JP5721969B2

JP5721969B2 - 光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置

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Publication number: JP5721969B2
Application number: JP2010133458A
Authority: JP
Inventors: 一浩福家; 伊藤　久貴; 久貴伊藤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2010-06-11
Filing date: 2010-06-11
Publication date: 2015-05-20
Anticipated expiration: 2030-06-11
Also published as: JP2011258845A

Description

本発明は、例えば、光半導体素子から発する光を反射させる、リフレクタ（反射部）の形成材料となる光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物

およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置に関するものである。

従来、光半導体素子を搭載してなる光半導体装置は、図１に示すように、金属リードフレーム１上に光半導体素子２が搭載され、上記光半導体素子２の周囲を囲むように樹脂材料からなるリフレクタ３が形成されているという構成をとる。図１において、４は金属リードフレーム１上に形成された電極回路（図示せず）と光半導体素子２とを電気的に接続するボンディングワイヤーであり、必要に応じて設けられるものである。

このような光半導体装置では、上記リフレクタ３を、ポリアミド樹脂（ＰＰＡ）等に代表される熱可塑性樹脂を用いてインジェクション成形により成形し製造している。そして、上記熱可塑性樹脂には、一般に白色顔料を配合し、上記光半導体素子２から発する光を反射させている（特許文献１参照）。

また、高耐熱性が要求される場合には、上記リフレクタ３を、焼結されたアルミナを配合したセラミック材料を主体として用いて形成することが行われている（特許文献２参照）。このように、上記セラミック材料を用いて上記リフレクタ３相当部分を形成する場合、パッケージの量産性およびコスト等の観点から問題となる場合がある。このようなことから、上記リフレクタ３の形成に際しては、前述のように熱可塑性樹脂を用いることが一般に行なわれている。

特開２００２−２８３４９８号公報特開２００２−２３２０１７号公報

しかしながら、上記リフレクタ３の形成材料として熱可塑性樹脂を用いる場合、つぎのような問題が生じる。すなわち、最近では、鉛フリー化の影響から、上記光半導体装置のような表面実装型パッケージにおいては耐熱性が要求されることとなる。したがって、高温での半田実装温度での熱変形や、光半導体素子２の輝度向上に伴う素子の高パワー化においてさらなる長期での耐熱性の要求に対して、高温での変色等が発生し、それに伴い、光の反射効率の低下等が問題となっている。

このような点から、熱可塑性樹脂が有する耐熱性の問題や、セラミック材料が有する量産性等の問題を解決するための技術が強く要望されている。

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、耐熱性に優れ、良好な光反射性を付与することのできる光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに量産性およびコスト等に優れた光半導体装置の提供をその目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有し、かつ無機質充填剤［下記（Ｃ）成分を除く］を含有しない光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物であって、下記の（Ｃ）成分であるルチル型酸化チタンの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の１０〜５０重量％の範囲に設定されている光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）ルチル型酸化チタン。

また、本発明は、光半導体素子搭載領域を備え、その少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる光半導体装置用リードフレームであって、上記リフレクタが、上記光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形により形成されてなる光半導体装置用リードフレームを第２の要旨とする。

そして、本発明は、上記光半導体装置用リードフレームの所定位置に光半導体素子が搭載されてなる光半導体装置を第３の要旨とする。

すなわち、本発明者らは、熱による変形や変色の発生が抑制され、耐熱性に優れた光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物(以下、半導体装置用エポキシ樹脂組成物という。)を得るべく鋭意検討を重ねた。その結果、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の使用に加えて、白色顔料としてルチル型酸化チタンの含有量を特定の範囲にて用いると、高い耐熱変色性を維持することが可能となり、さらにエポキシ樹脂の使用によりトランスファー成形による成形金型での封止が可能となって、量産性の点からも有利となることから、所期の目的が達成されることを見出し本発明に到達した。

このように、本発明は、前記エポキシ樹脂〔（Ａ）成分〕と、硬化剤〔（Ｂ）成分〕と、酸化チタン〔（Ｃ）成分〕を含有し、かつ上記酸化チタン〔（Ｃ）成分〕の含有量を特定の割合とする、無機質充填剤［上記（Ｃ）成分を除く］不含の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物である。このように、上記酸化チタン〔（Ｃ）成分〕を用いることから優れた光反射性が得られるとともに、半田耐熱性および耐熱性においても優れた性能を発揮する。したがって、上記光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形によりリフレクタを形成してなる光半導体装置では、良好な光の反射性が得られることから安定した発光が得られ、その機能を充分に発揮することができる。

そして、上記酸化チタン〔（Ｃ）成分〕として、その結晶構造がルチル型のものを用いるため、耐熱性に一層優れたものが得られる。

本発明の光半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。本発明の光半導体装置の他の構成を模式的に示す断面図である。本発明の光半導体装置のさらに他の構成を模式的に示す断面図である。本発明の光半導体装置の他の構成を模式的に示す断面図である。

本発明の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物（以下「エポキシ樹脂組成物」ともいう）は、先に述べたように、図１に示す光半導体装置の、リフレクタ３形成材料として用いられるものであって、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、硬化剤（Ｂ成分）と、特定の酸化チタン（Ｃ成分）とを用いて得られるものであり、通常、液状、あるいは粉末状、もしくはその粉末を打錠したタブレット状にして封止材料に供される。そして、本発明では、エポキシ樹脂組成物中に無機質充填剤を含まないことも特徴的構成の一つである。

上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、モノグリシジルイソシアヌレート、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、アルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタンおよびイソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。これらエポキシ樹脂の中でも、透明性、耐変色性および上記ポリオルガノシロキサンとの溶融混合性に優れるという点から、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートを単独でもしくは併せて用いることが好ましい。同様の理由から、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、ナジック酸、メチルナジック酸等のジカルボン酸のジグリシジルエステルも好適である。また、芳香環が水素化された脂環式構造を有する核水素化トリメリット酸、核水素化ピロメリット酸等のグリシジルエステル等もあげられる。

上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、常温で固形であっても液状であってもよいが、一般に、使用するエポキシ樹脂の平均エポキシ当量が９０〜１０００のものが好ましく、また、固形の場合には、軟化点が１６０℃以下のものが好ましい。すなわち、エポキシ当量が小さすぎると、エポキシ樹脂組成物硬化物が脆くなる場合がある。また、エポキシ当量が大きすぎると、エポキシ樹脂組成物硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられるからである。

上記硬化剤（Ｂ成分）としては、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤等があげられる。上記酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。これら酸無水物系硬化剤の中でも、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸を用いることが好ましい。さらに、酸無水物系硬化剤としては、無色ないし淡黄色の酸無水物系硬化剤が好ましい。

上記イソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、例えば、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。さらに、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、無色ないし淡黄色の硬化剤が好ましい。

このように、上記酸無水物系硬化剤，イソシアヌル酸誘導体系硬化剤等の硬化剤（Ｂ成分）は、単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。さらに、硬化剤（Ｂ成分）としては、無色ないし淡黄色のものが好ましい。

上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と硬化剤（Ｂ成分）との配合割合は、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、硬化剤（Ｂ成分）中におけるエポキシ基と反応可能な活性基（酸無水基またはカルボキシル基）が０．５〜１．５当量となるよう設定することが好ましく、より好ましくは０．７〜１．２当量である。すなわち、活性基が少なすぎると、エポキシ樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、その硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられ、活性基が多すぎると耐湿性が低下する傾向がみられるからである。

また、上記硬化剤（Ｂ成分）としては、その目的および用途に応じて、上記酸無水物系硬化剤およびイソシアヌル酸誘導体系硬化剤以外の他のエポキシ樹脂の硬化剤、例えば、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、上記酸無水物系硬化剤をアルコールで部分エステル化したもの、または、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボン酸類の硬化剤を、単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。例えば、カルボン酸類の硬化剤を併用した場合には、硬化速度を速めることができ、生産性を向上させることができる。なお、これら硬化剤を用いる場合においても、その配合割合は、上記硬化剤（Ｂ成分）を用いた場合の配合割合（当量比）に準じればよい。

上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる特定の酸化チタン（Ｃ成分）としては、より高い光反射率を得るという観点から、ルチル型の結晶構造を有するものが用いられる。さらにそのなかでも、流動性および遮光性という観点から、平均粒径が０．０５〜１．０μｍのものを用いることが好ましい。特に好ましくは、光反射性という点から、０．０８〜０．５μｍである。なお、上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。

上記特定の酸化チタン（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物体全体の１０〜５０重量％の範囲に設定する必要がある。すなわち、Ｃ成分の含有量が少なすぎると、光反射率が低下する傾向がみられ、Ｃ成分の含有量が多すぎると、著しい増粘により混練等でのエポキシ樹脂組成物の作製に関して困難が生じる可能性がみられるからである。

そして、本発明においては、前述のとおり、エポキシ樹脂組成物中に無機質充填剤を含まない。本発明でいう無機質充填剤とは、上記特定の酸化チタン（Ｃ成分）を除く各種無機質充填剤をいい、具体的には、石英ガラス粉末、タルク、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末等があげられる。さらに、上記酸化チタン（Ｃ成分）以外の白色顔料である、例えば、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、鉛白、カオリン、アルミナ、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸亜鉛、硫化亜鉛等も本発明でいう無機質充填剤に含まれる。

さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分以外に、必要に応じて、硬化促進剤、酸化防止剤、変性剤、難燃剤、脱泡剤、レベリング剤、離型剤等の各種添加剤を適宜配合することができる。

上記硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノシクロヘキサン等の３級アミン類、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロンジチオエート等のリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。これら硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。その中でも、着色度が少なく、透明で強靱な硬化物を得るためには、リン化合物を用いることが特に好ましい。

上記硬化促進剤の含有量は、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）に対して０．０１〜８．０重量％に設定することが好ましく、より好ましくは０．１〜３．０重量％である。すなわち、硬化促進剤の含有量が少なすぎると、充分な硬化促進効果を得られない場合があり、また硬化促進剤の含有量が多すぎると、得られる硬化物に変色が生じる傾向がみられるからである。

上記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン系化合物等の酸化防止剤があげられる。

上記難燃剤としては、例えば、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、臭素系難燃剤、窒素系難燃剤、リン系難燃剤等があげられ、さらに三酸化アンチモン等の難燃助剤を用いることもできる。

上記変性剤としては、例えば、グリコール類、シリコーン類、アルコール類等の従来から公知の変性剤があげられる。

上記脱泡剤としては、例えば、シリコーン系等の従来公知の脱泡剤があげられる。

本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｃ成分および必要に応じて配合される各種添加剤を適宜配合した後、これを混練機を用いて混練して溶融混合し、ついで、これを粉砕することにより粉末状のエポキシ樹脂組成物を製造することができる。

そして、上記得られたエポキシ樹脂組成物の硬化物としては、その光反射率が、波長４５０〜８００ｎｍにおいて８０％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上である。なお、上限は、通常１００％である。上記光反射率は、例えば、つぎのようにして測定される。すなわち、厚み１ｍｍのエポキシ樹脂組成物の硬化物を、所定の硬化条件、例えば、１５０℃×４分間の成形後、１５０℃×３時間のキュアにて作製し、室温（２５±１０℃）にて上記範囲内の波長での上記硬化物の反射率を分光光度計（例えば、日本分光社製の分光光度計Ｖ−６７０）を用いることにより測定することができる。

本発明のエポキシ樹脂組成物を用いてなる光半導体装置は、例えば、つぎのようにして製造される。すなわち、金属リードフレームをトランスファー成形機の金型内に設置して上記エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形によりリフレクタを形成する。このようにして、光半導体素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる光半導体装置用の金属リードフレームを作製する。ついで、上記リフレクタの内部の、金属リードフレーム上の光半導体素子搭載領域に光半導体素子を搭載し、必要に応じてワイヤーボンディングを行なう。このようにして、例えば、図１に示すような、搭載される光半導体素子２の周囲を囲んだ状態でリフレクタ３が形成された金属リードフレーム１と、その金属リードフレーム１上に搭載された光半導体素子２を備えたユニットである光半導体装置が作製される。図１において、４は金属リードフレーム１上に形成された電極回路（図示せず）と光半導体素子２とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。なお、上記光半導体装置では、通常、上記光半導体素子２を含むリフレクタ３の内側領域は、シリコーン樹脂等を用いて封止される。

さらに、上記光半導体装置の他の構成を図２〜図４に示す。図２に示す光半導体装置では、光半導体素子２が搭載された金属リードフレーム１ａ（または基板）上のみにリフレクタ３ａが形成されている。また、図３に示す光半導体装置は、図１に示す光半導体装置と略同じ構成であるが、リフレクタ３の内側領域の光半導体素子２の周囲の金属リードフレーム１上にもリフレクタ３が形成されている。そして、図４に示す光半導体装置は、図２に示す光半導体装置と略同じ構成であるが、リフレクタ３ａの内側領域の光半導体素子２の周囲の金属リードフレーム１ａ（または基板）上にもリフレクタ３ａが形成されている。これら図２〜図４に示す光半導体装置の構成において、図１の光半導体装置と同一の部分には同一の符号を記している。

なお、本発明において、上記図２および図４に示す光半導体装置では、金属リードフレーム１ａに代えて各種基板を用いてもよい。上記各種基板としては、例えば、有機基板、無機基板、フレキシブルプリント基板等があげられる。そして、上記図２および図４に示す光半導体装置の金属リードフレーム１ａおよび各種基板では、その表面には電極回路（図示せず）が形成されている。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。

まず、エポキシ樹脂組成物の作製に先立って下記に示す各成分を準備した。

〔エポキシ樹脂〕
トリグリシジルイソシアヌレート（エポキシ当量：１００）

〔硬化剤〕
４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（酸当量：１６８）

〔酸化チタンａ〕
ルチル型、平均粒径０．２１μｍ
〔酸化チタンｂ〕
アナタース型、平均粒径０．１８μｍ

〔シリカ粉末〕
球状溶融シリカ、平均粒径２３μｍ

〔酸化防止剤〕
９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド

〔硬化促進剤〕
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロンジチオエート

〔実施例１〜２、参考例１〜５、比較例１〜５〕
後記の表１に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ビーカー中で溶融混合を行い、熟成した後、室温（２５℃）まで冷却して粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。

このようにして得られた実施例、参考例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って反射率（初期、高温放置後）および弾性率〔３０℃，ガラス転移温度（Ｔｇ）＋３０℃〕の測定を行った。その結果を後記の表１に併せて示す。

〔反射率〕
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み１ｍｍの試験片を所定の硬化条件（条件：１５０℃×４分間の成形＋１５０℃×３時間キュア）にて作製し、この試験片（硬化物）を用いて、初期および１８０℃で３時間放置後の反射率をそれぞれ測定した。なお、測定装置として日本分光社製の分光光度計Ｖ−６７０を使用して、波長４５０ｎｍの光反射率を室温（２５℃）にて測定した。

〔弾性率〕
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み１ｍｍの試験片を所定の硬化条件（条件：１５０℃×４分間の成形＋１５０℃×３時間キュア）にて作製し、動的粘弾性測定器（ＲＳＡ−III、Reometric社製）を用いて、３０℃とガラス転移温度（Ｔｇ）＋３０℃での各値を測定した。得られた各貯蔵弾性率（Ｅ′）のデータを各温度の弾性率とした。なお、上記ガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み１ｍｍの試験片を所定の硬化条件（条件：１５０℃×４分間の成形＋１５０℃×３時間キュア）にて作製し、熱機械分析装置〔セイコーインスツルメンツインク（ＳＩＩ）社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００〕を用いて測定した。得られたデータよりｔａｎδのピーク最大値の温度をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。

上記結果から、実施例品および参考例品は、初期および高温放置後の反射率に関していずれも高い数値が得られており、耐熱性に優れていることがわかる。中でも、酸化チタンとしてルチル型を用いた実施例品は、初期はもちろん高温放置後の反射率に関してより一層高い値が得られた。

これに対して、酸化チタンの含有量が２重量％である比較例１品では、初期の反射率および高温放置後の反射率ともにかなり低い結果となった。また、酸化チタンとともにシリカ粉末を併用してなる比較例品において、アナタース型の酸化チタンを用いた比較例２，３品は、酸化チタンの配合量をある程度使用しているにもかかわらず、同程度の酸化チタンの配合量となる実施例品に比べて高温放置後の反射率が大きく低下した。また、ルチル型の酸化チタンを用いた比較例４，５品は、シリカ粉末を併用していることから、同程度の酸化チタンの配合量となる実施例品に比べて弾性率に関して実施例品よりも高くなり、トランスファー成形によって製造された光半導体装置は反りが発生しやすいという結果となった。

〔光半導体装置の作製〕
つぎに、上記実施例品である粉末状のエポキシ樹脂組成物を用いて、図１に示す構成の光半導体装置を製造した。すなわち、４２アロイ（Ａｇメッキ）製のリードフレーム１上に光半導体素子（大きさ：０．３ｍｍ×０．３ｍｍ）２が搭載され、金属リードフレーム１上に形成された電極回路と光半導体素子２とをボンディングワイヤー４にて電気的に接続したものを準備した。ついで、これをトランスファー成形機に投入し、上記エポキシ樹脂組成物を用いたトランスファー成形を行なうことにより、図１に示す、リフレクタ３と、金属リードフレーム１と、金属リードフレーム１上に搭載された光半導体素子２とを備えたユニットとなる光半導体装置を製造した（成形条件：１５０℃×４分間の成形＋１５０℃×３時間キュア）。得られた光半導体装置は問題の無い良好なものが得られた。

本発明の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物は、光半導体装置に搭載された光半導体素子から発する光を反射させるリフレクタの形成材料として有用である。

１金属リードフレーム
２光半導体素子
３リフレクタ
４ボンディングワイヤー

Claims

下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有し、かつ無機質充填剤［下記（Ｃ）成分を除く］を含有しない光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物であって、下記の（Ｃ）成分であるルチル型酸化チタンの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の１０〜５０重量％の範囲に設定されていることを特徴とする光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）ルチル型酸化チタン。
光半導体素子搭載領域を備え、その少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる光半導体装置用リードフレームであって、上記リフレクタが、請求項１記載の光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形により形成されてなることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
請求項２記載の光半導体装置用リードフレームの所定位置に光半導体素子が搭載されてなることを特徴とする光半導体装置。