JP5709546B2 - エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5709546B2 JP5709546B2 JP2011009198A JP2011009198A JP5709546B2 JP 5709546 B2 JP5709546 B2 JP 5709546B2 JP 2011009198 A JP2011009198 A JP 2011009198A JP 2011009198 A JP2011009198 A JP 2011009198A JP 5709546 B2 JP5709546 B2 JP 5709546B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- catalyst
- energy beam
- substrate
- gas
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 118
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 29
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 53
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- -1 hydrogen radicals Chemical class 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000017284 Pometia pinnata Nutrition 0.000 description 1
- 240000007653 Pometia tomentosa Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法に関する。
露光装置、荷電粒子ビーム描画装置において、水素ラジカルを用いて光学部材に堆積した炭素物質等の堆積物を分解して除去することが特許文献１で開示されている。また、特許文献１には、加熱可能なフィラメント、プラズマジェネレータ、放射線ソース、触媒の１つ以上を用いて水素から水素ラジカルを生成することが記載されている。また、非特許文献１には、触媒に水素ガスを供給しながら電子ビームを照射することによって水素ラジカルが発生することが開示されている。
笠井,"金属表面での電子励起によるH+の脱離",表面科学, Vol. １１, No. ５ pp. ２７４-２８０ (１９９０)
特許文献１には、約２０００〜２３００Ｋに加熱されたタングステン又はタンタルのホットフィラメントによって水素から水素ラジカルを生成する様子が図示されている。ホットフィラメントを堆積物が堆積された光学部材の近傍に配置すると、光学部材が加熱されて歪が生じるので描画精度が低下する。一方、ホットフィラメントを光学部材から距離をとって配置すると、ホットフィラメントの作用によって生成された水素ラジカルが、堆積物が堆積された光学部材に到達するまでに失活し堆積物の分解作用が低下する。また、触媒を用いる場合においても、同様の問題が発生する。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、部材に堆積された堆積物を効率的に除去する描画装置を提供することを目的とする。
本発明は、エネルギービーム源により生成されたエネルギービームを用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記エネルギービーム源と前記基板との間に配置され、堆積物が堆積される第１の部材と、前記エネルギービーム源と前記基板との間であって前記第１の部材よりも前記基板を搭載して移動するステージの側に配置され、堆積物が堆積される第２の部材と、前記第１の部材と前記第２の部材に堆積された堆積物を除去する除去ユニットと、を備え、前記除去ユニットは、前記堆積物を分解する活性種を生成するための気体を供給する気体供給機構と、前記エネルギービームが照射されることによって、前記第１の部材に堆積された堆積物を分解する活性種を前記気体から生成するための、ワイヤ状又は網目状である第１の触媒と、前記エネルギービームが照射されることによって、前記第２の部材に堆積された堆積物を分解する活性種を前記気体から生成するための第２の触媒と、前記第１の部材と前記第２の部材に堆積された堆積物の除去処理を行う場合に前記第１の触媒を前記エネルギービームが照射される第１位置に移動し、前記基板に描画処理を行う場合に前記第１の触媒を前記エネルギービームが照射されない第２位置に移動する移動機構と、を含み、前記除去処理を行う場合に前記エネルギービームの一部を前記第１の触媒に照射し、前記エネルギービームの他の一部を前記第２の触媒に照射する、ことを特徴とする。
本発明によれば、描画処理に支障を与えずに部材に堆積された堆積物を速やかに除去する描画装置を提供することができる。
以下に、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。
［第１実施形態］
第１実施形態の描画装置は電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画処理を行う電子ビーム描画装置である。図１において、電子銃１はクロスオーバー２を形成し、電子ビーム３をクロスオーバー２から出射する。電子銃１は、エネルギービームとしての電子ビームを生成するエネルギービーム源を構成している。クロスオーバー２から出射された電子ビーム３は、コリメーターレンズ４の作用により平行ビームとなり、マルチ荷電ビーム光学系を構成するアパーチャアレイ６に入射する。アパーチャアレイ６は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、入射した電子ビーム３は複数の電子ビームに分割される。アパーチャアレイ６を通過した電子ビームは、円形状の開口を有した３枚の電極板（図中では、３枚を一体で図示している）から構成される第１の静電レンズアレイ７に入射する。
第１実施形態の描画装置は電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画処理を行う電子ビーム描画装置である。図１において、電子銃１はクロスオーバー２を形成し、電子ビーム３をクロスオーバー２から出射する。電子銃１は、エネルギービームとしての電子ビームを生成するエネルギービーム源を構成している。クロスオーバー２から出射された電子ビーム３は、コリメーターレンズ４の作用により平行ビームとなり、マルチ荷電ビーム光学系を構成するアパーチャアレイ６に入射する。アパーチャアレイ６は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、入射した電子ビーム３は複数の電子ビームに分割される。アパーチャアレイ６を通過した電子ビームは、円形状の開口を有した３枚の電極板（図中では、３枚を一体で図示している）から構成される第１の静電レンズアレイ７に入射する。
静電レンズアレイ７を通過した電子ビーム３が最初にクロスオーバーを形成する位置に小さな開口をマトリクス状に配置したストッピングアパーチャアレイ９が配設される。ストッピングアパーチャアレイ９によるブランキング動作は、ブランカーアレイ８により実行される。ストッピングアパーチャアレイ９を通過した電子ビーム３は、第２の静電レンズアレイ１１により結像され、ウエハまたはマスクなどの基板１２上に元のクロスオーバー２の像を結像する。描画処理の間、基板１２はＸ方向にステージ１３により連続的に移動し、レーザ測長機による実時間での測長結果を基準として基板１２の表面上の像がディフレクター１０でＹ方向に偏向され、かつブランカーアレイ８でブランキングされる。上記の描画処理によって、所望の潜像をレジストに形成することができる。
これらの部材は、容器２０の内部の電子銃１と基板１２との間に配置される。また、電子ビーム描画装置は、真空ポンプ等の排気機構を備え、排気口１４を介して排気することにより容器２０の内部に真空環境（例えば１Ｅ−５Ｐａ以下の圧力）を形成可能となっている。特に電子レンズ部は高い真空度が要求されるため、ガスの発生が多いステージ部とは別に排気系を設置する場合もある。
このような電子ビーム描画装置において、コリメーターレンズ４、アパーチャアレイ６、第１の静電レンズアレイ７、ブランカーアレイ８、ストッピングアパーチャアレイ９、ディフレクター１０、第２の静電レンズアレイ１１等に堆積物が堆積されることがある。コリメーターレンズ４、アパーチャアレイ６、第１の静電レンズアレイ７、ブランカーアレイ８、ストッピングアパーチャアレイ９、ディフレクター１０、第２の静電レンズアレイ１１等は、堆積物が堆積される部材（または第２の部材）を構成している。このような堆積物として、例えば炭素蒸着物が挙げられ、電子ビーム描画装置を構成する部材から放出されるアウトガスや、基板１２に塗布されたレジスト（感光剤）から放出される炭素化合物が要因となる。
この堆積物は、電子ビーム３や電子ビーム３によって生成される二次電子や反射電子が照射されることによってプラス又はマイナスに帯電し、電子ビーム３の電子に引力又は斥力を与えることによって、電子ビーム３の電子を所望の軌道から外すおそれがある。特にレジストに近い第２の静電レンズアレイ１１では、レジストから放出される炭素蒸着物の影響を強く受ける。そのため、基板１２にパターンを描画するときにレジストから放出される炭素物質と、同時に発生する二次電子とが反応した堆積物が第２の静電レンズアレイ１１に堆積し易い。また、アパーチャアレイ６はレジストからの距離が遠いため、レジスト由来の炭素物質の影響は小さいが、電子銃１に近いため高照度の電子ビーム３が照射される。電子ビーム３の照度が高くなるに従って堆積物の生成速度が早くなるため、アパーチャアレイ６にも多くの堆積物が付着する。
本実施形態において、電子ビーム描画装置は、堆積物が堆積された部材（または第２の部材）から堆積物を分解して除去する除去ユニットを備えており、部材の近傍で除去ユニットにより生成された活性種（ラジカル）が堆積物と反応することによって、堆積物を分解する。除去ユニットは、電子ビーム３と、第１の触媒１８と、第１の気体導入管（気体供給機構）１７と、第１の触媒の移動機構５と、第２の触媒１５と、第２の気体導入管１６と、第２の触媒の移動機構でもあるステージ１３とを備える。除去ユニットで生成される活性種は反応性が高いため、堆積物が存在する部材と触媒との間隔が長い場合には、堆積物に到達する過程で活性種が失活して活性種の量が減って、堆積物の分解能力が低下してしまう。本実施形態では、除去処理を行う場合に、第１の触媒１８および第２の触媒１５を、堆積物を除去したい部材の近傍に移動させることが出来るので、堆積物の近傍で活性種を生成することができる。したがって、堆積物に到達する過程での活性種の失活が少なく、高濃度の活性種で堆積物を分解することができる。
以下で除去ユニットにおける各部の構成および機能について、一例としての除去処理を示しながら説明してゆく。第１の触媒１８および第２の触媒１５が第１の触媒の移動機構５およびステージ１３によって、電子ビーム３が照射されない第２位置から電子ビームが照射される第１位置に移動させられる。第２の触媒１５は、基板１２を搭載するステージ上で基板１２が搭載されない位置に配置されている。したがって、第２の触媒１５は、ステージ１３によって電子ビーム３が照射される第１位置と電子ビーム３が照射されない第２位置とを切り替えることができる。第１の触媒１８は、エネルギー源の側に配置される触媒を構成し、第２の触媒１５はステージの側に配置される触媒を構成している。
第２の触媒１５を移動する移動機構は、基板１２を支持するステージ１３に限らず、別途専用のステージを設けてその上に設置しても良い。第２の触媒１５は、基板１２と同一の形状に形成されたものを用いてもよい。この場合、不図示の移動機構は、第２の触媒１５を保管する位置と、ステージ１３上の基板１２が搭載されるべき位置とに第２の触媒１５を移動させる。そうすると、第２の触媒１５を設置する場所をステージ１３上で確保しておく必要がなくなるため、ステージ１３のサイズを小さくすることができる。第１の触媒１８は、第１の移動機構５によって電子ビーム３が照射される第１位置と電子ビーム３が照射されない第２位置とに移動される。第１の移動機構５は、例えば駆動機構としてパルスモータを用いてもよく、周知の技術を適用し得る。
第１の触媒１８および第２の触媒１５は、堆積物の除去処理を行う場合に、電子ビーム３の少なくとも一部が触媒に照射される位置に移動する。本実施形態では、第２の触媒１５が板状で、第１の触媒１８がワイヤ状の場合を示したが、これに限らない。例えば、第１の触媒１８はメッシュ状（網目状）でも良い。つまり、除去処理を行う場合に、電子ビーム３の一部が第１の触媒１８を照射し、電子ビーム３の他の一部が第２の触媒１５を照射するようにすることが効果的である。
本実施形態で示しているように、第１の触媒１８をワイヤ状で構成した場合、電子ビーム３の一部が第１の触媒１８を通過することができるため、第１の触媒１８と第２の触媒１５とに、同時に、電子ビーム３を照射することが可能である。このとき、複数の部材に対して同時に除去処理を行いうるため、除去処理に要する時間を短縮することが出来る。また、第１の触媒１８および第２の触媒１５と同様の機能を有する触媒を他の部材のために設けても良い。例えばアパーチャアレイ６とブランカーアレイ８との間に第３の触媒および第３の触媒の移動機構を設けても良い。第３の触媒を設けることによって、アパーチャアレイ６およびブランカーアレイ８に高濃度の活性種を供給することが可能となり、効率よく洗浄することができる。
オリフィス板１９は、第１、第２の気体導入管１６，１７から供給される気体が電子銃１へ侵入することを制限する制限機構である。オリフィス板１９は、電子銃１から出射された電子ビームを通過させる開口を有する例えば板状の部材であり、電子ビームの通過方向に直交する方向に移動可能である。図３にオリフィス板１９の一例を示す。図３ではクロスオーバー２から放出された電子ビーム３がオリフィス板１９の開口を通過したものだけがアパーチャアレイ６に入射するように構成されている。オリフィス板１９は駆動機構を有し、駆動機構は、アパーチャアレイ６の開口部すべてに、順に電子ビーム３を入射するようにオリフィス板１９を移動させる。また、コリメーターレンズ４によって電子ビーム３を収束させた実施形態を図４に示す。これによって、より高電流量の電子ビーム３をオリフィス板１９より下流に通過させることができる。電子ビーム３を収束させるために別途電子光学系をオリフィス板１９とクロスオーバー２との間に設けてもよい。
このオリフィス板１９の前後で２桁以上の圧力差をつけたい場合には、オリフィス板１９の開口の面積は合計で７．９ｍｍ２以下であればよく、開口の合計面積が７．９ｍｍ２以下となる小さな開口を複数有してもよい。このような構成により、第１の気体導入管１７や第２の気体導入管１６から供給される気体が電子銃１へ流入することを抑制することができ、気体が供給された状態で電子ビーム３を照射することによる電子銃１の劣化を防止することが出来る。また、本実施形態ではコリメーターレンズ４とアパーチャアレイ６との間にオリフィス板１９を設けているが、電子銃１とコリメーターレンズ４との間にオリフィス板１９を設けても良い。
第１の気体導入管１７および第２の気体導入管１６により、第１の触媒１８および第２の触媒１５に気体を供給する。第１の気体導入管１７及び第２の気体導入管１６から供給する気体は第１の触媒１８および第２の触媒１５の近傍に供給する。気体の供給は排気口１４から気体を排気しながら行っても良いし、排気せずに行っても良い。除去処理を行う場合、気体を供給する前に部材への電力の供給を停止しておく。これによって、気体が供給されたときに部材の電極間で放電が発生することを防止することができる。電子ビーム３を生成する場合には、部材の電極間に放電が発生しない程度の電圧を供給するために不図示の制御システムで制御しながら部材に電圧を供給する。
気体を供給し、第１の触媒１８および第２の触媒１５の近傍が所望の圧力、例えば０.１〜１００ Ｐａに達すると、電子ビーム３を第１の触媒１８および第２の触媒１５に照射する。ただし、各触媒を照射するタイミングは、これに限られるものではなく、第１の触媒１８へ電子ビーム３を照射し第１の触媒１８の近傍の堆積物を除去した後に、第１の触媒１８を電子ビーム３の経路から退避させて、第２の触媒１５に電子ビーム３を照射しても良い。電子ビーム３は部材の設定条件が描画処理時とは異なる条件で第１の触媒１８および第２の触媒１５に照射されても良い。例えば、基板１２の場所において描画処理時よりも電子ビーム３のビーム径が広がるように部材を設定しても良い。電子ビーム３の照射を開始すると活性種が生成され、生成された活性種と部材の堆積物とが反応し、堆積物を除去してゆく。除去された堆積物は排気口１４から容器２０の外部に排出される。
堆積物の除去が完了した後に、電子ビーム３の照射を停止し、第１の気体導入管１７および第２の気体導入管１６からの気体の供給を停止する。堆積物の除去が完了したかどうかの判断は、電子ビーム３を不図示のアライメントマークに照射することによって、所望の光学特性が復元されているか確認しても良いし、あらかじめ設定しておいた時間が経過すれば除去できたと判断しても良い。第１の触媒１８および第２の触媒１５を、第１の触媒の移動機構５およびステージ(第２の触媒の移動機構)１３及びによって、電子ビーム３が照射されない位置に移動させて除去処理を終了する。
図１において、アパーチャアレイ６（部材）および第２の静電レンズアレイ１１（第２の部材）から堆積物を除去する例を示した。しかし、他の部材から堆積物を除去するように設けてもよい。本実施形態によれば、除去動作を行う場合に、堆積物が堆積された部材の近傍で電子ビームが照射される位置に触媒を移動するので、堆積物の近傍で活性種を発生させることができる。堆積物が触媒の近くにあるため、活性種の失活量は少なくなり高濃度の活性種を堆積物に供給することができる。したがって、堆積物の分解に要する時間を短くできるため、描画装置の生産性（スループット）を向上させることができる。
なお、上述の構成に加えて、第１の気体導入管１７、第２の気体導入管１６、ステージ１３、部材の少なくとも一部を活性種の失活を抑制可能な材料で構成してもよい。例えば、活性種として水素ラジカルを例にとると、ＳｉＯ２など、水素ラジカルの消滅確率が０.２以下の材料が適用される。材料表面と水素原子が1回衝突した場合に水素ラジカルの９０％が消滅するとき、水素ラジカルが材料表面と１０回衝突すると消滅確率が０.２となる。第１の触媒１８および第２の触媒１５は、第１の気体導入管１７および第２の気体導入管１６からの気体と反応して活性種を生成可能な触媒であり、例えば、タングステン、白金、モリブデン、ニッケル、レニウム及びタンタルの少なくとも１つを含む。第１の触媒１８および第２の触媒１５と反応して活性種を生成可能な気体は、例えば、水素、アンモニア、酸素、窒素の少なくとも１つを含む。生成される活性種としては、例えば、水素ラジカル、窒素ラジカル、酸素ラジカルがあげられるが、これらに限らない。第１実施形態では、除去ユニットを電子ビーム描画装置に適用したが、電子ビーム以外の他の荷電粒子ビームを用いて描画する荷電粒子ビーム描画装置に適用してもよい。
［第２実施形態］
第２実施形態の描画装置は、波長１３ｎｍ程度の極紫外光を用いて基板にパターンを描画するＥＵＶ（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）露光装置に適用する。図２は、ＥＵＶ露光装置の概略を示す図である。ＥＵＶ露光装置は、極紫外光を用いて、レチクル（原版）３７に形成されたパターンをウエハ（基板）１２に転写する。ＥＵＶ露光装置は、極紫外光を生成する光源ユニットと、生成された極紫外光をレチクルに導く照明光学系と、レチクル３７の表面で反射された極紫外光を基板に導く投影光学系を備える。また、ＥＵＶ露光装置は、ウエハ（基板）１２を移動させるウエハステージ１３と、レチクル３７を移動させるレチクルステージ３４とを備える。これらの構成要素は、容器２０の内部に配置される。また、ＥＵＶ露光装置は、真空ポンプ等の排気機構を備え、排気口１４を介して排気することにより容器２０の内部に真空環境（例えば１Ｅ−５Ｐａ以下の圧力）を形成可能となっている。
第２実施形態の描画装置は、波長１３ｎｍ程度の極紫外光を用いて基板にパターンを描画するＥＵＶ（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）露光装置に適用する。図２は、ＥＵＶ露光装置の概略を示す図である。ＥＵＶ露光装置は、極紫外光を用いて、レチクル（原版）３７に形成されたパターンをウエハ（基板）１２に転写する。ＥＵＶ露光装置は、極紫外光を生成する光源ユニットと、生成された極紫外光をレチクルに導く照明光学系と、レチクル３７の表面で反射された極紫外光を基板に導く投影光学系を備える。また、ＥＵＶ露光装置は、ウエハ（基板）１２を移動させるウエハステージ１３と、レチクル３７を移動させるレチクルステージ３４とを備える。これらの構成要素は、容器２０の内部に配置される。また、ＥＵＶ露光装置は、真空ポンプ等の排気機構を備え、排気口１４を介して排気することにより容器２０の内部に真空環境（例えば１Ｅ−５Ｐａ以下の圧力）を形成可能となっている。
光源ユニットは、レーザ３０と、発光媒体３２と、集光ミラー３１とを備える。レーザ３０から発光媒体３２にレーザを照射することによって、極紫外光が取り出され、取り出された極紫外光は、集光ミラー３１により集光される。集光ミラー３１からの極紫外光は、照明光学系としての多層膜ミラー３５により反射され、レチクル３７に導かれる。レチクル３７の表面で反射した極紫外光は、投影光学系としての多層膜ミラー３６ａ〜ｆにより反射され、ウエハ１２に導かれる。投影光学系は、レチクル３７のパターンをウエハ１２に縮小させて投影する。
このようなＥＵＶ露光装置において、照明光学系や投影光学系を構成する多層膜ミラー３５，３６ａ〜ｆに堆積物が堆積するおそれがある。このような堆積物として、例えば炭素物質が挙げられ、ＥＵＶ露光装置を構成する部材から放出されるアウトガスや、ウエハに１２塗布されたレジスト（感光剤）から放出される炭素化合物が要因となる。この堆積物は、極紫外光の反射率を低下させ、レジストに照射される光量を低下してスループットが低下させてしまう。本実施形態において、ＥＵＶ露光装置は、上述の除去ユニットを備えており、除去ユニットで生成された水素ラジカルをこれらの多層膜ミラー３５、３６ａ〜ｆに供給することによって、水素ラジカルと堆積物とを反応させて、堆積物を分解し除去する。
除去処理の手順の一例を以下に示す。第１の触媒１８および第２の触媒１５を第１の触媒の移動機構５及びウエハステージ１３によってＥＵＶの光路に移動する。第１の触媒１８および第２の触媒１５は、ＥＵＶの光路に進入したとき、少なくとも各触媒の一部にＥＵＶが照射されるように構成されている。本実施形態では、第１の触媒１８がワイヤ状で第２の触媒１５が板状である場合を示したが、これに限らない。例えば、第１の触媒１８はメッシュ状でも良い。また、第１の触媒１８および第２の触媒１５と同様の機能を有する触媒を複数設けても良い。例えば照明系の多層膜ミラー３５の近傍に第３の触媒および第３の触媒の移動機構を設けても良い。また、発光点３２に気体が侵入することを制限する不図示のオリフィス板を有してもよい。オリフィス板は、例えば板状の部材で構成されており、一部に開口を有している。この開口の面積は７９ｍｍ２以下が望ましく、小さな開口を複数有してもよく、開口面積の合計が７９ｍｍ２以下となればよい。このような構成により、発光点３２に気体が供給されることを抑制することができ、ＥＵＶ光が導入された気体に吸収されてＥＵＶ光の強度が低下することを抑制することが出来る。
次に、第１の気体導入管１７および第２の気体導入管１７より、第１の触媒１８および第２の触媒１５に気体を供給する。第１の気体導入管１７及び第２の気体導入管１６から供給される気体は第１の触媒１８および第２の触媒１５の近傍に供給することが望ましい。気体の供給は排気口１４から気体を排気しながら行っても良いし、排気せずに行っても良い。このとき、除去処理時に使用されない部材への電力の供給を停止しておくことが好ましく、例えば、レチクルステージ３４やウエハステージ１３がこれにあたる。これによって、気体が供給されたときに部材間で放電が発生することを防止することができる。
気体を供給し、第１の触媒１８および第２の触媒１５の近傍が所望の圧力、例えば０.１〜１００ Ｐａに達すると、ＥＵＶを第１の触媒１８および第２の触媒１５に照射する。ただし、各触媒を照射するタイミングは、これに限られるものではなく、第１の触媒１８へＥＵＶを照射し第１の触媒１８の近傍の堆積物を除去した後に、第１の触媒１８をＥＵＶの光路から退避させて、第２の触媒１５にＥＵＶを照射しても良い。ＥＵＶの照射を開始すると活性種が生成され、生成された活性種と多層膜ミラーの堆積物とが反応し、堆積物を分解してゆく。分解された堆積物は排気口１４から容器２０の外部に排出される。
堆積物の除去が完了した後に、ＥＵＶの照射を停止し、第１の気体導入管１７および第２の気体導入管１６からの気体の供給を停止する。堆積物の除去が完了したかどうかの判断は、ＥＵＶを不図示の検出器に照射することによって、所望の光量が復元されているか確認しても良いし、あらかじめ設定しておいた時間が経過すれば除去できたと判断しても良い。第１の触媒１８および第２の触媒１５を、第１の触媒の移動機構５とウエハステージ１３とによって、ＥＵＶの光路から退避させて除去処理を終了する。なお、図２において、多層膜ミラー３６から堆積物を除去する例を示したが、他の部材から堆積物を除去するために用いてもよく、部材以外の部材から堆積物を除去するために用いてもよい。本実施形態によれば、除去処理に要する時間を短くできるため、ＥＵＶ露光装置の生産性（スループット）を向上させることができる。
［デバイス製造方法］
エネルギービームを用いてパターンを描画する描画装置を用いたデバイス製造方法の例を説明する。デバイスとして、例えば、半導体デバイス、液晶表示デバイスが製造される。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の描画装置を使用して感光剤が塗布されたウエハにパターンを描画する工程と、パターンが描画されたウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の描画装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板にパターンを描画する工程と、パターンが描画されたガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
エネルギービームを用いてパターンを描画する描画装置を用いたデバイス製造方法の例を説明する。デバイスとして、例えば、半導体デバイス、液晶表示デバイスが製造される。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の描画装置を使用して感光剤が塗布されたウエハにパターンを描画する工程と、パターンが描画されたウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の描画装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板にパターンを描画する工程と、パターンが描画されたガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
Claims (8)
- エネルギービーム源により生成されたエネルギービームを用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、
前記エネルギービーム源と前記基板との間に配置され、堆積物が堆積される第１の部材と、
前記エネルギービーム源と前記基板との間であって前記第１の部材よりも前記基板を搭載して移動するステージの側に配置され、堆積物が堆積される第２の部材と、
前記第１の部材と前記第２の部材に堆積された堆積物を除去する除去ユニットと、
を備え、
前記除去ユニットは、
前記堆積物を分解する活性種を生成するための気体を供給する気体供給機構と、
前記エネルギービームが照射されることによって、前記第１の部材に堆積された堆積物を分解する活性種を前記気体から生成するための、ワイヤ状又は網目状である第１の触媒と、
前記エネルギービームが照射されることによって、前記第２の部材に堆積された堆積物を分解する活性種を前記気体から生成するための第２の触媒と、
前記第１の部材と前記第２の部材に堆積された堆積物の除去処理を行う場合に前記第１の触媒を前記エネルギービームが照射される第１位置に移動し、前記基板に描画処理を行う場合に前記第１の触媒を前記エネルギービームが照射されない第２位置に移動する移動機構と、
を含み、
前記除去処理を行う場合に前記エネルギービームの一部を前記第１の触媒に照射し、前記エネルギービームの他の一部を前記第２の触媒に照射する、ことを特徴とする描画装置。 - 前記第２の触媒は、前記基板を搭載して移動するステージ上に搭載される、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
- 前記第２の触媒は、前記基板と同一の形状に形成され、
前記基板を搭載して移動するステージ上で前記基板が搭載されるべき位置と前記第２の触媒を保管し前記エネルギービームが照射されない位置とに移動する第２の移動機構を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。 - 前記除去処理を行う場合に前記気体供給機構から供給された前記気体が前記エネルギービーム源へ侵入することを制限する制限機構をさらに備える、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
- 前記制限機構は、開口を有して前記エネルギービームの通過方向に直交する方向に移動可能なオリフィス板を含む、ことを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
- 前記気体は水素を含み、前記活性種は水素ラジカルを含み、前記第１の触媒は、タングステン、白金、モリブデン、ニッケル、レニウム及びタンタルの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の描画装置。
- 前記エネルギービームは、荷電粒子ビーム又は極紫外光である、ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の描画装置。
- 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
前記工程でパターンが描画された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011009198A JP5709546B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
| US13/353,571 US8563950B2 (en) | 2011-01-19 | 2012-01-19 | Energy beam drawing apparatus and method of manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011009198A JP5709546B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012151304A JP2012151304A (ja) | 2012-08-09 |
| JP2012151304A5 JP2012151304A5 (ja) | 2014-03-06 |
| JP5709546B2 true JP5709546B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=46490078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011009198A Expired - Fee Related JP5709546B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8563950B2 (ja) |
| JP (1) | JP5709546B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5759186B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-08-05 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法 |
| JP5709546B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
| NL2010488C2 (en) * | 2012-03-20 | 2014-10-21 | Mapper Lithography Ip Bv | Arrangement and method for transporting radicals. |
| KR101586181B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2016-01-15 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 적재대 및 플라즈마 처리 장치 |
| WO2016103432A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置およびその制御方法 |
| US9981293B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
| DE102018221191A1 (de) * | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element zur Reflexion von VUV-Strahlung und optische Anordnung |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146135A (en) * | 1991-08-19 | 2000-11-14 | Tadahiro Ohmi | Oxide film forming method |
| JP2666734B2 (ja) * | 1994-08-30 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 無機レジスト描画装置及び描画方法 |
| JP3827359B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 |
| JP3047293B1 (ja) * | 1999-01-18 | 2000-05-29 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子ビ―ム装置およびこれを用いた半導体集積回路 |
| JP2002237443A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 汚染除去装置、露光装置の汚染除去方法及び露光装置 |
| US6664554B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-12-16 | Euv Llc | Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography |
| JP2003124089A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及び露光方法 |
| JP3789089B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2006-06-21 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| JP2003227898A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、軟ｘ線光学機器、露光装置及びその清掃方法 |
| US20040011381A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Klebanoff Leonard E. | Method for removing carbon contamination from optic surfaces |
| DE60323927D1 (de) * | 2002-12-13 | 2008-11-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| JP2005050579A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| CN100573334C (zh) * | 2004-07-22 | 2009-12-23 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有清洁装置的光学系统 |
| US7355672B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus |
| US7868304B2 (en) * | 2005-02-07 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7262408B2 (en) * | 2005-06-15 | 2007-08-28 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Process and apparatus for modifying a surface in a work region |
| US7561247B2 (en) * | 2005-08-22 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus |
| US7473908B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Getter and cleaning arrangement for a lithographic apparatus and method for cleaning a surface |
| JP5178724B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2013-04-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 汚染物質又は望ましくない物質で覆われた表面領域をクリーニングする方法 |
| US7671347B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning method, apparatus and cleaning system |
| WO2008135905A2 (en) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Nxp B.V. | A photosensitive device and a method of manufacturing a photosensitive device |
| JP2009016640A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光集光鏡のクリーニング方法 |
| US7894037B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2009302185A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Canon Inc | 処理装置 |
| US8384007B2 (en) * | 2009-10-07 | 2013-02-26 | Zena Technologies, Inc. | Nano wire based passive pixel image sensor |
| JP5759186B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-08-05 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法 |
| JP5709546B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
-
2011
- 2011-01-19 JP JP2011009198A patent/JP5709546B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-19 US US13/353,571 patent/US8563950B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012151304A (ja) | 2012-08-09 |
| US8563950B2 (en) | 2013-10-22 |
| US20120181455A1 (en) | 2012-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5709546B2 (ja) | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 | |
| US7136141B2 (en) | Lithographic apparatus with debris suppression, and device manufacturing method | |
| JP5785436B2 (ja) | 荷電粒子線描画装置およびそのクリーニング方法ならびにデバイスの製造方法 | |
| JP5010047B2 (ja) | 洗浄モジュール，ｅｕｖリソグラフィ装置及びそれらの洗浄方法 | |
| US20120223256A1 (en) | Systems and methods for optics cleaning in an euv light source | |
| US9104113B2 (en) | Amplification method for photoresist exposure in semiconductor chip manufacturing | |
| KR20040055694A (ko) | 리소그래피 투영장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법,리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 및 세정 시스템 | |
| US11979971B2 (en) | EUV light source and apparatus for lithography | |
| JP2013526004A (ja) | 汚染粒子を除去するシステム、リソグラフィ装置、汚染粒子を除去する方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP7166315B2 (ja) | ラジカルを輸送するための装置および方法 | |
| JP5709535B2 (ja) | 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法 | |
| JP2023083302A (ja) | 極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面の洗浄 | |
| JP2003124089A (ja) | 荷電粒子線露光装置及び露光方法 | |
| NL2004816A (en) | Euv radiation generation apparatus. | |
| JP2007517396A (ja) | リソグラフィ装置、及びデブリ軽減システムを備える放射源、並びにリソグラフィ装置におけるデブリ粒子を軽減する方法 | |
| US10871647B2 (en) | Apparatus and method for prevention of contamination on collector of extreme ultraviolet light source | |
| US8791431B2 (en) | Drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
| KR102697196B1 (ko) | 진공 용기 내의 파편 플럭스 측정 시스템의 재생 방법 | |
| JP2004014960A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| CN120344912A (zh) | 光刻设备和器件制造方法 | |
| TW202437021A (zh) | 汙染控制 | |
| KR20250108600A (ko) | 오염 제어 | |
| JP2007157981A (ja) | 露光装置 | |
| TW202445278A (zh) | 微影設備之原位清潔 | |
| WO2013072154A1 (en) | Radiation source and method for operating the same, lithographic apparatus comprising the radiation source, and device manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140117 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140117 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140929 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141128 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150202 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150303 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |