JP5685924B2 - Photoelectric composite substrate manufacturing method and optoelectric composite module manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、光電気複合基板及び光電気複合モジュールの製造方法、並びにそれにより得られる光電気複合基板及び光電気複合モジュールに関する。 The present invention relates to a photoelectric composite substrate, a method for manufacturing a photoelectric composite module, and a photoelectric composite substrate and a photoelectric composite module obtained thereby.
情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インタコネクション技術の開発が進められている。具体的には、ルータやサーバ装置内のボード間あるいはボード内の短距離信号伝送に光を用いるために、電気配線板に光伝送路を複合した光電気複合基板の開発がなされている。光伝送路としては、光ファイバーに比べ、配線の自由度が高く、かつ高密度化が可能な光導波路を用いることが望ましく、中でも、加工性や経済性に優れたポリマー材料を用いた光導波路が有望である。 With the increase in information capacity, development of an optical interconnection technology that uses optical signals not only for communication fields such as trunk lines and access systems but also for information processing in routers and servers is underway. Specifically, in order to use light for short-distance signal transmission between boards in a router or a server device or in a board, an opto-electric composite board in which an optical transmission path is combined with an electric wiring board has been developed. As the optical transmission line, it is desirable to use an optical waveguide that has a higher degree of freedom of wiring and can be densified than an optical fiber, and among them, an optical waveguide that uses a polymer material that is excellent in processability and economy. Promising.
この光電気複合基板の製造においては、光伝送路の位置と光素子の実装位置との関係が高精度であることが必要であり、このような技術としては、例えば、特許文献1には、光素子の搭載溝パターンと、光素子搭載時の目印となる電極パターンや位置合わせマーカーとを同一のフォトマスクで形成する技術が開示されている。しかしながら、この方法は光ファイバーと光素子との位置関係を制御するものであり、コア及びクラッドからなる光導波路の位置と光素子の実装位置との位置合わせに応用できるものではない。
また、特許文献2には、光導波路のコア部と光素子の位置決めの基準点として用いるマーカーとを同一のマスクを用いて形成する方法が開示されている。しかしながらこの方法では、基板に形成された位置合わせマーカーが、その後の種々のプロセスにより熱履歴などに起因する位置ずれを起こすことがあった。
さらに、特許文献3には、電極と同一マスクで形成される基準マークと、光導波路と同一マスクで形成される測定基準マークとの位置関係より、光導波路の位置ずれ量を測定する方法が開示されている。
In the manufacture of this optoelectric composite substrate, it is necessary that the relationship between the position of the optical transmission path and the mounting position of the optical element is highly accurate. As such a technique, for example,
Further, Patent Document 3 discloses a method for measuring the amount of positional deviation of an optical waveguide from the positional relationship between a reference mark formed with the same mask as the electrode and a measurement reference mark formed with the same mask as the optical waveguide. Has been.
本発明は、上記特許文献3に記載の製造方法よりも、さらに高精度かつ効率よく光導波路の位置を測定できる検査工程を備えた光電気複合基板及び光電気複合モジュールの製造方法、並びにそれにより得られる光電気複合基板及び光電気複合モジュールを提供することを目的とする。 The present invention provides a method for manufacturing an opto-electric composite substrate and an opto-electric composite module including an inspection process capable of measuring the position of the optical waveguide with higher accuracy and efficiency than the manufacturing method described in Patent Document 3, and thereby An object is to provide a photoelectric composite substrate and a photoelectric composite module to be obtained.
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、コアパターンとともにダミーコアをパターニングする工程と、電極パターンとともに、該ダミーコアの反射光が投影される投影領域の近傍に遮光パターンをパターニングする工程とを有する製造方法により、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
1.下部クラッドが形成された基板の一方の面上に、コアパターンとともにダミーコアをパターニングする工程(A)と、コアパターン及びダミーコアに反射ミラーを形成する工程(B)と、基板の他方の面上に、電極パターンとともに、反射ミラーによりダミーコアの反射光が投影される投影領域の近傍に遮光パターンをパターニングする工程(C)と、遮光されずに通過したダミーコアの反射光の輝度総量に基づき、コアパターンと電極パターンとの位置ずれ量を測定する工程(D)とを含むことを特徴とする光電気複合基板の製造方法、
2.前記工程(A)において、少なくともダミーコアa及びダミーコアbを形成し、前記工程(C)において、ダミーコアaの反射光が投影される投影領域aの、前記基板に平行な任意のxy直交座標系におけるx軸上の正方向側に遮光パターンaを、ダミーコアbの反射光が投影される投影領域bの、x軸上の負方向側に遮光パターンbをそれぞれ形成し、前記工程(D)において、遮光されずに通過したダミーコアa及びダミーコアbの反射光の輝度総量の差を比較することで、x軸方向の位置ずれ量を測定する上記1に記載の光電気複合基板の製造方法、
3.前記工程(C)において、前記遮光パターンaを、前記投影領域aの一部を覆うように設け、前記遮光パターンbを、前記投影領域bの一部を覆うように設ける上記2に記載の光電気複合基板の製造方法、
4.前記工程(A)において、少なくともダミーコアc及びダミーコアdを形成し、前記工程(C)において、ダミーコアcの反射光が投影される投影領域cの、前記xy直交座標系におけるy軸上の正方向側に遮光パターンcを、ダミーコアdの反射光が投影される投影領域dの、y軸上の負方向側に遮光パターンdをそれぞれ形成し、前記工程(D)において、遮光されずに通過したダミーコアc及びダミーコアdの反射光の輝度総量の差を比較することで、y軸方向の位置ずれ量を測定する上記2又は3に記載の光電気複合基板の製造方法、
5.前記工程(A)において、少なくともダミーコアcを形成し、前記工程(C)において、ダミーコアcの反射光が投影される投影領域cの、前記基板に平行な任意のxy直交座標系におけるy軸上の正方向側に遮光パターンc−1を、該y軸上の負方向側に遮光パターンc−2を、それぞれ形成し、前記工程(D)において、遮光されずに通過したダミーコアcの反射光と、前記コアパターン及び/又はダミーコアの反射光の輝度総量の差を比較することでx軸方向の位置ずれ量を測定する上記1〜3のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法、
6.前記工程(C)において、前記遮光パターンc−1及び遮光パターンc−2を、前記投影領域cに接するように設ける上記5に記載の光電気複合基板の製造方法、
7.前記工程(D)において、コアパターンと電極パターンとの位置ずれ方向をも求める上記1〜6のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法、
8.さらに、前記工程(D)の測定結果に基づき、光電気複合基板を選別する工程(E)をも含む上記1〜7のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法、
9.上記1〜8のいずれかの製造方法により製造された光電気複合基板を、前記工程(D)において求めた位置ずれ量の測定結果に基づき、前記工程(E)において、位置ずれ量が予め定めた量よりも大きいものを不良品とし、残りの光電気複合基板に光素子を実装することを特徴とする光電気複合モジュールの製造方法、
10.前記工程(D)において求めた位置ずれ量及び位置ずれ方向の情報に基づき、工程(E)で選別された光電気複合基板における光素子の実装位置を修正する、上記9に記載の光電気複合モジュールの製造方法、
11.下部クラッドが形成された基板の一方の面上に、コアパターンとともにダミーコアを有し、基板の他方の面上に、電極パターンとともに、反射ミラーによりダミーコアの反射光が投影される投影領域に接するように、あるいは該投影領域の一部を覆うように設けられた遮光パターンを有することを特徴とする光電気複合基板、
12.上記11に記載の光電気複合基板に光素子を実装してなる光電気複合モジュール、及び
13.前記ダミーコアの反射光が投影される投影領域上に光素子を有しない上記12に記載の光電気複合モジュール、
を提供するものである。
As a result of intensive studies, the present inventors have a step of patterning the dummy core together with the core pattern, and a step of patterning the light shielding pattern in the vicinity of the projection area where the reflected light of the dummy core is projected together with the electrode pattern. The present inventors have found that the above problems can be solved by a manufacturing method, and have completed the present invention.
That is, the present invention
1. On the one surface of the substrate on which the lower clad is formed, a step (A) of patterning the dummy core together with the core pattern, a step (B) of forming a reflection mirror on the core pattern and the dummy core, and on the other surface of the substrate In addition to the electrode pattern, the step (C) of patterning the light shielding pattern in the vicinity of the projection area where the reflected light of the dummy core is projected by the reflecting mirror, and the core pattern based on the total luminance of the reflected light of the dummy core that has passed without being shielded And (D) a step of measuring the amount of positional deviation between the electrode pattern and the electrode pattern,
2. In the step (A), at least a dummy core a and a dummy core b are formed, and in the step (C), the projection area a on which the reflected light of the dummy core a is projected is in an arbitrary xy orthogonal coordinate system parallel to the substrate. In the step (D), the light shielding pattern a is formed on the positive direction side on the x axis, and the light shielding pattern b is formed on the negative direction side on the x axis of the projection region b where the reflected light of the dummy core b is projected. The method for producing an optoelectric composite substrate according to 1 above, wherein the amount of positional deviation in the x-axis direction is measured by comparing a difference in total luminance of reflected light of the dummy core a and the dummy core b that has passed without being shielded;
3. 3. The light according to 2 above, wherein in the step (C), the light shielding pattern a is provided so as to cover a part of the projection area a, and the light shielding pattern b is provided so as to cover a part of the projection area b. Electric composite substrate manufacturing method,
4). In the step (A), at least the dummy core c and the dummy core d are formed, and in the step (C), the positive direction on the y axis in the xy orthogonal coordinate system of the projection region c on which the reflected light of the dummy core c is projected The light shielding pattern c is formed on the side, and the light shielding pattern d is formed on the negative direction side on the y-axis of the projection area d on which the reflected light of the dummy core d is projected. The method for manufacturing an optoelectric composite substrate according to 2 or 3 above, wherein the amount of positional deviation in the y-axis direction is measured by comparing the difference in total luminance of reflected light between the dummy core c and the dummy core d,
5. In the step (A), at least a dummy core c is formed, and in the step (C), the projection area c on which the reflected light of the dummy core c is projected is on the y axis in an arbitrary xy orthogonal coordinate system parallel to the substrate. The light shielding pattern c-1 and the light shielding pattern c-2 are formed on the positive direction side and the negative direction side on the y axis, respectively, and the reflected light of the dummy core c that has passed without being shielded in the step (D). And the manufacturing method of the photoelectric composite substrate according to any one of the above 1 to 3, wherein the amount of positional deviation in the x-axis direction is measured by comparing a difference in total luminance of reflected light of the core pattern and / or dummy core,
6). 6. The method for producing an optoelectric composite substrate according to 5 above, wherein in the step (C), the light shielding pattern c-1 and the light shielding pattern c-2 are provided so as to be in contact with the projection region c,
7). In the step (D), the method for producing an optoelectric composite substrate according to any one of the above 1 to 6, wherein the displacement direction between the core pattern and the electrode pattern is also determined.
8). Furthermore, based on the measurement result of the said process (D), the manufacturing method of the photoelectric composite board | substrate in any one of said 1-7 also including the process (E) which sort | selects a photoelectric composite board | substrate,
9. Based on the measurement result of the positional deviation amount obtained in the step (D), the positional deviation amount is determined in advance in the step (E) of the photoelectric composite substrate manufactured by any one of the
10. 10. The photoelectric composite according to 9 above, wherein the mounting position of the optical element on the photoelectric composite substrate selected in the step (E) is corrected based on the positional deviation amount and the positional deviation direction obtained in the step (D). Module manufacturing method,
11. On one surface of the substrate on which the lower clad is formed, a dummy core is provided together with the core pattern, and on the other surface of the substrate, together with the electrode pattern, is in contact with the projection area where the reflected light of the dummy core is projected by the reflection mirror. Or a photoelectric composite substrate characterized by having a light-shielding pattern provided so as to cover a part of the projection region,
12 12. A photoelectric composite module obtained by mounting an optical element on the photoelectric composite substrate described in 11 above, and 13. The photoelectric composite module according to 12 above, which does not have an optical element on a projection region where the reflected light of the dummy core is projected.
Is to provide.
本発明の光電気複合基板の製造方法によれば、高精度かつ効率よく光導波路の位置を測定することができる。 According to the method for manufacturing an optoelectric composite substrate of the present invention, the position of the optical waveguide can be measured with high accuracy and efficiency.
本発明の光電気複合基板の製造方法は、下部クラッドが形成された基板の一方の面上に、コアパターンとともにダミーコアをパターニングする工程(A)と、コアパターン及びダミーコアに反射ミラーを形成する工程(B)と、基板の他方の面上に、電極パターンとともに、反射ミラーによりダミーコアの反射光が投影される投影領域の近傍に遮光パターンをパターニングする工程(C)と、遮光されずに通過したダミーコアの反射光の輝度総量に基づき、コアパターンと電極パターンとの位置ずれ量を測定する工程(D)とを含むことを特徴とする。 The method for manufacturing an optoelectric composite substrate of the present invention includes a step (A) of patterning a dummy core together with a core pattern on one surface of a substrate on which a lower clad is formed, and a step of forming a reflection mirror on the core pattern and the dummy core. (B) and a step (C) of patterning a light-shielding pattern in the vicinity of the projection area where the reflected light of the dummy core is projected by the reflecting mirror together with the electrode pattern on the other surface of the substrate, and passed without being shielded And a step (D) of measuring a positional deviation amount between the core pattern and the electrode pattern based on the total luminance of the reflected light of the dummy core.
本発明により製造される光電気複合基板20は、図1に示すように、下部クラッド2が形成された基板1の一方の面上に、コアパターン3とともにダミーコア4を有し、基板1の他方の面上に、電極パターン5とともに、反射ミラー6によりダミーコアの反射光が投影される投影領域7の近傍に遮光パターン8を有する。遮光パターン8は、投影領域7に接するように、あるいは投影領域7の一部を覆うように設けられていることが好ましい。
光電気複合基板20は、さらに必要に応じて上部クラッド9等を有していてもよく、また、基板1と下部クラッド2との間に接着層10を有していてもよい。
また、光電気複合基板20は、光素子を実装して光電気複合モジュールとすることができる。上記ダミーコアは、コアパターンと電極パターンとの位置ずれ量の測定に用いられるため、光素子を実装しないことが好ましい。
As shown in FIG. 1, an optoelectric composite substrate 20 manufactured according to the present invention has a dummy core 4 together with a core pattern 3 on one surface of a
The photoelectric composite substrate 20 may further have an upper clad 9 or the like as necessary, and may have an adhesive layer 10 between the
Further, the optoelectric composite substrate 20 can be an optoelectric composite module by mounting an optical element. Since the dummy core is used to measure the amount of misalignment between the core pattern and the electrode pattern, it is preferable not to mount an optical element.
<工程(A)>
工程(A)では、下部クラッド2が形成された基板1の一方の面上に、コアパターン3とともにダミーコア4をパターニングする(図2参照)。
下部クラッド2の形成方法は、特に限定されず公知の方法によれば良く、例えば、基板1上に下部クラッド2の形成材料をスピンコート等により塗布し、プリベイクを行った後、紫外線を照射して薄膜を硬化させることにより形成できる。また、コアパターン3の形成方法も、特に限定されず、例えば、下部クラッド2上に、下部クラッド2より屈折率の高いコアパターン3を形成し、エッチングによりコアパターン3を形成すれば良い。
コアパターン3上には、必要に応じて上部クラッド9を設けてもよいが、上部クラッド9の形成方法も特に限定されず、例えば、下部クラッド2と同様の方法で形成すれば良い。
この下部クラッド2は、コアパターン3との密着性の観点から、コアパターン3積層側の表面において段差がなく平坦であることが好ましい。また、クラッド形成用樹脂フィルムを用いることにより、下部クラッド2の表面平坦性を確保することができる。
また、基板1と下部クラッド2との間の接着力が不足する場合には、基板1と下部クラッド2との間に接着層10を挟んでもよい。
<Process (A)>
In the step (A), the dummy core 4 is patterned together with the core pattern 3 on one surface of the
The formation method of the lower clad 2 is not particularly limited, and may be a known method. For example, a material for forming the lower clad 2 is applied onto the
An upper clad 9 may be provided on the core pattern 3 as necessary. However, the method of forming the upper clad 9 is not particularly limited, and may be formed by the same method as the lower clad 2, for example.
From the viewpoint of adhesion to the core pattern 3, the lower clad 2 is preferably flat without a step on the surface on the core pattern 3 lamination side. Moreover, the surface flatness of the lower clad 2 is securable by using the resin film for clad formation.
Further, when the adhesive force between the
(基板)
本発明において用いられる基板1としては、特に限定されるものではなく、光電気複合基板に用いられる種々の基板を用いることができ、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルムなどが挙げられる。
基板1として柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、後述のクラッド形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムを基板として用いることで、フレキシブルな光ファイバコネクタとしてもよい。
(substrate)
The
The
(下部クラッド及び上部クラッド)
以下、本発明における下部クラッド2及び上部クラッド9(以下、「クラッド層」と略記することがある。)について説明する。クラッド層の形成には、クラッド層形成用樹脂やクラッド層形成用樹脂フィルムを用いることができる。
(Lower cladding and upper cladding)
Hereinafter, the lower clad 2 and the upper clad 9 (hereinafter sometimes abbreviated as “clad layer”) in the present invention will be described. For forming the cladding layer, a cladding layer forming resin or a cladding layer forming resin film can be used.
本発明で用いるクラッド層形成用樹脂としては、コアパターン3及びダミーコア4(以下、「コア層」と略記することがある。)より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。より好適にはクラッド層形成用樹脂が、(A)ベースポリマー、(B)光重合性化合物及び(C)光重合開始剤を含有する樹脂組成物により構成されることが好ましい。なお、クラッド形成用樹脂に用いる樹脂組成物は、下部クラッド2と上部クラッド9において、該樹脂組成物に含有する成分が同一であっても異なっていてもよく、該樹脂組成物の屈折率が同一であっても異なっていてもよい。 The clad layer forming resin used in the present invention may be a resin composition that has a lower refractive index than the core pattern 3 and the dummy core 4 (hereinafter sometimes abbreviated as “core layer”) and is cured by light or heat. If it is not specifically limited, a thermosetting resin composition and a photosensitive resin composition can be used conveniently. More preferably, the clad layer forming resin is preferably composed of a resin composition containing (A) a base polymer, (B) a photopolymerizable compound, and (C) a photopolymerization initiator. The resin composition used for the clad forming resin may have the same or different components contained in the resin composition in the lower clad 2 and the upper clad 9, and the refractive index of the resin composition may be different. They may be the same or different.
ここで用いる(A)ベースポリマーはクラッドを形成し、該クラッドの強度を確保するためのものであり、該目的を達成し得るものであれば特に限定されず、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルアミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン等、あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。これらのベースポリマーは1種単独でも、また2種以上を混合して用いてもよい。上記で例示したベースポリマーのうち、耐熱性が高いとの観点から、主鎖に芳香族骨格を有することが好ましく、特にフェノキシ樹脂が好ましい。また、3次元架橋し、耐熱性を向上できるとの観点からは、エポキシ樹脂、特に室温で固形のエポキシ樹脂が好ましい。さらに、後に詳述する(B)光重合性化合物との相溶性が、クラッド層形成用樹脂の透明性を確保するために重要であるが、この点からは上記フェノキシ樹脂及び(メタ)アクリル樹脂が好ましい。なお、ここで(メタ)アクリル樹脂とは、アクリル樹脂及びメタクリル樹脂を意味するものである。 The (A) base polymer used here is for forming a clad and ensuring the strength of the clad, and is not particularly limited as long as the object can be achieved. Phenoxy resin, epoxy resin, (meta ) Acrylic resin, polycarbonate resin, polyarylate resin, polyether amide, polyether imide, polyether sulfone, etc., or derivatives thereof. These base polymers may be used alone or in combination of two or more. Of the base polymers exemplified above, from the viewpoint of high heat resistance, the main chain preferably has an aromatic skeleton, and particularly preferably a phenoxy resin. From the viewpoint of three-dimensional crosslinking and improving heat resistance, an epoxy resin, particularly an epoxy resin that is solid at room temperature is preferable. Further, compatibility with the photopolymerizable compound (B) described in detail later is important for ensuring the transparency of the resin for forming the cladding layer. From this point, the phenoxy resin and the (meth) acrylic resin are used. Is preferred. Here, (meth) acrylic resin means acrylic resin and methacrylic resin.
フェノキシ樹脂の中でも、ビスフェノールA、ビスフェノールA型エポキシ化合物又はそれらの誘導体、及びビスフェノールF、ビスフェノールF型エポキシ化合物又はそれらの誘導体を共重合成分の構成単位として含むものは、耐熱性、密着性及び溶解性に優れるため好ましい。ビスフェノールA又はビスフェノールA型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールA、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。また、ビスフェノールF又はビスフェノールF型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールF、テトラブロモビスフェノールF型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂の具体例としては、東都化成(株)製「フェノトートYP−70」(商品名)が挙げられる。 Among phenoxy resins, those containing bisphenol A, bisphenol A type epoxy compounds or derivatives thereof, and bisphenol F, bisphenol F type epoxy compounds or derivatives thereof as a constituent unit of the copolymer component are heat resistant, adhesive and soluble. It is preferable because of its excellent properties. Preferred examples of the bisphenol A or bisphenol A type epoxy compound include tetrabromobisphenol A and tetrabromobisphenol A type epoxy compounds. Moreover, as a derivative of bisphenol F or a bisphenol F-type epoxy compound, tetrabromobisphenol F, a tetrabromobisphenol F-type epoxy compound, etc. are mentioned suitably. Specific examples of the bisphenol A / bisphenol F copolymer type phenoxy resin include “Phenotote YP-70” (trade name) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.
室温で固形のエポキシ樹脂としては、例えば、東都化学(株)製「エポトートYD−7020、エポトートYD−7019、エポトートYD−7017」(いずれも商品名)、ジャパンエポキシレジン(株)製「エピコート1010、エピコート1009、エピコート1008」(いずれも商品名)などのビスフェノールA型エポキシ樹脂が挙げられる。 Examples of the epoxy resin that is solid at room temperature include, for example, “Epototo YD-7020, Epototo YD-7019, Epototo YD-7007” (all trade names) manufactured by Toto Chemical Co., Ltd., and “Epicoat 1010” manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd. Bisphenol A type epoxy resin such as “Epicoat 1009, Epicoat 1008” (both trade names).
次に、(B)光重合性化合物としては、紫外線等の光の照射によって重合するものであれば特に限定されず、分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物や分子内に2つ以上のエポキシ基を有する化合物などが挙げられる。
分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物としては、(メタ)アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルピリジン、ビニルフェノール等が挙げられるが、これらの中で、透明性と耐熱性の観点から、(メタ)アクリレートが好ましい。
(メタ)アクリレートとしては、1官能性のもの、2官能性のもの、3官能性以上の多官能性のもののいずれをも用いることができる。なお、ここで(メタ)アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートを意味するものである。
分子内に2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能芳香族グリシジルエーテル、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能脂肪族グリシジルエーテル、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能脂環式グリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル等の2官能芳香族グリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等の2官能脂環式グリシジルエステル、N,N−ジグリシジルアニリン等の2官能又は多官能芳香族グリシジルアミン、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート等の2官能脂環式エポキシ樹脂、2官能複素環式エポキシ樹脂、多官能複素環式エポキシ樹脂、2官能又は多官能ケイ素含有エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの(B)光重合性化合物は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
Next, (B) the photopolymerizable compound is not particularly limited as long as it is polymerized by irradiation with light such as ultraviolet rays, and the compound having an ethylenically unsaturated group in the molecule or two or more in the molecule. Examples thereof include compounds having an epoxy group.
Examples of the compound having an ethylenically unsaturated group in the molecule include (meth) acrylate, vinylidene halide, vinyl ether, vinyl pyridine, vinyl phenol, etc., among these, from the viewpoint of transparency and heat resistance, (Meth) acrylate is preferred.
As the (meth) acrylate, any of monofunctional, bifunctional, trifunctional or higher polyfunctional ones can be used. Here, (meth) acrylate means acrylate and methacrylate.
Examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bifunctional or polyfunctional aromatic glycidyl ethers such as bisphenol A type epoxy resins, bifunctional or polyfunctional aliphatic glycidyl ethers such as polyethylene glycol type epoxy resins, and water. Bifunctional alicyclic glycidyl ether such as bisphenol A type epoxy resin, bifunctional aromatic glycidyl ester such as diglycidyl phthalate, bifunctional alicyclic glycidyl ester such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, N, N- Bifunctional or polyfunctional aromatic glycidylamine such as diglycidylaniline, bifunctional alicyclic epoxy resin such as alicyclic diepoxycarboxylate, bifunctional heterocyclic epoxy resin, polyfunctional heterocyclic epoxy resin, bifunctional Or polyfunctional silicon-containing epoxy resin It is. These (B) photopolymerizable compounds can be used alone or in combination of two or more.
次に(C)成分の光重合開始剤としては、特に制限はなく、例えば(B)成分にエポキシ化合物を用いる場合の開始剤として、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリルセレノニウム塩、ジアルキルフェナジルスルホニウム塩、ジアルキル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウム塩、スルホン酸エステルなどが挙げられる。発光性の光重合開始剤を用いると発光性のクラッド層を得ることもできる。 Next, the photopolymerization initiator of component (C) is not particularly limited. For example, as an initiator when an epoxy compound is used as component (B), aryldiazonium salt, diaryliodonium salt, triarylsulfonium salt, triallyl Examples include selenonium salts, dialkylphenazylsulfonium salts, dialkyl-4-hydroxyphenylsulfonium salts, and sulfonate esters. When a luminescent photopolymerization initiator is used, a luminescent cladding layer can be obtained.
また、(B)成分に分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合の開始剤としては、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン、2−エチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、2−メルカプトベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール類、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド等のフォスフィンオキサイド類、9−フェニルアクリジン等のアクリジン誘導体、N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物などが挙げられる。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。なお、クラッド層の透明性を向上させる観点からは、上記化合物のうち、芳香族ケトン及びフォスフィンオキサイド類が好ましい。
これらの(C)光重合開始剤は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
Moreover, as an initiator in the case of using a compound having an ethylenically unsaturated group in the molecule as the component (B), aromatic ketones such as benzophenone, quinones such as 2-ethylanthraquinone, benzoin ethers such as benzoin methyl ether Compounds, benzoin compounds such as benzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2,4,5-triarylimidazole dimers such as 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- Benzimidazoles such as mercaptobenzimidazole, phosphine oxides such as bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, acridine derivatives such as 9-phenylacridine, N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives , Coumarin compound And the like. Moreover, you may combine a thioxanthone type compound and a tertiary amine compound like the combination of diethyl thioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. Of the above compounds, aromatic ketones and phosphine oxides are preferable from the viewpoint of improving the transparency of the cladding layer.
These (C) photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
(A)ベースポリマーの配合量は、(A)成分及び(B)成分の総量に対して、5〜80質量%とすることが好ましい。また、(B)光重合性化合物の配合量は、(A)及び(B)成分の総量に対して、95〜20質量%とすることが好ましい。
この(A)成分及び(B)成分の配合量として、(A)成分が5質量%以上であり、(B)成分が95質量%以下であると、樹脂組成物を容易にフィルム化することができる。一方、(A)成分が80質量%以下あり、(B)成分が20質量%以上であると、(A)ベースポリマーを絡み込んで硬化させることが容易にでき、コア層を形成する際に、パターン形成性が向上し、かつ光硬化反応が十分に進行する。以上の観点から、この(A)成分及び(B)成分の配合量として、(A)成分10〜85質量%、(B)成分90〜15質量%がより好ましく、(A)成分20〜70質量%、(B)成分80〜30質量%がさらに好ましい。
(C)光重合開始剤の配合量は、(A)成分及び(B)成分の総量100質量部に対して、0.1〜10質量部とすることが好ましい。この配合量が0.1質量部以上であると、光感度が十分であり、一方10質量部以下であると、露光時に感光性樹脂組成物の表層での吸収が増大することがなく、内部の光硬化が十分となる。さらに、後述するコア層として使用する際には、重合開始剤自身の光吸収の影響により光伝搬損失が増大することもなく好適である。以上の観点から、(C)光重合開始剤の配合量は、0.2〜5質量部とすることがより好ましい。
また、このほかに必要に応じて、クラッド層形成用樹脂中には、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤などのいわゆる添加剤を本発明の効果に悪影響を与えない割合で添加してもよい。また、該添加剤に発光性があれば、発光性のクラッド層を得ることもできる。
(A) It is preferable that the compounding quantity of a base polymer shall be 5-80 mass% with respect to the total amount of (A) component and (B) component. Moreover, it is preferable that the compounding quantity of (B) photopolymerizable compound shall be 95-20 mass% with respect to the total amount of (A) and (B) component.
As a blending amount of the component (A) and the component (B), when the component (A) is 5% by mass or more and the component (B) is 95% by mass or less, the resin composition is easily formed into a film. Can do. On the other hand, when the (A) component is 80% by mass or less and the (B) component is 20% by mass or more, the (A) base polymer can be easily entangled and cured, and the core layer is formed. The pattern forming property is improved and the photocuring reaction proceeds sufficiently. From the above viewpoint, the blending amount of the component (A) and the component (B) is more preferably 10 to 85% by mass of the component (A) and 90 to 15% by mass of the component (B), and 20 to 70 of the component (A). More preferably, the content is 80% by mass and the component (B) is 80 to 30% by mass.
(C) It is preferable that the compounding quantity of a photoinitiator shall be 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component. When the blending amount is 0.1 parts by mass or more, the photosensitivity is sufficient, while when it is 10 parts by mass or less, the absorption in the surface layer of the photosensitive resin composition does not increase during exposure, and the internal Is sufficiently cured. Furthermore, when used as a core layer to be described later, it is preferable that the light propagation loss does not increase due to the light absorption effect of the polymerization initiator itself. From the above viewpoint, the blending amount of the (C) photopolymerization initiator is more preferably 0.2 to 5 parts by mass.
In addition, if necessary, in the cladding layer forming resin, an antioxidant, an anti-yellowing agent, an ultraviolet absorber, a visible light absorber, a colorant, a plasticizer, a stabilizer, a filler, etc. You may add what is called an additive in the ratio which does not have a bad influence on the effect of this invention. Further, if the additive has luminescent properties, a luminescent cladding layer can also be obtained.
本発明においては、クラッド層の形成方法は特に限定されず、例えば、クラッド層形成用樹脂の塗布又はクラッド層形成用樹脂フィルムのラミネートにより形成すれば良い。
塗布による場合には、その方法は限定されず、例えば、前記(A)〜(C)成分を含有する樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。
また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、前記樹脂組成物を溶媒に溶解して、キャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
In the present invention, the method for forming the clad layer is not particularly limited. For example, the clad layer may be formed by applying a clad layer forming resin or laminating a clad layer forming resin film.
In the case of application, the method is not limited. For example, the resin composition containing the components (A) to (C) may be applied by a conventional method.
Moreover, the resin film for clad layer formation used for a lamination can be easily manufactured by melt | dissolving the said resin composition in a solvent, apply | coating to a carrier film, and removing a solvent, for example.
クラッド層形成用樹脂フィルムの製造過程で用いられるキャリアフィルムは、その材料については特に制限されるものではないが、例えば、FR−4基板、ポリイミド基板、半導体基板、シリコン基板やガラス基板等を用いることができ、可撓性があるフレキシブルな材質でも、非可撓性の固い材質のものであっても良い。
また、キャリアフィルムに可撓性を有する素材を用いることにより、光電気複合基板20にフレキシブル性を付与することができる。可撓性を有する素材の材料としては、特に限定されないが、柔軟性、強靭性を有するとの観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどが好適に挙げられる。
キャリアフィルムの厚さは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、5〜250μmであることが好ましい。5μm以上であると強靭性が得易いという利点があり、250μm以下であると十分な柔軟性が得られる。
ここで用いる溶媒としては、該樹脂組成物を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。樹脂溶液中の固形分濃度は30〜80質量%程度であることが好ましい。
The carrier film used in the production process of the resin film for forming the clad layer is not particularly limited in terms of material, but for example, an FR-4 substrate, a polyimide substrate, a semiconductor substrate, a silicon substrate, a glass substrate, or the like is used. It may be a flexible material with flexibility or a non-flexible hard material.
Further, by using a flexible material for the carrier film, flexibility can be imparted to the photoelectric composite substrate 20. The material of the material having flexibility is not particularly limited, but from the viewpoint of having flexibility and toughness, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene, polypropylene, polyamide, polycarbonate, Preferable examples include polyphenylene ether, polyether sulfide, polyarylate, liquid crystal polymer, polysulfone, polyether sulfone, polyether ether ketone, polyether imide, polyamide imide, and polyimide.
The thickness of the carrier film may be appropriately changed depending on the intended flexibility, but is preferably 5 to 250 μm. If it is 5 μm or more, there is an advantage that toughness is easily obtained, and if it is 250 μm or less, sufficient flexibility can be obtained.
The solvent used here is not particularly limited as long as it can dissolve the resin composition. For example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylacetamide, propylene glycol monomethyl ether, A solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone, or a mixed solvent thereof can be used. The solid content concentration in the resin solution is preferably about 30 to 80% by mass.
クラッド層の厚さに関しては、乾燥後の厚さで、5〜500μmの範囲が好ましい。5μm以上であると、光の閉じ込めに必要な厚さが確保でき、500μm以下であると、膜厚を均一に制御することが容易である。以上の観点から、クラッド層の厚さは、さらに10〜100μmの範囲であることがより好ましい。 Regarding the thickness of the cladding layer, the thickness after drying is preferably in the range of 5 to 500 μm. When the thickness is 5 μm or more, a thickness necessary for light confinement can be secured, and when the thickness is 500 μm or less, the film thickness can be easily controlled uniformly. From the above viewpoint, the thickness of the cladding layer is more preferably in the range of 10 to 100 μm.
また、クラッド層の厚さは、最初に形成される下部クラッド2と、コア層を埋め込むための上部クラッド9において、同一であっても異なってもよいが、コア層を埋め込むために、上部クラッド9の厚さは、コア層の厚さよりも厚くすることが好ましい。 The thickness of the clad layer may be the same or different in the lower clad 2 formed first and the upper clad 9 for embedding the core layer. The thickness 9 is preferably larger than the thickness of the core layer.
(コアパターン及びダミーコア)
本発明においては、下部クラッド2に積層するコア層の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートにより形成すれば良い。コアパターン3とダミーコア4とは、同一マスクで形成される。
コア層形成用樹脂としては、コア層がクラッド層より高屈折率であるように設計され、活性光線によりコア層を形成し得る樹脂組成物を用いることができ、且つ下部クラッド2からの発光波長によって硬化する感光性樹脂組成物、又は下部クラッド2からの発光波長によって重合を開始させる光重合開始剤を含むコア層形成用樹脂が好適である。具体的には、前記クラッド層形成用樹脂で用いたのと同様の樹脂組成物を用いることが好ましい。
塗布による場合には、方法は限定されず、前記樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。
(Core pattern and dummy core)
In the present invention, the method for forming the core layer laminated on the lower clad 2 is not particularly limited. For example, the core layer may be formed by coating a core layer forming resin or laminating a core layer forming resin film. The core pattern 3 and the dummy core 4 are formed with the same mask.
As the resin for forming the core layer, a resin composition that is designed so that the core layer has a higher refractive index than that of the clad layer, and can form the core layer with actinic rays, and the emission wavelength from the lower clad 2 can be used. A resin for core layer formation containing a photopolymerization initiator that initiates polymerization with a light emission wavelength from the lower clad 2 or a photosensitive resin composition that is cured by the above is suitable. Specifically, it is preferable to use the same resin composition as that used in the clad layer forming resin.
In the case of application, the method is not limited, and the resin composition may be applied by a conventional method.
以下、ラミネートに用いるコア形成用樹脂フィルムについて詳述する。
コア層形成用樹脂フィルムは、前記樹脂組成物を溶媒に溶解してキャリアフィルム上に塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。ここで用いる溶媒としては、該樹脂組成物を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。樹脂溶液中の固形分濃度は、通常30〜80質量%であることが好ましい。
Hereinafter, the resin film for core formation used for lamination will be described in detail.
The resin film for forming a core layer can be easily produced by dissolving the resin composition in a solvent, applying the resin composition on a carrier film, and removing the solvent. The solvent used here is not particularly limited as long as it can dissolve the resin composition. For example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethyl A solvent such as acetamide, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone, or a mixed solvent thereof can be used. It is preferable that the solid content concentration in the resin solution is usually 30 to 80% by mass.
コア層形成用樹脂フィルムの厚さについては特に限定されず、乾燥後のコア層の厚さが、通常は10〜100μmとなるように調整される。該フィルムの厚さが10μm以上であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバーとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、100μm以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバーとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。以上の観点から、該フィルムの厚さは、さらに30〜70μmの範囲であることが好ましい。 The thickness of the resin film for forming the core layer is not particularly limited, and the thickness of the core layer after drying is usually adjusted to be 10 to 100 μm. If the thickness of the film is 10 μm or more, there is an advantage that the alignment tolerance can be increased in the coupling with the light emitting / receiving element or the optical fiber after the optical waveguide is formed. In coupling with an element or an optical fiber, there is an advantage that coupling efficiency is improved. From the above viewpoint, the thickness of the film is preferably in the range of 30 to 70 μm.
コア層形成用樹脂の製造過程で用いるキャリアフィルムは、コア層形成用樹脂を支持するキャリアフィルムであって、その材料については特に限定されないが、(キャリアフィルム)の項目で前述したフィルム材が好適に挙げられる。また、コア層形成用樹脂を剥離することが容易であり、かつ、耐熱性及び耐溶剤性を有するとの観点から、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンなどが好適に挙げられる。
キャリアフィルムの厚さは、5〜50μmであることが好ましい。5μm以上であると、キャリアフィルムとしての強度が得やすいという利点があり、50μm以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、キャリアフィルムの厚さは10〜40μmの範囲であることがより好ましく、15〜30μmであることが特に好ましい。
The carrier film used in the production process of the core layer forming resin is a carrier film that supports the core layer forming resin, and the material thereof is not particularly limited, but the film material described above in the item of (carrier film) is preferable. It is mentioned in. Moreover, polyesters, such as a polyethylene terephthalate, a polypropylene, polyethylene, etc. are mentioned suitably from the viewpoint that it is easy to peel resin for core layer formation, and has heat resistance and solvent resistance.
The thickness of the carrier film is preferably 5 to 50 μm. When it is 5 μm or more, there is an advantage that the strength as a carrier film is easily obtained, and when it is 50 μm or less, there is an advantage that a gap with the mask at the time of pattern formation becomes small and a finer pattern can be formed. From the above viewpoint, the thickness of the carrier film is more preferably in the range of 10 to 40 μm, and particularly preferably 15 to 30 μm.
本発明の製造方法においては、コア層及びクラッド層を複数層積層して多層構造を有する光電気複合基板を製造してもよい。 In the manufacturing method of the present invention, a photoelectric composite substrate having a multilayer structure may be manufactured by laminating a plurality of core layers and cladding layers.
(接着層)
上述のように、本発明に係る製造方法においては、必要に応じて接着層10を設けることができ、例えば、基板1と下部クラッド2間の接着力を確保するために、基板1と下部クラッド2との間に導入することができる。接着層10の種類としては特に限定されないが、両面テープ、UVまたは熱硬化性接着剤、プリプレグ、ビルドアップ材、電気配線板製造用途に使用される種々の接着剤が好適に挙げられる。
また、光信号が透過する部分の接着には透過率の高い接着剤または接着フィルムが必要であり、接着剤または接着フィルムの材料としては、特に限定されないが、コア層形成用樹脂材料や、クラッド層形成用樹脂材料や、(PCT/JP2008/05465)に記載の接着フィルムを使用することがより好ましい。
接着層10の形成方法に特に限定されるものはないが、接着層10形成用の樹脂を基板1又は光導波路上にスピンコート等により塗布してもよく、あらかじめフィルム状に加工した接着層10をラミネータ等により貼り合わせても良い。
接着層10の厚さは、特に限定されないが、0.1μm〜3.0mmであることが好ましく、1μm〜100μmであることがさらに好ましい。1μm以上であると基板1と下部クラッド2又は光導波路との十分な接着力が期待でき、100μm以下であると薄い光電気複合基板20を得ることができるからである。
(Adhesive layer)
As described above, in the manufacturing method according to the present invention, the adhesive layer 10 can be provided as necessary. For example, in order to ensure the adhesive force between the
In addition, an adhesive or adhesive film having a high transmittance is required for adhesion of a portion through which an optical signal is transmitted, and the material of the adhesive or adhesive film is not particularly limited. It is more preferable to use a resin material for layer formation or an adhesive film described in (PCT / JP2008 / 05465).
Although the method for forming the adhesive layer 10 is not particularly limited, a resin for forming the adhesive layer 10 may be applied to the
Although the thickness of the contact bonding layer 10 is not specifically limited, It is preferable that they are 0.1 micrometer-3.0 mm, and it is more preferable that they are 1 micrometer-100 micrometers. This is because a sufficient adhesive force between the
<工程(B)>
工程(B)では、コアパターン3及びダミーコア4に反射ミラー6を形成する(図3参照)。
反射ミラー6は、コア層に至り、斜辺を有する切り欠き部を設けて形成することができる。切り欠き部の形成方法は、特に限定されず、例えば、ダイシングソーを用いて形成する方法によれば良い。
また、光路変換ミラーとして使用する観点から、切り欠き部により形成される反射ミラー6の斜辺の角度は45度程度であると好ましい。さらにミラー反射部には、金、銀、銅などの全反射金属層を設けても良い。この場合、切り欠き部を樹脂または金属で充填するとなお良い。
<Process (B)>
In the step (B), the reflection mirror 6 is formed on the core pattern 3 and the dummy core 4 (see FIG. 3).
The reflection mirror 6 reaches the core layer and can be formed by providing a notch having a hypotenuse. The formation method of a notch part is not specifically limited, For example, the method of forming using a dicing saw should just be used.
Further, from the viewpoint of use as an optical path conversion mirror, the angle of the hypotenuse of the reflection mirror 6 formed by the notch is preferably about 45 degrees. Further, a total reflection metal layer such as gold, silver, or copper may be provided on the mirror reflection portion. In this case, it is better to fill the notch with resin or metal.
<工程(C)>
工程(C)では、基板1における、下部クラッド2が形成されていない側の面上に、電極パターン5とともに、反射ミラー6によりダミーコア4の反射光が投影される投影領域7の近傍に遮光パターン8をパターニングする(図4参照)。この工程(C)は、上記工程(A)及び(B)の後に行ってもよいが、これらの工程の前に行ってもよい。
電極パターン5及び遮光パターン8の形成方法は、基板1上に積層した銅層をエッチング等の常法により形成することができ、その形成方法は限定されない。これらの厚さとしては5〜25μmが好ましく、5〜12μmがさらに好ましい。
<Process (C)>
In the step (C), a light shielding pattern is formed in the vicinity of the
As a method for forming the electrode pattern 5 and the
(遮光パターン)
遮光パターン8は、電極パターン5と同一のマスクで形成され、反射ミラー6によりダミーコア4の反射光が投影される投影領域7の近傍に設けられ、好ましくは、投影領域7に接するように、あるいは、投影領域7の一部を覆うように設けることができる。また、ダミーコア4が複数設けられる場合、遮光パターン8は、これらに対応する複数の投影領域7のいずれか1つ以上の近傍に設けられればよく、また、各々の投影領域7の近傍に、それぞれ1つずつ設けられてもよい。
遮光パターン8の形状は、コア層と、電極パターン5及び遮光パターン8(以下、「電極・遮光パターン」と略記することがある。)との位置ずれ量に応じてダミーコア4の反射光の輝度総量が変化するような形状であれば特に限定されないが、少なくとも投影領域側が略直線の形状であることが好ましく、略長方形であることがより好ましい。
(Shading pattern)
The light-
The shape of the
<工程(D)>
工程(D)では、遮光されずに通過したダミーコア4の反射光の輝度総量に基づき、コアパターン3と電極パターン5との位置ずれ量を測定する(図5参照)。
この工程における輝度総量の測定方法は特に限定されないが、例えば以下のようにして行うことができる。
(輝度総量の測定方法)
CCD(Charge Coupled Device Image Sensor)の最大感度が850nmである場合、光導波路の伝送波長を850nmとすることが好ましい。CCDから得られる各画素の輝度値は電流値で出力され、一般的には8ビット分解のため0〜255で表される。なお、0点決めにおいてはCCDに取付けた拡大レンズの先端にキャップを付けて暗電流値を測定しゼロリセットすることで、ダイナミックレンジが広がり輝度の感度が高くなる。このようにして得られた各画素の輝度値について、閾値を設定して透過/遮光の判定を行い、透過と判定された総画素数を輝度総量とする。
<Process (D)>
In step (D), the amount of misalignment between the core pattern 3 and the electrode pattern 5 is measured based on the total amount of reflected light of the dummy core 4 that has passed without being shielded (see FIG. 5).
The method of measuring the total luminance in this step is not particularly limited, but can be performed as follows, for example.
(Measurement method of total luminance)
When the maximum sensitivity of a CCD (Charge Coupled Device Image Sensor) is 850 nm, the transmission wavelength of the optical waveguide is preferably 850 nm. The luminance value of each pixel obtained from the CCD is output as a current value, and is generally represented by 0 to 255 for 8-bit decomposition. In determining the zero point, by attaching a cap to the tip of the magnifying lens attached to the CCD, measuring the dark current value and resetting it to zero, the dynamic range is expanded and the luminance sensitivity is increased. With respect to the luminance value of each pixel obtained in this way, a threshold value is set to determine transmission / light shielding, and the total number of pixels determined to be transmission is set as the total luminance.
以下、上記工程(C)において遮光パターン8を設ける方法、及び上記工程(D)における位置ずれ量(及び位置ずれ方向)の求める方法について、具体例を交えて詳細に説明する。
遮光パターン8を設ける最も簡易な態様としては、1つのダミーコアaに接するように1つの遮光パターンaを設ける方法が挙げられる(図6参照)。例えば、ダミーコアaの断面が50μm×50μmの正方形である場合、その反射光の投影領域aも、50μm×50μmの正方形であるが、当該正方形の一方の辺(仮に、基板1に平行な任意のxy直交座標系におけるx軸上の正方向の辺)に接するように、遮光パターンaを設けるようにして、光電気複合基板20を連続的に生産する。このようにして連続的に生産された光電気複合基板20のうち、例えば、電極・遮光パターンに対し、コア層がxの正方向に相対的に10μmの幅で位置ずれしたものは、投影領域aのx軸上の正方向側が、10μm幅で遮光パターンaにより覆われることとなり、投影領域aの20%に相当する反射光は遮光パターンaに遮光され、反射光の輝度総量が80%に減少する。一方、コアパターン3のいずれかのコア(参照用コア)の断面が50μm×50μmである場合、その反射光の輝度総量は遮光される前のダミーコアaの反射光の輝度総量(100%)に相当する。従って、ダミーコアaの反射光の輝度総量が、参照用コアの反射光の輝度総量の80%である場合には、コア層がx軸上の正方向側に、10μmずれていると言える。このようにして、遮光されずに通過したダミーコアa及び参照用コアの反射光の輝度総量を比較することで、コア層の(すなわち、コアパターン3と電極パターン5との)x軸上の正方向への相対的な位置ずれ量を測定することができる。
Hereinafter, the method for providing the
As the simplest mode of providing the
また、上記ダミーコアaに加えて、同様にしてダミーコアbを設け、その投影領域bのx軸上の負方向の辺に接するように、遮光パターンbを設けることもできる。この態様においては、コア層と電極・遮光パターンとが、x軸方向に位置ずれを有しない場合、ダミーコアaの反射光の輝度総量と、ダミーコアbの反射光の輝度総量とは同一となるが、コア層がx軸上の正方向側に10μmずれている場合、上述のように、ダミーコアaの反射光の輝度総量は80%となるものの、ダミーコアbの反射光の輝度総量は100%のまま変化しないため、遮光されずに通過したダミーコアa及びダミーコアbの反射光の輝度総量を互いに比較することで、コア層のx軸上の正方向への相対的な位置ずれ量を求めることができる。また、コア層がx軸上の負方向側にずれた場合、上記とは逆に、遮光されずに通過するダミーコアbの反射光の輝度総量が減少するため、コア層がx軸上のいずれの方向に位置ずれした場合であっても、位置ずれ量及び位置ずれ方向を同時に測定することができる。
この場合、参照用コアの反射光の輝度総量との比較は必ずしも必要ではない。
Further, in addition to the dummy core a, a dummy core b may be provided in the same manner, and the light shielding pattern b may be provided so as to be in contact with the negative side on the x axis of the projection region b. In this aspect, when the core layer and the electrode / light-shielding pattern are not displaced in the x-axis direction, the total amount of reflected light from the dummy core a and the total amount of reflected light from the dummy core b are the same. When the core layer is shifted by 10 μm in the positive direction on the x-axis, the total amount of reflected light from the dummy core a is 80% as described above, but the total amount of reflected light from the dummy core b is 100%. Since the total brightness of the reflected light of the dummy core a and the dummy core b that has passed without being shielded is compared with each other, the relative positional deviation amount in the positive direction on the x-axis of the core layer can be obtained. it can. Further, when the core layer is shifted to the negative direction side on the x-axis, contrary to the above, the total amount of reflected light of the dummy core b that passes without being shielded decreases, so that the core layer does not move on the x-axis. Even when the position is displaced in the direction, the amount of displacement and the direction of displacement can be measured simultaneously.
In this case, the comparison with the total luminance of the reflected light of the reference core is not always necessary.
さらに、上記ダミーコアa及びダミーコアbとは独立して、これらと同様にしてダミーコアc及びダミーコアdを設け、ダミーコアcの反射光が投影される投影領域cの、前記xy直交座標系におけるy軸上の正方向側に遮光パターンcを、ダミーコアdの反射光が投影される投影領域dの、y軸上の負方向側に遮光パターンdをそれぞれ形成し、遮光されずに通過したダミーコアc及びダミーコアdの反射光の輝度総量の差を比較することで、y軸方向の位置ずれ量を測定することもできる。
また、ダミーコアcを設け、その投影領域cのy軸上の正方向の辺に接するように遮光パターンc−1を、該y軸上の負方向の辺に接するように遮光パターンc−2を、それぞれ形成することもできる。この態様においては、コア層と電極・遮光パターンとが、y軸方向に位置ずれを有しない場合、ダミーコアcの反射光の輝度総量と、上記ダミーコアa及びダミーコアbのうち、遮光されていないものの反射光の輝度総量、あるいは、上記参照用コアの反射光の輝度総量とは同一となるが、コア層がy軸上の正方向側又は負方向側に10μmずれている場合、上述と同様に、ダミーコアcの反射光の輝度総量は80%となるものの、ダミーコアa及びダミーコアbのうち、遮光されていないもの、あるいは参照用コアの反射光の輝度総量は100%のまま変化しないため、遮光されずに通過したダミーコアcの反射光と、ダミーコアa、ダミーコアb又は参照用コアの反射光の輝度総量を比較することで、コア層のy軸上の相対的な位置ずれ量の絶対値を求めることができる。
この場合、ダミーコアcの反射光の輝度総量は、ダミーコア4及び参照用コアのいずれかの反射光の輝度総量と比較すればよい。
Further, the dummy core c and the dummy core d are provided in the same manner as the dummy core a and the dummy core b, and the projection area c on which the reflected light of the dummy core c is projected is on the y axis in the xy orthogonal coordinate system. The light shielding pattern c is formed on the positive direction side, and the light shielding pattern d is formed on the negative direction side on the y axis of the projection area d where the reflected light of the dummy core d is projected. It is also possible to measure the amount of positional deviation in the y-axis direction by comparing the difference in the total amount of reflected light of d.
Also, a dummy core c is provided, and the light shielding pattern c-1 is brought into contact with the positive side on the y axis of the projection region c, and the light shielding pattern c-2 is brought into contact with the negative side on the y axis. , Each can also be formed. In this aspect, when the core layer and the electrode / light-shielding pattern are not misaligned in the y-axis direction, the total amount of reflected light of the dummy core c and the dummy core a and the dummy core b are not shielded. When the total luminance of reflected light or the total luminance of reflected light of the reference core is the same, but the core layer is shifted by 10 μm in the positive or negative direction on the y-axis, the same as above The total luminance of the reflected light of the dummy core c is 80%, but the luminance of the reflected light of the dummy core a and the dummy core b that is not shielded or the reflected light of the reference core remains 100%. By comparing the total brightness of the reflected light of the dummy core c that has passed without being reflected and the reflected light of the dummy core a, the dummy core b, or the reference core, the relative positional shift of the core layer on the y-axis It can be obtained in the absolute value.
In this case, the total amount of reflected light of the dummy core c may be compared with the total amount of reflected light of either the dummy core 4 or the reference core.
上述のように、遮光パターン8は、投影領域7に接するように設けることもできるが、図7に示すように、投影領域7の一部を覆うように設けると、位置ずれ量に対する感度が向上するため好ましい。
例えば、上述のようにダミーコアa及びダミーコアbを設け、遮光パターンa及び遮光パターンbを、それぞれ投影領域a及び投影領域bを15μm幅で覆うように設けた態様において、コア層がx軸上の正方向に10μmずれている場合、投影領域aは50μm幅中25μm幅が遮光パターンaで覆われるため、投影領域aの反射光はその50%が遮光パターンaに遮光され、遮光されずに通過する反射光の輝度総量は、遮光される前の輝度総量の50%となる。一方、ダミーコアbの反射光は、投影領域bが50μm幅中5μm幅が遮光パターンbで覆われるため、その輝度総量は、遮光される前の90%となる。これらの反射光を互いに比較すると、ダミーコアbの反射光の輝度総量が、ダミーコアaの反射光の輝度総量と比較して1.8倍となる。一方、上述のように、投影領域a及び投影領域bに接するように遮光パターンa及び遮光パターンbを設けた場合、ダミーコアaの反射光の輝度総量が80%となり、ダミーコアbの反射光の輝度総量が100%となるため、その比は1.25倍であるから、遮光パターン8を、投影領域7の一部を覆うように設けることで、位置ずれ量を測定し易くなることは明らかである。
この場合、15μm幅を超えた位置ずれが生じた場合、ダミーコアaの反射光の輝度総量と、ダミーコアbの反射光の輝度総量との単純な比較により位置ずれ量を求めることが難しくなるため、遮光パターン8と投影領域7とのオーバーラップ幅11は、許容ずれ幅を確実に超えるものとすることが好ましい。他方、オーバーラップ幅11が大きすぎる場合、各ダミーコアの反射光の大半が遮光されてしまうため、輝度総量を測定しにくくなる。以上の状況から、オーバーラップ幅11は、0.10D〜0.75D(D:コア径)とすることが好ましく、0.20D〜0.50Dとすることがより好ましい。
As described above, the light-
For example, in the aspect in which the dummy core a and the dummy core b are provided as described above, and the light shielding pattern a and the light shielding pattern b are provided so as to cover the projection area a and the projection area b with a width of 15 μm, respectively, the core layer is on the x axis. When shifted by 10 μm in the forward direction, the projection area a is covered by the light shielding pattern a with a width of 25 μm, and 50% of the reflected light of the projection area a is shielded by the light shielding pattern a and passes without being shielded. The total luminance of the reflected light is 50% of the total luminance before being blocked. On the other hand, the reflected light of the dummy core b has a total luminance of 90% before being shielded because the projection region b is covered with the light shielding pattern b in the width of 5 μm out of the width of 50 μm. When these reflected lights are compared with each other, the total luminance of the reflected light of the dummy core b is 1.8 times that of the total luminance of the reflected light of the dummy core a. On the other hand, as described above, when the light shielding pattern a and the light shielding pattern b are provided so as to be in contact with the projection area a and the projection area b, the total luminance of the reflected light of the dummy core a becomes 80%, and the luminance of the reflected light of the dummy core b. Since the total amount is 100%, the ratio is 1.25 times. Therefore, it is obvious that the positional deviation amount can be easily measured by providing the
In this case, when a positional deviation exceeding 15 μm width occurs, it is difficult to obtain the positional deviation amount by a simple comparison between the total luminance of reflected light of the dummy core a and the total luminance of reflected light of the dummy core b. It is preferable that the overlap width 11 between the
<工程(E)>
本発明の光電気複合基板の製造方法は、上記工程(A)〜(D)に加え、さらに工程(D)の測定結果に基づき、光電気複合基板を選別する工程(E)を含んでいてもよい。
工程(E)において、上述のようにして得た位置ずれ量及び位置ずれ方向の情報に基づき、光電気複合基板20を選別する方法としては、所定の量よりも位置ずれ量が大きいものは、不良品として分類し、残りの光電気複合基板に光素子を実装する方法が挙げられる。
また、工程(E)において、位置ずれ量が一定範囲内のものを、位置ずれ量及び方向ごとに分類することで、各分類毎に光素子の実装位置を修正することが可能となるため、本来不良品として分類される範囲の一部に光素子を実装することが可能となるため、光電気複合基板の歩留まりが向上し、また、光素子を実装した光電気複合モジュールの歩留まりをも向上する。
<Process (E)>
In addition to the steps (A) to (D), the method for producing a photoelectric composite substrate according to the present invention further includes a step (E) of selecting the photoelectric composite substrate based on the measurement result of the step (D). Also good.
In the step (E), as a method of selecting the photoelectric composite substrate 20 based on the positional deviation amount and the positional deviation direction information obtained as described above, a method in which the positional deviation amount is larger than a predetermined amount is as follows. A method of classifying as an inferior product and mounting an optical element on the remaining photoelectric composite substrate may be mentioned.
In addition, in the step (E), by classifying the positional deviation amount within a certain range for each positional deviation amount and direction, it becomes possible to correct the mounting position of the optical element for each classification. Since it is possible to mount optical elements in a part of the range originally classified as defective products, the yield of opto-electric composite boards is improved, and the yield of opto-electric composite modules mounted with optical elements is also improved. To do.
次に、本発明の光電気複合基板の製造方法について、実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例1
[クラッド層形成用樹脂フィルムの作製]
(A)ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂(商品名:フェノトートYP−70、東都化成株式会社製)48質量部、(B)光重合性化合物として、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート(商品名:KRM−2110、分子量:252、旭電化工業株式会社製)50質量部、(C)光重合開始剤として、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩(商品名:SP−170、旭電化工業株式会社製)2質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を広口のポリ瓶に秤量し、メカニカルスターラ、シャフト及びプロペラを用いて、温度25℃、回転数400rpmの条件で、6時間撹拌し、クラッド層形成用樹脂ワニスAを調合した。その後、孔径2μmのポリフロンフィルタ(商品名:PF020、アドバンテック東洋株式会社製)を用いて、温度25℃、圧力0.4MPaの条件で加圧濾過し、さらに真空ポンプ及びベルジャーを用いて減圧度50mmHgの条件で15分間減圧脱泡した。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスAを、キャリアフィルムであるポリアミドフィルム(東レ(株)製、商品名「ミクトロン」、厚さ12μm)のコロナ処理面に塗工機(マルチコーターTM−MC、株式会社ヒラノテクシード製)を用いて塗布し、80℃、10分、その後100℃、10分で溶剤乾燥させ、次いで保護フィルムとして離型PETフィルム(商品名:ピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μm)を離型面が樹脂側になるように貼り付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。
Next, although the manufacturing method of the photoelectric composite board | substrate of this invention is demonstrated in detail by an Example, this invention is not limited at all by these examples.
Example 1
[Preparation of resin film for forming clad layer]
(A) As a base polymer, 48 parts by mass of phenoxy resin (trade name: Phenototo YP-70, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), (B) As a photopolymerizable compound, alicyclic diepoxycarboxylate (trade name: KRM) -2110, molecular weight: 252, Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) 50 parts by mass, (C) As a photopolymerization initiator, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate salt (trade name: SP-170, Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) 2 parts by mass, 40 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate as an organic solvent are weighed in a wide-mouthed plastic bottle, and stirred for 6 hours under the conditions of a temperature of 25 ° C. and a rotation speed of 400 rpm using a mechanical stirrer, shaft and propeller. A clad layer forming resin varnish A was prepared. After that, using a polyflon filter (trade name: PF020, manufactured by Advantech Toyo Co., Ltd.) with a pore diameter of 2 μm, the mixture is filtered under pressure at a temperature of 25 ° C. and a pressure of 0.4 MPa, and further the degree of vacuum using a vacuum pump and a bell jar Degassed under reduced pressure for 15 minutes under the condition of 50 mmHg.
The resin varnish A for forming a clad layer obtained above is coated on a corona-treated surface of a polyamide film (trade name “Mictron”, thickness 12 μm, manufactured by Toray Industries, Inc.) as a carrier film (Multicoater TM- MC, manufactured by Hirano Tech Seed Co., Ltd., dried at 80 ° C. for 10 minutes, then at 100 ° C. for 10 minutes, and then released as a protective film release PET film (trade name: Purex A31, Teijin DuPont Film Co., Ltd.) Company, thickness: 25 μm) was attached so that the release surface was on the resin side, and a resin film for forming a clad layer was obtained.
[コア層形成用樹脂フィルムの作製]
(A)ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂(商品名:フェノトートYP−70、東都化成株式会社製)26質量部、(B)光重合性化合物として、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(商品名:A−BPEF、新中村化学工業株式会社製)36質量部、及びビスフェノールA型エポキシアクリレート(商品名:EA−1020、新中村化学工業株式会社製)36質量部、(C)光重合開始剤として、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド(商品名:イルガキュア819、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、及び1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン(商品名:イルガキュア2959、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を用いたこと以外は上記製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスBを調合した。その後、上記製造例と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスBを、PETフィルム(商品名:コスモシャインA1517、東洋紡績株式会社製、厚さ:16μm)の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型PETフィルム(商品名:ピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μm)を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。
[Preparation of resin film for core layer formation]
(A) As a base polymer, 26 parts by mass of phenoxy resin (trade name: Phenototo YP-70, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), (B) 9,9-bis [4- (2-acryloyl) as a photopolymerizable compound Oxyethoxy) phenyl] fluorene (trade name: A-BPEF, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 36 parts by mass, and bisphenol A type epoxy acrylate (trade name: EA-1020, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 36 mass Parts, (C) 1 part by mass of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name: Irgacure 819, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) as a photopolymerization initiator, and 1- [4 -(2-Hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one (trade name: yl Cure 2959, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 1 part by weight, and using resin varnish B for forming a core layer under the same method and conditions as in the above production example, except that 40 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate was used as the organic solvent Prepared. Thereafter, pressure filtration and degassing under reduced pressure were performed under the same method and conditions as in the above production example.
The core layer-forming resin varnish B obtained above is applied to the non-treated surface of a PET film (trade name: Cosmo Shine A1517, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 16 μm) in the same manner as in the above production example. After coating and drying, a release PET film (trade name: PUREX A31, Teijin DuPont Films Co., Ltd., thickness: 25 μm) is applied as a protective film so that the release surface is on the resin side, and a core layer forming resin A film was obtained.
[フレキシブル光導波路の作製]
上記で得られた下部クラッド層形成用樹脂フィルムの保護フィルムである離型PETフィルム(ピューレックスA31)を剥離し、紫外線露光機(株式会社オーク製作所製、EXM−1172)にて樹脂側(基材フィルムの反対側)から紫外線(波長365nm)を1J/cm2照射し、次いで80℃で10分間加熱処理することにより、厚さ15μmの下部クラッド層を形成した。
次に、該下部クラッド層上に、ロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、上記コア層形成用樹脂フィルムをラミネートし、次いで平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ(株式会社名機製作所製、MVLP−500)を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度50℃、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、厚さ50μmのコア層を形成した。
次に、幅50μmのネガ型フォトマスクを介し、上記紫外線露光機にて紫外線(波長365nm)を0.6J/cm2照射し、次いで80℃で5分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/N,N−ジメチルアセトアミド=8/2、質量比)を用いて、コアパターンと、断面が正方形のダミーコアa〜d(コア径:50μm)を現像した。続いて、洗浄液(イソプロパノール)を用いて洗浄し、100℃で10分間加熱乾燥した。
次いで、上記と同様なラミネート条件にて、上部クラッド層として上記クラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートした。さらに、紫外線波長365nmを両面に合計で25J/cm2照射後、160℃で1時間加熱処理することによって、厚さ20μmの上部クラッド層を形成し基材フィルムが外側に配置されたフレキシブル光導波路を作製した。さらにポリアミドフィルム剥離のため、該フレキシブル光導波路を85℃/85%の高温高湿条件で24時間処理し、基材フィルムを除去したフレキシブル光導波路を作製した。
また、得られたフレキシブル光導波路の引張弾性率及び引張強度を上記方法により測定した結果、引張弾性率が2,000MPa、引張強度が70MPaであった。
[Fabrication of flexible optical waveguide]
The release PET film (Purex A31), which is a protective film for the resin film for forming the lower clad layer obtained above, is peeled off, and the resin side (base) is obtained with an ultraviolet exposure machine (EXM-1172, manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.). An ultraviolet ray (wavelength 365 nm) was irradiated from the opposite side of the material film at 1 J / cm 2 , and then heat-treated at 80 ° C. for 10 minutes to form a lower cladding layer having a thickness of 15 μm.
Next, the core layer is formed on the lower clad layer using a roll laminator (HLM-1500, manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd.) under conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 50 ° C., and a laminating speed of 0.2 m / min. After laminating the forming resin film, and then vacuuming to 500 Pa or less using a vacuum pressure laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) as a flat plate laminator, pressure 0.4 MPa, temperature 50 ° C. The core layer having a thickness of 50 μm was formed by thermocompression bonding under a pressure time of 30 seconds.
Next, ultraviolet rays (wavelength 365 nm) were irradiated with 0.6 J / cm 2 with a UV photomask through a negative photomask having a width of 50 μm, followed by heating at 80 ° C. for 5 minutes. Thereafter, the PET film as the support film is peeled off, and using a developer (propylene glycol monomethyl ether acetate / N, N-dimethylacetamide = 8/2, mass ratio), a core pattern and a dummy core having a square cross section a to d (core diameter: 50 μm) was developed. Then, it wash | cleaned using the washing | cleaning liquid (isopropanol), and heat-dried at 100 degreeC for 10 minute (s).
Subsequently, the resin film for forming a clad layer was laminated as an upper clad layer under the same laminating conditions as described above. Further, a flexible optical waveguide in which an upper clad layer having a thickness of 20 μm is formed and a base film is disposed on the outer side by performing a heat treatment at 160 ° C. for 1 hour after irradiation with an ultraviolet wavelength of 365 nm on both surfaces in total of 25 J / cm 2 Was made. Furthermore, in order to peel the polyamide film, the flexible optical waveguide was treated under high temperature and high humidity conditions of 85 ° C./85% for 24 hours to produce a flexible optical waveguide from which the base film was removed.
Moreover, as a result of measuring the tensile elasticity modulus and tensile strength of the obtained flexible optical waveguide by the above method, the tensile elasticity modulus was 2,000 MPa, and the tensile strength was 70 MPa.
[シート状接着剤の作製]
HTR−860P−3(帝国化学産業株式会社製、商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量100万、Tg−7℃)100質量部、YDCN−703(東都化成株式会社製、商品名、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210)5.4質量部、YDCN−8170C(東都化成株式会社製、商品名、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量157)16.2質量部、プライオーフェンLF2882(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名、ビスフェノールAノボラック樹脂)15.3質量部、NUCA−189(日本ユニカー株式会社製、商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.1質量部、NUCA−1160(日本ユニカー株式会社製、商品名、γ‐ウレイドプロピルトリエトキシシラン)0.3質量部、A−DPH(新中村化学工業株式会社製、商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート)30質量部、イルガキュア369(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、商品名、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1−オン:I−369)1.5質量部、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ75μmの表面離型処理ポリエチレンテレフタレート(帝人株式会社製、テイジンテトロンフィルム:A−31)上に塗布し、80℃で30分間加熱乾燥し粘接着シートを得た。この粘接着シートに、厚さ80μmの光透過性の支持基材(サーモ株式会社製、低密度ポリエチレンテレフタレート/酢酸ビニル/低密度ポリエチレンテレフタレート三層フィルム:FHF−100)をあわせてラミネートすることにより保護フィルム(表面離型処理ポリエチレンテレフタレート)、粘接着剤層、及び光透過性の支持基材からなるシート状接着剤を作製した。粘接着剤層の厚さは10μmとした。
また、得られたシート状接着剤の引張弾性率を上記方法により測定した結果、引張弾性率は350MPaであった。
[Production of sheet adhesive]
HTR-860P-3 (made by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd., trade name, glycidyl group-containing acrylic rubber, molecular weight 1 million, Tg-7 ° C.) 100 parts by mass, YDCN-703 (made by Toto Kasei Co., Ltd., trade name, o- Cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210) 5.4 parts by mass, YDCN-8170C (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., trade name, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 157) 16.2 parts by mass, Plyofen LF2882 (large Nippon Ink Chemical Co., Ltd., trade name, bisphenol A novolak resin) 15.3 parts by mass, NUCA-189 (Nippon Unicar Co., Ltd., trade name, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane) 0.1 part by mass, NUCA -1160 (made by Nippon Unicar Co., Ltd., trade name, γ-ureidopropyltriet 0.3 parts by mass of xylsilane), 30 parts by mass of A-DPH (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name, dipentaerythritol hexaacrylate), Irgacure 369 (trade name, 2-benzyl, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 2-Dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1-one: I-369) 1.5 parts by mass, cyclohexanone was added, mixed by stirring, and vacuum degassed. This adhesive varnish was applied onto a 75 μm-thick surface release-treated polyethylene terephthalate (manufactured by Teijin Ltd., Teijin Tetron film: A-31) and dried by heating at 80 ° C. for 30 minutes to obtain an adhesive sheet. . The adhesive sheet is laminated together with a light-transmitting support substrate having a thickness of 80 μm (manufactured by Thermo Co., Ltd., low density polyethylene terephthalate / vinyl acetate / low density polyethylene terephthalate three-layer film: FHF-100). Thus, a sheet-like adhesive composed of a protective film (surface release-treated polyethylene terephthalate), an adhesive layer, and a light-transmitting support substrate was produced. The thickness of the adhesive layer was 10 μm.
Moreover, as a result of measuring the tensile elastic modulus of the obtained sheet-like adhesive by the above method, the tensile elastic modulus was 350 MPa.
[光電気複合基板の作製]
フレキシブル光導波路に、ロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、保護フィルムを剥がしたシート状接着剤をラミネートした。続いてダイシングソー(株式会社ディスコ製、DAD−341)を用いて、45°の切り欠き部を形成し、反射ミラーとした。反射ミラーは45度の斜辺を有している。続けて、反射ミラーを金でコーティングした。
次に、フレキシブル光導波路を短冊状(長さ120mm、幅2mm)に加工し、支持基材側から紫外線(365nm)を250mJ/cm2照射し、粘接着剤層と支持基材界面の密着力を低下させ支持基材を剥がして接着剤付き光導波路を得た。
次に、片面銅箔付きポリイミド(宇部日東化成(株)製ユーピレックスVT[商品名])からなる弾性率7400Mpa、厚さ12μmのフレキシブル基材を貼り付け、エッチングして、厚さ9μmで、電極パターンとともに反射ミラーによりダミーコアa〜dの反射光が投影される投影領域の近傍に、それぞれ遮光パターンa〜dを形成し、フレキシブルプリント配線板を得た。
ここで、遮光パターンaは、ダミーコアaの反射光が投影される投影領域aの、基板に平行なxy直交座標系におけるx軸上の正方向側に、遮光パターンbは、ダミーコアbの反射光が投影される投影領域bの、x軸上の負方向側に、遮光パターンcは、ダミーコアcの反射光が投影される投影領域cの、y軸上の正方向側に、遮光パターンdは、ダミーコアdの反射光が投影される投影領域dの、y軸上の負方向側に、それぞれ対応する投影領域を、位置ずれが生じない場合には15μm幅で覆うように設けられた。
さらに前述の所定の箇所に接着剤付き光導波路を、紫外線露光機(株式会社大日本スクリーン製,MAP−1200−L)付随のマスクアライナー機構を利用して位置決めし、同ロールラミネータを用い圧力0.4MPa、温度80℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で仮圧着した後、クリンオーブン中で160℃、1時間加熱しフレキシブル光導波路と電気配線基板を接着して、光電気複合基板を得た。
[Production of optoelectric composite substrate]
Sheet-shaped adhesive with a protective film peeled off on a flexible optical waveguide using a roll laminator (HLM-1500, manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd.) under the conditions of pressure 0.4 MPa, temperature 50 ° C., laminating speed 0.2 m / min. The agent was laminated. Subsequently, a 45 ° cutout was formed using a dicing saw (DAD-341, manufactured by DISCO Corporation) to obtain a reflection mirror. The reflection mirror has a hypotenuse of 45 degrees. Subsequently, the reflecting mirror was coated with gold.
Next, the flexible optical waveguide is processed into a strip shape (120 mm in length and 2 mm in width), and ultraviolet light (365 nm) is irradiated from the support substrate side at 250 mJ / cm 2 , and adhesion between the adhesive layer and the support substrate interface is performed. The force was reduced and the supporting substrate was peeled off to obtain an optical waveguide with an adhesive.
Next, a flexible base material having a modulus of elasticity of 7400 Mpa and a thickness of 12 μm made of polyimide with a single-sided copper foil (Upilex VT [trade name] manufactured by Ube Nitto Kasei Co., Ltd.) is applied and etched to form an electrode with a thickness of 9 μm. The light shielding patterns a to d were formed in the vicinity of the projection areas where the reflected light of the dummy cores a to d was projected by the reflection mirror together with the pattern, thereby obtaining a flexible printed wiring board.
Here, the light-shielding pattern a is on the positive direction side on the x-axis in the xy orthogonal coordinate system parallel to the substrate in the projection area a on which the reflected light of the dummy core a is projected, and the light-shielding pattern b is the reflected light of the dummy core b. The light shielding pattern c is on the negative direction side on the x-axis of the projection area b where is projected, and the light shielding pattern d is on the positive direction side on the y-axis of the projection area c where the reflected light of the dummy core c is projected. The projection areas corresponding to the projection areas d on which the reflected light of the dummy core d is projected are provided on the negative direction side on the y axis so as to cover the corresponding projection areas with a width of 15 μm when no positional deviation occurs.
Further, an optical waveguide with an adhesive is positioned at the above-mentioned predetermined location using a mask aligner mechanism attached to an ultraviolet exposure machine (manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd., MAP-1200-L), and the pressure is zero using the roll laminator. After temporary pressure bonding under the conditions of 4 MPa, temperature of 80 ° C. and laminating speed of 0.2 m / min, the flexible optical waveguide and the electric wiring board are bonded by heating in a clean oven at 160 ° C. for 1 hour, Obtained.
上述のようにして得た光電気複合基板のサンプル100個につき、コア層のx軸及びy軸上の正方向への位置ずれ量を、以下の要領で測定した。
[位置ずれ量の測定方法]
まず、ダミーコアa〜dのそれぞれに、同一の輝度総量を有する光を入力した。ダミーコアa〜dの反射光は、それぞれ遮光パターンa〜dによって部分的に遮光されるが、遮光されずに通過したそれぞれの反射光の輝度総量を測定するため、CCDカメラを設けた。CCDカメラから得られる各画素の電流値を8ビット分解し、0〜255の整数で出力した。
ここで、例えばコア層と電極・遮光パターンとが、x軸上の正方向に10μmの位置ずれを有する場合、投影領域a(50μm×50μm)は、25μmの幅で遮光されることとなるため、ダミーコアaの反射光の輝度総量(Ia)は、遮光される前の50%となる。一方、投影領域b(50μm×50μm)は、5μmの幅で遮光されることとなるため、ダミーコアbの反射光の輝度総量(Ib)は、遮光される前の90%となる。従って、(Ib/Ia)が1.8である場合、コア層と電極・遮光パターンとがx軸上の正方向に10μmの位置ずれを有することとなる。
すなわち、電極・遮光パターンを基準としたコア層のx軸上の正方向への位置ずれ量(ΔX)は、下記式(I)によって求めた。
ΔX(μm)=35−[70/(Ib/Ia+1)] (I)
同様に、電極・遮光パターンを基準としたコア層のy軸上の正方向への位置ずれ量(ΔY)は、下記式(II)によって求めた。
ΔY(μm)=35−[70/(Id/Ic+1)] (II)
サンプル100個のうち、最初の10個のx軸上の正方向への位置ずれ量と、y軸上の正方向への位置ずれ量とを第1表に示す。
With respect to 100 samples of the photoelectric composite substrate obtained as described above, the amount of displacement of the core layer in the positive direction on the x-axis and y-axis was measured as follows.
[Measurement method of misalignment]
First, light having the same total luminance was input to each of the dummy cores a to d. The reflected light of the dummy cores a to d is partially shielded by the light shielding patterns a to d, respectively, but a CCD camera is provided to measure the total luminance of each reflected light that has passed without being shielded. The current value of each pixel obtained from the CCD camera was decomposed into 8 bits and output as an integer from 0 to 255.
Here, for example, when the core layer and the electrode / light-shielding pattern have a positional deviation of 10 μm in the positive direction on the x-axis, the projection region a (50 μm × 50 μm) is shielded with a width of 25 μm. The total luminance (I a ) of the reflected light of the dummy core a is 50% before being shielded from light. On the other hand, since the projection region b (50 μm × 50 μm) is shielded from light with a width of 5 μm, the total luminance (I b ) of the reflected light of the dummy core b is 90% before being shielded. Therefore, when (I b / I a ) is 1.8, the core layer and the electrode / light-shielding pattern have a positional deviation of 10 μm in the positive direction on the x-axis.
That is, the positional deviation amount (ΔX) in the positive direction on the x-axis of the core layer with reference to the electrode / light-shielding pattern was obtained by the following formula (I).
ΔX (μm) = 35− [70 / (I b / I a +1)] (I)
Similarly, the positional deviation amount (ΔY) in the positive direction on the y-axis of the core layer with reference to the electrode / light-shielding pattern was obtained by the following formula (II).
ΔY (μm) = 35− [70 / (I d / I c +1)] (II)
Table 1 shows the amount of positional deviation in the positive direction on the first 10 x-axes and the amount of positional deviation in the positive direction on the y-axis among the 100 samples.
上述のようにして測定した位置ずれ量に基づき、以下の基準で光電気複合基板を分類した。
良品:ΔX及びΔYが、それぞれ10μm以内のもの。
不良品:ΔX及びΔYの少なくとも一方が、10μm超のもの。
Based on the amount of displacement measured as described above, the photoelectric composite substrates were classified according to the following criteria.
Non-defective product: ΔX and ΔY are each within 10 μm.
Defective product: At least one of ΔX and ΔY exceeds 10 μm.
[光伝送可否の測定結果]
アンリツ株式会社製パルスジェネレータMP1800Aを用いて10Gbps波形を有する擬似光を形成し、その後ファイバGI50経由にて導波路端面に入射し、出射側のミラー上面には光受光素子の所定位置にファイバGI50を設置してファイバ出射側にアジレント・テクノロジー株式会社製光オシロスコープ86100Cを設置して光伝送のアイパターンを伝送速度10Gbpsにて測定した。
アイパターンが開口している場合は光伝送可能、非開口の場合は光伝送不可と判定した。
上述のようにして測定した光電気複合基板性能を第1表に示す。
[Measurement result of optical transmission availability]
A pseudo-light having a 10 Gbps waveform is formed using a pulse generator MP1800A manufactured by Anritsu Co., Ltd., and then incident on the waveguide end face via the fiber GI50, and a fiber GI50 is formed at a predetermined position of the light receiving element on the output mirror surface. An optical oscilloscope 86100C manufactured by Agilent Technologies Inc. was installed on the fiber exit side, and an optical pattern of light transmission was measured at a transmission speed of 10 Gbps.
When the eye pattern was open, it was determined that light transmission was possible, and when it was not open, light transmission was not possible.
The photoelectric composite substrate performance measured as described above is shown in Table 1.
第1表より、本発明の製造方法における位置ずれ量の測定結果と、それによって製造された光電気複合基板性能とが高精度で整合することが明らかとなった。 From Table 1, it became clear that the measurement result of the amount of misalignment in the manufacturing method of the present invention and the performance of the photoelectric composite substrate manufactured thereby matched with high accuracy.
さらに、上述のようにしてサンプル10個、50個、100個のΔX及びΔYの測定に要した時間を計測した。結果を第3表に示す。 Furthermore, the time required for measuring ΔX and ΔY of 10 samples, 50 samples, and 100 samples was measured as described above. The results are shown in Table 3.
比較例1
各工程において、以下に示すように変更した以外は実施例1と同様にして光電気複合基板を作製した。
フレキシブル光導波路の作製において、ダミーコアa〜dを形成する代わりに、コア層基準マークa及びbを形成した。
また、光電気複合基板の作製において、遮光パターンa〜dを形成する代わりに、電極パターン基準マークa及びbを形成した。電極パターン基準マークa及びbは、位置ずれが生じない場合には、前記コア基準マークa及びbに対して、それぞれx軸及びy軸方向に、それぞれ所定の距離となる位置に形成された。
また、ΔX及びΔYの測定においては、CCDカメラで撮影した画像における、電極パターン基準マークaとコア基準マークaとのx軸上の距離(画素数)からΔXを求め、電極パターン基準マークbとコア基準マークbとのy軸上の距離(画素数)からΔYを求めた。結果を第2表に示す。
また、サンプル10個、50個、100個のΔX及びΔYの測定に要した時間を計測した。結果を第3表に示す。
Comparative Example 1
A photoelectric composite substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the steps were changed as follows.
In the production of the flexible optical waveguide, the core layer reference marks a and b were formed instead of forming the dummy cores a to d.
In the production of the photoelectric composite substrate, the electrode pattern reference marks a and b were formed instead of forming the light shielding patterns a to d. The electrode pattern reference marks a and b were formed at predetermined distances in the x-axis and y-axis directions with respect to the core reference marks a and b, respectively, when no positional deviation occurred.
In the measurement of ΔX and ΔY, ΔX is obtained from the distance (number of pixels) on the x-axis between the electrode pattern reference mark a and the core reference mark a in the image taken by the CCD camera, and the electrode pattern reference mark b ΔY was determined from the distance (number of pixels) on the y-axis with respect to the core reference mark b. The results are shown in Table 2.
In addition, the time required for measuring 10 samples, 50 samples, and 100 samples ΔX and ΔY was measured. The results are shown in Table 3.
第3表より、本発明の製造方法によれば、極めて効率よく光導波路の位置ずれを測定できることが明らかとなった。 From Table 3, it became clear that according to the manufacturing method of the present invention, the displacement of the optical waveguide can be measured very efficiently.
実施例2
各工程において、以下に示すように変更した以外は実施例1と同様にして光電気複合基板を作製した。
フレキシブル光導波路の作製において、ダミーコアa’〜c’を形成し、光電気複合基板の作製において、遮光パターンa’を、ダミーコアa’の反射光が投影される投影領域a’の、基板に平行なxy直交座標系におけるx軸上の正方向に、遮光パターンb’を、ダミーコアb’の反射光が投影される投影領域b’の、x軸上の負方向に、それぞれ対応する投影領域を、位置ずれが生じない場合には15μm幅で覆うように設け、さらに、遮光パターンc−1を、ダミーコアc’の反射光が投影される投影領域c’のy軸上の正方向に、遮光パターンc−2を、y軸上の負方向に、位置ずれが生じない場合にはそれぞれ投影領域c’に接するように設けた。
実施例1と同様にしてダミーコアa’の反射光の輝度総量(Ia')とダミーコアb’の反射光の輝度総量(Ib')とを測定して、式(I)と同様にしてΔXを求めた。
また、ダミーコアc’の反射光の輝度総量(Ic')を測定し、電極・遮光パターンを基準としたコア層のy軸上の位置ずれ量の絶対値(|ΔY|)を、下記式(III)によって求めた。
|ΔY|(μm)=50[1−7Ic'/5(Ia'+Ib')] (III)
サンプル100個のうち、最初の10個について、ΔX及び|ΔY|を第4表に示す。
また、実施例1と同様にして光電気複合基板性能を測定した結果も第4表に示す。
Example 2
A photoelectric composite substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the steps were changed as follows.
In the production of the flexible optical waveguide, dummy cores a ′ to c ′ are formed, and in the production of the optoelectric composite substrate, the light shielding pattern a ′ is parallel to the substrate in the projection region a ′ where the reflected light of the dummy core a ′ is projected. In the xy orthogonal coordinate system, the light shielding pattern b ′ is projected in the positive direction on the x-axis, and the projection area corresponding to the projection region b ′ in which the reflected light of the dummy core b ′ is projected in the negative direction on the x-axis. When there is no positional deviation, a 15 μm width is provided so that the light shielding pattern c-1 is shielded in the positive direction on the y axis of the projection area c ′ on which the reflected light of the dummy core c ′ is projected. The pattern c-2 is provided in the negative direction on the y-axis so as to be in contact with the projection region c ′ when no positional deviation occurs.
The total luminance (I a ′ ) of the reflected light from the dummy core a ′ and the total luminance (I b ′ ) of the reflected light from the dummy core b ′ were measured in the same manner as in Example 1, and the same as in the formula (I). ΔX was determined.
Further, the total luminance (I c ′ ) of the reflected light of the dummy core c ′ is measured, and the absolute value (| ΔY |) of the positional deviation amount on the y-axis of the core layer with reference to the electrode / light-shielding pattern is expressed by the following equation: Obtained by (III).
| ΔY | (μm) = 50 [1-7I c ′ / 5 (I a ′ + I b ′ )] (III)
Table 4 shows ΔX and | ΔY | for the first 10 of the 100 samples.
Table 4 also shows the results of measuring the photoelectric composite substrate performance in the same manner as in Example 1.
さらに、上述のようにしてサンプル10個、50個、100個のΔX及び|ΔY|の測定に要した時間を計測した。結果を第5表に示す。
本発明の製造方法により得られた光電気複合基板及び光電気複合モジュールは、各種光学装置、光インタコネクション等の幅広い分野に適用可能である。 The photoelectric composite substrate and the photoelectric composite module obtained by the manufacturing method of the present invention can be applied to various fields such as various optical devices and optical interconnections.
1 基板
2 下部クラッド
3 コアパターン
4 ダミーコア
5 電極パターン
6 反射ミラー
7 投影領域
8 遮光パターン
9 上部クラッド
10 接着層
11 オーバーラップ幅
20 光電気複合基板
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