JP5651636B2 - パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスに関する。より詳細には、本発明は、ＩＣ等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程に好適なパターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスに関する。特には、本発明は、波長が３００ｎｍ以下の遠紫外線光を光源とするＡｒＦ露光装置及びＡｒＦ液浸式投影露光装置ならびにＥＵＶ露光装置での露光に好適なパターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスに関する。

ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）用レジストが開発されて以降、レジスト組成物の光吸収による感度低下を補うべく、化学増幅を利用したパターン形成方法が用いられている。例えば、ポジ型の化学増幅法では、まず、露光部に含まれる光酸発生剤が、光照射により分解して酸を発生する。そして、露光後のベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）過程等において、発生した酸の触媒作用により、レジスト組成物に含まれるアルカリ不溶性の基をアルカリ可溶性の基に変化させる。その後、例えばアルカリ溶液を用いて、現像を行う。これにより、露光部を除去して、所望のパターンを得る。
上記方法において、アルカリ現像液としては、種々のものが提案されている。例えば、このアルカリ現像液として、２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）の水系アルカリ現像液が汎用的に用いられている。
上記ポジ型の化学増幅法において解像性、ドライエッチング耐性、パターン形成性能の向上等の観点から、ポリマー主鎖に対して、スペーサーとしての多環式炭化水素基を介して、酸により分解される基を設けることが試みられている（例えば、特許文献１〜５）。
また、ポジ型の化学増幅法において、露光ラチチュードを向上し、ラインエッジラフネスを抑制する観点から、特定のスルホニルイミド構造又はスルホニルメチド構造を有する光酸発生剤を用いることが知られている（特許文献６）

半導体素子の微細化のために、露光光源の短波長化及び投影レンズの高開口数（高ＮＡ）化が進み、現在では、１９３ｎｍの波長を有するＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。解像力を更に高める技術として、投影レンズと試料との間に高屈折率の液体（以下、「液浸液」ともいう）を満たす方法（即ち、液浸法）が提唱されている。また、更に短い波長（１３．５ｎｍ）の紫外光で露光を行なうＥＵＶリソグラフィも提唱されている。

しかしながら、総合的に優れた性能を有したパターンを形成するために必要なレジスト組成物、現像液及びリンス液等の適切な組み合わせを見出すことは、極めて困難であるのが実情である。

近年では、有機溶剤を含んだ現像液を用いたパターン形成方法も開発されつつある（例えば、特許文献７、８参照）。例えば、特許文献７には、基板上に、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤現像液に対する溶解度が減少するレジスト組成物を塗布する工程、露光工程、及び有機溶剤現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法が開示されている。この方法によると、高精度な微細パターンを安定的に形成することが可能となる。

しかしながら、上記のパターン形成方法に対して、ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び露光ラチチュードの向上や、現像時間依存性（現像時間の変動に伴うパターン寸法の変化の程度）や現像時の膜べりの抑制について、更なる改善が求められている。

特許第３３９０７０２号公報 特開２００８−５８５３８号公報 特開２０１０−２５４６３９号公報 特開２０１０−２５６８７３号公報 特開２０００−１２２２９５号公報 特開２０１１−３７８２５号公報 特開２００８−２９２９７５号公報 特開２０１０−１９７６１９号公報

本発明の目的は、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供することにある。

本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記課題が解決される。
〔１〕
（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。Ｌはフッ素原子を有さない。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔２〕
（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法であって、前記樹脂（Ｐ）が、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有し、前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかであるパターン形成方法。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
〔３〕
（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔４〕
（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。

Ａは炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔５〕
前記一般式（Ｉ）において、Ｒｂがシアノ基を表す、〔４〕に記載のパターン形成方法。
〔６〕
（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法であって、前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が６個以下であるパターン形成方法。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔７〕
前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が４個以下である〔６〕に記載のパターン形成方法。
〔８〕
上記一般式（Ｉ）において、Ｌがフッ素原子を有さず、かつ、ｐ１が１を表す、〔２〕〜〔７〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔９〕
前記樹脂（Ｐ）が、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する、〔１〕及び〔３〕〜〔７〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１０〕
前記カルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである、〔９〕に記載のパターン形成方法。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
〔１１〕
前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、〔２〕、〔９〕及び〔１０〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１２〕
前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上６５モル％以下である、〔１１〕に記載のパターン形成方法。
〔１３〕
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、〔１〕、〔２〕、〔４〕〜〔７〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１４〕
前記化合物（Ｂ）が、下記一般式（ＩＩ）で表されるイオン性化合物である、〔１〕〜〔１３〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。

一般式（ＩＩ）中、Ａ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２は、それぞれ、上記一般式（Ｉ）におけるＡ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２と同義である。
Ｍ^＋は、有機対イオンを表す。
〔１５〕
上記一般式（ＩＩ）において、Ｍ^＋が、スルホニウムカチオン、又は、ヨードニウムカチオンである、〔１４〕に記載のパターン形成方法。
〔１６〕
上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中のｎ個の［（Ｒａ）_ｐ２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基の各々において、（ｉ）ｐ２が１を表し、かつ、Ｌが、単結合又は下記式（Ｌ１）〜（Ｌ６）のいずれかで表される２価の基を表すか、又は、（ｉｉ）ｐ２が２を表し、かつ、Ｌが下記式（Ｌ７）〜（Ｌ９）のいずれかで表される３価の式を表す、〔１〕〜〔１５〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。

上記式において、＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＲａに結合する結合手を表し、＊＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における−（ＣＦ_２）_ｐ１−に結合する結合手を表す。
〔１７〕
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、〔１〕〜〔１６〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１８〕
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する、〔１〕〜〔１７〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１９〕
更に、（エ）有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、〔１〕〜〔１８〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔２０〕
前記工程（イ）における露光が液浸露光である、〔１〕〜〔１９〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔２１〕
酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ−１）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ’）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは、単結合、又は、フッ素原子を有さない（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔２２〕
酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ
原子を有していてもよい。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
〔２３〕
酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔２４〕
前記一般式（Ｉ）において、Ｒｂがシアノ基を表す、〔２３〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔２５〕
酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が６個以下である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔２６〕
前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が４個以下である〔２５〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔２７〕
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである、〔２３〕〜〔２６〕のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
〔２８〕
前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上６５モル％以下である、〔２２〕〜〔２７〕のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔２９〕
酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔３０〕
〔２１〕〜〔２９〕のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
〔３１〕
〔１〕〜〔２０〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
本発明は、上記〔１〕〜〔３１〕に関するものであるが、以下、その他の事項についても記載した。

〔１〕
（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔２〕
前記化合物（Ｂ）が、下記一般式（ＩＩ）で表されるイオン性化合物である、上記〔１〕に記載のパターン形成方法。

一般式（ＩＩ）中、Ａ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２は、それぞれ、上記一般式（Ｉ）におけるＡ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２と同義である。
Ｍ^＋は、有機対イオンを表す。
〔３〕
上記一般式（ＩＩ）において、Ｍ^＋が、スルホニウムカチオン、又は、ヨードニウムカチオンである、上記〔２〕に記載のパターン形成方法。
〔４〕
上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中のｎ個の［（Ｒａ）_ｐ２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基の各々において、（ｉ）ｐ２が１を表し、かつ、Ｌが、単結合又は下記式（Ｌ１）〜（Ｌ６）のいずれかで表される２価の基を表すか、又は、（ｉｉ）ｐ２が２を表し、かつ、Ｌが下記式（Ｌ７）〜（Ｌ９）のいずれかで表される３価の式を表す、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。

上記式において、＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＲａに結合する結合手を表し、＊＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における−（ＣＦ_２）_ｐ１−に結合する結合手を表す。
〔５〕
上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）において、Ｌがフッ素原子を有さず、かつ、ｐ１が１を表す、上記〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔６〕
前記樹脂（Ｐ）が、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する、上記〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔７〕
前記カルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである、上記〔６〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
〔８〕
前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、上記〔６〕又は〔７〕に記載のパターン形成方法。
〔９〕
前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上６５モル％以下である、上記〔８〕に記載のパターン形成方法。
〔１０〕
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、上記〔１〕〜〔９〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１１〕
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、上記〔１〕〜〔１０〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１２〕
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する、上記〔１〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１３〕
更に、（エ）有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、上記〔１〕〜〔１２〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１４〕
前記工程（イ）における露光が液浸露光である、上記〔１〕〜〔１３〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
〔１５〕
酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ−１）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ’）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは、単結合、又は、フッ素原子を有さない（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔１６〕
酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜4の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔１７〕
前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上６５モル％以下である、上記〔１６〕の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔１８〕
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである、上記〔１６〕又は〔１７〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
〔１９〕
酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜4の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
〔２０〕
上記〔１５〕〜〔１９〕のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
〔２１〕
上記〔１〕〜〔１４〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔２２〕
上記〔２１〕に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。

本発明によれば、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供することができる。

酸発生剤ＰＡＧ-１の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図である。 酸発生剤ＰＡＧ-１の^１９Ｆ−ＮＭＲチャートを示す図である。 酸発生剤ＰＡＧ-１４の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図である。 酸発生剤ＰＡＧ-１４の^１９Ｆ−ＮＭＲチャートを示す図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換及び無置換を記していない基（原子団）の表記は、置換基を有さない基（原子団）のみならず、置換基を有する基（原子団）をも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線（ＥＢ）等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。
また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。

本発明のパターン形成方法は、
（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。 Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。

活性光線又は放射線の照射により一般式（Ｉ）で表される酸を発生する酸発生剤を用いる本発明のパターン形成方法が、有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できる理由は定かではないが以下のように推定される。

有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う場合、特に、レジスト膜中の低分子成分の親水性／疎水性が、現像速度、及び、現像後におけるパターン部の膜厚に大きく影響し、該低分子成分が疎水的である場合、膜べり等の問題を引き起こしやすい。
しかしながら、本発明における上記酸発生剤は、イミド基又はメチド基に、スルホニル基が直結するとともに、このスルホニル基には、フッ素化アルキレン基が結合している。このような構造を有する酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により、（特に、レジスト組成物用として、一般的に用いられるパーフルオロアルカンスルホン酸と比較して）強い酸を発生するものであり、これにより、上記樹脂（Ｐ）の酸の作用により極性が増大する反応を高効率で行うことができる。これにより、露光部の有機溶剤を含む現像液に対する溶解度を確実に低下させることができるので、パターン部の膜べり、及び、現像時間依存性の上昇を抑制できる。

一方、分子中においてフッ素原子の含有割合が高い酸発生剤は、レジスト膜中での分散性が低い傾向にあるため、レジスト膜中において、樹脂と酸発生剤との相分離や、酸発生剤の偏在が起こりやすい。これにより、現像時において、レジスト膜の現像液に対する溶解性が不均一なものとなりやすくラフネス性能を悪化させてしまう傾向となる。
しかしながら、本発明における酸発生剤は、分子中に含まれるフッ素原子の割合を低減可能な構造を有しており、これにより、レジスト膜中の上記した相分離、上記した偏在が抑えられ、ラフネス性能が向上するものと考えられる。
更に、前記一般式（Ｉ）で表される酸は、ＡｒＦ露光用レジスト組成物の露光部において一般的に発生するスルホン酸と比較して、酸基の周囲に複数のスルホニル基が結合した構造を有しており、立体的な嵩高さが増している。これにより、レジスト膜の露光部において発生する酸の体積が増大し、酸が未露光部へ拡散しすぎることが抑止され、その結果、露光ラチチュードが向上するものと考えられる。特に、Ｒａを、シクロアルキル基やアリール基等の環状基とすることにより、露光部において発生する酸の体積をより増大させるように制御でき、露光ラチチュードをより確実に向上させることが可能となる。
また、上記のように、一般式（Ｉ）で表される酸は、酸の強度が高い。これにより、露光部における樹脂（Ｐ）の「酸の作用により極性が増大する反応」が確実に促進されるため、露光部と未露光部との現像液に対する溶解コントラストは非常に大きいものとなる。これにより、局所的なパターン寸法の均一性が向上するものと考えられる。

本発明のパターン形成方法は、更に、（エ）有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含んでいてもよい。

リンス液は、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液であることが好ましい。

本発明のパターン形成方法は、（イ）露光工程の後に、（オ）加熱工程を有することが好ましい。

また、樹脂（Ｐ）は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂でもある。よって、本発明のパターン形成方法は、（カ）アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。

本発明のパターン形成方法は、（イ）露光工程を、複数回有することができる。

本発明のパターン形成方法は、（オ）加熱工程を、複数回有することができる。

本発明のレジスト膜は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成される膜であり、例えば、基材に、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布することにより形成される膜である。

以下、本発明で使用し得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物について説明する。
また、本発明は以下に説明する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関するものでもある。
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、ネガ型の現像（露光されると現像液に対して溶解性が減少し、露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像）に用いられる。即ち、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、有機溶剤を含む現像液を用いた現像に用いられる有機溶剤現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物とすることができる。ここで、有機溶剤現像用とは、少なくとも、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、典型的にはレジスト組成物であり、ネガ型のレジスト組成物（即ち、有機溶剤現像用のレジスト組成物）であることが、特に高い効果を得ることができることから好ましい。また本発明に係る組成物は、典型的には化学増幅型のレジスト組成物である。

［１］酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる、酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂としては、例えば、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、極性基を生じる基（以下、「酸分解性基」ともいう）を有する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」又は「樹脂（Ｐ）」ともいう）を挙げることができる。
樹脂（Ｐ）は、酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。

極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で難溶化又は不溶化する基であれば特に限定されないが、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性基（従来レジストの現像液として用いられている、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基）、又はアルコール性水酸基等が挙げられる。

なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）以外の水酸基をいい、水酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール（例えば、フッ素化アルコール基（ヘキサフルオロイソプロパノール基など））は除くものとする。アルコール性水酸基としては、ｐＫａが１２以上且つ２０以下の水酸基であることが好ましい。
酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。

酸で脱離する基としては、例えば、−Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（Ｒ_３８）、−Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３９）、−Ｃ（Ｒ_０１）（Ｒ_０２）（ＯＲ_３９）等を挙げることができる。
上記一般式中、Ｒ_３６〜Ｒ_３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ_３６とＲ_３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ_０１及びＲ_０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアルキル基は、炭素数１〜８のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも１つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアリール基は、炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。
Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアラルキル基は、炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアルケニル基は、炭素数２〜８のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。
Ｒ_３６とＲ_３７とが結合して形成される環としては、シクロアルキル基（単環若しくは多環）であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数５又は６の単環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数５の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。

樹脂（Ｐ）は、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有することが好ましい。

本発明の効果がより優れたものになるという観点から、繰り返し単位（ａ１）は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかであることが好ましい。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ_０のアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。
Ｒ_０のアルキル基は、炭素数１〜４のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基等が挙げられるが、メチル基であることが好ましい。
Ｒ_０は、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状（直鎖若しくは分岐）アルキル基を表す。ここで、Ｒ_１〜Ｒ_３の内の２つ以上が結合して、環を形成することはない。
Ｒ_１〜Ｒ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などの炭素数１〜４のものが好ましい。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。
上記各基は、更に、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基（炭素数１〜４）、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（炭素数２〜６）などが挙げられ、炭素数８以下が好ましい。

以下、前記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

また、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位は、以下の一般式（ＩＩＩ−１）、（ＩＩＩ−２）、（ＩＩＩ−３）及び（ＩＩＩ−４）のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましい。下記具体例中、Ｘａ_１は、水素原子、ＣＨ_３、ＣＦ_３、又はＣＨ_２ＯＨを表す。

上記一般式（ＩＶ）中、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。Ｚは、多環を構成する原子団として、エステル結合は含有しないことが好ましい（換言すれば、Ｚは、多環を構成している環として、ラクトン環を含有しないことが好ましい）。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。

Ｘａのアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。
Ｘａのアルキル基は、炭素数１〜４のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基等が挙げられるが、メチル基であることが好ましい。
Ｘａは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。

Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３のアルキル基は、鎖状であっても、分岐状であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などの炭素数１〜４のものが好ましい。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが結合して形成される環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などの単環の炭化水素環、ノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、アダマンタン環などの多環の炭化水素環が好ましい。炭素数５〜６の単環の炭化水素環が特に好ましい。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基であることが好ましく、炭素数１〜４の鎖状又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。また、Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３としての鎖状又は分岐状のアルキル基の炭素数の合計は、５以下であることが好ましい。

Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、更に、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１〜４）、シクロアルキル基（炭素数３〜８）、ハロゲン原子、アルコキシ基（炭素数１〜４）、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（炭素数２〜６）などが挙げられ、炭素数８以下が好ましい。なかでも、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストをより向上させる観点から、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有さない置換基であることがより好ましく（例えば、水酸基で置換されたアルキル基などではないことがより好ましく）、水素原子及び炭素原子のみからなる基であることが更に好ましく、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが特に好ましい。

Ｚの多環式炭化水素構造を有する連結基としては環集合炭化水素環基、架橋環式炭化水素環基が含まれ、それぞれ、環集合炭化水素環から（ｐ＋１）個の任意の水素原子を除してなる基、及び、架橋環式炭化水素環から（ｐ＋１）個の任意の水素原子を除してなる基を挙げることができる。
環集合炭化水素環基の例としては、ビシクロヘキサン環基、パーヒドロナフタレン環基などが含まれる。架橋環式炭化水素環基として、例えば、ピナン環基、ボルナン環基、ノルピナン環基、ノルボルナン環基、ビシクロオクタン環基（ビシクロ［２．２．２］オクタン環基、ビシクロ［３．２．１］オクタン環基等）などの２環式炭化水素環基及び、ホモブレダン環基、アダマンタン環基、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン環基、トリシクロ［４．３．１．１^２，５］ウンデカン環基などの３環式炭化水素環基、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカン環基、パーヒドロ−１，４−メタノ−５，８−メタノナフタレン環基などの４環式炭化水素環基などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環基には、縮合環式炭化水素環基、例えば、パーヒドロナフタレン（デカリン）環基、パーヒドロアントラセン環基、パーヒドロフェナントレン環基、パーヒドロアセナフテン環基、パーヒドロフルオレン環基、パーヒドロインデン環基、パーヒドロフェナレン環基などの５〜８員シクロアルカン環基が複数個縮合した縮合環基も含まれる。
好ましい架橋環式炭化水素環基として、ノルボルナン環基、アダマンタン環基、ビシクロオクタン環基、トリシクロ［５、２、１、０^２，６］デカン環基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環基としてノルボナン環基、アダマンタン環基が挙げられる。

Ｚで表される多環式炭化水素構造を有する連結基は置換基を有していてもよい。Ｚが有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、ケト基（アルキルカルボニル基等）、アシルオキシ基、―ＣＯＯＲ、―ＣＯＮ（Ｒ）_２、―ＳＯ_２Ｒ、−ＳＯ_３Ｒ、―ＳＯ_２Ｎ（Ｒ）_２等の置換基が挙げられる。ここでＲは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Ｚが有していてもよい置換基としてのアルキル基、アルキルカルボニル基、アシルオキシ基、―ＣＯＯＲ、―ＣＯＮ（Ｒ）_２、―ＳＯ_２Ｒ、−ＳＯ_３Ｒ、―ＳＯ_２Ｎ（Ｒ）_２は、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。

Ｚで表される多環式炭化水素構造を有する連結基において、多環を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）は、カルボニル炭素であっても良い。また、該多環は、上記したように、環員として、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有していてもよい。ただし、上記したように、Ｚは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有しない。

Ｌ_４及びＬ_５で表される連結基としては、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜１０）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２〜６）又はこれらの複数が組合された連結基などが挙げられ、総炭素数１２以下の連結基が好ましい。
Ｌ_４は、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−アルキレン基−ＣＯＯ−、−アルキレン基−ＯＣＯ−、−アルキレン基−ＣＯＮＨ−、−アルキレン基−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−アルキレン基−Ｏ−が好ましく、単結合、アルキレン基、−アルキレン基−ＣＯＯ−、又は、−アルキレン基−Ｏ−がより好ましい。
Ｌ_２は、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＯ−アルキレン基−、−ＯＣＯ−アルキレン基−、−ＣＯＮＨ−アルキレン基−、−ＮＨＣＯ−アルキレン基−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−アルキレン基−、−Ｏ−シクロアルキレン基−が好ましく、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−アルキレン基−、−Ｏ−アルキレン基−、又は、−Ｏ−シクロアルキレン基−がより好ましい。

上記の記載方法において、左端の結合手“−”は、Ｌ_４においては主鎖側のエステル結合に、Ｌ_５においてはＺに接続することを意味し、右端の結合手“−”は、Ｌ_４においてはＺに、Ｌ_５においては（Ｒｙ_１）（Ｒｙ_２）（Ｒｙ_３）Ｃ−で表される基に接続するエステル結合に結合することを意味する。

なお、Ｌ_４及びＬ_５は、Ｚにおける多環を構成する同一の原子に結合してもよい。

ｐは１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。

以下に一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例において、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。

樹脂（Ｐ）は、繰り返し単位（ａ１）として、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有していてもよい。

一般式（ＡＩ）に於いて、
Ｘａ_１は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−ＣＨ_２−Ｒ_９で表わされる基を表す。Ｒ_９は、水酸基又は１価の有機基を表し、１価の有機基としては、例えば、炭素数５以下のアルキル基、炭素数５以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数３以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Ｘａ_１は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Ｔは、単結合、又は、“環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造”を有さない２価の連結基を表す。
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖若しくは分岐）又はシクロアルキル基（単環若しくは多環）を表す。
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の２つが結合して、シクロアルキル基（単環若しくは多環）を形成してもよい。
ただし、Ｔが単結合を表す場合、Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の全てが、アルキル基を表すとともに、Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の２つが結合しない場合は除く。

Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、−ＣＯＯ−Ｒｔ−基、−Ｏ−Ｒｔ−基、フェニレン基等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Ｔは、単結合又は−ＣＯＯ−Ｒｔ−基が好ましい。Ｒｔは、炭素数１〜５のアルキレン基が好ましく、−ＣＨ_２−基、−（ＣＨ_２）_２−基、−（ＣＨ_２）_３−基がより好ましい。
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などの炭素数１〜４のものが好ましい。
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数５〜６の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１〜４）、シクロアルキル基（炭素数３〜８）、ハロゲン原子、アルコキシ基（炭素数１〜４）、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（炭素数２〜６）などが挙げられ、炭素数８以下が好ましい。なかでも、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストをより向上させる観点から、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有さない置換基であることがより好ましく（例えば、水酸基で置換されたアルキル基などではないことがより好ましく）、水素原子及び炭素原子のみからなる基であることが更に好ましく、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが特に好ましい。

前記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、Ｒｘ、Ｘａ_１は、水素原子、ＣＨ_３、ＣＦ_３、又はＣＨ_２ＯＨを表す。Ｒｘａ、Ｒｘｂはそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｚは、置換基を表し、複数存在する場合、複数のＺは互いに同じであっても異なっていてもよい。ｐは０又は正の整数を表す。Ｚの具体例及び好ましい例は、Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３などの各基が有し得る置換基の具体例及び好ましい例と同様である。

また、樹脂（Ｐ）は、酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、以下で表されるような、酸の作用により分解し、アルコール性水酸基を生じる繰り返し単位を有していてもよい。
下記具体例中、Ｘａ_１は、水素原子、ＣＨ_３、ＣＦ_３、又はＣＨ_２ＯＨを表す。

酸分解性基を有する繰り返し単位は、１種類であってもよいし、２種以上を併用してもよい。酸分解性基を有する繰り返し単位の２種以上を併用する場合においては、樹脂（Ｐ）は、上記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位と、上記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位とを有することが好ましい。

樹脂（Ｐ）は、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を、樹脂（Ｐ）の全繰り返し単位に対して５０モル％以上で有することが好ましく、５０モル％以上７０モル以下であることがより好ましく、５０モル％以上６５モル％以下で有することがより好ましい。

樹脂（Ｐ）に含まれる酸分解性基を有する繰り返し単位の合計（例えば、樹脂（Ｐ）が繰り返し単位（ａ１）を有する形態においては、繰り返し単位（ａ１）、及び、「繰り返し単位（ａ１）以外の、酸分解性基を有する繰り返し単位」の合計）としての含有量は、樹脂の全繰り返し単位に対して、好ましくは２０モル％〜１００モル％、より好ましくは４０〜８０モル％、特に好ましくは５０〜６５モル％である。

樹脂（Ｐ）は、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有していてもよい。
ラクトン構造としては、特に限定されないが、好ましくは５〜７員環ラクトン構造であり、５〜７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１７）のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては（ＬＣ１−１）、（ＬＣ１−４）、（ＬＣ１−５）、（ＬＣ１−６）、（ＬＣ１−１３）、（ＬＣ１−１４）、（ＬＣ１−１７）であり、特に好ましいラクトン構造は（ＬＣ１−４）である。このような特定のラクトン構造を用いることでＬＥＲ、現像欠陥が良好になる。

ラクトン構造部分は、置換基（Ｒｂ_２）を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ_２）としては、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数４〜７のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。ｎ_２は、０〜４の整数を表す。ｎ_２が２以上の時、複数存在する置換基（Ｒｂ_２）は、同一でも異なっていてもよい。また、複数存在する置換基（Ｒｂ_２）同士が結合して環を形成してもよい。

ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常、光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）が９０％以上のものが好ましく、より好ましくは９５％以上である。

ラクトン構造を有する繰り返し単位は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

上記一般式（ＩＩＩ）中、
Ａは、エステル結合（−ＣＯＯ−で表される基）又はアミド結合（−ＣＯＮＨ−で表される基）を表す。
Ｒ_０は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Ｚは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合

又はウレア結合

を表す。ここで、Ｒは、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。

Ｒ_８は、ラクトン構造を有する１価の有機基を表す。
ｎは、−Ｒ_０−Ｚ−で表される構造の繰り返し数であり、０〜５の整数を表し、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。ｎが０である場合、−Ｒ_０−Ｚ−は存在せず、単結合となる。
Ｒ_７は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。

Ｒ_０のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。
Ｚは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。

Ｒ_７のアルキル基は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒ_０のアルキレン基、シクロアルキレン基、Ｒ_７におけるアルキル基は、各々置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシルオキシ基が挙げられる。
Ｒ_７は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。

Ｒ_０における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が１〜１０の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数１〜５であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数３〜２０のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。

Ｒ_８で表されるラクトン構造を有する１価の有機基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１７）で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうち（ＬＣ１−４）で表される構造が特に好ましい。また、（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１７）におけるｎ_２は２以下のものがより好ましい。
また、Ｒ_８は無置換のラクトン構造を有する１価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する１価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造（シアノラクトン）を有する１価の有機基がより好ましい。

以下にラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
下記具体例中、Ｒは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。

本発明の効果を高めるために、２種以上のラクトン構造を有する繰り返し単位を併用することも可能である。

樹脂（Ｐ）がラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対し、５〜６０モル％が好ましく、より好ましくは５〜５５モル％、更に好ましくは１０〜５０モル％である。

樹脂（Ｐ）は、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位（ラクトン構造を有する繰り返し単位）以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアダマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｄ）で表される部分構造が好ましい。

一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｃ）に於いて、
Ｒ_２ｃ〜Ｒ_４ｃは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Ｒ_２ｃ〜Ｒ_４ｃの内の少なくとも１つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Ｒ_２ｃ〜Ｒ_４ｃの内の１つ又は２つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式（ＶＩＩａ）に於いて、更に好ましくは、Ｒ_２ｃ〜Ｒ_４ｃの内の２つが、水酸基で、残りが水素原子である。

一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｄ）で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩａ）〜（ＡＩＩｄ）で表される繰り返し単位を挙げることができる。

一般式（ＡＩＩａ）〜（ＡＩＩｄ）に於いて、
Ｒ_１ｃは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。

Ｒ_２ｃ〜Ｒ_４ｃは、一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｃ）に於ける、Ｒ_２ｃ〜Ｒ_４ｃと同義である。

樹脂（Ｐ）が水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有する場合、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対し、５〜４０モル％が好ましく、より好ましくは５〜３０モル％、更に好ましくは１０〜３０モル％である。

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

樹脂（Ｐ）は、酸基を有する繰り返し単位を有してもよい。酸基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール（例えばヘキサフロロイソプロパノール基）が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。酸基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。酸基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に酸基が導入された繰り返し単位、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。

樹脂（Ｐ）は、酸基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、酸基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対し、２５モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましい。樹脂（Ｐ）が酸基を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂（Ｐ）における酸基を有する繰り返し単位の含有量は、通常、１モル％以上である。
酸基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、ＲｘはＨ、ＣＨ_３、ＣＨ_２ＯＨ又はＣＦ_３を表す。

本発明における樹脂（Ｐ）は、更に極性基（例えば、前記酸基、水酸基、シアノ基）を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できるとともに、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位が挙げられる。

一般式（ＩＶ）中、Ｒ_５は少なくとも１つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。
Ｒａは水素原子、アルキル基又は−ＣＨ_２−Ｏ−Ｒａ_２基を表す。式中、Ｒａ_２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Ｒａは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。

Ｒ_５が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数３〜１２のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数３〜１２のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数３〜７の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環（ビシクロ［２．２．２］オクタン環、ビシクロ［３．２．１］オクタン環等）などの２環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン、トリシクロ［４．３．１．１^２，５］ウンデカン環などの３環式炭化水素環、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカン、パーヒドロ−１，４−メタノ−５，８−メタノナフタレン環などの４環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン（デカリン）、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの５〜８員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。

好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ［５、２、１、０^２，６］デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、ｔ−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。

上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、ｔ−ブトキシメチル、２−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、１−エトキシエチル、１−メチル−１−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数１〜６の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。

樹脂（Ｐ）は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対し、１〜５０モル％が好ましく、より好ましくは１０〜５０モル％である。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Ｒａは、Ｈ、ＣＨ_３、ＣＨ_２ＯＨ、又はＣＦ_３を表す。

本発明の組成物に用いられる樹脂（Ｐ）は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

これにより、本発明に係る組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、
（１）塗布溶剤に対する溶解性、
（２）製膜性（ガラス転移点）、
（３）アルカリ現像性、
（４）膜べり（親疎水性、アルカリ可溶性基選択）、
（５）未露光部の基板への密着性、
（６）ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物等を挙げることができる。

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。

本発明の組成物に用いられる樹脂（Ｐ）において、各繰り返し構造単位の含有モル比は感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物のドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更には感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。

本発明の組成物が、ＡｒＦ露光用であるとき、ＡｒＦ光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂（Ｐ）は実質的には芳香環を有さない（具体的には、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは５モル％以下、より好ましくは３モル％以下、理想的には０モル％、すなわち、芳香族基を有さない）ことが好ましく、樹脂（Ｐ）は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。
また、本発明の組成物が、後述する樹脂（Ｅ）を含んでいる場合、樹脂（Ｐ）は、樹脂（Ｅ）との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。

本発明の組成物に用いられる樹脂（Ｐ）として好ましくは、繰り返し単位のすべてが（メタ）アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の５０モル％以下であることが好ましい。

本発明の組成物にＫｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、波長５０ｎｍ以下の高エネルギー光線（ＥＵＶなど）を照射する場合には、樹脂（Ｐ）は、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、（メタ）アクリル酸３級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。

ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、１−アルコキシエトキシスチレン、（メタ）アクリル酸３級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート及びジアルキル（１−アダマンチル）メチル（メタ）アクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。

本発明における樹脂（Ｐ）は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を１〜１０時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤（アゾ系開始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は５〜５０質量％であり、好ましくは１０〜３０質量％である。反応温度は、通常１０℃〜１５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、更に好ましくは６０〜１００℃である。

反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒（貧溶媒）を、該反応溶液の１０倍以下の体積量、好ましくは１０〜５倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。

ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒（沈殿又は再沈殿溶媒）としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール（特に、メタノールなど）又は水を含む溶媒が好ましい。

沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液１００質量部に対して、１００〜１００００質量部、好ましくは２００〜２０００質量部、更に好ましくは３００〜１０００質量部である。

沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、０〜５０℃程度が好ましく、より好ましくは室温付近（例えば２０〜３５℃程度）である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。

沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下（好ましくは減圧下）、３０〜１００℃程度、好ましくは３０〜５０℃程度の温度で行われる。

なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ（工程ａ）、樹脂を溶液から分離し（工程ｂ）、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Ａを調製（工程ｃ）、その後、該樹脂溶液Ａに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Ａの１０倍未満の体積量（好ましくは５倍以下の体積量）で、接触させることにより樹脂固体を析出させ（工程ｄ）、析出した樹脂を分離する（工程ｅ）ことを含む方法でもよい。
また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開２００９−０３７１０８号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を３０℃〜９０℃程度で３０分〜４時間程度加熱するような工程を加えてもよい。

本発明における樹脂（Ｐ）の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、好ましくは１，０００〜２００，０００であり、より好ましくは２，０００〜２０，０００、更により好ましくは３，０００〜１８，０００、特に好ましくは３，０００〜１０，０００である。重量平均分子量を、１，０００〜２００，０００とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。

分散度（分子量分布、Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常１．０〜３．０であり、好ましくは１．０〜２．６、更に好ましくは１．０〜２．０、特に好ましくは１．４〜２．０の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつ、レジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本明細書において、樹脂（Ｐ）の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、HLC-8120（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてTSK gel Multipore HXL-M （東ソー（株）製、7.8mmID×30.0cmを、溶離液としてTHF(テトラヒドロフラン)を用いることによって求めることができる。

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、樹脂（Ｐ）の組成物全体中の配合率は、全固形分中３０〜９９質量％が好ましく、より好ましくは６０〜９５質量％である。
また、本発明において、樹脂（Ｐ）は、１種で使用してもよいし、複数併用してもよい。

［２］活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する。化合物（Ｂ）は、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する化合物（以下、「化合物（Ｂ）」、「酸発生剤」などともいう。）である。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。すなわち、上記（ｉ）を満たす場合、同一の［（Ｒａ）_２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基に含まれる２個のＲａは、互いに結合し環を形成してもよい。また、上記（ｉｉ）を満たす場合、一つの［（Ｒａ）_ｐ２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基に含まれるｐ２個のＲａの内の少なくとも１個と、別の［（Ｒａ）_ｐ２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基に含まれるｐ２個のＲａの内の少なくとも１個とが、互いに結合し環を形成してもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。

また、一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数は、６個以下であることが好ましく、４個以下であることがより好ましい。

Ｒａにおけるアルキル基は、鎖式アルキル基を表し、シクロアルキル基は、単環式又は多環式アルキル基を表し、アリール基は、単環式又は多環式アリール基を表す。上記各基は、置換基を有していてもよいが、Ｒａとしてのアルキル基は、置換基としてフッ素原子を有さない。また、Ｒａとしての、シクロアルキル基及びアリール基は、各々、置換基としてフッ素原子を有さないことが好ましい。
鎖式アルキル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−アミル基等が挙げられる。

鎖式アルキル基が有し得る置換基としては、水酸基、フッ素原子以外のハロゲン原子（塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。

単環式アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプチル基、シクロオクチル基、シクロドデカニル基、シクロベンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクタジエニル基等が挙げられ、特にシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が好ましい。
単環式アルキル基が有し得る置換基としては、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられるが、該置換基は、フッ素原子を含有しないことが好ましい。

多環式アルキル基としては、ビシクロ［４．３．０］ノナニル、デカヒドロナフタレニル、トリシクロ［５．２．１．０（２，６）］デカニル、ボルニル、イソボルニル、ノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチル、１，７，７−トリメチルトリシクロ［２．２．１．０^２，６］ヘプタニル、３，７，７−トリメチルビシクロ［４．１．０］ヘプタニル等があげられ、特にノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチルが好ましい。

単環式アリール基は、フェニル基等が挙げられ、多環式アリール基は、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。
単環式又は多環式アリール基が有しえる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられるが、該置換基は、フッ素原子を含有しないことが好ましい。

Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ｒｂの電子求引性基としては、カルボキシル基（＊−ＣＯＯＨ）、エステル基（＊−ＣＯＯＲｃ）、スルホン基（＊−ＳＯ_２Ｒｃ）、スルホン酸基（＊−ＳＯ_３Ｈ）、スルホン酸エステル基（＊−ＳＯ_２−Ｏ−Ｒｃ）、スルホンアミド基（＊−ＳＯ_２Ｎ（Ｒｃ）_２）、ニトロ基（＊−ＮＯ_２）、シアノ基（＊−ＣＮ）等が挙げられる。Ｒｃは、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。

Ｒｂとしてのアルキル基、及び、アリール基としてはＲａの各々において例示した基と同様の基が挙げられ、それぞれ、更に置換基を有していてもよい。このような更なる置換基としては、酸強度の観点から水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、および環を形成する炭素上のカルボニル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等が挙げられる。
Ｒｃとしてのアルキル基、及び、シクロアルキル基としてはＲａの各々において例示した基と同様の基が挙げられ、それぞれ、更に置換基を有していてもよい。このような更なる置換基としては、Ｒｂにおける更なる置換基と同様の基が挙げられる。
Ｒｂの電子求引性基として好ましくは、スルホン基（＊−ＳＯ_２Ｒｃ）、スルホン酸エステル基（＊−ＳＯ_２−Ｏ−Ｒｃ）、スルホンアミド基（＊−ＳＯ_２Ｎ（Ｒｃ）_２）、ニトロ基（＊−ＮＯ_２）、シアノ基（＊−ＣＮ）であり、より好ましくは、スルホン基（＊−ＳＯ_２Ｒｃ）またはシアノ基（＊−ＣＮ）である。

本発明においては、下記（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方を満たすことが、特に、露光ラチチュード向上の観点から、好ましい。
（Ｉ）ｎ個の［（Ｒａ）_ｐ２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基の各々において、ｐ２個のＲａの少なくとも１つが、シクロアルキル基又はアリール基である。
（ＩＩ）（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすととともに、複数のＲａが互いに結合し環を形成する。

Ｌにより表される（ｐ２＋１）価の連結基としては、ｐ２が１である場合における２価の連結基としては、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ―、−ＳＯ―、―ＳＯ_２−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、及び、これらの２つ以上を組み合わせてなる基等を挙げることができる。上記アルキレン基、シクロアルキレン基及びアルケニレン基は、置換基を更に有していても良く、そのような置換基の具体例は、上記したＲａとしての鎖式アルキル基が有し得る置換基について前述したものと同様である。ただし、該置換基は、フッ素原子を含有しないことが好ましい。すなわち、Ｌはフッ素原子を有さないことが好ましい。
ｐ２が２である場合における３価の連結基としては、上記した２価の連結基から任意の１個の水素原子を除してなる基を挙げることができる。
上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中のｎ個の［（Ｒａ）_ｐ２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基の各々において、（ｉ）ｐ２が１を表し、かつ、Ｌが、単結合又は下記式（Ｌ１）〜（Ｌ６）のいずれかで表される２価の基を表すか、又は、（ｉｉ）ｐ２が２を表し、かつ、Ｌが下記式（Ｌ７）〜（Ｌ９）のいずれかで表される３価の式を表すことが好ましい。

上記式において、＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＲａに結合する結合手を表し、＊＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における−（ＣＦ_２）_ｐ１−に結合する結合手を表す。

ｐ１は１又は２であることが好ましく、ｐ１が１であることがより好ましく、ｐ１が１であるとともに、Ｌが上記式（Ｌ５）又は（Ｌ９）で表される基であることが特に好ましい。これらの形態において、Ｌはフッ素原子を有さないことが好ましい。

ｐ２が２を表すとともに、同一の［（Ｒａ）_２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基に含まれる２個のＲａが互いに結合して環を形成する場合、Ｌは、上記（Ｌ６）又は（Ｌ７）で表される基等に代表される、窒素原子を有する連結基であることが好ましい。このとき２個のＲaが互いに結合して形成される環は、窒素原子を環内に有する環状アミン構造であることが好ましい。環状アミン構造としてはアジリジン構造、アゼチジン構造、ピロリジン構造、ピペリジン構造、ヘキサメチレンイミン構造、ヘプタメチレンイミン構造、ピペラジン構造、デカヒドロキノリン構造、デカヒドロキノリン構造、８−アザビシクロ［３．２．１］オクタン構造、インドール構造、オキサゾリジン構造、チアゾリジン構造、２−アザノルボルナン構造、７−アザノルボルナン構造、モルホリン構造、チアモルホリン構造等が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。置換基としては、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、および環を形成する炭素上のカルボニル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられるが、該置換基は、フッ素原子を含有しないことが好ましい。

以下、活性光線又は放射線の照射により化合物（Ｂ）が発生する一般式（Ｉ）で表される酸の具体例を示すが、これに限定されるものではない。

化合物（Ｂ）は、下記一般式（ＩＩ）で表されるイオン性化合物であることが好ましい。

一般式（Ｉ）中、Ａ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２は、それぞれ、上記一般式（Ｉ）におけるＡ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２と同義である。
Ｍ^＋は、有機対イオンを表す。
Ｍ^＋により表される有機対イオンは、スルホニウムカチオン、又は、ヨードニウムカチオンであることが好ましく、スルホニウムカチオンであることが特に好ましい。

一般式（ＩＩ）で表される化合物としては、下記一般式（ＺＩ）又は（ＺＩＩ）で表される化合物を挙げることができる。

上記一般式（ＺＩ）において、
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１〜３０、好ましくは１〜２０である。
また、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）を挙げることができる。
Ｚ⁻は、一般式（Ｉ）で表される酸のアニオン構造（換言すれば、一般式（ＩＩ）で表される化合物のアニオン）を示す。

Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３により表される有機基としては、例えば、後述する化合物（ＺＩ−１）、（ＺＩ−２）、（ＺＩ−３）及び（ＺＩ−４）における対応する基を挙げることができる。

なお、一般式（ＺＩ）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ）で表される化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つが、一般式（ＺＩ）で表されるもうひとつの化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つと結合した構造を有する化合物であってもよい。

更に好ましい（ＺＩ）成分として、以下に説明する化合物（ＺＩ−１）〜（ＺＩ−４）を挙げることができる。

化合物（ＺＩ−１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。

アリールスルホニウム化合物は、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１〜１５の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数３〜１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数１〜１２の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基である。置換基は、３つのＲ_２０１〜Ｒ_２０３のうちのいずれか１つに置換していてもよいし、３つ全てに置換していてもよい。また、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３がアリール基の場合に、置換基はアリール基のｐ−位に置換していることが好ましい。

次に、化合物（ＺＩ−２）について説明する。
化合物（ＺＩ−２）は、式（ＺＩ）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０である。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐２−オキソアルキル基である。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基）、炭素数３〜１０のシクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基）を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは２−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、２−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。

２−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の２位に＞Ｃ＝Ｏを有する基を挙げることができる。
２−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の２位に＞Ｃ＝Ｏを有する基を挙げることができる。

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基）を挙げることができる。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１〜５）、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。

次に、化合物（ＺＩ−３）について説明する。
化合物（ＺＩ−３）とは、以下の一般式（ＺＩ−３）で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

一般式（ＺＩ−３）に於いて、
Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、Ｒ_５ｃとＲ_ｘ、及びＲ_ｘとＲ_ｙは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、３〜１０員環を挙げることができ、４〜８員環であることが好ましく、５又は６員環であることがより好ましい。
Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、及びＲ_ｘとＲ_ｙが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、及び、Ｒ_５ｃとＲ_ｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。

Ｚｃ⁻は、一般式（Ｉ）で表される酸のアニオン構造（換言すれば、一般式（ＩＩ）で表される化合物のアニオン）を示す。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_７ｃとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数１〜２０個のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１２個の直鎖又は分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基）を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数３〜１０個のシクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基）を挙げることができる。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_７ｃとしてのアリール基は、好ましくは炭素数５〜１５であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数１〜１０のアルコキシ基、好ましくは、炭素数１〜５の直鎖及び分岐アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基）、炭素数３〜１０の環状アルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基）を挙げることができる。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのアルキル基の具体例と同様である。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃとしてのアリール基の具体例と同様である。
好ましくは、Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃの炭素数の和が２〜１５である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃのいずれか２つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは５員環又は６員環、特に好ましくは６員環（例えばフェニル環）が挙げられる。

Ｒ_５ｃ及びＲ_６ｃが互いに結合して形成してもよい環構造としては、Ｒ_５ｃ及びＲ_６ｃが互いに結合して単結合又はアルキレン基（メチレン基、エチレン基等）を構成することにより、一般式（Ｉ）中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する４員環以上の環（特に好ましくは５〜６員環）が挙げられる。

Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃが各々炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。

また、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃとが結合して環を形成する場合に、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃとが結合して形成する基としては、炭素数２〜１０のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、Ｒ_１ｃ〜Ｒ_７ｃにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙとしての２−オキソアルキル基及び２−オキソシクロアルキル基は、Ｒ_１ｃ〜Ｒ_７ｃとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の２位に＞Ｃ＝Ｏを有する基を挙げることができる。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数１〜１２のアルキル基、好ましくは、炭素数１〜５の直鎖のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基）を挙げることができる。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０のシクロアルキル基）で置換されたアリル基であることが好ましい。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０のシクロアルキル基）で置換されたビニル基であることが好ましい。

Ｒ_５ｃ及びＲ_ｘが互いに結合して形成してもよい環構造としては、Ｒ_５ｃ及びＲ_ｘが互いに結合して単結合又はアルキレン基（メチレン基、エチレン基等）を構成することにより、一般式（Ｉ）中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する５員環以上（特に好ましくは５員環）が挙げられる。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙが互いに結合して形成してもよい環構造としては、２価のＲ_ｘ及びＲ_ｙ（例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等）が一般式（ＺＩ−３）中の硫黄原子と共に形成する５員環又は６員環、特に好ましくは５員環（即ち、テトラヒドロチオフェン環）が挙げられる。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、好ましくは炭素数４個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは６個以上、更に好ましくは８個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_７ｃ、Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子）、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。

前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜１２個の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を挙げることができる。
前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜１０個のシクロアルキル基を挙げることができる。
前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜１５のアリール基を挙げることができる。

前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数１〜２０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。

前記アリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１０個のアリールオキシ基等を挙げることができる。

前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ｎ−ブタノイル基、ｉ−ブタノイル基、ｎ−ヘプタノイル基、２−メチルブタノイル基、１−メチルブタノイル基、ｔ−ヘプタノイル基等の炭素原子数２〜１２の直鎖状若しくは分岐状のアシル基等を挙げることができる。

前記アリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基等の炭素数６〜１０個のアリールオキシ基等を挙げることができる。

前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。

前記アリールオキシアルキル基としては、例えば、フェニルオキシメチル基、フェニルオキシエチル基、ナフチルオキシメチル基、ナフチルオキシエチル基等の炭素数７〜１２個のアリールオキシ基等を挙げることができる。

前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。

前記アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数７〜１１個のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。

前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。

前記アリールオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、フェニルオキシカルボニルオキシ基、ナフチルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数７〜１１個のアリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。

上記一般式（ＺＩ−３）中、Ｒ_１ｃ、Ｒ_２ｃ、Ｒ_４ｃ及びＲ_５ｃが、各々独立に、水素原子を表し、Ｒ_３ｃが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。

本発明の一般式（ＺＩ−２）又は（ＺＩ−３）で表される化合物のカチオンとしては、以下の具体例が挙げられる。

次に、化合物（ＺＩ−４）について説明する。
化合物（ＺＩ−４）は、下記一般式（ＺＩ−４）で表される。

一般式（ＺＩ−４）中、
Ｒ_１３は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ_１４は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ_１５は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。２個のＲ_１５が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。
ｌは０〜２の整数を表す。
ｒは０〜８の整数を表す。
Ｚ⁻は、一般式（Ｉ）で表される酸のアニオン構造（換言すれば、一般式（ＩＩ）で表される化合物のアニオン）を示す。

一般式（ＺＩ−４）において、Ｒ_１３、Ｒ_１４及びＲ_１５のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数１〜１０のものが好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が好ましい。

Ｒ_１３、Ｒ_１４及びＲ_１５のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基（好ましくは炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基）が挙げられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。

Ｒ_１３及びＲ_１４のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数１〜１０のものが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基等が好ましい。

Ｒ_１３及びＲ_１４のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数２〜１１のものが好ましく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基等が好ましい。

Ｒ_１３及びＲ_１４のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基（好ましくは炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基）が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。

Ｒ_１３及びＲ_１４の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が７以上であることが好ましく、総炭素数が７以上１５以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数７以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が７以上のものを表す。
また、総炭素数が７以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ_１３及びＲ_１４の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が７以上であることが好ましく、総炭素数が７以上１５以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数７以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｉｓｏ−アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が７以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。

また、総炭素数が７以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。

Ｒ^１４のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したＲ_１３〜Ｒ_１５としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。

Ｒ_１４のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数１〜１０のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ−プロパンスルホニル基、ｎ−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。

上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子）、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。

前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数１〜２０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。

前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。

前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。

前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。

２個のＲ_１５が互いに結合して形成してもよい環構造としては、２個の２価のＲ_１５が一般式（ＺＩ−４）中の硫黄原子と共に形成する５員環又は６員環、特に好ましくは５員環（即ち、テトラヒドロチオフェン環）が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この２価のＲ_１５は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環（芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環など）を形成しても良い。
一般式（ＺＩ−４）におけるＲ_１５としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、２個のＲ^１５が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する２価の基等が好ましい。

Ｒ_１３及びＲ_１４が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子（特に、フッ素原子）が好ましい。

ｌとしては、０又は１が好ましく、１がより好ましい。
ｒとしては、０〜２が好ましい。

本発明の一般式（ＺＩ−４）で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。

次に、一般式（ＺＩＩ）について説明する。
一般式（ＺＩＩ）中、Ｒ_２０４、Ｒ_２０５は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ_２０４、Ｒ_２０５のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。Ｒ_２０４、Ｒ_２０５のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。
Ｒ_２０４、Ｒ_２０５のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基）、炭素数３〜１０のシクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基）を挙げることができる。

Ｒ_２０４、Ｒ_２０５のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ_２０４、Ｒ_２０５のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
Ｚ⁻は、一般式（Ｉ）で表される酸のアニオン構造（換言すれば、一般式（ＩＩ）で表される化合物のアニオン）を示す。
一般式（ＺＩＩ）で表される化合物中のカチオンの具体例を示す。

以下、化合物（Ｂ）の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

酸発生剤は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開２００７−１６１７０７号公報に記載の方法に準じて合成することができる。

化合物（Ｂ）は、１種類又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
化合物（Ｂ）のレジスト組成物中の含有率は、レジスト組成物の全固形分を基準として、０．１〜２５質量％が好ましく、より好ましくは、１〜２０質量％、更に好ましくは３〜１９質量％、特に好ましくは５〜１８質量％である。

また、化合物（Ｂ）は、化合物（Ｂ）以外の酸発生剤（以下、化合物（Ｂ’）ともいう）と組み合わされて使用されても良い。

化合物（Ｂ）と組み合わせて使用することができる、化合物（Ｂ’）としては、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０１５０］に記載の酸発生剤が挙げられる。

また、そのような併用可能な、化合物（Ｂ’）としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。

更に、そのほかのジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、ｏ−ニトロベンジルスルホネートを併用することができ、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第３，８４９，１３７号明細書、独国特許第３９１４４０７号明細書、特開昭６３−２６６５３号公報、特開昭５５−１６４８２４号公報、特開昭６２−６９２６３号公報、特開昭６３−１４６０３８号公報、特開昭６３−１６３４５２号公報、特開昭６２−１５３８５３号公報、特開昭６３−１４６０２９号公報等に記載の化合物を用いることができる。

更に米国特許第３，７７９，７７８号明細書、欧州特許第１２６，７１２号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
化合物（Ｂ’）の内で好ましい化合物として、下記一般式（ＺＩ’）、（ＺＩＩ’）、（ＺＩＩＩ’）で表される化合物を挙げることができる。

上記一般式（ＺＩ’）において、
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３は、上述した一般式（ＺＩ）における各々と同義である。
Ｚ’⁻は、上記一般式（Ｉ）で表される酸のアニオン構造以外の非求核性アニオンを表す。
Ｚ’⁻としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、等を挙げることができる。

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。

スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。
カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。

脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基及び炭素数３〜３０のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。

芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。

脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルキルイミノスルホニル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数６〜２０）、アルキルアリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数７〜２０）、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数１０〜２０）、アルキルオキシアルキルオキシ基（好ましくは炭素数５〜２０）、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基（好ましくは炭素数８〜２０）等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）を挙げることができる。

脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。
芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数７〜１２のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。

脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。
Ｚ⁻の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数４〜８のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、３，５−ビス（トリフロロメチル）ベンゼンスルホン酸アニオンである。

なお、一般式（ＺＩ’）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ’）で表される化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つが、一般式（ＺＩ’）で表されるもうひとつの化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。

更に好ましい（ＺＩ’）成分として、以下に説明する化合物（ＺＩ−１’）、（ＺＩ−２’）、及び（ＺＩ−３’）を挙げることができる。

化合物（ＺＩ−１’）は、上記一般式（ＺＩ’）のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。化合物（ＺＩ−１’）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３は、上述した化合物（ＺＩ−１）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３と同様である。

次に、化合物（ＺＩ−２’）について説明する。
化合物（ＺＩ−２’）は、式（ＺＩ’）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。化合物（ＺＩ−２’）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３は、上述した化合物（ＺＩ−２）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３と同様である。

化合物（ＺＩ−３’）とは、以下の一般式（ＺＩ−３’）で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

一般式（ＺＩ−３’）に於いて、
Ｒ_１ｃ〜Ｒ_７ｃ、Ｒ_ｘ、Ｒ_ｙは、上述した一般式（ＺＩ−３）における各々と同義である。

Ｚｃ’⁻は、非求核性アニオンを表し、一般式（ＺＩ’）に於けるＺ’⁻と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。

一般式（ＺＩＩ’）、（ＺＩＩＩ’）中、
Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。

Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアリール基としては、前記一般式（ＺＩＩ）のＲ_２０４、Ｒ_２０５のアリール基に関して記載したものと同様の基を挙げることができる。

Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、前記一般式（ＺＩＩ）のＲ_２０４、Ｒ_２０５のアルキル基及びシクロアルキル基に関して記載したものと同様の基を挙げることができる。

Ｚ’⁻は、上記一般式（Ｉ）で表される酸のアニオン構造以外の非求核性アニオンを表し、一般式（ＺＩ’）に於けるＺ’⁻の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
化合物（Ｂ’）として、更に、下記一般式（ＺＩＶ’）、（ＺＶ’）、（ＺＶＩ’）で表される化合物を挙げることができる。

一般式（ＺＩＶ’）〜（ＺＶＩ’）中、
Ａｒ_３及びＡｒ_４は、各々独立に、アリール基を表す。
Ｒ_２０８、Ｒ_２０９及びＲ_２１０は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Ａは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ａｒ_３、Ａｒ_４、Ｒ_２０８、Ｒ_２０９及びＲ_２１０のアリール基の具体例としては、上記一般式（ＺＩ−１’）におけるＲ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Ｒ_２０８、Ｒ_２０９及びＲ_２１０のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式（ＺＩ−２’）におけるＲ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Ａのアルキレン基としては、炭素数１〜１２のアルキレン（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など）を、Ａのアルケニレン基としては、炭素数２〜１２のアルケニレン基（例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など）を、Ａのアリーレン基としては、炭素数６〜１０のアリーレン基（例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など）を、それぞれ挙げることができる。
化合物（Ｂ’）の内でより好ましくは、上記一般式（ＺＩ’）〜（ＺＩＩＩ’）で表される化合物である。

また、化合物（Ｂ’）として、スルホン酸基又はイミド基を１つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは１価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は１価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は１価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のｐＫａが−１以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。
化合物（Ｂ’）の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。

酸発生剤（化合物（Ｂ）以外の酸発生剤が併用される場合、この酸発生剤の量も含む）の全量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、０．１〜２７質量％が好ましく、０．５〜２３質量％がより好ましく、１〜２２質量％が更に好ましく、３〜２０質量％が特に好ましい。

化合物（Ｂ）と化合物（Ｂ’）とを併用した場合の酸発生剤の使用量は、モル比（化合物（Ｂ）／化合物（Ｂ’））で、通常９９／１〜２０／８０、好ましくは９９／１〜４０／６０、更に好ましくは９９／１〜５０／５０である。

［３−１］活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（以下、「化合物（Ｃ）」ともいう）を含有することが好ましい。

化合物（Ｃ）は、塩基性官能基又はアンモニウム基と、活性光線又は放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する化合物（Ｃ−１）であることが好ましい。すなわち、化合物（Ｃ）は、塩基性官能基と、活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基と、を有する塩基性化合物、又は、アンモニウム基と、活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基と、を有するアンモニウム塩化合物であることが好ましい。
化合物（Ｃ）又は（Ｃ−１）が、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する、塩基性が低下した化合物として、下記一般式（ＰＡ−Ｉ）、（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物を挙げることができ、ＬＷＲ（ラインウィズスラフネス）、局所的なパターン寸法の均一性及びＤＯＦ（焦点深度）に関して優れた効果を高次元で両立できるという観点から、特に、一般式（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。
まず、一般式（ＰＡ−Ｉ）で表される化合物について説明する。

Ｑ−Ａ_１−（Ｘ）_ｎ−Ｂ−Ｒ （ＰＡ−Ｉ）

一般式（ＰＡ−Ｉ）中、
Ａ_１は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、−ＳＯ_３Ｈ、又は−ＣＯ_２Ｈを表す。Ｑは、活性光線又は放射線の照射により発生される酸性官能基に相当する。
Ｘは、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−を表す。
ｎは、０又は１を表す。
Ｂは、単結合、酸素原子又は−Ｎ（Ｒｘ）−を表す。
Ｒｘは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒは、塩基性官能基を有する１価の有機基又はアンモニウム基を有する１価の有機基を表す。

Ａ_１における２価の連結基としては、好ましくは炭素数２〜１２の２価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも１つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は２〜６、より好ましくは炭素数２〜４である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子の数の３０〜１００％がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Ｑ部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。

Ｒｘにおける１価の有機基としては、好ましくは炭素数４〜３０であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。
Ｒｘにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜２０の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。
なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基（例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基など）を挙げることができる。
Ｒｘにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数３〜２０のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。
Ｒｘにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基である。
Ｒｘにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられる。
Ｒｘにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Ｒｘとして挙げたアルキル基の任意の位置に２重結合を有する基が挙げられる。

塩基性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、一〜三級アミン、含窒素複素環（ピリジン、イミダゾール、ピラジンなど）の構造が挙げられる。
アンモニウム基の好ましい部分構造として、例えば、一〜三級アンモニウム、ピリジニウム、イミダゾリニウム、ピラジニウム構造などを挙げることが出来る。
なお、塩基性官能基としては、窒素原子を有する官能基が好ましく、１〜３級アミノ基を有する構造、又は含窒素複素環構造がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子など）が直結していないことが好ましい。
このような構造を含む一価の有機基（基Ｒ）における一価の有機基としては、好ましい炭素数は４〜３０であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができ、各基は置換基を有していても良い。
Ｒにおける塩基性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、それぞれ、Ｒｘとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。

上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０）、アシル基（好ましくは炭素数２〜２０）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜１０）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０）、アミノアシル基（好ましくは炭素数２〜２０）などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更に１又は２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）を挙げることができる。

Ｂが−Ｎ（Ｒｘ）−の時、ＲとＲｘが結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は４〜２０が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。
単環式構造としては、窒素原子を含む４〜８員環等を挙げることができる。多環式構造としては、２又は３以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜１５）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アミノアシル基（好ましくは炭素数２〜２０）などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として１又は２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）を挙げることができる。

一般式（ＰＡ−Ｉ）で表される化合物の内、Ｑ部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。

次に、一般式（ＰＡ−ＩＩ）で表される化合物について説明する。

Ｑ_１−Ｘ_１−ＮＨ−Ｘ_２−Ｑ_２ （ＰＡ−ＩＩ）

一般式（ＰＡ−ＩＩ）中、
Ｑ_１及びＱ_２は、各々独立に、１価の有機基を表す。但し、Ｑ_１及びＱ_２のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Ｑ_１とＱ_２は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有してもよい。
Ｘ_１及びＸ_２は、各々独立に、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−を表す。
なお、−ＮＨ−は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。

一般式（ＰＡ−ＩＩ）に於ける、Ｑ_１、Ｑ_２としての１価の有機基は、好ましくは炭素数１〜４０であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。
Ｑ_１、Ｑ_２におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜３０の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。
Ｑ_１、Ｑ_２におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数３〜２０のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子、窒素原子を有していてもよい。
Ｑ_１、Ｑ_２におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基である。
Ｑ_１、Ｑ_２におけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられる。
Ｑ_１、Ｑ_２におけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、上記アルキル基の任意の位置に２重結合を有する基が挙げられる。
上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０）、アシル基（好ましくは炭素数２〜２０）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜１０）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０）、アミノアシル基（好ましくは炭素数２〜１０）などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）を挙げることができる。置換基を有するアルキル基として、例えば、パーフロロメチル基、パーフロロエチル基、パーフロロプロピル基、パーフロロブチル基などのパーフルオロアルキル基を挙げることができる。

Ｑ_１、Ｑ_２の少なくともいずれかが有する塩基性官能基の好ましい部分構造としては、一般式（ＰＡ−Ｉ）のＲが有する塩基性官能基として説明したものと同様のものが挙げられる。

Ｑ_１とＱ_２とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Ｑ_１とＱ_２の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。

一般式（ＰＡ−ＩＩ）に於いて、Ｘ_１及びＸ_２の少なくとも片方が、−ＳＯ_２−であることが好ましい。

次に、一般式（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物を説明する。

Ｑ_１−Ｘ_１−ＮＨ−Ｘ_２−Ａ_２−（Ｘ_３）_ｍ−Ｂ−Ｑ_３ （ＰＡ−ＩＩＩ）

一般式（ＰＡ−ＩＩＩ）中、
Ｑ_１及びＱ_３は、各々独立に、１価の有機基を表す。但し、Ｑ_１及びＱ_３のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Ｑ_１とＱ_３は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有していてもよい。
Ｘ_１、Ｘ_２及びＸ_３は、各々独立に、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−を表す。
Ａ_２は、２価の連結基を表す。
Ｂは、単結合、酸素原子又は−Ｎ（Ｑｘ）−を表す。
Ｑｘは、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｂが、−Ｎ（Ｑｘ）−の時、Ｑ_３とＱｘが結合して環を形成してもよい。
ｍは、０又は１を表す。
なお、−ＮＨ−は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。

Ｑ_１は、一般式（ＰＡ−ＩＩ）に於けるＱ_１と同義である。
Ｑ_３の有機基としては、一般式（ＰＡ−ＩＩ）に於けるＱ_１、Ｑ_２の有機基と同様のものを挙げることができる。
また、Ｑ_１とＱ_３とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Ｑ_１とＱ_３の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。

Ａ_２における２価の連結基としては、好ましくは炭素数１〜８のフッ素原子を有する２価の連結基であり、例えば炭素数１〜８のフッ素原子を有するアルキレン基、フッ素原子を有するフェニレン基等が挙げられる。より好ましくはフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は２〜６、より好ましくは炭素数２〜４である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、水素原子の数の３０〜１００％がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数２〜４のパーフルオロアルキレン基が特に好ましい。

Ｑｘにおける１価の有機基としては、好ましくは炭素数４〜３０の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は上記式（ＰＡ−Ｉ）におけるＲｘと同様のものを挙げることができる。

一般式（ＰＡ−ＩＩＩ）に於いて、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_３は、−ＳＯ_２−であることが好ましい。

化合物（Ｃ）としては、一般式（ＰＡ−Ｉ）、（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物のスルホニウム塩化合物、一般式（ＰＡ−Ｉ）、（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物のヨードニウム塩化合物が好ましく、更に好ましくは下記一般式（ＰＡ１）又は（ＰＡ２）で表される化合物である。

一般式（ＰＡ１）において、
Ｒ’_２０１、Ｒ’_２０２及びＲ’_２０３は、各々独立に、有機基を表し、具体的には、前記（Ｂ）成分における式ＺＩのＲ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３と同様である。
Ｘ⁻は、一般式（ＰＡ−Ｉ）で示される化合物の−ＳＯ_３Ｈ部位若しくは−ＣＯＯＨ部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式（ＰＡ−ＩＩ）若しくは（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物の−ＮＨ−部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。

前記一般式（ＰＡ２）中、
Ｒ’_２０４及びＲ’_２０５は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、具体的には、前記（Ｂ）成分における式ＺＩＩのＲ_２０４及びＲ_２０５と同様である。
Ｘ⁻は、一般式（ＰＡ−Ｉ）で示される化合物の−ＳＯ_３Ｈ部位若しくは−ＣＯＯＨ部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式（ＰＡ−ＩＩ）若しくは（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物の−ＮＨ−部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。

化合物（Ｃ）は、活性光線又は放射線の照射により分解し、例えば、一般式（ＰＡ−Ｉ）、（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物を発生する。
一般式（ＰＡ−Ｉ）で表される化合物は、塩基性官能基又はアンモニウム基とともにスルホン酸基又はカルボン酸基を有することにより、化合物（Ｃ）に比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。
一般式（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物は、塩基性官能基とともに有機スルホニルイミノ基若しくは有機カルボニルイミノ基を有することにより、化合物（Ｃ）に比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。
本発明に於いて、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下することは、活性光線又は放射線の照射により化合物（Ｃ）のプロトン（活性光線又は放射線の照射により発生された酸）に対するアクセプター性が低下することを意味する。アクセプター性が低下するとは、塩基性官能基を有する化合物とプロトンとからプロトン付加体である非共有結合錯体が生成する平衡反応が起こる時、あるいは、アンモニウム基を有する化合物の対カチオンがプロトンに交換される平衡反応が起こる時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。
このように、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物（Ｃ）がレジスト膜に含有されていることにより、未露光部においては、化合物（Ｃ）のアクセプター性が十分に発現されて、露光部等から拡散した酸と樹脂（Ｐ）との意図しない反応を抑制することができるとともに、露光部においては、化合物（Ｃ）のアクセプター性が低下するので、酸と樹脂（Ｐ）との意図する反応がより確実に起こり、このような作用機構の寄与もあって、線幅バラツキ（ＬＷＲ）、局所的なパターン寸法の均一性、焦点深度（ＤＯＦ）及びパターン形状に優れるパターンが得られるものと推測される。
なお、塩基性は、ｐＨ測定を行うことによって確認することができるし、市販のソフトウェアによって計算値を算出することも可能である。

以下、活性光線又は放射線の照射により一般式（ＰＡ−Ｉ）で表される化合物を発生する化合物（Ｃ）の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。

これらの化合物の合成は、一般式（ＰＡ−Ｉ）で表される化合物又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平１１−５０１９０９号公報又は特開２００３−２４６７８６号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平７−３３３８５１号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。

以下、活性光線又は放射線の照射により一般式（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される化合物を発生する化合物（Ｃ）の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。

これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的に一般式（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される部分構造を含むアミン、アルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物を一般式（ＰＡ−ＩＩ）で表される部分構造を含むアミン、アルコールにより開環させる方法により得ることができる。一般式（ＰＡ−ＩＩ）又は（ＰＡ−ＩＩＩ）で表される部分構造を含むアミン、アルコールは、アミン、アルコールを塩基性下にて（Ｒ’Ｏ_２Ｃ）_２Ｏや（Ｒ’ＳＯ_２）_２Ｏ等の無水物、Ｒ’Ｏ_２ＣＣｌやＲ’ＳＯ_２Ｃｌ等の酸クロリド化合物と反応させることにより合成できる（Ｒ’は、メチル基、ｎ−オクチル基、トリフルオロメチル基等）。特に、特開２００６−３３００９８号公報の合成例などに準ずることができる。
化合物（Ｃ）の分子量は、５００〜１０００であることが好ましい。

本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は化合物（Ｃ）を含有してもしていなくてもよいが、含有する場合、化合物（Ｃ）の含有量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、０．１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量％である。

［３−２］塩基性化合物（Ｃ’）
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物（Ｃ’）を含有していてもよい。
塩基性化合物としては、好ましくは、下記式（Ａ）〜（Ｅ）で示される構造を有する化合物を挙げることができる。

一般式（Ａ）と（Ｅ）において、
Ｒ^２００、Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜２０）又はアリール基（炭素数６〜２０）を表し、ここで、Ｒ^２０１とＲ^２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５及びＲ^２０６は、同一でも異なってもよく、炭素数１〜２０個のアルキル基を表す。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基又は炭素数１〜２０のシアノアルキル基が好ましい。
これら一般式（Ａ）と（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び／又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び／又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。

イミダゾール構造を有する化合物としては、イミダゾール、２、４、５−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、１、４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、１、５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノナ−５−エン、１、８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカー７−エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、２−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヒドロキシド、ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、２−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、オニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー１−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ（ｎ−ブチル）アミン、トリ（ｎ−オクチル）アミン等を挙げることができる。アニリン構造を有する化合物としては、２，６−ジイソプロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び／又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス（メトキシエトキシエチル）アミン等を挙げることができる。水酸基及び／又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アニリン等を挙げることができる。

好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。
前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも１つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に１つ以上、好ましくは３〜９個、更に好ましくは４〜６個である。オキシアルキレン基の中でも−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ−若しくは−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−の構造が好ましい。
前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開２００７／０２２４５３９号明細書の［００６６］に例示されている化合物（Ｃ１−１）〜（Ｃ３−３）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、塩基性化合物の１種として、酸の作用により脱離する基を有する含窒素有機化合物を用いることもできる。この化合物の例として、例えば、下記一般式（Ｆ）で表される化合物を挙げることができる。なお、下記一般式（Ｆ）で表される化合物は、酸の作用により脱離する基が脱離することによって、系中での実効的な塩基性を発現する。

一般式（Ｆ）において、Ｒ_ａは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、ｎ＝２のとき、２つのＲ_ａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲ_ａは相互に結合して、２価の複素環式炭化水素基（好ましくは炭素数２０以下）若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Ｒ_ｂは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、−Ｃ（Ｒ_ｂ）（Ｒ_ｂ）（Ｒ_ｂ）において、１つ以上のＲ_ｂが水素原子のとき、残りのＲ_ｂの少なくとも１つはシクロプロピル基又は１−アルコキシアルキル基である。
少なくとも２つのＲ_ｂは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
ｎは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数をそれぞれ表し、ｎ＋ｍ＝３である。

一般式（Ｆ）において、Ｒ_ａ及びＲ_ｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。
前記Ｒのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基（これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい）としては、
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の１種以上或いは１個以上で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の１種以上或いは１個以上で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の１種以上或いは１個以上で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の１種以上或いは１個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の１種以上或いは１個以上で置換した基等或いは前記の置換基が水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。

また、前記Ｒ_ａが相互に結合して、形成する２価の複素環式炭化水素基（好ましくは炭素数１〜２０）若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン、１，２，３，４−テトラヒドロキノリン、１，２，３，６−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、４−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、５−アザベンゾトリアゾール、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１，４，７−トリアザシクロノナン、テトラゾール、７−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン、（１Ｓ，４Ｓ）−（＋）−２，５−ジアザビシクロ［２．２．１］ヘプタン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デック−５−エン、インドール、インドリン、１，２，３，４−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、１，５，９−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の１種以上或いは１個以上で置換した基等が挙げられる。

一般式（Ｆ）で表される化合物の具体例を以下に示す。

上記一般式（Ｆ）で表される化合物は、市販のものを用いても、市販のアミンから、Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ 第四版等に記載の方法で合成してもよい。もっとも一般的な方法としては、例えば、特開２００９−１９９０２１号公報に記載の方法に準じて合成することができる。

塩基性化合物の分子量は、２５０〜２０００であることが好ましく、更に好ましくは４００〜１０００である。ＬＷＲのさらなる低減及び局所的なパターン寸法の均一性の観点からは、塩基性化合物の分子量は、４００以上であることが好ましく、５００以上であることがより好ましく、６００以上であることが更に好ましい。

これらの塩基性化合物（Ｃ’）は、前記化合物（Ｃ）と併用していてもよいし、単独であるいは２種以上一緒に用いられる。

本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は塩基性化合物を含有してもしていなくてもよいが、含有する場合、塩基性化合物の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜５質量％である。

酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤／塩基性化合物（モル比）＝２．５〜３００であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が２．５以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から３００以下が好ましい。酸発生剤／塩基性化合物（モル比）は、より好ましくは５．０〜２００、更に好ましくは７．０〜１５０である。

［４］溶剤（Ｄ）
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４〜１０）、環を有しても良いモノケトン化合物（好ましくは炭素数４〜１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
これらの溶剤の具体例は、米国特許出願公開２００８／０１８７８６０号明細書［０４４１］〜［０４５５］に記載のものを挙げることができる。

本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ、別名１−メトキシ−２−プロパノール）、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、別名１−メトキシ−２−アセトキシプロパン）、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノンが最も好ましい。
水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比（質量）は、１／９９〜９９／１、好ましくは１０／９０〜９０／１０、更に好ましくは２０／８０〜６０／４０である。水酸基を含有しない溶剤を５０質量％以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒、又は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する２種類以上の混合溶剤であることが好ましい。

［５］疎水性樹脂（Ｅ）
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂（以下、「疎水性樹脂（Ｅ）」又は単に「樹脂（Ｅ）」ともいう）を含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂（Ｅ）が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的／動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。
疎水性樹脂（Ｅ）は前述のように界面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性／非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。

疎水性樹脂（Ｅ）は、典型的には、フッ素原子及び／又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂（Ｅ）に於けるフッ素原子及び／又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。

疎水性樹脂（Ｅ）がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。
フッ素原子を有するアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜４）は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式（Ｆ２）〜（Ｆ４）で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。

一般式（Ｆ２）〜（Ｆ４）中、
Ｒ_５７〜Ｒ_６８は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基（直鎖若しくは分岐）を表す。但し、Ｒ_５７〜Ｒ_６１少なくとも１つ、Ｒ_６２〜Ｒ_６４の少なくとも１つ、及びＲ_６５〜Ｒ_６８の少なくとも１つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基（好ましくは炭素数１〜４）を表す。
Ｒ_５７〜Ｒ_６１及びＲ_６５〜Ｒ_６７は、全てがフッ素原子であることが好ましい。Ｒ_６２、Ｒ_６３及びＲ_６８は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基（好ましくは炭素数１〜４）が好ましく、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。Ｒ_６２とＲ_６３は、互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（Ｆ２）で表される基の具体例としては、例えば、ｐ−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル基等が挙げられる。
一般式（Ｆ３）で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ（２−メチル）イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−ｔ−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ（トリメチル）ヘキシル基、２，２，３，３−テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ（２−メチル）イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−ｔ−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。
一般式（Ｆ４）で表される基の具体例としては、例えば、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ、−Ｃ（Ｃ_２Ｆ_５）_２ＯＨ、−Ｃ（ＣＦ_３）（ＣＨ_３）ＯＨ、−ＣＨ（ＣＦ_３）ＯＨ等が挙げられ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨが好ましい。

フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの２つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。

フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。

式中、Ｒ_１０及びＲ_１１は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数１〜４の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。

Ｗ_３〜Ｗ_６は、各々独立に、少なくとも１つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記（Ｆ２）〜（Ｆ４）の原子団が挙げられる。

また、疎水性樹脂（Ｅ）は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。

式中、Ｒ_４〜Ｒ_７は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数１〜４の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。
ただし、Ｒ_４〜Ｒ_７の少なくとも１つはフッ素原子を表す。Ｒ_４とＲ_５若しくはＲ_６とＲ_７は環を形成していてもよい。
Ｗ_２は、少なくとも１つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記（Ｆ２）〜（Ｆ４）の原子団が挙げられる。
Ｌ_２は、単結合、或いは２価の連結基を示す。２価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ）−（式中、Ｒは水素原子又はアルキルを表す）、−ＮＨＳＯ_２−又はこれらの複数を組み合わせた２価の連結基を示す。
Ｑは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数５以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Ｑとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。

以下、フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、Ｘ_１は、水素原子、−ＣＨ_３、−Ｆ又は−ＣＦ_３を表す。Ｘ_２は、−Ｆ又は−ＣＦ_３を表す。

疎水性樹脂（Ｅ）は、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造（好ましくはトリアルキルシリル基）、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。
アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式（ＣＳ−１）〜（ＣＳ−３）で表される基などが挙げられる。

一般式（ＣＳ−１）〜（ＣＳ−３）に於いて、
Ｒ_１２〜Ｒ_２６は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）又はシクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜２０）を表す。
Ｌ_３〜Ｌ_５は、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレア結合よりなる群から選択される単独或いは２つ以上の組み合わせ（好ましくは総炭素数１２以下）が挙げられる。
ｎは、１〜５の整数を表す。ｎは、好ましくは、２〜４の整数である。

以下、一般式（ＣＳ−１）〜（ＣＳ−３）で表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Ｘ_１は、水素原子、−ＣＨ_３、−Ｆ又は−ＣＦ_３を表す。

更に、疎水性樹脂（Ｅ）は、下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つを有していてもよい。
（ｘ）酸基、
（ｙ）ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基、
（ｚ）酸の作用により分解する基

酸基（ｘ）としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基等が挙げられる。
好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール）、スルホンイミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基が挙げられる。

酸基（ｘ）を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に、直接、酸基が結合している繰り返し単位、或いは、連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。酸基（ｘ）を有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。
酸基（ｘ）を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位に対し、１〜５０モル％が好ましく、より好ましくは３〜３５モル％、更に好ましくは５〜２０モル％である。

酸基（ｘ）を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。式中、Ｒｘは水素原子、ＣＨ_３、ＣＦ_３、又は、ＣＨ_２ＯＨを表す。

ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基（ｙ）としては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。
これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。

ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に酸分解性樹脂（Ｐ）の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。

ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、１〜１００モル％であることが好ましく、３〜９８モル％であることがより好ましく、５〜９５モル％であることが更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）に於ける、酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位は、樹脂（Ｐ）で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。疎水性樹脂（Ｅ）に於ける、酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位に対し、１〜８０モル％が好ましく、より好ましくは１０〜８０モル％、更に好ましくは２０〜６０モル％である。

疎水性樹脂（Ｅ）は、更に、下記一般式（ＣＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有していてもよい。

一般式（ＣＩＩＩ）に於いて、
Ｒ_ｃ３１は、水素原子、アルキル基（フッ素原子等で置換されていても良い）、シアノ基又は−ＣＨ_２−Ｏ−Ｒａｃ_２基を表す。式中、Ｒａｃ_２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Ｒ_ｃ３１は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Ｒ_ｃ３２は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基で置換されていても良い。
Ｌ_ｃ３は、単結合又は２価の連結基を表す。

一般式（ＣＩＩＩ）に於ける、Ｒ_ｃ３２のアルキル基は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数３〜２０のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数３〜２０のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数３〜２０のシクロアルケニル基が好ましい。
アリール基は、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、これらは置換基を有していてもよい。
Ｒ_ｃ３２は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
Ｌ_ｃ３の２価の連結基は、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜５）、エーテル結合、フェニレン基、エステル結合（−ＣＯＯ−で表される基）が好ましい。
一般式（ＣＩＩＩ）により表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、１〜１００モル％であることが好ましく、１０〜９０モル％であることがより好ましく、３０〜７０モル％であることが更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、更に、下記一般式（ＣＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位を有することも好ましい。

式（ＣＩＩ−ＡＢ）中、
Ｒ_ｃ１１’及びＲ_ｃ１２’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｚｃ’は、結合した２つの炭素原子（Ｃ−Ｃ）を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
一般式（ＣＩＩ−ＡＢ）により表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、１〜１００モル％であることが好ましく、１０〜９０モル％であることがより好ましく、３０〜７０モル％であることが更に好ましい。

以下に一般式（ＩＩＩ）、（ＣＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Ｒａは、Ｈ、ＣＨ_３、ＣＨ_２ＯＨ、ＣＦ_３又はＣＮを表す。

疎水性樹脂（Ｅ）がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂（Ｅ）の重量平均分子量に対し、５〜８０質量％であることが好ましく、１０〜８０質量％であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる全繰り返し単位中１０〜１００モル％であることが好ましく、３０〜１００モル％であることがより好ましい。
疎水性樹脂（Ｅ）が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂（Ｅ）の重量平均分子量に対し、２〜５０質量％であることが好ましく、２〜３０質量％であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる全繰り返し単位中、１０〜１００モル％であることが好ましく、２０〜１００モル％であることがより好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは１，０００〜１００，０００で、より好ましくは１，０００〜５０，０００、更により好ましくは２，０００〜１５，０００である。
また、疎水性樹脂（Ｅ）は、１種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
疎水性樹脂（Ｅ）の組成物中の含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対し、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０５〜８質量％がより好ましく、０．１〜５質量％が更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、樹脂（Ｐ）同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が０．０１〜５質量％であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜３質量％、０．０５〜１質量％が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、分散度ともいう）は、１〜５の範囲が好ましく、より好ましくは１〜３、更に好ましくは１〜２の範囲である。

疎水性樹脂（Ｅ）は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って（例えばラジカル重合）合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を１〜１０時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。
反応溶媒、重合開始剤、反応条件（温度、濃度等）、及び、反応後の精製方法は、樹脂（Ｐ）で説明した内容と同様であるが、疎水性樹脂（Ｅ）の合成においては、反応の濃度が３０〜５０質量％であることが好ましい。

以下に疎水性樹脂（Ｅ）の具体例を示す。また、下記表１及び表２に、各樹脂における繰り返し単位のモル比（各繰り返し単位と左から順に対応）、重量平均分子量、分散度を示す。

［６］界面活性剤（Ｆ）
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくても良く、含有する場合、フッ素及び／又はシリコン系界面活性剤（フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤）のいずれか、あるいは２種以上を含有することがより好ましい。

本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が界面活性剤を含有することにより、２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２７６］に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、（新秋田化成（株）製）、フロラードＦＣ４３０、４３１、４４３０（住友スリーエム（株）製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｆ１１３、Ｆ１１０、Ｆ１７７、Ｆ１２０、Ｒ０８（大日本インキ化学工業（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、ＫＨ−２０（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）、ＧＦ−３００、ＧＦ−１５０（東亜合成化学（株）製）、サーフロンＳ−３９３（セイミケミカル（株）製）、エフトップＥＦ１２１、ＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＲＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２５Ｍ、ＥＦ１３５Ｍ、ＥＦ３５１、ＥＦ３５２、ＥＦ８０１、ＥＦ８０２、ＥＦ６０１（（株）ジェムコ製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）、ＦＴＸ−２０４Ｇ、２０８Ｇ、２１８Ｇ、２３０Ｇ、２０４Ｄ、２０８Ｄ、２１２Ｄ、２１８Ｄ、２２２Ｄ（（株）ネオス製）等である。またポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性剤として用いることができる。

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）若しくはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
上記に該当する界面活性剤として、メガファックＦ１７８、Ｆ−４７０、Ｆ−４７３、Ｆ−４７５、Ｆ−４７６、Ｆ−４７２（大日本インキ化学工業（株）製）、Ｃ_６Ｆ_１３基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ_３Ｆ_７基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体等を挙げることができる。

また、本発明では、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２８０］に記載の、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。

これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物全量（溶剤を除く）に対して、好ましくは０．０００１〜２質量％、より好ましくは０．０００５〜１質量％である。
一方、界面活性剤の添加量を、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物全量（溶剤を除く）に対して、１０ｐｐｍ以下とすることで、疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。

［７］その他添加剤（Ｇ）
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもしなくても良い。このようなカルボン酸オニウム塩は、米国特許出願公開２００８／０１８７８６０号明細書［０６０５］〜［０６０６］に記載のものを挙げることができる

これらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物がカルボン酸オニウム塩を含有する場合、その含有量は、組成物の全固形分に対し、一般的には０．１〜２０質量％、好ましくは０．５〜１０質量％、更に好ましくは１〜７質量％である。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物（例えば、分子量１０００以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物）等を含有させることができる。

このような分子量１０００以下のフェノール化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８号、特開平２−２８５３１号、米国特許第４，９１６，２１０、欧州特許第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。
カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。

本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚３０〜２５０ｎｍで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚３０〜２００ｎｍで使用されることが好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常１．０〜１０質量％であり、好ましくは、２．０〜５．７質量％、更に好ましくは２．０〜５．３質量％である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインウィズスラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を１０質量％以下、好ましくは５．７質量％以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。
固形分濃度とは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。

本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体（基板）上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは０．１μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以下、更に好ましくは０．０３μｍ以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開２００２−６２６６７号公報のように、循環的な濾過を行ったり、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。

以上、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の各成分について詳述した。以下、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の好適な形態を示す。下記一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩＩ）及び一般式（ＩＶ）における各基の定義、具体例、好ましい例等は、それぞれ、一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩＩ）及び一般式（ＩＶ）において既に説明したものと同様である。

［形態（Ｉ）］
酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ−１）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ’）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。

［形態（ＩＩ）］
酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。

上記形態（ＩＩ）において、前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかであることが好ましい。

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
Ｚは、（ｐ＋１）価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。
Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。

［形態（ＩＩＩ）］
酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
（ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。

［８］パターン形成方法
本発明のパターン形成方法（ネガ型パターン形成方法）は、
（ア）感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により膜（レジスト膜）を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、
を少なくとも有する。
上記工程（イ）における露光が、液浸露光であってもよい。
本発明のパターン形成方法は、（イ）露光工程の後に、（エ）加熱工程を有することが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（オ）アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（イ）露光工程を、複数回有することができる。
本発明のパターン形成方法は、（オ）加熱工程を、複数回有することができる。

レジスト膜は、上記した本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。

製膜後、露光工程の前に、前加熱工程（ＰＢ；Ｐｒｅｂａｋｅ）を含むことも好ましい。
また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程（ＰＥＢ；Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。
加熱温度はＰＢ、ＰＥＢ共に７０〜１３０℃で行うことが好ましく、８０〜１２０℃で行うことがより好ましい。
加熱時間は３０〜３００秒が好ましく、３０〜１８０秒がより好ましく、３０〜９０秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。

本発明における露光装置に用いられる光源波長に制限は無いが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、Ｘ線、電子線等を挙げることができ、好ましくは２５０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下、特に好ましくは１〜２００ｎｍの波長の遠紫外光、具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、ＥＵＶ（１３ｎｍ）、電子線等であり、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ又は電子線が好ましく、ＡｒＦエキシマレーザーであることがより好ましい。

また、本発明の露光を行う工程においては液浸露光方法を適用することができる。
液浸露光方法とは、解像力を高める技術として、投影レンズと試料の間に高屈折率の液体（以下、「液浸液」ともいう）で満たし露光する技術である。
前述したように、この「液浸の効果」はλ_０を露光光の空気中での波長とし、ｎを空気に対する液浸液の屈折率、θを光線の収束半角としＮＡ_０＝ｓｉｎθとすると、液浸した場合、解像力及び焦点深度は次式で表すことができる。ここで、ｋ_１及びｋ_２はプロセスに関係する係数である。
（解像力）＝ｋ_１・（λ_０／ｎ）／ＮＡ_０
（焦点深度）＝±ｋ_２・（λ_０／ｎ）／ＮＡ_０ ^２
すなわち、液浸の効果は波長が１／ｎの露光波長を使用するのと等価である。言い換えれば、同じＮＡの投影光学系の場合、液浸により、焦点深度をｎ倍にすることができる。これは、あらゆるパターン形状に対して有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることが可能である。

液浸露光を行う場合には、（１）基板上に膜を形成した後、露光する工程の前に、及び／又は（２）液浸液を介して膜に露光する工程の後、膜を加熱する工程の前に、膜の表面を水系の薬液で洗浄する工程を実施してもよい。

液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がＡｒＦエキシマレーザー（波長；１９３ｎｍ）である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。

水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤（液体）を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤はウエハー上のレジスト層を溶解させず、かつレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。
このような添加剤としては、例えば、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。

一方で、１９３ｎｍ光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。

液浸液として用いる水の電気抵抗は、１８．３ＭＱｃｍ以上であることが望ましく、ＴＯＣ（有機物濃度）は２０ｐｐｂ以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。
また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水（Ｄ_２Ｏ）を用いてもよい。

本発明の組成物を用いて形成した膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じて更に前述の疎水性樹脂（Ｅ）を添加することができる。疎水性樹脂（Ｅ）が添加されることにより、表面の後退接触角が向上する。膜の後退接触角は６０°〜９０°が好ましく、更に好ましくは７０°以上である。
液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウェハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウェハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。

本発明の組成物を用いて形成した膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜（以下、「トップコート」ともいう）を設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適性、放射線、特に１９３ｎｍの波長を有した放射線に対する透明性、及び液浸液難溶性が挙げられる。トップコートは、レジストと混合せず、更にレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。
トップコートは、１９３ｎｍにおける透明性という観点からは、芳香族を含有しないポリマーが好ましい。
具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、及びフッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂（Ｅ）はトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズが汚染されるため、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。

トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性であることが好ましいが、膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。
トップコートと液浸液との間には屈折率の差がないか又は小さいことが好ましい。この場合、解像力を向上させることが可能となる。露光光源がＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）の場合には、液浸液として水を用いることが好ましいため、ＡｒＦ液浸露光用トップコートは、水の屈折率（１．４４）に近いことが好ましい。また、透明性及び屈折率の観点から、トップコートは薄膜であることが好ましい。

トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。

本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等の無機基板、ＳＯＧ等の塗布系無機基板等、ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。

本発明のパターン形成方法が、アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有する場合、アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％である。
アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０〜１５．０である。
特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８％質量の水溶液が望ましい。

アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。

有機溶剤を含有する現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程における当該現像液（以下、有機系現像液とも言う）としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。
ケトン系溶剤としては、例えば、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、アセトン、２−ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４−ヘプタノン、１−ヘキサノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。
アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−ヘプチルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。
エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等が使用できる。
炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が１０質量％未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。
すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、９０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることが好ましい。
特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。

有機系現像液の蒸気圧は、２０℃に於いて、５ｋＰａ以下が好ましく、３ｋＰａ以下が更に好ましく、２ｋＰａ以下が特に好ましい。有機系現像液の蒸気圧を５ｋＰａ以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。
５ｋＰａ以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、２−ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４−ヘプタノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−ヘプチルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
特に好ましい範囲である２ｋＰａ以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、４−ヘプタノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−ヘプチルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。

有機系現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。
界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。
界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常０．００１〜５質量％、好ましくは０．００５〜２質量％、更に好ましくは０．０１〜０．５質量％である。

現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）などを適用することができる。
上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧（吐出される現像液の単位面積あたりの流速）は好ましくは２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下、より好ましくは１．５ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下、更に好ましくは１ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると０．２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以上が好ましい。
吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。
このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜・レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。
なお、現像液の吐出圧（ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２）は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。

現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。

また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。

有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。

有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができる。
有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、特に好ましくは、１価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、最も好ましくは、炭素数５以上の１価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。
ここで、リンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の１価アルコールが挙げられ、具体的には、１−ブタノール、２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、ｔｅｒｔ―ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、２−ヘキサノール、シクロペンタノール、２−ヘプタノール、２−オクタノール、３−ヘキサノール、３−ヘプタノール、３−オクタノール、４−オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数５以上の１価アルコールとしては、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノールなどを用いることができる。

前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。

リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、より好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。含水率を１０質量％以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。

有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に用いるリンス液の蒸気圧は、２０℃に於いて０．０５ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下が好ましく、０．１ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下が更に好ましく、０．１２ｋＰａ以上、３ｋＰａ以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を０．０５ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。

リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常４０〜１６０℃、好ましくは７０〜９５℃で、通常１０秒〜３分、好ましくは３０秒から９０秒間行う。

また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
本発明の電子デバイスは、電気電子機器（家電、ＯＡ・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に、好適に、搭載されるものである。

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。尚、実施例８及び２１は、参考例と読み替えるものとする。

＜合成例＞
（酸発生剤ＰＡＧ１の合成）
下記反応スキームに従い、酸発生剤ＰＡＧ１を合成した。

すなわち、化合物Ａ（１０ｇ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌを３００ｍｌナスフラスコに入れ、氷冷しながらピペリジン（７．８８ｇ）を滴下し、室温にて２時間攪拌した。その後、反応液を１Ｎ塩酸２００ｍｌに加え、酢酸エチル（１００ｍｌ×２）を用いて２回抽出を行い、有機層を合わせて、水２００ｍｌで洗浄し、次いで濃縮して、化合物Ｂを粗生成物として１０．６ｇ得た。
得られた化合物Ｂ（５ｇ）を１００ｍｌ三口フラスコに入れ、ジエチレングリコールジメチルエーテル１０ｍｌを加えたのち、氷冷しながらナトリウムヘキサメチルジシラジドのＴＨＦ溶液（３８％、９．３ｍｌ）を滴下した。さらに室温で２時間攪拌後、化合物Ｂ（５ｇ）を加え、１３０℃で１５時間攪拌した。その後反応液に水（５０ｍｌ）を加え、次いでトリフェニルスルホニウムブロミド（８ｇ）を加えた後、塩化メチレン（１００ｍｌ×２）を用いて２回抽出を行った。得られた有機層を合わせて、水（１００ｍｌ×５）で５回洗浄し、濃縮した。得られたオイル状の粗成生物にシクロペンチルメチルエーテル（２０ｍｌ）を加え、室温で攪拌し、生じた結晶を濾過することにより酸発生剤ＰＡＧ１（９．６ｇ、６６％）を得た。
得られた酸発生剤ＰＡＧ１の^１Ｈ−ＮＭＲチャート及び^１９Ｆ−ＮＭＲチャートを、それぞれ、図１及び図２に示す。

以下に示す酸発生剤ＰＡＧ２〜１３は、上記酸発生剤ＰＡＧ１の合成と同様の手法に従い、合成した。

＜合成例＞
（酸発生剤ＰＡＧ１４の合成）
下記反応スキームに従い、酸発生剤ＰＡＧ１４を合成した。

３００ｍｌナスフラスコ中で、マロノニトリル（２．３５ｇ）をＴＨＦ（５０ｍｌ）に溶解させた後、０℃に冷却し、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）（５．４１ｇ）を加え、３０分攪拌した。その後、化合物Ｂ（５ｇ）を滴下し、０℃で３０分攪拌、さらに２５℃で１時間攪拌した。
得られた反応液に水（１００ｍｌ）、トリフェニルスルホニウムブロミド（６．１ｇ）、塩化メチレン（１００ｍｌ）を加え、２５℃で１時間攪拌した。
反応液の有機層を分離し、１Ｎ塩酸（１００ｍｌ）で１回、蒸留水（１００ｍｌ）で３回洗浄したのち、減圧濃縮を行い、茶褐色粘性の液体を得た。
この粘性液体にｔ−ブチルメチルエーテル（１５０ｍｌ）を加え、室温で１時間攪拌し、ＰＡＧ１４（７．９ｇ、収率７５％）を単黄色固体として得た。
得られたＰＡＧ１４の^１Ｈ−ＮＭＲチャート及び^１９Ｆ−ＮＭＲチャートを、それぞれ、図３及び図４に示す。

以下に示す酸発生剤ＰＡＧ１５は、上記酸発生剤ＰＡＧ１４の合成と同様の手法に従い、合成した。

（樹脂Ｐ−１の合成）
窒素気流下、シクロヘキサノン２３．４ｇを３つ口フラスコに入れ、これを８０℃に加熱した。次に、下記モノマー１（２４．７ｇ）及び下記モノマー２（メタクリル酸ｔ−ブチル）（１４．２ｇ）を、シクロヘキサノン（９３．５ｇ）に溶解させ、モノマー溶液を調製した。更に、重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業製）を、０．９２ｇ（モノマーの合計量に対し２．０ｍｏｌ％）加え、溶解させた溶液を、上記フラスコに中に６時間かけて滴下した。滴下終了後、更に８０℃で２時間反応させた。反応液を放冷後、ヘプタン１６３５ｇ／水１８１．７ｇの混合溶媒に滴下し、析出した析出物をろ取及び乾燥して、３１．８ｇの樹脂（Ｐ−１）を得た。得られた樹脂（Ｐ−１）の重量平均分子量は２０２００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５７であり、^１３Ｃ−ＮＭＲにより測定した組成比（モル比）は５０／５０であった。

以下、樹脂（Ｐ−１）と同様にして、樹脂（Ｐ−２）〜（Ｐ−１１）を合成した。
合成した樹脂の構造、繰り返し単位の組成比（モル比）、重量平均分子量、及び、分散度を以下に示す。

＜活性光線又は放射線の照射により、塩基性が低下する塩基性化合物（Ｃ）、及び塩基性化合物（Ｃ’）＞
活性光線又は放射線の照射により、塩基性が低下する塩基性化合物、あるいは、塩基性化合物として、以下の化合物を用いた。

＜疎水性樹脂＞
疎水性樹脂としては、先に挙げた樹脂（ＨＲ−１）〜（ＨＲ−９０）から、適宜選択して用いた。
なお、疎水性樹脂（ＨＲ−７９）は米国特許出願公開第２０１０／０１５２４００号明細書、国際公開第２０１０／０６７９０５号、国際公開第２０１０／０６７８９８号などの記載に基づき合成した。

＜界面活性剤＞
界面活性剤としては、以下のものを用いた。
Ｗ−１： メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製；フッ素系）
Ｗ−２： メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製；フッ素及びシリコン系）
Ｗ−３： ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製；シリコン系）
Ｗ−４： トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）
Ｗ−５： ＫＨ−２０（旭硝子（株）製）
Ｗ−６： ＰｏｌｙＦｏｘ ＰＦ−６３２０（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ．製；フッ素系）

＜溶剤＞
溶剤としては、以下のものを用いた。
（ａ群）
ＳＬ−１： プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
ＳＬ−２： プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート
ＳＬ−３： ２−ヘプタノン
（ｂ群）
ＳＬ−４： 乳酸エチル
ＳＬ−５： プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
ＳＬ−６： シクロヘキサノン
（ｃ群）
ＳＬ−７： γ−ブチロラクトン
ＳＬ−８： プロピレンカーボネート

＜現像液＞
現像液としては、以下のものを用いた。
ＳＧ−１：酢酸ブチル
ＳＧ−２：メチルアミルケトン
ＳＧ−３：エチル−３−エトキシプロピオネート
ＳＧ−４：酢酸ペンチル
ＳＧ−５：酢酸イソペンチル
ＳＧ−６：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
ＳＧ−７：シクロヘキサノン
＜リンス液＞
リンス液として、以下のものを用いた。
ＳＲ−１：４−メチル−２−ペンタノール
ＳＲ−２：１−ヘキサノール
ＳＲ−３：酢酸ブチル
ＳＲ−４：メチルアミルケトン
ＳＲ−５：エチル−３−エトキシプロピオネート

〔実施例１〜３０及び比較例１〜６〕
＜ＡｒＦドライ露光＞
（レジスト調製）
下記表３に示す成分を同表に示す溶剤に全固形分で３．８質量％溶解させ、それぞれを０．１μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）を調製した。シリコンウエハ上に有機反射防止膜形成用のＡＲＣ２９ＳＲ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い、膜厚８６ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベーク（ＰＢ：Ｐｒｅｂａｋｅ）を行い、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を形成した。
得られたレジスト膜に対し、ＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ社製 ＰＡＳ５５００／１１００、ＮＡ０．７５、Ｄｉｐｏｌｅ、アウターシグマ０．８９、インナーシグマ０．６５）を用いて、パターン露光を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ＝７５ｎｍであり且つライン：スペース＝１：１である６％ハーフトーンマスクを用いた。その後、１０５℃で６０秒間加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）した。次いで、表３に記載の現像液で３０秒間パドルして現像し、表３に記載のリンス液で３０秒間パドルしてリンスした。続いて、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウエハを回転させることにより、線幅７５ｎｍの１：１のラインアンドスペースパターンを得た。

〔露光ラチチュード（ＥＬ、％）〕
線幅が７５ｎｍのラインアンドスペース（ライン：スペース＝１：１）のマスクパターンを再現する露光量を求め、これを最適露光量Ｅ_ｏｐｔとした。次いで線幅が目的の値である７５ｎｍの±１０％（即ち、６７．５ｎｍ及び８２．５ｎｍ）となるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュード（ＥＬ）を算出した。ＥＬの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さい。
［ＥＬ（％）］＝｛［（線幅が８２．５ｎｍとなる露光量）−（線幅が６７．５ｎｍとなる露光量）］／Ｅ_ｏｐｔ｝×１００

〔ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ、ｎｍ）〕
露光ラチチュード評価における最適露光量にて解像した線幅７５ｎｍの１：１のラインアンドスペースのレジストパターンの観測において、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ−９３８０ＩＩ））にてパターン上部から観察する際、線幅を任意の５０点で観測し、その測定ばらつきを３σで評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

〔現像時間依存性〕
露光ラチチュード評価における最適露光量にて、上記（レジスト調製）で記載した方法と同様の方法により露光を行い、現像液を３０秒間パドルして現像したときの線幅と６０秒間パドルして現像したときの線幅の差を３０で割った値を現像時間依存性とした。値が小さいほど現像時間依存性が良好な性能であることを示す。

［現像時間依存性〔ｎｍ／ｓｅｃ〕］＝［（６０秒現像時の線幅〔ｎｍ〕）−（３０秒現像時の線幅〔ｎｍ〕）］／３０〔ｓｅｃ〕

これらの評価結果を下記表３に示す。

表３に示す結果から明らかなように、本発明の酸発生剤を使用しない比較例１〜３は、ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）が大きく、露光ラチチュード（ＥＬ）が小さく、現像時間依存性が大きく、ＬＷＲ、ＥＬ及び現像時間依存性のいずれにも劣ることがわかる。
一方、本発明の酸発生剤を使用した実施例１〜１３、並びに、実施例２７及び２８はＬＷＲが小さく、ＥＬが大きく、現像時間依存性が小さく、ＬＷＲ、ＥＬ及び現像時間依存性のいずれにも優れることが分かった。

＜ＡｒＦ液浸露光＞
（レジスト調製）
下記表４に示す成分を同表に示す溶剤に全固形分で３．８質量％溶解させ、それぞれを０．０３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）を調製した。シリコンウエハ上に有機反射防止膜形成用のＡＲＣ２９ＳＲ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い、膜厚９５ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベーク（ＰＢ：Ｐｒｅｂａｋｅ）を行い、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を形成した。
得られたウエハをＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ−Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９００、インナーシグマ０．８１２、ＸＹ偏向）を用い、ホールサイズが６０ｎｍであり且つホール間のピッチが９０ｎｍである正方配列のハーフトーンマスクを介して、パターン露光を行った。液浸液としては超純水を用いた。その後、１０５℃で６０秒間加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）した。次いで、表４に記載の現像液で３０秒間パドルして現像し、表４に記載のリンス液で３０秒間パドルしてリンスした。続いて、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウエハを回転させることにより、４５ｎｍのコンタクトホールパターンを得た。

〔露光ラチチュード（ＥＬ、％）〕
測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（株）日立製作所Ｓ−９３８０ＩＩ）によりホールサイズを観察し、ホールサイズが４５ｎｍのコンタクトホールパターンを解像する時の最適露光量を感度（Ｅ_ｏｐｔ）（ｍＪ／ｃｍ^２）とした。求めた最適露光量（Ｅ_ｏｐｔ）を基準とし、次いでホールサイズが目的の値である４５ｎｍの±１０％（即ち、４０．５ｎｍ及び４９．５ｎｍ）となるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュード（ＥＬ、％）を算出した。ＥＬの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さく、良好である。
［ＥＬ（％）］＝｛［（パターンサイズが４０．５ｎｍとなる露光量）−（パターンサイズが４９．５ｎｍとなる露光量）］／Ｅ_ｏｐｔ｝×１００

〔局所的なパターン寸法の均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤＵ、ｎｍ）〕
露光ラチチュード評価における最適露光量で、１回で露光された範囲内において、１μｍ間隔で２０箇所、各箇所で任意の２５個、計５００個のホールサイズを測定し、これらの標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど寸法のばらつきが小さく、良好な性能であることを示す。

〔パターン部膜厚（ｎｍ）〕
上記の最適露光量における各パターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡（(株)日立製作所製Ｓ−４８００）を用いて観察した。ホールパターンにおけるレジスト残存部について、パターン高さを計測した。値が大きいほど膜減りが少なく良好である。

これらの評価結果を下記表４に示す。

表４に示す結果から明らかなように本発明の酸発生剤を使用しない比較例４〜６は、露光ラチチュード（ＥＬ）が小さく、ローカルＣＤＵが大きく、ＥＬ及びローカルＣＤＵのいずれにも劣り、パターン部の膜厚も薄いことが分かる。
一方、本発明の酸発生剤を使用した実施例１４〜２６、並びに、実施例２９及び３０は、ＥＬが大きく、ローカルＣＤＵが小さく、ＥＬ及びローカルＣＤＵのいずれにも優れ、パターン部の膜厚も厚いことが分かる。

Claims (31)

1. （ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
   （イ）該膜を露光する工程、及び
   （ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
   

   

   
   Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
   Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
   Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
   Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
   ｐ１は１を表し、ｐ２は１又は２を表す。
   Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。Ｌはフッ素原子を有さない。
   （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
   Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
2. （ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
   （イ）該膜を露光する工程、及び
   （ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法であって、前記樹脂（Ｐ）が、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有し、前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかであるパターン形成方法。
   

   

   
   Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
   Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
   Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
   Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
   ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
   Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
   （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
   Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
   

   

   
   上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
   Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
   上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
   Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
   Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
   Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
   ｐは１〜３の整数を表す。
   ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
3. （ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
   （イ）該膜を露光する工程、及び
   （ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
   

   

   
   Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
   Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
   Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
   Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
   ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
   Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
   （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
   Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
4. （ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
   （イ）該膜を露光する工程、及び
   （ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
   

   

   
   Ａは炭素原子を表す。
   Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
   ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
   ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
   Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
   （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
   ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
5. 前記一般式（Ｉ）において、Ｒｂがシアノ基を表す、請求項４に記載のパターン形成方法。
6. （ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
   （イ）該膜を露光する工程、及び
   （ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法であって、前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が６個以下であるパターン形成方法。
   

   

   
   Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
   Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
   Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
   Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
   ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
   Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
   （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
   Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
7. 前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が４個以下である請求項６に記載のパターン形成方法。
8. 上記一般式（Ｉ）において、Ｌがフッ素原子を有さず、かつ、ｐ１が１を表す、請求項２〜７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
9. 前記樹脂（Ｐ）が、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する、請求項１及び３〜７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
10. 前記カルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである、請求項９に記載のパターン形成方法。
    

    

    
    上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
    上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
    Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
    Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
    ｐは１〜３の整数を表す。
    ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
11. 前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、請求項２、９及び１０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
12. 前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上６５モル％以下である、請求項１１に記載のパターン形成方法。
13. 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、請求項１、２、４〜７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
14. 前記化合物（Ｂ）が、下記一般式（ＩＩ）で表されるイオン性化合物である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
    

    

    
    一般式（ＩＩ）中、Ａ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２は、それぞれ、上記一般式（Ｉ）におけるＡ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｌ、ｍ、ｎ、ｐ１及びｐ２と同義である。
    Ｍ^＋は、有機対イオンを表す。
15. 上記一般式（ＩＩ）において、Ｍ^＋が、スルホニウムカチオン、又は、ヨードニウムカチオンである、請求項１４に記載のパターン形成方法。
16. 上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中のｎ個の［（Ｒａ）_ｐ２−Ｌ−（ＣＦ_２）_ｐ１−ＳＯ_２］−で表される基の各々において、（ｉ）ｐ２が１を表し、かつ、Ｌが、単結合又は下記式（Ｌ１）〜（Ｌ６）のいずれかで表される２価の基を表すか、又は、（ｉｉ）ｐ２が２を表し、かつ、Ｌが下記式（Ｌ７）〜（Ｌ９）のいずれかで表される３価の式を表す、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
    

    

    
    上記式において、＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＲａに結合する結合手を表し、＊＊は、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における−（ＣＦ_２）_ｐ１−に結合する結合手を表す。
17. 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
18. 前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
19. 更に、（エ）有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
20. 前記工程（イ）における露光が液浸露光である、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
21. 酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ−１）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ’）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    

    

    
    Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
    Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
    Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
    Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
    ｐ２は１又は２を表す。
    Ｌは、単結合、又は、フッ素原子を有さない（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
    （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
    Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
22. 酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    

    

    
    Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
    Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
    Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
    Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
    ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
    Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
    （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
    Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
    

    

    
    上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
    上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
    Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
    Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
    ｐは１〜３の整数を表す。
    ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
23. 酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    

    

    
    Ａは炭素原子を表す。
    Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
    ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
    ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
    Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
    （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
    ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
24. 前記一般式（Ｉ）において、Ｒｂがシアノ基を表す、請求項２３に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
25. 酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ’）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が６個以下である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    

    

    
    Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
    Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
    Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
    Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
    ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
    Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
    （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
    Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
26. 前記一般式（Ｉ）により表される酸に含まれるフッ素原子の数が４個以下である請求項２５に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
27. 前記繰り返し単位（ａ１）が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかである、請求項２３〜２６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    

    

    
    上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒ_１〜Ｒ_３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
    上記一般式中（ＩＶ）、Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ_１〜Ｒｙ_３の内の２つが連結して環を形成していてもよい。
    Ｚは、（ｐ＋１）価の、多環式炭化水素構造を有する連結基を表し、環員としてヘテロ原子を有していてもよい。
    Ｌ_４及びＬ_５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
    ｐは１〜３の整数を表す。
    ｐが２又は３のとき、複数のＬ_５、複数のＲｙ_１、複数のＲｙ_２、及び、複数のＲｙ_３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
28. 前記繰り返し単位（ａ１）の含有量が、前記樹脂（Ｐ’）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上６５モル％以下である、請求項２２〜２７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
29. 酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    

    

    
    Ａは窒素原子又は炭素原子を表す。
    Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてフッ素原子を有さないアルキル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｒｂは、電子求引性基、アルキル基、又は、アリール基を表す。
    Ａが窒素原子であるとき、ｎは１又は２を表し、ｍは（２−ｎ）を表す。
    Ａが炭素原子であるとき、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは（３−ｎ）を表す。
    ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２は１又は２を表す。
    Ｌは単結合又は（ｐ２＋１）価の連結基を表す。ただし、Ｌが単結合である場合、ｐ２は１を表す。
    （ｉ）ｐ２が２を表す、及び、（ｉｉ）ｎが２又は３を表す、の少なくとも一方を満たすとき、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、複数のＲａが互いに結合し環を形成していてもよい。
    Ａが炭素原子であり、かつ、ｍが２を表すとき、複数のＲｂは同一でも異なっていてもよい。
30. 請求項２１〜２９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
31. 請求項１〜２０のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。

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