JP5866189B2

JP5866189B2 - 高分子化合物及びその製造方法、並びに、発光素子

Info

Publication number: JP5866189B2
Application number: JP2011262556A
Authority: JP
Inventors: 後藤　修; 修後藤; 芙美子加古; 雅之曽我; 一栄大内
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2010-11-30
Filing date: 2011-11-30
Publication date: 2016-02-17
Anticipated expiration: 2031-11-30
Also published as: TWI525122B; EP2647655A1; KR20140018200A; JP2012131995A; US20130248778A1; WO2012073903A1; TW201231489A; KR101805962B1; EP2647655A4; CN103237829B; US9478744B2; CN103237829A

Description

本発明は、高分子化合物及びその製造方法、高分子化合物を用いた組成物、溶液、薄膜及び発光素子、並びに、発光素子を備える面状光源及び表示素子に関する。

溶媒に可溶な高分子量の発光材料は、塗布法により発光素子における有機層を形成できることから検討されている。この発光材料としては、ポリフルオレン類等のランダム共重合体が知られている（特許文献１）。

また、上記の発光材料としては、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物をドーパントとし、これをホスト材料にドーピングした組成物が知られている。この組成物に用いられるホスト材料は、最低三重項励起エネルギー（以下、「Ｔ１エネルギー」と言う。）が高いことが重要である。

例えば、赤色よりも短波長の発光色を示す燐光発光性化合物に対して、Ｔ１エネルギーが高いホスト材料として、特定の構成単位を組み合わせて含むメタフェニレン系高分子化合物が提案されている（特許文献２）。

特開２００１−１５１８６８号公報国際公開２０１０／０８４９７７号パンフレット

しかしながら、上述した高分子化合物を用いた発光材料は、発光素子の有機層に適用した場合、低い駆動電圧では十分な輝度が得られない傾向にあった。

そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、発光素子の有機層に適用した場合に、低い駆動電圧でも十分な輝度が得られる、高分子化合物を提供することを目的とする。

本発明はまた、このような高分子化合物の製造方法、本発明の高分子化合物を用いた組成物、溶液、薄膜及び発光素子、並びに、発光素子を備える面状光源及び表示素子を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の高分子化合物は、第１の基を２つ以上含むとともに、この第１の基同士が式（０−０）で表される第２の基によって連結された構造を含むブロック（Ａ）を含み、第１の基として、式（０−１）で表される基及び式（０−２）で表される基の少なくとも一方を有するものであることを特徴とする。

式（０−０）中、Ａｒ^０は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基であって第１の基とは異なる構造を有する基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。ｎはＡｒの平均連鎖長を表し、１．０以上８．０以下の数である。

式（０−１）及び式（０−２）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５、Ｘ^１６、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５及びＸ^１６のうちの２つ又は３つは窒素原子であり、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５のうちの３つは窒素原子である。式（０−１）で表される基及び式（０−２）で表される基は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。

上記本発明の高分子化合物は、式（０−１）又は式（０−２）で表される基が式（０−０）で表される基によって連結された構造を含むブロック（Ａ）を含むことから、例えば、燐光発光性化合物のホスト材料として用い、発光素子の有機層を形成した場合に、低電圧駆動でも十分な輝度が得られる。

上述した効果がより良好に得られるので、式（０−０）で表される基におけるｎは、１．０以上６．５以下の数であると好ましく、１．５以上５．０以下の数であるとより好ましい。

本発明の高分子化合物が有するブロック（Ａ）としては、式（０）で表される構成単位を複数含むものが好ましい。この場合、低電圧駆動させた場合でも更に高い輝度が得られ易くなる。

式（０）中、Ｚは、式（０−１）で表される基又は式（０−２）で表される基を表す。
Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂは、それぞれ独立に、Ａｒ^０と同義であってＺとは異なる構造を有する基である。Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｓ_１及びｓ_２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。

式（０）で表される構成単位において、Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂは、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフタレン−ジイル基、フルオレン−ジイル基及びジヒドロフェナントレン−ジイル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基であると好適である。

より具体的には、式（０）で表される構成単位として、式（２）で表される構成単位を含むと、上述した効果が更に得られ易くなる。

式（２）中、Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂは、それぞれ、前記Ａｒ^０ａ及び前記Ａｒ^０ｂと同義である。ただし、Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂは、１,３,５−トリアジン−ジイル基とは異なる基である。Ａｒ^２ｃは、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｔ_１及びｔ_２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。

式（２）で表される構成単位においても、Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂは、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフタレン−ジイル基、フルオレン−ジイル基及びジヒドロフェナントレン−ジイル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基であると好適である。

ブロック（Ａ）は、上記式（２）で表される構成単位と、式（Ｉ）で表される構成単位とを含むとより好ましい。このようなブロック（Ａ）を有することで、上述した効果がさらに得られ易くなる。

［式（Ｉ）中、Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。］

式（Ｉ）で表される構成単位としては、式（３）で表される構成単位及び式（４）で表される構成単位（式（２）で表される構成単位及び式（３）で表される構成単位とは異なる。）からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むとより好ましい。

式（３）中、Ａｒ^３ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ｒ^３ａは、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基であって、Ａｒ^３ａにおける他の構成単位との結合手を形成している部位の隣の置換位に置換している基である。Ｒ^３ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｇは１から４の整数であり、１または２であることが好ましく、２であることがより好ましい。

式（４）中、Ａｒ^４ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を、置換基として有していてもよい。Ａｒ^４ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｋは１から３の整数である。

ブロック（Ａ）は、式（３）で表される構成単位を含む場合、上記式（２）で表される構成単位の両側に、式（３）で表される構成単位が隣接した構造を有していると好ましい。また、式（３）又は式（４）で表される構成単位を含む場合、式（３）又は式（４）で表される構成単位の両側に、式（２）で表される構成単位が隣接した構造を有していると好ましい。

ここで、式（３）で表される構成単位としては、式（１）で表される構成単位及び式（７）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１ａは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基又は置換アミノ基を表し、Ｒ^１ｂ及びＲ^１ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。Ｒ^１ａとＲ^１ｃの少なくとも一方は、水素原子以外の基を有する。なお、２つのＲ^１ｃは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

式（７）中、Ｒ^７ａ及びＲ^７ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、Ｒ^７ｂ及びＲ^７ｄは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。

一方、式（４）で表される構成単位としては、式（９）で表される構成単位、式（１０）で表される構成単位及び式（１１）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましい。

［式（９）中、Ｒ^９ａ及びＲ^９ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表し、Ｒ^９ａとＲ^９ｃとが互いに結合して環構造を形成してもよい。］

本発明の高分子化合物は、上記ブロック（Ａ）と、これとは異なる構造を有するブロック（Ｂ）とを組み合わせて有する構造であると好適である。

その場合、高分子化合物において、ブロック（Ｂ）は、式（ＶＩＩ）で示される値が０．５以下となるように含まれていると、低駆動電圧でも十分な輝度が得られ易くなる傾向にある。

［Ｂ］／［Ａ］（ＶＩＩ）
［式（ＶＩＩ）中、［Ａ］は、ブロック（Ａ）に含まれる前記式（０）で表される構成単位のモル％を示し、［Ｂ］は、ブロック（Ｂ）に含まれる前記式（０）で表される構成単位のモル％を示す。］

上記の効果が一層得られ易くなるので、ブロック（Ｂ）は、式（ＩＢ）で表される構成単位及び／又は式（ＩＩ）で表される構成単位を含むとさらに好適である。

［式（ＩＢ）中、Ａｒ^１Ｂは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。式（ＩＩ）中、Ａｒ^２は、２価の芳香族アミン残基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。］

ここで、ブロック（Ｂ）は、式（ＩＢ）で表される構成単位として、式（３Ｂ）で表される構成単位及び式（４Ｂ）で表される構成単位（式（３Ｂ）で表される構成単位とは異なる。）からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、式（ＩＩ）で表される構成単位として、式（５）で表される構成単位を含むとより好ましい。

式（３Ｂ）中、Ａｒ^３１ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ｒ^３１ａは、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基であって、Ａｒ^３１ａにおける他の構成単位との結合手を形成している部位の隣の置換位に置換している基である。Ｒ^３１ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｇ_Ｂは１から４の整数であり、１または２であることが好ましく、２であることがより好ましい。

式（４Ｂ）中、Ａｒ^４１ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を、置換基として有していてもよい。Ａｒ^４１ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｋ_Ｂは１から３の整数である。

式（５）中、Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ及びＡｒ^５ｈは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ及びＡｒ^５ｇは、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ、Ａｒ^５ｇ及びＡｒ^５ｈは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を、置換基として有していてもよい。Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ及びＡｒ^５ｇで表される基は、それぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接結合するか、或いは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(＝Ｏ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｏ−、−Ｎ(Ｒ^Ａ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｎ(Ｒ^Ａ)−、又は−Ｃ(Ｒ^Ａ)_２−で表される基を介して結合して、５〜７員環を形成していてもよい。これらの式中のＲ^Ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表す。Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ及びＡｒ^５ｈが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｎ_１及びｎ_２は、それぞれ独立に、０又は１であり、ｎ_３は、０又は正の整数であり、ｎ_４、ｎ_５、ｎ_６及びｎ_７は、それぞれ独立に、正の整数である。

また、式（ＩＢ）で表される構成単位としては、式（１Ｂ）で表される構成単位、式（７Ｂ）で表される構成単位、式（９Ｂ）で表される構成単位、式（１０Ｂ）で表される構成単位及び式（１１Ｂ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むものも好適である。

式（１Ｂ）中、Ｒ^１１ａは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基又は置換アミノ基を表し、Ｒ^１１ｂ及びＲ^１１ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。なお、２つのＲ^１１ｃは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

式（７Ｂ）中、Ｒ^７１ａ及びＲ^７１ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、Ｒ^７１ｂ及びＲ^７１ｄは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。

式（９Ｂ）中、Ｒ^９１ａ及びＲ^９１ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、又はアラルキル基を表し、Ｒ^９１ａとＲ^９１ｃとが互いに結合して環を形成してもよい。

本発明の高分子化合物は、上記ブロック（Ａ）、上記ブロック（Ｂ）、並びに、ブロック（Ａ）及びブロック（Ｂ）とは異なるブロックからなる群より選ばれる少なくとも１種のブロックに、燐光発光性化合物から誘導される構成単位が含まれることが好ましい。これにより、一層優れた発光効率が得られるようになるほか、発光素子の製造における作業性も向上することが可能となる。

燐光発光性化合物から誘導される構成単位としては、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム及びユーロピウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を中心金属として有する燐光発光性化合物から誘導される構成単位が好適である。

また、本発明の高分子化合物においては、ブロック（Ａ）に含まれている式（０）で表される構成単位の割合が、高分子化合物の全構成単位に対して５〜４０モル％であり、且つ、ブロック（Ａ）の全構成単位に対して５〜１００モル％であると好ましい。このような条件を満たす高分子化合物によれば、低電圧駆動で十分な輝度が得られ、しかも輝度安定性に優れるという効果が得られるようになる。

さらに、かかる効果が一層良好に得られるので、高分子化合物において、式（０）で表される構成単位、式（３）で表される構成単位、式（４）で表される構成単位、式（３Ｂ）で表される構成単位、式（４Ｂ）で表される構成単位及び式（５）で表される構成単位の合計の質量の比率が、高分子化合物の全質量を１．０としたとき、０．９以上であると好適である。また、高分子化合物は、式（Ｖ）で示される値が、０．０１以上０．８以下である条件を満たすものであると更に好ましい。

［Ｃ］／［Ｄ］（Ｖ）
［式（Ｖ）中、［Ｃ］は、前記ブロック（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量を示し、［Ｄ］は、高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。］

本発明はまた、上記本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物を提供する。この組成物は、発光素子における発光層を形成するための材料として好適であり、かかる組成物により形成された発光層を備える発光素子は、低電圧駆動でも十分な輝度が得られるものとなる。

この組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料としては、燐光発光性化合物を含むことが特に好ましい。また、燐光発光性化合物が、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム及びユーロピウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を中心金属として有する燐光発光性化合物であることが好ましく、具体的には、式（８）で表される構造を含む化合物であることがさらに好ましい。

［式（８）中、Ｍは、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム及びユーロピウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を表す。Ａ環は、単環でも縮合環でもよく、式中のＮ以外にヘテロ原子を有してもよい芳香族複素環を表す。Ｂ環は、単環でも縮合環でもよい芳香環を表す。Ｒは置換基を表し、Ｒが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ及びｍｍは０又は正の整数を表す。］

また、本発明は、本発明の高分子化合物と溶媒とを含有する溶液を提供する。かかる溶液によれば、上述したような発光層を、塗布等の簡便な手法によって容易に形成することが可能となる。

さらに、本発明は、上記本発明の高分子化合物を含む薄膜を提供する。本発明の薄膜は、発光素子等の有機層（特に発光層）に良好に適用することができ、必要な輝度を得るための電圧を低減できるものである。

また、本発明は、上記本発明の高分子化合物を含む有機層を備える発光素子を提供する。かかる発光素子は、発光層が本発明の高分子化合物を含むことから、低電圧駆動でも十分な輝度が得られるものとなる。そのような効果は、特に、有機層が発光層である場合に良好に得ることができる。

さらに、本発明は、本発明の発光素子を備える面状光源及び表示素子を提供する。これらの面状光源や表示素子は、本発明の発光素子を備えるので、低い駆動電圧で明るい照明や表示が可能である。

また、本発明の高分子化合物の製造方法は、式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む第１の単量体混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む第１の化合物を合成する第１工程と、第１の化合物と、第１の化合物とは異なる構造を有し且つ第１の化合物と縮合重合することが可能な第２の化合物とを縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有することを特徴とする。このような高分子化合物の製造方法によれば、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物が確実に得られるようになる。

式（Ｒ−０）及び式（０）中、Ｚは、式（０−１）で表される基又は式（０−２）で表される基を表す。Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基であってＺとは異なる構造を有する基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｓ_１及びｓ_２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。

式（Ｒ−Ｉ）中、Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。

式（Ｒ−０）及び式（Ｒ−Ｉ）中、Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^２１及びＷ^２２は、それぞれ独立に、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基である。

本発明の高分子化合物の製造方法において、第２工程においては、上記第２の化合物として、上記式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む第２の単量体混合物を用いることが好適である。これにより、低電圧駆動で十分な輝度が得られ易くなる。

また、本発明の高分子化合物の製造方法は、式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む第１の単量体混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む第１の化合物を得る第１工程と、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む第２の単量体混合物を縮合重合させて、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含む第２の化合物を得る第２工程と、第１の化合物と第２の化合物とを縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）と、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含むブロック（Ｂ）と、を有する高分子化合物を得る第３工程とを有することを特徴としてもよい。このような製造方法によっても、上記本発明の高分子化合物を容易に得ることが可能となる。

式（Ｒ−ＩＩ）及び式（ＩＩ）中、Ａｒ^２は、２価の芳香族アミン残基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。

式（Ｒ−０）、式（Ｒ−Ｉ）及び式（Ｒ−ＩＩ）中、Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^２１、Ｗ^２２、Ｗ^３１及びＷ^３２は、それぞれ独立に、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基である。

また、本発明の高分子化合物の製造方法は、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む第１の単量体混合物を縮合重合させて、第１の化合物を合成する第１工程と、第１の化合物と、式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、第１の化合物と、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む第２の単量体混合物とを縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有することを特徴としてもよい。このような製造方法によっても、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を容易に得ることが可能となる。

式（Ｒ−ＩＩ）中、Ａｒ^２は、２価の芳香族アミン残基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。

本発明によれば、発光素子の有機層に適用した場合に、低い駆動電圧でも十分な輝度が得られる、高分子化合物を提供することが可能となる。このような高分子化合物は、特に、燐光発光性化合物のホスト材料として好適であり、優れた電荷（正孔及び電子を意味し、以下、同様である。）輸送性を発揮することができる。本発明の好ましい実施形態では、更に、長時間駆動させた場合であっても優れた輝度安定性を得ることが可能であるという効果も奏する高分子化合物を提供することが可能となる。

また、本発明によれば、上記本発明の高分子化合物を得るのに好適な製造方法、本発明の高分子化合物を用いた組成物、溶液、薄膜及び発光素子、並びに、発光素子を備える面状光源及び表示素子を提供することが可能となる。

好適な例に係る発光素子の断面構成を模式的に示す図である。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

［用語の説明］
まず、本明細書において用いている用語について説明する。本明細書において、「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味し、この構成単位は、「繰り返し単位」（即ち、高分子化合物中に２個以上存在する単位）として高分子化合物中に存在するものであると好ましい。

「ｎ価の芳香族複素環基」（ｎは１又は２である）とは、芳香族性を示す複素環式化合物から、芳香環又は複素環に直接結合している水素原子のうちｎ個の水素原子を除いた原子団を意味し、縮合環を有するものも含む。「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する原子として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子等のヘテロ原子を含む化合物をいう。

「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール等のヘテロ原子を含む複素環式化合物であり、複素環自体が芳香族性を示す化合物、或いは、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等のヘテロ原子を含む複素環それ自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

また、本明細書において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表し、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表し、ｔＢｕ、ｔ−Ｂｕ及びｔ−ブチル基はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

本明細書において、「ブロック」とは、高分子化合物の一部分を構成しており、所定の構成単位の連鎖構造からなり、そのブロックに含まれている構成単位の構成比率が、当該ブロック以外の部分には実質的に存在しない構成上あるいは配置上の特徴を少なくとも一つもつものである。

本明細書におけるブロックを有する高分子化合物中では、互いに隣接するブロック同士は構成（化学構造）が異なっている。すなわち、隣接するブロックは異なるモノマーから得られる構成単位で構成されているか、または、同種のモノマーから得られる構成単位からなるブロックであってもその組成または連鎖分布が異なっている。

例えば、ブロックを有する高分子化合物は、ある特定のブロックとその他のブロック、またはある特定のブロックとある特定のブロックとを接合する基について、構成上あるいは配置上の特徴に違いがあることを意味する。

なお、高分子化合物において、ブロックの構成は、構成単位の含有量、又は平均連鎖長を推測できればよく、そのブロックについて完全に算出又は特定できなくてもよい。

［置換基の説明］
次に、本明細書に示した各種の置換基について具体的に説明する。本明細書では、特別な説明がない限り、各置換基は以下に説明されるものとする。

（アルキル基）
アルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状であり、炭素数が１〜２０のものが好ましい。アルキル基における水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。

（アリール基）
アリール基は、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環を有するものを含む。アリール基は、炭素数が６〜６０のものが好ましく、６〜４８のものがより好ましく、６〜２０のものが更に好ましく、６〜１４のものが一層好ましい。炭素数には、置換基の炭素数は含まない。アリール基における水素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。アリール基としては、置換又は非置換のフェニル基等が挙げられる。

（１価の芳香族複素環基）
１価の芳香族複素環基は、炭素数が通常２〜６０であり、３〜６０のものが好ましく、３〜２０のものがより好ましい。炭素数には、置換基の炭素数は含まない。１価の芳香族複素環基としては、２−オキサジアゾリル基、２−チアジアゾリル基、２−チアゾリル基、２−オキサゾリル基、２−チエニル基、２−ピロリル基、２−フリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピラジル基、２−ピリミジル基、２−トリアジル基、３−ピリダジル基、３−カルバゾリル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基等が挙げられる。１価の芳香族複素環基における水素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。

（アルコキシ基）
アルコキシ基は、直鎖状、分岐状又は環状であり、炭素数が１〜２０のものが好ましい。アルコキシ基におけるアルキル基部分としては、上記アルキル基として例示したものと同様の基が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基（ｔｅｒｔ−ブトキシ基）、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基、２−エトキシエチルオキシ基等が挙げられる。

（アリールオキシ基）
アリールオキシ基は、炭素数が６〜６０のものが好ましい。アリールオキシ基におけるアリール基部分としては、上記アリール基として例示したものと同様の基が挙げられる。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基（「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数１〜１２であることを示す。以下、同様に表記は同様のことを意味する。）、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。

（アラルキル基）
アラルキル基は、炭素数が７〜６０のものが好ましい。アラルキル基におけるアルキル基部分としては、上記アルキル基として例示したものと同様の基が挙げられ、アリール基部分としては、上記アリール基として例示したものと同様の基が挙げられる。アラルキル基としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基等が挙げられる。

（アリールアルコキシ基）
アリールアルコキシ基は、炭素数が７〜６０のものが好ましい。アリールオキシ基におけるアリール基部分としては、上記アリール基として例示したものと同様の基が挙げられる。アリールアルコキシ基としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基等が挙げられる。

（置換アミノ基）
置換アミノ基は、炭素数が２〜６０のものが好ましい。置換アミノ基としては、水素原子の一部又は全部が、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の芳香族複素環基で置換されたアミノ基が挙げられる。置換アミノ基には、アミノ基の置換基同士が直接、若しくは炭素原子、酸素原子、硫黄原子等を介して結合して縮合環を形成したものも含まれる。置換アミノ基としては、ジアルキル置換アミノ基、ジアリール置換アミノ基が好ましい。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−４−トリルアミノ基、ジ−４−ｔ−ブチルフェニルアミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）アミノ基、Ｎ−カルバゾリル基、Ｎ−フェノキサジニル基、Ｎ−アクリジニル基、Ｎ−フェノチアジニル基等が挙げられる。

（置換カルボニル基）
置換カルボニル基は、炭素数が２〜６０のものが好ましい。置換カルボニル基としては、水素原子の一部又は全部が、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の芳香族複素環基で置換されたカルボニル基が挙げられる。より具体的には、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。

（置換カルボキシル基）
置換カルボキシル基は、炭素数が２〜６０のものが好ましい。置換カルボキシル基としては、水素原子の一部又は全部が、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の芳香族複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられる。より具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等が挙げられる。

（アリーレン基）
アリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団を意味し、縮合環を有するものを含む。アリーレン基は、炭素数が６〜６０のものが好ましい。炭素数には、置換基の炭素数は含まない。
アリーレン基としては、１，４−フェニレン基（下記の式００１で表される基、以下同様。）、１，３−フェニレン基（式００２）、１，２−フェニレン基（式００３）等のフェニレン基；ナフタレン−１，４−ジイル基（式００４）、ナフタレン−１，５−ジイル基（式００５）、ナフタレン−２，６−ジイル基（式００６）等のナフタレンジイル基；４，５−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（式００７）等のジヒドロフェナントレンジイル基；フルオレン−３，６−ジイル基（式００８）、フルオレン−２，７−ジイル基（式００９）等のフルオレンジイル基；９，９´−スピロフルオレン−２，７−ジイル基（式０１０）、９，９´−スピロフルオレン−３，６−ジイル基（式０１１）、９，９´−スピロフルオレン−２，２’−ジイル基（式０１２）等の９，９´−スピロフルオレンジイル基；（式０１３）等のインデノフルオレンジイル基；（式０１４）等の５，１０−ジヒドロインデノインデンジイル基等が挙げられる。

式００１〜０１４中、Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。Ｒａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表す。式中に複数存在するＲは、同一であっても異なっていてもよく、複数存在するＲａは、同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒａが同一基内に複数存在する場合、それらは一緒になって環構造を形成してもよい。

式００１〜０１４中、Ｒとしては、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基がより好ましい。

式００１〜０１４中、Ｒａとしては、アリール基、アルキル基が好ましく、非置換又はアルキル基、アルコキシ基若しくはアリール基で置換されたアリール基、アルキル基がより好ましい。

式００１〜０１４中、Ｒａが複数存在する場合に形成する環構造としては、非置換又はアルキル基で置換されたシクロペンチル環、シクロヘキシル環、シクロヘプチル環が好ましい。このようにＲａが同一基内に複数存在しており、かつ環構造を形成している場合のアリーレン基としては、下記式０１５〜０１７で表される構造を有するもの等が挙げられる。

上述したアリーレン基には、ベンゼン環を持つもの、縮合環を持つもののほか、独立したベンゼン環又は縮合環の２個以上が単結合又は２価の基を介して結合した基も含まれる。例えば、このようなアリーレン基としては、ビフェニル−ジイル基（例えば、下記式ＢＰ−１〜ＢＰ−６で表される基）、ターフェニル−ジイル基（例えば、下記式ＴＰ−１〜ＴＰ−７で表される基）が挙げられる。なお、これらの式中のＲは、上記と同義である。

（２価の芳香族複素環基）
２価の芳香族複素環基は、芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を有するものも含む。２価の芳香族複素環基は、炭素数が通常２〜６０であり、３〜６０のものが好ましい。炭素数には、置換基の炭素数は含まない。２価の芳香族複素環基としては、ピリジン−２，５−ジイル基（式１０１）、ピリジン−２，６−ジイル基（式１０２）等のピリジンジイル基；ピリミジン−４，６−ジイル基（式１０３）等のピリミジンジイル基；トリアジン−２，４−ジイル基（式１０４）；ピラジン−２，５−ジイル基（式１０５）等のピラジンジイル基；ピリダジン−３，６−ジイル基（式１０６）等のピリダジンジイル基；キノリン−２，６−ジイル基（式１０７）等のキノリンジイル基；イソキノリン−１，４−ジイル基（式１０８）等のイソキノリンジイル基；キノキサリン−５，８−ジイル基（式１０９）等のキノキサリンジイル基；カルバゾール−３，６−ジイル基（式１１０）、カルバゾール−２，７−ジイル基（式１１１）等のカルバゾールジイル基；ジベンゾフラン−２，８−ジイル基（式１１２）、ジベンゾフラン−３，７−ジイル基（式１１３）等のジベンゾフランジイル基；ジベンゾチオフェン−２，８−ジイル基（式１１４）、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基（式１１５）等のジベンゾチオフェンジイル基；ジベンゾシロール−２，８−ジイル基（式１１６）、ジベンゾシロール−３，７−ジイル基（式１１７）等のジベンゾシロールジイル基；（式１１８）、（式１１９）等のフェノキサジンジイル基；（式１２０）、（式１２１）等のフェノチアジンジイル基；（式１２２）等のジヒドロアクリジンジイル基；式１２３で表される２価の基；ピロ−ル−２，５−ジイル基（式１２４）等のピロールジイル基；フラン−２，５−ジイル基（式１２５）等のフランジイル基；チオフェン−２，５−ジイル基（式１２６）等のチオフェンジイル基；ジアゾール−２，５−ジイル基（式１２７）等のジアゾールジイル基；トリアゾール−２，５−ジイル基（式１２８）等のトリアゾールジイル基；オキサゾール−２，５−ジイル基（式１２９）等のオキサゾールジイル基；オキサジアゾール−２，５−ジイル基（式１３０）；チアゾール−２，５−ジイル基（式１３１）等のチアゾールジイル基；チアジアゾール−２，５−ジイル基（式１３２）等が挙げられる。

なお、下記式１０１〜１３２中のＲ及びＲａは、上記と同義である。

［高分子化合物］
次に、好適な実施形態に係る高分子化合物について説明する。

本実施形態の高分子化合物は、複数の第１の基Ｚが、式（０−０）で表される基によって連結された構造を含み、且つ、第１の基Ｚとして、式（０−１）及び式（０−２）で表される基の少なくとも一方を有するブロック（Ａ）を有する。また、高分子化合物は、ブロック（Ａ）とは異なる構造のブロック、例えば、後述するブロック（Ｂ）やその他のブロックを有していてもよい。以下、高分子化合物を構成する各ブロックについて説明する。

（ブロック（Ａ））
ブロック（Ａ）は、複数の第１の基Ｚが、式（０−０）で表される基によって連結された構造を含むものである。すなわち、ブロック（Ａ）においては、２つの第１の基Ｚの間には、一つ以上のＡｒ^０で表される基が存在している。式（０−０）におけるｎは、Ａｒ^０の平均連鎖長を表し、１．０以上８．０以下の数である。ここで、Ａｒ^０の平均連鎖長とは、ブロック（Ａ）を構成している第１の基ＺとＡｒ^０とを、それらの存在比に応じて仮に均等に配置させた場合に、ＺとＺの間に配置されることになるＡｒ^０の数を意味する。ブロック（Ａ）において、ｎは、１．０以上６．５以下の数であると好ましく、１．５以上５．０以下の数であるとより好ましい。ｎの値が好ましい範囲であるほど、低電圧駆動させたときの輝度を向上させることが容易となる傾向にある。

＜式（０）で表される構成単位＞
ブロック（Ａ）は、上記の式（０）で表される構成単位を複数含む構造を有すると好ましい。式（０）において、Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂとしては、フェニレン基、ナフタレン−ジイル基、フルオレン−ジイル基及びジヒドロフェナントレン−ジイル基からなる群より選ばれる少なくとも１種のアリーレン基が好ましい。なかでも、１，４−フェニレン基（上記式００１）、４，４’−ビフェニル−ジイル基（上記式ＢＰ−１）がより好ましく、非置換の１，４−フェニレン基、４，４’−ビフェニル−ジイル基が特に好ましい。

式（０）で表される構成単位としては、上記の式（２）で表される構成単位が好ましい。式（２）中、Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂで表される基としては、アリーレン基が好ましく、特にフェニレン基、ナフタレン−ジイル基、フルオレン−ジイル基、及びジヒドロフェナントレン−ジイル基が好ましい。なかでも、１，４−フェニレン基（上記式００１）、４，４’−ビフェニル−ジイル基（上記式ＢＰ−１）がより好ましく、非置換の１，４−フェニレン基、非置換の４，４’−ビフェニル−ジイル基が特に好ましい。

式（２）中、Ａｒ^２ｃで表される基としては、アリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基で置換されたフェニル基がより好ましい。また、式（２）中、ｔ_１及びｔ_２はともに１であるか、ともに２であることが、高分子化合物の合成が容易になるので好ましい。なお、式（２）で表される構成単位は、高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。

式（２）で表される構成単位としては、下記の式２−１又は２−２で表される構成単位が好ましい。

［式２−１中、Ｒ^２ａは、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。複数あるＲ^２ａは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つのＲ^２ａは、水素原子以外の基を表す。式２−２中、Ｒ^２ａは、水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
複数あるＲ^２ａは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つのＲ^２ａは、水素原子以外の基を表す。Ｒ^２ｂは、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。
複数あるＲ^２ｂは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］

式２−１で表される構成単位としては、下記の式２−００１〜２−００８で表される構成単位がより好ましい。

また、式２−２で表される構成単位としては、下記の式２−１０１〜２−１０６で表される構成単位がより好ましい。

＜式（Ｉ）で表される構成単位＞
ブロック（Ａ）は、式（０）で表される構成単位（好ましくは式（２）で表される構成単位）と、これ以外の構成単位とを組み合わせて含む構造を有すると好適である。式（０）以外の構成単位としては、上記の式（Ｉ）で表される構成単位が挙げられる。すなわち、ブロック（Ａ）は、特に、式（２）で表される構成単位と、上記式（Ｉ）で表される構成単位とを含むと好ましい。こうすれば、本実施形態の高分子化合物を用いて発光素子を形成した場合に、低電圧駆動で高い輝度が得られやすくなる。

式（Ｉ）で表される構成単位としては、上記の式（３）及び式（４）で表される構成単位のいずれか一方又は両方を有することが好ましい。

式（３）で表される構成単位において、Ｒ^３ａで表される基としては、アルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基、又はアルキル基で置換されたフェニル基が好ましく、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基が好ましい。

式（３）中、Ａｒ^３ａで表される基としては、アリーレン基が好ましく、なかでも、１，４−フェニレン基（上記式００１）、１，３−フェニレン基（上記式００２）、及び、フルオレン−２，７−ジイル基（上記式００９）がより好ましい。なお、式（３）で表される構成単位は、高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。また、式（３）で表される構成単位は、ブロック（Ａ）中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。

一方、式（４）で表される構成単位において、Ａｒ^４ａで表される基としては、アリーレン基が好ましく、なかでも、１，４−フェニレン基（式００１）、１，３−フェニレン基（式００２）、４，４’−ビフェニル−ジイル基（式ＢＰ−１）、４，４’’−ターフェニル−ジイル基（式ＴＰ−１）、ナフタレン−２，６−ジイル基（式００６）、４，５−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（式００７）、フルオレン−３，６−ジイル基（式００８）、フルオレン−２，７−ジイル基（式００９）がより好ましく、１，４−フェニレン基（式００１）、フルオレン−２，７−ジイル基（式００９）が特に好ましい。また、式（４）中、ｋとしては、１が好ましい。

式（４）で表される構成単位において、好ましい４，４’−ビフェニル−ジイル基（式ＢＰ−１）としては、下記の式ＢＰ−１−１〜ＢＰ−１−１０で表される構成単位等が挙げられる。

式（４）で表される構成単位において、好ましい４，４’’−ターフェニル−ジイル基（式ＴＰ−１）としては、下記の式ＴＰ−１−１〜ＴＰ−１−８で表される構成単位等が挙げられる。

なお、式（４）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。また、式（４）で表される構成単位は、ブロック（Ａ）中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。

高分子化合物におけるブロック（Ａ）においては、式（２）で表される構成単位の両側に、式（３）で表される構成単位が直接結合するようにして配置されていることが好ましい。このようなブロック（Ａ）を含む高分子化合物を用いて得られる発光素子は、輝度安定性に優れ、長寿命の発光素子となる。

また、同様に、得られる発光素子は、輝度安定性に優れ、長寿命の発光素子となるので、ブロック（Ａ）において、式（３）で表される構成単位又は式（４）で表される構成単位の両側には、式（２）で表される構成単位が直接結合するように配置されていることが好ましい。

これらの式（２）、（３）及び（４）で表される構成単位を含むブロック（Ａ）は、当該ブロックの全体にわたって共役が広がっていること、すなわち、ブロック（Ａ）が非共役部位を含まないことが好ましい。ブロック（Ａ）がそのような構造を有することで、高分子化合物を用いて得られる発光素子は、輝度安定性に優れ、長寿命を有するものとなる。

式（３）で表される構成単位としては、上記の式（１）及び式（７）で表される構成単位のいずれか一方又は両方を含むことが好ましい。ブロック（Ａ）における式（３）で表される構成単位が式（１）で表される構成単位であると、高い発光効率を有する発光素子が得られ易くなる傾向にある。また、ブロック（Ａ）における式（３）で表される構成単位が式（７）で表される構成単位であると、輝度安定性に優れ、長寿命の発光素子が得られ易くなる傾向にある。

式（１）で表される構成単位において、Ｒ^１ａで表される基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基が好ましい。この構成単位の原料となる単量体が、重合時に良好な反応性を示すので、アルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が更に好ましく、メチル基が特に好ましい。

式（１）中、Ｒ^１ｂで表される基としては、高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性のバランスがよくなるので、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、置換アミノ基が好ましく、水素原子、アルキル基、非置換又はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基若しくは置換アミノ基で置換されたアリール基、非置換又はアルキル基、アリール基若しくは１価の芳香族複素環基で置換された１価の芳香族複素環基、ジアリール置換アミノ基がより好ましく、水素原子、アルキル基、非置換又はアルキル基若しくはアリール基で置換されたアリール基が更に好ましく、水素原子、アルキル基、非置換又はアルキル基若しくはアリール基で置換されたフェニル基が特に好ましい。

また、式（１）中、Ｒ^１ｂで表される基としては、高分子化合物を用いて得られる発光素子で良好な駆動電圧が得られるので、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、置換アミノ基が好ましく、非置換又はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基若しくは置換アミノ基で置換されたアリール基；非置換又はアルキル基、アリール基若しくは１価の芳香族複素環基で置換された１価の芳香族複素環基；ジアリール置換アミノ基がより好ましく、１価の芳香族複素環基又は置換アミノ基で置換されたアリール基；非置換又はアルキル基、アリール基若しくは１価の芳香族複素環基で置換された１価の芳香族複素環基；ジアリール置換アミノ基が更に好ましく、１価の芳香族複素環基又は置換アミノ基で置換されたフェニル基；アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基で置換されたピリジル基；アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基で置換されたピラジル基；アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基で置換されたピリダジル基；アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基で置換されたピリミジル基；アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基で置換された１，３，５−トリアジン−２−イル基；ピリジル基、ジアリールアミノ基が特に好ましい。

式（１）中、Ｒ^１ｃで表される基としては、原料である単量体の重合時の反応性が良好になるので、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基が好ましく、水素原子がより好ましい。

式（１）で表される構成単位としては、下記の式１−００１〜１−０１７、１−１０１〜１−１１３、１−２０１〜１−２０８で表される構成単位等が挙げられる。

式（１）で表される構成単位としては、なかでも、式１−００１〜１−０１７で表されるものが好ましく、式１−００１又は１−０１７で表されるものがより好ましく、式１−００１で表されるものが特に好ましい。

なお、式（１）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

また、上記の式（７）で表される構成単位において、Ｒ^７ａ及びＲ^７ｃで表される基としては、高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性のバランスがよくなるので、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基が好ましく、アルキル基、アラルキル基がより好ましく、アルキル基が更に好ましく、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基が特に好ましい。

式（７）中、Ｒ^７ｂ及びＲ^７ｄで表される基としては、高分子化合物の耐熱性、有機溶媒への溶解性、及び、原料である単量体の重合時の反応性が良好になるので、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基が好ましく、水素原子、アルキル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。

式（７）で表される構成単位としては、下記の式７−００１〜７−０１９、７−１０１〜７−１０５で表される構成単位が好ましい。なかでも、式（７）で表される構成単位としては、式７−００１〜７−０１９で表されるものがより好ましい。

一方、式（Ｉ）で表される構成単位として好適な式（４）で表される構成単位としては、上記の式（９）、（１０）及び（１１）で表される構成単位の少なくとも１種を含むことが好ましい。式（９）中、Ｒ^９ａ及びＲ^９ｃで表される基としては、高分子化合物の耐熱性や有機溶媒への溶解性の特性のバランスがよくなるので、アリール基、アルキル基が好ましく、非置換のアリール基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基若しくは置換アミノ基で置換されたアリール基、又はアルキル基がより好ましい。

式（９）で表される構成単位としては、下記の式９−００１〜９−０２０で表される構成単位が好ましい。なかでも、式（９）で表される構成単位としては、式９−００１〜９−０１２および式９−０１７〜９−０２０で表されるものがより好ましい。

（ブロック（Ｂ））
本実施形態の高分子化合物は、上述したブロック（Ａ）と、これとは異なる構造を有するブロック（Ｂ）とを有するものであってもよい。ブロック（Ｂ）として後述するような構造を有するブロックを有することで、高分子化合物の耐熱性を向上させることができる。

ブロック（Ｂ）も、ブロック（Ａ）と同様の式（０）で表される構成単位を含んでいてもよい。ただし、高分子化合物は、各ブロックに含まれている式（０）で表される構成単位の割合が、次の条件を満たしていることが好ましい。すなわち、高分子化合物は、下記の式（ＶＩＩ）で示される値が、０．５以下であると好ましい。これにより、所望の輝度を得るのに必要な駆動電圧をより低減でき、かつ、素子寿命を向上させることが可能となる。かかる効果がより良好に得られるので、式（ＶＩＩ）で表される値は、０．４以下であることが更に好ましい。

ブロック（Ｂ）は、上記の式（ＩＢ）で表される構成単位と、上記式（ＩＩ）で表される構成単位のいずれかを含むことが好ましいが、式（ＩＢ）で表される構成単位と、式（ＩＩ）で表される構成単位とを含むことがより好ましい。

＜式（ＩＢ）で表される構成単位＞
式（ＩＢ）で表される構成単位としては、上記の式（３Ｂ）及び式（４Ｂ）で表される構成単位のいずれか一方又は両方を有することが好ましい。より詳しくは、式（３Ｂ）で表される構成単位としては、式（１Ｂ）及び式（７Ｂ）で表される構成単位の少なくとも１種が好ましく、式（４Ｂ）で表される構成単位としては、式（９Ｂ）、式（１０Ｂ）及び式（１１Ｂ）で表される構成単位の少なくとも１種が好ましい。

式（ＩＢ）で表される構成単位としては、上記式（Ｉ）で表される構成単位と同様のものが好ましい。すなわち、式（３Ｂ）、式（４Ｂ）、式（１Ｂ）、式（７Ｂ）、式（９Ｂ）、式（１０Ｂ）及び式（１１Ｂ）で表される構成単位は、それぞれ、上述した式（３）、式（４）、式（１）、式（７）、式（９）、式（１０）及び式（１１）で表される構成単位と同様であると好適である。

＜式（ＩＩ）で表される構成単位＞
ブロック（Ｂ）における式（ＩＩ）で表される構成単位としては、上記の式（５）で表される構成単位が好ましい。ブロック（Ｂ）が式（５）で表される構成単位を有することで、高分子化合物の耐熱性が向上するほか、得られる発光素子が、低駆動電圧でも十分な輝度を発揮できるものとなる傾向にある。なお、式（５）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

式（５）中、Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ及びＡｒ^５ｈで表される基としては、アリーレン基が好ましく、中でも１，４−フェニレン基（上記式００１）、フルオレン−２，７−ジイル基（上記式００９）がより好ましく、１，４−フェニレン基（上記式００１）が特に好ましい。

式（５）中、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ及びＡｒ^５ｇで表される基としては、アリール基が好ましく、アルキル基で置換されたフェニル基がより好ましい。また、Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ及びＡｒ^５ｇで表される基は、それぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接、或いは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(＝Ｏ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｏ−、−Ｎ(Ｒ^Ａ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｎ(Ｒ^Ａ)−又は−Ｃ(Ｒ^Ａ)_２−で表される基を介して結合して５〜７員環を形成していてもよい。これらの基におけるＲ^Ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表し、アルキル基であると好ましい。

式（５）中、ｎ_１、ｎ_２、ｎ_３、ｎ_４、ｎ_５、ｎ_６及びｎ_７としては、ｎ_１及びｎ_２は、それぞれ独立に、０又は１であり、ｎ_３は、０又は１であり、ｎ_４、ｎ_５、ｎ_６及びｎ_７は、それぞれ独立に、０、１又は２であることが好ましく、ｎ_１及びｎ_２は、それぞれ独立に、０又は１であり、ｎ_３は、０であり、ｎ_４及びｎ_６は、１であり、ｎ_５、及びｎ_７は、それぞれ独立に、１又は２であることが、より好ましい。

式（５）で表される構成単位としては、式５−００１〜５−００４で表される構成単位が好ましい。なお、式中のＲは、上記と同義である。

式（５）で表される構成単位としては、式５−００１又は式５−００２で表される構成単位が、高分子化合物を用いた発光素子の発光効率が向上するので、特に好ましい。

ブロック（Ｂ）において、発光素子の発光効率がより向上するので、式（５）で表される構成単位の両側に、式（３Ｂ）及び式（４Ｂ）で表される構成単位の少なくとも一方が直接結合して配置されていることが好ましい。

（燐光発光性化合物から誘導される構成単位）
本実施形態の高分子化合物は、上述したブロック（Ａ）を含み、必要に応じて、上述したブロック（Ｂ）やこれら以外のブロックを含む。このような高分子化合物においては、ブロック（Ａ）、ブロック（Ｂ）やこれら以外のブロックに、燐光発光性化合物から誘導される構成単位が含まれていてもよい。

ここで、燐光発光性化合物から誘導される構成単位とは、燐光発光性化合物に由来する構造を含む構成単位であり、例えば、燐光発光性化合物から水素原子を１個除いた残基、燐光発光性化合物から水素原子を１個除いた残基を置換基として有するアリーレン基又は２価の芳香族複素環基、燐光発光性化合物から水素原子を２個除いた残基、燐光発光性化合物から水素原子を３個除いた残基等が挙げられる。燐光発光性化合物から誘導される構成単位が、燐光発光性化合物から水素原子を３個除いた残基である場合、高分子化合物は、この構成単位において分岐した構造を有することになる。

燐光発光性化合物から誘導される構成単位を形成し得る燐光発光性化合物としては、以下の化合物が例示できる。燐光発光性化合物としては、三重項発光錯体等の公知の化合物や、従来から低分子系の有機ＥＬ素子の発光材料として利用されてきた化合物等を適用できる。例えば、燐光発光性化合物として、上記の式（８）で表される化合物が挙げられる。

燐光発光性化合物としては、Ｎａｔｕｒｅ，（１９９８）, ３９５, １５１、Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ. （１９９９）, ７５（１）, ４、Ｐｒｏｃ. ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ. Ｓｏｃ. Ｏｐｔ. Ｅｎｇ. （２００１）, ４１０５（Ｏｒｇａｎｉc Ｌｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓＩＶ）, １１９、Ｊ. Ａｍ. Ｃｈｅｍ. Ｓｏｃ., （２００１）, １２３, ４３０４、Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ., （１９９７）, ７１（１８）, ２５９６、Ｓｙｎ. Ｍｅｔ., （１９９８）, ９４（１）, １０３、Ｓｙｎ. Ｍｅｔ., （１９９９）,９９（２）, １３６１、Ａｄｖ. Ｍａｔｅｒ., （１９９９）, １１（１０）, ８５２、Ｉｎｏｒｇ. Ｃｈｅｍ., （２００３）, ４２, ８６０９、Ｉｎｏｒｇ. Ｃｈｅｍ., （２００４）, ４３, ６５１３、ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＳＩＤ１１/１、１６１（２００３）、ＷＯ２００２/０６６５５２、ＷＯ２００４/０２０５０４、ＷＯ２００４/０２０４４８等に記載されている化合物も挙げられる。

特に、燐光発光性化合物としては、金属錯体の最高被占有分子起動（ＨＯＭＯ）における、中心金属の最外殻ｄ軌道の軌道係数の２乗の和が、全原子軌道係数の２乗の和において占める割合が１／３以上であるものを適用することが、高発光効率となるので好ましい。例えば、中心金属が第６周期に属する遷移金属であるオルトメタル化錯体等が挙げられる。

三重項発光錯体の中心金属としては、原子番号５０以上の原子で、錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こし得る金属が挙げられる。
中心金属は、好ましくは、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジム、ガドリニウム、イッテルビウムであり、より好ましくは、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、ユーロピウムであり、更に好ましくは、金、白金、イリジウム、レニウムであり、特に好ましくは、白金、イリジウムであり、とりわけ好ましくは、イリジウムである。

中心金属がイリジウムである三重項発光錯体の配位子としては、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体等のイリジウム原子と窒素原子及び酸素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体等の窒素原子及び炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子、１−フェニル−イソキノリン及びその誘導体等の窒素原子及び炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子、アセチルアセトン及びその誘導体等の酸素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子が挙げられる。より好ましくは、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、１−フェニル−イソキノリン及びその誘導体、アセチルアセトン及びその誘導体であり、更に好ましくは、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、１−フェニル−イソキノリン及びその誘導体である。

燐光発光性化合物は、溶解性が良好になるので、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基、ハロゲン原子等の置換基を有する化合物であることが好ましい。この置換基は、水素原子以外の原子の総数が３個以上であることが好ましく、５個以上であることがより好ましく、７個以上であることが更に好ましく、１０個以上であることが特に好ましい。また、この置換基は、配位子毎に存在していることが好ましい。その場合、置換基の種類は、配位子毎に同一であっても異なっていてもよい。

このような燐光発光性化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。

好適な実施形態の高分子化合物が有することができる燐光発光性化合物から誘導される構成単位としては、例えば以下の構成単位が挙げられる。

燐光発光性化合物から誘導される構成単位を含む高分子化合物は、発光素子を作成する際に使用する高分子化合物を含む溶液において、溶液調整が容易になる観点から好ましい。また、発光素子において、電流を流しやすくなる観点から好ましい。

（高分子化合物の構造）
本発明の高分子化合物は、上述したブロック（Ａ）を含み、このブロック（Ａ）以外のブロックとして、上記ブロック（Ｂ）や、これら以外のブロックを含む構造を有することがある。高分子化合物としては、ブロック同士が、直接、或いは炭化水素基やヘテロ原子を含む基を介して連結した構造を有するものが挙げられる。ブロック同士を連結させる構造としては、以下の基が挙げられる。なお、式中のＲは上記と同義であり、Ａｒは炭素数６〜６０の３価又は４価の炭化水素基を表す。

高分子化合物は、燐光発光性化合物から誘導される構成単位を含まない場合、全体として、上述した式（０）（好ましくは式（２））、式（３）、式（４）、式（３Ｂ）、式（４Ｂ）及び式（５）で表される構成単位を、それらの合計の質量の比率が、高分子化合物の全質量を１としたときに０．９以上となる割合で含むと好ましい。また、燐光発光性化合物から誘導される構成単位を含む場合は、式（０）、式（３）、式（４）、式（３Ｂ）、式（４Ｂ）及び式（５）で表される構成単位及び燐光発光性化合物から誘導される構成単位の合計の質量の比率が、高分子化合物の全質量を１としたときに０．９以上となることが好ましい。これにより、高分子化合物を用いた発光素子が、低電圧駆動させた場合に高い輝度を発揮できるようになり、また優れた輝度安定性を有するようになる。

また、高分子化合物が燐光発光性化合物から誘導される構成単位を含む場合、全構成単位の合計モル数に対する、燐光発光性化合物から誘導される構成単位の合計モル数の割合は、０．０００１〜０．４であると好ましく、０．００１〜０．３であるとより好ましく、０．００１〜０．２５であるとさらに好ましい。

高分子化合物の末端構造は限定されないが、末端基が重合活性基であると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に得られる発光素子の駆動電圧、発光効率や寿命等の特性が低下するおそれがある。そのため、末端基は、重合活性基ではない安定な基が好ましい。この末端基は、高分子化合物の主鎖と共役結合しているものが好ましく、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の芳香族複素環基と結合しているものが挙げられる。このアリール基や１価の芳香族複素環基としては、置換又は無置換のフェニル基が好ましく、アルキル基、又はアリール基で置換されたフェニル基、或いは無置換のフェニル基がより好ましい。

高分子化合物の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）によるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）が、１×１０^３〜１×１０^８であると好ましく、５×１０^３〜１×１０^６であるとより好ましく、５×１０^３〜５×１０^５であると更に好ましい。また、高分子化合物のＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１×１０^３〜１×１０^８であると好ましく、良好な成膜性、及び、良好な発光効率が得られるので、１×１０^４〜５×１０^６であるとより好ましく、１×１０^４〜１×１０^６であると更に好ましく、１×１０^４〜５×１０^５であると特に好ましい。

また、高分子化合物においては、ブロック（Ａ）のＧＰＣによるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、発光素子の駆動電圧を低下させ、且つ発光効率を向上させることができるので、１×１０^３〜２×１０^５であることが好ましく、３×１０^３〜１×１０^５であることがより好ましく、５×１０^３〜５×１０^４であることが更に好ましい。また、ブロック（Ａ）のＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、発光素子の駆動電圧を低下させ、且つ発光効率を向上させることができるので、１×１０^３〜３×１０^５が好ましく、３×１０^３〜２×１０^５がより好ましく、５×１０^３〜１×１０^５が更に好ましい。

高分子化合物は、下記の式（Ｖ）で表される値が、０．０１以上０．８以下となるものが好ましく、０．０５以上０．５以下となるものがより好ましい。こうすることで、発光素子の駆動電圧の低下及び輝度安定性の向上効果がより良好に得られるようになる。

なお、高分子化合物やブロック（Ａ）の分子量分布が多峰性である場合、上述した分子量の好ましい範囲は、最も分子量の高い成分に対して適用されることとする。

さらに、発光素子等を作製するためのプロセスにおける耐久性や、発光素子の駆動中の発熱に対する安定性が良好になり、かつ、耐熱性が良好になるので、高分子化合物のガラス転移温度は、７０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましい。また、その上限は、２００℃が好ましい。

上述したような構造を有する本実施形態の高分子化合物は、発光素子の材料（例えば、発光材料、電荷輸送材料）として有用である。この高分子化合物を用いた発光素子は、高発光効率で駆動できる高性能の発光素子である。したがって、この発光素子は、液晶ディスプレイのバックライト、照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の表示装置に有用である。
さらに、本実施形態の高分子化合物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光や燐光を発する発光性薄膜用材料としても有用である。

［高分子化合物の製造方法］
本発明の高分子化合物は、上述したブロック（Ａ）を含む構造を有するものである。高分子化合物にブロック（Ａ）が確実に含まれるようにするために、高分子化合物は、例えば、高分子量のブロック（Ａ）を形成し得る化合物を合成した後に、この化合物同士を連結させる基となる化合物を添加し、これらを反応させる方法、高分子量のブロック（Ａ）を形成し得る化合物を合成した後に、ブロック（Ｂ）を形成するための単量体を添加して重合させる方法、高分子量のブロック（Ｂ）を形成し得る化合物を合成した後に、ブロック（Ａ）を形成するための単量体を添加して重合させる方法、或いは、予め高分子量のブロック（Ａ）を形成し得る化合物及び高分子量のブロック（Ｂ）を形成し得る化合物をそれぞれ合成した後に、これらを反応させる方法等によって合成することが好ましい。

ブロック（Ａ）を形成し得る化合物及びブロック（Ｂ）を形成し得る化合物をそれぞれ合成した後にこれらを反応させる方法においては、両化合物を直接結合させてもよいし、これらを連結させる基となる化合物やこれら以外のブロックを形成し得る化合物を添加して反応させ、連結基や他のブロックを介してブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とが結合された構造となるようにしてもよい。

より具体的には、高分子化合物の製造方法としては、以下の（ｉ）〜（ｖ）、（ｉｉｉ−２）及び（ｉｖ−２）の方法が好ましい。なお、以下の（ｉ）〜（ｖ）、（ｉｉｉ−２）及び（ｉｖ−２）の方法における式（Ｒ−０）、式（Ｒ−Ｉ）及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物や、式（０）、式（Ｉ）、及び式（ＩＩ）で表される構成単位は、以下の通りである。これらの式中の基や数値の要素を示す符号は、上記で示した同一符号の要素といずれも同義である。また、Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^２１、Ｗ^２２、Ｗ^３１及びＷ^３２は、それぞれ独立に、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基である。

式（Ｒ−０）で表される化合物は、式（０）で表される構成単位を形成するための化合物（原料単量体）であり、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物は、式（Ｉ）で表される構成単位を形成するための化合物（原料単量体）であり、式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物は、式（ＩＩ）で表される構成単位を形成するための化合物（原料単量体）である。

また、以下の方法では、式（Ｒ−０）、式（Ｒ−Ｉ）及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物以外の化合物であって、且つこれらの化合物との縮合重合反応を生じることが可能な化合物を用いることもできる。このような化合物を、以下、「その他の縮合重合可能な化合物」という。これらの化合物等を用いた高分子化合物の製造方法（ｉ）〜（ｖ）、（ｉｉｉ−２）及び（ｉｖ−２）について説明する。

（ｉ）式（Ｒ−０）で表される化合物のみを縮合重合させるか、又は、式（Ｒ−０）で表される化合物と式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物とを含む単量体混合物（単量体混合物Ａ）を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む化合物Ａ（第１の化合物）を合成する第１工程と、この化合物Ａと、化合物Ａとは異なる構造を有し且つ化合物Ａと縮合重合することが可能な化合物とを縮合重合させて、上記式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有する方法。（単量体混合物Ａには、さらに、その他の縮合重合可能な化合物を加えてもよい。）

（ｉｉ）式（Ｒ−０）で表される化合物のみを縮合重合させるか、式（Ｒ−０）で表される化合物と式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ａ）を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む化合物Ａを合成する第１工程と、この化合物Ａと、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ｂ）とを含む混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有する方法。（単量体混合物Ａ及びＢにはそれぞれ、さらにその他の縮合重合可能な化合物を加えてもよい。）

（ｉｉｉ）式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ａ）を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む化合物Ａを得る第１工程と、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ｂ）を縮合重合させて、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含む化合物Ｂ（第２の化合物）を得る第２工程と、化合物Ａと化合物Ｂとを縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）と、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含むブロック（Ｂ）と、を有する高分子化合物を得る第３工程とを有する方法。（単量体混合物Ａ及びＢにはそれぞれ、さらにその他の縮合重合可能な化合物を加えてもよい。）

（ｉｖ）その他の縮合重合可能な化合物を縮合重合させることにより化合物Ｃを得る第１工程と、化合物Ｃと式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、又は、化合物Ｃと、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ｃ）とを含む混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有する方法。（単量体混合物Ｃには、さらにその他の縮合重合可能な化合物を加えてもよい。）

（ｖ）式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ｂ）を縮合重合させて、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含む化合物Ｂを得る第１工程と、この化合物Ｂと、式（０）で表される化合物とを縮合重合させるか、又は、化合物Ｂと、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ａ）とを含む混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）と、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含むブロック（Ｂ）と、を有する高分子化合物を得る第２工程とを有する方法。（単量体混合物Ａ及びＢにはそれぞれ、さらにその他の縮合重合可能な化合物を加えてもよい。）

（ｉｉｉ−２）式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ａ）を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む化合物Ａ（第１の化合物）を得る第１工程と、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を縮合重合させて式（Ｉ）で表される構成単位を複数含む化合物Ｂ（第２の化合物）を得る第２工程と、第１の化合物と第２の化合物とを縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）と、式（Ｉ）で表される構成単位を複数含むブロック（Ｂ）とを有する高分子化合物を得る第３工程とを有する方法。（第１及び第２の単量体混合物にはそれぞれ、さらにその他の縮合重合可能な化合物を加えてもよい。）

（ｉｖ−２）式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を縮合重合させて式（Ｉ）で表される構成単位を複数含む化合物Ｂを得る第１工程と、化合物Ｂと式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、又は、化合物Ｂと、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む単量体混合物（単量体混合物Ａ）とを含む混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有する方法。（単量体混合物Ａには、さらにその他の縮合重合可能な化合物を加えてもよい。）

これらの高分子化合物の製造においては、ブロック（Ａ）やブロック（Ｂ）の分子量は、例えば、縮合重合に用いる各化合物の化学量論量、触媒の種類や触媒量、塩基や酸の添加、反応温度、溶媒の種類、或いは、溶液濃度等の条件を調節することに制御することができる。

また、上述した実施形態の高分子化合物は、上述した（ｉ）〜（ｖ）、（ｉｉｉ−２）、（ｉｖ−２）の方法以外にも、例えば、各構成単位を形成するための各種の原料単量体として、原料単量体同士を選択的に反応可能又は不可能とできるような特定の重合活性基を有する化合物を組み合わせて用い、それらを反応させることによっても製造することができる。そのような方法としては、以下の（ｖｉ）や（ｖｉｉ）の方法が挙げられる。

（ｖｉ）Ｗ^１及びＷ^２として、互いに反応して結合を形成することが可能な重合活性基を有する式（Ｒ−０）で表される化合物と、Ｗ^１及びＷ^２と反応して結合を形成することが可能な重合活性基Ｗ^３、並びにＷ^１及びＷ^２とは反応しない置換基Ｙ^１の両方を有する化合物Ｄとを反応させて、両末端にＹ^１を有する化合物Ｅを得る第１工程と、この化合物Ｅを、Ｙ^１同士の反応が生じる条件で反応させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有する方法。

（ｖｉｉ）Ｗ^１及びＷ^２として、互いに反応して結合を形成することが可能な重合活性基を有する式（Ｒ−０）で表される化合物と、Ｗ^１及びＷ^２と反応して結合を形成することが可能な重合活性基Ｗ^３、並びにＷ^１及びＷ^２とは反応しない置換基Ｙ^１の両方を有する化合物Ｄとを反応させて、両末端にＹ^１を有する化合物Ｅを得る第１工程と、この化合物Ｅと、Ｙ^１と反応して結合を形成することができる２つの置換基Ｙ^２及びＹ^３を有する化合物Ｆとを、Ｙ^１、Ｙ^２及びＹ^３間の反応が生じる条件で反応させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程とを有する方法。

なお、これらの方法において、化合物Ｄや化合物Ｆとしては、上記の式（Ｒ−Ｉ）及び（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物やその他の縮合重合可能な化合物において、重合活性基（例えば、Ｗ^２１、Ｗ^２２、Ｗ^３１及びＷ^３２）として、Ｗ^３、Ｙ^１、Ｙ^２やＹ^３を有するものを適用することができる。また、「Ｗ^１及びＷ^２とは反応しない」とは、Ｗ^１やＷ^２の間での反応が生じる条件下では、Ｗ^１やＷ^２との反応を生じないことを意味している。

なお、これらの方法において、化合物Ａ（第１の化合物）、化合物Ｂ（第２の化合物）、化合物Ｃ及び化合物Ｅは、合成してすぐに次の工程へ移行してもよいし、一回取り出して各種精製操作を行った後に次の工程へ移行して高分子化合物を合成してもよい。

上述した実施形態の高分子化合物は、いずれか又は複数のブロックに、燐光発光性化合物から誘導される構成単位を含む場合がある。このような燐光発光性化合物から誘導される構成単位を導入する場合、その原料単量体としては、上述したような燐光発光性化合物の配位子に、重合活性基を導入した化合物を適用することができる。このような原料単量体を、上述した各方法における適切な工程で添加することで、所望の部位に燐光発光性化合物から誘導される構成単位を導入することができる。

高分子化合物における各構成単位を形成するための式（Ｒ−０）、式（Ｒ−Ｉ）や式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物としては、以下の化合物が好適である。

まず、式（Ｒ−０）で表される化合物としては、式（１３）で表される化合物が好ましく、式（１４）で表される化合物がより好ましい。式（１４）で表される化合物を用いることで、ブロック（Ａ）に式（２）で表される構成単位が容易に導入されるようになる。

式（１３）及び（１４）中、Ｚ、Ａｒ^０ａ、Ａｒ^０ｂ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^２ｂ及びＡｒ^２ｃは、それぞれ上記と同義である。Ｘ^１３ａ、Ｘ^１４ａは、上述したＷ^１やＷ^２と同様、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基であり、以下の置換基（ａ）群及び置換基（ｂ）群から選ばれる基であると好ましい。

（置換基（ａ）群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ_２０（Ｒ_２０はアルキル基、又はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。）で表される基。

（置換基（ｂ）群）
−Ｂ（ＯＲ^２１）_２（Ｒ^２１は水素原子又はアルキル基を示し、２個存在するＲ^２１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される基、−ＢＦ_３Ｑ^１（Ｑ^１はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムの１価の陽イオンを示す。）で表される基、−Ｓｎ（Ｒ^２２）_３（Ｒ^２２は水素原子又はアルキル基を示し、３個存在するＲ^２２は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される基、−ＭｇＹ^１（Ｙ^１は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基、−ＺｎＹ^２（Ｙ^２は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基。

式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物としては、式（１５）で表される化合物及び式（１６）で表される化合物が好ましい。

式（１５）で表される化合物は、式（３）で表される構成単位を形成するための化合物であり、式（１６）で表される化合物は、式（４）で表される構成単位を形成するための化合物である。これらの式中、Ｒ^３ａ、Ａｒ^３ａ、Ａｒ^４ａ、ｇ及びｋは、いずれも上記と同義である。ｇは１または２であることが好ましく、２であることがより好ましい。Ｘ^１５ａ及びＸ^１６ａは、上記置換基（ａ）群及び置換基（ｂ）群から選ばれる基である。

さらに、式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物としては、式（１７）で表される化合物が好ましい。

式（１７）で表される化合物は、式（５）で表される構成単位を形成するための化合物である。式（１７）中、Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ、Ａｒ^５ｇ、Ａｒ^５ｈ、ｎ_１〜ｎ_７は、いずれも上記と同義である。Ｘ^１７ａは、上記置換基（ａ）群及び置換基（ｂ）群から選ばれる基である。

高分子化合物の製造においては、式（１３）（好ましくは式（１４））、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物のモル数の合計が、全ての原料単量体のモル数の合計を１００とした場合、６０〜１００であることが好ましく、７０〜１００であることがより好ましい。

また、式（１３）、式（１４）、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物が有している重合活性基であるＸ^１３ａ、Ｘ^１４ａ、Ｘ^１５ａ、Ｘ^１６ａ及びＸ^１７ａは、得られる高分子化合物を用いた発光素子における発光効率が更に向上するので、次のような組み合わせであることが好ましい。

すなわち、Ｘ^１３ａ、Ｘ^１４ａ、Ｘ^１６ａ、Ｘ^１７ａが、置換基（ａ）群から選ばれる基であり、Ｘ^１５ａ及び／又はＸ^１６ａが置換基（ｂ）群から選ばれる基であること、或いは、Ｘ^１３ａ、Ｘ^１４ａ、Ｘ^１６ａ、Ｘ^１７ａが置換基（ｂ）群から選ばれる基であり、Ｘ^１５ａ及び／又はＸ^１６ａが置換基（ａ）群から選ばれる基であることが好ましい。
これらのうち、前者のＸ^１３ａ、Ｘ^１４ａ、Ｘ^１６ａ、Ｘ^１７ａが置換基（ａ）群から選ばれる基であり、Ｘ^１５ａ及び／又はＸ^１６ａが置換基（ｂ）群から選ばれる基である組み合わせがより好ましい。

ここで、置換基（ａ）群中の−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^２０で表される基、置換基（ｂ）群中の−Ｂ（ＯＲ^２１）_２で表される基、及び−Ｓｎ（Ｒ^２２）_３で表される基におけるＲ^２０、Ｒ^２１及びＲ^２２の一例であるアルキル基としては、炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１５であるものがより好ましく、１〜１０であるものが更に好ましい。また、Ｒ^２０の一例であるアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基としては、フェニル基、４−トリル基、４−メトキシフェニル基、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基が好ましい。Ｒ^２０、Ｒ^２１及びＲ^２２がこれらの基であると、単量体を重合させる際の反応性が良好となり、高分子化合物の合成が容易となる傾向にある。

置換基（ａ）群中の−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^２０で表される基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、４−メチルフェニルスルホニルオキシ基、４−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

置換基（ｂ）群中の−Ｂ（ＯＲ^２１）_２で表される基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

また、置換基（ｂ）群中の−ＢＦ_３Ｑ^１で表される基としては、−ＢＦ_３ ⁻Ｋ^＋で表される基が挙げられる。さらに、置換基（ｂ）群中の−Ｓｎ（Ｒ^２２）_３で表される基としては、トリメチルスタナニル基、トリエチルスタナニル基、トリブチルスタナニル基等が挙げられる。

式（１３）、式（１４）、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物は、これらを原料単量体として用い、重合させて高分子化合物を形成する場合、純度の高い高分子化合物を得るために、重合前の各化合物も高純度化しておくことが好ましい。高純度の高分子化合物を用いて発光素子を形成することで、良好な駆動電圧で動作でき、かつ、優れた発光効率が得られる傾向にある。

式（１３）、式（１４）、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物の高純度化は、例えば、蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製することにより行うことができる。各化合物は、高純度であるほど望ましい。例えば、ＵＶ検出器（検出波長２５４ｎｍ）を用いた高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による分析において、各化合物のピークが示す面積百分率値が９８．５％以上であることが好ましく、９９．０％以上であることがより好ましく、９９．５％以上であることが更に好ましい。

式（１３）、式（１４）、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物を用いて生じさせる重合（縮合重合）反応として、例えば、アリールカップリング反応による方法としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法（ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７−２４８３頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，第５１巻、２０９１頁（１９７８年））、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法（プログレスインポリマーサイエンス（ＰｒｏｇｒｅｓｓｉｎＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅ），第１７巻，１１５３〜１２０５頁，１９９２年）、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法（ヨーロピアンポリマージャーナル（ＥｕｒｏｐｅａｎＰｏｌｙｍｅｒＪｏｕｒｎａｌ），第４１巻，２９２３−２９３３頁（２００５年））等が挙げられる。

これらのなかでも、重合方法としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、原料単量体が合成し易く、かつ重合反応時の操作が簡便になるので好ましい。また、高分子化合物の構造制御がし易いので、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応により重合する方法がより好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する反応が特に好ましい。

式（１３）、式（１４）、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物が有している重合活性基であるＸ^１３ａ、Ｘ^１４ａ、Ｘ^１５ａ、Ｘ^１６ａ及びＸ^１７ａで表される基としては、重合反応の種類に応じて適切な基を選択すればよい。例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する場合、これらの基としては、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子、−Ｂ(ＯＲ^２１)_２で表される基が好ましく、臭素原子又は−Ｂ(ＯＲ^２１)_２で表される基がより好ましい。重合活性基としてこれらの基を有する場合、式（１３）、式（１４）、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物を合成することが簡便となるほか、重合の際の取り扱い性も良好となる。

重合の方法としては、上述した置換基（ａ）群や置換基（ｂ）群を重合活性基として有する式（１３）（好ましくは式（１４））、式（１５）、式（１６）及び式（１７）で表される化合物（原料単量体）等を、必要に応じて、適切な触媒や適切な塩基とともに反応させる方法が挙げられる。Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応により重合する方法を選択する場合、所望の分子量を有する高分子化合物を得るためには、化合物全体における、置換基（ａ）群に含まれる基のモル数と、置換基（ｂ）群に含まれる基のモル数との比率を調整すればよい。好適な場合、置換基（ａ）群に含まれる基の合計モル数に対する置換基（ｂ）群に含まれる基の合計モル数の比率を、０．９０〜１．１０とすることが好ましく、０．９５〜１．０５とすることがより好ましく、０．９８〜１．０２とすることが更に好ましい。

ただし、ブロック（Ａ）を形成するための化合物（上記の化合物Ａ）を合成する工程においては、ブロック（Ａ）が良好な構造を有するように、置換基（ａ）群に含まれる基の合計モル数に対する置換基（ｂ）群に含まれる基の合計モル数の比率を、０．５０〜２．００とすることが好ましく、０．５５〜１．４５とすることがより好ましく、０．６０〜１．４０とすることが更に好ましい。

触媒としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合の場合、例えば、パラジウム[テトラキス（トリフェニルホスフィン）]、[トリス（ジベンジリデンアセトン）]ジパラジウム、パラジウムアセテート、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体等の遷移金属錯体や、これらの遷移金属錯体に、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリス（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子が配位した触媒が挙げられる。

これらの触媒は、予め合成したものを用いてもよいし、反応系中で調製したものをそのまま用いてもよい。また、これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

触媒を用いる場合、その使用量は、触媒としての有効量であればよい。例えば、用いる単量体のモル数の合計に対する触媒の量は、遷移金属換算で、０．００００１〜３モル当量であると好ましく、０．００００５〜０．５モル当量であるとより好ましく、０．０００１〜０．２モル当量であると更に好ましい。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合では、触媒として塩基を用いることが好ましい。塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。また、これらの塩基は、水溶液として用いてもよい。

塩基を用いる場合、その量は、用いる原料単量体のモル数の合計に対して設定することが好ましく、０．５〜２０モル当量であると好ましく、１〜１０モル当量であるとより好ましい。

重合（縮合重合）反応は、溶媒の非存在下で行っても、溶媒の存在下で行ってもよいが、有機溶媒の存在下で行うことがより好ましい。有機溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。副反応を抑制できるので、溶媒には、脱酸素処理を行うことが望ましい。有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

有機溶媒の使用量は、溶液中の原料単量体の合計の濃度が、０．１〜９０質量％となる量であると好ましく、１〜５０質量％となる量であるとより好ましく、２〜３０質量％となる量であると更に好ましい。

重合反応における反応温度は、好ましくは０〜２００℃であり、より好ましくは２０〜１５０℃であり、更に好ましくは２０〜１２０℃である。また、反応時間は、０．５時間以上であると好ましく、２〜５００時間であるとより好ましい。

重合反応は、置換基（ｂ）群に含まれる基として、−ＭｇＹ^１で表される基を適用する場合は、脱水条件下で行うことが好ましい。一方、重合反応がＳｕｚｕｋｉカップリング反応である場合、使用する塩基を水溶液として用いてもよく、また、溶媒として、有機溶媒に水を加えて用いてもよい。

重合反応においては、得られる高分子化合物の末端に重合活性基（Ｘ^１３ａ、Ｘ^１４ａ、Ｘ^１５ａ、Ｘ^１６ａ、Ｘ^１７ａ等）が残存するのを避けるために、連鎖停止剤として、式（１９）で示される化合物を更に用いてもよい。かかる化合物を加えて反応を行うことにより、末端がアリール基又は１価の芳香族複素環基で置換された高分子化合物を得ることができる。式（１９）で表される連鎖停止剤は、高分子化合物を製造する際の重合において、一種のみ用いても、二種以上用いてもよい。

［式（１９）中、Ａｒ^１９ａは、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。Ｘ^１９ａは、上述した置換基（ａ）群、又は置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。］

式（１９）中、Ａｒ^１９ａで表されるアリール基、１価の芳香族複素環基としては、アリール基が好ましく、非置換又はアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基若しくは置換アミノ基で置換されたアリール基がより好ましく、非置換又はアルキル基若しくはアリール基で置換されたアリール基が更に好ましく、非置換又はアルキル基若しくはアリール基で置換されたフェニル基が特に好ましい。

重合反応の後処理は、公知の方法で行うことができる。例えば、メタノール等の低級アルコールに重合反応で得られた反応液を加えて析出させた沈殿を濾過、乾燥させる方法により行うことができる。

このようにして得られた高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の方法にて精製することができる。特に、高分子化合物を発光素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、縮合重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

本実施形態の高分子化合物は、少なくとも式（０）で表されるブロック（Ａ）を含み、必要に応じてブロック（Ｂ）やその他のブロックを更に含む構造を有する。このような高分子化合物は、適用する重合反応に適した置換基を有する原料単量体を、適切な割合で用いて重合反応を行うことによって、所望の構造を有するように合成することが可能である。

本発明において、ブロック（Ａ）における平均連鎖長は、高分子化合物を合成する原料単量体のうちの、ブロック（Ａ）を構成する原料単量体の構造から求めることができる。例えば、ブロック（Ａ）を構成する原料単量体が式（Ｒ−０）と式（Ｒ−Ｉ）からなり、Ａｒ^０ａ、Ａｒ^０ｂ及びＡｒ^１が、単環（縮合環も含む）の原料単量体であるとき、式（０−１）及び式（０−２）との間に位置する式（０−０）のｎ（＝平均連鎖長）は、下記の式で求められる。

（式中、「式（Ｒ−０）のモル比率」及び「式（Ｒ−０）のモル比率」は、高分子化合物を合成する全原料単量体に対してのモル比率を表す。）

式（Ｒ−Ｉ）が、複数の単環や複数の縮合環からなる原料単量体であるときは、上記式において、式（Ｒ−Ｉ）のモル比率には、式（Ｒ−Ｉ）に含まれる複数の単環分を全て加算した数を用いて、平均連鎖長を求める。

以下、好適な高分子化合物を得るための、好適な原料単量体、その原料単量体の有する重合反応に関与する置換基の種類や、それらの原料単量体の重合反応に用いる割合について、好ましい例を説明する。

＜燐光青色用途＞
青色の燐光発光性化合物に対するホスト材料として適用した場合に、低電圧駆動でも高い輝度が得られる高分子化合物としては、以下のものが挙げられる。すなわち、この場合に好適な高分子化合物としては、下記表１に示す高分子化合物ＥＰ−１Ｂ及び高分子化合物ＥＰ−２Ｂが好ましい。これらの高分子化合物は、表１に示す種類及びモル数の割合で各種原料単量体を組み合わせ、上述したような各種の製造方法を実施することによって得られるものである。

表１中、原料単量体の種類の欄は、原料単量体として、上述した式（１３）、（１４）、（１５）、（１６）及び（１７）で表される化合物のいずれを用いたかを示している。
なお、（ＯＴＨＥＲ）は、式（１３）、（１４）、（１５）、（１６）及び（１７）で表される化合物のいずれとも異なる化合物であることを示している。また、重合活性基の欄の（ａ）、（ｂ）とは、各化合物（原料単量体）が、重合活性基（Ｘ^１３ａ、Ｘ^１４ａ、Ｘ^１５ａ、Ｘ^１６ａ又はＸ^１７ａで表される基）として、上述した置換基（ａ）群又は置換基（ｂ）群のいずれの基を有しているかを示している。

ただし、燐光青色用途に供する高分子化合物は、燐光発光性化合物よりも高いＴ１エネルギーを有することで良好な発光を示すことができるので、式（９）で表される構成単位を含まないことが好ましい。したがって、式（１６）で表される化合物としては、式（９）で表される構成単位を形成するのに対応する構造を有するものは用いないことが好ましい。そのため、式（１６）で表される化合物としては、Ａｒ^４ａとして単環のアリーレン基又は２価の芳香族複素環基を有するものが好ましい。

また、高分子化合物が高いＴ１エネルギーを有するので、式（１６）で表される化合物は、その両側に、式（１５）で表される化合物が結合するように重合されることが好ましい。また、同様に、高分子化合物が高いＴ１エネルギーを有するので、式（１３）（好ましくは式（１４））で表される化合物は、その両側に、式（１５）で表される化合物が結合するように重合されることが好ましい。

＜燐光緑色用途＞
緑色の燐光発光性化合物に対するホスト材料として適用した場合に、低電圧駆動でも高い輝度が得られる高分子化合物としては、以下のものが挙げられる。すなわち、この場合に好適な高分子化合物としては、下記表２に示す高分子化合物ＥＰ−１Ｇ及び高分子化合物ＥＰ−２Ｇが好ましい。これらの高分子化合物は、表２に示す種類及びモル数の割合で各種原料単量体を組み合わせて用いることにより得られるものである。表２中の表記は、いずれも表１と同様の意味である。

なお、これらの高分子化合物においては、式（１６）で表される化合物が、上記式（９）で表される構成単位を形成するのに対応する構造を有していてもよい。ただし、その場合、得られる高分子化合物においては、燐光発光性化合物よりも高いＴ１エネルギーを有することで良好な発光を示すことができるので、式（９）で表される構成単位が連続して配置されないようにすることが好ましい。そこで、その場合は、式（９）の構成単位を形成するための式（１６）で表される化合物は、その両側に、式（１５）で表される化合物が結合するように重合されることが好ましい。また、同様に、高分子化合物が高いＴ１エネルギーを有するので、式（１３）（好ましくは式（１４））で表される化合物は、その両側に、式（１５）で表される化合物が結合するように重合することが好ましい。

＜燐光赤色用途＞
赤色の燐光発光性化合物に対するホスト材料として適用した場合に、低電圧駆動でも高い輝度が得られる高分子化合物としては、以下のものが挙げられる。すなわち、この場合に好適な高分子化合物としては、下記表３に示す高分子化合物ＥＰ−１Ｒ及び高分子化合物ＥＰ−２Ｒが好ましい。これらの高分子化合物は、表３に示す種類及びモル数の割合で各種原料単量体を組み合わせた単量体混合物を、重合させることによって得られるものである。表３中の表記は、いずれも表１と同様の意味である。

これらの高分子化合物においても、式（１６）で表される化合物が、上記式（９）で表される構成単位を形成するために対応する構造を有することができる。そして、その場合であっても、得られる高分子化合物において、式（９）で表される構成単位は連続して配置されてもよい。高分子化合物が高いＴ１エネルギーを有するので、式（１３）（好ましくは式（１４））で表される構成単位の両側に、式（１５）及び式（１６）で表される化合物の少なくとも一方が結合するように重合することが好ましい。

上述したような燐光青色用途、燐光緑色用途や燐光赤色用途の高分子化合物としては、特に、高分子化合物を形成する際の重合反応の制御が容易であることから、ＥＰ−２Ｂ、ＥＰ−２Ｇ及びＥＰ−２Ｒが好ましい。

［組成物］
本発明の組成物は、上述した高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する。このような組成物は、発光材料、正孔輸送材料又は電子輸送材料として用いることができる。なお、本発明の組成物において、高分子化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

組成物において、「正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料」と高分子化合物との比率は、組成物を発光材料に用いる場合、次の通りであると好適である。すなわち、高分子化合物１００質量部に対する、「正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料」の割合は、材料ごとに、０．０１〜４００質量部であると好ましく、０．０５〜２００質量部であるとより好ましい。

正孔輸送材料としては、発光素子の正孔輸送材料として公知のものを適用できる。
例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリアリールアミン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は、アリーレン基や２価の芳香族複素環基を共重合成分（構成単位）として有していてもよい。

電子輸送材料としては、発光素子の電子輸送材料として公知のものを適用できる。
例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、トリアリールトリアジン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は、アリーレン基や２価の芳香族複素環基を共重合成分（構成単位）として有していてもよい。

発光材料としては、優れた発光効率が得られるので、上述した燐光発光性化合物を含む材料が好ましい。また、その他にも、発光材料としては、蛍光発光性化合物を用いることができる。蛍光発光性化合物には、低分子蛍光材料及び高分子蛍光材料がある。低分子蛍光材料は、通常、４００〜７００ｎｍの波長範囲に蛍光発光の極大ピークを有する材料である。低分子蛍光材料の分子量は、３０００未満であると好ましく、１００〜２０００であるとより好ましく、１００〜１０００であると更に好ましい。

低分子蛍光材料としては、発光素子の発光材料として公知のものが適用できる。例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、キナクリドン誘導体、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、オリゴチオフェン誘導体等の色素系材料；アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等の、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等又はＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等の金属錯体系材料が挙げられる。

高分子蛍光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体等の、上記の低分子蛍光材料として例示した色素体や金属錯体系発光材料を高分子化した材料が挙げられる。

組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料として、燐光発光性化合物を含むことが好ましい。燐光発光性化合物を含む組成物である場合、燐光発光性化合物の割合は、高分子化合物１００質量部に対して、０．０１〜８０質量部であると好ましく、０．１〜５０質量部であるとより好ましい。

［溶液］
本発明の溶液は、高分子化合物と溶媒とを含有するものである。溶液には、上記の組成物が溶媒を含有してなるものも含まれる。このような溶液は、印刷法等に適用するのに有利であり、一般に、インクやインク組成物等と呼ぶことがある。本発明の溶液は、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、増粘剤（粘度を高めるための高分子量の化合物）、粘度を低くするための低分子量の化合物、界面活性剤、酸化防止剤等、上述した実施形態の高分子化合物以外の高分子量の化合物等を含んでいてもよい。なお、溶液に含まれる各成分は、それぞれ、一種単独で含まれていても、二種以上を組み合わせて含まれていてもよい。

溶液における本発明の高分子化合物の割合は、溶液全体を１００質量部としたとき、０．１〜９９質量部であると好ましく、０．５〜４０質量部であるとより好ましく、０．５〜２０質量部であると更に好ましい。

溶液の粘度は、適用する印刷法の種類等に応じて調整すればよい。例えば、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する方法に適用する場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、２５℃において、１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。粘度は、溶媒の含有量を制御する等によって調整することができる。

溶液を構成する溶媒は、溶質となる固形分を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶媒は、成膜性及び素子特性が良好になるので、２種以上を併用することが好ましい。なかでも、２〜３種を併用することがより好ましく、２種を併用することが特に好ましい。

溶液に２種の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種の溶媒は、２５℃において固体状態のものであってもよい。良好な成膜性が得られるので、少なくとも１種の溶媒は、沸点が１８０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましい。また、好適な粘度となるので、２種の溶媒のいずれも、６０℃において１質量％以上の濃度で上記実施形態の高分子化合物を溶解できるものであることが好ましい。また、２種の溶媒のうちの少なくとも１種の溶媒は、２５℃において１質量％以上の濃度で高分子化合物が溶解できるものであることが好ましい。

溶液中に２種以上の溶媒が含まれる場合、良好な粘度及び成膜性が得られるので、溶媒中の沸点が最も高いものの割合が、全溶媒の質量の４０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、６５〜８５質量％であることが更に好ましい。

また、溶液が増粘剤を含む場合、増粘剤は、高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。増粘剤として用いる化合物は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×１０^５以上であるものが好ましく、１×１０^６以上であるものがより好ましい。

さらに、酸化防止剤は、溶液の保存安定性を向上させるためのものである。酸化防止剤は、高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

溶液には、更に、水、金属及びその塩、ケイ素、リン、フッ素、塩素、臭素等を質量基準で１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。

［薄膜］
好適な実施形態の薄膜は、上記好適な実施形態の高分子化合物を含有するものである。
例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が挙げられる。薄膜は、その用途に応じて、上述した組成物を構成する各成分を組み合わせて含んでいてもよい。

薄膜は、高分子化合物をそのまま、又は上述した組成物や溶液の状態で用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等を行うことにより作製することができる。

例えば、上述した溶液を用いて薄膜を作製する場合は、溶液に含まれる高分子化合物のガラス転移温度にもよるが、１００℃以上の温度（例えば、１３０〜１６０℃）でベークすることができる。

薄膜は、発光性薄膜である場合、素子の輝度及び発光電圧が良好になるので、発光量子収率が３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。

薄膜は、導電性薄膜である場合、表面抵抗率が１ｋΩ／ｓｑ．以下であることが好ましく、１００Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましく、１０Ω／ｓｑ.以下であることが更に好ましい。導電性薄膜の場合、ルイス酸やイオン性化合物等をドープすることによって、電気伝導度を高めることができる。なお、「Ω／ｓｑ．」は表面抵抗率を表す単位である。

さらに、薄膜は、有機半導体薄膜である場合、当該薄膜が有している電子移動度及び正孔移動度のうちの大きい方の値が、１０^−５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが好ましく、１０^−３ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることがより好ましく、１０^−１ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが更に好ましい。例えば、ＳｉＯ_２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に、この有機半導体薄膜を形成し、さらにＡｕ等によりソース電極及びドレイン電極を形成することによって、有機トランジスタを作製することができる。

［発光素子］
本発明の発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、これらの電極間に設けられた上記本発明の高分子化合物を含有する有機層とを備えている。発光素子は、有機層を一層のみ有するものであってもよく、二層以上有するものであってもよい。有機層を二層以上備える場合には、少なくとも一層が上述した本発明の高分子化合物を含有していればよい。

上記本発明の高分子化合物を含有する有機層は、発光素子において、発光層、正孔輸送層や電子ブロック層として機能することができる。そのため、本実施形態の発光素子は、これらの層のうちの少なくとも１つが、上記本発明の高分子化合物を含有する有機層により構成されることが好ましい。なかでも、発光素子は、発光層が上述した本発明の高分子化合物を含有する有機層からなることが好ましい。発光素子は、陰極、陽極、及び発光層として機能する有機層（以下、単に「発光層」という。）以外にも、それらの層の間等に、その他の層を有していてもよい。なお、各層は、一層からなるものであっても、二層以上からなるものであってもよい。また、各層を構成している材料や化合物は、一種単独であっても二種以上が併用されていてもよい。

例えば、陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層が挙げられる。このような層が陽極と発光層との間に一層のみ設けられた場合には、当該層は正孔注入層である。陽極と発光層との間に二層以上設けられた場合には、陽極に接する層が正孔注入層であり、それ以外の層が正孔輸送層である。

正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、正孔注入層又は陽極により近い層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。
一方、これらの層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合、それらの層は、電子ブロック層である。対象となる層が、電子の輸送を堰き止める機能を有するかどうかは、電子電流のみを流す素子を作製し、電流値の減少が生じることを測定することによって確認することができる。

陰極と発光層との間に設けられた層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。このような層が陰極と発光層との間に一層のみ設けられた場合には、当該層は電子注入層である。陰極と発光層との間に二層以上設けられた場合には、陰極に接している層が電子注入層であり、それ以外の層が電子輸送層である。

電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、電子注入層又は陰極により近い層からの電子注入を改善する機能を有する層である。
これらの層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層を正孔ブロック層と称することがある。正孔の輸送を堰き止める機能を有するかどうかは、正孔電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少が生じることを測定することによって確認することができる。

上述した各層を備える構成を有する発光素子の構造としては、例えば、以下のａ）〜ｄ）の構造が挙げられる。下記の構造中「／」は各層が隣接して積層されていることを示す（以下同様）。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極

なお、電極（陰極、陽極）に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷の注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を低下させる効果を有するものは、電荷注入層と呼ばれる場合もある。

電極（陰極、陽極）との密着性の向上や、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して、電荷注入層や絶縁層を更に設けてもよい。また、電荷輸送層や発光層の界面には、層間の界面における密着性の向上や構成材料の混合の防止等のために、薄いバッファー層を更に設けてもよい。積層する層の順番や数、及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して調整することができる。

例えば、電荷注入層を更に設けた発光素子の構造としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

一例として、上記ｊ）の構造を有する発光素子の断面構成を図１に示す。すなわち、図１に示す発光素子１０は、基板０上に、陽極１、正孔注入層（電荷注入層）２、正孔輸送層３、発光層４、電子注入層（電荷注入層）６及び陰極７がこの順に積層された構造を有している。

上述したａ）〜ｐ）の構造を有する発光素子における各層の構成は、例えば、次の通りである。

（陽極）
陽極は、通常、透明又は半透明であり、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜から構成され、それらの中でも透過率が高い材料から構成されることが好ましい。陽極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ等や、金、白金、銀、銅等が用いられる。なかでも、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等の方法を用いることができる。また、陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであると好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであるとより好ましく、４０ｎｍ〜５００ｎｍであると更に好ましい。

（正孔注入層）
正孔注入層に用いられる材料としては、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の導電性高分子等が挙げられる。

正孔注入層が、導電性高分子や上述した実施形態の高分子化合物である場合、その電気伝導度を向上させるために、正孔注入層には、必要に応じて、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等のアニオンをドープしてもよい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層に用いられる材料としては、正孔輸送材料として例示したものが挙げられる。なお、正孔輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合には、低分子化合物を高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。上記実施形態の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合は、高分子化合物が、正孔輸送性基（芳香族アミノ基、チエニル基等）を、高分子化合物の構成単位及び／又は置換基として含むことが好ましい。

なかでも、正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアリールアミン及びその誘導体のほか、本発明の高分子化合物が好ましい。

正孔輸送層の成膜方法としては、正孔輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーとの混合溶液を用いた成膜が挙げられ、高分子化合物である場合には、この高分子化合物を含む溶液を用いた成膜が挙げられる。

溶液を用いた成膜に用いる溶媒は、正孔輸送層に用いられる材料を溶解させるものであればよい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が挙げられる。

溶液を用いた成膜には、溶液を用いたスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

低分子化合物と組み合わせる高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適である。この高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。

正孔輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して選択することができる。ただし、ピンホールが容易に発生しないような厚さを有することが必要である一方、厚過ぎると、発光素子の駆動電圧が高くなることがある。そこで、正孔輸送層の厚さは、１ｎｍ〜１μｍであると好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであるとより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであると更に好ましい。

（発光層）
発光層は、蛍光又は燐光を発する有機化合物（低分子化合物、高分子化合物）と、必要に応じてこれを補助するドーパントとから形成される。本実施形態の発光素子における発光層は、上述した実施形態の高分子化合物及び発光材料等を含むものであることが好ましい。なお、発光材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

発光層には、発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために、ドーパントを添加することができる。ドーパントとしては、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。

発光層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して選択することができ、例えば、２〜２００ｎｍであると好ましい。

発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を基体の上又は上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写法等を用いることができる。溶液を用いた成膜を行う場合、溶媒としては、正孔輸送層の溶液による成膜において例示したものと同様の溶媒を適用できる。発光材料を含む溶液を基体の上又は上方に塗布する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、スリットコート法等の印刷法を用いることができる。発光材料が、昇華性を有する低分子化合物の場合には、真空蒸着法により成膜を行うこともできる。また、レーザーによる転写や熱転写により、所望の位置に発光層を形成する方法も用いることができる。

（電子輸送層）
電子輸送層に用いられる材料としては、上記本発明の高分子化合物や、上述した電子輸送材料等が挙げられる。上記本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合は、高分子化合物が、電子輸送性基（オキサジアゾール基、オキサチアジアゾール基、ピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、トリアジル基等）を、高分子化合物の構成単位及び／又は置換基として含むことが好ましい。

これらのなかでも、電子輸送層に用いる電子輸送材料としては、上記本発明の高分子化合物、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましい。

電子輸送層の成膜方法としては、電子輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合、粉末を用いた真空蒸着法、溶液又は溶融状態での成膜による方法が挙げられる。一方、電子輸送層に用いられる材料が高分子化合物である場合には、溶液又は溶融状態での成膜による方法が挙げられる。溶液又は溶融状態での成膜には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液を用いた成膜は、上述したような溶液を用いた正孔輸送層の成膜方法と同様にして行うことができる。

電子輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して調整することができる。ただし、ピンホールが容易に発生しないような厚さを有することが必要である一方、厚過ぎると、発光素子の駆動電圧が高くなることがある。そこで、電子輸送層の膜厚は、１ｎｍ〜１μｍであると好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであるとより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであると更に好ましい。

（電子注入層）
電子注入層の構成は、発光層の種類に応じて選択することができる。例えば、Ｃａ層の単層構造からなる電子注入層、Ｃａを除いた周期表１族と２族の金属であり、かつ仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの金属及びその金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物から選ばれる１種又は２種以上で形成された層とＣａ層との積層構造からなる電子注入層等が挙げられる。仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、周期表１族の金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物としては、リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、Ｃａを除いた周期表２族の金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物としては、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。

電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等によって形成することができる。
また、電子注入層の厚さは、１ｎｍ〜１μｍが好ましい。

（陰極）
陰極の材料としては、仕事関数が小さく発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。
例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、若しくは上記金属のうち２種以上の合金、又はそれらのうち１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、或いはグラファイト又はグラファイト層間化合物が用いられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。

陰極を２層以上の積層構造とする場合には、金属、金属酸化物、金属フッ化物、これらの合金と、アルミニウム、銀、クロム等の金属との積層構造が好ましい。

陰極は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等によって形成することができる。陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであると好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであるとより好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍであると更に好ましい。

（保護層）
陰極の作製後には、その上部に、発光素子を保護するための保護層を更に形成してもよい。特に、発光素子を長期安定的に用いるためには、この発光素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。

保護層の構成材料としては、高分子量の化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。保護カバーを用いた発光素子の保護方法としては、保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が挙げられる。この際、スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子の損傷を防ぐことが容易となる。さらに、この空間に窒素やアルゴン等の不活性ガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができる。また、酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置すれば、製造工程で吸着した水分又は硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子に損傷を与えるのを抑制することが容易となる。発光素子においては、これらのうち、いずれか１つ以上の方策を採ることが好ましい。

以上説明した好適な実施形態の発光素子は、面状光源、表示装置（セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置）、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。

例えば、発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得る方法としては、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成して実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極の一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。

さらに、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動させてもよい。

上述した面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、面状の照明用光源等として好適に用いることができる。また、上記の表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。さらに、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

［測定方法］
以下の実施例では、数平均分子量及び重量平均分子量の測定、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）、並びにガラス転移温度の測定を、以下のようにして実施した。

（数平均分子量及び重量平均分子量の測定）
ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。この際、測定する高分子化合物は、約０．０５質量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させて、ＧＰＣに１０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相にはテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＰＬｇｅｌＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ社製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

（ＮＭＲの測定）
ＮＭＲの測定は、特に記載がない限りは、測定試料５〜２０ｍｇを約０．５ｍＬの有機溶媒に溶解させて、ＮＭＲ（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ３００）を用いて行った。

（高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ））
化合物の純度の指標として、ＨＰＬＣ面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）による、２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、ＫａｓｅｉｓｏｒｂＬＣＯＤＳ２０００（東京化成工業製）を用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

（ガラス転移温度の測定）
ガラス転移温度の測定は、ＤＳＣ（ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、商品名：ＤＳＣ２９２０）により行なった。各高分子化合物（サンプル、共重合体や重合体）を、２００℃まで加熱した後、−５０℃まで急冷して３０分間保持した。そして、３０℃まで温度を上げた後、毎分１０℃の昇温速度で３００℃まで測定を行った。

［原料単量体の合成］
まず、以下の化合物や高分子化合物の製造に用いた原料単量体の合成方法について説明する。

以下に記載の単量体ＣＭ５（２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン）、単量体ＣＭ６（１，４−ジヘキシル−２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゼン）、単量体ＣＭ７（９，９−ジオクチル−（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン）、単量体ＣＭ８（Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン）、単量体ＣＭ９（Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−アミン）、単量体ＣＭ１０（９，９−ジオクチル−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン）、単量体ＣＭ１１（９，９−ビス（４−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン）、単量体ＣＭ１２（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン）、単量体ＣＭ１３（９，９−ビス（３−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン）、単量体ＣＭ１４（２，５−ビス（４−ブロモフェニル）−１−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，３，４−トリアゾール）、単量体ＣＭ１５（９，９−ビス（４−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン）は、公知の合成法に従い合成して、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．５％以上を示したものを用いた。

（単量体ＣＭ１の合成）
下記の工程（Ｃ１ａ）を行って、単量体ＣＭ１を合成した。

＜工程（Ｃ１ａ）＞
アルゴンガス雰囲気下、１０００ｍｌフラスコ中、マグネシウム小片（１９．４５ｇ、８００ｍｍｏｌ）に、少量の脱水テトラヒドロフランと１，２−ジブロモエタン（１．５０ｇ、８ｍｍｏｌ）を順次加えた。発熱と発泡により、マグネシウムが活性化されたことを確認した後に、２，６−ジブロモトルエン（４９．９９ｇ、２００ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン（２００ｍｌ）に溶解させた溶液を約２時間かけて滴下した。滴下終了後、８０℃のオイルバスにより加熱し、還流下で１時間攪拌した。

それから、オイルバスを外し、脱水テトラヒドロフラン（４００ｍｌ）で希釈し、更に氷浴にて冷却してから、２−イソプロピルオキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１４８．８５ｇ、８００ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴をはずし、８０℃のオイルバスで加熱することにより、還流下で１時間半攪拌した。オイルバスを外し、更に氷浴にて冷却してから、飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）を加え、３０分間攪拌した。

その後、氷浴を外し、ヘキサン（１５００ｍｌ）を加え、３０分間激しく攪拌した。攪拌を停止し、そのまま１５分間静置した後に、シリカゲルを敷き詰めたグラスフィルターによりろ過し、ヘキサン（１０００ｍｌ）でシリカゲルを洗浄し、合一したろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物（７２．０ｇ）を得た。同様の操作を再度行い、粗生成物（７５．４ｇ）を得た。

次に、粗生成物の全量（１４７．４ｇ）にメタノール（７４０ｍｌ）を加え、８５℃のオイルバスを用いて１時間加熱還流下で攪拌した。オイルバスを外し、攪拌しながら室温まで冷却した後に、固体をろ取し、メタノール（１００ｍｌ）で洗浄、減圧乾燥させることにより、白色結晶を得た（５９．７ｇ）。乾燥させた結晶をイソプロパノール（７８０ｍｌ）に加熱溶解させた後、静置した状態でゆっくりと室温まで冷却することにより結晶を析出させ、ろ取し、メタノール（１００ｍｌ）で洗浄し、さらに５０℃で一晩の間減圧乾燥させることにより、目的物である単量体ＣＭ１（５０．８ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率（紫外線波長２５４ｎｍ）で９９．８％、収率３７％）を白色結晶として得た。単量体ＣＭ１の分析結果は次の通りであった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）、δ（ｐｐｍ）＝１．３４（ｓ、２４Ｈ）、２．７４（ｓ、３Ｈ）、７．１４（ｔ、１Ｈ）、７．７９（ｄ、２Ｈ）．

（単量体ＣＭ２の合成）
下記の工程（Ｃ２ａ）を行って化合物ＣＭ２ａを得た後、工程（Ｃ２ｂ）を行って、単量体ＣＭ２を得た。

＜工程（Ｃ２ａ）＞
アルゴンガス雰囲気下、遮光した３００ｍｌ丸底フラスコ中、１，４−ジイソプロピルベンゼン（２４．３４ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、鉄粉（０．８３８ｇ、１５ｍｍｏｌ）、脱水クロロホルム（４０ｍｌ）、トリフルオロ酢酸（１．７１ｇ、１５ｍｍｏｌ）を混合攪拌し、氷浴にて冷却したところに、臭素（５５．１ｇ、３４５ｍｍｏｌ）の脱水クロロホルム（９２ｍｌ）希釈溶液を３０分間かけて滴下し、氷浴にて冷却したまま、更に５時間攪拌し反応させて、反応液を得た。

反応終了後、１０質量％水酸化ナトリウム水溶液を氷浴にて冷却したところに、得られた反応液をゆっくりと加え、更に１５分間攪拌した。分液により有機層と水層を分離し、水層からクロロホルム（１００ｍｌ）で抽出し、得られた有機層を合一した後に、１０質量％亜硫酸ナトリウム水溶液（２００ｍｌ）を加え、室温にて３０分間攪拌した。この時、有機層の色は薄黄色からほぼ無色透明に変化した。

次に、水層を分液により除去し、得られた有機層を１５質量％の食塩水（２００ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウム（３０ｇ）で乾燥させ、溶媒を減圧濃縮により留去することで、薄黄色油状物約４７ｇを得た。これにエタノール（１５ｇ）を加え、振り混ぜて均一にした後に、−１０℃の冷凍庫に３時間静置することで、結晶を析出させ、ろ取し、少量のメタノールで洗浄した後、室温にて一晩の間減圧乾燥させることにより、目的物である１，４−ジブロモ−２，５-ジイソプロピルベンゼン（化合物ＣＭ２ａ、３０．８ｇ、収率６４％）を白色結晶として得た。得られた化合物ＣＭ２ａの分析結果は次の通りであった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）、δ（ｐｐｍ）＝１．２４（ｄ、１２Ｈ）、３．３０（ｍ、２Ｈ）、７．５０（ｓ、２Ｈ）．

＜工程（Ｃ２ｂ）＞
アルゴンガス雰囲気下、１０００ｍｌフラスコ中、マグネシウム小片（９．７２４ｇ、４００ｍｍｏｌ）に少量の脱水テトラヒドロフランと１，２−ジブロモエタン（０．７５ｇ、４ｍｍｏｌ）を順次加えた。発熱と発泡により、マグネシウムが活性化されたことを確認した後に、上記で得られた化合物ＣＭ２ａ（３２．０ｇ、１００ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）に溶解させた溶液を約１時間かけて滴下した。滴下終了後、８０℃のオイルバスにより加熱し、還流下で１時間攪拌した。

それから、オイルバスを外し、脱水テトラヒドロフラン（２００ｍｌ）で希釈し、更に氷浴により冷却してから、２−イソプロピルオキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（７４．４ｇ、４００ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴をはずし、８０℃のオイルバスで加熱することにより、還流下で１時間半攪拌した。オイルバスを外し、更に氷浴により冷却してから、飽和塩化アンモニウム水溶液（２５ｍｌ）を加え、３０分間攪拌した。

その後、氷浴を外し、ヘキサン（２０００ｍｌ）を加え、３０分間激しく攪拌した。攪拌を停止し、そのまま１５分間静置した後に、シリカゲルを敷き詰めたグラスフィルターによりろ過し、さらにこのシリカゲルをヘキサン（１０００ｍｌ）で洗浄し、合一したろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物（５９．０ｇ）を得た。同様の操作を上記の８割のスケールで再度行うことにより、粗生成物（４４．８ｇ）を得た。

粗生成物の全量（１０３．８ｇ）にメタノール（５２０ｍｌ）を加え、７５℃のオイルバスを用いて１時間加熱還流下で攪拌した。オイルバスを外し攪拌しながら室温まで冷却した後に、固体をろ取し、メタノール（１００ｍｌ）で洗浄、減圧乾燥させることにより、白色結晶を得た（４８．８ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率（紫外線波長２５４ｎｍ）で９３．３％）。乾燥させた結晶をイソプロパノール（６９０ｍｌ）に加熱溶解させた後、静置した状態でゆっくりと室温まで冷却することにより結晶を析出させ、ろ取し、メタノール（５０ｍｌ）で洗浄し、さらに５０℃で一晩の間減圧乾燥させることにより、目的物である単量体ＣＭ２、すなわち、１，４−ジイソプロピル−２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゼンを白色結晶として得た（４４．６ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率（紫外線波長２５４ｎｍ）で９９．８％、収率６０％）。単量体ＣＭ２の分析結果は次の通りであった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）、δ（ｐｐｍ）＝１．２３（ｄ、１２Ｈ），１．３４（ｓ、２４Ｈ）、３．５８（ｍ、２Ｈ）、７．６１（ｓ、２Ｈ）．

（単量体ＣＭ３の合成）
下記の工程（Ｃ３ａ）を行って化合物ＣＭ３ａを得た後、工程（Ｃ３ｂ）を行って、単量体ＣＭ３を得た。

＜工程（Ｃ３ａ）＞
窒素雰囲気下、１，４−ジブロモベンゼン（２７．１ｇ）の脱水ジエチルエーテル（２１７ｍｌ）溶液をドライアイス／メタノール混合浴を用いて冷却した。得られた懸濁液に２．７７Ｍのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（３７．２ｍｌ）をゆっくりと滴下した後、１時間攪拌し、リチウム試薬を調製した。

窒素雰囲気下、塩化シアヌル（１０．０ｇ）の脱水ジエチルエーテル（６８ｍｌ）懸濁液をドライアイス／メタノール混合浴を用いて冷却し、上記のリチウム試薬をゆっくり加えた後に室温まで昇温し、室温で反応させた。得られた生成物を濾過し、減圧乾燥させた。その後、得られた固体（１６．５ｇ）を精製して、１３．２ｇの針状結晶（化合物ＣＭ３ａ）を得た。

＜工程（Ｃ３ｂ）＞
窒素雰囲気下、マグネシウム（１．３７ｇ）に脱水テトラヒドロフラン（６５ｍｌ）を加えた懸濁液に、４−ドデシルブロモベンゼン（１４．２ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（１５ｍｌ）溶液を少量ずつ加え、加熱して、還流下で攪拌した。放冷後、反応液にマグネシウム（０．３９ｇ）を追加し、再び加熱して、還流下で反応させ、グリニャール試薬を調製した。

窒素雰囲気下、上記で得られた化合物ＣＭ３ａ（１２．０ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）懸濁液に、上記のグリニャール試薬を撹拌しながら加え、加熱還流させた。放冷後、反応液を、希塩酸水溶液で洗浄した。有機層と水層を分け、水層をジエチルエーテルで抽出した。得られた有機層を合わせて、再び水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水させた後、濾過し、濃縮した。得られた白色固体をシリカゲルカラムで精製し、更に再結晶することによって、目的物である単量体ＣＭ３（６．５ｇ）を白色固体として得た。得られた単量体ＣＭ３は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．５％以上を示した。

［高分子化合物の製造］
上記で得た原料単量体を用いて、以下に示す方法により各種の高分子化合物を製造した。

（実施例１：高分子化合物Ｐ１の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ２（０．４８２ｇ）、単量体ＣＭ３（０．４６２ｇ）、及び単量体ＣＭ５（０．４１０ｇ）と、溶媒となるトルエン（３１ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．３３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２．０３ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．８ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌し、ブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得た。反応溶液中に存在するブロック（Ａ）を有する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝６．９×１０^３、Ｍｗ＝１．１×１０^４であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に、さらに単量体ＣＭ２（０．４５１ｇ）、単量体ＣＭ１（０．２４９ｇ）、及び単量体ＣＭ５（１．２３０ｇ）と溶媒となるトルエン（１０ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．５０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３．１０ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（１７９ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．８５ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（５．１１ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．８ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１６時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．０２ｇ）をイオン交換水（２０ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。

有機層を３．６質量％塩酸（約４０ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約４０ｍｌ）で２回、イオン交換水（約４０ｍｌ）で４回、順次洗浄した。それから、有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約２３０ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約７６０ｍｌ）に滴下して固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．７６６ｇ、高分子化合物Ｐ１）を得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝２．３×１０^４、Ｍｗ＝５．８×１０^４であり、ガラス転移温度は１１５℃であった。

高分子化合物Ｐ１は、表４及び表５に示す単量体の仕込み比（モル比）により得られていることから、以下の表６及び表７に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、４．６０と見積もられる。

なお、表４中、「ブロック（Ａ）の重合における単量体」とは、第１工程にてブロック（Ａ）を含む高分子化合物を製造するために用いた単量体であり、表５中、「ブロック（Ｂ）の重合における単量体」とは、ブロック（Ｂ）を形成するために第２工程にて添加した単量体である。そして、表６及び表７には、各単量体から形成される構成単位と、各単量体の比率から求められる各構成単位の比率（モル比）を示した。以下の説明に示した表中の同様の表現も、これらと同様の意味である。

（実施例２：高分子化合物Ｐ２の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ２（０．７５３ｇ）、単量体ＣＭ３（０．４６３ｇ）、及び単量体ＣＭ５（０．４１０ｇ）と溶媒となるトルエン（３１ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．３３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２．０８ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．８ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌し、ブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得た。反応溶液中に存在するブロック（Ａ）を有する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．２×１０^４、Ｍｗ＝２．０×１０^４であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に、単量体ＣＭ２（０．７２２ｇ）、単量体ＣＭ１（０．２４９ｇ）、及び単量体ＣＭ５（１．２３０ｇ）と溶媒となるトルエン（８ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．５１ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２．９９ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約２．５時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（１７９ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．７７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（５．０６ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．８ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１６．５時間攪拌した。

有機層を３．６質量％塩酸（約４０ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約４０ｍｌ）で２回、イオン交換水（約４０ｍｌ）で約４回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約１１３ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約７６０ｍｌ）に滴下し固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．２８２ｇ、高分子化合物Ｐ２）を得た。高分子化合物Ｐ２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝９．０×１０^３、Ｍｗ＝２．５×１０^４であり、ガラス転移温度は１０１℃であった。

高分子化合物Ｐ２は、表８及び表９に示す単量体の仕込み比により得られていることから、以下の表１０及び表１１に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、５．５０と見積もられる。

（合成例１：高分子化合物ＣＰ２の合成）
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ７（２１．２１８ｇ）、単量体ＣＭ５（５．４８７ｇ）、単量体ＣＭ８（１６．３７７ｇ）、単量体ＣＭ９（２．５７５ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ社製）（５．１７ｇ）と溶媒となるトルエン（４００ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（５６．２ｍｇ）、１７．５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１０９ｍｌ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約６時間攪拌した。次に、フェニルボロン酸（０．４９ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約２時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２４．３ｇ）をイオン交換水（２４０ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。

有機層をイオン交換水（約５２０ｍｌ）で２回、３質量％酢酸水溶液（約５２０ｍｌ）で２回、イオン交換水（約５２０ｍｌ）で２回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約１２４０ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約６２００ｍｌ）に滴下し固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（２６．２３ｇ、高分子化合物ＣＰ２）を得た。高分子化合物ＣＰ２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝７．８×１０^４、Ｍｗ＝２．６×１０^５であり、ガラス転移温度は１１５℃であった。

高分子化合物ＣＰ２は、表１２に示す単量体の仕込み比により得られていることから、表１３に示す構成単位及びモル比率を有するポリマーと推定される。

［合成例２：発光材料ＥＭ−Ａの調製］
以下の方法により、発光材料ＥＭ−Ａの合成を行った。この合成法は、ＷＯ０２／０６６５５２に記載の合成法に従ったものである。

まず、不活性ガス雰囲気下、２−ブロモピリジンと、１．２当量の３−ブロモフェニルボロン酸とのＳｕｚｕｋｉカップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により、下記式で表される２−（３'−ブロモフェニル）ピリジンを得た。

次に、不活性ガス雰囲気下、トリブロモベンゼンと、２．２当量の４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸とのＳｕｚｕｋｉカップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により下記式で表されるブロモ化合物を得た。

不活性ガス雰囲気下、このブロモ化合物を、無水ＴＨＦに溶解後、−７８℃に冷却し、やや過剰のｔｅｒｔ−ブチルリチウムを滴下した。冷却下、Ｂ（ＯＣ４Ｈ９）３を更に滴下し、室温にて反応させた。得られた反応液を３Ｍ塩酸水で後処理して、下記式で表されるボロン酸化合物を得た。

不活性ガス雰囲気下、上記で得た２−（３'−ブロモフェニル）ピリジンと、１．２当量の上記ホウ酸化合物とのＳｕｚｕｋｉカップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により、下記式で表される配位子（即ち、配位子となる化合物）を得た。

アルゴン雰囲気下、上記で得た配位子と、４当量のＩｒＣｌ_３・３Ｈ_２Ｏ、２−エトキシエタノール、イオン交換水を仕込み、還流させた。析出した固体を吸引濾過した。得られた固体をエタノール、イオン交換水の順番で洗浄後、乾燥させ、下記式で表される黄色粉体を得た。

そして、アルゴン雰囲気下、上記の黄色粉体に、２当量の上述した配位子を加え、グリコール系溶媒中で加熱することにより、下記式で表されるイリジウム錯体（発光材料ＥＭ−Ａ）を得た。

得られたイリジウム錯体（発光材料ＥＭ−Ａ）の分析結果は、次の通りである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）、δ（ｐｐｍ）＝１．３８（ｓ，５４Ｈ），δ６．９３（ｄｄ，Ｊ＝６．３，６．６Ｈｚ，３Ｈ），δ７．０４（ｂｒ，３Ｈ），δ７．３０（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，３Ｈ），δ７．４８（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２Ｈ），δ７．６１−７．７０（ｍ，２１Ｈ），δ７．８２（ｓ，６Ｈ），δ８．０１（ｓ，３Ｈ），δ８．０３（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，３Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ(ＡＰＣＩｐｏｓｉ)：[Ｍ＋Ｈ]＋１６７７

［発光素子の作製］
上記で得られた高分子化合物及び発光材料を用いて組成物及びその溶液を調製し、それらを用いて各種の発光素子を作製した。

（実施例３：発光層に高分子化合物Ｐ１を用いる場合）
＜組成物ＭＰ１及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ１及び発光材料ＥＭ−Ａを質量比７０：３０で混合してなる組成物ＭＰ１を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が２．５質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ１の２．５質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ１の作製＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｋ社製、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳＰＡＩ４０８３、以下、「ＣＬＥＶＩＯＳＰ」と言う。
）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で、２００℃で１０分間乾燥させた。次に、高分子化合物ＣＰ２の０．７質量％キシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で、１８０℃で６０分間乾燥させた。この膜厚は約２０ｎｍであった。

次に、組成物ＭＰ１の２．５質量％キシレン溶液を用いてスピンコートにより２１００ｒｐｍの回転速度で成膜した。その膜厚は約８０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で、１８０℃で１０分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着して、発光素子ＤＰ１を作製した。なお、金属の蒸着は、真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に開始した。

得られた発光素子ＤＰ１の素子構成は、ＩＴＯ（陽極）／ＣＬＥＶＩＯＳＰ（正孔注入層、６５ｎｍ）／高分子化合物ＣＰ２（正孔輸送層）／組成物ＭＰ１（発光層）／Ｂａ（５ｎｍ）／Ａｌ（１２０ｎｍ）（Ｂａ及びＡｌを合わせて陰極）となる。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ１に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）５２０ｎｍの緑色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は６．２６Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３０７，０．６３６）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は８．１時間であり、輝度半減寿命は５４．５時間であった。

（実施例４：発光層に高分子化合物Ｐ２を用いる場合）
＜組成物ＭＰ２及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ２及び発光材料ＥＭ−Ａを質量比７０：３０で混合してなる組成物ＭＰ１を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が２．８質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ２の２．８質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ２の作製＞
実施例３における組成物ＭＰ１の２．５質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＰ２の２．８質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を２１００ｒｐｍから２０００ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例３と同様にして、発光素子ＤＰ２を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ２に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）５２０ｎｍの緑色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は６．２３Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３０２，０．６３８）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は１０．３時間であり、輝度半減寿命は６３．０時間であった。

［高分子化合物の製造］
上記の各種の原料単量体を用いて、以下に示す方法により各種の高分子化合物を製造した。

（実施例５：高分子化合物Ｐ５の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ１１（０．４１９ｇ）、単量体ＣＭ３（０．３６１ｇ）、及び単量体ＣＭ１３（０．１２２ｇ）と溶媒となるトルエン（４１ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（０．４９ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．４ｍｌ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌し、ブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得た。反応溶液中に存在するブロック（Ａ）を有する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝６．５×１０^３、Ｍｗ＝１．２×１０^４であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に、単量体ＣＭ１１（０．５７２ｇ）、単量体ＣＭ１０（０．３４０ｇ）、単量体ＣＭ１２（０．２１０ｇ）、及び単量体ＣＭ１３（１．５５０ｇ）と溶媒となるトルエン（１６ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（０．７５ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（９２．７ｍｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（１．２８ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．４ｍｌ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１６．５時間攪拌した。

水層を分液により除去した後に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．５４ｇ）をイオン交換水（１１ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。

有機層を水層と分離した後、有機層を３．６質量％塩酸（約３５ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約３５ｍｌ）で２回、イオン交換水（約３５ｍｌ）で５回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約１０３ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約６８０ｍｌ）に滴下し固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．５９３ｇ、高分子化合物Ｐ５）を得た。高分子化合物Ｐ５のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝５．７×１０^４、Ｍｗ＝１．２×１０^５であり、ガラス転移温度は１５７℃であった。

高分子化合物Ｐ５は、表１４及び表１５に示す単量体の仕込み比により得られていることから、表１６及び表１７に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、３．３３と見積もられる。

（実施例６：高分子化合物Ｐ６の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ１１（０．３１４ｇ）、及び単量体ＣＭ３（０．３６１ｇ）と溶媒となるトルエン（３５ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（０．４９ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．４ｍｌ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌し、ブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得た。反応溶液中に存在するブロック（Ａ）を有する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝６．０×１０^３、Ｍｗ＝１．１×１０^４であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に単量体ＣＭ１１（０．６７７ｇ）、単量体ＣＭ１０（０．３４０ｇ）、単量体ＣＭ１２（０．２１０ｇ）、及び単量体ＣＭ１３（０．６７２ｇ）と溶媒となるトルエン（２３ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（０．８６ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（９２．９ｍｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（１．３６ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．４ｍｌ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１７時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．５３ｇ）をイオン交換水（１１ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。

有機層を３．６質量％塩酸（約３５ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約３５ｍｌ）で２回、イオン交換水（約３５ｍｌ）で４回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約１００ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約７００ｍｌ）に滴下し固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．６３４ｇ、高分子化合物Ｐ６）を得た。高分子化合物Ｐ６のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝６．７×１０^４、Ｍｗ＝１．８×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ６は、表１８及び表１９に示す単量体の仕込み比により得られていることから、表２０及び表２１に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、２．７５と見積もられる。

（合成例３：高分子化合物ＣＰ１の合成）
窒素雰囲気下、単量体である化合物ＣＭ２（１．５６０ｇ）、化合物ＣＭ１（０．３２４ｇ）、化合物ＣＭ３（０．５９８ｇ）、及び化合物ＣＭ５（２．０６６ｇ）と溶媒となるトルエン（５０ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（１．７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１０．０ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１６ｍｌ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約２１時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（５８．０ｍｇ）、酢酸パラジウム（１．６ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１０．１ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１６ｍｌ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、１９．５時間攪拌した。

水層を分液により除去した後に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２．６２ｇ）をイオン交換水（５２ｍｌ）に溶解した溶液を加え、８５℃に加熱しながら約２時間攪拌した。

有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノールに滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．９８０ｇ、高分子化合物ＣＰ１）を得た。高分子化合物ＣＰ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝９．２×１０⁴、Ｍｗ＝２．８×１０⁵であり、ガラス転移温度は１２３℃であった。

高分子化合物ＣＰ１は、表２２に示す単量体の仕込み比により得られていることから、以下の表２３に示す構成単位及びモル比率を有するポリマーと推定される。この場合、高分子化合物ＣＰ１における平均連鎖長ｎは、１１．０と見積もられる。

（比較例１：発光層に高分子化合物ＣＰ１を用いる場合）
＜組成物ＭＣＰ１及びその溶液の調製＞
高分子化合物ＣＰ１と発光材料ＥＭ−Ａとを重量比７０：３０で混合してなる組成物ＭＣＰ１をキシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８重量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＣＰ１の１．８重量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＣＰ１の作製＞
実施例３において、組成物ＭＰ１の２．５重量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＣＰ１の１．８重量％キシレン溶液を用い、スピンコートの回転数を２１００ｒｐｍから２６５０ｒｐｍに変更した以外は、実施例３と同様にして、発光素子ＤＣＰ１を作製した。
＜特性評価＞
発光素子ＤＣＰ１に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）５２０ｎｍの緑色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ²での駆動電圧は７．１１Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３０５，０．６３８）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ²に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は４．９時間であり、輝度半減寿命は４８．０時間であった。

この比較例１における発光素子ＤＣＰ１に用いた高分子化合物（ＣＰ１）は、実施例３における発光素子ＤＰ１に用いた高分子化合物（Ｐ１）及び実施例４における発光素子ＤＰ２に用いた高分子化合物（Ｐ２）と同様の構成単位を有するが、Ｐ１及びＰ２のような電子輸送性を有するブロック（Ａ）を含まない高分子化合物である。そこで、そのような高分子化合物の構造の相違により生じる特性の差を確認するため、それらの各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ²での駆動電圧、発光素子の安定性の指標となる輝度２０％減までに要する時間、及び輝度半減寿命の、ＤＣＰ１を１．００とした場合の相対値を以下の表２４に示す。

［合成例４：発光材料ＥＭ−Ｂの調製］
発光材料ＥＭ−Ｂは、ＷＯ０６／０６２２２６に記載の合成法に従い合成した。

（実施例７：発光層に高分子化合物Ｐ５を用いる場合）
＜組成物ＭＰ５及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ５及び発光材料ＥＭ−Ｂを質量比９２．５：７．５で混合してなる組成物ＭＰ５を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ５の作製＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で、１７０℃で１５分間乾燥させた。次に、高分子化合物ＣＰ２の０．７質量％キシレン溶液を用いて、スピンコートにより１８９０ｒｐｍの回転速度で成膜し、窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で、１８０℃で６０分間乾燥させた。この膜厚は約２０ｎｍであった。

次に、組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液を用いてスピンコートにより１７６０ｒｐｍの回転速度で成膜した。その膜厚は約８０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で、１８０℃で１０分間乾燥させた後、陰極としてフッ化ナトリウムを約３ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、発光素子ＤＰ１を作製した。なお、金属の蒸着は、真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に開始した。

得られた発光素子ＤＰ５の素子構成は、ＩＴＯ（陽極）／ＡＱ１２００（正孔注入層、６５ｎｍ）／高分子化合物ＣＰ２（正孔輸送層）／組成物ＭＰ５（発光層）／フッ化ナトリウム（３ｎｍ）／Ａｌ（８０ｎｍ）（フッ化ナトリウム及びＡｌを合わせて陰極）となる。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ５に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）６２５ｎｍの赤色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は４．１９Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．６６８，０．３２９）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は２０．５時間であり、輝度半減寿命は１６１．７時間であった。

（実施例８：発光層に高分子化合物Ｐ６を用いる場合）
＜組成物ＭＰ６及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ６及び発光材料ＥＭ−Ｂを質量比９２．５：７．５で混合してなる組成物ＭＰ６を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ６の１．８質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ６の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＰ６の１．８質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから２２００ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＰ６を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ５に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）６２５ｎｍの赤色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は４．５８Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．６６９，０．３２９）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は３０．８時間であり、輝度半減寿命は２５８．０時間であった。

（合成例５：高分子化合物ＣＰ３の合成）
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ１１（１．６７２６ｇ）、単量体ＣＭ１０（０．５６５８ｇ）、単量体ＣＭ１３（１．１１４８ｇ）、単量体ＣＭ３（０．５９９５ｇ）、及び単量体ＣＭ１２（０．３４８４ｇ）と溶媒となるトルエン（６９ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．２８ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約７時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（３７．７ｍｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．２８ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１６時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．７５ｇ）をイオン交換水（３５ｍｌ）に溶解した溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。

有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸で２回、イオン交換水で２回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノールに滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（２．５６１ｇ、高分子化合物ＣＰ３）を得た。高分子化合物ＣＰ３のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．２×１０⁵、Ｍｗ＝３．３×１０⁵であった。

高分子化合物ＣＰ３は、表２５に示す単量体の仕込み比により得られていることから、以下の表２６に示す構成単位及びモル比率を有するポリマーと推定される。

（実施例９：高分子化合物Ｐ７の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ６（０．３２１８ｇ）、単量体ＣＭ５（０．０８８５ｇ）、及び単量体ＣＭ３（０．４１０３ｇ）と、溶媒となるトルエン（４４ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．１７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１．１７ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌し、ブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得た。反応溶液中に存在するブロック（Ａ）を有する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．２×１０^４、Ｍｗ＝２．０×１０^４であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に、さらに単量体ＣＭ６（１．２８７２ｇ）、及び単量体ＣＭ５（１．３２８０ｇ）と溶媒となるトルエン（１９ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．５０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３．３３ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３．５時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（１５９ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．６５ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．４８ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１５時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．９１ｇ）をイオン交換水（１８ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら３．５時間攪拌した。

有機層を３．６質量％塩酸（約４０ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約４０ｍｌ）で２回、イオン交換水（約４０ｍｌ）で４回、順次洗浄した。それから、有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約１１０ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約８００ｍｌ）に滴下して固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．７６５ｇ、高分子化合物Ｐ７）を得た。高分子化合物Ｐ７のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．０×１０^５、Ｍｗ＝３．０×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ７は、表２７及び表２８に示す単量体の仕込み比（モル比）により得られていることから、以下の表２９及び表３０に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、３．２５と見積もられる。

（実施例１０：発光層に高分子化合物Ｐ７を用いる場合）
＜組成物ＭＰ７及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ７及び発光材料ＥＭ−Ａを質量比７０：３０で混合してなる組成物ＭＰ７を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ７の１．８質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ７の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＰ７の１．８質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから３１２０ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＰ７を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ７に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）５２０ｎｍの緑色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は５．６４Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３１３，０．６３４）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は６．８時間であり、輝度半減寿命は４７．０時間であった。

（実施例１１：高分子化合物Ｐ８の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ６（１．１５８４ｇ）、及び単量体ＣＭ５（１．４１６５ｇ）と、溶媒となるトルエン（４４ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．５２ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３．５９ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約４時間攪拌して、高分子化合物を得た。反応溶液中に存在する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．１×１０^４、Ｍｗ＝２．７×１０^４であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に、さらに単量体ＣＭ６（０．４５０５ｇ）、及び単量体ＣＭ３（０．４１０３ｇ）と溶媒となるトルエン（１９ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．１８ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１．００ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約２時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（１６０ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．７６ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．６１ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１７時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．９１ｇ）をイオン交換水（１８ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。これによって、第１工程で得た高分子化合物に由来するブロック（Ｂ）と、第２工程の反応により生じるブロック（Ａ）とを備える高分子化合物を生成させた。

有機層を３．６質量％塩酸（約４２ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約４２ｍｌ）で２回、イオン交換水（約４２ｍｌ）で４回、順次洗浄した。それから、有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約２４０ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約８００ｍｌ）に滴下して固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．９２５ｇ、高分子化合物Ｐ８）を得た。高分子化合物Ｐ８のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．３×１０^６、Ｍｗ＝４．５×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ８は、表３１及び表３２に示す単量体の仕込み比（モル比）により得られていることから、以下の表３３及び表３４に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、３．４０と見積もられる。

なお、表３１中、「ブロック（Ｂ）の重合における単量体」とは、第１工程にてブロック（Ｂ）を含む高分子化合物を製造するために用いた単量体であり、表３２中、「ブロック（Ａ）の重合における単量体」とは、ブロック（Ａ）を形成するために第２工程にて添加した単量体である。そして、表３３及び表３４には、各単量体から形成される構成単位と、各単量体の比率から求められる各構成単位の比率（モル比）を示した。

（実施例１２：発光層に高分子化合物Ｐ８を用いる場合）
＜組成物ＭＰ８及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ８及び発光材料ＥＭ−Ａを質量比７０：３０で混合してなる組成物ＭＰ８を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．６質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ８の１．６質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ８の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＰ８の１．６質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから２６００ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＰ８を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ８に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）５２０ｎｍの緑色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は６．５０Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３１６，０．６３２）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は６．７時間であり、輝度半減寿命は４５．５時間であった。

（合成例６：高分子化合物ＣＰ４の合成）
窒素雰囲気下、単量体である単量体ＣＭ６（１．６０８９ｇ）、単量体ＣＭ５（１．４１６５ｇ）、及び単量体ＣＭ３（０．４１０３ｇ）と溶媒となるトルエン（６３ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．７３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．４６ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約４．５時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（１５９．１ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．７１ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．６２ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１９時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．９１ｇ）をイオン交換水（１８ｍｌ）に溶解した溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。

有機層を３．６重量％塩酸（約５０ｍｌ）で２回、２．５重量％アンモニア水溶液（約５０ｍｌ）で２回、イオン交換水（約５０ｍｌ）で６回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約１６０ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約８００ｍｌ）に滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．７７ｇ、高分子化合物ＣＰ４）を得た。高分子化合物ＣＰ４のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．１×１０⁵、Ｍｗ＝３．５×１０⁵であった。

高分子化合物ＣＰ４は、表３５に示す単量体の仕込み比により得られていることから、以下の表３６に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物と推定される。この場合、高分子化合物ＣＰ４における平均連鎖長ｎは、１１．０と見積もられる。

＜比較例４：発光層に高分子化合物ＣＰ４を用いる場合＞
（組成物ＭＣＰ４及びその溶液の調製）
高分子化合物ＣＰ４と発光材料ＥＭ−Ａとを重量比７０：３０で混合してなる組成物ＭＣＰ４をキシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８重量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＣＰ４の１．８重量％キシレン溶液」と言う。

（発光素子ＤＣＰ４の作製）
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＣＰ４の１．８質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから２９００ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＣＰ４を作製した。

＜特性評価＞
発光素子ＤＣＰ４に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）５２０ｎｍの緑色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ²での駆動電圧は８．１７Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３２１，０．６２９）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ²に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は４．７時間であり、輝度半減寿命は３６．０時間であった。

この比較例４における発光素子ＤＣＰ４に用いた高分子化合物は、実施例１０における発光素子ＤＰ７に用いた高分子化合物Ｐ７、及び実施例１２における発光素子ＤＰ８に用いた高分子化合物Ｐ８と同様の構成単位を有するが、Ｐ７及びＰ８のような電子輸送性を有するブロックを（Ａ）を含まない高分子化合物である。そこで、そのような高分子化合物の構造の相違により生じる特性の差を確認するため、それらの各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧、発光素子の安定性の指標となる輝度２０％減までに要する時間、及び輝度半減寿命の、ＤＣＰ４を１．００とした場合の相対値を以下の表３７に示す。

［合成例７：発光材料ＥＭ−Ｃの調製］
発光材料ＥＭ−Ｃは、下記の合成法に従い合成した。

５−ブロモ−２−フェニルピリジン及び４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジンを、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。次に、これらを用いて、以下の方法により化合物Ｌ−２を合成した。

窒素気流下、反応容器に５−ブロモ−２−フェニルピリジン（１０３．０ｇ、４４０ｍｍｏｌ）と脱水ジエチルエーテル１３２０ｍＬとを量り取り、−６７℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．５９Ｍ、３１８．２ｍＬ、５０６ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。滴下終了後、得られた溶液を−６７℃で１．５時間撹拌し、次いで、ホウ酸トリイソプロピル（９５．２ｇ、５０６ｍｍｏｌ）を加え、−６７℃で４時間攪拌してから徐々に室温まで昇温させ、終夜攪拌した。反応溶液に１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液４４０ｍＬと蒸留水５００ｍＬとを加えて室温で３０分間攪拌した。反応溶液から分液操作で水層を回収し、これに３Ｎ塩酸約４００ｍＬを加えてｐＨ５に調整したところ、アメ状の沈殿が生じた。反応溶液から上澄みを除き、この沈澱を蒸留水２００ｍＬで２回洗浄した後、メタノール８００ｍＬに溶解させて、メタノール溶液を得た。上澄みは酢酸エチル１０００ｍＬで２回抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、このメタノール溶液と合わせて減圧濃縮した。得られた残渣に酢酸エチルを加え、水分を共沸除去することにより、薄灰色粉末として化合物Ｌ−１（８２．９ｇ）を得た。

反応容器に、４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジン（１３７．１ｇ、３６１ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ−１（８２．６ｇ、４１５ｍｍｏｌ）、トルエン（２８９０ｍＬ）、及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）（８．３４ｇ、７．２２ｍｍｏｌ)を量り取り、窒素気流下、５０℃で撹拌しながら固形分を溶解させた。得られた溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（７２２ｍＬ）を加えて、１７時間還流させた。反応溶液から有機層を回収し、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液１０００ｍＬ及び１０重量％食塩水１００ｍＬで洗浄した。洗浄した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、約４００ｍＬに濃縮した。得られた濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をクロロホルム３５０ｍＬに溶解させ、エタノール（１４００ｍＬ）を加えて結晶化させた。結晶をろ別回収した後、該結晶をエタノール５００ｍＬで洗浄し、乾燥させることにより、化合物Ｌ−２（１６９．２ｇ）を得た。

得られた化合物Ｌ−２の分析結果は、以下の通りである。なお、化合物Ｌ−２に対するＬＣ−ＭＳの測定においては、ＬＣ−ＭＳの移動相に、約０．１重量％の酢酸を加えたイオン交換水と、約０．１重量％の酢酸を加えたアセトニトリルとを比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。
ＬＣ−ＭＳ(ＡＰＰＩ, ｐｏｓｉｔｉｖｅ)ｍ／ｚ：４９９（［Ｍ＋Ｈ］^＋）
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）、δ＝１．４２（ｓ、１８Ｈ）、７．５２（ｍ、３Ｈ）、７．６２（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．９５（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．１６（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、２Ｈ）、８．６９（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、４Ｈ）、９．０４（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、１０．０２（ｓ、１Ｈ）．

次に、化合物Ｌ−２を用いて、以下の方法により発光材料である金属錯体化合物ＥＭ−Ｃを合成した。

反応容器に、化合物Ｌ−２（２２．１７ｇ、４４ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム三水和物（６．９５ｇ、２０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール(９６ｍＬ)、及び水(３２ｍＬ)を量り取り、アルゴン気流下、１４０℃で１５時間加熱した。空冷後、得られた混合物をろ別し、残渣をメタノール（１５０ｍＬ）、水（１００ｍＬ）、メタノール（１５０ｍＬ）の順で洗浄することにより、赤色固体を得た。この赤色固体をクロロホルム（２００ｍＬ）に溶解させ、エタノール（３００ｍＬ）を加えて２時間還流させた。空冷後、析出した固体をろ別回収し、エタノールで洗浄した。この操作を３回繰り返した後、得られた固体を集め、減圧乾燥させることにより、金属錯体ｃｏｍｌｐｅｘ１（２０．０３ｇ）を得た。

反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ１（７５９ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、ＷＯ２００６／０６２２２６に記載の方法に従って合成した化合物Ｌ−３（３３０ｍｇ、０．６１ｍｍｏｌ）、及びジグライム（９ｍＬ）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１５７ｍｇ、０．６１ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン気流下１００℃で１０時間撹拌した。空冷後、反応混合物に純水（５０ｍＬ）を加え、生じた沈澱をろ別した。この沈澱にトルエン／ヘキサン（１／２（体積基準））混合溶媒（４０ｍＬ）を加え、ろ過した。ろ液を硫酸ナトリウムで乾燥させた。この溶液をろ過し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝１／１．５（体積基準））で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノール（５０ｍＬ）で洗浄し、減圧乾燥させることにより、金属錯体化合物ＥＭ−Ｃ（２５２ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ）を得た。

得られた金属錯体化合物ＥＭ−Ｃの分析結果は、以下の通りである。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ,ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：１７３３（［Ｍ＋Ｈ］^＋）
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ_８）、δ＝１．２２（ｓ、１８Ｈ）、１．３５（ｓ、１８Ｈ）、１．３８（ｓ、１８Ｈ）、６．８１（ｍ、１Ｈ）、６．８２（ｍ、１Ｈ）、６．８６（ｍ、１Ｈ）、６．９０（ｍ、１Ｈ）、６．９６（ｄ、Ｊ＝７．１Ｈｚ、１Ｈ）、７．４１（ｄ、Ｊ＝７．１Ｈｚ、１Ｈ）、７．２２（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．２４（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．４７（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、４Ｈ）、７．４８（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）、７．５０（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、４Ｈ）、７．６６（ｍ、１Ｈ）、７．６６（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、４Ｈ）、７．７１（ｍ、２Ｈ）、７．７４（ｓ、１Ｈ）、７．８４（ｓ、２Ｈ）、７．８９（ｄ、Ｊ＝７．９Ｈｚ、１Ｈ）、７．９３（ｄ、Ｊ＝７．９Ｈｚ、１Ｈ）、８．０３（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．０６（ｍ、１Ｈ）、８．２９（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．３８（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）、８．４１（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．４３（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、４Ｈ）、８．６７（ｓ、１Ｈ）、８．９９（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、９．２１（ｍ、１Ｈ）、９．２３（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、９．２８（ｓ、１Ｈ）、９．４４（ｓ、１Ｈ）．

（単量体ＣＭ１６の合成）
下記の工程を行って、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．０％以上の単量体ＣＭ１６を得た。

アルゴン気流下、反応容器に金属錯体化合物ＥＭ−Ｃ（４．２５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）とクロロホルム（４００ｍＬ）を量りとり、金属錯体を溶解させた。これにＮ−ブロモスクシンイミド (８７２ｍｇ、４．９ｍｍｏｌ)を加え、室温で２４時間攪拌した。溶媒を留去し、残渣にクロロホルム／ヘキサン混合溶媒(１００ｍＬ)を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）。溶出した溶液を回収し、溶媒を留去した後に、残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体の単量体ＣＭ１６（３．７６ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を得た。

得られた金属錯体の単量体ＣＭ１６の分析結果は、以下の通りである。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ、［測定方法１］）ｍ／ｚ：１８９０（［Ｍ］）
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ_８）、δ＝１．２７（ｓ、１８Ｈ）、１．３６（ｓ、１８Ｈ）、１．４１（ｓ、１８Ｈ）、６．９５（ｍ、４Ｈ）、７．２４（ｍ、２Ｈ）、７．４８（ｍ、１２Ｈ）、７．６９（ｍ、５Ｈ）、７．７４（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｓ、２Ｈ）、７．９９（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、１Ｈ）、８．０９（ｍ、３Ｈ）、８．４０（ｍ、９Ｈ）、８．５４（ｄ、Ｊ＝８．６Ｈｚ、１Ｈ）、８．６８（ｓ、１Ｈ）、９．０５（ｍ、１Ｈ）、９．２２（ｍ、２Ｈ）、９．２８（ｄ、Ｊ＝８．６Ｈｚ、１Ｈ）、９．４６（ｓ、１Ｈ）．

（実施例１３：高分子化合物Ｐ９の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ１１（０．２７７０ｇ）、単量体ＣＭ１３（０．０８０６ｇ）、及び単量体ＣＭ３（０．２３８３ｇ）と、溶媒となるトルエン（３１ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３８ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．６ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約３時間攪拌し、ブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得た。反応溶液中に存在するブロック（Ａ）を有する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝８．３×１０^３、Ｍｗ＝１．２×１０^４であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に、さらに単量体ＣＭ１１（０．３８７８ｇ）、単量体ＣＭ１０（０．２２４９ｇ）、単量体ＣＭ１３（０．３３０３ｇ）、単量体ＣＭ１２（０．１３８５ｇ）、及び単量体ＣＭ１６（０．０９４５ｇ）と溶媒となるトルエン（１９ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．５３ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約４時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（３０．８ｍｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．９４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．６ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１６時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．３５ｇ）をイオン交換水（６．７ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２．５時間攪拌した。

有機層を３．６質量％塩酸（約２５ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約２５ｍｌ）で２回、イオン交換水（約２５ｍｌ）で４回、順次洗浄した。それから、有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約９５ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約４７５ｍｌ）に滴下して固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．１３４ｇ、高分子化合物Ｐ９）を得た。高分子化合物Ｐ９のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝９．１×１０^４、Ｍｗ＝３．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ９は、表３８及び表３９に示す単量体の仕込み比（モル比）により得られていることから、以下の表４０及び表４１に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、３．３３と見積もられる。

（実施例１４：発光層に高分子化合物Ｐ９を用いる場合）
＜高分子化合物Ｐ９を含む溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ９を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．６質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「高分子化合物Ｐ９の１．６質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ９の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、高分子化合物Ｐ９の１．６質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから２１００ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＰ９を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ９に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）６１５ｎｍの赤色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は４．２３Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．６５０，０．３４９）であった。

（合成例８：高分子化合物ＣＰ５の合成）
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ１１（０．２６５９ｇ）、単量体ＣＭ１０（０．０９００ｇ）、単量体ＣＭ１３（０．１６４４ｇ）、単量体ＣＭ３（０．０９５３ｇ）、単量体ＣＭ１２（０．０５５４ｇ）、及び単量体ＣＭ１６（０．０３７８ｇ）と溶媒となるトルエン（１６ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３９ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．６５ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約５時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（１２．３ｍｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３９ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．６５ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１８時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．１４ｇ）をイオン交換水（２．７ｍｌ）に溶解した溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。

有機層を３．６重量％塩酸（約１０ｍｌ）で２回、２．５重量％アンモニア水溶液（約１０ｍｌ）で２回、イオン交換水（約１０ｍｌ）で４回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約２８ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約１９０ｍｌ）に滴下し高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（０．４１９ｇ、高分子化合物ＣＰ５）を得た。高分子化合物ＣＰ５のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝９．３×１０^４、Ｍｗ＝３．０×１０^５であった。

高分子化合物ＣＰ５は、表４２に示す単量体の仕込み比により得られていることから、以下の表４３に示す構成単位及びモル比率を有するポリマーと推定される。

（比較例５：発光層に高分子化合物ＣＰ５を用いる場合）
＜高分子化合物ＣＰ５を含む溶液の調製＞
高分子化合物ＣＰ５を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「高分子化合物ＣＰ５の１．８質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＣＰ５の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、高分子化合物ＣＰ５の１．８質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから２５００ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＣＰ５を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＣＰ５に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）６１５ｎｍの赤色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は４．７０Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．６４８，０．３５０）であった。

この比較例５における発光素子ＤＣＰ５に用いた高分子化合物（ＣＰ５）は、実施例１４における発光素子ＤＰ９に用いた高分子化合物（Ｐ９）と同様の構成単位を有するが、Ｐ９のような電子輸送性を有するブロック（Ａ）を含まない高分子化合物である。そこで、そのような高分子化合物の構造の相違により生じる特性の差を確認するため、それらの各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧の、ＤＣＰ５を１．００とした場合の相対値を以下の表４４に示す。

（実施例１５：高分子化合物Ｐ１０の合成）
＜第１工程＞
窒素雰囲気下、単量体ＣＭ６（０．３０４０ｇ）、単量体ＣＭ１５（０．１６３８ｇ）、及び単量体ＣＭ１４（０．２７４２ｇ）と、溶媒となるトルエン（２９ｍｌ）との混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．２２ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１．１３ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．０ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約４時間攪拌し、ブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得た。反応溶液中に存在するブロック（Ａ）を有する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝４．４×１０^３、Ｍｗ＝９．８×１０^３であった。

＜第２工程＞
続いて、反応溶液中に、さらに単量体ＣＭ６（０．９６２８ｇ）、及び単量体ＣＭ１５（１．１４６９ｇ）と溶媒となるトルエン（１０ｍｌ）とを加えて約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（０．４４ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２．５４ｍｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約４時間攪拌した。

次に、フェニルボロン酸（６３ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．６４ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３．６４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．０ｇ）を加え、オイルバスで更に加熱しながら、還流下で、約１５時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）をイオン交換水（１４ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら３．５時間攪拌した。

有機層を３．６質量％塩酸（約３６ｍｌ）で２回、２．５質量％アンモニア水溶液（約３６ｍｌ）で２回、イオン交換水（約３６ｍｌ）で５回、順次洗浄した。それから、有機層をメタノールに滴下し生成物を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエン（約２００ｍｌ）に溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液し、得られた溶液をメタノール（約６８０ｍｌ）に滴下して固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．４９９ｇ、高分子化合物Ｐ１０）を得た。高分子化合物Ｐ１０のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．８×１０^５、Ｍｗ＝５．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ１０は、表４５及び表４６に示す単量体の仕込み比（モル比）により得られていることから、以下の表４７及び表４８に示す構成単位及びモル比率を有する高分子化合物であると推定される。この場合、ブロック（Ａ）における平均連鎖長ｎは、３．７０と見積もられる。

（実施例１６：発光層に高分子化合物Ｐ１０を用いる場合）
＜組成物ＭＰ１０及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ１０及び発光材料ＥＭ−Ａを質量比７０：３０で混合してなる組成物ＭＰ１０を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．２質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ１０の１．２質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ１０の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＰ１０の１．２質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから１６５０ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＰ１０を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ１０に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）５２０ｎｍの緑色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は７．８２Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．３０９，０．６３６）であった。

（実施例１７：発光層に高分子化合物Ｐ５を用いる場合）
＜組成物ＭＰ５−２及びその溶液の調製＞
高分子化合物Ｐ５及び発光材料ＥＭ−Ｃを質量比９２．５：７．５で混合してなる組成物ＭＰ５−２を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＰ５−２の１．８質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＰ５−２の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＰ５−２の１．８質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから１７００ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＰ５−２を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＰ５−２に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）６１５ｎｍの赤色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は３．９４Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．６４３，０．３５５）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は１１３．６時間であり、輝度６０％減寿命は４６３．４時間であった。

＜比較例６：発光層に高分子化合物ＣＰ３を用いる場合＞
（組成物ＭＣＰ３及びその溶液の調製）
高分子化合物ＣＰ３及び発光材料ＥＭ−Ｃを質量比９２．５：７．５で混合してなる組成物ＭＣＰ３を、キシレン（関東化学社製、電子工業用グレード）に、全固形分濃度が１．８質量％となるように溶解させた。こうして得られた溶液を、以下、「組成物ＭＣＰ３の１．８質量％キシレン溶液」と言う。

＜発光素子ＤＣＰ３の作製＞
実施例７における組成物ＭＰ５の１．８質量％キシレン溶液に代えて、組成物ＭＣＰ３の１．８質量％キシレン溶液を用い、さらにスピンコートの回転数を１７６０ｒｐｍから２０８０ｒｐｍに変更したこと以外は、実施例７と同様にして、発光素子ＤＣＰ３を作製した。

＜特性評価＞
得られた発光素子ＤＣＰ３に電圧を印加したところ、ピーク波長（ＥＬ）６１５ｎｍの赤色発光を示した。輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧は４．２１Ｖであり、色度座標Ｃ．Ｉ．Ｅ．１９３１は（ｘ，ｙ）＝（０．６４４，０．３５５）であった。初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、定電流駆動したところ、輝度２０％減までに要した時間は１０１．０時間であり、輝度６０％減寿命は３８３．２時間であった。

この比較例６おける発光素子ＤＣＰ３に用いた高分子化合物は、実施例１７における発光素子ＤＰ５−２に用いた高分子化合物Ｐ５と同様の構成単位を有するが、Ｐ５のような電子輸送性を有するブロックを（Ａ）を含まない高分子化合物である。そこで、そのような高分子化合物の構造の相違により生じる特性の差を確認するため、それらの各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ^２での駆動電圧、発光素子の安定性の指標となる輝度２０％減までに要する時間、及び輝度６０％減減寿命の、ＤＣＰ３を１．００とした場合の相対値を以下の表４９に示す。

Claims

第１の基を２つ以上含むとともに、該第１の基同士が式（０−０）で表される第２の基によって連結された構造を含み、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）と、
前記ブロック（Ａ）とは異なる構造を有し、式（ＩＢ）で表される構成単位及び／又は式（ＩＩ）で表される構成単位を含むブロック（Ｂ）と、を含み、
前記第１の基として、式（０−１）で表される基及び式（０−２）で表される基の少なくとも一方を有し、
前記ブロック（Ｂ）が、式（ＶＩＩ）で示される値が０．５以下となるように含まれている、高分子化合物。

［式（０−０）中、
Ａｒ^０は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基であって第１の基とは異なる構造を有する基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。ｎはＡｒ^０の平均連鎖長を表し、１．０以上８．０以下の数である。
式（０−１）及び式（０−２）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５、Ｘ^１６、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５及びＸ^１６のうちの３つは窒素原子であり、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５のうちの３つは窒素原子である。式（０−１）で表される基及び式（０−２）で表される基は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。］

［式（０）中、
Ｚは、前記式（０−１）で表される基又は前記式（０−２）で表される基を表す。
Ａｒ ^０ａ及びＡｒ ^０ｂは、それぞれ独立に、前記Ａｒ ^０と同義であってＺとは異なる構造を有する基である。Ａｒ ^０ａ及びＡｒ ^０ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｓ _１及びｓ _２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。］
［Ｂ］／［Ａ］（ＶＩＩ）
［式（ＶＩＩ）中、［Ａ］は、ブロック（Ａ）に含まれる前記式（０）で表される構成単位のモル％を示し、［Ｂ］は、ブロック（Ｂ）に含まれる前記式（０）で表される構成単位のモル％を示す。］

［式（ＩＢ）中、
Ａｒ ^１Ｂは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。式（ＩＩ）中、Ａｒ ^２は、２価の芳香族アミン残基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。］
前記第１の基として、式（０−１）で表される基を有し、
式（０−１）中、Ｘ ^１２、Ｘ ^１４及びＸ ^１６が炭素原子であり、Ｘ ^１１、Ｘ ^１３及びＸ ^１５が窒素原子である、請求項１記載の高分子化合物。
前記ｎが、１．０以上６．５以下の数である、請求項１又は２記載の高分子化合物。
前記ｎが、１．５以上５．０以下の数である、請求項３記載の高分子化合物。
前記Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂが、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフタレン−ジイル基、フルオレン−ジイル基及びジヒドロフェナントレン−ジイル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
前記式（０）で表される構成単位として、式（２）で表される構成単位を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［式（２）中、Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂは、それぞれ、前記Ａｒ^０ａ及び前記Ａｒ^０ｂと同義である。ただし、Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂは、１,３,５−トリアジン−ジイル基とは異なる基である。Ａｒ^２ｃは、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｔ_１及びｔ_２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。］
前記Ａｒ^２ａ及びＡｒ^２ｂが、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフタレン−ジイル基、フルオレン−ジイル基及びジヒドロフェナントレン−ジイル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基である、請求項６記載の高分子化合物。
前記ブロック（Ａ）が、前記式（２）で表される構成単位と、式（Ｉ）で表される構成単位と、を含む、請求項６又は７記載の高分子化合物。

［式（Ｉ）中、Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。］
前記式（Ｉ）で表される構成単位として、式（３）で表される構成単位及び式（４）で表される構成単位（前記式（２）で表される構成単位及び式（３）で表される構成単位とは異なる。）からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む、請求項８記載の高分子化合物。

［式（３）中、
Ａｒ^３ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ｒ^３ａは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基であって、Ａｒ^３ａにおける他の構成単位との結合手を形成している部位の隣の置換位に置換している基である。Ｒ^３ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｇは１から４の整数である。
式（４）中、
Ａｒ^４ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を、置換基として有していてもよい。Ａｒ^４ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｋは１から３の整数である。］
前記式（２）で表される構成単位の両側に、前記式（３）で表される構成単位が隣接している、請求項９記載の高分子化合物。
前記式（３）で表される構成単位又は前記式（４）で表される構成単位の両側に、前記式（２）で表される構成単位が隣接している、請求項９又は１０記載の高分子化合物。
前記式（３）で表される構成単位として、式（１）で表される構成単位及び式（７）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［式（１）中、
Ｒ^１ａは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基又は置換アミノ基を表し、Ｒ^１ｂ及びＲ^１ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。Ｒ^１ａとＲ^１ｃの少なくとも一方は、水素原子以外の基を有する。なお、２つのＲ^１ｃは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（７）中、
Ｒ^７ａ及びＲ^７ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、Ｒ^７ｂ及びＲ^７ｄは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。］
前記式（４）で表される構成単位として、式（９）で表される構成単位、式（１０）で表される構成単位及び式（１１）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［式（９）中、Ｒ^９ａ及びＲ^９ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表し、Ｒ^９ａとＲ^９ｃとが互いに結合して環構造を形成してもよい。］
前記式（ＩＢ）で表される構成単位として、式（３Ｂ）で表される構成単位及び式（４Ｂ）で表される構成単位（式（３Ｂ）で表される構成単位とは異なる。）からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、前記式（ＩＩ）で表される構成単位として、式（５）で表される構成単位を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［式（３Ｂ）中、
Ａｒ^３１ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ｒ^３１ａは、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基であって、Ａｒ^３１ａにおける他の構成単位との結合手を形成している部位の隣の置換位に置換している基である。Ｒ^３１ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｇ_Ｂは１から４の整数である。
式（４Ｂ）中、
Ａｒ^４１ａは、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を、置換基として有していてもよい。Ａｒ^４１ａが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｋ_Ｂは１から３の整数である。
式（５）中、
Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ及びＡｒ^５ｈは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ及びＡｒ^５ｇは、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ、Ａｒ^５ｇ及びＡｒ^５ｈは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を、置換基として有していてもよい。Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆ及びＡｒ^５ｇで表される基は、それぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接結合するか、或いは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(＝Ｏ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｏ−、−Ｎ(Ｒ^Ａ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｎ(Ｒ^Ａ)−又は−Ｃ(Ｒ^Ａ)_２−で表される基を介して結合して、５〜７員環を形成していてもよい。これらの式中のＲ^Ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表す。Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ及びＡｒ^５ｈが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ｎ_１及びｎ_２は、それぞれ独立に、０又は１であり、ｎ_３は、０又は正の整数であり、ｎ_４、ｎ_５、ｎ_６及びｎ_７は、それぞれ独立に、正の整数である。］
前記式（ＩＢ）で表される構成単位として、式（１Ｂ）で表される構成単位、式（７Ｂ）で表される構成単位、式（９Ｂ）で表される構成単位、式（１０Ｂ）で表される構成単位及び式（１１Ｂ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［式（１Ｂ）中、
Ｒ^１１ａは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基又は置換アミノ基を表し、Ｒ^１１ｂ及びＲ^１１ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。なお、２つのＲ^１１ｃは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（７Ｂ）中、
Ｒ^７１ａ及びＲ^７１ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、Ｒ^７１ｂ及びＲ^７１ｄは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。
式（９Ｂ）中、
Ｒ^９１ａ及びＲ^９１ｃは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、又はアラルキル基を表し、Ｒ^９１ａとＲ^９１ｃとが互いに結合して環構造を形成してもよい。］
前記ブロック（Ａ）、前記ブロック（Ｂ）、並びに、前記ブロック（Ａ）及び前記ブロック（Ｂ）とは異なるブロックからなる群より選ばれる少なくとも１種のブロックに、燐光発光性化合物から誘導される構成単位が含まれる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
前記燐光発光性化合物から誘導される構成単位が、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム及びユーロピウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を中心金属として有する燐光発光性化合物から誘導される構成単位である、請求項１６記載の高分子化合物。
前記ブロック（Ａ）に含まれている式（０）で表される構成単位の割合が、高分子化合物の全構成単位に対して５〜４０モル％であり、且つ、前記ブロック（Ａ）の全構成単位に対して５〜１００モル％である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物。
前記式（０）で表される構成単位、前記式（３）で表される構成単位、前記式（４）で表される構成単位、前記式（３Ｂ）で表される構成単位、前記式（４Ｂ）で表される構成単位、及び、前記式（５）で表される構成単位の合計の質量の比率が、
高分子化合物の全質量を１．０としたとき、０．９以上である、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の高分子化合物。
式（Ｖ）で示される値が、０．０１以上０．８以下である、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の高分子化合物。
［Ｃ］／［Ｄ］（Ｖ）
［式（Ｖ）中、［Ｃ］は、前記ブロック（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量を示し、［Ｄ］は、高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。］
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料と、を含有する、組成物。
前記正孔輸送材料、前記電子輸送材料及び前記発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料として、燐光発光性化合物を含む、請求項２１記載の組成物。
前記燐光発光性化合物が、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム及びユーロピウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を中心金属として有する燐光発光性化合物である、請求項２２記載の組成物。
前記燐光発光性化合物が、式（８）で表される構造を含む化合物である、請求項２３記載の組成物。

［式（８）中、
Ｍは、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム及びユーロピウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を表す。
Ａ環は、単環でも縮合環でもよく、式中のＮ以外にヘテロ原子を有してもよい芳香族複素環を表す。
Ｂ環は、単環でも縮合環でもよい芳香環を表す。
Ｒは置換基を表し、Ｒが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ及びｍｍは０又は正の整数を表す。］
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の組成物と、
溶媒と、を含有する溶液。
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の組成物を含む薄膜。
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の組成物を含む有機層を備える、発光素子。
前記有機層が、発光層である、請求項２７記載の発光素子。
請求項２８記載の発光素子を備える面状光源。
請求項２８記載の発光素子を備える表示素子。
式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む第１の単量体混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む第１の化合物を合成する第１工程と、
前記第１の化合物と、前記第１の化合物とは異なる構造を有し且つ前記第１の化合物と縮合重合することが可能な第２の化合物と、を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程と、
を有する高分子化合物の製造方法。

［式（Ｒ−０）及び式（０）中、
Ｚは、式（０−１）で表される基又は式（０−２）で表される基を表す。
Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基であってＺとは異なる構造を有する基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｓ_１及びｓ_２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。
式（Ｒ−Ｉ）中、
Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（０−１）及び式（０−２）中、
Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５、Ｘ^１６、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５及びＸ^１６のうちの３つは窒素原子であり、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５のうちの３つは窒素原子である。式（０−１）で表される基及び式（０−２）で表される基は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（Ｒ−０）及び式（Ｒ−Ｉ）中、
Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^２１及びＷ^２２は、それぞれ独立に、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基である。］
前記第２工程において、前記第２の化合物として、前記式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む第２の単量体混合物を用いる、請求項３１記載の高分子化合物の製造方法。

［式（Ｒ−ＩＩ）中、
Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン残基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
Ｗ^３１及びＷ^３２は、それぞれ独立に、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基である。］
式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む第１の単量体混合物を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含む第１の化合物を得る第１工程と、
前記式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む第２の単量体混合物を縮合重合させて、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含む第２の化合物を得る第２工程と、
前記第１の化合物と前記第２の化合物とを縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）と、式（ＩＩ）で表される構成単位を複数含むブロック（Ｂ）と、を有する高分子化合物を得る第３工程と、
を有する高分子化合物の製造方法。

［式（Ｒ−０）及び式（０）中、
Ｚは、式（０−１）で表される基又は式（０−２）で表される基を表す。
Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基であってＺとは異なる構造を有する基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｓ_１及びｓ_２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。
式（Ｒ−Ｉ）中、
Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（Ｒ−ＩＩ）及び式（ＩＩ）中、
Ａｒ^２は、２価の芳香族アミン残基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（０−１）及び式（０−２）中、
Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５、Ｘ^１６、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５及びＸ^１６のうちの３つは窒素原子であり、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５のうちの３つは窒素原子である。式（０−１）で表される基及び式（０−２）で表される基は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（Ｒ−０）、式（Ｒ−Ｉ）及び式（Ｒ−ＩＩ）中、
Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^２１、Ｗ^２２、Ｗ^３１及びＷ^３２は、それぞれ独立に、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基である。］
式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物及び式（Ｒ−ＩＩ）で表される化合物を含む第１の単量体混合物を縮合重合させて、第１の化合物を合成する第１工程と、
前記第１の化合物と、式（Ｒ−０）で表される化合物を縮合重合させるか、或いは、前記第１の化合物と、式（Ｒ−０）で表される化合物及び式（Ｒ−Ｉ）で表される化合物を含む第２の単量体混合物と、を縮合重合させて、式（０）で表される構成単位を複数含むブロック（Ａ）を有する高分子化合物を得る第２工程と、
を有する高分子化合物の製造方法。

［式（Ｒ−０）及び式（０）中、
Ｚは、式（０−１）で表される基又は式（０−２）で表される基を表す。Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基であってＺとは異なる構造を有する基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。Ａｒ^０ａ及びＡｒ^０ｂが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｓ_１及びｓ_２は、それぞれ独立に、１又は２を表す。
式（Ｒ−Ｉ）中、
Ａｒ１は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（Ｒ−ＩＩ）中、
Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン残基を表し、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（０−１）及び式（０−２）中、
Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５、Ｘ^１６、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。ただし、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５及びＸ^１６のうちの３つは窒素原子であり、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４及びＸ^２５のうちの３つは窒素原子である。式（０−１）で表される基及び式（０−２）で表される基は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を置換基として有していてもよい。
式（Ｒ−０）、式（Ｒ−Ｉ）及び式（Ｒ−ＩＩ）中、
Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^２１、Ｗ^２２、Ｗ^３１及びＷ^３２は、それぞれ独立に、縮合重合反応を生じることが可能な重合活性基である。］