JP5659478B2 - Organic electroluminescence element, lighting device and display device - Google Patents
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、それを用いた照明装置及び表示装置に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence element, and an illumination device and a display device using the same.
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、ELDと略記する)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略記する)が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は、平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要となる。 Conventionally, as a light-emitting electronic display device, there is an electroluminescence display (hereinafter abbreviated as ELD). Examples of the constituent elements of ELD include inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter abbreviated as organic EL elements). Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.
一方、有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるため、視野角に富み、視認性が高く、また薄膜型の完全固体素子であるため、省スペース、携帯性等の観点から注目されている。 On the other hand, an organic EL element has a configuration in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and injects electrons and holes into the light emitting layer to recombine excitons. This is an element that emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when this exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Therefore, it has a wide viewing angle, high visibility, and is a thin-film type complete solid-state device, and thus has been attracting attention from the viewpoints of space saving and portability.
実用化に向けた有機EL素子の開発としては、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告(例えば、非特許文献1参照)がされて以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている(例えば、特許文献1、非特許文献2参照)。 As the development of organic EL devices for practical use, since Princeton University has reported on organic EL devices using phosphorescence emission from excited triplets (for example, see Non-Patent Document 1), phosphorescence at room temperature has been made. Research on the materials shown has been active (see, for example, Patent Document 1 and Non-Patent Document 2).
更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機EL素子では、以前の蛍光発光を利用する有機EL素子に比べ、原理的には約4倍の発光効率の実現が可能であることから、その材料開発をはじめとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われており、例えば、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討がなされている(例えば、非特許文献3参照)。 Furthermore, the recently discovered organic EL element using phosphorescence can in principle achieve a luminous efficiency about four times that of organic EL elements using fluorescence emission. Research and development of light-emitting element layers and electrodes are being conducted all over the world, including material development. For example, many compounds have been studied focusing on heavy metal complexes such as iridium complexes. (See Patent Document 3).
上記提案されている方式は、極めてポテンシャルの高い方式ではあるが、リン光発光を利用する有機ELデバイスにおいては、蛍光発光を利用する有機ELデバイスとは大きく異なり、発光中心の位置をコントロールする方法、とりわけ発光層の内部で再結合を行い、いかに発光を安定に行わせることができるかが、有機EL素子の効率・寿命を捕らえる上での重要な技術的課題となっている。 The proposed method is an extremely high potential method, but the organic EL device using phosphorescence emission is greatly different from the organic EL device using fluorescence emission, and a method for controlling the position of the emission center. In particular, how to perform recombination inside the light emitting layer to stably emit light is an important technical issue in capturing the efficiency and life of the organic EL element.
近年、発光層に隣接する形で、(発光層の陽極側に位置する)正孔輸送層と(発光層の陰極側に位置する)電子輸送層とを備えた多層積層型の素子が良く知られている(例えば、特許文献2参照)。 In recent years, multilayer stacked devices having a hole transport layer (located on the anode side of the light emitting layer) and an electron transport layer (located on the cathode side of the light emitting layer) adjacent to the light emitting layer are well known. (For example, refer to Patent Document 2).
特に、青色リン光発光を利用するにあたっては、青色リン光発光材料自身が高T1(最低励起三重項エネルギー)を有するため、周辺材料の開発及び精緻な発光中心の制御が強く求められている。 In particular, when utilizing blue phosphorescence, since the blue phosphorescent material itself has a high T1 (minimum excited triplet energy), development of peripheral materials and precise control of the emission center are strongly demanded.
近年、リン光発光材料を用いた有機EL素子の発光層においては、正孔注入成分または発光成分として、ジベンゾチオフェン誘導体やジベンゾフラン誘導体を用いる技術(例えば、特許文献2、3、9参照)や、ホスト材料としてジベンゾチオフェン誘導体を用いる技術(例えば、特許文献4参照)、などが開示されている。また、フルオレン誘導体を含有する化合物をホスト材料として用いる技術が開示されている(例えば、特許文献5,6、非特許文献4参照)。フルオレン誘導体を含有する化合物を電子輸送材料として用いる技術が開示されている(例えば、特許文献7、8参照)。
In recent years, in a light emitting layer of an organic EL element using a phosphorescent light emitting material, a technique using a dibenzothiophene derivative or a dibenzofuran derivative as a hole injection component or a light emitting component (see, for example,
しかしながら、高発光効率、低駆動電圧で、耐熱性、生保存性に優れ、かつ、長寿命である有機EL素子を提供するという観点からは、いまだに不十分であり、更なる解決方法が模索されている。 However, it is still insufficient from the viewpoint of providing an organic EL device with high luminous efficiency, low driving voltage, excellent heat resistance, raw storage stability and long life, and further solutions are being sought. ing.
一方で、大面積化、低コスト化、高生産性に対する要求から、湿式法(ウエットプロセスともいう)に対する期待が大きく、真空プロセスでの成膜に比して低温で成膜可能であるため、下層の有機層に対するダメージを低減でき、発光効率や素子寿命を改善できる面からも大きな期待が寄せられている。 On the other hand, because of demands for large area, low cost, and high productivity, there is a great expectation for a wet method (also called a wet process), and it is possible to form a film at a lower temperature than film formation in a vacuum process. There is great expectation from the viewpoint of reducing damage to the lower organic layer and improving luminous efficiency and device lifetime.
しかしながら、青色リン光発光を利用する有機EL素子において、ウエット成膜を実現するためには、とりわけ発光層に含有されるホスト材料や発光層上に積層される電子輸送材料が課題となり、実用上の観点から、現在知られているホスト材料や電子輸送材料では、溶剤に対する溶解性、溶液安定性、駆動電圧等の点で不十分であり、更なる改良技術の開発が不可欠であることが判明した。 However, in order to realize wet film formation in an organic EL element using blue phosphorescence, particularly a host material contained in the light emitting layer and an electron transport material laminated on the light emitting layer are problems, which are practically used. In view of the above, it has been found that the currently known host materials and electron transport materials are insufficient in terms of solubility in solvents, solution stability, driving voltage, etc., and further development of improved technology is essential. did.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光効率が高く、低駆動電圧で、かつ長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子と、それを用いた照明装置及び表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an organic electroluminescence element having high luminous efficiency, a low driving voltage, and a long lifetime, and an illumination device and a display device using the organic electroluminescence element. There is to do.
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。 The above object of the present invention is achieved by the following configurations.
1.陽極と陰極の間に、複数の有機化合物層が挟持された構成を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物層の少なくとも1層が、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 1. In an organic electroluminescence device having a configuration in which a plurality of organic compound layers are sandwiched between an anode and a cathode, at least one of the organic compound layers contains a compound represented by the following general formula (1) An organic electroluminescence device characterized by the above.
〔式中、Xは−O−または−S−を表す。R1、R2、R3、R4、R5、R6は各々水素原子または置換基を表し、R2及びR5の少なくとも一つは置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、芳香族複素環基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基またはシアノ基を表す。Y1、Y2は各々水素原子、置換基、または下記一般式(A)で表される基を表し、Y1及びY2の少なくとも1つは、下記一般式(A)で表される基である。〕 [Wherein, X represents -O- or -S-. R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 each represents a hydrogen atom or a substituent, and at least one of R 2 and R 5 may be substituted, an alkyl group, a cycloalkyl group , Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, aromatic heterocyclic group, aryloxycarbonyl group, alkylsulfonyl group or cyano group . Y 1 and Y 2 each represent a hydrogen atom, a substituent, or a group represented by the following general formula (A), and at least one of Y 1 and Y 2 is a group represented by the following general formula (A) It is. ]
〔式中、Lは芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される2価の連結基を表す。nは0または1〜3の整数を表し、nが2以上の場合、複数のLは同じでも異なっていてもよい。*は、上記一般式(1)との連結部位を表す。Arは、下記一般式(B)で表される基を表す。〕 [Wherein, L represents a divalent linking group derived from an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring. n represents 0 or an integer of 1 to 3, and when n is 2 or more, the plurality of L may be the same or different. * Represents a linking site with the general formula (1). Ar represents a group represented by the following general formula (B). ]
〔式中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19は各々水素原子または置換基を表す。*は、上記一般式(A)におけるLとの連結部位を表す。〕
2.前記一般式(1)におけるY1及びY2が、共に前記一般式(A)で表される基であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 each represents a hydrogen atom or a substituent. * Represents a linking site with L in the general formula (A). ]
2. 2. The organic electroluminescent device according to 1 above, wherein Y 1 and Y 2 in the general formula (1) are both groups represented by the general formula (A).
3.前記一般式(A)におけるnが、0であることを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 3. 3. The organic electroluminescence device as described in 1 or 2 above, wherein n in the general formula (A) is 0.
4.前記一般式(1)におけるR2及びR5で表される置換基の少なくとも一つが、下記一般式(C)で表される基であることを特徴とする前記1から3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 4). Any one of the substituents represented by R 2 and R 5 in the general formula (1) is a group represented by the following general formula (C): The organic electroluminescent element of description.
〔式中、X0は、−C(R21)(R22)−、−N(R23)−、−O−または−S−を表し、E1からE8は、各々−C(R24)=または−N=を表し、R21、R22、R23及びR24は、各々水素原子または置換基を表す。*は前記一般式(1)との連結部位を表す。〕
5.前記一般式(C)で表される基が、下記一般式(C−1)で表される基であることを特徴とする前記4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein, X 0 represents —C (R 21 ) (R 22 ) —, —N (R 23 ) —, —O— or —S—, and E 1 to E 8 each represents —C (R 24 ) = or -N =, and R 21 , R 22 , R 23 and R 24 each represents a hydrogen atom or a substituent. * Represents a linking site with the general formula (1). ]
5. 5. The organic electroluminescence device as described in 4 above, wherein the group represented by the general formula (C) is a group represented by the following general formula (C-1).
〔式中、X0は、−C(R21)(R22)−、−N(R23)−、−O−または−S−を表し、E1からE8は各々−C(R24)を表し、R21、R22、R23及びR24は、各々水素原子または置換基を表す。*は、前記一般式(1)との連結部位を表す。〕
6.前記一般式(1)で表される化合物が、発光層に含有されることを特徴とする前記1から5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein, X 0 represents —C (R 21 ) (R 22 ) —, —N (R 23 ) —, —O— or —S—, and E 1 to E 8 each represents —C (R 24 R 21 , R 22 , R 23 and R 24 each represent a hydrogen atom or a substituent. * Represents a linking site with the general formula (1). ]
6). 6. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 5, wherein the compound represented by the general formula (1) is contained in a light emitting layer.
7.前記発光層が、リン光発光性化合物を含有することを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 7). 7. The organic electroluminescent element according to 6 above, wherein the light emitting layer contains a phosphorescent compound.
8.前記有機化合物層の少なくとも1層は電子輸送層であり、前記一般式(1)で表される化合物が、該電子輸送層に含有されることを特徴とする前記1から7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 8). Any one of the organic compound layers is an electron transport layer, and the compound represented by the general formula (1) is contained in the electron transport layer. The organic electroluminescent element of description.
9.前記一般式(1)で表される化合物を含有した層が、湿式法(ウェットプロセス)により成膜される工程を経て形成されたことを特徴とする前記1から8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 9. 9. The layer according to any one of 1 to 8, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) is formed through a step of forming a film by a wet method (wet process). Organic electroluminescence element.
10.白色に発光することを特徴とする前記1から9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 10. 10. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 9, which emits white light.
11.前記1から10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 11. 11. An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 10 above.
12.前記1から10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。 12 11. A display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of 1 to 10 above.
本発明により、発光効率が高く、低駆動電圧で、かつ長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子と、それを用いた照明装置及び表示装置を提供することができた。 According to the present invention, it was possible to provide an organic electroluminescence element having high luminous efficiency, a low driving voltage, and a long lifetime, and an illumination device and a display device using the organic electroluminescence element.
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail.
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、下記に記載した知見を得ることができ、それらの知見を基づき分子設計を行った結果、本発明に係る一般式(1)で表される化合物を見出し、本発明に係る前記一般式(1)で表される化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の有機化合物層の少なくとも1層に用いることにより、低駆動電圧で、かつ高発光効率、長寿命である有機EL素子が得られることを見出し、本発明に至った次第である。 As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventor was able to obtain the knowledge described below, and as a result of performing molecular design based on those knowledge, it was represented by the general formula (1) according to the present invention. By using the compound represented by the general formula (1) according to the present invention in at least one of the organic compound layers of the organic electroluminescence element (organic EL element), a low driving voltage and It has been found that an organic EL device having a high luminous efficiency and a long lifetime can be obtained, and the present invention has been achieved.
フルオレン誘導体はキャリアの輸送性が高いため、従来からホスト材料や電子輸送材料に用いられている。しかしながら、本発明者らが検討した結果、フルオレン環と芳香族炭化水素環のみで構成された化合物を用いると、有機EL素子の駆動電圧が高くなる傾向にあることが判明した。 Since fluorene derivatives have high carrier transport properties, they have been conventionally used for host materials and electron transport materials. However, as a result of studies by the present inventors, it has been found that when a compound composed only of a fluorene ring and an aromatic hydrocarbon ring is used, the driving voltage of the organic EL element tends to increase.
一方、フルオレン環と他の芳香族複素環とで構成された誘導体、例えば、ピリジン環やイミダゾール環のような単環とのみの組み合わせでは化合物のTgが低くなりやすく、また駆動電圧も高くなる傾向があることが判明した。しかしながら、フルオレン環が、ジベンゾフラン環やジベンゾチオフェン環の2位や4位で連結した誘導体を用いた有機EL素子では、その駆動電圧が低い傾向になることも分かった。 On the other hand, a derivative composed of a fluorene ring and another aromatic heterocycle, such as a combination of only a single ring such as a pyridine ring or an imidazole ring, tends to decrease the Tg of the compound and also tends to increase the driving voltage. Turned out to be. However, it has also been found that the driving voltage tends to be low in an organic EL element using a derivative in which a fluorene ring is linked at the 2-position or 4-position of a dibenzofuran ring or dibenzothiophene ring.
更に、フルオレン環のジベンゾフラン環やジベンゾチオフェン環との連結位置についても検討を続けたところ、本発明に係る一般式(1)で表される化合物の様に、ジベンゾフラン環やジベンゾチオフェン環の4位や6位とフルオレン環の9位が直接、または、連結基を介して結合し、かつ、ジベンゾフラン環やジベンゾチオフェン環の2位や8位に置換基が導入された誘導体では、溶解性が大きく改良された。この結果、ウェットプロセスに適性を有する材料を提供することが可能となった。 Furthermore, when the connection position of the fluorene ring to the dibenzofuran ring and the dibenzothiophene ring was continuously examined, the 4-position of the dibenzofuran ring and the dibenzothiophene ring as in the compound represented by the general formula (1) according to the present invention. Derivatives in which the 6-position and the 9-position of the fluorene ring are bonded directly or via a linking group and a substituent is introduced at the 2-position or 8-position of the dibenzofuran ring or dibenzothiophene ring have high solubility. Improved. As a result, it has become possible to provide a material having suitability for the wet process.
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の各構成要素の詳細について説明する。なお、有機EL素子を構成する、陽極、陰極及び該陽極と該陰極との間に挟持される構成層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機層等)については、その詳細は後で説明する。 Hereafter, the detail of each component of the organic electroluminescent element of this invention is demonstrated. It should be noted that the organic EL element is composed of an anode, a cathode, and constituent layers sandwiched between the anode and the cathode (such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer). Details of the organic layer and the like will be described later.
《一般式(1)で表される化合物》
はじめに、本発明に係る一般式(1)で表される化合物の詳細について説明する。
<< Compound Represented by Formula (1) >>
First, the detail of the compound represented by General formula (1) based on this invention is demonstrated.
前記一般式(1)において、Xは−O−または−S−を表す。R1、R2、R3、R4、R5、R6は各々水素原子または置換基を表し、R2及びR5の少なくとも一つは置換基を表す。Y1、Y2は各々水素原子、置換基、または前記一般式(A)で表される基を表し、Y1及びY2の少なくとも1つは、下記一般式(A)で表される基である。 In the general formula (1), X represents —O— or —S—. R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 each represents a hydrogen atom or a substituent, and at least one of R 2 and R 5 represents a substituent. Y 1 and Y 2 each represent a hydrogen atom, a substituent, or a group represented by the general formula (A), and at least one of Y 1 and Y 2 is a group represented by the following general formula (A) It is.
一般式(1)において、Y1及びY2のいずれもが一般式(A)で表される基である好ましい。一般式(1)において、Y1、Y2のいずれか一方のみが一般式(A)で表される基であり、他方が置換基で表される場合、その置換基としては、後述するR1、R2、R3、R4、R5、R6で挙げた置換基を具体例として挙げることができる。 In the general formula (1), both Y 1 and Y 2 are preferably a group represented by the general formula (A). In the general formula (1), when only one of Y 1 and Y 2 is a group represented by the general formula (A) and the other is represented by a substituent, the substituent is R described later. Specific examples of the substituents mentioned in 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , and R 6 can be given.
一般式(A)において、Lは芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される2価の連結基を表す。 In the general formula (A), L represents a divalent linking group derived from an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring.
芳香族炭化水素環から導出される2価の連結基としては、例えば、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基(例えば、[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジイル基、3,3′−ビフェニルジイル基、3,6−ビフェニルジイル基等)、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が挙げられ、好ましくは、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基である。 Examples of the divalent linking group derived from the aromatic hydrocarbon ring include, for example, o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, naphthacenediyl group, pyrenediyl group, and naphthylnaphthalene. Diyl group, biphenyldiyl group (for example, [1,1′-biphenyl] -4,4′-diyl group, 3,3′-biphenyldiyl group, 3,6-biphenyldiyl group, etc.), terphenyldiyl group, Quaterphenyldiyl group, kinkphenyldiyl group, sexiphenyldiyl group, septiphenyldiyl group, octiphenyldiyl group, nobiphenyldiyl group, deciphenyldiyl group, etc., preferably o-phenylene group, an m-phenylene group and a p-phenylene group;
芳香族複素環から導出される2価の連結基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、チアゾール環、シロール環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環、チエノチオフェン環、ジベンゾカルバゾール環、ベンゾジチオフェン環、フェナントロリン環からなる群から導出される2価の基等、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等(ここで、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはN、O及びSから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す)、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環(ナフトチオフェン環)等)が挙げられる。 Examples of the divalent linking group derived from the aromatic heterocycle include, for example, a carbazole ring, a carboline ring, a diazacarbazole ring (also called a monoazacarboline ring, in which one of the carbon atoms constituting the carboline ring is replaced with a nitrogen atom. A triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrazine ring, quinoxaline ring, thiophene ring, thiazole ring, silole ring, oxadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring A divalent group derived from the group consisting of an indole ring, a thienothiophene ring, a dibenzocarbazole ring, a benzodithiophene ring, a phenanthroline ring, a chalcogen atom such as oxygen or sulfur, and a mixture of three or more rings A group derived from a fused aromatic heterocycle, etc. The condensed aromatic heterocycle formed by condensing is preferably an aromatic heterofused ring containing a heteroatom selected from N, O and S as an element constituting the condensed ring. Includes an acridine ring, a benzoquinoline ring, a carbazole ring, a phenazine ring, a phenanthridine ring, a phenanthroline ring, a carboline ring, a cyclazine ring, a kindrin ring, a tepenidine ring, a quinindrine ring, a triphenodithiazine ring, a triphenodioxazine ring, Phenanthrazine ring, anthrazine ring, perimidine ring, diazacarbazole ring (representing any one of carbon atoms constituting carboline ring replaced by nitrogen atom), phenanthroline ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, naphthofuran ring , Naphthothiophene ring, benzodifuran ring Benzodithiophene ring, naphthodifuran ring, naphthodithiophene ring, anthrafuran ring, anthradifuran ring, anthrathiophene ring, anthradithiophene ring, thianthrene ring, phenoxathiin ring, thiophanthrene ring (naphthothiophene ring) Is mentioned.
一般式(A)において、Lで表される2価の連結基は、各々更に一般式(1)において、R1、R2、R3、R4、R5、R6で表される後述の置換基を有していてもよい。 In the general formula (A), each of the divalent linking groups represented by L is further represented by R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 in the general formula (1). You may have the substituent of.
一般式(A)において、nは0または1〜3の整数を表し、nが2以上の場合複数のLは同じでも異なっていてもよい。好ましくはnは0または1であり、より好ましくはnは0である。*は、一般式(1)との連結部位を表す。 In general formula (A), n represents 0 or an integer of 1 to 3, and when n is 2 or more, a plurality of L may be the same or different. Preferably n is 0 or 1, more preferably n is 0. * Represents a linking site with the general formula (1).
前記一般式(1)において、R1、R2、R3、R4、R5、R6は各々水素原子または置換基を表すが、R1、R2、R3、R4、R5、R6が置換基を表す場合、その置換基としては、例えば、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。 In the general formula (1), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , and R 6 each represent a hydrogen atom or a substituent, but R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 represents a substituent, examples of the substituent include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group). Group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.) Etc.), aromatic hydrocarbon groups (also referred to as aromatic hydrocarbon ring groups, aromatic carbocyclic groups, aryl groups, etc.), for example, phenyl groups, p-chlorophenyl groups, Til, tolyl, xylyl, naphthyl, anthryl, azulenyl, acenaphthenyl, fluorenyl, phenanthryl, indenyl, pyrenyl, biphenylyl, etc.), aromatic heterocyclic groups (eg, pyridyl, pyrimidinyl) Group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group) Etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group , Carborinyl group, Diazaca A bazolyl group (in which one of carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), a quinoxalinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinazolinyl group, a phthalazinyl group, etc.), a heterocyclic group (for example, Pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (For example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (for example, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octyl group) Ruthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxy) Carbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylamino) Sulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminos Sulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2 -Ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group) Group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbo group) Ruamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group) , Methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylamino Carbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pliers) Ureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group) 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2 -Ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenylsulfonyl group) , Naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, Naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, penta) Fluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphono group and the like.
R1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基としては、アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基が好ましい。 The substituent represented by R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 is preferably an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, or an alkoxy group.
また、これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。 In addition, these substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.
一般式(1)において、Arは、一般式(B)で表される基を表す。一般式(B)において、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19は各々水素原子または置換基を表す。*は、上記一般式(A)におけるLとの連結部位を表す。一般式(B)において、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19が置換基を表す場合、その置換基としては、一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で挙げた置換基を具体例として挙げることができる。 In the general formula (1), Ar represents a group represented by the general formula (B). In the general formula (B), R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 each represents a hydrogen atom or a substituent. * Represents a linking site with L in the general formula (A). In the general formula (B), when R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 represent a substituent, the substituent is represented by the general formula (1) ), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 can be given as specific examples.
一般式(1)において、R2またはR5の少なくとも一つは置換基を表す。R2またはR5は、一般式(C)で表される基であることが好ましい。 In general formula (1), at least one of R 2 or R 5 represents a substituent. R 2 or R 5 is preferably a group represented by the general formula (C).
前記一般式(C)において、X0は、−C(R21)(R22)−、−N(R23)−、−O−または−S−を表し、E1からE8は、各々−C(R24)=または−N=を表し、R21、R22、R23及びR24は、各々水素原子または置換基を表す。R21、R22、R23、及びR24で表される置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は前記一般式(1)との連結部位を表す。 In the general formula (C), X 0 represents —C (R 21 ) (R 22 ) —, —N (R 23 ) —, —O— or —S—, and E 1 to E 8 each represents —C (R 24 ) ═ or —N═ is represented, and R 21 , R 22 , R 23 and R 24 each represent a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent represented by R 21 , R 22 , R 23 , and R 24 include the substitution represented by R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 in the general formula (1). The same substituents as the group can be mentioned. * Represents a linking site with the general formula (1).
更に、一般式(C)で表される基は、一般式(C−1)で表される基であることが好ましい。 Furthermore, the group represented by the general formula (C) is preferably a group represented by the general formula (C-1).
前記一般式(C−1)において、X0は、−C(R21)(R22)−、−N(R23)−、−O−または−S−を表し、E1からE8は各々−C(R24)を表し、R21、R22、R23及びR24は、各々水素原子または置換基を表す。R21、R22、R23、及びR24で表される置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は、前記一般式(1)との連結部位を表す。 In the general formula (C-1), X 0 represents —C (R 21 ) (R 22 ) —, —N (R 23 ) —, —O— or —S—, and E 1 to E 8 represent Each represents —C (R 24 ), and R 21 , R 22 , R 23 and R 24 each represent a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent represented by R 21 , R 22 , R 23 , and R 24 include the substitution represented by R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 in the general formula (1). The same substituents as the group can be mentioned. * Represents a linking site with the general formula (1).
更に、前記一般式(C−1)は、下記一般式(C−2)、(C−3)、(C−4)、(C−5)、(C−6)または(C−7)で表される基であることが好ましい。 Furthermore, the general formula (C-1) is represented by the following general formula (C-2), (C-3), (C-4), (C-5), (C-6) or (C-7). It is preferable that it is group represented by these.
上記一般式(C−2)において、R71、R72、R73、R74、R75、R76、R78及びR79は、各々水素原子または置換基を表す。R71、R72、R73、R74、R75、R76、R78及びR79が置換基を表す場合、置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は、一般式(1)との連結部位を表す。 In the general formula (C-2), R 71 , R 72 , R 73 , R 74 , R 75 , R 76 , R 78 and R 79 each represent a hydrogen atom or a substituent. When R 71 , R 72 , R 73 , R 74 , R 75 , R 76 , R 78 and R 79 represent a substituent, examples of the substituent include R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (1). , R 4 , R 5 and R 6 can be exemplified by the same substituents as those represented by R 6 . * Represents a linking site with the general formula (1).
上記一般式(C−3)において、R71、R72、R73、R74、R75、R76、R77及びR78は、各々水素原子または置換基を表す。R71、R72、R73、R74、R75、R76、R77及びR78が置換基を表す場合、置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は、一般式(1)との連結部位を表す。 In the general formula (C-3), R 71 , R 72 , R 73 , R 74 , R 75 , R 76 , R 77 and R 78 each represent a hydrogen atom or a substituent. When R 71 , R 72 , R 73 , R 74 , R 75 , R 76 , R 77 and R 78 represent a substituent, examples of the substituent include R 1 , R 2 , R 3 in the general formula (1). , R 4 , R 5 and R 6 can be exemplified by the same substituents as those represented by R 6 . * Represents a linking site with the general formula (1).
上記一般式(C−4)において、R91、R92、R93、R94、R95、R96及びR98は、各々水素原子または置換基を表す。R91、R92、R93、R94、R95、R96及びR98が置換基を表す場合、置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は、一般式(1)との連結部位を表す。 In the general formula (C-4), R 91 , R 92 , R 93 , R 94 , R 95 , R 96 and R 98 each represent a hydrogen atom or a substituent. When R 91 , R 92 , R 93 , R 94 , R 95 , R 96 and R 98 represent a substituent, examples of the substituent include R 1 , R 2 , R 3 and R 4 in the general formula (1). , R 5 , R 6 and the same substituents as the substituents represented by R 6 can be exemplified. * Represents a linking site with the general formula (1).
上記一般式(C−5)において、R101、R102、R103、R104、R105、R106及びR108は、各々水素原子または置換基を表す。R101、R102、R103、R104、R105、R106及びR108が置換基を表す場合、置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は、一般式(1)との連結部位を表す。 In the above general formula (C-5), R 101 , R 102 , R 103 , R 104 , R 105 , R 106 and R 108 each represent a hydrogen atom or a substituent. When R 101 , R 102 , R 103 , R 104 , R 105 , R 106, and R 108 represent a substituent, examples of the substituent include R 1 , R 2 , R 3 , R 4 in the general formula (1). , R 5 , R 6 and the same substituents as the substituents represented by R 6 can be exemplified. * Represents a linking site with the general formula (1).
上記一般式(C−6)において、R111、R112、R113、R114、R115、R117、R118、Ra及びRbは、各々水素原子または置換基を表す。R111、R112、R113、R114、R115、R117、R118、Ra及びRbが置換基を表す場合、置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は、一般式(1)との連結部位を表す。 In the general formula (C-6), R 111 , R 112 , R 113 , R 114 , R 115 , R 117 , R 118 , R a and R b each represent a hydrogen atom or a substituent. When R 111 , R 112 , R 113 , R 114 , R 115 , R 117 , R 118 , R a and R b represent a substituent, examples of the substituent include R 1 and R 2 in the general formula (1). , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 can be exemplified by the same substituents as those represented by R 6 . * Represents a linking site with the general formula (1).
上記一般式(C−7)において、R111、R112、R113、R114、R115、R116、R117、R118及びRaは、各々水素原子または置換基を表す。R111、R112、R113、R114、R115、R116、R117、R118及びRaが置換基を表す場合、置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2、R3、R4、R5、R6で表される置換基と同様の置換基を挙げることができる。*は、一般式(1)との連結部位を表す。 In the general formula (C-7), R 111 , R 112 , R 113 , R 114 , R 115 , R 116 , R 117 , R 118, and R a each represents a hydrogen atom or a substituent. When R 111 , R 112 , R 113 , R 114 , R 115 , R 116 , R 117 , R 118 and R a represent a substituent, examples of the substituent include R 1 and R 2 in the general formula (1). , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 can be exemplified by the same substituents as those represented by R 6 . * Represents a linking site with the general formula (1).
以下、本発明に係る一般式(1)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, although the specific example of a compound represented by General formula (1) based on this invention is shown, this invention is not limited to these.
本発明に係る一般式(1)で表される化合物は、例えば、国際公開第07/111176号明細書、Chem.Mater.2008,20,5951、実験化学講座第5版(日本化学会編)、非特許文献4(Shanghui Ye et al.,Chemistry of Materials,21巻、7号、1333〜1342頁(2009年))等に記載の公知の方法を参照して合成することができる。以下に、代表的な化合物の合成例を示す。 The compound represented by the general formula (1) according to the present invention is described in, for example, International Publication No. 07/111176, Chem. Mater. 2008, 20, 5951, Laboratory Chemistry Lecture 5th Edition (Edited by Chemical Society of Japan), Non-Patent Document 4 (Shanghui Ye et al., Chemistry of Materials, Vol. 21, No. 7, pp. 1333-1342 (2009)), etc. It can synthesize | combine with reference to the well-known method of description to description. Below, the synthesis example of a typical compound is shown.
《例示化合物1の合成》 << Synthesis of Exemplified Compound 1 >>
(工程1:中間体1の合成)
窒素雰囲気下で、2,8−ジメチルジベンゾフランの0.5モルを脱水テトラヒドロフラン(以下、THFと略記する)800mlに混合し、−70℃まで冷却した後、n−ブチルリチウムの1.6M/Lのn−ヘキサン溶液(0.5モル)をゆっくりと滴下し、3時間攪拌した。次に、1,2−ジブロモエタンの0.5モルを滴下し、その後ゆっくりと昇温し室温で5時間攪拌した。反応液にトルエンを加え、蒸留水で3回洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、有機層の溶媒を減圧下で留去し、残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーにて精製し、中間体1を収率70%で得た。得られた中間体1を、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで、上記構造であることを確認した。
(Step 1: Synthesis of Intermediate 1)
Under a nitrogen atmosphere, 0.5 mol of 2,8-dimethyldibenzofuran was mixed with 800 ml of dehydrated tetrahydrofuran (hereinafter abbreviated as THF), cooled to −70 ° C., and 1.6 M / L of n-butyllithium. N-hexane solution (0.5 mol) was slowly added dropwise and stirred for 3 hours. Next, 0.5 mol of 1,2-dibromoethane was added dropwise, and then the temperature was raised slowly and stirred at room temperature for 5 hours. Toluene was added to the reaction solution, washed three times with distilled water, the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate, the solvent of the organic layer was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel flash chromatography to obtain an intermediate. 1 was obtained with a yield of 70%. The obtained intermediate 1 was confirmed to have the above structure by nuclear magnetic resonance spectrum and mass spectrum.
(工程2:中間体2の合成)
窒素雰囲気下で、中間体1の0.1モルを脱水THFの100mlに混合し、−70℃まで冷却した後、n−ブチルリチウムの1.6モル/Lのn−ヘキサン溶液(0.1モル)をゆっくりと滴下し、1時間攪拌した。次に、フルオレノンの0.07モルを脱水THFの100mlに混合し、反応液に滴下し、その後ゆっくりと昇温し室温で2時間攪拌後、希塩酸を添加した。反応液にトルエンを加え、蒸留水で3回洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、有機相の溶媒を減圧下で留去し、残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーにて精製し、中間体2を収率60%で得た。
(Step 2: Synthesis of Intermediate 2)
Under a nitrogen atmosphere, 0.1 mol of intermediate 1 was mixed with 100 ml of dehydrated THF, cooled to -70 ° C, and then a 1.6 mol / L n-hexane solution of n-butyllithium (0.1 Mol) was slowly added dropwise and stirred for 1 hour. Next, 0.07 mol of fluorenone was mixed with 100 ml of dehydrated THF and added dropwise to the reaction solution. Thereafter, the temperature was slowly raised, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours, and diluted hydrochloric acid was added. Toluene was added to the reaction solution, washed 3 times with distilled water, the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate, the solvent of the organic phase was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel flash chromatography. Body 2 was obtained with a yield of 60%.
(工程3:例示化合物1の合成)
窒素雰囲気下で、中間体2の0.02モルを酢酸150mlに混合した溶液に、57%よう化水素酸(0.07モル)をゆっくり滴下し、2時間加熱攪拌した。その後、反応水を水にあけし、炭酸水素ナトリウムを添加した。反応液にトルエンを加え、蒸留水で3回洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、有機相の溶媒を減圧下で留去し、残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーにて精製し、例示化合物1を得た。
(Step 3: Synthesis of Exemplary Compound 1)
Under a nitrogen atmosphere, 57% hydroiodic acid (0.07 mol) was slowly added dropwise to a solution in which 0.02 mol of Intermediate 2 was mixed with 150 ml of acetic acid, and the mixture was heated and stirred for 2 hours. Thereafter, the reaction water was poured into water and sodium bicarbonate was added. Toluene was added to the reaction solution, washed 3 times with distilled water, the organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate, the solvent of the organic phase was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel flash chromatography. 1 was obtained.
得られた例示化合物1は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで、上記構造であることを確認した。 The obtained Exemplified Compound 1 was confirmed to have the above structure by nuclear magnetic resonance spectrum and mass spectrum.
《有機EL素子の構成層》
次いで、本発明の有機EL素子の各構成層の詳細について説明する。
<< Constituent layers of organic EL elements >>
Subsequently, the detail of each structural layer of the organic EL element of this invention is demonstrated.
本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。 In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(vi)陽極//正孔輸送層/陽極バッファー層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(vii)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
なお、本発明の有機EL素子においては、発光層は、ユニットを形成して発光層ユニットにすることもある。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよく、中間層は電荷発生層を含んでいてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (vi) anode // hole transport layer / anode buffer layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (vii) anode / anode Buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode In the organic EL device of the present invention, the light emitting layer may form a unit to form a light emitting layer unit. Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers, and the intermediate layer may include a charge generation layer. The organic EL element of the present invention is preferably a white light emitting layer, and is preferably a lighting device using these.
《電子輸送層》
本発明でいう電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層として設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer in the present invention is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料、電子注入材料も含む)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、具体的な電子輸送層の構成材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが可能である。 An electron transport material (including a hole blocking material and an electron injection material) used for the electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. As a constituent material of the layer, any one of conventionally known compounds can be selected and used.
電子輸送層に用いられる従来公知の材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、を含むアザカルバゾール誘導体等が挙げられる。 Examples of conventionally known materials used for the electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene, And azacarbazole derivatives including carbodiimide, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, carboline derivatives, and the like.
ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す。 Here, the azacarbazole derivative refers to one in which one or more carbon atoms constituting the carbazole ring are replaced with a nitrogen atom.
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。 Furthermore, in the oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron transport material.
これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 It is also possible to use a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain.
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。 In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。 In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having the terminal substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can also be used as the electron transport material.
また、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。 Further, similarly to the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can also be used as the electron transport material.
電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア・ブロジェット Langmuir Blodgett法)等を挙げることができる。)等により、製膜して形成することが好ましい。 The electron transport layer is made of an electron transport material such as a vacuum deposition method, a wet method (also referred to as a wet process, such as a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an ink jet method, a printing method, or a spraying method. It is preferable to form the film by a coating method, a curtain coating method, an LB method (Langmuir-Blodget Langmuir Brodgett method, etc.).
有機EL素子の構成層の形成法については、後述の有機EL素子の作製方法にて、その詳細を説明する。 The method for forming the constituent layers of the organic EL element will be described in detail in the method for manufacturing the organic EL element described later.
電子輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は5nm〜5000nm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この電子輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。 Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5000 nm, Preferably it is 5 nm-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。 Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
以下、本発明の有機EL素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物(電子輸送材料)の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, although the specific example of the conventionally well-known compound (electron transport material) preferably used for formation of the electron carrying layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.
本発明の有機EL素子の電子輸送材料として特に好ましいものは、上述した本発明に係る一般式(1)で表される化合物であり、具体例としては、前記、例示化合物1〜100を挙げることができる。 Particularly preferred as the electron transport material of the organic EL device of the present invention is the compound represented by the general formula (1) according to the present invention described above, and specific examples thereof include the exemplified compounds 1 to 100. Can do.
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、5nm〜100nmの範囲である。 The total film thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of improving the uniformity of the film, preventing unnecessary application of high voltage during light emission, and improving the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably in the range of 2 nm to 200 nm, and particularly preferably in the range of 5 nm to 100 nm.
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア・ブロジェット(Langmuir Blodgett法)等を挙げることができる。))等により製膜して形成することができる。本発明の化合物を発光層に用いる場合、ウェットプロセスで作製することが好ましい。 For the production of the light emitting layer, a light emitting dopant or host compound described later is used, for example, a vacuum deposition method, a wet method (also referred to as a wet process, for example, a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, An ink-jet method, a printing method, a spray coating method, a curtain coating method, an LB method (a Langmuir-Blodgett method and the like can be used)) and the like can be formed. When using the compound of this invention for a light emitting layer, producing by a wet process is preferable.
本発明の有機EL素子の発光層には、発光ドーパント(リン光発光性ドーパント(リン光ドーパント、リン光発光性ドーパント基ともいう)や蛍光ドーパント等)化合物と、発光ホスト化合物とを含有することが好ましい。 The light emitting layer of the organic EL device of the present invention contains a light emitting dopant (phosphorescent dopant (also referred to as phosphorescent dopant, phosphorescent dopant group) or fluorescent dopant) compound and a light emitting host compound. Is preferred.
(発光性ドーパント化合物)
以下、発光性ドーパント化合物(発光ドーパントともいう)について説明する。
(Luminescent dopant compound)
Hereinafter, the luminescent dopant compound (also referred to as a luminescent dopant) will be described.
発光性ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができる。 As the light-emitting dopant, a fluorescent dopant (also referred to as a fluorescent compound) or a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent emitter, a phosphorescent compound, a phosphorescent compound, or the like) can be used.
(リン光ドーパント(リン光発光ドーパントともいう))
次いで、リン光ドーパントについて説明する。
(Phosphorescent dopant (also called phosphorescent dopant))
Next, the phosphorescent dopant will be described.
本発明に適用可能なリン光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。 The phosphorescent dopant compound applicable to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, specifically a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and has a phosphorescence quantum yield. The phosphorescence quantum yield is preferably 0.1 or more, although it is defined as a compound of 0.01 or more at 25 ° C.
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、リン光ドーパントとしては、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。 The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) should just be achieved in any solvent as a phosphorescence dopant.
リン光ドーパントの発光方式は、その発光原理から2種が挙げられ、1つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう1つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの方式においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。 There are two types of phosphorescent dopants based on the principle of light emission. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported, and the excited state of the luminescent host compound is generated. Is transferred to the phosphorescent dopant to obtain light emission from the phosphorescent dopant, and the other is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, and carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant, and the phosphorescent dopant compound However, in any of the methods, the excited state energy of the phosphorescent dopant is lower than the excited state energy of the host compound.
また、本発明に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている化合物等を併用してもよい。例えば、国際公開第00/70655号パンフレット、特開2002−280178号公報、特開2001−181616号公報、特開2002−280179号公報、特開2001−181617号公報、特開2002−280180号公報、特開2001−247859号公報、特開2002−299060号公報、特開2001−313178号公報、特開2002−302671号公報、特開2001−345183号公報、特開2002−324679号公報、国際公開第02/15645号パンフレット、特開2002−332291号公報、特開2002−50484号公報、特開2002−332292号公報、特開2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、特開2002−338588号公報、特開2002−170684号公報、特開2002−352960号公報、国際公開第01/93642号パンフレット、特開2002−50483号公報、特開2002−100476号公報、特開2002−173674号公報、特開2002−359082号公報、特開2002−175884号公報、特開2002−363552号公報、特開2002−184582号公報、特開2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、特開2002−226495号公報、特開2002−234894号公報、特開2002−235076号公報、特開2002−241751号公報、特開2001−319779号公報、特開2001−319780号公報、特開2002−62824号公報、特開2002−100474号公報、特開2002−203679号公報、特開2002−343572号公報、特開2002−203678号公報、特開2007−284549号公報、特開2008−16827号公報、特開2008−303150号公報、特開2008−311607号公報、特開2008−311608号公報、国際公開第06/121811号明細書、国際公開第06/46980号明細書、国際公開第07/23659号明細書、国際公開第07/29461号明細書、国際公開第07/95118号明細書、国際公開第08/140069号明細書等である。 Moreover, you may use together the compound etc. which are described in the following patent gazettes in the light emitting layer which concerns on this invention. For example, International Publication No. 00/70655 pamphlet, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-280178, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-181616, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-280179, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-181617, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-280180. JP, 2001-247859, JP, 2002-299060, JP, 2001-313178, JP, 2002-302671, JP, 2001-345183, JP, 2002-324679, International, Publication No. 02/15645, JP 2002-332291 A, JP 2002-50484 A, JP 2002-332292 A, JP 2002-83684 A, JP 2002-540572 A, JP 2002-117978, JP 2002-338588, JP 2002-170684, JP 2002-352960, WO 01/93642, JP 2002-50483, JP 2002-1000047, JP JP 2002-173684 A, JP 2002-359082 A, JP 2002-17584 A, JP 2002-363552 A, JP 2002-184582 A, JP 2003-7469 A, Special Table 2002. No. 525808, JP 2003-7471, JP 2002-525833, JP 2003-31366, JP 2002-226495, JP 2002-234894, JP 2002-233506 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-24175 JP, JP 2001-319779, JP 2001-319780, JP 2002-62824, JP 2002-1000047, JP 2002-203679, 2002-343572. JP, 2002-203678, JP, 2007-284549, JP, 2008-16827, JP, 2008-303150, JP, 2008-311607, JP, 2008-311608, International WO 06/121181, WO 06/46980, WO 07/23659, WO 07/29461, WO 07/95118, International Publication No. 08/140069 and the like.
(蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう))
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。
(Fluorescent dopant (also called fluorescent compound))
Fluorescent dopants include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes , Polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and the like, and compounds having a high fluorescence quantum yield such as laser dyes.
また、本発明においては、発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。 In the present invention, the light emitting dopant may be used in combination of a plurality of types of compounds, a combination of phosphorescent dopants having different structures, or a combination of a phosphorescent dopant and a fluorescent dopant.
また、以下に示すような従来公知の発光ドーパントを併用してもよい。 Moreover, you may use together a conventionally well-known light emission dopant as shown below.
(発光ホスト化合物(発光ホスト等ともいう))
本発明において、ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であり、かつ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
(Luminescent host compound (also referred to as luminescent host))
In the present invention, the host compound is a compound contained in the light emitting layer, the mass ratio in that layer is 20% or more, and the phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.). , Defined as compounds of less than 0.1. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
本発明に用いることができる発光ホストとしては、特に制限はなく、従来有機EL素子で用いられる化合物を用いることができる。代表的な化合物としては、カルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも1つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。)等が挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as a light emission host which can be used for this invention, The compound conventionally used with an organic EL element can be used. Typical compounds include those having a basic skeleton such as carbazole derivatives, triarylamine derivatives, aromatic derivatives, nitrogen-containing heterocyclic compounds, thiophene derivatives, furan derivatives, oligoarylene compounds, carboline derivatives and diazacarbazole. Derivatives (herein, diazacarbazole derivatives are those in which at least one carbon atom of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring of the carboline derivative is substituted with a nitrogen atom) and the like.
本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。 As the known light-emitting host that can be used in the present invention, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents emission light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
また、本発明においては、発光ホストとして、本発明に係る一般式(1)で表される化合物あるいは公知の発光ホストを単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。 In the present invention, as the luminescent host, the compound represented by the general formula (1) according to the present invention or a known luminescent host may be used alone, or a plurality of types may be used in combination.
発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。 By using a plurality of types of light-emitting hosts, the movement of charges can be adjusted, and the organic EL element can be made highly efficient.
また、前記リン光ドーパントとして用いられる公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。 Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of well-known compounds used as the said phosphorescence dopant, and, thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(重合性発光ホスト)でもよく、このような化合物を一種または複数種用いても良い。 In addition, the light emitting host used in the present invention may be a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (polymerizable light emitting host). Of course, one or more of such compounds may be used.
公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。 Specific examples of the known light-emitting host include compounds described in the following documents.
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−35295
7号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445, 2002-343568, 2002-141173, 2002-35295
No. 7, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453, No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934 Publication No. 2002-260861 Publication No. 2002-280183 Publication No. 2002-299060 Publication No. 2002-302516 Publication No. 2002-305083 Publication No. 2002-305084 Publication No. 2002-308837 Gazette etc.
以下、本発明の有機EL素子の発光層の発光ホストとして用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, although the specific example of the conventionally well-known compound used as a light emission host of the light emitting layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.
本発明の有機EL素子の発光層の発光ホストとして特に好ましいものは、上述した本発明に係る一般式(1)で表される化合物であり、具体例としては、前記例示化合物例1〜100を挙げることができる。 Particularly preferred as the light-emitting host of the light-emitting layer of the organic EL device of the present invention is the above-described compound represented by the general formula (1) according to the present invention. Can be mentioned.
《正孔輸送層》
本発明でいう正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer in the present invention is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。 The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。 The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。 Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。 In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。 JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。 The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can.
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の一種または2種以上からなる一層構造であってもよい。 Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。 Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。 In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.
以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, although the specific example of the compound preferably used for formation of the positive hole transport layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.
正孔阻止層とは、広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、前記電子輸送層の構成を、必要に応じて正孔阻止層として用いることができる。 The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material having a function of transporting electrons and a very small ability to transport holes. By blocking the holes, the probability of recombination of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the said electron carrying layer can be used as a hole-blocking layer as needed.
本発明の有機EL素子において、正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。 In the organic EL device of the present invention, the hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体(ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す)を含有することが好ましい。 For the hole blocking layer, the carbazole derivatives and azacarbazole derivatives mentioned above as the host compounds (where azacarbazole derivatives are those in which one or more carbon atoms constituting the carbazole ring are replaced by nitrogen atoms) Preferably).
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。 In the present invention, when a plurality of light emitting layers having different light emission colors are provided, the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers. In this case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave layer and the light emitting layer next to the anode next to the anode. Furthermore, it is preferable that 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.
イオン化ポテンシャルは、化合物のHOMO(最高占有軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば、下記に示すような方法により求めることができる。 The ionization potential is defined by the energy required to emit electrons at the HOMO (highest occupied orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be determined by, for example, the following method.
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian03、Revision D02,M.J.Frisch,et al, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2004. )を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)として求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。 (1) Gaussian 98 (Gaussian 03, Revision D02, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2004.), which is molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA, is used as a keyword, and B3LYP / 6. It can be obtained as a value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using -31G * . This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.
(2)イオン化ポテンシャルは、光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。 (2) The ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used by using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
また、前記正孔輸送層の構成を、必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは3nm〜30nmである。 Moreover, the structure of the said positive hole transport layer can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron blocking layer according to the present invention is preferably 3 nm to 100 nm, more preferably 3 nm to 30 nm.
《注入層:電子注入層(陰極バッファー層)、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設ける層で、詳しくは電子注入層と正孔注入層とがあり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Injection layer: electron injection layer (cathode buffer layer), hole injection layer >>
The injection layer is a layer provided as necessary. Specifically, there are an electron injection layer and a hole injection layer. As described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. It may be present between.
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123頁〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。 An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166), and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化ナトリウムやフッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。 The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, sodium fluoride and potassium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, and aluminum oxide And an oxide buffer layer. The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.
また、陽極バッファー層及び陰極バッファー層に用いられる材料は、他の材料と併用して用いることも可能であり、例えば、正孔輸送層や電子輸送層中に混合して用いることも可能である。 In addition, the materials used for the anode buffer layer and the cathode buffer layer can be used in combination with other materials. For example, they can be used in a mixture in a hole transport layer or an electron transport layer. .
《陽極》
本発明の有機EL素子に適用可能な陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。
"anode"
As an anode applicable to the organic EL device of the present invention, an anode using a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferable. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で、透明導電膜を作製するのが可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合(100μm以上程度)は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。 Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern of a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
また、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等の湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。 In addition, when a material that can be applied, such as an organic conductive compound, is used, a wet film forming method such as a printing method or a coating method can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 10 nm to 200 nm.
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。 Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.
また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。 Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.
《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等、種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
《Support substrate》
The support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in type, such as glass, plastic, etc., and is transparent. May be opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned.
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の皮膜またはその両者のハイブリッド皮膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア膜を有するバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m2・24h・atm)以下、水蒸気透過度が1×10−5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 The surface of the resin film may be formed with an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both, and the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably a barrier film having a barrier film of 0.01 g / (m 2 · 24 h) or less, and moreover, by a method based on JIS K 7126-1987. It is a highly barrier film having a measured oxygen permeability of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less and a water vapor permeability of 1 × 10 −5 g / (m 2 · 24 h) or less. Is preferred.
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等の有機EL素子の劣化に影響を及ぼす因子の浸入を防止する機能を備えて材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該皮膜の脆弱性を改良するため、これら無機層と有機材料からなる有機層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 The material for forming the barrier film may be any material that has a function of preventing the intrusion of factors that affect the deterioration of the organic EL element such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, etc. Can be used. In order to further improve the brittleness of the coating, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic layers made of organic materials. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ処理法によるものが特に好ましい。 The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma treatment method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。 Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.
本発明の有機EL素子において、発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。 In the organic EL device of the present invention, the external extraction efficiency of light emission at room temperature is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。 Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。 In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.
《有機EL素子の製造方法》
有機EL素子の製造方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層(電子注入層)/陰極からなる有機EL素子の製造方法について説明する。
<< Method for Manufacturing Organic EL Element >>
As an example of a method for producing an organic EL device, an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode A manufacturing method will be described.
まず、適宜選択した基体上に、所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。 First, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on an appropriately selected substrate so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, thereby producing an anode.
次に、この陽極上に、素子の構成要素である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。 Next, a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, or a cathode buffer layer, which is a component of the device, is formed on the anode. .
本発明の有機EL素子においては、少なくとも陰極と該陰極に隣接する電子輸送層は、湿式法により塗布・成膜されることが好ましい。 In the organic EL device of the present invention, it is preferable that at least the cathode and the electron transport layer adjacent to the cathode are applied and formed by a wet method.
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法等のロール・ツー・ロール方式適性を有する方法が好ましい。また、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。 Wet methods include spin coating, casting, die coating, blade coating, roll coating, ink jet, printing, spray coating, curtain coating, and LB, but precise thin films can be formed. In view of high productivity, a method having roll-to-roll method suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, and a spray coating method is preferable. Different film forming methods may be applied for each layer.
本発明に係る有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホオキサイド(DMSO)等の有機溶媒を用いることができる。 Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material according to the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, and mesitylene. Aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as dimethylformamide (DMF) and dimethylsulfoxide (DMSO) can be used.
また、分散方法としては、超音波分散法、高剪断力分散法やメディア分散法等の分散方法により分散することができる。 Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic dispersion method, a high shearing force dispersion method, and a media dispersion method.
これらの各層を形成した後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の構成からなる有機EL素子が得られる。 After forming each of these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and an organic EL having a desired configuration is provided by providing a cathode. An element is obtained.
また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。 Further, the order can be reversed, and the cathode, cathode buffer layer, electron transport layer, hole blocking layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode can be formed in this order.
このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。 When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 V to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
本発明の有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 The organic EL device of the present invention is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is preferable to perform the work in a dry inert gas atmosphere.
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
<Sealing>
As a sealing means used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.
封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。 As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。 Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。 Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。 In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned.
更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m2・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下のものであることが好ましい。 Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less measured by a method according to JIS K 7126-1987, and a method according to JIS K 7129-1992. It is preferable that the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。 For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。 Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。 In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。 In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。 Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster-ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。 In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase. preferable. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。 As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435), A method of improving efficiency by providing a light collecting property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), and light emission from a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the bodies (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), a flat having a lower refractive index between the substrate and the light emitter than the substrate A method of introducing a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951) Gazette).
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。 In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
本発明では、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。 In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain a device having higher luminance or durability.
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。 When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。 Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。 The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。 The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。 The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。 However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。 As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。 At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。 The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
《集光シート》
本発明の有機EL素子では、基板の光取り出し側、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
<Condenser sheet>
In the organic EL device of the present invention, it is processed to provide a light extraction side of the substrate, for example, a microlens array structure, or in combination with a so-called condensing sheet, for example, with respect to a specific direction, for example, the device light emitting surface. By condensing in the front direction, the luminance in a specific direction can be increased.
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。 As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。 As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used.
プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。 As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。 Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
《用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
<Application>
The organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。 In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.
本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング(株)製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on
また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。 Further, when the organic EL element of the present invention is a white element, white means that the chromaticity in the CIE 1931 color system at 1000 cd / m 2 is X when the 2 ° viewing angle front luminance is measured by the above method. = 0.33 ± 0.07 and Y = 0.33 ± 0.1.
《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機EL素子を具備したものである。
<Display device>
The display device of the present invention will be described. The display device of the present invention comprises the organic EL element of the present invention.
本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。 Although the display device of the present invention may be single color or multicolor, the multicolor display device will be described here. In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only at the time of forming a light emitting layer, and a film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, or the like.
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。 In the case of patterning only the light emitting layer, the method is not limited. However, the vapor deposition method, the ink jet method, the spin coating method, and the printing method are preferable.
表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。 The configuration of the organic EL element provided in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as necessary.
また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。 Moreover, the manufacturing method of an organic EL element is as having shown to the one aspect | mode of manufacture of the organic EL element of said invention.
得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。 In the case of applying a DC voltage to the obtained multicolor display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2V to 40V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。 The multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light emission sources. In a display device or display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。 Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. The present invention is not limited to these examples.
以下、本発明の有機EL素子を適用した表示装置の一例を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, an example of a display device to which the organic EL element of the present invention is applied will be described with reference to the drawings.
図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図で、有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a display device composed of organic EL elements, and is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of the organic EL elements.
ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。 The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.
制御部Bは表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。 The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside. The image information is sequentially emitted to scan the image and display the image information on the display unit A.
図2は、表示部Aの構成を示す模式図である。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of the display unit A.
表示部Aは、基板上に複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
The display unit A includes a wiring unit including a plurality of
図2においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
FIG. 2 shows a case where the light emitted from the
次に、画素の発光プロセスを説明する。 Next, the light emission process of the pixel will be described.
図3は、画素の一例を示す模式図である。 FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a pixel.
画素3は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
The
図3において、制御部B(不図示)からデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。
In FIG. 3, an image data signal is applied to the drain of the switching
画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。
By transmitting the image data signal, the
制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。
When the scanning signal is moved to the
即ち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
That is, the light emission of the
ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ13の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
Here, the light emission of the
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。 In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.
図4は、パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の一例を示す模式図である。 FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a passive matrix type full-color display device.
図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
In FIG. 4, a plurality of
《照明装置》
次いで、本発明の有機EL素子を適用した照明装置について説明する。
《Lighting device》
Next, an illumination device to which the organic EL element of the present invention is applied will be described.
本発明の有機EL素子では、共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。 The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure, and the purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure is as follows. Examples include, but are not limited to, a light source of a copying machine, a light source of an optical communication processor, and a light source of an optical sensor. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
また、本発明の有機EL素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。 Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a display for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a device (display).
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。 The driving method when used as a display device for moving image reproduction may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
また、本発明の有機EL材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。 The organic EL material of the present invention can be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device. A plurality of light emitting colors are simultaneously emitted by a plurality of light emitting materials to obtain white light emission by color mixing. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of blue, green, and blue, or two using the relationship of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.
また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。 In addition, a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and light from the light emitting material as excitation light. Any of those combined with a dye material that emits light may be used, but in the white organic EL device according to the present invention, only a combination of a plurality of light-emitting dopants may be mixed.
発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。 It is only necessary to provide a mask only when forming a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc., and simply arrange them separately by coating with the mask. Since other layers are common, patterning of the mask or the like is not necessary. In addition, for example, an electrode film can be formed by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like, and productivity is also improved.
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。 According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the elements themselves are luminescent white.
発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。 There is no restriction | limiting in particular as a luminescent material used for a light emitting layer, For example, if it is a backlight in a liquid crystal display element, the metal complex which concerns on this invention so that it may suit the wavelength range corresponding to CF (color filter) characteristic, Any one of known luminescent materials may be selected and combined to whiten.
《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機EL素子を具備した本発明の照明装置の一態様について説明する。
<< One Embodiment of Lighting Device of the Present Invention >>
One aspect of the lighting device of the present invention including the organic EL element of the present invention will be described.
本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成することができる。 The non-light emitting surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as a sealing substrate, and an epoxy-based photocurable adhesive (LUX TRACK manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is used as a sealing material. LC0629B) is applied, and this is overlaid on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. Can be formed.
図5は、本発明の有機EL素子を具備した照明装置の一例を示す概略図である。図5において、本発明の有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている。なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行うことが好ましい。
FIG. 5 is a schematic view showing an example of a lighting device including the organic EL element of the present invention. In FIG. 5, the
図6は、本発明の有機EL素子を具備した照明装置の一例を示す断面図である。図6において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a lighting device including the organic EL element of the present invention. In FIG. 6, 105 is a cathode, 106 is an organic EL layer, and 107 is a glass substrate with a transparent electrode. The
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量%」を表す。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" or "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "part by mass" or "mass%" is represented.
実施例1
《有機EL素子の作製》
〔有機EL素子1−1の作製〕
100mm×100mm×1.1mmのガラス板上にITO(インジウムチンオキシド)膜を厚さ100nmで製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)を用い、ITO膜を電極パターン状にパターニングして陽極電極(ITO透明電極)を作製した後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 1
<< Production of organic EL element >>
[Production of Organic EL Element 1-1]
A substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing an ITO (indium tin oxide) film with a thickness of 100 nm on a glass plate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm was used to pattern the ITO film into an electrode pattern to form an anode. After producing an electrode (ITO transparent electrode), the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として例示化合物Host−9を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物として例示化合物Ir−12を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料1を200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物ET−8(BAlq)を200mg入れ真空蒸着装置に取付けた。 This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. On the other hand, 200 mg of copper phthalocyanine (CuPc) is put into a molybdenum resistance heating boat, 200 mg of the hole transport material 1 is put into another molybdenum resistance heating boat, and the exemplified compound Host-9 is used as a host compound in another molybdenum resistance heating boat. 200 mg, 100 mg of Illustrated Compound Ir-12 as a dopant compound in another molybdenum resistance heating boat, 200 mg of the electron transport material 1 in another molybdenum resistance heating boat, and further in another molybdenum resistance heating boat 200 mg of ET-8 (BAlq) was added and attached to a vacuum deposition apparatus.
次いで、真空蒸着装置の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの正孔注入層を設けた。 Next, after reducing the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc was energized and heated, and deposited on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. A hole injection layer was provided.
更に、正孔輸送材料1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで正孔注入層上に蒸着し20nmの正孔輸送層を設けた。 Further, the heating boat containing the hole transport material 1 was heated by energization, and was deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm hole transport layer.
更に、例示化合物Host−9と例示化合物Ir−12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して20nmの発光層を設けた。 Further, the heating boat containing Exemplified Compound Host-9 and Exemplified Compound Ir-12 was energized and heated, and co-deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively. Then, a 20 nm light emitting layer was provided.
更に、電子輸送材料1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚30nmの第1電子輸送層を設けた。 Further, the heating boat containing the electron transport material 1 was energized and heated, and deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a first electron transport layer having a thickness of 30 nm.
更に、例示化合物ET−8の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記第1電子輸送層上に蒸着して膜厚30nmの第2電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。 Further, the heating boat containing the exemplified compound ET-8 is energized and heated, and is deposited on the first electron transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a second electron transport layer having a thickness of 30 nm. It was. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。 Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 1-1 was produced.
〔有機EL素子1−2〜1−25の作製〕
上記有機EL素子1−1の作製において、ホスト化合物である例示化合物Host−9を、表1記載の各化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−25を作製した。
[Production of Organic EL Elements 1-2 to 1-25]
In the production of the organic EL element 1-1, organic EL elements 1-2 to 1-25 were produced in the same manner except that the exemplified compound Host-9 as the host compound was changed to each compound shown in Table 1. .
《有機EL素子の評価》
(照明装置の作製)
上記作製した有機EL素子1−1〜1−25について、下記の方法に従って、経時安定性の指標として、輝度変化率及び電圧変化率を測定した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
(Production of lighting device)
About the produced said organic EL elements 1-1 to 1-25, according to the following method, the luminance change rate and the voltage change rate were measured as a time-dependent stability parameter | index.
有機EL素子1−1〜1−25を作製した後、各有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、ガラスカバーと有機EL素子を構成するガラス基板とが接触するガラスカバー側の周囲にシール剤としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラクストラックLC0629B)を用い、これを上記陰極側に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して硬化させ、封止して、図5、図6に記載の構成からなる照明装置を形成した。 After producing the organic EL elements 1-1 to 1-25, the non-light emitting surface of each organic EL element is covered with a glass cover, and around the glass cover side where the glass cover and the glass substrate constituting the organic EL element are in contact with each other. An epoxy-based photo-curing adhesive (Luxtrac LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is used as a sealant, and this is stacked on the cathode side to be in close contact with the transparent support substrate and cured by irradiating UV light from the glass substrate side. Then, the lighting device having the configuration shown in FIGS. 5 and 6 was formed.
(経時安定性)
次いで、作製した照明装置を用いて、下記の測定法に従って、経時安定性の評価を行った。
(Stability over time)
Next, using the produced lighting device, the temporal stability was evaluated according to the following measurement method.
各有機EL素子を85℃で24時間保存した後、保存前後の室温(約23℃〜25℃)における2.5mA/cm2の定電流条件下により駆動したときの各輝度及び各電圧を測定し、各輝度比及び各電圧比を下式に従って求め、これを経時安定性の尺度とした。 After each organic EL device was stored at 85 ° C. for 24 hours, each brightness and each voltage were measured when driven under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature (about 23 ° C. to 25 ° C.) before and after storage. Then, each luminance ratio and each voltage ratio were determined according to the following formulas, and this was used as a measure of stability over time.
輝度変化率(%)=保存後の輝度(2.5mA/cm2)/保存前の輝度(2.5mA/cm2)×100
電圧変化率(%)=保存後の駆動電圧(2.5mA/cm2)/保存前の電圧(2.5mA/cm2)×100
以上により得られた結果を、表1に示す。
Luminance change rate (%) = luminance after storage ( 2.5 mA / cm 2 ) / luminance before storage ( 2.5 mA / cm 2 ) × 100
Voltage change rate (%) = drive voltage after storage ( 2.5 mA / cm 2 ) / voltage before storage ( 2.5 mA / cm 2 ) × 100
The results obtained as described above are shown in Table 1.
表1に記載の結果より明らかなように、本発明の有機EL素子は、比較の有機EL素子に比べ、経時安定性(輝度変化率、電圧変化率)に優れていることが明らかである。 As is clear from the results shown in Table 1, it is clear that the organic EL device of the present invention is superior in stability over time (luminance change rate, voltage change rate) as compared with the comparative organic EL device.
実施例2
《有機EL素子の作製》
〔有機EL素子2−1の作製〕
100mm×100mm×1.1mmのガラス板上にITO(インジウムチンオキシド)膜を厚さ100nmで製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)を用い、ITO膜を電極パターン状にパターニングして陽極電極(ITO透明電極)を作製した後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 2
<< Production of organic EL element >>
[Production of Organic EL Element 2-1]
A substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) having an ITO (indium tin oxide) film formed on a glass plate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm with a thickness of 100 nm was patterned into an electrode pattern to form an anode After producing an electrode (ITO transparent electrode), the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。 On this transparent support substrate, using a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water, 3000 rpm, A thin film was formed by spin coating under conditions of 30 seconds and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 20 nm-thick hole transport layer.
この正孔輸送層を設けた透明支持基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、50mgの正孔輸送材料2を10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。更に180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの第2正孔輸送層とした。 The transparent support substrate provided with the hole transport layer was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 50 mg of the hole transport material 2 dissolved in 10 ml of toluene was placed on the hole transport layer under conditions of 1500 rpm and 30 seconds. A thin film was formed by spin coating on the transport layer. Further, ultraviolet light was irradiated for 180 seconds to carry out photopolymerization and crosslinking, thereby forming a second hole transport layer having a thickness of about 20 nm.
この第2正孔輸送層上に、100mgの例示化合物Host−9と10mgの例示化合物Ir−17とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて600rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約70nmの発光層とした。 A thin film was formed on this second hole transport layer by spin coating using a solution of 100 mg of exemplified compound Host-9 and 10 mg of exemplified compound Ir-17 in 10 ml of toluene at 600 rpm for 30 seconds. Formed. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer with a film thickness of about 70 nm.
次に、の発光層上に、50mgの電子輸送化合物2を10mlのヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)に溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。 Next, a thin film was formed on the light emitting layer by a spin coating method using a solution obtained by dissolving 50 mg of the electron transport compound 2 in 10 ml of hexafluoroisopropanol (HFIP) at 1000 rpm for 30 seconds. Furthermore, it vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the electron carrying layer with a film thickness of about 30 nm.
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に陰極としてアルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and after the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, lithium fluoride was deposited at 0.4 nm as a cathode buffer layer, and aluminum was deposited at 110 nm as a cathode. Thus, a cathode was formed, and an organic EL element 2-1 was produced.
〔有機EL素子2−2〜2−17の作製〕
上記有機EL素子2−1の作製において、ホスト化合物である例示化合物Host−9を、表2記載の各化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子2−2〜2−17を作製した。
[Production of Organic EL Elements 2-2 to 2-17]
In the production of the organic EL device 2-1, the organic EL devices 2-2 to 2-17 were produced in the same manner except that the exemplified compound Host-9, which is a host compound, was changed to each compound shown in Table 2. .
《有機EL素子の評価》
(照明装置の作製)
上記作製した有機EL素子2−1〜2−17について、実施例1に記載の有機EL素子1−1〜1−24と同様にして封止し、図5、図6に記載の構成からなる照明装置を形成した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
(Production of lighting device)
About the produced said organic EL elements 2-1 to 2-17, it sealed similarly to the organic EL elements 1-1 to 1-24 described in Example 1, and consists of a structure shown in FIG. 5, FIG. A lighting device was formed.
(評価)
得られた有機EL素子2−1〜2−17を有する各照明装置について、下記の各評価を行った。
(Evaluation)
The following evaluation was performed about each illuminating device which has the obtained organic EL elements 2-1 to 2-17.
〈外部取り出し量子効率の測定〉
各有機EL素子を、室温(約23℃〜25℃)、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度(L)[cd/m2]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。なお、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。外部取り出し量子効率は、有機EL素子2−1を100とする相対値で表した。値が大きいほど外部取り出し量子効率が高いことを表す。
<Measurement of external extraction quantum efficiency>
Each organic EL element is allowed to emit light at room temperature (about 23 ° C. to 25 ° C.) at a constant current of 2.5 mA / cm 2 , and the light emission luminance (L) [cd / m 2 ] immediately after the start of light emission is measured. Thus, the external extraction quantum efficiency (η) was calculated. In addition, CS-1000 (made by Konica Minolta Sensing) was used for the measurement of light emission luminance. The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value with the organic EL element 2-1 being 100. The larger the value, the higher the external extraction quantum efficiency.
〈駆動電圧の測定〉
各有機EL素子を、室温(約23℃〜25℃)、2.5mA/cm2の定電流条件下により駆動したときの電圧を各々測定し、各測定結果を下式に従って計算し、有機EL素子2−1(比較例)を100とした相対値で示した。
<Measurement of drive voltage>
The voltage when each organic EL element was driven under a constant current condition of room temperature (about 23 ° C. to 25 ° C.) and 2.5 mA / cm 2 was measured, and each measurement result was calculated according to the following formula. The relative values with the element 2-1 (comparative example) as 100 are shown.
相対駆動電圧=(各素子の駆動電圧/有機EL素子2−1の駆動電圧)×100
尚、値が小さいほど駆動電圧が低いことを示す。
Relative drive voltage = (drive voltage of each element / drive voltage of organic EL element 2-1) × 100
A smaller value indicates a lower drive voltage.
〈発光寿命の測定〉
各有機EL素子を、室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続発光を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。尚、発光寿命は、有機EL素子2−1を100とする相対値で表した。値が大きいほど発光寿命が長いことを表す。
<Measurement of luminous lifetime>
Each organic EL element was subjected to continuous light emission under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature, and the time (τ 1/2 ) required to achieve half the initial luminance was measured. In addition, the light emission lifetime was represented by the relative value which sets the organic EL element 2-1 to 100. The larger the value, the longer the light emission lifetime.
得られた結果を表2に示す。 The obtained results are shown in Table 2.
表2に記載の結果より明らかなように、本発明の有機EL素子は、比較の有機EL素子に比べ、外部取り出し量子効率、駆動電圧及び発光寿命のいずれもが優れていることが明らかである。 As is clear from the results shown in Table 2, it is clear that the organic EL element of the present invention is superior in external extraction quantum efficiency, drive voltage, and emission lifetime as compared with the comparative organic EL element. .
実施例3
《有機EL素子の作製》
〔有機EL素子3−1の作製〕
100mm×100mm×1.1mmのガラス板上にITO(インジウムチンオキシド)膜を厚さ100nmで製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)を用い、ITO膜を電極パターン状にパターニングして陽極電極(ITO透明電極)を作製した後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 3
<< Production of organic EL element >>
[Production of Organic EL Element 3-1]
A substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing an ITO (indium tin oxide) film with a thickness of 100 nm on a glass plate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm was used to pattern the ITO film into an electrode pattern to form an anode. After producing an electrode (ITO transparent electrode), the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方のモリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc:前出)を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料3を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として例示化合物Host−9を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物として例示化合物Ir−20を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物ET−8(BAlq)を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, 200 mg of copper phthalocyanine (CuPc: mentioned above) is put into one molybdenum resistance heating boat, and the
次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの正孔注入層を設けた。 Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc is heated by energization, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. Was provided.
更に、正孔輸送材料3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで正孔注入層上に蒸着し20nmの正孔輸送層を設けた。
Further, the heating boat containing the
更に、例示化合物Host−9と例示化合物Ir−20の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して20nmの発光層を設けた。 Further, the heating boat containing Exemplified Compound Host-9 and Exemplified Compound Ir-20 was energized and heated, and co-deposited on the hole transport layer at vapor deposition rates of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively. Then, a 20 nm light emitting layer was provided.
更に、例示化合物ET−8の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚30nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。 Furthermore, it supplied with electricity to the said heating boat containing exemplary compound ET-8, it heated, and it vapor-deposited on the said light emitting layer with the vapor deposition rate of 0.1 nm / sec, and provided the electron carrying layer with a film thickness of 30 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子3−1を作製した。 Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 3-1 was produced.
〔有機EL素子3−2〜3−13の作製〕
上記有機EL素子3−1の作製において、電子輸送材料である例示化合物ET−8を、表3に記載の各化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子3−2〜3−13を作製した。
[Production of Organic EL Elements 3-2 to 3-13]
In the production of the organic EL element 3-1, the organic EL elements 3-2 to 3-13 were similarly prepared except that the exemplified compound ET-8, which is an electron transport material, was changed to each compound shown in Table 3. Produced.
《有機EL素子の評価》
(照明装置の作製)
上記作製した有機EL素子3−1〜3−13について、実施例1に記載の有機EL素子1−1〜1−24と同様にして封止し、図5、図6に記載の構成からなる照明装置を形成した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
(Production of lighting device)
About the produced said organic EL elements 3-1 to 3-13, it seals similarly to the organic EL elements 1-1 to 1-24 described in Example 1, and consists of a structure shown in FIG. 5, FIG. A lighting device was formed.
(評価)
得られた有機EL素子3−1〜3−13を有する各照明装置について、下記の各評価を行った。
(Evaluation)
The following evaluation was performed about each illuminating device which has the obtained organic EL elements 3-1 to 3-13.
〈外部取り出し量子効率及び発光寿命の評価〉
外部取り出し量子効率及び発光寿命の評価については、実施例2に記載の方法と同様にして評価した。
<Evaluation of external extraction quantum efficiency and emission lifetime>
The external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime were evaluated in the same manner as in the method described in Example 2.
〈電圧上昇率の測定〉
各有機EL素子を6mA/cm2の一定電流で駆動したときに、初期電圧と150時間後の電圧を測定した。次いで、初期電圧を100とした時の100時間後の電圧の相対値を電圧上昇率とした。電圧上昇率が小さいほど、保存性に優れていることを表す。
<Measurement of voltage rise rate>
When each organic EL element was driven at a constant current of 6 mA / cm 2 , the initial voltage and the voltage after 150 hours were measured. Next, the relative value of the voltage after 100 hours when the initial voltage was 100 was taken as the voltage increase rate. The smaller the voltage increase rate, the better the storage stability.
以上により得られた各評価結果を、表3に示す。 Table 3 shows the evaluation results obtained as described above.
表3に記載の結果より明らかなように、本発明の有機EL素子は、比較の有機EL素子に比べ、外部取り出し量子効率、発光寿命及び電圧上昇率のいずれもが優れていることが明らかである。 As is clear from the results shown in Table 3, it is clear that the organic EL device of the present invention is superior in external extraction quantum efficiency, emission lifetime, and voltage increase rate compared to the comparative organic EL device. is there.
実施例4
《有機EL素子の作製》
〔有機EL素子4−1の作製〕
100mm×100mm×1.1mmのガラス板上にITO(インジウムチンオキシド)膜を厚さ100nmで製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)を用い、ITO膜を電極パターン状にパターニングして陽極電極(ITO透明電極)を作製した後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 4
<< Production of organic EL element >>
[Production of Organic EL Element 4-1]
A substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing an ITO (indium tin oxide) film with a thickness of 100 nm on a glass plate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm was used to pattern the ITO film into an electrode pattern to form an anode. After producing an electrode (ITO transparent electrode), the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社」製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。 On this transparent support substrate, using a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water, 3000 rpm After forming a thin film by a spin coat method for 30 seconds, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 20 nm-thick hole transport layer.
この正孔輸送層を設けた透明支持基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、3mgの正孔輸送材料4と47mgの正孔輸送材料2(前出)とを10mlのトルエンに溶解した混合溶液を1500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。窒素雰囲気下、120℃、90秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの第2正孔輸送層を形成した。 The transparent support substrate provided with this hole transport layer was transferred to a nitrogen atmosphere, and 3 mg of hole transport material 4 and 47 mg of hole transport material 2 (supra) were added to 10 ml of toluene on the hole transport layer. The dissolved mixed solution was spin-coated on the hole transport layer at 1500 rpm for 30 seconds to form a thin film. In a nitrogen atmosphere, ultraviolet light was irradiated at 120 ° C. for 90 seconds to carry out photopolymerization and crosslinking to form a second hole transport layer having a thickness of about 20 nm.
この第2正孔輸送層上に、100mgの例示化合物Host−9と15mgの例示化合物Ir−17とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、60℃で1時間真空乾燥し、発光層とした。 On this second hole transport layer, a thin film was formed by spin coating using a solution of 100 mg of exemplified compound Host-9 and 15 mg of exemplified compound Ir-17 in 10 ml of toluene at 1000 rpm for 30 seconds. After forming, it was vacuum dried at 60 ° C. for 1 hour to obtain a light emitting layer.
次に、この発光層上に、50mgの比較化合物7を10mlのヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)に溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。
Next, a thin film was formed on the light emitting layer by spin coating using a solution of 50 mg of
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に陰極としてアルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子4−1を作製した。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and after the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, lithium fluoride was deposited at 0.4 nm as a cathode buffer layer, and aluminum was deposited at 110 nm as a cathode. Thus, a cathode was formed, and an organic EL element 4-1 was produced.
《有機EL素子4−2〜4−10の作製》
上記有機EL素子4−1の作製において、比較化合物7を表4に記載の各化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子4−2〜4−10を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 4-2 to 4-10 >>
In the production of the organic EL element 4-1, organic EL elements 4-2 to 4-10 were produced in the same manner except that the
《有機EL素子の評価》
(照明装置の作製)
上記作製した有機EL素子4−1〜4−10について、実施例1に記載の有機EL素子1−1〜1−24と同様にして封止し、図5、図6に記載の構成からなる照明装置を形成した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
(Production of lighting device)
About the produced said organic EL elements 4-1 to 4-10, it sealed similarly to the organic EL elements 1-1 to 1-24 described in Example 1, and consists of a structure shown in FIG. 5, FIG. A lighting device was formed.
(評価)
得られた有機EL素子4−1〜4−10を有する各照明装置について、実施例2に記載の方法と同様にして、外部取り出し量子効率、駆動電圧及び発光寿命の評価を行い、得られた結果を表4に示す。
(Evaluation)
About each illuminating device which has the obtained organic EL elements 4-1 to 4-10, it carried out similarly to the method of Example 2, evaluated external extraction quantum efficiency, a drive voltage, and the light emission lifetime, and obtained. The results are shown in Table 4.
表4に記載の結果より明らかなように、本発明の有機EL素子は、比較の有機EL素子に比べ、外部取り出し量子効率、駆動電圧及び発光寿命のいずれもが優れていることが明らかである。 As is clear from the results shown in Table 4, it is clear that the organic EL device of the present invention is superior in external extraction quantum efficiency, drive voltage, and emission lifetime as compared with the comparative organic EL device. .
実施例5
《有機ELフルカラー表示装置の作製》
下記の手順に従って、図7に記載の構成からなる有機ELフルカラー表示装置を作製した。
Example 5
<< Production of organic EL full-color display device >>
According to the following procedure, an organic EL full-color display device having the configuration shown in FIG. 7 was produced.
図7は、有機ELフルカラー表示装置の一例を示す概略構成図である。図7に示すように、ガラス基板201上に、ITO透明電極202を厚さ100nmで成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)に100μmのピッチでパターニングを行って、陽極を作製した後、このガラス基板上でITO透明電極の間に非感光性ポリイミドの隔壁203(幅20μm、厚さ2.0μm)をフォトリソグラフィーで形成させた。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating an example of an organic EL full-color display device. As shown in FIG. 7, after patterning at a pitch of 100 μm on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a ITO
ITO電極上のポリイミド隔壁の間に、下記組成の正孔注入層組成物を、インクジェットヘッド(エプソン社製;MJ800C)を用いて吐出注入し、紫外光を200秒間照射した後、60℃で10分間の乾燥処理により、膜厚40nmの正孔注入層204を形成した。
Between the polyimide barrier ribs on the ITO electrode, a hole injection layer composition having the following composition was discharged and injected using an inkjet head (manufactured by Epson; MJ800C), irradiated with ultraviolet light for 200 seconds, and then heated at 60 ° C. for 10 seconds. A
この正孔注入層上に、各々下記の青色発光層組成物、緑色発光層組成物、赤色発光層組成物を、同様にインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、60℃で10分間乾燥処理し、それぞれの発光層(205B、205G、205R)を形成した。 The following blue light-emitting layer composition, green light-emitting layer composition and red light-emitting layer composition are similarly discharged and injected onto the hole injection layer using an inkjet head and dried at 60 ° C. for 10 minutes. Each light emitting layer (205B, 205G, 205R) was formed.
次に、発光層を覆うように、発光層上に例示化合物19を20nm蒸着し、更にフッ化リチウムを0.6nm、陰極としてアルミニウム106を130nm真空蒸着して、有機EL素子を作製した。
Next, the exemplary compound 19 was deposited on the light emitting layer by 20 nm so as to cover the light emitting layer, and further lithium fluoride was 0.6 nm and
作製した有機EL素子は、それぞれの電極に電圧を印加することにより各々青色、緑色、赤色の発光を示し、フルカラー表示装置として利用できることを確認することができた。 The produced organic EL element showed blue, green, and red light emission by applying a voltage to each electrode, and it was confirmed that it could be used as a full-color display device.
(正孔注入層組成物)
正孔輸送材料5 20質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(青色発光層組成物)
例示化合物20 0.7質量部
例示化合物Ir−17 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(緑色発光層組成物)
例示化合物例20 0.7質量部
例示化合物Ir−1 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(赤色発光層組成物)
例示化合物例20 0.7質量部
例示化合物Ir−21 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(Hole injection layer composition)
Exemplified Compound 20 0.7 parts by mass Exemplified Compound Ir-17 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropylbiphenyl 50 parts by mass (green light emitting layer composition)
Illustrative Compound Example 20 0.7 parts by mass Illustrative Compound Ir-1 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropylbiphenyl 50 parts by mass (red light emitting layer composition)
Illustrative Compound Example 20 0.7 parts by mass Illustrative Compound Ir-21 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropylbiphenyl 50 parts by mass
実施例6
《白色の有機EL素子9−1の作製》
100mm×100mm×1.1mmのガラス板上にITO(インジウムチンオキシド)膜を厚さ100nmで製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)を用い、ITO膜を電極パターン状にパターニングして陽極電極(ITO透明電極)を作製した後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 6
<< Production of White Organic EL Element 9-1 >>
A substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing an ITO (indium tin oxide) film with a thickness of 100 nm on a glass plate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm was used to pattern the ITO film into an electrode pattern to form an anode. After producing an electrode (ITO transparent electrode), the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。 On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. Then, the film was formed by spin coating and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.
この基板を窒素雰囲気下に移し、第一正孔輸送層上に、70mgの正孔輸送材料6を10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。110℃、100秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し第2正孔輸送層とした。
This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 70 mg of the
次に、例示化合物42を60mgと、例示化合物Ir−9を3.0mgと、例示化合物Ir−15を3.0mgとを、トルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。60℃で1時間真空乾燥し発光層とした。 Next, 60 mg of Exemplified Compound 42, 3.0 mg of Illustrated Compound Ir-9, and 3.0 mg of Illustrated Compound Ir-15 were dissolved in 6 ml of toluene, and the conditions were 1000 rpm and 30 seconds. A film was formed by spin coating. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer.
更に、例示化合物54の30mgをヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)5mlに溶解した溶液を用い、1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した後、60℃で1時間真空乾燥し正孔阻止層とした。 Further, using a solution obtained by dissolving 30 mg of Exemplified Compound 54 in 5 ml of hexafluoroisopropanol (HFIP), a film was formed by spin coating at 1500 rpm for 30 seconds, and then vacuum-dried at 60 ° C. for 1 hour to block holes. Layered.
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus, and 200 mg of Alq 3 was put into a molybdenum resistance heating boat and attached to the vacuum vapor deposition apparatus. After reducing the pressure of the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing Alq 3 was energized and heated, and deposited on the electron transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to further form a film. An electron transport layer having a thickness of 40 nm was provided. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
引き続き、フッ化カリウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子9−1を作製した。 Subsequently, 0.5 nm of potassium fluoride and 110 nm of aluminum were deposited to form a cathode, and an organic EL element 9-1 was produced.
この有機EL素子9−1を通電した結果、ほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。尚、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることを確認することができた。 As a result of energizing the organic EL element 9-1, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device. In addition, even if it replaced with the other compound of illustration, it has confirmed that white light emission was obtained similarly.
1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
101 有機EL素子
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
201 ガラス基板
202 ITO透明電極
203 隔壁
204 正孔注入層
205B、205G、205R 発光層
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