JP5601438B2 - トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシラン製造装置 - Google Patents
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Description
SiHCl3+H2 → Si+3HCl ・・・(1)
4SiHCl3 → Si+3SiCl4+2H2 ・・・(2)
SiCl4+H2 → SiHCl3+HCl ・・・(3)
〔1〕テトラクロロシランと水素とを反応室内に導入し、800℃以上の温度で反応させてトリクロロシランと塩化水素とを含む混合ガスを生成する工程と、上記反応室から上記混合ガスを導出する際に、該混合ガスに水素またはテトラクロロシランの少なくとも一種を主体とする温度−60℃〜650℃の冷却ガスを上記混合ガスに導入して該混合ガスを650℃以下に冷却することによってトリクロロシランの逆反応を抑制する工程を有することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
〔2〕混合ガス生成工程の反応温度が1200℃以上であり、冷却ガスを導入して混合ガスを1秒以内に650℃以下に急冷する上記[1]に記載するトリクロロシランの製造方法。
〔3〕冷却ガスが導入された混合ガスを冷却器に導入して未反応の水素を凝縮分離し、分離した水素含有ガスを冷却ガスとして混合ガスに導入する上記[1]または上記[2]の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
〔4〕テトラクロロシランと水素とを800℃以上の温度で反応させてトリクロロシランと塩化水素を含む混合ガスを生成する反応室と、上記混合ガスを反応室の外部に導出する混合ガス導出手段と、水素またはテトラクロロシランの少なくとも一種を主体とする温度−60℃〜650℃の冷却ガスを上記混合ガスに導入する冷却ガス導入手段とを有し、該冷却ガス導入手段が混合ガス排気管に接続されており、冷却ガスの導入によって混合ガスが650℃以下に冷却されることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。
〔5〕反応温度1200℃以上で生成した混合ガスに冷却ガスが導入されて該混合ガスが1秒以内に650℃以下に急冷される上記[4]に記載するトリクロロシラン製造装置。
〔6〕冷却ガスが導入された混合ガスを冷却して未反応の水素を凝縮分離する冷却器と、分離した水素含有ガスを冷却ガスとして冷却ガス導入手段に供給する循環管路を有する上記[4]または上記[5]の何れかに記載するトリクロロシラン製造装置。
SiCl2+SiCl4 → Si2Cl6 ・・・(5)
Si2Cl6+HCl → SiHCl3+SiCl4 ・・・(7)
Si3Cl8+2HCl→2SiHCl3+SiCl4 ・・・(8)
Si2H2Cl4+2HCl→2SiHCl3 ・・・(9)
図1に示す製造装置を用い、反応室に水素とテトラクロロシランの混合ガス(H2/STCモル比2)を供給し、表1に示す反応温度下で反応させ、トリクロロシランを生成させた。排気管11を通じて生成した混合ガスを室外に導出する際に、冷却ガス導入管14を通じて表1に示す冷却ガスを上記生成混合ガスに導入し、生成混合ガスを表1に示す温度に冷却した。この結果を表1に示した。
冷却ガスとしてHClを用い、表2に示す条件下で生成混合ガスにHClを導入して表2に示す温度に冷却した。この結果を表2に示した。表2の結果に示すように、HClを冷却ガスとして生成混合ガスに導入することによって、急冷してもポリマーを生じない。
Claims (6)
- テトラクロロシランと水素とを反応室内に導入し、800℃以上の温度で反応させてトリクロロシランと塩化水素とを含む混合ガスを生成する工程と、上記反応室から上記混合ガスを導出する際に、該混合ガスに水素またはテトラクロロシランの少なくとも一種を主体とする温度−60℃〜650℃の冷却ガスを上記混合ガスに導入して該混合ガスを650℃以下に冷却することによってトリクロロシランの逆反応を抑制する工程を有することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
- 混合ガス生成工程の反応温度が1200℃以上であり、冷却ガスを導入して混合ガスを1秒以内に650℃以下に冷却する請求項1に記載するトリクロロシランの製造方法。
- 冷却ガスが導入された混合ガスを冷却器に導入して未反応の水素を凝縮分離し、分離した水素含有ガスを冷却ガスとして混合ガスに導入する請求項1または請求項2の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
- テトラクロロシランと水素とを800℃以上の温度で反応させてトリクロロシランと塩化水素を含む混合ガスを生成する反応室と、上記混合ガスを反応室の外部に導出する混合ガス導出手段と、水素またはテトラクロロシランの少なくとも一種を主体とする温度−60℃〜650℃の冷却ガスを上記混合ガスに導入する冷却ガス導入手段とを有し、該冷却ガス導入手段が混合ガス排気管に接続されており、冷却ガスの導入によって混合ガスが650℃以下に冷却されることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。
- 反応温度1200℃以上で生成した混合ガスに冷却ガスが導入されて該混合ガスが1秒以内に650℃以下に冷却される請求項4に記載するトリクロロシラン製造装置。
- 冷却ガスが導入された混合ガスを冷却して未反応の水素を凝縮分離する冷却器と、分離した水素含有ガスを冷却ガスとして冷却ガス導入手段に供給する循環管路を有する請求項4または請求項5の何れかに記載するトリクロロシラン製造装置。
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DE102010007916B4 (de) * | 2010-02-12 | 2013-11-28 | Centrotherm Sitec Gmbh | Verfahren zur Hydrierung von Chlorsilanen und Verwendung eines Konverters zur Durchführung des Verfahrens |
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WO2014165165A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-09 | Centrotherm Photovoltaics Usa, Inc. | Temperature management in chlorination processes and systems related thereto |
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