JP5638599B2 - 有機ｅｌパネル及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬパネル及びその製造方法に関するものである。

有機ＥＬパネルは基板上に単数又は複数の有機ＥＬ素子を配置した自発光パネルであり、表示や照明など各種の用途に用いられている。有機ＥＬ素子は、基板側から下部電極，発光層を含む有機層，上部電極を順に備えた積層構造を有しており、下部電極と上部電極の一方が陽極となり他方が陰極となって、陽極から注入・輸送される正孔と陰極から注入・輸送される電子が発光層で再結合することによって発光するものである。したがって、有機ＥＬ素子は陽極と陰極間を流れる電流の大小によって輝度が決まることになり、素子の発光効率は素子に電気供給する配線電極の電気抵抗に大きく影響されることになる。

配線電極の電気抵抗が高いと、基板上に配置される有機ＥＬ素子の位置によって配線電極の長さが異なるので、配線電極を流れる電流による電圧降下によって素子毎に輝度ムラが発生する問題がある。これに対処するためには、配線電極の電気抵抗を低くすることが必要になり、配線電極はガラス基板との密着性が高い金属酸化物層に低電気抵抗のＡｌ，Ａｇなどの金属又は合金の導電層を積層することが行われている（下記特許文献１参照）。

特開２００３−３６０３７号公報

有機ＥＬパネルの基板上に形成される配線電極には、陰極と導通するための陰極用配線と陽極と導通するために陽極用配線がある。これらの配線電極は、有機層が成膜される前に、有機ＥＬ素子の構成要素である下部電極と共に基板上にパターン形成され、有機層が成膜される前には、配線電極のパターンは独立したパターンとして基板上に存在している。このように基板上に独立して存在する配線電極のパターンに静電気が帯電すると、有機層の成膜時或いは有機ＥＬ素子の積層構造が形成された後に、帯電した静電気が素子側に流れ込んで、有機層や素子構造に悪影響を及ぼす問題がある。
また、有機層の成膜時に使用するメタルマスクのアライメントを行う場合、配線電極への帯電がアライメントし難くなるなどの悪影響を及ぼす問題がある。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、有機ＥＬパネルの製造段階で基板上にパターン形成された配線電極に帯電した静電気が、有機ＥＬ素子の有機層や素子構造に悪影響を与えるのを抑止すること、などが本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明による有機ＥＬパネル及びその製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。

基板上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬパネルであって、前記有機ＥＬ素子は、陽極、有機層、陰極の積層構造を有し、前記基板上には前記有機ＥＬ素子が形成された発光領域と前記陰極と接続する配線電極が形成された配線領域が形成され、前記配線電極は、前記有機ＥＬ素子側の平面的な端部形状が角部を丸めたＲ状部を有し、前記陰極の成膜時に前記陰極と前記配線電極が接続されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。

基板上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬパネルの製造方法であって、陽極、有機層、陰極の積層構造を有する有機ＥＬ素子の形成工程と、前記有機ＥＬ素子側の平面的な端部形状が角部を丸めたＲ状部を有する配線電極を形成する工程と、前記陰極の成膜時に前記陰極と前記配線電極とを接続する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルを示す説明図である。同図（ａ）は有機ＥＬパネルの全体的な平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）はＢ部拡大図を示している。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルに用いられる配線電極の形態例と従来例を示したものである。同図（ａ），（ｂ）が本発明の実施形態例、同図（ｃ）は従来例を示している。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルにおける電荷放出部の他の形態を示した説明図である。 本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬパネルを示した説明図である。 本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬパネルを示した説明図である。 本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬパネルを示した説明図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。本発明の実施形態は図示の内容を含むがこれのみに限定されるものではない。以下の説明では、各図で示した共通部位について同一符号を付して重複説明を一部省略する。

図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルを示す説明図である。同図（ａ）は有機ＥＬパネルの全体的な平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）はＢ部拡大図を示している。有機ＥＬパネル１００は、基板１０上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子１を形成したものである。有機ＥＬ素子１は、基板１０側から順次、下部電極１１、発光層を有する有機層１２、上部電極１３を積層して形成され、下部電極１１と上部電極１３の一方が陰極となり他方が陽極となり、陰極と陽極間に有機層１２が配置された積層構造を有している。

図示の例では、基板１０上に直接、下部電極１１、有機層１２、上部電極１３が積層されているが、機能的な或いは膜厚制御などのための他の層を各層間に介在しても良い。基板１０が透光性を有し、下部電極１１が透光性を有して上部電極１３が光反射性を有する場合には、基板１０側から光を出射させる方式（ボトムエミッション方式）になり、上部電極１３側が透光性を有して下部電極側が光反射性を有する場合には、上部電極１３側から光を出射させる方式（トップエミッション方式）になる。下部電極１１及び上部電極１３の両方を透光性にして両側から光を取り出す方式（デュアルエミッション方式）にしてもよい。

有機ＥＬ素子１は、下部電極１１と上部電極１３との間に印加された電圧によって、陽極側から正孔が有機層１２に注入・輸送され、陰極側から電子が有機層１２に注入・輸送されて、正孔と電子が発光層で再結合することで発光する。したがって、陽極と陰極間を流れる電流によって発光輝度が決まることになる。

同図（ｂ）に示すように有機ＥＬ素子１を複数備えた有機ＥＬパネル１００は、複数の下部電極１１間の電気的絶縁性を確保するために絶縁膜１４を備えている。一例としては、下部電極１１はストライプ状にパターン形成され、下部電極１１上の発光部１５を画定する絶縁膜１４を備えている。

有機ＥＬパネル１００は、同図（ａ）に示すように、基板１０に封止基板２０を貼り合わせた封止構造を有している。そして、有機ＥＬパネル１００は、基板１０上に有機ＥＬ素子１が形成された発光領域１００Ａと有機ＥＬ素子１の陽極又は陰極と導通する配線電極３０が形成された配線領域１００Ｂが形成されている。発光領域１００Ａは封止基板２０で覆われた封止領域内に形成されており、配線領域１００Ｂは発光領域１００Ａの外側に形成されている。配線領域１００Ｂ内の配線電極３０は、下部電極１１と導通するものと上部電極１３と導通するものに分けられる。下部電極１１と導通する配線電極３０は、下部電極１１と連続して形成することができる。上部電極１３と導通する配線電極３０は、基板１０上に形成された配線電極３０と上部電極１３とを上部電極１３の形成時又は形成後に接続する。

このような有機ＥＬパネル１００において、配線電極３０は有機ＥＬ素子１側の平面的な端部形状が角部を丸めたＲ状部３０Ｒを有している（図１（ｃ）参照）。Ｒ状部３０Ｒの外周縁は図示の例では円弧状に形成されているが、必ずしも円弧状である必要はなく、複数の曲率が組み合わせられた任意形状の曲線状であってもよい。このようなＲ状部３０Ｒを設けることで、配線電極３０に静電気が帯電した場合であっても、配線電極３０の有機ＥＬ素子１側の端部に電荷が集中することがなく、配線電極３０の有機ＥＬ素子１側の端部から電荷が有機ＥＬ素子１に流れ込むのを抑止することができる。Ｒ状部３０Ｒは配線電極３０の全部の端部に設けることで高い効果を得ることができるが、配線電極３０の一部の端部に設けることでも所望の効果を得ることができる。また、Ｒ状部３０Ｒが設けられる配線電極３０は陽極用配線と陰極用配線のいずれかに限られるものではなく、その一方又は両方を対象にすることができる。

配線電極３０の静電気帯電は、配線電極３０が基板１０上に形成された後、有機層１２の成膜前や成膜後、封止領域の形成前や形成後など、あらゆる段階で生じうる。そして、各段階では配線電極３０の静電気除去（除電）を効果的に行うことができない場合がある。これに対して、配線電極３０の有機ＥＬ素子１側の端部にＲ状部３０Ｒを設けることで、仮に配線電極３０が帯電したとしても、有機層１２や有機ＥＬ素子１に与える静電気の悪影響を最小限に抑えることが可能になる。

図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネル１００に用いられる配線電極３０の形態例と従来例を示したものである。同図（ａ）は前述した図１（ｃ）に示した形態であり、有機ＥＬ素子１側（発光領域側）の端部にＲ状部３０Ｒが設けられている。Ｒ状部３０Ｒは端部に電荷が集中しないことを目的に設けられるので左右両側に設けることが好ましい。図示の例ではＲ状部３０Ｒは左右対称の形状にしているが、必ずしも左右対称の形状でなくてもよい。

同図（ｂ）に示した配線電極３０の形態は、有機ＥＬ素子１側（発光領域側）の端部に同図（ａ）と同様のＲ状部３０Ｒが設けられており、有機ＥＬ素子１側とは逆側（基板端縁側）の端部に電荷放出部３０Ｓが設けられている。電荷放出部３０Ｓは配線電極３０に帯電した電荷を配線電極３０から外に放出する機能を有するものであり、Ｒ状部３０Ｒが形成された端部の逆側の端部に電荷放出部３０Ｓを設けることで有機ＥＬ素子１側に向けた電荷の流れを規制することができ、有機ＥＬ素子１側の端部に電荷が集中する現象をより確実に抑止することができる。

電荷放出部３０Ｓの一つの形態は、同図（ｂ）に示すように、配線電極３０の端部の平面形状が基板１０の端縁側に向けた尖鋭状になっている。これによると、配線電極３０に帯電した電荷が尖鋭状の端部の先端に集中し易くなることで、それとは逆側の端部に電荷が集中するのを抑止できる。同図（ｃ）は配線電極３０の端部にＲ状部３０Ｒや電荷放出部３０Ｓを設けない場合の例を示しており、この場合には、配線電極３０に静電気が帯電すると端部の角部に電荷の集中が起こり易く、そこから有機ＥＬ素子１側へ電荷が流れ込む懸念が生じる。

図３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルにおける電荷放出部の他の形態を示した説明図である。ここでも有機ＥＬパネル１００は、ストライプ状に配列された下部電極１１とそれと交差状にストライプ状に配列された上部電極１３の交差部分に発光部１５を有する有機ＥＬ素子１が形成されている。そして、配線電極３０は、有機ＥＬ素子１が形成された発光領域１００Ａの外側の配線領域１００Ｂの基板１０上に形成され、有機ＥＬ素子１側のＲ状部３０Ｒが形成された端部が上部電極１３に接続され、それとは逆側の端部が基板１０の端縁に向いて形成されている。

そして、電荷放出部は、配線電極３０の有機ＥＬ素子１側とは逆側の端部に近接して形成された導電パターン４０によって形成され、導電パターン４０は配線電極３０の端部の電気抵抗より低い電気抵抗の材料によって形成されている。このような電荷放出部によっても、配線電極３０が静電気に帯電した場合に、電荷が低抵抗の導電パターン４０側に引き寄せられることで、それとは逆側の端部（有機ＥＬ素子１側の端部）に電荷が集中するのを抑止できる。

この際、配線電極３０の有機ＥＬ素子１側とは逆側の端部と導電パターン４０との距離ｄ２を、配線電極３０の有機ＥＬ素子１側の端部とこれに直近の有機ＥＬ素子１との距離ｄ１より狭くすることで、配線電極３０に帯電した電荷をより導電パターン４０側に移動させることができ、それとは逆側の端部（有機ＥＬ素子１側の端部）に電荷が集中するのをより確実に抑止できる。

図４及び図５は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬパネルを示した説明図である（図４が全体平面図、図５が図４におけるＭ部拡大図）。この例は、大判パネル１００ｍを分割して個々の有機ＥＬパネル１００を得ることができるものであり、大判基板１０ｍ上に複数の有機ＥＬパネル１００を同時形成する複数のパネル形成領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４を有する。

大判基板１０ｍ上には、第１の配線電極３０₁、第２の配線電極３０₂、導電パターン４０が形成されている。第１の配線電極３０₁は、複数のパネル形成領域に渡って形成され、有機ＥＬ素子１の陽極と陰極の一方に導通するものであり、図示の例では下部電極１１と連続して形成されている。第２の配線電極３０₂は、パネル形成領域毎に形成され、有機ＥＬ素子１の陽極と陰極の他方に導通するものあり、図示の例では上部電極１３に導通するように形成されている。導電パターン４０は、大判基板１０ｍ上で各パネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４の外側に形成され、第１の配線電極３０₁及び第２の配線電極３０₂に導通するように形成されたもので、第１の配線電極３０₁や第２の配線電極３０₂に帯電した静電気の電荷をパネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４の外に放出するために形成されたものである。図示の例では、第１の配線電極３０₁及び第２の配線電極３０₂は導電パターン４０と導通した状態になっているが、図３に示すように、第１の配線電極３０₁及び第２の配線電極３０₂の端部と導電パターン４０が近接した状態であってもよく、第１の配線電極３０₁や第２の配線電極３０₂に帯電した電荷が導電パターン４０側に流れ込み易い形態になっていればよい。

大判基板１０ｍには、パネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４毎に、有機ＥＬ素子１を封止するための封止基板２０が貼り付けられて、その内側に封止領域Ｐが形成されている。接着層を介して大判基板１０ｍと封止基板２０を貼り合わせることで、その接着層の内側に封止領域Ｐが形成される。

そして、第２の配線電極３０₂は、前述した実施形態と同様に、有機ＥＬ素子１側の端部にＲ状部３０Ｒが形成されており、第２の配線電極３０₂の有機ＥＬ素子１とは逆側の端部は導電パターン４０に導通又は近接されている。また、第１の配線電極３０₁は封止領域Ｐ内で分断箇所３０ｎにおいて分断されている。

図６は図５に示した例の変形例を示している。この例では、第２の配線電極３０₂の有機ＥＬ素子１とは逆側の端部を尖鋭状にして図２（ｂ）に示した電荷放出部３０Ｓを形成して、その電荷放出部３０Ｓを電荷放出用の導電パターン４０に近接させたものである。このような電荷放出部３０Ｓを設けることで第２の配線電極３０₂に帯電した静電気の電荷をより確実に有機ＥＬ素子１側から引き離すことができる。

図４〜図６に示した有機ＥＬパネルの製造方法を説明する。第１の工程としては、複数の有機ＥＬパネル１を同時形成する複数のパネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４を有する大判基板１０ｍ上に、複数のパネル形成領域に渡って形成される第１の配線電極３０₁、パネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４毎に形成される第２の配線電極３０₂、第１の配線電極３０₁及び第２の配線電極３０₂に導通又は近接する電荷放出用の導電パターン４０を形成する。

第１の配線電極３０₁、第２の配線電極３０₂、導電パターン４０は、大判基板１０ｍ上に導電材料を成膜した後フォトリソ工程などでパターン形成される。第１の配線電極３０₁は下部電極１１に連続して形成されるものであるから、透明導電膜（ＩＴＯなど）を成膜した後に引き出し配線部分に低電気抵抗の金属膜（Ａｌ，Ａｇなど）を成膜し、これをストライプ状にパターン形成する。第２の配線電極３０₂は、前述した端部のＲ状部３０Ｒや電荷放出部３０Ｓをストライプ状のパターンと同時に形成し、有機ＥＬ素子１と逆側の端部を導電パターン４０に導通させるか或いは近接させる。導電パターン４０は低電気抵抗のＡｌやＡｇによって形成され、第１の配線電極３０₁や第２の配線電極３０₂と同時にパターン形成される。

第２の工程としては、各パネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４に有機ＥＬ素子１を形成する。下部電極１１上に図１に示した絶縁膜１４或いは上部電極１３を分離する隔壁のパターンを形成して、下部電極１１上の発光部１５の開口に発光層を含む有機層１２を成膜し、更に上部電極１３を成膜する。上部電極１３の成膜時に上部電極１３と第２の配線電極３０₂が接続される。

第３の工程としては、パネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４毎に有機ＥＬ素子１を封止する封止領域Ｐを形成する。大判基板１０ｍのパネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４毎に封止基板２０を貼り合わせることで、大判基板１０ｍと封止基板２０とを貼り合わせる接着層の内側に封止領域Ｐが形成される。

第４の工程としては、封止領域Ｐ内で第１の配線電極３０₁をパネル形成領域毎に分断する。図５及び図６に示すように、封止領域Ｐ内において第１の配線電極３０₁の引き出し配線とは逆側でパネル形成領域の境界に近い部分に分断箇所３０ｎを形成し、第１の配線電極３０₁を独立した配線にする。この分断にはレーザ光が用いられ、透明な大判基板１０ｍや封止基板２０を介して照射されたレーザ光を分断線Ｌｄに沿って移動させ、直線的に並んだ分断箇所３０ｎを形成する。このように封止領域Ｐ内で第１の配線電極３０₁を分断することで、配線領域以外の部分で封止領域Ｐの外に引き出された第１の配線電極３０₁から封止領域Ｐ内に静電気が侵入するのを抑止することができる。特に、有機ＥＬパネルが結露する状況や配線領域に導電物が付着した場合にも配線間ショートといった不具合解消に本発明は有効である。

第５の工程としては、大判基板１０ｍをパネル形成領域Ｓ１〜Ｓ４毎に分割して個別の有機ＥＬパネル１００を形成する。切断機で図４〜図６に示した切断線Ｃｔに沿って大判基板１０ｍを切断し、個々の有機ＥＬパネル１００を得る。この際、第１の配線電極３０₁と第２の配線電極３０₂は導電パターン４０と切り離されることになり、第１の配線電極３０₁の引き出し配線側が大判基板１０ｍと共に切断されることになる。

以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの構成例を更に具体的に説明する。

基板１０は、ガラス、プラスチック、表面に絶縁材料の層が形成された金属など、有機ＥＬ素子１を支持することができる基材によって形成される。下部電極１１を形成する透明導電膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide），酸化亜鉛系透明導電膜，ＳｎＯ₂系透明導電膜，二酸化チタン系透明導電膜などの透明金属酸化物を用い、第１の配線電極３０₁の引き出し配線部分や第２の配線部分３０₂或いは導電パターン４０は、低電気抵抗金属である銀（Ａｇ）や銀合金，アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などを用いることができる。

絶縁膜１４は、パターニングされた下部電極１１のそれぞれの絶縁性を確保するために設けられ、ポリイミド樹脂，アクリル系樹脂，酸化シリコン，窒化シリコンなどの材料が用いられる。絶縁膜１４の形成は、下部電極１１が形成された基板１０上の発光領域１００Ａ全面に成膜した後、下部電極１１上に発光部１５の開口を形成するパターニングがなされる。具体的には、下部電極１１が形成された基板１０にスピンコート法により所定の塗布厚となるように膜を形成し、露光マスクを用いて露光処理，現像処理を施すことにより、発光部１５の開口パターン形状を有する絶縁膜１４の層が形成される。この絶縁膜１４は、下部電極１１のパターン間を埋めると共にその側端部分を一部覆うように形成され、格子状に形成される。これによって、下部電極１１上に発光部１５を開口して、その領域が絶縁膜１４によって絶縁区画されることになる。

図示省略の隔壁は、マスク等を用いることなく上部電極１３のパターンを形成するため、或いは隣り合う上部電極１３を完全に電気的に絶縁するために、下部電極１１と交差する方向にストライプ状に形成される。具体的には、基板１０又は絶縁膜１４の上に光感光性樹脂等の絶縁材料を、有機ＥＬ素子１を形成する有機層１２と上部電極１３の膜厚の総和より厚い膜厚にスピンコート法等で塗布形成した後、この光感光性樹脂膜上に下部電極１１に交差するストライプ状パターンを有するフォトマスクを介して紫外線等を照射し、層の厚さ方向の露光量の違いから生じる現像速度の差を利用して、側部が下向きのテーパ面を有する隔壁を形成する。

有機層１２は、発光層１２Ａを含む発光機能層の積層構造を有し、下部電極１１と上部電極１３の一方を陽極とし他方を陰極とすると、陽極側から順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などが選択的に形成される。有機層１２の成膜は乾式の成膜として真空蒸着法などが用いられ、湿式の成膜としては塗布や各種の印刷法が用いられる。

有機層１２の形成例を以下に説明する。例えば先ず、ＮＰＢ（N,N-di(naphtalence)-N,N-dipheneyl-benzidene）を正孔輸送層として成膜する。この正孔輸送層は、陽極から注入される正孔を発光層に輸送する機能を有する。この正孔輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層したものであってもよい。また正孔輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングしてもよい。

次に、正孔輸送層の上に発光層を成膜する。一例としては、抵抗加熱蒸着法により、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層を、塗分け用マスクを利用してそれぞれの成膜領域に成膜する。赤（Ｒ）としてＤＣＭ１（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４’−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）等のスチリル色素等の赤色を発光する有機材料を用いる。緑（Ｇ）としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ₃） 等の緑色を発光する有機材料を用いる。青（Ｂ）としてジスチリル誘導体、トリアゾール誘導体等の青色を発光する有機材料を用いる。勿論、他の材料でも、ホスト‐ゲスト系の層構成でも良く、発光形態も蛍光発光材料を用いてもりん光発光材料を用いたものであってもよい。

発光層の上に成膜される電子輸送層は、抵抗加熱蒸着法等の各種成膜方法により、例えばアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ₃ ）等の各種材料を用いて成膜する。電子輸送層は、陰極から注入される電子を発光層に輸送する機能を有する。この電子輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層した多層構造を有してもよい。また、電子輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングして形成してもよい。

有機層１２上に形成される上部電極１３は、こちらが陰極の場合には、陽極より仕事関数の小さい（例えば４ｅＶ以下）材料（金属，金属酸化物，金属フッ化物，合金等）を用いることができ、具体的には、アルミニウム（Ａｌ），インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｍｎ₂Ｏ₅等の酸化物を使用できる。構造としては、金属材料による単層構造、ＬｉＯ₂／Ａｌ等の積層構造等が採用できる。

封止基板２０は、金属製，ガラス製，プラスチック製等による板状部材又は容器状部材を用いることができる。一例としては、ガラス製の封止基板２０にプレス成形，エッチング，ブラスト処理等の加工によって封止用凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したものを用いることもできるし、或いは平板ガラスを使用してガラス（プラスチックでも良い）製のスペーサにより基板１０との間に封止領域Ｐを形成することもできる。

基板１０に封止基板２０を貼り合わせる接着剤は、熱硬化型，化学硬化型（２液混合），光（紫外線）硬化型等を使用することができ、材料としてアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル，ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。

このような特徴を有する有機ＥＬパネル及びその製造方法によると、有機ＥＬパネル１００の製造段階で基板１０上にパターン形成された配線電極３０（３０₁，３０₂）に帯電した静電気が、有機ＥＬ素子１の有機層１２や素子構造に悪影響を与えるのを抑止することができる。配線電極３０（３０₁，３０₂）の端部にＲ状部３０Ｒを形成することで、配線電極３０が静電気で帯電した場合に仮に除電が完全に行われない場合であっても、配線電極３０に溜まった電荷が有機ＥＬ素子１側の端部に集中するのを抑止でき、これによって有機ＥＬ素子１に電荷が流れ込むのを抑止することができる。

以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。上述の各図で示した実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの記載内容を組み合わせることが可能である。また、各図の記載内容はそれぞれ独立した実施形態になり得るものであり、本発明の実施形態は各図を組み合わせた一つの実施形態に限定されるものではない。

Claims (5)

1. 基板上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬパネルであって、
   前記有機ＥＬ素子は、陽極、有機層、陰極の積層構造を有し、
   前記基板上には前記有機ＥＬ素子が形成された発光領域と前記陰極と接続する配線電極が形成された配線領域が形成され、
   前記配線電極は、前記有機ＥＬ素子側の平面的な端部形状が角部を丸めたＲ状部を有し、
   前記陰極の成膜時に前記陰極と前記配線電極が接続されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
2. 前記配線電極は、前記陰極と接続する側と反対側の形状が前記基板の端部に向かって先を細く形成していることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬパネル。
3. 前記配線電極の全ての端部にＲ状部を形成することを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬパネル。
4. 隣り合う前記陰極を電気的に絶縁する隔壁を備え、該隔壁は前記陽極と交差する方向にストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
5. 基板上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬパネルの製造方法であって、
   陽極、有機層、陰極の積層構造を有する有機ＥＬ素子の形成工程と、
   前記有機ＥＬ素子側の平面的な端部形状が角部を丸めたＲ状部を有する配線電極を形成する工程と、
   前記陰極の成膜時に前記陰極と前記配線電極とを接続する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。

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