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JP5693313B2 - Manufacturing method of semiconductor light emitting device using lead frame - Google Patents

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JP5693313B2 JP2011064840A JP2011064840A JP5693313B2 JP 5693313 B2 JP5693313 B2 JP 5693313B2 JP 2011064840 A JP2011064840 A JP 2011064840A JP 2011064840 A JP2011064840 A JP 2011064840A JP 5693313 B2 JP5693313 B2 JP 5693313B2
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Description

本発明は半導体発光装置の製造方法に関するものであり、詳しくは基板の支持部分をダイシングによって切り離し個片化する際に発生するバリによる不具合を無くし、特にハンダ付けにおいて量産性に優れた半導体発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device, and more specifically, eliminates problems caused by burrs that occur when a support portion of a substrate is separated by dicing and separated into individual pieces, and is particularly excellent in mass productivity in soldering. It relates to the manufacturing method.

従来、半導体発光装置において、金属板からなる基板（以後リードフレームと記す）を用い、第１部分と第２部分とによる実装部分を持ち、発光素子を第１部分上に固定し、第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続し、さらに実装部分と発光素子とを樹脂封止した後に基板の支持部分をダイシング等によって切り離し、個片化する製造方法が知られており、例えば特許文献１のような例が提案されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor light emitting device, a substrate made of a metal plate (hereinafter referred to as a lead frame) is used, has a mounting portion of a first portion and a second portion, and a light emitting element is fixed on the first portion. And a second part are electrically connected to each other, and further, a mounting part and a light emitting element are sealed with resin, and then a supporting part of the substrate is separated by dicing or the like, and a manufacturing method is known in which, for example, a patent document An example such as 1 has been proposed.

以下、従来技術について、特許文献１に示す半導体発光装置およびその製造方法を図２２〜図２５を参照して説明する。図２２において、大判の金属板からなるリードフレーム３０には、第１部分３０ａと第２部分３０ｂからなる１個の実装部分３０Ａが複数設けられている。また、このリードフレーム３０には、複数の開口４０ａを有する金属製の反射枠体４０を固定することにより構成される。図２３はリードフレーム３０に反射枠体４０を固定した状態を示し、反射枠体４０の複数の開口４０ａに露出した各第１部分３０ａ上に複数個の発光素子４３を固定し、各第１部分と各第２部分にそれぞれボンディングワイヤー４４で電気的に接続した後に、各開口４０ａを透光性樹脂４５により封止する。そして、発光素子４３が実装されたリードフレーム３０および反射枠体４０集合体４００Ｌをダイシングブレード６によりＸＹの切断線に従って切り離して個片化することにより、図２４に示す半導体発光装置４００を構成する。   Hereinafter, with respect to the prior art, a semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof disclosed in Patent Document 1 will be described with reference to FIGS. In FIG. 22, a lead frame 30 made of a large metal plate is provided with a plurality of one mounting portion 30A made up of a first portion 30a and a second portion 30b. Further, the lead frame 30 is configured by fixing a metal reflection frame body 40 having a plurality of openings 40a. FIG. 23 shows a state in which the reflecting frame 40 is fixed to the lead frame 30. A plurality of light emitting elements 43 are fixed on the first portions 30 a exposed in the plurality of openings 40 a of the reflecting frame 40, and After the portion and each second portion are electrically connected by the bonding wire 44, each opening 40 a is sealed with a translucent resin 45. Then, the lead frame 30 on which the light emitting element 43 is mounted and the reflection frame assembly 40L are separated by the dicing blade 6 according to the XY cutting line, thereby forming the semiconductor light emitting device 400 shown in FIG. .

次に、図２４、図２５を参照して、上記半導体発光装置４００のバリの発生と、マザーボードに実装した状態について説明する。図２４に示す如く前記製造工程において半導体発光装置４００が個片化されるときに、リードフレーム３０における第１部分３０ａと第２部分３０ｂからなる実装部分３０Ａの切断面にはバリ３０ｇが発生する。一般的にはこのように金属板の切断面にバリが発生することは周知の通りである。図２５は半導体発光装置４００をマザーボード４７にハンダリフローによって実装した状態を示す。リードフレーム３０の実装部分３０Ａに発生したバリ３０ｇとハンダ４６ｂとの一般的な関係を示す。なお、４７ａ、４７ｂはマザーボード４７の電極を示し、４６ｂはクリームハンダが溶けた状態を示している。   Next, with reference to FIG. 24 and FIG. 25, the generation | occurrence | production of the burr | flash of the said semiconductor light-emitting device 400 and the state mounted in the motherboard are demonstrated. As shown in FIG. 24, when the semiconductor light emitting device 400 is separated into pieces in the manufacturing process, a burr 30g is generated on the cut surface of the mounting portion 30A including the first portion 30a and the second portion 30b in the lead frame 30. . It is well known that burrs are generally generated on the cut surface of the metal plate in this way. FIG. 25 shows a state in which the semiconductor light emitting device 400 is mounted on the mother board 47 by solder reflow. A general relationship between the burr 30g generated in the mounting portion 30A of the lead frame 30 and the solder 46b is shown. Reference numerals 47a and 47b denote electrodes of the mother board 47, and reference numeral 46b denotes a state in which the cream solder is melted.

２００９−２８３６５３2009-283653

しかしながら、特許文献１に示された半導体発光装置４００の製造方法において、ダイシングにより切り離し、各半導体発光装置４００を個片化する際、リードフレーム３０の連結部分を切断するときに、図２４に示すように実装部分３０Ａの下面側にバリ３０ｇが発生する。この金属バリ３０ｇは樹脂のバリとは違い、厄介であり、取り去るためには非常に手間がかかる。また、完成した半導体発光装置４００をマザーボードにハンダ実装する際、金属バリ３０ｇが残っていると、量産性や品質に欠点が生じる結果となる。   However, in the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 400 disclosed in Patent Document 1, when the semiconductor light emitting device 400 is separated by dicing and the semiconductor light emitting device 400 is singulated, the connection portion of the lead frame 30 is cut as shown in FIG. Thus, the burr 30g is generated on the lower surface side of the mounting portion 30A. Unlike the resin burr, the metal burr 30g is troublesome and takes a lot of time to remove. Further, when the completed semiconductor light emitting device 400 is solder-mounted on the mother board, if the metal burr 30g remains, it results in defects in mass productivity and quality.

すなわち図２５に示す如く、マザーボード電極４７ａの上面にクリームハンダ４６ｂが印刷され、半導体発光素子４００が実装され、リフロー工程でクリームハンダ４６ｂが溶けたとき、バリ３０ｇのために、濡れが悪く、ハンダ４６ｂの上に半導体発光装置４００が浮いた状態となっている。一般的にバリの発生はダイシングの条件により発生状況が不安定であり、例えば、一方には発生し、他方には発生しないこともある。その場合は一方のみ良く濡れて、他方が濡れない現象が起き、半導体発光装置４００の片方が立ち上がった状態（マンハッタン）も起きる。このようにリードフレーム３０の底面でのバリ３０ｇの発生はクリームハンダ４６ｂの濡れを阻害し、浮きやマンハッタンを引き起こし、著しく量産性を損ない、且つ、品質の低下を招く要因となっていた。   That is, as shown in FIG. 25, when the solder paste 46b is printed on the upper surface of the mother board electrode 47a, the semiconductor light emitting device 400 is mounted, and the cream solder 46b is melted in the reflow process, the wet solder is poor due to the burr 30g. The semiconductor light emitting device 400 is in a floating state above 46b. In general, the occurrence of burrs is unstable due to dicing conditions. For example, burrs may occur on one side and not on the other side. In that case, a phenomenon occurs in which only one of the semiconductor light emitting devices 400 is wetted and the other is not wetted, and a state where one of the semiconductor light emitting devices 400 stands up (Manhattan) also occurs. As described above, the generation of the burrs 30 g on the bottom surface of the lead frame 30 hinders the wetness of the cream solder 46 b, causes floating and Manhattan, which significantly reduces the mass productivity and causes the quality to deteriorate.

（発明の目的）
本発明の目的は、半導体発光装置の製造方法において、リードフレーム実装部の支持部分をダイシングによって切断し個片化する際に発生する金属バリによる不具合をなくし、特にハンダ付けにおいて濡れが良く、浮きやマンハッタンが発生しない、量産性に優れ、品質の高い半導体発光装置の製造方法を提供することである。 (Object of invention)
An object of the present invention is to eliminate a problem caused by metal burrs that occur when a support portion of a lead frame mounting portion is cut by dicing and separated into pieces in a manufacturing method of a semiconductor light emitting device, and particularly, good wettability and floating in soldering. And a method for manufacturing a high-quality semiconductor light-emitting device that does not generate or Manhattan, has excellent mass productivity.

上記目的を達成するために、第１部分と第２部分とによる実装部分と、前記第１部分と第２部分とを連結している支持部分とを含む金属板からなる基板と、前記第１部分上に固定され、前記第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続された発光素子と、
前記実装部分を囲むようにモールドされた樹脂枠体と、前記実装部分を封止する透光性樹脂と、を有し、
前記基板の支持部分をダイシングによって切り離して個片化する半導体発光装置の製造方法において、
前記基板の前記支持部分に凹部を設ける工程を含む基板工程と、
前記基板に前記樹脂枠体をモールドするとともに前記凹部にも充填する枠体モールド工程と、
前記実装部分と前記発光素子とを透光性樹脂にて封止する樹脂封止工程と、
前記樹脂枠体を前記凹部の位置で切断するダイシング工程と、を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate made of a metal plate including a mounting part formed by a first part and a second part, and a support part connecting the first part and the second part, and the first part A light emitting element fixed on the part and electrically connected to the first part and the second part,
A resin frame molded so as to surround the mounting portion, and a translucent resin that seals the mounting portion;
In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which the support portion of the substrate is separated into pieces by dicing,
A substrate step including a step of providing a recess in the support portion of the substrate;
A frame body molding step of molding the resin frame body on the substrate and filling the concave portion;
A resin sealing step of sealing the mounting portion and the light emitting element with a translucent resin;
And a dicing step of cutting the resin frame at the position of the recess .

上記構成によれば、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置のハンダ付けにおける優れた量産性の提供を可能にする。   According to the above configuration, since burrs generated by dicing can be absorbed by the grooves provided on the lower surface side, the bottom surface of the substrate can be maintained flat, and it is possible to provide excellent mass productivity in soldering of semiconductor light emitting devices. To.

前記基板工程において、前記基板は一枚の金属板に複数の前記実装部分が設けられ、各実装部分が各々前記凹部を有する前記支持部分によって連結されていると良い。
 In the substrate process, the substrate is provided with a plurality of the mounting parts on a single metal plate, may each mounting portion is connected by the support portion, each having the recess.

前記基板工程において、前記支持部分の上面側及び下面側の両方に前記凹部を設けると良い。
 In the substrate step, the concave portions may be provided on both the upper surface side and the lower surface side of the support portion .

上記構成によれば、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することに加えて、枠体樹脂が基板の上面側の溝（凹部）に充填されるので、基板との密着度が増す効果と同時に、切断部を薄くすることにより、切断の容易化と、発生するバリの少量化により精度が高い量産性と優れたハンダ付けの量産性の両方を提供できる。   According to the above configuration, in addition to absorbing burrs generated by dicing in the grooves provided on the lower surface side, the frame body resin is filled in the grooves (concave portions) on the upper surface side of the substrate, so the degree of adhesion to the substrate At the same time, by making the cutting part thinner, it is possible to provide both mass production with high accuracy and excellent soldering by facilitating cutting and reducing the amount of generated burrs.

前記基板工程において、前記基板の上面側に設けた前記凹部内に、前記樹脂枠体が形成されていると良い。
また、前記枠体モールド工程を、前記樹脂封止工程の後に設けると良い。
 In the substrate step, the resin frame may be formed in the recess provided on the upper surface side of the substrate .
Moreover, it is good to provide the said frame body mold process after the said resin sealing process .

本発明によれば、基板の支持部分をダイシングによって切り離して個片化する際、リードフレームの支持部分の少なくとも下面側に溝を設けることにより、発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、リードフレームの底面を平坦に維持でき、特にマザーボードに実装する際、ハンダリフロー工程でバリの影響によりハンダの濡れが阻害されることがなく、浮きやマンハッタンのない量産性に優れた半導体発光装置の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, when the support portion of the substrate is separated and separated by dicing, the generated burr is absorbed in the groove provided on the lower surface side by providing the groove on at least the lower surface side of the support portion of the lead frame. The bottom surface of the lead frame can be kept flat, especially when it is mounted on the motherboard, and solder wetting is not hindered by the effects of burrs in the solder reflow process, and it is excellent in mass productivity without floating or Manhattan In addition, a method for manufacturing a semiconductor light emitting device can be provided.

本発明の第１実施形態におけるリードフレームの斜視図である。It is a perspective view of the lead frame in a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態において、図１のＭ部拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a portion M in FIG. 1 in the first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態において、図２のＡ−Ａ断面図である。In 1st Embodiment of this invention, it is AA sectional drawing of FIG. 本発明の第１実施形態における枠体をモールドした集合体の斜視図である。It is a perspective view of the aggregate | assembly which molded the frame in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態における発光素子を実装した集合体の斜視図である。It is a perspective view of the aggregate | assembly which mounted the light emitting element in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態において、図５（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。In 1st Embodiment of this invention, it is BB sectional drawing of FIG.5 (B). 本発明の第１実施形態における樹脂を封止した集合体の斜視図である。It is a perspective view of the aggregate | assembly which sealed resin in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態における集合体を個片化した状態の斜視図である。It is a perspective view of the state which separated the aggregate | assembly in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態における半導体発光装置の斜視図である。1 is a perspective view of a semiconductor light emitting device in a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態において、マザーボードに実装した断面図である。In 1st Embodiment of this invention, it is sectional drawing mounted in the motherboard. 本発明の第２実施形態におけるリードフレームの斜視図である。It is a perspective view of the lead frame in a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態において、図１１のＭ部拡大図である。FIG. 12 is an enlarged view of a portion M in FIG. 11 in the second embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態において、図１２のＡ−Ａ断面図である。In 2nd Embodiment of this invention, it is AA sectional drawing of FIG. 本発明の第２実施形態における半導体発光装置の斜視図である。It is a perspective view of the semiconductor light-emitting device in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態におけるリードフレームの斜視図である。It is a perspective view of the lead frame in a 3rd embodiment of the present invention. 本発明の第３実施形態において、図１５のＭ部拡大図である。In 3rd Embodiment of this invention, it is the M section enlarged view of FIG. 本発明の第３実施形態において、図１６のＡ−Ａ断面図である。In 3rd Embodiment of this invention, it is AA sectional drawing of FIG. 本発明の第３実施形態においてマザーボードに実装した断面図である。It is sectional drawing mounted in the motherboard in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態における発光素子を実装した集合体の斜視図である。It is a perspective view of the aggregate | assembly which mounted the light emitting element in 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態における樹脂を封止した集合体の斜視図である。It is a perspective view of the aggregate | assembly which sealed resin in 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態における枠体をモールドした集合体の斜視図である。It is a perspective view of the aggregate | assembly which molded the frame in 4th Embodiment of this invention. 従来の製造方法のリードフレームと枠体の斜視図である。It is a perspective view of a lead frame and a frame of a conventional manufacturing method. 従来の製造方法の半導体を実装した集合体の斜視図である。It is a perspective view of the aggregate | assembly which mounted the semiconductor of the conventional manufacturing method. 従来の製造方法の半導体発光装置の斜視図である。It is a perspective view of the semiconductor light-emitting device of the conventional manufacturing method. 従来の製造方法の半導体発光装置をマザーボードに実装した断面図である。It is sectional drawing which mounted the semiconductor light-emitting device of the conventional manufacturing method on the motherboard.

（第１実施形態）
以下、本発明の具体的実施形態として、第１実施形態を図１〜図１０に基づいて説明する。図１は第１の製造工程（リードフレーム工程）として、リードフレーム１の斜視図を示している。金属板からなるリードフレーム１には複数の実装部分（１点鎖線で示す）が設けられており、１個の発光装置の実装部分１Ａはリードフレーム１の枠部分１ｈ（図２参照）と接続し、また隣接する他の実装部分にも接続している。また、実装部分１Ｂはそのすべての支持部分が隣接している他の実装部分と接続している。図２は図１の実装部分１Ａ付近のＭ部の拡大斜視図である。図２を参照して、実装部分１Ａについて説明する。実装部分１Ａは第１部分１ａと第２部分１ｂからなり、必要な隙間１ｉで配設されている。第１部分１ａは支持部分１ｃ、１ｅ、１ｆにより隣接する実装部分または枠１ｈと接続されている。第２部分１ｂは支持部分１ｄ、１ｅ、１ｆにより隣接する実装部分または枠１ｈと接続されている。 (First embodiment)
Hereinafter, as a specific embodiment of the present invention, a first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view of a lead frame 1 as a first manufacturing process (lead frame process). The lead frame 1 made of a metal plate is provided with a plurality of mounting portions (indicated by a one-dot chain line), and the mounting portion 1A of one light emitting device is connected to the frame portion 1h (see FIG. 2) of the lead frame 1. In addition, it is also connected to other adjacent mounting parts. In addition, the mounting portion 1B is connected to another mounting portion in which all the supporting portions are adjacent. FIG. 2 is an enlarged perspective view of an M portion in the vicinity of the mounting portion 1A in FIG. The mounting portion 1A will be described with reference to FIG. The mounting portion 1A includes a first portion 1a and a second portion 1b, and is disposed with a necessary gap 1i. The first portion 1a is connected to an adjacent mounting portion or frame 1h by support portions 1c, 1e, and 1f. The second portion 1b is connected to an adjacent mounting portion or frame 1h by support portions 1d, 1e, and 1f.

次に、図３は図２における支持部分１ｅ側の断面で、Ａ−Ａ断面を示している。図２、図３において、第１部分１ａから伸びる支持部分１ｃ、１ｅ、１ｆにはすべて、下面側に溝１ｊが設けられている。また、第２部分１ｂから伸びる支持部分１ｄ、１ｅ、１ｆにも同様に下面側に溝１ｊが設けられている。すなわち、実装部分１Ａの第１部分１ａ、第２部分１ｂに設けられた支持部分はすべてが隣接する実装部分または、枠１ｈとの間において、下面側に溝１ｊが設けられている。また、図１において、実装部分１Ｂはその周囲がすべて他の実装部分であるが、実装部分１Ａと同様にすべての支持部分は隣接する実装部分との間において、下面側に溝１ｊが設けられている。また、リードフレーム１上に設けられたすべての実装部分についても同様で下面側に溝１ｊが設けられている。つまり、すべての支持部分において、基本的な構成は同じであるため、実装部分１Ａを含むその周辺の構成、作用および効果を代表して説明する。   Next, FIG. 3 is a cross section on the support portion 1e side in FIG. 2 and 3, the support portions 1c, 1e, and 1f extending from the first portion 1a are all provided with a groove 1j on the lower surface side. Similarly, the support portions 1d, 1e, and 1f extending from the second portion 1b are also provided with grooves 1j on the lower surface side. That is, the support portion provided in the first portion 1a and the second portion 1b of the mounting portion 1A is provided with a groove 1j on the lower surface side between the adjacent mounting portion or the frame 1h. Further, in FIG. 1, the mounting portion 1B is entirely surrounded by other mounting portions. Like the mounting portion 1A, all support portions are provided with grooves 1j on the lower surface side between adjacent mounting portions. ing. The same applies to all mounting portions provided on the lead frame 1, and a groove 1j is provided on the lower surface side. That is, since the basic configuration is the same in all the support portions, the configuration, operation, and effect of the periphery including the mounting portion 1A will be described as a representative.

次に、図４は第２の製造工程（枠体モールド工程）を示し、リードフレーム１に枠体として樹脂をモールドした集合体の斜視図である。リードフレーム１を図示しない成形金型にセットし、所定の成形条件にて所定の樹脂をインサートモールドする。このとき、図４に示すように、リードフレーム１の上面には発光素子３を実装する開口２ａとそれを囲む枠体２が形成される。このとき、リードフレーム１の上面に枠体２が形成されると同時に、後術する如く第１部分１ａと第２部分１ｂの間の隙間１ｉにも樹脂が充填されて、２ｂ部分が形成され、第１部分１ａと第２部分１ｂとは電気的に絶縁された状態で結合される。また、各支持部分１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆの下面側の溝１ｊ（凹部）にも樹脂が充填され２ｃが形成される（図６参照）。これらはすべての実装部分についても同様であり、すべての支持部分の下面側１ｊ（凹部）に樹脂が充填され、枠体２の剛性が増し、集合体全体としての剛性を増すことができる。   Next, FIG. 4 shows a second manufacturing process (frame body molding process), and is a perspective view of an assembly in which resin is molded as a frame body on the lead frame 1. The lead frame 1 is set in a molding die (not shown), and a predetermined resin is insert-molded under predetermined molding conditions. At this time, as shown in FIG. 4, an opening 2 a for mounting the light emitting element 3 and a frame body 2 surrounding the opening 2 a are formed on the upper surface of the lead frame 1. At this time, the frame 2 is formed on the upper surface of the lead frame 1, and at the same time, the resin 1 is filled in the gap 1i between the first portion 1a and the second portion 1b to form the 2b portion as will be described later. The first portion 1a and the second portion 1b are coupled in an electrically insulated state. Also, the resin is filled in the grooves 1j (recesses) on the lower surface side of the support portions 1c, 1d, 1e, and 1f to form 2c (see FIG. 6). The same applies to all mounting parts, and the lower surface side 1j (concave part) of all the support parts is filled with resin, so that the rigidity of the frame body 2 is increased and the rigidity of the entire assembly can be increased.

次に、図５（Ａ）は第３の製造工程（発光素子実装工程）を示し、発光素子３の固定とワイヤーボンディングについて説明する。リードフレーム１の各第１部分１ａに各発光素子３を実装し固定する。続いて各発光素子３と各第１部分１ａおよび各第２部分１ｂの間をボンディングワイヤー４によりボンディングし、電気的に接続する。これにより、発光素子３を実装した半導体発光装置集合体１００Ｌが形成される。なお、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示す１つの実装部分Ｎの拡大平面図である。   Next, FIG. 5A shows a third manufacturing process (light emitting element mounting process), and fixing of the light emitting element 3 and wire bonding will be described. Each light emitting element 3 is mounted and fixed to each first portion 1 a of the lead frame 1. Subsequently, each light emitting element 3 and each first portion 1a and each second portion 1b are bonded by a bonding wire 4 to be electrically connected. Thereby, the semiconductor light emitting device assembly 100L on which the light emitting element 3 is mounted is formed. FIG. 5B is an enlarged plan view of one mounting portion N shown in FIG.

次に、図６を参照して図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示す１つの実装部分Ｎについて説明する。図６は図５（Ｂ）に示すＢ−Ｂ断面である。断面Ｂ−Ｂは第１部分１ａの手前側の支持部分１ｃと第２部分１ｂの手前側の支持部分１ｄを通過する断面である。第１部分１ａと第２部分１ｂの上面側には枠体２が発光素子３の実装部分の周囲を取り囲むように形成され、発光素子開口２ａが形成されている。また、第１部分１ａと第２部分１ｂの隙間１ｉと第１部分１ａの下面側に設けた溝１ｊおよび第２部分１ｂの下面側に設けた溝１ｊにも樹脂が充填され、それぞれ、２ｂ、２ｃを形成している。また、樹脂２ｂの形成により第１部分１ａと第２部分１ｂとは電気的に絶縁され、機械的に結合されている。このようにして、第１部分１ａ、第２部分１ｂには発光素子開口２ａの内側を除いて、すべての空間に樹脂が充填されており、発光素子開口２ａの内部に露出した第１部分１ａ上には発光素子３が実装され、第１部分１ａと第２部分１ｂとにワイヤーボンディングされている。   Next, one mounting portion N shown in FIGS. 5A and 5B will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line B-B shown in FIG. The cross section BB is a cross section passing through the support portion 1c on the near side of the first portion 1a and the support portion 1d on the near side of the second portion 1b. On the upper surface side of the first portion 1a and the second portion 1b, the frame body 2 is formed so as to surround the periphery of the mounting portion of the light emitting element 3, and the light emitting element opening 2a is formed. The gap 1i between the first portion 1a and the second portion 1b, the groove 1j provided on the lower surface side of the first portion 1a, and the groove 1j provided on the lower surface side of the second portion 1b are also filled with resin. 2c is formed. Further, the first portion 1a and the second portion 1b are electrically insulated and mechanically coupled by the formation of the resin 2b. In this way, the first portion 1a and the second portion 1b are filled with the resin except for the inside of the light emitting element opening 2a, and the first portion 1a exposed inside the light emitting element opening 2a is exposed. The light emitting element 3 is mounted on the top and wire-bonded to the first portion 1a and the second portion 1b.

次に、図７において、第４の製造工程（樹脂封止工程）である樹脂の封止について説明する。図５に示す発光素子３が実装され、ボンディングワイヤー４により電気的接続がなされた半導体発光装置集合体１００Ｌの各発光素子開口２ａに透光性樹脂５を流入し封止する。これにより、各発光素子実装部を透光性樹脂５によって封止した半導体発光装置集合体１００Ｌが完成する。   Next, referring to FIG. 7, resin sealing, which is a fourth manufacturing process (resin sealing process), will be described. A light-transmitting resin 5 flows into each light-emitting element opening 2a of the semiconductor light-emitting device assembly 100L on which the light-emitting element 3 shown in FIG. 5 is mounted and electrically connected by the bonding wire 4 and sealed. Thereby, the semiconductor light emitting device assembly 100L in which each light emitting element mounting portion is sealed with the translucent resin 5 is completed.

次に、図８において、第５の製造工程（ダイシング工程）であるダイシングによる個片化について説明する。図示しないダイシング装置に半導体発光装置集合体１００Ｌをセットし、枠２の部分および各発光開口２ａの各行間を矢印Ｘの方向にダイシングブレード６を用いて切断する。次に、半導体発光装置集合体１００Ｌを９０度回転させてダイシング装置にセットし、枠２の部分および各発光開口２ａの列間を矢印Ｙの方向にダイシングブレード６を用いて切断する。   Next, referring to FIG. 8, description will be given of individualization by dicing, which is a fifth manufacturing process (dicing process). The semiconductor light emitting device assembly 100L is set in a dicing device (not shown), and the portion of the frame 2 and the space between the light emitting openings 2a are cut using a dicing blade 6 in the direction of arrow X. Next, the semiconductor light emitting device assembly 100L is rotated by 90 degrees and set in the dicing device, and the portion of the frame 2 and the row of the light emitting openings 2a are cut using the dicing blade 6 in the direction of arrow Y.

図６を参照して、ダイシング時の切断位置について詳しく説明する。図６の断面図にはダイシングブレード６が通過する位置を点線にて示している。この位置は図８に示すように、ダイシングブレード６がＹ方向に切断する場合である。この切断位置は枠２の中間であると同時に、実装部分１０Ａの支持部分１ｃおよび支持部分１ｄの中間であり、各支持部の下面側の溝１ｊに充填された樹脂２ｃの中間部分であることを示している。Ｘ方向に切断する場合には図２に示す支持部分１ｅおよび支持部分１ｆの中間に相当し、同様に中間部分を切断する。つまり、金属であるリードフレーム１の各支持部分の中間で、上下の充填樹脂に挟まれた部分を同時に切断することになる。このとき、金属であるリードフレーム１の支持部分はダイシングブレード６によりバリ１ｇを発生するが、下面側に設けた溝１ｊ内に吸収されてリードフレーム１の底面は平坦な状態が保たれる。この様にして、すべての行間、すべての列間および外側の枠部分を切断することにより、半導体発光装置集合体１００Ｌは複数の半導体発光装置１００に個片化される。   With reference to FIG. 6, the cutting position at the time of dicing is demonstrated in detail. In the cross-sectional view of FIG. 6, the position through which the dicing blade 6 passes is indicated by a dotted line. This position is when the dicing blade 6 cuts in the Y direction as shown in FIG. This cutting position is in the middle of the frame 2 and at the same time between the support portion 1c and the support portion 1d of the mounting portion 10A and is the middle portion of the resin 2c filled in the groove 1j on the lower surface side of each support portion. Is shown. In the case of cutting in the X direction, it corresponds to the middle between the support part 1e and the support part 1f shown in FIG. 2, and the middle part is similarly cut. That is, the portion sandwiched between the upper and lower filler resins is simultaneously cut in the middle of each support portion of the lead frame 1 made of metal. At this time, the support portion of the lead frame 1 made of metal generates burrs 1g by the dicing blade 6, but is absorbed into the groove 1j provided on the lower surface side, and the bottom surface of the lead frame 1 is kept flat. In this manner, the semiconductor light emitting device assembly 100L is separated into a plurality of semiconductor light emitting devices 100 by cutting all rows, all columns, and outer frame portions.

次に、図９において、個片化された半導体発光装置１００について説明する。図９に示すように、個片化された半導体発光装置１００において４つの側面はすべてダイシングによって切断された面である。これら４つの面には、それぞれ、２か所、実装部分から伸びる支持部分が切断された面が現れている。４つの面を合わせて合計８か所（１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ）の切断面が現れ、それぞれの面にはバリ１ｇが発生している。しかし前述したように、バリ１ｇは各支持部分の下面側に設けた溝１ｊ内にとどまっていて、底面１ｔには到達しないように設定されている。また、ダイシングにより第１部分１ａおよび第２部分１ｂは支持部分のすべてを切断されるが、上面側の枠２部分の樹脂および支持部分の下面側に設けられた溝１ｊに充填された樹脂２ｃおよび第１部分１ａおよび第２部分１ｂの隙間１ｉに充填された樹脂２ｂにより一体化されているのでその強度は問題ない。   Next, referring to FIG. 9, the semiconductor light emitting device 100 separated into individual pieces will be described. As shown in FIG. 9, in the semiconductor light emitting device 100 singulated, all four side surfaces are surfaces cut by dicing. Each of these four surfaces has two surfaces where support portions extending from the mounting portion are cut. A total of 8 cut surfaces (1c, 1d, 1e, 1f) appear in total, and burrs 1g are generated on each surface. However, as described above, the burr 1g remains in the groove 1j provided on the lower surface side of each support portion, and is set so as not to reach the bottom surface 1t. In addition, the first portion 1a and the second portion 1b are cut all of the support portion by dicing, but the resin of the frame 2 portion on the upper surface side and the resin 2c filled in the groove 1j provided on the lower surface side of the support portion. And since it is integrated by the resin 2b filled in the gap 1i between the first part 1a and the second part 1b, there is no problem in its strength.

次に、図１０を参照して、個片化された半導体発光装置１００をマザーボードに実装した場合を説明する。図１０において、マザーボード４７には２か所の電極４７ａ、４７ｂが設けられ、それぞれ、半導体発光装置１００の電極である第１部分１ａと第２部分１ｂが対応して実装される。また、電極４７ａ、４７ｂ上には事前にクリームハンダ４６ａが印刷されている。図１０はリフローにより、クリームハンダ４６ａが溶けた状態を示しているが、クリームハンダ４６ａはマザーボード４７の電極４７ａ、４７ｂと、平坦面を保った半導体発光装置１００の電極である第１部分１ａと第２部分１ｂとの間にきれいに流れて、良好な密着性を有している。半導体発光装置１００のリードフレーム１の第１部分１ａおよびダ２部分１ｂの側面には図９で示した支持部分１ｃ、１ｄの切断面が現れており、バリ１ｇが現れている。しかし、各支持部分１ｃ、１ｄの下面側に設けられた溝１ｊには充填された樹脂２ｃがあり、バリ１ｇは底面１ｔには到達しないような深さに溝１ｊが設定されているため、発生したバリ１ｇは下面側に設けた溝１ｊ内にとどまって吸収されている。そのため、電極である第１部分１ａと第２部分１ｂの底面１ｔを平坦に維持することができ、溶けたクリームハンダ４６ａはバリ１ｇに濡れを阻害されず、図１０に示す如くリードフレーム１の底面１ｔに良く濡れて、きれいに流れ、良好な密着状態となっている。   Next, with reference to FIG. 10, a case where the separated semiconductor light emitting device 100 is mounted on a mother board will be described. In FIG. 10, the mother board 47 is provided with two electrodes 47a and 47b, and the first portion 1a and the second portion 1b, which are electrodes of the semiconductor light emitting device 100, are mounted correspondingly. Also, cream solder 46a is printed on the electrodes 47a and 47b in advance. FIG. 10 shows a state in which the cream solder 46a is melted by reflow. The cream solder 46a includes electrodes 47a and 47b of the mother board 47 and a first portion 1a that is an electrode of the semiconductor light emitting device 100 that maintains a flat surface. It flows cleanly between the second part 1b and has good adhesion. The cut surfaces of the support portions 1c and 1d shown in FIG. 9 appear on the side surfaces of the first portion 1a and the da 2 portion 1b of the lead frame 1 of the semiconductor light emitting device 100, and burrs 1g appear. However, the groove 1j provided on the lower surface side of each support portion 1c, 1d has a filled resin 2c, and the burr 1g is set to a depth that does not reach the bottom surface 1t. The generated burr 1g stays in the groove 1j provided on the lower surface side and is absorbed. Therefore, the bottom surfaces 1t of the first portion 1a and the second portion 1b, which are electrodes, can be kept flat, and the melted cream solder 46a does not inhibit the burr 1g from being wetted, and the lead frame 1 has a structure as shown in FIG. The bottom surface 1t is well wetted, flows cleanly, and is in a good contact state.

図２５に示した従来技術では、ダイシング工程で基板の底面３０ｔにバリ３０ｇが発生し、溶けたクリームハンダの濡れが阻害され、浮きやマンハッタンが発生し、量産性や品質に欠点があったが、本発明ではその欠点が改善され、リードフレーム１の第１部分と第２部分からなる金属基板にそれぞれ発光素子を電気的に接続し、発光素子と実装部分を樹脂封止した後に、支持部分をダイシングにより切り離す際、支持部分の下面側に溝を設けたことにより、発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができる。その結果、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置のハンダ付けにおいて濡れが阻害されることがなく、ハンダがよく流れ、優れた量産性の提供を可能にすることができる。   In the prior art shown in FIG. 25, burr 30g is generated on the bottom surface 30t of the substrate in the dicing process, the wetness of the melted cream solder is hindered, floating and manhattan are generated, and there are defects in mass productivity and quality. In the present invention, the disadvantage is improved, and the light emitting element is electrically connected to the metal substrate composed of the first part and the second part of the lead frame 1 and the light emitting element and the mounting part are sealed with resin, and then the supporting part When the substrate is separated by dicing, the grooves formed on the lower surface side of the support portion can absorb the generated burrs in the grooves formed on the lower surface side. As a result, the bottom surface of the substrate can be kept flat, wetness is not hindered in soldering of the semiconductor light emitting device, and the solder flows well, thereby providing excellent mass productivity.

なお、リードフレーム１の各支持部分１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆの下面側の溝１ｊの幅は本実施例のように連結した支持部分の長さに一致する必要はなく、狭くしても良いし広くしても良い。その場合はダイシングブレード６の幅とダイシング装置の送りピッチ精度等を考慮して決めることができる。また、下面側の溝１ｊの深さについては発生するバリの高さや支持部分の強度などを考慮して決めることができる。また、各支持部分の本数については、多くしても良いし、少なくして幅を広くしてもよい。また、上記製造工程には便宜上、第１の製造工程〜第５の製造工程の名称を付したが、必要な部分のみを示し、実際の半導体発光素子として完成までの詳細な製造工程は省略する。   The width of the groove 1j on the lower surface side of each support portion 1c, 1d, 1e, and 1f of the lead frame 1 does not need to match the length of the connected support portions as in this embodiment, and may be narrowed. It may be wide. In this case, the width can be determined in consideration of the width of the dicing blade 6 and the feed pitch accuracy of the dicing apparatus. Further, the depth of the groove 1j on the lower surface side can be determined in consideration of the height of the generated burr and the strength of the support portion. Further, the number of each supporting portion may be increased or decreased to increase the width. In addition, for convenience, the names of the first to fifth manufacturing steps are given to the above manufacturing steps, but only necessary portions are shown, and detailed manufacturing steps until completion as an actual semiconductor light emitting device are omitted. .

（第２実施形態）
以下、本発明による第２実施形態について図１１、図１２、図１３、図１４を参照して説明する。図１１は第１の製造工程（リードフレーム工程）を示すリードフレーム１０の斜視図であり、図１２は図１１の実装部分１０Ａ付近Ｍ部の拡大斜視図であり、図１３は図１２に示すＡ−Ａ断面であり、図１４は半導体発光装置２００の斜視図である。それぞれ、第１実施例の図１、図２、図３、図９に対応し、同一構成要素には同一番号または同一名称を付し、重複する説明は省略し、また、同一製造工程も説明は省略する。第２実施形態におけるリードフレーム１０が第１実施形態におけるリードフレーム１と異なるところは、第１の製造工程（リードフレーム工程）において、実装部分１０Ａの第２部分１０ｂから伸びる支持部分１０ｅの形状が違うことであり、リードフレーム１０の集合状態での強度を上げることができる。 (Second Embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11, 12, 13, and 14. FIG. 11 is a perspective view of the lead frame 10 showing a first manufacturing process (lead frame process), FIG. 12 is an enlarged perspective view of a portion M near the mounting portion 10A in FIG. 11, and FIG. 13 is shown in FIG. FIG. 14 is a perspective view of the semiconductor light emitting device 200. FIG. 1, 2, 3, and 9 corresponding to the first embodiment, the same components are given the same numbers or the same names, duplicate descriptions are omitted, and the same manufacturing process is also described. Is omitted. The lead frame 10 in the second embodiment is different from the lead frame 1 in the first embodiment in that the shape of the support portion 10e extending from the second portion 10b of the mounting portion 10A is the first manufacturing step (lead frame step). This is different, and the strength of the assembled state of the lead frame 10 can be increased.

図１２、図１３を参照して、第２実施形態における支持部分１０ｅの形状が図２、図３に示す第実１施形態における支持部分１ｅと違うところを説明する。図２に示す第２部分１ｂに伸びる支持部１ｅが第２部分１ｂにのみ接続されていたのに対し、図１２の第２部分１０ｂから伸びる一方の支持部分１０ｅに着目すると、支持部分１０ｅは第２部分１０ｂの横側から伸び、途中で方向をかえて、隙間１０ｉを越えて第１部分１０ａの横側に接続している。接続した部分はその幅を広げて支持部分１０Ｅとなる。支持部分１０Ｅは隣の実装部分に向けて伸び、途中で再び２つに分かれて、隣の実装部分の第２部分と第１部分に再び接続する。また第２部分１０ｂから伸びる反対側の支持部分１０ｆついても同様に、支持部１０ａと接続して幅を広げて１０Ｆとなり、そのまま枠部分１０ｈに接続する。枠部分１０ｈと接続する支持部分１０Ｆは、隣接する実装部分との接続する支持部分１０Ｅとは若干、形状が異なるが、基本的な作用や効果に差はない。   With reference to FIGS. 12 and 13, a description will be given of a point where the shape of the support portion 10 e in the second embodiment is different from the support portion 1 e in the first embodiment shown in FIGS. 2 and 3. While the support portion 1e extending to the second portion 1b shown in FIG. 2 is connected only to the second portion 1b, focusing on one support portion 10e extending from the second portion 10b of FIG. 12, the support portion 10e is It extends from the lateral side of the second portion 10b, changes its direction in the middle, and is connected to the lateral side of the first portion 10a across the gap 10i. The connected portion is widened to become a support portion 10E. The support portion 10E extends toward the adjacent mounting portion, and is divided into two again in the middle, and is connected again to the second portion and the first portion of the adjacent mounting portion. Similarly, the support portion 10f on the opposite side extending from the second portion 10b is connected to the support portion 10a to increase the width to 10F, and is connected to the frame portion 10h as it is. The support portion 10F connected to the frame portion 10h is slightly different in shape from the support portion 10E connected to the adjacent mounting portion, but there is no difference in basic operations and effects.

このような構造を採用することにより、第１部分１０ａと第２部分１０ｂが支持部分１０Ｅと支持部分１０Ｆとにより近いところで連結しているため、実装部分１Ａの支持強度が増し、リードフレーム１０の全体の集合状態での強度が増す。このことは、第２の製造工程（枠体モールド工程）や第３の製造工程（発光素子実装工程）、第４の製造工程（樹脂封止工程）において、変形を少なくすることができ、半導体発光装置集合体２００Ｌ（図示せず）の製造精度を高めることができる。   By adopting such a structure, since the first portion 10a and the second portion 10b are connected to each other closer to the support portion 10E and the support portion 10F, the support strength of the mounting portion 1A is increased, and the lead frame 10 The strength in the whole collective state increases. This can reduce the deformation in the second manufacturing process (frame body molding process), the third manufacturing process (light emitting element mounting process), and the fourth manufacturing process (resin sealing process). The manufacturing accuracy of the light emitting device assembly 200L (not shown) can be increased.

次に、図１３において、図１２のＡ−Ａ断面を示すが、図３に示した第１実施形態と異なるところは、第１実施形態では第２部分１ｂと接続された支持部分１ｅの断面が１つであったのに対し、図１３に示す第２実施形態では、第１部分１０ａと第２部分１０ｂとの隙間１０ｉを挟んで、２か所に支持部分１０ｅの断面が現れている点である。この２か所を含めて、第１実施形態と同様に、すべての支持部分１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆの下面側に溝１０ｊが設けられている。   Next, in FIG. 13, the AA cross section of FIG. 12 is shown. The difference from the first embodiment shown in FIG. 3 is the cross section of the support portion 1e connected to the second portion 1b in the first embodiment. However, in the second embodiment shown in FIG. 13, the cross section of the support portion 10e appears at two locations across the gap 10i between the first portion 10a and the second portion 10b. Is a point. The groove 10j is provided in the lower surface side of all the support parts 10c, 10d, 10e, and 10f including these two places similarly to 1st Embodiment.

次に、図１４を参照して、ダイシングにより個片化された半導体発光装置２００について説明する。第１実施形態の図９に示す半導体発光装置１００と異なるところは、第１部分１０ａと第２部分１０ｂとの隙間１０ｉを挟んで１０ｅの切断面が２か所現れている点である。第１部分１０ａと第２部分１０ｂとの隙間１０ｉには第２の製造工程（枠体モールド工程）にて樹脂が充填されており、また、すべての支持部分１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆの下面側を含めて、周囲にも樹脂が充填されているので、ここで支持部分１０Ｅ、１０Ｆが分離されても強度が損なわれることは無い。   Next, with reference to FIG. 14, the semiconductor light emitting device 200 separated by dicing will be described. The difference from the semiconductor light emitting device 100 shown in FIG. 9 of the first embodiment is that two cut surfaces of 10e appear across a gap 10i between the first portion 10a and the second portion 10b. The gap 10i between the first portion 10a and the second portion 10b is filled with resin in the second manufacturing step (frame body molding step), and the lower surfaces of all the supporting portions 10c, 10d, 10e, and 10f. Since the resin is filled in the periphery including the side, the strength is not impaired even if the support portions 10E and 10F are separated here.

また、個片化された半導体発光装置２００においては、半導体発光装置１００と同様にすべての切断面において、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置２００のハンダ付けにおいても半導体発光装置１００の場合と同様に濡れが阻害されることがなく、ハンダがよく流れ、優れた量産性の提供を可能にすることができる。同時に、支持部分１０Ｅ、１０Ｆの構成により、リードフレーム１０の強度が増し、製造工程全体で精度が向上することにより、高い品質で高い信頼性の半導体発光装置の製造方法を提供できる。   Further, in the semiconductor light emitting device 200 that has been separated into pieces, burrs generated by dicing can be absorbed by the grooves provided on the lower surface side in all cut surfaces as in the semiconductor light emitting device 100, so that the bottom surface of the substrate In the soldering of the semiconductor light emitting device 200, wetting is not hindered as in the case of the semiconductor light emitting device 100, the solder flows well, and it is possible to provide excellent mass productivity. it can. At the same time, the structure of the support portions 10E and 10F increases the strength of the lead frame 10 and improves the accuracy in the entire manufacturing process, thereby providing a method for manufacturing a high-quality and highly reliable semiconductor light-emitting device.

なお、本実施形態では第１部分１０ａと第２部分１０ｂの２か所の実装部分の場合を説明したが、２か所以上の複数の実装部分の場合でも良い。また、途中で連結する場所は支持部分の間のどの位置でもよく、その位置は、実装部分の強度とダイシング装置の送りピッチ精度などを考慮して決めることができる。また、枠１０ｈとの連結部分（１０Ｅ、１０Ｆ）のように、隣接する他の実装部分との連結部分とは形状を変えても良い。   In the present embodiment, the case of the two mounting portions of the first portion 10a and the second portion 10b has been described, but a plurality of mounting portions in two or more locations may be used. Further, the place to be connected midway may be any position between the support portions, and the position can be determined in consideration of the strength of the mounting portion and the feed pitch accuracy of the dicing apparatus. Further, the shape may be changed from that of a connection portion with another adjacent mounting portion, such as a connection portion (10E, 10F) with the frame 10h.

（第３実施形態）
以下に本発明による第３実施形態における半導体発光装置３００の製造方法について図１５、図１６、図１７、図１８を参照して説明する。図１５は第１の製造工程（リードフレーム工程）を示すリードフレーム２０の斜視図であり、図１６は図１５の実装部分２０Ａ付近Ｍ部の拡大斜視図であり、図１７は図１６に示すＡ−Ａ断面であり、図１８は半導体発光装置３００をマザーボードに実装したときの断面図である。それぞれ、第１実施例の図１、図２、図３、図１０に対応し、同一構成要素には同一番号または同一名称を付し、重複する説明は省略し、また、同一製造工程も省略する。第３実施形態が第１実施形態と異なるところは、第１の製造工程（リードフレーム工程）において、第１実施形態におけるリードフレーム１では、各支持部分の下面側のみに溝１ｊを設けていたが、第３実施形態におけるリードフレーム２０では、リードフレーム２０の下面側の溝２０ｊに加えて上面側の各部にも溝２０ｋを設けたことであり、リードフレーム２０と枠体２の密着強度を上げることができる。 (Third embodiment)
Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15, 16, 17, and 18. FIG. 15 is a perspective view of the lead frame 20 showing the first manufacturing process (lead frame process), FIG. 16 is an enlarged perspective view of the portion M near the mounting portion 20A in FIG. 15, and FIG. 17 is shown in FIG. FIG. 18 is a cross-sectional view when the semiconductor light emitting device 300 is mounted on a motherboard. 1, 2, 3, and 10 corresponding to the first embodiment, the same components are assigned the same numbers or the same names, duplicate descriptions are omitted, and the same manufacturing steps are also omitted. To do. The third embodiment differs from the first embodiment in that, in the first manufacturing process (lead frame process), the lead frame 1 in the first embodiment is provided with the groove 1j only on the lower surface side of each support portion. However, in the lead frame 20 in the third embodiment, in addition to the groove 20j on the lower surface side of the lead frame 20, the groove 20k is provided in each part on the upper surface side, and the adhesion strength between the lead frame 20 and the frame body 2 is increased. Can be raised.

次に、図１６、図１７を参照して、リードフレーム２０の形状が図２、図３に示すリードフレーム１と違うところを説明する。リードフレーム２０の上面側で、各第１部分２０ａの周囲３辺、および各第２部分２０ｂの周囲３辺、およびそれらに連結する各支持部分２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆの上面側には溝２０ｋが設けられている。この上面側の溝２０ｋは、この溝２０ｋに枠体２の樹脂は入り込むことによってリードフレーム２０と枠体２の密着性を高めるために設けられている。また、各支持部分２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆの下面側には実施形態１の図２、図３で示したリードフレーム１と同様の溝２０ｊが設けられているがその目的は第１実施形態と同じである。   Next, with reference to FIGS. 16 and 17, a description will be given of differences in the shape of the lead frame 20 from the lead frame 1 shown in FIGS. On the upper surface side of the lead frame 20, there are grooves on the three sides of each first portion 20a, the three sides of each second portion 20b, and the upper surfaces of the support portions 20c, 20d, 20e, and 20f connected thereto. 20k is provided. The groove 20k on the upper surface side is provided to increase the adhesion between the lead frame 20 and the frame body 2 by allowing the resin of the frame body 2 to enter the groove 20k. Further, a groove 20j similar to that of the lead frame 1 shown in FIGS. 2 and 3 of the first embodiment is provided on the lower surface side of each of the support portions 20c, 20d, 20e, and 20f. The purpose thereof is the first embodiment. Is the same.

次に、図１８に、本発明による第３実施形態における半導体発光装置３００をマザーボード４７に実装した状態の断面図を示す。第１実施形態の図１０と異なるところは、枠体２の樹脂が各支持部分の上面側の溝２０ｋに充填され、リードフレーム２０と枠体２の密着強度が増している点である。各支持部分の上面側に設けた溝２０ｋに対応して下面側に設けた溝２０ｊは少し浅くしてあるが、各支持部分を薄くしてあるため切断面に発生するバリ２０ｇも小さくなり、浅くした溝２０ｊ内に吸収できる設定にしてある。   Next, FIG. 18 shows a cross-sectional view of a state in which the semiconductor light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention is mounted on the mother board 47. The difference from FIG. 10 of the first embodiment is that the resin of the frame body 2 is filled in the groove 20k on the upper surface side of each support portion, and the adhesion strength between the lead frame 20 and the frame body 2 is increased. The groove 20j provided on the lower surface side corresponding to the groove 20k provided on the upper surface side of each support portion is slightly shallower, but since each support portion is thinned, the burr 20g generated on the cut surface is also reduced. It is set to be able to absorb into the shallow groove 20j.

以上のように、リードフレーム２０の支持部分の上面側および下面側の両方に溝を設けることにより、リードフレーム２０と枠体２の密着強度が増し製造工程全体で精度が向上し、高い品質で高い信頼性の半導体発光装置の製造方法を提供できる。また、溝を上面と下面の両方に設けることで、支持部分を薄くすることができ、切断時の負荷を軽減しバリの発生を小さくする効果もある。同時に、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置のハンダ付けにおいて濡れが阻害されることがなく、ハンダがよく流れ、優れた量産性の提供を可能にすることができる。   As described above, by providing grooves on both the upper surface side and the lower surface side of the support portion of the lead frame 20, the adhesion strength between the lead frame 20 and the frame body 2 is increased, the accuracy is improved throughout the manufacturing process, and high quality is achieved. A method for manufacturing a highly reliable semiconductor light emitting device can be provided. Further, by providing the grooves on both the upper surface and the lower surface, the support portion can be thinned, and there is an effect of reducing the load at the time of cutting and reducing the generation of burrs. At the same time, since the burrs generated by dicing can be absorbed by the grooves provided on the lower surface side, the bottom surface of the substrate can be kept flat, and the soldering of the semiconductor light emitting device is not hindered and the solder is good. The flow can provide excellent mass productivity.

なお、第３実施形態において、図１６のＡ−Ａ断面を示す図１７では上面の溝２０ｋの幅と下面の溝２０ｊ幅の関係および位置関係は、どちらが広くても良いし、左右にずれても良い。また、上面の溝２０ｋの深さと下面の溝２０ｊの深さについても支持部の強度とバリの発生具合とダイシングの条件などを考慮して決めることができる。また、第１部分、第２部分の支持部分を第２実施形態の図１２に示すような形状（１０Ｅ、１０Ｆ）にして強度を高める構造としても良い。   In the third embodiment, in FIG. 17 showing the AA cross section of FIG. 16, either the width and the positional relationship of the width of the groove 20k on the upper surface and the width of the groove 20j on the lower surface may be wider or shifted to the left and right. Also good. Also, the depth of the upper groove 20k and the depth of the lower groove 20j can be determined in consideration of the strength of the support portion, the occurrence of burrs, dicing conditions, and the like. Moreover, it is good also as a structure which makes a support part of a 1st part and a 2nd part the shape (10E, 10F) as shown in FIG. 12 of 2nd Embodiment, and raises an intensity | strength.

（第４実施形態）
以下に本発明による第４実施形態における半導体発光装置の製造方法について図１９、図２０、図２１を参照して説明する。図１９はリードフレーム１に発光素子３を実装し、ワイヤーボンディングした半導体発光装置集合体１００Ｌの斜視図であり、図２０は発光素子３の実装部分を透光性樹脂５により封止した半導体発光装置集合体１００Ｌの斜視図であり、図２１は透光性樹脂５の周囲を枠体２でモールドした半導体発光装置集合体１００Ｌの斜視図である。第１実施形態の図４、図５、図７に対応し、同一構成要素には同一番号または同一名称を付し、重複する説明は省略する。第４実施形態が第１実施形態と異なるところは、製造工程の順番が違う点である。第１の製造工程（リードフレーム工程）のあとに第２の製造工程（発光素子実装工程）、第３の製造工程（樹脂封止工程）、第４の製造工程（枠体モールド工程）、第５の製造工程（ダイシング工程）の順番に製造する点であり、構成としては半導体発光装置集合体１００Ｌと同じである。 (Fourth embodiment)
Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 19, 20, and 21. 19 is a perspective view of a semiconductor light emitting device assembly 100L in which the light emitting element 3 is mounted on the lead frame 1 and wire-bonded, and FIG. 20 is a semiconductor light emitting device in which the mounting portion of the light emitting element 3 is sealed with a translucent resin 5. 21 is a perspective view of the device assembly 100L. FIG. 21 is a perspective view of the semiconductor light emitting device assembly 100L in which the periphery of the translucent resin 5 is molded with the frame 2. Corresponding to FIGS. 4, 5, and 7 of the first embodiment, the same components are assigned the same numbers or the same names, and duplicate descriptions are omitted. The fourth embodiment is different from the first embodiment in that the order of manufacturing steps is different. After the first manufacturing process (lead frame process), the second manufacturing process (light emitting element mounting process), the third manufacturing process (resin sealing process), the fourth manufacturing process (frame body molding process), the second 5 in the order of manufacturing steps (dicing step), and the configuration is the same as that of the semiconductor light emitting device assembly 100L.

１、１０、２０、３０ リードフレーム（基板）
１Ａ、１Ｂ、１０Ａ、１０Ｂ、 実装部分
２０Ａ、２０Ｂ、３０Ａ
１ａ、１ｂ、１０ａ、１０ｂ、 第１部分、第２部分
２０ａ、２０ｂ、３０ａ、３０ｂ
１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、 リードフレームの支持部分
１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、
１０Ｅ、１０Ｆ
２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、
１ｇ、１０ｇ、２０ｇ、３０ｇ バリ
１ｈ、１０ｈ、２０ｈ 枠部分
１ｉ、１０ｉ、２０ｉ 第１部分と第２部分との隙間
１ｊ、１０ｊ、２０ｊ 支持部分の下面側の溝（凹部）
２０ｋ 支持部分の上面側の溝（凹部）
１ｔ、１０ｔ、２０ｔ、３０ｔ リードフレーム底面
２、４０ 樹脂枠体
２ａ 発光素子開口
２ｂ 第１部分と第２部分との隙間に充填された樹脂
２ｃ 下面側の溝（凹部）に充填された樹脂
３、４３ 発光素子
４、４４ ボンディングワイヤー
５、４５ 透光性樹脂
６ ダイシングブレード
４６ａ、４６ｂ ハンダ
４７ マザーボード
４７ａ マザーボード電極
１００、２００、３００、４００ 半導体発光装置 1, 10, 20, 30 Lead frame (substrate)
1A, 1B, 10A, 10B, mounting parts 20A, 20B, 30A
1a, 1b, 10a, 10b, first part, second part 20a, 20b, 30a, 30b
1c, 1d, 1e, 1f, lead frame support portions 10c, 10d, 10e, 10f,
10E, 10F
20c, 20d, 20e, 20f,
1g, 10g, 20g, 30g Burr 1h, 10h, 20h Frame part 1i, 10i, 20i Gap 1j, 10j, 20j between first part and second part Groove (recessed part) on lower surface side of supporting part
20k Groove (recess) on the upper surface side of the support
1t, 10t, 20t, 30t Lead frame bottom surface 2, 40 Resin frame 2a Light emitting element opening 2b Resin 2c filled in the gap between the first part and the second part Resin 3 filled in the groove (concave) on the lower surface side , 43 Light emitting element 4, 44 Bonding wire 5, 45 Translucent resin 6 Dicing blade 46a, 46b Solder 47 Motherboard 47a Motherboard electrode 100, 200, 300, 400 Semiconductor light emitting device

Claims (5)

第１部分と第２部分とによる実装部分と、前記第１部分と第２部分とを連結している支持部分とを含む金属板からなる基板と、前記第１部分上に固定され、前記第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続された発光素子と、
前記実装部分を囲むようにモールドされた樹脂枠体と、前記実装部分を封止する透光性樹脂と、を有し、
前記基板の支持部分をダイシングによって切り離して個片化する半導体発光装置の製造方法において、
前記基板の前記支持部分に凹部を設ける工程を含む基板工程と、
前記基板に前記樹脂枠体をモールドするとともに前記凹部にも充填する枠体モールド工程と、
前記実装部分と前記発光素子とを透光性樹脂にて封止する樹脂封止工程と、
前記樹脂枠体を前記凹部の位置で切断するダイシング工程と、を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 A substrate made of a metal plate including a mounting portion formed by the first portion and the second portion, and a support portion connecting the first portion and the second portion; and fixed on the first portion, A light emitting element electrically connected to each of the first part and the second part;
A resin frame molded so as to surround the mounting portion, and a translucent resin that seals the mounting portion;
In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which the support portion of the substrate is separated into pieces by dicing,
A substrate step including a step of providing a recess in the support portion of the substrate;
A frame body molding step of molding the resin frame body on the substrate and filling the concave portion;
A resin sealing step of sealing the mounting portion and the light emitting element with a translucent resin;
And a dicing step of cutting the resin frame at the position of the recess . 前記基板工程において、前記支持部分の上面側及び下面側の両方に前記凹部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1 , wherein, in the substrate step, the concave portion is provided on both the upper surface side and the lower surface side of the support portion . 前記基板工程において、前記基板の上面側に設けた前記凹部内に、前記樹脂枠体が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置の製造方法。3. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein in the substrate step, the resin frame is formed in the concave portion provided on the upper surface side of the substrate. 前記枠体モールド工程を、前記樹脂封止工程の後に設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1, characterized in that the frame body molding process, provided after the resin sealing step. 前記基板工程において、前記基板は一枚の金属板に複数の前記実装部分が設けられ、各実装部分が各々前記凹部を有する前記支持部分によって連結されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
 The said board | substrate process WHEREIN: The said board | substrate is provided with the said some mounting part in the metal plate of 1 sheet, Each mounting part is connected by the said support part which has the said recessed part, respectively. The manufacturing method of the semiconductor light-emitting device of any one of these .
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