JP5604828B2 - 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 - Google Patents
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Description
さらには機能の異なる複数の半導体素子または同一機能の複数の半導体素子を1つのパッケージに搭載する、あるいは複数のパッケージを積層するなど半導体パッケージの形態もより複雑になり、半導体パッケージの反りの問題がますます顕在化してきている。
ここで半導体パッケージの反りは半導体パッケージをプリント配線基板に搭載する際の接続信頼性に大きく影響するが、同時にダイアタッチ材の剥離による信頼性低下も無視できない。
[1]構成単位として一般式(1)で示される化合物を30%重量以上含む重合体(A)、充填材(B)、および一般式(2)で示される化合物(C)を含む樹脂組成物であって、前記化合物(C)中、一般式(2)におけるnが4以上の化合物の割合をX%、前記化合物(C)に含まれる一般式(3)で示される化合物の割合をY%とするとき、XとYが以下の関係式1を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
[関係式1]Y<−2.7x10−3X+0.8
R1、R2:水素原子、炭素数1〜6の炭化水素基。
R1、R5:炭素数1〜6のアルコキシ基、
R2、R6:炭素数1〜6の炭化水素基、
R3、R4:炭素数1〜6の炭化水素基、
a、c:1〜3の整数
b、d:0〜2の整数でa+b=c+d=3
n:1〜8の数。
R1:炭素数1〜6のアルコキシ基、
R2:炭素数1〜6の炭化水素基、
R3:炭素数1〜6の炭化水素基、
a:1〜3の整数
b:0〜2の整数でa+b=3
X:ハロゲン原子
[2]前記重合体(A)が官能基を有するものである前記[1]項に記載の樹脂組成物。
[3]前記重合体(A)の官能基が、水酸基、エポキシ基、カルボキシ基、ビニル基、アクリル基、マレイミド基、アミノ基からなる群より選ばれるものである前記[2]項記載の樹脂組成物。
[4]前記[1]項〜[3]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として使用して作製した半導体装置。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に好ましい官能基を2個以上有する化合物を例示するがこれらに限定されるわけではない。
上記理由により化合物(C)に含まれる一般式(2)に示されるnの値が大きい成分の割合が大きい場合には、室温保存中に化合物(C)が充填剤(B)としての金属粉と徐々に反応し支持体との接着力向上に必要な量が不足し、接着力の低下が観察されることがある。ここで化合物(C)に含まれる一般式(2)に示されるnが4以上の成分の割合をX%とするとき、密着性の室温での経時変化を考慮した場合、Xの値は小さい方が良い。特に好ましいのはXが55%以下の場合である。一般式(2)に示されるnが4以上の成分の割合Xは、化合物(C)を高速液体クロマトグラムにて測定して得られたチャートの一般式(2)に示される成分の面積に対するn=4以上の成分の面積比をパーセント表示したものである。
[関係式1:Y<−2.7x10−3X+0.8]
化合物(C)のX、Yの値が上記関係式1を満たす範囲内であれば、室温で長時間保存した後でも十分な接着特性を有する樹脂組成物を得ることが可能である。
実施例および比較例ともに下記原材料を表1に示す重量部で配合した上で3本ロールを用いて混練、脱泡することで樹脂組成物を得た。
化合物A1:エポキシ化ポリブタジエン((株)アデカ製、アデカサイザーBF−1000、一般式(1)のR1、R2が水素原子である化合物を構成要素として100%含む重合体をエポキシ化した化合物、以下化合物A1)
化合物A2:エポキシ化ポリブタジエン(ダイセル化学工業(株)製、エポリードPB3600、一般式(1)のR1、R2が水素原子である化合物を構成要素として100%含む重合体をエポキシ化した化合物、以下化合物A2)
化合物A3:マレイン化ポリブタジエン(サートマー社製、Ricon131MA20、一般式(1)のR1、R2が水素原子である化合物を構成要素として100%含む重合体に無水マレイン酸を付加した化合物、以下化合物A3)
化合物A4:カルボキシ基末端アクリロニトリルブタジエン共重合体(宇部興産(株)製、Hycar CTBN 1300X8、一般式(1)のR1、R2が水素原子である化合物を構成要素として約73%含む重合体で末端にカルボキシ基を有する化合物、以下化合物A4)
化合物A5:カルボキシ基含有アクリロニトリルブタジエン共重合体(日本ゼオン(株)製、Nipol DN601、一般式(1)のR1、R2が水素原子である化合物を構成要素として69〜75%含む重合体でカルボキシ基を有する化合物、以下化合物A5)
化合物A6:マレイン化ポリブタジエン(サートマー社製、Ricon130MA8、一般式(1)のR1、R2が水素原子である化合物を構成要素として100%含む重合体に無水マレイン酸を付加した化合物)と2−ヒドロキシエチルメタアクリレートとのハーフエステル化化合物(以下化合物A6)
充填材(B):平均粒径6μm、タップ密度6.2g/cm3、比表面積0.23m2/gのフレーク状銀粉
化合物C1:ビス(トリメトキシシリルプロピル)テトラスルフィド(デグサ(株)製、Si69、一般式(2)のR1、R5が炭素数2のアルコキシ基、a、cが3、b、dが0、R3、R4が炭素数3の炭化水素基、nが約3.7、一般式(3)のR1が炭素数2のアルコキシ基、aが3、bが0、R3が炭素数3の炭化水素基、Zが塩素原子で、Xが52.2%、Yが0.590で、−2.7×10−3X+0.8=0.659>Y)、
化合物C2:ビス(トリメトキシシリルプロピル)ジスルフィド(ダイソー(株)製、カブラス2A、一般式(2)のR1、R5が炭素数2のアルコキシ基、a、cが3、b、dが0、R3、R4が炭素数3の炭化水素基、nが約2.4、一般式(3)のR1が炭素数2のアルコキシ基、aが3、bが0、R3が炭素数3の炭化水素基、Zが塩素原子で、Xが9.8%、Yが0.703で、−2.7×10−3X+0.8=0.774>Y)、
化合物C3:ビス(トリメトキシシリルプロピル)ジスルフィド(ダイソー(株)製、カブラス2B、一般式(2)のR1、R5が炭素数2のアルコキシ基、a、cが3、b、dが0、R3、R4が炭素数3の炭化水素基、nが約2.1、一般式(3)のR1が炭素数2のアルコキシ基、aが3、bが0、R3が炭素数3の炭化水素基、Zが塩素原子で、Xが1.5%、Yが0.157で、−2.7x10−3X+0.8=0.796>Y)、
化合物C4:ビス(トリメトキシシリルプロピル)ジスルフィド(デグサ(株)製、Si75、一般式(2)のR1、R5が炭素数2のアルコキシ基、a、cが3、b、dが0、R3、R4が炭素数3の炭化水素基、nが約2.4、一般式(3)のR1が炭素数2のアルコキシ基、aが3、bが0、R3が炭素数3の炭化水素基、Zが塩素原子で、Xが12.4%、Yが0.332で、−2.7×10−3X+0.8=0.767>Y)、
化合物C5:ビス(トリメトキシシリルプロピル)テトラスルフィド(日本ユニカー(株)製、A−1289、一般式(2)のR1、R5が炭素数2のアルコキシ基、a、cが3、b、dが0、R3、R4が炭素数3の炭化水素基、nが約3.8、一般式(3)のR1が炭素数2のアルコキシ基、aが3、bが0、R3が炭素数3の炭化水素基、Zが塩素原子で、Xが53.1%、Yが0.703で、−2.7×10−3X+0.8=0.657<Y)、
化合物C6:ビス(トリメトキシシリルプロピル)テトラスルフィド(信越化学工業(株)製、KBE−846、一般式(2)のR1、R5が炭素数2のアルコキシ基、a、cが3、b、dが0、R3、R4が炭素数3の炭化水素基、nが約3.8、一般式(3)のR1が炭素数2のアルコキシ基、aが3、bが0、R3が炭素数3の炭化水素基、Zが塩素原子で、Xが55.3%、Yが0.836で、−2.7×10−3X+0.8=0.651<Y)
化合物D1:ポリテトラメチレングリコールとマレイミド化酢酸の反応により得られたビスマレイミド化合物(DIC(株)製、LUMICURE MIA−200、分子量580、以下化合物D1)
化合物D2:シクロヘキサンジカルボン酸のジアリルエステルとプロピレングリコールとの反応により得られたジアリルエステル化合物(昭和電工(株)製、アリルエステル樹脂 DA101、分子量1000、ただし原料として用いたシクロヘキサンジカルボン酸のジアリルエステルを約15%含む、以下化合物D2)
化合物D3:1,4−シクロヘキサンジメタノール/1,6−ヘキサンジオール(=3/1(重量比))と炭酸ジメチルの反応により得られたポリカーボネートジオールとメチルメタクリレートの反応により得られたポリカーボネートジメタクリレート化合物(宇部興産(株)製、UM−90(3/1)DM、分子量1000、以下化合物D3)
化合物D4:ベンジルメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルBZ、以下化合物D4)、
化合物D5:1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル1、6HX、以下化合物D5)、
化合物D6:2−エチルヘキシルメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルEH、以下化合物D6)、
上記重合体(A)、充填材(B)、化合物(C)、熱硬化性樹脂の他に下記添加剤を用いた。
ラジカル重合開始剤:ジクミルパーオキサイド(日油(株)製、パークミルD、急速加熱試験における分解開始温度:126℃)、
カップリング剤1:グリシジル基を有するカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、
カップリング剤2:メタクリル基を有するカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−503P)、
上記より得られた実施例および比較例の樹脂組成物について以下の評価試験を行った。評価結果を表1に示す。
実施例および比較例の樹脂組成物30gを充填したシリンジ(充填後すぐのもの)を用いてガラスチップ(15×15×0.56mm)をNiメッキした銅ヒートスプレッダー(25×25×2mm)にマウントした。マウントは、ディスペンサーを用いて表1に示す樹脂組成物を約0.02cc上記ヒートスプレッダー上に塗布した後、15分以内に奥原電気株式会社製コンパクトマウンタSMT−64RHを用いて、上記ガラスチップを載せ、室温で2kgfの加重を10秒間与えて行った。荷重解放後に樹脂組成物の広がり具合を目視により確認した。樹脂組成物がガラスチップ全面に広がっていれば◎、ガラスチップの90%以上の面積に広がっていれば○、75%程度であれば△、50%以下であれば×とした。
実施例および比較例の樹脂組成物30gを充填したシリンジ(10cc)を25℃に調整した恒温槽内でシリンジの先が下になるように72時間保管した後に使用した以外は広がり性試験1と同様に樹脂組成物の広がり性を測定した。樹脂組成物がガラスチップ全面に広がっていれば◎、ガラスチップの90%以上の面積に広がっていれば○、75%程度であれば△、50%以下であれば×とした。
実施例および比較例の各樹脂組成物について、4×20×0.1mmのフィルム状の試験片を作製し(硬化条件150℃30分)、動的粘弾性測定機(DMA)にて引っ張りモードでの測定を行った。測定条件は以下の通りである。
測定温度:−100〜300℃
昇温速度:5℃/分
周波数:10Hz
荷重:100mN
25℃における貯蔵弾性率を弾性率とし5000MPa以下の場合を合格とした。弾性率の単位はMPaである。
実施例および比較例の各樹脂組成物(樹脂組成物作製後すぐのもの)を用いて、下記のリードフレームとシリコンチップを150℃60分間硬化し接着した。さらに、封止材料(スミコンEME−G620A、住友ベークライト(株)製)を用い封止し、半導体装置を作製した。この半導体装置を用いて、60℃、相対湿度60%、120時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒、3回リフロー)を行った。処理後の半導体装置を超音波探傷装置(透過型)により剥離の程度を測定した。チップの面積に対する剥離面積の割合が10%未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は%である。
半導体装置:epLQFP(28×28×1.4mm:ダイパッド裏面がパッケージ裏面に露出)
リードフレーム:Ni−Pd/Auめっきした銅フレーム
チップサイズ:7×7mm
樹脂組成物の硬化条件:オーブン中150℃、60分
実施例および比較例の樹脂組成物30gを充填したシリンジ(10cc)を25℃に調整した恒温槽内でシリンジの先が下になるように72時間保管した後に使用した以外は耐リフロー性1と同様に剥離の程度を測定した。チップの面積に対する剥離面積の割合が10%未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は%である。
2・・・ダイパッド
3・・・半導体素子
4・・・リード
5・・・封止材
10・・・半導体装置
Claims (7)
- 重合体(A)、充填材(B)、および一般式(2)で示される化合物(C)を含む半導体装置用樹脂組成物であって、
重合体(A)は、一般式(1)で示される化合物を単量体として30重量%以上用いて得られる重合体であり、
前記充填材(B)の単体の熱伝導率が10W/mK以上であり、
前記化合物(C)中、一般式(2)におけるnが4以上の化合物の割合をX%、
前記化合物(C)に含まれる一般式(3)で示される化合物の割合をY%とするとき、Xは52.2以下であり、XとYが以下の関係式1を満たすことを特徴とする半導体装置用樹脂組成物。
[関係式1] Y<−2.7×10−3X+0.8
R1、R2:水素原子、炭素数1〜6の炭化水素基。
R1、R5:炭素数1〜6のアルコキシ基、
R2、R6:炭素数1〜6の炭化水素基、
R3、R4:炭素数1〜6の炭化水素基、
a、c:1〜3の整数
b、d:0〜2の整数でa+b=c+d=3
n:1〜8の数。
R1:炭素数1〜6のアルコキシ基、
R2:炭素数1〜6の炭化水素基、
R3:炭素数1〜6の炭化水素基、
a:1〜3の整数
b:0〜2の整数でa+b=3
X:ハロゲン原子 - 請求項1に記載の半導体装置用樹脂組成物は、さらに、熱硬化性樹脂を含むものであることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置用樹脂組成物。
- 前記重合体(A)の含有量は、前記樹脂組成物から前記充填材(B)を除いた成分中に、0.5重量%以上70重量%以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置用樹脂組成物。
- 前記充填材(B)の含有量は、全半導体装置用樹脂組成物中70重量%以上、95重量%以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置用樹脂組成物。
- 前記重合体(A)が官能基を有するものである請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置用樹脂組成物。
- 前記重合体(A)の官能基が、水酸基、エポキシ基、カルボキシ基、ビニル基、アクリル基、マレイミド基、アミノ基からなる群より選ばれるものである請求項5に記載の半導体装置用樹脂組成物。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置用樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として使用して作製した半導体装置。
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