JP5918614B2 - Conductive substrate, touch panel, and method of manufacturing conductive substrate - Google Patents
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Description
本発明は、導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法に関し、特に、タッチパネルや太陽電池の集電電極等に用いられる導電性基板において配線層の酸化を防止する技術に関する。 The present invention relates to a conductive substrate, a touch panel, and a method for manufacturing a conductive substrate, and more particularly to a technique for preventing oxidation of a wiring layer in a conductive substrate used for a current collecting electrode of a touch panel or a solar cell.
従来から、表示画面に直接触れることにより情報を入力できるタッチパネルが、携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行のATM端末等の電子機器の表示部に広く利用されている。
そのようなタッチパネルの一例である特許文献1に記載の静電容量型タッチパネルは、2枚の導電性基板を貼り合わせた構造を有し、各導電性基板は、透明基材に金属酸化物で構成される透明導電層と、金属または合金で構成される配線層とが、その順で積層された構造を有する。そして、前記透明導電層は、透明基材の中央領域に位置検出のための電極部を有し、前記配線層は、前記中央領域を囲繞する周縁領域に前記電極部と電気的に接続された配線部を有する。
2. Description of the Related Art Conventionally, touch panels capable of inputting information by directly touching a display screen have been widely used in display units of electronic devices such as mobile phones, car navigation systems, personal computers, ticket vending machines, and bank ATM terminals.
The capacitive touch panel described in
上記のような構造の導電性基板において、例えば、タッチパネルの検出感度を向上させるために、配線層を、電気抵抗の低い銅で形成することが考えられる。しかしながら、銅は比較的酸化し易い金属であるため、銅で形成された配線層は、銅の酸化により腐食して高抵抗化し易い。このような配線層の高抵抗化は、タッチパネルの検出感度が低下する原因となるため好ましくない。 In the conductive substrate having the above structure, for example, in order to improve the detection sensitivity of the touch panel, it is conceivable to form the wiring layer with copper having a low electrical resistance. However, since copper is a metal that is relatively easy to oxidize, the wiring layer formed of copper is easily corroded by copper oxidation and easily increases in resistance. Such an increase in resistance of the wiring layer is not preferable because it causes a decrease in detection sensitivity of the touch panel.
本発明は、上記の課題に鑑み、電気抵抗が低く且つ高抵抗化し難い配線層を有する導電性基板およびタッチパネルや太陽電池を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、そのような導電性基板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a conductive substrate, a touch panel, and a solar cell having a wiring layer that has a low electrical resistance and is difficult to increase in resistance. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a conductive substrate.
上記目的を達成するため、本発明に係る導電性基板は、透明基材に透明導電層および配線層がその順で積層された積層構造を有する導電性基板であって、前記配線層は、銅を主成分とする配線本体と、銅およびニッケルを含む合金を主成分とし前記配線本体の前記透明基材とは反対側の主面を被覆する第1の被覆層とを有し、前記第1の被覆層のニッケル含有量が30wt%〜70wt%であることを特徴する。 In order to achieve the above object, a conductive substrate according to the present invention is a conductive substrate having a laminated structure in which a transparent conductive layer and a wiring layer are laminated in that order on a transparent substrate, and the wiring layer is made of copper. And a first coating layer covering a main surface of the wiring body opposite to the transparent base material, the first coating layer comprising a copper and nickel alloy as a main component. The nickel content of the coating layer is 30 wt% to 70 wt%.
本発明に係る導電性基板の製造方法は、透明基材に透明導電層および配線層がその順で積層され、前記配線層は、銅を主成分とする配線本体と、銅およびニッケルを含む合金を主成分とし前記配線本体の前記透明基材とは反対側の主面を被覆する第1の被覆層と、銅およびニッケルを含む合金を主成分とし前記配線本体の前記透明基材側の主面を被覆する第2の被覆層とを有し、前記第1の被覆層および前記第2の被覆層のニッケル含有量が30wt%〜70wt%である導電性基板の製造方法であって、前記透明基材に、前記透明導電層の構成材料からなるべた膜(全面成膜された状態)、前記第2の被覆層の構成材料からなるべた膜、前記配線本体の構成材料からなるべた膜、および、前記第1の被覆層の構成材料からなるべた膜をその順で積層させて、それらべた膜からなる積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体をエッチングし、所定の形状にパターニングするパターニング工程と、を含むことを特徴とする。 In the method for producing a conductive substrate according to the present invention, a transparent conductive layer and a wiring layer are laminated in this order on a transparent base material, and the wiring layer includes a wiring main body mainly composed of copper, and an alloy containing copper and nickel. And the main body of the wiring main body on the transparent substrate side of the wiring main body, the first coating layer covering the main surface of the wiring main body opposite to the transparent substrate, and an alloy containing copper and nickel. A conductive substrate having a second coating layer covering the surface, wherein the first coating layer and the second coating layer have a nickel content of 30 wt% to 70 wt%, A transparent substrate, a solid film made of a constituent material of the transparent conductive layer (a state where the entire surface is formed), a solid film made of a constituent material of the second coating layer, a solid film made of a constituent material of the wiring body, And a solid film made of the constituent material of the first coating layer. In by stacking a stack forming step of forming a laminate consisting solid film, etching the laminate, characterized in that it comprises a and a patterning step of patterning into a predetermined shape.
本発明に係る導電性基板およびタッチパネルは、銅を主成分とする配線本体を有しているため、配線層の電気抵抗が低い。また、銅およびニッケルを含む合金を主成分とし、配線本体の透明基材とは反対側の主面を被覆する第1の被覆層を有しているため、配線層が高抵抗化し難い。なお、第1の被覆層のニッケル含有量が30wt%以上でなければ、実質的に配線層が高抵抗化し難い構成とは言えず、第1の被覆層のニッケル含有量が70wt%以下でなければ、第1の被覆層をDCマグネトロンスパッタで成膜し難いため現実的に生産に適した導電性基板であるとは言えない。 Since the conductive substrate and the touch panel according to the present invention have a wiring body mainly composed of copper, the electrical resistance of the wiring layer is low. In addition, since the main component is an alloy containing copper and nickel, and the first cover layer that covers the main surface of the wiring body opposite to the transparent substrate is provided, the wiring layer is difficult to increase in resistance. If the nickel content of the first coating layer is not 30 wt% or more, it cannot be said that the resistance of the wiring layer is hardly increased, and the nickel content of the first coating layer must be 70 wt% or less. For example, since it is difficult to form the first coating layer by DC magnetron sputtering, it cannot be said that the conductive substrate is practically suitable for production.
本発明に係る導電性基板の製造方法は、透明基材に、透明導電層の構成材料からなるべた膜、第2の被覆層の構成材料からなるべた膜、配線本体の構成材料からなるべた膜、および、第1の被覆層の構成材料からなるべた膜をその順で積層させて、それらべた膜からなる積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体をエッチングし、所定の形状にパターニングするパターニング工程とを含むため、電気抵抗が低く且つ高抵抗化し難い配線層を形成することができる。 The method for producing a conductive substrate according to the present invention includes a transparent substrate, a solid film made of a constituent material of a transparent conductive layer, a solid film made of a constituent material of a second coating layer, and a solid film made of a constituent material of a wiring body. And a laminated body forming step of laminating a solid film made of the constituent material of the first coating layer in that order to form a laminated body made of the solid films, and etching the laminated body to obtain a predetermined shape Therefore, a wiring layer having low electrical resistance and difficult to increase in resistance can be formed.
以下、本発明の一態様に係る導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法を、図面を参照しながら説明する。なお、各図面における各層の縮尺は実際のものとは異なる。
<導電性基板およびタッチパネル>
(タッチパネル)
図1は、本発明の一態様に係るタッチパネルを示す断面模式図である。図2は、本発明の一態様に係る導電性基板を示す平面図であって、図2(a)は第1の導電性基板を示し、図2(b)は第2の導電性基板を示す。なお、図2におけるA−A線の部分が図1の断面の切断位置である。
Hereinafter, a conductive substrate, a touch panel, and a method for manufacturing a conductive substrate according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the scale of each layer in each drawing is different from the actual scale.
<Conductive substrate and touch panel>
(Touch panel)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch panel according to one embodiment of the present invention. 2A and 2B are plan views illustrating a conductive substrate according to one embodiment of the present invention, in which FIG. 2A illustrates a first conductive substrate and FIG. 2B illustrates a second conductive substrate. Show. 2 is the cutting position of the cross section of FIG.
図1に示す本発明の一態様に係るタッチパネル1は、静電容量式のタッチパネルであり、第1の導電性基板10と第2の導電性基板20とが接着層30を介して貼り合わされた構造を有する。タッチパネル1は、例えば、液晶表示装置、電界放出表示装置、プラズマ表示装置、電子発光ディスプレイ、真空蛍光表示装置等の表示装置(不図示)の表示面に配置されて使用される。なお、本発明に係るタッチパネルは静電容量型に限定されず、抵抗膜型、光学型、超音波型等であっても良い。
A
第1の導電性基板10および第2の導電性基板20は、いずれも本発明の一態様に係る導電性基板であって、図1および図2に示すように、透明基材11,21の一方の主面側に、アンダーコート層12,22、透明導電層13,23、および、配線層14,24が、その順で積層されている。それら導電性基板10,20は、積層方向が反対の向きとなるように、すなわち互いの前記一方の主面側の面が対向するように、配置されている。なお、それら導電性基板10,20は、積層方向が同じ向きとなるように配置されていても良い。
Each of the first
接着層30は、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系等の透明な接着剤や粘着剤で構成される。なお、接着層30には、透明性フィルム等の芯材が含まれていても良い。
各導電性基板10,20について、アンダーコート層12,22は、パターニングされていない所謂べた膜として、または一部がパターニングされて形成されている。一方、透明導電層13,23および配線層14,24は、パターニングされている。
The
For each of the
透明導電層13,23は、例えば、透明基材11,21の中央領域に、位置検出のための複数の電極部13a,23aを有すると共に、中央領域を囲繞する周縁領域に、前記電極部13a,23aから延出しており配線層14,24と電気的に接続された接続部13b、23bを有する。具体的には、図2において波線模様が付されている領域に、電極部13a,23aが形成されており、図2においてドット模様が付されている領域に、接続部13b、23bが形成されている(図2では配線層14,24に隠れて接続部13b、23bは見えない)。
The transparent
各電極部13a,23aは、複数の菱形が直線状に連結された帯状であり、透明導電層13,23ごとに、全ての電極部13a,23aの長手方向が平行に揃うように配置されている。そして、第1の導電性基板10と第2の導電性基板20とが、第1の透明導電層13の電極部13aの長手方向と、第2の透明導電層23の電極部23aの長手方向とが直交する状態で貼り合わされている。また、第1の導電性基板10と第2の導電性基板20とは、第1の透明導電層13の電極部13aと第2の透明導電層23の電極部23aとが平面視において互いの菱形が重ならないように、貼り合わされている。
Each
配線層14,24は、例えば、透明基材11,21の周縁領域に、複数のライン状の配線部14a,24aを有すると共に、それぞれの配線部14a,24aの一端に延設された複数の端子部14b,24bを有する。具体的には、配線層14,24は、図2においてドット模様が付されている領域に形成されており、配線層14,24の形状は接続部13b,23bの形状と同じであって、平面視において配線層14,24と接続部13b,23bとは重なっている。それら配線層14,24と接続部13b,23bとは面接触しており、その面接触によって配線層14,24と透明導電層13,23とが電気的に接続されている。さらに、配線層14,24は、図示しない外部回路と電気的に接続される。
The wiring layers 14 and 24 have, for example, a plurality of line-shaped
なお、透明導電層13,23および配線層14,24のパターン形状は、上記に限定されず、指などの接触ポイントを検出可能である限り、任意の形状とすることが可能である。
第1の導電性基板10と第2の導電性基板20とは、透明導電層13,23および配線層14,24のパターン形状が異なる以外は同じ構成である。したがって、以下では、第1の導電性基板10についてのみ説明し、第2の導電性基板20についての説明を省略する。だたし、以下の第1の導電性基板10に関する説明は、第2の導電性基板20にも適応される。
The pattern shapes of the transparent
The first
なお、ここでは2枚の透明基材11,21を用いた構成を説明したが、1枚の透明基材11の両面に電極部13a,23aをそれぞれ形成したり、1枚の透明基材の片面に電極部13a,23aを形成(電極部13a,23aの重なり部分は絶縁)するような構成も可能である。
(透明基材)
透明基材11は、タッチパネルの用途に応じて、PET(ポリエチレンテレフタラート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルスルホン)、PC(ポリカーボネート)、PE(ポリエチレン)、PP(ポリプロピレン)、COP(シクロオレフィンポリマー)、COC(シクロオレフィンコポリマー)、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、アクリル、シロキサン架橋型アクリルシリコーン樹脂、ナイロン、ウレタン等の有機材料や、ソーダガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の無機材料や、それら有機材料と無機材料との混成材料で形成することができる。材質は特には限定されない。
In addition, although the structure using the two
(Transparent substrate)
The
透明基材11の材料は、軽量且つ耐衝撃性が高いという観点からは有機材料が好ましい。また、フレキシブル性や、ロール・トゥ・ロール方式での生産性を鑑みれば、樹脂フィルムが好ましい。
透明基材11が採用されているため、第1の導電性基板10は透明導電性基板である。なお、本願において透明とは、無色透明だけでなく有色透明も含まれる。また、完全な透明だけでなく、透明度の高い半透明も含まれる。
The material of the
Since the
(アンダーコート層)
アンダーコート層12は、透明導電層13のパターン形状を見え難くして視認性を向上させる効果を奏する層である。アンダーコート層12は、透明基材11や透明導電層13よりも低い屈折率の材料からなる低屈折率層(1層のみ)や、低屈折率層と高屈折率層(低屈折率層よりも高い屈折率の材料からなる層)とを組み合わせた2層以上の層で形成される。視認性を向上させるアンダーコート層12の構成としては、特表2007−508639号、特開2008−98169号等で開示されている。
(Undercoat layer)
The
以下、低屈折率層と当該低屈折率層よりも光屈折率の高い高屈折率層とを有する構成について例示する。
アンダーコート層12は、透明基材11と透明導電層13との間に、低屈折率層が高屈折率層よりも透明導電層13側に位置する状態で介在している。
低屈折率層の厚みは、視認性向上の観点から2nm〜20nmであることが好ましい。低屈折率層の材料としては、シリコンスズ酸化物、酸化ケイ素、酸化アルミ等の無機酸化物、それら無機酸化物のうちの複数を組み合わせで構成される組成物、フッソ系有機物素材、酸化ケイ素系ゾルゲル素材、酸化ケイ素系やフッソ系の微多孔質素材等が挙げられる。視認性および生産性の向上の観点からは、光屈折率が1.3〜1.5のものが特に好ましい。低屈折率層は、スパッタリング法、抵抗蒸着法、電子ビーム蒸着法、ウエットコーティング法等により形成することができる。
Hereinafter, a configuration having a low refractive index layer and a high refractive index layer having a higher optical refractive index than the low refractive index layer will be exemplified.
The
The thickness of the low refractive index layer is preferably 2 nm to 20 nm from the viewpoint of improving visibility. The material of the low refractive index layer includes inorganic oxides such as silicon tin oxide, silicon oxide and aluminum oxide, compositions composed of a combination of two or more of these inorganic oxides, fluorine-based organic materials, silicon oxide-based materials Examples thereof include sol-gel materials, silicon oxide-based and fluorine-based microporous materials. From the viewpoint of improving visibility and productivity, those having an optical refractive index of 1.3 to 1.5 are particularly preferable. The low refractive index layer can be formed by sputtering, resistance vapor deposition, electron beam vapor deposition, wet coating, or the like.
高屈折率層は、光屈折率1.60〜1.80であることが好ましく、1.65を超え1.80以下であることがより好ましい。光屈折率が1.60未満であると、透明導電層13が存在する部分と存在しない部分の光学特性を近似させ難くなり、透明導電層13のパターン形状が目立ってしまうため、良好な視認性が得られ難い。光屈折率が1.65を超えると、非常に良好な視認性が得られるようになる。また、光屈折率が1.80を超えると、透明基材11との光屈折率差が大きくなり、透明基材11と高屈折率層との界面での反射光と高屈折率層と低屈折率層との界面での反射光との光干渉による干渉斑が強く発生する結果、透明導電層13のパターン形状が見え易くなり、視認性が悪化するため好ましくない。また、光屈折率が1.8を超えると、傷つき性を改良できる程度の硬度と厚みを有する高屈折率層を工業的に効率よく形成できる材料や方法が得られ難い。
The high refractive index layer preferably has an optical refractive index of 1.60 to 1.80, more preferably more than 1.65 and not more than 1.80. If the photorefractive index is less than 1.60, it becomes difficult to approximate the optical characteristics of the portion where the transparent
光屈折率が1.65を超え1.80以下の高屈折率層を形成するための材料としては、アクリル系紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂に、酸化チタンや酸化ジルコニウム等の光屈折率の高い金属酸化物の微粒子を添加したものが挙げられる。この場合、添加する金属酸化物微粒子は透明性を阻害しないように数十nm程度の粒子径であることが必要である。高屈折率層の厚みは3μm以上が好ましく、3μm未満であると、透明基材11との界面で反射した光と、高屈折率層と低屈折率層との界面で反射した光との光干渉による干渉斑が強く発生するため、透明導電層13のパターン形状が見え易くなり、視認性が悪化するため好ましくない。
As a material for forming a high refractive index layer having an optical refractive index of more than 1.65 and not more than 1.80, an acrylic ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, an optical refractive index of titanium oxide, zirconium oxide, etc. And high metal oxide fine particles added. In this case, it is necessary that the metal oxide fine particles to be added have a particle size of about several tens of nanometers so as not to disturb the transparency. The thickness of the high refractive index layer is preferably 3 μm or more, and if it is less than 3 μm, light reflected by the interface with the
(透明導電層)
透明導電層13は、透明導電層13,23間の静電容量の変化により座標を検出するための層であり、金属酸化物で構成されている。透明導電層13を構成する金属酸化物としては、酸化インジウム一酸化スズ(ITO)、酸化インジウム一酸化スズ一酸化チタン(InTiTO)、酸化チタン(TiO)、酸化インジウム一酸化亜鉛(IZO)、酸化インジウム(In2O3)、タングステンドープ酸化インジウム(IWO)、チタンドープ酸化インジウム(ITiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、弗化スズ(SnF2)、アルミドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)、ガリウムアルミドープ酸化亜鉛(GAZO)等が挙げられる。
(Transparent conductive layer)
The transparent
(配線層)
図3は、本発明の一態様に係る導電性基板を示す断面模式図であって、具体的には、図1に示す第1の導電性基板10の断面をより詳細に示した模式図である。図3に示すように、配線層14は、配線本体15と、配線本体15の透明基材11とは反対側の主面を被覆する第1の被覆層16と、配線本体15の透明基材側の主面を被覆する第2の被覆層17とを有する。配線本体14の各配線部14aは、配線本体15の一部である配線本体部分15aと、第1の被覆層16の一部である第1の被覆層部分16aと、第2の被覆層17の一部である第2の被覆層部分17aとで構成される。
(Wiring layer)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a conductive substrate according to one embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the cross-section of the first
配線本体15は、銅を主成分とする材料からなる。配線層14は、銅を主成分とする配線本体15を有するため電気抵抗が低い。銅を主成分とする材料としては、電気抵抗が低いため、銅の純金属が好ましい。
なお、本願において主成分とは、最も多量に含有されている成分のことであり、通常70wt%以上、好ましくは80wt%以上、更に好ましくは90wt%以上含有する成分のことである。また、上記純金属の用語は、合金との差別化のために用いられており、銅100wt%を意味するものではない。したがって、銅の純金属には、銅以外の元素が不純物程度に含まれていても良い。
The
In addition, in this application, a main component is a component contained most abundantly, and is a component contained normally 70 wt% or more, Preferably it is 80 wt% or more, More preferably, it is 90 wt% or more. The term pure metal is used for differentiation from an alloy, and does not mean 100 wt% copper. Therefore, pure copper metal may contain an element other than copper in an impurity level.
銅を主成分とする材料としては、銅の純金属以外に、銅と銅以外の他の金属との合金であっても良い。他の金属としては、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、Mg(マグネシウム)、Si(シリコン)、Cr(クロム)、Zn(亜鉛)、V(バナジウム)、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Sn(錫)、Sb(アンチモン)等の金属の中から選択される1または複数の金属が挙げられる。 The material containing copper as a main component may be an alloy of copper and another metal other than copper other than pure copper metal. Other metals include aluminum (Al), nickel (Ni), molybdenum (Mo), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), palladium (Pd), titanium (Ti), manganese (Mn) Mg (magnesium), Si (silicon), Cr (chromium), Zn (zinc), V (vanadium), Fe (iron), Co (cobalt), Sn (tin), Sb (antimony) and other metals One or more metals selected from
第1の被覆層16は、配線本体15の透明基材11とは反対側の主面の全体を覆うように形成されている。したがって、配線本体15の透明基材11とは反対側の主面には、露出する部分すなわち空気に触れる部分が存在しない。そのため、配線本体15は酸化し難く、その結果、配線層14は高抵抗化し難い。なお、第1の被覆層16は、必ずしも厳密に配線本体15の透明基材11とは反対側の主面の全体を覆う必要はないが、少なくとも配線本体15の透明基材11とは反対側の主面の90%以上を覆っていることが好ましい。
The
第2の被覆層17は、配線本体15の透明基材側の主面の全体を覆うように形成されている。したがって、配線本体15の透明基材側の主面には、露出する部分すなわち空気に触れる部分が存在しない。このように、配線本体15は、第2の被覆層17によって透明基材側の主面も覆われているためより酸化し難く、その結果、配線層14はより高抵抗化し難い。なお、第2の被覆層17は、必ずしも厳密に配線本体15の透明基材側の主面の全体を覆う必要はないが、少なくとも配線本体15の透明基材側の主面の90%以上を覆っていることが好ましい。
The
第1の被覆層16および第2の被覆層17は、銅およびニッケルを含む合金を主成分とする材料で構成されている。銅およびニッケルを含む合金としては、2種類の金属からなる合金の例としてCu−Ni、3種類の金属からなる合金の例として、Cu−Ni−Ti、Cu−Ni−Fe、Cu−Ni−Mn、Cu−Ni−Co、Cu−Ni−Nb、Cu−Ni−Mn、Cu−Ni−Cr等が挙げられる。
The
特に、Cu−Niは、錆び難い(酸化し難い)との理由から第1の被覆層16および第2の被覆層17の構成材料として好ましい。なお、各合金には、不純物程度に目的以外の元素が含まれていても良い。
さらに、銅およびニッケルを含む合金は、ニッケル含有量が30wt%〜70wt%であることが好ましい。
In particular, Cu—Ni is preferable as a constituent material of the
Furthermore, the alloy containing copper and nickel preferably has a nickel content of 30 wt% to 70 wt%.
ニッケル含有量が30wt%以上でなければ実質的に配線層が高抵抗化し難いとは言えない。すなわち、相対的に銅含有量が多くなるため第1の被覆層16が銅の酸化により腐食し易く、配線層14が高抵抗化し易い。より配線層が高抵抗化し難い配線層14とするためには、ニッケル含有量が50wt%以上であることが好ましく、60wt%以上であることがより好ましい。
Unless the nickel content is 30 wt% or more, it cannot be said that the resistance of the wiring layer is hardly increased. That is, since the copper content is relatively increased, the
また、ニッケル含有量が70wt%以下でなければ第1の被覆層をDCマグネトロンスパッタで成膜し難いため現実的に生産に適さない。すなわち、ニッケルは磁性体であるため、ニッケル含有量が70wt%を超えると第1の被覆層をDCマグネトロンスパッタで成膜し難く、RFマグネトロンスパッタで成膜しなければならないため、十分な成膜レートが得られず生産性に乏しいからである。よりDCマグネトロンスパッタに適した材料とするためには、ニッケル含有量が70wt%以下であることが好ましい。 Further, if the nickel content is not less than 70 wt%, it is difficult to form the first coating layer by DC magnetron sputtering, which is not practically suitable for production. That is, since nickel is a magnetic substance, if the nickel content exceeds 70 wt%, it is difficult to form the first coating layer by DC magnetron sputtering, and it is necessary to form the first coating layer by RF magnetron sputtering. This is because the rate cannot be obtained and productivity is poor. In order to make the material more suitable for DC magnetron sputtering, the nickel content is preferably 70 wt% or less.
第1の被覆層16と第2の被覆層17とは、同じ合金で構成されていることが好ましい。その場合は、材料点数を減らすことができるため製造工程を簡略化することができる。
第2の被覆層17は、透明導電層13上に形成されるため、透明導電層13との密着性が高い材料で構成されていることが好ましい。その点において、Cu−Ni−Tiは、透明導電層13を形成する金属酸化物との密着性が高い材料であるため好ましい。
The
Since the
以上のように、配線層14は、第1の被覆層16によって配線本体15の透明基材11とは反対側の主面が被覆されているため、配線本体15が銅を主成分として構成されているにも拘らず配線層が腐食により高抵抗化し難い。さらに、配線層14は、第2の被覆層17によって配線本体15の透明基材側の主面も被覆されているため、さらに配線層14が高抵抗化し難い。加えて、第2の被覆層17を有するため、後述するように、配線層14をエッチングによりパターニングする際にサイドエッチングが生じ難く、その上、配線本体15にピンホールが生じ難い。
As described above, since the
(導電性基板の製造方法)
導電性基板10の製造方法について説明する。図4は、本発明の一態様に係る導電性基板の製造方法を説明するための工程図である。
まず、図4(a)に示すように、準備した透明基材11上にアンダーコート層12を形成する。アンダーコート層12は、スパッタリング法、抵抗蒸着法、電子ビーム蒸着法などにより形成することができる。
(Method for producing conductive substrate)
A method for manufacturing the
First, as shown to Fig.4 (a), the
次に、透明導電層13の構成材料からなるべた膜13A、および、配線層14の構成材料からなるべた膜14Aをその順で積層して、それらべた膜からなる積層体10Aを形成する(積層体形成工程)。配線層14の構成材料からなるべた膜14Aは、第2の被覆層の構成材料からなるべた膜、配線本体の構成材料からなるべた膜、および、第1の被覆層の構成材料からなるべた膜を、その順で積層して形成した積層体である。各べた膜は、例えばスパッタリング法により形成する。なお、各べた膜の成膜方法は、スパッタリング法に限定されず、真空蒸着法やイオンプレーティング法等のスパッタリング法以外のPVD法、或いは、CVD法、塗布法等であっても良い。
Next, the
次に、積層体10Aをエッチングし、所定の形状にパターニングする(パターニング工程)。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー法により、図4(c)に示すように、積層体10A上に所定のパターン形状を有するレジスト31を形成した後、図4(d)に示すように、積層体10Aのレジスト31に覆われていない露出部分をエッチングすることにより行なう。なお、べた膜13A,14Aのパターニングは、同時に行っても良いし、別々に行っても良い。べた膜13Aのエッチングには塩酸や塩化第二鉄などを少なくとも1つ以上含む無機酸が用いられる。べた膜14Aのエッチングには、塩化第二鉄、塩化銅、硫酸銅、ペルオキソ二硫酸アンモニウム(過硫酸アンモニウム)、硝酸、リン酸、酢酸、塩酸、硫酸、過酸化水素などを少なくとも1つ以上含む無機酸が用いられる。
Next, the
このエッチングにより透明導電層13が完成する。一方、配線層14は、中央領域に未だ不要な部分が残っているため未完成である。以上のパターニングが終了後は、図4(e)に示すように、配線層14の構成材料からなる未完成の配線層14B上からレジスト31を除去する。
第2の被覆層17の構成材料がCu−Niであり、配線本体15の構成材料がCuであり、第1の被覆層16の構成材料がCu−Niである場合は、塩化第二鉄をエッチャントとして使用してべた膜14Aをエッチングすることが好ましい。塩化第二鉄を使用すれば、配線本体15がサイドエッチングされ難い。近年、タッチパネル1の大型化や位置検出精度の向上のために、配線層14の配線部14aの数が増加しており、加えて、それら配線部14aが形成される周縁領域がタッチパネル1の狭額縁化のために狭小化していることから、各配線部14aの幅を狭くせざるを得ない状況が生じている。幅の狭い配線部14aを形成する場合に、配線部14aにおける配線本体部分15aにサイドエッチングが生じると、配線部14aが電気的に断線してしまうおそれがある。このような課題に対して、上記のように塩化第二鉄をエッチャントとしてべた膜14Aをエッチングすれば、配線本体15がサイドエッチングされ難いため好ましい。なお、エッチャントとしては、塩化第二鉄以外に、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液、過酸化水素水溶液などが挙げられる。
By this etching, the transparent
When the constituent material of the
次に、未完成の配線層14Bをエッチングして配線層14を完成させる。例えば、フォトリソグラフィー法により、図4(f)に示すように、未完成の配線層14B上に、周辺領域を覆うようにレジスト32を形成した後、図4(g)に示すように、レジスト32に覆われていない中央領域をエッチングして、配線層14を完成させる。このエッチングでは、未完成の配線層14Bのみをエッチングし、透明導電層13はエッチングしない。そして、エッチング終了後は、図4(h)に示すように、配線層14上のレジスト32を除去する。
Next, the
以上により、導電性基板10が完成する。
<実験>
以下では、実験結果に基づきながら、本発明に係る配線層の特徴について説明する。
[実験用サンプルの構成]
図5は、実施例に係る導電性基板の積層構造を示す断面模式図である。図6は、比較例に係る導電性基板の積層構造を示す断面模式図である。実験では、図5に示すような実施例1,2の導電性基板、および、図6に示すような比較例1〜3の導電性基板を、実験用のサンプルとして作製した。
Thus, the
<Experiment>
Hereinafter, the characteristics of the wiring layer according to the present invention will be described based on experimental results.
[Composition of experimental sample]
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the laminated structure of the conductive substrate according to the example. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a laminated structure of conductive substrates according to a comparative example. In the experiment, conductive substrates of Examples 1 and 2 as shown in FIG. 5 and conductive substrates of Comparative Examples 1 to 3 as shown in FIG. 6 were prepared as experimental samples.
各サンプルは、透明基材、アンダーコート層および透明導電層については構成が全て共通している。具体的には、透明基材はPETで構成されている。アンダーコート層は、低屈折率層が酸化ケイ素で構成されており、高屈折率層がジルコニア粒子を有するアクリル樹脂で構成されている。透明導電層はITOで構成されている。
配線層については各サンプルによって構成が異なる。具体的には、全てのサンプルにおいて配線本体がCuで構成されている点は共通しているが、第1の被覆層および第2の被覆層は構成が異なる。第1の被覆層について、実施例1,2はNi−Cuで構成され、比較例1は形成されておらず、比較例2はCuNで構成され、比較例3はNiで構成されている。第2の被覆層については、実施例2のみにNi−Cuで構成される第2の被覆層が形成されており、実施例1および比較例1〜3には第2の被覆層が形成されていない。なお、実施例1,2の第1の被覆層を構成するNi−Cuは、ニッケルと銅の組成比がNi:Cu=65:35(ニッケル含有量が65wt%)である。また、各サンプルのいずれにおいても、配線本体の厚みは120nm、第1の被覆層の厚みは20nm、第2の被覆層の厚みは20nmである。
Each sample has the same configuration for the transparent substrate, the undercoat layer, and the transparent conductive layer. Specifically, the transparent substrate is made of PET. In the undercoat layer, the low refractive index layer is made of silicon oxide, and the high refractive index layer is made of an acrylic resin having zirconia particles. The transparent conductive layer is made of ITO.
The wiring layer has a different configuration depending on each sample. Specifically, the point that the wiring body is made of Cu is common in all the samples, but the first coating layer and the second coating layer are different in configuration. Regarding the first coating layer, Examples 1 and 2 are made of Ni-Cu, Comparative Example 1 is not formed, Comparative Example 2 is made of CuN, and Comparative Example 3 is made of Ni. As for the second coating layer, the second coating layer composed of Ni—Cu is formed only in Example 2, and the second coating layer is formed in Example 1 and Comparative Examples 1 to 3. Not. In addition, Ni-Cu which comprises the 1st coating layer of Example 1, 2 is Ni: Cu = 65: 35 (nickel content is 65 wt%) of the composition ratio of nickel and copper. In each sample, the wiring body has a thickness of 120 nm, the first coating layer has a thickness of 20 nm, and the second coating layer has a thickness of 20 nm.
[腐食性の評価方法]
各サンプルの配線層の腐食性を配線層の表面(透明基材とは反対側の主面)の反射率の変化により評価した。配線層の表層(配線層における透明基材とは反対側の主面近傍部分)が酸化して酸化被膜が生じると、配線層の表面の屈折率が変化して反射率が低下する。この現象を本願では配線層の腐食と呼んでいる。配線層が腐食すると、すなわち配線層の表層に酸化被膜が生じると、その酸化被膜によって配線層が高抵抗化するため好ましくない。反射率の低下が小さかった場合は、表層に酸化被膜が生じ難かったと、すなわち配線層が腐食し難かったと評価できる。
[Corrosive evaluation method]
The corrosivity of the wiring layer of each sample was evaluated based on the change in reflectance on the surface of the wiring layer (the main surface opposite to the transparent substrate). When the surface layer of the wiring layer (the vicinity of the main surface of the wiring layer on the side opposite to the transparent substrate) is oxidized to produce an oxide film, the refractive index of the surface of the wiring layer changes and the reflectance decreases. This phenomenon is called corrosion of the wiring layer in the present application. If the wiring layer corrodes, that is, if an oxide film is formed on the surface layer of the wiring layer, the resistance of the wiring layer is increased by the oxide film, which is not preferable. When the decrease in reflectance is small, it can be evaluated that an oxide film is hardly formed on the surface layer, that is, the wiring layer is hardly corroded.
反射率の変化は、各サンプルの配線層の表面の分光反射率を予め測定しておき、温度60℃、湿度90%RHの条件で240時間放置した後、再度各サンプルの配線層の上面の分光反射率を測定し、湿熱試験前後の分光反射率の差により確認した。
図7〜図10は、配線層の表面の分光反射率の測定結果を示すグラフであって、図7は実施例1の測定結果、図8は比較例1の測定結果、図9は比較例2の測定結果である。図10は比較例3の測定結果である。各図において、「10nm」、「20nm」、「30nm」、「40nm」は、第1の被覆層の厚みが10nm、20nm、30nm、40nmであることを示す。また、「Ini.」は、湿熱試験前の分光反射率を示す。「Aft.」は、湿熱試験後の分光反射率を示す。
The change in reflectance is measured in advance by measuring the spectral reflectance of the surface of the wiring layer of each sample, leaving it for 240 hours under conditions of a temperature of 60 ° C. and a humidity of 90% RH, and then again on the upper surface of the wiring layer of each sample. Spectral reflectance was measured and confirmed by the difference in spectral reflectance before and after the wet heat test.
7 to 10 are graphs showing the measurement results of the spectral reflectance of the surface of the wiring layer. FIG. 7 is the measurement result of Example 1, FIG. 8 is the measurement result of Comparative Example 1, and FIG. 2 is a measurement result. FIG. 10 shows the measurement results of Comparative Example 3. In each figure, “10 nm”, “20 nm”, “30 nm”, and “40 nm” indicate that the thickness of the first coating layer is 10 nm, 20 nm, 30 nm, and 40 nm. “Ini.” Indicates the spectral reflectance before the wet heat test. “Aft.” Indicates the spectral reflectance after the wet heat test.
図7に示すように、第1の被覆層がNi−Cuで構成される実施例1について、湿熱試験前の分光反射率と、湿熱試験後の分光反射率とを比較すると、第1の被覆層がいずれの厚みの場合も、分光反射率に大きな変化はみられなかった。すなわち、第1の被覆層は殆ど酸化していなかった。このように、第1の被覆層がNi−Cuで構成される場合は、第1の被覆層の厚みに拘わらず配線層が腐食し難いことが分かった。 As shown in FIG. 7, for Example 1 in which the first coating layer is made of Ni—Cu, the spectral reflectance before the wet heat test is compared with the spectral reflectance after the wet heat test. No significant change was observed in the spectral reflectance regardless of the thickness of the layer. That is, the first coating layer was hardly oxidized. Thus, it was found that when the first coating layer is made of Ni—Cu, the wiring layer is hardly corroded regardless of the thickness of the first coating layer.
図8に示すように、第1の被覆層を有さない比較例1について、湿熱試験前の分光反射率と、湿熱試験後の分光反射率とを比較すると、明らかな分光反射率の低下が生じた。すなわち、第1の被覆層は明らかに酸化していた。このように、第1の被覆層が形成されておらず、Cuで構成される配線本体が剥き出しの場合は、配線層が腐食し易いことが分かった。 As shown in FIG. 8, when the spectral reflectance before the wet heat test and the spectral reflectance after the wet heat test are compared for Comparative Example 1 that does not have the first coating layer, there is a clear decrease in the spectral reflectance. occured. That is, the first coating layer was clearly oxidized. Thus, when the 1st coating layer was not formed and the wiring main body comprised with Cu was exposed, it turned out that a wiring layer tends to corrode.
図9に示すように、第1の被覆層がCuNで構成される比較例2について、湿熱試験前の分光反射率と、湿熱試験後の分光反射率とを比較すると、第1の被覆層がいずれの厚みの場合も、分光反射率に大きな変化がみられた。すなわち、第1の被覆層は明らかに酸化していた。このように、第1の被覆層がCuNで構成される場合も、第1の被覆層の厚みに拘わらず配線層が腐食し易いことが分かった。 As shown in FIG. 9, for Comparative Example 2 in which the first coating layer is made of CuN, when the spectral reflectance before the wet heat test is compared with the spectral reflectance after the wet heat test, the first coating layer is In any case, a large change was observed in the spectral reflectance. That is, the first coating layer was clearly oxidized. Thus, it was found that even when the first coating layer is made of CuN, the wiring layer is easily corroded regardless of the thickness of the first coating layer.
図10に示すように、第1の被覆層がNiで構成される比較例3について、湿熱試験前の分光反射率と、湿熱試験後の分光反射率とを比較すると、第1の被覆層がいずれの厚みの場合も、分光反射率に大きな変化はみられなかった。すなわち、第1の被覆層は殆ど酸化していなかった。このように、第1の被覆層がNi−Cuで構成される場合は、第1の被覆層の厚みに拘わらず配線層が腐食し難いことが分かった。 As shown in FIG. 10, for Comparative Example 3 in which the first coating layer is made of Ni, when the spectral reflectance before the wet heat test is compared with the spectral reflectance after the wet heat test, the first coating layer is In any case, no significant change was observed in the spectral reflectance. That is, the first coating layer was hardly oxidized. Thus, it was found that when the first coating layer is made of Ni—Cu, the wiring layer is hardly corroded regardless of the thickness of the first coating layer.
以上の結果から、Ni−CuまたはNiで構成される第1の被覆層を形成した場合に、配線層が腐食し難いことが分かった。ところで、配線層が腐食し難いという観点からは、Niも第1の被覆層の構成材料として好適であるが、第1の被覆層がNiで構成される場合は生産上の問題が生じる。具体的には、Niは磁性体であるため、Niで構成される第1の被覆層はDCマグネトロンスパッタで成膜し難く、RFマグネトロンスパッタで成膜しなければならないため、十分な成膜レートが得られず、導電性基板の生産性に乏しいという問題が生じる。したがって、Niで構成される第1の被覆層を採用することは現実的でない。なお、実施例1,2の第1の被覆層を構成するNi−Cuは、ニッケル含有量が70wt%以下であり、キュリー温度が室温以下の非磁性であるため、DCマグネトロンスパッタが可能である。 From the above results, it was found that when the first coating layer made of Ni—Cu or Ni was formed, the wiring layer was hardly corroded. By the way, from the viewpoint that the wiring layer is hardly corroded, Ni is also suitable as a constituent material of the first coating layer. However, when the first coating layer is made of Ni, a production problem occurs. Specifically, since Ni is a magnetic material, the first coating layer made of Ni is difficult to form by DC magnetron sputtering and must be formed by RF magnetron sputtering, so that a sufficient film formation rate is obtained. Cannot be obtained, and there is a problem that the productivity of the conductive substrate is poor. Therefore, it is not realistic to employ the first coating layer made of Ni. In addition, since Ni-Cu which comprises the 1st coating layer of Example 1, 2 is non-magnetic whose nickel content is 70 wt% or less and whose Curie temperature is room temperature or less, DC magnetron sputtering is possible. .
[サイドエッチング抑制効果]
次に、実施例1と実施例2のサンプルを用いて、第2の被覆層のサイドエッチング抑制効果について検討した。具体的には、実施例1,2のサンプルを、3種のエッチャントでエッチングして、サイドエッチングにより配線層の配線本体の実際のライン幅が、設計上のライン幅(レジストのライン幅)に対して、どの程度狭くなるのかを確認した。
[Side etching suppression effect]
Next, the side etching suppression effect of the second coating layer was examined using the samples of Example 1 and Example 2. Specifically, the samples of Examples 1 and 2 were etched with three types of etchants, and the actual line width of the wiring body of the wiring layer was changed to the designed line width (resist line width) by side etching. On the other hand, it was confirmed how narrow it was.
図11および図12は、サイドエッチング量の測定結果を示すグラフである。X軸は、設計上の配線本体のライン幅を示し、Y軸は、設計上のライン幅と実際のライン幅との差分、すなわちサイドエッチング量を示す。Y軸の「0」の位置がサイドエッチングが生じなかった場合であり、サイドエッチングが生じるとY軸が正の値となり、サイドエッチング量が多くなるほどY軸の値が大きくなる。 11 and 12 are graphs showing measurement results of the side etching amount. The X axis shows the line width of the designed wiring body, and the Y axis shows the difference between the designed line width and the actual line width, that is, the side etching amount. The position of “0” on the Y axis is a case where side etching does not occur. When side etching occurs, the Y axis becomes a positive value, and the value of the Y axis increases as the side etching amount increases.
エッチャントは、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液(20wt%)、塩化第二鉄水溶液(2.5wt%)、過酸化水素水溶液(10wt%)を用いた。
その結果、まず、実施例1と実施例2の結果を比較すると、図11および図12に示すように、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液、塩化第二鉄水溶液、塩化第二鉄のいずれのエッチャントを使用した場合においても、第2の被覆層を有する実施例2は、第2の被膜層を有さない実施例1よりもサイドエッチング量が少なかった。すなわち、第2の被膜層を形成することによって、配線本体のサイドエッチングを抑制できることが分かった。次に、実施例1,2のいずれにおいても、塩化第二鉄が最もサイドエッチング量が少なく、エッチャントとして好適であった。
As the etchant, an ammonium peroxodisulfate aqueous solution (20 wt%), an aqueous ferric chloride solution (2.5 wt%), and an aqueous hydrogen peroxide solution (10 wt%) were used.
As a result, first, the results of Example 1 and Example 2 were compared. As shown in FIGS. 11 and 12, any one of ammonium peroxodisulfate aqueous solution, ferric chloride aqueous solution, and ferric chloride was used. Even in the case, Example 2 having the second coating layer had a smaller amount of side etching than Example 1 having no second coating layer. That is, it was found that the side etching of the wiring body can be suppressed by forming the second coating layer. Next, in both Examples 1 and 2, ferric chloride had the smallest amount of side etching and was suitable as an etchant.
(ピンホール防止効果)
次に、実施例1と実施例2のサンプルを用いて、第2の被覆層によるピンホール防止効果を確認した。
まずは、第2の被覆層のピンホールの個数をカウントして、ピンホールの生じ易さを評価した。ピンポールの個数の測定は、サンプルの裏側から蛍光灯を用いて光を当てた状態で、各サンプルにおける50mm□(面積2.5×10-3m2)の範囲内において、光がピンホールを透過する箇所の数を、目視によりカウントして求めた。
(Pinhole prevention effect)
Next, the pinhole prevention effect by the 2nd coating layer was confirmed using the sample of Example 1 and Example 2. FIG.
First, the number of pinholes in the second coating layer was counted to evaluate the ease of occurrence of pinholes. The number of pin poles is measured in the condition of 50 mm □ (area 2.5 × 10 −3 m 2 ) in each sample in a state where light is applied from the back side of the sample using a fluorescent lamp. The number of parts that permeate was determined by visual counting.
図13は、ピンホールの個数の測定結果を示す表である。図13に示すように、第2の被膜層を有する実施例2は、第2の被膜層を有さない実施例1と比べて、配線本体に生じたピンホールの数が少なかった。これは、実施例2の積層構造が、Cu−Niで構成される層の上にCuで構成される層を形成するものであるため、ITOで構成される層の上にCuで構成される層を形成する積層構造の実施例1よりも、成膜時においてCuの定着が良く、ピンホールが生じ難かったものだと考えられる。 FIG. 13 is a table showing the measurement results of the number of pinholes. As shown in FIG. 13, in Example 2 having the second coating layer, the number of pinholes generated in the wiring body was smaller than that in Example 1 having no second coating layer. This is because the layered structure of Example 2 forms a layer composed of Cu on a layer composed of Cu—Ni, and therefore composed of Cu on a layer composed of ITO. It is considered that the fixing of Cu was better at the time of film formation and pinholes were less likely to occur than in Example 1 having a laminated structure in which layers were formed.
次に、第2の被覆層に生じたピンホールの中から、最大幅を有するピンホールを抽出し、そのピンホールの最大幅を測定した。最大幅の測定は、ピンホールをレーザー顕微鏡を用いて倍率1000倍で観測して求めた。
図14は、ピンホールの最大幅の測定結果を示す表である。図14に示すように、第2の被膜層を有する実施例2は、第2の被膜層を有さない実施例1と比べて、ピンホールの最大幅が小さかった、すなわち大きなピンホールが生じ難かった。大きなピンホールが生じ難かった理由は、実施例2のピンホールの数が少なかったのと同じ理由であると考えられる。
Next, the pinhole having the maximum width was extracted from the pinholes generated in the second coating layer, and the maximum width of the pinhole was measured. The maximum width was measured by observing a pinhole with a laser microscope at a magnification of 1000 times.
FIG. 14 is a table showing the measurement results of the maximum pinhole width. As shown in FIG. 14, in Example 2 having the second coating layer, the maximum pinhole width was smaller than that in Example 1 having no second coating layer, that is, a large pinhole was generated. It was difficult. The reason why large pinholes were difficult to occur is considered to be the same reason as that in Example 2 where the number of pinholes was small.
<変形例>
以上、本発明の一態様に係る導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法を具体的に説明してきたが、それらは、本発明に係る導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法の構成および作用効果を分かり易く説明するための一例であって、本発明に係る導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法は、それらの内容に限定されない。例えば、上記の材料、数値等は好ましいものを例示しているだけであり、それに限定されることはない。また、以下に説明するような変形例も考えられる。
<Modification>
As described above, the conductive substrate, the touch panel, and the method for manufacturing the conductive substrate according to one embodiment of the present invention have been specifically described, and these are the manufacture of the conductive substrate, the touch panel, and the conductive substrate according to the present invention. It is an example for demonstrating the structure of a method and an effect easily, Comprising: The manufacturing method of the electroconductive board | substrate, touchscreen, and electroconductive board | substrate which concerns on this invention is not limited to those content. For example, the above materials, numerical values, and the like are merely preferable examples and are not limited thereto. In addition, modifications as described below are also conceivable.
図15は、変形例に係る導電性基板を示す断面模式図である。図15に示す変形例に係る導電性基板40は、透明基材41に、アンダーコート層42、透明導電層43および配線層44がその順に積層されており、アンダーコート層42、透明導電層43および配線層44は、全てべた膜で形成されている。配線層44は、配線本体45、第1の被覆層46および第2の被覆層47がその順で積層された構造であって、配線本体45、第1の被覆層46および第2の被覆層47もそれぞれべた膜である。このように、本発明に係る透明導電層および配線層は必ずしもパターニングされている必要はなく、各層ごとのパターニングは任意である。透明導電層43および配線層44がパターニングされていない導電性基板40は、例えば、半製品として流通し、使用用途に応じて必要な層にパターニングが施される。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a conductive substrate according to a modification. In the
本発明に係る導電性基板は、少なくとも、透明基材、透明導電層および配線層の3層を備えていれば良い。アンダーコート層を有するか否かは任意である。アンダーコート層の代わりに別の層が含まれていても良いし、アンダーコート層に加えて別の層が含まれていても良い。別の層は、1層であっても良いし、複数層であっても良い。
本発明に係る配線層は、少なくとも、配線本体および第1の被覆層を備えていれば良い。第2の被覆層を有するか否かは任意である。第2の被覆層の代わりに別の層が含まれていても良いし、第2の被覆層に加えて別の層が含まれていても良い。別の層は、1層であっても良いし、複数層であっても良い。また、別の層は、配線本体に対して透明基材側に配置されていても良いし、透明基材とは反対側に配置されていても良い。
The electroconductive board | substrate which concerns on this invention should just be equipped with the 3 layers of a transparent base material, a transparent conductive layer, and a wiring layer at least. Whether or not it has an undercoat layer is arbitrary. Another layer may be included instead of the undercoat layer, or another layer may be included in addition to the undercoat layer. Another layer may be a single layer or a plurality of layers.
The wiring layer which concerns on this invention should just be equipped with the wiring main body and the 1st coating layer at least. It is arbitrary whether or not the second covering layer is provided. Another layer may be included instead of the second coating layer, or another layer may be included in addition to the second coating layer. Another layer may be a single layer or a plurality of layers. Moreover, another layer may be arrange | positioned at the transparent base material side with respect to the wiring main body, and may be arrange | positioned at the opposite side to a transparent base material.
本発明に係る導電性基板は、携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行のATM端末等の電子機器のタッチパネルなどのセンサーや、有機ELディスプレイ、電子ペーパー等の表示装置や調光ミラーガラスなどの周囲配線、太陽電池の集電配線などに広く利用可能である。 The conductive substrate according to the present invention includes a sensor such as a touch panel of an electronic device such as a mobile phone, a car navigation system, a personal computer, a ticket machine, and an ATM terminal of a bank, a display device such as an organic EL display and electronic paper, and a light control mirror. It can be widely used for surrounding wiring such as glass and current collecting wiring for solar cells.
1 タッチパネル
10,20,40 導電性基板
11,21,41 透明基材
12,22,42 アンダーコート層
13,23,43 透明導電層
14,24,44 配線層
15,25,45 配線本体
16,26,46 第1の被覆層
17,27,47 第2の被覆層
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記配線層は、銅を主成分とする配線本体と、銅およびニッケルを含む合金を主成分とし前記配線本体の前記透明基材とは反対側の主面を被覆する第1の被覆層とを有し、
前記第1の被覆層のニッケル含有量が60wt%〜70wt%であることを特徴とする導電性基板。 A conductive substrate having a laminated structure in which a transparent conductive layer and a wiring layer are laminated in that order on a transparent substrate,
The wiring layer includes a wiring main body mainly composed of copper, and a first coating layer that is composed mainly of an alloy containing copper and nickel and covers a main surface of the wiring main body opposite to the transparent base material. Have
The conductive substrate, wherein the nickel content of the first coating layer is 60 wt% to 70 wt%.
前記配線層は、前記周縁領域に前記接続部と接触する配線部を有するようパターニングされていることを特徴とする請求項1記載の導電性基板。 The transparent conductive layer has an electrode part in the central region of the transparent substrate and is patterned to have a connection part extending from the electrode part in a peripheral region surrounding the central region,
The conductive substrate according to claim 1, wherein the wiring layer is patterned to have a wiring portion in contact with the connection portion in the peripheral region.
前記第2の被覆層のニッケル含有量が60wt%〜70wt%であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の導電性基板。 The wiring layer has a second coating layer that mainly contains an alloy containing copper and nickel and covers a main surface of the wiring body on the transparent base material side;
4. The conductive substrate according to claim 1, wherein the nickel content of the second coating layer is 60 wt% to 70 wt%.
前記透明基材に、前記透明導電層の構成材料からなるべた膜、前記第2の被覆層の構成材料からなるべた膜、前記配線本体の構成材料からなるべた膜、および、前記第1の被覆層の構成材料からなるべた膜をその順で積層させて、それらべた膜からなる積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体をエッチングし、所定の形状にパターニングするパターニング工程と、
を含むことを特徴とする導電性基板の製造方法。 A transparent conductive layer and a wiring layer are laminated in that order on a transparent substrate, and the wiring layer is composed of a wiring main body mainly composed of copper and an alloy containing copper and nickel as main components, and the transparent base material of the wiring main body. A first coating layer covering the main surface opposite to the main surface, and a second coating layer mainly composed of an alloy containing copper and nickel and covering the main surface of the wiring body on the transparent substrate side. A method for producing a conductive substrate, wherein the nickel content of the first coating layer and the second coating layer is 60 wt% to 70 wt%,
A solid film made of a constituent material of the transparent conductive layer, a solid film made of a constituent material of the second coating layer, a solid film made of a constituent material of the wiring body, and the first coating A laminated body forming step of laminating solid films made of the constituent materials of the layers in that order to form a laminated body made of the solid films;
A patterning step of etching the laminate and patterning the laminate into a predetermined shape;
The manufacturing method of the electroconductive board | substrate characterized by the above-mentioned.
Priority Applications (1)
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