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JP5908623B1 - Nanoparticle production system - Google Patents

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JP5908623B1 JP2015026509A JP2015026509A JP5908623B1 JP 5908623 B1 JP5908623 B1 JP 5908623B1 JP 2015026509 A JP2015026509 A JP 2015026509A JP 2015026509 A JP2015026509 A JP 2015026509A JP 5908623 B1 JP5908623 B1 JP 5908623B1
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Abstract

【課題】キャビティ内の冷却液体の影響を受けて反射や屈折などのような光学効果が生じることを防止できるナノ粒子製造システムの提供。【解決手段】冷却液体をアブレーションキャビティ11に投入するとともに、光導管15を使用してレーザー源14から提供されるレーザー光をアブレーションキャビティ11内に位置するターゲット材2の表面に直接にガイドさせ、光導管15の光導出端152とターゲット材2との間の距離を特定距離(<5mm)に制御するナノ粒子製造システム。【選択図】図2The present invention provides a nanoparticle manufacturing system capable of preventing optical effects such as reflection and refraction from being affected by a cooling liquid in a cavity. A cooling liquid is introduced into the ablation cavity 11 and laser light provided from a laser source 14 is guided directly to the surface of the target material 2 located in the ablation cavity 11 using an optical conduit 15. A nanoparticle manufacturing system that controls the distance between the light outlet end 152 of the optical conduit 15 and the target material 2 to a specific distance (<5 mm). [Selection] Figure 2

Description

本発明は、ナノ粒子の技術分野に係り、特に、ナノ粒子製造システムに関するものである。   The present invention relates to the technical field of nanoparticles, and more particularly to a nanoparticle production system.

ナノ粒子とは、十数個から数百個の原子から構成される固体微細顆粒であり、一般的に粒径が1nmから100nmの間にある超微細顆粒を意味し、非常に特別な物理特性と化学特性を有する。化学分野において、ナノ技術を利用して作成される触媒は、極めて高い触媒効率が現われる。電子分野において、ナノ級の金属導線は、金属メッシュ(metal mesh)に作成されてタッチパネルの中に応用される。また、アルミニウムや鉛などの特殊な金属は、ナノ技術で超伝導体に作成される。このことから分かるように、ナノ技術とナノ材料は、既に化学、材料、光電、生物や医薬などの分野の中に広汎に応用されている。   A nanoparticle is a solid fine granule composed of dozens to hundreds of atoms, generally means an ultrafine granule having a particle size of between 1 nm and 100 nm, and has very special physical properties. And has chemical properties. In the chemical field, an extremely high catalytic efficiency appears for a catalyst prepared using nanotechnology. In the electronic field, nano-level metal conductors are created in a metal mesh and applied in a touch panel. Also, special metals such as aluminum and lead are made into superconductors by nanotechnology. As can be seen from this, nanotechnology and nanomaterials have already been widely applied in fields such as chemistry, materials, photoelectrics, biology and medicine.

ナノ材料が広汎な応用を有することに鑑みて、科学者は、各種のナノ顆粒またはナノユニットを製造する方法の研究開発を積極的に試みる。金属ナノ粒子の準備は、レーザーアブレーション法(laser ablation method)、金属気相成長法(metal vapor synthesis method)及び化学還元法(chemical reduction method)に分けられる。その中で、レーザーアブレーション法は、ナノ顆粒またはナノユニットの製造方法として常用されている。   In view of the widespread application of nanomaterials, scientists actively try to research and develop methods for producing various nanogranules or nanounits. The preparation of metal nanoparticles can be divided into a laser ablation method, a metal vapor synthesis method, and a chemical reduction method. Among them, the laser ablation method is commonly used as a method for producing nanogranules or nanounits.

図1に示す従来のレーザーアブレーション設備の構成図を参照する。図1に示すように、従来のレーザーアブレーション設備1’は、レーザー源10’と、基板11’と、合焦レンズ12’と、アブレーションキャビティ13’と、第1混合キャビティ14’と、第1ポンプ15’と、第2混合キャビティ14a’と、第2ポンプ15a’とを備える。その中で、前記基板11’は、前記アブレーションキャビティ13’の底部に設置され、かつその上に例えば金属ブラックのようなターゲット材2’が置かれる。   Referring to the block diagram of the conventional laser ablation facility shown in FIG. As shown in FIG. 1, a conventional laser ablation equipment 1 ′ includes a laser source 10 ′, a substrate 11 ′, a focusing lens 12 ′, an ablation cavity 13 ′, a first mixing cavity 14 ′, and a first mixing cavity 14 ′. A pump 15 ′, a second mixing cavity 14a ′, and a second pump 15a ′ are provided. Among them, the substrate 11 'is installed at the bottom of the ablation cavity 13', and a target material 2 'such as metal black is placed thereon.

上記に続いて、レーザー源10’から発射されるレーザー光は、合焦レンズ12’を経由して合焦させ、そして前記レーザー光は、アブレーションキャビティ13’の頂部に設置される透明窓130’を通過してアブレーションキャビティ13’の底部に置かれる前記ターゲット材2’に向けて射出される。パワーを90mJ/pulseに制御するレーザー光の照射により、ターゲット材2’の上に金属アブレーション現象が発生することで、高密度金属原子雲がターゲット材2’の上に生成される。さらに、前記アブレーションキャビティ13’の中に注入する界面活性剤3’の作用(例えばsodium dodecyl sulfate,SDSと略称)により、複数の金属ナノ粒子が前記アブレーションキャビティ13’の中に生成される。   Following the above, the laser light emitted from the laser source 10 'is focused through the focusing lens 12', and the laser light is transparent window 130 'installed at the top of the ablation cavity 13'. And is injected toward the target material 2 'placed at the bottom of the ablation cavity 13'. When a metal ablation phenomenon occurs on the target material 2 ′ by irradiation with laser light whose power is controlled to 90 mJ / pulse, a high-density metal atomic cloud is generated on the target material 2 ′. Further, a plurality of metal nanoparticles are generated in the ablation cavity 13 ′ by the action of the surfactant 3 ′ injected into the ablation cavity 13 ′ (for example, abbreviated as sodium dodecyl sulfate, SDS).

図1に示すように、生成される金属ナノ粒子は、第1収集管路131’と第2収集管路131a’を経由してそれぞれ第1混合キャビティ14’と第2混合キャビティ14a’に搬送される。その中、第1ポンプ15’は、第1溶液送入管路151’を介して第1高分子溶液を送入して前記第1混合キャビティ14’の中に入れ、かつ第2ポンプ15a’は、第2溶液送入管路151a’ を介して第2高分子溶液(または前記第1高分子溶液)を送入して前記第2混合キャビティ14a’の中に入れる。こうして、複数の金属ナノ粒子と第1高分子溶液とを第1混合キャビティ14’の中に第1ナノ高分子溶液になるように混合させ、かつ前記複数の金属ナノ粒子と第2高分子溶液とを第2混合キャビティ14a’の中に第2ナノ高分子溶液になるように混合させる。
最後に、前記第1ナノ高分子溶液及び第2ナノ高分子溶液とを第1排出管路141’と一第2排出管路141a’を経由してそれぞれ後端の第1段階製品加工区(first product process stage)と第2段階加工区(second product process stage)に搬送されることにより、次段階加工を経由して第1複合ナノユニットと第2複合ナノユニットになる。
As shown in FIG. 1, the generated metal nanoparticles are transferred to the first mixing cavity 14 ′ and the second mixing cavity 14 a ′ via the first collection conduit 131 ′ and the second collection conduit 131 a ′, respectively. Is done. Among them, the first pump 15 'feeds the first polymer solution through the first solution feed pipe 151' into the first mixing cavity 14 ', and the second pump 15a'. The second polymer solution (or the first polymer solution) is fed into the second mixing cavity 14a ′ through the second solution feeding pipe 151a ′. Thus, the plurality of metal nanoparticles and the first polymer solution are mixed in the first mixing cavity 14 ′ so as to be the first nanopolymer solution, and the plurality of metal nanoparticles and the second polymer solution are mixed. Are mixed in the second mixing cavity 14a ′ so as to be the second nanopolymer solution.
Finally, the first nano polymer solution and the second nano polymer solution are passed through the first discharge pipe 141 ′ and the first discharge pipe 141a ′, respectively, in the first stage product processing section ( By being transported to the first product process stage and the second product process stage, the first composite nano unit and the second composite nano unit are obtained through the next process.

図1に図示されるレーザーアブレーション設備1’は、既に各種の複合ナノ製品の作製に広汎に応用されているが、かかるレーザーアブレーション設備1’は、依然として以下の主要な欠点がある。   Although the laser ablation equipment 1 'illustrated in FIG. 1 has already been widely applied to the production of various composite nano products, the laser ablation equipment 1' still has the following main drawbacks.

(1)前記レーザーアブレーション設備1’の中には、レーザー光のパワーを90mJ/pulseに精密に制御する必要があり、こうすることで、ターゲット材2’の上に金属アブレーション現象が生じる。このことから分かるように、前記レーザーアブレーション設備1’の中に応用されるレーザー源10’は、高パワー、高精度のレーザー生成装置でなければならないので、その購買コストが必然的に相当高額とならざるを得ない。   (1) In the laser ablation equipment 1 ', it is necessary to precisely control the power of the laser beam to 90 mJ / pulse, and this causes a metal ablation phenomenon on the target material 2'. As can be seen from this, the laser source 10 ′ applied in the laser ablation equipment 1 ′ must be a high-power, high-accuracy laser generator, and the purchase cost is inevitably considerably high. I have to be.

(2)ほかに、前記レーザーアブレーション設備1’は、合焦レンズ12’を使用してレーザー光をターゲット材2’の上に合焦させ、これにより、レーザー光の高エネルギーによってターゲット材2’の上に金属アブレーション現象を引き起こす。しかしながら、ターゲット材2’(即ち、金属ブロック材)の表面が凹凸不平坦になる可能性があるため、金属アブレーション現象により生成される複数の金属ナノ粒子が粒径の均一性に欠ける可能性がある。   (2) In addition, the laser ablation equipment 1 ′ focuses the laser beam on the target material 2 ′ using the focusing lens 12 ′, whereby the target material 2 ′ is obtained by the high energy of the laser beam. Causes a metal ablation phenomenon on the top. However, since the surface of the target material 2 ′ (that is, the metal block material) may be uneven, there is a possibility that the plurality of metal nanoparticles generated by the metal ablation phenomenon lack the uniformity of the particle size. is there.

(3)上記第(1)点に続いて、前記アブレーションキャビティ13’の中には、界面活性剤3’が注入されるため、レーザー光が前記アブレーションキャビティ13’の内部に入射する時に、一部のレーザー光は、界面活性剤3’の影響を受けて例えば反射や屈折などのような光学効果が生じてしまい、レーザー光の入射率の低下につながり、設備の使用コストの増加をもたらす。   (3) Subsequent to the first point (1), the surfactant 3 ′ is injected into the ablation cavity 13 ′. Therefore, when laser light is incident on the ablation cavity 13 ′, the Part of the laser light is affected by the surfactant 3 ′ and causes optical effects such as reflection and refraction, leading to a decrease in the incidence rate of the laser light and an increase in the cost of using the equipment.

そのため、従来のレーザーアブレーション設備1’の実務応用上には数多くの欠点が現われる。これに鑑みて、本願の発明者は、極力研究発明した結果、本発明のナノ粒子製造システムを研究開発して完成させた。   Therefore, many disadvantages appear in practical application of the conventional laser ablation equipment 1 '. In view of this, the inventors of the present application have researched and completed the nanoparticle production system of the present invention as a result of research and invention as much as possible.

本発明の主要な目的は、従来のナノ粒子製造設備と異なるナノ粒子製造システムを提供することである。このナノ粒子製造システムは、光導管を使用してレーザー源から提供されるレーザー光をアブレーションキャビティ内に位置するターゲット材の表面に直接にガイドさせ、この方式によりレーザー光がアブレーションキャビティ内の冷却液体の影響を受けて例えば反射や屈折などのような光学効果が生じるのを防止することができる。ほかに、本発明が提供するナノ粒子製造システムにおいて、光導管の光導出端と前記ターゲット材との間の距離を特定距離(<5mm)に制御する。このように設計すれば、レーザー源から提供されるレーザー光が低パワー(<30mJ/pulse)のレーザー光であっても、前記レーザー光をレーザーアブレーションにより、前記ターゲット材を複数個のナノ粒子に作成することができる。   The main object of the present invention is to provide a nanoparticle production system different from conventional nanoparticle production facilities. This nanoparticle manufacturing system uses an optical conduit to guide laser light provided from a laser source directly to the surface of a target material located in the ablation cavity, which allows the laser light to be cooled in the ablation cavity. For example, it is possible to prevent an optical effect such as reflection or refraction from occurring. In addition, in the nanoparticle production system provided by the present invention, the distance between the light outlet end of the optical conduit and the target material is controlled to a specific distance (<5 mm). With this design, even if the laser beam provided from the laser source is a low-power (<30 mJ / pulse) laser beam, the laser beam is laser ablated to convert the target material into a plurality of nanoparticles. Can be created.

従って、本発明の主要な目的を達成するために、本願の発明者は、ナノ粒子製造システムを提出する。   Therefore, in order to achieve the main object of the present invention, the inventors of the present application submit a nanoparticle production system.

かかるナノ粒子製造システムは、その頂部に透明窓が設けられるアブレーションキャビティと、前記アブレーションキャビティの中に設けられ、ターゲット材を置くための基板と、冷却液体輸送管を介して前記アブレーションキャビティに連結され、冷却液体を前記アブレーションキャビティの中に流入させるための冷却液体投入装置と、レーザー光を提供するレーザー源と、光導入端と光導出端とを有する少なくとも1つの光導管とを備え、前記冷却液体の液面高さと前記透明窓の設置高さとの間に第1距離が隔てられ、また、前記液面高さと前記ターゲット材の表面との間に第2距離が隔てられ、前記光導入端は、前記レーザー源に連結され、かつ前記光導出端は、前記アブレーションキャビティの内部に延入することにより、前記光導出端と前記ターゲット材の表面との間に第3距離を隔てさせ、前記レーザー光は、前記少なくとも1つの光導管を経て前記アブレーションキャビティの内部に導入されると共に、前記ターゲット材に向けて射出した後、前記ターゲット材は、前記レーザー光により複数個のナノ粒子になるようにアブレーションされる。   Such a nanoparticle manufacturing system is connected to the ablation cavity via an ablation cavity provided with a transparent window on the top thereof, a substrate provided in the ablation cavity for placing a target material, and a cooling liquid transport pipe. A cooling liquid input device for allowing cooling liquid to flow into the ablation cavity, a laser source for providing laser light, and at least one light conduit having a light introducing end and a light leading end. A first distance is separated between the liquid level height of the liquid and the installation height of the transparent window, and a second distance is separated between the liquid level height and the surface of the target material. Is coupled to the laser source, and the light exit end extends into the ablation cavity, thereby A third distance is provided between the end and the surface of the target material, and the laser light is introduced into the ablation cavity via the at least one optical conduit and emitted toward the target material. Thereafter, the target material is ablated by the laser beam so as to become a plurality of nanoparticles.

従来のレーザーアブレーション設備の構成図である。It is a block diagram of the conventional laser ablation equipment. 本発明のナノ粒子製造システムの模式的構成図である。It is a typical block diagram of the nanoparticle manufacturing system of this invention. アブレーションキャビティ、光導管と低圧均質装置との模式的連結構成図である。It is a typical connection block diagram of an ablation cavity, an optical conduit, and a low-pressure homogenizer. ナノユニット製造システムの第1模式的構成図である。It is a 1st typical block diagram of a nano unit manufacturing system. ナノユニット製造システムの第2模式的構成図である。It is a 2nd schematic block diagram of a nano unit manufacturing system.

本発明が提出したナノ粒子製造システムをより明瞭に記述するために、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例を以下に詳述する。   In order to more clearly describe the nanoparticle production system submitted by the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

図2は、本発明のナノ粒子製造システムの模式的構成図である。図2を参照して示すように、前記ナノ粒子製造システム1は、アブレーションキャビティ11と、基板12と、冷却液体投入装置13と、レーザー源14と、少なくとも1つの光導管15と、ターゲット材送給装置1Aと、液面制御装置1Bと、低圧均質装置1Cと、恒温システム(未図示)とを備える。その中、前記アブレーションキャビティ11は、ポリフルオロエテン(Polytetrafluoroethene,PTFE)から作成され、かつその頂部に透明窓111が設けられる。   FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the nanoparticle production system of the present invention. As shown in FIG. 2, the nanoparticle production system 1 includes an ablation cavity 11, a substrate 12, a cooling liquid input device 13, a laser source 14, at least one optical conduit 15, and a target material feed. A supply device 1A, a liquid level control device 1B, a low-pressure homogenizer 1C, and a constant temperature system (not shown) are provided. Among them, the ablation cavity 11 is made of polyfluoroethene (PTFE) and a transparent window 111 is provided on the top thereof.

続いて図2を参照すると共に、図3に示すアブレーションキャビティ、光導管と低圧均質装置との模式的連結構成図を同時に参照する。図示のように、前記基板12は、前記アブレーションキャビティ11内に設けられ、ターゲット材2を置くためのものである。操作上、作業員が前記アブレーションキャビティ11に連結されるターゲット材送給装置1Aを操作することで、前記ターゲット材2を前記アブレーションキャビティ11の中に送り込むことができる。
本発明において、前記ターゲット材2は、不活性金属ターゲット材であり、かつ前記基板12の材質は、前記ターゲット材2の材質と同じである。なお、前記冷却液体投入装置13は、冷却液体輸送管131を介して前記アブレーションキャビティ11に連結され、冷却液体を前記アブレーションキャビティ11の中に投入させるためのものである。その内、前記冷却液体は、有機相冷凝縮液または水相冷凝縮液のいずれか1種であってもよい。特に言及すべきは、前記冷却液体の液面高さと前記透明窓111の設置高さとの間に第1距離d1が隔てられ、かつ前記液面高さと前記ターゲット材2の表面との間に第2距離d2が隔てられる。その内、前記アブレーションキャビティ11に連結される前記液面制御装置1Bは、前記冷却液体を注入/抽出する方式で、前記液面高さと前記設置高さとの間の距離を前記第1距離d1に制御する。
Subsequently, referring to FIG. 2, the schematic connection configuration diagram of the ablation cavity, the optical conduit and the low-pressure homogenizer shown in FIG. 3 will be referred to at the same time. As shown in the figure, the substrate 12 is provided in the ablation cavity 11 for placing the target material 2 thereon. In operation, the operator can feed the target material 2 into the ablation cavity 11 by operating the target material feeding device 1 </ b> A connected to the ablation cavity 11.
In the present invention, the target material 2 is an inert metal target material, and the material of the substrate 12 is the same as the material of the target material 2. The cooling liquid charging device 13 is connected to the ablation cavity 11 via a cooling liquid transport pipe 131 and is used for charging the cooling liquid into the ablation cavity 11. Among them, the cooling liquid may be any one of an organic phase cold condensate and an aqueous phase cold condensate. It should be particularly noted that the first distance d1 is separated between the liquid level height of the cooling liquid and the installation height of the transparent window 111, and the first distance d1 is between the liquid level height and the surface of the target material 2. Two distances d2 are separated. Among them, the liquid level control device 1B connected to the ablation cavity 11 injects / extracts the cooling liquid, and sets the distance between the liquid level and the installation height to the first distance d1. Control.

前記レーザー源14は、少なくとも1つの光導管15を介してレーザー光を前記ターゲット材2の表面に提供する。図2と図3に示すように、前記光導管15は、光ファイバーまたは石英ガラス柱のいずれか1種であってもよく、光導入端151と光導出端152とを有し、その中、前記光導入端151は、前記レーザー源14に連結され、かつ前記光導出端152は、前記アブレーションキャビティ11の内部に延入することにより、前記光導出端152と前記ターゲット材2の表面との間に第3距離d3を隔てさせる。
さらに、前記レーザー光は、前記少なくとも1つの光導管15を経て前記アブレーションキャビティ11の内部に導入されると共に、前記ターゲット材2に向けて射出した後、前記ターゲット材2は、前記レーザー光により複数個のナノ粒子になるようにアブレーションされる。ここで、補充説明すべき点は、基板12の材質は、ターゲット材2の材質と同じであるため、レーザー光がターゲット材2を射出通過しても、ターゲット材2を射出通過したレーザー光がさらに基板12に向けて射出される点である。このように設計すれば、ターゲット材2を射出通過したレーザー光をアブレーションキャビティ11の内壁面に向けて直接に射出して不要な汚染物の生成を防止することができる。
The laser source 14 provides laser light to the surface of the target material 2 via at least one light conduit 15. As shown in FIGS. 2 and 3, the optical conduit 15 may be either one of an optical fiber or a quartz glass column, and has a light introduction end 151 and a light extraction end 152. The light introduction end 151 is connected to the laser source 14, and the light extraction end 152 extends into the ablation cavity 11, so that the light introduction end 152 is interposed between the light extraction end 152 and the surface of the target material 2. Is separated by a third distance d3.
Further, the laser light is introduced into the ablation cavity 11 through the at least one optical conduit 15, and after being emitted toward the target material 2, a plurality of the target materials 2 are formed by the laser light. Ablated to become individual nanoparticles. Here, since the material of the board | substrate 12 is the same as the material of the target material 2, the point which should be replenished, even if a laser beam injects and passes through the target material 2, the laser beam which injects and passed through the target material 2 is the same. Further, it is emitted toward the substrate 12. By designing in this way, it is possible to prevent the generation of unnecessary contaminants by directly emitting the laser light that has passed through the target material 2 toward the inner wall surface of the ablation cavity 11.

本発明のナノ粒子製造システム1は、低圧均質装置1Cと、恒温システム(未図示)とをさらに備え、その中、前記低圧均質装置1Cは、前記アブレーションキャビティ11に連結され、前記アブレーションキャビティ11内の前記冷却液体を循環させて、前記複数個のナノ粒子を前記冷却液体の中に生成するように加速させるためのものである。なお、前記恒温システムは、前記アブレーションキャビティ11に連結され、前記冷却液体の温度を維持するためのものである。   The nanoparticle production system 1 of the present invention further includes a low-pressure homogenizer 1C and a constant temperature system (not shown), in which the low-pressure homogenizer 1C is connected to the ablation cavity 11 and is contained in the ablation cavity 11. The cooling liquid is circulated to accelerate the plurality of nanoparticles to be generated in the cooling liquid. The constant temperature system is connected to the ablation cavity 11 and maintains the temperature of the cooling liquid.

上記説明から分かるように、図2と図3に示すようなナノ粒子製造システム1は、アブレーションレーザー設備であり、不活性金属ターゲット材を複数個のナノ粒子に作成するためのものである。さらに、図2に示すようなナノ粒子製造システム1は、その他の加工設備と合わせてナノユニット製造システムになることができる。
図4に示すナノユニット製造システムの第1模式的構成図を参照する。図4に示すように、前記ナノユニット製造システムは、図2に示すようなナノ粒子製造システム1を含むほかに、一次混合装置16と、高分子材料投入装置17と、二次混合装置18と、ナノユニット成形装置19と、第1高圧均質装置1Dと、第2高圧均質装置1Eとをさらに備える。
As can be seen from the above description, the nanoparticle production system 1 as shown in FIGS. 2 and 3 is an ablation laser facility for creating an inert metal target material into a plurality of nanoparticles. Furthermore, the nanoparticle production system 1 as shown in FIG. 2 can be combined with other processing equipment to become a nanounit production system.
A first schematic configuration diagram of the nanounit manufacturing system shown in FIG. 4 will be referred to. As shown in FIG. 4, the nano unit manufacturing system includes a nano particle manufacturing system 1 as shown in FIG. 2, a primary mixing device 16, a polymer material charging device 17, and a secondary mixing device 18. The nano-unit molding device 19, the first high-pressure homogenizer 1D, and the second high-pressure homogenizer 1E are further provided.

上記に続いて、前記一次混合装置16は、ナノ粒子輸送管112を介して前記アブレーションキャビティ11に連結され、かつ前記高分子材料投入装置17は、高分子材料輸送管171を介して前記一次混合装置16に連結される。このように設置すれば、前記複数個のナノ粒子は、前記ナノ粒子輸送管112を通過して前記アブレーションキャビティ11から前記一次混合装置16に輸送されると同時に、前記高分子材料投入装置17は、前記高分子材料輸送管171を通過して高分子溶液を前記一次混合装置16の中に送入して、前記複数個のナノ粒子と前記高分子溶液とを前記一次混合装置16の中に一次混合溶液になるように混合させる。ここで、補充説明すべき点は、前記高分子溶液は、有機相高分子溶液または水相高分子溶液のいずれか1種であってもよい点である。   Subsequently to the above, the primary mixing device 16 is connected to the ablation cavity 11 via a nanoparticle transport tube 112, and the polymer material charging device 17 is connected to the primary mixing device via a polymer material transport tube 171. Connected to device 16. With this arrangement, the plurality of nanoparticles pass through the nanoparticle transport pipe 112 and are transported from the ablation cavity 11 to the primary mixing device 16, and at the same time, the polymer material feeding device 17 is Then, the polymer solution is passed through the polymer material transport pipe 171 and the polymer solution is fed into the primary mixing device 16, and the plurality of nanoparticles and the polymer solution are fed into the primary mixing device 16. Mix to make a primary mixed solution. Here, the point to be replenished is that the polymer solution may be either one of an organic phase polymer solution or an aqueous phase polymer solution.

前記二次混合装置18は、第1混合溶液輸送管161を介して前記一次混合装置16に連結され、かつ前記ナノユニット成形装置19は、第2混合溶液輸送管181を介して前記二次混合装置18に連結される。このように設置すれば、前記一次混合溶液は、一次混合装置16から前記二次混合装置18に送入され、前記二次混合装置18が実行する再混合工程により前記一次混合溶液をナノ/高分子混合溶液になるように混合する。
さらに、前記ナノ/高分子混合溶液は、前記二次混合装置18から前記ナノユニット成形装置19まで送出されると共に、前記ナノユニット成形装置19の中に複合ナノユニットに成形される。補充説明すべき点は、本発明において、前記アブレーションキャビティ11、前記一次混合装置16、前記二次混合装置18と前記ナノユニット成形装置19の内部は、いずれも真空環境に設置される点である。
The secondary mixing device 18 is connected to the primary mixing device 16 through a first mixed solution transport pipe 161, and the nano unit forming device 19 is connected to the secondary mixing device 18 through a second mixed solution transport pipe 181. Connected to device 18. With this arrangement, the primary mixed solution is fed from the primary mixing device 16 to the secondary mixing device 18, and the primary mixed solution is nano / high by a remixing process performed by the secondary mixing device 18. Mix to a molecular mixture solution.
Further, the nano / polymer mixed solution is delivered from the secondary mixing device 18 to the nano unit forming device 19 and is formed into a composite nano unit in the nano unit forming device 19. The replenishment point is that in the present invention, the ablation cavity 11, the primary mixing device 16, the secondary mixing device 18 and the nano unit molding device 19 are all installed in a vacuum environment. .

また、冷却液体及び高分子溶液の送入流速を制御するために、前記ナノユニット製造システムは、それぞれ前記冷却液体輸送管131と前記高分子材料輸送管171の上に第1流速制御弁132と第2流速制御弁172が付加的に取り付けられる。また、一次混合工程と二次混合工程の作業を加速させるために、前記第1高圧均質装置1Dは、前記一次混合装置16に連結されて前記複数個のナノ粒子と前記高分子溶液との混合を加速させると同時に、前記第2高圧均質装置1Eは、前記二次混合装置18に連結されて前記再混合工程の完了を加速させる。   Further, in order to control the flow rate of the cooling liquid and the polymer solution, the nano unit manufacturing system includes a first flow rate control valve 132 on the cooling liquid transport pipe 131 and the polymer material transport pipe 171, respectively. A second flow rate control valve 172 is additionally attached. In order to accelerate the operations of the primary mixing process and the secondary mixing process, the first high-pressure homogenizer 1D is connected to the primary mixer 16 to mix the plurality of nanoparticles and the polymer solution. At the same time, the second high pressure homogenizer 1E is connected to the secondary mixing device 18 to accelerate the completion of the remixing step.

図4に開示するナノユニットの製造システムは、図1に示すようなナノ粒子製造システム1、一次混合装置16、高分子材料投入装置17、二次混合装置18、ナノユニット成形装置19、第1高圧均質装置1D及び第2高圧均質装置1Eから構成されるが、しかしながら、これらは前記ナノユニット製造システムの実施態様を限定するものではない。
図5に示すナノユニット製造システムの第2模式的構成図を参照する。図5に示すように、前記ナノユニット製造システムは、図1に示すようなナノ粒子製造システム1を含むほかに、製粉装置1R及び前記高分子材料投入装置17をさらに備える。その内、前記製粉装置1Rは、前記ナノ粒子輸送管112を介して前記アブレーションキャビティ11に連結されて、前記複数個のナノ粒子を前記アブレーションキャビティ11から前記製粉装置1Rの中に輸送することができる。なおかつ、前記高分子材料投入装置17は、前記高分子材料輸送管171を介して前記製粉装置1Rに連結され、前記高分子溶液を前記製粉装置1Rの中に送入するためのものである。こうして、前記複数個のナノ粒子と前記高分子溶液とを前記製粉装置1Rの中に粉状ナノユニットになるように作成することができる。
The nano-unit manufacturing system disclosed in FIG. 4 includes a nano-particle manufacturing system 1, a primary mixing device 16, a polymer material charging device 17, a secondary mixing device 18, a nano-unit molding device 19, as shown in FIG. The high-pressure homogenizer 1D and the second high-pressure homogenizer 1E are, however, not limited to the embodiment of the nano unit manufacturing system.
Reference is made to the second schematic configuration diagram of the nanounit manufacturing system shown in FIG. As shown in FIG. 5, the nano unit manufacturing system includes a nano particle manufacturing system 1 as shown in FIG. 1, and further includes a milling device 1 </ b> R and the polymer material charging device 17. Among them, the milling device 1R is connected to the ablation cavity 11 via the nanoparticle transport pipe 112, and transports the plurality of nanoparticles from the ablation cavity 11 into the milling device 1R. it can. In addition, the polymer material feeding device 17 is connected to the milling device 1R via the polymer material transport pipe 171 and feeds the polymer solution into the milling device 1R. In this way, the plurality of nanoparticles and the polymer solution can be prepared in the powder mill 1R so as to become powder nano units.

上記の説明のように、本発明のナノ粒子製造システムの構成要素と技術的特徴を十分かつ明瞭に開示した。さらに、上記によれば、本発明のナノ粒子製造システムは、下記の三点の利点を有することが分かる。   As described above, the components and technical features of the nanoparticle production system of the present invention have been disclosed sufficiently and clearly. Furthermore, according to the above, it can be seen that the nanoparticle production system of the present invention has the following three advantages.

(1)従来のナノ粒子製造設備と異なって、本発明のナノ粒子製造システムは、光導管15を使用してレーザー源14から提供されるレーザー光をアブレーションキャビティ11内に位置するターゲット材2の表面に直接にガイドさせ、この方式によりレーザー光がアブレーションキャビティ11内の冷却液体の影響を受けて例えば反射や屈折などのような光学効果が生じるのを防止することができる。   (1) Unlike the conventional nanoparticle production facility, the nanoparticle production system of the present invention uses the optical conduit 15 to transmit the laser light provided from the laser source 14 into the ablation cavity 11. By guiding directly on the surface, it is possible to prevent the laser light from being affected by the cooling liquid in the ablation cavity 11 and causing optical effects such as reflection and refraction.

(2)ほかに、本発明において、光導管15の光導出端152と前記ターゲット材2との間の距離を特定距離(<5mm)に制御する。このように設計すれば、レーザー源14から提供されるレーザー光が低パワー(<30mJ/pulse)のレーザー光であっても、前記レーザー光をレーザーアブレーションにより、前記ターゲット材2を複数個のナノ粒子に作成することができる。   (2) In addition, in the present invention, the distance between the light outlet end 152 of the optical conduit 15 and the target material 2 is controlled to a specific distance (<5 mm). With this design, even if the laser beam provided from the laser source 14 is a low-power (<30 mJ / pulse) laser beam, the laser beam is laser ablated to form the target material 2 with a plurality of nanometers. Can be made into particles.

(3)上記第(2)点に続いて、本発明は、光導管15の光導出端152と前記ターゲット材2との間の距離を特定距離(<5mm)に制御するため、ターゲット材2’は、凹凸不平坦な表面を有しても、レーザー源14から提供されるレーザー光は、ターゲット材2を粒径均一性を有する複数の金属ナノ粒子になることができる。   (3) Following the above point (2), the present invention controls the distance between the light outlet end 152 of the optical conduit 15 and the target material 2 to a specific distance (<5 mm). The laser beam provided from the laser source 14 can be a plurality of metal nanoparticles having a uniform particle size for the target material 2 even if it has an uneven surface.

強調すべき点は、上記の詳細な説明は、本発明の実施可能な実施例を具体的に説明したものであり、本発明の特許範囲はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技芸精神を逸脱しない限り、その等効果の実施又は変更は、なお、本願の特許請求の範囲内に含まれる点である。   It should be emphasized that the above detailed description specifically describes possible embodiments of the present invention, and the patent scope of the present invention is not limited to these embodiments. As long as the technical spirit of the invention is not departed from, the implementation or modification of the effect is still within the scope of the claims of the present application.

1 ナノ粒子製造システム
11 アブレーションキャビティ
12 基板
13 冷却液体投入装置
14 レーザー源
15 光導管
1A ターゲット材送給装置
1B 液面制御装置
1C 低圧均質装置
111 透明窓
2 ターゲット材
131 冷却液体輸送管
d1 第1距離
d2 第2距離
d3 第3距離
151 光導入端
152 光導出端
16 一次混合装置
17 高分子材料投入装置
18 二次混合装置
19 ナノユニット成形装置
1D 第1高圧均質装置
1E 第2高圧均質装置
112 ナノ粒子輸送管
171 高分子材料輸送管
161 第1混合溶液輸送管
181 第2混合溶液輸送管
132 第1流速制御弁
172 第2流速制御弁
1R 製粉装置
1’ レーザーアブレーション設備
10’ レーザー源
11’ 基板
12’ 合焦レンズ
13’ アブレーションキャビティ
14’ 第1混合キャビティ
15’ 第1ポンプ
14a’ 第2混合キャビティ
15a’ 第2ポンプ
2’ ターゲット材
130’ 透明窓
3’ 界面活性剤
131’ 第1収集管路
131a’ 第2収集管路
151’ 第1溶液送入管路
151a’ 第2溶液送入管路
141’ 第1排出管路
141a’ 第2排出管路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Nanoparticle manufacturing system 11 Ablation cavity 12 Board | substrate 13 Cooling liquid injection | throwing-in apparatus 14 Laser source 15 Optical conduit 1A Target material feeding apparatus 1B Liquid level control apparatus 1C Low pressure homogenization apparatus 111 Transparent window 2 Target material 131 Cooling liquid transport pipe d1 1st Distance d2 Second distance d3 Third distance 151 Light introduction end 152 Light extraction end 16 Primary mixing device 17 Polymer material charging device 18 Secondary mixing device 19 Nano unit molding device 1D First high pressure homogenizer 1E Second high pressure homogenizer 112 Nanoparticle transport pipe 171 Polymer material transport pipe 161 First mixed solution transport pipe 181 Second mixed solution transport pipe 132 First flow rate control valve 172 Second flow rate control valve 1R Milling apparatus 1 ′ Laser ablation equipment 10 ′ Laser source 11 ′ Substrate 12 ′ focusing lens 13 ′ ablation cavity 14 ′ first mixing cavity 15 ′ 1st pump 14a ′ 2nd mixing cavity 15a ′ 2nd pump 2 ′ target material 130 ′ transparent window 3 ′ surfactant 131 ′ 1st collection line 131a ′ 2nd collection line 151 ′ 1st solution feed Inlet line 151a ′ Second solution inlet line 141 ′ First outlet line 141a ′ Second outlet line

Claims (15)

ナノ粒子製造システムであって、
その頂部に透明窓が設けられるアブレーションキャビティと、
前記アブレーションキャビティの中に設けられ、ターゲット材を置くための基板と、
冷却液体輸送管を介して前記アブレーションキャビティに連結され、冷却液体を前記アブレーションキャビティの中に投入させるための冷却液体投入装置と、
レーザー光を提供するレーザー源と、
光導入端と光導出端とを有する少なくとも1つの光導管とを備え、
前記冷却液体の液面高さと前記透明窓の設置高さとの間に第1距離が隔てられ、また、前記液面高さと前記ターゲット材の表面との間に第2距離が隔てられ、
前記光導入端は、前記レーザー源に連結され、かつ前記光導出端は、前記アブレーションキャビティの内部に延入することにより、前記光導出端と前記ターゲット材の表面との間に第3距離を隔てさせ、
前記レーザー光は、前記少なくとも1つの光導管を経て前記アブレーションキャビティの内部に導入されると共に、前記ターゲット材に向けて射出した後、前記ターゲット材は、前記レーザー光により複数個のナノ粒子になるようにアブレーションされることを特徴とする、
ナノ粒子製造システム。
A nanoparticle manufacturing system,
An ablation cavity provided with a transparent window on its top,
A substrate provided in the ablation cavity for placing a target material;
A cooling liquid charging device connected to the ablation cavity via a cooling liquid transport pipe and for charging the cooling liquid into the ablation cavity;
A laser source providing laser light;
Comprising at least one light conduit having a light inlet end and a light outlet end;
A first distance is separated between the liquid level height of the cooling liquid and the installation height of the transparent window, and a second distance is separated between the liquid level height and the surface of the target material,
The light introduction end is connected to the laser source, and the light extraction end extends into the ablation cavity, thereby providing a third distance between the light extraction end and the surface of the target material. Separated,
The laser light is introduced into the ablation cavity through the at least one optical conduit, and after being emitted toward the target material, the target material becomes a plurality of nanoparticles by the laser light. Characterized by being ablated,
Nanoparticle production system.
前記冷却液体は、有機相冷凝縮液または水相冷凝縮液のいずれか1種であることを特徴とする、請求項1に記載のナノ粒子製造システム。   The nanoparticle production system according to claim 1, wherein the cooling liquid is one of an organic phase cold condensate and an aqueous phase condensate. 前記アブレーションキャビティは、ポリフルオロエテン(Polytetrafluoroethene,PTFE)から作成されることを特徴とする、請求項1に記載のナノ粒子製造システム。   The nanoparticle production system according to claim 1, wherein the ablation cavity is made of polyfluoroethene (Polytetrafluorene, PTFE). 前記ターゲット材は、不活性金属ターゲット材であることを特徴とする、請求項1に記載のナノ粒子製造システム。   The nanoparticle manufacturing system according to claim 1, wherein the target material is an inert metal target material. 前記光導管は、光ファイバーまたは石英ガラス柱のいずれか1種であることを特徴とする、請求項1に記載のナノ粒子製造システム。   The nanoparticle manufacturing system according to claim 1, wherein the optical conduit is any one of an optical fiber and a quartz glass column. 前記第1距離が5mmよりも小さく、前記第2距離が5cmよりも小さく、かつ前記第3距離が5mmよりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載のナノ粒子製造システム。   2. The nanoparticle manufacturing system according to claim 1, wherein the first distance is smaller than 5 mm, the second distance is smaller than 5 cm, and the third distance is smaller than 5 mm. 前記アブレーションキャビティに連結され、前記ターゲット材を前記アブレーションキャビティ内に送り込むためのターゲット材送給装置と、前記アブレーションキャビティに連結され、前記冷却液体の前記液面高さを検出すると共に、前記冷却液体を注入/抽出する方式で、前記液面高さと前記設置高さとの間の距離を前記第1距離に制御するための液面制御装置と、前記アブレーションキャビティに連結され、前記アブレーションキャビティ内の前記冷却液体を循環させて、前記複数個のナノ粒子を前記冷却液体の中に生成するように加速させるための低圧均質装置と、前記アブレーションキャビティに連結され、前記冷却液体の温度を維持するための恒温システムとをさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載のナノ粒子製造システム。   A target material feeding device connected to the ablation cavity for feeding the target material into the ablation cavity, and connected to the ablation cavity for detecting the liquid level height of the cooling liquid and the cooling liquid And a liquid level control device for controlling the distance between the liquid level and the installation height to the first distance, and the ablation cavity, and the ablation cavity includes the liquid level controller. A low pressure homogenizer for circulating a cooling liquid to accelerate the plurality of nanoparticles to be generated in the cooling liquid, and connected to the ablation cavity for maintaining the temperature of the cooling liquid The nanoparticle production system according to claim 1, further comprising a thermostat system. Temu. 前記基板の材質は、前記ターゲット材の材質と同じであることを特徴とする、請求項4に記載のナノ粒子製造システム。   The nanoparticle manufacturing system according to claim 4, wherein a material of the substrate is the same as a material of the target material. ナノ粒子輸送管を介して前記アブレーションキャビティに連結される製粉装置をさらに備えることを特徴とする、請求項7に記載のナノ粒子製造システム。   The nanoparticle manufacturing system according to claim 7, further comprising a milling device connected to the ablation cavity via a nanoparticle transport tube. ナノ粒子輸送管を介して前記アブレーションキャビティに連結される一次混合装置と、高分子材料輸送管を介して前記一次混合装置に連結され、高分子溶液を前記一次混合装置の中に送入して、前記複数個のナノ粒子と前記高分子溶液とを前記一次混合装置の中に一次混合溶液になるように混合させるための高分子材料投入装置と、第1混合溶液輸送管を介して前記一次混合装置に連結される二次混合装置と、第2混合溶液輸送管を介して前記二次混合装置に連結されるナノユニット成形装置とをさらに備え、前記一次混合溶液は、前記一次混合装置から前記二次混合装置に送入され、前記二次混合装置が実行する再混合工程により前記一次混合溶液をナノ/高分子混合溶液になるように混合し、前記ナノ/高分子混合溶液は、前記二次混合装置から前記ナノユニット成形装置まで送出されると共に、前記ナノユニット成形装置の中に複合ナノユニットに成形されることを特徴とする、請求項7に記載のナノ粒子製造システム。   A primary mixing device connected to the ablation cavity via a nanoparticle transport tube, and a primary mixing device connected to the primary mixing device via a polymer material transport tube, and feeding a polymer solution into the primary mixing device. A polymer material charging device for mixing the plurality of nanoparticles and the polymer solution into the primary mixing device so as to be a primary mixed solution; and the primary solution via a first mixed solution transport pipe. A secondary mixing device connected to the mixing device; and a nano-unit molding device connected to the secondary mixing device via a second mixed solution transport pipe, wherein the primary mixed solution is extracted from the primary mixing device. The primary mixed solution is fed into the secondary mixing device and mixed into a nano / polymer mixed solution by a remixing step performed by the secondary mixing device, and the nano / polymer mixed solution is Secondary mixing While being sent to put al the nano unit forming device, characterized in that it is molded to the composite nano units in the nano units forming apparatus, nanoparticles manufacturing system according to claim 7. 前記高分子材料輸送管を介して製粉装置に連結され、前記高分子溶液を前記製粉装置の中に送入するための高分子材料投入装置をさらに備え、前記複数個のナノ粒子と前記高分子溶液とを前記製粉装置の中に粉状ナノユニットになるように作成させるための高分子材料投入装置をさらに備えることを特徴とする、請求項10に記載のナノ粒子製造システム。   A plurality of nanoparticles and the polymer are further connected to a milling device via the polymer material transport pipe, and further comprising a polymer material charging device for feeding the polymer solution into the milling device. 11. The nanoparticle production system according to claim 10, further comprising a polymer material charging device for making the solution into a powdery nanounit in the milling device. 前記高分子溶液は、有機相高分子溶液または水相高分子溶液のいずれか1種であることを特徴とする、請求項10に記載のナノ粒子製造システム。   The nanoparticle production system according to claim 10, wherein the polymer solution is one of an organic phase polymer solution and an aqueous phase polymer solution. 前記一次混合装置に連結され、前記複数個のナノ粒子と前記高分子溶液との混合を加速させるための第1高圧均質装置と、
前記二次混合装置に連結され、前記再混合工程の完了を加速させるための第2高圧均質装置とをさらに備えることを特徴とする、請求項10に記載のナノ粒子製造システム。
A first high pressure homogenizer coupled to the primary mixing device for accelerating the mixing of the plurality of nanoparticles and the polymer solution;
The system according to claim 10, further comprising a second high-pressure homogenizer connected to the secondary mixing device and accelerating completion of the remixing step.
前記アブレーションキャビティ、前記一次混合装置、前記二次混合装置と前記ナノユニット成形装置の内部は、いずれも真空環境に設置されることを特徴とする、請求項10に記載のナノ粒子製造システム。   11. The nanoparticle manufacturing system according to claim 10, wherein the ablation cavity, the primary mixing device, the secondary mixing device, and the inside of the nano unit molding device are all installed in a vacuum environment. 前記冷却液体輸送管と前記高分子材料輸送管の上に、それぞれ第1流速制御弁と第2流速制御弁が取り付けられることを特徴とする、請求項10に記載のナノ粒子製造システム。   11. The nanoparticle production system according to claim 10, wherein a first flow rate control valve and a second flow rate control valve are mounted on the cooling liquid transport tube and the polymer material transport tube, respectively.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115283684A (en) * 2022-08-05 2022-11-04 大连理工大学 Device for continuously preparing nano particles by using liquid-phase laser ablation method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109014583B (en) * 2018-07-24 2020-01-21 西安交通大学 Laser anaerobic processing device for preparing wave-absorbing silicon material

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07252645A (en) * 1994-03-11 1995-10-03 Mitsubishi Electric Corp Thin film forming device
JPH07258831A (en) * 1994-03-22 1995-10-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Method and equipment for optical fiber transmission type laser vapor deposition
JP2002015999A (en) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Research Institute Tokyo Inc Quantum dot type functional structure manufacturing apparatus, quantum dot type functional structure manufacturing method, quantum dot type functional structure, and optical function element
JP2006122845A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Nara Kikai Seisakusho:Kk Liquid-phase laser ablation apparatus
JP2009012061A (en) * 2007-07-06 2009-01-22 Enshu Ltd Laser processing machine
WO2012114923A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-30 株式会社奈良機械製作所 Liquid phase laser ablation method and device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07252645A (en) * 1994-03-11 1995-10-03 Mitsubishi Electric Corp Thin film forming device
JPH07258831A (en) * 1994-03-22 1995-10-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Method and equipment for optical fiber transmission type laser vapor deposition
JP2002015999A (en) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Research Institute Tokyo Inc Quantum dot type functional structure manufacturing apparatus, quantum dot type functional structure manufacturing method, quantum dot type functional structure, and optical function element
JP2006122845A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Nara Kikai Seisakusho:Kk Liquid-phase laser ablation apparatus
JP2009012061A (en) * 2007-07-06 2009-01-22 Enshu Ltd Laser processing machine
WO2012114923A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-30 株式会社奈良機械製作所 Liquid phase laser ablation method and device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115283684A (en) * 2022-08-05 2022-11-04 大连理工大学 Device for continuously preparing nano particles by using liquid-phase laser ablation method

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