JP5620365B2 - 多官能分子システムを用いた積層体への金属の接着促進 - Google Patents
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Description
多層回路盤(MLB)は、それに加えて、その間に多数の回路パターンを定義する金属層および多数の絶縁層を有している。今日、回路パターンを定義する金属層は典型的に銅から形成され、そして絶縁層は典型的に樹脂性ガラス繊維含浸(“pre−preg”プレ−プレグ)誘電体材料から形成される。これらのそれぞれの層は広範囲の厚みを有することができる。例えば、これらは単にマイクロメーターの桁の厚みかあるいはそれより大きい厚みであり得る。
端的に言えば、本発明は印刷回路盤の製造の間、銅導電層および誘電体材料間の接着を増進するため接着増進複合材料を目指している。接着促進組成物は第1官能基および第2官能基を含む多官能化合物、ここで(1)第1官能基は窒素と脂肪族アミンを含む芳香族複素環式化合物からなる群から選ばれ、そして(2)第2官能基はビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびその組み合わせからなる群から選ばれ;界面活性剤;酸;およびアルコール溶剤を含む。
本発明は接着促進組成物および処理が金属表面および誘電体材料間の接着を強化する結果となる金属表面を処理するための組成物の使用方法を目指している。例えば、組成物は印刷回路盤の製造の間、樹脂性ガラス繊維含浸(プレ−プレグ)誘電体材料へ接着を促進するために銅導電表面、例えば、銅膜を処理するために使用され得る。この組成物は多層基盤の製造を含む印刷回路盤の製造で特別の使用を見つけるけれども、本発明の組成物は種々の応用で誘電体材料および金属基板の間の接着を改善する。
ここで、A1、A2、A3、A4、A5、A6およびA7は炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA1、A2、A3、A4、A5、A6およびA7の窒素原子の合計が0、1、2、あるいは3である;
A11、A22、A33、A44、A55、A66およびA77が電子対、水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる;そして
少なくともA11、A22、A33、A44、およびA55の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
ここで、A22、A44、A55、A66、およびA77は構造式(Ia)および(Ib)に関連して定義される。
ここで、A2、A3、A4、およびA5が炭素原子あるいは窒素原子でありそしてA2、A3、A4、およびA5の窒素原子の合計が0、1、あるいは2である;
A22、A33、A44、およびA55は水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換あ素そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる;そして
少なくともA22、A33、A44、およびA55の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
R1、R2、およびR3は水素、置換あるいは非置換アルキル、および置換あるいは非置換アリールの間からそれぞれ選ばれる。アルキルは約1および約8の炭素原子の間から典型的になり、約1および約4の炭素原子の間からもつと典型的になり、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。ビニルエーテルは芳香族複素環式化合物に直接結合されるかあるいは連鎖によって結合され、それはメチレン、エチレン、あるいはプロピレンのような低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである。望ましい実施態様において、R1、R2、およびR3は水素である。
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
R4およびR5は水素、飽和あるいは不飽和アルキル、および飽和あるいは不飽和アリールからそれぞれ選ばれる。アルキルは典型的に約1個および約8の個炭素原子の間,もっと典型的に約1個および4個の炭素原子の間、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。アミンは直接芳香族複素環化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレン、あるいはプロピレン、ブチレンのようなあるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールのような1個から4個の炭素を有する低級アルキルである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。望ましくは、アミンは1級アミンあるいは2級アミンである。1つの実施態様において、R4およびR5は両方水素である。1つの実施態様において、R4およびR5の1つは水素で、そして1つの実施態様において、R4およびR5の1つはフェニルである。
ここで、
Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
Xは酸素原子あるいは硫黄原子である;そして
R6およびR7は水素、飽和あるいは不飽和アルキル、および飽和あるいは不飽和アリールからそれぞれ選ばれる。アルキルは典型的に約1個および約8個の炭素原子の間,もっと典型的に約1個および4個の炭素原子の間、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。アミンは直接芳香族複素環化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレン、あるいはプロピレン、ブチレンのようなあるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールのような1個から4個の炭素を有する低級アルキルである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。1つの実施態様において、R6およびR7は両方水素である。
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す。カルボン酸は直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレン、あるいはプロピレンのような低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって結合される。カルボン酸は直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
R8およびR9は水素、飽和あるいは不飽和アルキル、および飽和あるいは不飽和アリールからそれぞれ選ばれる。アルキルは典型的に約1個および約8個の炭素原子の間,もっと典型的に約1個および4個の炭素原子の間、すなわちメチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、iso−ブチル、およびtert−ブチルを含む。アリールは典型的にこれらの置換変形のフェニル、ベンジル、ナフチル、あるいはアルキル、すなわちトリル、キシリル、メシチルを含む。エステルは直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。1つの実施態様において、エステルは構造式(V)であり、そしてR8はメチル基である。
Ar−OH (XI)
ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す。アルコールは直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。
ここで、ここで、Arは窒素を含む芳香属複素環式化合物を含む部分を示す;そして
R10、R11およびR12は水素、1個および3個の間の炭素原子を有するアルキル基、1個および3個の間の炭素原子を有するアルコキシ基、そして1個および3個の間の炭素原子を有するアルキルカルボキシル基から独立して選ばれる。シランあるいはアルコキシシランは直接芳香属複素環式化合物に結合されるか、あるいはメチレン、エチレンあるいはプロピレン、ブチレンのような1個から4個の炭素を有する低級アルキル、あるいはフェニルあるいはベンジルのようなアリールである連鎖によって望ましいアルキル連鎖基と結合される。望ましいシラン/アルコキシシランはプロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルメチルジエトキシシラン、およびプロピルメチルジメトキシシランを含む。
この範囲外の温度が操作され得るけれども、典型的である。接触時間は一般的に1秒より
も短くなく、望ましくは5秒よりも短くなく、そしてしばしば少なくとも10秒、もっと
望ましくは少なくとも30秒である。最大接触時間は、望ましくは接触時間は5分よりも
永くなく、もっと望ましくは2分よりも永くはないけれども、10分までである。約1分
あるいは1分未満の接触時間が標準である。接着促進組成物の銅表面との接触時間が非常
に永いならば、銅表面が溶解によってエッチングされるおよび/または微細な粗面化表面を形成する微小な孔状の結晶よりも他の沈着物が導電体材料の表面上に堆積される危険性がある。
多官能性アゾールを含む接着促進組成物は次の組成を有して準備された:
6−ベンジルアミノ−プリン(1.0g)
エチレングリコールブチルエーテル(200mL)
ZnI2(1.0g)
水(1Lに)
1)6−ベンジルアミノ−プリン(1.0g)がエチレングリコールブチルエーテル(200mL)に溶解された。
2)水(500mL)が添加された。
3)溶液が均一化された。
4)ZnI2(1.0g)が溶液に溶解された。
5)水が1.0Lの溶液容量に添加された。
多官能性アゾールを含む接着促進組成物は次の組成を有して準備された:
6−ベンジルアミノ−プリン(1.0g)
エチレングリコールブチルエーテル(200mL)
NiI2(1.0g)
水(1Lに)
2つの試験片がEnthone Inc.(West Haven,CT)から入手できる酸清浄(PC1010)およびマイクロエッチング(ME1020)組成物で事前処理された。銅試験片はそれから実施例1および2の接着促進組成物で1分間室温で各組成物に1つの試験片を漬けることによって処理された。この処理は銅試験片の表面上に実施例1および2の多官能化合物を含む膜を形成する。
試験片が実施例3の方法に従って接着促進組成物で処理された後、酸およびフラックスに対する銅試験片上の接着促進膜の抵抗が半田およびフラックスを適用しそしてリフロー工程によって試験片を通過することにより試験された。無鉛半田が銅試験片に適用された。
リフロー前後の実施例4の方法に従って試験された銅試験片の銅酸化の範囲はX線光電子分光分析(XPS)によって決定された。図3は処理された試験片の表面の銅の酸化状態を決定するために有効である920から965eVの範囲のXPSスペクトルを示す。僅かなCuOのピークはリフロー工程の間銅の酸化である1つの無鉛リフロー(ピークの温度は262℃である)後に形成された痕跡のCuOがあることを示している。非処理試験片では、酸化の程度はより大きくそしてCuOのピークは大変高い。
次の接着促進組成物が準備された:
TOMAH溶液(10mL、TOMAH Q−14−2、TOMAH Products,Inc.,Milton,WIより入手できる)
NaCl溶液(5mL)
H2SO4(96%溶液、105.5g)
ベンゾトリアゾール−4−カルボン酸およびベンゾトリアゾール−5−カルボン酸の混合物(3.8g)
H2O2(35%、150mL)
水、約1.15Lに
1)ベンゾトリアゾール−4−カルボン酸およびベンゾトリアゾール−5−カルボン酸の混合物(3.8g)が硫酸(105.5g)に溶解された。
2)水(400mL)が添加された。
3)溶液が均一化された。
4)TOMAH溶液(10mL)、NaCl溶液(5mL)、および過酸化水素(150mL)が適切に添加された。
5)全容量に添加された水は1.15Lである。
銅板は次の規定に従う実施例6の接着促進組成物を使用して工程化された。
1)銅板はMicroetch PC5760(Enthone Inc.から)で25℃で30秒間事前処理された。
2)D.I.水(蒸留水、イオン交換水)で洗浄された。
3)銅板はAlkaline Cleaner PC−7047(Enthone Inc.から)に45℃で40秒間漬けられた。
4)D.I.水で洗浄された。
5)銅板は実施例6の接着促進組成物に32℃で3分間漬けられた。
Claims (10)
- 印刷回路盤の製造の間、銅導電層および絶縁体材料間の接着を強化するための接着促進組成物であって、接着促進組成物は:
第1官能基および第2官能基を含む多官能化合物であって、
(1)前記第1官能基が、窒素を含む芳香族複素環構造を有する基、および脂肪族アミノ基からなる群から選ばれ、
(2)前記第2官能基がビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる多官能化合物と、
界面活性剤;
塩素イオン;
酸;および
酸化剤を含み、
前記多官能性化合物は以下の群から選択される:(i)以下の構造(1a)または(1b)を有する化合物:
A 11 、A 22 、A 33 、A 44 、A 55 、A 66 およびA 77 が電子対、水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
少なくともA 11 、A 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
(ii)構造Vの化合物
A 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 は水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
少なくともA 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。 - 窒素を含む芳香族複素環状化合物がアゾールである請求項1または2記載の接着促進組成物。
- ニッケルおよび亜鉛からなる群から選ばれる遷移金属イオンをさらに含む、請求項1〜3の何れか1項の接着促進組成物。
- 印刷回路板の製造の間に、銅導電層および絶縁体材料間の接着を強化するための方法であって、以下の工程を含む:
前記銅導電層上に微小な粗さの表面を形成する工程で、前記形成工程は、銅導電層を多官能化合物、界面活性剤、塩素イオン、酸、および酸化剤を含む接着促進組成物に曝露する工程を含み、前記多官能性化合物は第1官能基および第2官能基を含み、ここで
(1)前記第1官能基が、窒素を含む芳香族複素環構造および脂肪族アミノ基からなる群から選ばれ、および
(2)前記第2官能基がビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる;ここで
前記第1官能基が銅導電体基板の表面上に銅(I)リッチの有機金属接着膜を形成するために銅導電層の表面と相互作用する。 - 前記微小な粗さの表面と直接に接触するように絶縁体材料を配置する工程をさらに含む、請求項5の方法。
- 絶縁層が、前記微小な粗さの銅層上に配置される請求項5または6に記載の方法で、その方法はさらに、前記微小な粗さの銅層に絶縁体材料の層を結合するために前記2つの層に圧を掛ける工程を含む。
- 前記微小な粗さの銅層が銅(I)リッチの有機金属接着膜を含み、多官能化合物および絶縁材料の間に化学結合を形成するために、前記第2官能基が絶縁体材料と反応する、請求項5〜7の何れか1項記載の方法。
- 前記接着促進組成物が、さらにニッケルおよび亜鉛からなる群から選ばれる遷移金属イオンを含む請求項5〜7の何れか1項記載の方法。
- 印刷回路板の製造の間に、銅導電層および絶縁体材料間の接着を強化するための方法であって、以下の工程を含む:
前記銅導電層上に微小な粗さの表面を形成する工程で、前記形成工程は、銅導電層を多官能化合物、界面活性剤、塩素イオン、酸、および酸化剤を含む接着促進組成物に曝露する工程を含み、前記多官能性化合物は第1官能基および第2官能基を含み、ここで
(1)前記第1官能基が、窒素を含む芳香族複素環構造を有する基および脂肪族アミノ基からなる群から選ばれ、および
(2)前記第2官能基がビニルエーテル、アミド、チアミド、アミン、カルボン酸、エステル、アルコール、シラン、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれ;
前記多官能化合物が以下の群から選ばれる:(i)構造式(Ia)あるいは構造式(Ib)
を含む化合物:
A11、A22、A33、A44、A55、A66およびA77が電子対、水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
少なくともA11、A22、A33、A44、およびA55の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
(ii)構造Vの化合物
A 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 は水素、置換あるいは非置換アルキル、置換あるいは非置換アリール、置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれ;そして
少なくともA 22 、A 33 、A 44 、およびA 55 の1つは置換あるいは非置換ビニルエーテル、置換あるいは非置換アミド、置換あるいは非置換アミン、置換あるいは非置換カルボン酸、置換あるいは非置換エステル、置換あるいは非置換アルコール、および置換そして非置換シランあるいはアルコキシシランからなる群から選ばれる。
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