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JP5825016B2 - Barrier film manufacturing method - Google Patents

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JP5825016B2 JP2011213671A JP2011213671A JP5825016B2 JP 5825016 B2 JP5825016 B2 JP 5825016B2 JP 2011213671 A JP2011213671 A JP 2011213671A JP 2011213671 A JP2011213671 A JP 2011213671A JP 5825016 B2 JP5825016 B2 JP 5825016B2
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Description

本発明は、バリアーフィルムの製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a bus rear film.

従来、プラスチック基材やフィルムの表面に、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素等の金属酸化物の薄膜(ガスバリアー層)を形成したガスバリアーフィルムは、水蒸気や酸素等の各種ガスの遮断を必要とする物品の包装用途、食品や工業用品及び医薬品等の変質を防止するための包装用途に広く用いられている。また、上記包装用途以外にも、各種ガスによる変質を防止するために、太陽電池、液晶表示素子、有機EL素子等の電子デバイスを封止する用途にも使用されている。   Conventionally, a gas barrier film in which a metal oxide thin film (gas barrier layer) such as aluminum oxide, magnesium oxide, or silicon oxide is formed on the surface of a plastic substrate or film must block various gases such as water vapor and oxygen. It is widely used for packaging of articles and packaging for preventing deterioration of food, industrial goods, pharmaceuticals, and the like. In addition to the packaging applications described above, it is also used for sealing electronic devices such as solar cells, liquid crystal display elements, and organic EL elements in order to prevent deterioration due to various gases.

このようなガスバリアーフィルムを形成する方法として、プラズマCVD法(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長法、化学蒸着法)によりガスバリアー層を形成する技術や、ポリシラザンを主成分とする塗布液を塗布して塗膜を形成する技術が知られている(例えば、特許文献1〜3参照)。
また、昨今では高いガスバリアー性能を持ったガスバリアーフィルムを安価に製造することが望まれている。そのため、例えば特許文献3のように、大気圧下でのロール・トゥ・ロール連続生産方式など、成膜効率がより高い塗布方式でガスバリアー層を成膜する検討がなされている。
しかしながら、現状主流の技術はCVDを用いた蒸着方式の成膜方法であり、成膜生産性が低く、減圧環境が必要となる技術である。また現状、塗布方式で製造するガスバリアーフィルムにおいて各層の機械的物性に関する検討は報告されておらず、水蒸気透過率(WVTR)が1×10−2g/m/dayを下回るようなガスバリアー膜を実現できていないのが現状である。
As a method for forming such a gas barrier film, a technique for forming a gas barrier layer by a plasma CVD method (Chemical Vapor Deposition or chemical vapor deposition) or a coating liquid mainly composed of polysilazane is applied. And the technique which forms a coating film is known (for example, refer patent documents 1-3).
In recent years, it is desired to produce a gas barrier film having high gas barrier performance at a low cost. Therefore, for example, as disclosed in Patent Document 3, a gas barrier layer is studied to be formed by a coating method with higher film formation efficiency, such as a roll-to-roll continuous production method under atmospheric pressure.
However, the current mainstream technique is a deposition method using CVD, which is a technique that requires a reduced pressure environment because of low film formation productivity. In addition, currently, there is no report on the mechanical properties of each layer in the gas barrier film produced by a coating method, and the gas barrier has a water vapor transmission rate (WVTR) of less than 1 × 10 −2 g / m 2 / day. The current situation is that the film has not been realized.

更に、昨今では、モバイルディスプレイの需要が急増していることから、軽量化の目的で従来ガラス基材を用いていた液晶ディスプレイ(LCD)用の基材として、プラスチック基材や厚さ100μ程度の薄板ガラス、ガラス繊維で織ったクロスを樹脂で固めて成型したガラスクロス基材、セルロースナノファイバーを成型したセルロースナノファイバー基材等のフレキシブルかつ軽量な基材を用いる試みがなされている。軽量化だけでなく、落下時の破損防止の観点からは、特にプラスチック基材や、ガラスクロス基材、セルロースナノファイバー基材が有望視されている。   Furthermore, since the demand for mobile displays has increased rapidly in recent years, a plastic substrate or a thickness of about 100 μm is used as a substrate for a liquid crystal display (LCD), which has conventionally used a glass substrate for the purpose of weight reduction. Attempts have been made to use flexible and lightweight substrates such as thin glass, a glass cloth substrate formed by solidifying a glass fiber woven cloth with a resin, and a cellulose nanofiber substrate formed by molding cellulose nanofibers. From the viewpoint of not only weight reduction but also prevention of breakage at the time of dropping, a plastic substrate, a glass cloth substrate, and a cellulose nanofiber substrate are particularly promising.

これら基材をLCD用の基材として用いる場合、液晶の駆動に影響を与えないように、基材及び基材側の部材から液晶内への不純物イオンの溶出を抑制することが求められる。例えば、特許文献4においては、アルカリガラス基材上にスパッタ法で形成した複数層のSiO絶縁層によって、ディスプレイ製造工程での350℃〜500℃の高温処理時にガラス基材から熱拡散してくるナトリウムイオンが液晶内へ溶出することを抑制する技術が開示されている。
しかし、特許文献4では、前述のプラスチック基材等についての記述は無く、ガラス基材を用いていることからガスバリアー性についても問題視されていない。また、スパッタ法による真空系での成膜となるため連続生産性には乏しい。
When these substrates are used as substrates for LCDs, it is required to suppress the elution of impurity ions from the substrate and members on the substrate side into the liquid crystal so as not to affect the driving of the liquid crystal. For example, in Patent Document 4, a plurality of SiO 2 insulating layers formed on an alkali glass substrate by sputtering are thermally diffused from the glass substrate during high-temperature treatment at 350 ° C. to 500 ° C. in the display manufacturing process. A technique for suppressing elution of coming sodium ions into the liquid crystal is disclosed.
However, in patent document 4, there is no description about the above-mentioned plastic base material etc., and since the glass base material is used, gas barrier property is not regarded as a problem. In addition, since the film is formed in a vacuum system by sputtering, continuous productivity is poor.

また、特許文献5では、軽量化や破損防止の目的で基材をプラスチック化した場合におけるイオン溶出防止性とガスバリアー性の両立と、生産性向上を目的とする技術について開示されている。特許文献5では、プラスチック基材(ポリカーボネート等)に、精製によって酢酸ソーダを除いたポリビニルアルコール(PVA)を塗布し乾燥してガスバリアー層を形成することで高い生産性を実現し、ガスバリアー性とPVA内からのアルカリ金属イオン溶出防止を両立している。
しかし、特許文献5では、ガスバリアー層にPVAを用いていることから、現状主流であるアモルファスSi−TFT製造過程におけるディスプレイ駆動回路形成工程やカラーフィルター形成工程で、200℃近い高温にさらされることでガスバリアー層が損傷してしまい、その性能を維持することができなかった。また、PVAが親水性樹脂であることから水蒸気バリアー性に関しても満足できる性能ではなかった。
Further, Patent Document 5 discloses a technique aimed at improving productivity and achieving both ion elution preventing property and gas barrier property when a base material is plasticized for the purpose of weight reduction and damage prevention. In Patent Document 5, high productivity is realized by forming a gas barrier layer by applying polyvinyl alcohol (PVA) from which sodium acetate is removed by purification to a plastic base material (polycarbonate, etc.) and drying to form a gas barrier property. And prevention of alkali metal ion elution from the PVA.
However, in Patent Document 5, since PVA is used for the gas barrier layer, it is exposed to a high temperature close to 200 ° C. in the display driving circuit forming process and the color filter forming process in the amorphous Si-TFT manufacturing process which is currently mainstream. As a result, the gas barrier layer was damaged, and its performance could not be maintained. In addition, since PVA is a hydrophilic resin, the water vapor barrier property was not satisfactory.

一方、耐熱性に優れる無機材料を塗布にて成膜してイオン溶出防止層とする技術が開示されている(例えば、特許文献6)。特許文献6では、カラーフィルターとそのカラーフィルター表面を平坦化する平坦化層の間に、金属酸化物層をスパッタ等の蒸着法により形成するか、無機骨格を主体とする層としてポリアミド、ポリイミド、シロキサンなどからなる層を形成し、平坦化膜の劣化を抑制することにより、カラーフィルターの長期安定性を実現している。
しかし、特許文献6では、シロキサン系材料や、無機骨格を主体とする層の製造方法等に関する詳細な記述は無く、また、基材についてもソーダガラス(青板ガラス)を用いていることからガスバリアー性についてはなんら記述されていない。
On the other hand, a technique for forming an ion elution preventing layer by coating an inorganic material having excellent heat resistance is disclosed (for example, Patent Document 6). In Patent Document 6, a metal oxide layer is formed by a vapor deposition method such as sputtering between a color filter and a flattening layer for flattening the surface of the color filter, or polyamide, polyimide, A long-term stability of the color filter is realized by forming a layer made of siloxane or the like and suppressing deterioration of the flattening film.
However, in Patent Document 6, there is no detailed description regarding a manufacturing method of a layer mainly composed of a siloxane-based material or an inorganic skeleton, and a soda glass (blue plate glass) is used as a base material. There is no mention of sex.

特開2008−56967号公報JP 2008-56967 A 特開2009−255040号公報JP 2009-255040 A 特表2009−503157公報Special table 2009-503157 特開2000−26139号公報JP 2000-26139 A 特開平9−15618号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-15618 特開平9−189903号公報JP 9-189903 A

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高いバリアー性能とイオン溶出防止性能を有するバリアーフィルムの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a resolver rear film having a high barrier performance and ion elution prevention performance.

以上の課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、
基材上に、ガスバリアー層と、無機骨格を主体とするイオンバリアー層とを備えたバリアーフィルムの製造方法であって、
ポリシラザンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記ガスバリアー層を形成する工程と、
ポリシロキサンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記イオンバリアー層を形成する工程と、を有し、
前記ガスバリアー層を、前記イオンバリアー層を覆う配置に設け、
前記ガスバリアー層と前記イオンバリアー層の界面をイオンブロック面とすることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the invention described in claim 1
A method for producing a barrier film comprising a gas barrier layer and an ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton on a substrate,
After forming a coating film containing polysilazane, forming the gas barrier layer by modifying the coating film by applying vacuum ultraviolet light; and
Forming a coating film containing polysiloxane, and then forming the ion barrier layer by modifying the coating film by irradiating it with vacuum ultraviolet light.
Providing the gas barrier layer in an arrangement covering the ion barrier layer;
The interface between the gas barrier layer and the ion barrier layer is an ion block surface.

請求項に記載の発明は、
基材上に、ガスバリアー層と、無機骨格を主体とするイオンバリアー層とを備えたバリアーフィルムの製造方法であって、
ポリシラザンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記ガスバリアー層を形成する工程と、
ポリシロキサンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記イオンバリアー層を形成する工程と、を有し、
前記ガスバリアー層を、対を成す前記イオンバリアー層で挟まれた配置に設け
前記ガスバリアー層と前記イオンバリアー層の界面をイオンブロック面とすることを特徴とする。
The invention described in claim 2
A method for producing a barrier film comprising a gas barrier layer and an ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton on a substrate,
After forming a coating film containing polysilazane, forming the gas barrier layer by modifying the coating film by applying vacuum ultraviolet light; and
Forming a coating film containing polysiloxane, and then forming the ion barrier layer by modifying the coating film by irradiating it with vacuum ultraviolet light.
The gas barrier layer is provided in an arrangement sandwiched between the paired ion barrier layers ,
The interface between the gas barrier layer and the ion barrier layer is an ion block surface .

請求項に記載の発明は、
基材上に、ガスバリアー層と、無機骨格を主体とするイオンバリアー層とを備えたバリアーフィルムの製造方法であって、
ポリシラザンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記ガスバリアー層を形成する工程と、
ポリシロキサンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記イオンバリアー層を形成する工程と、を有し、
前記イオンバリアー層を、対を成す前記ガスバリアー層で挟まれた配置に設け
前記ガスバリアー層と前記イオンバリアー層の界面をイオンブロック面とすることを特徴とする。
The invention according to claim 3
A method for producing a barrier film comprising a gas barrier layer and an ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton on a substrate,
After forming a coating film containing polysilazane, forming the gas barrier layer by modifying the coating film by applying vacuum ultraviolet light; and
Forming a coating film containing polysiloxane, and then forming the ion barrier layer by modifying the coating film by irradiating it with vacuum ultraviolet light.
The ion barrier layer is provided in an arrangement sandwiched between the gas barrier layers forming a pair ,
The interface between the gas barrier layer and the ion barrier layer is an ion block surface .

本発明によれば、高いバリアー性能とイオン溶出防止性能を有するバリアーフィルムの製造方法を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a manufacturing method of the resolver rear film having a high barrier performance and ion elution prevention performance.

本発明に係るバリアーフィルムの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the barrier film which concerns on this invention. 本発明に係るバリアーフィルムの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the barrier film which concerns on this invention. バリアーフィルムを用いて液晶表示素子を封止した液晶表示パネルの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the liquid crystal display panel which sealed the liquid crystal display element using the barrier film. バリアーフィルムの実施例1(1)、参考例2(2)、実施例3(3)、実施例4(4)、比較例1(5)、比較例2(6)、比較例3(7)、比較例4(8)を示す説明図である。Example 1 (1), Reference Example 2 (2), Example 3 (3), Example 4 (4), Comparative Example 1 (5), Comparative Example 2 (6), and Comparative Example 3 (7) ) Is an explanatory view showing Comparative Example 4 (8).

以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。   Hereinafter, preferred embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, although various technically preferable limitations for implementing the present invention are given to the embodiments described below, the scope of the invention is not limited to the following embodiments and illustrated examples.

本発明に係るバリアーフィルム(10、11)は、樹脂フィルムなどの基材1上に、少なくとも1層のガスバリアー層2と、少なくとも1層のイオンバリアー層3とを備えている。
ガスバリアー層2は、ポリシラザンを含有する塗布液を塗布し乾燥してなる塗膜に対して真空紫外光を照射することで、ポリシラザンを含有した塗膜を改質して形成した層である。
イオンバリアー層3は、ポリシロキサンを含有する塗布液を塗布し乾燥してなる塗膜に対して真空紫外光を照射することで、ポリシロキサンを含有した塗膜を改質して形成した層である。
このガスバリアー層2とイオンバリアー層3は、隣接して設けられている。
The barrier film (10, 11) according to the present invention includes at least one gas barrier layer 2 and at least one ion barrier layer 3 on a substrate 1 such as a resin film.
The gas barrier layer 2 is a layer formed by modifying a coating film containing polysilazane by irradiating the coating film formed by applying and drying a coating liquid containing polysilazane with vacuum ultraviolet light.
The ion barrier layer 3 is a layer formed by modifying a coating film containing polysiloxane by irradiating the coating film formed by applying and drying a coating solution containing polysiloxane with vacuum ultraviolet light. is there.
The gas barrier layer 2 and the ion barrier layer 3 are provided adjacent to each other.

本発明者らが鋭意検討した結果、各塗膜の改質手法として、波長が100nm〜200nmの真空紫外線を照射する改質処理を施すことで、高いガスバリアー性と高いイオンバリアー性(イオン溶出防止性)の両立が可能となることが分かった。
特に、ガスバリアー層2とイオンバリアー層3の異なる2種の改質層が積層されることで、ポリシラザン改質層(ガスバリアー層2)の高いガスバリアー性が発現し、その高いガスバリアー性が長時間安定することが分かった。
また、ポリシロキサン改質層(イオンバリアー層3)は、その構造的特徴である原子レベル(数nm〜数十nmサイズ)の空隙を有しており、ポリシラザン改質層(ガスバリアー層2)と隣接されることで、そのポリシロキサン改質層(イオンバリアー層3)の高いイオンバリアー性が発現することが分かった。
更に、ポリシラザン改質層(ガスバリアー層2)とポリシロキサン改質層(イオンバリアー層3)との間の界面がイオンブロック面として機能することで、ソーダガラスを含めた各種基材(1)及び光硬化層等の機能層から拡散してくると考えられるイオンが、その界面を通過しバリアーフィルムから溶出することを抑制し、例えば、バリアーフィルムが封止している液晶素子側にイオンが溶出することを効果的に抑制することが分かった。
なお、本願において、「ガスバリアー性」とは、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(60±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−2g/(m・24h)以下であり、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10−2ml/m・24h・atm以下であることをいう。
As a result of intensive studies by the present inventors, high gas barrier properties and high ion barrier properties (ion elution) can be achieved by applying a modification treatment to irradiate vacuum ultraviolet rays having a wavelength of 100 nm to 200 nm as a modification method for each coating film. It has been found that both prevention properties can be achieved.
In particular, the high gas barrier property of the polysilazane modified layer (gas barrier layer 2) is manifested by laminating two different modified layers of the gas barrier layer 2 and the ion barrier layer 3, and the high gas barrier property. Was found to be stable for a long time.
The polysiloxane modified layer (ion barrier layer 3) has voids at the atomic level (several nm to several tens of nm size), which is a structural feature thereof, and the polysilazane modified layer (gas barrier layer 2). It was found that a high ion barrier property of the polysiloxane modified layer (ion barrier layer 3) is expressed by being adjacent to each other.
Furthermore, the interface between the polysilazane modified layer (gas barrier layer 2) and the polysiloxane modified layer (ion barrier layer 3) functions as an ion block surface, so that various substrates including soda glass (1) And ions that are considered to diffuse from a functional layer such as a photocured layer are prevented from passing through the interface and eluting from the barrier film. For example, ions are present on the liquid crystal element side sealed by the barrier film. It was found that the elution was effectively suppressed.
In the present application, “gas barrier property” means that the water vapor permeability (60 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured by a method according to JIS K 7129-1992 is 1 × 10 −2 g / (m 2 · 24 h) or less, and oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 is 1 × 10 −2 ml / m 2 · 24 h · atm or less. That means.

また、基材1の平滑性や基材1に対するガスバリアー層2の密着性を向上させるための中間層として、平滑層4やアンカーコート層を基材表面に設けてもよい。
また、基材1に傷や汚れが付くことを防止するため耐傷層や、基材1が加熱された際に内部から表面へモノマー、オリゴマー等の低分子量成分が析出する、いわゆるブリードアウトを抑制する目的でのブリードアウト防止層5を基材表面に設けてもよい。
Moreover, you may provide the smooth layer 4 and an anchor coat layer in the base-material surface as an intermediate | middle layer for improving the smoothness of the base material 1, and the adhesiveness of the gas barrier layer 2 with respect to the base material 1. FIG.
Moreover, in order to prevent the base material 1 from being scratched or soiled, a so-called bleed-out layer is suppressed so that when the base material 1 is heated, low molecular weight components such as monomers and oligomers are deposited from the inside to the surface. For this purpose, a bleed-out prevention layer 5 may be provided on the surface of the substrate.

具体的に、本発明に係るバリアーフィルム10は、例えば、図1に示すように、基材1と、その基材1の一方の面上に順に積層された、ガスバリアー層2とイオンバリアー層3を備えている。
また、本発明に係るバリアーフィルム11は、例えば、図2に示すように、基材1と、その基材1の一方の面に形成された平滑層4と、平滑層4上に積層されたガスバリアー層2とイオンバリアー層3を備え、さらに基材1の他方の面にブリードアウト防止層5を備えている。
Specifically, the barrier film 10 according to the present invention includes, for example, as shown in FIG. 1, a base material 1, and a gas barrier layer 2 and an ion barrier layer that are sequentially laminated on one surface of the base material 1. 3 is provided.
Moreover, the barrier film 11 according to the present invention is laminated on the base material 1, the smooth layer 4 formed on one surface of the base material 1, and the smooth layer 4, for example, as shown in FIG. A gas barrier layer 2 and an ion barrier layer 3 are provided, and a bleed-out prevention layer 5 is provided on the other surface of the substrate 1.

以下、本発明のバリアーフィルム10、11の構成について詳細に説明する。   Hereinafter, the structure of the barrier films 10 and 11 of the present invention will be described in detail.

(基材)
本発明のバリアーフィルムを構成し、バリアーフィルムの支持体となる基材は、可撓性を有する折り曲げ可能なフィルム基材であることが好ましい。この基材は、ガスバリアー層やイオンバリアー層を保持することができるものであれば、特に限定されるものではない。
(Base material)
The base material constituting the barrier film of the present invention and serving as a support for the barrier film is preferably a flexible and foldable film base material. The substrate is not particularly limited as long as it can hold a gas barrier layer or an ion barrier layer.

バリアーフィルムの基材に適用可能な樹脂基材としては、例えば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)、ナイロン(Ny)、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリエーテルイミド等の各樹脂フィルム、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルム(製品名Sila−DEC、チッソ株式会社製)、更には前記した樹脂を二層以上積層して成る樹脂フィルム等を挙げることができる。
コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)などが好ましく用いられる。また、光学的透明性、耐熱性、ガスバリアー層など構成層との密着性の点においては、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルムを好ましく用いることができる。
Examples of the resin base material applicable to the base material of the barrier film include acrylic acid ester, methacrylic acid ester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyarylate, Polyvinyl chloride (PVC), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), nylon (Ny), aromatic polyamide, polyetheretherketone, polysulfone, polyethersulfone (PES), polyimide (PI), Resin films such as polyamideimide (PAI) and polyetherimide, heat-resistant transparent film based on silsesquioxane having an organic-inorganic hybrid structure (product name: Sila-DEC, manufactured by Chisso Corporation), Can the mentioned resin film formed by laminating a resin obtained by the two or more layers.
In terms of cost and availability, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), and the like are preferably used. Further, in terms of optical transparency, heat resistance, and adhesion to constituent layers such as a gas barrier layer, a heat resistant transparent film having a basic skeleton of silsesquioxane having an organic-inorganic hybrid structure can be preferably used.

また、本発明における耐熱性基材とは、上記した樹脂からなる基材の内、連続使用可能温度が150℃以上である基材を指す。
耐熱性基材としては、上記の内、例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)等の各樹脂フィルム等が挙げられ、また上記以外に、例えば、シクロオレフィンポリマー系フィルム(例えば、ゼオン社製ゼオノア、グンゼ社製Fフィルム等)、セルロースナノファイバーフィルム、ガラスクロス等が挙げられる。なお、耐熱基材という意味では薄板ガラスを含むガラス基材も含まれる。バリアーフィルムの基材としてガラス基材を用いる場合にはガスバリアー層を形成する必要は無いが、ガラスとしてソーダガラスを用いる場合には、無機骨格を主体とするイオンバリアー層を形成することで、イオンバリアー層単独の効果を付与することが好ましい。
本発明におけるガスバリアー層及びイオンバリアー層は、いずれも無機成分を主にする層であり、高い耐熱性を有していることから、前述のような耐熱性基材と組み合わせることにより、既存のTFT等の駆動回路形成工程やカラーフィルター形成工程などの高温処理工程を通すことが可能になる。但し、駆動回路形成工程、カラーフィルター形成工程のプロセス温度は、製造方法により異なるため、プロセス温度に耐えうる基材を適宜選択することが好ましい。
Moreover, the heat resistant base material in this invention refers to the base material whose continuous use temperature is 150 degreeC or more among the base materials which consist of above-described resin.
Examples of the heat-resistant substrate include resin films such as polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyimide (PI), and polyamideimide (PAI). Examples thereof include a cycloolefin polymer film (for example, ZEONOR manufactured by ZEON Co., Ltd., F film manufactured by Gunze Co., Ltd.), cellulose nanofiber film, glass cloth, and the like. In addition, the glass substrate containing thin glass is also included in the meaning of a heat-resistant substrate. When using a glass substrate as the substrate of the barrier film, it is not necessary to form a gas barrier layer, but when using soda glass as the glass, by forming an ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton, It is preferable to impart the effect of the ion barrier layer alone.
The gas barrier layer and the ion barrier layer in the present invention are both layers mainly composed of inorganic components and have high heat resistance. Therefore, by combining with the heat resistant substrate as described above, It is possible to pass through a high-temperature treatment process such as a drive circuit formation process such as a TFT or a color filter formation process. However, since the process temperature in the drive circuit formation step and the color filter formation step varies depending on the manufacturing method, it is preferable to select a substrate that can withstand the process temperature as appropriate.

この基材の厚さは5〜500μm程度が好ましく、更に好ましくは25〜250μmである。
また、バリアーフィルムの支持体として機能する基材は、光透過性を有し、透明であることが好ましい。基材が透明であり、基材上に形成する構成層も透明であることにより、透明なバリアーフィルムとすることが可能となるため、有機EL素子等の透明基板とすることも可能となるからである。
The thickness of this base material is preferably about 5 to 500 μm, more preferably 25 to 250 μm.
Moreover, it is preferable that the base material which functions as a support body of a barrier film has a light transmittance and is transparent. Since the base material is transparent and the constituent layer formed on the base material is also transparent, it becomes possible to make a transparent barrier film, so that it becomes possible to make a transparent substrate such as an organic EL element. It is.

また、上記した樹脂等を用いた基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。
具体的に、上記した樹脂材料からなる基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやTダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の基材を製造することができる。また、未延伸の基材を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸などの公知の方法により、基材の流れ(縦軸)方向、又は基材の流れ方向と直角(横軸)方向に延伸することにより延伸基材を製造することができる。この場合の延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ2〜10倍が好ましい。
The base material using the above-described resin or the like may be an unstretched film or a stretched film.
Specifically, the base material made of the above-described resin material can be manufactured by a conventionally known general method. For example, an unstretched substrate that is substantially amorphous and not oriented can be produced by melting a resin as a material with an extruder, extruding it with an annular die or a T-die, and quenching. In addition, the unstretched substrate is uniaxially stretched, tenter-type sequential biaxial stretching, tenter-type simultaneous biaxial stretching, tubular-type simultaneous biaxial stretching, and other known methods, such as the substrate flow (vertical axis) direction, or A stretched substrate can be produced by stretching in the direction perpendicular to the flow direction of the substrate (horizontal axis). The draw ratio in this case can be appropriately selected according to the resin as the raw material of the base material, but is preferably 2 to 10 times in each of the vertical axis direction and the horizontal axis direction.

(ガスバリアー層)
本発明のガスバリアー層は、少なくとも基材の片面に、少なくとも1層のポリシラザン骨格を有するシリコン化合物層(ポリシラザン層)を設け、そのポリシラザン層に改質処理を施す手法で形成することができる。この改質処理として特に好ましい処理は、波長100nm〜200nmの真空紫外光を照射する処理であり、ポリシラザン層に真空紫外光を照射することによって、酸化ケイ素や酸窒化ケイ素などを含むガスバリアー層を形成することができる。
(Gas barrier layer)
The gas barrier layer of the present invention can be formed by a technique in which at least one silicon compound layer (polysilazane layer) having a polysilazane skeleton is provided on at least one surface of a base material, and the polysilazane layer is subjected to a modification treatment. A particularly preferable treatment as this modification treatment is a treatment of irradiating vacuum ultraviolet light having a wavelength of 100 nm to 200 nm. By irradiating the polysilazane layer with vacuum ultraviolet light, a gas barrier layer containing silicon oxide, silicon oxynitride or the like is formed. Can be formed.

このポリシラザン層を改質してなるガスバリアー層が高いガスバリアー性能を発現する要因として、本発明者らは、ポリシラザンに含まれる3〜5つの環状構造が、酸化ケイ素や酸窒化珪素の緻密構造を形成することに有利な原子間距離をとっていることが主要因であると考え、すでにある短距離秩序に真空紫外光照射の改質処理が関与し、少ないエネルギーで層構造を秩序化でき、例えば1000℃以上での溶解・再配列・結晶化といったプロセスが不要であるためと推察している。また、真空紫外光を照射する処理においては、その真空紫外光によるSi−OHなどの化学結合の切断と、照射空間で生成されるオゾンによる酸化とが併発するため、その化学結合切断処理とオゾン酸化処理を併用する改質処理よって効率的な改質がなされることも好ましい要因であると推察している。   As a factor in which the gas barrier layer formed by modifying the polysilazane layer exhibits high gas barrier performance, the present inventors have proposed that the three to five cyclic structures contained in the polysilazane are a dense structure of silicon oxide or silicon oxynitride. It is thought that the main factor is to have an interatomic distance advantageous for forming the layer, and the modification process of vacuum ultraviolet light irradiation is involved in the existing short-range order, and the layer structure can be ordered with less energy. For example, it is assumed that processes such as dissolution, rearrangement, and crystallization at 1000 ° C. or higher are unnecessary. Moreover, in the process of irradiating with vacuum ultraviolet light, the breakage of chemical bonds such as Si-OH by the vacuum ultraviolet light and the oxidation by ozone generated in the irradiation space occur at the same time. It is presumed that an efficient modification is also a preferable factor by the modification treatment using the oxidation treatment together.

本発明において、基材上あるいは基材上に形成した中間層(例えば平滑層)上に設けるガスバリアー層となるポリシラザン層は、ポリシラザンを含んだ塗布液を塗布し、ポリシラザンを含有する塗膜として形成することができる。
ポリシラザンを含んだ塗布液の塗布方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。
In the present invention, the polysilazane layer serving as a gas barrier layer provided on the base material or an intermediate layer (for example, a smooth layer) formed on the base material is coated with a coating liquid containing polysilazane to form a coating film containing polysilazane. Can be formed.
Any appropriate method can be adopted as a coating method of the coating liquid containing polysilazane. Specific examples include a spin coating method, a roll coating method, a flow coating method, an ink jet method, a spray coating method, a printing method, a dip coating method, a casting film forming method, a bar coating method, and a gravure printing method.

塗膜の厚さは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、塗布厚さは、乾燥後の厚さが好ましくは1nm〜100μm程度、さらに好ましくは10nm〜10μm程度、最も好ましくは10nm〜1μm程度となるように設定され得る。
なお、塗布に先立って塗膜を安定に形成するために、基材の塗布面を表面処理することも可能である。表面処理の方法としては、火炎処理、コロナ放電処理、グロー放電処理、酸素プラズマ処理、UVオゾン処理、エキシマ光処理等、従来公知の処理方法が挙げられる。このような表面処理により、基材の塗布面と塗布液の接触角が10°〜30°になるように処理することが好ましい。30°より大きな接触角の場合、均一な塗膜形成が難しかったり、ガスバリアー層の密着強度が落ちたりすることがある。10°よりも小さな接触角の場合、基材表面が劣化・損傷し、ガスバリアー層の密着強度が落ちる場合がある。
The thickness of the coating film can be appropriately set according to the purpose. For example, the coating thickness can be set so that the thickness after drying is preferably about 1 nm to 100 μm, more preferably about 10 nm to 10 μm, and most preferably about 10 nm to 1 μm.
In addition, in order to form a coating film stably before application | coating, it is also possible to surface-treat the application surface of a base material. Examples of the surface treatment method include conventionally known treatment methods such as flame treatment, corona discharge treatment, glow discharge treatment, oxygen plasma treatment, UV ozone treatment, and excimer light treatment. It is preferable to perform the treatment so that the contact angle between the coating surface of the substrate and the coating solution is 10 ° to 30 ° by such surface treatment. When the contact angle is greater than 30 °, it may be difficult to form a uniform coating film or the adhesion strength of the gas barrier layer may be reduced. When the contact angle is smaller than 10 °, the surface of the base material may be deteriorated or damaged, and the adhesion strength of the gas barrier layer may be lowered.

本発明で用いられる「ポリシラザン」とは、珪素−窒素結合を持つポリマーで、Si−N、Si−H、N−H等からなるSiO、Si及び両方の中間固溶体SiO等のセラミック前駆体無機ポリマーである。
また、ポリシラザンとしては、基材の性状を損なわないように塗布するために、比較的低温でセラミック化してシリカに変性する化合物が好ましく、例えば、特開平8−112879号公報に記載の下記一般式(1)で表される単位からなる主骨格を有する化合物が好ましい。
The “polysilazane” used in the present invention is a polymer having a silicon-nitrogen bond, and includes SiO 2 , Si 3 N 4 and both intermediate solid solutions SiO x N y made of Si—N, Si—H, N—H, or the like. Such as a ceramic precursor inorganic polymer.
Further, the polysilazane is preferably a compound that is ceramicized at a relatively low temperature and modified to silica so as to be applied so as not to impair the properties of the substrate. For example, the following general formula described in JP-A-8-112879 A compound having a main skeleton composed of the unit represented by (1) is preferred.

Figure 0005825016
Figure 0005825016

上記一般式(1)において、R、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基またはアルコキシ基を表す。
本発明では、得られる水蒸気バリアー層としての緻密性の観点から、R、R及びRの全てが水素原子であるパーヒドロポリシラザンが特に好ましい。
また、そのSiと結合する水素原子部分の一部がアルキル基等で置換されたオルガノポリシラザンは、メチル基等のアルキル基を有することにより下地である基材との接着性が改善され、かつ硬くてもろいポリシラザンによるセラミック膜に靭性を持たせることができ、より膜厚(平均膜厚)を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる利点がある。そこで用途に応じて適宜、パーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。
In the general formula (1), R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkylsilyl group, an alkylamino group or an alkoxy group. Represent.
In the present invention, perhydropolysilazane in which all of R 1 , R 2, and R 3 are hydrogen atoms is particularly preferred from the viewpoint of the denseness of the resulting water vapor barrier layer.
In addition, the organopolysilazane in which a part of the hydrogen atom bonded to Si is substituted with an alkyl group or the like has an alkyl group such as a methyl group, thereby improving adhesion with a base material as a base and being hard. The ceramic film made of brittle polysilazane can be provided with toughness, and even when the film thickness (average film thickness) is made thicker, the occurrence of cracks can be suppressed. Accordingly, perhydropolysilazane and organopolysilazane may be appropriately selected according to the application, and may be used in combination.

パーヒドロポリシラザンは、直鎖構造と、6及び8員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量(Mn)で約600〜2000程度(ポリスチレン換算)で、液体または固体の物質があり、その状態は分子量により異なる。これらは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままポリシラザン含有塗布液として使用することができる。   Perhydropolysilazane is presumed to have a linear structure and a ring structure centered on 6- and 8-membered rings. Its molecular weight is about 600 to 2000 (polystyrene conversion) in terms of number average molecular weight (Mn), and there are liquid or solid substances, and the state varies depending on the molecular weight. These are marketed in a solution state dissolved in an organic solvent, and the commercially available product can be used as it is as a polysilazane-containing coating solution.

低温でセラミック化するポリシラザンの他の例としては、上記一般式(1)で表される単位からなる主骨格を有するポリシラザンに、珪素アルコキシドを反応させて得られる珪素アルコキシド付加ポリシラザン(例えば、特開平5−238827号公報参照)、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン(例えば、特開平6−122852号公報参照)、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン(例えば、特開平6−240208号公報参照)、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン(例えば、特開平6−299118号公報参照)、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン(例えば、特開平6−306329号公報参照)、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン(例えば、特開平7−196986号公報参照)等が挙げられる。   As another example of polysilazane which becomes ceramic at low temperature, a silicon alkoxide-added polysilazane obtained by reacting a silicon alkoxide with a polysilazane having a main skeleton composed of a unit represented by the general formula (1) (for example, Japanese Patent Laid-Open No. Hei. No. 5-238827), glycidol-added polysilazane obtained by reacting glycidol (for example, see JP-A-6-122852), and alcohol-added polysilazane obtained by reacting alcohol (for example, JP-A-6-240208). Gazette), metal carboxylate-added polysilazanes obtained by reacting metal carboxylates (for example, see JP-A-6-299118), and acetylacetonate complexes obtained by reacting metal-containing acetylacetonate complexes Additional polysilazanes (for example, See JP -306329), a metal fine metal particles added polysilazane obtained by adding (e.g., JP-see JP 7-196986), and the like.

ポリシラザンを含有する第1の塗布液を調製する有機溶媒としては、ポリシラザンと容易に反応するような特性を有するアルコール系や水分を含有するものを用いることは好ましくない。従って、具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒や、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。詳しくは、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の炭化水素、塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等がある。これらの有機溶媒は、ポリシラザンの溶解度や有機溶媒の蒸発速度等の特性にあわせて選択し、複数の有機溶媒を混合してもよい。   As the organic solvent for preparing the first coating solution containing polysilazane, it is not preferable to use an alcohol or water-containing one having a characteristic that easily reacts with polysilazane. Therefore, specifically, hydrocarbon solvents such as aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons and aromatic hydrocarbons, halogenated hydrocarbon solvents, ethers such as aliphatic ethers and alicyclic ethers can be used. . Specifically, there are hydrocarbons such as pentane, hexane, cyclohexane, toluene, xylene, solvesso and turben, halogen hydrocarbons such as methylene chloride and trichloroethane, ethers such as dibutyl ether, dioxane and tetrahydrofuran. These organic solvents may be selected according to characteristics such as the solubility of polysilazane and the evaporation rate of the organic solvent, and a plurality of organic solvents may be mixed.

ポリシラザン含有の塗布液中におけるポリシラザン濃度は、目的とするポリシラザン塗膜の膜厚や塗布液のポットライフによっても異なるが、0.2〜35質量%程度であることが好ましい。   The polysilazane concentration in the polysilazane-containing coating solution varies depending on the film thickness of the target polysilazane coating film and the pot life of the coating solution, but is preferably about 0.2 to 35% by mass.

本発明においてポリシラザンを含有する組成物としては、パーヒドロポリシラザンを含有していれば特に制限はない。組成物中のパーヒドロポリシラザン以外の材料としては、パーヒドロポリシラザン及びその溶媒と塗布可能な程度の相溶性を有していれば、いかなる材料を用いてもよい。
また、組成物中には、パーヒドロポリシラザンに対し、0.1〜10質量%程度で酸化反応を促進するために添加されるアミンや金属等の触媒を含んでもよく、特にアミン触媒を0.5〜5質量%含むことが、塗布性及び反応の短時間化の点で好ましい。
組成物中の溶媒、添加剤を除いたパーヒドロポリシラザンの含有率としては、80質量%以上であることがバリアー性の観点から好ましく、100質量%、すなわち、パーヒドロポリシラザンのみからなることが、緻密で高いバリアー性を有する膜を形成できる点で最も好ましい。
本発明におけるパーヒドロポリシラザンとして入手可能な材料は、AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製 アクアミカ NN120、NN110、NAX120、NAX110、NL120A、NL110A、NL150A、NP110、NP140等が挙げられる。
In the present invention, the composition containing polysilazane is not particularly limited as long as it contains perhydropolysilazane. As the material other than perhydropolysilazane in the composition, any material may be used as long as it has compatibility with perhydropolysilazane and its solvent.
Further, the composition may contain a catalyst such as amine or metal added to promote the oxidation reaction at about 0.1 to 10% by mass relative to perhydropolysilazane. 5-5 mass% containing is preferable at the point of application | coating property and shortening of reaction.
The content of perhydropolysilazane excluding the solvent and additives in the composition is preferably 80% by mass or more from the viewpoint of barrier properties, and 100% by mass, that is, consisting of only perhydropolysilazane, It is most preferable in that a dense film having a high barrier property can be formed.
Examples of materials that can be obtained as perhydropolysilazane in the present invention include Aquamica NN120, NN110, NAX120, NAX110, NL120A, NL110A, NL150A, NP110, and NP140 manufactured by AZ Electronic Materials.

(イオンバリアー層)
本発明のイオンバリアー層は、少なくとも基材の片面に、少なくとも1層のポリシロキサン骨格を有するシリコン化合物層(ポリシロキサン層)を設け、そのポリシロキサン層に改質処理を施す手法で形成することができる。この改質処理として特に好ましい処理は、波長100nm〜200nmの真空紫外光を照射する処理であり、ポリシロキサン層に真空紫外光を照射することによって、ポリシロキサン由来の有機基を有する酸化ケイ素化合物を含み、無機骨格を主体とするイオンバリアー層を形成することができる。
(Ion barrier layer)
The ion barrier layer of the present invention is formed by a method in which at least one silicon compound layer (polysiloxane layer) having a polysiloxane skeleton is provided on at least one surface of a base material, and the polysiloxane layer is subjected to a modification treatment. Can do. A particularly preferable treatment as this modification treatment is a treatment of irradiating vacuum ultraviolet light having a wavelength of 100 nm to 200 nm. By irradiating the polysiloxane layer with vacuum ultraviolet light, a silicon oxide compound having an organic group derived from polysiloxane is obtained. In addition, an ion barrier layer mainly containing an inorganic skeleton can be formed.

ポリシロキサン材料は、例えば、(−SiR−O−SiR−O−SiR−)といったシリコン−酸素結合を有する重合体である。ポリシロキサン材料は、その骨格に炭素を含む官能基(C2n+1)を含んでもよいが、炭素数が大き過ぎると、改質後の原子レベルの空隙サイズが大きくなり過ぎてイオンのトラップ効果が小さくなることや、ガスバリアー層の剛性が低下することがあるので好ましくない。このため無機骨格に含まれる官能基の炭素数nは好ましくは0〜5、より好ましくは1〜3である。具体的には、水素化シルセスキオキサン(HSQ)、メチル化シルセスキオキサン(MSQ)が挙げられる。 The polysiloxane material is, for example, a polymer having a silicon-oxygen bond such as (—SiR 1 R 2 —O—SiR 3 R 4 —O—SiR 5 R 6 —). The polysiloxane material may contain a functional group containing carbon (C n H 2n + 1 ) in its skeleton, but if the number of carbons is too large, the void size at the atomic level after modification becomes too large, and the ion trap effect Is unfavorable because it may decrease and the rigidity of the gas barrier layer may decrease. For this reason, carbon number n of the functional group contained in the inorganic skeleton is preferably 0 to 5, more preferably 1 to 3. Specific examples include hydrogenated silsesquioxane (HSQ) and methylated silsesquioxane (MSQ).

本発明において、無機骨格を主体とするイオンバリアー層に用いるポリシロキサンの分子量としては1000〜10000が好ましく、3000〜6000がより好ましい。
分子量が1000より小さいと、本発明の方法で成膜した場合に、クラック等の欠陥が発生しやすくなる。また、分子量が10000より大きいと、ゲル化が進行しやすく材料の保管が難しくなることや製造時のポットライフが短くなる問題が発生する。
また、ポリシロキサン材料を用いて3次元架橋構造を形成するには、一般的には200℃以上の加熱処理を加えることで実現可能であるが、例えば、耐熱性の低い樹脂基材上にイオンバリアー層を成膜する場合には難しい。本発明者が鋭意検討した結果、ポリシロキサン材料の塗膜を樹脂基材上に形成し、樹脂基材の耐熱温度以下の温度の熱処理により、溶媒除去と初期の硬化反応(プレ硬化処理)を行った後に、高エネルギー線、例えば波長200nm以下の真空紫外光を照射(後硬化処理)することにより、樹脂基材にダメージを与えることなく、本発明の目的に応じたイオントラップ能を有する構造のイオンバリアー層を製造することが可能になる。
In the present invention, the molecular weight of the polysiloxane used in the ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton is preferably 1000 to 10,000, more preferably 3000 to 6000.
When the molecular weight is less than 1000, defects such as cracks are likely to occur when a film is formed by the method of the present invention. On the other hand, when the molecular weight is larger than 10,000, gelation is likely to proceed, and it becomes difficult to store the material, and the pot life at the time of production is shortened.
In addition, the formation of a three-dimensional crosslinked structure using a polysiloxane material can be generally realized by applying a heat treatment at 200 ° C. or higher. For example, an ion is formed on a resin substrate having low heat resistance. It is difficult to form a barrier layer. As a result of intensive studies by the present inventor, a coating film of polysiloxane material is formed on a resin base material, and solvent removal and initial curing reaction (pre-curing treatment) are performed by heat treatment at a temperature lower than the heat resistant temperature of the resin base material. After performing, a structure having an ion trap ability according to the object of the present invention without damaging the resin base material by irradiating high energy rays, for example, vacuum ultraviolet light having a wavelength of 200 nm or less (post-curing treatment) It is possible to manufacture an ion barrier layer.

本発明において、基材上あるいは基材上に形成した中間層(例えば平滑層)上に設けるイオンバリアー層となるポリシロキサン層は、ポリシロキサンを含んだ塗布液を塗布し、ポリシロキサンを含有する塗膜として形成することができる。
ポリシロキサンを含んだ塗布液の塗布方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。
塗膜の厚さは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、塗布厚さは、乾燥後の厚さが好ましくは1nm〜100μm程度、さらに好ましくは10nm〜10μm程度、最も好ましくは10nm〜1μm程度となるように設定され得る。
なお、ポリシラザン含有塗布膜と同様に、塗膜を安定させるため、塗布に先立って基材の塗布面を従来公知の方法で表面処理することも可能である。
In the present invention, the polysiloxane layer serving as an ion barrier layer provided on the base material or an intermediate layer (for example, a smooth layer) formed on the base material is coated with a coating liquid containing polysiloxane and contains polysiloxane. It can be formed as a coating film.
Any appropriate method can be adopted as a coating method of the coating liquid containing polysiloxane. Specific examples include a spin coating method, a roll coating method, a flow coating method, an ink jet method, a spray coating method, a printing method, a dip coating method, a casting film forming method, a bar coating method, and a gravure printing method.
The thickness of the coating film can be appropriately set according to the purpose. For example, the coating thickness can be set so that the thickness after drying is preferably about 1 nm to 100 μm, more preferably about 10 nm to 10 μm, and most preferably about 10 nm to 1 μm.
In addition, similarly to the polysilazane-containing coating film, in order to stabilize the coating film, it is possible to surface-treat the coated surface of the substrate by a conventionally known method prior to coating.

<ガスバリアー層とイオンバリアー層の厚み>
本発明でのガスバリアー層の厚みは、1層あたり1nm〜100nmであること好ましく、更に好ましくは10nm〜50nmである。1nm以下の厚みであるとバリアー性能が十分でなくなり、100nmより厚くなると、緻密な金属酸化物膜であるバリアー層にクラックが非常に入りやすくなる。ガスバリアー層が、ガスバリアー性向上とクラック防止を両立するため方法の一例として、トータル膜厚を一定にして層を細分化する方法が挙げられる。ガスバリアー層を細分化し、複数層のガスバリアー層を形成するようにすれば、金属酸化物膜形成時の残留応力が低減でき、ガスバリアー層の隣接層と合わせて高度に改質処理した場合でもクラック発生を抑制することができる。また、ガスバリアー層を逐次で積層することにより、欠陥の位置をずらすことが可能となり、迂回効果により更にガスバリアー性能が向上する。
イオンバリアー層の厚みは、100nm〜10μmであることが好ましく、より好ましくは300nm〜4μmである。100nmより薄いとイオントラップ効果が小さく、保護層や下地層としての機能も十分でなくなる。10μmより厚いとヒビ割れ(クラック)が生じやすくなり、フレキシビリティ性やカールバランス性が悪化することがある。
<Thickness of gas barrier layer and ion barrier layer>
The thickness of the gas barrier layer in the present invention is preferably 1 nm to 100 nm, more preferably 10 nm to 50 nm, per layer. When the thickness is 1 nm or less, the barrier performance is not sufficient, and when the thickness is more than 100 nm, the barrier layer, which is a dense metal oxide film, easily cracks. As an example of a method for the gas barrier layer to achieve both improvement in gas barrier properties and prevention of cracks, there is a method of subdividing the layer with a constant total film thickness. If the gas barrier layer is subdivided and multiple gas barrier layers are formed, the residual stress during metal oxide film formation can be reduced, and when the gas barrier layer and the adjacent layers of the gas barrier layer are highly modified However, the occurrence of cracks can be suppressed. Further, by sequentially stacking the gas barrier layers, it becomes possible to shift the position of the defect, and the gas barrier performance is further improved by the detour effect.
The thickness of the ion barrier layer is preferably 100 nm to 10 μm, more preferably 300 nm to 4 μm. If it is thinner than 100 nm, the ion trap effect is small, and the functions as a protective layer and an underlayer are not sufficient. If it is thicker than 10 μm, cracks are likely to occur, and flexibility and curl balance may be deteriorated.

<ポリシラザン改質層とポリシロキサン改質層を積層することでの複合効果>
前述のように、ガスバリアー層をポリシラザン塗膜から形成し、無機骨格を主体とするイオンバリアー層をポリシロキサン塗膜から形成する場合において、一方の層を塗布/改質した後に、他方の層を塗布/改質して、ガスバリアー層とイオンバリアー層を積層することにより、両層の界面が明確に形成でき、この界面領域をイオンブロック面として機能させることが可能になる。
また、ガスバリアー層とイオンバリアー層は、それぞれ原子レベルの空隙を含んでおり、そのイオンバリアー層の空隙の少なくとも一部が、ガスバリアー層の空隙よりもそのサイズが大きいことにより、イオンバリアー層がより高いイオントラップ性を発現させることができる。さらに、ガスバリアー層とイオンバリアー層の界面は、原子レベルの空隙サイズが切り替わる境界であることによって、その界面のイオントラップ性、イオンブロック性が増す効果が期待できる。
また、ガスバリアー層の成膜応力を緩和し、より高いガスバリアー性を発現させるためには、ポリシラザン塗膜の下地としてイオンバリアー層を設けることが効果的である。また、イオンバリアー層がガスバリアー層の下地とされた場合、イオンバリアー層自体のイオントラップ性及びガスバリアー層との界面でのイオンブロック効果により、ガスバリアー層へ拡散していくイオンを極力減らすことができ、拡散イオンによるガスバリアー層のバリアー性の劣化も抑制できる。
また、ガスバリアー層に加わる外力を緩和するように、イオンバリアー層がガスバリアー層を覆う配置に設けることで、イオンバリアー層をガスバリアー層の保護層として機能させることもできる。この場合、イオンバリアー層がガスバリアー層の破損を防止し、ガスバリアー性能を維持することは容易に想像できるが、ガスバリアー層から拡散してくる微量なイオン性物質を、イオンバリアー層とガスバリアー層との界面でトラップすることが可能である。
このようにガスバリアー層とイオンバリアー層を積層する際に、その上下の配置構成を異ならせ、ガスバリアー層がイオンバリアー層を覆う配置に設けられている場合と、イオンバリアー層がガスバリアー層を覆う配置に設けられている場合とで、ガスバリアー機能に適した層構造と、イオンバリアー機能に適した層構造に切り替えることができる。
こうしたガスバリアー層とイオンバリアー層の積層効果をより高めるために、3層構造にしてもよく、例えば、ガスバリアー層が、対を成すイオンバリアー層で挟まれた配置に設けられていてもよく、また、イオンバリアー層が、対を成すガスバリアー層で挟まれた配置に設けられていてもよい。また、ガスバリアー層とイオンバリアー層を4層以上に積層してもよく、例えば、ガスバリアー層がイオンバリアー層を覆ったユニットを積層したり、イオンバリアー層がガスバリアー層を覆ったユニットを積層したりした積層構造であってもよい。
<Combined effect by laminating polysilazane modified layer and polysiloxane modified layer>
As described above, when the gas barrier layer is formed from the polysilazane coating and the ion barrier layer mainly composed of the inorganic skeleton is formed from the polysiloxane coating, after coating / modifying one layer, the other layer By applying / modifying and laminating the gas barrier layer and the ion barrier layer, the interface between the two layers can be clearly formed, and this interface region can function as an ion block surface.
In addition, each of the gas barrier layer and the ion barrier layer includes voids at an atomic level, and at least a part of the voids of the ion barrier layer is larger in size than the voids of the gas barrier layer. Can exhibit higher ion trapping properties. Furthermore, since the interface between the gas barrier layer and the ion barrier layer is a boundary where the void size at the atomic level is switched, an effect of increasing the ion trapping property and ion blocking property of the interface can be expected.
Moreover, in order to relieve the film-forming stress of a gas barrier layer and to express higher gas barrier property, it is effective to provide an ion barrier layer as a base of a polysilazane coating film. In addition, when the ion barrier layer is the base of the gas barrier layer, the ions that diffuse into the gas barrier layer are reduced as much as possible due to the ion trapping effect of the ion barrier layer itself and the ion blocking effect at the interface with the gas barrier layer. It is also possible to suppress the deterioration of the barrier properties of the gas barrier layer due to the diffusion ions.
Moreover, the ion barrier layer can be made to function as a protective layer of the gas barrier layer by providing the ion barrier layer so as to relieve the external force applied to the gas barrier layer so as to cover the gas barrier layer. In this case, it can be easily imagined that the ion barrier layer prevents the gas barrier layer from being damaged and maintains the gas barrier performance. However, a small amount of ionic substances diffusing from the gas barrier layer are separated from the ion barrier layer and the gas. It is possible to trap at the interface with the barrier layer.
When laminating the gas barrier layer and the ion barrier layer in this way, the arrangement configuration of the upper and lower sides thereof is changed so that the gas barrier layer is provided so as to cover the ion barrier layer, and the ion barrier layer is a gas barrier layer. And a layer structure suitable for the gas barrier function and a layer structure suitable for the ion barrier function.
In order to further enhance the stacking effect of the gas barrier layer and the ion barrier layer, a three-layer structure may be used. For example, the gas barrier layer may be provided between the paired ion barrier layers. Moreover, the ion barrier layer may be provided in an arrangement sandwiched between the gas barrier layers forming a pair. Further, the gas barrier layer and the ion barrier layer may be laminated in four or more layers. For example, a unit in which the gas barrier layer covers the ion barrier layer may be laminated, or a unit in which the ion barrier layer covers the gas barrier layer. A laminated structure such as a laminated structure may be used.

〔改質処理〕
<紫外線照射による改質処理>
ポリシラザンを含有するポリシラザン層、ポリシロキサンを含有するポリシロキサン層に対して施す改質処理は、適度な酸化性ガス雰囲気下と低湿度環境下で紫外線を照射することにより行う。
ポリシラザン層やポリシロキサン層の珪素化合物層に紫外線を照射することにより、活性酸素やオゾンが発生し、酸化反応が進行することで、所望の組成を有する無機膜を得ることができる。
この活性酸素やオゾンは非常に反応性が高いため、塗膜中の珪素化合物は、シラノールを経由することなく直接酸化されることで、より高密度で欠陥の少ない酸化ケイ素膜あるいは酸窒化ケイ素膜が形成される。
本発明における改質処理は、加熱処理と組み合わせて行うことがより好ましい。
また、反応性オゾンの不足分を紫外線照射とは異なる部分で、放電法等の公知の方法によって酸素からオゾンを生成し、紫外線照射部位に導入してもよい。
このときに照射する紫外線の波長は特に限定されないが、紫外線の波長は100〜450nmが好ましく、100〜300nm程度の真空紫外光を照射することがより好ましい。
[Reforming treatment]
<Modification treatment by UV irradiation>
The modification treatment applied to the polysilazane layer containing polysilazane and the polysiloxane layer containing polysiloxane is performed by irradiating ultraviolet rays in an appropriate oxidizing gas atmosphere and a low humidity environment.
By irradiating a silicon compound layer such as a polysilazane layer or a polysiloxane layer with ultraviolet rays, an active film or ozone is generated and an oxidation reaction proceeds, whereby an inorganic film having a desired composition can be obtained.
Since this active oxygen and ozone are very reactive, the silicon compound in the coating film is directly oxidized without going through silanol, so that the silicon oxide film or silicon oxynitride film with higher density and fewer defects Is formed.
The reforming treatment in the present invention is more preferably performed in combination with heat treatment.
Moreover, ozone may be produced from oxygen by a known method such as a discharge method at a portion different from the ultraviolet irradiation for the shortage of reactive ozone and introduced into the ultraviolet irradiation site.
Although the wavelength of the ultraviolet rays irradiated at this time is not particularly limited, the wavelength of the ultraviolet rays is preferably from 100 to 450 nm, and more preferably from about 100 to 300 nm.

紫外線を出力する光源としては、低圧水銀灯、重水素ランプ、キセノンエキシマランプ、メタルハライドランプ、エキシマレーザー等を用いることができる。光源の出力としては400W〜30kW、照度としては100mW/cm〜100kW/cm、照射エネルギーとしては10〜5000mJ/cmが好ましく、100〜2000mJ/cmがより好ましい。また、紫外線照射の際の照度は1mW/cm〜10W/cmが好ましい。
上記の中でも、波長としては、100〜200nmの真空紫外光が最も好ましく、酸化反応をより低温、短時間で進めることが可能となる。また、光源としては、キセノンエキシマランプ等の希ガスエキシマランプが最も好ましく用いられる。
例えば、パーヒドロポリシラザンを含有する組成物から形成した塗膜中のポリシラザンに、酸化性ガス雰囲気下で紫外線を照射することにより、ポリシラザンが高密度のケイ素酸化物膜、すなわち高密度シリカ膜に転化するが、そのシリカ膜の膜厚や密度は紫外線の強度、照射時間、波長(光のエネルギー密度)により制御が可能であり、所望の膜構造を得るために光源の種類を使い分ける等、適宜選択することが可能である。また、連続的に照射するだけでなく複数回の照射を行ってもよく、複数回の照射が短時間であるパルス照射であってもよい。
また、紫外線照射と同時に塗膜を加熱することも、反応(酸化反応、転化処理、改質処理ともいう)を促進するために好ましく用いられる。加熱の方法は、ヒートブロック等の発熱体に基板を接触させ熱伝導により塗膜を加熱する方法、抵抗線等による外部ヒーターにより雰囲気を加熱する方法、IRヒーターの様な赤外領域の光を用いた方法等が挙げられるが、特に限定はされない。加熱処理を行い場合、塗膜の平滑性を維持できる方法を適宜選択すればよい。
加熱する温度としては、50〜200℃の範囲が好ましく、さらに好ましくは80〜150℃の範囲であり、加熱時間としては1秒〜10時間の範囲が好ましく、さらに好ましくは10秒〜1時間の範囲で加熱することである。
As a light source that outputs ultraviolet rays, a low-pressure mercury lamp, a deuterium lamp, a xenon excimer lamp, a metal halide lamp, an excimer laser, or the like can be used. The output of the light source 400W~30kW, 100mW / cm 2 ~100kW / cm 2 as illuminance, preferably 10~5000mJ / cm 2 as irradiation energy, 100 to 2000 mJ / cm 2 is more preferable. Moreover, the illuminance at the time of ultraviolet irradiation is preferably 1 mW / cm 2 to 10 W / cm 2 .
Among these, as the wavelength, vacuum ultraviolet light of 100 to 200 nm is most preferable, and the oxidation reaction can be advanced at a lower temperature and in a shorter time. As a light source, a rare gas excimer lamp such as a xenon excimer lamp is most preferably used.
For example, polysilazane in a coating film formed from a composition containing perhydropolysilazane is converted to a high-density silicon oxide film, that is, a high-density silica film, by irradiating ultraviolet rays in an oxidizing gas atmosphere. However, the film thickness and density of the silica film can be controlled by the intensity of ultraviolet light, irradiation time, and wavelength (light energy density), and the type of light source is properly selected to obtain the desired film structure. Is possible. In addition to continuous irradiation, multiple irradiations may be performed, and pulse irradiation in which the multiple irradiations are performed in a short time may be used.
In addition, heating the coating film simultaneously with ultraviolet irradiation is also preferably used to accelerate the reaction (also referred to as oxidation reaction, conversion treatment, or modification treatment). The heating method is such that the substrate is brought into contact with a heating element such as a heat block, the coating film is heated by heat conduction, the atmosphere is heated by an external heater such as a resistance wire, and infrared light such as an IR heater is applied. Although the method used etc. are mentioned, it does not specifically limit. What is necessary is just to select suitably the method which can maintain the smoothness of a coating film, when performing heat processing.
As temperature to heat, the range of 50-200 degreeC is preferable, More preferably, it is the range of 80-150 degreeC, As the heating time, the range of 1 second-10 hours is preferable, More preferably, it is 10 seconds-1 hour Heating in a range.

<真空紫外線(VUV光)照射による改質処理>
光照射処理・紫外線照射処理の中でも特に好ましいのは、真空紫外光(VUV光)処理である。
この真空紫外光照射により、ポリシラザンやポリシロキサンの分子結合を切断し、また塗膜内若しくは雰囲気内に微量に存在する酸素でも効率的にオゾン若しくは活性酸素に変換することが可能であり、塗膜表面のセラミックス化(シリカ改質)が促進され、また得られるセラミックス膜が一層緻密になる。真空紫外光照射は、塗膜形成後であればいずれの時点で実施しても有効である。
本発明における真空紫外光とは、具体的には100〜200nmの真空紫外線が用いられる。真空紫外光の照射強度及び/または照射時間は、適宜設定することが可能である。真空紫外光照射装置は、市販のランプ(例えば、ウシオ電機製)を使用することが可能である。
<Modification treatment by irradiation with vacuum ultraviolet rays (VUV light)>
Of the light irradiation treatment and ultraviolet irradiation treatment, vacuum ultraviolet light (VUV light) treatment is particularly preferable.
With this vacuum ultraviolet light irradiation, molecular bonds of polysilazane and polysiloxane are broken, and even a small amount of oxygen in the coating film or atmosphere can be efficiently converted into ozone or active oxygen. Surface ceramization (silica modification) is promoted, and the resulting ceramic film becomes denser. The vacuum ultraviolet light irradiation is effective at any time point after the coating film is formed.
Specifically, vacuum ultraviolet light of 100 to 200 nm is used as the vacuum ultraviolet light in the present invention. The irradiation intensity and / or irradiation time of vacuum ultraviolet light can be set as appropriate. As the vacuum ultraviolet light irradiation apparatus, a commercially available lamp (for example, manufactured by USHIO INC.) Can be used.

真空紫外光照射はバッチ処理にも連続処理にも適応可能であり、被塗布基材の形状によって適宜選定することができる。
例えば、バッチ処理の場合には、塗膜を設けた基材を、真空紫外光発生源を具備した真空紫外線焼成炉内に収容して、真空紫外線焼成炉内で処理して表面をセラミックス化することができる。真空紫外線焼成炉自体は一般に知られており、例えば、ウシオ電機(株)製のものを使用することができる。
また、塗膜を設けた基材が長尺フィルム状である場合には、これを搬送させながら上記のような真空紫外線発生源を具備した乾燥ゾーンで連続的に真空紫外光を照射することにより、表面をセラミックス化することができる。
真空紫外光は、ほとんどの物質の原子間結合力より大きいため、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみによる作用により、直接切断することが可能であるため好ましく用いることができる。この作用を用いることにより、加水分解を必要とせず低温でかつ効率的に改質処理が可能となる。
Vacuum ultraviolet light irradiation can be applied to both batch processing and continuous processing, and can be appropriately selected depending on the shape of the substrate to be coated.
For example, in the case of batch processing, the base material provided with the coating film is accommodated in a vacuum ultraviolet ray firing furnace equipped with a vacuum ultraviolet light generation source, and the surface is ceramicized by processing in the vacuum ultraviolet ray firing furnace. be able to. The vacuum ultraviolet ray baking furnace itself is generally known, and, for example, a product manufactured by USHIO INC. Can be used.
Moreover, when the base material provided with the coating film is in the form of a long film, it is irradiated with vacuum ultraviolet light continuously in the drying zone equipped with the vacuum ultraviolet ray generation source as described above while being conveyed. The surface can be ceramicized.
Since vacuum ultraviolet light is larger than the interatomic bonding force of most substances, it can be preferably used because the bonding of atoms can be cut directly by the action of only photons called photon processes. By using this action, the reforming process can be efficiently performed at a low temperature without requiring hydrolysis.

本発明での処理に必要な真空紫外光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。
Xe、Kr、Ar、Ne等の希ガスの原子は化学的に結合して分子を作らないため、不活性ガスと呼ばれる。しかし、放電等によりエネルギーを得た希ガスの原子(励起原子)は他の原子と結合して分子を作ることができる。希ガスがキセノンの場合には、
e+Xe→Xe
Xe+2Xe→Xe +Xe
Xe →Xe+Xe+hν(172nm)
となり、励起されたエキシマ分子であるXe が基底状態に遷移するときに172nmのエキシマ光を発光する。エキシマランプの特徴としては、放射が一つの波長に集中し、必要な光以外がほとんど放射されないので効率が高いことが挙げられる。また、余分な光が放射されないので、対象物の温度を低く保つことができる。さらには始動・再始動に時間を要さないので、瞬時の点灯点滅が可能である。
エキシマ発光を得るには誘電体バリアー放電を用いる方法が知られている。誘電体バリアー放電とは両電極間に誘電体(エキシマランプの場合は透明石英)を介してガス空間を配し、電極に数10kHzの高周波高電圧を印加することによりガス空間に生じる、雷に似た非常に細いmicro dischargeと呼ばれる放電である。micro dischargeのストリーマが管壁(誘電体)に達すると誘電体表面に電荷が溜まるため、micro dischargeは消滅する。誘電体バリアー放電は、このmicro dischargeが管壁全体に広がり、生成・消滅を繰り返している放電である。このため肉眼でも分る光のチラツキを生じる。また、非常に温度の高いストリーマが局所的に直接管壁に達するため、管壁の劣化を早める可能性もある。
A rare gas excimer lamp is preferably used as the vacuum ultraviolet light source necessary for the treatment in the present invention.
Since noble gas atoms such as Xe, Kr, Ar, Ne, and the like are chemically bonded and do not form molecules, they are called inert gases. However, rare gas atoms (excited atoms) that have gained energy by discharge or the like can be combined with other atoms to form molecules. When the rare gas is xenon,
e + Xe → Xe *
Xe * + 2Xe → Xe 2 * + Xe
Xe 2 * → Xe + Xe + hν (172 nm)
Thus, when the excited excimer molecule Xe 2 * transitions to the ground state, excimer light of 172 nm is emitted. A feature of the excimer lamp is that the radiation is concentrated on one wavelength, and since only the necessary light is not emitted, the efficiency is high. Further, since no extra light is emitted, the temperature of the object can be kept low. Furthermore, since no time is required for starting and restarting, instantaneous lighting and blinking are possible.
In order to obtain excimer light emission, a method using dielectric barrier discharge is known. Dielectric barrier discharge refers to lightning generated in a gas space by arranging a gas space between both electrodes via a dielectric (transparent quartz in the case of an excimer lamp) and applying a high frequency high voltage of several tens of kHz to the electrode. It is a similar very thin discharge called micro discharge. When the micro discharge streamer reaches the tube wall (dielectric), the electric charge accumulates on the dielectric surface, and the micro discharge disappears. The dielectric barrier discharge is a discharge in which the micro discharge spreads over the entire tube wall and is repeatedly generated and extinguished. For this reason, flickering of light that can be seen with the naked eye occurs. Moreover, since a very high temperature streamer reaches a pipe wall directly locally, there is a possibility that deterioration of the pipe wall may be accelerated.

効率よくエキシマ発光を得る方法としては、誘電体バリアー放電以外に無電極電界放電でも可能である。容量性結合による無電極電界放電は、別名RF放電とも呼ばれる。ランプと電極及びその配置は基本的には誘電体バリアー放電と同じでよいが、両極間に印加される高周波は数MHzで点灯される。無電極電界放電はこのように空間的、また時間的に一様な放電が得られるため、チラツキが無い長寿命のランプが得られる。
なお、誘電体バリアー放電の場合はmicro dischargeが電極間のみで生じるため、放電空間全体で放電を行なわせるには外側の電極は外表面全体を覆い、かつ外部に光を取り出すために光を透過するものでなければならない。このため細い金属線を網状にした電極が用いられる。この電極は光を遮らないようにできるだけ細い線が用いられるため、酸素雰囲気中では真空紫外光により発生するオゾン等により損傷しやすい。これを防ぐためにはランプの周囲、すなわち照射装置内を窒素等の不活性ガスの雰囲気にし、合成石英の窓を設けて照射光を取り出す必要が生じる。合成石英の窓は高価な消耗品であるばかりでなく、光の損失も生じる。
As a method for efficiently obtaining excimer light emission, electrodeless electric field discharge can be used in addition to dielectric barrier discharge. Electrodeless field discharge by capacitive coupling is also called RF discharge. The lamp, the electrode, and the arrangement thereof may be basically the same as those of the dielectric barrier discharge, but the high frequency applied between the two electrodes is lit at several MHz. Since the electrodeless field discharge can provide a spatially and temporally uniform discharge in this way, a long-life lamp without flickering can be obtained.
In the case of dielectric barrier discharge, since micro discharge occurs only between the electrodes, the outer electrode covers the entire outer surface and transmits light to extract light to the outside in order to discharge in the entire discharge space. Must be something to do. For this reason, an electrode in which a fine metal wire is formed in a net shape is used. Since this electrode uses as thin a line as possible so as not to block light, it is easily damaged by ozone generated by vacuum ultraviolet light in an oxygen atmosphere. In order to prevent this, it is necessary to create an atmosphere of an inert gas such as nitrogen around the lamp, that is, the inside of the irradiation apparatus, and provide a synthetic quartz window to extract the irradiation light. Synthetic quartz windows are not only expensive consumables, but also cause light loss.

エキシマ発光に用いる二重円筒型ランプは、外径が25mm程度であるため、ランプ軸の直下とランプ側面では照射面までの距離の差が無視できず、照度に大きな差を生じる。従って、仮にランプを密着して並べても、一様な照度分布が得られない。合成石英の窓を設けた照射装置にすれば酸素雰囲気中の距離を一様にでき、一様な照度分布が得られる。
無電極電界放電を用いた場合には外部電極を網状にする必要はない。ランプ外面の一部に外部電極を設けるだけでグロー放電は放電空間全体に広がる。外部電極には通常アルミのブロックで作られた光の反射板を兼ねた電極がランプ背面に使用される。しかし、ランプの外径は誘電体バリアー放電の場合と同様に大きいため、一様な照度分布にするためには合成石英が必要となる。
細管エキシマランプの最大の特徴は構造がシンプルなことである。石英管の両端を閉じ、内部にエキシマ発光を行なうためのガスを封入しているだけである。細管ランプの管の外径は6〜12mm程度で、あまり太いと始動に高い電圧が必要になる。
放電の形態は誘電体バリアー放電でも無電極電界放電のいずれでも使用できる。電極の形状はランプに接する面が平面であってもよいが、ランプの曲面に合わせた形状にすればランプをしっかり固定できるとともに、電極がランプに密着することにより放電がより安定する。またアルミで曲面を鏡面にすれば光の反射板にもなる。
Since the double cylindrical lamp used for excimer light emission has an outer diameter of about 25 mm, the difference in the distance to the irradiation surface cannot be ignored between the position directly below the lamp shaft and the side surface of the lamp, resulting in a large difference in illuminance. Therefore, even if the lamps are closely arranged, a uniform illuminance distribution cannot be obtained. If the irradiation device is provided with a synthetic quartz window, the distance in the oxygen atmosphere can be made uniform, and a uniform illuminance distribution can be obtained.
When electrodeless field discharge is used, it is not necessary to make the external electrodes mesh. The glow discharge spreads over the entire discharge space simply by providing an external electrode on a part of the outer surface of the lamp. As the external electrode, an electrode that also serves as a light reflector made of an aluminum block is usually used on the back of the lamp. However, since the outer diameter of the lamp is as large as in the case of the dielectric barrier discharge, synthetic quartz is required to obtain a uniform illuminance distribution.
The biggest feature of the capillary excimer lamp is its simple structure. The quartz tube is closed at both ends, and only gas for excimer light emission is sealed inside. The outer diameter of the tube of the thin tube lamp is about 6 to 12 mm, and if it is too thick, a high voltage is required for starting.
As for the form of discharge, either dielectric barrier discharge or electrodeless field discharge can be used. The electrode may have a flat surface in contact with the lamp, but if the shape is matched to the curved surface of the lamp, the lamp can be firmly fixed, and the discharge is more stable when the electrode is in close contact with the lamp. If the curved surface is mirrored with aluminum, it becomes a light reflector.

Xeエキシマランプは波長の短い172nmの紫外線を単一波長で放射することから発光効率に優れている。この光は、酸素の吸収係数が大きいため、微量な酸素でラジカルな酸素原子種やオゾンを高濃度で発生することができる。また、有機物の結合を解離させる波長の短い172nmの光のエネルギーは能力が高いことが知られている。こうした活性酸素やオゾンと紫外線放射が持つ高いエネルギーによって、短時間で珪素化合物層(ポリシラザン層、ポリシロキサン層)の改質を実現できる。したがって、Xeエキシマランプは、波長185nmや254nmの光を発する低圧水銀ランプやプラズマ洗浄と比べて高スループットであり、高スループットに伴うプロセス時間の短縮や設備面積の縮小が可能であり、また熱によるダメージを受けやすい有機材料やプラスチック基板等への照射を可能としている。
エキシマランプは光の発生効率が高いため低い電力の投入で点灯させることが可能である。また、光による温度上昇の要因となる波長の長い光は発せず、紫外線領域で短い波長でエネルギーを照射するため、照射対象物の表面温度の上昇が抑えられる特徴を持っている。
The Xe excimer lamp is excellent in luminous efficiency because it emits ultraviolet light having a short wavelength of 172 nm at a single wavelength. Since this light has a large oxygen absorption coefficient, it can generate radical oxygen atom species and ozone at a high concentration with a very small amount of oxygen. In addition, it is known that the energy of light having a short wavelength of 172 nm for dissociating the bonds of organic substances has high ability. The silicon compound layer (polysilazane layer, polysiloxane layer) can be modified in a short time by the high energy of such active oxygen, ozone and ultraviolet radiation. Therefore, the Xe excimer lamp has a higher throughput than a low-pressure mercury lamp that emits light with a wavelength of 185 nm or 254 nm and plasma cleaning, and can reduce the process time and the equipment area associated with the high throughput, and can also be reduced by heat. It enables irradiation to organic materials and plastic substrates that are easily damaged.
Since the excimer lamp has high light generation efficiency, it can be lit with low power. In addition, since light with a long wavelength that causes a temperature increase due to light is not emitted and energy is irradiated with a short wavelength in the ultraviolet region, the surface temperature of the irradiation object can be suppressed from increasing.

また、真空紫外光の照射強度が高ければ、光子と珪素化合物(ポリシラザン、ポリシロキサン)内の化学結合が衝突する確率が増え、改質反応を短時間化することができる。また、内部まで侵入する光子の数も増加するため改質膜厚も増加及び/または膜質の良化(高密度化)が可能である。但し、照射時間が長すぎると平面性の悪化や塗膜中の珪素化合物以外の材料にダメージを与える場合がある。一般的には、照射強度と照射時間の積で表される積算光量で反応進行具合を考えるが、酸化シリコンのように組成は同一でも、様々な構造形態をとるこの材料においては、照射強度の絶対値が重要になる場合もある。
従って、本発明では真空紫外光照射工程において、少なくとも1回は100〜200mW/cmの最大照射強度を与える改質処理を行うことが好ましい。この強度以下であると急激に改質効率が劣化し、処理に時間を要することになる。一方、照射強度をこれより高くすると、ランプやランプユニットのその他の部材へのダメージが大きくなり、ランプ自体の劣化を早めることになってしまう。
Moreover, if the irradiation intensity of vacuum ultraviolet light is high, the probability that the photon and the chemical bond in the silicon compound (polysilazane, polysiloxane) collide increases, and the modification reaction can be shortened. Further, since the number of photons penetrating to the inside increases, the modified film thickness can be increased and / or the film quality can be improved (densification). However, if the irradiation time is too long, the flatness may be deteriorated or the material other than the silicon compound in the coating film may be damaged. In general, the progress of the reaction is considered by the integrated amount of light expressed by the product of the irradiation intensity and the irradiation time, but this material, which has the same composition as in silicon oxide but takes various structural forms, The absolute value may be important.
Therefore, in this invention, it is preferable to perform the modification | reformation process which gives the maximum irradiation intensity | strength of 100-200 mW / cm < 2 > at least once in a vacuum ultraviolet light irradiation process. If it is less than this strength, the reforming efficiency deteriorates abruptly, and processing takes time. On the other hand, if the irradiation intensity is higher than this, damage to the lamp and other members of the lamp unit will increase, and the deterioration of the lamp itself will be accelerated.

真空紫外光の照射時間は、任意に設定可能であるが、高照度工程での照射時間は0.1秒〜3分間が好ましい。より好ましくは0.5秒〜1分である。
真空紫外光照射時の酸素濃度は500〜10000ppm(1%)とすることが好ましい。より好ましくは、1000〜5000ppmである。前記の濃度範囲より酸素濃度が高いと改質効率が低くなる。また前記の濃度範囲より低い酸素濃度の場合、大気との置換時間が長くなるのと同時に、ロール・トゥ・ロールの様な連続生産を行う場合はウエッブ搬送によって、真空紫外照射庫内に巻き込む空気量(酸素を含む)が多くなり、多大な流量のガスを流さないと酸素濃度を調整できなくなってくる。
珪素化合物(ポリシラザン、ポリシロキサン)を含有する塗膜中には、塗布時に酸素及び微量の水分が混入しており、さらには塗膜以外でも、薄膜ガラスや樹脂層等に吸着酸素や吸着水があり、照射庫内に敢えて酸素を導入しなくとも、改質反応に要する酸素を供給する酸素源は十分にあることが分かった。
また、172nmの真空紫外光が酸素により吸収され、膜面に到達する172nmの光量が減少してしまい、真空紫外光による処理の効率が低下することがある。すなわち、真空紫外光照射時には、できるだけ酸素濃度の低い状態で、真空紫外光が効率よく塗膜まで到達する状態で改質処理することが好ましい。
真空紫外光照射時にこれら酸素以外のガスとしては乾燥不活性ガスを供給することが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスを用いることが好ましい。酸素濃度の調整は照射庫内へ導入する酸素ガス、不活性ガスの流量を計測し、流量比を変えることで調整可能である。
The irradiation time of the vacuum ultraviolet light can be arbitrarily set, but the irradiation time in the high illuminance process is preferably 0.1 second to 3 minutes. More preferably, it is 0.5 second to 1 minute.
The oxygen concentration at the time of vacuum ultraviolet light irradiation is preferably 500 to 10,000 ppm (1%). More preferably, it is 1000-5000 ppm. If the oxygen concentration is higher than the above concentration range, the reforming efficiency is lowered. In addition, when the oxygen concentration is lower than the above-mentioned concentration range, the replacement time with the atmosphere becomes longer, and at the same time, when continuous production such as roll-to-roll is performed, the air entrained in the vacuum ultraviolet irradiation chamber by web conveyance The amount (including oxygen) increases, and the oxygen concentration cannot be adjusted unless a large flow rate of gas is passed.
In the coating film containing a silicon compound (polysilazane, polysiloxane), oxygen and a small amount of water are mixed at the time of coating. Further, other than the coating film, adsorbed oxygen or adsorbed water is present on the thin glass or resin layer. It has been found that there is a sufficient oxygen source for supplying oxygen required for the reforming reaction without intentionally introducing oxygen into the irradiation chamber.
Further, the vacuum ultraviolet light of 172 nm is absorbed by oxygen, and the amount of light of 172 nm reaching the film surface is decreased, so that the efficiency of the processing by vacuum ultraviolet light may be lowered. That is, at the time of vacuum ultraviolet light irradiation, it is preferable to perform the modification treatment in a state where the vacuum ultraviolet light efficiently reaches the coating film in a state where the oxygen concentration is as low as possible.
It is preferable to supply a dry inert gas as the gas other than oxygen at the time of irradiation with vacuum ultraviolet light, and it is particularly preferable to use dry nitrogen gas from the viewpoint of cost. The oxygen concentration can be adjusted by measuring the flow rate of oxygen gas and inert gas introduced into the irradiation chamber and changing the flow rate ratio.

(その他の構成層)
次いで、本発明のバリアーフィルムに用いられる、ガスバリアー層及びイオンバリアー層以外の構成層について説明する。
(Other component layers)
Next, constituent layers other than the gas barrier layer and the ion barrier layer used in the barrier film of the present invention will be described.

<平滑層>
本発明のバリアーフィルムは、基板とガスバリアー層(またはイオンバリアー層)との間にさらに平滑層を有してもよい。平滑層は突起等が存在する基板の表面、例えば透明樹脂フィルム等の粗面を平坦化し、凹凸やピンホールを埋めるために設けられる。このような平滑層は、基本的には光重合性モノマーを光硬化させて形成される。
<Smooth layer>
The barrier film of the present invention may further have a smooth layer between the substrate and the gas barrier layer (or ion barrier layer). The smooth layer is provided in order to flatten the surface of the substrate on which the protrusions and the like exist, for example, a rough surface such as a transparent resin film, and to fill the irregularities and pinholes. Such a smooth layer is basically formed by photocuring a photopolymerizable monomer.

平滑層を形成する光重合性モノマーとしては、例えば、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する光重合性モノマー組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する光重合性モノマー組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた光重合性モノマー組成物等が挙げられる。また、上記のような光重合性モノマー組成物の任意の混合物を使用することも可能であり、光重合性不飽和結合を分子内に1個以上有する反応性のモノマーを含有している組成物であれば特に制限はない。   Examples of the photopolymerizable monomer forming the smooth layer include a photopolymerizable monomer composition containing an acrylate compound having a radical reactive unsaturated compound, and a photopolymerizable monomer containing an acrylate compound and a mercapto compound having a thiol group. Examples thereof include a photopolymerizable monomer composition in which a polyfunctional acrylate monomer such as a composition, epoxy acrylate, urethane acrylate, polyester acrylate, polyether acrylate, polyethylene glycol acrylate, and glycerol methacrylate is dissolved. It is also possible to use any mixture of photopolymerizable monomer compositions as described above, and a composition containing a reactive monomer having at least one photopolymerizable unsaturated bond in the molecule. If there is no restriction in particular.

光重合性不飽和結合を分子内に1個以上有する反応性モノマーとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、n−デシルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトリキエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,5−ペンタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサジオールジアクリレート、1,3−プロパンジオールアクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジアクリレート、2,2−ジメチロールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリオキシエチルトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、プロピオンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピオンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、1,2,4−ブタンジオールトリアクリレート、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタジオールジアクリレート、ジアリルフマレート、1,10−デカンジオールジメチルアクリレート、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、及び、上記のアクリレートをメタクリレートに換えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドン等が挙げられる。上記の反応性モノマーは、1種又は2種以上の混合物として使用することができる。   Examples of reactive monomers having at least one photopolymerizable unsaturated bond in the molecule include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, tert-butyl acrylate, and n-pentyl. Acrylate, n-hexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, n-octyl acrylate, n-decyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl acrylate, allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxyethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclo Pentanyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycy Acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isobornyl acrylate, isodexyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, Ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,5-pentanediol diacrylate, 1,6-hexadiol diacrylate, 1,3-propanediol acrylate, 1,4-cyclohexanediol Diacrylate, 2,2-dimethylolpropane diacrylate, glycerol diacrylate, tripropylene Glycol diacrylate, glycerol triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, polyoxyethyltrimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, ethylene oxide modified pentaerythritol triacrylate, ethylene oxide modified pentaerythritol tetraacrylate, propion Oxide modified pentaerythritol triacrylate, propion oxide modified pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane triacrylate, butylene glycol diacrylate, 1,2,4-butanediol triacrylate, 2,2, 4-to Limethyl-1,3-pentadiol diacrylate, diallyl fumarate, 1,10-decanediol dimethyl acrylate, pentaerythritol hexaacrylate, and acrylate replaced with acrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, Examples thereof include 1-vinyl-2-pyrrolidone and the like. Said reactive monomer can be used as a 1 type, or 2 or more types of mixture.

光重合性モノマー組成物は光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミン)ベンゾフェノン、α−アミノ・アセトフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンジルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モノフォリノ−1−プロパン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モノフォリノフェニル)−ブタノン−1、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、n−フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、メチレンブルー等の光還元性物質とアスコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等が挙げられ、これらの光重合開始剤を1種又は2種以上の組み合わせで使用することができる。   The photopolymerizable monomer composition contains a photopolymerization initiator. As photopolymerization initiators, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamine) benzophenone, α-amino-acetophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, p-tert- Butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, benzylmethoxyethyl acetal, benzoin methyl Ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzsuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzylacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene ) Cyclohexane, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- ( o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, mihi -Ketone, 2-methyl [4- (methylthio) phenyl] -2-monoforino-1-propane, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-monoforinophenyl) -butanone-1, naphthalenesulfonyl chloride, Quinolinesulfonyl chloride, n-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabrominated, tribromophenyl sulfone, benzoin peroxide, A combination of a photoreducing substance such as eosin or methylene blue and a reducing agent such as ascorbic acid or triethanolamine can be used. These photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.

平滑層の形成方法には、特に制限はないが、スピンコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、バーコート法、ディップ法等のウエットコーティング法、あるいは、蒸着法等のドライコーティング法により上記光重合性モノマー組成物を塗布し乾燥した塗膜を形成した後、紫外線を照射することにより形成することが好ましい。尚、紫外線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプなどから発せられる100〜400nm、好ましくは200〜400nmの波長領域の紫外線を利用することができる。照射エネルギーは、0.1〜100J/cmが好ましい。 The method for forming the smooth layer is not particularly limited, but the above-described light is applied by a wet coating method such as a spin coating method, a spray coating method, a blade coating method, a bar coating method, a dip method, or a dry coating method such as a vapor deposition method. It is preferable to form by applying the polymerizable monomer composition and forming a dried coating film, and then irradiating with ultraviolet rays. In addition, as a method of irradiating ultraviolet rays, ultraviolet rays having a wavelength region of 100 to 400 nm, preferably 200 to 400 nm, emitted from an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a carbon arc, a metal halide lamp, or the like can be used. The irradiation energy is preferably 0.1 to 100 J / cm 2 .

また、平滑層の形成では、上述の光重合性モノマー組成物に、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を加えることができる。また、平滑層の積層位置に関係なく、いずれの平滑層においても、成膜性向上および膜のピンホール発生防止等のために適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。   Moreover, in formation of a smooth layer, additives, such as antioxidant, a ultraviolet absorber, a plasticizer, can be added to the above-mentioned photopolymerizable monomer composition as needed. In addition, regardless of the position where the smooth layer is laminated, in any smooth layer, an appropriate resin or additive may be used for improving the film formability and preventing the generation of pinholes in the film.

光重合性モノマー組成物を含む塗布液に使用する溶媒としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類、α−もしくはβ−テルピネオール等のテルペン類等、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン、ジエチルケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2−メトキシエチルアセテート、シクロヘキシルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、3−メトキシブチルアセテート等の酢酸エステル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル、3−エトキシプロピオン酸エチル、安息香酸メチル、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。   Solvents used for the coating solution containing the photopolymerizable monomer composition include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, ethylene glycol, and propylene glycol, terpenes such as α- or β-terpineol, and acetone. , Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone, diethyl ketone, 2-heptanone, 4-heptanone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, tetramethylbenzene, cellosolve, methyl cellosolve, ethyl cellosolve , Carbitol, methyl carbitol, ethyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, di Glycol ethers such as propylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, ethyl carbitol acetate, butyl Carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxyethyl acetate, cyclohexyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 3-methoxybutyl acetate and other acetates, diethylene glycol dialkyl ether, dipropylene glycol Dialkyl ether, 3-ethoxypro Ethyl propionic acid, methyl benzoate, N, N- dimethylacetamide, N, may be mentioned N- dimethylformamide.

平滑層の平滑性は、JIS B 0601(2001年)で規定される表面粗さで表現される値で、最大断面高さRt(p)が、10nm以上、30nm以下であることが好ましい。この範囲よりも値が小さい場合には、光重合性モノマー組成物を含む塗布液を塗布する段階であって、ワイヤーバーやワイヤレスバーなどの塗布方式で平滑層表面に塗工手段が接触する場合に、塗布性が損なわれる場合がある。また、この範囲よりも大きい場合には、塗布液を塗布してなる塗膜の凹凸を平滑化することが難しくなる場合がある。
表面粗さは、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて、極小の先端半径の触針を持つ検出器で連続測定した凹凸の断面曲線から算出され、極小の先端半径の触針により測定方向が数十μmの区間内を多数回測定された、微細な凹凸の振幅に関する粗さである。
The smoothness of the smooth layer is a value expressed by the surface roughness specified by JIS B 0601 (2001), and the maximum cross-sectional height Rt (p) is preferably 10 nm or more and 30 nm or less. If the value is smaller than this range, the coating liquid containing the photopolymerizable monomer composition is applied, and the coating means comes into contact with the smooth layer surface by a coating method such as a wire bar or a wireless bar. In addition, applicability may be impaired. Moreover, when larger than this range, it may become difficult to smooth the unevenness | corrugation of the coating film formed by apply | coating a coating liquid.
The surface roughness is calculated from an uneven sectional curve continuously measured with a detector having a stylus having a minimum tip radius using an AFM (atomic force microscope), and the measurement direction is determined by the stylus having a minimum tip radius. It is the roughness related to the amplitude of fine irregularities measured many times in a section of several tens of μm.

平滑層としての好ましい態様のひとつに、平滑層を構成する樹脂中に、その樹脂と光重合反応性を有する重合性基が導入された反応性シリカ粒子(以下、単に「反応性シリカ粒子」ともいう)を含むものがある。例えば、光重合性を有する重合性基(感光性基)としては、(メタ)アクリロイルオキシ基に代表される重合性不飽和基などを挙げることができる。また、光重合性モノマー組成物は、この反応性シリカ粒子の表面に導入された光重合反応性を有する感光性基と光重合反応可能な化合物、例えば、重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物を含むものであってもよい。また、光重合性モノマー組成物としては、このような反応性シリカ粒子や重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物に適宜汎用の希釈溶剤を混合することによって固形分を調整したものを用いることができる。   One preferred embodiment of the smooth layer is a reactive silica particle in which a polymerizable group having photopolymerization reactivity with the resin is introduced into the resin constituting the smooth layer (hereinafter simply referred to as “reactive silica particle”). There is something that includes). For example, examples of the polymerizable group (photosensitive group) having photopolymerization include polymerizable unsaturated groups represented by (meth) acryloyloxy groups. Further, the photopolymerizable monomer composition is a compound capable of photopolymerization reaction with a photosensitive group having photopolymerization reactivity introduced on the surface of the reactive silica particles, for example, an unsaturated organic compound having a polymerizable unsaturated group. It may contain a compound. In addition, as the photopolymerizable monomer composition, a solid content adjusted by appropriately mixing a general-purpose diluent solvent with such reactive silica particles and unsaturated organic compounds having a polymerizable unsaturated group should be used. Can do.

ここで、反応性シリカ粒子の平均粒子径としては、0.001〜0.1μmの平均粒子径であることが好ましい。平均粒子径の測定方法としては、特に限定するものではないが、測定精度や簡便性から動的光散乱法若しくはレーザー散乱法を用いることが好ましい。平均粒子径をこのような範囲にすることにより、後述する平均粒子径1〜10μmの無機粒子からなるマット剤と組み合せて用いることによって、防眩性と解像性とをバランスよく満たす光学特性とハードコート性とを兼ね備えた平滑層を形成し易くなる。尚、このような効果をより得易くする観点からは、更に平均粒子径として0.001〜0.01μmのものを用いることがより好ましい。
本発明に用いられる平滑層中には、上述の様な無機粒子を質量比として20%以上60%以下含有することが好ましい。20%以上添加することで、ガスバリアー層やイオンバリアー層との密着性が向上する。また60%以下であれば、フィルムを湾曲させたり、加熱処理を行った場合にクラックが生じたりすることがなく、バリアーフィルムの透明性や屈折率などの光学的物性に影響を及ぼすことがない。
Here, the average particle diameter of the reactive silica particles is preferably 0.001 to 0.1 μm. The method for measuring the average particle diameter is not particularly limited, but it is preferable to use a dynamic light scattering method or a laser scattering method from the viewpoint of measurement accuracy and simplicity. By making the average particle size in such a range, by using in combination with a matting agent composed of inorganic particles having an average particle size of 1 to 10 μm, which will be described later, optical properties satisfying a good balance between anti-glare properties and resolution. It becomes easy to form a smooth layer having hard coat properties. From the viewpoint of making it easier to obtain such an effect, it is more preferable to use an average particle diameter of 0.001 to 0.01 μm.
The smooth layer used in the present invention preferably contains 20% or more and 60% or less of the inorganic particles as described above as a mass ratio. By adding 20% or more, adhesion with the gas barrier layer or the ion barrier layer is improved. If it is 60% or less, the film will not be bent or cracked when heat-treated, and the optical properties such as the transparency and refractive index of the barrier film will not be affected. .

本発明では、重合性不飽和基修飾加水分解性シランが、加水分解性シリル基の加水分解反応によって、シリカ粒子との間に、シリルオキシ基を生成して化学的に結合しているようなものを、反応性シリカ粒子として用いることができる。
加水分解性シリル基としては、例えば、アルコキシリル基、アセトキシリル基等のカルボキシリレートシリル基、クロシリル基等のハロゲン化シリル基、アミノシリル基、オキシムシリル基、ヒドリドシリル基等が挙げられる。
重合性不飽和基としては、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、プロペニル基、ブタジエニル基、スチリル基、エチニイル基、シンナモイル基、マレート基、アクリルアミド基等が挙げられる。
In the present invention, a polymerizable unsaturated group-modified hydrolyzable silane is chemically bonded to a silica particle by generating a silyloxy group by a hydrolysis reaction of a hydrolyzable silyl group. Can be used as reactive silica particles.
Examples of the hydrolyzable silyl group include a carboxylylate silyl group such as an alkoxylyl group and an acetoxysilyl group, a halogenated silyl group such as a chlorosilyl group, an aminosilyl group, an oxime silyl group, and a hydridosilyl group.
Examples of the polymerizable unsaturated group include acryloyloxy group, methacryloyloxy group, vinyl group, propenyl group, butadienyl group, styryl group, ethynyl group, cinnamoyl group, malate group, and acrylamide group.

本発明での平滑層の厚さとしては、好ましはく1〜10μm、より好ましくは2〜7μmである。1μm以上にすることにより、平滑層を有するフィルムとしての平滑性を十分なものにし易くなり、10μm以下にすることにより、フィルムの光学特性のバランスを調整し易くなるとともに、平滑層を透明高分子フィルムの一方の面にのみ設けた場合におけるバリアーフィルムのカールを抑え易くすることができるようになる。   The thickness of the smooth layer in the present invention is preferably 1 to 10 μm, more preferably 2 to 7 μm. By making it 1 μm or more, it becomes easy to make the smoothness as a film having a smooth layer sufficiently, and by making it 10 μm or less, it becomes easy to adjust the balance of optical properties of the film, and the smooth layer is made of a transparent polymer. When the film is provided only on one surface of the film, curling of the barrier film can be easily suppressed.

平滑層に用いる添加剤として、マット剤、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂、前記電離放射線樹脂を形成するために用いられる光重合開始剤等を含有させてもよい。
マット剤としては、平均粒子径が0.1〜5μm程度の無機粒子が好ましい。このような無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク、クレイ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化ジルコニウム等の1種又は2種以上を併せて使用することができる。
ここで、無機粒子からなるマット剤は、ハードコート剤(平滑層を構成する樹脂)の固形分100質量部に対して好ましくは2質量部以上、より好ましくは4質量部以上、さらに好ましくは6質量部以上であって、かつ好ましくは20質量部以下、より好ましくは18質量部以下、さらに好ましくは16質量部以下の割合で混合されていることが望ましい。
また、熱可塑性樹脂としては、アセチルセルロース、ニトロセルロース、アセチルブチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリ酢酸ビニル及びその共重合体、ポリ塩化ビニル及びその共重合体、ポリ塩化ビニリデン及びその共重合体等のビニル系樹脂、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール等のポリアセタール系樹脂、ポリアクリル酸樹脂及びその共重合体、ポリメタクリル酸樹脂及びその共重合体等のアクリル系樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、線状ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂としては、アクリルポリオールとイソシアネートプレポリマーとからなる熱硬化性ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
また、電離放射線硬化性樹脂としては、光重合性プレポリマー若しくは光重合性モノマーなどの1種又は2種以上を混合した電離放射線硬化塗料に電離放射線(紫外線又は電子線)を照射することで硬化するものを使用することができる。ここで光重合性プレポリマーとしては、1分子中に2個以上のアクリロイル基を有し、架橋硬化することにより3次元網目構造となるアクリル系プレポリマーが特に好ましく使用される。このアクリル系プレポリマーとしては、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート等が使用できる。また光重合性モノマーとしては、上記に記載した多価不飽和有機化合物等が使用できる。
また、光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾイン、ベンジルメチルケタール、ベンゾインベンゾエート、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−(4−モルフォリニル)−1−プロパン、α−アシロキシムエステル、チオキサンソン類等が挙げられる。
As an additive used for the smooth layer, a matting agent, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an ionizing radiation curable resin, a photopolymerization initiator used for forming the ionizing radiation resin, or the like may be contained.
As the matting agent, inorganic particles having an average particle diameter of about 0.1 to 5 μm are preferable. As such inorganic particles, one or more of silica, alumina, talc, clay, calcium carbonate, magnesium carbonate, barium sulfate, aluminum hydroxide, titanium dioxide, zirconium oxide and the like can be used in combination. .
Here, the matting agent composed of inorganic particles is preferably 2 parts by mass or more, more preferably 4 parts by mass or more, and still more preferably 6 parts per 100 parts by mass of the solid content of the hard coating agent (resin constituting the smooth layer). It is desirable that they are mixed in a proportion of not less than 20 parts by mass, preferably not more than 20 parts by mass, more preferably not more than 18 parts by mass, and still more preferably not more than 16 parts by mass.
Thermoplastic resins include cellulose derivatives such as acetylcellulose, nitrocellulose, acetylbutylcellulose, ethylcellulose, and methylcellulose, polyvinyl acetate and copolymers thereof, polyvinyl chloride and copolymers thereof, polyvinylidene chloride and copolymers thereof. Vinyl resins such as polymers, polyacetal resins such as polyvinyl formal and polyvinyl butyral, polyacrylic acid resins and copolymers thereof, acrylic resins such as polymethacrylic acid resins and copolymers thereof, polystyrene resins, polyamide resins, Examples thereof include linear polyester resins and polycarbonate resins.
Moreover, as a thermosetting resin, the thermosetting urethane resin which consists of an acrylic polyol and an isocyanate prepolymer, a phenol resin, a urea melamine resin, an epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a silicone resin etc. are mentioned.
Moreover, as ionizing radiation curable resin, it hardens | cures by irradiating ionizing radiation (an ultraviolet ray or an electron beam) to the ionizing radiation hardening coating material which mixed 1 type (s) or 2 or more types, such as a photopolymerizable prepolymer or a photopolymerizable monomer. You can use what you want. Here, as the photopolymerizable prepolymer, an acrylic prepolymer having two or more acryloyl groups in one molecule and having a three-dimensional network structure by crosslinking and curing is particularly preferably used. As this acrylic prepolymer, urethane acrylate, polyester acrylate, epoxy acrylate, melamine acrylate and the like can be used. Further, as the photopolymerizable monomer, the polyunsaturated organic compounds described above can be used.
Examples of the photopolymerization initiator include acetophenone, benzophenone, Michler's ketone, benzoin, benzylmethyl ketal, benzoin benzoate, hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2- (4-morpholinyl). ) -1-propane, α-acyloxime ester, thioxanthone and the like.

<ブリードアウト防止層>
本発明のバリアーフィルムは、さらにブリードアウト防止層を有していてもよい。ブリードアウト防止層は、平滑層を有する基材(フィルム)を加熱した際に、基材(フィルム)中から未反応のオリゴマーなどが表面へ移行して、接触する面を汚染してしまう現象を抑制する目的で、平滑層を有する基材の面とは反対側の面に設けられることが好ましい。ブリードアウト防止層は、この機能を有していれば、基本的に平滑層と同じ構成をとっても構わない。
<Bleed-out prevention layer>
The barrier film of the present invention may further have a bleed-out preventing layer. The bleed-out prevention layer is a phenomenon in which, when a substrate (film) having a smooth layer is heated, unreacted oligomers etc. migrate from the substrate (film) to the surface and contaminate the contact surface. For the purpose of suppression, it is preferably provided on the surface opposite to the surface of the substrate having the smooth layer. The bleed-out prevention layer may basically have the same configuration as the smooth layer as long as it has this function.

また、ポリシラザン層やポリシロキサン層といった塗膜を改質して金属酸化物(または窒化物もしくは酸窒化物)にする際、大きな膜収縮を伴うため、その横方向の変形を抑制しひび割れを防止することが好ましい。そのためには、表面硬度もしくは弾性率が高い、所謂ハードコート層を設けることが考えられるが、ブリードアウト防止層にハードコート層の役割を兼ねさせることができる。したがって、本発明において金属酸化物(または窒化物もしくは酸窒化物)の薄膜を形成する際、ブリードアウト防止層は、表面硬度として2H以上、弾性率として15GPa以上とすることが好ましい。この様な薄膜の機械物性を計測するには、例えばナノインデンテーション測定が好ましく用いられる。   In addition, when a coating such as a polysilazane layer or a polysiloxane layer is modified to form a metal oxide (or nitride or oxynitride), it is accompanied by large film shrinkage, so that lateral deformation is suppressed and cracking is prevented. It is preferable to do. For this purpose, it is conceivable to provide a so-called hard coat layer having a high surface hardness or elastic modulus, but the bleed-out prevention layer can also serve as the hard coat layer. Therefore, when forming a metal oxide (or nitride or oxynitride) thin film in the present invention, the bleed-out prevention layer preferably has a surface hardness of 2H or more and an elastic modulus of 15 GPa or more. In order to measure the mechanical properties of such a thin film, for example, nanoindentation measurement is preferably used.

ブリードアウト防止層を形成するための、重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物としては、分子中に2個以上の重合性不飽和基を有する多価不飽和有機化合物、あるいは分子中に1個の重合性不飽和基を有する単価不飽和有機化合物等を挙げることができる。これらは単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The unsaturated organic compound having a polymerizable unsaturated group for forming a bleed-out preventing layer is a polyunsaturated organic compound having two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule, or 1 in the molecule. Examples thereof include monounsaturated organic compounds having a single polymerizable unsaturated group. These may be used alone or in combination of two or more.

ここで、多価不飽和有機化合物としては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Here, as the polyunsaturated organic compound, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meta ) Acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, ditrimethylolprop Tetra (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate.

また、単価不飽和有機化合物としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、メチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−(2−エトキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、2−メトキシプロピル(メタ)アクリレート、メトキシジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Moreover, as a unit price unsaturated organic compound, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, Lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, allyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, methylcyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (Meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2- (2-e Xoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, methoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, 2- Examples include methoxypropyl (meth) acrylate, methoxydipropylene glycol (meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, and polypropylene glycol (meth) acrylate. .

その他、ブリードアウト防止層には添加剤として、マット剤、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂、光重合開始剤等を含有させてもよい。マット剤、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂、光重合開始剤としては、前述の平滑層の添加剤と同様のものを使用することができる。   In addition, the bleed-out prevention layer may contain a matting agent, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an ionizing radiation curable resin, a photopolymerization initiator, and the like as additives. As the matting agent, thermoplastic resin, thermosetting resin, ionizing radiation curable resin, and photopolymerization initiator, the same additives as those for the smoothing layer described above can be used.

上記したようなブリードアウト防止層は、ハードコート剤やマット剤及び必要に応じて他の成分を配合し、適宜用いる希釈溶剤によって調製した塗布液を、フィルム表面に従来公知の塗布方法によって塗布した後、電離放射線を照射して硬化させることにより形成することができる。
なお、電離放射線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプなどから発せられる100〜400nm、好ましくは200〜400nmの波長領域の紫外線を照射することや、走査型やカーテン型の電子線加速器から発せられる100nm以下の波長領域の電子線を照射することにより行うことができる。照射量としては、0.1〜100J/cmが好ましい。
本発明におけるブリードアウト防止層の厚さとしては、1〜10μmが好ましく、より好ましくは2〜7μmである。1μm以上にすることにより、フィルムとしての耐熱性を十分なものにし易くなり、10μm以下にすることにより、フィルムの光学特性のバランスを調整し易くなるとともに、バリアーフィルムのカールを抑え易くすることができるようになる。
As described above, the bleed-out prevention layer is prepared by blending a hard coat agent, a matting agent, and other components as necessary, and applying a coating solution prepared by a diluting solvent appropriately used on the film surface by a conventionally known coating method. Then, it can form by irradiating with ionizing radiation and making it harden | cure.
In addition, as a method of irradiating ionizing radiation, 100-400 nm emitted from an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a carbon arc, a metal halide lamp, or the like, preferably irradiating ultraviolet rays in a wavelength region of 200-400 nm, The irradiation can be performed by irradiating an electron beam having a wavelength region of 100 nm or less emitted from a scanning or curtain type electron beam accelerator. As irradiation amount, 0.1-100 J / cm < 2 > is preferable.
The thickness of the bleed-out prevention layer in the present invention is preferably 1 to 10 μm, more preferably 2 to 7 μm. By making it 1 μm or more, it becomes easy to make the heat resistance as a film sufficient, and by making it 10 μm or less, it becomes easy to adjust the balance of the optical properties of the film and to make it easy to suppress the curling of the barrier film. become able to.

<粘着性保護フィルム>
本発明のバリアーフィルムは、さらにその最表層に粘着性保護フィルムを有していてもよい。
バリアーフィルムが粘着性保護フィルムを備えることにより、バリアーフィルム表面を損傷から保護することができ、かつ、バリアーフィルムで封止する対象物(例えば液晶表示素子など電子デバイス)に設置し易くなる。
粘着性保護フィルムとしては、バリアーフィルムに適用できれば特に制限はなく、従来公知のものを使用でき、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ケトン樹脂、ビニル樹脂、炭化水素樹脂等で形成されたものを使用できる。
<Adhesive protective film>
The barrier film of the present invention may further have an adhesive protective film on the outermost layer.
When the barrier film includes the adhesive protective film, the barrier film surface can be protected from damage and can be easily installed on an object (for example, an electronic device such as a liquid crystal display element) to be sealed with the barrier film.
The adhesive protective film is not particularly limited as long as it can be applied to a barrier film, and conventionally known ones can be used. For example, acrylic resin, urethane resin, epoxy resin, polyester resin, melamine resin, phenol resin, polyamide resin, ketone What was formed with resin, vinyl resin, hydrocarbon resin, etc. can be used.

(電子機器としての液晶表示パネル)
本発明に係るバリアーフィルム10(11)は、太陽電池、液晶表示素子、有機EL素子等の電子デバイスを封止する封止フィルムとして用いることができる。
このバリアーフィルム10(11)を封止フィルムとして用いた電子機器である液晶表示パネル(液晶ディスプレイ)の一例を図3に示す。
液晶表示パネル20は、図3に示すように、例えば、ITOなどの透明電極6及びポリイミド配向膜7とで液晶8を挟んだ構成の液晶表示素子9を、一対のバリアーフィルム10で挟持するように封止してなり、液晶表示素子9(透明電極6、ポリイミド配向膜7、液晶8)の周縁側をシール材9aで封止している。
なお、バリアーフィルム10におけるイオンバリアー層3(又はガスバリアー層2)が形成された面に、透明電極6が配されて液晶表示素子9が封止されるようになっている。
このように、本発明のバリアーフィルム10で液晶表示素子9を封止してなる液晶表示パネル20であれば、基材1から拡散する不純物イオンが、液晶内に溶出してしまうことがなく、また水蒸気などのガスから液晶表示素子の劣化を防ぐことができる。
(Liquid crystal display panel as electronic equipment)
The barrier film 10 (11) according to the present invention can be used as a sealing film for sealing electronic devices such as solar cells, liquid crystal display elements, and organic EL elements.
FIG. 3 shows an example of a liquid crystal display panel (liquid crystal display) which is an electronic device using the barrier film 10 (11) as a sealing film.
As shown in FIG. 3, the liquid crystal display panel 20 is configured such that, for example, a liquid crystal display element 9 having a configuration in which a liquid crystal 8 is sandwiched between a transparent electrode 6 such as ITO and a polyimide alignment film 7 is sandwiched between a pair of barrier films 10. The peripheral side of the liquid crystal display element 9 (transparent electrode 6, polyimide alignment film 7, liquid crystal 8) is sealed with a sealing material 9a.
A transparent electrode 6 is disposed on the surface of the barrier film 10 on which the ion barrier layer 3 (or the gas barrier layer 2) is formed, so that the liquid crystal display element 9 is sealed.
Thus, if the liquid crystal display panel 20 is formed by sealing the liquid crystal display element 9 with the barrier film 10 of the present invention, impurity ions diffusing from the base material 1 are not eluted into the liquid crystal, Further, deterioration of the liquid crystal display element can be prevented from gas such as water vapor.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量%」を表す。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" or "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "part by mass" or "mass%" is represented.

(実施例1)
《支持基材の作製》
バリアーフィルムの基材となる樹脂基材(樹脂フィルム)に、ブリードアウト防止層や平滑層を形成してなる支持基材を作製した。
<基材>
両面に易接着加工が施された125μmの厚さのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡株式会社製、A4300)を、基材として用いた。
<ブリードアウト防止層の形成>
上記基材の片面に、JSR株式会社製 UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR Z7501を、乾燥後の膜厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、80℃で3分間の乾燥処理と、空気雰囲気下で高圧水銀ランプ使用した照射エネルギー量1.0J/cmの光照射による硬化処理を行って、ブリードアウト防止層を形成した。なお、実施例、比較例の全てのブリードアウト防止層は共通とした。
<平滑層の形成>
続けて上記基材の反対面に、JSR株式会社製 UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR Z7501を、乾燥後の膜厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、80℃で3分間の乾燥処理と、空気雰囲気下で高圧水銀ランプ使用した照射エネルギー量1.0J/cmの光照射による硬化処理を行って、平滑層を形成した。この平滑層の最大断面高さRt(p)は16nmであった。なお、実施例、比較例の全ての平滑層は共通とした。
このように、基材にブリードアウト防止層と平滑層を形成し、両面ハードコート付のPETフィルムである支持基材を作製した。
Example 1
<< Production of support substrate >>
A support base material formed by forming a bleed-out prevention layer and a smooth layer on a resin base material (resin film) serving as the base material of the barrier film was prepared.
<Base material>
A polyethylene terephthalate (PET) film (A4300, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 125 μm and subjected to easy adhesion processing on both sides was used as a substrate.
<Formation of bleed-out prevention layer>
On one side of the base material, UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material OPSTAR Z7501 manufactured by JSR Corporation was applied with a wire bar so that the film thickness after drying was 4 μm, and then dried at 80 ° C. for 3 minutes. The bleed-out prevention layer was formed by performing treatment and curing treatment by irradiation with light having an irradiation energy amount of 1.0 J / cm 2 using a high-pressure mercury lamp in an air atmosphere. In addition, all the bleed-out prevention layers of an Example and a comparative example were made common.
<Formation of smooth layer>
Subsequently, a UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material OPSTAR Z7501 manufactured by JSR Corporation was applied to the opposite surface of the substrate with a wire bar so that the film thickness after drying was 4 μm, and then 3 at 80 ° C. A smoothing layer was formed by performing a drying treatment for 1 minute and a curing treatment by light irradiation with an irradiation energy amount of 1.0 J / cm 2 using a high-pressure mercury lamp in an air atmosphere. The maximum cross-sectional height Rt (p) of this smooth layer was 16 nm. In addition, all the smooth layers of an Example and a comparative example were made common.
Thus, a bleed-out prevention layer and a smooth layer were formed on the base material, and a support base material that was a PET film with a double-sided hard coat was prepared.

<バリアーフィルム1>
前述の支持基材の平滑層上に、JSR社製 ポリシロキサンハードコート材 グラスカHPC7003を、乾燥膜厚900nmとなるように塗布・乾燥した後、下記の条件でXeエキシマ光照射し、無機骨格を主体とするイオンバリアー層(ポリシロキサン層)を成膜した。なお、硬化剤としてアミン触媒をグラスカHPC7003の固形分に対して3wt%添加した。
(エキシマ光照射条件)
照射装置:エム・ディ・エキシマ製MEIRH-M-1-200H
基材温度:100℃
積算光量:2J/cm
最大照度:100mW/cm
<Barrier film 1>
On the smooth layer of the above-mentioned support substrate, after applying and drying a polysiloxane hard coat material Glasca HPC7003 manufactured by JSR so as to have a dry film thickness of 900 nm, Xe excimer light irradiation was performed under the following conditions to form an inorganic skeleton. A main ion barrier layer (polysiloxane layer) was formed. In addition, 3 wt% of an amine catalyst was added as a curing agent with respect to the solid content of Glasca HPC7003.
(Excimer light irradiation conditions)
Irradiation device: MIRH-M-1-200H manufactured by MDI Excimer
Substrate temperature: 100 ° C
Integrated light quantity: 2 J / cm 2
Maximum illuminance: 100 mW / cm 2

さらに、そのイオンバリアー層上に、アミン触媒を1wt%含んだポリシラザン溶液(NAX120とNN120を1:4で混合した溶液)を塗布して80℃×2分乾燥し、乾燥膜厚150nmのポリシラザン塗膜を形成した。このポリシラザン塗膜に下記の条件でXeエキシマ光を照射して改質することによって、酸化ケイ素を含むガスバリアー層(ポリシラザン層)を成膜した。
(エキシマ光照射条件)
照射装置:エム・ディ・エキシマ製MEIRH-M-1-200H
基材温度:100℃
積算光量:3J/cm
最大照度:100mW/cm
Further, a polysilazane solution containing 1 wt% of an amine catalyst (a solution in which NAX120 and NN120 are mixed at a ratio of 1: 4) is applied on the ion barrier layer and dried at 80 ° C. for 2 minutes, and then a polysilazane coating having a dry film thickness of 150 nm is applied. A film was formed. A gas barrier layer (polysilazane layer) containing silicon oxide was formed by irradiating the polysilazane coating film with Xe excimer light under the following conditions for modification.
(Excimer light irradiation conditions)
Irradiation device: MIRH-M-1-200H manufactured by MDI Excimer
Substrate temperature: 100 ° C
Integrated light quantity: 3 J / cm 2
Maximum illuminance: 100 mW / cm 2

このように、支持基材上に、イオンバリアー層(ポリシロキサン層)とガスバリアー層(ポリシラザン層)を順に積層したバリアーフィルム1(図4(1)参照)を作製した。   Thus, the barrier film 1 (refer FIG. 4 (1)) which laminated | stacked the ion barrier layer (polysiloxane layer) and the gas barrier layer (polysilazane layer) in order on the support base material was produced.

<バリアーフィルム2>
前述の支持基材の平滑層上に、アミン触媒を1wt%含んだポリシラザン溶液(NAX120とNN120を1:4で混合した溶液)を塗布して80℃×2分乾燥し、乾燥膜厚150nmのポリシラザン塗膜を形成した。このポリシラザン塗膜に下記の条件でXeエキシマ光を照射して改質することによって、酸化ケイ素を含むガスバリアー層(ポリシラザン層)を成膜した。
(エキシマ光照射条件)
照射装置:エム・ディ・エキシマ製MEIRH-M-1-200H
基材温度:100℃
積算光量:3J/cm
最大照度:100mW/cm
<Barrier film 2>
A polysilazane solution containing 1 wt% of an amine catalyst (a solution in which NAX120 and NN120 are mixed at a ratio of 1: 4) is applied on the smooth layer of the above-mentioned supporting substrate and dried at 80 ° C. for 2 minutes, and the dry film thickness is 150 nm. A polysilazane coating film was formed. A gas barrier layer (polysilazane layer) containing silicon oxide was formed by irradiating the polysilazane coating film with Xe excimer light under the following conditions for modification.
(Excimer light irradiation conditions)
Irradiation device: MIRH-M-1-200H manufactured by MDI Excimer
Substrate temperature: 100 ° C
Integrated light quantity: 3 J / cm 2
Maximum illuminance: 100 mW / cm 2

さらに、そのガスバリアー層上に、JSR社製 ポリシロキサンハードコート材 グラスカHPC7003を、乾燥膜厚900nmとなるように塗布・乾燥した後、下記の条件でXeエキシマ光照射し、無機骨格を主体とするイオンバリアー層(ポリシロキサン層)を成膜した。なお、硬化剤としてアミン触媒をグラスカHPC7003の固形分に対して3wt%添加した。
(エキシマ光照射条件)
照射装置:エム・ディ・エキシマ製MEIRH-M-1-200H
基材温度:100℃
積算光量:2J/cm
最大照度:100mW/cm
Furthermore, on the gas barrier layer, a polysiloxane hard coat material Glassca HPC7003 manufactured by JSR Co. was applied and dried so as to have a dry film thickness of 900 nm, and then irradiated with Xe excimer light under the following conditions to mainly comprise an inorganic skeleton. An ion barrier layer (polysiloxane layer) was formed. In addition, 3 wt% of an amine catalyst was added as a curing agent with respect to the solid content of Glasca HPC7003.
(Excimer light irradiation conditions)
Irradiation device: MIRH-M-1-200H manufactured by MDI Excimer
Substrate temperature: 100 ° C
Integrated light quantity: 2 J / cm 2
Maximum illuminance: 100 mW / cm 2

このように、支持基材上に、ガスバリアー層(ポリシラザン層)とイオンバリアー層(ポリシロキサン層)を順に積層したバリアーフィルム2(図4(2)参照)を作製した。   Thus, the barrier film 2 (refer FIG. 4 (2)) which laminated | stacked the gas barrier layer (polysilazane layer) and the ion barrier layer (polysiloxane layer) in order on the support base material was produced.

<バリアーフィルム3>
バリアーフィルム1のガスバリアー層上に、JSR社製 ポリシロキサンハードコート材 グラスカHPC7003を、乾燥膜厚900nmとなるように塗布・乾燥した後、下記の条件でXeエキシマ光照射し、無機骨格を主体とするイオンバリアー層(ポリシロキサン層)を成膜した。なお、硬化剤としてアミン触媒をグラスカHPC7003の固形分に対して3wt%添加した。
(エキシマ光照射条件)
照射装置:エム・ディ・エキシマ製MEIRH-M-1-200H
基材温度:100℃
積算光量:2J/cm
最大照度:100mW/cm
<Barrier film 3>
On the gas barrier layer of the barrier film 1, after applying and drying a polysiloxane hard coat material Glassca HPC7003 manufactured by JSR so as to have a dry film thickness of 900 nm, Xe excimer light irradiation is performed under the following conditions to mainly form an inorganic skeleton. An ion barrier layer (polysiloxane layer) was formed. In addition, 3 wt% of an amine catalyst was added as a curing agent with respect to the solid content of Glasca HPC7003.
(Excimer light irradiation conditions)
Irradiation device: MIRH-M-1-200H manufactured by MDI Excimer
Substrate temperature: 100 ° C
Integrated light quantity: 2 J / cm 2
Maximum illuminance: 100 mW / cm 2

このように、支持基材上に、イオンバリアー層(ポリシロキサン層)、ガスバリアー層(ポリシラザン層)、イオンバリアー層(ポリシロキサン層)を順に積層したバリアーフィルム3(図4(3)参照)を作製した。   In this way, a barrier film 3 in which an ion barrier layer (polysiloxane layer), a gas barrier layer (polysilazane layer), and an ion barrier layer (polysiloxane layer) are sequentially laminated on a supporting substrate (see FIG. 4 (3)). Was made.

<バリアーフィルム4>
バリアーフィルム2のイオンバリアー層上に、更にバリアーフィルム2と同様にして、ガスバリアー層、イオンバリアー層をこの順に積層した。
このように、支持基材上に、ガスバリアー層(ポリシラザン層)、イオンバリアー層(ポリシロキサン層)、ガスバリアー層(ポリシラザン層)、イオンバリアー層(ポリシロキサン層)を順に積層したバリアーフィルム4(図4(4)参照)を作製した。
<Barrier film 4>
A gas barrier layer and an ion barrier layer were further laminated in this order on the ion barrier layer of the barrier film 2 in the same manner as the barrier film 2.
As described above, a barrier film 4 in which a gas barrier layer (polysilazane layer), an ion barrier layer (polysiloxane layer), a gas barrier layer (polysilazane layer), and an ion barrier layer (polysiloxane layer) are sequentially laminated on a supporting substrate. (See FIG. 4 (4)).

<バリアーフィルム5>
バリアーフィルム2において、イオンバリアー層を成膜せず、支持基材上にガスバリアー層(ポリシラザン層)のみ成膜して、バリアーフィルム5(図4(5)参照)を作製した。
<Barrier film 5>
In the barrier film 2, the ion barrier layer was not formed, but only the gas barrier layer (polysilazane layer) was formed on the supporting base material, thereby preparing the barrier film 5 (see FIG. 4 (5)).

<バリアーフィルム6>
バリアーフィルム1において、ガスバリアー層を成膜せず、支持基材上にイオンバリアー層(ポリシロキサン層)のみ成膜して、バリアーフィルム6(図4(6)参照)を作製した。
<Barrier film 6>
In the barrier film 1, the gas barrier layer was not formed, but only the ion barrier layer (polysiloxane layer) was formed on the supporting base material, thereby preparing the barrier film 6 (see FIG. 4 (6)).

<バリアーフィルム7>
バリアーフィルム2のガスバリアー層形成用のポリシラザン溶液を、以下の溶液に変更し、ゾルゲル法にてガスバリアー層(TEOSゾルゲルバリアー層)を成膜し、バリアーフィルム7(図4(7)参照)を作製した。
なお、ゾルゲル法では、1回の塗布でポリシラザン溶液による塗膜と同等の膜厚が得られなかったため、塗布−乾燥を3回繰り返した。
(ゾルゲルSiO膜用塗布液の作製)
テトラエトキシシラン(TEOS)1モルと、イオン交換水4モルと、有機溶媒としてのエタノール4モルと、触媒としての塩酸0.4モルとを混合し撹拌して、ゾル溶液を調製した。このゾル溶液を室温で3日間熟成し、シリカゾル塗布液とした。
(SiO膜の成膜)
シリカゾル塗布液を、乾燥膜厚が150nmとなるように、塗布及び80℃×5分の乾燥を3回繰り返した後、120℃×1hrの焼成を行い、支持基板上にSiO薄膜のガスバリアー層(TEOSゾルゲルバリアー層)を形成した。
<Barrier film 7>
The polysilazane solution for forming the gas barrier layer of the barrier film 2 is changed to the following solution, and a gas barrier layer (TEOS sol-gel barrier layer) is formed by the sol-gel method, and the barrier film 7 (see FIG. 4 (7)) Was made.
In addition, in the sol-gel method, since the film thickness equivalent to the coating film by a polysilazane solution was not obtained by one application | coating, application | coating-drying was repeated 3 times.
(Preparation of coating solution for sol-gel SiO 2 film)
A sol solution was prepared by mixing and stirring 1 mol of tetraethoxysilane (TEOS), 4 mol of ion-exchanged water, 4 mol of ethanol as an organic solvent, and 0.4 mol of hydrochloric acid as a catalyst. This sol solution was aged at room temperature for 3 days to obtain a silica sol coating solution.
(Formation of SiO 2 film)
The silica sol coating solution was applied three times and dried at 80 ° C. for 5 minutes so that the dry film thickness was 150 nm, and then fired at 120 ° C. for 1 hr to form a gas barrier for the SiO 2 thin film on the support substrate. A layer (TEOS sol-gel barrier layer) was formed.

<バリアーフィルム8>
バリアーフィルム1のガスバリアー層形成用のポリシラザン溶液を、上記のシリカゾル塗布液に変更し、ゾルゲル法にてガスバリアー層(TEOSゾルゲルバリアー層)を成膜し、バリアーフィルム8(図4(8)参照)を作製した。
<Barrier film 8>
The polysilazane solution for forming the gas barrier layer of the barrier film 1 is changed to the above-mentioned silica sol coating solution, and a gas barrier layer (TEOS sol-gel barrier layer) is formed by a sol-gel method to form a barrier film 8 (FIG. 4 (8)). Reference) was made.

(バリアーフィルムの評価)
以上のように作製したバリアーフィルムの試料No.1〜8(No.1;実施例(本発明)、No.2;参考例、No.3〜4;実施例(本発明)、No.5〜8;比較例)について、バリアーフィルムとしての性能評価を行った。
バリアーフィルムの性能評価は、ガスバリアー性とイオン溶出性の評価項目について行った。
(Evaluation of barrier film)
Sample No. of the barrier film produced as described above. Examples 1 to 8 (No. 1 ; Examples (present invention), No. 2; Reference Examples, Nos. 3 to 4; Examples (present invention), Nos. 5 to 8; Comparative Examples) as barrier films Performance evaluation was performed.
The performance evaluation of the barrier film was performed on the evaluation items of gas barrier properties and ion elution properties.

(ガスバリアー性の評価)
ガスバリアー性に関し、水蒸気透過率に基づいて評価した。
ガスバリアー性(水蒸気透過率)の評価を行うにあたって、以下の装置と材料を使用した。
〈使用装置〉
蒸着装置:日本電子(株)製真空蒸着装置JEE−400
恒温恒湿度オーブン:Yamato Humidic ChamberIG47M
〈評価材料〉
水分と反応して腐食する金属:カルシウム(粒状)
水蒸気不透過性の金属:アルミニウム(φ3〜5mm、粒状)
〈水蒸気バリアー性評価用セルの作製〉
真空蒸着装置(日本電子製真空蒸着装置 JEE−400)を使用し、各バリアーフィルム試料のバリアー層(ガスバリアー層、イオンバリアー層)面に、マスクを用いて1cm×1cmの面積に金属カルシウムを蒸着させた。その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面にアルミニウムを蒸着させた。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下に移して、アルミニウム蒸着面に封止用紫外線硬化樹脂(ナガセケムテックス社製)を介して厚さ0.2mmの石英ガラスを張り合わせ、紫外線を照射して樹脂を硬化接着させて本封止することで、水蒸気バリアー性評価用セルを作製した。
そして、恒温恒湿度オーブンを用い、得られた評価用セルを60℃、90%RHの高温高湿下で保存し、特開2005−283561号公報に記載の方法に基づき、金属カルシウムの腐食量からセル内に透過した水分量を計算した。
なお、バリアーフィルム面以外からの水蒸気の透過が無いことを確認するために、比較試料としてバリアーフィルム試料の代わりに、厚さ0.2mmの石英ガラス板に金属カルシウムを蒸着した試料を用いたセルで、同様に60℃、90%RHの高温高湿下保存を行い、1000時間経過後でも金属カルシウムの腐食が発生しないことを確認した。
上記のような方法でカルシウムが全て腐食する時間(100%腐食時間)から、平均WVTR(水蒸気透過率)を算出し、以下の基準でガスバリアー性を評価した。なお、実用上は△以上のレベルが必要である。評価結果を表1に示す。
○:WVTRが、1×10−3未満
△:WVTRが、1×10−3以上、1×10−2未満
×:WVTRが、1×10−2以上
(Evaluation of gas barrier properties)
The gas barrier property was evaluated based on the water vapor transmission rate.
In evaluating the gas barrier property (water vapor transmission rate), the following apparatuses and materials were used.
<Device used>
Vapor deposition apparatus: Vacuum vapor deposition apparatus JEE-400 manufactured by JEOL Ltd.
Constant temperature and humidity oven: Yamato Humidic Chamber IG47M
<Evaluation materials>
Metal that reacts with water and corrodes: Calcium (granular)
Water vapor-impermeable metal: Aluminum (φ3-5mm, granular)
<Manufacture of water vapor barrier property evaluation cell>
Using a vacuum vapor deposition device (JEOL-made vacuum vapor deposition device JEE-400), on each barrier film sample's barrier layer (gas barrier layer, ion barrier layer) surface, metal calcium is applied in an area of 1 cm × 1 cm using a mask. Evaporated. Thereafter, the mask was removed in a vacuum state, and aluminum was deposited on the entire surface of one side of the sheet. After sealing with aluminum, the vacuum state is released, and it is immediately transferred to a dry nitrogen gas atmosphere, and a quartz glass having a thickness of 0.2 mm is provided on the aluminum vapor deposition surface via a sealing UV curable resin (manufactured by Nagase ChemteX). Were bonded together, and the resin was cured and adhered, followed by main sealing, thereby producing a water vapor barrier property evaluation cell.
Then, using a constant temperature and humidity oven, the obtained evaluation cell was stored under high temperature and high humidity of 60 ° C. and 90% RH, and based on the method described in JP-A-2005-283561, the corrosion amount of metallic calcium The amount of moisture permeated into the cell was calculated.
In addition, in order to confirm that there is no permeation of water vapor from other than the barrier film surface, a cell using a sample in which metallic calcium is vapor-deposited on a quartz glass plate having a thickness of 0.2 mm instead of the barrier film sample as a comparative sample. Similarly, it was stored under high temperature and high humidity at 60 ° C. and 90% RH, and it was confirmed that corrosion of metallic calcium did not occur even after 1000 hours.
The average WVTR (water vapor permeability) was calculated from the time (100% corrosion time) in which all calcium was corroded by the method described above, and the gas barrier properties were evaluated according to the following criteria. In practice, a level of Δ or higher is necessary. The evaluation results are shown in Table 1.
○: WVTR is less than 1 × 10 −3 Δ: WVTR is 1 × 10 −3 or more and less than 1 × 10 −2 ×: WVTR is 1 × 10 −2 or more

(イオン溶出性の評価)
イオン溶出性に関し、以下の方法によって評価した。
〈評価用簡易セルの作製〉
各バリアーフィルム試料のバリアー層(ガスバリアー層、イオンバリアー層)面に、ITOによる画素電極(透明電極)を形成し、その電極上に垂直ポリイミド配向膜を形成した。このように画素電極と垂直ポリイミド配向膜を形成したフィルムを一対(各試料、2枚ずつ)作製した。
こうして準備した一対のフィルムを配向膜同士が対面するよう対向させ、スペーサビーズを用いて両フィルム間隔を一定に保ちながら位置合わせし、液晶注入用の開口部を残すように周囲をシール材で封止した。次に、開口部から配向膜間にVA用液晶MLC−6610(メルク社製)を注入し、開口部を封止することにより簡易液晶セルを作製した。
得られた簡易液晶セルを、60℃の恒温恒湿槽に500hr投入した後、液晶セルイオン密度測定装置(東陽テクニカ社製)を用いて液晶セルの電流−電圧のリサージュ波形を測定し、そのリサージュ波形からフィルム間に配された液晶中に溶出したイオンの密度を評価した。この時、液晶のダイレクタピークの高さと溶出イオンによるピークの高さを比較して、以下の様にイオン溶出性を評価した。評価結果を表1に示す。
○:液晶の駆動にほとんど影響ない
△:使用可能であるが、液晶の駆動に影響が出る可能性がある
×:液晶の駆動に影響がある
(Evaluation of ion dissolution)
Ion elution was evaluated by the following method.
<Production of simple cell for evaluation>
A pixel electrode (transparent electrode) made of ITO was formed on the barrier layer (gas barrier layer, ion barrier layer) surface of each barrier film sample, and a vertical polyimide alignment film was formed on the electrode. In this manner, a pair of films (two samples each) on which a pixel electrode and a vertical polyimide alignment film were formed was prepared.
A pair of films prepared in this manner are opposed to each other so that the alignment films face each other, and are aligned using spacer beads while keeping the distance between both films constant, and the periphery is sealed with a sealant so as to leave an opening for liquid crystal injection. Stopped. Next, a VA liquid crystal MLC-6610 (manufactured by Merck & Co., Inc.) was injected between the alignment portions from the openings, and the openings were sealed to prepare a simple liquid crystal cell.
The obtained simple liquid crystal cell was put into a constant temperature and humidity chamber at 60 ° C. for 500 hours, and then a current-voltage Lissajous waveform of the liquid crystal cell was measured using a liquid crystal cell ion density measuring device (manufactured by Toyo Technica Co., Ltd.). From the waveform, the density of ions eluted in the liquid crystal disposed between the films was evaluated. At this time, the height of the director peak of the liquid crystal was compared with the height of the peak due to the eluted ions, and the ion elution was evaluated as follows. The evaluation results are shown in Table 1.
○: Almost no influence on liquid crystal drive △: Can be used but may affect the drive of liquid crystal ×: Influence on drive of liquid crystal

Figure 0005825016
Figure 0005825016

表1に示した評価結果から明らかなように、ガスバリアー層(ポリシラザン層)とイオンバリアー層(ポリシロキサン層)が積層された構造を有するバリアーフィルム(サンプルNo.1〜4)は、ガスバリアー性とイオン溶出防止性を高いレベルで両立しており、ガスバリアー性能とイオン溶出防止性能を兼ね備えたバリアーフィルムであることが分かる。
例えば、その最表層にイオンバリアー層を設けたバリアーフィルムであれば、ガスバリアー層を通過した不純物イオンは、ガスバリアー層とイオンバリアー層の界面およびイオンバリアー層でブロック(トラップ)されるので、高いイオンバリアー性(イオン溶出防止性)を発揮するとともに、イオンバリアー層がガスバリアー層の保護膜としても機能する。また、その最表層にガスバリアー層を設けたバリアーフィルムであれば、イオンバリアー層や界面で基材側からの不純物イオンがブロック(トラップ)されるので、ガスバリアー層が不純物イオンによって劣化されず、高いガスバリアー性を維持することができる。
さらに、これらバリアーフィルムのガスバリアー層(ポリシラザン層)とイオンバリアー層(ポリシロキサン層)は、塗布工程によって形成でき、生産効率が高いので、軽量でフレキシブル性に優れたバリアーフィルムを安価に製造することが可能になる。
As is clear from the evaluation results shown in Table 1, a barrier film (sample Nos. 1 to 4) having a structure in which a gas barrier layer (polysilazane layer) and an ion barrier layer (polysiloxane layer) are laminated is a gas barrier. It can be seen that this is a barrier film having both gas barrier performance and ion elution prevention performance.
For example, in the case of a barrier film having an ion barrier layer on the outermost layer, impurity ions that have passed through the gas barrier layer are blocked (trapped) at the interface between the gas barrier layer and the ion barrier layer and at the ion barrier layer. While exhibiting high ion barrier properties (ion elution prevention properties), the ion barrier layer also functions as a protective film for the gas barrier layer. In addition, if the barrier film has a gas barrier layer on the outermost layer, impurity ions from the substrate side are blocked (trapped) at the ion barrier layer or interface, so the gas barrier layer is not deteriorated by impurity ions. High gas barrier properties can be maintained.
Furthermore, the gas barrier layer (polysilazane layer) and ion barrier layer (polysiloxane layer) of these barrier films can be formed by a coating process, and since the production efficiency is high, a lightweight and flexible barrier film is manufactured at low cost. It becomes possible.

(実施例2)
実施例1で用いた基材をPETフィルムからポリエーテルスルホン(PES)フィルムに変更し、PESフィルムを基材とした支持基材を用いて、実施例1のバリアーフィルム1〜5と同様な層構成のバリアーフィルム11〜15をそれぞれ作製した。
これらバリアーフィルム11〜15に対し、模擬LCD作製工程として以下の処理を施した後、実施例1と同様にガスバリアー性及びイオン溶出性の評価を行った。評価結果を表2に示す。
(Example 2)
The base material used in Example 1 is changed from a PET film to a polyethersulfone (PES) film, and a support base material using the PES film as a base material is the same layer as barrier films 1 to 5 in Example 1. Barrier films 11 to 15 having a configuration were prepared.
These barrier films 11 to 15 were subjected to the following treatment as a simulated LCD production process, and then evaluated for gas barrier properties and ion elution properties in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2.

《模擬LCD素子作製工程》
〈洗浄工程〉
超純水での超音波洗浄の後、弱アルカリ性洗剤(クリンスルー:旭化成製)の超純水5倍希釈液での超音波洗浄を行い、更に超純水での超音波洗浄と超純水での流水洗浄を行った。
〈乾燥工程〉
乾燥窒素風で水滴を除いた後、大気中100℃×30分の熱乾燥を行った。
〈本乾燥及び駆動回路又はカラーフィルター作製工程〉
180℃、減圧(約10−3Torr)条件で、1hr処理を行った。
《Simulated LCD element manufacturing process》
<Washing process>
After ultrasonic cleaning with ultrapure water, ultrasonic cleaning is performed with a 5-fold diluted solution of weak alkaline detergent (Clean Through: Asahi Kasei), followed by ultrasonic cleaning with ultrapure water and ultrapure water. Washed with running water.
<Drying process>
After removing water droplets with dry nitrogen air, heat drying was performed in air at 100 ° C. for 30 minutes.
<Main drying and drive circuit or color filter manufacturing process>
The treatment was performed at 180 ° C. under reduced pressure (about 10 −3 Torr) for 1 hour.

Figure 0005825016
Figure 0005825016

表2に示した評価結果から明らかなように、ガスバリアー層(ポリシラザン層)とイオンバリアー層(ポリシロキサン層)が積層された構造を有するバリアーフィルム(サンプルNo.11〜14)は、ガスバリアー性とイオン溶出防止性を高いレベルで両立しており、LCD素子作製プロセスを経てもガスバリアー性とイオン溶出防止性を維持しているので、LCD素子作製プロセスを通すことによる劣化が非常に小さく、そのプロセス耐性が高いことが分かる。
つまり、本発明に係るバリアーフィルムは、耐久性に優れる良好なガスバリアー性能とイオン溶出防止性能を兼ね備えていることが分かる。
As is clear from the evaluation results shown in Table 2, the barrier film (sample Nos. 11 to 14) having a structure in which a gas barrier layer (polysilazane layer) and an ion barrier layer (polysiloxane layer) are laminated is a gas barrier. Therefore, the deterioration due to the LCD device fabrication process is extremely small. It can be seen that the process resistance is high.
That is, it can be seen that the barrier film according to the present invention has good gas barrier performance and ion elution prevention performance excellent in durability.

以上のように、本発明に係るバリアーフィルムは、高いガスバリアー性能とイオン溶出防止性能を有しており、電子デバイスを封止することに優れたバリアーフィルムであるといえる。   As described above, the barrier film according to the present invention has high gas barrier performance and ion elution prevention performance, and can be said to be an excellent barrier film for sealing electronic devices.

なお、本発明の適用は上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。   The application of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.

1 基材
2 ガスバリアー層
3 イオンバリアー層
4 平滑層
5 ブリードアウト防止層
9 液晶表示素子(電子デバイス)
10 水蒸気バリアーフィルム
11 水蒸気バリアーフィルム
20 液晶表示パネル(電子機器)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Gas barrier layer 3 Ion barrier layer 4 Smooth layer 5 Bleed-out prevention layer 9 Liquid crystal display element (electronic device)
10 Water vapor barrier film 11 Water vapor barrier film 20 Liquid crystal display panel (electronic equipment)

Claims (3)

基材上に、ガスバリアー層と、無機骨格を主体とするイオンバリアー層とを備えたバリアーフィルムの製造方法であって、
ポリシラザンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記ガスバリアー層を形成する工程と、
ポリシロキサンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記イオンバリアー層を形成する工程と、を有し、
前記ガスバリアー層を、前記イオンバリアー層を覆う配置に設け、
前記ガスバリアー層と前記イオンバリアー層の界面をイオンブロック面とすることを特徴とするバリアーフィルムの製造方法。
A method for producing a barrier film comprising a gas barrier layer and an ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton on a substrate,
After forming a coating film containing polysilazane, forming the gas barrier layer by modifying the coating film by applying vacuum ultraviolet light; and
Forming a coating film containing polysiloxane, and then forming the ion barrier layer by modifying the coating film by irradiating it with vacuum ultraviolet light.
Providing the gas barrier layer in an arrangement covering the ion barrier layer;
A method for producing a barrier film, wherein an interface between the gas barrier layer and the ion barrier layer is an ion block surface.
基材上に、ガスバリアー層と、無機骨格を主体とするイオンバリアー層とを備えたバリアーフィルムの製造方法であって、
ポリシラザンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記ガスバリアー層を形成する工程と、
ポリシロキサンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記イオンバリアー層を形成する工程と、を有し、
前記ガスバリアー層を、対を成す前記イオンバリアー層で挟まれた配置に設け
前記ガスバリアー層と前記イオンバリアー層の界面をイオンブロック面とすることを特徴とするバリアーフィルムの製造方法。
A method for producing a barrier film comprising a gas barrier layer and an ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton on a substrate,
After forming a coating film containing polysilazane, forming the gas barrier layer by modifying the coating film by applying vacuum ultraviolet light; and
Forming a coating film containing polysiloxane, and then forming the ion barrier layer by modifying the coating film by irradiating it with vacuum ultraviolet light.
The gas barrier layer is provided in an arrangement sandwiched between the paired ion barrier layers ,
Method of manufacturing features and to Luba rear film to the surface of the ion barrier layer and the gas barrier layer and the ion blocking surface.
基材上に、ガスバリアー層と、無機骨格を主体とするイオンバリアー層とを備えたバリアーフィルムの製造方法であって、
ポリシラザンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記ガスバリアー層を形成する工程と、
ポリシロキサンを含有した塗膜を形成した後に、その塗膜に真空紫外光を照射して改質することで前記イオンバリアー層を形成する工程と、を有し、
前記イオンバリアー層を、対を成す前記ガスバリアー層で挟まれた配置に設け
前記ガスバリアー層と前記イオンバリアー層の界面をイオンブロック面とすることを特徴とするバリアーフィルムの製造方法。
A method for producing a barrier film comprising a gas barrier layer and an ion barrier layer mainly composed of an inorganic skeleton on a substrate,
After forming a coating film containing polysilazane, forming the gas barrier layer by modifying the coating film by applying vacuum ultraviolet light; and
Forming a coating film containing polysiloxane, and then forming the ion barrier layer by modifying the coating film by irradiating it with vacuum ultraviolet light.
The ion barrier layer is provided in an arrangement sandwiched between the gas barrier layers forming a pair ,
Method of manufacturing features and to Luba rear film to the surface of the ion barrier layer and the gas barrier layer and the ion blocking surface.
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