JP5865819B2 - 入力装置 - Google Patents

Description

本発明は、操作面の操作位置を検知可能な入力装置に係り、特に、透明基材表面に形成された透明電極間を接続するブリッジ配線の構成に関する。

特許文献１には、複数の透明電極間を電気的に接続するブリッジ配線（特許文献１には交差部分、中継電極と記載されている）をＩＴＯで形成した入力装置が開示されている。

また特許文献２には、複数の透明電極間を電気的に接続するブリッジ配線（特許文献２にはブリッジ配線と記載されている）をＭｏ、Ａｌ、Ａｕ等で形成した入力装置が開示されている。

また特許文献３には、複数の透明電極間を電気的に接続するブリッジ配線（特許文献３には、導電部材と記載されている）を、金属層の単層又は少なくとも１層以上の金属層を含む複層を備えた導電体膜によって形成するとの記載がある。金属層の材料としては、金、銀、銅、モリブデン等を選択できる。また特許文献３には視認側に金属酸化物層を形成することで、導電体膜を視認しづらくできるとしている。

また特許文献４には、複数の透明電極間を電気的に接続するブリッジ配線（特許文献４には、第２透光性導電膜と記載されている）の一例として、ＩＴＯ層、銀系金属層及びＩＴＯ層が積層された透光性導電膜が記載されている。

なお透明電極の形成面を構成する透明基材と、ブリッジ配線との間には絶縁層が介在している。すなわちブリッジ配線は絶縁層の表面を通って各透明電極間を電気的に接続している。

特開２００８−３１０５５０号公報 特開２０１０−２７１７９６号公報 ＷＯ２０１０／１５０６６８号 特開２０１１−１２８６７４号公報

特許文献１では、ブリッジ配線をＩＴＯで形成しており、ブリッジ配線の配線抵抗が大きくなる問題があった。

また特許文献２のように、金属材料でブリッジ配線を形成することで、ブリッジ配線の配線抵抗をＩＴＯより低くできるが、良好な不可視特性、すなわちブリッジ配線が見えてはならず、さらにブリッジ配線の耐環境性（耐湿性や耐熱性）を向上させることが必要であった。加えて、ブリッジ配線の形成面を構成する絶縁層との間の良好な密着性を確保することが必要であった。

特許文献３には、ブリッジ配線の不可視性を改善できる点が記載されている。また特許文献４にはブリッジ配線のシート抵抗を低くできる点が記載されている。なお特許文献３，４には、ブリッジ配線を積層構造にする点が記載されているものの、絶縁層の表面から透明電極の表面にかけて、各層がどのように形成されるのか断面図などで示されていない。

このようにブリッジ配線をＩＴＯや金属層、さらにはこれらを積層した構造は公知であるが、特許文献１〜４に記載された発明には、ブリッジ配線を構成する金属層としてＣｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金を用いた場合に、良好な不可視性、絶縁層との密着性の確保、耐環境性（高温環境、高温・高湿環境）の向上、及び静電破壊耐性の向上を図ることが可能なブリッジ配線を有する入力装置の構造について何ら開示されていない。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、低抵抗金属としてＣｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金を用いた際に、良好な不可視特性を確保できるとともに、ブリッジ配線の耐環境性や静電破壊耐性等を向上させることが可能な入力装置を提供することを目的とする。

本発明における入力装置は、透明基材と、前記透明基材の第１の面に形成された複数の透明電極と、前記透明電極間を電気的に接続するブリッジ配線と、前記透明基材と前記ブリッジ配線との間に形成された絶縁層と、を有し、
前記透明電極は、複数の第１の透明電極と、複数のＩＴＯからなる第２の透明電極とを備え、各第１の透明電極が第１の方向に連結されており、前記第１の透明電極の連結部の表面に前記絶縁層が形成され、前記絶縁層の絶縁表面を通って形成された前記ブリッジ配線により各第２の透明電極が、前記第１の方向と交叉する第２の方向に連結されており、
前記絶縁層は、ノボラック樹脂で形成されており、
前記絶縁層は、前記第１の透明電極の連結部と前記第２の透明電極との間の空間を埋めるとともに前記第２の透明電極の表面にまで乗り上げて形成されており、
前記ブリッジ配線は、前記絶縁層の表面から前記第２の透明電極の表面にかけて接して形成されたアモルファスＩＴＯからなる下地層と、前記下地層の表面のみに形成されたＣｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金からなる金属層と、前記金属層の表面のみに形成されたアモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層との積層構造を備えることを特徴とするものである。

これにより良好な不可視特性を確保できるとともに、ブリッジ配線の低抵抗化及び静電破壊耐性の向上を実現でき、さらにブリッジ配線と絶縁層との間の密着性を良好にできる。また、アモルファスＩＴＯからなる下地層は、ノボラック樹脂からなる絶縁層の吸水性に起因する水分に対するバリア層として機能する。さらに環境変化に伴うノボラック樹脂からなる絶縁層の収縮に対してアモルファスＩＴＯからなる下地層は適切に追従できる。また、アモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層を、ブリッジ配線の表面側から流入してくる水分に対するバリア層として機能させることができる。このように良好な耐環境性（耐湿性、耐熱性）も確保できる。

また本発明では、前記ブリッジ配線は、３．５ｋＶ以上のＥＳＤ特性を備えることが好適である。また、前記ブリッジ配線のシート抵抗値Ｒｓは、５５Ω／□以下であることが好ましい。
また前記金属層の膜厚は、６〜１０ｎｍであることが好ましい。

また本発明では、前記ブリッジ配線は、各透明電極の表面、前記絶縁層の表面及び前記透明基材の表面に、前記下地層、前記金属層及び前記導電性酸化物保護層を重ねて積層した後、フォトリソグラフィ技術により前記絶縁層の表面から前記第２の透明電極層の表面にかけて細長い形状に残したものであることが好ましい。
また前記絶縁層には、ブリーチングが施されていることが好ましい。

また本発明は、前記ブリッジ配線の表面には、光学透明粘着層が接している構成に好ましく適用できる。また、前記透明基材の第１の面側と、表面が操作面であるパネル間が前記光学透明粘着層により接合されている構成に好ましく適用できる。

本発明では、Ｃｕ合金からなる前記金属層は、ＣｕＮｉ層であることが好適である。また、Ａｇ合金からなる前記金属層は、ＡｇＰｄＣｕ層であることが好適である。

本発明の入力装置によれば、良好な不可視特性を確保できるとともに、ブリッジ配線の低抵抗化及び静電破壊耐性の向上を実現でき、さらにブリッジ配線と絶縁層との間の密着性を良好にできる。また、アモルファスＩＴＯからなる下地層は、ノボラック樹脂からなる絶縁層の吸水性に起因する水分に対するバリア層として機能する。さらに環境変化に伴うノボラック樹脂からなる絶縁層の収縮に対してアモルファスＩＴＯからなる下地層は適切に追従できる。また、アモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層を、ブリッジ配線の表面側から流入してくる水分に対するバリア層として機能させることができる。このように良好な耐環境性（耐湿性、耐熱性）も確保できる。

図１は、本実施形態における入力装置（タッチパネル）を構成する透明基材の表面に形成された各透明電極及び配線部を示す平面図である。 図２（ａ）は、図１に示す入力装置の拡大平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）をＡ−Ａに沿って切断し矢印方向から見た入力装置の部分拡大縦断面図であり、図２（ｃ）は、図２（ｂ）とは一部異なる入力装置の部分拡大縦断面図である。 図３（ａ）は、第１の実施形態におけるブリッジ配線の拡大縦断面図であり、図３（ｂ）は、第２の実施形態におけるブリッジ配線の拡大縦断面図である。 図４は、本実施形態における入力装置の製造方法を示す工程図であり、図４の右図が部分縦断面図、図４の左図が平面図である。

図１は、本実施形態における入力装置（タッチパネル）を構成する透明基材の表面に形成された各透明電極及び配線部を示す平面図であり、図２（ａ）は、図１に示す入力装置の拡大平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）をＡ−Ａに沿って切断し矢印方向から見た入力装置の部分拡大縦断面図であり、図２（ｃ）は、図２（ｂ）とは一部異なる入力装置の部分拡大縦断面図である。
なおこの明細書において、「透明」「透光性」とは可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。更にヘイズ値が６以下であることが好適である。

なお図１には、入力装置１を構成する透明基材２の表面（第１の面）２ａに形成された各透明電極４，５及び配線部６を図示したが、実際には図２（ｂ）のように、透明基材２の表面側に透明なパネル３が設けられ、また配線部６の位置には加飾層が存在するので、配線部６をパネル３の表面側から見ることはできない。なお透明電極は透明なので視認できないが、図１では透明電極の外形を示している。

透明基材２は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。また各透明電極４，５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料でスパッタや蒸着等により成膜される。ここでのＩＴＯは結晶ＩＴＯである。

図１に示すように、表示領域１１（指などの操作体により操作を行うことができる、表示ディスプレイが対向する表示画面）内には複数の第１の透明電極４と複数の第２の透明電極５とが形成される。

図１、図２（ａ）に示すように複数の第１の透明電極４は、透明基材２の表面２ａに形成され、各第１の透明電極４は、細長い連結部７を介してＹ１−Ｙ２方向（第１の方向）に連結されている。そしてＹ１−Ｙ２方向に連結された複数の第１の透明電極４からなる第１の電極８がＸ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配列されている。

また図１、図２（ａ）に示すように複数の第２の透明電極５は、透明基材２の表面２ａに形成される。このように、第２の透明電極５は、第１の透明電極４と同じ面（透明基材２の表面２ａ）に形成される。図１、図２（ａ）に示すように、各第２の透明電極５は、細長いブリッジ配線１０を介してＸ１−Ｘ２方向（第２の方向）に連結されている。そして、Ｘ１−Ｘ２方向に連結された複数の第２の透明電極５からなる第２の電極１２がＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配列されている。

図２（ａ）（ｂ）に示すように、第１の透明電極４間を連結する連結部７の表面には絶縁層２０が形成されている。図２（ｂ）に示すように、絶縁層２０は、連結部７と第２の透明電極５との間の空間を埋め、また第２の透明電極５の表面にも多少、乗り上げている。

絶縁層２０はノボラック樹脂で形成される。これにより第２の透明電極５と連結部７との間の隙間を適切に埋めることができる。また絶縁層２０の表面２０ａをなだらかに形成でき、凹凸を小さくできる。

そして図２（ａ）（ｂ）に示すように、ブリッジ配線１０は、絶縁層２０の表面２０ａから絶縁層２０のＸ１−Ｘ２方向の両側に位置する各第２の透明電極５の表面にかけて形成されている。ブリッジ配線１０は、各第２の透明電極５間を電気的に接続している。

図２（ａ）（ｂ）に示すように各第１の透明電極４間を接続する連結部７の表面には絶縁層２０が設けられ、この絶縁層２０の表面に各第２の透明電極５間を接続するブリッジ配線１０が設けられる。このように連結部７とブリッジ配線１０との間には絶縁層２０が介在し、第１の透明電極４と第２の透明電極５とは電気的に絶縁された状態となっている。そして本実施形態では、第１の透明電極４と第２の透明電極５とを同じ面（透明基材２の表面２ａ）に形成することができ、入力装置１の薄型化を実現できる。

なお連結部７、絶縁層２０及びブリッジ配線１０はいずれも表示領域１１内に位置するものであり、透明電極４，５と同様に透明、透光性で構成される。

図１に示すように、表示領域１１の周囲は額縁状の加飾領域（非表示領域）２５となっている。表示領域１１は透明、透光性であるが、加飾領域２５は不透明、非透光性である。よって加飾領域２５に設けられた配線部６や外部接続部２７は入力装置１の表面（パネル３の表面）から見ることはできない。

図１に示すように、加飾領域２５には、各第１の電極８及び各第２の電極１２から引き出された複数本の配線部６が形成されている。各配線部６は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料を有して形成される。

図１に示すように、各配線部６の先端は、フレキシブルプリント基板（図示しない）と電気的に接続される外部接続部２７を構成している。

図２（ｂ）に示すように、透明基材２の表面２ａ側とパネル３との間が光学透明粘着層（ＯＣＡ；Optical Clear Adhesive）３０を介して接合されている。パネル３は特に材質を限定するものではないが、ガラス基材やプラスチック基材が好ましく適用される。光学透明粘着層（ＯＣＡ）３０は、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等である。

図１に示す静電容量式の入力装置１では、図２（ｂ）に示すようにパネル３の操作面３ａ上に接触させると、指Ｆと指Ｆに近い第１の透明電極４との間、及び第２の透明電極５との間で静電容量が生じる。このときの静電容量変化に基づいて、指Ｆの接触位置を算出することが可能である。指Ｆの位置は、第１の電極８との間の静電容量変化に基づいてＸ座標を検知し、第２の電極１２との間の静電容量変化に基づいてＹ座標を検知する（自己容量検出型）。また、第１の電極８と第２の電極１２の一方の第１の電極の一列に駆動電圧を印加し、他方の第２の電極により指Ｆとの間の静電容量の変化を検知して第２の電極によりＹ位置を検知し、第１の電極によりＸ位置を検知する相互容量検出型であってもよい。

本実施形態では、第２の透明電極５間を連結するブリッジ配線１０の構造に特徴的部分がある。

図３（ａ）に示すように、第１の実施形態のブリッジ配線１０は、絶縁層２０の表面２０ａから第２の透明電極５の表面５ａにかけて形成されたアモルファスＩＴＯからなる下地層３５と、下地層３５の表面にのみ形成された金属層４０と、金属層４０の表面にのみ形成されたアモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層３７との積層構造で形成される。

本実施形態では金属層４０としてＣｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金を選択することができる。

Ｃｕ合金には、ＣｕＮｉ合金を選択できる。またＡｇ合金には、ＡｇＰｄＣｕ合金を選択できる。ＣｕＮｉ合金の組成比は、例えば、Ｃｕが約８５〜７５ｗｔ％、Ｎｉが約１５〜２５ｗｔ％であり、ＣｕとＮｉとの各組成比を足して１００ｗｔ％である。また、ＡｇＰｄＣｕ合金の組成比は、例えば、Ａｇが約９８ｗｔ％、Ｐｄが約１〜１．５ｗｔ％、Ｃｕが約０．５〜１ｗｔ％であり、ＡｇとＰｄとＣｕとの各組成比を足して１００ｗｔ％である。

Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ合金を選択した理由は、ブリッジ配線を不可視化できる膜厚にて形成しても低抵抗化を実現でき、また耐熱、耐湿、環境試験でも抵抗変化が小さく、低抵抗を維持できる材料のためである。さらに材料費を抑えることができ低コスト化を実現できる。

本実施形態のブリッジ配線１０の構成によれば、良好な不可視特性を確保できるとともに、ブリッジ配線１０の低抵抗化及び静電破壊耐性の向上を実現でき、ブリッジ配線１０と絶縁層２０との間の密着性を向上させることができる。不可視性については、ブリッジ配線１０を、アモルファスＩＴＯからなる下地層３５／金属層４０／アモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層３７の積層構造とすることで、ブリッジ配線１０の反射率を抑制でき、結果として透過率／反射率の比を大きくでき、不可視特性を効果的に向上させることができる。またアモルファスＩＴＯからなる下地層３５は、ノボラック樹脂からなる絶縁層２０の吸水性に起因する水分に対するバリア層としても機能し、さらに環境変化に対する絶縁層２０の収縮に適切に追従できる。さらにアモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層３７が水分に対するバリア層として機能する。このように良好な耐環境性（耐湿性、耐熱性）をも得ることができる。

またアモルファスＩＴＯからなる下地層３５は、静電破壊電圧値（耐圧値）を増加させることができ、静電破壊耐性を向上できる。

図３（ａ）では、ブリッジ配線１０が、光学透明粘着層（ＯＣＡ）３０と接しているが、ブリッジ配線１０の導電性酸化物保護層３７を、アクリル系粘着剤等で形成された光学透明粘着層（ＯＣＡ）３０の吸水性に起因する水分に対するバリア層として効果的に機能させることができる。

ここで絶縁層２０の最大膜厚は、０．５〜４μｍ程度であり、下地層３５の膜厚は、５〜４０ｎｍ程度であり、金属層４０の膜厚は、６〜１０ｎｍ程度であり、透明導電性酸化物保護層３７の膜厚は、５〜４０ｎｍ程度である。またブリッジ配線の幅寸法（Ｙ１−Ｙ２方向への長さ寸法）は、５〜５０μｍ程度であり、長さ寸法（Ｘ１−Ｘ２方向への長さ寸法）は、１５０〜５００μｍ程度である。

本実施形態では、アモルファスＩＴＯよりも十分に低い電気抵抗率を有するＣｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金からなる金属層４０を薄く且つ幅細で形成してもアモルファスＩＴＯの単層膜でブリッジ配線を形成した場合に比べてブリッジ配線１０を低抵抗化でき、しかも本実施形態では金属層４０の膜厚を薄く幅寸法を小さく形成したことで不可視特性を向上させることができる。

また本実施形態では、アモルファスＩＴＯからなる下地層３５と各透明電極４，５にＩＴＯ（結晶ＩＴＯ）を用い、このとき、下地層３５が第２の透明電極５の表面に接触し、金属層４０は第２の透明電極５の表面に接触していない。これにより、ブリッジ配線１０とノボラック樹脂からなる絶縁層２０との密着性を十分に確保でき、さらに耐環境性（高温環境、高温・高湿環境）の向上、及び静電破壊耐性の向上を図ることができ、金属層４０の低抵抗性を活かせることが可能となっている。

図３（ｂ）は、第２の実施形態であり、図３（ａ）と異なってブリッジ配線１０が２層構造とされている。

すなわち図３（ｂ）では、ＣｕＮｉ層３４と、導電性酸化物保護層３７との積層構造で形成されている。

図３（ｂ）に示すようにＣｕＮｉ層３４が、ノボラック樹脂からなる絶縁層２０の表面から第２の透明電極５の表面５ａにかけて形成されており、導電性酸化物保護層３７は、ＣｕＮｉ層３４の表面にのみ形成されている。

この実施形態においても、良好な不可視特性を確保できるとともに、低抵抗を実現でき、さらに導電性酸化物保護層３７が水分に対するバリア層として機能し、ブリッジ配線１０の耐環境性（耐湿性、耐熱性）を向上させることができる。またＣｕＮｉ層３４と絶縁層２０との間の良好な密着性も確保できる。

本実施形態では導電性酸化物保護層３７は透明性が高いＩＴＯ（アモルファスＩＴＯであることが好適）であることが最も好ましい。これにより、より効果的に耐環境性を向上させることができる。なおそのほか、透明な導電性酸化物保護層の材料として、ＺｎＯ，Ｉｎ_２Ｏ_３等がある。

また、ＣｕＮｉ層３４を単層構造とするよりも、ＣｕＮｉ層３４と導電性酸化物保護層３７（好ましくはＩＴＯ）との積層構造とすることで、ブリッジ配線１０の反射率を抑制でき、結果として透過率／反射率の比を大きくでき、不可視特性を効果的に向上させることができる。また、上記積層構造とすることで、より低抵抗化を実現できる。

なお本実施形態では図２（ｂ）に示すように、透明基材２の表面２ａ側に各透明電極４，５、絶縁層２０及びブリッジ配線１０を設けているが、図２（ｃ）に示すように、透明基材２の裏面２ｂ（第１の面）側に各透明電極４，５、絶縁層２０及びブリッジ配線１０を設けることもできる。図２（ｃ）では、透明基材２の裏面２ｂと、別の透明基材２６との間の接合材である光学透明粘着層（ＯＣＡ）２８が、ブリッジ配線１０に接している。

また第１の透明電極４間を連結する連結部７はＩＴＯで形成できる。すなわち各第１の透明電極４と連結部７との間を一体的に形成することができる。

図４は、本実施形態における入力装置１の製造方法を示す工程図である。図４の左図は部分縦断面図であり、右図は平面図である。なお左図と右図とでは寸法比が異なる。図４に示した部分縦断面図は図２（ｂ）に示す部分縦断面図と同様にＸ１−Ｘ２方向に沿って切断したものである。なお図４には、透明電極４，５の部分を図示した。

図４（ａ）の工程では、透明基材２の表面２ａにＩＴＯからなる各透明電極４，５を形成する。このとき、第１の透明電極４，４間を連結する連結部７を前記第１の透明電極４と一体的にＩＴＯにより形成する。

次に図４（ｂ）の工程では、連結部７上を覆うとともに、連結部７のＸ１−Ｘ２方向の両側に位置する第２の透明電極５との間を埋めるノボラック樹脂からなる絶縁層２０を形成する。このとき全面露光により絶縁層２０を透明にするブリーチングを行うことが好適である。

続いて図４（ｃ）の工程では、各透明電極４，５の表面、絶縁層２０の表面及び透明基材２の表面に、アモルファスＩＴＯからなる下地層３５／Ｃｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金からなる金属層４０／アモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層３７の３層構造からなるブリッジ配線１０を形成する。あるいは、ブリッジ配線１０を、ＣｕＮｉ層３４／アモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層３７の２層構造で形成することもできる。このとき、アモルファスＩＴＯや金属層をスパッタや蒸着法で形成することができる。

そして図４（ｄ）では、ブリッジ配線１０を、フォトリソグラフィ技術等を用いてノボラック樹脂からなる絶縁層２０の表面から、絶縁層２０の両側に位置する第２の透明電極４の表面にかけてＸ１−Ｘ２方向に細長い形状で残す。なおこのとき、各透明電極４，５の表面が削られないように選択エッチングを行うことが好適である。これにより第２の透明電極５，５間を、ブリッジ配線１０を介して電気的に接続することができる。

その後、図２（ｂ）に示すように透明基材２の表面２ａ側と表面が操作面３ａとされたパネル３間を光学透明粘着層３０を介して接合する。

本実施形態における入力装置は、携帯電話機、デジタルカメラ、ＰＤＡ、ゲーム機、カーナビゲーション等に使用される。

実験では、透明基材上に図２に示す構造の透明電極（ＩＴＯ）、絶縁層（ノボラック樹脂）、及びブリッジ配線を形成した。第２の透明電極間を連結するブリッジ配線を、以下の表１に示す実施例１のアモルファスＩＴＯ（下地層）／Ｃｕ（金属層）／アモルファスＩＴＯ（導電性酸化物保護層）の３層構造、実施例２に示すアモルファスＩＴＯ（下地層）／ＣｕＮｉ（金属層）／アモルファスＩＴＯ（導電性酸化物保護層）の３層構造、アモルファスＩＴＯ（下地層）／ＡｇＰｄＣｕ（金属層）／アモルファスＩＴＯ（導電性酸化物保護層）の３層構造、ＣｕＮｉ／アモルファスＩＴＯ（導電性酸化物保護層）の２層構造、比較例１のＣｕＮｉ単層、比較例２〜比較例４のＩＴＯ単層膜で形成した。

表１には、各層の膜厚、ブリッジ配線の幅寸法（図２（ａ）で示すＹ１−Ｙ２方向の長さ）、及びブリッジ配線の長さ寸法（図２（ａ）に示すＸ１−Ｘ２方向の長さ）が示されている。なお表１に示す透過率、反射率についてはブリッジ配線の形状に加工する前に、基材表面に全体に形成した状態（ベタ膜状態）で測定した。

表１に示す不可視ランクであるが、×は、比較例２のＩＴＯ単層膜を基準とした。なお比較例２では、アモルファスＩＴＯからなるブリッジ配線が見えた。○は、傾けると、ブリッジ配線総数の１０％以下が見える状態、◎は、傾けても、ブリッジ配線が見えない状態である。

またブリッジ配線のシート抵抗値Ｒｓについては、６０Ω／□より大きい場合を×、６０Ω／□以下を○とした。

また、加速試験として温度を８５℃、湿度を８５％ＲＨとした環境試験における電気抵抗変化については、変化率が±１００％以上あるいは断線した場合には×とし、変化率が±３０％以上±１００％未満である場合を△とし、変化率が±３０％未満である場合を○とした。

また、８５℃で乾燥雰囲気中での環境試験における密着性については、断線があれば×、断線がなければ○とした。

また、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）試験（静電破壊電圧試験）については、１ｋＶ以上２ｋＶ以下を△、２ｋＶより大きく４ｋＶ未満を○、４ｋＶ以上を◎とした。

表１に示すように、比較例１では、温度を８５℃、湿度を８５％とした環境試験で高い抵抗上昇が見られ、またＥＳＤ特性（静電破壊電圧）が１．５ｋＶ以下と低かった。

また比較例２では、不可視性が悪く、さらに、温度を８５℃、湿度を８５％とした環境試験及びＥＳＤ特性（静電破壊電圧）についても良好な結果が得られなかった。

また比較例３及び比較例４では、シート抵抗が非常に高くなり、また、ＥＳＤ特性（静電破壊電圧）についても良好な結果が得られなかった。

表１に示す比較例１〜比較例４では、不可視特性、シート抵抗値Ｒｓ、環境試験のいずれかが×となり、したがって総合評価も×とした。

これに対して実施例１〜３では、シート抵抗値Ｒｓ、不可視特性、環境試験のいずれにおいても○以上であった。また実施例１〜３では良好なＥＳＤ特性（静電破壊電圧）を得ることができた。

また実施例４のように、ブリッジ配線をＣｕＮｉ／アモルファスＩＴＯとすることで、ＣｕＮｉ単層（比較例１）とするよりも、反射率を抑制でき、結果として透過率／反射率の比を大きくでき、良好な不可視特性を得ることができた。又、ブリッジ配線の低抵抗化を実現できた。

ただし表１に示すように、実施例４は比較例のように×の評価はなかったものの、実施例１〜３に比べてやや劣った結果となった。

表１の実験結果から、ブリッジ配線をアモルファスＩＴＯ／金属層（Ｃｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金）／アモルファスＩＴＯとした実施例１〜３が、シート抵抗値Ｒｓ、不可視特性、環境試験及びＥＳＤ特性（静電破壊電圧）のいずれにおいても良好な結果が得られ、したがって総合評価を○か◎とした。

ここでブリッジ配線の金属層をＣｕで形成した実施例１は、金属層をＣｕＮｉ合金で形成した実施例２やＡｇＰｄＣｕ合金で形成した実施例３よりも反射率が低く、金属層の膜厚を厚くしても高い不可視性を得ることができるため、静電破壊耐性の向上に有利となる。

１ 入力装置
２ 透明基材
３ パネル
４ 第１の透明電極
５ 第２の透明電極
６ 配線部
７ 連結部
１０ ブリッジ配線
１１ 表示領域
２０ 絶縁層
２５ 加飾領域
３０ 光学透明粘着層（ＯＣＡ）
３４ ＣｕＮｉ層
３５ 下地層
３７ 導電性酸化物保護層
４０ 金属層

Claims (10)

1. 透明基材と、前記透明基材の第１の面に形成された複数の透明電極と、前記透明電極間を電気的に接続するブリッジ配線と、前記透明基材と前記ブリッジ配線との間に形成された絶縁層とを有し、
   前記透明電極は、複数の第１の透明電極と、複数のＩＴＯからなる第２の透明電極とを備え、各第１の透明電極が第１の方向に連結されており、前記第１の透明電極の連結部の表面に前記絶縁層が形成され、前記絶縁層の絶縁表面を通って形成された前記ブリッジ配線により各第２の透明電極が、前記第１の方向と交叉する第２の方向に連結されており、
   前記絶縁層は、ノボラック樹脂で形成されており、
   前記絶縁層は、前記第１の透明電極の連結部と前記第２の透明電極との間の空間を埋めるとともに前記第２の透明電極の表面にまで乗り上げて形成されており、
   前記ブリッジ配線は、前記絶縁層の表面から前記第２の透明電極の表面にかけて接して形成されたアモルファスＩＴＯからなる下地層と、前記下地層の表面のみに形成されたＣｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金からなる金属層と、前記金属層の表面のみに形成されたアモルファスＩＴＯからなる導電性酸化物保護層との積層構造を備えることを特徴とする入力装置。
2. 前記ブリッジ配線は、３．５ｋＶ以上のＥＳＤ特性を備える請求項１記載の入力装置。
3. 前記ブリッジ配線のシート抵抗値Ｒｓは、５５Ω／□以下である請求項１又は２に記載の入力装置。
4. 前記金属層の膜厚は、６〜１０ｎｍである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の入力装置。
5. 前記ブリッジ配線は、各透明電極の表面、前記絶縁層の表面及び前記透明基材の表面に、前記下地層、前記金属層及び前記導電性酸化物保護層を重ねて積層した後、フォトリソグラフィ技術により前記絶縁層の表面から前記第２の透明電極層の表面にかけて細長い形状に残したものである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の入力装置。
6. 前記絶縁層には、ブリーチングが施されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の入力装置。
7. 前記ブリッジ配線の表面には、光学透明粘着層が接している請求項１ないし６のいずれか１項に記載の入力装置。
8. 前記透明基材の第１の面側と、表面が操作面であるパネル間が前記光学透明粘着層により接合されている請求項７記載の入力装置。
9. Ｃｕ合金からなる前記金属層は、ＣｕＮｉ層である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の入力装置。
10. Ａｇ合金からなる前記金属層は、ＡｇＰｄＣｕ層である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の入力装置。

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