JP5927602B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、チャネルとして酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を備えた表示装置の製造方法に関する。

亜鉛，インジウム，ガリウム，スズあるいはそれらの混合物の酸化物（酸化物半導体）は、優れた半導体特性を示すことが知られている。そのため、酸化物半導体は、近年、アクティブマトリクス型表示装置の駆動素子としてのＴＦＴへの応用が盛んに研究されている。

酸化物半導体層の成膜には、一般にスパッタリング法が用いられる。スパッタリング法は、大型基板への成膜やプロセスの低温化が可能であること、シリコン（Ｓｉ）系のＴＦＴ製造ラインで用いられている既存の装置を利用できること等の利点がある。

しかしながら、スパッタリング用の酸化物半導体ターゲットは、透明電極材料であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）同様、大型のターゲット製造が困難な材料である。そのため、大型スパッタリング装置で用いられるターゲットは分割されており、継ぎ目が存在する。ＩＴＯのスパッタリングでは、スパッタされた粒子がターゲット表面に再付着することによるパーティクルや、ノジュール（スパッタ中にターゲット表面に生成する黒色突起物）に起因する異常放電が問題として知られている。エロージョン領域（スパッタリングで電圧が印加される領域）に継ぎ目がある場合、特に継ぎ目の端部でパーティクル等が発生しやすくなる。これを抑制するため、ＩＴＯ分割ターゲットでは、ターゲット密度，寸法，表面粗さなどを調整する試みがなされている（例えば、特許文献１参照。）。

特許第４４７００２９号明細書

酸化物半導体を用いたＴＦＴでは、ＩＴＯ分割ターゲットのような継ぎ目におけるパーティクルが問題になることは少ない一方で、酸化物半導体層の膜密度，膜厚または構成元素といった膜質によって電気特性が大きく変化する。そのため、分割されたターゲットを用いることでＴＦＴの特性ばらつきが生じてしまっていた。特に有機ＥＬ表示装置は、各画素を駆動するＴＦＴの電気特性によって輝度が敏感に変化するので、局所的な特性差は輝度むらの原因となってしまうという問題があった。

本開示の目的は、輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

本開示の表示装置の製造方法は、基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせると共に隣接する分割部の境界線に継ぎ目がある酸化物半導体よりなるターゲットと基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、継ぎ目が一本しかない２分割ターゲットの場合に継ぎ目に直交する方向において表示領域に生じ、表示領域の他の部分とは輝度が異なっている領域である輝度分布の幅以下とするようにしたものである。

本開示の表示装置の製造方法では、基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが形成されたのち、薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域が形成される。酸化物半導体層を形成する工程は、酸化物半導体よりなるターゲットと基板とを対面させて、スパッタリング法により行われる。ターゲットは、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせたものであり、隣接する分割部の境界線には継ぎ目がある。そのため、基板上の表示領域には、継ぎ目の対向位置およびその近傍領域に、継ぎ目に直交する方向に輝度分布（他の領域とは輝度が異なっている領域）が生じる。

ここでは、ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔が、この輝度分布の幅以下とされている。よって、表示領域においては、それぞれの継ぎ目の対向位置およびその近傍領域に輝度分布が生じ、それらの輝度分布が重畳されることにより、表示領域全体としての輝度分布が平坦化され、均一な発光が得られる。

本開示の表示装置の製造方法によれば、ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、継ぎ目に直交する方向において表示領域に生じる輝度分布の幅以下とするようにしたので、輝度むらを低減することが可能となる。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。 図２に示したＴＦＴの構成を表す断面図である。 図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図５（Ｂ）に示した工程で用いるターゲットの構成を表す平面図である。 図６に示したターゲットの上方における基板の揺動または進行方向を説明するための平面図である。 （Ａ）は、２分割ターゲットの一例を表す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示した２分割ターゲットを用いて形成された表示装置の輝度むらの発生状態を模式的に表す図である。 （Ａ）は、図８（Ａ）に示した２分割ターゲットを用いた場合に表示領域に生じる輝度分布を説明するための図であり、（Ｂ）は、図６に示したターゲットを用いた場合の表示領域における輝度むらの低減を説明するための図である。 （Ａ）は、本実施の形態に係るインライン型またはマルチターゲット型のターゲットの一例を表す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示したターゲットを用いて形成された表示装置の輝度むらの発生状態を模式的に表す図である。 （Ａ）は、枚葉型の４分割ターゲットの一例を表す平面図であり、（Ａ）は、（Ｂ）に示した４分割ターゲットを用いて形成された表示装置の輝度むらの発生状態を模式的に表す図である。 （Ａ）は、本実施の形態に係る枚葉型のターゲットの一例を表す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示したターゲットを用いて形成された表示装置の輝度むらの発生状態を模式的に表す図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１４に示した画素の等価回路を表す図である。 図１４に示した表示領域の構成を表す断面図である。 本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１７に示した駆動基板の構成を表す平面図である。 図１７に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例４の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例７の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（有機ＥＬ表示装置）
２．第２の実施の形態（液晶表示装置）
３．第３の実施の形態（電気泳動型表示装置）
４．適用例

（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、後述するＴＦＴ基板１に、表示素子として後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂよりなる画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられている。表示領域１１０の周辺には、信号部である水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２１と、スキャナ部であるライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１３１および電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３２とが配置されている。

表示領域１１０において、列方向には信号線ＤＴＬ１０１〜１０ｎが配置され、行方向には走査線ＷＳＬ１０１〜１０ｍおよび電源ラインＤＳＬ１０１〜１０ｍが配置されている。各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、有機発光素子ＰＸＬＣ（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル））を含む画素回路１４０が設けられている。各信号線ＤＴＬは、水平セレクタ１２１に接続され、この水平セレクタ１２１から信号線ＤＴＬに映像信号が供給される。各走査線ＷＳＬは、ライトスキャナ１３１に接続されている。各電源ラインＤＳＬは、電源ラインスキャナ１３２に接続されている。

図２は、画素回路１４０の一例を表したものである。画素回路１４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂと、保持容量３Ｃと、有機発光素子ＰＸＬＣよりなる発光素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動回路である。サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬ１０１に接続され、そのソースおよびドレインの一方が対応する信号線ＤＴＬ１０１に接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートｇに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインｄが対応する電源線ＤＳＬ１０１に接続され、ソースｓが発光素子３Ｄのアノードに接続されされている。発光素子３Ｄのカソードは接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースｓとゲートｇとの間に接続されている。

サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬ１０１から供給される制御信号に応じて導通し、信号線ＤＴＬ１０１から供給された映像信号の信号電位をサンプリングして保持容量３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂは、第１電位にある電源線ＤＳＬ１０１から電流の供給を受け、保持容量３Ｃに保持された信号電位に応じて駆動電流を発光素子３Ｄに供給するものである。発光素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。

図３は、図２に示したサンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂを構成するＴＦＴ２０の断面構成を表したものである。ＴＦＴ２０は、例えば、基板１０上に、ゲート電極２１，ゲート絶縁膜２２，酸化物半導体層２３，チャネル保護層２４，ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄ，並びにパッシベーション膜２６をこの順に有する酸化物半導体トランジスタである。ここで酸化物半導体とは、亜鉛，インジウム，ガリウム，スズまたはそれらの混合物の酸化物をいい、優れた半導体特性を示すことが知られている。

ゲート電極２１は、ＴＦＴ２０に印加されるゲート電圧により酸化物半導体層２３中の電子密度を制御するものであり、例えば、厚みが５０ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）層と、厚みが４００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層またはアルミニウム合金層との二層構造を有している。アルミニウム合金層としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金層が挙げられる。

ゲート絶縁膜２２，チャネル保護層２４およびパッシベーション膜２６は、それぞれ、例えば、厚みが５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン酸窒化膜，ハフニウム酸化膜，アルミニウム酸化膜，タンタル酸化膜，ジルコニウム酸化膜，ハフニウム酸窒化膜，アルミニウム酸窒化膜，タンタル酸窒化膜およびジルコニウム酸窒化膜などの単層膜または積層膜により構成されている。

酸化物半導体薄膜層２３は、例えば、厚みが２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｘｉｄｅ））により構成されている。また、酸化物半導体薄膜層２３の構成材料としては、ＩＧＺＯのほか、ＩＴＺＯ，ＩＧＯ，ＺｎＯなど、その他の酸化物半導体材料でもよい。

ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄは、モリブデン，アルミニウム，チタン等の金属あるいはそれらの多層膜により構成されている。ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄの具体的な構成としては、例えば、酸化物半導体層２３の側から、厚みが５０ｎｍのチタン層２５Ａ、厚みが２００ｎｍから１μｍのアルミニウム層２５Ｂおよび厚みが５０ｎｍのチタン層２５Ｃの積層膜が好ましい。なお、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄは、ＴＦＴ２０の用途・応用によっては、モリブデン層，アルミニウム層およびモリブデン層の積層膜、または、モリブデン層，アルミニウム層およびチタン層の積層膜により構成することも可能である。

図４は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、ＴＦＴ基板１上に、平坦化絶縁膜５１を間にして、アノード（陽極）５２、電極間絶縁膜５３、後述する発光層を含む有機層５４、およびカソード（陰極）５５がこの順に積層された構成を有している。

このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜などの保護膜５６により被覆され、更にこの保護膜５５上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層６０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板７１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板７１には、必要に応じてカラーフィルタ７２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜７３が設けられていてもよい。

平坦化絶縁膜５１は、上述したＴＦＴ２０よりなるサンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂを含む画素駆動回路１４０が形成されたＴＦＴ基板１の表面を平坦化するためのものである。平坦化絶縁膜５１は、微細な接続孔５１Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜５１の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料が挙げられる。図２に示した駆動トランジスタ３Ｂは、平坦化絶縁膜５１に設けられた接続孔５１Ａを介してアノード５２に電気的に接続されている。

アノード５２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、アノード５２は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。アノード５２は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。

電極間絶縁膜５３は、アノード５２とカソード５５との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機絶縁材料により構成されている。電極間絶縁膜５３は、アノード５２の発光領域に対応して開口部を有している。なお、有機層５４およびカソード５５は、発光領域だけでなく電極間絶縁膜５３の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは電極間絶縁膜５３の開口部だけである。

有機層５４は、例えば、アノード５２の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層５４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、有機層５４の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。

カソード５５は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、カソード５５は、ＩＴＯまたはＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛（登録商標））により構成されていてもよい。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

（ＴＦＴ基板１を形成する工程）
まず、基板１０に、酸化物半導体層２３を有するＴＦＴ２０を形成し、ＴＦＴ基板１を形成する。すなわち、ガラスよりなる基板１０上に、例えばスパッタリング法により、例えば、厚みが５０ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）層と、厚みが４００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層またはアルミニウム合金層との二層構造を形成する。次いで、この二層構造に対して、フォトリソグラフィおよびエッチングを施すことにより、図５（Ａ）に示したように、ゲート電極２１を形成する。

続いて、同じく図５（Ａ）に示したように、基板１０の全面に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、上述した厚みおよび材料よりなるゲート絶縁膜２２を形成する。

ゲート絶縁膜２２を形成したのち、図５（Ｂ）に示したように、ゲート絶縁膜２２の全面に、例えばＩＧＺＯよりなるターゲットを用い、アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中で反応性ＤＣスパッタリング法により、酸化物半導体材料膜２３Ａを形成する。

図６は、酸化物半導体材料膜２３Ａの成膜に用いるターゲット３０の平面構成を表したものである。このターゲット３０は、複数（例えば図６では四つ）の矩形の分割部３１を一方向（ｙ方向）に並べて平面状に継ぎ合わせたインライン型またはマルチターゲット型のものである。隣接する分割部３１の間には継ぎ目３２がある。継ぎ目３２は、例えば、分割部３１の並べられている方向（ｙ方向）に直交する方向（ｘ方向）に延在している。分割部３１は隙間なく突き合わせて基材（図示せず）に貼り付けられており、実際の継ぎ目３２の空隙の幅はほぼゼロ（１ｍｍ未満）である。

スパッタリング装置はインライン方式を用い、例えば図７に示したように、ターゲット３０と基板１０とを対面させて成膜を行う。基板１０は、静止していてもよいし、ターゲット３０の上方において矢印Ａ１方向に揺動ないし流動させてもよい。基板１０の変位方向Ａ１は、装置およびスパッタリングターゲットの大型化を回避し、製造コストを抑制するため、例えば、必要なターゲット幅が最小になるよう、ターゲット長辺方向に対して垂直な方向（ｘ方向）とすることが望ましい。

ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２は、継ぎ目３２に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布の幅以下とする。これにより、この表示装置の製造方法では、輝度むらを低減することが可能となっている。

更に、基板１０をターゲット３０に対面させて揺動または進行させて成膜を行う場合には、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、基板１０の変位方向Ａ１に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布の幅以下とすることが好ましい。なお、本実施の形態では、継ぎ目３２をターゲット長辺方向に対して垂直な方向（ｘ方向）に設けているので、基板１０の変位方向Ａ１は継ぎ目３２の方向と同じである。

以下、このことについてより詳細に説明する。例えば２分割ターゲット３０Ａは、図８（Ａ）に示したように、二つの分割部３１の間に、一本の継ぎ目３２を有している。このような２分割ターゲット３０Ａに基板１０を対面させて進行させながら酸化物半導体材料膜２３Ａを形成した場合には、図８（Ｂ）に示したように、完成した表示領域１１０に局所的な輝度分布３３（他の領域とは輝度が異なっている領域）が発生する。その理由は以下の通りである。２分割ターゲット３０Ａにはエロージョン領域内に継ぎ目３２が存在するので、継ぎ目３２近傍から飛散した酸化物半導体粒子が基板１０上に成膜される領域において、酸化物半導体材料膜２３Ａの膜質変動が起こる。特に、ＩＧＺＯのような多元系材料では膜質変動が起こりやすい。この膜質変動によりＴＦＴ２０の特性も変動し、これに起因して有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの輝度も変わってしまう。より詳細には、ＴＦＴ２０の閾値が上がり、同じソース・ドレイン電圧でもドレイン電流が低くなる。そのため、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは正常に点灯するものの輝度が低下して局所的な線状の暗部となる。暗部すなわち輝度分布３３の位置は、継ぎ目３２の位置と一致している。

継ぎ目３２が一本しかない２分割ターゲット３０Ａの場合には、輝度分布３３は、図９（Ａ）に示したように、表示領域１１０における継ぎ目３２の対向位置およびその近傍領域に、継ぎ目３２に直交する方向Ａ２に生じる。輝度分布３３の幅ｗ３３は、例えば４０ｍｍ程度であり、継ぎ目３２の空隙の幅よりも広くなる。ここで幅ｗ３３は、輝度低下量が、輝度分布３３の最も低い輝度と他の領域の輝度との輝度差ΔＩの２分の１（１／２）以上となっている領域の幅（半値幅）である。

一方、本実施の形態では、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、輝度分布３３の幅ｗ３３以下としている。よって、表示領域１１０においては、図９（Ｂ）に示したように、それぞれの継ぎ目３２の対向位置およびその近傍領域に輝度分布３３が生じ、それらの輝度分布３３が重畳されることにより、表示領域１１０全体としての輝度分布３４が平坦化され、輝度差ΔＩが小さくなる。

具体的には、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２は、例えば４０ｍｍ以下とすることが好ましい。輝度分布３３の幅ｗ３３が４０ｍｍ程度であることから、継ぎ目３２の間隔ｄ３２を４０ｍｍ以下とすることにより表示領域１１０全体としての輝度分布３４を平坦にすることが可能となる。

図１０（Ａ）は、互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、輝度分布３３の幅ｗ３３以下、具体的には４０ｍｍ以下としたインライン型またはマルチターゲット型のターゲット３０の平面構成の一例を表したものであり、図１０（Ｂ）は、このターゲット３０を用いた場合の表示領域１１０の輝度分布の発生状態を模式的に表したものである。図１０（Ｂ）から分かるように、完成した表示領域１１０の輝度は、２分割ターゲット３０Ａを用いた場合（図８（Ａ））よりも均一化されている。

図１１（Ａ）は、枚葉型の４分割ターゲット３０Ｂの平面構成を表したものである。この４分割ターゲット３０Ｂは、四つの分割部３１の境界に、十字形の継ぎ目３２を有している。このような４分割ターゲット３０Ｂを用いて酸化物半導体材料膜２３Ａを形成した場合には、図１１（Ｂ）に示したように、完成した表示領域１１０にも局所的な輝度分布３３（他の領域とは輝度が異なっている領域）が十字形に発生する。

図１２（Ａ）は、互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、輝度分布３３の幅ｗ３３以下、具体的には４０ｍｍ以下とした枚葉型のターゲット３０の平面構成の一例を表したものであり、図１２（Ｂ）は、このターゲット３０を用いた場合の表示領域１１０の輝度分布の発生状態を模式的に表したものである。図１２（Ｂ）から分かるように、完成した表示領域１１０の輝度は、４分割ターゲット３０Ａを用いた場合（図１１（Ｂ））よりも均一化されている。

このようにして酸化物半導体材料膜２３Ａを形成したのち、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、酸化物半導体材料膜２３Ａを所定の形状に成形する。これにより、図１３（Ａ）に示したように、酸化物半導体層２３が形成される。

酸化物半導体層２３を形成したのち、例えば原子層成膜法，スパッタリング法またはＣＶＤ法により、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン酸窒化膜，酸化アルミニウム等よりなるチャネル保護層材料膜（図示せず）を形成し、これをフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、図１３（Ｂ）に示したように、チャネル保護層２４を形成する。

そののち、例えばスパッタリング法により、厚みが５０ｎｍのチタン層２５Ａ、厚みが５００ｎｍのアルミニウム層２５Ｂおよび厚みが５０ｎｍのチタン層２５Ｃを形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、図１３（Ｃ）に示したように、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成する。

ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成したのち、図３に示したように、例えば原子層成膜法，スパッタリング法またはＣＶＤ法により、上述した厚みおよび材料よりなるパッシベーション膜２６を形成する。以上により、図３に示したＴＦＴ２０を有するＴＦＴ基板１が形成される。

（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
続いて、ＴＦＴ２０の上層に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂよりなる表示領域１１０を形成する。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化絶縁膜５１および接続孔５１Ａを形成し、焼成する。次いで、例えば直流スパッタリングにより、上述した材料よりなるアノード５２を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。続いて、例えばＣＶＤ法により上述した厚みおよび材料よりなる電極間絶縁膜５３を形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて開口部を形成する。そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層５４およびカソード５５を順次成膜し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、上述した材料よりなる保護膜５６で覆う。

そののち、保護膜５６の上に、接着層６０を形成する。そののち、カラーフィルタ７２および光遮蔽膜７３が設けられ、上述した材料よりなる封止用基板７１を用意し、ＴＦＴ基板１と封止用基板７１とを接着層６０を間にして貼り合わせる。以上により、図４に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、走査線ＷＳＬから供給される制御信号に応じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通し、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされて保持容量３Ｃに保持される。また、第１電位にある電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂに電流が供給され、保持容量３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が発光素子３Ｄ（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に供給される。発光素子３Ｄ（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。この光は、カソード５５，カラーフィルタ７２および封止用基板７１を透過して取り出される。

ここでは、酸化物半導体層２３をスパッタリング法により形成する工程において、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２が、継ぎ目３２に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布３３の幅ｗ３３以下とされている。よって、表示領域１１０においては、図９（Ｂ）に示したように、それぞれの継ぎ目３２の対向位置およびその近傍領域に輝度分布３３が生じ、それらの輝度分布３３が重畳されることにより、表示領域１１０全体としての輝度分布３４が平坦化され、均一な発光が得られる。

このように本実施の形態では、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、基板１０の変位方向Ａ１に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布３３の幅ｗ３３以下とするようにしたので、輝度むらを低減し、表示品位を高めることが可能となる。また、大型化が困難とされる酸化物半導体ターゲット製造において、分割部３１の寸法を小さくすることが可能となる。よって、良質な酸化物半導体ターゲットを容易に製造することが可能となり、歩留まり向上およびコスト削減が可能となる。

（第２の実施の形態）
図１４は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の全体構成を表したものである。この表示装置は、液晶テレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、上述したＴＦＴ基板１に、表示素子として後述する複数の液晶表示素子１０Ｌよりなる画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられている。表示領域１１０の周辺には、信号部であるデータドライバ１２１Ａと、スキャナ部であるゲートドライバ１３１Ａとが配置されている。表示領域１１０の背面側には、バックライトユニットとしての照明部１５０が設けられている。

図１５は、画素ＰＸＬＣの等価回路を表したものである。画素ＰＸＬＣは、第１の実施の形態で説明したＴＦＴ２０と、液晶表示素子１０Ｌと、容量素子Ｃｓｔとを有している。

ＴＦＴ２０は、画素ＰＸＬＣに対して、映像信号を供給するためのスイッチング素子としての機能を有するものであり、第１の実施の形態と同様に構成されている。ＴＦＴ２０のゲートは、左右方向に延在するゲートバスラインＧＬに接続されている。このゲートバスラインＧＬには、上下方向に延在するソースバスラインＳＬが直交している。ＴＦＴ２０のソースはソースバスラインＳＬに接続され、ドレインは液晶表示素子１０Ｌの一端および容量素子Ｃｓｔの一端に接続されている。

液晶表示素子１０Ｌは、ＴＦＴ２０を介して供給される信号電圧に応じて表示のための動作を行う表示素子としての機能を有するものである。液晶表示素子１０Ｌの他端は接地されている。

容量素子Ｃｓｔは、両端間に電位差を発生させるものであり、具体的には電荷を蓄積させる誘電体を含んで構成されている。容量素子Ｃｓｔの他端は、ゲートバスラインＧＬに平行すなわち左右方向に延在する容量素子バスラインＣＬに接続されている。

図１６は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。ＴＦＴ基板１は、第１の実施の形態と同様に、基板１０に、酸化物半導体層２３（図３参照。）を有するＴＦＴ２０を有している。液晶表示素子１０Ｌは、平坦化絶縁膜８１の上に、例えばＩＴＯよりなる画素電極８２Ａを有している。また、対向基板８３上には、赤色フィルタ８４Ｒ，緑色フィルタ８４Ｇおよび青色フィルタ８４Ｂよりなるカラーフィルタ８４，光遮蔽膜８５，並びに例えばＩＴＯよりなる共通電極８２Ｂが設けられている。画素電極８２Ａと共通電極８２Ｂとの間には液晶層８２Ｃが設けられている。なお、図１６では容量素子Ｃｓｔは省略している。

平坦化絶縁膜８１は、第１の実施の形態の平坦化絶縁膜５１と同様に構成されている。ＴＦＴ２０は、平坦化絶縁膜８１に設けられた接続孔８１Ａを介して画素電極８２Ａに接続されている。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

（ＴＦＴ基板１を形成する工程）
まず、第１の実施の形態と同様にして、基板１０に、酸化物半導体層２３を有するＴＦＴ２０を形成し、ＴＦＴ基板１を形成する。

すなわち、第１の実施の形態と同様にして、図５（Ａ）に示した工程により、ゲート電極２１およびゲート絶縁膜２２を形成する。

次いで、第１の実施の形態と同様にして、図５（Ｂ）に示した工程により、酸化物半導体材料膜２３Ａを形成する。その際、第１の実施の形態と同様に、図６に示したように複数（例えば図６では四つ）の矩形の分割部３１を一方向（ｙ方向）に並べて平面状に継ぎ合わせたインライン型またはマルチターゲット型のターゲット３０を用い、図７に示したように、ターゲット３０と基板１０とを対面させて成膜を行う。基板１０は、静止していてもよいし、ターゲット３０の上方において矢印Ａ１方向に揺動ないし流動させてもよい。

ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２は、第１の実施の形態と同様に、継ぎ目３２に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布の幅以下とする。これにより、この表示装置の製造方法では、第１の実施の形態と同様に、輝度むらを低減することが可能となっている。

更に、基板１０をターゲット３０に対面させて揺動または進行させて成膜を行う場合には、第１の実施の形態と同様に、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、基板１０の変位方向Ａ１に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布の幅以下とすることが好ましい。詳細については、第１の実施の形態において図８および図９を参照して説明したのと同様である。

具体的には、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２は、第１の実施の形態と同様に、例えば４０ｍｍ以下とすることが好ましい。輝度分布３３の幅ｗ３３が４０ｍｍ程度であることから、継ぎ目３２の間隔ｄ３２を４０ｍｍ以下とすることにより表示領域１１０全体としての輝度分布３４を平坦にすることが可能となる。

このようにして酸化物半導体材料膜２３Ａを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、図１３（Ａ）に示した工程により、酸化物半導体材料膜２３Ａを所定の形状に成形して、酸化物半導体層２３を形成する。

続いて、第１の実施の形態と同様にして、図１３（Ｂ）に示した工程により、チャネル保護層２４を形成する。そののち、第１の実施の形態と同様にして、図１３（Ｃ）に示した工程により、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成する。

ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、パッシベーション膜２６を形成する。以上により、図３に示したＴＦＴ２０を有するＴＦＴ基板１が形成される。

（液晶表示素子１０Ｌを形成する工程）
続いて、ＴＦＴ２０の上層に液晶表示素子１０Ｌよりなる表示領域１１０を形成する。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化絶縁膜８１および接続孔８１Ａを形成し、焼成する。次いで、例えば直流スパッタリングにより、上述した材料よりなる画素電極８２Ａを成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。

また、対向基板８３にカラーフィルタ８４，光遮蔽膜８５および上述した材料よりなる共通電極８２Ｂを形成し、ＴＦＴ基板１と対向基板８３とを封止枠（図示せず）を間にして貼り合わせる。そののち、封止枠の開口（図示せず）から液晶を注入することにより、画素電極８２Ａと共通電極８２Ｂとの間に液晶層８２Ｃを形成し、開口を封止する。以上により、図１４に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、照明部１５０からの光は、光学シート（図示せず）により均一に拡散されて液晶表示素子１０Ｌに入射する。この入射光は、画素電極８２Ａと共通電極８２Ｂとの間に印加された映像電圧に基づいて画素毎に変調されつつ液晶層８２Ｃを透過する。液晶層８２Ｃを透過した光は、カラーフィルタ８４を通過することにより、カラーの表示光として対向基板８３の外側へ取り出される。

ここでは、第１の実施の形態と同様に、酸化物半導体層２３をスパッタリング法により形成する工程において、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２が、継ぎ目３２に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布３３の幅ｗ３３以下とされている。よって、第１の実施の形態と同様に、表示領域１１０においては、図９（Ｂ）に示したように、それぞれの継ぎ目３２の対向位置およびその近傍領域に輝度分布３３が生じ、それらの輝度分布３３が重畳されることにより、表示領域１１０全体としての輝度分布３４が平坦化され、均一な発光が得られる。特にこのような効果は、精細度やフレームレートの増加、あるいは画面サイズの増大に依る信号遅延の増加、に伴って、画素電極８２Ａと共通電極８２Ｂとの間に形成される容量への書き込み不足が発生する時に顕著となり、その効果が有効となる。

このように本実施の形態では、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、基板１０の変位方向Ａ１に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布３３の幅ｗ３３以下とするようにしたので、第１の実施の形態と同様に、輝度むらを低減し、表示品位を高めることが可能となる。また、大型化が困難とされる酸化物半導体ターゲット製造において、分割部３１の寸法を小さくすることが可能となる。よって、良質な酸化物半導体ターゲットを容易に製造することが可能となり、歩留まり向上およびコスト削減が可能となる。

（第３の実施の形態）
図１７は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、電気泳動現象を利用して画像（例えば文字情報等）を表示する電気泳動型ディスプレイ（いわゆる電子ペーパーディスプレイ）であり、ＴＦＴ基板１上に、表示層９１、対向基板９２，透明接着層９３，保護膜９４をこの順に有している。なお、図１７はこの表示装置の形状を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる。

ＴＦＴ基板１には、図１８に示したように、中央の表示領域１１０の周囲に、この表示領域１１０を完全に取り囲むように接着領域１１０Ａが設けられている。表示領域１１０上には表示層９１が設けられ、接着領域１１０Ａには、保護膜９４の端部が接着層９４Ａにより接着されている。

ＴＦＴ基板１は、基体９０Ａ上にバリア層９０ＢおよびＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路９０Ｃをこの順に積層させたものである。基体９０Ａは、例えば、ガラス、石英、シリコン、ガリウム砒素等の無機材料、ステンレス等の金属材料あるいは、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等のプラスチック材料等からなる。この基体９０Ａは、ウェハなどの剛性を有するものであってもよく、薄層ガラス、フィルムまたは金属箔など可撓性を有するものであってもよい。基体９０Ａが可撓性を有するものであれば、折り曲げ可能な表示装置を実現できる。基体９０Ａの厚み（積層方向の厚み。以下単に厚みという。）は、例えば１０μｍ〜１００μｍである。

バリア層９０Ｂは、例えばＣＶＤ法により形成されたＡｌＯｘ Ｎ１−Ｘ （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）膜または窒化シリコン（Ｓｉ３ Ｎ４ ）膜であり、水分や有機ガスによるＴＦＴ回路９０Ｃおよび表示層９１の劣化を抑えるものである。バリア層９０Ｂは、ＣＶＤ法により成膜される場合がほとんどであり、蒸着法により成膜した場合と比較すると緻密で、透湿性がより低くなる。

ＴＦＴ回路９０Ｃは画素を選択するためのスイッチング機能を有している。このＴＦＴ回路９０Ｃは、例えば、第１の実施の形態において図３を参照して説明したＴＦＴ２０により構成されている。

表示層９１は画素電極と共通電極との間に電気泳動型の表示体を有するものである。画素電極はＴＦＴ回路９０Ｃ、共通電極は対向基板９２にそれぞれ接している。表示層９１の積層方向の厚みは、例えば４０μｍ〜１６５μｍ程度である。画素電極は画素ごとに設けられており、例えばクロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、
銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金からなる。共通電極は、対向基板９２の一面に亘り設けられており、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化アンチモン−酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）またはアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）等の透光性導電材料（透明電極材料）により構成されている。

対向基板９２は、表示層９１と同様に表示領域１１０上に設けられており例えば１２５μｍ程度の厚みを有する。本実施の形態では、対向基板９２側において画像が表示されるため、対向基板９２には光透過性の材料が用いられるが、この点を除き、基体９０Ａと同様の材料を用いることができる。

保護膜９４は、表示層９１を封止するものである。保護膜９４は、防湿機能に加え、反射防止機能あるいは防眩機能等の光学機能、更には外力に対する保護機能を兼ねており、その膜厚は、例えば数百μｍ程度である。

保護膜９４は対向基板９２に対して透明接着層９３により固定されている。この透明接着層９３は、例えば、２５μｍの厚みのＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）等からなる。基体９０Ａを可撓性基板により構成するときには、透明接着層９３も可撓性であることが好ましい。

保護膜９４により封止された表示領域１１０と接着領域１１０Ａとの間（表示層９１および対向基板９２の側面と保護膜９４との間）は空隙９５となっており、表示層９１および対向基板９２の側面は空隙９５により囲まれている。

この表示装置は、例えば以下のようにして製造することができる。

（ＴＦＴ基板１を形成する工程）
図１９は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図１９（Ａ）に示したように、基体９０Ａに例えばＣＶＤ法により窒化シリコンからなるバリア層９０Ｂを形成する。次いで、同じく図１９（Ａ）に示したように、バリア層９０Ｂの上に、酸化物半導体層２３を有するＴＦＴ２０よりなるＴＦＴ回路９０Ｃを形成し、ＴＦＴ基板１とする。

すなわち、第１の実施の形態と同様にして、図５（Ａ）に示した工程により、ゲート電極２１およびゲート絶縁膜２２を形成する。

次いで、第１の実施の形態と同様にして、図５（Ｂ）に示した工程により、酸化物半導体材料膜２３Ａを形成する。その際、第１の実施の形態と同様に、図６に示したように複数（例えば図６では四つ）の矩形の分割部３１を一方向（ｙ方向）に並べて平面状に継ぎ合わせたインライン型またはマルチターゲット型のターゲット３０を用い、図７に示したように、ターゲット３０と基板１０とを対面させて成膜を行う。基板１０は、静止していてもよいし、ターゲット３０の上方において矢印Ａ１方向に揺動ないし流動させてもよい。

ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２は、第１の実施の形態と同様に、継ぎ目３２に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布の幅以下とする。これにより、この表示装置の製造方法では、第１の実施の形態と同様に、輝度むらを低減することが可能となっている。

更に、基板１０をターゲット３０に対面させて揺動または進行させて成膜を行う場合には、第１の実施の形態と同様に、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、基板１０の変位方向Ａ１に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布の幅以下とすることが好ましい。詳細については、第１の実施の形態において図８および図９を参照して説明したのと同様である。

具体的には、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２は、第１の実施の形態と同様に、例えば４０ｍｍ以下とすることが好ましい。輝度分布３３の幅ｗ３３が４０ｍｍ程度であることから、継ぎ目３２の間隔ｄ３２を４０ｍｍ以下とすることにより表示領域１１０全体としての輝度分布３４を平坦にすることが可能となる。

このようにして酸化物半導体材料膜２３Ａを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、図１３（Ａ）に示した工程により、酸化物半導体材料膜２３Ａを所定の形状に成形して、酸化物半導体層２３を形成する。

続いて、第１の実施の形態と同様にして、図１３（Ｂ）に示した工程により、チャネル保護層２４を形成する。そののち、第１の実施の形態と同様にして、図１３（Ｃ）に示した工程により、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成する。

ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、パッシベーション膜２６を形成する。以上により、図３に示したＴＦＴ２０を有するＴＦＴ基板１が形成される。

（電気泳動型の表示層９１を形成する工程）
ＴＦＴ基板１を形成したのち、例えばクロム、金、白金、ニッケル、銅、タングステン、アルミニウムあるいは銀からなる金属膜をＴＦＴ基板１の全面に形成し、これをパターニングすることにより、画素電極を形成する。

次いで図１９（Ｂ）に示したように、共通電極を備えた対向基板９２に例えば塗布により表示体を形成した後、この対向基板９２をＴＦＴ基板１に貼り合わせる。これにより、ＴＦＴ基板１上に表示層９１および対向基板９２が形成される。共通電極は、例えばＩＴＯを対向基板９２の一方の面の全面に成膜し、形成しておく。

対向基板９２を貼合したのち、透明接着層９３により保護膜９４を対向基板９２上に固定する。このとき、保護膜９４には、その全ての辺において表示領域１１０の辺よりも大きく、その面積が表示領域１１０の面積よりも大きいものを用いる。これにより、保護膜９４に表示領域１１０の外側に張り出す部分が形成される。続いて、保護膜９４の表示領域１１０から張り出した部分をＴＦＴ基板１側に折り曲げ、表示層９１の側面を覆うようにしてＴＦＴ基板１の接着領域１１０Ａに接着層９４により固定する。以上により、図１７および図１８に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、表示層９１において、画素電極と共通電極との間に印加された映像電圧に基づいて電気泳動型の表示体により表示が行われる。

ここでは、第１の実施の形態と同様に、酸化物半導体層２３をスパッタリング法により形成する工程において、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２が、継ぎ目３２に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布３３の幅ｗ３３以下とされている。よって、第１の実施の形態と同様に、表示領域１１０においては、図９（Ｂ）に示したように、それぞれの継ぎ目３２の対向位置およびその近傍領域に輝度分布３３が生じ、それらの輝度分布３３が重畳されることにより、表示領域１１０全体としての輝度分布３４が平坦化され、均一な発光が得られる。特にこのような効果は、精細度やフレームレートの増加、あるいは画面サイズの増大に依る信号遅延の増加、に伴って、画素電極と共通電極との間に形成される容量への書き込み不足が発生する時に顕著となり、その効果が有効となる。

このように本実施の形態では、ターゲット３０の互いに平行な二本の継ぎ目３２の間隔ｄ３２を、基板１０の変位方向Ａ１に直交する方向Ａ２において表示領域１１０に生じる輝度分布３３の幅ｗ３３以下とするようにしたので、第１の実施の形態と同様に、輝度むらを低減し、表示品位を高めることが可能となる。また、大型化が困難とされる酸化物半導体ターゲット製造において、分割部３１の寸法を小さくすることが可能となる。よって、良質な酸化物半導体ターゲットを容易に製造することが可能となり、歩留まり向上およびコスト削減が可能となる。

（適用例）
続いて、図２０ないし図２７を参照して、上記実施の形態に係る表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話やスマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図２０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０の一辺に、第１の実施の形態における封止用基板７１および接着層６０、または第２の実施の形態における対向基板８３から露出した領域１６０を設け、この露出した領域１６０に、第１の実施の形態における水平セレクタ１２１，ライトスキャナ１３１および電源スキャナ１３２、または第２の実施の形態におけるデータドライバ１２１Ａおよびゲートドライバ１３１Ａの配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）１６１が設けられていてもよい。

（適用例１）
図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）はそれぞれ、上記実施の形態の表示装置が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例２）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例３）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例４）
図２４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例６）
図２６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例７）
図２７は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、基板１０の変位方向Ａ１を、継ぎ目３２に平行な方向とする場合について説明したが、基板１０を継ぎ目３２に対して斜め方向に揺動させるようにしてもよい。

また、上記実施の形態では、継ぎ目３２を、分割部３１が並べられている方向（ｙ方向）に直交する方向（ｘ方向）に設ける場合について説明したが、継ぎ目３２を、ｙ方向に対して斜めに設けると共に、基板１０の変位方向Ａ１をｘ方向に平行としてもよい。

更に、上記実施の形態では、基板１０を分割ターゲット３０に対向させて揺動させながら成膜を行う場合について説明したが、基板１０を、分割ターゲット３０上を進行（通過）させて成膜を行うことも可能である。

加えて、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。

加えてまた、本開示は、有機発光素子のほか、液晶表示素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、またはエレクトロデポジション型もしくエレクトロクロミック型の表示素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。

更にまた、例えば、上記実施の形態において表示装置の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。

なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、
前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、
前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする
表示装置の製造方法。
（２）
前記酸化物半導体層を形成する工程を、前記基板を前記ターゲットに対面させて揺動または進行させて行い、
前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記基板の変位方向に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする
前記（１）記載の表示装置の製造方法。
（３）
前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、４０ｍｍ以下とする
前記（１）または（２）記載の表示装置の製造方法。
（４）
前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される有機発光素子である
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（５）
前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される液晶表示素子である
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（６）
前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される電気泳動型表示体である
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

１…ＴＦＴ基板、３Ａ…サンプリング用トランジスタ、３Ｂ…駆動用トランジスタ、３Ｃ…保持容量、３Ｄ…発光素子、１０…基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、２０…ＴＦＴ、２１…ゲート電極、２２…ゲート絶縁膜、２３…酸化物半導体層、２４…チャネル保護層、２５Ｓ…ソース電極、２５Ｄ…ドレイン電極、２６…パッシベーション膜、３０…ターゲット、３１…分割部、３２…継ぎ目、５１…平坦化絶縁膜、５２…アノード、５３…電極間絶縁膜、５４…有機層、５５…カソード、５６…保護膜、６０…接着層、７１…封止用基板、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路。

Claims (6)

1. 基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、
   前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせると共に隣接する前記分割部の境界線に継ぎ目がある酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、
   前記ターゲットの互いに平行な二本の前記継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目が一本しかない２分割ターゲットの場合に前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じ、前記表示領域の他の部分とは輝度が異なっている領域である輝度分布の幅以下とする
   表示装置の製造方法。
2. 前記酸化物半導体層を形成する工程を、前記基板を前記ターゲットに対面させて揺動または進行させて行い、
   前記ターゲットの互いに平行な二本の前記継ぎ目の間隔を、前記基板の変位方向に直交する方向における前記輝度分布の幅以下とする
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
3. 前記ターゲットの互いに平行な二本の前記継ぎ目の間隔を、４０ｍｍ以下とする
   請求項１または２記載の表示装置の製造方法。
4. 前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される有機発光素子である
   請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される液晶表示素子である
   請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される電気泳動型表示体である
   請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

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