JP5858871B2 - 励磁突入電流抑制装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、変圧器を電源に投入する際に生じる励磁突入電流を抑制するための励磁突入電流抑制装置に関する。

一般に、変圧器鉄心に残留磁束がある状態で電源投入により無負荷励磁を行うと、大きな励磁突入電流が流れることが知られている。この励磁突入電流の大きさは変圧器の定格負荷電流の数倍になる。このように大きな励磁突入電流が流れると、系統電圧が変動する。その電圧変動が大きい場合、需要者に影響を与えることがある。

この励磁突入電流を抑制する方法としては、直接接地系の三相変圧器を３台の単相型遮断器で投入する際、任意の１相を先行投入し、その後に残りの２相を投入させるようにして励磁突入電流を抑制することが知られている。

また、基準相の定常磁束と残留磁束とが一致するタイミングで基準相の遮断器を投入させた後、他相の定常磁束と残留磁束の差が最小限になるように遅延させて残る２つの遮断器を投入させる方法も知られている。

特開２００９−９９３４７号公報

John H.Brunke、外１名，"Elimination of Transformer Inrush Currents by Controlled Switching -Part I: Theoretical Considerations", IEEE TRANSACTIONS ON POWER DELIVERY, IEEE,２００１年４月，Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２，ｐ．２７６−２８０

しかしながら、遮断器には、電流遮断を容易にするために極間にコンデンサを並列に接続したものがある。このように極間にコンデンサが接続された遮断器で変圧器を遮断する場合、上述のような方法では、次のような理由により励磁突入電流を抑制することは困難である。

極間にコンデンサが接続された遮断器で変圧器を遮断した場合、遮断後に、極間のコンデンサによって、変圧器端子に小さな振幅の交流電圧が現れる。この交流電圧は、極間のコンデンサと変圧器の漂遊静電容量によって分圧された電源電圧である。このとき、変圧器の残留磁束は、直流成分にこの小さな振幅の交流電圧による成分が重畳されたものとなる。

このように、直流成分に交流成分が重畳した残留磁束の場合、前述したような残留磁束と定常磁束の交点を求めるのは困難である。これは、残留磁束の直流成分は遮断器の遮断位相によって変化し、かつ、交流成分の大きさは極間のコンデンサの静電容量によって変わるからである。

そこで、本発明の実施形態による目的は、極間にコンデンサが接続された遮断器により変圧器を電源投入する際に生じる変圧器の励磁突入電流を抑制することのできる励磁突入電流抑制装置を提供することにある。

本発明の実施形態の観点に従った励磁突入電流抑制装置は、三相変圧器と三相交流の電源との接続を開閉する極間にコンデンサが接続された遮断器を、励磁突入電流を抑制するように制御する励磁突入電流抑制装置であって、前記遮断器の前記三相変圧器側の三相交流電圧を計測する変圧器側電圧計測手段と、前記変圧器側電圧計測手段により計測された三相交流電圧に基づいて、前記三相変圧器の遮断後の前記三相変圧器の三相の残留磁束の直流成分を演算する残留磁束直流成分演算手段と、前記残留磁束直流成分演算手段により演算された前記三相の残留磁束の直流成分のうち、絶対値が最大又は絶対値が最小の相を着目相として検出する着目相検出手段と、前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測する電源側電圧計測手段と、前記電源側電圧計測手段により計測された三相交流電圧の前記着目相検出手段により検出された前記着目相が、前記残留磁束直流成分演算手段により演算された前記残留磁束の前記着目相の直流成分の極性と逆極性の波高値となる第１の位相を判断する第１の位相判断手段と、前記第１の位相判断手段により判断された前記第１の位相で、前記着目相の前記遮断器を投入する第１の投入手段と、前記電源側電圧計測手段により計測された三相交流電圧の前記着目相検出手段により検出された前記着目相が、前記第１の位相判断手段により判断された前記第１の位相よりも後に零点となる第２の位相を判断する第２の位相判断手段と、前記第２の位相判断手段により判断された前記第２の位相で、前記着目相以外の２相の前記遮断器を投入する第２の投入手段とを備える。

本発明の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置の適用された電力系統システムの構成を示す構成図。 本実施形態に係る遮断器による変圧器の遮断から電源投入までの変圧器の相電圧を示す波形図。 本実施形態に係る遮断器による変圧器の遮断から電源投入までの変圧器の鉄心の残留磁束を示す波形図。 本実施形態に係る遮断器による変圧器の遮断から電源投入までの遮断器を流れる遮断器電流を示す波形図。 本実施形態に係る変圧器の１相分の残留磁束とその直流成分を示す波形図。

以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。

（実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置６の適用された電力系統システムの構成を示す構成図である。なお、以降の図における同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、異なる部分について主に述べる。

本実施形態に係る電力系統システムは、電源母線１と、三相分の遮断器２と、変圧器３と、三相分の電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗと、三相分の変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗと、励磁突入電流抑制装置６とを備えている。

電源母線１は、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相からなる三相交流の電源を備えた電力系統の母線である。

変圧器３の１次側は、遮断器２を介して、電源母線１に接続されている。変圧器３は、三相交流電圧を変圧する３巻線の三相変圧器である。変圧器３は、１次巻線３０１、２次巻線３０２及び３次巻線３０３を備えている。１次巻線３０１及び２次巻線３０２は、Ｙ結線されている。３次巻線３０３は、Δ結線されている。１次巻線３０１及び２次巻線３０２は、中性点が接地されている。

遮断器２は、電源母線１と変圧器３との間に設けられている。遮断器２は、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の各相の主接点２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗを個別に操作する各相操作型の遮断器である。遮断器２の各主接点２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗには、それぞれ極間コンデンサ２２Ｕ，２２Ｖ，２２Ｗが並列に接続されている。極間コンデンサ２２Ｕ，２２Ｖ，２２Ｗは、遮断器２による電流遮断を容易にするために設けられている。遮断器２が投入されることにより、変圧器３は、電源母線１による電源投入がされる。遮断器２が開放されることにより、変圧器３は、電源母線１から遮断されるが、極間コンデンサ２２Ｕ，２２Ｖ，２２Ｗによって電気的には電源母線１とつながっている。

３つの電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗは、電源母線１の各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）に設けられている。電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗは、電源母線１の各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の相電圧（対地電圧）を計測するための計器用機器である。電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗは、例えば、計器用変圧器(ＶＴ, Voltage Transformer)又はコンデンサ形計器用変圧器(ＰＤ, Potential Device)などの電圧分圧装置である。電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗは、電源母線１の各相と大地間に接続される。電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗは、検出値を検出信号として、励磁突入電流抑制装置６に出力する。

３つの変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗは、変圧器３の１次側の各端子（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の対地電圧（相電圧）Ｖｔｕ，Ｖｔｖ，Ｖｔｗを計測するための計器用機器である。変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗは、例えば、計器用変圧器（ＶＴ）又はコンデンサ形計器用変圧器（ＰＤ）などの電圧分圧装置である。変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗは、変圧器３の一次端子の各相に設けられている。変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗは、検出値を検出信号として、励磁突入電流抑制装置６に出力する。

励磁突入電流抑制装置６は、電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗ及び変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗのそれぞれから受信した検出信号に基づいて、遮断器２の各相の主接点２１Ｕ〜２１Ｗに対して投入指令を出力する。これにより、遮断器２は投入される。

図１〜図４を参照して、励磁突入電流抑制装置６の構成について説明する。

図２〜図４は、遮断器２による変圧器３の遮断から電源投入までの状態を示している。図２は、変圧器３の相電圧Ｖｔｕ，Ｖｔｖ，Ｖｔｗを示す波形図である。図３は、変圧器３の鉄心の残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗとその直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗを示す波形図である。図４は、遮断器２を流れる遮断器電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗを示す波形図である。時刻ｔ０は、変圧器３の遮断時点（遮断器２の開放時点）を示している。

励磁突入電流抑制装置６は、電源電圧計測部６０１と、変圧器電圧計測部６０２と、残留磁束算出部６０３と、直流成分算出部６０４と、位相検出部６０５と、投入指令出力部６０６とを備えている。

電源電圧計測部６０１は、電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗにより検出された検出信号に基づいて、電源母線１の各相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを計測する。電源電圧計測部６０１は、計測した各相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを位相検出部６０５に出力する。

変圧器電圧計測部６０２は、変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗにより検出された検出信号に基づいて、変圧器３の１次側の相電圧Ｖｔｕ，Ｖｔｖ，Ｖｔｗを計測する。変圧器電圧計測部６０２は、計測した変圧器３の１次側の相電圧Ｖｔｕ，Ｖｔｖ，Ｖｔｗを残留磁束算出部６０３に出力する。

残留磁束算出部６０３は、変圧器電圧計測部６０２により計測された相電圧Ｖｔｕ，Ｖｔｖ，Ｖｔｗに基づいて、遮断器２による変圧器３の遮断後のＵ相、Ｖ相、及びＷ相の各相電圧Ｖｔｕ，Ｖｔｖ，Ｖｔｗをそれぞれ積分する。残留磁束算出部６０３は、この積分された値を変圧器３の鉄心の残留磁束（１次側相磁束）φＺｕ，φＺｖ，φＺｗとする。残留磁束算出部６０３は、演算した残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗを直流成分算出部６０４に出力する。

直流成分算出部６０４は、残留磁束算出部６０３により演算された各相の残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗからそれぞれの直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗを算出する。直流成分算出部６０４は、算出した残留磁束の直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗを位相検出部６０５に出力する。

位相検出部６０５には、直流成分算出部６０４により演算された各相の残留磁束の直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗ及び電源電圧計測部６０１により計測された電源母線１の各相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗが入力される。位相検出部６０５は、各相の残留磁束の直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗのうち絶対値が最も大きい相を着目相としてＵ相を検出する。なお、ここでは、直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗのうち絶対値が最も大きい相を着目相とするが、絶対値が最も小さい相を着目相としてもよい。位相検出部６０５は、電源母線１の検出した相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗの着目相が、着目相の直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗの極性と逆極性の波高値となる位相を検出する。位相検出部６０５は、検出した着目相及び位相を投入指令出力部６０６に出力する。

投入指令出力部６０６は、位相検出部６０５により検出された位相を、遮断器２の着目相の投入目標位相θｃ１とする。ここで、投入目標位相θｃ１は、図３に示すように、着目相であるＵ相の残留磁束φＺｕが交流成分によって零に近くなっている時点である。投入指令出力部６０６は、投入目標位相θｃ１で遮断器２の着目相のみ投入する。遮断器２の着目相を投入後、投入指令出力部６０６は、着目相以外の残りの２相を投入目標位相θｃ２で投入する。投入目標位相θｃ２は、着目相の投入目標位相θｃ１から予め設定された時間経過後の着目相の相電圧零点の位相である。

投入指令出力部６０６は、投入目標位相θｃ１，θｃ２に基づいて、遮断器２の投入する相の主接点を駆動する操作機構に対して投入指令を出力する。これにより、遮断器２の投入する相の主接点が投入される。投入指令出力部６０６は、上述したように遮断器２の各相を２段階で投入することで、図４に示すように、各相の遮断器電流（励磁突入電流）Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗを数アンペア程度に抑制する。

図５を参照して、直流成分算出部６０４による各相の残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗから直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗを算出する方法の一例について説明する。

図５は、変圧器３の１相分の残留磁束φＺとその直流成分φＺｄを示す波形図である。ここで、残留磁束φＺは、三相の残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗのうちの任意の１相を表している。また、直流成分φＺｄは、その残留磁束φＺの直流成分である。

直流成分算出部６０４は、残留磁束φＺの波形から１周期の間で、最大磁束（正の波高値）φｍａｘと最小磁束（負の波高値）φｍｉｎを検出する。直流成分算出部６０４は、最大磁束φｍａｘと最小磁束φｍｉｎの和を２で割ることで、直流成分φＺｄを算出する。図５では、最大磁束φｍａｘは、１．３［ｐ．ｕ．］であり、最小磁束φｍｉｎは、−０．７［ｐ．ｕ．］である。従って、直流成分φＺｄは、（１．３−０．７）／２＝０．３［ｐ．ｕ．］となる。

本実施形態によれば、定常磁束と残留磁束の交点を検出しなくても、遮断器２を投入するための投入目標位相θｃ１，θｃ２を決定することができる。従って、極間コンデンサ２２Ｕ，２２Ｖ，２２Ｗが主接点２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗと並列に接続された遮断器２であっても、変圧器３を電源投入する際に生じる変圧器３の励磁突入電流を抑制することができる。

なお、実施形態において、励磁突入電流抑制装置６での位相制御における各種パラメータは、より精度を高めるため等により補正をしてもよい。例えば、遮断器２の投入では、主接点間に発生するプレアークと呼ばれる先行放電や、操作機構の動作ばらつきなどに起因する投入時間のばらつきが存在する。このプレアークによる投入ばらつきや、遮断器投入時のばらつきは、予めその特性を取得しておくことにより、位相制御を行う際にこの特性による補正をすることができる。このような補正をすることで、これらのばらつきがあっても、励磁突入電流をより確実に抑制することができる。

また、実施形態において、極間コンデンサ２２Ｕ，２２Ｖ，２２Ｗを遮断器２の一部の構成として説明したが、これに限らない。コンデンサは、遮断器の主接点と並列に接続されていれば、遮断器とは別の構成としてもよい。また、遮断器２は、三相分が一体化されていなくてもよく、各相に設けられた３つの遮断器で構成してもよい。

さらに、実施形態において、直流成分算出部６０４による各相の残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗから直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗを算出する方法の一例について説明したが、これに限らない。残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗから直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗをどのように算出してもよい。また、直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗは、極性及び各相の大小関係が分かる程度の大きさが判断できるのであれば、正確な直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗの値を求めなくてもよい。

例えば、直流成分算出部６０４は、最大磁束φｍａｘと最小磁束φｍｉｎの和を演算した後に、２で割らなくてもよい。２で割らない値でも、位相検出部６０５は、着目相及び着目相の残留磁束の直流成分の極性を判断することができる。また、直流成分算出部６０４は、１周期に限らず、２周期以上の間で、最大磁束φｍａｘ及び最小磁束φｍｉｎを求めてもよい。また、最大磁束φｍａｘ（又は、最小磁束φｍｉｎ）の代わりに、複数の正の波高値（又は、複数の負の波高値）の平均を算出してもよい。その他に、直流成分算出部６０４は、残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗの瞬時値の極性の偏りから直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗを判断してもよい。具体的には、極性が正であれば、残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗの瞬時値の極性が正になることが多く、極性が負であれば、残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗの瞬時値の極性が負になることが多い。また、直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗがゼロ近傍であれば、残留磁束φＺｕ，φＺｖ，φＺｗの瞬時値の正極性と負極性がほぼ均等に出る。従って、これらの性質を利用して、直流成分φＺｄｕ，φＺｄｖ，φＺｄｗの極性及び大きさを判断してもよい。

また、実施形態において、電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗにより、電源母線１の各相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを計測したが、電源母線１の各線間電圧を計測して、線間電圧から相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗに変換してもよい。変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗについても同様である。従って、変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗは、Δ結線の三次巻線３０３の線間電圧を計測してもよい。

さらに、実施形態において、電源母線１の相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを電源電圧検出器４Ｕ，４Ｖ，４Ｗにより検出された検出信号に基づいて計測したが、これに限らない。変圧器端子電圧検出器５Ｕ，５Ｖ，５Ｗにより検出される検出信号に基づいて、電源母線１の相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを計測してもよい。具体的には、電源母線１の相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗは、極間コンデンサ２２Ｕ，２２Ｖ，２２Ｗにより変圧器端子に重畳される小さな振幅の交流電圧に基づいて、電源母線１の相電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを計測してもよい。

また、実施形態において、変圧器３は、三相交流電圧を三相交流電圧に変換する三相変圧器であれば、どのようなものでもよい。従って、変圧器３は、３巻線に限らず、２巻線でもよいし、４以上の巻線を有していてもよい。また、各巻線の結線は、Ｙ結線又はΔ結線のどちらでもよいし、それらをどのように組合せてもよい。

さらに、実施形態において、結果が同じになるのであれば、演算の順序や演算をさせる場所（励磁突入電流抑制装置６の内部や外部を問わず、コンピュータや各種検出器等）は、適宜変更してもよい。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…電源母線、２…遮断器、３…変圧器、４Ｕ，４Ｖ，４Ｗ…電源電圧検出器、５Ｕ，５Ｖ，５Ｗ…変圧器端子電圧検出器、６…励磁突入電流抑制装置、２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗ…主接点、２２Ｕ，２２Ｖ，２２Ｗ…極間コンデンサ、３０１…１次巻線、３０２…２次巻線、３０３…３次巻線、６０１…電源電圧計測部、６０２…変圧器電圧計測部、６０３…残留磁束算出部、６０４…直流成分算出部、６０５…位相検出部、６０６…投入指令出力部。

Claims (6)

1. 三相変圧器と三相交流の電源との接続を開閉する極間にコンデンサが接続された遮断器を、励磁突入電流を抑制するように制御する励磁突入電流抑制装置であって、
   前記遮断器の前記三相変圧器側の三相交流電圧を計測する変圧器側電圧計測手段と、
   前記変圧器側電圧計測手段により計測された三相交流電圧に基づいて、前記三相変圧器の遮断後の前記三相変圧器の三相の残留磁束の直流成分を演算する残留磁束直流成分演算手段と、
   前記残留磁束直流成分演算手段により演算された前記三相の残留磁束の直流成分のうち、絶対値が最大又は絶対値が最小の相を着目相として検出する着目相検出手段と、
   前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測する電源側電圧計測手段と、
   前記電源側電圧計測手段により計測された三相交流電圧の前記着目相検出手段により検出された前記着目相が、前記残留磁束直流成分演算手段により演算された前記残留磁束の前記着目相の直流成分の極性と逆極性の波高値となる第１の位相を判断する第１の位相判断手段と、
   前記第１の位相判断手段により判断された前記第１の位相で、前記着目相の前記遮断器を投入する第１の投入手段と、
   前記電源側電圧計測手段により計測された三相交流電圧の前記着目相検出手段により検出された前記着目相が、前記第１の位相判断手段により判断された前記第１の位相よりも後に零点となる第２の位相を判断する第２の位相判断手段と、
   前記第２の位相判断手段により判断された前記第２の位相で、前記着目相以外の２相の前記遮断器を投入する第２の投入手段と
   を備えたことを特徴とする励磁突入電流抑制装置。
2. 前記残留磁束直流成分演算手段は、前記残留磁束に重畳される交流電圧の波高値に基づいて、前記残留磁束の直流成分の極性及び大きさを演算すること
   を特徴とする請求項１に記載の励磁突入電流抑制装置。
3. 前記第２の位相判断手段は、前記第１の位相判断手段により判断された前記第１の位相から予め設定された時間経過後の位相で、前記第２の位相を判断すること
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の励磁突入電流抑制装置。
4. 三相変圧器と三相交流の電源との接続を開閉する極間にコンデンサが接続された遮断器を、励磁突入電流を抑制するように制御する励磁突入電流抑制方法であって、
   前記遮断器の前記三相変圧器側の三相交流電圧を計測し、
   計測した前記三相変圧器側の三相交流電圧に基づいて、前記三相変圧器の遮断後の前記三相変圧器の三相の残留磁束の直流成分を演算し、
   演算した前記三相の残留磁束の直流成分のうち、絶対値が最大又は絶対値が最小の相を着目相として検出し、
   前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測し、
   計測した前記電源側の三相交流電圧の検出した前記着目相が、演算した前記残留磁束の前記着目相の直流成分の極性と逆極性の波高値となる第１の位相を判断し、
   判断した前記第１の位相で、前記着目相の前記遮断器を投入し、
   計測した前記電源側の三相交流電圧の検出した前記着目相が、判断した前記第１の位相よりも後に零点となる第２の位相を判断し、
   判断した前記第２の位相で、前記着目相以外の２相の前記遮断器を投入すること
   を含むことを特徴とする励磁突入電流抑制方法。
5. 前記残留磁束の直流成分の極性及び大きさは、前記残留磁束に重畳される交流電圧の波高値に基づいて演算すること
   を含むことを特徴とする請求項４に記載の励磁突入電流抑制方法。
6. 前記第２の位相は、判断した前記第１の位相から予め設定された時間経過後の位相で判断すること
   を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の励磁突入電流抑制方法。

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