JP5594106B2 - 反射型マスクおよびその製造方法 - Google Patents
反射型マスクおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5594106B2 JP5594106B2 JP2010274797A JP2010274797A JP5594106B2 JP 5594106 B2 JP5594106 B2 JP 5594106B2 JP 2010274797 A JP2010274797 A JP 2010274797A JP 2010274797 A JP2010274797 A JP 2010274797A JP 5594106 B2 JP5594106 B2 JP 5594106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposited film
- film
- thickness
- white defect
- absorption layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、極紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）リソグラフィに用いられる反射型マスクに関するものである。
半導体素子製造に使用するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、ＥＵＶマスクと称する場合がある。）としては一般的に、基板上に多層膜が形成され、多層膜上に吸収層がパターン状に形成されたものが挙げられる（例えば特許文献１参照）。
ＥＵＶマスクの製造過程においては、吸収層をエッチング加工することでパターンを形成した後、通常、パターン欠陥を検査する。欠陥が見つかった場合には、欠陥を修正する。ここで、パターンが欠落している箇所は白欠陥と呼ばれる。
半導体素子製造用フォトマスク（以下、フォトマスクと称する場合がある。）の白欠陥の修正方法としては、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）もしくは電子ビーム（ＥＢ：Electron Beam）を用いた化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）によって白欠陥部に堆積膜を形成する方法が知られている。
ＥＵＶマスクの場合においても堆積膜形成による白欠陥修正が有効であり、例えば特許文献２にはＥＵＶマスクの白欠陥修正方法としてＦＩＢおよびＥＢを用いたＣＶＤ法が開示されている。
ＥＵＶマスクの場合においても堆積膜形成による白欠陥修正が有効であり、例えば特許文献２にはＥＵＶマスクの白欠陥修正方法としてＦＩＢおよびＥＢを用いたＣＶＤ法が開示されている。
ＥＵＶリソグラフィでは反射光学系を採用しており、さらにはＥＵＶマスクも反射型マスクであるため、ＥＵＶ露光時の露光光はマスクに対して斜めに入射する。一般的には、露光光の入射角がマスク面法線に対して６度〜８度程度傾いた光学系が主流である。半導体素子の製造においては露光光をウェハ上のレジストへ投影することでマスクパターンの転写を行うが、マスクに対して斜めに入射した露光光は、マスクパターンの立体構造に影響された、いわゆる影効果を受けた投影像としてウェハ上のレジストへ転写される。影効果は、ＥＵＶ露光時の露光光入射角度、マスクパターンの膜厚等に依存する。したがって、ＥＵＶマスクにおいて堆積膜形成により白欠陥を修正する際には、堆積膜の膜厚等が転写寸法に影響を及ぼすことになるため、ＥＵＶ露光時の影効果を考慮する必要がある。
ここで、吸収層には、露光光を高効率に吸収する材料が用いられており、満足なリソグラフィ特性を得るには、その膜厚は４０ｎｍ〜９０ｎｍ程度で十分である。一方、堆積膜では、ＣＶＤ法の原料ガスとしては、微細な白欠陥部に供給可能であり、かつ、ＦＩＢやＥＢなどの荷電粒子で高精度な堆積膜を形成可能とする要件を満たす必要があるため、選択可能なガス種に制限がある。そのため、一般的に堆積膜は露光光の吸収能が吸収層よりも低くなる。したがって、吸収層と同等のＥＵＶ遮光特性を得るには、堆積膜を吸収層よりも厚く形成する必要がある。しかしながら、白欠陥部に吸収層よりも厚い堆積膜を形成すると、ＥＵＶ露光時の影効果により、堆積膜形成箇所と正常部とで転写寸法が異なるという問題が生じる。
ＣＶＤ法の原料ガスとしては、フェナントレンなどの炭化水素系ガス、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）などの金属含有ガス、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）などのシリコン含有ガスを用いることができる。堆積膜が金属を含有する場合には露光光の吸収能が比較的高くなることから、金属含有ガスを用いる場合、堆積膜が比較的薄くとも目的とする遮光性を得ることができ、影効果による転写寸法の変化を抑制することができると考えられるが、堆積膜の形状制御性が悪く、正常部に堆積膜が形成された場合には堆積膜の除去が非常に困難であるという問題がある。一方、炭化水素系ガスやシリコン含有ガスを用いる場合、堆積膜の形状制御が容易であるとともに、正常部に堆積膜が形成された場合でも堆積膜を容易に除去することができるという利点を有するが、炭素やシリコンを含有する堆積膜は露光光の吸収能が低いため、上述のように十分な遮光性を得るには堆積膜をかなり厚く形成する必要があり、影効果による転写寸法の変化が顕著であるという問題がある。
ＥＵＶマスクにおける白欠陥修正方法については検討がなされているものの、堆積膜形成による白欠陥修正後の影効果による転写特性の低下を課題とする検討はなされていないのが現状である。
なお、フォトマスクの場合、光学系は露光光（波長１９３ｎｍ〜２４８ｎｍ程度の遠紫外線（ＤＵＶ：Deep Ultra Violet）領域）がマスクに垂直に入射する透過光学系であるため、影効果を受けない投影像がウェハ上のレジストへ転写される。そのため、フォトマスクにおいて堆積膜形成により白欠陥を修正する際には、ＥＵＶ露光時の影効果を考慮する必要はなく、そもそも影効果による転写寸法の変動という課題が存在しない。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、堆積膜形成により白欠陥が修正された反射型マスクであって、転写特性の良好な反射型マスク、およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、上記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、上記堆積膜が非金属系材料を含有し、上記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、上記堆積膜の側面での上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とする反射型マスクを提供する。
本発明においては、堆積膜が非金属系材料を含有するものであるので、堆積膜形成箇所において吸収層と同等のＥＵＶ遮光特性を得るために、堆積膜の厚みが上記範囲内となるように、堆積膜が吸収層よりもかなり厚く形成されているが、堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度が所定の範囲内であるので、堆積膜が厚くとも影効果を低減することができ、正常部と堆積膜形成箇所との転写寸法のズレを小さくし、良好な転写特性を実現することが可能となる。
上記発明においては、上記多層膜上に上記吸収体が形成されていない反射領域に面する上記堆積膜の側面における上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度が６度〜４０度の範囲内であることが好ましい。堆積膜の側面には、多層膜上に吸収体が形成されていない反射領域に面する側面や、多層膜上に吸収層が形成されている吸収領域に面する側面が存在する。これらの堆積膜の側面のうち、反射領域に面する側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度が、転写特性に大きな影響を及ぼす。したがって本発明においては、反射領域に面する堆積膜の側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度を所定の範囲内とすることが好ましいのである。
また上記発明においては、上記非金属系材料がシリコンを含有することが好ましい。加工性および耐候性の良好な堆積膜とすることができるからである。
また本発明は、多層膜が形成された基板上に吸収層をパターン状に形成する吸収層形成工程と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に、非金属系の原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射し、堆積膜を形成する修正工程とを有し、上記修正工程では、上記白欠陥部の中央部での総エネルギー量が上記白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。
本発明においては、非金属系の原料ガスを用いて堆積膜を形成するので、堆積膜形成箇所において吸収層と同等のＥＵＶ遮光特性を得るために、堆積膜を吸収層よりもかなり厚く形成しなければならない場合があるが、修正工程にて、白欠陥部の中央部での総エネルギー量が白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射するので、白欠陥部の端部での堆積膜の厚みが白欠陥部の中央部での堆積膜の厚みよりも薄くなり、堆積膜を所定の膜厚および断面形状に調整することができ、その結果、影効果を低減することができ、正常部と堆積膜形成箇所との転写寸法のズレを小さくし、良好な転写特性を実現することが可能となる。
上記発明においては、上記修正工程では、上記白欠陥部の中央部での照射回数が上記白欠陥部の端部での照射回数よりも多くなるようにエネルギービームを照射することが好ましい。簡単な照射条件で堆積膜の膜厚および断面形状を制御することができるからである。
また上記発明においては、上記エネルギービームが集束イオンビームまたは電子ビームであることが好ましい。集束イオンビームおよび電子ビームは高度な微細加工が可能であり、微細な白欠陥部にも対応できるからである。
本発明においては、堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度が所定の範囲内であるので、影効果を低減することができ、良好な転写特性が得られるという効果を奏する。
以下、本発明の反射型マスクおよびその製造方法について詳細に説明する。
Ａ．反射型マスク
本発明の反射型マスクは、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、上記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、上記堆積膜が非金属系材料を含有し、上記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、上記堆積膜の側面での上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度（以下、傾斜角度と称する場合がある。）が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とするものである。
本発明の反射型マスクは、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、上記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、上記堆積膜が非金属系材料を含有し、上記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、上記堆積膜の側面での上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度（以下、傾斜角度と称する場合がある。）が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とするものである。
本発明の反射型マスクについて、図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は本発明の反射型マスクの一例を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１（ａ）〜（ｃ）に例示するように、反射型マスク１は、基板２と、基板２上に形成された多層膜３と、多層膜３上に形成されたキャッピング層４と、キャッピング層４上にパターン状に形成された吸収体５とを有している。吸収体５は、吸収層６と、吸収層６の欠落に起因する白欠陥部１０に形成され、吸収層６よりも厚い堆積膜７とを有している。また、堆積膜７は所定の厚みを有し、断面形状が台形形状となっている。この堆積膜７は、多層膜３上に吸収体５が形成されていない反射領域３１に面する側面と、多層膜３上に吸収層６が形成されている吸収領域３２に面する側面とを有している。図１（ｂ）においては、反射領域３１に面する堆積膜７の側面における堆積膜７の頂部Ｔから３分の１の厚みの位置ａおよび３分の２の厚みの位置ｂを結ぶ直線Ｌ１と、基板２面に対して垂直な線Ｌ２とのなす角度（傾斜角度）θ１が所定の範囲内となっている。また、図１（ｃ）においては、吸収領域３２に面する堆積膜７の側面における堆積膜７の頂部Ｔから３分の１の厚みの位置ａおよび３分の２の厚みの位置ｂを結ぶ直線Ｌ１と、基板２面に対して垂直な線Ｌ２とのなす角度（傾斜角度）θ２が任意の角度となっている。
なお、図１（ａ）において、多層膜およびキャッピング層は省略されている。
図１（ａ）は本発明の反射型マスクの一例を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１（ａ）〜（ｃ）に例示するように、反射型マスク１は、基板２と、基板２上に形成された多層膜３と、多層膜３上に形成されたキャッピング層４と、キャッピング層４上にパターン状に形成された吸収体５とを有している。吸収体５は、吸収層６と、吸収層６の欠落に起因する白欠陥部１０に形成され、吸収層６よりも厚い堆積膜７とを有している。また、堆積膜７は所定の厚みを有し、断面形状が台形形状となっている。この堆積膜７は、多層膜３上に吸収体５が形成されていない反射領域３１に面する側面と、多層膜３上に吸収層６が形成されている吸収領域３２に面する側面とを有している。図１（ｂ）においては、反射領域３１に面する堆積膜７の側面における堆積膜７の頂部Ｔから３分の１の厚みの位置ａおよび３分の２の厚みの位置ｂを結ぶ直線Ｌ１と、基板２面に対して垂直な線Ｌ２とのなす角度（傾斜角度）θ１が所定の範囲内となっている。また、図１（ｃ）においては、吸収領域３２に面する堆積膜７の側面における堆積膜７の頂部Ｔから３分の１の厚みの位置ａおよび３分の２の厚みの位置ｂを結ぶ直線Ｌ１と、基板２面に対して垂直な線Ｌ２とのなす角度（傾斜角度）θ２が任意の角度となっている。
なお、図１（ａ）において、多層膜およびキャッピング層は省略されている。
図２（ａ）は本発明の反射型マスクの他の例を示す概略平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。図２（ａ）〜（ｃ）に例示する反射型マスクは、図１（ａ）〜（ｃ）に例示する反射型マスクに対して、白欠陥部の位置が異なるものである。図２（ａ）〜（ｃ）において、堆積膜７は、吸収領域３２に面する側面のみを有している。図２（ｂ）に示すように、堆積膜７の側面のうち、反射領域３１との距離が最も近い堆積膜７の側面における堆積膜７の頂部Ｔから３分の１の厚みの位置ａおよび３分の２の厚みの位置ｂを結ぶ直線Ｌ１と、基板２面に対して垂直な線Ｌ２とのなす角度（傾斜角度）θ１が所定の範囲内となっている。また、図２（ｃ）に示すように、堆積膜７の側面のうち、吸収層６のパターンの長手方向と交差する堆積膜７の側面における堆積膜７の頂部Ｔから３分の１の厚みの位置ａおよび３分の２の厚みの位置ｂを結ぶ直線Ｌ１と、基板２面に対して垂直な線Ｌ２とのなす角度（傾斜角度）θ２が任意の角度となっている。
なお、図２（ａ）において、多層膜およびキャッピング層は省略されている。
なお、図２（ａ）において、多層膜およびキャッピング層は省略されている。
本発明においては、堆積膜が非金属系材料を含有するものであるので、堆積膜形成箇所において吸収層と同等のＥＵＶ遮光特性を得るには、堆積膜の厚みが上記範囲内となるように、堆積膜を吸収層よりもかなり厚く形成する必要がある。そのため、本発明の反射型マスクを用いてウェハ上にパターンを転写する際には、ＥＵＶ露光時の影効果による転写寸法の変化が懸念される。しかしながら、本発明によれば、少なくとも一つの傾斜角度が所定の範囲内であるので、影効果を低減することができ、正常部と堆積膜形成箇所との転写寸法のズレを小さくし、良好な転写特性を実現することが可能となる。
以下、本発明の反射型マスクにおける各構成について説明する。
１．吸収体
本発明における吸収体は、多層膜上にパターン状に形成され、吸収層と、吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、吸収層よりも厚い堆積膜とを有するものであり、本発明の反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶを吸収するものである。以下、堆積膜および吸収層について説明する。
本発明における吸収体は、多層膜上にパターン状に形成され、吸収層と、吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、吸収層よりも厚い堆積膜とを有するものであり、本発明の反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶを吸収するものである。以下、堆積膜および吸収層について説明する。
（１）堆積膜
本発明における吸収体を構成する堆積膜は、白欠陥部に形成され、吸収層よりも厚いものであり、本発明の反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶを吸収するものである。
本発明における吸収体を構成する堆積膜は、白欠陥部に形成され、吸収層よりも厚いものであり、本発明の反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶを吸収するものである。
本発明において、堆積膜は非金属系材料を含有する。なお、本発明における「非金属系材料」には、金属元素を１０ａｔ％以下で含有するものが含まれる。例えば、原料ガスを供給しながらＦＩＢを照射して堆積膜を形成する場合、ＦＩＢのイオン源となる金属が堆積膜に含有される場合がある。ＦＩＢのイオン源となる金属としては、具体的には、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）などが挙げられる。
堆積膜に含まれる非金属系材料としては、ＥＵＶを吸収可能なものであれば特に限定されるものではなく、堆積膜を形成する際に使用される原料ガスの種類に応じて異なるものである。例えば、炭素（Ｃ）を主成分とする材料、シリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料、炭素（Ｃ）およびシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料などが挙げられる。中でも、非金属系材料がシリコンを含有することが好ましい。加工性および耐候性の良好な堆積膜とすることができるからである。
堆積膜を形成する際に使用される原料ガスとしては、非金属系材料を含有する堆積膜を形成できれば特に限定されるものではなく、ＦＩＢまたはＥＢを用いたＣＶＤ法を適用する場合に一般的に用いられるガスを使用することができる。例えば、フェナントレン、ナフタレン、ピレンなどの炭化水素系ガス、テトラエトキシシラン（TEOS）、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン（1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxane）などのシリコン含有ガスを用いることができる。
堆積膜を形成する際に使用される原料ガスとしては、非金属系材料を含有する堆積膜を形成できれば特に限定されるものではなく、ＦＩＢまたはＥＢを用いたＣＶＤ法を適用する場合に一般的に用いられるガスを使用することができる。例えば、フェナントレン、ナフタレン、ピレンなどの炭化水素系ガス、テトラエトキシシラン（TEOS）、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン（1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxane）などのシリコン含有ガスを用いることができる。
また、堆積膜は非金属系材料を含有するものであればよく、例えば、図１（ｂ）および図３に示すように、非金属系材料を含有する単一の層であってもよく、図４に示すように、非金属系材料を含有する非金属系材料層７ａと、非金属系材料層７ａを覆うように形成され、金属を含有する金属層７ｂとを有するものであってもよい。
金属層に含まれる金属としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）などが挙げられる。
金属層に含まれる金属としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）などが挙げられる。
本発明において、堆積膜は吸収層よりも厚く、堆積膜の厚みは１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、好ましくは１２５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内、より好ましくは１２５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内である。堆積膜が上記範囲よりも薄いと、所望のＥＵＶの吸収率を得ることが困難であり、上記範囲よりも厚いと、影効果により転写寸法が変化してしまうおそれがあり、また成膜に時間を要するからである。
なお、上記の堆積膜の厚みは、堆積膜の頂部の厚みをいう。
堆積膜の厚みは、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することにより測定することができる。
なお、上記の堆積膜の厚みは、堆積膜の頂部の厚みをいう。
堆積膜の厚みは、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することにより測定することができる。
本発明においては、堆積膜の側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度（傾斜角度）が６度〜４０度の範囲内であり、好ましくは１０度〜３０度の範囲内、より好ましくは２０度〜３０度の範囲内である。傾斜角度が上記範囲よりも小さいと、影効果により転写寸法が変化してしまうおそれがあり、上記範囲よりも大きいと、堆積膜端部の厚みが薄くなり、所望のＥＵＶの吸収率を得ることが困難となり、十分な転写特性が得られなくなるからである。
なお、堆積膜の側面とは、堆積膜が下底面および上底面を有する場合には下底面および上底面以外の面をいい、堆積膜が下底面を有し上底面を有さない場合には下底面以外の面をいう。
堆積膜の頂部とは、堆積膜が最も厚い（高い）部分をいう。また、白欠陥部が複数存在し、各白欠陥部にそれぞれ堆積膜が形成されている場合には、各堆積膜の頂部をいう。
堆積膜の側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置と３分の２の厚みの位置とを結ぶ直線は、図１（ｂ）、（ｃ）および図２（ｂ）、（ｃ）に例示するように、堆積膜７の頂部Ｔを含む縦断面（基板面に対して垂直な面）を観察することにより決定することができる。
堆積膜の頂部とは、堆積膜が最も厚い（高い）部分をいう。また、白欠陥部が複数存在し、各白欠陥部にそれぞれ堆積膜が形成されている場合には、各堆積膜の頂部をいう。
堆積膜の側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置と３分の２の厚みの位置とを結ぶ直線は、図１（ｂ）、（ｃ）および図２（ｂ）、（ｃ）に例示するように、堆積膜７の頂部Ｔを含む縦断面（基板面に対して垂直な面）を観察することにより決定することができる。
また、図１（ｂ）、（ｃ）および図２（ｂ）、（ｃ）に例示するように、堆積膜７の頂部Ｔを含む縦断面に応じて上記傾斜角度が異なる場合には、少なくとも一つの傾斜角度が上記範囲内であるものとする。
ここで、堆積膜の側面には、多層膜上に吸収体（吸収層および堆積膜）が形成されていない反射領域に面する側面や、多層膜上に吸収層が形成されている吸収領域に面する側面が存在する。これらの堆積膜の側面のうち、例えば図１（ａ）、（ｂ）に示すように、反射領域３１に面する堆積膜７の側面における傾斜角度が、転写特性に大きな影響を及ぼす。したがって、反射領域に面する堆積膜の側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度（傾斜角度）が上記の範囲内であることが好ましい。
反射型マスクが白欠陥部を有する場合、一般的に、白欠陥部が反射領域に面していることが多いと考えられることから、本発明は有用である。
ここで、堆積膜の側面には、多層膜上に吸収体（吸収層および堆積膜）が形成されていない反射領域に面する側面や、多層膜上に吸収層が形成されている吸収領域に面する側面が存在する。これらの堆積膜の側面のうち、例えば図１（ａ）、（ｂ）に示すように、反射領域３１に面する堆積膜７の側面における傾斜角度が、転写特性に大きな影響を及ぼす。したがって、反射領域に面する堆積膜の側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度（傾斜角度）が上記の範囲内であることが好ましい。
反射型マスクが白欠陥部を有する場合、一般的に、白欠陥部が反射領域に面していることが多いと考えられることから、本発明は有用である。
また、吸収領域に面する堆積膜の側面における傾斜角度も、転写特性に影響を及ぼすことがある。例えば、図２（ａ）、（ｂ）に示すように吸収領域３２に面する堆積膜７の側面と反射領域３１との距離が近い場合には、このような吸収領域に面する堆積膜の側面における傾斜角度も、転写特性に大きく影響し得る。したがって、吸収領域に面する堆積膜の側面と反射領域との距離が近い場合には、このような吸収領域に面する堆積膜の側面における堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度（傾斜角度）が上記の範囲内であることが好ましい。
一方、吸収領域に面する堆積膜の側面のうち、例えば図１（ａ）〜（ｃ）および図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、反射領域３１との距離が遠い堆積膜７の側面や、吸収層６のパターンの長手方向と交差している堆積膜７の側面等においては、傾斜角度は任意の角度とすることができる。
なお、反射領域に面する堆積膜の側面とは、反射領域に接している堆積膜の側面をいう。また、吸収領域に面する堆積膜の側面とは、吸収領域に接している堆積膜の側面をいう。反射領域は、多層膜上に吸収体（吸収層および堆積膜）が形成されていない領域である。吸収領域は、多層膜上に吸収層が形成されている領域である。
上記傾斜角度は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することにより測定することができる。
堆積膜の断面形状としては、傾斜角度が上記範囲内となる形状であれば特に限定されるものではないが、通常、堆積膜の頂部から下底面に向かって横断面（基板面に対して水平な面）での断面積が大きくなるような形状とされる。例えば、図１（ｂ）、（ｃ）に示すような台形形状、図３に示すようなガウシアン分布形状、およびこれらに類似する形状が挙げられる。中でも、台形形状、ガウシアン分布形状が好ましい。このような断面形状であれば、影効果による転写寸法の変動を効果的に抑制することができるからである。
堆積膜の成膜方法としては、ＦＩＢやＥＢを用いたＣＶＤ法が用いられる。
（２）吸収層
本発明における吸収層は、多層膜上にパターン状に形成されるものであり、本発明の反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶを吸収するものである。
本発明における吸収層は、多層膜上にパターン状に形成されるものであり、本発明の反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶを吸収するものである。
吸収層の材料としては、ＥＵＶを吸収可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮおよびＯの少なくとも１つの成分を含有する材料等が用いられる。さらに、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＷＮ、ＴｉＮ等も使用可能である。
吸収層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法などが用いられる。
２．多層膜
本発明に用いられる多層膜は、基板上に形成されるものである。
本発明に用いられる多層膜は、基板上に形成されるものである。
多層膜の材料としては、一般的に反射型マスクの多層膜に使用されるものを用いることができ、中でも、ＥＵＶに対する反射率が極めて高い材料を用いることが好ましい。反射型マスク使用時においてコントラストを高めることができるからである。例えば、ＥＵＶを反射する多層膜としては、通常、Ｍｏ／Ｓｉの周期多層膜が用いられる。また、特定の波長域で高い反射率が得られる多層膜として、例えば、Ｒｕ／Ｓｉの周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅの周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物の周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂの周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕの周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏの周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕの周期多層膜等も用いることができる。
多層膜を構成する各層の膜厚や、各層の積層数としては、使用する材料に応じて異なるものであり、適宜調整される。例えば、Ｍｏ／Ｓｉの周期多層膜としては、数ｎｍ程度の厚さのＭｏ膜とＳｉ膜とが４０層〜６０層ずつ積層された多層膜を用いることができる。
多層膜の厚みとしては、例えば２８０ｎｍ〜４２０ｎｍ程度とすることができる。
多層膜の成膜方法としては、例えば、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法などが用いられる。
多層膜の成膜方法としては、例えば、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法などが用いられる。
３．キャッピング層
本発明においては、多層膜と吸収層との間にキャッピング層が形成されていてもよい。キャッピング層は、多層膜の酸化防止や、反射型マスクの洗浄時の保護のために設けられるものである。キャッピング層が形成されていることにより、多層膜の最表面がＳｉ膜やＲｕ膜である場合には、Ｓｉ膜やＲｕ膜が酸化されるのを防ぐことができる。Ｓｉ膜やＲｕ膜が酸化されると、多層膜の反射率が低下するおそれがある。
本発明において、多層膜上に後述のバッファ層が形成されている場合には、通常、多層膜上にキャッピング層およびバッファ層の順に積層される。
本発明においては、多層膜と吸収層との間にキャッピング層が形成されていてもよい。キャッピング層は、多層膜の酸化防止や、反射型マスクの洗浄時の保護のために設けられるものである。キャッピング層が形成されていることにより、多層膜の最表面がＳｉ膜やＲｕ膜である場合には、Ｓｉ膜やＲｕ膜が酸化されるのを防ぐことができる。Ｓｉ膜やＲｕ膜が酸化されると、多層膜の反射率が低下するおそれがある。
本発明において、多層膜上に後述のバッファ層が形成されている場合には、通常、多層膜上にキャッピング層およびバッファ層の順に積層される。
キャッピング層の材料としては、上記機能を発現するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ＳｉやＲｕ等が挙げられる。
また、キャッピング層の厚みとしては、例えば２ｎｍ〜１５ｎｍ程度とすることができる。
キャッピング層の成膜方法としては、スパッタリング法等を挙げることができる。
また、キャッピング層の厚みとしては、例えば２ｎｍ〜１５ｎｍ程度とすることができる。
キャッピング層の成膜方法としては、スパッタリング法等を挙げることができる。
４．バッファ層
本発明においては、多層膜と吸収層との間にバッファ層が形成されていてもよい。バッファ層は、下層の多層膜に損傷を与えるのを防止するために設けられるものである。バッファ層が形成されていることにより、吸収層をドライエッチング等の方法でパターンエッチングする際に、下層の多層膜がダメージを受けるのを防止することができる。
本発明においては、多層膜と吸収層との間にバッファ層が形成されていてもよい。バッファ層は、下層の多層膜に損傷を与えるのを防止するために設けられるものである。バッファ層が形成されていることにより、吸収層をドライエッチング等の方法でパターンエッチングする際に、下層の多層膜がダメージを受けるのを防止することができる。
バッファ層の材料としては、耐エッチング性が高いものであればよく、通常、吸収層とエッチング特性の異なる材料、すなわち吸収層とのエッチング選択比が大きい材料が用いられる。バッファ層および吸収層のエッチング選択比は５以上であることが好ましく、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは２０以上である。さらに、バッファ層の材料としては、低応力で、平滑性に優れた材料であることが好ましい。特にバッファ層の平滑性は、０．３ｎｍＲｍｓ以下であることが好ましい。このような観点から、バッファ層の材料は、微結晶またはアモルファス構造であることが好ましい。
このようなバッファ層の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ、ＣｒＮ等が挙げられる。
このようなバッファ層の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ、ＣｒＮ等が挙げられる。
また、バッファ層の厚みとしては、例えば２ｎｍ〜２５ｎｍ程度とすることができる。
バッファ層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法などが挙げられる。ＳｉＯ2を用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気下で、多層膜上にＳｉＯ2を成膜するのが好ましい。
白欠陥修正後のバッファ層の剥離方法としては、一般的なバッファ層の剥離方法を用いることができ、例えばドライエッチング等を挙げることができる。
バッファ層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法などが挙げられる。ＳｉＯ2を用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気下で、多層膜上にＳｉＯ2を成膜するのが好ましい。
白欠陥修正後のバッファ層の剥離方法としては、一般的なバッファ層の剥離方法を用いることができ、例えばドライエッチング等を挙げることができる。
５．基板
本発明に用いられる基板としては、一般的に反射型マスクの基板に使用されるものを用いることができ、例えば、ガラス基板や金属基板を使用することができる。中でも、ガラス基板が好ましく用いられる。ガラス基板は、良好な平滑性および平坦度が得られるので、特に反射型マスク用基板として好適である。ガラス基板の材料としては、例えば、石英ガラス、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等）、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。また、金属基板の材料としては、例えば、シリコン、Ｆｅ−Ｎｉ系のインバー合金等が挙げられる。
本発明に用いられる基板としては、一般的に反射型マスクの基板に使用されるものを用いることができ、例えば、ガラス基板や金属基板を使用することができる。中でも、ガラス基板が好ましく用いられる。ガラス基板は、良好な平滑性および平坦度が得られるので、特に反射型マスク用基板として好適である。ガラス基板の材料としては、例えば、石英ガラス、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等）、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。また、金属基板の材料としては、例えば、シリコン、Ｆｅ−Ｎｉ系のインバー合金等が挙げられる。
基板は、反射型マスクの高反射率および転写精度を得るために、平滑性が０．２ｎｍＲｍｓ以下であることが好ましく、また平坦度が１００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、平滑性を示す単位Ｒｍｓは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡を用いて測定することができる。また、平坦度は、ＴＩＲ(Total Indicated Reading)で示される表面の反り（変形量）を示す値である。この値は、基板表面を元に最小二乗法で定められる平面を焦平面としたとき、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある最も低い位置の高低差の絶対値である。また、上記平滑性は１０μｍ角エリアでの平滑性であり、上記平坦度は１４２ｍｍ角エリアでの平坦度である。
また、基板の厚みとしては、例えば６ｍｍ〜７ｍｍ程度とすることができる。
Ｂ．反射型マスクの製造方法
本発明の反射型マスクの製造方法は、多層膜が形成された基板上に吸収層をパターン状に形成する吸収層形成工程と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に、非金属系の原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射し、堆積膜を形成する修正工程とを有し、上記修正工程では、上記白欠陥部の中央部での総エネルギー量が上記白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射することを特徴とする。
本発明の反射型マスクの製造方法は、多層膜が形成された基板上に吸収層をパターン状に形成する吸収層形成工程と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に、非金属系の原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射し、堆積膜を形成する修正工程とを有し、上記修正工程では、上記白欠陥部の中央部での総エネルギー量が上記白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射することを特徴とする。
図５（ａ）〜（ｂ）は、本発明の反射型マスクの製造方法の一例を示す工程図である。まず、図５（ａ）に示すように、多層膜３およびキャッピング層４が順に積層された基板２上に吸収層６をパターン状に形成する（吸収層形成工程）。この中間製品１１は、吸収層６の欠落に起因する白欠陥部１０を有している。白欠陥部１０を修正するために、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、白欠陥部１０に、原料ガス用ガス銃１３から非金属系の原料ガス１４を吹きつけながら、ＦＩＢまたはＥＢ１２を照射して、堆積膜７を形成する（修正工程）。この際、白欠陥部１０の中央部２１での総エネルギー量が白欠陥部１０の端部２２での総エネルギー量よりも多くなるようにＦＩＢまたはＥＢ１２を照射する。これにより、白欠陥部１０の端部２２での膜厚が白欠陥部１０の中央部２１での膜厚よりも薄い堆積膜７を形成することができる。このようにして、反射型マスク１が得られる。
本発明においては、非金属系の原料ガスを用いて堆積膜を形成するので、堆積膜形成箇所において吸収層と同等のＥＵＶ遮光特性を得るには、堆積膜を吸収層よりもかなり厚く形成しなければならない場合がある。そのため、本発明により製造される反射型マスクを用いてウェハ上にパターンを転写する際には、ＥＵＶ露光時の影効果による転写寸法の変化が懸念される。
ここで、堆積膜の膜厚は、エネルギー量に比例する。したがって、堆積膜の膜厚および断面形状は、エネルギー量を適宜調整することで制御することが可能である。
本発明によれば、修正工程において、白欠陥部の中央部での総エネルギー量が白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射するので、白欠陥部の端部での堆積膜の厚みが白欠陥部の中央部での堆積膜の厚みよりも薄くなり、堆積膜を所定の膜厚および断面形状に調整することができる。その結果、影効果を低減することができ、正常部と堆積膜形成箇所との転写寸法のズレを小さくし、良好な転写特性を実現することが可能となる。
ここで、堆積膜の膜厚は、エネルギー量に比例する。したがって、堆積膜の膜厚および断面形状は、エネルギー量を適宜調整することで制御することが可能である。
本発明によれば、修正工程において、白欠陥部の中央部での総エネルギー量が白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射するので、白欠陥部の端部での堆積膜の厚みが白欠陥部の中央部での堆積膜の厚みよりも薄くなり、堆積膜を所定の膜厚および断面形状に調整することができる。その結果、影効果を低減することができ、正常部と堆積膜形成箇所との転写寸法のズレを小さくし、良好な転写特性を実現することが可能となる。
以下、本発明の反射型マスクの製造方法における各工程について説明する。
１．吸収層形成工程
本発明における吸収層形成工程は、多層膜が形成された基板上に吸収層をパターン状に形成する工程である。
本発明における吸収層形成工程は、多層膜が形成された基板上に吸収層をパターン状に形成する工程である。
吸収層をパターン状に形成する方法としては、通常、フォトリソグラフィー法が用いられる。具体的には、多層膜が形成された基板上に吸収層を形成し、この吸収層上にレジスト層を形成し、レジスト層をパターニングし、レジストパターンをマスクとして吸収層をエッチングし、残存するレジストパターンを除去して、吸収層をパターン状に形成する。フォトリソグラフィー法としては、一般的な方法を用いることができる。
なお、基板、多層膜およびその成膜方法、吸収層およびその成膜方法、ならびにその他の点については、上記「Ａ．反射型マスク」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
２．修正工程
本発明における修正工程は、吸収層の欠落に起因する白欠陥部に、非金属系の原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射し、堆積膜を形成する工程であって、上記白欠陥部の中央部での総エネルギー量が上記白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射する工程である。
本発明における修正工程は、吸収層の欠落に起因する白欠陥部に、非金属系の原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射し、堆積膜を形成する工程であって、上記白欠陥部の中央部での総エネルギー量が上記白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射する工程である。
原料ガスとしては、非金属系の原料ガスであれば特に限定されるものではなく、ＦＩＢまたはＥＢを用いたＣＶＤ法を適用する場合に一般的に用いられるガスを使用することができる。例えば、フェナントレン、ナフタレン、ピレンなどの炭化水素系ガス、テトラエトキシシラン（TEOS）、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン（1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxane）などのシリコン含有ガスを用いることができる。
エネルギービームとしては、白欠陥部に局所的に堆積膜を形成することができるものであれば特に限定されないが、ＦＩＢまたはＥＢが好ましく用いられる。これらは、高度な微細加工が可能であり、微細な白欠陥部にも対応できるからである。
本発明においては、白欠陥部の中央部での総エネルギー量が白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射する。これにより、白欠陥部の端部での堆積膜の厚みが白欠陥部の中央部での堆積膜の厚みよりも薄くなり、堆積膜を所定の膜厚および断面形状に制御することが可能となる。
総エネルギー量を調整する方法としては、例えば、エネルギービームの強度、照射回数、照射時間等を調整する方法が挙げられる。具体的には、白欠陥部の中央部での強度を白欠陥部の端部での強度よりも大きくする方法、白欠陥部の中央部での照射回数を白欠陥部の端部での照射回数よりも多くする方法、白欠陥部の中央部での照射時間を白欠陥部の端部での照射時間よりも長くする方法等を挙げることができる。これらの方法を組み合わせてもよい。中でも、エネルギービームの照射条件を簡単にできることから、白欠陥部の中央部での照射回数が白欠陥部の端部での照射回数よりも多くなるようにエネルギービームを照射することが好ましい。
総エネルギー量を調整する方法としては、例えば、エネルギービームの強度、照射回数、照射時間等を調整する方法が挙げられる。具体的には、白欠陥部の中央部での強度を白欠陥部の端部での強度よりも大きくする方法、白欠陥部の中央部での照射回数を白欠陥部の端部での照射回数よりも多くする方法、白欠陥部の中央部での照射時間を白欠陥部の端部での照射時間よりも長くする方法等を挙げることができる。これらの方法を組み合わせてもよい。中でも、エネルギービームの照射条件を簡単にできることから、白欠陥部の中央部での照射回数が白欠陥部の端部での照射回数よりも多くなるようにエネルギービームを照射することが好ましい。
一般的には、白欠陥部に原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射して堆積膜を形成する場合、例えば図６中の矢印で示すように、白欠陥部１０に対して位置をずらしながらエネルギービームを照射し、さらにこれを数回繰り返し行う傾向にある。このような場合であって、エネルギービームの照射回数を調整する場合には、例えば、エネルギービームの照射間隔を調整する方法や、１回目は白欠陥部の端部および中央部にエネルギービームを照射し、２回目は白欠陥部の中央部のみにエネルギービームを照射するなどの方法を用いることができる。
ＥＵＶ反射率は堆積膜の厚みにほぼ比例し、堆積膜が厚くなるほどＥＵＶ反射率が低くなる。本発明により製造される反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいて、堆積膜形成箇所がウェハ上に転写されないＥＵＶ反射率には、白欠陥部の大きさや形状、ウェハ転写条件に応じて、しきい値が存在する。例えば、多層膜上に吸収層が形成されている吸収領域での反射率が２％である場合、堆積膜形成箇所での反射率を吸収領域での反射率と同程度まで低下させないとウェハ上に転写されてしまう場合もあれば、堆積膜形成箇所での反射率を２％まで低下させなくとも、１０％まで低下させればウェハ上に転写されない場合もある。具体的に、白欠陥部が微細なピンホール欠陥である場合は、堆積膜を薄く形成するだけでも、堆積膜形成箇所をウェハ上に転写されなくすることができる。このように、必要な堆積膜の厚みは、修正の対象となる白欠陥部に依存する。したがって、本発明の反射型マスクの製造方法において、堆積膜の厚みは、吸収層と同等の転写特性が得られる厚みであればよく、具体的には、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内とすることができ、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内、より好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内とする。堆積膜が上記範囲よりも薄いと、所望のＥＵＶの吸収率を得ることが困難であり、上記範囲よりも厚いと、影効果により転写寸法が変化してしまうおそれがあり、また成膜に時間を要するからである。
なお、上記の堆積膜の厚みは、堆積膜の頂部の厚みをいう。
堆積膜の厚みは、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することにより測定することができる。
なお、上記の堆積膜の厚みは、堆積膜の頂部の厚みをいう。
堆積膜の厚みは、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することにより測定することができる。
なお、堆積膜のその他の点については、上記「Ａ．反射型マスク」の項に記載したものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
３．キャッピング層形成工程
本発明においては、上記吸収層形成工程前に、多層膜上にキャッピング層を形成するキャッピング層形成工程を行ってもよい。キャッピング層を形成することにより、多層膜の最表面がＳｉ膜やＲｕ膜である場合にはＳｉ膜やＲｕ膜が酸化されるのを防ぐことができ、また洗浄時に反射型マスクを保護することができる。
本発明においては、上記吸収層形成工程前に、多層膜上にキャッピング層を形成するキャッピング層形成工程を行ってもよい。キャッピング層を形成することにより、多層膜の最表面がＳｉ膜やＲｕ膜である場合にはＳｉ膜やＲｕ膜が酸化されるのを防ぐことができ、また洗浄時に反射型マスクを保護することができる。
なお、キャッピング層の成膜方法およびその他の点については、上記「Ａ．反射型マスク」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
４．バッファ層形成工程およびバッファ層剥離工程
本発明においては、上記吸収層形成工程前に、多層膜上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程を行い、上記修正工程後に、露出しているバッファ層を剥離するバッファ層剥離工程を行ってもよい。バッファ層を形成することにより、吸収層をパターニングする際に下層の多層膜がダメージを受けるのを防止することができる。
本発明において、上記キャッピング層形成工程を行う場合には、通常、キャッピング層形成工程後にバッファ層形成工程が行われる。
本発明においては、上記吸収層形成工程前に、多層膜上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程を行い、上記修正工程後に、露出しているバッファ層を剥離するバッファ層剥離工程を行ってもよい。バッファ層を形成することにより、吸収層をパターニングする際に下層の多層膜がダメージを受けるのを防止することができる。
本発明において、上記キャッピング層形成工程を行う場合には、通常、キャッピング層形成工程後にバッファ層形成工程が行われる。
なお、バッファ層の成膜方法および剥離方法、ならびにその他の点については、上記「Ａ．反射型マスク」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
［実験例１］
堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係について検証した。
堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係について検証した。
（炭化水素系ガス）
図７に、原料ガスとしてフェナントレンを用いて堆積膜を多層膜上に形成した際の、堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係を計算により算出した結果を示す。なお、タンタルからなる吸収層（膜厚５１ｎｍ）を多層膜上に形成した際のＥＵＶ遮光特性を計算により算出したところ、反射率は２％であった。
図７より明らかなように、多層膜からのＥＵＶ反射率の低下量は、堆積膜の膜厚にほぼ比例する。欠陥修正の対象となるパターンや線幅、ウェハ転写条件によって、ウェハ上に転写されない反射率のしきい値が存在するが、吸収層を形成したときの反射率（２％）と同等の遮光特性を堆積膜で得るには、図７より、吸収層よりも厚い１５０ｎｍ以上の膜厚が必要となることが確認された。
図７に、原料ガスとしてフェナントレンを用いて堆積膜を多層膜上に形成した際の、堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係を計算により算出した結果を示す。なお、タンタルからなる吸収層（膜厚５１ｎｍ）を多層膜上に形成した際のＥＵＶ遮光特性を計算により算出したところ、反射率は２％であった。
図７より明らかなように、多層膜からのＥＵＶ反射率の低下量は、堆積膜の膜厚にほぼ比例する。欠陥修正の対象となるパターンや線幅、ウェハ転写条件によって、ウェハ上に転写されない反射率のしきい値が存在するが、吸収層を形成したときの反射率（２％）と同等の遮光特性を堆積膜で得るには、図７より、吸収層よりも厚い１５０ｎｍ以上の膜厚が必要となることが確認された。
（シリコン含有ガス）
図８に、原料ガスとして1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン（1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxane）を用いて堆積膜を多層膜上に形成した際の、堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係を計算により算出した結果を示す。
吸収層を形成したときの反射率（２％）と同等の遮光特性を堆積膜で得るには、図８より、吸収層よりも厚い１２５ｎｍ以上の膜厚が必要となることが確認された。
図８に、原料ガスとして1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン（1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxane）を用いて堆積膜を多層膜上に形成した際の、堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係を計算により算出した結果を示す。
吸収層を形成したときの反射率（２％）と同等の遮光特性を堆積膜で得るには、図８より、吸収層よりも厚い１２５ｎｍ以上の膜厚が必要となることが確認された。
（金属含有ガス）
図９に、原料ガスとしてタングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）を用いて堆積膜を多層膜上に形成した際の、堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係を計算により算出した結果を示す。
吸収層を形成したときの反射率（２％）と同等の遮光特性を堆積膜で得るには、図９より、１１０ｎｍ程度の膜厚でよいことが確認された。
図９に、原料ガスとしてタングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）を用いて堆積膜を多層膜上に形成した際の、堆積膜の膜厚とＥＵＶ遮光特性との関係を計算により算出した結果を示す。
吸収層を形成したときの反射率（２％）と同等の遮光特性を堆積膜で得るには、図９より、１１０ｎｍ程度の膜厚でよいことが確認された。
このように、炭化水素系ガスやシリコン含有ガスを用いた場合には、金属含有ガスを用いた場合と比較して、目的とする遮光特性を得るには堆積膜をかなり厚く形成する必要があり、影効果による転写寸法の変動が顕著に表れる。したがって、本発明においては、堆積膜が非金属系材料を含有するものとしている。また、堆積膜が非金属系材料を含有する場合、堆積膜の膜厚が少なくとも１２５ｎｍ以上を満たしていればよいことから、本発明においては、堆積膜の厚みを１２５ｎｍ以上としている。
［実験例２］
堆積膜形成箇所の転写特性について検証した。シミュレータは、Panoramic Technology社製EM-Suiteを使用した。またシミュレーションは、実際のＥＵＶマスク構造およびＥＵＶ転写装置の光学系をモデルに実施した。
堆積膜形成箇所の転写特性について検証した。シミュレータは、Panoramic Technology社製EM-Suiteを使用した。またシミュレーションは、実際のＥＵＶマスク構造およびＥＵＶ転写装置の光学系をモデルに実施した。
ＥＵＶマスクの構造を図１０（ａ）、（ｂ）に示す。図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。ＥＵＶマスクの構造は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、酸化珪素からなる基板２上に、モリブデン（膜厚２．８ｎｍ）およびシリコン（膜厚４．２ｎｍ）の４０対からなる多層膜３と、シリコンからなるキャッピング層４（膜厚１１ｎｍ）と、パターン状のタンタルからなる吸収層６（膜厚６６ｎｍ）とが順に形成された構造とした。吸収層６のパターンは、線幅２６０ｎｍのラインパターンであり、白欠陥部１０は、幅２６０ｎｍ、長さ５２０ｎｍサイズのラインが消失した断線欠陥とした。なお、図１０（ａ）において多層膜およびキャッピング層は省略されている。
堆積膜形成後のＥＵＶマスクの構造を図１１（ａ）、（ｂ）に示す。図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。なお、図１１（ａ）において多層膜およびキャッピング層は省略されている。堆積膜形成箇所のシミュレーションでは、図１１（ｂ）に示すように、反射領域３１に面する堆積膜７の側面における堆積膜７の頂部Ｔから３分の１の厚みの位置ａおよび３分の２の厚みの位置ｂを結ぶ直線Ｌ１と、基板２面に対して垂直な線Ｌ２とのなす角度（傾斜角度）θを、０度〜４０度の範囲で変化させた。転写条件は、株式会社ニコン社製ＥＵＶ露光装置ＥＵＶ１の光学系に設定し、ＮＡ＝０．２５、σ＝０．８(conventional)とし、図１１（ｂ）に示すようにＥＵＶ５１の入射角度ωを６度とした。転写パターン寸法は、ウェハ上へ４分の１縮小露光した光学像から算出した。また、堆積膜の材料をダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ：Diamond Like Carbon）の光学定数に設定し、膜厚を図７で算出した１５０ｎｍとした。
図１２に傾斜角度θと転写寸法との関係を示す。ここで、正常部の転写寸法は６５ｎｍである。傾斜角度θを０度、すなわち断面形状を矩形形状とした場合、堆積膜形成箇所の転写寸法は７５．９ｎｍであり、正常部と比較して約１１ｎｍ（１７％）のズレ量が発生した。一般的に白欠陥修正箇所の転写寸法は、正常部と比較して５％以内とすることが求められる。５％以内、すなわち３．２５ｎｍ以内におさめるためには、傾斜角度θを６度以上とすることが必要であると算出された。これにより、ＥＵＶ露光時の影効果を考慮して傾斜角度、すなわち堆積膜の断面形状を制御することの有効性が確認された。
［実施例１］
酸化珪素からなる基板上に、モリブデン（膜厚２．８ｎｍ）およびシリコン（膜厚４．２ｎｍ）の４０対からなる多層膜と、シリコンからなるキャッピング層（膜厚１１ｎｍ）と、パターン状のタンタルからなる吸収層（膜厚６６ｎｍ）とを順に形成した。吸収層のパターンは、図１０（ａ）、（ｂ）に示すような、線幅２６０ｎｍのラインパターンであり、白欠陥部として幅２６０ｎｍ、長さ５２０ｎｍサイズのラインが消失した欠陥を形成した。白欠陥部への堆積膜の形成には、エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製フォトマスク修正用ＦＩＢ装置ＳＩＲ７（ガリウムイオン、加速電圧１５ｋＶ）を使用した。白欠陥部にフェナントレンを原料ガスとして堆積膜を形成することにより、修正した。
酸化珪素からなる基板上に、モリブデン（膜厚２．８ｎｍ）およびシリコン（膜厚４．２ｎｍ）の４０対からなる多層膜と、シリコンからなるキャッピング層（膜厚１１ｎｍ）と、パターン状のタンタルからなる吸収層（膜厚６６ｎｍ）とを順に形成した。吸収層のパターンは、図１０（ａ）、（ｂ）に示すような、線幅２６０ｎｍのラインパターンであり、白欠陥部として幅２６０ｎｍ、長さ５２０ｎｍサイズのラインが消失した欠陥を形成した。白欠陥部への堆積膜の形成には、エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製フォトマスク修正用ＦＩＢ装置ＳＩＲ７（ガリウムイオン、加速電圧１５ｋＶ）を使用した。白欠陥部にフェナントレンを原料ガスとして堆積膜を形成することにより、修正した。
堆積膜の断面形状を原子間力顕微鏡で観察したところ、図１３に示すような台形形状の断面形状が得られた。堆積膜の厚みは１５０ｎｍ、反射領域に面する堆積膜の側面における傾斜角度θは約２０度であった。
上記のように白欠陥修正を行ったＥＵＶマスクを、（株）ニコン製ＥＵＶ露光装置ＥＵＶ１を使用して、ウェハ上に塗布したレジストへ４分の１縮小転写した。次に、レジストを現像することでレジストパターンを得た。このレジストパターンを（株）日立ハイテクノロジーズ製ＳＥＭ型寸法測定機（ＣＧ４０００）にて観察することで、堆積膜形成箇所の転写特性評価を行った。正常部および堆積膜形成箇所の転写寸法を比較したところ、正常なパターンと同等のパターンが形成されていることをＳＥＭ観察で確認した。
［実施例２］
堆積膜の形成においてＦＩＢの代わりにＥＢを利用したこと以外は、実施例１と同様にして白欠陥修正を行った。
装置はエスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＦＩＢ−ＳＥＭダブルビーム装置ＸＶｉｓｉｏｎ２００にて実施した。このとき、ＥＢの加速電圧は１ｋｅＶ、原料ガスはフェナントレンを使用した。
堆積膜の形成においてＦＩＢの代わりにＥＢを利用したこと以外は、実施例１と同様にして白欠陥修正を行った。
装置はエスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＦＩＢ−ＳＥＭダブルビーム装置ＸＶｉｓｉｏｎ２００にて実施した。このとき、ＥＢの加速電圧は１ｋｅＶ、原料ガスはフェナントレンを使用した。
堆積膜の断面形状を原子間力顕微鏡で観察したところ、台形形状の断面形状が得られた。堆積膜の厚みは１８０ｎｍ、反射領域に面する堆積膜の側面における傾斜角度θは約２０度であった。
実施例１と同様にして、堆積膜形成箇所の転写特性評価を行った。正常部および堆積膜形成箇所の転写寸法を比較したところ、正常なパターンと同等のパターンが形成されていることをＳＥＭ観察で確認した。
［実施例３］
堆積膜の形成において原料ガスとしてフェナントレンの代わりにTEOS（Tetraethoxysilane）またはTMCTS（1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxane）のシリコン含有ガスを用いたこと以外は、実施例１または実施例２と同様にして白欠陥修正を行った。
堆積膜の形成において原料ガスとしてフェナントレンの代わりにTEOS（Tetraethoxysilane）またはTMCTS（1,3,5,7-Tetramethylcyclotetra-siloxane）のシリコン含有ガスを用いたこと以外は、実施例１または実施例２と同様にして白欠陥修正を行った。
堆積膜の断面形状を原子間力顕微鏡で観察したところ、いずれも台形形状の断面形状が得られた。堆積膜の厚みは１３０ｎｍ、反射領域に面する堆積膜の側面における傾斜角度θは約２５度であった。
実施例１と同様にして、堆積膜形成箇所の転写特性評価を行った。正常部および堆積膜形成箇所の転写寸法を比較したところ、いずれも正常なパターンと同等のパターンが形成されていることをＳＥＭ観察で確認した。
１ … 反射型マスク
２ … 基板
３ … 多層膜
４ … キャッピング層
５ … 吸収体
６ … 吸収層
７ … 堆積膜
１０ … 白欠陥部
２１ … 白欠陥部の中央部
２２ … 白欠陥部の端部
３１ … 反射領域
３２ … 吸収領域
ａ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置
ｂ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の２の厚みの位置
Ｌ１ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線
Ｌ２ … 基板面に対して垂直な線
Ｔ … 堆積膜の頂部
θ、θ１、θ２ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度（傾斜角度）
２ … 基板
３ … 多層膜
４ … キャッピング層
５ … 吸収体
６ … 吸収層
７ … 堆積膜
１０ … 白欠陥部
２１ … 白欠陥部の中央部
２２ … 白欠陥部の端部
３１ … 反射領域
３２ … 吸収領域
ａ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置
ｂ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の２の厚みの位置
Ｌ１ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線
Ｌ２ … 基板面に対して垂直な線
Ｔ … 堆積膜の頂部
θ、θ１、θ２ … 堆積膜の側面での堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、基板面に対して垂直な線とのなす角度（傾斜角度）
Claims (5)
- 基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、
前記吸収体が、吸収層と、前記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、前記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、
前記堆積膜が非金属系材料を含有し、
前記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、
前記堆積膜は、前記多層膜上に前記吸収体が形成されていない反射領域に面する側面を有し、
前記反射領域に面する前記堆積膜の側面での前記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、前記基板面に対して垂直な線とのなす角度が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とする反射型マスク。 - 前記非金属系材料がシリコンを含有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク。
- 多層膜が形成された基板上に吸収層をパターン状に形成する吸収層形成工程と、
前記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に、非金属系の原料ガスを供給しながらエネルギービームを照射し、堆積膜を形成する修正工程と
を有し、前記修正工程では、前記多層膜上に前記吸収体が形成されていない反射領域に面する側面を有する前記堆積膜を形成する際、前記白欠陥部の中央部での総エネルギー量が前記白欠陥部の端部での総エネルギー量よりも多くなるようにエネルギービームを照射して、前記反射領域に面する前記堆積膜の側面にて前記白欠陥部の端部での厚みが前記白欠陥部の中央部での厚みよりも薄い前記堆積膜を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。 - 前記修正工程では、前記白欠陥部の中央部での照射回数が前記白欠陥部の端部での照射回数よりも多くなるようにエネルギービームを照射することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法。
- 前記エネルギービームが集束イオンビームまたは電子ビームであることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の反射型マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010274797A JP5594106B2 (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010274797A JP5594106B2 (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012124371A JP2012124371A (ja) | 2012-06-28 |
| JP5594106B2 true JP5594106B2 (ja) | 2014-09-24 |
Family
ID=46505507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010274797A Active JP5594106B2 (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5594106B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7244067B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-03-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | マスク欠陥修正装置、及びマスク欠陥修正方法 |
| NL2025258A (en) * | 2019-05-02 | 2020-11-05 | Asml Netherlands Bv | A patterning device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283749A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの欠陥修正方法 |
| JPH05289310A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | パターン修正方法及び装置 |
| JP3706055B2 (ja) * | 2001-10-24 | 2005-10-12 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用マスクの白欠陥修正方法 |
| JP2004287321A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスクの欠陥修正方法 |
| US7094507B2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-08-22 | Infineon Technologies Ag | Method for determining an optimal absorber stack geometry of a lithographic reflection mask |
| US20060099519A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Moriarty Michael H | Method of depositing a material providing a specified attenuation and phase shift |
| US20060134531A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-06-22 | Song I-Hun | Mask for electromagnetic radiation and method of fabricating the same |
| JP4792147B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2011-10-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
| JP2009147200A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスク、反射型フォトマスク製造方法 |
-
2010
- 2010-12-09 JP JP2010274797A patent/JP5594106B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012124371A (ja) | 2012-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5581797B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
| US8081384B2 (en) | Multilayer reflective film coated substrate, manufacturing method thereof, reflective mask blank, and reflective mask | |
| JP6184026B2 (ja) | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| US7804648B2 (en) | Multilayer reflective film coated substrate, manufacturing method thereof, reflective mask blank, and reflective mask | |
| TWI594065B (zh) | Method of manufacturing multilayer reflection film substrate, method of manufacturing reflective mask base, and method of manufacturing reflective mask | |
| US20200371421A1 (en) | Reflective mask blank, reflective mask and method for producing same, and method for producing semiconductor device | |
| JP5533016B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
| US20240201576A1 (en) | Reflective mask blank for euv lithography | |
| US20050238922A1 (en) | Substrate with a multilayer reflection film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and methods of manufacturing them | |
| JP5273143B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク | |
| JP2025031911A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| TWI797383B (zh) | 遮罩基底、轉印用遮罩以及半導體元件之製造方法 | |
| JP5594106B2 (ja) | 反射型マスクおよびその製造方法 | |
| KR20210056343A (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| KR20240006594A (ko) | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법 | |
| JP2010286728A (ja) | 反射型マスクおよびその製造方法 | |
| KR20240024272A (ko) | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법 | |
| JP5471798B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク | |
| JP2012212787A (ja) | 反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスク | |
| JP7538050B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
| US12210279B2 (en) | Electroconductive-film-coated substrate and reflective mask blank | |
| JP7614949B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク | |
| JP7557098B1 (ja) | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法 | |
| JP2013141039A (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
| EP4502727A1 (en) | Reflective photomask blank and reflective photomask |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131017 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20140326 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20140408 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20140605 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20140708 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140721 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Country of ref document: JP Ref document number: 5594106 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |