JP5722557B2 - 環状カルボジイミド化合物 - Google Patents
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Description
1. 下記式(i)で表される環状カルボジイミド化合物。
2. Ar1〜Ar2は各々独立に、置換基で置換されていてもよい、オルトフェニレン基または1,2−ナフタレン−ジイル基である前項1記載の化合物。
3. (1)下記式(a−1)の化合物、下記式(a−2)の化合物および下記式(b−1)の化合物を反応させ、下記式(c)のニトロ体を得る工程(1a)、
本発明において、ハロゲン原子として、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
(2)得られたニトロ体を還元して下記式(d)で表されるアミン体を得る工程(2a)、
(3)得られたアミン体とトリフェニルホスフィンジブロミドを反応させ下記式(e−1)で表されるトリフェニルホスフィン体を得る工程(3a)、
および
(4)得られたトリフェニルホスフィン体を反応系中でイソシアネート化した後、直接脱炭酸させ下記式(f)の化合物を得る工程(4a)、
を含む前項1記載の環状カルボジイミド化合物の製造方法。
4. 工程(1a)が、下記式(a−i)の化合物、下記式(a−ii)の化合物および下記式(b−i)の化合物を反応させる工程(1b)である前項3記載の方法。
5. 工程(3a)が、アミン体と二酸化炭素または二硫化炭素とを反応させ下記式(e−2)で表されるウレア体またはチオウレア体を得る工程(3b)であり、
工程(4a)が、得られたウレア体を脱水させ、またはチオウレア体を脱硫させる工程(4b)である、前項3または4記載の製造方法。
6. 上記1記載の式(i)で表される環状カルボジイミド化合物を有効成分とする、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の高分子化合物の末端封止剤。
7. 上記1記載の式(i)で表される環状カルボジイミド化合物を有効成分とする、カルボキシル基、スルホン酸基、スルフィン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸性基の捕捉剤。
さらに本発明の環状カルボジイミド化合物は、環状構造を有することにより、線状カルボジイミド化合物に比較して、より温和な条件で、末端封止できる利点を有する。
線状カルボジイミド化合物(R1−N=C=N−R2)を、カルボキシ基末端を有する高分子化合物の末端封止剤として用いると以下の式で表されるような反応となる。式中Wは高分子化合物の主鎖である。線状カルボジイミド化合物がカルボキシ基と反応することにより、高分子化合物の末端にはアミド基が形成され、イソシアネート化合物(R1NCO)が遊離される。
芳香族基としては、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基等が例示される。
本発明の環状カルボジイミド化合物として、下記式(f)の単環の化合物が挙げられる。
即ち、下記式で表される化合物が好ましい。
本発明の環状カルボジイミド化合物として以下のような化合物が例示される。
本発明の単環のカルボジイミド化合物(f)は、以下の(1)〜(4)の工程により製造することができる。
具体的には、カルボジイミド化合物(f)は、以下の経路で製造することができる。
(スキーム1)工程(1a)−工程(2a)−工程(3a)−工程(4a)
(スキーム2)工程(1a)−工程(2a)−工程(3b)−工程(4b)
(スキーム3)工程(1b)−工程(2a)−工程(3b)−工程(4b)
(スキーム4)工程(1b)−工程(2a)−工程(3a)−工程(4a)
工程(1a)は、下記式(a−1)の化合物、下記式(a−2)の化合物および下記式(b−1)の化合物を反応させ、下記式のニトロ体(c)を得る工程である。
E1およびE2は各々独立に、ハロゲン原子、トルエンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基およびp−ブロモベンゼンスルホニルオキシ基からなる群から選ばれる基である。ハロゲン原子として、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
反応は従来公知なエーテル合成法を用いることができ、例えば式(a−1)で表される化合物、式(a−2)で表される化合物および式(b−1)で表される化合物を、塩基性化合物の存在下、溶媒中で反応させるウィリアムソン反応等が使用される。
塩基性化合物としては、水素化ナトリウム、金属ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等が使用される。溶媒としてはN,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、テトラヒドロフラン等が使用される。反応温度は25℃〜150℃の範囲が好適に使用される。また、反応は上記条件で十分速やかに進行するが、反応を促進させるために相間移動触媒を加えることもできる。
工程(1b)は、下記式(a−i)の化合物、下記式(a−ii)の化合物および下記式(b−i)の化合物を反応させ下記式(c)のニトロ体を得る工程である。
反応は従来公知なエーテル合成法を用いることができ、例えば式(a−i)で表される化合物、式(a−ii)で表される化合物および式(b−i)で表される化合物を塩基性化合物の存在下、溶媒中で反応させるウィリアムソン反応等が使用される。
塩基性化合物としては、水素化ナトリウム、金属ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等が使用される。溶媒としてはN,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、テトラヒドロフラン等が使用される。反応温度は25℃〜150℃の範囲が好適に使用される。また、反応は上記条件で進行するが、反応を促進させるために相間移動触媒を加えることが好ましい。相間移動触媒としては、テトラブチルアンモニウム塩、トリオクチルメチルアンモニウム塩、ベンジルジメチルオクタデシルアンモニウム塩、クラウンエーテル等が使用される。
工程(2)は、得られたニトロ体(c)を還元して下記式のアミン体(d)を得る工程である。
反応は従来公知な方法を用いることができ、例えば、ニトロ体(c)を、水素および触媒の存在下、溶媒中で接触還元する方法が使用される。
触媒としては、パラジウム炭素、パラジウム炭素−エチレンンジアミン複合体、パラジウム−フィブロイン、パラジウム−ポリエチレンイミン、ニッケル、銅等が使用される。溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、ジクロロメタン、クロロホルム、N,N−ジメチルホルムアミド等が使用される。反応温度は25℃〜100℃の範囲が好適に適用される。また、反応は常圧で進行するが、反応を促進させるために圧力を加えることが好ましい。
他にもアミン体(d)を得る反応としては、ニトロ体(c)を酸および金属と反応させる方法あるいはニトロ体(c)をヒドラジンおよび触媒と反応させる方法等が使用される。
工程(3a)は、得られたアミン体(d)とトリフェニルホスフィンジブロミドとを反応させ下記式のトリフェニルホスフィン体(e−1)を得る工程である。
反応は従来公知の方法が使用でき、例えば、式(d)で表されるアミン体とトリフェニルホスフィンジブロミドを、塩基性化合物の存在下、溶媒中で反応させる方法等が使用される。塩基性化合物としては、トリエチルアミン、ピリジン等が使用される。溶媒としてはジクロロエタン、クロロホルム、ベンゼン等が使用される。反応温度は0℃〜80℃が好適に使用される。
工程(4a)は、得られたトリフェニルホスフィン体を反応系中でイソシアネート化した後、直接脱炭酸させ環状カルボジイミド化合物(f)を得る工程である。
反応は従来公知の方法が使用でき、例えば、式(e−1)のトリフェニルホスフィン体を、ジ−tert−ブチルジカーボネートとN,N−ジメチル−4−アミノピリジンの存在下、溶媒中で反応させる方法等が使用される。溶媒としてはジクロロメタン、クロロホルム等が使用される。反応温度は10℃〜40℃が好適に使用される。
工程(3b)は、アミン体(d)と二酸化炭素または二硫化炭素とを反応させ下記式(e−2)で表されるウレア体またはチオウレア体を得る工程である。
ウレア体(e−2)を得る反応は従来公知な方法を用いることができ、例えば、アミン体(d)を、二酸化炭素、リン化合物および塩基性化合物の存在下、溶媒中で反応させる方法が使用される。
リン化合物としては、亜リン酸エステル、ホスホン酸エステル等が使用される。塩基性化合物としてはトリエチルアミン、ピリジン、イミダゾール、ピコリン等が使用される。溶媒としてはピリジン、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、クロロベンゼン、トルエン等が使用される。反応温度は0℃〜80℃の範囲が好適に使用される。
他にもウレア体(e−2)を得る反応としては、アミン体(d)と一酸化炭素を反応させる方法あるいはアミン体(d)とホスゲンを反応させる方法等が使用される。
チオウレア体(e−2)を得る反応は従来公知な方法を用いることができ、例えば、アミン体(d)を、二硫化炭素および塩基性化合物の存在下、溶媒中で反応させる方法等が使用される。
塩基性化合物としてはトリエチルアミン、ピリジン、イミダゾール、ピコリン等が使用される。溶媒としてはアセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、2−ブタノン、ピリジン、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル等が使用される。反応温度は25℃〜90℃の範囲が好適に使用される。また、反応は上記条件で十分速やかに進行するが、反応を促進させるために四臭化炭素等を組み合わせることもできる。
工程(4b)は、得られたウレア体(e−2)を脱水させ、またはチオウレア体(e−2)を脱硫させ、環状カルボジイミド化合物(f)を得る工程である。
反応は従来公知な方法を用いることができ、例えば、ウレア体またはチオウレア体(e−2)を、塩化トルエンスルホニルあるいは塩化メチルスルホニルの存在下、溶媒中で反応し、ウレア体(e−2)では脱水、チオウレア体(e−2)では脱硫させる方法が使用される。
溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、ピリジン等が使用される。反応温度は0℃〜80℃の範囲が好適に使用される。
他にも環状カルボジイミド化合物(f)を得る反応としては、ウレア体(e−2)と酸化水銀を反応させる方法あるいはチオウレア体(e−2)と次亜塩素酸ナトリウムを反応させる方法等が使用される。
また、上記製造方法以外に、本発明の環状カルボジイミド化合物は従来公知の方法により製造することができる。例として、アミン体からイソシアネート体を経由して製造する方法、アミン体からイソチオシアネート体を経由して製造する方法、カルボン酸体からイソシアネート体を経由して製造する方法等が挙げられる。
環状カルボジイミド化合物は、高分子化合物の酸性基を有効に封止することができるが、本発明の主旨に反しない範囲において、所望により、例えば、従来公知のポリマーのカルボキシル基封止剤を併用することができる。かかる従来公知のカルボキシル基封止剤としては、特開2005−2174号公報記載の剤、例えば、エポキシ化合物、オキサゾリン化合物、オキサジン化合物、等が例示される。
本発明において、環状カルボジイミド化合物を適用する高分子化合物は酸性基を有する。酸性基としては、カルボキシル基、スルホン酸基、スルフィン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基からなる群より選ばれる少なくとも一種である。高分子化合物としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種である。
これらのポリエステル類は、カルボジイミド反応性成分として、分子末端にカルボキシル基およびまたはヒドロキシル基末端を1から50当量/tonを含有する。かかる末端基、とりわけカルボキシル基はポリエステルの安定性を低下させるため、環状カルボジイミド化合物で封止することが好ましい。
このようなポリアミドイミド樹脂の代表的な合成方法としては、(1)ジイソシアネートと三塩基酸無水物を反応させる方法、(2)ジアミンと三塩基酸無水物を反応させる方法、(3)ジアミンと三塩基酸無水物クロライドを反応させる方法等が挙げられる。ただし、本発明に用いられるポリアミドイミド樹脂の合成方法は、これらの方法に制限するものではない。上記合成方法で用いられる代表的な化合物を次に列挙する。
(ii)C2〜12脂肪族炭化水素基;
(iii)C4〜30脂環族基;
(iv)C6〜30芳香族基;
(v)−Ph−O−R5−O−Ph−基(式中、R5は、フェニレン基またはPh−W1−Ph−基を示し、W1は単結合、ハロゲン原子により置換されても良いC1〜4アルキレン基、−O−Ph−O−基、−O−、−CO一、−S−、−SO−または−SO2−基を示す);または
(vi)−R6−(SiR7 2O)m−SiR7 2−R6−基(式中、R6は、−(CH2)s−、−(CH2)s−Ph−、−(CH2)s−O−Ph−、またはPh−を示し、mは1〜100の整数であり;sは1−4の整数を示し;R7はC1〜6アルキル基、フェニル基またはC1〜6アルキルフェニル基を示す。)を表す。〕
本発明においては、環状カルボジイミド化合物は酸性基を有する高分子化合物と混合し、反応させることによって、酸性基を封止することができる。環状カルボジイミド化合物を高分子化合物に添加、混合する方法は特に限定なく、従来公知の方法により、溶液、融液あるいは適用する高分子のマスターバッチとして添加する方法、あるいは環状カルボジイミド化合物が溶解、分散または溶融している液体に高分子化合物の固体を接触させ環状カルボジイミド化合物を浸透させる方法等をとることができる。
溶媒としてはたとえば、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒、アミド系溶媒等を用いることができる。
(1)環状カルボジイミド構造のNMRによる同定
合成した環状カルボジイミド化合物は1H−NMR、13C−NMRによって確認した。NMRは日本電子(株)製JNR−EX270を使用した。溶媒は重クロロホルムを用いた。
(2)環状カルボジイミドのカルボジイミド骨格のIRによる同定
合成した環状カルボジイミド化合物のカルボジイミド骨格の有無は、FT−IRによりカルボジイミドに特徴的な2,100〜2,200cm−1の確認を行った。FT−IRはサーモニコレー(株)製Magna−750を使用した。
(3)カルボキシル基濃度
試料を精製o−クレゾールに溶解、窒素気流下溶解、ブロモクレゾールブルーを指示薬とし、0.05規定水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定した。
o−ニトロフェノール(0.11mol)と1,4−ビス(ブロモメチル)ベンゼン(0.05mol)、炭酸カリウム(0.33mol)、N,N−ジメチルホルムアミド200mlを攪拌装置および加熱装置を設置した反応装置にN2雰囲気下仕込み、130℃で12時間反応後、DMFを減圧により除去し、得られた固形物をジクロロメタン200mlに溶かし、水100mlで3回分液を行った。有機層を硫酸ナトリウム5gで脱水し、ジクロロメタンを減圧により除去し、中間生成物A(ニトロ体)を得た。
次に中間生成物A(0.1mol)と5%パラジウムカーボン(Pd/C)(1.5g)、エタノール/ジクロロメタン(70/30)300mlを、攪拌装置を設置した反応装置に仕込み、水素置換を5回行い、25℃で水素を常に供給した状態で反応させ、水素の減少がなくなったら反応を終了する。Pd/Cを回収し、混合溶媒を除去すると中間生成物B(アミン体)が得られた。
次に攪拌装置および加熱装置、滴下ロートを設置した反応装置に、N2雰囲気下、トリフェニルホスフィンジブロミド(0.11mol)と1,2−ジクロロエタン150mlを仕込み攪拌させる。そこに中間生成物B(0.05mol)とトリエチルアミン(0.25mol)を1,2−ジクロロエタン50mlに溶かした溶液を25℃で徐々に滴下する。滴下終了後、70℃で5時間反応させる。その後、反応溶液をろ過し、ろ液を水100mlで5回分液を行った。有機層を硫酸ナトリウム5gで脱水し、1,2−ジクロロエタンを減圧により除去し、中間生成物C(トリフェニルホスフィン体)が得られた。
次に、攪拌装置および滴下ロートを設置した反応装置に、N2雰囲気下、ジ−tert−ブチルジカーボネート(0.11mol)とN,N−ジメチル−4−アミノピリジン(0.055mol)、ジクロロメタン150mlを仕込み攪拌させる。そこに、25℃で中間生成物C(0.05mol)を溶かしたジクロロメタン100mlをゆっくりと滴下させる。滴下後、12時間反応させる。その後、ジクロロメタンを除去し得られた固形物を精製することで、CC1を得た。CC1の構造はNMRおよびIRにより確認した。
工程(1A)
o−ニトロフェノール(0.11mol)と1,4−ビス(ブロモメチル)ベンゼン1,4−ビス(ブロモメチル)ベンゼン(0.05mol)、炭酸カリウム(0.33mol)、N,N−ジメチルホルムアミド200mlを攪拌装置および加熱装置を設置した反応装置にN2雰囲気下仕込み、130℃で12時間反応後、DMFを減圧により除去し、得られた固形物をジクロロメタン200mlに溶かし、水100mlで3回分液を行った。有機層を硫酸ナトリウム5gで脱水し、ジクロロメタンを減圧により除去し、中間生成物A(ニトロ体)を得た。
次に中間生成物D(0.1mol)と5%パラジウムカーボン(Pd/C)(1.5g)、N,N−ジメチルホルムアミド200mlを、攪拌装置を設置した反応装置に仕込み、水素置換を5回行い、25℃で水素を常に供給した状態で反応させ、水素の減少がなくなったら反応を終了する。Pd/Cをろ過回収し、ろ液を600mlの水に入れると固体が析出する。この固体を回収し乾燥することで中間生成物E(アミン体)が得られた。
次に攪拌装置および加熱装置、アルカリ水入りウォルターを設置した反応装置に、N2雰囲気下、中間生成物E(0.025mol)とイミダゾール(0.1mol)、二硫化炭素(0.1mol)、2−ブタノン100mlを仕込む。この反応溶液の温度を80℃にし、15時間反応させる。反応後析出した固体をろ過回収し、洗浄することで中間生成物G(チオウレア体)が得られた。
次に、攪拌装置を設置した反応装置に、N2雰囲気下、中間生成物G(0.025mol)、塩化パラトルエンスルホニル(0.05mol)、ピリジン40mlを仕込み攪拌する。25℃で3時間反応させた後、メタノール120mlを加え、さらに25℃で1時間攪拌する。析出した固体をろ過回収し、洗浄することでCC1を得た。CC1の構造はNMRおよびIRにより確認した。
o−クロロニトロベンゼン(0.0625mol)と1,3−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン(0.025mol)、炭酸カリウム(0.125mol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(0.012mol)、N,N−ジメチルホルムアミド40mlを攪拌装置および加熱装置を設置した反応装置にN2雰囲気下仕込み、130℃で15時間反応させた。反応後、溶液を水160mlに加え、析出した固体をろ過回収した。この固体を洗浄し、乾燥することで中間生成物D(ニトロ体)を得た。
次に中間生成物D(0.1mol)と5%パラジウムカーボン(Pd/C)(1.0g)、N,N−ジメチルホルムアミド200mlを、攪拌装置を設置した反応装置に仕込み、水素置換を5回行い、25℃で水素を常に供給した状態で反応させ、水素の減少がなくなったら反応を終了する。Pd/Cをろ過回収し、ろ液を600mlの水に入れると固体が析出する。この固体を回収し乾燥することで中間生成物E(アミン体)が得られた。
次に攪拌装置および加熱装置、滴下ロートを設置した反応装置に、N2雰囲気下、中間生成物E(0.025mol)とイミダゾール(0.1mol)、アセトニトリル100mlを仕込み、亜りん酸ジフェニル(0.05mol)を滴下ロートに仕込んだ。二酸化炭素置換を5回行った後、25℃で二酸化炭素を常に供給した状態で攪拌しながら、亜りん酸ジフェニルをゆっくり滴下し、15時間反応させる。反応後析出した固体をろ過回収し、洗浄することで中間生成物H(ウレア体)が得られた。
次に、攪拌装置を設置した反応装置に、N2雰囲気下、中間生成物H(0.025mol)、塩化パラトルエンスルホニル(0.05mol)、ピリジン40mlを仕込み攪拌する。25℃で3時間反応させた後、メタノール120mlを加え、さらに25℃で1時間攪拌する。析出した固体をろ過回収し、洗浄することでCC2を得た。CC2の構造はNMRおよびIRにより確認した。
o−クロロニトロベンゼン(0.0625mol)とジエチレングリコール(0.025mol)、炭酸カリウム(0.125mol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(0.012mol)、N,N−ジメチルホルムアミド40mlを攪拌装置および加熱装置を設置した反応装置にN2雰囲気下仕込み、130℃で15時間反応させた。反応後、溶液を水160mlに加え、析出した固体をろ過回収した。この固体を洗浄し、乾燥することで中間生成物D(ニトロ体)を得た。
次に中間生成物D(0.1mol)と5%パラジウムカーボン(Pd/C)(1.0g)、N,N−ジメチルホルムアミド150mlを、攪拌装置を設置した反応装置に仕込み、水素置換を5回行い、25℃で水素を常に供給した状態で反応させ、水素の減少がなくなったら反応を終了する。Pd/Cをろ過回収し、ろ液を450mlの水に入れると固体が析出する。この固体を回収し乾燥することで中間生成物E(アミン体)が得られた。
次に攪拌装置および加熱装置、滴下ロートを設置した反応装置に、N2雰囲気下、トリフェニルホスフィンジブロミド(0.11mol)と1,2−ジクロロエタン150mlを仕込み攪拌させる。そこに中間生成物B(0.05mol)とトリエチルアミン(0.25mol)を1,2−ジクロロエタン50mlに溶かした溶液を25℃で徐々に滴下する。滴下終了後、70℃で5時間反応させる。その後、反応溶液をろ過し、ろ液を水100mlで5回分液を行った。有機層を硫酸ナトリウム5gで脱水し、1,2−ジクロロエタンを減圧により除去し、中間生成物C(トリフェニルホスフィン体)が得られた。
次に、攪拌装置および滴下ロートを設置した反応装置に、N2雰囲気下、ジ−tert−ブチルジカーボネート(0.11mol)とN,N−ジメチル−4−アミノピリジン(0.055mol)、ジクロロメタン150mlを仕込み攪拌させる。そこに、25℃で中間生成物C(0.05mol)を溶かしたジクロロメタン100mlをゆっくりと滴下させる。滴下後、12時間反応させる。その後、ジクロロメタンを除去し得られた固形物を精製することで、CC3を得た。CC3の構造はNMRおよびIRにより確認した。
Lラクチド((株)武蔵野化学研究所製、光学純度100%)100重量部に対し、オクチル酸スズを0.005重量部加え、窒素雰囲気下、攪拌翼のついた反応機にて、180℃で2時間反応し、オクチル酸スズに対し触媒失活剤として、1.2倍当量の燐酸を添加しその後、13.3Paで残存するラクチドを除去し、チップ化し、ポリL−乳酸を得た。得られたポリL−乳酸のカルボキシル基濃度は14当量/tonであった。
得られたポリL−乳酸100重量部あたり、CC1、1.0重量部と共に2軸ルーダー(シリンダー温度230℃)、滞留時間3分で、溶融混練した。カルボキシル基濃度は0.7当量/ton以下に減少していた。また、混練後のルーダー出口でイソシアネート臭はしなかった。
実施例5において、環状カルボジイミド:CC1を、環状カルボジイミド:CC3に替え、その他の条件は同様にして反応させたところ、カルボキシル基濃度は0.4当量/ton以下に減少していた。また、混練後のルーダー出口でイソシアネート臭はしなかった。
実施例5において、環状カルボジイミド化合物:CC1を、ラインケミージャパン(株)製の線状カルボジイミド「スタバクゾール」Iに替え、その他の条件は同様にして反応させたところ、カルボキシル基濃度は0.4当量/tonであったが、ルーダー出口においてイソシアネートの悪臭が強く発生した。
ポリメタキシレンアジパミド(三菱ガス化学(株)製「MXナイロン S6001」)、メタキシリレンジアミンとアジピン酸からなるポリアミドであり、カルボキシル基濃度は70当量/tonであった。このポリメタキシレンアジパミド100重量部あたり、CC2、3.0重量部と共に2軸ルーダー(シリンダー温度260℃)、滞留時間3分で、溶融混練した。カルボキシル基濃度は1.9当量/ton以下に減少していた。また、混練後のルーダー出口でイソシアネート臭はしなかった。
実施例7において、環状カルボジイミド化合物:CC2を、ラインケミージャパン(株)製の線状カルボジイミド「スタバクゾール」Iに替え、その他の条件は同様にして反応させたところ、カルボキシル基濃度は2.2当量/tonであったが、ルーダー出口においてイソシアネートの悪臭が強く発生した。
Claims (7)
- Ar1〜Ar 2 は各々独立に、置換基で置換されていてもよい、オルトフェニレン基または1,2−ナフタレン−ジイル基である請求項1記載の化合物。
- (1)下記式(a−1)の化合物、下記式(a−2)の化合物および下記式(b−1)の化合物を反応させ、下記式(c)のニトロ体を得る工程(1a)、
(2)得られたニトロ体を還元して下記式(d)で表されるアミン体を得る工程(2a)、
(3)得られたアミン体とトリフェニルホスフィンジブロミドを反応させ下記式(e−1)で表されるトリフェニルホスフィン体を得る工程(3a)、
および
(4)得られたトリフェニルホスフィン体を反応系中でイソシアネート化した後、直接脱炭酸させ下記式(f)の化合物を得る工程(4a)、
を含む請求項1記載の環状カルボジイミド化合物の製造方法。 - 請求項1記載の式(i)で表される環状カルボジイミド化合物を有効成分とする、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の高分子化合物の末端封止剤。
- 請求項1記載の式(i)で表される環状カルボジイミド化合物を有効成分とする、カルボキシル基、スルホン酸基、スルフィン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸性基の捕捉剤。
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