JP5794300B2 - アンテナ装置および通信端末装置 - Google Patents
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Description
特許文献1のアンテナ装置においては、モジュールおよび平衡回路部分のグランド電極をそれ以外のグランド電極から分割する必要がある。また、平衡回路を構成する集中定数回路素子のばらつきおよび損失が発生する。
前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
伝送線路と、を備え、
前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とする。
前記放射用グランド導体の一部は前記主グランド導体に対してグランド接続部を介して接続されていて、
前記グランド接続部に、適用周波数帯の高周波信号に対して共振する電気長のチョークを備えていることが好ましい。
前記アンテナ装置は、長辺である第1の辺と前記第1の辺に対向する第2の辺を有する長方形状の放射用グランド導体が形成された基板と、
前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
伝送線路と、を備え、
前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とする。
第1の実施形態のアンテナ装置について各図を参照して説明する。図1は第1の実施形態のアンテナ装置101の平面図である。図1(A)は同軸ケーブルを取り付ける前の状態、図1(B)は同軸ケーブルを取り付けた状態である。また、図2は同軸コネクタのレセプタクルを取り付ける前の状態での第1の実施形態のアンテナ装置の部分斜視図である。
図7はアンテナ装置101の放射用グランド導体11の長さ寸法Lを変化させたときの指向性の変化を示す図である。図7(A)はL=50mm、図7(B)はL=60mm、図7(C)はL=70mmの場合の特性である。いずれも放射用グランド導体11の幅寸法Wは10mmとしている。ここで適用周波数は2.45GHz、基板の比誘電率は4.9であり、L=60mmで1/2波長に相当する。このように、放射用グランド導体11の長さ寸法Lが異なっても、放射用グランド導体11の第1の辺S1側の電流密度が第2の辺S2側よりも高いため、第1の辺S1方向(0°方向)への強く放射することがわかる。
L2:L=40mm
L3:L=60mm
L4:L=80mm
L5:L=100mm
放射効率は、図8(A)に表れているように、長さLが40mmより短くなると低下する。リターンロスについても、図8(B)に表れているように、長さLが40mmより短くなると狭帯域特性となる。さらに、指向性についても、図8(C)に表れているように、長さLが40mmより短くなると前方(0°)方向への利得が低下する。
W2:W=30mm
W3:W=50mm
W4:W=70mm
W5:W=90mm
放射効率は、図9(A)に表れているように、幅Wに関わらず殆ど一定である。リターンロスについては、図9(B)に表れているように、幅Wが短いほどリターンロスが小さくなる傾向はあるが殆ど変化しない。指向性については、図9(C)に表れているように、幅Wの変化による前方(0°)方向への利得変化は小さいが、幅Wが小さいほど8の字形状に近くなる。90°〜270°の180範囲で利得を得るためには、幅Wが1/2波長またはそれ以上にすればよいことがわかる。
(1)グランド導体に適用周波数の波長に対してかなり小さい(一辺が1/10波長未満の)グランド導体非形成領域を設けることでダイポール的に動作するアンテ装置を容易に構成できる。グランド導体の形状についても特別な設計を必要としない。
図10は第2の実施形態のアンテナ装置102の平面図である。アンテナ装置102は、第1の辺S1とこれに対向する第2の辺S2を有する放射用グランド導体11が形成された基板10を備えている。この放射用グランド導体11の第1の辺S1に沿って、この第1の辺S1の両端部を除く他の位置(中央位置)にグランド導体非形成領域12が設けられている。グランド導体非形成領域12の第1の辺S1に沿った方向の両端に、放射電極13,14およびキャパシタンス素子21を含む直列回路がグランド導体非形成領域12を跨ぐように配置されている。基板10には、第1端がキャパシタンス素子21の第1端(放射電極13)に導通する給電線15が形成されている。この給電線15とグランド導体との間にインピーダンス整合用のリアクタンス素子24が接続(実装)されている。また、放射電極14とグランド導体11との間にリアクタンス素子23が接続(実装)されている。このリアクタンス素子23のインダクタンス値またはキャパシタンス値によってキャパシタンス素子21および放射電極13,14による回路の共振周波数を所定値に定めるために装荷されたものである。
第3の実施形態では、通信端末装置内の親基板に対するアンテナ装置の配置および特性の差異について示す。
d2:d=2mm
d5:d=5mm
d10:d=10mm
このように、アンテナ装置101のグランド導体11が親基板40の主グランド導体41から離れている限り、リターンロスの変化は小さいが、アンテナ装置101のグランド導体11が親基板40の主グランド導体41に導通しているとリターンロスは大きく低域側へシフトする。このことから、アンテナ装置のグランド導体11は親基板40の主グランド導体41から離れた状態で配置することで、安定したアンテナ性能が得られることがわかる。
図13は第4の実施形態のアンテナ装置104を含む回路基板の平面図である。この回路基板は親基板40に各種導体パターンおよび各種素子が実装されたものである。アンテナ装置104の放射用グランド導体11は、第1の辺S1とこれに対向する第2の辺S2を有する。この放射用グランド導体11は親基板40の外縁の一部に沿って形成されている。親基板40には主グランド導体41が形成されていて、この主グランド導体41と放射用グランド導体11との間にグランド導体分離領域42が設けられている。放射用グランド導体11の一部は主グランド導体41に対してグランド接続部CSを介して接続されている。
A0:L=41mm,W=10mm,t=1mm
A1:L=80mm,W=40mm,t=1mm
A2:L=120mm,W=70mm,t=1mm
ここで、A0は親基板の無い、アンテナ装置単独の(第1の実施形態で示したアンテナ装置101の)特性である。また、A1,A2は図13に示したように親基板40に構成されたアンテナ装置104の特性であり、寸法Lは主グランド導体41の長さ(左右方向の寸法)、寸法Wは主グランド導体41の幅(上下方向の寸法)、寸法tは基板の厚みである。
B0:L=41mm,W=10mm,t=1mm
B1:L=80mm,W=40mm,t=1mm
B2:L=120mm,W=70mm,t=1mm
ここで、寸法Lは放射用グランド導体11の長さ(左右方向の寸法)、寸法Wは放射用グランド導体11の幅(上下方向の寸法)、寸法tは基板の厚みである。
図15は第5の実施形態のアンテナ装置105を含む回路基板の平面図である。この回路基板は親基板40に各種導体パターンおよび各種素子が実装されたものである。アンテナ装置105の放射用グランド導体11は、第1の辺S1とこれに対向する第2の辺S2を有し、この放射用グランド導体11が親基板40に形成されている。親基板40には主グランド導体41が形成されていて、この主グランド導体41と放射用グランド導体11との間にグランド導体分離領域42が設けられている。
図18は第6の実施形態である通信端末装置201の斜視図である。この通信端末装置201は、ほぼ直方体形状の筐体内に親基板とともにアンテナ装置101Aおよび101Bを備えている。親基板は表示パネル51の背後に、筐体に沿って配置されている。アンテナ装置101Aおよび101Bは、先の実施形態で図11(A)に示したように、親基板40に対して垂直の関係にある。そのため、通信端末装置201の表示パネル51に対して垂直で且つ表示パネル51の前面方向を指向することになる。
以上に示した各実施形態のアンテナ装置では、キャパシタンス素子21を設けたが、この素子はチップコンデンサであってもよい、また、基板に形成した導体パターンで構成されていてもよい。
S1…第1の辺
S2…第2の辺
SE…基部
10…基板
11…放射用グランド導体
12…グランド導体非形成領域
13,14…放射電極
15…給電線
21…キャパシタンス素子
23,24…リアクタンス素子
31…レセプタクル
32…プラグ
33…同軸ケーブル
34…高周波モジュール
40…親基板
41…主グランド導体
42…グランド導体分離領域
43…チョーク用導体パターン
51…表示パネル
101…アンテナ装置
101A,101B…アンテナ装置
102,104,105…アンテナ装置
201…通信端末装置
Claims (7)
- 長辺である第1の辺と前記第1の辺に対向する第2の辺を有する長方形状の放射用グランド導体が形成された基板と、
前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
伝送線路と、を備え、
前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とするアンテナ装置。 - 前記基板の一部または全部が可撓性材料で構成された、請求項1に記載のアンテナ装置。
- 前記伝送線路は可撓性の同軸ケーブルを含む、請求項1または2に記載のアンテナ装置。
- 前記伝送線路の少なくとも一部は、前記基板に形成された導体パターンで構成された、請求項1〜3のいずれかに記載のアンテナ装置。
- 前記放射用グランド導体は、前記基板の外縁の一部に沿って、前記基板に形成された主グランド導体とは分離形成されている、請求項1〜4のいずれかに記載のアンテナ装置。
- 前記基板には前記放射用グランド導体とともに主グランド導体が形成されていて、
前記放射用グランド導体の一部は前記主グランド導体に対してグランド接続部を介して接続されていて、
前記グランド接続部に、適用周波数帯の高周波信号に対して共振する電気長のチョークを備えた、請求項1〜4のいずれかに記載のアンテナ装置。 - 筐体内にアンテナ装置を備えた通信端末装置において、
前記アンテナ装置は、長辺である第1の辺と前記第1の辺に対向する第2の辺を有する長方形状の放射用グランド導体が形成された基板と、
前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
伝送線路と、を備え、
前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とする通信端末装置。
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