタル信号を処理するデジタル処理回路と、を備え、
前記デジタル処理回路は、低周波数成分を除去するフィルタリング処理を行うことを特徴とするウェーハ面取り装置。 - ウェーハのエッジの面取りを行なうために、回転状態で前記ウェーハのエッジに接触する面取り用砥石の表面状態または前記面取り用砥石による前記ウェーハの加工状態の検出方法であって、
回転状態の前記面取り用砥石に、前記ウェーハまたはドレス材を接触させ、
前記面取り用砥石を保持して回転する砥石回転ユニットに設けられ、AEセンサに接続され前記AEセンサとLC共振回路を形成する円形コイルを含む送信手段が出力する前記AEセンサの電気信号を、前記送信手段と通信する固定の受信手段の電気信号として検出し、
前記受信手段の電気信号をデジタル信号に変換し、
前記受信手段のデジタル電気信号に対して、低周波数成分を除去するフィルタリング処理と、前記回転ユニットの回転周期に対応した信号変化を抽出する処理と、をデジタル処理で行ない、
前記デジタル処理結果に基づいて、前記面取り用砥石の表面状態または前記面取り用砥石による前記ウェーハの加工状態を判定することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223970A JP5943578B2 (ja) | 2011-10-11 | 2011-10-11 | ウェーハ面取り装置、および面取り用砥石の表面状態または面取り用砥石によるウェーハの加工状態の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223970A JP5943578B2 (ja) | 2011-10-11 | 2011-10-11 | ウェーハ面取り装置、および面取り用砥石の表面状態または面取り用砥石によるウェーハの加工状態の検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084795A JP2013084795A (ja) | 2013-05-09 |
JP5943578B2 true JP5943578B2 (ja) | 2016-07-05 |
Family
ID=48529686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011223970A Active JP5943578B2 (ja) | 2011-10-11 | 2011-10-11 | ウェーハ面取り装置、および面取り用砥石の表面状態または面取り用砥石によるウェーハの加工状態の検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5943578B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6144545B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2017-06-07 | 株式会社東京精密 | ウエハ面取り装置 |
JP6223238B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-11-01 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP6223237B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-11-01 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP6223239B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-11-01 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP6739899B2 (ja) | 2015-01-16 | 2020-08-12 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP6403601B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2018-10-10 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6847746B2 (ja) * | 2017-04-11 | 2021-03-24 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2017136686A (ja) * | 2017-05-11 | 2017-08-10 | 株式会社東京精密 | ウエハ面取り装置 |
JP2020015105A (ja) * | 2018-07-23 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6571261B2 (ja) * | 2018-11-19 | 2019-09-04 | 株式会社東京精密 | ウエハ面取り装置 |
CN110744364B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-07-13 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法 |
DE112020006623T5 (de) * | 2020-01-29 | 2022-12-08 | Noritake Co., Limited | AE-Signal-Erfassungsvorrichtung für eine Schleifscheibe |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH023611Y2 (ja) * | 1984-11-06 | 1990-01-29 | ||
JPS62242853A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Teiichi Okochi | 回転体監視装置 |
JP2754760B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-05-20 | オムロン株式会社 | 工具損傷検出装置 |
JPH03202253A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Nachi Fujikoshi Corp | 異常検知器付き回転工具保持装置 |
JP2002066879A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-05 | Bosch Automotive Systems Corp | 工作機械用アコースティック・エミッション検出装置 |
JP2002103190A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-09 | Sharp Corp | 面取り装置 |
US7787982B2 (en) * | 2006-01-12 | 2010-08-31 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Working system, method for detecting contact, and acoustic emission contact detection device |
JP5321813B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2013-10-23 | 株式会社東京精密 | 面取り加工装置及び面取り加工方法 |
-
2011
- 2011-10-11 JP JP2011223970A patent/JP5943578B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013084795A (ja) | 2013-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5943578B2 (ja) | ウェーハ面取り装置、および面取り用砥石の表面状態または面取り用砥石によるウェーハの加工状態の検出方法 | |
US6368184B1 (en) | Apparatus for determining metal CMP endpoint using integrated polishing pad electrodes | |
US20140329439A1 (en) | Apparatus and methods for acoustical monitoring and control of through-silicon-via reveal processing | |
CN108858834B (zh) | 切削装置 | |
US7066028B2 (en) | Acoustic sensor for monitoring machining processes in machining tools | |
CN107378750B (zh) | 玻璃破裂检测方法及检测装置、玻璃板的研磨方法及研磨装置、以及玻璃板的制造方法 | |
TWI672192B (zh) | 加工裝置 | |
JP6632132B2 (ja) | 単結晶SiC基板の物性判別方法および単結晶SiC基板の製造方法 | |
TWI752191B (zh) | 切削裝置 | |
TW201919815A (zh) | 研磨裝置、研磨方法、程式及電腦儲存媒體 | |
JP6144545B2 (ja) | ウエハ面取り装置 | |
JP6571261B2 (ja) | ウエハ面取り装置 | |
JP2004148487A (ja) | 研磨方法及び該研磨方法に用いる研磨装置 | |
JP2019018326A (ja) | 研削装置 | |
JP7379064B2 (ja) | 切削装置 | |
JP2018158413A (ja) | 切削装置 | |
US20160013085A1 (en) | In-Situ Acoustic Monitoring of Chemical Mechanical Polishing | |
JP6625442B2 (ja) | 研磨装置 | |
JPH11221760A (ja) | 被加工材の割れ発生予知方法及びこれを利用したウエハの加工方法並びに研削盤 | |
JP2009042107A (ja) | Ae波検出システムおよび検出方法 | |
KR20110118969A (ko) | 취성 재료 가공 감시 장치 | |
JP3143684U (ja) | 半導体ウエハの裏面研磨装置 | |
JP2017136686A (ja) | ウエハ面取り装置 | |
JP2006035406A (ja) | 平面研削装置 | |
JP2020015105A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160524 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5943578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |