JP5609058B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
(表示装置の全体構成)
図1は、本発明における第1の実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、基板111の上に表示領域110が形成されたものである。基板111上の表示領域110の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路120、走査線駆動回路130および電源供給線駆動回路140が形成されている。
表示領域110では、一の表示素子10Rと、一の表示素子10Gと、一の表示素子10Bとが1つの表示単位である画素(ピクセル)1(後出)を構成している。すなわち、表示領域110には、複数の画素1が、全体としてマトリックス状をなすように順に配列されている。表示素子10Rは赤色光Rを表示し、表示素子10Gは緑色光Gを表示し、表示素子10Bは青色光Bを表示するものである。
次に、図6を参照して、有機発光素子20C,20Mの詳細な構成について説明する。なお、有機発光素子20C,20Mは、第1有機層14に含まれる電荷制御層144の構成が異なることを除き、他は共通の構成であるので、以下ではまとめて説明する。
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路130から書込トランジスタTr2のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120から画像信号が書き込みトランジスタTr2を介して保持容量Csに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路140が、走査線駆動回路130による行単位の走査と同期して、各電源供給線140Aに対し第2電位よりも高い第1電位を供給する。これにより駆動トランジスタTr1の導通状態が選択され、各有機発光素子20C,20Mに駆動電流Idが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第1電極層13と第2電極層16との間で多重反射し、第2電極層16、保護膜18および封止基板19を透過して上面から取り出される。
以上、説明したように、本実施の形態の表示装置では、有機発光素子群20からシアン光Cおよびマゼンタ光Mが発光され、カラーフィルタ群25へ入射するシアン光Cおよびマゼンタ光Mは、青色フィルタ25Bによっていずれも青色光Bに変換され、黄色フィルタ25Yによって緑色光Gまたは赤色光Rに変換される。これにより、有機発光素子群20が白色光を発光する場合と比べ、色分離が容易となる。すなわち、色純度を低下させることなく青色フィルタ25Bおよび黄色フィルタ25Yの厚みを薄くすることができる。このため、全体の発光効率が向上すると共に全体構成の薄型化を実現することができる。また、有機発光素子群20が白色発光する場合と異なり、3色ではなく2色のカラーフィルタ(青色フィルタ25Bおよび黄色フィルタ25Y)のみを用いて赤色光R,緑色光Gおよび青色光Bを取り出すことができるので、カラーフィルタ群25の構成が簡素化される。さらに、有機発光素子20C,20Mが、第1有機層14に含まれる電荷制御層144以外の部分について共通の構成を有するようにしたので、製造段階において、第1有機層14における電荷制御層144以外の部分(正孔注入層141、正孔輸送層142、赤色発光層143R、緑色発光層143G、および電子輸送層145)、接続層17(電子注入層171、電荷発生層172および正孔注入層173)ならびに第2有機層15(正孔注入層151、正孔輸送層152、青色発光層153Bおよび電子輸送層154)のうちの少なくとも一部を、有機発光素子ごとに塗り分ける必要がなくなり、製造工程の簡略化も可能となる。
次に、図8を参照して、本発明の第2の実施の形態としての画素2を備えた表示装置について説明する。画素2は、カラーフィルタ群25の構成が異なる点を除き、他は上記第1の実施の形態における画素1と同様の構成である。よって、以下の説明では、画素2について、画素1と実質的に同じ構成要素については同じ符号を付し、適宜説明を省略することとする。
上記第2の実施の形態では、表示素子10Rがマゼンタ光Mを発光する有機発光素子20Mを有するようにしたが、以下のようにしてもよい。すなわち、表示素子10Rが赤色光を発光する変形例1としての有機発光素子(図示せず)を有するようにしてもよい。その場合の有機発光素子は、図6に示した有機発光素子20Mから電荷制御層144Mを除去した積層構造とする。このような変形例1としての有機発光素子を有する場合においても、表示素子10Rは、上記の赤色フィルタ25Rとの組み合わせにより赤色光Rを表示することとなる。
次に、図9から図11を参照して、本発明の第3の実施の形態としての画素3を備えた表示装置について説明する。画素3は、有機発光素子群20のかわりに有機発光素子群21を備える点を除き、他は上記第2の実施の形態における画素2と同様の構成である。よって、以下の説明では、画素3について、画素1,2と実質的に同じ構成要素については同じ符号を付し、適宜説明を省略することとする。
次に、図12を参照して、本発明の第4の実施の形態としての表示装置について説明する。この表示装置は、有機発光素子20C,20Mの代わりに有機発光素子22C,22Mを備える点を除き、他は上記第2の実施の形態と同様の構成である。よって、以下では、有機発光素子22C,22Mについての説明を行い、他の説明は省略することとする。
ここでは、上記第2の実施の形態で説明した有機発光素子を有する表示装置を作製した。その構造を表1に示す。また、具体的な作製手順は以下の通りである。まず、基体11の上に、厚さ150nmのITO膜を成膜したのち所定形状にパターニングすることで、陽極としての第1電極層13を形成した。次いで、その第1電極層13の周囲を埋めるように酸化シリコンからなる素子分離層24をスパッタリング法により2μmの厚さで成膜した。
有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cを、α−NPDの代わりに化2で示した材料を蒸着するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cを、α−NPDの代わりにm−MTDATAを蒸着するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cを、α−NPDの代わりに2−TNATAを蒸着するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mとして、Alq3 を蒸着して20nmの膜厚の層を形成するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mとして、化1で示した材料を蒸着して20nmの膜厚の層を形成するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mとして、α−NPDを蒸着して1nmの膜厚の層を形成するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mとして、化2で示した材料を蒸着して1nmの膜厚の層を形成するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
ここでは、上記第3の実施の形態で説明した有機発光素子(図11)を有する表示装置を作製した。すなわち、第1有機層14および第2有機層15を以下のようにして形成したことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
ここでは、上記第4の実施の形態で説明した有機発光素子(図12)を有する表示装置を作製した。すなわち、第1有機層14、接続層17および第2有機層15の代わりに有機層26を以下のようにして形成したことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cおよび有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mを、いずれもα−NPDを用いて3nmの厚みとなるように形成するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cおよび有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mを、いずれもα−NPDを用いて20nmの厚みとなるように形成するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cおよび有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mを、いずれもAlq3を用いて20nmの厚みとなるように形成するようにしたことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cおよび有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mを、いずれも形成しなかったことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mとして、α−NPDを蒸着して20nmの膜厚の層を形成すると共に、有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cをα−NPDを用いて30nmの厚みとなるように形成したことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機発光素子20Mにおける電荷制御層144Mとして、化2に示した材料を蒸着して20nmの膜厚の層を形成すると共に、有機発光素子20Cにおける電荷制御層144Cをα−NPDを用いて30nmの厚みとなるように形成したことを除き、他は実験例1と同様にして表示装置を作製した。
有機層26における電荷制御層264をいずれも形成しなかったことを除き、他は実験例10と同様にして表示装置を作製した。
Claims (8)
- 基板上に、
シアン光を発光するシアン有機発光素子およびマゼンタ光を発光するマゼンタ有機発光素子を各々複数有する発光素子群と、
青色光を透過する複数の青色フィルタおよび黄色光を透過する複数の黄色フィルタを有するカラーフィルタ群と
が順に積層されてなる積層構造を備え、
前記複数の黄色フィルタのうち、一部は前記シアン有機発光素子からのシアン光が入射するように配置され、他の一部は前記マゼンタ有機発光素子からのマゼンタ光が入射するように配置されており、
前記複数の青色フィルタは、それぞれ、前記シアン有機発光素子からのシアン光または前記マゼンタ有機発光素子からのマゼンタ光が入射するように配置されている
表示装置。 - 基板上に、
シアン光を発光するシアン有機発光素子およびマゼンタ光を発光するマゼンタ有機発光素子を各々複数有する発光素子群と、
赤色光を透過する複数の赤色フィルタ、緑色光を透過する複数の緑色フィルタ、および青色光を透過する複数の青色フィルタを有するカラーフィルタ群と
が順に積層されてなる積層構造を備え、
前記複数の赤色フィルタは、前記マゼンタ有機発光素子からのマゼンタ光が入射するように配置されており、
前記複数の緑色フィルタは、前記シアン有機発光素子からのシアン光が入射するように配置されており、
前記複数の青色フィルタは、それぞれ、前記シアン有機発光素子からのシアン光または前記マゼンタ有機発光素子からのマゼンタ光が入射するように配置されている
表示装置。 - 前記シアン光は、その強度分布が、400nm以上500nm以下の範囲に極大値を示す第1のピークと、500nm以上580nm以下の範囲に極大値を示す第2のピークとを有し、かつ、前記第1のピークまたは第2のピークが最大の強度を示すものであり、
前記マゼンタ光は、その強度分布が、400nm以上500nm以下の範囲に極大値を示す第3のピークと、600nm以上700nm以下の範囲に極大値を示す第4のピークとを有し、かつ、前記第3のピークまたは第4のピークが最大の強度を示すものである
請求項1または請求項2記載の表示装置。 - 前記シアン有機発光素子およびマゼンタ有機発光素子は、いずれも、
第1の電極層と、
互いに異なる色の光を発する第1および第2の発光層を含む第1の発光ユニットと、
電荷発生層と、
前記第1および第2の発光層とは異なる色の光を発する第3の発光層を含む第2の発光ユニットと、
第2の電極層と
が順に積層された構造を有する請求項1または請求項2記載の表示装置。 - 前記第1の電極層は陽極であり、
前記第2の電極層は陰極であり、
前記第1の発光ユニットは、前記第1の電極層の側から順に第1の正孔輸送層と、前記第1の発光層としての赤色発光層と、電荷制御層と、前記第2の発光層としての緑色発光層と、第1の電子輸送層とを含み、
前記第2の発光ユニットは、前記第1の電極層の側から順に第2の正孔輸送層と、前記第3の発光層としての青色発光層と、第2の電子輸送層とを含む
請求項4記載の表示装置。 - 前記マゼンタ有機発光素子における前記電荷制御層は、前記赤色発光層への電子注入を促進し、前記緑色発光層への正孔注入を妨げる材料により構成され、
前記シアン有機発光素子における前記電荷制御層は、前記緑色発光層への正孔注入を促進し、前記赤色発光層への電子注入を妨げる材料により構成される
請求項5記載の表示装置。 - 前記電荷発生層は、前記第1の発光ユニットに対して電子を注入すると共に、前記第2の発光ユニットに対して正孔を注入するものである
請求項4記載の表示装置。
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