JP5768610B2 - Electrical unit - Google Patents
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Description
本発明は、電装ユニットに関する。 The present invention relates to an electrical unit.
従来、樹脂材料によりモールド成形された半導体素子モジュールを、更に樹脂材料によりインサート成形する技術が知られている。
下記特許文献1には、第1樹脂材料によりモールド成形したセンサユニットに対して、第2樹脂材料によりインサート成形してなる樹脂モールド半導体センサが記載されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a technique is known in which a semiconductor element module molded with a resin material is further insert-molded with a resin material.
Patent Document 1 listed below describes a resin molded semiconductor sensor formed by insert molding with a second resin material for a sensor unit molded with a first resin material.
この特許文献1では、第1モールド工程において、半導体センサ素子等がモールド樹脂により封止されることにより、直方体状のモールド樹脂からコネクタピンが突出する形態となっている。そして、第2モールド工程において、センサユニットを金型内に保持した後、金型内に樹脂材料を注入することにより、樹脂モールド半導体センサがインサート成形される。 In this patent document 1, in a 1st mold process, a semiconductor sensor element etc. are sealed with mold resin, and it has a form which a connector pin protrudes from a rectangular parallelepiped mold resin. In the second molding step, after the sensor unit is held in the mold, a resin material is injected into the mold, whereby the resin molded semiconductor sensor is insert-molded.
ところで、インサート成形において、金型内に樹脂材料を注入する場合、金型内において樹脂材料が流入する側に位置する部材には、流入してくる樹脂材料から圧力を受けることになる。特に、特許文献1のように、センサユニットの側面を構成するモールド樹脂が直方体状であると、モールド樹脂の側面と、樹脂材料の流入方向が直交する位置関係となりやすく、樹脂材料の流入時に、モールド樹脂の側面に強い圧力が生じやすい。そのため、この圧力により内部の半導体センサ等が破損することが懸念される。 By the way, in the case of insert molding, when a resin material is injected into a mold, a member located on the side where the resin material flows in the mold receives pressure from the resin material flowing in. In particular, as in Patent Document 1, when the mold resin constituting the side surface of the sensor unit is a rectangular parallelepiped shape, the side surface of the mold resin and the inflow direction of the resin material are likely to be orthogonal to each other. Strong pressure tends to be generated on the side surface of the mold resin. Therefore, there is a concern that the internal semiconductor sensor or the like may be damaged by this pressure.
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、インサート成形時の樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能な電装ユニットを提供することを目的とする。 This invention is completed based on the above situations, Comprising: It aims at providing the electrical equipment unit which can prevent the malfunction of the semiconductor element module by the pressure of the resin material at the time of insert molding .
本発明は、半導体素子を第1モールド樹脂部で封止した半導体素子モジュールを金型内に配し、前記金型に設けられた流入口から第2樹脂材料を前記金型内に流入させて行うインサート成形により第2モールド樹脂部が前記第1モールド樹脂部を包囲するように形成される電装ユニットであって、前記半導体素子モジュールは、前記半導体素子と電気的に接続される複数の端子を備え、前記第1モールド樹脂部は、前記端子の並び方向に沿った扁平な形状をなし、前記第1モールド樹脂部のうち前記端子の並び方向における端部には、当該端部を先細とする先細部が形成されており、この先細部は、前記金型における前記流入口に対応する位置に設けられており、前記第1モールド樹脂部には、前記端子の並び方向に沿った方向に延びる溝部が形成されており、前記溝部は、前記先細部の傾斜面まで延設されているところに特徴を有する。 According to the present invention, a semiconductor element module in which a semiconductor element is sealed with a first mold resin portion is arranged in a mold, and a second resin material is caused to flow into the mold from an inlet provided in the mold. An electrical unit formed so that a second mold resin portion surrounds the first mold resin portion by insert molding performed, wherein the semiconductor element module has a plurality of terminals electrically connected to the semiconductor element. And the first mold resin portion has a flat shape along the terminal arrangement direction, and the end portion of the first mold resin portion in the terminal arrangement direction is tapered. taper is formed, the tapered is provided at a position corresponding to the inlet of the mold, wherein the first mold resin portion, a groove portion extending in a direction along the arrangement direction of the terminal Is formed, the groove has a characterized in that is extended to the inclined surface of the tapered portion.
本構成によれば、半導体素子モジュールを金型内に配してインサート成形する際に、金型に設けられた流入口から第2樹脂材料を流入させれば、この流入口と対応する位置に設けられた先細部の形状により第2樹脂材料の圧力を分散することが可能になる。よって、インサート成形時の第2樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能になる。
また、インサート成形によって第1モールド樹脂部及び第2モールド樹脂部が密着されるため、内部の半導体素子モジュールの放熱性を向上させることが可能になる。
また、インサート成形の際に、第2樹脂材料を溝部に通して流すことができる。
また、流入口から流入した第2樹脂材料を効率的に先細部の傾斜面から溝部を通るように流すことが可能になる。
According to this configuration, when the semiconductor element module is placed in the mold and insert-molded, if the second resin material is introduced from the inlet provided in the mold, the semiconductor element module is placed at a position corresponding to the inlet. It becomes possible to disperse the pressure of the second resin material due to the shape of the provided taper. Therefore, it becomes possible to prevent the malfunction of the semiconductor element module due to the pressure of the second resin material at the time of insert molding.
Further, since the first mold resin part and the second mold resin part are brought into close contact with each other by insert molding, it is possible to improve the heat dissipation of the internal semiconductor element module.
Further, the second resin material can be passed through the groove during insert molding.
In addition, the second resin material flowing in from the inflow port can be efficiently passed from the tapered surface of the fine detail so as to pass through the groove portion.
上記構成に加えて以下の構成を有すればより好ましい。 It is more preferable to have the following configuration in addition to the above configuration .
・前記半導体素子は、半導体ベアチップであり、前記半導体素子と前記端子側の部分とがボンディングワイヤで接続されている。
このようにすれば、第1モールド樹脂部内におけるボンディングワイヤの接続部分について、第2モールド樹脂部の流入時の圧力による不具合を防止することができる。
The semiconductor element is a semiconductor bare chip, and the semiconductor element and the terminal side portion are connected by a bonding wire.
If it does in this way, the malfunction by the pressure at the time of the inflow of the 2nd mold resin part can be prevented about the connection part of the bonding wire in the 1st mold resin part.
・前記金型には、前記第2樹脂材料を外部に流出させる流出口が設けられており、前記先細部は、前記半導体素子モジュールにおける前記端子の並び方向の両端部にそれぞれ設けられており、前記端子の並び方向における一方の端部に設けられた先細部が前記流入口に対応する位置に設けられるとともに、前記端子の並び方向における他方の端部に設けられた先細部が前記流出口に対応する位置に設けられている。
このようにすれば、第2樹脂材料を容易に金型の外部に流出させることが可能になる。
-The mold is provided with an outlet through which the second resin material flows out to the outside, and the tapered portions are respectively provided at both ends of the semiconductor element module in the arrangement direction of the terminals, A taper provided at one end in the terminal arrangement direction is provided at a position corresponding to the inflow port, and a taper provided at the other end in the terminal arrangement direction is provided at the outlet. It is provided at the corresponding position.
In this way, the second resin material can easily flow out of the mold.
本発明によれば、電装ユニットについて、インサート成形時の樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to prevent the malfunction of a semiconductor element module by the pressure of the resin material at the time of insert molding about an electrical equipment unit.
<実施形態1>
本発明の実施形態1を、図1ないし図11を参照しつつ説明する。
本実施形態における電装ユニット10は、車両における電源と、ランプ、モータ等の電装品との間に配されて、電装品への通電及び断電を実行するものである。以下では、上下方向については、図1を基準とし、左右方向については、図4を基準とし、図4の紙面手前側を前方、紙面奥方を後方として説明する。
<Embodiment 1>
Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.
The electrical unit 10 according to the present embodiment is arranged between a power source in a vehicle and electrical components such as a lamp and a motor, and performs energization and disconnection of the electrical components. In the following, the vertical direction will be described with reference to FIG. 1, and the horizontal direction will be described with reference to FIG. 4, with the front side of FIG.
(電装ユニット)
電装ユニット10は、図1に示すように、回路基板11と、回路基板11が装着されるユニット本体20と、ユニット本体20の上部に被せられるカバー44とを備えて構成されている。
(Electrical unit)
As shown in FIG. 1, the electrical unit 10 includes a
(回路基板)
回路基板11は長方形状をなしており、表面及び裏面の双方にプリント配線技術により導電路(図示しない)が形成されている。
この回路基板11には、多数の端子挿通孔12と、ユニット本体20に位置決めするための位置決め孔13と、回路基板11をユニット本体20にネジ留めするための取付孔14とが形成されている。
(Circuit board)
The
The
端子挿通孔12は、ユニット本体20の上部に設けられた基板接続端子25Bに対応した位置に貫通形成されている。この端子挿通孔12に基板接続端子25Bが挿通されるとともに、基板接続端子25Bと回路基板11の導電路とがフロー半田付けにより電気的に接続される。
The
位置決め孔13は、ユニット本体20の上面から突出する位置決め凸部42に対応した位置に貫通形成されている。
取付孔14は、回路基板11における長手方向の両端部に設けられている。
回路基板11の裏面には、制御IC等の電子部品(図示しない)が実装されて導電路に接続されている。制御ICは、後述する半導体素子モジュール21に備えられた半導体スイッチング素子22のオンオフを制御する。
The
The
An electronic component (not shown) such as a control IC is mounted on the back surface of the
(ユニット本体)
ユニット本体20は、後述する第1モールド樹脂部26を有する半導体素子モジュール21を金型50内に配し、第2樹脂材料を金型50内に流入させるインサート成形を行うことにより形成されるものであり、第2樹脂材料によりユニット本体20の外装を構成する第2モールド樹脂部33が形成される。
(Unit body)
The
(半導体素子モジュール)
半導体素子モジュール21は、半導体素子モジュール21Aと半導体素子モジュール21Bとからなる。
半導体素子モジュール21Aは、図10に示すように、半導体スイッチング素子22(本発明の構成である「半導体素子」の一例)と、半導体スイッチング素子22が載置されるT字状の入力バスバー23と、下方側に並んで設けられ半導体スイッチング素子22とボンディングワイヤ31で接続される出力バスバー24と、上方側に並んで設けられ半導体スイッチング素子22とボンディングワイヤ32で接続される基板接続部25と、半導体スイッチング素子22を覆う第1モールド樹脂部26とを備えて構成されている。
(Semiconductor element module)
The
As shown in FIG. 10, the
半導体スイッチング素子22は、電極パッドを有する裸の半導体チップ(ベアチップ)であり、例えばN形パワーMOSFETが用いることができる。MOSFETの表面(前面)側には、出力側の電力パッド(ソース)と制御パッド(ゲート)が設けられ、裏面(後面)側には、入力側の電力パッド(ドレイン)が設けられている。
The
入力側の電力パッドは、入力バスバー23に半田付けにより接続されている。
出力側の電力パッドは、ボンディングワイヤ31の一端側に接続されており、ボンディングワイヤ31の他端側は、出力バスバー24に半田付けにより接続されている。
The power pad on the input side is connected to the
The power pad on the output side is connected to one end side of the
MOSFETの制御パッドは、ボンディングワイヤ32の一端側に接続されており、ボンディングワイヤ32の他端側は、基板接続端子25Bに半田付けにより接続されている。
The control pad of the MOSFET is connected to one end side of the
入力バスバー23は、左右に延びて複数の半導体スイッチング素子22が並んで配される素子載置部23Aと、素子載置部23Aの左右方向における中間部付近から下方に延出される入力端子23Bとを備えて構成されている。なお、素子載置部23Aの左端部には、上方に延びる基板接続端子25Bが形成されている。
The
出力バスバー24は、入力バスバー23における素子載置部23Aの下方に複数設けられており、左右方向に延びるワイヤ接続部24Aと、下方に延びる出力端子24Bとを備えて構成されている。なお、左右の両端に位置する出力バスバー24には、その側端部に上方に延びる基板接続端子25Bが形成されている。
ワイヤ接続部24Aは、ボンディングワイヤ31の一端側に接続されるボンディングパッドとなる。
入力端子23B及び出力端子24Bは、その先端側が第1モールド樹脂部26の下端から突き出されている。
A plurality of
The
The
基板接続部25は、ボンディングワイヤ31,32を接続可能なワイヤ接続部25Aと、このワイヤ接続部25Aを基端部として棒状に突出する基板接続端子25Bとからなる。
The
ワイヤ接続部25Aは、直方体状であって、基板接続端子25Bよりも太径となっており、その全体が第1モールド樹脂部26内に埋設されている。このワイヤ接続部25Aの一面がボンディングワイヤ32の一端側に接続されるボンディングパッドとなる。
基板接続端子25Bは、断面が長方形状であり、第1モールド樹脂部26の上端よりも上方に形成されている。
The
The
ボンディングワイヤ31,32は、例えばアルミニウム製が用いられており、このボンディングワイヤ31,32を用いて行うワイヤボンディングは、例えば超音波接続により行うことができる。なお、ボンディングワイヤ31は、ボンディングワイヤ32よりもやや太くなっている。
The
第1モールド樹脂部26は、例えばエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂材料が用いられており、図2に示すように、端子23B,24B,25Bの並び方向に沿った方向に延びる扁平な形状をなす。
The first
より詳しくは、第1モールド樹脂部26は、ほぼ一定の断面形状で左右に延びる板状部27と、板状部27の左右方向の両端部に設けられ、板状部27を先細形状とする先細部28A,28Bとを有する。
板状部27の両面には、左右方向に水平に延びる溝部30が形成されている。この溝部30は、前面側については間隔を空けて2本設けられ、後面側については、上下方向の中間部に一本設けられている。これらの溝部30は、共に、その端部が、先細部28A,28B(の傾斜面29B,29D)の部分まで延設されている。
More specifically, the first
先細部28A,28Bは、板状部27の上下の面27A,27C及び左右の面27B,27D(外周面)に連なる傾斜面29A〜29Dを有することにより、第1モールド樹脂部26の端部を(傾斜状に)先細にして形成されている。
傾斜面29A〜29Dの傾斜角度は、板状部27の対応する各面27A〜27Dの延出方向に対して概ね45度よりやや小さい角度である。
先細部28A,28Bの先端(の端面)は、ほぼ平坦な平坦部29Eとされている。
The tapered portions 28 </ b> A and 28 </ b> B have inclined surfaces 29 </ b> A to 29 </ b> D connected to the upper and
The inclination angles of the
The tips (end surfaces) of the
なお、半導体素子モジュール21Bは、概ね上記した半導体素子モジュール21Aの左右方向の長さを小さくして端子数を少なくしたものであり、先細部28A,28B等を備える点は、半導体素子モジュール21Aと同じであり、説明は省略する。
Note that the
(第2モールド樹脂部)
第2モールド樹脂部33は、例えばポリブチレンテレフタレート(PBT)からなる熱可塑性樹脂が用いられており、図1に示すように、この第2モールド樹脂部33の下側は、下方に開口するコネクタハウジング34とされており、このコネクタハウジング34に相手側コネクタ(図示しない)が嵌合される。相手側コネクタは図示しないワイヤーハーネスを介して電源、電装品等と電気的に接続されている。
(Second mold resin part)
For example, a thermoplastic resin made of polybutylene terephthalate (PBT) is used for the second mold resin portion 33. As shown in FIG. 1, the lower side of the second mold resin portion 33 is a connector that opens downward. The
半導体素子モジュール21における第1モールド樹脂部26の下端から突き出された入力端子23B及び出力端子24Bは、筒状に開口するコネクタハウジング34内に突出している。
第2モールド樹脂部33の上面には、位置決め孔13に嵌め込まれる位置決め凸部42が周縁部に複数設けられている。
The
On the upper surface of the second mold resin portion 33, a plurality of positioning
第2モールド樹脂部33の上面における幅方向の両端部には、内壁部35が起立しており、内壁部35の外面には外方に突出するロック突部36が形成されている。
第2モールド樹脂部33の角部には、端子モジュール39が装着される装着凹部37が形成されている。
装着凹部37は、上面側の開口から端子40を収容可能な端子収容室38が複数並んで形成されている。
A mounting
The mounting
端子モジュール39は、2列に並んだ複数の端子40を合成樹脂からなる保持部41で保持して構成されている。端子モジュール39が装着凹部37に装着されると、複数の端子40の下端側が、筒状に開口するコネクタハウジング34内に突出するとともに、端子40の上端側は、回路基板11の端子挿通孔12に挿通されて半田付けされる。
The
カバー44は、長方形状であって、その周縁が下方に突き出た形状の周壁部45が形成されており、この周壁部45の左右の部分が、第2モールド樹脂部33の内壁部35に外嵌する。
周壁部45の左右の部分には、ロック突部36と対応する位置に、ロック突部に外嵌してロック突部36と弾性的に係合するロック受け部46が形成されている。ロック突部36とロック受け部46とが弾性的に係合することにより、カバー44がユニット本体20の上部に被せられる。
The
Lock receiving
金型50は、図11に示すように、上型51と下型52とからなり、金型50の内部は、第2モールド樹脂部33の形状に応じて樹脂充填凹部53が形成されている。
この金型50における上型51と下型52とを嵌め合わせると、上型51と下型52との境界部分に、第2樹脂材料を金型50内に流し込むための流入路54と、第2樹脂材料を金型50内から外部に放出するための流出路55とが形成される。
As shown in FIG. 11, the
When the
流入路54の終端は、流入口54Aとされており、流出路55の始端は、流出口55Aとされている。
ここで、これら流入口54A及び流出口55Aは、半導体素子モジュール21Aが金型50内に保持されると、流入口54Aが半導体素子モジュール21における第1モールド樹脂部26の右端部(端子の並び方向の一方の端部)に設けられた先細部28Aの近傍(先細部28Aに対応する位置)に位置するとともに、流出口55Aが半導体素子モジュール21における第1モールド樹脂部26の左端部(端子の並び方向の他方の端部)に設けられた先細部28Bの近傍(先細部28Bに対応する位置)に位置するように構成されている。
The end of the
Here, when the
次に、電装ユニット10の製造方法について説明する。
半導体スイッチング素子22を入力バスバー23の素子載置部23Aにリフロー工程により半田付けして入力側の電力パッド(ドレイン)と入力バスバー23とを電気的に接続するとともに、出力側の電力パッド(ソース)と出力バスバー24のワイヤ接続部24Aとの間を、ボンディングワイヤ31を用いて超音波でワイヤボンディングする。また、制御パッド(ゲート)と基板接続部25の対応するワイヤ接続部25Aとの間を、ボンディングワイヤ32を用いて超音波でワイヤボンディングする(図10)。
Next, a method for manufacturing the electrical unit 10 will be described.
The
そして、これを金型(図示しない)内に配して、第1樹脂材料を金型に流し込んで第1モールド樹脂部26を形成した半導体素子モジュール21Aとする(図2)。
次に、図11に示すように、この半導体素子モジュール21を、下型52に配し、上型51で挟み込んで金型50内に端子23B,24B,25Bを保持して位置決めする。このとき、先細部28Aは、金型50に設けられた流入口54Aの近傍(流入口54Aと対応する位置)に配され、先細部28Bは、金型50に設けられた流出口55Aの近傍(流出口55Aと対応する位置)に配される。
Then, this is placed in a mold (not shown), and the first resin material is poured into the mold to form a
Next, as shown in FIG. 11, the
次に、流入路54に(矢印X1方向から)第2樹脂材料を流し込むと、第2樹脂材料が流入口54Aから先細部28Aに向けて流し込まれ、半導体素子モジュール21と樹脂充填凹部53との間を通り(溝部30を通って)先細部28B側に至る。ここから流出口55Aに流れ込み流出路55を通って(矢印X2方向から)外部に放出される。
Next, when the second resin material is poured into the inflow path 54 (from the direction of the arrow X1), the second resin material is poured from the
次に、流し込んだ第2樹脂材料が金型50内で固まったら、上型51及び下型52から第2モールド樹脂部33で包囲された半導体素子モジュール21を取り出し、流入路54及び流出路55の部分に残された不要な第2樹脂材料を第2モールド樹脂部33から切り取ることにより、ユニット本体20が形成される。
Next, when the poured second resin material is hardened in the
次に、図1に示すように、ユニット本体20の各基板接続端子25Bを、回路基板11の各端子挿通孔12に通すとともに、位置決め凸部42を位置決め孔13に嵌め込んで回路基板11をユニット本体20の上部に位置決めする。
また、回路基板11の各取付孔14にネジ56を通して第2モールド樹脂部33の取付部43にネジ留めする。これにより、回路基板11がユニット本体20に固定される。
そして、回路基板11の上面から突き出された各基板接続端子25Bを回路基板11の導電路にフロー半田付けする。
Next, as shown in FIG. 1, each
Further, screws 56 are passed through the mounting
Then, each
次に、カバー44をユニット本体20の上方から被せて、カバー44のロック受け部46を、ユニット本体20のロック突部36と弾性的に係合させる。これにより、電装ユニット10が形成される。
Next, the
本実施形態によれば、以下の作用及び効果を奏する。
(1)半導体スイッチング素子22(半導体素子)を第1モールド樹脂部26で封止した半導体素子モジュール21A(21)を金型50内に配し、金型50に設けられた流入口54Aから第2樹脂材料を金型50内に流入させて行うインサート成形により第2モールド樹脂部33が第1モールド樹脂部26を包囲するように形成される電装ユニット10であって、半導体素子モジュール21Aは、半導体スイッチング素子22と電気的に接続される複数の端子23B,24B,25Bを備え、第1モールド樹脂部26は、端子23B,24B,25Bの並び方向に沿った扁平な形状をなし、第1モールド樹脂部26のうち右端部(端子の並び方向における端部)には、当該端部を先細とする先細部28Aが形成されており、この先細部28Aは、金型50における流入口54Aの近傍(流入口54Aに対応する位置)に設けられている。
According to this embodiment, the following operations and effects are achieved.
(1) The
本実施形態によれば、半導体素子モジュール21Aを金型50内に配してインサート成形(インサートモールド)する際に、金型50に設けられた流入口54Aから第2樹脂材料を流入させれば、この流入口54Aの近傍(流入口54Aに対応する位置)に設けられた先細部28Aの形状により第2樹脂材料の圧力を分散することが可能になる。よって、インサート成形時の第2樹脂材料の圧力による半導体素子モジュール21Aの不具合を防止することが可能になる。
また、インサート成形によって第1モールド樹脂部26および第2モールド樹脂部33が密着されるため、内部の半導体素子モジュール21の放熱性を向上させることが可能になる。
According to the present embodiment, when the
Further, since the first
(2)第1モールド樹脂部26には、端子23B,24B,25Bの並び方向に沿った方向に延びる溝部30が形成されている。
このようにすれば、インサート成形の際に、第2樹脂材料を溝部30に通して流すことができる。
(2) The first
If it does in this way, the 2nd resin material can be flowed through the
(3)溝部30は、先細部28A,28Bの傾斜面29B,29Dまで延設されている。
このようにすれば、流入口54Aから流入した第2樹脂材料を効率的に先細部28Aの傾斜面29B,29Dから溝部30を通るように流すことが可能になる。
(3) The
If it does in this way, it will become possible to flow the 2nd resin material which flowed in from
(4)半導体スイッチング素子22は、半導体ベアチップであり、半導体スイッチング素子22と端子側の部分とがボンディングワイヤ31,32で接続されている。
このようにすれば、第1モールド樹脂部26内におけるボンディングワイヤ31,32の接続部分について、第2モールド樹脂部33の流入時の圧力による不具合を防止することができる。
(4) The
If it does in this way, the malfunction by the pressure at the time of the inflow of the 2nd mold resin part 33 can be prevented about the connection part of the
(5)金型50には、第2樹脂材料を外部に流出させる流出口55Aが設けられており、先細部28A,28Bは、半導体素子モジュール21における第1モールド樹脂部26の左右方向(端子の並び方向)の両端部にそれぞれ設けられており、右端部(端子の並び方向における一方の端部)に設けられた先細部28Aが流入口54Aの近傍(流入口54Aに対応する位置)に設けられるとともに、左端部(端子の並び方向における他方の端部)に設けられた先細部28Bが流出口55Aの近傍(流出口55Aに対応する位置)に設けられている。
このようにすれば、第2樹脂材料を容易に金型50の外部に流出させることが可能になる。
(5) The
In this way, the second resin material can easily flow out of the
<実施形態2>
実施形態2を図12を参照して説明する。以下では、実施形態1と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態1では、第2モールド樹脂部33を形成するために、金型50に第2樹脂材料の流入口54A及び流出口55Aを設けたが、実施形態2では、実施形態1と異なり、第2モールド樹脂部33を形成するために、金型60に第2樹脂材料の流入口54Aのみを設け、第2樹脂材料の流出口55Aを設けないこととしたものである。したがって、金型60の左端側は、閉塞された形状となっている。他の構成については実施形態1と同一である。
<Embodiment 2>
A second embodiment will be described with reference to FIG. In the following, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
In the first embodiment, in order to form the second mold resin portion 33, the
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施形態では、電装ユニット10は、2個の半導体素子モジュール21A,21Bを備える構成としたが、これに限らず、電装ユニットを、半導体素子モジュールが1個、又は、3個以上備えられるように構成してもよい。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the embodiments described with reference to the above description and drawings. For example, the following embodiments are also included in the technical scope of the present invention.
(1) In the said embodiment, although the electrical equipment unit 10 was set as the structure provided with two
(2)上記実施形態では、第1モールド樹脂部26の左右の両端部に先細部28A,28Bを設けたが、第2樹脂材料の流入口54Aに対応する位置に先細部28Aのみを設け、先細部28Bを設けないようにしてもよい。
(2) In the above embodiment, the
(3)第2樹脂材料の流入口54Aや流出口55Aに対応する位置として、流入口54Aや流出口55Aの近傍に先細部28A,28Bを設けたが、流入口54Aや流出口55Aの必ずしも近傍でなくともよい。例えば、流入口54Aや流出口55Aから若干離れるものの第2樹脂材料の流れ込む方向や流れ出る方向に先細部28A,28Bを設け、第2樹脂材料が比較的強い圧力で先細部28A側に流入したり先細部28B側から流出したりするように構成するものでもよい。
(3) The tapered
(4)上記実施形態では、半導体スイッチング素子22として、N型MOSFETを用いたが、これに限られない。例えば、P型MOSFETや、トランジスタ等の他のスイッチング素子を用いることが可能である。また、半導体スイッチング素子以外のスイッチング機能を有さない半導体素子を用いることも可能である。
(5)上記実施形態では、板状部27の全ての面27A〜27Dに対応して傾斜面29A〜29Dを設けたが、これに限らず、板状部27の面27A〜27Dのうちのいずれか1ないし3面に対応する1ないし3面の傾斜面を設けて先細部とするようにしてもよい。
(6)上記実施形態では、半導体素子モジュール21Aを金型50内に配して第2樹脂材料を流入させるインサート成形を行うこととしたが、このインサート成形を、第2樹脂材料に圧力をかけて金型50内に流入させる射出成形としてもよい。これにより、流入口54Aの近傍に設けられた先細部28Aの形状により第2樹脂材料の強い圧力を分散させることが可能になるため、よりインサート成形時の第2樹脂材料の圧力による半導体素子モジュール21Aの不具合を防止することができる。
(4) Although the N-type MOSFET is used as the
(5) In the said embodiment, although
(6) In the above embodiment, the
10…電装ユニット
11…回路基板
12…端子挿通孔
20…ユニット本体
21(21A,21B)…半導体素子モジュール
22…半導体スイッチング素子(半導体素子)
23…入力バスバー
23A…素子載置部
23B…入力端子
24…出力バスバー
24A…ワイヤ接続部
24B…出力端子
25…基板接続部
25A…ワイヤ接続部
25B…基板接続端子
26…第1モールド樹脂部
27…板状部
27A〜27D…板状部の面
28A,28B…先細部
29A〜29D…傾斜面
30…溝部
31,32…ボンディングワイヤ
33…第2モールド樹脂部
34…コネクタハウジング
50,60…金型
51…上型
52…下型
53…樹脂充填凹部
54…流入路
54A…流入口
55…流出路
55A…流出口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ...
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記半導体素子モジュールは、
前記半導体素子と電気的に接続される複数の端子を備え、
前記第1モールド樹脂部は、前記端子の並び方向に沿った扁平な形状をなし、
前記第1モールド樹脂部のうち前記端子の並び方向における端部には、当該端部を先細とする先細部が形成されており、この先細部は、前記金型における前記流入口に対応する位置に設けられており、
前記第1モールド樹脂部には、前記端子の並び方向に沿った方向に延びる溝部が形成されており、前記溝部は、前記先細部の傾斜面まで延設されている電装ユニット。 Insert molding is performed by placing a semiconductor element module in which a semiconductor element is sealed with a first mold resin portion in a mold and allowing a second resin material to flow into the mold from an inlet provided in the mold. An electrical unit formed so that the second mold resin part surrounds the first mold resin part,
The semiconductor element module is
A plurality of terminals electrically connected to the semiconductor element;
The first mold resin portion has a flat shape along the arrangement direction of the terminals,
A taper that tapers the end is formed at an end of the first mold resin portion in the terminal arrangement direction, and the taper is at a position corresponding to the inlet in the mold. Provided ,
In the first mold resin portion, a groove portion extending in a direction along the arrangement direction of the terminals is formed, and the groove portion is extended to the inclined surface of the tapered portion .
前記先細部は、前記半導体素子モジュールにおける前記端子の並び方向の両端部にそれぞれ設けられており、前記端子の並び方向における一方の端部に設けられた先細部が前記流入口に対応する位置に設けられるとともに、前記端子の並び方向における他方の端部に設けられた先細部が前記流出口に対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電装ユニット。 The mold is provided with an outlet through which the second resin material flows out.
The tapered portions are respectively provided at both ends of the semiconductor element module in the terminal arranging direction, and the tapered portions provided at one end in the terminal arranging direction are at positions corresponding to the inflow ports. The electrical unit according to claim 1 or 2 , wherein a tapered portion provided at the other end in the arrangement direction of the terminals is provided at a position corresponding to the outlet. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011195133A JP5768610B2 (en) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | Electrical unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011195133A JP5768610B2 (en) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | Electrical unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013058549A JP2013058549A (en) | 2013-03-28 |
JP5768610B2 true JP5768610B2 (en) | 2015-08-26 |
Family
ID=48134194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011195133A Expired - Fee Related JP5768610B2 (en) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | Electrical unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5768610B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6847733B2 (en) * | 2017-03-30 | 2021-03-24 | ニチコン株式会社 | Capacitor device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5535810Y2 (en) * | 1976-05-11 | 1980-08-23 | ||
JPH03122545U (en) * | 1990-03-28 | 1991-12-13 | ||
JPH0461362A (en) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resin-sealed semiconductor and formation thereof therefor |
JPH0730016A (en) * | 1993-06-24 | 1995-01-31 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device with heat sink and method of manufacturing the same |
JP2963832B2 (en) * | 1993-10-19 | 1999-10-18 | 新電元工業株式会社 | Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device |
JP2001185658A (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7067905B2 (en) * | 2002-08-08 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices including first and second casings |
US7777354B2 (en) * | 2007-06-05 | 2010-08-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with leaded package |
-
2011
- 2011-09-07 JP JP2011195133A patent/JP5768610B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013058549A (en) | 2013-03-28 |
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