JP5903831B2 - Composition for substrate surface protective film and method for producing substrate - Google Patents
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Description
本発明は、基板表面保護膜用組成物及び基板の製造方法に関し、詳細には基板の表面に微細構造を形成後に、その基板の裏面を加工する際に、あるいはその基板を一時保管や移動する際に、該微細構造の保護に使用される保護膜用組成物、特に深堀された微細構造の保護に好適な基板表面保護膜用組成物及びそれを用いた基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a composition for a substrate surface protective film and a method for producing the substrate, and more specifically, after forming a fine structure on the surface of the substrate, when processing the back surface of the substrate, or temporarily storing or moving the substrate. In particular, the present invention relates to a composition for a protective film used for protecting the fine structure, in particular, a composition for a substrate surface protective film suitable for protecting a deep microstructure, and a method for producing a substrate using the same.
電子部品搭載基板やマイクロマシン搭載基板等の製造において、微細構造を表面に形成した半導体、ガラス、有機材料等の基板表面を保護膜で覆う方法が用いられている。例えば、集積回路を形成した電子部品用基板を保管、運搬する際に基板表面を保護膜で覆う方法が用いられる。また、基板の一方の面に微細構造を形成した後、他方の面を加工する際に、該微細構造を保護するために保護膜で基板表面を覆う方法が用いられている。例えば、マイクロマシン又はMEMSともいわれる微小電気機械素子(以下、単にMEMSともいう。)の製造時には、半導体等の基板の一方の面に段差数十μm以上の凹凸を有する微細構造を形成した後、裏面をさらに加工する。MEMS製造方法はこのように、基板の表裏を加工し、しかも、所謂、深堀された凹部を有する微細構造を有するなど、基板上に形成される凹凸の段差は集積回路を半導体基板上に形成する場合に比べて格段に大きく、集積回路を半導体基板に形成する工程とは製造方法が大きく異なる。 In the manufacture of an electronic component mounting substrate, a micromachine mounting substrate, and the like, a method of covering a substrate surface of a semiconductor, glass, organic material or the like having a fine structure formed on the surface with a protective film is used. For example, a method of covering a substrate surface with a protective film when storing and transporting an electronic component substrate on which an integrated circuit is formed is used. Further, after forming a fine structure on one surface of the substrate, a method of covering the substrate surface with a protective film is used to protect the fine structure when the other surface is processed. For example, at the time of manufacturing a microelectromechanical element also referred to as a micromachine or a MEMS (hereinafter also simply referred to as a MEMS), after forming a fine structure having unevenness of several tens of μm or more on one surface of a substrate such as a semiconductor, the back surface Is further processed. In this way, the MEMS manufacturing method processes the front and back surfaces of the substrate, and also has a so-called deep structure having a recessed portion, so that uneven steps formed on the substrate form an integrated circuit on the semiconductor substrate. Compared to the case, the manufacturing method is significantly different from the process of forming an integrated circuit on a semiconductor substrate.
基板の保護膜用塗布組成物としては、フェノール系樹脂を用いた幾つかの組成物が開示されている(例えば、特許文献1、2、3参照)。しかしながら、これらの塗布組成物はフェノール系樹脂による柔軟性の不足が問題であり、とくに加熱時の耐クラック性に問題がある。また、深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が不充分である。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、水溶性セルロース誘導体等の水溶性樹脂を用いた保護膜用組成物も開示されている(例えば、特許文献4参照)。しかしながら、この保護膜用組成物は集積回路の保護用途であり、MEMS等のより大きい凹凸段差を有する基板に対して充分な保護を可能とするものではない。また、保護膜の粘着性が製造工程に悪影響を及ぼすおそれがある。 As a coating composition for a protective film on a substrate, several compositions using a phenolic resin are disclosed (for example, see Patent Documents 1, 2, and 3). However, these coating compositions have a problem of lack of flexibility due to the phenolic resin, and particularly have a problem in crack resistance during heating. Moreover, the resin embedding performance with respect to the deeply uneven fine undulations is insufficient. Moreover, the composition for protective films using water-soluble resins, such as polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, a water-soluble cellulose derivative, is also disclosed (for example, refer patent document 4). However, this protective film composition is used for protecting integrated circuits, and does not enable sufficient protection against a substrate having a larger uneven step such as MEMS. Further, the adhesiveness of the protective film may adversely affect the manufacturing process.
本発明は、従って、耐クラック性に優れ、しかもMEMS等の深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、保護膜の粘着性を抑えた基板表面保護膜用組成物及びそれを用いた基板の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a composition for a substrate surface protective film that has excellent crack resistance, has good resin embedding performance with respect to deep concave and convex portions such as MEMS, and suppresses adhesiveness of the protective film, and uses the same. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate.
本発明者は上記課題を解決するべく検討した結果、軟化点の高いフェノール樹脂に対して低Tgの熱可塑性樹脂を特定の重量比で併せることで、粘着性を抑えて耐クラック性と埋め込み性に優れた保護膜を形成しうることを見出した。
本発明は、従って、環球法で測定した軟化点が140℃以上であるフェノール樹脂と、Tgが70℃以下である熱可塑性樹脂と、有機溶媒とを含有し、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有重量比が100:40〜100:300であって、25℃における粘度が4〜10000mPa・sである基板表面保護膜用組成物である。
本発明はまた、微細加工されて凹凸を有する基板表面に、環球法で測定した軟化点が140℃以上であるフェノール樹脂と、Tgが70℃以下である熱可塑性樹脂と、有機溶媒とを含有し、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有重量比が100:40〜100:300であって、25℃における粘度が4〜10000mPa・sである組成物を塗布して保護膜を形成する工程、こののち、前記保護膜で被覆された基板面の裏面を加工する工程、を含む基板の製造方法でもある。
As a result of studying the above problems, the inventor of the present invention combined a low Tg thermoplastic resin with a specific weight ratio to a phenol resin having a high softening point, thereby suppressing adhesiveness and crack resistance and embedding property. It was found that an excellent protective film can be formed.
Accordingly, the present invention contains a phenol resin having a softening point of 140 ° C. or higher measured by a ring and ball method, a thermoplastic resin having a Tg of 70 ° C. or lower, and an organic solvent, and comprises a phenol resin and a thermoplastic resin. The composition for a substrate surface protective film having a content weight ratio of 100: 40 to 100: 300 and a viscosity at 25 ° C. of 4 to 10,000 mPa · s.
The present invention also includes a phenolic resin having a softening point of 140 ° C. or higher, a thermoplastic resin having a Tg of 70 ° C. or lower, and an organic solvent on a micro-processed substrate surface having irregularities. A step of forming a protective film by applying a composition having a weight ratio of phenol resin to thermoplastic resin of 100: 40 to 100: 300 and a viscosity at 25 ° C. of 4 to 10,000 mPa · s, Thereafter, the substrate manufacturing method includes a step of processing the back surface of the substrate surface coated with the protective film.
上述の構成により、本発明の基板表面保護膜用組成物は、MEMS等の製造の際の深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、凹部の底部にも良好に充填され、保護膜と基板との隙間が生じることが防止されている。また、製造工程においてチャック付着が抑えられ、工程進捗に支障を来す不都合が防止されている。さらに、製造工程において加熱による保護膜のクラック発生が抑えられ、また、加工後の剥離も容易である。 With the above-described configuration, the composition for a substrate surface protective film of the present invention has a good resin embedding performance with respect to deep concave and convex portions at the time of manufacturing MEMS or the like, and the bottom portion of the concave portion is also well filled and protected. A gap between the film and the substrate is prevented from being generated. In addition, adhesion of the chuck in the manufacturing process is suppressed, and inconveniences that hinder the progress of the process are prevented. Further, the generation of cracks in the protective film due to heating is suppressed in the manufacturing process, and peeling after processing is easy.
従って、本発明の基板表面保護膜用組成物を使用した基板の製造方法は、MEMS等の製造に好適に適用することができる。 Therefore, the manufacturing method of the board | substrate using the composition for board | substrate surface protective films of this invention can be applied suitably for manufacture of MEMS etc.
上記フェノール樹脂としては、環球法で測定した軟化点が140℃以上であるものを使用する。軟化点が140℃未満であると熱時粘着性がでてきて、ドライエッチ時の熱により静電チャックと取り外しができなくなくなり不都合である。好ましくは150℃以上である。 As the phenol resin, those having a softening point of 140 ° C. or higher measured by the ring and ball method are used. When the softening point is less than 140 ° C., adhesiveness is generated during heating, and it becomes inconvenient that the electrostatic chuck cannot be removed due to heat during dry etching. Preferably it is 150 degreeC or more.
また上記フェノール樹脂の分子量として好ましくは、重量平均分子量で2000〜20000である。 The molecular weight of the phenol resin is preferably 2000 to 20000 in terms of weight average molecular weight.
上記フェノール樹脂としては、例えば、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有するノボラック樹脂等を挙げることができる。 As said phenol resin, the novolak resin etc. which have a repeating unit represented by following General formula (1) can be mentioned, for example.
上記一般式(1)において、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜2のアルコキシル基(メトキシ、エトシキ等)又は炭素数1〜10のアルキル基を表し、好ましくは、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基(メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル等)であり、さらに好ましくは水酸基、又はメチル基である。 In the general formula (1), R1 to R3 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxyl group having 1 to 2 carbon atoms (methoxy, ethoxy, etc.) or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, preferably , A hydroxyl group, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, sec-butyl, tert-butyl, etc.), more preferably a hydroxyl group or a methyl group.
R4〜R5は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は、ハロゲン原子(塩素原子等)、水酸基若しくは炭素数1〜5のアルキル基を置換基として有していてもよいフェニル基を表す。ただし、上記一般式(1)で表される繰り返し単位全体において、R4及びR5のうち少なくとも一部は、メチル基、フェニル基、又は、ヒドロキシフェニル基である。好ましくは、R4及び/又はR5がメチル基、フェニル基、又は、ヒドロキシフェニル基である繰り返し単位の割合が20〜100%である。 R4 to R5 may each independently have a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom (such as a chlorine atom), a hydroxyl group, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent. Represents a good phenyl group. However, in the entire repeating unit represented by the general formula (1), at least a part of R4 and R5 is a methyl group, a phenyl group, or a hydroxyphenyl group. Preferably, the proportion of repeating units in which R4 and / or R5 is a methyl group, a phenyl group, or a hydroxyphenyl group is 20 to 100%.
一般式(1)で表される繰り返し単位全体において、それぞれ複数あるR1、R2、R3、R4及びR5は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。 In the whole repeating unit represented by the general formula (1), a plurality of R1, R2, R3, R4 and R5 may be the same or different from each other.
上記ノボラック樹脂は、フェノール類と、アルデヒド類又はケトン類とを酸性触媒(例えば、シュウ酸やp−トルエンスルホン酸)の存在下で反応させることにより得ることができる。 The novolak resin can be obtained by reacting phenols with aldehydes or ketones in the presence of an acidic catalyst (for example, oxalic acid or p-toluenesulfonic acid).
上記フェノール類としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,6−トリメチルフェノール、2−t−ブチルフェノール、3−t−ブチルフェノール、4−t−ブチルフェノール、2−メチルレゾルシノール、4−メチルレゾルシノール、5−メチルレゾルシノール、4−t−ブチルカテコール、2−メトキシフェノール、3−メトキシフェノール、2−プロピルフェノール、3−プロピルフェノール、4−プロピルフェノール、2−イソプロピルフェノール、2−メトキシ−5−メチルフェノール、2−t−ブチル−5−メチルフェノール、ピロガロールなどが挙げられる。これらは、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of the phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, and 3,4- Xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 2,3,6-trimethylphenol, 2-t-butylphenol, 3-t-butylphenol, 4-t-butylphenol, 2-methylresorcinol, 4 -Methylresorcinol, 5-methylresorcinol, 4-t-butylcatechol, 2-methoxyphenol, 3-methoxyphenol, 2-propylphenol, 3-propylphenol, 4-propylphenol, 2-isopropylphenol, 2-methoxy- 5-methylphenol, 2-t-butyl-5- Examples include methylphenol and pyrogallol. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明においては、フェノール類として、得られる絶縁膜の性能の点から、ピロガロール又はm−クレゾールと、他のフェノール類、例えばp−クレゾール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール及び3,5−キシレノールの中から選ばれる少なくとも1種とを組み合わせて用いることが好ましい。この場合、m−クレゾールと前記他のフェノール類との使用割合は、重量比で25:75〜85:15が好ましく、30:70〜70:30がより好ましい。 In the present invention, as phenols, pyrogallol or m-cresol and other phenols such as p-cresol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol and 3,5-xylenol from the viewpoint of the performance of the resulting insulating film. It is preferable to use in combination with at least one selected from 5-xylenol. In this case, the weight ratio of m-cresol and the other phenols is preferably 25:75 to 85:15, more preferably 30:70 to 70:30.
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピオンアルデヒド、β−フェニルプロピオンアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒドなどが挙げられる。ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。これらは、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。その中でも高Tgを達成することができるので、芳香族アルデヒドが好ましい。 Examples of the aldehydes include formaldehyde, formalin, paraformaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropionaldehyde, β-phenylpropionaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxy. Examples include benzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, terephthalaldehyde and the like. . Examples of ketones include acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, and diphenyl ketone. These can be used alone or in combination of two or more. Among them, aromatic aldehydes are preferable because high Tg can be achieved.
上記熱可塑性樹脂は、Tgが70℃以下であるものを使用する。Tgが70℃より高いと塗布膜の柔軟性が十分でなくなり不都合である。好ましくは40℃以下である。なお、下限は、好ましくはマイナス60℃であり、より好ましくはマイナス20℃である。 The said thermoplastic resin uses what has Tg of 70 degrees C or less. When Tg is higher than 70 ° C., the flexibility of the coating film is insufficient, which is disadvantageous. Preferably it is 40 degrees C or less. The lower limit is preferably −60 ° C., more preferably −20 ° C.
なお、上記熱可塑性樹脂のTgは、DSCの昇温速度3℃/分で測定した時の温度を定量化して測定することができる。 The Tg of the thermoplastic resin can be measured by quantifying the temperature when measured at a DSC heating rate of 3 ° C./min.
上記熱可塑性樹脂の分子量として好ましくは、重量平均分子量で1.0万〜10万であり、より好ましくは3.0万〜6.0万である。 The molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 10,000 to 100,000 in terms of weight average molecular weight, and more preferably 30,000 to 60,000.
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロニトリル−スチレン樹脂、(メタ)アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、塩化ビニル、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンイミド、ポリスルホン、ポリアミドイミド、超高分子ポリエチレン等を挙げることができる。これらのうち、アクリル樹脂(ポリアクリレート、ポリメタクリレート)が作業性、設計容易性の観点から好ましい。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the thermoplastic resin include polyethylene, polypropylene, polystyrene, poly (meth) acrylate, (meth) acrylonitrile-styrene resin, (meth) acrylonitrile-butadiene-styrene resin, vinyl chloride, polyamide, polyacetal, polyethylene terephthalate, poly Examples include butylene terephthalate, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyether ketone, polytetrafluoroethylene, polyethylene imide, polysulfone, polyamide imide, and ultra high molecular weight polyethylene. Among these, acrylic resins (polyacrylate and polymethacrylate) are preferable from the viewpoints of workability and ease of design. These thermoplastic resins may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有重量比は、100:40〜100:300である。フェノール樹脂に対する熱可塑性樹脂の配合量がこの範囲より少ないと耐クラックに対しての抑止効果が不十分となり、この範囲より多いと表面タック性が大きくなり、いずれも不都合である。好ましくは、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有重量比は、100:50〜100:200である。 The content weight ratio of the phenol resin to the thermoplastic resin is 100: 40 to 100: 300. When the blending amount of the thermoplastic resin with respect to the phenol resin is less than this range, the effect of suppressing crack resistance is insufficient, and when it is more than this range, the surface tackiness is increased, both of which are disadvantageous. Preferably, the content weight ratio of the phenol resin to the thermoplastic resin is 100: 50 to 100: 200.
上記有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール類;テトラヒドロフランなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのジエチレングリコール類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなどのケトン類;並びに2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類を挙げることができる。これらの中では、グリコールエーテル類、アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類およびジエチレングリコール類が好ましい。3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルアミルケトン、およびジエチレングリコールエチルメチルエーテルがより好ましい。これらの溶剤は単独で用いても良いし、2種以上を組み合わせても構わない。 Examples of the organic solvent include alcohols such as methanol and ethanol; ethers such as tetrahydrofuran; glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether; methyl cellosolve Ethylene glycol alkyl ether acetates such as acetate and ethyl cellosolve acetate; Diethylene glycols such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol monobutyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol ethyl ether acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone Ketones such as; and ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2-hydroxy-2-methylbutane Acid methyl, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl acetate, butyl acetate, Include methyl acid, esters such as ethyl lactate. Among these, glycol ethers, alkylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers and diethylene glycols are preferable. More preferred are ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, methyl amyl ketone, and diethylene glycol ethyl methyl ether. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
本発明の基板表面保護膜用組成物には、さらに、必要により、レベリング剤を配合することができる。レベリング剤を配合することにより、保護膜表面の平滑性が速やかに達成されるので、製造工程において有利である場合がある。レベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアルキルエステル類などのノニオン系界面活性剤;エフトップEF301、同303、同352(以上、商品名、新秋田化成(株)製)、メガファックF171、同F172、同F173、同R−08、同R−30(以上、商品名、大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC−430、同FC−431(以上、商品名、住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、商品名、旭硝子(株)製)などのフッ素系界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(以上、商品名、信越化学工業(株)製);(メタ)アクリル酸系共重合体ポリフローNo.57、75、95(以上、商品名、共栄社油脂化学工業(株)製)などのアクリル系界面活性剤などが挙げられる。これらは2種以上用いることもできる。なかでもアクリル系界面活性剤が高厚膜時の消泡性という理由で好ましい。 A leveling agent can be further mix | blended with the composition for substrate surface protection films of this invention as needed. By blending the leveling agent, the smoothness of the protective film surface can be achieved quickly, which may be advantageous in the production process. Examples of the leveling agent include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, and other polyoxyethylene alkyl ethers. Nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; Ftop EF301, 303 and 352 (above, trade name, Shin-Akita Kasei) (Made by Co., Ltd.), MegaFuck F171, F172, F173, R-08, R-08, R-30 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Florard FC-430, C-431 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105 SC-106 (above, trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), etc .; organosiloxane polymer KP341 (above, trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); (meth) acrylic acid series Copolymer polyflow no. Examples include acrylic surfactants such as 57, 75, and 95 (trade names, manufactured by Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd.). Two or more of these may be used. Of these, acrylic surfactants are preferred because of their defoaming properties when using thick films.
上記レベリング剤の配合量は、上記フェノール樹脂と上記熱可塑性樹脂との合計100重量部に対して、好ましくは0.01〜20重量部であり、より好ましくは0.1〜5重量部である。 The blending amount of the leveling agent is preferably 0.01 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the phenol resin and the thermoplastic resin. .
本発明の基板表面保護膜用組成物は、25℃における粘度が4〜10000mPa・sである。粘度が上記範囲より低いと被覆性が不十分であり、上記範囲より高いと高粘度すぎて塗布性が不十分になる可能性があり、いずれも不都合である。好ましくは100〜7000mPa・sであり、より好ましくは400〜3000mPa・sである。 The composition for a substrate surface protective film of the present invention has a viscosity at 25 ° C. of 4 to 10,000 mPa · s. If the viscosity is lower than the above range, the coating property is insufficient, and if it is higher than the above range, the coating property may be insufficient due to the excessively high viscosity, both of which are disadvantageous. Preferably it is 100-7000 mPa * s, More preferably, it is 400-3000 mPa * s.
本発明において粘度は、キャノン−フェンスケ粘度計をもちいて、25.0℃の恒温槽のなかで測定することができる。 In the present invention, the viscosity can be measured in a constant temperature bath of 25.0 ° C. using a Canon-Fenske viscometer.
本発明の基板表面保護膜用組成物は、各成分を所定量にて、公知の方法で混合して製造することができ、例えば、ディスパーサー、ミキサー、混練機、ホモジェナイザー、3本ロール等の周知の手段を用いて混合する工程を有する製造方法で得ることができる。また上記のように調製された組成物液は、通常、使用前にろ過される。ろ過の手段としては、例えば孔径0.05〜1.0μmのミリポアフィルターなどが挙げられる。 The composition for a substrate surface protective film of the present invention can be produced by mixing each component in a predetermined amount by a known method. For example, a disperser, a mixer, a kneader, a homogenizer, a three roll It can obtain with the manufacturing method which has the process of mixing using well-known means, such as. Moreover, the composition liquid prepared as mentioned above is usually filtered before use. Examples of the filtering means include a Millipore filter having a pore diameter of 0.05 to 1.0 μm.
本発明の基板表面保護膜用組成物を使用した基板の製造方法はとしては、例えば、微細加工されて凹凸を有する基板表面に、本発明の基板表面保護膜用組成物を塗布して保護膜を形成する工程、こののち、前記保護膜で被覆された基板面の裏面を加工する工程、を含む基板の製造方法を挙げることができる。 Examples of the method for producing a substrate using the composition for substrate surface protective film of the present invention include, for example, applying the composition for substrate surface protective film of the present invention to a substrate surface that is finely processed and having irregularities, and then protecting the film. And a process for processing the back surface of the substrate surface covered with the protective film, and a method for manufacturing the substrate.
凹凸を有する基板表面は、例えば、深さ/孔径比の値が1以上の凹部を有し、また凹凸の段差が、例えば、100μmの、深堀された微細構造であってよいが、これに限るものではない。このような微細加工された凹凸は、例えば、エッチング加工、リソグラフィ加工、レーザー加工、超音波加工等のミリメーターオーダーからマイクロメーターオーダーの微細な構造を形成する微細加工手法で形成することができる。上記基板としては、例えば、半導体基板、ガラス基板、有機材料基板等を挙げることができる。 The substrate surface having irregularities may have, for example, a concave portion having a depth / hole diameter ratio value of 1 or more, and the irregularity step may be a deep microstructure having a depth of, for example, 100 μm. It is not a thing. Such micromachined irregularities can be formed by a micromachining technique that forms a fine structure of millimeter to micrometer order, such as etching, lithography, laser processing, and ultrasonic processing. Examples of the substrate include a semiconductor substrate, a glass substrate, and an organic material substrate.
保護膜を形成する工程においては、本発明の組成物を基板の表面に、例えば、スピンコート、ディプコート、スプレーコート、ロールコート等の手法で塗布する。スピンコートの場合は例えば500〜6000rpm程度で塗布する。塗布厚みは基板の平坦部上において数十μm程度(例えば、20〜30μm)とすればよい。 In the step of forming the protective film, the composition of the present invention is applied to the surface of the substrate by a technique such as spin coating, dip coating, spray coating, or roll coating. In the case of spin coating, for example, coating is performed at about 500 to 6000 rpm. The coating thickness may be about several tens of μm (for example, 20 to 30 μm) on the flat portion of the substrate.
保護膜の成形条件としては、乾燥温度80〜140℃、より好ましくは90〜130℃、硬化時間1〜30分、より好ましくは2〜10分であり、必要によりアフターベークを、100〜150℃、0.5〜3時間行うことができる。 The molding conditions for the protective film include a drying temperature of 80 to 140 ° C., more preferably 90 to 130 ° C., a curing time of 1 to 30 minutes, and more preferably 2 to 10 minutes. , 0.5-3 hours.
前記保護膜で被覆された基板面の裏面を加工する工程においては、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、研磨、研削等の加工を行うことができる。ドライエッチングの場合は、例えば、フッ素系ガスを用いて、Deep RIE法やボッシュプロセスを行うことができる。 In the step of processing the back surface of the substrate surface covered with the protective film, for example, processing such as dry etching, wet etching, polishing, and grinding can be performed. In the case of dry etching, for example, a deep RIE method or a Bosch process can be performed using a fluorine-based gas.
通常、このドライエッチングの過程で保護膜にクラックが入りやすく、本発明の基板表面保護膜用組成物を使用することにより、その可能性が有意に低下する。 Usually, the protective film is easily cracked during the dry etching process, and the possibility is significantly reduced by using the composition for a substrate surface protective film of the present invention.
本発明の製造方法において、裏面を加工する工程ののち、保護膜を、剥離液によって剥離する工程を含むことができる。上記剥離液としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、酢酸エチル等を挙げることができる。剥離する工程においては、さらに超音波処理、スプレー洗浄等の方法で剥離液を除去することができる。 The manufacturing method of the present invention can include a step of peeling the protective film with a peeling solution after the step of processing the back surface. Examples of the stripper include N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), acetone, methyl ethyl ketone (MEK), and ethyl acetate. In the peeling step, the peeling solution can be further removed by a method such as ultrasonic treatment or spray cleaning.
本発明の製造方法において、製造工程は、さらに、ダイシング工程びスクライブ工程を含むことができる。ダイシング工程は半導体後工程のシリコンウエハの切断工程と同様に行うことができる。スクライブ工程はガラス等のスクライブ工程と同様に行うことができる。この場合において、通常は、保護膜を剥離してからダイシング工程を行うが、ダイシング時等の削りくずからも保護することができるので、ダイシング工程やスクライブ工程の最終工程で保護膜を剥離することが望ましい。 In the manufacturing method of the present invention, the manufacturing process can further include a dicing process and a scribe process. The dicing process can be performed in the same manner as the silicon wafer cutting process in the semiconductor post-process. The scribing process can be performed in the same manner as the scribing process for glass or the like. In this case, the dicing process is usually performed after the protective film is peeled off. However, since the protective film can be protected from shavings during dicing, the protective film is peeled off at the final step of the dicing process or the scribe process. Is desirable.
本発明の基板の製造方法は、MEMS、LED、パワーデバイス、半導体回路、液晶表示装置、タッチパネル等の各種の基板に適用可能であって、とくに両面加工された基板の製造に好適に適用可能である。 The substrate manufacturing method of the present invention can be applied to various substrates such as MEMS, LEDs, power devices, semiconductor circuits, liquid crystal display devices, touch panels and the like, and can be suitably applied particularly to the manufacture of double-sided substrates. is there.
以下に実施例によって本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下において略語の意味は次のとおり。
樹脂1:Mw=1万、環球法で測定した軟化点190℃(メタクレゾール60phr/パラクレゾール40phr/ベンズアルデヒド100phrを通常の手法により重縮合させて取り出したフェノール樹脂)。
樹脂2:Mw=8000、環球法で測定した軟化点150℃(メタクレゾール60phr/パラクレゾール40phr/ベンズアルデヒド50phr/ホルムアルデヒド50phrを通常の手法により重縮合させて取り出したフェノール樹脂)。
EPR6040A:フェノール樹脂、Mw=2800、環球法で測定した軟化点130℃、旭有機材工業社製。
樹脂A:メタクリル酸メチル50phr、メタクリル酸ブチル30phr、メタクリル酸20phrを共重合させたアクリル樹脂(Mw=4.3万、Tg=80℃)。
樹脂B:メタクリル酸メチル55phr、アクリル酸ブチル15phr、メタクリル酸20phrを共重合させたアクリル樹脂(Mw=4.6万、Tg=65℃)。
樹脂C:メタクリル酸メチル40phr、アクリル酸ブチル40phr、メタクリル酸20phrを共重合させたアクリル樹脂(Mw=3.0万、Tg=19℃)。
樹脂D:メタクリル酸メチル30phr、アクリル酸ブチル60phr、メタクリル酸20phrを共重合させたアクリル樹脂(Mw=4.0万、Tg=−4℃)。
ACA Z320:アクリル樹脂、Mw=2.3万、Tg=140℃、ダイセル・サイテック社製。
BYK−381:アクリル系レベリング剤、BYKジャパン社製。
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ダイセル化学社製。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following, the meanings of the abbreviations are as follows.
Resin 1: Mw = 10,000, softening point 190 ° C. measured by ring and ball method (phenol resin taken out by polycondensation of metacresol 60 phr / paracresol 40 phr / benzaldehyde 100 phr by a usual method).
Resin 2: Mw = 8000, softening point 150 ° C. measured by ring and ball method (phenol resin taken out by polycondensation of metacresol 60 phr / paracresol 40 phr / benzaldehyde 50 phr / formaldehyde 50 phr by a usual method).
EPR6040A: phenol resin, Mw = 2800, softening point measured by ring and ball method, 130 ° C., manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.
Resin A: Acrylic resin (Mw = 43,000, Tg = 80 ° C.) obtained by copolymerization of methyl methacrylate 50 phr, butyl methacrylate 30 phr, and methacrylic acid 20 phr.
Resin B: An acrylic resin (Mw = 46,000, Tg = 65 ° C.) obtained by copolymerization of 55 phr methyl methacrylate, 15 phr butyl acrylate, and 20 phr methacrylic acid.
Resin C: Acrylic resin copolymerized with 40 phr methyl methacrylate, 40 phr butyl acrylate, and 20 phr methacrylic acid (Mw = 30,000, Tg = 19 ° C.).
Resin D: Acrylic resin (Mw = 40,000, Tg = −4 ° C.) obtained by copolymerization of 30 phr of methyl methacrylate, 60 phr of butyl acrylate, and 20 phr of methacrylic acid.
ACA Z320: acrylic resin, Mw = 23,000, Tg = 140 ° C., manufactured by Daicel-Cytec.
BYK-381: Acrylic leveling agent, manufactured by BYK Japan.
PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate, manufactured by Daicel Chemical Industries.
実施例1〜6、比較例1〜6
保護膜用組成物の作成
表1の配合(重量部)により各成分をあわとり錬太郎ARV−310(シンキー)により混合して、それぞれ保護膜用組成物を得た。
Examples 1-6, Comparative Examples 1-6
Preparation of Composition for Protective Film Each component was mixed with Awatori Rentaro ARV-310 (Sinky) according to the formulation (parts by weight) shown in Table 1 to obtain a composition for protective film.
評価用基板の作成
つぎに、各組成物を、深さ/孔径比の値が3の凹部を有し、凹凸の段差が100μmの、ドライエッチ加工により深堀された微細構造を有する半導体基板にスピンコートし、平坦部上において5〜30μmの膜厚の保護膜を塗布した。つぎに、120℃、5分の条件で溶媒を乾燥させ、成膜性、表面タック性、クラック耐性、耐薬品性、剥離性を以下の方法で評価した。結果を表2に示した。
Preparation of Evaluation Substrate Next, each composition was spun onto a semiconductor substrate having a recess having a depth / hole diameter ratio value of 3 and a recess / protrusion step of 100 μm and having a fine structure deeply etched by dry etching. Then, a protective film having a thickness of 5 to 30 μm was applied on the flat portion. Next, the solvent was dried at 120 ° C. for 5 minutes, and the film forming property, surface tack property, crack resistance, chemical resistance, and peelability were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 2.
評価方法
<成膜性評価>
上記で得られた保護膜サンプルを、掘削装置SAICAS DN−5S型(ダイプラ・ウィンテス)を用いて、膜の状態を観察した。膜として割れ及び砕けを生じることなく削れる場合は記号(○)、割れ又は砕けを生じる場合は記号(×)で示した。
<表面タック性評価>
保護膜面を装置の静電チャック側に向けてセットし、保護膜の裏面側をRIE−200iPを用いてドライエッチング処理を行った後、装置から取り出し、保護膜の剥がれ・表面荒れを観察した。この時ドライエッチ加工の熱により、保護膜の剥がれ(装置への転着)が生じない場合は記号(○)、剥がれが生じた場合は記号(×)で示した。
<クラック耐性評価>
上記ドライエッチング処理を行った後、光学顕微鏡を用いてクラックを観察した。クラックが観察されなかった場合は記号(○)、クラックが観察された場合は記号(×)一部に問題があった場合は記号(△)で示した。
<薬品耐性評価>
上記ドライエッチ処理を行った後、保護膜サンプルを5%フッ化アンモニウム水溶液に23℃、10分間浸漬し、保護膜下への薬液の浸み込みを観察した。浸み込みが無い場合は記号(○)、浸み込みが観察された場合は記号(×)、一部に問題があった場合は記号(△)で示した。ただし、比較例1、2はクラックが入り、評価継続不能なので評価しなかった。
<剥離性評価>
上記ドライエッチ処理を行った後、保護膜サンプルをNMP/80℃/60分処理を行い、剥離残渣を観察した。剥離残渣を生じない場合は記号(○)、残渣を生じる場合は記号(×)で示した。ただし、比較例1、2はクラックが入り、評価継続不能なのでなので評価しなかった。
Evaluation method <Evaluation of film formability>
Using the excavator SAICAS DN-5S (Daipura Wintes), the state of the film was observed for the protective film sample obtained above. When the film can be scraped without causing cracks and breakage, it is indicated by a symbol (◯), and when it is cracked or broken, it is indicated by a symbol (x).
<Surface tackiness evaluation>
The protective film surface was set facing the electrostatic chuck side of the apparatus, and the back surface side of the protective film was dry-etched using RIE-200iP, then removed from the apparatus, and the protective film was peeled off and the surface roughness was observed. . At this time, when the protective film does not peel off (transfer to the apparatus) due to the heat of the dry etching process, it is indicated by a symbol (◯), and when the peeling occurs, it is indicated by a symbol (X).
<Crack resistance evaluation>
After the dry etching treatment, cracks were observed using an optical microscope. When no crack was observed, it was indicated by a symbol (◯), when a crack was observed, the symbol (X) was indicated by a symbol (Δ) when there was a problem.
<Chemical resistance evaluation>
After the dry etching treatment, the protective film sample was immersed in a 5% aqueous ammonium fluoride solution at 23 ° C. for 10 minutes, and the penetration of the chemical solution under the protective film was observed. When there was no penetration, it was indicated by a symbol (◯), when penetration was observed, it was indicated by a symbol (X), and when there was a problem, it was indicated by a symbol (Δ). However, Comparative Examples 1 and 2 were not evaluated because cracks occurred and evaluation could not be continued.
<Peelability evaluation>
After the dry etching treatment, the protective film sample was treated with NMP / 80 ° C./60 minutes, and the peeling residue was observed. The symbol (◯) indicates that no peeling residue is generated, and the symbol (×) indicates that a residue is generated. However, Comparative Examples 1 and 2 were not evaluated because cracks occurred and evaluation could not be continued.
これらの結果から、実施例の組成物は、耐クラック性に優れ、しかも深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、保護膜の粘着性を抑えたものであることが実証された。 From these results, it was proved that the compositions of the examples were excellent in crack resistance, had good resin embedding performance with respect to the deeply uneven fine irregularities, and suppressed adhesiveness of the protective film. .
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