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JP5791834B1 - 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 - Google Patents

共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 Download PDF

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Abstract

スイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置であって、パワー素子及び自身の寄生容量の最適化を図るよう当該パワー素子に少なくとも１つ以上並列接続された第２のパワー素子と、パワー素子及び第２のパワー素子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該パワー素子及び第２のパワー素子を駆動させる高周波パルスドライブ回路１とを備えた。

Description

この発明は、高周波数で電力伝送を行う共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路に関するものである。
図１７に示す従来の共振型高周波電源装置では、パワー素子Ｑ１の共振スイッチングのタイミングをコンデンサＣ１の容量値で調整している（例えば非特許文献１参照）。
トランジスタ技術２００５年２月号１３章
非特許文献１に開示された従来構成では、パワー素子Ｑ１の共振スイッチングのタイミングをコンデンサＣ１の容量値で調整する回路構成としているため、一度調整をすると、その後動作時には調整することができない。しかしながら、パワー素子Ｑ１の寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）は動作時に変動する。また、コンデンサＣ１には内部抵抗が存在する。そのため、コンデンサＣ１の内部抵抗による電力損失と、パワー素子Ｑ１動作時の寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）の変動により、共振スイッチングのタイミングが外れ、スイッチング損失が大きくなる。その結果、高周波電源装置としての消費電力が増加して、電力変換効率の低下の原因となっているという課題があった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、低消費電力で高効率化を図り、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能な共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路を提供することを目的としている。
この発明に係る共振型高周波電源装置は、一端に直流電圧が印加されるインダクタと、インダクタの他端にドレイン端子が接続されたＦＥＴと、ＦＥＴに並列接続された１つ以上の容量付加用ＦＥＴと、ＦＥＴ及び容量付加用ＦＥＴに並列接続されたコンデンサ、及び電力伝送用アンテナが接続される一対の端子のうちの交流電圧が出力される端子と当該ＦＥＴのドレイン端子及び当該容量付加用ＦＥＴのドレイン端子とを接続する直列接続されたインダクタ及びコンデンサを有する共振回路素子と、２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を出力する高周波パルスドライブ回路と、高周波パルスドライブ回路の電圧信号が出力される端子とＦＥＴのゲート端子及び容量付加用ＦＥＴのゲート端子とをそれぞれ同一のインピーダンスで接続する信号線とを備えたものである。
この発明によれば、上記のように構成したので、低消費電力で高効率化を図り、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能となる。
この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の構成を示す図である（パワー素子がシングル構成）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置によるＶｄｓ波形を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（ハイブリッド化した素子を用いた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（パワー素子がプッシュプル構成）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（共振条件可変型ＬＣ回路を設けた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（共振条件可変回路を設けた場合）。 この発明の実施の形態２に係る共振型高周波電源装置の構成を示す図である（パワー素子がシングル構成）。 この発明の実施の形態２に係る共振型高周波電源装置によるＶｄｓ波形を示す図である。 従来の共振型高周波電源装置の構成を示す図である。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の構成を示す図である。なお図１では、パワー素子Ｑ１がシングル構成の場合の回路を示している。
共振型高周波電源装置は、図１に示すように、パワー素子Ｑ１、パワー素子（容量付加用ＦＥＴ）Ｑ２、共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）、インダクタＬ１、高周波パルスドライブ回路１、可変型パルス信号発生回路２及びバイアス用電源回路３から構成されている。また、Ｃｄｓ及びＣｇｄはパワー素子Ｑ１の寄生容量であり、Ｚ１は高周波パルスドライブ回路１とパワー素子Ｑ１のＧ端子間及びパワー素子Ｑ２のＧ端子間の信号線（ワイヤ、基板上パターンなど）のインピーダンスである。なお、パワー素子Ｑ２についても同様の寄生容量があるがここでは図示していない。
また、共振型送信アンテナ（電力伝送用送信アンテナ）１０は、ＬＣ共振特性を持つ電力伝送用の共振型アンテナである（非接触型のみに限定されない）。この共振型送信アンテナ１０は、磁界共鳴型、電界共鳴型、電磁誘導型のいずれであってもよい。
パワー素子Ｑ１は、入力の直流電圧Ｖｉｎを交流に変換するためにスイッチング動作を行うスイッチング素子である。パワー素子Ｑ１のＤ端子は、一端に直流電圧Ｖｉｎが印加されるインダクタＬ１の他端に接続されている。このパワー素子Ｑ１としては、ＲＦ用のＦＥＴに限らず、例えばＳｉ−ＭＯＳＦＥＴやＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ−ＦＥＴなどの素子を用いることが可能である。
パワー素子Ｑ２は、パワー素子Ｑ１及び自身の寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）の最適化を図るようパワー素子Ｑ１に少なくとも１つ以上並列接続されたスイッチング素子である。このパワー素子Ｑ２としては、ＲＦ用のＦＥＴに限らず、例えばＳｉ−ＭＯＳＦＥＴやＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ−ＦＥＴなどの素子を用いることが可能である。
なお、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２は、図２に示すようにＶｄｓの共振電圧の最大値がＶｉｎの３〜５倍になるような素子を選定する。また、その選定は、寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）及びＶｇｓの立下り時間から最適化を図る。
共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）は、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２のスイッチング動作を共振スイッチングさせるための素子である。コンデンサＣ１は、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２に並列接続されている。また、インダクタＬ２及びコンデンサＣ２は、共振型送信アンテナ１０が接続される一対の端子のうちの出力電圧Ｖｏｕｔが出力される端子とパワー素子Ｑ１のＤ端子及びパワー素子Ｑ２のＤ端子とを接続するように直列接続されている。このコンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２からなる共振回路素子により、共振型送信アンテナ１０との間の共振条件を合わせることができる。なお、コンデンサＣ１は、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２の容量（パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２の出力容量Ｃｏｓｓの合計など）より小さい値で構成されている。
インダクタＬ１は、入力の直流電圧Ｖｉｎのエネルギーを、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２のスイッチング動作ごとに一時的に保持する働きをするものである。
高周波パルスドライブ回路１は、パワー素子Ｑ１のＧ端子及びパワー素子Ｑ２のＧ端子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２を駆動させる回路である。この高周波パルスドライブ回路１は、出力部をＦＥＴ素子などでトーテンポール回路構成にして高速のＯＮ／ＯＦＦ出力ができるように構成した回路である。
また、高周波パルスドライブ回路１の電圧信号が出力される端子とパワー素子Ｑ１のＧ端子及びパワー素子Ｑ２のＧ端子とは、それぞれ同一のインピーダンスＺ１を有する信号線で接続される。
可変型パルス信号発生回路２は、高周波パルスドライブ回路１にロジック信号などの２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、高周波パルスドライブ回路１を駆動させる回路である。この可変型パルス信号発生回路２は、周波数設定用のオシレータとフリップフロップやインバータなどのロジックＩＣで構成され、パルス幅の変更や反転パルス出力などの機能を持つ。
バイアス用電源回路３は、可変型パルス信号発生回路２及び高周波パルスドライブ回路１への駆動電力の供給を行うものである。
次に、上記のように構成された共振型高周波電源装置の動作について説明する。
まず、入力の直流電圧ＶｉｎはインダクタＬ１を通してパワー素子Ｑ１のＤ端子及びパワー素子Ｑ２のＤ端子に印加される。そして、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２は、その電圧をＯＮ／ＯＦＦのスイッチング動作により正電圧の交流状電圧へ変換する。この変換動作のときに、インダクタＬ１は一時的にエネルギーを保持する働きをして、直流を交流へ電力変換する手助けを行う。
ここで、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２のスイッチング動作は、Ｉｄｓ電流とＶｄｓ電圧積によるスイッチング損失が最も小さくなるように、ＺＶＳ（ゼロボルテージスイッチング）が成立するようコンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２による共振回路素子で共振スイッチング条件が設定されている。この共振スイッチング動作により、出力電圧ＶｏｕｔにはＲＴＮ電圧を軸にした交流電圧が出力される。
パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２の駆動は、可変型パルス信号発生回路２からの任意のパルス状の電圧信号を受けた高周波パルスドライブ回路１が出力する、パルス状の電圧信号をパワー素子Ｑ１のＧ端子及びパワー素子Ｑ２のＧ端子へ入力することで行っている。
このとき、パワー素子Ｑ１のＤ端子電圧及びパワー素子Ｑ２のＤ端子電圧のＶｄｓは、各寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）と、コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２による共振スイッチング条件とから、図２に示すような共振波形となり、そのピーク電圧はＶｉｎの３〜５倍の範囲になるように動作する。これにより、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２は、スイッチング損失の少ない動作を可能にしている。
また、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２の駆動周波数は共振型高周波電源装置の動作周波数となり、可変型パルス信号発生回路２内部のオシレータ回路の設定により決まる。
以上のように、この実施の形態１によれば、パワー素子Ｑ１及び自身の寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）の最適化を図るようパワー素子Ｑ１に少なくとも１つ以上並列接続されたパワー素子Ｑ２を備えるように構成したので、コンデンサＣ１を可変せずにパワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２の共振スイッチングのタイミングを調整することで、２ＭＨｚを超える高周波数の動作において、低消費電力で９０％以上の高い電力変換効率特性を得ることができる。
なお図１において、各部をハイブリッド化した素子（共振型高周波電源装置用スイッチング回路）４を用いてもよい。図３はパワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２をハイブリッド化した素子４（インピーダンスＺ１を含む場合もある）を示し、図４はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２及びコンデンサＣ１をハイブリッド化した素子４（インピーダンスＺ１を含む場合もある）を示し、図５はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２、インピーダンスＺ１、コンデンサＣ１及び高周波パルスドライブ回路１をハイブリッド化した素子４を示し、図６はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２、インピーダンスＺ１、コンデンサＣ１、高周波パルスドライブ回路１及び可変型パルス信号発生回路２をハイブリッド化した素子４を示し、図７はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２及びコンデンサＣ２をハイブリッド化した素子４（インピーダンスＺ１を含む場合もある）を示し、図８はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２、インピーダンスＺ１、コンデンサＣ２及び高周波パルスドライブ回路１をハイブリッド化した素子４を示し、図９はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２及びコンデンサＣ１，Ｃ２をハイブリッド化した素子４（インピーダンスＺ１を含む場合もある）を示し、図１０はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２、インピーダンスＺ１、コンデンサＣ１，Ｃ２及び高周波パルスドライブ回路１をハイブリッド化した素子４を示し、図１１はパワー素子Ｑ１、パワー素子Ｑ２、インピーダンスＺ１、コンデンサＣ１，Ｃ２、高周波パルスドライブ回路１及び可変型パルス信号発生回路２をハイブリッド化した素子４を示している。
また図１では、パワー素子Ｑ１，Ｑ２を用いてシングル構成とした場合の回路について示したが、これに限るものではなく、例えば図１２に示すように、パワー素子（第１のＦＥＴ、第２のＦＥＴ）Ｑ１，Ｑ１１及びパワー素子（第１の容量付加用ＦＥＴ、第２の容量付加用ＦＥＴ）Ｑ２，Ｑ１２を用いてプッシュプル構成とした場合にも同様に本発明を適用可能である。
なお、図１２に示すプッシュプル構成において、トランスＴ１は、１次側巻線及び２次側巻線を有するプッシュプル用のトランスである。また、インダクタＬ１は、一端に直流電圧Ｖｉｎが印加され、トランスＴ１の１次側巻線の中点の端子に他端が接続されている。また、パワー素子Ｑ１，Ｑ１１のＳ端子はそれぞれ接地されている。また、パワー素子Ｑ２はパワー素子Ｑ１に１つ以上並列接続され、同様に、パワー素子Ｑ１２はパワー素子Ｑ１１に１つ以上並列接続されている。また、パワー素子Ｑ１，Ｑ２に対して第１の共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）が設けられ、パワー素子Ｑ１１，Ｑ１２に対して第２の共振回路素子（コンデンサＣ１１，Ｃ１２及びインダクタＬ１２）が設けられている。ここで、コンデンサＣ１は、パワー素子Ｑ１及びパワー素子Ｑ２に並列接続されている。また、インダクタＬ２及びコンデンサＣ２は、トランスＴ１の１次側巻線の一端の端子とパワー素子Ｑ１のＤ端子及びパワー素子Ｑ２のＤ端子とを接続するように直列接続されている。同様に、コンデンサＣ１１は、パワー素子Ｑ１１及びパワー素子Ｑ１２に並列接続されている。また、インダクタＬ１２及びコンデンサＣ１２は、トランスＴ１の１次側巻線の他端の端子とパワー素子Ｑ１１のＤ端子及びパワー素子Ｑ１２のＤ端子とを接続するように直列接続されている。また、高周波パルスドライブ回路１は、２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号及び当該電圧信号に対して逆位相の電圧信号をそれぞれ出力する。そして、高周波パルスドライブ回路１の一方の電圧信号が出力される端子とパワー素子Ｑ１のＧ端子及びパワー素子Ｑ２のＧ端子とは、それぞれ同一のインピーダンスＺ１を有する第１の信号線で接続される。同様に、高周波パルスドライブ回路１の他方の電圧信号が出力される端子とパワー素子Ｑ１１のＧ端子及びパワー素子Ｑ１２のＧ端子とは、それぞれ同一のインピーダンスＺ１１を有する第２の接続線で接続される。
また図１では、共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）の定数が固定であり、共振条件が固定であるとして説明を行ったが、これに限るものではなく、例えば図１３に示すように、共振条件を可変とする共振条件可変型ＬＣ回路５を用いてもよい。また、例えば図１４に示すように、上記共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）による共振条件を可変させる共振条件可変回路６を別途設けるようにしてもよい。
実施の形態２．
実施の形態１では、少なくとも１つ以上のパワー素子Ｑ２をパワー素子Ｑ１に並列接続する場合について示したが、これに限るものではなく、例えば図１５に示すように、パワー素子Ｑ１及び自身の寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）の最適化を図るよう当該パワー素子Ｑ１に少なくとも１つ以上並列接続されたダイオードＤ１を備えるように構成してもよく、同様の効果を得ることができる。この場合のＶｄｓ波形は例えば図１６に示すようになる。なお、パワー素子Ｑ１及びダイオードＤ１は、図１６に示すようにＶｄｓの共振電圧の最大値がＶｉｎの３〜５倍になるような素子を選定する。また、その選定は、パワー素子Ｑ１の寄生容量（Ｃｄｓ＋Ｃｇｄ）、ダイオードＤ１の寄生容量Ｃ及びＶｇｓの立下り時間から最適化を図る。
また、ダイオードＤ１としてショットキーバリアダイオードを用いた場合には、消費電力をより低減させることができる。また、ダイオードＤ１を用いた場合での各部のハイブリッド化は、図３〜１１と同様に構成できる。
また、実施の形態１では少なくとも１つ以上のパワー素子Ｑ２をパワー素子Ｑ１に並列接続し、実施の形態２では少なくとも１つ以上のダイオードＤ１をパワー素子Ｑ１に並列接続する場合について示したが、これらを組み合わせてもよい。
また、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
この発明に係る共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路は、コンデンサを用いずにパワー素子の共振スイッチングのタイミングを調整することで、低消費電力で高効率化を図り、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能となり、高周波数で電力伝送を行う共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路等に用いるのに適している。
１ 高周波パルスドライブ回路、２ 可変型パルス信号発生回路、３ バイアス用電源回路、４ ハイブリッド化素子（共振型高周波電源装置用スイッチング回路）、５ 共振条件可変型ＬＣ回路、６ 共振条件可変回路、１０ 共振型送信アンテナ（電力伝送用送信アンテナ）。

Claims (10)

  1. 一端に直流電圧が印加されるインダクタと、
    前記インダクタの他端にドレイン端子が接続されたＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と、
    前記ＦＥＴに並列接続された１つ以上の容量付加用ＦＥＴと、
    前記ＦＥＴ及び前記容量付加用ＦＥＴに並列接続されたコンデンサ、及び電力伝送用アンテナが接続される一対の端子のうちの交流電圧が出力される端子と当該ＦＥＴのドレイン端子及び当該容量付加用ＦＥＴのドレイン端子とを接続する直列接続されたインダクタ及びコンデンサを有する共振回路素子と、
    ２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を出力する高周波パルスドライブ回路と、
    前記高周波パルスドライブ回路の前記電圧信号が出力される端子と前記ＦＥＴのゲート端子及び前記容量付加用ＦＥＴのゲート端子とをそれぞれ同一のインピーダンスで接続する信号線と
    を備えた共振型高周波電源装置。
  2. 前記ＦＥＴ及び前記容量付加用ＦＥＴは、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）用のＦＥＴ以外のＦＥＴである
    ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  3. 前記共振回路素子は共振条件を可変とする
    ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  4. 前記共振回路素子の共振条件を可変とする共振条件可変回路を備えた
    ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  5. １次側巻線及び２次側巻線を有するプッシュプル用のトランスと、
    一端に直流電圧が印加され、前記１次側巻線の中点の端子に他端が接続されたインダクタと、
    ソース端子が接地された第１のＦＥＴと、
    ソース端子が接地された第２のＦＥＴと、
    前記第１のＦＥＴに並列接続された１つ以上の第１の容量付加用ＦＥＴと、
    前記第２のＦＥＴに並列接続された１つ以上の第２の容量付加用ＦＥＴと、
    前記第１のＦＥＴ及び前記第１の容量付加用ＦＥＴに並列接続されたコンデンサ、及び前記１次側巻線の一端の端子と当該第１のＦＥＴのドレイン端子及び当該第１の容量付加用ＦＥＴとを接続する直列接続されたインダクタ及びコンデンサを有する第１の共振回路素子と、
    前記第２のＦＥＴ及び前記第２の容量付加用ＦＥＴに並列接続されたコンデンサ、及び前記１次側巻線の他端の端子と当該第２のＦＥＴのドレイン端子及び当該第２の容量付加用ＦＥＴとを接続する直列接続されたインダクタ及びコンデンサを有する第２の共振回路素子と、
    ２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号及び当該電圧信号に対して逆位相の電圧信号をそれぞれ出力する高周波パルスドライブ回路と、
    前記高周波パルスドライブ回路の一方の前記電圧信号が出力される端子と前記第１のＦＥＴのゲート端子及び前記第１の容量付加用ＦＥＴのゲート端子とをそれぞれ同一のインピーダンスで接続する第１の信号線と、
    前記高周波パルスドライブ回路の他方の前記電圧信号が出力される端子と前記第２のＦＥＴのゲート端子及び前記第２の容量付加用ＦＥＴのゲート端子とをそれぞれ同一のインピーダンスで接続する第２の信号線と
    を備えた共振型高周波電源装置。
  6. 前記第１のＦＥＴ、前記第２のＦＥＴ、前記第１の容量付加用ＦＥＴ及び前記第２の容量付加用ＦＥＴは、ＲＦ用のＦＥＴ以外のＦＥＴである
    ことを特徴とする請求項５記載の共振型高周波電源装置。
  7. 前記第１の共振回路素子及び前記第２の共振回路素子は共振条件を可変とする
    ことを特徴とする請求項５記載の共振型高周波電源装置。
  8. 前記第１の共振回路素子の共振条件を可変とする第１の共振条件可変回路と、
    前記第２の共振回路素子の共振条件を可変とする第２の共振条件可変回路とを備えた
    ことを特徴とする請求項５記載の共振型高周波電源装置。
  9. ドレイン端子に直流電圧が印加されるＦＥＴと、
    前記ＦＥＴに並列接続された１つ以上の容量付加用ＦＥＴと、
    ２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を出力する高周波パルスドライブ回路と、
    前記高周波パルスドライブ回路の前記電圧信号が出力される端子と前記ＦＥＴのゲート端子及び前記容量付加用ＦＥＴのゲート端子とをそれぞれ同一のインピーダンスで接続する信号線と
    を備えた共振型高周波電源装置用スイッチング回路。
  10. 前記ＦＥＴ及び前記容量付加用ＦＥＴに並列接続されたコンデンサを備えた
    ことを特徴とする請求項９記載の共振型高周波電源装置用スイッチング回路。
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