JP5653122B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子という場合がある。）およびその製造方法に関する。

有機ＥＬ素子は陽極および陰極からなる一対の電極と、この電極間に設けられる発光層とを備える。１層の発光層が設けられた有機ＥＬ素子はシングルフォトン型の有機ＥＬ素子と呼称され、複数の発光層が設けられた有機ＥＬ素子は、マルチフォトン型の有機ＥＬ素子と呼称される。
有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が注入されるとともに、陰極から電子が注入される。そして、注入された正孔と電子とが発光層において結合することで、発光が生じる。

マルチフォトン型の有機ＥＬ素子は、素子の長寿命化および高輝度化などを目的として複数の発光層が設けられ、通常は発光層と発光層との間に電荷発生層が設けられる。この電荷発生層の材料には、主として電気的特性の観点からアルカリ金属、アルカリ土類金属、無機半導体材料および電荷輸送性有機材料などが用いられる。電荷発生層はたとえば電子注入特性を有する無機半導体材料からなる電子発生層と、正孔注入特性を有する正孔発生層とが積層されて構成される。これら電子発生層または正孔発生層は、上記材料を共蒸着または単独で蒸着することにより形成される（特許文献１参照。）。

特開２００７−５９８４８号公報

上述の電荷発生層に用いられるアルカリ金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属フッ化物などは、大気雰囲気下で水分や酸素と容易に反応し、速やかに酸化する。電荷発生層は酸化するとその機能が劣化する。その結果、有機ＥＬ素子の特性が低化し、たとえば輝度が低下したり、素子寿命が短くなったりする。

この点、従来の技術では、電荷発生層を含めて全ての層を真空雰囲気において形成し、その後、有機ＥＬ素子自体を気密に封止するため、電荷発生層が大気に曝されることなく有機ＥＬ素子が作製される。そのため、電荷発生層の劣化およびこの電荷発生層の劣化に起因する有機ＥＬ素子の特性の低下が防がれている。

他方、塗布法によって発光層などを形成する場合、高い真空度の雰囲気ではインキが速やかに気化するため、常圧程度の雰囲気または低い真空度の雰囲気で発光層などを形成する必要がある。この場合、上述の材料によって電荷発生層を形成したのでは、発光層などを形成する際に電荷発生層が劣化し、この電荷発生層の劣化に起因する上述の問題が顕在化する。

したがって本発明の目的は、常圧程度の雰囲気であっても劣化しにくい材料を使用した電荷発生層を備えたマルチフォトン型の有機ＥＬ素子を提供し、さらには簡便な有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。

本発明者らはイオン性ポリマーおよびこれを用いる有機ＥＬ素子について鋭意研究を進めたところ、常圧程度の雰囲気程度、さらには大気雰囲気下でも劣化しにくいイオン性ポリマーを用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち本発明によれば、下記のものが提供される。
〔１〕 陽極および陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられる複数の発光層と、互いに隣り合う発光層の間に設けられる電荷発生層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子において、該電荷発生層は、電子および正孔のうちの少なくとも一方を発生するイオン性ポリマーを含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔２〕 前記電荷発生層は、単一の層からなる、〔１〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔３〕 前記複数の発光層のうちで最も前記陰極寄りに配置される発光層と前記陰極との間に設けられる電子注入層をさらに備え、該電子注入層は、イオン性ポリマーを含有している、〔１〕または〔２〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔４〕 陽極および陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられる複数の発光層と、互いに隣り合う発光層の間に設けられる電荷発生層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、イオン性ポリマーを含有する塗工液を用いる塗布法により電荷発生層を形成する電荷発生層形成工程を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

本発明の有機ＥＬ素子は常圧程度の雰囲気程度、さらには大気雰囲気下でも電荷発生特性を維持できるイオン性ポリマーを電荷発生層の材料として用いる。よって本発明の有機ＥＬ素子は長寿命などの特性に優れる。
また本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、常圧程度の雰囲気程度、さらには大気雰囲気下でも劣化しにくい材料を電荷発生層の材料として用いる。よって電荷発生層および発光層などの形成工程を、常圧程度の雰囲気、さらには大気雰囲気下で実施することができるため、製造工程を簡便にすることができ、製造コストを格段に低減することができる。

図１は、有機ＥＬ素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。なお各図は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。なお以下の説明に用いる各図において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明を省略する場合がある。本発明の有機ＥＬ素子は、必ずしも図示例の配置で、製造または使用などがなされるわけではない。なお以下の説明において特に基材の厚み方向の一方を上または上方といい、厚み方向の他方を下または下方という場合がある。

＜有機ＥＬ素子の構成例＞
図１を参照して、本発明の有機ＥＬ素子の構成例について説明する。
図１は、有機ＥＬ素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。

図１に示されるように、本発明の有機ＥＬ素子１０は、基本構成として、陽極３２および陰極３４からなる一対の電極と、該電極３２，３４間に設けられる複数の発光層５０と、互いに隣り合う発光層５０の間に設けられる電荷発生層７０とを備える。電荷発生層７０は、電子および正孔のうちの少なくとも一方を発生する１種以上のイオン性ポリマーを含有する。

有機ＥＬ素子１０には、発光層５０および電荷発生層７０に加えて、所定の層が設けられることがある。たとえば所定の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層などが一対の電極３２，３４間に設けられる。

以下ではつぎの（１）〜（３）の各部材をそれぞれ発光ユニット８０ということがある。電荷発生層７０の厚み方向において、（１）互いに隣り合う一対の電荷発生層７０に挟持される部材、（２）複数の電荷発生層７０のうちで最も陽極３２寄りに配置される電荷発生層７０と、陽極３２とに挟持される部材、（３）複数の電荷発生層７０のうちで最も陰極３４寄りに配置される電荷発生層７０と、陰極３４とに挟持される部材。また以下では電荷発生層７０の厚み方向に一致する方向を、単に厚み方向Ｚということがある。

各発光ユニット８０は少なくも１層の発光層５０を備える。なお各発光ユニット８０には、１層の発光層５０に加えて、上述の所定の層が設けられることがある。

本実施形態では有機ＥＬ素子１０はｘ個（記号「ｘ」は２以上の整数を表す。）の発光ユニット８０を備える。

厚み方向Ｚに隣り合う一対の発光ユニット８０間には電荷発生層７０が設けられる。１つの有機ＥＬ素子７０に設けられる電荷発生層７０の層数は、発光ユニット８０の個数よりも１だけ少なく、（ｘ−１）である。したがってｘが「２」の場合には１層の電荷発生層７０が設けられ、ｘが３以上の場合には複数の電荷発生層７０が設けられる。電荷発生層７０は、その厚み方向Ｚの一方の表面、および厚み方向Ｚの他方の表面が、それぞれ、当該電荷発生層７０を挟持する発光ユニット８０に接して配置されている。

各発光ユニット８０および各電荷発生層７０は、その厚み方向Ｚを略一致させて配置され、厚み方向Ｚに沿って交互に積層されている。

以下では各発光ユニット８０にそれぞれ番号を付与し、陽極３２寄りのものから順に第１発光ユニット８０、第２発光ユニット８０、・・・、第ｘ発光ユニット８０と記載することがある。たとえば複数の発光ユニット８０のうちで最も陽極３２寄りのものを第１発光ユニット８０と記載し、最も陰極３４寄りのものを第ｘ発光ユニット８０と記載する。また第ｎ発光ユニット８０（記号「ｎ」は、１以上ｘ以下の整数を表す。）に含まれる発光層５０を、発光ユニット８０の番号に対応させて第ｎ発光層５０と記載することがある。

各発光ユニット８０において、上述した所定の層のうちで正孔注入層および正孔輸送層は、発光層５０よりも陽極３２寄りに配置され、電子注入層および電子輸送層は、発光層５０よりも陰極３４寄りに配置される。

各電荷発生層７０は、（１）単一の層からなる単層体、または（２）複数の層が積層された積層体によって構成されている。図１に示す実施形態では各電荷発生層７０は正孔発生層７４と電子発生層７２とが積層されて構成される。各電荷発生層７０において、正孔発生層７４および電子発生層７２のうち、正孔発生層７４は陰極３４寄りに配置され、電子発生層７２は陽極３２寄りに配置される。

電荷発生層７０は発光ユニット８０間に設けられることから、発光ユニット８０と電荷発生層７０とからなる積層体において、最も陽極３２寄りの端部、および最も陰極３４寄りの端部には、それぞれ発光ユニット８０が配置されている。具体的には、最も陽極３２寄りの端部には第１発光ユニット８０が配置され、最も陰極３４寄りの端部には第ｘ発光ユニット８０が配置されている。したがって陽極３２には第１発光ユニット８０が接して配置され、陰極３４には第ｘ発光ユニット８０が接して配置される。

本実施形態では有機ＥＬ素子１０は第１の基材２２上に設けられる。そして有機ＥＬ素子１０の陽極３２が、第１の基材２２の厚み方向に対向する２つの主表面の一方に接して設けられている。

図１に示す本実施形態の第１発光ユニット８０は陽極３２に接して配置されている。この第１発光ユニット８０は、正孔注入層４２ａと正孔輸送層４２ｂと第１発光層５０とからなり、正孔注入層４２ａ、正孔輸送層４２ｂ、および第１発光層５０が、陽極３２側からこの順で積層されて構成される。

また図１に示す実施形態では全ての発光ユニット８０のうちで、第１および第ｘ発光ユニット８０を除く残余の発光ユニット８０は、発光層５０のみから構成されている。なお前述したように各発光ユニット８０は発光層５０に加えて、所定の層を含んでいてもよい。

また図１に示す本実施形態の第ｘ発光ユニット８０は第ｘ発光層５０および電子注入層４４からなり、陽極３２側から第ｘ発光層５０および電子注入層４４がこの順で積層されて構成される。

そして陰極３４は、第ｘ発光ユニット８０の電子注入層４４に接して設けられる。

図１に示す実施形態では、陰極３４上に第２の基材２４が設けられる。この第２の基材２４は接着部材によって第１の基材２２に貼合されている。有機ＥＬ素子１０は、第１の基材２２、第２の基材２４および接着部材によって囲繞されることにより、気密に封止される。

本発明の有機ＥＬ素子１０は、電子注入層４４および電荷発生層７０が含有するイオン性ポリマーに特徴を有している。このためまずイオン性ポリマーについて説明し、次いでこのイオン性ポリマーが用いられる電子注入層４４および電荷発生層７０について説明する。

（イオン性ポリマー）
本発明において用い得るイオン性ポリマーとしては、例えば、下記式（１）で表される基及び下記式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基を含む構造単位を有する重合体が挙げられる。イオン性ポリマーの一形態としては、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基を含む構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％有する重合体が挙げられる。

−（Ｑ¹）_n1−Ｙ¹(Ｍ¹)_a1(Ｚ¹)_b1 （１）
（式（１）中、Ｑ¹は２価の有機基を表し、Ｙ¹は、−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-又は−ＰＯ₃ ^2-を表し、Ｍ¹は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、Ｚ¹はＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^aＳＯ₃ ^-、Ｒ^aＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-、ＨＳＯ₄ ^-、ＰＯ₄ ^3-、ＨＰＯ₄ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-を表し、ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１以上の整数を表し、ｂ１は０以上の整数を表し、ただし、ａ１及びｂ１は、式（１）で表される基の電荷が０となるように選択され、Ｒ^aは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｑ¹、Ｍ^１及びＺ^１のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

−（Ｑ²）_n2−Ｙ²(Ｍ²)_a2(Ｚ²)_b2 （２）
（式（２）中、
Ｑ²は２価の有機基を表し、
Ｙ²はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン又はスルホニルカチオン又はヨードニウムカチオンを表し、Ｍ²はＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^bＳＯ₃ ^-、Ｒ^bＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-、ＨＳＯ₄ ^-、ＰＯ₄ ^3-、ＨＰＯ₄ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-を表し、Ｚ²は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、ｎ２は０以上の整数を表し、ａ２は１以上の整数を表し、ｂ２は０以上の整数を表し、ただし、ａ２及びｂ２は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択され、Ｒ^bは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｑ²、Ｍ²及びＺ²のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

本発明で用いられるイオン性ポリマーの一形態としては、さらに下記式（３）で表される基を有する重合体が挙げられる。イオン性ポリマーが式（３）で表される基を有する場合、式（３）で表される基は、イオン性ポリマーの構造単位中に含まれていてもよく、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる一種以上の基を含む構造単位と同一の構造単位内に含まれていてもよいし、異なる他の構造単位内に含まれていてもよい。さらに、イオン性ポリマーの一形態としては、式（１）で表される基、式（２）で表される基、及び式（３）で表される基のうち少なくとも１種を含む構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％有する重合体が挙げられる。

−（Ｑ^３）_n3−Ｙ³ （３）
（式（３）中、
Ｑ^３は２価の有機基を表し、Ｙ³は−ＣＮ又は式（４）〜（１２）のいずれかで表される基を表し、ｎ３は０以上の整数を表す。
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）_a3−Ｒ’’ （４）

−Ｓ−（Ｒ’Ｓ）_a4−Ｒ’’ （６）
−Ｃ（＝Ｏ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ））_a4−Ｒ’’ （７）
−Ｃ（＝Ｓ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｓ））_a4−Ｒ’’ （８）
−Ｎ｛（Ｒ’）_a4Ｒ’’｝₂ （９）
−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ）_a4−Ｒ’’ （１０）
−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’Ｏ）_a4−Ｒ’’ （１１）
−ＮＨＣ（＝Ｏ）−（Ｒ’ＮＨＣ（＝Ｏ））_a4−Ｒ’’ （１２）
（式（４）〜（１２）中、Ｒ’は置換基を有し又は有さない２価の炭化水素基を表し、Ｒ’’は水素原子、置換基を有し若しくは有さない１価の炭化水素基、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ₃Ｈ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＲ^c ₂、−ＣＮ又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^c ₂を表し、Ｒ’’’は置換基を有し若しくは有さない３価の炭化水素基を表し、ａ３は１以上の整数を表し、ａ４は０以上の整数を表し、Ｒ^cは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。））

イオン性ポリマーは、式（１３）で表される構造単位、式（１５）で表される構造単位、式（１７）で表される構造単位及び式（２０）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％含むことが好ましい。

（式（１３）中、Ｒ^１は式（１４）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ¹はＲ¹以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ４）価の芳香族基を表し、ｎ４は１以上の整数を表し、Ｒ¹は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。

（式（１４）中、Ｒ²は（１＋ｍ１＋ｍ２）価の有機基を表し、Ｑ¹、Ｑ³、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｑ¹、Ｑ³、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）)

（式（１５）中、Ｒ³は式（１６）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ²はＲ³以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ５）価の芳香族基を表し、ｎ５は１以上の整数を表し、Ｒ³は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。

（式（１６）中、Ｒ⁴は（１＋ｍ３＋ｍ４）価の有機基を表し、Ｑ²、Ｑ³、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ３及びｍ４はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。Ｑ²、Ｑ³、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）)

（式（１７）中、Ｒ⁵は式（１８）で表される基を含む１価の基であり、Ｒ⁶は式（１９）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ³はＲ⁵及びＲ⁶以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族基を表し、ｎ６及びｎ７はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ⁵及びＲ⁶のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。

−Ｒ⁷−｛（Ｑ¹）_n１−Ｙ¹(Ｍ¹)_a1(Ｚ¹)_b1｝_m５ （１８）
（式（１８）中、Ｒ⁷は直接結合又は（１＋ｍ５）価の有機基を表し、Ｑ¹、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、ｎ１、ａ１及びｂ１は前述と同じ意味を表し、ｍ５は１以上の整数を表し、Ｑ¹、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、ｎ１、ａ１及びｂ１のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

−Ｒ⁸−｛（Ｑ^３）_n3−Ｙ³｝_m6 （１９）
（式（１９）中、Ｒ⁸は単結合又は（１＋ｍ６）価の有機基を表し、Ｙ³及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ６は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ⁸が単結合のときｍ６は１を表し、Ｑ^３、Ｙ³及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。））

（式（２０）中、Ｒ⁹は式（２１）で表される基を含む１価の基であり、Ｒ¹⁰は式（２２）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ⁴はＲ⁹及びＲ¹⁰以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族基を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ⁹及びＲ¹⁰のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。

−Ｒ¹¹−｛（Ｑ²）_n2−Ｙ²(Ｍ²)_a2(Ｚ²)_b2｝_m7 （２１）
（式（２１）中、Ｒ¹¹は単結合又は（１＋ｍ７）価の有機基を表し、Ｑ²、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、ｎ２、ａ２及びｂ２は前述と同じ意味を表し、ｍ７は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ¹¹が単結合のときｍ７は１を表し、Ｑ²、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、ｎ２、ａ２及びｂ２のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

−Ｒ¹²−｛（Ｑ^３）_n3−Ｙ³｝_m8 （２２）
（式（２２）中、Ｒ¹²は単結合又は（１＋ｍ８）価の有機基を表し、Ｙ³及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ８は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ¹²が単結合のときｍ８は１を表し、Ｑ^３、Ｙ³及びｎ３、のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。））

前記イオン性ポリマー中の構造単位は、式（１）で表される基を２種類以上含んでいてもよく、式（２）で表される基を２種類以上含んでいてもよく、式（３）で表される基を２種類以上含んでいてもよい。

−式（１）で表される基−
式（１）中、Ｑ¹で表される２価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０の２価の飽和炭化水素基；エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数２〜５０のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有し又は有さない炭素原子数２〜５０の２価の不飽和炭化水素基；シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４'−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜５０のアリーレン基；メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基；炭素原子を含む置換基を有するイミノ基；炭素原子を含む置換基を有するシリレン基が挙げられ、イオン性ポリマーの原料となるモノマー（以下、「原料モノマー」と言う。）の合成の容易さの観点からは、２価の飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。

前記置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基等が挙げられ、前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。これらのうち、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基及びニトロ基以外の置換基は炭素原子を含む。

以下、置換基について説明する。なお、「Ｃ_ｍ〜Ｃ_ｎ」（ｍ、ｎはｍ＜ｎを満たす正の整数である）という用語は、この用語とともに記載された有機基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表す。例えば、Ｃ_ｍ〜Ｃ_ｎアルキル基であれば、アルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表し、Ｃ_ｍ〜Ｃ_ｎアルキルアリール基であれば、アルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表し、アリール−Ｃ_ｍ〜Ｃ_ｎアルキル基であれば、アルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表す。

アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素原子数は通常１〜２０であり、１〜１０が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等が挙げられる。前記アルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。なお、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基が挙げられる。

アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよく、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は通常１〜２０であり、１〜１０が好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基等が挙げられる。また、該アルコキシ基には、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基も含まれる。なお、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

アルキルチオ基としては、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよく、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は通常１〜２０であり、１〜１０が好ましい。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基等が挙げられる。前記アルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルキルチオ基としては、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。

アリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いた残りの原子団であり、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が単結合又は２価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合した基も含まれる。アリール基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、７〜４８であることが好ましい。アリール基としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等が挙げられる。前記アリール基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アリール基としては、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アリール基の中では、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

前記アリール基のうち、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が挙げられる。

前記アリール基のうち、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられる。

アリールオキシ基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、７〜４８であることが好ましい。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。アリールオキシ基の中では、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基及びＣ₁〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましい。

前記アリールオキシ基のうち、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基としては、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｓ−ブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が挙げられる。

前記アリールオキシ基のうち、Ｃ₁〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｓ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。

アリールチオ基は、例えば、前述のアリール基に硫黄元素が結合した基である。アリールチオ基は、前記アリール基の芳香環上に置換基を有していてもよい。アリールチオ基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、６〜３０であることが好ましい。アリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。

アリールアルキル基は、例えば、前述のアリール基に前述のアルキル基が結合した基である。アリールアルキル基は、置換基を有していてもよい。アリールアルキル基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルキル基としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基等が挙げられる。

アリールアルコキシ基は、例えば、前述のアリール基に前述のアルコキシ基が結合した基である。アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールアルコキシ基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルコキシ基としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基等が挙げられる。

アリールアルキルチオ基は、例えば、前述のアリール基に前述のアルキルチオ基が結合した基である。アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールアルキルチオ基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルキルチオ基としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基等が挙げられる。

アリールアルケニル基は、例えば、前述のアリール基にアルケニル基が結合した基である。アリールアルケニル基は、炭素原子数が通常８〜６０であり、８〜３０であることが好ましい。アリールアルケニル基としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基等が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。なお、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基が挙げられる。

アリールアルキニル基は、例えば、前述のアリール基にアルキニル基が結合した基である。アリールアルキニル基は、炭素原子数が通常８〜６０であり、８〜３０であることが好ましい。アリールアルキニル基としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基等が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。なお、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基が挙げられる。

置換アミノ基としては、アミノ基の中の少なくとも１個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１又は２個の基によって置換されたアミノ基が好ましい。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで通常１〜６０であり、２〜４８が好ましい。置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、（フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基等が挙げられる。

置換シリル基としては、シリル基の中の少なくとも１個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１〜３個の基によって置換されたシリル基が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで通常１〜６０であり、３〜４８が好ましい。なお、置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、（フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）ジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ（ｐ−キシリル）シリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

アシル基は、炭素原子数が通常２〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。

アシルオキシ基は、炭素原子数が通常２〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

イミン残基は、式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ＜及び式：−Ｎ＝ＣＨ−の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、この構造中の水素原子１個を除いた残基を意味する。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、２〜１８が好ましい。イミン残基としては、例えば、一般式：−ＣＲ^β＝Ｎ−Ｒ^γ又は一般式：−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^γ）_２（式中、Ｒ^βは水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、Ｒ^γは独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、ただし、Ｒ^γが２個存在する場合、２個のＲ^γは相互に結合し一体となって２価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数２〜１８のアルキレン基として環を形成してもよい。）で表される基が挙げられる。イミン残基としては、以下の基が挙げられる。

（式中、Ｍｅはメチル基を示し、以下、同様である。）

アミド基は、炭素原子数が通常１〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アミド基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。

酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基であり、炭素原子数が通常４〜２０であり、４〜１８であることが好ましい。酸イミド基としては、以下の基が挙げられる。

１価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。ここで、複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。１価の複素環基は置換基を有していてもよい。１価の複素環基は、炭素原子数が通常３〜６０であり、３〜２０が好ましい。なお、１価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まないものとする。このような１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、中でも、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基及びＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。なお、１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。

置換カルボキシル基とは、カルボキシル基中の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換された基、すなわち、式：−C(=O)OR^*（式中、Ｒ^＊はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基）で表される基である。置換オキシカルボニル基は、炭素原子数が通常２〜６０であり、２〜４８であることが好ましい。前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。なお、上記炭素原子数には、前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数は含まないものとする。置換カルボキシル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。

式（１）中、Ｙ¹は、−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＰＯ₃ ^-、又は−Ｂ（Ｒ^ａ）₃ ⁻等の１価の基を表し、Ｙ¹としては、イオン性ポリマーの酸性度の観点からは−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＰＯ₃ ^-が好ましく、−ＣＯ₂ ^-がより好ましく、イオン性ポリマーの安定性の観点からは、−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-又は−ＰＯ₃ ^-が好ましい。

式（１）中、Ｍ¹は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、１価、２価又は３価のイオンが好ましく、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｎ、Ｚｒ等のイオンが挙げられ、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｃｓ⁺、Ａｇ⁺、Ｍｇ²⁺、Ｃａ²⁺が好ましい。また、アンモニウムイオンが有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基が挙げられる。

式（１）中、Ｚ¹はＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^aＳＯ₃ ^-、Ｒ^aＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-、ＨＳＯ₄ ^-、ＰＯ₄ ^3-、ＨＰＯ₄ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-を表す。

式（１）中、ｎ１は０以上の整数を表し、原料モノマーの合成の観点から、好ましくは０から８の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。

式（１）中、ａ１は１以上の整数を表し、ｂ１は０以上の整数を表す。

ａ１及びｂ１は、式（１）で表される基の電荷が０となるように選択される。例えば、Ｙ^１が−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＰＯ₃ ^-、又は−Ｂ（Ｒ^ａ）_３ ⁻であり、Ｍ^１が１価の金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンであり、Ｚ^１がＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^aＳＯ₃ ^-、Ｒ^aＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＨＳＯ₄ ^-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-である場合は、ａ１＝ｂ１＋１を満たすように選択される。Ｙ¹が−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＰＯ₃ ^-、又は−Ｂ（Ｒ^ａ）_３ ⁻であり、Ｍ¹が２価の金属カチオンであり、Ｚ¹がＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^aＳＯ₃ ^-、Ｒ^aＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＨＳＯ₄ ^-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-である場合は、ｂ１＝２×ａ１−１を満たすように選択される。Ｙ¹が−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＰＯ₃ ^-、又は−Ｂ（Ｒ^ａ）_３ ⁻であり、Ｍ¹が３価の金属カチオンであり、Ｚ¹がＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^aＳＯ₃ ^-、Ｒ^aＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＨＳＯ₄ ^-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-である場合は、ｂ１＝３×ａ１−１を満たすように選択される。Ｙ¹が−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＰＯ₃ ^-、又は−Ｂ（Ｒ^ａ）_３ ⁻であり、Ｍ¹が１価の金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンであり、Ｚ¹がＳＯ₄ ^２−又はＨＰＯ₄ ^２−である場合には、ａ１＝２×ｂ１＋１を満たすように選択される。ａ１とｂ１との関係を表す上記のいずれの数式においても、a１は好ましくは1から５の整数であり、より好ましくは1又は２である。

Ｒ^aは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表すが、これらの基が有していてもよい置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^aとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。

前記式（１）で表される基としては、例えば、以下の基が挙げられる。

−式（２）で表される基−
式（２）中、Ｑ²で表される２価の有機基としては、前述のＱ^１で表される２価の有機基について例示したものと同様の基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、２価の飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。

前記Ｑ²で表される２価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（２）中、Ｙ²はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン、スルホニルカチオン、又はヨードニウムカチオンを表す。
カルボカチオンとしては、例えば、
−Ｃ^＋Ｒ_２
（式中、Ｒは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。）で表される基が挙げられる。
アンモニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｎ^＋Ｒ_３
（式中、Ｒは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。）で表される基が挙げられる。
ホスホニルカチオンとしては、例えば、
−Ｐ^＋Ｒ_３
（式中、Ｒは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。）で表される基が挙げられる。
スルホニルカチオンとしては、例えば、
−Ｓ^＋Ｒ_２
（式中、Ｒは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。）で表される基が挙げられる。
ヨードニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｉ^＋Ｒ_２
（式中、Ｒは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。）で表される基が挙げられる。

式（２）中、Ｙ²は、原料モノマーの合成の容易さ並びに原料モノマー及びイオン性ポリマーの空気、湿気又は熱に対する安定性の観点からは、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン、スルホニルカチオンが好ましく、アンモニウムカチオンがより好ましい。

式（２）中、Ｚ²は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、１価、２価又は３価のイオンが好ましく、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｎ、Ｚｒ等のイオンが挙げられる。また、アンモニウムカチオンが有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基が挙げられる。

式（２）中、Ｍ²はＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^bＳＯ₃ ^-、Ｒ^bＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-、ＨＳＯ₄ ^-、ＰＯ₄ ^3-、ＨＰＯ₄ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-を表す。

式（２）中、ｎ２は０以上の整数を表し、好ましくは０から６の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。

式（２）中、ａ２は１以上の整数を表し、ｂ２は、０以上の整数を表す。

ａ２及びｂ２は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。例えば、Ｍ²がＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、Ｒ^bＳＯ₃ ^-、Ｒ^bＣＯＯ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＨＳＯ₄ ^-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-又はＰＦ₆ ^-である場合、Ｚ²が１価の金属イオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムイオンであれば、ａ２＝ｂ２＋１を満たすように選択され、Ｚ²が２価の金属イオンであれば、ａ２＝２×ｂ２＋１を満たすように選択され、Ｚ²が３価の金属イオンであれば、ａ２＝３×ｂ２＋１を満たすように選択される。Ｍ²がＳＯ₄ ^２-、ＨＰＯ₄ ^2-である場合、Ｚ²が１価の金属イオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムイオンであれば、ｂ２＝２×ａ２−１を満たすように選択され、Ｚ²が３価の金属イオンであれば、２×ａ２＝３×ｂ２＋１の関係を満たすように選択される。ａ２とｂ２との関係を表す上記のいずれの数式においても、a２は好ましくは１から３の整数であり、より好ましくは１又は２である。

Ｒ^bは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表すが、これらの基が有していてもよい置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^bとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。

前記式（２）で表される基としては、例えば、以下の基が挙げられる。

−式（３）で表される基−
式（３）中、Ｑ^３で表される２価の有機基としては、前述のＱ^１で表される２価の有機基について例示したものと同様の基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、２価の飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。

前記Ｑ^３で表される２価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ｑ^３で表される２価の有機基としては、−（ＣＨ_２）−で表される基であることが好ましい。

ｎ３は０以上の整数を表し、好ましくは０から２０の整数であり、より好ましくは０から８の整数である。

式（３）中、Ｙ³は−ＣＮ又は式（４）〜（１２）のいずれかで表される基を表す。

式（４）〜（１２）中、Ｒ’で表される２価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０の２価の飽和炭化水素基；エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数２〜５０のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有し又は有さない炭素原子数２〜５０の２価の不飽和炭化水素基；シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜５０のアリーレン基；メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基等が挙げられる。

前記置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（４）〜（１２）中、Ｒ’’で表される１価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、メチル基、エチル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましい。前記置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（５）中、Ｒ’’’で表される３価の炭化水素基としては、メタントリイル基、エタントリイル基、１，２，３−プロパントリイル基、１，２，４−ブタントリイル基、１，２，５−ペンタントリイル基、１，３，５−ペンタントリイル基、１，２，６−ヘキサントリイル基、１，３，６−ヘキサントリイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキルトリイル基；１，２，３−ベンゼントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基、１，３，５−ベンゼントリイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、メタントリイル基、エタントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基、１，３，５−ベンゼントリイル基が好ましい。前記置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（４）〜（１２）中、Ｒ^cとしては、イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、メチル基、エチル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましい。

式（４）及び式（５）中、ａ３は１以上の整数を表し、３〜１０の整数が好ましい。式（６）〜（１２）中、ａ４は０以上の整数を表す。式（６）においては、ａ４は、０〜３０の整数が好ましく、３〜２０の整数がより好ましい。式（７）〜（１０）においては、ａ４は、０〜１０の整数が好ましく、０〜５の整数がより好ましい。式（１１）においては、ａ４は、０〜２０の整数が好ましく、３〜２０の整数がより好ましい。式（１２）においては、ａ４は、０〜２０の整数が好ましく、０〜１０の整数がより好ましい。

Ｙ³としては、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、−ＣＮ、式（４）で表される基、式（６）で表される基、式（１０）で表される基、式（１１）で表される基が好ましく、式（４）で表される基、式（６）で表される基、式（１１）で表される基がより好ましく、以下の基が特に好ましい。

−イオン性ポリマー中の構造単位−
本発明に用いられるイオン性ポリマーは、前記式（１３）で表される構造単位、前記式（１５）で表される構造単位、前記式（１７）で表される構造単位、前記式（２０）で表される構造単位を有することが好ましく、前記構造単位を全構造単位中、１５〜１００モル％有するイオン性ポリマーであることがより好ましい。

・式（１３）で表される構造単位
式（１３）中、Ｒ¹は式（１４）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ¹はＲ¹以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ４）価の芳香族基を表し、ｎ４は１以上の整数を表す。

式（１４）で表される基は、Ａｒ^１に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルキレン基；オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のオキシアルキレン基；置換基を有し又は有さないイミノ基；置換基を有し又は有さないシリレン基；置換基を有し又は有さないエテニレン基；エチニレン基；置換基を有し又は有さないメタントリイル基；酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してＡｒ^１に結合していてもよい。

前記Ａｒ^１はＲ¹以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ａｒ¹が有するＲ¹以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。

式（１３）中、ｎ４は１以上の整数を表し、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。

式（１３）中のＡｒ¹で表される（２＋ｎ４）価の芳香族基としては、（２＋ｎ４）価の芳香族炭化水素基、（２＋ｎ４）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ４）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ４）価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等の単環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ４）個除いた（２＋ｎ４）価の基；該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ４）個除いた（２＋ｎ４）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を（２＋ｎ４）個除いた（２＋ｎ４）価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う２つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ４）個除いた（２＋ｎ４）価の基等が挙げられる。

単環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

芳香環集合としては、例えば、以下の環が挙げられる。

有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

前記（２＋ｎ４）価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜１４、２６〜２９、３７〜３９又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ４）個除いた基が好ましく、式１〜６、８、１３、２６、２７、３７又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ４）個除いた基がより好ましく、式１、３７又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ４）個除いた基がさらに好ましい。

式（１４）中、Ｒ²で表される（１＋ｍ１＋ｍ２）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１＋ｍ２）個の水素原子を除いた基が好ましい。

前記置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

・式（１５）で表される構造単位
式（１５）中、Ｒ³は式（１６）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ²はＲ³以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ５）価の芳香族基を表し、ｎ５は１以上の整数を表す。

式（１６）で表される基は、Ａｒ²に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルキレン基；オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノ
ニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、
シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のオキシアルキレン基；置換基を有し又は有さないイミノ基；置換基を有し又は有さないシリレン基；置換基を有し又は有さないエテニレン基；エチニレン基；置換基を有し又は有さないメタントリイル基；酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してＡｒ²に結合していてもよい。

前記Ａｒ²はＲ³以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ａｒ²が有するＲ³以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。

式（１５）中、ｎ５は１以上の整数を表し、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。

式（１５）中のＡｒ²で表される（２＋ｎ５）価の芳香族基としては、（２＋ｎ５）価の芳香族炭化水素基、（２＋ｎ５）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ５）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ５）価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等の単環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基；該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う２つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた（２＋ｎ５）価の基等が挙げられる。

単環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜１２で表される環が挙げられる。

縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜２７で表される環が挙げられる。

芳香環集合としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式２８〜３６で表される環が挙げられる。

有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３７〜４４で表される環が挙げられる。

前記（２＋ｎ５）価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜１４、２６〜２９、３７〜３９又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基が好ましく、式１〜６、８、１３、２６、２７、３７又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基がより好ましく、式１、３７又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ５）個除いた基がさらに好ましい。

式（１６）中、ｍ３及びｍ４はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。

式（１６）中、Ｒ⁴で表される（１＋ｍ３＋ｍ４）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ３＋ｍ４）個の水素原子を除いた基が好ましい。

前記置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

・式（１７）で表される構造単位
式（１７）中、Ｒ⁵は式（１８）で表される基を含む１価の基であり、Ｒ⁶は式（１９）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ³はＲ⁵及びＲ⁶以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族基を表し、ｎ６及びｎ７はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。

式（１８）で表される基及び式（１９）で表される基は、Ａｒ³に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルキレン基；オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のオキシアルキレン基；置換基を有し又は有さないイミノ基；置換基を有し又は有さないシリレン基；置換基を有し又は有さないエテニレン基；エチニレン基；置換基を有し又は有さないメタントリイル基；酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してＡｒ³に結合していてもよい。

前記Ａｒ³はＲ⁵及びＲ⁶以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ａｒ³が有するＲ⁵及びＲ⁶以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。

式（１７）中、ｎ６は１以上の整数を表し、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。

式（１７）中、ｎ７は１以上の整数を表し、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。

式（１７）中のＡｒ³で表される（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族基としては、（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族炭化水素基、（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環等の単環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ６＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ６＋ｎ７）価の基；該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ６＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ６＋ｎ７）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を（２＋ｎ６＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ６＋ｎ７）価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う２つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ６＋ｎ７）個除いた（２＋ｎ６＋ｎ７）価の基等が挙げられる。

単環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜５、式７〜１０で表される環が挙げられる。

縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜２７で表される環が挙げられる。

芳香環集合としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式２８〜３６で表される環が挙げられる。

有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３７〜４４で表される環が挙げられる。

前記（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜５、７〜１０、１３、１４、２６〜２９、３７〜３９又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ６＋ｎ７）個除いた基が好ましく、式１、３７又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ６＋ｎ７）個除いた基がより好ましく、式１、３８又は４２で表される環から水素原子を（２＋ｎ６＋ｎ７）個除いた基がさらに好ましい。

式（１８）中、Ｒ⁷は単結合又は（１＋ｍ５）価の有機基を表し、（１＋ｍ５）価の有機基であることが好ましい。

式（１８）中、Ｒ⁷で表される（１＋ｍ５）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ５個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ５個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ５個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ５個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ５個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ５個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ５個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ５個の水素原子を除いた基が好ましい。

前記置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（１８）中、ｍ５は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ⁷が単結合のときｍ５は１を表す。

式（１９）中、Ｒ⁸は単結合又は（１＋ｍ６）価の有機基を表し、（１＋ｍ６）価の有機基であることが好ましい。

式（１９）中、Ｒ⁸で表される（１＋ｍ６）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ６個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ６個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ６個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ６個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ６個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ６個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ６個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ６個の水素原子を除いた基が好ましい。

前記置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（１９）中、ｍ６は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ⁸が単結合のときｍ６は１を表す。

・式（２０）で表される構造単位
式（２０）中、Ｒ⁹は式（２１）で表される基を含む１価の基であり、Ｒ¹⁰は式（２２）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ⁴はＲ⁹及びＲ¹⁰以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族基を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。

式（２１）で表される基及び式（２２）で表される基は、Ａｒ⁴に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルキレン基；オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のオキシアルキレン基；置換基を有し又は有さないイミノ基；置換基を有し又は有さないシリレン基；置換基を有し又は有さないエテニレン基；エチニレン基；置換基を有し又は有さないメタントリイル基；酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してＡｒ⁴に結合していてもよい。

前記Ａｒ⁴はＲ⁹及びＲ¹⁰以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ａｒ⁴が有するＲ⁹及びＲ¹⁰以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。

式（２０）中、ｎ８は１以上の整数を表し、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。

式（２０）中、ｎ９は１以上の整数を表し、好ましくは１から４の整数であり、より好ましくは１から３の整数である。

式（２０）中のＡｒ⁴で表される（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族基としては、（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族炭化水素基、（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる１つ以上の原子とからなる（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族基が好ましい。該（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環等の単環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ８＋ｎ９）個除いた（２＋ｎ８＋ｎ９）価の基；該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ８＋ｎ９）個除いた（２＋ｎ８＋ｎ９）価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を（２＋ｎ８＋ｎ９）個除いた（２＋ｎ８＋ｎ９）価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う２つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を（２＋ｎ８＋ｎ９）個除いた（２＋ｎ８＋ｎ９）価の基等が挙げられる。

単環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１〜５、式７〜１０で表される環が挙げられる。

縮合多環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式１３〜２７で表される環が挙げられる。

芳香環集合としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式２８〜３６で表される環が挙げられる。

有橋多環式芳香環としては、例えば、式（１３）で表される構造単位に関する説明中で例示した式３７〜４４で表される環が挙げられる。

前記（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式１〜５、７〜１０、１３、１４、２６〜２９、３７〜３９又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ８＋ｎ９）個除いた基が好ましく、式１〜６、８、１４、２７、２８、３８又は４２で表される環から水素原子を（２＋ｎ８＋ｎ９）個除いた基がより好ましく、式１、３７又は４１で表される環から水素原子を（２＋ｎ８＋ｎ９）個除いた基がさらに好ましい。

式（２１）中、Ｒ^１１は単結合又は（１＋ｍ７）価の有機基を表し、（１＋ｍ７）価の有機基であることが好ましい。

式（２１）中、Ｒ¹¹で表される（１＋ｍ７）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ７個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ７個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ７個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ７個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ７個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ７個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ７個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ７個の水素原子を除いた基が好ましい。

前記置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（２１）中、ｍ７は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ¹¹が単結合のときｍ７は１を表す。

式（２２）中、Ｒ¹²は単結合又は（１＋ｍ８）価の有機基を表し、（１＋ｍ８）価の有機基であることが好ましい。

式（２２）中、Ｒ¹²で表される（１＋ｍ８）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ８個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ８個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ８個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ８個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ８個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ８個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ８個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ８個の水素原子を除いた基が好ましい。

前記置換基としては、前述のＱ^１に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（２２）中、ｍ８は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ¹²が単結合のときｍ８は１を表す。

式（１３）で表される構造単位の例
式（１３）で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの電子輸送性の観点からは、式(２３)で表される構造単位、式（２４）で表される構造単位が好ましく、式（２４）で表される構造単位がより好ましい。

（式（２３）中、Ｒ^1３は（１＋ｍ９＋ｍ１０）価の有機基を表し、Ｒ^１４は１価の有機基を表し、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ９及びｍ１０はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（２３）中、Ｒ^１３で表される（１＋ｍ９＋ｍ１０）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ９＋ｍ１０）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２３）中、Ｒ^1４で表される１価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から１個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から１個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から１個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から１個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から１個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から１個の水素原子を除いた基、アリール基から１個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から１個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２３）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

（式（２４）中、Ｒ^1３は（１＋ｍ１１＋ｍ１２）価の有機基を表し、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１１及びｍ１２はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ^1３、ｍ１１、ｍ１２、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（２４）中、Ｒ^１３で表される（１＋ｍ１１＋ｍ１２）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１１＋ｍ１２）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２４）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（１３）で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式(２５)で表される構造単位が好ましい。

（式（２５）中、Ｒ^1５は（１＋ｍ１３＋ｍ１４）価の有機基を表し、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１３、ｍ１４及びｍ１５はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ^１５、ｍ１３、ｍ１４、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（２５）中、Ｒ^１５で表される（１＋ｍ１３＋ｍ１４）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１３＋ｍ１４）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２５）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（１５）で表される構造単位の例
式（１５）で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの電子輸送性の観点からは、式(２６)で表される構造単位、式（２７）で表される構造単位が好ましく、式（２７）で表される構造単位がより好ましい。

（式（２６）中、Ｒ^１６は（１＋ｍ１６＋ｍ１７）価の有機基を表し、Ｒ^１７は１価の有機基を表し、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１６及び、ｍ１７はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（２６）中、Ｒ^１６で表される（１＋ｍ１６＋ｍ１７）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２６）中、Ｒ^１７で表される１価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から１個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から１個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から１個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から１個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から１個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から１個の水素原子を除いた基、アリール基から１個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から１個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２６）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

（式（２７）中、Ｒ^１６は（１＋ｍ１６＋ｍ１７）価の有機基を表し、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１６及び、ｍ１７はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ^１６、ｍ１６、ｍ１７、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（２７）中、Ｒ^1６で表される（１＋ｍ１６＋ｍ１７）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１６＋ｍ１７）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２７）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（１５）で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式(２８)で表される構造単位が好ましい。

（式（２８）中、Ｒ^1８は（１＋ｍ１８＋ｍ１９）価の有機基を表し、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１８、ｍ１９及びｍ２０はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ^１８、ｍ１８、ｍ１９、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（２８）中、Ｒ^１８で表される（１＋ｍ１８＋ｍ１９）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１８＋ｍ１９）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２８）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（１７）で表される構造単位の例
式（１７）で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの電子輸送性の観点からは、式(２９)で表される構造単位が好ましい。

（式（２９）中、Ｒ^１９は単結合又は（１＋ｍ２１）価の有機基を表し、Ｒ^２０は単結合又は（１＋ｍ２２）価の有機基を表し、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ２１及びｍ２２はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、ただし、Ｒ^１９が単結合のときｍ２１は１を表し、Ｒ^２０が単結合のときｍ２２は１を表し、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（２９）中、Ｒ^１９で表される（１＋ｍ２１）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ２１）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２９）中、Ｒ^２０で表される（１＋ｍ２２）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ２２）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（２９）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（１７）で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式(３０)で表される構造単位が好ましい。

（式（３０）中、Ｒ^２１は単結合又は（１＋ｍ２３）価の有機基を表し、Ｒ^２２は単結合又は（１＋ｍ２４）価の有機基を表し、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ２３及びｍ２４はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、ただし、Ｒ^２１が単結合のときｍ２３は１を表し、Ｒ^２２が単結合のときｍ２４は１を表し、ｍ２５及びｍ２６はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、ｍ２３、ｍ２４、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｑ¹、Ｑ^３、Ｙ^１、Ｍ¹、Ｚ¹、Ｙ^３、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（３０）中、Ｒ^２１で表される（１＋ｍ２３）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ２３）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（３０）中、Ｒ^２２で表される（１＋ｍ２４）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ２４）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（３０）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（２０）で表される構造単位の例
式（２０）で表される構造単位としては、得られる電子輸送性の観点からは、式(３１)で表される構造単位が好ましい。

（式（３１）中、Ｒ^２３は単結合又は（１＋ｍ２７）価の有機基を表し、Ｒ^２４は単結合又は（１＋ｍ２８）価の有機基を表し、Ｑ^２、Ｑ^３、Ｙ^２、Ｍ^２、Ｚ^２、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ２７及びｍ２８はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、ただし、Ｒ^２３が単結合のときｍ２７は１を表し、Ｒ^２４が単結合のときｍ２８は１を表し、Ｑ^２、Ｑ^３、Ｙ^２、Ｍ^２、Ｚ^２、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（３１）中、Ｒ^２３で表される（１＋ｍ２７）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ２７）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（３１）中、Ｒ^２４で表される（１＋ｍ２８）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ２８）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（３１）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（２０）で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式(３２)で表される構造単位が好ましい。

（式（３２）中、Ｒ^２５は単結合又は（１＋ｍ２９）価の有機基を表し、Ｒ^２６は単結合又は（１＋ｍ３０）価の有機基を表し、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ２９及びｍ３０はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、ただし、Ｒ^２５が単結合のときｍ２９は１を表し、Ｒ^２６が単結合のときｍ３０は１を表し、ｍ３１及びｍ３２はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、ｍ２９、ｍ３０、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｑ²、Ｑ^３、Ｙ²、Ｍ²、Ｚ²、Ｙ^３、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）

式（３２）中、Ｒ^２５で表される（１＋ｍ２９）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ２９）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（３２）中、Ｒ^２６で表される（１＋ｍ３０）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ３０）個の水素原子を除いた基が好ましい。

式（３２）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

・その他の構造単位
本発明に用いられるイオン性ポリマーは、さらに式（３３）で表される1種以上の構造単位を有していてもよい。

（式（３３）中、Ａｒ⁵は置換基を有し若しくは有さない２価の芳香族基又は置換基を有し若しくは有さない２価の芳香族アミン残基を表し、Ｘ’は置換基を有し若しくは有さないイミノ基、置換基を有し若しくは有さないシリレン基、置換基を有し若しくは有さないエテニレン基又はエチニレン基を表し、ｍ３３及びｍ３４はそれぞれ独立に０又は１を表し、ｍ３３及びｍ３４の少なくとも１つは１である。）

式（３３）中のＡｒ⁵で表される２価の芳香族基としては、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基が挙げられる。該２価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、アザジアゾール環等の単環式芳香環から水素原子を２個除いた２価の基；該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を２個除いた２価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を２個除いた２価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う２つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基、イミノ基等の２価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を２個除いた２価の基等が挙げられる。

前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、２〜４が好ましく、２〜３がより好ましく、２がさらに好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、溶解性の観点からは、２〜４が好ましく、２〜３がより好ましく、２がさらに好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされる芳香環の数は、イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、２〜４が好ましく、２〜３がより好ましく、２がさらに好ましい。

前記単環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

前記縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

前記芳香環集合としては、例えば、以下の環が挙げられる。

前記有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

前記イオン性ポリマーの電子受容性及び正孔受容性のいずれか一方又は両方の観点からは、Ａｒ⁵で表される２価の芳香族基は式４５〜６０、６１〜７１、７７〜８０、９１、９２、９３又は９６で表される環から水素原子を２個除いた２価の基が好ましく、式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２又は９６で表される環から水素原子を２個除いた２価の基がより好ましい。

上記の２価の芳香族基は、置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。

式（３３）中のＡｒ⁵で表される２価の芳香族アミン残基としては、式(３４)で表される基が挙げられる。

（式（３４）中、Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸及びＡｒ⁹は、それぞれ独立に、置換基を有し若しくは有さないアリーレン基又は置換基を有し若しくは有さない２価の複素環基を表し、Ａｒ¹⁰、Ａｒ¹¹及びＡｒ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有し若しくは有さないアリール基又は置換基を有し若しくは有さない１価の複素環基を表し、ｎ１０及びｍ３５は、それぞれ独立に、０又は１を表す。）

前記アリーレン基、アリール基、２価の複素環基、１価の複素環基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基及びカルボキシル基等が挙げられる。該置換基は、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環（シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基等）を有する基、ラクトン基、ラクタム基、又はシロキサン誘導体の構造を含有する基等の架橋基であってもよい。

ｎ１０が０の場合、Ａｒ⁶中の炭素原子とＡｒ⁸中の炭素原子とが直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。

Ａｒ¹⁰、Ａｒ¹¹、Ａｒ¹²で表されるアリール基、１価の複素環基としては、前記で置換基として説明し例示したアリール基、１価の複素環基と同様である。

Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸、Ａｒ⁹で表されるアリーレン基としては、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子２個を除いた残りの原子団が挙げられ、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が単結合又は２価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合した基などが挙げられる。アリーレン基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、７〜４８であることが好ましい。アリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、Ｃ₁〜Ｃ₁₇アルコキシフェニレン基、Ｃ₁〜Ｃ₁₇アルキルフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、１−アントラセニレン基、２−アントラセニレン基、９−アントラセニレン基が挙げられる。前記アリール基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アリール基としては、テトラフルオロフェニレン基等が挙げられる。アリール基の中では、フェニレン基、ビフェニレン基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニレン基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニレン基が好ましい。

Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸、Ａｒ⁹で表される２価の複素環基としては、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団が挙げられる。ここで、複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。２価の複素環基は置換基を有していてもよい。２価の複素環基は、炭素原子数が通常４〜６０であり、４〜２０が好ましい。なお、２価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まないものとする。このような２価の複素環基としては、例えば、チオフェンジイル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオフェンジイル基、ピロールジイル基、フランジイル基、ピリジンジイル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジンジイル基、ピリダジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、ピロリジンジイル基、ピペリジンジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基が挙げられ、中でも、チオフェンジイル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオフェンジイル基、ピリジンジイル基及びＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジンジイル基がより好ましい。

構造単位として２価の芳香族アミン残基を含むイオン性ポリマーは、さらに他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位としては、フェニレン基、フルオレンジイル基等のアリーレン基等が挙げられる。なお、これらのイオン性ポリマーの中では、架橋基を含んでいるものが好ましい。

また、式（３４）で表される２価の芳香族アミン残基としては、下記式１０１〜１１０で表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基が例示される。

式１０１〜１１０で表される芳香族アミンは２価の芳香族アミン残基を生成しうる範囲で置換基を有していてもよく、該置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられ、置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（３３）中、Ｘ’は置換基を有し若しくは有さないイミノ基、置換基を有し若しくは有さないシリレン基、置換基を有し若しくは有さないエテニレン基又はエチニレン基を表す。イミノ基、シリル基若しくはエテニレン基が有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられ、置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記イオン性ポリマーの空気、湿気又は熱に対する安定性の観点からは、Ｘ’はイミノ基、エテニレン基、エチニレン基が好ましい。

前記イオン性ポリマーの電子受容性、正孔受容性の観点からは、ｍ３３が１であり、ｍ３４が０であることが好ましい。

式（３３）で表される構造単位としては、前記イオン性ポリマーの電子受容性の観点からは、式（３５）で表される構造単位が好ましい。

（式（３５）中、Ａｒ¹³は、置換基を有し若しくは有さないピリジンジイル基、置換基を有し若しくは有さないピラジンジイル基、置換基を有し若しくは有さないピリミジンジイル基、置換基を有し若しくは有さないピリダジンジイル基又は置換基を有し若しくは有さないトリアジンジイル基を表す。）

ピリジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
ピラジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
ピリミジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
ピリダジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
トリアジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のＱ¹に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

・構造単位の割合
本発明に用いられるイオン性ポリマーに含まれる式（１３）で表される構造単位、式（１５）で表される構造単位、式（１７）で表される構造単位、及び式（２０）で表される構造単位の合計の割合は、有機ＥＬ素子の発光効率の観点からは、末端の構造単位を除く該イオン性ポリマーに含まれる全構造単位中、３０〜１００モル％であることがより好ましい。

・末端の構造単位
なお、本発明に用いられるイオン性ポリマーの末端の構造単位（末端基）としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、（フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、（フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）シリル基、（フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）ジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ（ｐ−キシリル）シリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。前記末端の構造単位が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。

−イオン性ポリマーの特性−
本発明で用いられるイオン性ポリマーは、好ましくは共役化合物である。本発明で用いられるイオン性ポリマーが共役化合物であるとは、該イオン性ポリマーが主鎖中に、多重結合（例えば、二重結合、三重結合）又は窒素原子、酸素原子等が有する非共有電子対が１つの単結合を挟んで連なっている領域を含むことを意味する。該イオン性ポリマーは、共役化合物である場合、共役化合物の電子輸送性の観点から、
｛（多重結合又は窒素原子、酸素原子等が有する非共有電子対が１つの単結合を挟んで連なっている領域に含まれる主鎖上の原子の数）／（主鎖上の全原子の数）｝×１００％で計算される比が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。

また、本発明で用いられるイオン性ポリマーは、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは共役高分子化合物である。ここで、高分子化合物とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³以上である化合物をいう。また、本発明で用いられるイオン性ポリマーが共役高分子化合物であるとは、該イオン性ポリマーが共役化合物かつ高分子化合物であることを意味する。

本発明に用いられるイオン性ポリマーの塗布による成膜性の観点から、該イオン性ポリマーのポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³〜１×１０⁸であることが好ましく、２×１０³〜１×１０⁷であることがより好ましく、３×１０³〜１×１０⁷であることがより好ましく、５×１０³〜１×１０⁷であることがさらに好ましい。また、イオン性ポリマーの純度の観点から、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１×１０³〜５×１０⁷であることが好ましく、１×１０³〜１×１０⁷であることがより好ましく、１×１０³〜５×１０⁶であることがさらに好ましい。また、イオン性ポリマーの溶解性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量は１×１０³〜５×１０^５であることが好ましく、１×１０³〜５×１０^４であることがより好ましく、１×１０³〜３×１０^３であることがさらに好ましい。本発明に用いられるイオン性ポリマーのポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、求めることができる。

本発明に用いられるイオン性ポリマーの純度の観点から、末端構造単位を除く該イオン性ポリマー中に含まれる全構造単位の数（即ち、重合度）は１以上２０以下であることが好ましく、１以上１０以下であることがより好ましく、１以上５以下であることがさらに好ましい。

本発明に用いられるイオン性ポリマーの電子受容性、正孔受容性の観点からは、該イオン性ポリマーの最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）の軌道エネルギーが、−５．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であることが好ましく、−４．５ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下がより好ましい。また、同様の観点から、該イオン性ポリマーの最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の軌道エネルギーが、−６．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下であることが好ましく、−５．５ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下がより好ましい。ただし、ＨＯＭＯの軌道エネルギーはＬＵＭＯの軌道エネルギーよりも低い。なお、イオン性ポリマーの最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の軌道エネルギーは、イオン性ポリマーのイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求める。一方、イオン性ポリマーの最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）の軌道エネルギーは、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求める。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置を用いる。また、ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差は紫外・可視・近赤外分光光度計を用いてイオン性ポリマーの吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求める。

なお、本発明に用いられる重合体は、電界発光素子で用いられた場合、実質的に非発光性であることが好ましい。ここで、ある重合体が実質的に非発光性であるとは、以下のとおりの意味である。まず、ある重合体を含む層を有する電界発光素子Ａを作製する。一方、重合体を含む層を有さない電界発光素子２を作製する。電界発光素子Ａは重合体を含む層を有するが、電界発光素子２は重合体を含む層を有さない点でのみ、電界発光素子Ａと電界発光素子２とは異なる。次に、電界発光素子Ａ及び電界発光素子２に１０Ｖの順方向電圧を印加して発光スペクトルを測定する。電界発光素子２について得られた発光スペクトルにおいて最大ピークを与える波長λを求める。波長λにおける発光強度を１として、電界発光素子２について得られた発光スペクトルを規格化し、波長について積分して規格化発光量Ｓ₀を計算する。一方、波長λにおける発光強度を１として、電界発光素子Ａについて得られた発光スペクトルも規格化し、波長について積分して規格化発光量Ｓを計算する。（Ｓ−Ｓ₀）／Ｓ₀×１００％で計算される値が３０％以下である場合、即ち、重合体を含む層を有さない電界発光素子２の規格化発光量に比べ、重合体を含む層を有する電界発光素子Ａの規格化発光量の増加分が３０％以下である場合に、用いた重合体は実質的に非発光性であるものとし、（Ｓ−Ｓ₀）／Ｓ₀×１００で計算される値が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。

前記式（１）で表される基及び前記式（３）で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、式（２３）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（２３）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（２４）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（２４）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（２５）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（２５）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（２９）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（２９）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（３０）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（３０）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマーが挙げられる。

前記式（１）で表される基及び前記式（３）で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、以下の高分子化合物が挙げられる。これらのうち、２種の構造単位がスラッシュ「／」で区切られている式で表される高分子化合物では、左側の構造単位の割合がｐモル％、右側の構造単位の割合が（１００−ｐ）モル％であり、これらの構造単位はランダムに配列している。なお、以下の式中、ｎは重合度を表す。

（式中、ｐは１５〜１００の数を表す。）

前記式（２）で表される基及び前記式（３）で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、式（２６）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（２６）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（２７）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（２７）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（２８）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（２８）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（３１）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（３１）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式（３２）で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式（３２）で表される基および式４５〜５０、５９、６０、７７、８０、９１、９２、９６、１０１〜１１０で表される基から水素原子を２個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマーが挙げられる。

前記式（２）で表される基及び前記式（３）で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、以下の高分子化合物が挙げられる。これらのうち、２種の構造単位がスラッシュ「／」で区切られている式で表される高分子化合物では、左側の構造単位の割合がｐモル％、右側の構造単位の割合が（１００−ｐ）モル％であり、これらの構造単位はランダムに配列している。なお、以下の式中、ｎは重合度を表す。

（式中、ｐは１５〜１００の数を表す。）

−イオン性ポリマーの製造方法−
次に、本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造する方法について説明する。本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造するための好適な方法としては、例えば、下記一般式（３６）で表される化合物を原料の１つとして選択して用い、中でも、該一般式（３６）中の−Ａ_a−が式（１３）で表される構造単位である化合物、該−Ａ_a−が式（１５）で表される構造単位である化合物、該−Ａ_a−が式（１７）で表される構造単位である化合物及び該−Ａ_a−が式（２０）で表される構造単位である化合物の少なくとも１種を必須の原料として含有させて、これを縮合重合させる方法を挙げることができる。

Ｙ⁴−Ａ_a−Ｙ⁵ （３６）
（式（３６）中、Ａ_aは式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む繰り返し単位を表し、Ｙ^４及びＹ^５は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。）

また、本発明に用いられるイオン性ポリマー中に上記式（３６）中の−Ａ_a−で表される構造単位とともに、前記−Ａ_a−以外の他の構造単位を含有させる場合には、前記−Ａ_a−以外の他の構造単位となる、２個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を用い、これを前記式（３６）で表される化合物とともに共存させて縮合重合させればよい。

このような他の構造単位を含有させるために用いられる２個の縮合重合可能な置換基を有する化合物としては、式（３７）で表される化合物が例示される。このようにして、前記Ｙ⁴−Ａ_a−Ｙ⁵で表される化合物に加えて、式（３７）で表される化合物を縮合重合させることで、−Ａ_b−で表される構造単位を更に有する本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造することができる。

Ｙ⁶−Ａ_b−Ｙ⁷ （３７）
（式（３７）中、Ａ_bは前記一般式（３３）で表される構造単位又は一般式（３５）で表される構造単位であり、Ｙ⁶及びＹ⁷は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。）

このような縮合重合に関与する基（Ｙ⁴、Ｙ⁵、Ｙ⁶及びＹ⁷）としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。

このような縮合重合に関与する基として選択され得るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。

前記縮合重合に関与する基として選択され得るアリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。

また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るホウ酸エステル残基としては、下記式で表される基が例示される。

さらに、前記縮合重合に関与する基として選択され得るスルホニウムメチル基としては、下記式：
−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｍｅ₂Ｅ^-、又は、−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｐｈ₂Ｅ^-
（式中、Ｅはハロゲン原子を示す。Ｐｈはフェニル基を示し、以下、同じである。）で表される基が例示される。

また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るホスホニウムメチル基としては、
下記式：
−ＣＨ₂Ｐ⁺Ｐｈ₃Ｅ^-
（式中、Ｅはハロゲン原子を示す。）で表される基が例示される。

また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るホスホネートメチル基としては、
下記式：
−ＣＨ₂ＰＯ（ＯＲ^d）₂
（式中、Ｒ^dはアルキル基、アリール基、又はアリールアルキル基を示す。）で表される基が例示される。

さらに、前記縮合重合に関与する基として選択され得るモノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。

さらに、縮合重合に関与する基として好適な基は、重合反応の種類によって異なるが、例えば、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等の０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基が挙げられる。また、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、−Ｂ（ＯＨ）₂等が挙げられ、酸化剤又は電気化学的に酸化重合する場合には、水素原子が挙げられる。

本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造する際には、例えば、縮合重合に関与する基を複数有する前記一般式（３６）又は（３７）で表される化合物（モノマー）を、必要に応じて有機溶媒に溶解し、アルカリや適当な触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる重合方法を採用してもよい。このような重合方法としては、例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）に記載の公知の方法を採用することができる。

また、本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造する際には、縮合重合に関与する基に応じて、既知の縮合重合反応を採用してもよい。このような重合方法としては、該当するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられる。このような重合反応の中でも、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、得られるイオン性ポリマーの構造制御がし易いので好ましい。

本発明に用いられるイオン性ポリマーの好ましい製造方法の１つの態様は、縮合重合に関与する基として、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基からなる群から選択される基を有する原料モノマーを用いて、ニッケルゼロ価錯体の存在下で縮合重合して、イオン性ポリマーを製造する方法である。このような方法に使用する原料モノマーとしては、例えば、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物及びアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。

前記イオン性ポリマーの好ましい製造方法の他の態様は、縮合重合に関与する基として、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−Ｂ（ＯＨ）₂、及びホウ酸エステル残基からなる群から選ばれる基を有し、全原料モノマーが有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）₂及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常Ｋ／Ｊは０．７〜１．２の範囲）である原料モノマーを用いて、ニッケル触媒又はパラジウム触媒の存在下で縮合重合して、イオン性ポリマーを製造する方法である。

前記有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために十分に脱酸素処理を施した有機溶媒を用いることが好ましい。イオン性ポリマーを製造する際には、このような有機溶媒を用いて不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、前記有機溶媒においては、前記脱酸素処理と同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合にはその限りではない。

このような有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類が例示される。これらの有機溶媒は１種を単独で、又は２種以上を混合して用いてもよい。また、このような有機溶媒の中でも、反応性の観点からはエーテル類がより好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが更に好ましく、反応速度の観点からはトルエン、キシレンが好ましい。

前記イオン性ポリマーを製造する際においては、原料モノマーを反応させるために、アルカリや適当な触媒を添加することが好ましい。このようなアルカリ又は触媒は、採用する重合方法等に応じて選択すればよい。このようなアルカリ又は触媒としては、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。また、前記アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、アルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。

本発明に用いられるイオン性ポリマーにおいては、末端基に重合活性基がそのまま残っていると得られる発光素子の発光特性や寿命特性が低下する可能性があるため、末端基が安定な基で保護されていてもよい。このように安定な基で末端基が保護されている場合、本発明に用いられるイオン性ポリマーが共役化合物であるときには、該イオン性ポリマーの主鎖の共役構造と連続した共役結合を有していることが好ましく、その構造としては、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が挙げられる。このような末端基を保護する安定な基としては、特開平９−４５４７８号公報において化１０の構造式で示される１価の芳香族化合物基等の置換基が挙げられる。

式（１）で表される構造単位を含むイオン性ポリマーを製造する他の好ましい方法としては、第１工程でカチオンを有さないイオン性ポリマーを重合し、第２工程で該イオン性ポリマーからカチオンを含有するイオン性ポリマーを製造する方法が挙げられる。第１工程のカチオンを有さないイオン性ポリマーを重合する方法としては、前述の縮合重合反応が挙げられる。第２工程の反応としては、金属水酸化物、アルキルアンモニウムヒドロキシド等による加水分解反応等が挙げられる。

式（２）で表される基を含むイオン性ポリマーを製造する他の好ましい方法としては、第１工程でイオンを有さないイオン性ポリマーを重合し、第２工程で該イオン性ポリマーからイオンを含有するイオン性ポリマーを製造する方法が挙げられる。第１工程のイオンを有さないイオン性ポリマーを重合する方法としては、前述の縮合重合反応が挙げられる。第２工程の反応としては、ハロゲン化アルキルを用いたアミンの４級アンモニウム塩化反応、ＳｂＦ₅によるハロゲン引き抜き反応等が挙げられる。

本発明に用いられるイオン性ポリマーは電荷発生に優れるため、高輝度で発光する素子が得られる。

イオン性ポリマーを含む層を形成する方法としては、例えば、イオン性ポリマーを含有する溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。

このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、水を除くアルコール類、エーテル類、エステル類、二トリル化合物類、ニトロ化合物類、ハロゲン化アルキル類、ハロゲン化アリール類、チオール類、スルフィド類、スルホキシド類、チオケトン類、アミド類、カルボン酸類等の溶媒のうち、溶解度パラメーターが９．３以上の溶媒が好ましい。該溶媒の例（各括弧内の値は、各溶媒の溶解度パラメーターの値を表す）としては、メタノール（１２．９）、エタノール（１１．２）、２−プロパノール（１１．５）、１−ブタノール（９．９）、ｔ−ブチルアルコール（１０．５）、アセトニトリル（１１．８）、１，２−エタンジオール（１４．７）、N,N-ジメチルホルムアミド（１１．５）、ジメチルスルホキシド（１２．８）、酢酸（１２．４）、ニトロベンゼン（１１．１）、ニトロメタン（１１．０）、１，２−ジクロロエタン（９．７）、ジクロロメタン（９．６）、クロロベンゼン（９．６）、ブロモベンゼン（９．９）、ジオキサン（９．８）、炭酸プロピレン（１３．３）、ピリジン（１０．４）、二硫化炭素（１０．０）、及びこれらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。ここで、２種の溶媒（溶媒１、溶媒２とする）を混合してなる混合溶媒について説明すると、該混合溶媒の溶解度パラメーター(δ_m)は、δ_m=δ₁×φ₁+δ₂×φ₂により求めることとする（δ₁は溶媒１の溶解度パラメーター、φ₁は溶媒１の体積分率、δ₂は溶媒２の溶解度パラメーター、φ₂は溶媒２の体積分率である。）。

イオン性ポリマーを含む層の膜厚としては、用いるイオン性ポリマーによって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、ピンホールが発生しない厚さが必要である。素子の駆動電圧を低くする観点からは、該膜厚は、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであることがさらに好ましい。発光層を保護する観点からは、該膜厚は、５ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。

（電子注入層）
電子注入層は、陰極３４または電荷発生層７０からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。複数の発光層５０のうちで最も陰極３４寄りに配置される第ｘ発光層５０と陰極３４との間に設けられる電子注入層４４、すなわち第ｘ発光ユニット８０に設けられる電子注入層４４は、陰極３４からの電子注入効率を改善する機能を有し、第ｘ発光ユニット８０以外の発光ユニット８０に設けられる電子注入層は、電荷発生層７０からのからの電子注入効率を改善する機能を有する。第ｘ発光ユニット８０に設けられる電子注入層４４は、発光層への電子注入効率を改善する前記イオン性ポリマーを含んで構成される。この電子注入層４４は陰極３４に接して配置される。電子注入層４４は、前記イオン性ポリマーを任意好適な溶媒に溶解させた塗工液を用いる塗布法により形成することができる。なお電荷発生層７０の少なくとも一部を構成するイオン性ポリマーと、電子注入層４４を構成するイオン性ポリマーとは、同じ化合物であっても、異なる化合物であってもよい。なお電子注入層はイオン性ポリマーに限らず、公知の電子注入材料によって形成してもよい。

塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、およびインクジェットプリント法などが挙げられる。

（電荷発生層）
電荷発生層７０は、電界を印加することにより正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層７０は前記イオン性ポリマーを含んで構成される。電荷発生層７０は、（１）単一の層からなる単層体、または（２）複数の層が積層された積層体によって構成されている。

電荷発生層７０が単一の層からなる場合には、電荷発生層７０が含有する材料の態様は下記の通りである。
（ｉ）電界を印加することにより電子を発生する部位と、正孔を発生する部位とを１つのポリマー内に有する前記イオン性ポリマーを含有する。
（ｉｉ）電界を印加することにより電子を発生する前記イオン性ポリマーと、このイオン性ポリマーとは種類が異なるイオン性ポリマーであって、かつ電界を印加することにより正孔を発生する前記イオン性ポリマーとを含有する。
（ｉｉｉ）電界を印加することにより電子を発生する前記イオン性ポリマーと、電界を印加することにより正孔を発生する他の機能性成分とを含有する。
（ｉｖ）電界を印加することにより電子を発生する他の機能性成分と、電界を印加することにより正孔を発生する前記イオン性ポリマーとを含有する。

なお「他の機能性成分」とは、本発明にかかる「イオン性ポリマー」とは異なる材料から構成されるが、本発明にかかる「イオン性ポリマー」と同様に大気雰囲気下であっても劣化しにくい特性を有している材料である。

電荷発生層７０が複数の層により構成される場合には、電荷発生層７０は、電界を印加することにより電子を発生する電子発生層７２と、電界を印加することにより正孔を発生する正孔発生層７４とを備える構成とするのが好適である。

この場合、前記イオン性ポリマーは、電界を印加することにより電子または正孔を発生するポリマーであって、電子発生層７２および正孔発生層７４のうちの少なくとも一方に含有される。

電子発生層７２および正孔発生層７４が含有する材料の態様は下記の通りである。
（ｉ）電子発生層７２が、電界を印加することにより電子を発生する前記イオン性ポリマーを含有し、正孔発生層７４が、電界を印加することにより正孔を発生する前記イオン性ポリマーを含有する。
（ｉｉ）電子発生層７２が、電界を印加することにより電子を発生する機能を有する前記イオン性ポリマーを含有し、正孔発生層７４が、電界を印加することにより正孔を発生する機能を有する他の機能性成分を含有する。
（ｉｉｉ）電子発生層７２が、電界を印加することにより電子を発生する機能を有する他の機能性成分を含有し、正孔発生層７４が電界を印加することにより正孔を発生する機能を有する前記イオン性ポリマーを含有する。

（第１の基材および第２の基材）
第１の基材２２および第２の基材２４は、リジッド基板であっても、フレキシブル基板であってもよく、さらにはフィルムであってもよい。このようなフレキシブル基板やフィルムを用いることで、全体としてフレキシブルな有機ＥＬ素子を実現することができる。

第１の基材２２および第２の基材２４のうちの少なくとも一方には、光透過性を示す基材が用いられる。第１の基材２２および第２の基材２４のうちの一方の基材から採光する場合、他方の基材には不透明な基材を用いることができる。

本明細書において「光」とは、１ｎｍから１ｍｍ程度の波長範囲の電磁波を意味する。「光透過性を示す」とは、当該部材に入射する所定の波長の光のうちの少なくとも一部が出射することを意味する。第１の基材２２は可視光に対して光透過性を示すことが好ましい。「可視光」とはヒトの目で知覚することができる範囲の波長を有する電磁波を意味し、その波長は一般に３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ程度である。光透過性を示す部材の光透過率は、高い方が好ましく、例えば１０％以上であり、２５％以上が好ましく、５０％以上がより好ましい。

第１の基材２２および第２の基材２４としては光透過性を示す絶縁性基板を用いることができ、例えばガラス基板を用いることができる。なお石英基板やプラスチック基板などを用いてもよい。

第１の基材２２および第２の基材２４には長尺の基材を用いてもよい。このような基材としてはロール状に巻き取り可能な絶縁性のフィルムであれば特に限定されず、無色透明な樹脂材料から構成されるフィルムなどが好適に用いられる。このような長尺の基材に用いられる樹脂材料としては、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリカーボネート系樹脂；ポリスチレン系樹脂；ポリビニルアルコール系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル系樹脂；アセタール系樹脂；ポリイミド系樹脂；エポキシ樹脂が挙げられる。

これらの樹脂材料の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が小さく、製造コストが低いため、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。またこれらの樹脂材料は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

第１の基材２２および第２の基材２４の厚みは特に限定されないが、製造工程時の安定性などを考慮して適宜に設定することができる。第１の基材２２および第２の基材２４の厚みは、５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好ましく、５０μｍ〜２００μｍの範囲であることがより好ましく、５０μｍ〜１００μｍの範囲であることが特に好ましい。

第１の基材２２および第２の基材２４は、同一の材料から構成されたものを選択することが好ましい。第１の基材２２および第２の基材２４を同一の材料から構成されたものとすれば、線膨張率などの物性が等しいため、製造工程において第１の基材２２と第２の基材２４に発生する応力が互いに打ち消しあい、反りの発生を防止、低減することができる。よって有機ＥＬ素子１０にかかる応力を効果的に低減することができる。

（陽極および陰極）
発光層５０から出射される光を取り出す採光側の電極（陽極３２および陰極３４のうちの少なくとも一方）は、光透過性を示す電極とされる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物膜および金属薄膜などが用いられる。光透過性を示す電極としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅などからなる薄膜が用いられる。光透過性を示す電極としては、とりわけＩＴＯ、ＩＺＯ、および酸化スズからなる薄膜を用いて形成することが好ましい。

光透過性を有しなくともよい不透明な電極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。また不透明な電極の材料としては、電気伝導度の高い材料を用いるのがよい。また発光層５０から出射した光を採光側に反射する構成とするのが好ましい。

不透明な電極としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期律表第１３族金属などの金属を用いることができる。具体的には、不透明な電極の材料として、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、または上記金属のうち２つ以上の合金、またはこれらのうち１つまたは２つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つまたは２つ以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイトの層間に上記金属の原子が配置された化合物などが用いられる。

合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。

陰極３４の形成は、前記選択された材料に応じて蒸着法などの任意好適な形成方法を選択することができるが、前述した電子注入層の形成と同様に塗工液を用いる塗布法によっても形成することができる。
塗布法によって陰極３４を形成する場合に好適に利用できる導電性材料としては、導電性高分子材料が挙げられる。導電性高分子材料としては、エチレンジオキシチオフェンを含む高分子化合物が好ましい。具体的には、正孔注入層の構成材料としても用いられる３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）およびポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）（混合割合；ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：２０）［バイエル社製、商品名「バイトロン−ｐ（Ｂａｙｔｒｏｎ−ｐ）」］の混合材料が好適に用いられる。こうした導電性高分子材料を溶媒中に分散させた液状体を使用することができる。この液状体としては、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させたものが好適である。

この場合には、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させた液状体とし、さらにこの液状体を水、イソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させた溶液が塗工液として好適に用いられる。

また陰極３４を構成する導電性材料として、上述した導電性高分子材料に代えて、又は導電性高分子とともに、導電性を有する金属微粒子を用いてもよい。導電性高分子と金属微粒子との混合材料によって陰極３４を構成した場合には、比較的低温で加熱して、導電性を確保することが可能になる。金属微粒子としては、金、銀、アルミニウムなどが好適に用いられる。なお金、銀、アルミニウムの金属微粒子の他に、カーボンペースト、カーボンペーストと金属微粒子との混合物などが好適に用いられる。

導電性材料として金属微粒子を採用する場合には、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ジメチルケトンなどの極性溶媒が好適に使用できる。

陰極３４の厚みは、電気伝導度、耐久性などを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

（発光層）
次いで発光層５０について説明する。発光層５０を構成する材料としては、蛍光発光型（一重項遷移）とリン光発光型（三重項遷移）が知られているが、どちらを使用してもよい。発光層５０は、例えば蒸着法または塗布法により形成することができる。発光層の材料としては、低分子系材料および高分子系材料のどちらも利用可能である。特に高分子系材料は溶媒に溶解しやすいため、溶媒に溶解させた塗工液に好適に用いることができる。従って発光層の材料としては、既に説明したような電子注入層の形成と同様の簡易な塗布法を適用することができる高分子系材料が好ましい。なお本明細書でいう高分子とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１０^３以上であり、通常、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０^８以下である。

発光層５０は、蛍光およびリン光のうちの少なくとも一方の光を発光する有機物、若しくは有機物と、ドーパントとを含んで構成される。発光層５０を主に構成する発光材料としては、例えば以下のものが挙げられる。

〈色素系材料〉
色素系の発光材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびピラゾリンダイマーなどを高分子化したものを挙げることができる。

〈金属錯体系材料〉
金属錯体系の発光材料としては、中心金属に、アルミニウム、亜鉛、ベリリウムなど、またはテルビウム、ユーロピウム、ジスプロシウムなどの希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体を高分子化したものを挙げることができる。

金属錯体系の発光材料としては、イリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを高分子化したものを挙げることができる。

高分子系の発光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体などを挙げることができる。

〈ドーパント材料〉
発光層を構成する発光材料としては、前述の発光材料の他に、例えば発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的でドーパント材料をさらに含んでいてもよい。このようなドーパント材料としては、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。

（所定の層）
図１に示す実施形態では有機ＥＬ素子１０は、発光層５０および電荷発生層７０に加えて、正孔注入層４２ａ、正孔輸送層４２ｂ、電子注入層４４などの所定の層を有するが、本発明の有機ＥＬ素子はこの構成例に限定されるものではない。

以下に所定の層および所定の層を備える発光ユニットの一例について説明する。
各発光ユニット８０において、発光層５０よりも陰極３４寄りに配置される層としては、電子注入層４４、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。１つの発光ユニット８０において、電子注入層４４以外に電子輸送層が設けられる場合には、陰極３４寄りに配置される層を電子注入層といい、発光層５０寄りに配置される層を電子輸送層という。

各発光ユニット８０において、発光層５０よりも陽極３２寄りに配置される層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。１つの発光ユニット８０において、正孔注入層と正孔輸送層との両方が設けられる場合には、陽極３２寄りに配置される層を正孔注入層といい、発光層５０寄りに配置される層を正孔輸送層という。

なお、正孔注入層４２ａおよび電子注入層４４を総称して電荷注入層という場合がある。また正孔輸送層４２ｂおよび電子輸送層を総称して電荷輸送層という場合がある。

各発光ユニットの層構成の具体的な一例を以下に示す。
ａ）発光層
ｂ）正孔注入層／発光層
ｃ）正孔注入層／正孔輸送層／発光層
ｄ）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層
ｅ）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層
ｆ）発光層／電子注入層
ｇ）発光層／電子輸送層／電子注入層
ｈ）正孔注入層／発光層／電子注入層
ｉ）正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む２つの層が互いに接して配置されていることを示す。）

上記ａ）〜ｉ）の発光ユニットにおいて、陽極は左側に配置され、陰極は右側に配置されている。なお複数ある発光ユニットの層構成は、それぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

有機ＥＬ素子１０は、電極との密着性向上や、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して膜厚が２ｎｍ程度以下の絶縁層をさらに備えていてもよく、また界面の密着性向上や混合の防止などのために、互いに隣接する各層間に薄いバッファー層が挿入されていてもよい。

以下、各機能層の具体的な構成について説明する。

〈正孔注入層〉
正孔注入層は、陽極３２または電荷発生層７０からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。

正孔注入層は、前記正孔注入材料を溶媒に溶解した塗工液を塗布する塗布法によって成膜することができる。溶媒としては、正孔注入層の形成材料が溶解することを条件として任意好適なものを用いることができる。

溶媒としては、例えば水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒を用いることができる。

正孔注入層は、既に説明したような塗布法により形成することができる。

正孔注入層の厚みは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔注入層の厚みは、少なくともピンホールが形成されず、駆動電圧と発光効率が適度な値となることを条件として任意好適な厚みとすることができる。また正孔注入層の厚みは、厚すぎると素子の駆動電圧が高くなってしまう。よって正孔注入層４２ａの厚みは、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍから５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍから２００ｎｍである。

〈正孔輸送層〉
正孔輸送層は、陽極、正孔注入層、電荷発生層、または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する。正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。

これらのうち正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などの高分子の正孔輸送材料を用いることができる。正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体などがさらに好ましい。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

正孔輸送層の形成方法としては、低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーとの混合溶液を用いる塗布法を挙げることができる。また、高分子の正孔輸送性材料を用いる場合には、溶液を用いる塗布法を挙げることができる。

塗布法に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであればよく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒を挙げることができる。

塗布法としては、電子注入層を形成する方法として挙げた方法と同様の方法を用いることができる。

混合される高分子バインダーとしては、電荷輸送を阻害しないものが好ましく、また可視光の吸収が弱いものが好適に用いられる。このような高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。

正孔輸送層の層厚は、ピンホールが形成されず、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、用いる材料によって最適値が異なる。正孔輸送層の層厚が厚すぎると、有機ＥＬ素子の駆動電圧が高くなってしまうおそれがある。従って、正孔輸送層の層厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍから５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍから２００ｎｍである。

〈電子輸送層〉
電子輸送層は、陰極３４、または電子注入層４４、若しくは陰極３４により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。電子輸送層を構成する電子輸送性材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。

これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の形成方法としては、低分子の電子輸送材料を用いる場合には、粉末からの真空蒸着法、若しくは溶液又は溶融状態からの成膜による方法を挙げることができ、高分子の電子輸送材料を用いる場合には、溶液又は溶融状態からの成膜による方法を挙げることができる。溶液または溶融状態からの成膜では、高分子バインダーをさらに併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、既に説明したような塗布法を挙げることができる。

電子輸送層の厚みは、用いる材料によって最適値が異なり、少なくともピンホールが形成されない程度の厚さが必要であり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。電子輸送層の厚みが厚すぎると素子の駆動電圧が高くなってしまうおそれがある。従って、電子輸送層の厚みとしては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍから５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍから２００ｎｍである。

〈電子ブロック層〉
電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお、正孔注入層４２ａおよび正孔輸送層４２ｂのうちの少なくとも一方が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製して、その電流値の減少により堰き止める効果を確認することができる。

〈正孔ブロック層〉
正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお、電子注入層および電子輸送層のうちの少なくとも一方が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねる場合がある。正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製して、その電流値の減少により堰き止める効果を確認することができる。

＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法として、図１を参照して既に説明した構成を有する有機ＥＬ素子１０の製造方法を説明する。なお本発明の有機ＥＬ素子１０を構成する層が、塗工液を用いる塗布法で形成される場合には、塗布工程は、常圧程度の雰囲気下で実施され、たとえばアルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気または大気雰囲気下で実施される。

ここで「大気雰囲気」とは、水分、酸素の含有を許容する雰囲気を意味する。「大気雰囲気」は、具体的には、常温、常圧である未調整の雰囲気を含み、さらに水分、酸素の含有を許容しつつ、温度、圧力、成分などについて調整された雰囲気が含まれる。この「調整された雰囲気」は、「塗布」を含む本発明の製造方法が実施できることを条件として窒素、水素、酸素、二酸化炭素などの組成成分を調整する処理、これらの組成割合を調整する処理がなされており、浮遊微粒子、浮遊微生物にかかる清浄度が調整されていてもよく、さらには「塗布」を含む本発明の製造方法が実施できることを条件として温度、湿度、圧力などの環境条件が調整されていてもよい雰囲気を含み、その圧力は通常１０１３ｈＰａ±１００ｈＰａの常圧である。

本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法は、イオン性ポリマーを含有する塗工液を用いる塗布法により電荷発生層を形成する電荷発生層形成工程を含む。

具体的には、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法は、
陽極および陰極のうちの一方の電極がその上に形成された第１の基材を用意する工程と、
発光層を含む発光ユニットを形成する発光ユニット形成工程と、
イオン性ポリマーを含有する塗工液を用いる塗布法により電荷発生層を形成する電荷発生層形成工程と、
陽極および陰極のうちの他方の電極を形成する工程とを含み、
前記発光ユニット形成工程は複数回行われ、
電荷発生層形成工程は、発光ユニット形成工程と発光ユニット形成工程との間に行われる。

発光ユニット形成工程と発光ユニット形成工程との間に電荷発生層形成工程を行うことにより、互いに隣り合う発光ユニット間に電荷発生層が形成される。

以下の実施形態では、有機ＥＬ素子を構成する各構成要素のうち、陽極から順に各構成要素を第１の基材上に順次積層し、最後に陰極を形成することによって有機ＥＬ素子を作製する態様について説明するが、積層順を逆にして、陰極から順に各構成要素を第１の基材上に順次積層し、最後に陽極を形成することによって有機ＥＬ素子を作製してもよい。

まず第１の基材２２を準備し、第１の基材２２の厚み方向のうちの一方の面に導電性材料の膜を形成し、これをフォトリソグラフィ工程および引き続き行われるエッチング工程などのパターニング工程によりパターニングして陽極３２を形成する。この工程は、第１の基材２２に導電性材料の膜が予め成膜された基材を入手し、パターニング工程を実施することにより陽極３２を形成する工程であってもよい。

（発光ユニット形成工程）
次に陽極３２上に第１発光ユニット８０を形成する。本実施形態では陽極３２に接するように正孔注入層４２ａを形成し、さらにこの正孔注入層４２ａに接するように正孔輸送層４２ｂを形成する。そして正孔輸送層４２ｂに接するように第１発光層５０を形成する。これら正孔注入層４２ａ、正孔輸送層４２ｂ、および第１発光層５０は、選択された材料に応じた好適な溶媒を用いて塗工液を調製し、この塗工液を塗布する塗布法により形成された塗布膜を加熱処理して層を形成することができる。

（電荷発生層形成工程）
次いで第１発光ユニット８０に接するように電荷発生層７０を形成する。電荷発生層７０の形態には、（１）単一の層からなるものと、（２）電子発生層７２および正孔発生層７４を含む複数層からなるものとがあるので、以下ではそれぞれの形態について場合分けして説明する。

（１）単一の層からなる電荷発生層７０の形成
この場合には、（ｉ）電界を印加することにより電子を発生する部位と、正孔を発生する部位とを１つのポリマー内に有する前記イオン性ポリマーを含有する単一の層からなる電荷発生層７０を形成するか、（ｉｉ）電界を印加することにより電子を発生する電子注入特性を有する前記イオン性ポリマーと、このイオン性ポリマーとは種類が異なるイオン性ポリマーであって、かつ電界を印加することにより正孔を発生する正孔注入特性を有する前記イオン性ポリマーとを含有する単一の層からなる電荷発生層７０を形成するか、（ｉｉｉ）電界を印加することにより電子を発生する電子注入特性を有する前記イオン性ポリマーと、電界を印加することにより正孔を発生する正孔注入特性を有する他の機能性成分とを含有する単一の層からなる電荷発生層７０を形成するか、又は（ｉｖ）電界を印加することにより電子を発生する電子注入特性を有する他の機能性成分と、電界を印加することにより正孔を発生する正孔注入特性を有する前記イオン性ポリマーとを含有する単一の層からなる電荷発生層７０を形成する。

（２）電子発生層７２および正孔発生層７４を備える電荷発生層７０の形成
この場合には、（ｉ）電界を印加することにより電子を発生する前記イオン性ポリマーを含有する材料により電子発生層７２を形成し、かつ電界を印加することにより正孔を発生する前記イオン性ポリマーを含有する材料により正孔発生層７４を形成するか、（ｉｉ）電界を印加することにより電子を発生する前記イオン性ポリマーを含有する材料により電子発生層７２を形成し、電界を印加することにより正孔を発生する機能を有する他の成分を含有する材料により正孔発生層７４を形成するか、又は（ｉｉｉ）電界を印加することにより電子を発生する他の成分を含有する材料により電子発生層７２を形成し、電界を印加することにより正孔を発生する前記イオン性ポリマーを含有する材料により正孔発生層７４を形成する。

図１では電子発生層７２および正孔発生層７４からなる電荷発生層７０が示されている。
第１発光ユニットに接して電荷発生層７０を形成した後、発光ユニット形成工程と電荷発生層形成工程とを交互に繰り返すことにより、発光ユニットと電荷発生層とを順次繰り返し積層する。繰り返しの最後には発光ユニット形成工程を行い、第ｘ発光ユニットを形成する。前述したように、図１に示す実施形態では全ての発光ユニット８０のうち、第１および第ｘ発光ユニット８０を除く、残余の発光ユニット８０は、発光層５０のみから構成されるため、当該残余の発光ユニットを形成する工程では発光層５０のみを形成する。

電荷発生層を形成する際には、発光ユニットの最上層が、当該電荷発生層を形成するための塗工液に曝される。そのため塗工液に曝される発光ユニットの最上層は、電荷発生層を形成する際に使用される塗工液に溶解しにくい材料によって形成することが好ましい。たとえばイオン性ポリマーを極性溶媒に溶解した塗工液を用いて電荷発生層を形成する場合、上述の最上層は、無極性溶媒に溶解し、かつ極性溶媒に溶解しにくい材料によって形成することが好ましい。発光層は一般に無極性溶媒に溶解し、かつ極性溶媒に溶解しにくい材料によって構成されているため、イオン性ポリマーを極性溶媒に溶解した塗工液を用いて電荷発生層を形成する場合、電荷発生層を形成する際に発光層が塗工液に再溶解することを抑制することができる。

第ｘ発光ユニットを形成する発光ユニット形成工程では、まず上述したように、第ｘ発光層を電荷発生層７０上に形成する。

（電子注入層の形成）
次に第ｘ発光層５０に接するように電子注入層４４を形成する。電子注入層４４の形成は、既に説明した通り電子注入効率を改善する機能を有する前記イオン性ポリマーを含む塗工液を塗布する塗布法により行うことができる。

まずイオン性ポリマーを含む塗工液を調製する。塗工液を調製するための溶媒としてはメタノール、エタノールなどの極性溶媒を用いることができる。こうした極性溶媒を用いることにより、上述したように電子注入層４４形成用の塗工液に発光層が再溶解することを抑制することができる。

イオン性ポリマーを含む塗工液を第ｘ発光層５０の表面に塗布する。既に説明した正孔注入層、正孔輸送層、発光層５０、電荷発生層７０と同様に、塗布法としてはスピンコート法、さらには印刷法を用いることができる。

塗布されたイオン性ポリマーを含む塗工液の塗膜を加熱処理することにより、電子注入層４４を形成する。この工程における温度は、発光層５０の機能維持という観点から１５０℃以下とすることが好適である。

（陰極の形成）
次いで形成された電子注入層４４上に陰極３４を形成する。陰極３４の形成には、選択された材料に応じて蒸着法などの任意好適な形成方法を選択することができるが、既に説明した正孔注入層、正孔輸送層、発光層５０、電荷発生層７０、電子注入層４４の形成と同様に塗工液を用いる塗布法によっても形成することができる。

陰極３４の塗布法による形成方法としては、陰極材料を溶媒または分散媒中に分散させた塗工液を塗布する方法、別の支持基板上に形成された塗工液の層を転写する方法などが好適である。

塗布法による陰極３４の形成は、前記塗工液を、電子注入層４４の露出面に塗布することにより行われる。塗工液の塗布は、スピンコート法、インクジェット法などによって行うのが好適である。そして塗布された塗膜を加熱処理することにより、陰極３４を形成することができる。陰極３４の加熱処理温度は、電子注入層４４の加熱処理温度と同様に、１５０℃以下とすることが好適である。導電性材料としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いた場合には、１００℃、１０分間程度の条件で加熱処理することができ、発光層５０に対するダメージを抑制することができる。

次に第２の基材２４を用いて封止する。この封止工程では、陰極３４までが形成された積層構造体の陰極３４が設けられた側に、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂などの任意好適な封止部材を用いて第２の基材２４を接合することにより実施することができる。
以上の工程により有機ＥＬ素子１０が製造される。

本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、電荷発生層７０、さらには電子注入層４４の材料として、大気中の水分、酸素に曝されても劣化しにくく、機能の低下が少ないイオン性ポリマーを用いるため、これらの層の形成工程を真空雰囲気とは異なる雰囲気、たとえば常圧程度の雰囲気、不活性ガス雰囲気、さらには大気雰囲気下で実施することができる。よって真空チャンバなどの大規模な設備が不要であるため、有機ＥＬ素子の製造工程を極めて簡便にすることができ、製造コストを格段に低減することができるという顕著な効果を得ることができる。

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー株式会社製：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン換算の重量平均分子量及び数平均分子量として求めた。また、測定する試料は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μL注入した。更に、ＧＰＣの移動相としてはテトラヒドロフランを用い、０．５ｍL／分の流速で流した。重合体の構造分析はVarian社製３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメータ−を用いた、^１Ｈ−ＮＭＲ解析によって行った。また、測定は、２０ｍｇ/ｍLの濃度になるように試料を可溶な重溶媒（溶媒分子中の水素原子が重水素原子で置換された溶媒）に溶解させて行った。重合体の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の軌道エネルギーは、重合体のイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求めた。一方、重合体の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）の軌道エネルギーは、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求めた。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置（理研計器株式会社製：ＡＣ−２）を用いた。また、ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差は紫外・可視・近赤外分光光度計（Varian社製：Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて重合体の吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求めた。

［参考例１］
２，７−ジブロモ−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン(化合物Ａ)の合成
２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（５２．５ｇ）、サリチル酸エチル（１５４．８ｇ）、及びメルカプト酢酸（１．４ｇ）を３００ｍLフラスコに入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した（以下、「フラスコ内の雰囲気を窒素置換した」を単に「窒素置換した」と記載することがある）。そこに、メタンスルホン酸（６３０ｍL）を添加し、混合物を７５℃で終夜撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して１時間撹拌した。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄済みの該固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させ、ろ別した。得られた固体（６２．７ｇ）、２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]−ｐ−トルエンスルホネート（８６．３ｇ）、炭酸カリウム（６２．６ｇ）、及び１８−クラウン−６（７．２ｇ）をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（６７０ｍL）に溶解させ、溶液をフラスコへ移して１０５℃で終夜撹拌した。得られた混合物を室温まで放冷し、フラスコ内へ氷水を加え、１時間撹拌した。反応液にクロロホルム（３００ｍＬ）を加えて分液抽出を行い、溶液を濃縮することで、２，７−ジブロモ−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン(化合物Ａ)（５１．２ｇ）を得た。

［参考例２］
２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル-１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン（化合物Ｂ）の合成
窒素雰囲気下、化合物Ａ（１５ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（８．９ｇ）、[１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（II）ジクロロメタン錯体（０．８ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．５ｇ）、酢酸カリウム（９．４ｇ）、ジオキサン（４００ｍL）を混合し、１１０℃に加熱し、１０時間加熱還流させた。放冷後、反応液をろ過し、ろ液を減圧濃縮した。反応混合物をメタノールで３回洗浄した。沈殿物をトルエンに溶解させ、溶液に活性炭を加えて攪拌した。その後、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することで、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル-１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン（化合物Ｂ）（１１．７ｇ）を得た。

［参考例３］
ポリ[９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン]（重合体Ａ）の合成
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．５５ｇ）、化合物Ｂ（０．６１ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０１ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応液に４−ｔ−ブチルフェニルボロン酸（０．０１ｇ）を加え、６時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ、濃度：０．０５ｇ／ｍＬ）を加え、２時間撹拌した。混合溶液をメタノール３００ｍＬ中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン２０ｍｌに溶解させた。得られた溶液をメタノール１２０ｍｌ、３重量％酢酸水溶液５０ｍLの混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン２０ｍｌに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール２００ｍｌに滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール（２００ｍＬ）に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られたポリ[９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−ビス[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン]（重合体Ａ）の収量は５２０ｍｇであった。

重合体Ａのポリスチレン換算の数平均分子量は５．２×１０⁴であった。重合体Ａは、式（Ａ）で表される構造単位からなる。

［実験例１］
重合体Ａセシウム塩の合成
重合体Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（２０ｍL）、及びエタノール（２０ｍL）を添加し、混合物を５５℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム（２００ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、５５℃で６時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１５０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ａのセシウム塩を共役高分子化合物１と呼ぶ。共役高分子化合物１は式（Ｂ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、１００モル％である。）。共役高分子化合物１のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．５ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．７ｅＶであった。

［実験例２］
重合体Ａカリウム塩の合成
重合体Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（２０ｍL）、及びメタノール（１０ｍL）を混合し、混合溶液に、水酸化カリウム（４００ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール５０ｍLを加え、さらに６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１３１ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ａのカリウム塩を共役高分子化合物２と呼ぶ。共役高分子化合物２は式（Ｃ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、１００モル％である。）。共役高分子化合物２のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．５ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．７ｅＶであった。

［実験例３］
重合体Ａナトリウム塩の合成
重合体Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（２０ｍL）、及びメタノール（１０ｍL）を混合し、混合溶液に、水酸化ナトリウム（２６０ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール３０ｍLを加え、さらに６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１２３ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ａのナトリウム塩を共役高分子化合物３と呼ぶ。共役高分子化合物３は式（Ｄ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、１００モル％である。）。共役高分子化合物３のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。

［実験例４］
重合体Ａアンモニウム塩の合成
重合体Ａ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（２０ｍL）、及びメタノール（１５ｍL）を混合し、混合溶液にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（５０ｍｇ）を水（１ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で６時間撹拌した。反応溶液にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（５０ｍｇ）を水（１ｍL）に溶解させた水溶液を加え、さらに６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１５０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ａ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが９０％消失していることを確認した。得られた重合体Ａのアンモニウム塩を共役高分子化合物４と呼ぶ。共役高分子化合物４は式（Ｅ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、９０モル％である。）。共役高分子化合物４のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。

［参考例４］
２，７−ビス[７−（４−メチルフェニル）−９，９−ジオクチルフルオレン−２−イル]−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン（重合体Ｂ）の合成
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．５２ｇ）、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（１．２９ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．００８７ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、トルエン（１０ｍＬ）、及び２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍL）を混合し、８０℃に加熱した。反応液を３．５時間反応させた。その後、そこに、パラブロモトルエン（０．６８ｇ）を加えて、更に２．５時間反応させた。反応後、反応液を室温まで冷却し、酢酸エチル５０ｍL／蒸留水５０ｍLを加えて水層を除去した。再び蒸留水５０ｍLを加えて水層を除去した後、乾燥剤として硫酸マグネシウムを加えて、不溶物をろ過して、有機溶媒を除去した。その後、得られた残渣を再びＴＨＦ１０ｍLに溶かして、飽和ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水２ｍLを添加して、３０分間撹拌した後、有機溶媒を除去した。アルミナカラム（展開溶媒 ヘキサン：酢酸エチル＝１：１、ｖ/ｖ）を通して精製を行い、析出した沈殿をろ過して１２時間減圧乾燥させたところ、２，７−ビス[７−（４−メチルフェニル）−９，９−ジオクチルフルオレン−２−イル]−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン（重合体Ｂ）が５２４ｍｇ得られた。

重合体Ｂのポリスチレン換算の数平均分子量は、２．０×１０^３であった。なお、重合体Ｂは、式（Ｆ）で表される。

［実験例５］
重合体Ｂセシウム塩の合成
重合体Ｂ（２６２ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、アルゴン置換した。そこに、テトラヒドロフラン（１０ｍL）、及びメタノール（１５ｍL）を添加し、混合物を５５℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム（３４１ｍｇ）を水（１ｍL）に溶かした水溶液を添加し、５５℃で５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（２５０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、エチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｂセシウム塩を共役高分子化合物５と呼ぶ。共役高分子化合物５は、式（Ｇ）で表される（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、小数第二位で四捨五入して、３３．３モル％である。）。共役高分子化合物５のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶであり、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６ｅＶであった。

［参考例５］
重合体Ｃの合成
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．４０ｇ）、化合物Ｂ（０．４９ｇ）、N,N’-ビス（４−ブロモフェニル）−N,N’−ビス（４−ｔ−ブチル-２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（３５ｍｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（８ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍL）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍL）を滴下し、８時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．０１ｇ）を加え、６時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍL、濃度：０．０５ｇ／ｍL）を加え、２時間撹拌した。混合溶液をメタノール３００ｍL中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。得られた溶液をメタノール１２０ｍL、３重量％酢酸水溶液５０ｍLの混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール２００ｍLに滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール（２００ｍL）に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Ｃの収量は５２６ｍｇであった。

重合体Ｃのポリスチレン換算の数平均分子量は３．６×１０⁴であった。重合体Ｃは、式（Ｈ）で表される構造単位からなる。
なお、N,N’-ビス（４−ブロモフェニル）−N,N’−ビス（４−ｔ−ブチル-２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミンは、例えば特開２００８−７４０１７号公報に記載されている方法で合成することができる。

［実験例６］
重合体Ｃセシウム塩の合成
重合体Ｃ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（２０ｍL）、及びメタノール（２０ｍL）を添加し混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（２００ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール３０ｍLを加え、さらに６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１５０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ｃ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｃのセシウム塩を共役高分子化合物６と呼ぶ。共役高分子化合物６は式（Ｉ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、９５モル％である。）。共役高分子化合物６のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．３ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６ｅＶであった。

［参考例６］
重合体Ｄの合成
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．５５ｇ）、化合物Ｂ（０．６７ｇ）、N,N’-ビス（４−ブロモフェニル）−N,N’−ビス（４−ｔ−ブチル-２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（０．０３８ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジン０．００９ｇ、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０１ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍL）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍL）を滴下し、２時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．００４ｇ）を加え、６時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍL、濃度：０．０５ｇ／ｍL）を加え、２時間撹拌した。混合溶液をメタノール３００ｍL中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。得られた溶液をメタノール１２０ｍL、３重量％酢酸水溶液５０ｍLの混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール２００ｍLに滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール（２００ｍL）に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Ｄの収量は５９０ｍｇであった。
重合体Ｄのポリスチレン換算の数平均分子量は２．７×１０⁴であった。重合体Ｄは、式（Ｊ）で表される構造単位からなる。
なお、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンは、特開２００４−１３７４５６に記載の方法で合成した。

［実験例７］
重合体Ｄセシウム塩の合成
重合体Ｄ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（１５ｍL）、及びメタノール（１０ｍL）を混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（３６０ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で３時間撹拌した。反応溶液にメタノール１０ｍLを加え、さらに６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（２１０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ｄ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｄのセシウム塩を共役高分子化合物７と呼ぶ。共役高分子化合物７は式（Ｋ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、９０モル％である。）。共役高分子化合物７のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．３ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．４ｅＶであった。

［参考例７］
重合体Ｅの合成
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．３７ｇ）、化合物Ｂ（０．８２ｇ）、１，３−ジブロモベンゼン（０．０９ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０１ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍL）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍL）を滴下し、７時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．００２ｇ）を加え、１０時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍL、濃度：０．０５ｇ／ｍL）を加え、１時間撹拌した。混合溶液をメタノール３００ｍL中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。得られた溶液をメタノール１２０ｍL、３重量％酢酸水溶液５０ｍLの混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール２００ｍLに滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール（２００ｍL）に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Ｅの収量は２９３ｍｇであった。
重合体Ｅのポリスチレン換算の数平均分子量は１．８×１０⁴であった。重合体Ｅは、式（Ｌ）で表される構造単位からなる。

［実験例８］
重合体Ｅセシウム塩の合成
重合体Ｅ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（１０ｍL）、及びメタノール（５ｍL）を混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（２００ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で２時間撹拌した。反応溶液にメタノール１０ｍLを加え、さらに６５℃で５時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１７０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ｅ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｅのセシウム塩を共役高分子化合物８と呼ぶ。共役高分子化合物８は式（Ｍ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、７５モル％である。）。共役高分子化合物８のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．６ｅＶであった。

［参考例８］
重合体Ｆの合成
不活性雰囲気下、化合物Ｂ（１．０１ｇ）、１，４−ジブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼン（０．３０ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０２ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ）、及びトルエン（１０ｍL）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍL）を滴下し、４時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（０．００２ｇ）を加え、４時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍL、濃度：０．０５ｇ／ｍL）を加え、１時間撹拌した。混合溶液をメタノール３００ｍL中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。得られた溶液をメタノール１２０ｍL、３重量％酢酸水溶液５０ｍLの混合溶媒中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン２０ｍLに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール２００ｍLに滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフラン／酢酸エチル（１／１（体積比））の混合溶媒に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール（２００ｍL）に滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Ｅの収量は３４３ｍｇであった。

重合体Ｆのポリスチレン換算の数平均分子量は６．０×１０⁴であった。重合体Ｆは、式（Ｎ）で表される構造単位からなる。

［実験例９］
重合体Ｆセシウム塩の合成
重合体Ｆ（１５０ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（１０ｍL）、及びメタノール（５ｍL）を混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（２６０ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で２時間撹拌した。反応溶液にメタノール１０ｍLを加え、さらに６５℃で５時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１３０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ｅ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｆのセシウム塩を共役高分子化合物９と呼ぶ。共役高分子化合物９は式（Ｏ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、７５モル％である。）。共役高分子化合物９のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．９ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。

[参考例９]
不活性雰囲気下、２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]−ｐ−トルエンスルホネート（１１．０ｇ）、トリエチレングリコール（３０．０ｇ）、水酸化カリウム（３．３ｇ）を混合し、１００℃で１８時間加熱攪拌した。放冷後、反応溶液を水（１００ｍL）に加え、クロロホルムで分液抽出を行い、溶液を濃縮した。濃縮した溶液を、クーゲルロワー蒸留（１０ｍｍＴｏｒｒ、１８０℃）することで、２−（２−（２−（２−（２−（２−メトキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）エタノール（６．１ｇ）を得た。

[参考例１０]
不活性雰囲気下、２−（２−（２−（２−（２−（２−メトキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）エタノール（８．０ｇ）、水酸化ナトリウム（１．４ｇ）、蒸留水（２ｍL）、テトラヒドロフラン（２ｍL）を混合し、氷冷した。混合溶液に、ｐ−トシルクロリド（５．５ｇ）のテトラヒドロフラン（６．４ｍL）溶液を３０分かけて滴下し、滴下後反応溶液を室温に上げて１５時間攪拌した。反応溶液に蒸留水（５０ｍＬ）を加え、６Ｍ硫酸で反応溶液を中和した後、クロロホルムで分液抽出を行った。溶液を濃縮することで、２−（２−(２−（２−（２−（２−メトキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）ｐ−トルエンスルホネート（１１．８ｇ）を得た。

［参考例１１］
２，７−ジブロモ−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−（２−（２−（２−（２−（２−メトキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）エトキシ]フェニル]−フルオレン(化合物Ｃ)の合成
２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（１２７．２ｇ）、サリチル酸エチル（３７５．２ｇ）、及びメルカプト酢酸（３．５ｇ）を３００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。そこに、メタンスルホン酸（１４２０ｍL）を添加し、混合物を７５℃で終夜撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して１時間撹拌した。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄済みの該固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させ、ろ別し固体（１６７．８ｇ）を得た。得られた固体（５ｇ）、２−（２−(２−（２−（２−（２−メトキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）ｐ−トルエンスルホネート（１０．４ｇ）、炭酸カリウム（５．３ｇ）、及び１８−クラウン−６（０．６ｇ）をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（１００ｍL）に溶解させ、溶液をフラスコへ移して１０５℃で４時間撹拌した。得られた混合物を室温まで放冷し、氷水へ加え、１時間撹拌した。反応液にクロロホルム（３００ｍL）を加えて分液抽出を行い、溶液を濃縮した。濃縮物を酢酸エチルに溶解させ、アルミナのカラムに通液し、溶液を濃縮することで、２，７−ジブロモ−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−（２−（２−（２−（２−（２−メトキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ）エトキシ]フェニル]−フルオレン(化合物Ｃ)（４．５ｇ）を得た。

[参考例１２]
重合体Ｇの合成
不活性雰囲気下、化合物Ｃ（１．０ｇ）、４−ｔ−ブチルフェニルブロミド（０．９ｍｇ）、２，２’−ビピリジン（０．３ｇ）、脱水テトラヒドロフラン（５０ｍL）を２００ｍLフラスコに入れ混合した。混合物を５５℃に昇温した後、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０．６ｇ）を添加し、５５℃で５時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶液をメタノール（２００ｍL）、１Ｎ希塩酸（２００ｍL）の混合液に滴下した。生じた沈殿物をろ過により収集した後、テトラヒドロフランに再溶解させた。メタノール（２００ｍL）、１５％アンモニア水（１００ｍL）の混合液に滴下し、生じた沈殿物をろ過により収集した。沈殿物をテトラヒドロフランに再溶解させ、メタノール（２００ｍL）、水（１００ｍL）の混合液に滴下し、生じた沈殿物をろ過により収集した。収集した沈殿物を減圧乾燥することで重合体Ｇ（３６０ｍｇ）を得た。

重合体Ｇのポリスチレン換算の数平均分子量は６．０×１０⁴であった。重合体Ｇは、式（Ｐ）で表される構造単位からなる。

［実験例１０］
重合体Ｇセシウム塩の合成
重合体Ｇ（１５０ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（１５ｍL）、及びメタノール（５ｍL）を混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（１７０ｍｇ）を水（２ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で６時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（９５）ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ｇ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｇのセシウム塩を共役高分子化合物１０と呼ぶ。共役高分子化合物１０は式（Ｑ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、１００モル％である。）。共役高分子化合物１０のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．７ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．９ｅＶであった。

[参考例１３]
１，３−ジブロモ−５−エトキシカルボニル−６−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]ベンゼンの合成
不活性雰囲気下、３，５−ジブロモサリチル酸（２０ｇ）、エタノール（１７ｍL）、濃硫酸（１．５ｍL）、トルエン（７ｍL）を混合し、１３０℃で２０時間加熱攪拌した。放冷後、反応溶液を氷水（１００ｍL）に加え、クロロホルムで分液抽出を行い、溶液を濃縮した。得られた固体を、イソプロパノールに溶解し、溶液を蒸留水に滴下した。得られた析出物をろ別することにより、固体（１８ｇ）を得た。不活性雰囲気下、得られた固体（１ｇ）、２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]−ｐ−トルエンスルホネート（１．５ｇ）、炭酸カリウム（０．７ｇ）、ＤＭＦ（１５ｍL）を混合し、１００℃で４時間加熱攪拌した。放冷後、クロロホルムを加えて分液抽出し、溶液を濃縮した。濃縮物をクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラムに通液することにより精製した。溶液を濃縮することにより、１，３−ジブロモ−５−エトキシカルボニル−６−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]ベンゼン（１．０ｇ）を得た。

［参考例１４］
重合体Ｈの合成
不活性雰囲気下、化合物Ａ（０．２ｇ）、化合物Ｂ（０．５ｇ）、１，３−ジブロモ−５−エトキシカルボニル−６−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]ベンゼン（０．１ｇ）、トリフェニルホスフィンパラジウム（３０ｍｇ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（４ｍｇ）、及びトルエン（１９ｍL）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（５ｍL）を滴下し、５時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸（６ｍｇ）を加え、１４時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１０ｍL、濃度：０．０５ｇ／ｍL）を加え、２時間撹拌した。水層を除去して有機層を蒸留水で洗浄し、濃縮して得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムからの溶出液を濃縮して乾燥させた。得られた重合体Ｈの収量は０．４４ｇであった。

重合体Ｈのポリスチレン換算の数平均分子量は３．６×１０⁴であった。重合体Ｈは、式（Ｒ）で表される構造単位からなる。

［実験例１１］
重合体Ｈセシウム塩の合成
重合体Ｈ（２００ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン（１４ｍL）、及びメタノール（７ｍL）を添加し混合した。混合溶液に、水酸化セシウム（９０ｍｇ）を水（１ｍL）に溶解させた水溶液を添加し、６５℃で１時間撹拌した。反応溶液にメタノール５ｍLを加え、さらに６５℃で４時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１９０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、重合体Ｈ内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｈのセシウム塩を共役高分子化合物１１と呼ぶ。共役高分子化合物１１は式（Ｓ）で表される構造単位からなる（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、１００モル％である。）。共役高分子化合物１１のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。

［参考例１５］
２，７−ジブロモ−９，９−ビス［３，４−ビス［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]−５−メトキシカルボニルフェニル]フルオレン (化合物Ｄ)の合成
２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（３４．１ｇ）、２，３-ジヒドロキシ安息香酸メチル（１０１．３ｇ）、及びメルカプト酢酸（１．４ｇ）を５００ｍLフラスコに入れ、窒素置換した。そこに、メタンスルホン酸（３５０ｍL）を添加し、混合物を９０℃で１９時間撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して１時間撹拌した。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄済みの該固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させ、ろ別した。得られた固体（１６．３ｇ）、２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]−ｐ−トルエンスルホネート（６０．３ｇ）、炭酸カリウム（４８．６ｇ）、及び１８−クラウン−６（２．４ｇ）をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（５００ｍL）に溶解させ、溶液をフラスコへ移して１１０℃で１５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで放冷し、氷水へ加え、１時間撹拌した。反応液に酢酸エチル（３００ｍL）を加えて分液抽出を行い、溶液を濃縮し、クロロホルム／メタノール（５０／１（体積比））の混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムに通液した溶液を濃縮することで、2,7−ジブロモ−9,9−ビス［3,4−ビス［2−［2−（2−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]−5−メトキシカルボニルフェニル]フルオレン (化合物Ｄ)（２０．５ｇ）を得た。

［参考例１６］
２，７−ビス[７−（４−メチルフェニル）−９，９−ジオクチルフルオレン−２−イル]−９，９−ビス[５−メトキシカルボニル−３，４−ビス[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン（重合体Ｉ）の合成
不活性雰囲気下、化合物Ｄ（０．７０ｇ）、２−(４，４，５，５−テトラメチル−１，２，３−ジオキサボラン−２−イル)−９，９−ジオクチルフルオレン(０．６２ｇ)、トリフェニルホスフィンパラジウム（０．０１９ｇ）、ジオキサン（４０ｍL）、水（６ｍL）及び炭酸カリウム水溶液（１．３８ｇ）を混合し、８０℃に加熱した。反応液を１時間反応させた。反応後、飽和ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水５ｍＬを添加して、３０分間撹拌した後、有機溶媒を除去した。得られた固体をアルミナカラム（展開溶媒ヘキサン：酢酸エチル＝１：１（体積比））を通して精製を行い、溶液を濃縮することで、２，７−ビス[７−（４−メチルフェニル）−９，９−ジオクチルフルオレン−２−イル]−９，９−ビス[３−エトキシカルボニル−４−[２−[２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ]エトキシ]フェニル]−フルオレン（重合体Ｉ）を６６０ｍｇ得た。

重合体Ｉのポリスチレン換算の数平均分子量は、２．０×１０^３であった。重合体Ｉは、式（Ｔ）で表される。
なお、２−(４，４，５，５−テトラメチル−１，２，３−ジオキサボラン−２−イル)−９，９−ジオクチルフルオレンは、例えば特開２００８−７４０１７号公報に記載されている方法で合成することができる。

［実験例１２］
重合体Ｉセシウム塩の合成
重合体Ｉ（２３６ｍｇ）を１００ｍLフラスコに入れ、アルゴン置換した。そこに、テトラヒドロフラン（２０ｍL）、及びメタノール（１０ｍL）を添加し、混合物を６５℃に昇温した。そこに、水酸化セシウム（２４０ｍｇ）を水（２ｍL）に溶かした水溶液を添加し、６５℃で７時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体（１９０ｍｇ）を得た。ＮＭＲスペクトルにより、エチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Ｉセシウム塩を共役高分子化合物１２と呼ぶ。共役高分子化合物１２は、式（Ｕ）で表される（「全構造単位中の、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基と式（３）で表される１種以上の基とを含む構造単位の割合」及び「全構造単位中の、式（１３）、（１５）、（１７）、（２０）で表される構造単位の割合」は、小数第二位で四捨五入して、３３．３モル％である。）。共役高分子化合物１２のＨＯＭＯの軌道エネルギーは−５．６ｅＶであり、ＬＵＭＯの軌道エネルギーは−２．８ｅＶであった。

［実施例１］
＜マルチフォトン型の有機ＥＬ素子の作製＞
ガラス基板表面に成膜されたＩＴＯ陽極（膜厚：４５ｎｍ）にＵＶオゾン処理を施した。
＜第１発光ユニットの形成＞
その後ＩＴＯ陽極上に正孔注入材料溶液をスピンコート法によって塗布し、膜厚が５０ｎｍになるように正孔注入層を成膜した。正孔注入層が成膜されたガラス基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１７０℃で１５分間加熱して正孔注入層を不溶化させ、基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。
ここで正孔注入材料溶液には、プレクストロニクス社製のPLEX CORE OC1200を用いた。

次に、発光高分子材料（サメイション（株）製「Ｌｕｍａｔｉｏｎ ＢＰ３６１」）とキシレンとを混合し、１．４重量％の発光高分子材料を含む発光層形成用組成物を得た。上記で得た正孔輸送層が形成された基板の正孔注入層の上に、発光層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚６０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、１３０℃で１５分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、第１発光層が形成された基板を得た。

＜電荷発生層の形成＞
メタノールと共役高分子化合物１とを混合し、０．５重量％の共役高分子化合物１を含む組成物を得た。この組成物を、上記で得た第１発光層の上にスピンコート法により塗布し、膜厚２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、共役高分子化合物１を含む電荷発生層が形成された基板を得た。

＜第２発光ユニットの形成＞
次に、発光高分子材料（サメイション（株）製「Ｌｕｍａｔｉｏｎ ＢＰ３６１」）とキシレンとを混合し、１．４重量％の発光高分子材料を含む発光層形成用組成物を得た。この発光層形成用組成物を、上記で得た電荷発生層の上にスピンコート法により塗布し、膜厚６０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、１３０℃で１５分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、第２発光層が形成された基板を得た。

メタノールと共役高分子化合物１とを混合し、０．５重量％の共役高分子化合物１を含む組成物を得た。この組成物を、上記で得た第２発光層の上にスピンコート法により塗布し、膜厚２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、共役高分子化合物１を含む電子注入層が形成された基板を得た。

上記で得た共役高分子化合物１を含む電子注入層が形成された基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によって電子注入層の上にＡｌを１００ｎｍ成膜し、陰極を形成させて、積層構造体１を製造した。

上記で得た積層構造体１を真空装置より取り出し、不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）で、封止ガラスと２液混合型エポキシ樹脂にて封止し、マルチフォトン型の有機ＥＬ素子１を得た。

［参考例１７］
＜シングルフォトン型の有機ＥＬ素子の作製＞
ガラス基板表面に成膜パターニングされたＩＴＯ陽極（膜厚：４５ｎｍ）にＵＶオゾン処理を施した。このＩＴＯ陽極の上に正孔注入材料溶液を塗布し、スピンコート法によって膜厚が５０ｎｍになるように正孔注入層を成膜した。正孔注入層が成膜されたガラス基板を窒素雰囲気下、１７０℃で１５分間加熱して正孔注入層を不溶化させ、基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。
ここで正孔注入材料溶液には、プレクストロニクス社製のPLEX CORE OC1200を用いた。

次に、発光高分子材料（サメイション（株）製「Ｌｕｍａｔｉｏｎ ＢＰ３６１」）とキシレンとを混合し、１．４重量％の発光高分子材料を含む発光層形成用組成物を得た。発光層形成用組成物を、上記で得た正孔輸送層の上にスピンコート法により塗布し、膜厚６０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、１３０℃で１５分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層が形成された基板を得た。

つぎにメタノールと共役高分子化合物１とを混合し、０．５重量％の共役高分子化合物１を含む組成物を得た。この組成物を、上記で得た発光層の上にスピンコート法により塗布し、膜厚２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、共役高分子化合物１を含む電子注入層が形成された基板を得た。

上記で得た共役高分子化合物１を含む電子注入層が形成された基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によって該層の上にＡｌを１００ｎｍ成膜し、陰極を形成させて、積層構造体２を製造した。

上記で得た積層構造体２を真空装置より取り出し、窒素雰囲気下で、封止ガラスと２液混合型エポキシ樹脂にて封止し、シングルフォトン型の有機ＥＬ素子２を得た。

［測定］
上記で得られた有機ＥＬ素子１、２に順方向電圧を印加し、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２のときの発光輝度と発光効率を測定した。結果を表１に示す。

表１から明らかなように、マルチフォトン型の有機ＥＬ素子は、シングルフォトン型の有機ＥＬ素子に比べ、発光効率および発光輝度が優れていることから、イオン性ポリマーを含む層が電荷発生層として機能することを確認した。

１０ 有機ＥＬ素子
２２ 第１の基材
２４ 第２の基材
３２ 陽極
３４ 陰極
４２ａ 正孔注入層
４２ｂ 正孔輸送層
４４ 電子注入層
５０ 発光層
７０ 電荷発生層
７２ 電子発生層
７４ 正孔発生層
８０ 発光ユニット

Claims (4)

1. 陽極および陰極からなる一対の電極と、
   該電極間に設けられる複数の発光層と、
   互いに隣り合う発光層の間に設けられる電荷発生層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   該電荷発生層は、電子および正孔のうちの少なくとも一方を発生するイオン性ポリマーを含有しており、該イオン性ポリマーは下記式（１）で表される基、下記式（２）で表される基、及び下記式（３）で表される基のうちの少なくとも１種を含む構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％有する重合体である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
   式（１）：−（Ｑ ¹ ） _n1 −Ｙ ¹ (Ｍ ¹ ) _a1 (Ｚ ¹ ) _b1 （１）
   （前記式（１）中、Ｑ ¹ は２価の有機基を表し、Ｙ ¹ は、−ＣＯ ₂ ^- 、−ＳＯ ₃ ^- 、−ＳＯ ₂ ^- 又は−ＰＯ ₃ ^2- を表し、Ｍ ¹ は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、Ｚ ¹ はＦ ^- 、Ｃｌ ^- 、Ｂｒ ^- 、Ｉ ^- 、ＯＨ ^- 、Ｒ ^a ＳＯ ₃ ^- 、Ｒ ^a ＣＯＯ ^- 、ＣｌＯ ^- 、ＣｌＯ ₂ ^- 、ＣｌＯ ₃ ^- 、ＣｌＯ ₄ ^- 、ＳＣＮ ^- 、ＣＮ ^- 、ＮＯ ₃ ^- 、ＳＯ ₄ ^2- 、ＨＳＯ ₄ ^- 、ＰＯ ₄ ^3- 、ＨＰＯ ₄ ^2- 、Ｈ ₂ ＰＯ ₄ ^- 、ＢＦ ₄ ^- 又はＰＦ ₆ ^- を表し、ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１以上の整数を表し、ｂ１は０以上の整数を表し、ただし、ａ１及びｂ１は、式（１）で表される基の電荷が０となるように選択され、Ｒ ^a は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｑ ¹ 、Ｍ ^１ 及びＺ ^１ のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
   式（２）：−（Ｑ ² ） _n2 −Ｙ ² (Ｍ ² ) _a2 (Ｚ ² ) _b2 （２）
   （前記式（２）中、Ｑ ² は２価の有機基を表し、Ｙ ² はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン又はスルホニルカチオン又はヨードニウムカチオンを表し、Ｍ ² はＦ ^- 、Ｃｌ ^- 、Ｂｒ ^- 、Ｉ ^- 、ＯＨ ^- 、Ｒ ^b ＳＯ ₃ ^- 、Ｒ ^b ＣＯＯ ^- 、ＣｌＯ ^- 、ＣｌＯ ₂ ^- 、ＣｌＯ ₃ ^- 、ＣｌＯ ₄ ^- 、ＳＣＮ ^- 、ＣＮ ^- 、ＮＯ ₃ ^- 、ＳＯ ₄ ^2- 、ＨＳＯ ₄ ^- 、ＰＯ ₄ ^3- 、ＨＰＯ ₄ ^2- 、Ｈ ₂ ＰＯ ₄ ^- 、ＢＦ ₄ ^- 又はＰＦ ₆ ^- を表し、Ｚ ² は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、ｎ２は０以上の整数を表し、ａ２は１以上の整数を表し、ｂ２は０以上の整数を表し、ただし、ａ２及びｂ２は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択され、Ｒ ^b は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｑ ² 、Ｍ ² 及びＺ ² のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
   式（３）：−（Ｑ ^３ ） _n3 −Ｙ ³ （３）
   （前記式（３）中、Ｑ ^３ は２価の有機基を表し、Ｙ ³ は−ＣＮ又は下記式（４）〜（１２）のいずれかで表される基を表し、ｎ３は０以上の整数を表す。
   式（４）：−Ｏ−（Ｒ’Ｏ） _a3 −Ｒ’’ （４）
   式（５）：
   

   

   式（６）：−Ｓ−（Ｒ’Ｓ） _a4 −Ｒ’’ （６）
   式（７）：−Ｃ（＝Ｏ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ）） _a4 −Ｒ’’ （７）
   式（８）：−Ｃ（＝Ｓ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｓ）） _a4 −Ｒ’’ （８）
   式（９）：−Ｎ｛（Ｒ’） _a4 Ｒ’’｝ ₂ （９）
   式（１０）：−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ） _a4 −Ｒ’’ （１０）
   式（１１）：−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’Ｏ） _a4 −Ｒ’’ （１１）
   式（１２）：−ＮＨＣ（＝Ｏ）−（Ｒ’ＮＨＣ（＝Ｏ）） _a4 −Ｒ’’ （１２）
   （式（４）〜（１２）中、Ｒ’は置換基を有し又は有さない２価の炭化水素基を表し、Ｒ’’は水素原子、置換基を有し若しくは有さない１価の炭化水素基、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ ₃ Ｈ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＲ ^c ₂ 、−ＣＮ又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ ^c ₂ を表し、Ｒ’’’は置換基を有し若しくは有さない３価の炭化水素基を表し、ａ３は１以上の整数を表し、ａ４は０以上の整数を表し、Ｒ ^c は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。））
2. 前記電荷発生層は、単一の層からなり、前記イオン性ポリマーが前記式（１）で表される基及び前記式（２）で表される基からなる群から選ばれる１種以上の基を含む構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％有する重合体である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記複数の発光層のうちで最も前記陰極寄りに配置される発光層と前記陰極との間に設けられる電子注入層をさらに備え、
   該電子注入層は、イオン性ポリマーを含有しており、該イオン性ポリマーは下記式（１３）で表される構造単位、下記式（１５）で表される構造単位、下記式（１７）で表される構造単位及び下記式（２０）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％含む重合体である、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   （式（１３）中、Ｒ ^１ は式（１４）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ ¹ はＲ ¹ 以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ４）価の芳香族基を表し、ｎ４は１以上の整数を表し、Ｒ ¹ は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。
   

   

   （式（１４）中、Ｒ ² は（１＋ｍ１＋ｍ２）価の有機基を表し、Ｑ ¹ 、Ｑ ³ 、Ｙ ^１ 、Ｍ ¹ 、Ｚ ¹ 、Ｙ ^３ 、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｑ ¹ 、Ｑ ³ 、Ｙ ^１ 、Ｍ ¹ 、Ｚ ¹ 、Ｙ ^３ 、ｎ１、ａ１、ｂ１及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）)
   

   

   （式（１５）中、Ｒ ³ は式（１６）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ ² はＲ ³ 以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ５）価の芳香族基を表し、ｎ５は１以上の整数を表し、Ｒ ³ は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。
   

   

   （式（１６）中、Ｒ ⁴ は（１＋ｍ３＋ｍ４）価の有機基を表し、Ｑ ² 、Ｑ ³ 、Ｙ ² 、Ｍ ² 、Ｚ ² 、Ｙ ^３ 、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ３及びｍ４はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。Ｑ ² 、Ｑ ³ 、Ｙ ² 、Ｍ ² 、Ｚ ² 、Ｙ ^３ 、ｎ２、ａ２、ｂ２及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）)
   

   

   （式（１７）中、Ｒ ⁵ は式（１８）で表される基を含む１価の基であり、Ｒ ⁶ は式（１９）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ ³ はＲ ⁵ 及びＲ ⁶ 以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ６＋ｎ７）価の芳香族基を表し、ｎ６及びｎ７はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ ⁵ 及びＲ ⁶ のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。
   式（１８）：−Ｒ ⁷ −｛（Ｑ ¹ ） _n１ −Ｙ ¹ (Ｍ ¹ ) _a1 (Ｚ ¹ ) _b1 ｝ _m５ （１８）
   （式（１８）中、Ｒ ⁷ は直接結合又は（１＋ｍ５）価の有機基を表し、Ｑ ¹ 、Ｙ ^１ 、Ｍ ¹ 、Ｚ ¹ 、ｎ１、ａ１及びｂ１は前述と同じ意味を表し、ｍ５は１以上の整数を表し、Ｑ ¹ 、Ｙ ^１ 、Ｍ ¹ 、Ｚ ¹ 、ｎ１、ａ１及びｂ１のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
   式（１９）：−Ｒ ⁸ −｛（Ｑ ^３ ） _n3 −Ｙ ³ ｝ _m6 （１９）
   （式（１９）中、Ｒ ⁸ は単結合又は（１＋ｍ６）価の有機基を表し、Ｙ ³ 及びｎ３は前述と同じ意味を表し、ｍ６は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ ⁸ が単結合のときｍ６は１を表し、Ｑ ^３ 、Ｙ ³ 及びｎ３のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。））
   

   

   （式（２０）中、Ｒ ⁹ は式（２１）で表される基を含む１価の基であり、Ｒ ¹⁰ は式（２２）で表される基を含む１価の基であり、Ａｒ ⁴ はＲ ⁹ 及びＲ ¹⁰ 以外の置換基を有し又は有さない（２＋ｎ８＋ｎ９）価の芳香族基を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｒ ⁹ 及びＲ ¹⁰ のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。
   式（２１）：−Ｒ ¹¹ −｛（Ｑ ² ） _n2 −Ｙ ² (Ｍ ² ) _a2 (Ｚ ² ) _b2 ｝ _m7 （２１）
   （式（２１）中、Ｒ ¹¹ は単結合又は（１＋ｍ７）価の有機基を表し、Ｑ ² 、Ｙ ² 、Ｍ ² 、Ｚ ² 、ｎ２、ａ２及びｂ２は前述と同じ意味を表し、ｍ７は１以上の整数を表し、ただし、Ｒ ¹¹ が単結合のときｍ７は１を表し、Ｑ ² 、Ｙ ² 、Ｍ ² 、Ｚ ² 、ｎ２、ａ２及びｂ２のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
4. 陽極および陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられる複数の発光層と、互いに隣り合う発光層の間に設けられる電荷発生層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
   イオン性ポリマーを含有する塗工液を用いる塗布法により電荷発生層を形成する電荷発生層形成工程を含み、
   前記イオン性ポリマーは下記式（１）で表される基、下記式（２）で表される基、及び下記式（３）で表される基のうちの少なくとも１種を含む構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％有する重合体である、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
   式（１）：−（Ｑ ¹ ） _n1 −Ｙ ¹ (Ｍ ¹ ) _a1 (Ｚ ¹ ) _b1 （１）
   （前記式（１）中、Ｑ ¹ は２価の有機基を表し、Ｙ ¹ は、−ＣＯ ₂ ^- 、−ＳＯ ₃ ^- 、−ＳＯ ₂ ^- 又は−ＰＯ ₃ ^2- を表し、Ｍ ¹ は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、Ｚ ¹ はＦ ^- 、Ｃｌ ^- 、Ｂｒ ^- 、Ｉ ^- 、ＯＨ ^- 、Ｒ ^a ＳＯ ₃ ^- 、Ｒ ^a ＣＯＯ ^- 、ＣｌＯ ^- 、ＣｌＯ ₂ ^- 、ＣｌＯ ₃ ^- 、ＣｌＯ ₄ ^- 、ＳＣＮ ^- 、ＣＮ ^- 、ＮＯ ₃ ^- 、ＳＯ ₄ ^2- 、ＨＳＯ ₄ ^- 、ＰＯ ₄ ^3- 、ＨＰＯ ₄ ^2- 、Ｈ ₂ ＰＯ ₄ ^- 、ＢＦ ₄ ^- 又はＰＦ ₆ ^- を表し、ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１以上の整数を表し、ｂ１は０以上の整数を表し、ただし、ａ１及びｂ１は、式（１）で表される基の電荷が０となるように選択され、Ｒ ^a は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｑ ¹ 、Ｍ ^１ 及びＺ ^１ のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
   式（２）：−（Ｑ ² ） _n2 −Ｙ ² (Ｍ ² ) _a2 (Ｚ ² ) _b2 （２）
   （前記式（２）中、Ｑ ² は２価の有機基を表し、Ｙ ² はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン又はスルホニルカチオン又はヨードニウムカチオンを表し、Ｍ ² はＦ ^- 、Ｃｌ ^- 、Ｂｒ ^- 、Ｉ ^- 、ＯＨ ^- 、Ｒ ^b ＳＯ ₃ ^- 、Ｒ ^b ＣＯＯ ^- 、ＣｌＯ ^- 、ＣｌＯ ₂ ^- 、ＣｌＯ ₃ ^- 、ＣｌＯ ₄ ^- 、ＳＣＮ ^- 、ＣＮ ^- 、ＮＯ ₃ ^- 、ＳＯ ₄ ^2- 、ＨＳＯ ₄ ^- 、ＰＯ ₄ ^3- 、ＨＰＯ ₄ ^2- 、Ｈ ₂ ＰＯ ₄ ^- 、ＢＦ ₄ ^- 又はＰＦ ₆ ^- を表し、Ｚ ² は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、ｎ２は０以上の整数を表し、ａ２は１以上の整数を表し、ｂ２は０以上の整数を表し、ただし、ａ２及びｂ２は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択され、Ｒ ^b は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｑ ² 、Ｍ ² 及びＺ ² のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
   式（３）：−（Ｑ ^３ ） _n3 −Ｙ ³ （３）
   （前記式（３）中、Ｑ ^３ は２価の有機基を表し、Ｙ ³ は下記式（４）〜（８）及び式（１０）〜（１２）のいずれかで表される基を表し、ｎ３は０以上の整数を表す。
   式（４）：−Ｏ−（Ｒ’Ｏ） _a3 −Ｒ’’ （４）
   式（５）：
   

   

   式（６）：−Ｓ−（Ｒ’Ｓ） _a4 −Ｒ’’ （６）
   式（７）：−Ｃ（＝Ｏ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ）） _a4 −Ｒ’’ （７）
   式（８）：−Ｃ（＝Ｓ）−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｓ）） _a4 −Ｒ’’ （８）
   式（１０）：−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ） _a4 −Ｒ’’ （１０）
   式（１１）：−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（Ｒ’Ｏ） _a4 −Ｒ’’ （１１）
   式（１２）：−ＮＨＣ（＝Ｏ）−（Ｒ’ＮＨＣ（＝Ｏ）） _a4 −Ｒ’’ （１２）
   （式（４）〜（１２）中、Ｒ’は置換基を有し又は有さない２価の炭化水素基を表し、Ｒ’’は水素原子、置換基を有し若しくは有さない１価の炭化水素基、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ ₃ Ｈ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＲ ^c ₂ 、−ＣＮ又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ ^c ₂ を表し、Ｒ’’’は置換基を有し若しくは有さない３価の炭化水素基を表し、ａ３は２以上の整数を表し、式（４）〜（５）及び式（８）中のａ４は０以上の整数を表し、式（６）中のａ４は１以上の整数を表し、式（７）及び式（１０）〜（１２）中のａ４は１以上の整数を表し、Ｒ ^c は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。））

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