[go: up one dir, main page]

JP5586267B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP5586267B2
JP5586267B2 JP2010038858A JP2010038858A JP5586267B2 JP 5586267 B2 JP5586267 B2 JP 5586267B2 JP 2010038858 A JP2010038858 A JP 2010038858A JP 2010038858 A JP2010038858 A JP 2010038858A JP 5586267 B2 JP5586267 B2 JP 5586267B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
data
chip
terminal group
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010038858A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011176109A (en
Inventor
博 三田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2010038858A priority Critical patent/JP5586267B2/en
Publication of JP2011176109A publication Critical patent/JP2011176109A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5586267B2 publication Critical patent/JP5586267B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/1533Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15331Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は半導体装置に関し、特に2個のパッケージを積層する所謂POP(Package On Package)構造の半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a so-called POP (Package On Package) structure semiconductor device in which two packages are stacked.

POP構造の半導体装置はパッケージレベルで検査され動作保障された個々のパッケージを組合わせて構成されるためチップ不良に起因する歩留まりの低下を抑制することができるという利点を有し、この点において一つのパッケージに2個のチップを搭載する所謂MCP(Multi Chip Package)よりも優れる。   Since the semiconductor device having the POP structure is configured by combining individual packages that are inspected at the package level and whose operation is guaranteed, it has an advantage that a decrease in yield due to chip defects can be suppressed. It is superior to the so-called MCP (Multi Chip Package) in which two chips are mounted in one package.

メモリチップとマイクロコンピュータのようなデータ処理チップとを搭載したPOPの半導体装置について記載された文献として例えば特許文献1がある。これは、DDR方式のSDRAMパッケージに複数のSDRAMチップを搭載したとき各SDRAMチップからマイクロコンピュータへの配線経路が等長となる構造を提供するものである。特許文献2には複数のDDR方式のSDRAMをマイクロコンピュータと一緒にモジュール基板に搭載するときのモジュール基板上の配線インピーダンスを小さくしたりしてデータ信号などの信号品質を向上させるために、データ信号とそのデータストローブ信号のような信号を機能単位に取りまとめ易いようにデータ系信号をアドレスコマンド系信号よりもSDRAMチップ寄りに配線できるように、マイクロコンピュータのメモリインタフェース回路の配置を決めるようにすることが記載される。   As a document describing a POP semiconductor device in which a memory chip and a data processing chip such as a microcomputer are mounted, there is, for example, Patent Document 1. This provides a structure in which when a plurality of SDRAM chips are mounted in a DDR type SDRAM package, the wiring paths from each SDRAM chip to the microcomputer are of equal length. In Patent Document 2, a data signal is used to improve signal quality such as a data signal by reducing wiring impedance on a module substrate when a plurality of DDR SDRAMs are mounted on a module substrate together with a microcomputer. In addition, the arrangement of the memory interface circuit of the microcomputer is determined so that the data system signal can be wired closer to the SDRAM chip than the address command system signal so that the signals such as the data strobe signal can be easily organized in functional units. Is described.

特開2008−16519号公報JP 2008-16519 A 特開2006−237385号公報JP 2006-237385 A

しかしながら、POP構造では上に配置するパッケージ基板の端子配列と当該パッケージ基板が搭載される回路基板上のマイクロコンピュータチップの端子配列との関係次第では、マイクロコンピュータチップとパッケージ端子とを対応して接続するための回路基板上の配線経路が複雑になることが本発明者によって検討された。例えばマイクロコンピュータチップのメモリインタフェース端子が当該チップの縁辺に局部的に配置されている場合に、上に配置するSDRAMのパッケージに全体的に偏在されるパッケージ端子への配線の引き回しが複雑になり、それに伴ってマイクロコンピュータチップの他のデータ処理端子に接続する配線の引き回しが困難になるという問題を生じ、また、アナログ系信号配線と高速ディジタル配線が混在して誤動作を誘発する虞もあり、回路基板を大きくせざるを得なくなるという問題を生ずる。   However, in the POP structure, depending on the relationship between the terminal arrangement of the package substrate disposed above and the terminal arrangement of the microcomputer chip on the circuit board on which the package substrate is mounted, the microcomputer chip and the package terminal are connected correspondingly. It has been studied by the present inventor that the wiring route on the circuit board to be complicated is complicated. For example, when the memory interface terminal of a microcomputer chip is locally arranged on the edge of the chip, the routing of wiring to the package terminal that is generally unevenly distributed in the SDRAM package arranged above becomes complicated. Along with this, there is a problem that it becomes difficult to route wiring connected to other data processing terminals of the microcomputer chip, and there is a possibility that analog signal wiring and high-speed digital wiring are mixed, which may cause malfunction. The problem arises that the substrate must be enlarged.

本発明の目的は、POP構造の半導体装置においてデータ処理用半導体チップが搭載される配線基板上においてデータ処理用半導体チップとメモリ半導体チップとを接続するための配線経路を短くすることにある。   An object of the present invention is to shorten a wiring path for connecting a data processing semiconductor chip and a memory semiconductor chip on a wiring substrate on which the data processing semiconductor chip is mounted in a semiconductor device having a POP structure.

本発明の別の目的は、POP構造の半導体装置においてデータ処理用半導体チップが搭載されると共にその上にメモリ半導体チップのパッケージ基板が搭載される配線基板を小型化することにある。   Another object of the present invention is to reduce the size of a wiring substrate on which a data processing semiconductor chip is mounted and a package substrate for a memory semiconductor chip is mounted thereon in a semiconductor device having a POP structure.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。   The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.

すなわち、メモリ半導体チップが搭載されるパッケージ基板のデータ系パッケージ端子群及びアドレスコマンド系パッケージ端子群の配列と、これが搭載される配線基板上のデータ処理用半導体チップのデータ系チップ端子群及びアドレスコマンド系チップ端子群の配列とについて、前記データ系チップ端子群が前記データ系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部の異なる領域に分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群が前アドレスコマンド系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部に配置されるPOP構造が採用される。   That is, the arrangement of the data system package terminal group and the address command system package terminal group of the package board on which the memory semiconductor chip is mounted, and the data system chip terminal group and address command of the data processing semiconductor chip on the wiring board on which the memory semiconductor chip is mounted The data command chip terminal group is divided and arranged in different areas on the edge of the data processing semiconductor chip corresponding to the arrangement of the data package terminal group, and the address command chip A POP structure is adopted in which the terminal group is arranged at the edge of the data processing semiconductor chip corresponding to the arrangement of the previous address command system package terminal group.

これにより、データ系及びアドレスコマンド系の夫々のパッケージ端子群とチップ端子群との空間的位置関係が対応され、対応端子を接続する配線経路長が短くなり、また、複数ビットが並列動作されるデータ系チップ端子群は分割配置されてデータ処理用半導体チップの他のチップ端子への配線接続の邪魔にならず、配線基板の小型に寄与する。   As a result, the spatial positional relationship between the package terminal group of each of the data system and the address command system and the chip terminal group is associated, the length of the wiring path connecting the corresponding terminals is shortened, and a plurality of bits are operated in parallel. The data system chip terminal group is divided and arranged so as not to obstruct wiring connection to other chip terminals of the data processing semiconductor chip, and contributes to the miniaturization of the wiring board.

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。   The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、POP構造の半導体装置においてデータ処理用半導体チップが搭載される配線基板上においてデータ処理用半導体チップとメモリ半導体チップとを接続するための配線経路を短くすることができ、更に配線基板の小型化に資することができる。   That is, the wiring path for connecting the data processing semiconductor chip and the memory semiconductor chip can be shortened on the wiring board on which the data processing semiconductor chip is mounted in the semiconductor device having the POP structure, and the wiring board can be made smaller. Can contribute.

図1は図2のA−A矢視断面図である。1 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図2は本発明の一実施の形態に係るPOP構造の半導体装置を例示する縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view illustrating a semiconductor device having a POP structure according to an embodiment of the invention. 図3はデータ系パッケージ端子群及びアドレスコマンド系パッケージ端子群の主な端子配列を具体的に例示する平面図である。FIG. 3 is a plan view specifically illustrating the main terminal arrangement of the data system package terminal group and the address command system package terminal group. 図4はデータ系チップ端子群及びアドレスコマンド系チップ端子群の主な端子配列を具体的に例示する平面図である。FIG. 4 is a plan view specifically illustrating the main terminal arrangement of the data system chip terminal group and the address command system chip terminal group. 図5はデータ系チップ端子群及びアドレスコマンド系チップ端子群とデータ系パッケージ端子群及びアドレスコマンド系パッケージ端子群との回路基板上での接続対応を例示する説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating the connection correspondence on the circuit board between the data system chip terminal group and address command system chip terminal group and the data system package terminal group and address command system package terminal group. 図6は図7のB−B矢視断面図である。6 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図7は本発明の別の実施の形態に係るPOP構造の半導体装置を例示する縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view illustrating a semiconductor device having a POP structure according to another embodiment of the invention. 図8は比較例に係るPOP構造の部分平面図である。FIG. 8 is a partial plan view of a POP structure according to a comparative example.

1.実施の形態の概要
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
1. First, an outline of a typical embodiment of the invention disclosed in the present application will be described. Reference numerals in the drawings referred to in parentheses in the outline description of the representative embodiments merely exemplify what are included in the concept of the components to which the reference numerals are attached.

〔1〕本発明の代表的な実施の形態に係る半導体装置(1,2)は、配線基板と、前記配線基板(100,300)の上に搭載されたデータ処理用半導体チップ(101,301)と、前記データ処理用半導体チップに重ねて前記配線基板の上に搭載されたパッケージ基板(200,400)と、前記パッケージ基板に内蔵されたメモリ半導体チップ(201,401)とを有する。前記パッケージ基板は、夫々前記メモリ半導体チップに接続されていて前記データ処理用半導体チップの外周縁の外側に配置される、データ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系パッケージ端子群(210,211,410〜413)と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系パッケージ端子群(212,414)とを有し、前記データ系パッケージ端子群はパッケージ基板の異なる領域に分割配置される。前記データ処理用半導体チップはメモリ制御用のデータ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系チップ端子群(110,111,310〜313)と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系チップ端子群(112,314)とを備え、前記データ系チップ端子群は前記データ系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部の異なる領域に分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群は前アドレスコマンド系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部に配置される。   [1] A semiconductor device (1, 2) according to a typical embodiment of the present invention includes a wiring board and a data processing semiconductor chip (101, 301) mounted on the wiring board (100, 300). ), A package substrate (200, 400) mounted on the wiring substrate over the data processing semiconductor chip, and a memory semiconductor chip (201, 401) built in the package substrate. The package substrate is connected to the memory semiconductor chip and disposed outside the outer periphery of the data processing semiconductor chip, and includes a data system package terminal group (210, 211, 410) including a data terminal and a data strobe terminal. 413) and address command system package terminal groups (212, 414) including address terminals and command terminals, and the data system package terminal groups are divided and arranged in different regions of the package substrate. The data processing semiconductor chip includes a data system chip terminal group (110, 111, 310 to 313) including a memory control data terminal and a data strobe terminal, and an address command system chip terminal group (112) including an address terminal and a command terminal. 314), and the data system chip terminal group is divided and arranged in different regions on the edge of the data processing semiconductor chip corresponding to the arrangement of the data system package terminal group, and the address command system chip terminal group Are arranged at the edge of the data processing semiconductor chip corresponding to the arrangement of the previous address command system package terminal group.

これにより、データ系及びアドレスコマンド系の夫々のパッケージ端子群とチップ端子群との空間的位置関係が対応され、対応端子を接続する配線経路長が短くなる。また、複数ビットが並列動作されるデータ系チップ端子群は分割配置されてデータ処理用半導体チップの他のチップ端子への配線接続の邪魔にならない。よって、配線基板の小型に寄与する。   As a result, the spatial positional relationship between the package terminal group of each of the data system and the address command system and the chip terminal group is associated, and the length of the wiring path connecting the corresponding terminals is shortened. Further, the data system chip terminal group in which a plurality of bits are operated in parallel is divided and does not interfere with the wiring connection to the other chip terminals of the data processing semiconductor chip. Therefore, it contributes to the miniaturization of the wiring board.

〔2〕項1の半導体装置において、前記チップ端子群の端子ピッチは前記パッケージ端子群の端子ピッチよりも小さい(図1、図6)。上記端子ピッチの関係はチップ端子に接続する配線を更に混雑させることになるから、上記手段の優位性が増す。   [2] In the semiconductor device of item 1, the terminal pitch of the chip terminal group is smaller than the terminal pitch of the package terminal group (FIGS. 1 and 6). The relationship of the terminal pitch further congests the wiring connected to the chip terminal, so that the superiority of the means is increased.

〔3〕項1又は2の半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群はデータ処理用半導体チップのコーナー部に寄せて配置される(図1、図6)。データ系チップ端子群をデータ処理用半導体チップのコーナー部に寄せて配置すれば、同一辺のチップ端子はその片側に多く存在するになり、同一辺に存在する他のチップ端子への配線の自由度が増す。   [3] In the semiconductor device according to item 1 or 2, the divided data system chip terminal groups are arranged close to the corner of the data processing semiconductor chip (FIGS. 1 and 6). If the data system chip terminal group is arranged close to the corner of the data processing semiconductor chip, there are many chip terminals on the same side, and wiring to other chip terminals on the same side is free. The degree increases.

〔4〕項1又は2の半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群の間にはデータ系チップ端子以外の端子が配置されている(図1、図6)。データ系チップ端子群が並列する数が多くなり過ぎて同一辺に存在する他のチップ端子への配線の自由度が著しく阻害される虞を未然に防止することができる。   [4] In the semiconductor device according to item 1 or 2, terminals other than the data system chip terminals are disposed between the divided data system chip terminal groups (FIGS. 1 and 6). It is possible to prevent the possibility that the number of data system chip terminal groups that are arranged in parallel becomes too large and the degree of freedom of wiring to other chip terminals existing on the same side is significantly hindered.

〔5〕項1乃至4の何れかの半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群は、少なくともデータストローブ端子(LPBDQS0…)と当該データストローブ端子のデータストローブ信号に同期して変化されるデータに割当てられたデータ端子(LPBDQ0〜LPBDQ7…)とのペアを含む。メモリ制御の観点より、データ系チップ端子群を分割配置するときデータとデータに対するデータストローブ制御との一体性を確保することが容易になる。要するに、メモリ制御回路の構成が複雑にならない。   [5] In the semiconductor device according to any one of Items 1 to 4, each of the divided data system chip terminal groups is synchronized with at least a data strobe terminal (LPBDQS0...) And a data strobe signal of the data strobe terminal. It includes a pair with data terminals (LPBDQ0 to LPBDQ7...) Assigned to the data to be changed. From the viewpoint of memory control, it becomes easy to ensure the integrity of data and data strobe control for the data when the data system chip terminal group is dividedly arranged. In short, the configuration of the memory control circuit is not complicated.

〔6〕項5の半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群のデータ端子は8ビットの整数倍のビット数である。例えば、8ビット或いは16ビットである。   [6] In the semiconductor device of [5], the data terminals of each of the divided data system chip terminal groups have a bit number that is an integral multiple of 8 bits. For example, it is 8 bits or 16 bits.

〔7〕項1乃至6の何れかの半導体装置において、前記チップ端子はアナログ端子群(315,316)を含み、データ処理用半導体チップの同一辺に沿って配置された前記アナログ端子群と前記分割配置されたデータ系チップ端子群(310〜313)との夫々は、データ処理用半導体チップの異なるコーナー部に離間されて配置され又はデータ処理用半導体チップのコーナー部を挟んで異なる辺に沿って配置される。これにより、アナログ端子群に接続する配線をデータ系チップ端子群に接続する配線から離して配線することが容易になる。   [7] In the semiconductor device according to any one of [1] to [6], the chip terminal includes an analog terminal group (315, 316), and the analog terminal group disposed along the same side of the data processing semiconductor chip; Each of the divided data system chip terminal groups (310 to 313) is arranged separately at different corners of the data processing semiconductor chip or along different sides across the corner of the data processing semiconductor chip. Arranged. As a result, the wiring connected to the analog terminal group can be easily separated from the wiring connected to the data system chip terminal group.

〔8〕項1乃至7の何れかの半導体装置において、前記パッケージ基板のパッケージ端子群はBGA端子(202,402)である。   [8] In the semiconductor device according to any one of items 1 to 7, the package terminal group of the package substrate is a BGA terminal (202, 402).

〔9〕項1乃至8の何れかの半導体装置において、前記メモリ半導体チップはシンクロナスDRAMであり、前記データ処理用半導体チップはマイクロコンピュータである。   [9] In the semiconductor device according to any one of items 1 to 8, the memory semiconductor chip is a synchronous DRAM, and the data processing semiconductor chip is a microcomputer.

〔10〕本発明の別の実施の形態に係る半導体装置は、配線基板と、前記配線基板の上に搭載されたデータ処理用半導体チップと、前記データ処理用半導体チップに重ねて前記配線基板の上に搭載されたパッケージ基板と、前記パッケージ基板に内蔵されたメモリ半導体チップとを有する。前記配線基板は、一面に前記データ処理用半導体チップが搭載され、搭載されたデータ処理半導体チップの所定のチップ端子に接続され前記データ処理半導体チップの外方で前記一面に配置されたスタック端子を有し、他面に、前記データ処理用半導体チップの所定のチップ端子に接続する実装端子を有する。前記パッケージ基板は、前記メモリ半導体チップが搭載され、搭載されたメモリ半導体チップのメモリチップ端子に接続する外部接続用のパッケージ端子を有し、前記外部接続用のパッケージ端子が対応する前記スタック端子に重ねて結合される。前記パッケージ端子は、データ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系パッケージ端子群と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系パッケージ端子群とを有し、前記データ系パッケージ端子群はパッケージ基板の異なる領域に分割配置される。前記チップ端子はメモリ制御用のデータ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系チップ端子群と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系チップ端子群とを備え、前記データ系チップ端子群は前記データ系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部の異なる領域に分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群は前アドレスコマンド系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部に配置される。   [10] A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes a wiring board, a data processing semiconductor chip mounted on the wiring board, and the wiring board overlaid on the data processing semiconductor chip. A package substrate mounted thereon; and a memory semiconductor chip embedded in the package substrate. The wiring board has the data processing semiconductor chip mounted on one surface, connected to a predetermined chip terminal of the mounted data processing semiconductor chip, and a stack terminal disposed on the one surface outside the data processing semiconductor chip. And a mounting terminal connected to a predetermined chip terminal of the data processing semiconductor chip on the other surface. The package substrate has the memory semiconductor chip mounted thereon, and has an external connection package terminal connected to a memory chip terminal of the mounted memory semiconductor chip, and the external connection package terminal corresponds to the corresponding stack terminal. Combined with each other. The package terminal includes a data system package terminal group including a data terminal and a data strobe terminal, and an address command system package terminal group including an address terminal and a command terminal, and the data system package terminal group is a different area of the package substrate. It is divided and arranged. The chip terminal includes a data system chip terminal group including a data terminal for data control and a data strobe terminal, and an address command system chip terminal group including an address terminal and a command terminal, and the data system chip terminal group includes the data system The data processing semiconductor chip is divided and arranged in different areas corresponding to the arrangement of the package terminal group, and the address command chip terminal group corresponds to the arrangement of the previous address command package terminal group. The semiconductor chip is disposed on the edge of the semiconductor chip.

これにより、データ系及びアドレスコマンド系の夫々のパッケージ端子群とチップ端子群との空間的位置関係が対応され、対応端子を接続する配線経路長が短くなる。また、複数ビットが並列動作されるデータ系チップ端子群は分割配置されてデータ処理用半導体チップの他のチップ端子への配線接続の邪魔にならない。よって、配線基板の小型に寄与する。   As a result, the spatial positional relationship between the package terminal group of each of the data system and the address command system and the chip terminal group is associated, and the length of the wiring path connecting the corresponding terminals is shortened. Further, the data system chip terminal group in which a plurality of bits are operated in parallel is divided and does not interfere with the wiring connection to the other chip terminals of the data processing semiconductor chip. Therefore, it contributes to the miniaturization of the wiring board.

〔11〕項10の半導体装置において、前記チップ端子群の端子ピッチは前記パッケージ端子群の端子ピッチよりも小さい。   [11] In the semiconductor device of item 10, a terminal pitch of the chip terminal group is smaller than a terminal pitch of the package terminal group.

〔12〕項11の半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群はデータ処理用半導体チップのコーナー部に寄せて配置されている。   [12] In the semiconductor device of item 11, each of the divided data system chip terminal groups is arranged close to a corner portion of the data processing semiconductor chip.

〔13〕項11の半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群の間にはデータ系チップ端子以外の端子が配置されている。   [13] In the semiconductor device as described in [11], terminals other than data system chip terminals are arranged between the divided data system chip terminal groups.

〔14〕項12又は13の半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群は、少なくともデータストローブ端子と当該データストローブ端子のデータストローブ信号に同期して変化されるデータに割当てられたデータ端子とのペアを含む。   [14] In the semiconductor device of item 12 or 13, each of the divided data system chip terminal groups is assigned to at least a data strobe terminal and data changed in synchronization with a data strobe signal of the data strobe terminal. Including pairs with data terminals.

〔15〕項14の半導体装置において、前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群のデータ端子は8ビットの整数倍のビット数である。   [15] In the semiconductor device of item 14, the data terminals of each of the divided data system chip terminal groups have a bit number that is an integral multiple of 8 bits.

〔16〕項10乃至15の半導体装置において、前記チップ端子はアナログ端子群を含み、データ処理用半導体チップの同一辺に沿って配置された前記アナログ端子群と前記分割配置されたデータ系チップ端子群との夫々は、データ処理用半導体チップの異なるコーナー部に離間されて配置され又はデータ処理用半導体チップのコーナー部を挟んで異なる辺に沿って配置される。   [16] In the semiconductor device of items 10 to 15, the chip terminal includes an analog terminal group, and the analog terminal group arranged along the same side of the data processing semiconductor chip and the divided data system chip terminals. Each of the groups is arranged separately from different corner portions of the data processing semiconductor chip or arranged along different sides with the corner portion of the data processing semiconductor chip interposed therebetween.

2.実施の形態の詳細
実施の形態について更に詳述する。
2. Details of Embodiments Embodiments will be further described in detail.

《実施の形態1》
図2には本発明の一実施の形態に係るPOP構造の半導体装置が縦断面にて示される。
Embodiment 1
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a semiconductor device having a POP structure according to an embodiment of the present invention.

半導体装置1は、配線基板100と、前記配線基板100の上に搭載されたデータ処理用半導体チップとして例えばマイクロコンピュータチップ(MCU)101と、前記マイクロコンピュータチップ101に重ねて前記配線基板100の上に搭載されたパッケージ基板200と、前記パッケージ基板200に内蔵されたメモリ半導体チップとして例えばDDR(Double Data Rate)形態のSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)チップ(MRY)201を有する。   The semiconductor device 1 includes a wiring board 100, a microcomputer chip (MCU) 101 as a data processing semiconductor chip mounted on the wiring board 100, and the wiring board 100 overlaid on the microcomputer chip 101. A package substrate 200 mounted on the package substrate 200 and a SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) chip (MRY) 201 in a DDR (Double Data Rate) form, for example, as a memory semiconductor chip built in the package substrate 200.

前記配線基板100は、複数層の配線層を持ちガラスエポキシ樹脂等から構成され、その第1主面にはマイクロコンピュータチップ101が搭載される多数のランドとそれらに接続される配線が形成され、マイクロコンピュータチップ101の外側にはSDRAM201のパッケージ基板200に形成されたパッケージ端子202が載置されて結合されるスタック端子103が形成される。パッケージ端子202は半田バンプ電極によってBGA(Ball Grid Array)形状に構成され、スタック端子103はランドによって構成される。配線基板100の第2主面には半導体装置1をマザーボード(図示せず)に実装するための実装端子102が形成される。実装端子102は例えば半田バンプ電極によってBGA形状に構成される。特に制限されないが、SDRAMチップ201に対するアクセス主体はマイクロコンピュータチップ101とされ、マイクロコンピュータチップ101のSDRAMインタフェース端子は対応する前記スタック端子103に表層配線層の配線を介して接続され、マイクロコンピュータチップ101のその他のインタフェース端子は所定の配線層の配線及びビアを介して対応する実装端子102に接続される。   The wiring board 100 has a plurality of wiring layers and is made of glass epoxy resin or the like, and a plurality of lands on which the microcomputer chip 101 is mounted and wirings connected to them are formed on the first main surface thereof. On the outside of the microcomputer chip 101, a stack terminal 103 is formed on which a package terminal 202 formed on the package substrate 200 of the SDRAM 201 is mounted and coupled. The package terminals 202 are formed in a BGA (Ball Grid Array) shape by solder bump electrodes, and the stack terminals 103 are formed by lands. Mounting terminals 102 for mounting the semiconductor device 1 on a mother board (not shown) are formed on the second main surface of the wiring board 100. The mounting terminal 102 is configured in a BGA shape by, for example, solder bump electrodes. Although not particularly limited, the main body of access to the SDRAM chip 201 is the microcomputer chip 101, and the SDRAM interface terminal of the microcomputer chip 101 is connected to the corresponding stack terminal 103 via the wiring of the surface layer wiring layer. The other interface terminals are connected to the corresponding mounting terminals 102 via wiring and vias of a predetermined wiring layer.

尚、実装端子102の一部は電源電圧やグランド電圧の給電用に割当てられ、それらは所定の配線層の配線及びビアを介してマイクロコンピュータチップ101の電源及びグランド用の端子に接続されると共に、SDRAMチップ201の電源及びグランド用の端子に接続される。また、配線基板100の第2主面の中央部にはテスト用外部端子としてのテストランド(図示せず)が露出され、テストのためにサンプリングすべきスタック端子103に接続される。   A part of the mounting terminal 102 is allocated for power supply of power supply voltage and ground voltage, and these are connected to the power supply and ground terminals of the microcomputer chip 101 through wiring and vias of a predetermined wiring layer. , Connected to the power supply and ground terminals of the SDRAM chip 201. A test land (not shown) as an external test terminal is exposed at the center of the second main surface of the wiring board 100 and connected to the stack terminal 103 to be sampled for the test.

図1には図2のA−A矢視断面が示される。   FIG. 1 shows a cross section taken along line AA in FIG.

SDRAMチップ201のパッケージ端子202はSDRAMチップ201のメモリチップ端子に接続する端子であり、パッケージ基板200は例えばWPP(Wafer Process Package)又はCSP(Chip Size Package)で構成される。例えばSDRAMチップとして並列データビット数が32ビットのDDR2−SDRAMを想定したとき、パッケージ端子202の主な端子配列は、データ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系パッケージ端子群210,211と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系パッケージ端子群212に大別される。   The package terminal 202 of the SDRAM chip 201 is a terminal connected to the memory chip terminal of the SDRAM chip 201, and the package substrate 200 is configured by, for example, WPP (Wafer Process Package) or CSP (Chip Size Package). For example, when assuming a DDR2-SDRAM having a parallel data bit number of 32 bits as an SDRAM chip, the main terminal arrangement of the package terminal 202 includes data system package terminal groups 210 and 211 including a data terminal and a data strobe terminal, and an address terminal. And an address command package terminal group 212 including command terminals.

その端子配列の具体例が図3に示される。図3は上下及び左右を反転することによって図1の向きに整合する。   A specific example of the terminal arrangement is shown in FIG. 3 is aligned with the orientation of FIG. 1 by reversing the top and bottom and the left and right.

データ系パッケージ端子群210は第1データバイト系パッケージ端子群(MRYD_FST)210Aと第3データバイト系パッケージ端子群(MRYD_TRD)210Bから成る。データ系パッケージ端子群211は第2データバイト系パッケージ端子群(MRYD_SCD)211Aと第4データバイト系パッケージ端子群(MRYD_FRT)211Bから成る。夫々のデータ系パッケージ端子群210,211はパッケージ基板200の異なる領域に分割配置されている。   The data system package terminal group 210 includes a first data byte system package terminal group (MRYD_FST) 210A and a third data byte system package terminal group (MRYD_TRD) 210B. The data system package terminal group 211 includes a second data byte system package terminal group (MRYD_SCD) 211A and a fourth data byte system package terminal group (MRYD_FRT) 211B. The respective data system package terminal groups 210 and 211 are divided and arranged in different regions of the package substrate 200.

第1データバイト系パッケージ端子群(MRYD_FST)210Aは、バイトデータDQ7〜DQ0(DQ[7:0])、バイトデータDQ[7:0]の入出力同期信号であるデータストローブ信号DQS0、反転データストローブ信号DQS0B、バイトデータDQ[7:0]の入出マスクを選択的に行うデータマスク信号DM0の各端子を有する。第3データバイト系パッケージ端子群(MRYD_TRD)210Bは、バイトデータDQ23〜DQ16(DQ[23:16])、バイトデータDQ[23:16]の入出力同期信号であるデータストローブ信号DQS2、反転データストローブ信号DQS2B、データマスク信号DM2の各端子を有する。   The first data byte system package terminal group (MRYD_FST) 210A includes byte data DQ7 to DQ0 (DQ [7: 0]), a data strobe signal DQS0 which is an input / output synchronization signal of the byte data DQ [7: 0], and inverted data. Each terminal of the data mask signal DM0 for selectively performing input / output masking of the strobe signal DQS0B and the byte data DQ [7: 0] is provided. The third data byte system package terminal group (MRYD_TRD) 210B includes byte data DQ23 to DQ16 (DQ [23:16]), a data strobe signal DQS2 which is an input / output synchronization signal of the byte data DQ [23:16], and inverted data. Each terminal has a strobe signal DQS2B and a data mask signal DM2.

第2データバイト系パッケージ端子群(MRYD_SCD)211Aは、バイトデータDQ15〜DQ8(DQ[15:8])、バイトデータDQ[15:8]の入出力同期信号であるデータストローブ信号DQS1、反転データストローブ信号DQS1B、バイトデータDQ[15:8]の入出マスクを選択的に行うデータマスク信号DM1の各端子を有する。第4データバイト系パッケージ端子群(MRYD_FRT)211Bは、バイトデータDQ31〜DQ24(DQ[31:24])、バイトデータDQ[31:24]の入出力同期信号であるデータストローブ信号DQS3、反転データストローブ信号DQS3B、データマスク信号DM3の各端子を有する。   The second data byte system package terminal group (MRYD_SCD) 211A includes byte data DQ15 to DQ8 (DQ [15: 8]), a data strobe signal DQS1 which is an input / output synchronization signal of byte data DQ [15: 8], and inverted data. Each terminal of the data mask signal DM1 for selectively performing input / output masking of the strobe signal DQS1B and the byte data DQ [15: 8] is provided. The fourth data byte system package terminal group (MRYD_FRT) 211B includes byte data DQ31 to DQ24 (DQ [31:24]), a data strobe signal DQS3 which is an input / output synchronization signal of the byte data DQ [31:24], and inverted data. Each terminal has a strobe signal DQS3B and a data mask signal DM3.

アドレスコマンド系パッケージ端子群212は、アドレス信号CA9〜CA0(CA[9:0])、クロックイネーブル信号CKE、チップセレクト信号CSB、クロック信号CK、クロック信号CKの反転クロック信号CKBの各端子を有する。   The address command system package terminal group 212 includes terminals of address signals CA9 to CA0 (CA [9: 0]), a clock enable signal CKE, a chip select signal CSB, a clock signal CK, and an inverted clock signal CKB of the clock signal CK. .

尚、データ系パッケージ端子群210,211、アドレスコマンド系パッケージ端子群212のそれぞれの端子群には電源端子やグランド端子が偏在され、SDRAMチップ201の各部への必要な給電能力を確保できるように考慮されている。   Note that power supply terminals and ground terminals are unevenly distributed in the data system package terminal groups 210 and 211 and the address command system package terminal group 212 so that necessary power supply capability to each part of the SDRAM chip 201 can be secured. Has been taken into account.

SDRAMチップ200の前記パッケージ端子群210,211の配置に呼応して、マイクロコンピュータチップのチップ端子は、図1に例示されるように、メモリ制御用のデータ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系チップ端子群110,111と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系チップ端子群112とを備え、前記データ系チップ端子群110,111は前記データ系パッケージ端子群210,211の配置に対応して前記マイクロコンピュータチップ101の縁辺部の異なる領域に分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群112は前アドレスコマンド系パッケージ端子群212の配置に対応してマイクロコンピュータチップ101の縁辺部に配置される。150は前記データ系チップ端子群110を前記データ系パッケージ端子群210に接続するための信号配線を総称し、151は前記データ系チップ端子群111を前記データ系パッケージ端子群211に接続するための信号配線を総称し、152はアドレスコマンド系チップ端子群112をアドレスコマンド系パッケージ端子群212に接続する配線を総称する。   In response to the arrangement of the package terminal groups 210 and 211 of the SDRAM chip 200, the chip terminal of the microcomputer chip includes a data terminal for memory control and a data strobe terminal as illustrated in FIG. A terminal group 110 and 111; and an address command system chip terminal group 112 including an address terminal and a command terminal. The data system chip terminal group 110 and 111 correspond to the arrangement of the data system package terminal groups 210 and 211. The address command system chip terminal group 112 is divided and arranged on the edge of the microcomputer chip 101 in correspondence with the arrangement of the previous address command system package terminal group 212. . 150 is a generic name for signal wiring for connecting the data system chip terminal group 110 to the data system package terminal group 210, and 151 is for connecting the data system chip terminal group 111 to the data system package terminal group 211. Signal wiring is generically referred to, and 152 is a generic designation for wiring that connects the address command chip terminal group 112 to the address command package terminal group 212.

データ系チップ端子群110,111とアドレスコマンド系チップ端子群112の端子配列の具体例が図4に示される。図4は上下を反転することによって図1の向きに整合する。図4は図3のパッケージ端子の構成を前提とする。   A specific example of the terminal arrangement of the data system chip terminal groups 110 and 111 and the address command system chip terminal group 112 is shown in FIG. 4 is aligned with the orientation of FIG. 1 by turning it upside down. FIG. 4 is based on the configuration of the package terminal of FIG.

マイクロコンピュータチップ101の最外周縁にはパッド電極によって構成される多数のチップ端子160が配列され、その内側に入出力バッファなどの入出力回路170が配置され、その内側に、プログラム処理回路としての中央処理装置(CPU)131や、SDRAMチップ201のメモリ制御を行うメモリコントローラ(DDRCNT)130等のロジック回路や図示を省略するアナログ回路などが配置される。   A large number of chip terminals 160 composed of pad electrodes are arranged on the outermost peripheral edge of the microcomputer chip 101, and an input / output circuit 170 such as an input / output buffer is arranged on the inner side thereof. A logic circuit such as a central processing unit (CPU) 131 and a memory controller (DDRCNT) 130 that performs memory control of the SDRAM chip 201, an analog circuit (not shown), and the like are arranged.

データ系チップ端子群110は、第1データバイト系チップ端子群(MCUD_FST)110Aと第2データバイト系パッケージ端子群(MCUD_SCD)110Bから成る。120はデータ系チップ端子群110A,110Bに接続する入出力回路群である。データ系チップ端子群111は第3データバイト系チップ端子群(MCUD_TRD)111Aと第4データバイト系パッケージ端子群(MCUD_FRT)111Bから成る。121はデータ系チップ端子群111A,111Bに接続する入出力回路群である。夫々のデータ系チップ端子群110,111は配線基板100の異なる辺の領域に分割配置されている。   The data system chip terminal group 110 includes a first data byte system chip terminal group (MCUD_FST) 110A and a second data byte system package terminal group (MCUD_SCD) 110B. An input / output circuit group 120 is connected to the data system chip terminal groups 110A and 110B. The data system chip terminal group 111 includes a third data byte system chip terminal group (MCUD_TRD) 111A and a fourth data byte system package terminal group (MCUD_FRT) 111B. Reference numeral 121 denotes an input / output circuit group connected to the data system chip terminal groups 111A and 111B. Each of the data system chip terminal groups 110 and 111 is divided and arranged in regions on different sides of the wiring board 100.

第1データバイト系チップ端子群(MCUD_FST)110Aは、バイトデータLPBDQ7〜LPBDQ0(LPBDQ[7:0])、バイトデータLPBDQ[7:0]の入出力同期信号であるデータストローブ信号LPBDQS0、反転データストローブ信号DQS0B、バイトデータLPBDQ[7:0]の入出マスクを選択的に行うデータマスク信号LPBDM0の各端子を有する。第2データバイト系チップ端子群(MCUD_SCD)110Bは、バイトデータLPBDQ15〜LPBDQ8(LPBDQ[15:8])、バイトデータLPBDQ[15:8]の入出力同期信号であるデータストローブ信号LPBDQS1、反転データストローブ信号LPBDQS1B、データマスク信号LPBDM1の各端子を有する。   The first data byte group chip terminal group (MCUD_FST) 110A includes byte data LPBDQ7 to LPBDQ0 (LPBDQ [7: 0]), data strobe signal LPBDQS0 which is an input / output synchronization signal of byte data LPBDQ [7: 0], and inverted data. Each terminal of the data mask signal LPBDM0 that selectively performs input / output masking of the strobe signal DQS0B and the byte data LPBDQ [7: 0]. The second data byte group chip terminal group (MCUD_SCD) 110B includes byte data LPBDQ15 to LPBDQ8 (LPBDQ [15: 8]), a data strobe signal LPBDQS1, which is an input / output synchronization signal of byte data LPBDQ [15: 8], and inverted data. Each terminal has a strobe signal LPBDQS1B and a data mask signal LPBDM1.

第4データバイト系パッケージ端子群(MRYD_FRT)111Bは、バイトデータLPBDQ31〜LPBDQ24(LPBDQ[31:24])、バイトデータLPBDQ[31:24]の入出力同期信号であるデータストローブ信号LPBDQS3、反転データストローブ信号LPBDQS3B、バイトデータLPBDQ[31:24]の入出マスクを選択的に行うデータマスク信号LPBDM3の各端子を有する。第3データバイト系パッケージ端子群(MRYD_TRD)111Aは、バイトデータLPBDQ23〜DQ16(LPBDQ[23:16])、バイトデータLPBDQ[23:16]の入出力同期信号であるデータストローブ信号LPBDQS2、反転データストローブ信号LPBDQS2B、データマスク信号LPBDM2の各端子を有する。   The fourth data byte system package terminal group (MRYD_FRT) 111B includes byte data LPBDQ31 to LPBDQ24 (LPBDQ [31:24]), data strobe signal LPBDQS3 which is an input / output synchronization signal of byte data LPBDQ [31:24], and inverted data. Each terminal of the data mask signal LPBDM3 for selectively performing input / output masking of the strobe signal LPBDQS3B and the byte data LPBDQ [31:24] is provided. The third data byte system package terminal group (MRYD_TRD) 111A includes byte data LPBDQ23 to DQ16 (LPBDQ [23:16]), data strobe signal LPBDQS2 which is an input / output synchronization signal of byte data LPBDQ [23:16], and inverted data. Each terminal has a strobe signal LPBDQS2B and a data mask signal LPBDM2.

アドレスコマンド系チップ端子群212は、アドレス信号LPBCA9〜CA0(LPBCA[9:0])、クロックイネーブル信号LPBCKE、チップセレクト信号LPBCSB、クロック信号LPBCK、クロック信号LPBCKの反転クロック信号LPBCKBの各端子を有する。   The address command system chip terminal group 212 includes terminals of address signals LPBCA9 to CA0 (LPBCA [9: 0]), a clock enable signal LPBCKE, a chip select signal LPBCSB, a clock signal LPBCK, and an inverted clock signal LPBCKB of the clock signal LPBCCK. .

図5にはデータ系チップ端子群110,111及びアドレスコマンド系チップ端子群112とデータ系パッケージ端子群210,211及びアドレスコマンド系パッケージ端子群212との回路基板100上での接続対応が例示される。図3及び図4の夫々に端子の物理的配置関係から明らかなように、第2データバイト系パッケージ端子群(MCUD_SCD)110Bは第3データバイト系パッケージ端子群(MRYD_TRD)210Bに、第3データバイト系チップ端子群(MCUD_TRD)111Aは第2データバイト系パッケージ端子群(MRYD_SCD)211Aに接続してある。このようなデータ系端子のバイト単位の入れ換え結合は動作上何ら支障ない。バイトデータとこれに対応するデータストローブ信号はバイト単位の同じバイトデータ系端子群に含まれているからである。   FIG. 5 illustrates connection correspondence on the circuit board 100 with the data system chip terminal groups 110 and 111 and the address command system chip terminal group 112, the data system package terminal groups 210 and 211, and the address command system package terminal group 212. The As is apparent from the physical arrangement relationship of the terminals in FIGS. 3 and 4, the second data byte system package terminal group (MCUD_SCD) 110B is transferred to the third data byte system package terminal group (MRYD_TRD) 210B. The byte system chip terminal group (MCUD_TRD) 111A is connected to the second data byte system package terminal group (MRYD_SCD) 211A. Such a permutation coupling of data system terminals in byte units has no problem in operation. This is because the byte data and the corresponding data strobe signal are included in the same byte data system terminal group in byte units.

上述の分割配置されるデータ系チップ端子群は、特に制限されないが、110,111で示されるように2バイトのデータ系単位とされ、1バイトのデータ系単位とはされていない。これは、DDR動作の制御を行う場合にバイト単位のデータ系単位に対して2バイトのデータ系単位で入出力回路のロジックを一部共通化した場合にそれよりも細かい単位に入出力回路のロジックを細分化すると回路規模が大きくなるような場合を想定したものである。したがって、理論的にはデータストローブ信号が共通化されたデータビットのデータ系を最小単位として分割配置することができる。   The data system chip terminal group to be divided and arranged as described above is not particularly limited, but is a 2-byte data system unit as indicated by 110 and 111, and is not a 1-byte data system unit. This is because when the DDR operation is controlled, when the logic of the input / output circuit is partially shared by the data system unit of 2 bytes with respect to the data system unit of the byte unit, This assumes the case where the circuit scale increases when the logic is subdivided. Therefore, theoretically, it is possible to divide and arrange the data system of data bits in which the data strobe signal is shared as a minimum unit.

上記実施の形態1によれば以下の作用効果を得る。   According to the said Embodiment 1, the following effects are obtained.

(1)図1に示されるようにデータ系及びアドレスコマンド系の夫々のパッケージ端子群210,211,212とチップ端子群110,111,112との空間的位置関係が対応され、対応端子を接続する配線経路長が短くなる。比較例を示す図8のように、D0−15、D16−32のデータ系チップ端子群とACのアドレスコマンド系チップ端子群を一列に配置し、マイクロコンピュータチップに一辺をメモリコントロール用端子の配置路とそのためのインタフェース回路の配置に割当てると500,501の部分ではメモリコントロール用配線の形成も困難になり、502,503の部分ではメモリインタフェース以外の配線が困難になる虞を生ずる。   (1) As shown in FIG. 1, the spatial positional relationship between the package terminal groups 210, 211, and 212 of the data system and the address command system and the chip terminal groups 110, 111, and 112 corresponds, and the corresponding terminals are connected. The wiring path length to be shortened. As shown in FIG. 8 showing a comparative example, the data system chip terminal groups of D0-15 and D16-32 and the AC address command system chip terminal group are arranged in a line, and one side of the microcomputer chip is arranged as a memory control terminal. If it is assigned to the layout of the path and the interface circuit therefor, it becomes difficult to form wiring for memory control in the portions 500 and 501, and wiring other than the memory interface may be difficult in the portions 502 and 503.

(2)複数ビットが並列動作されるデータ系チップ端子群は分割配置されるからマイクロコンピュータチップの他のチップ端子への配線接続の邪魔にならない。   (2) Since the data system chip terminal group in which a plurality of bits are operated in parallel is divided and arranged, it does not obstruct wiring connection to other chip terminals of the microcomputer chip.

(3)上記により、配線基板100の小型に寄与する。   (3) The above contributes to the miniaturization of the wiring board 100.

(4)前記チップ端子群の端子ピッチは前記パッケージ端子群の端子ピッチよりも小さいという端子ピッチの関係はチップ端子に接続する配線を更に混雑させることになるから、その前提に立てば上記手段の優位性は更に増す。   (4) The terminal pitch relationship that the terminal pitch of the chip terminal group is smaller than the terminal pitch of the package terminal group further congests the wiring connected to the chip terminals. The advantage is further increased.

(5)前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群はマイクロコンピュータチップのコーナー部に寄せて配置される。データ系チップ端子群をマイクロコンピュータチップのコーナー部に寄せて配置すれば、同一辺のチップ端子はその片側に多く存在するになり、同一辺に存在する他のチップ端子への配線の自由度が増す。   (5) The divided data system chip terminal groups are arranged close to the corner of the microcomputer chip. If the data system chip terminal group is arranged close to the corner of the microcomputer chip, there are many chip terminals on the same side, and the flexibility of wiring to other chip terminals on the same side is increased. Increase.

(6)前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群の間にはデータ系チップ端子以外の端子が配置されている。データ系チップ端子群が並列する数が多くなり過ぎて同一辺に存在する他のチップ端子への配線の自由度が著しく阻害される虞を未然に防止することができる。   (6) Terminals other than the data system chip terminals are disposed between the divided data system chip terminal groups. It is possible to prevent the possibility that the number of data system chip terminal groups that are arranged in parallel becomes too large and the degree of freedom of wiring to other chip terminals existing on the same side is significantly hindered.

(7)前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群は、少なくともデータストローブ端子と当該データストローブ端子のデータストローブ信号に同期して変化されるデータに割当てられたデータ端子とのペアを含む。メモリ制御の観点より、データ系チップ端子群を分割配置するときデータとデータに対するデータストローブ制御との一体性を確保することが容易になる。したがって、データ系の夫々のパッケージ端子群とチップ端子群との間でデータ端子名までが完全に一致していなくてもバイト単位の端子の空間的位置関係が対応されていれば十分となり、POP構造を得るに際して、パッケージ端子の配列とマイクロコンピュータチップのメモリコントロール用チップ端子の配列との間の自由度を増すことができる。マイクロコンピュータチップにとってみればPOP構造のためにメモリコントローラ130の構成を複雑化することを要しない。   (7) Each of the divided data system chip terminal groups includes a pair of at least a data strobe terminal and a data terminal assigned to data changed in synchronization with the data strobe signal of the data strobe terminal. From the viewpoint of memory control, it becomes easy to ensure the integrity of data and data strobe control for the data when the data system chip terminal group is dividedly arranged. Therefore, even if the data terminal names do not completely match between the respective package terminal groups and chip terminal groups of the data system, it is sufficient if the spatial positional relationship of the terminals in byte units corresponds, and the POP In obtaining the structure, the degree of freedom between the arrangement of the package terminals and the arrangement of the memory control chip terminals of the microcomputer chip can be increased. For the microcomputer chip, it is not necessary to complicate the configuration of the memory controller 130 due to the POP structure.

《実施の形態2》
図7には本発明の一実施の形態に係るPOP構造の半導体装置が縦断面にて示される。
<< Embodiment 2 >>
FIG. 7 shows a POP structure semiconductor device according to an embodiment of the present invention in a longitudinal section.

半導体装置2は、配線基板300と、前記配線基板300の上に搭載されたデータ処理用半導体チップとして例えばマイクロコンピュータチップ(MCU)301と、前記マイクロコンピュータチップ301に重ねて前記配線基板300の上に搭載されたパッケージ基板400と、前記パッケージ基板400に内蔵されたメモリ半導体チップとして例えばDDR(Double Data Rate)形態のSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)チップ(MRY)401を有する。   The semiconductor device 2 includes a wiring board 300, a data processing semiconductor chip mounted on the wiring board 300, for example, a microcomputer chip (MCU) 301, and an overlay on the microcomputer chip 301 on the wiring board 300. A package substrate 400 mounted on the package substrate, and a SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) chip (MRY) 401 in the form of a DDR (Double Data Rate), for example, as a memory semiconductor chip built in the package substrate 400.

前記配線基板300は、複数層の配線層を持ちガラスエポキシ樹脂等から構成され、その第1主面にはマイクロコンピュータチップ301が搭載される多数のランドとそれらに接続される配線が形成され、マイクロコンピュータチップ301の外側にはSDRAM401のパッケージ基板400に形成されたパッケージ端子402が載置されて結合されるスタック端子303が形成される。パッケージ端子402は半田バンプ電極によってBGA(Ball Grid Array)様に構成され、スタック端子303はランドによって構成される。配線基板300の第2主面には半導体装置2をマザーボード(図示せず)に実装するための実装端子302が形成される。実装端子302は例えば半田バンプ電極によってBGA形状に構成される。特に制限されないが、SDRAMチップ401に対するアクセス主体はマイクロコンピュータチップ301とされ、マイクロコンピュータチップ301のSDRAMインタフェース端子は対応する前記スタック端子303に表層配線層の配線を介して接続され、マイクロコンピュータチップ301のその他のインタフェース端子は所定の配線層の配線及びビアを介して対応する実装端子302に接続される。   The wiring board 300 has a plurality of wiring layers and is made of glass epoxy resin or the like, and a plurality of lands on which the microcomputer chip 301 is mounted and wirings connected to them are formed on the first main surface thereof. On the outside of the microcomputer chip 301, a stack terminal 303 is formed on which the package terminal 402 formed on the package substrate 400 of the SDRAM 401 is mounted and coupled. The package terminal 402 is configured like a BGA (Ball Grid Array) by solder bump electrodes, and the stack terminal 303 is configured by lands. A mounting terminal 302 for mounting the semiconductor device 2 on a mother board (not shown) is formed on the second main surface of the wiring board 300. The mounting terminal 302 is configured in a BGA shape by, for example, solder bump electrodes. Although not particularly limited, the main body of access to the SDRAM chip 401 is the microcomputer chip 301, and the SDRAM interface terminal of the microcomputer chip 301 is connected to the corresponding stack terminal 303 via the wiring of the surface layer wiring layer. The other interface terminals are connected to the corresponding mounting terminals 302 through wiring and vias of a predetermined wiring layer.

尚、実装端子302の一部は電源電圧やグランド電圧の給電用に割当てられ、それらは所定の配線層の配線及びビアを介してマイクロコンピュータチップ301の電源及びグランド用の端子に接続されると共に、SDRAMチップ401の電源及びグランド用の端子に接続される。また、配線基板300の第2主面の中央部にはテスト用外部端子としてのテストランドが露出され、テストのためにサンプリングすべきスタック端子103に接続される。   A part of the mounting terminal 302 is allocated for power supply of the power supply voltage and the ground voltage, and these are connected to the power supply and ground terminals of the microcomputer chip 301 through wiring and vias of a predetermined wiring layer. , Connected to the power supply and ground terminals of the SDRAM chip 401. Further, a test land as an external test terminal is exposed at the center of the second main surface of the wiring board 300 and is connected to the stack terminal 103 to be sampled for the test.

図6には図7のB−B矢視断面が示される。   FIG. 6 shows a cross section taken along line BB in FIG.

SDRAMチップ401のパッケージ端子402はSDRAMチップ401のメモリチップ端子に接続する端子であり、パッケージ基板400は例えばWPP(Wafer Process Package)又はCSP(Chip Size Package)で構成される。例えばSDRAMチップとして並列データビット数が64ビットのDDR2−SDRAMを想定したとき、パッケージ端子402の主な端子配列は、データ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系パッケージ端子群410,411,412,423と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系パッケージ端子群414に大別される。それらパッケージ端子群の個々の端子群の端子配列はここでは図示はしないが、基本的には図3のバイトデータ系の端子構成を複数バイト分拡張した構成を備える。   The package terminal 402 of the SDRAM chip 401 is a terminal connected to the memory chip terminal of the SDRAM chip 401, and the package substrate 400 is composed of, for example, WPP (Wafer Process Package) or CSP (Chip Size Package). For example, when a DDR2-SDRAM having a parallel data bit number of 64 bits is assumed as an SDRAM chip, the main terminal array of the package terminals 402 is a data system package terminal group 410, 411, 412 and 423 including data terminals and data strobe terminals. And an address command system package terminal group 414 including an address terminal and a command terminal. Although the terminal arrangement of the individual terminal groups of the package terminal group is not shown here, the terminal arrangement of the byte data system in FIG. 3 is basically extended by a plurality of bytes.

SDRAMチップ401のデータ系パッケージ端子群410,411,412,423及びアドレスコマンド系パッケージ端子群414に対応する、マイクロコンピュータチップ301の端子群はデータ系チップ端子群(D15-0)310,データ系チップ端子群(D31-16)311,データ系チップ端子群(D47-16)312,データ系チップ端子群(D64-48)313及びアドレスコマンド系チップ端子群(Addrcmd)314になる。それらの端子配列についてもここでは図示はしないが、基本的には図4のバイトデータ系の端子構成を複数バイト分拡張した構成を備える。350乃至354はパッケージ端子群410乃至414をチップ端子群310乃至314に接続するための配線基板300上の配線である。   The terminal group of the microcomputer chip 301 corresponding to the data system package terminal groups 410, 411, 412, 423 and the address command system package terminal group 414 of the SDRAM chip 401 is the data system chip terminal group (D15-0) 310, the data system. A chip terminal group (D31-16) 311, a data system chip terminal group (D47-16) 312, a data system chip terminal group (D64-48) 313, and an address command system chip terminal group (Addrcmd) 314 are obtained. These terminal arrangements are not shown here, but basically have a configuration in which the terminal configuration of the byte data system in FIG. 4 is extended by a plurality of bytes. Reference numerals 350 to 354 denote wirings on the wiring board 300 for connecting the package terminal groups 410 to 414 to the chip terminal groups 310 to 314.

マイクロコンピュータチップ301は最外周縁にはパッド電極によって構成される多数のチップ端子が配列され、その内側に入出力バッファなどの入出力回路が配置され、その内側に、プログラム処理回路としての中央処理装置(CPU)331や、SDRAMチップ401のメモリ制御を行うメモリコントローラ(DDRCNT)330等のロジック回路と、アナログ回路(ANLG)332,333などが配置される。入出力回路320乃至324はチップ端子群310乃至314に対応される。315,316はアナログ回路(ANLG)332,333に接続されるアナログチップ端子であり、図示はしないが回路基板300上の配線を介して所定の実装端子302に接続される。   In the microcomputer chip 301, a large number of chip terminals constituted by pad electrodes are arranged on the outermost peripheral edge, an input / output circuit such as an input / output buffer is arranged inside thereof, and a central processing as a program processing circuit is arranged inside thereof. A logic circuit such as a memory controller (DDRCNT) 330 that performs memory control of the device (CPU) 331 and the SDRAM chip 401, analog circuits (ANLG) 332, 333, and the like are arranged. The input / output circuits 320 to 324 correspond to the chip terminal groups 310 to 314. Reference numerals 315 and 316 denote analog chip terminals connected to analog circuits (ANLG) 332 and 333, which are connected to predetermined mounting terminals 302 via wiring on the circuit board 300 (not shown).

データ系チップ端子群310乃至313の夫々は特に図示はしないが実施の形態1と同様にデータバイト系チップ端子群のペアから成る。図6から明らかなようにデータ系チップ端子群310乃至313の夫々は、マイクロコンピュータチップ301のコーナー部に寄せて配置される。データ系チップ端子群をマイクロコンピュータチップのコーナー部に寄せて配置すれば、同一辺のチップ端子はその片側に多く存在するになり、同一辺に存在する他のチップ端子への配線の自由度が増す。特にアナログ端子群315,316に対して前記分割配置されたデータ系チップ端子群310乃至313は、マイクロコンピュータチップ301の異なるコーナー部に離間されて配置され又はマイクロコンピュータチップ301のコーナー部を挟んで異なる辺に沿って配置される。これにより、アナログ端子群に接続する配線をデータ系チップ端子群に接続する配線から離して配線することが容易になる。例えば、355,356で示される領域に、複数ビット並列でサイクリックに且つ頻繁に変化されることが予想されるメモリデータ配線352,353,350等から離して、アナログ配線を通すことが容易になる。その他、本実施の形態においても実施の形態1と同様の作用効果を得ることができる。   Each of the data system chip terminal groups 310 to 313 is composed of a pair of data byte system chip terminal groups as in the first embodiment, although not particularly shown. As apparent from FIG. 6, each of the data system chip terminal groups 310 to 313 is arranged close to the corner portion of the microcomputer chip 301. If the data system chip terminal group is arranged close to the corner of the microcomputer chip, there are many chip terminals on the same side, and the flexibility of wiring to other chip terminals on the same side is increased. Increase. In particular, the data system chip terminal groups 310 to 313 arranged separately with respect to the analog terminal groups 315 and 316 are arranged at different corner portions of the microcomputer chip 301 or sandwiched between the corner portions of the microcomputer chip 301. Arranged along different sides. As a result, the wiring connected to the analog terminal group can be easily separated from the wiring connected to the data system chip terminal group. For example, in the area indicated by 355, 356, it is easy to pass analog wiring away from memory data wirings 352, 353, 350, etc., which are expected to be changed cyclically and frequently in parallel with a plurality of bits. Become. In addition, the same operational effects as those of the first embodiment can be obtained also in the present embodiment.

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited thereto and can be variously modified without departing from the gist thereof.

例えば、メモリ半導体チップはDRAMインタフェースのDDR−SDAM若しくは擬似SRAMインタフェースのDDR−SDRAMに限定されず、フラッシュメモリ等その他のメモリであってよい。データ処理用半導体チップはマイクロコンピュータチップに限定されずプログラム処理或いは専用ロジック回路などによってデータ処理を行なうメモリ制御機能を備えた種々の半導体チップであってよい。回路基板やパッケージ基板の端子構造はGBAに限定されずその他の端子構造を採用することが可能である。データ系チップ端子群のデータ端子は8ビット又は16ビット単位であることに限定されず、データストローブ信号を共通化すれば何ビットであってもよい。アナログ端子はAD変換器へのアナログ入力端子やアナログ通信用のインタフェース端子などの適宜の端子を想定すればよい。   For example, the memory semiconductor chip is not limited to a DDR-SDAM having a DRAM interface or a DDR-SDRAM having a pseudo SRAM interface, and may be another memory such as a flash memory. The semiconductor chip for data processing is not limited to the microcomputer chip, and may be various semiconductor chips having a memory control function for performing data processing by program processing or a dedicated logic circuit. The terminal structure of the circuit board or the package board is not limited to GBA, and other terminal structures can be adopted. The data terminals of the data system chip terminal group are not limited to 8 bits or 16 bits, and may be any number of bits as long as the data strobe signals are shared. The analog terminal may be an appropriate terminal such as an analog input terminal to the AD converter or an interface terminal for analog communication.

1 半導体装置
100 配線基板
101 データ処理用半導体チップとして例えばマイクロコンピュータチップ(MCU)
200 パッケージ基板
201 メモリ半導体チップとして例えばSDRAMチップ(MRY)
202 パッケージ端子
103 スタック端子103
102 実装端子
210,211 データ系パッケージ端子群
212 アドレスコマンド系パッケージ端子群
210A 第1データバイト系パッケージ端子群(MRYD_FST)
210B 第3データバイト系パッケージ端子群(MRYD_TRD)
211A 第2データバイト系パッケージ端子群(MRYD_SCD)
211B 第4データバイト系パッケージ端子群(MRYD_FRT)
DQ7〜DQ0(DQ[7:0]) バイトデータ
DQS0 データストローブ信号
DQ23〜DQ16(DQ[23:16]) バイトデータ
DQS2 データストローブ信号
DQ15〜DQ8(DQ[15:8]) バイトデータ
DQS1 データストローブ信号
DQ15〜DQ8(DQ[31:24]) バイトデータ
DQS3 データストローブ信号
CA9〜CA0(CA[9:0]) アドレス信号
CKE クロックイネーブル信号
CSB チップセレクト信号
110,111 データ系チップ端子群
112 アドレスコマンド系チップ端子群
110A 第1データバイト系チップ端子群(MCUD_FST)
110B 第2データバイト系パッケージ端子群(MCUD_SCD)
111A 第3データバイト系チップ端子群(MCUD_TRD)
111B 第4データバイト系パッケージ端子群(MCUD_FRT)
LPBDQ7〜LPBDQ0(LPBDQ[7:0]) バイトデータ
LPBDQS0 データストローブ信号
LPBDQ15〜LPBDQ8(LPBDQ[15:8]) バイトデータ
LPBDQS1 データストローブ信号
LPBDQ31〜LPBDQ24(LPBDQ[31:24]) バイトデータ
LPBDQS3 データストローブ信号
LPBDQ23〜DQ16(LPBDQ[23:16]) バイトデータ
LPBDQS2 データストローブ信号
LPBCA9〜CA0(LPBCA[9:0]) アドレス信号
LPBCKE クロックイネーブル信号
LPBCSB チップセレクト信号
2 半導体装置
300 配線基板
301 データ処理用半導体チップとして例えばマイクロコンピュータチップ(MCU)
400 パッケージ基板
401 メモリ半導体チップとしてのSDRAMチップ
402 パッケージ端子
303 スタック端子
302 実装端子
410,411,412,423 データ系パッケージ端子群
414 アドレスコマンド系パッケージ端子群
310,311,312,313 データ系チップ端子群
314 アドレスコマンド系チップ端子群
331 中央処理装置(CPU)
330 メモリコントローラ(DDRCNT)
332,333 アナログ回路(ANLG)
315,316 アナログチップ端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 100 Wiring board 101 As a data processing semiconductor chip, for example, a microcomputer chip (MCU)
200 Package substrate 201 Memory semiconductor chip such as SDRAM chip (MRY)
202 Package terminal 103 Stack terminal 103
102 Mounting terminals 210, 211 Data system package terminal group 212 Address command system package terminal group 210A First data byte system package terminal group (MRYD_FST)
210B Third data byte package terminal group (MRYD_TRD)
211A Second data byte system package terminal group (MRYD_SCD)
211B Fourth data byte system package terminal group (MRYD_FRT)
DQ7 to DQ0 (DQ [7: 0]) Byte data DQS0 Data strobe signal DQ23 to DQ16 (DQ [23:16]) Byte data DQS2 Data strobe signal DQ15 to DQ8 (DQ [15: 8]) Byte data DQS1 Data strobe Signals DQ15 to DQ8 (DQ [31:24]) Byte data DQS3 Data strobe signals CA9 to CA0 (CA [9: 0]) Address signal CKE Clock enable signal CSB Chip select signal 110, 111 Data system chip terminal group 112 Address command Chip terminal group 110A first data byte chip terminal group (MCUD_FST)
110B Second data byte system package terminal group (MCUD_SCD)
111A Third data byte system chip terminal group (MCUD_TRD)
111B 4th data byte system package terminal group (MCUD_FRT)
LPBDQ7 to LPBDQ0 (LPBDQ [7: 0]) byte data LPBDQS0 data strobe signal LPBDQ15 to LPBDQ8 (LPBDQ [15: 8]) byte data LPBDQS1 data strobe signal LPBDQ31 to LPBDQ24 (LPBDQ [31: B] data D Signal LPBDQ23 to DQ16 (LPBDQ [23:16]) Byte data LPBDQS2 Data strobe signal LPBCA9 to CA0 (LPBCA [9: 0]) Address signal LPBCKE Clock enable signal LPBCSB Chip select signal 2 Semiconductor device 300 Wiring board 301 Semiconductor for data processing As a chip, for example, a microcomputer chip (MCU)
400 Package substrate 401 SDRAM chip as memory semiconductor chip 402 Package terminal 303 Stack terminal 302 Mounting terminal 410, 411, 412, 423 Data system package terminal group 414 Address command system package terminal group 310, 311, 312, 313 Data system chip terminal Group 314 Address command system chip terminal group 331 Central processing unit (CPU)
330 Memory Controller (DDRCNT)
332,333 Analog circuit (ANLG)
315,316 Analog chip terminal

Claims (14)

配線基板と、前記配線基板の上に搭載されたデータ処理用半導体チップと、前記データ処理用半導体チップに重ねて前記配線基板の上に搭載されたパッケージ基板と、前記パッケージ基板に設けられたメモリ半導体チップとを有し、
前記パッケージ基板は、夫々前記メモリ半導体チップに接続されていて前記データ処理用半導体チップの外周縁の外側に配置される、データ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系パッケージ端子群と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系パッケージ端子群とを有し、前記データ系パッケージ端子群はパッケージ基板の異なる領域に分割配置され、
前記データ処理用半導体チップはメモリ制御用のデータ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系チップ端子群と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系チップ端子群とを備え、前記データ系チップ端子群は前記データ系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部の異なる領域に分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群は前アドレスコマンド系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部に配置された、半導体装置であって、
前記データ系チップ端子群は前記データ処理用半導体チップの第1辺とこれに対向する第2辺に沿って分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群は前記第1辺と第2辺とに垂直な第3辺及び第4辺の内の前記第3辺に沿って配置され、
前記データ系パッケージ端子群は前記データ処理用半導体チップの前記第1辺と前記第4辺とに対応する前記配線基板の2辺に沿ってそのコーナー部を跨いで配置され、前記データ処理用半導体チップの前記第2辺と前記第4辺とに対応する前記配線基板の2辺に沿ってそのコーナー部を跨いで配置され、前記アドレスコマンド系パッケージ端子群は前記データ処理用半導体チップの前記第3辺に対応する前記配線基板の1辺に沿って配置された、半導体装置。
A wiring substrate; a data processing semiconductor chip mounted on the wiring substrate; a package substrate mounted on the wiring substrate overlying the data processing semiconductor chip; and a memory provided on the package substrate A semiconductor chip,
The package substrate is connected to the memory semiconductor chip and disposed outside the outer periphery of the data processing semiconductor chip, and includes a data system package terminal group including a data terminal and a data strobe terminal, an address terminal, and a command. An address command system package terminal group including terminals, and the data system package terminal group is divided and arranged in different regions of the package substrate,
The data processing semiconductor chip includes a data system chip terminal group including a data terminal for data control and a data strobe terminal, and an address command system chip terminal group including an address terminal and a command terminal. Corresponding to the arrangement of the data system package terminal group, the data processing semiconductor chip is divided and arranged in different regions on the edge, and the address command system chip terminal group corresponds to the arrangement of the previous address command system package terminal group. A semiconductor device disposed on an edge of the data processing semiconductor chip,
The data system chip terminal group is divided and disposed along a first side of the data processing semiconductor chip and a second side opposite thereto, and the address command system chip terminal group is arranged on the first side and the second side. are placed along the third side of the vertical third side and fourth side,
The data system package terminal group is disposed across two corners of the wiring board corresponding to the first side and the fourth side of the data processing semiconductor chip, and the data processing semiconductor chip. The wiring board is disposed across two corners of the wiring board corresponding to the second side and the fourth side of the chip and straddling the corner, and the address command system package terminal group is the first side of the data processing semiconductor chip. A semiconductor device arranged along one side of the wiring board corresponding to three sides.
前記チップ端子群の端子ピッチは前記パッケージ端子群の端子ピッチよりも小さい、請求項1記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a terminal pitch of the chip terminal group is smaller than a terminal pitch of the package terminal group. 前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群の間にはデータ系チップ端子以外の端子が配置されている、請求項2記載の半導体装置。   3. The semiconductor device according to claim 2, wherein terminals other than data system chip terminals are disposed between the divided data system chip terminal groups. 前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群は、少なくともデータストローブ端子と当該データストローブ端子のデータストローブ信号に同期して変化されるデータに割当てられたデータ端子とのペアを含む、請求項3記載の半導体装置。   4. Each of the divided data system chip terminal groups includes a pair of at least a data strobe terminal and a data terminal assigned to data changed in synchronization with a data strobe signal of the data strobe terminal. The semiconductor device described. 前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群のデータ端子は8ビットの整数倍のビット数である、請求項3記載の半導体装置。   4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the data terminals of each of the divided data system chip terminal groups have a bit number that is an integer multiple of 8 bits. 前記チップ端子はアナログ端子群を含み、
データ処理用半導体チップの同一辺に沿って配置された前記アナログ端子群と前記分割配置されたデータ系チップ端子群との夫々は、データ処理用半導体チップの異なるコーナー部に離間されて配置され又はデータ処理用半導体チップのコーナー部を挟んで異なる辺に沿って配置される、請求項1記載の半導体装置。
The chip terminal includes an analog terminal group,
Each of the analog terminal group arranged along the same side of the data processing semiconductor chip and the divided data system chip terminal group are arranged separately at different corners of the data processing semiconductor chip, or The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is disposed along different sides across a corner portion of the data processing semiconductor chip.
前記パッケージ基板のパッケージ端子群はBGA端子である、請求項1記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the package terminal group of the package substrate is a BGA terminal. 前記メモリ半導体チップはシンクロナスDRAMであり、前記データ処理用半導体チップはマイクロコンピュータである、請求項1記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the memory semiconductor chip is a synchronous DRAM, and the data processing semiconductor chip is a microcomputer. 配線基板と、前記配線基板の上に搭載されたデータ処理用半導体チップと、前記データ処理用半導体チップに重ねて前記配線基板の上に搭載されたパッケージ基板と、前記パッケージ基板に設けられたメモリ半導体チップとを有し、
前記配線基板は、一面に前記データ処理用半導体チップが搭載され、搭載されたデータ処理半導体チップの所定のチップ端子に接続され前記データ処理半導体チップの外方で前記一面に配置されたスタック端子を有し、他面に、前記データ処理用半導体チップの所定のチップ端子に接続する実装端子を有し、
前記パッケージ基板は、前記メモリ半導体チップが搭載され、搭載されたメモリ半導体チップのメモリチップ端子に接続する外部接続用のパッケージ端子を有し、前記外部接続用のパッケージ端子が対応する前記スタック端子に重ねて結合され、
前記パッケージ端子は、データ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系パッケージ端子群と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系パッケージ端子群とを有し、前記データ系パッケージ端子群はパッケージ基板の異なる領域に分割配置され、
前記チップ端子はメモリ制御用のデータ端子及びデータストローブ端子を含むデータ系チップ端子群と、アドレス端子及びコマンド端子を含むアドレスコマンド系チップ端子群とを備え、前記データ系チップ端子群は前記データ系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部の異なる領域に分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群は前アドレスコマンド系パッケージ端子群の配置に対応して前記データ処理用半導体チップの縁辺部に配置された、半導体装置であって、
前記データ系チップ端子群は前記データ処理用半導体チップの第1辺とこれに対向する第2辺に沿って分割配置され、前記アドレスコマンド系チップ端子群は前記第1辺と第2辺とに垂直な第3辺及び第4辺の内の前記第3辺に沿って配置され、
前記データ系パッケージ端子群は前記データ処理用半導体チップの前記第1辺と前記第4辺とに対応する前記配線基板の2辺に沿ってそのコーナー部を跨いで配置され、前記データ処理用半導体チップの前記第2辺と前記第4辺とに対応する前記配線基板の2辺に沿ってそのコーナー部を跨いで配置され、前記アドレスコマンド系パッケージ端子群は前記データ処理用半導体チップの前記第3辺に対応する前記配線基板の1辺に沿って配置された、半導体装置。
A wiring substrate; a data processing semiconductor chip mounted on the wiring substrate; a package substrate mounted on the wiring substrate overlying the data processing semiconductor chip; and a memory provided on the package substrate A semiconductor chip,
The wiring board has the data processing semiconductor chip mounted on one surface, connected to a predetermined chip terminal of the mounted data processing semiconductor chip, and a stack terminal disposed on the one surface outside the data processing semiconductor chip. Having a mounting terminal connected to a predetermined chip terminal of the data processing semiconductor chip on the other surface,
The package substrate has the memory semiconductor chip mounted thereon, and has an external connection package terminal connected to a memory chip terminal of the mounted memory semiconductor chip, and the external connection package terminal corresponds to the corresponding stack terminal. Joined together,
The package terminal includes a data system package terminal group including a data terminal and a data strobe terminal, and an address command system package terminal group including an address terminal and a command terminal, and the data system package terminal group is a different area of the package substrate. Divided into
The chip terminal includes a data system chip terminal group including a data terminal for data control and a data strobe terminal, and an address command system chip terminal group including an address terminal and a command terminal, and the data system chip terminal group includes the data system The data processing semiconductor chip is divided and arranged in different areas corresponding to the arrangement of the package terminal group, and the address command chip terminal group corresponds to the arrangement of the previous address command package terminal group. A semiconductor device disposed on the edge of the semiconductor chip for
The data system chip terminal group is divided and disposed along a first side of the data processing semiconductor chip and a second side opposite thereto, and the address command system chip terminal group is arranged on the first side and the second side. are placed along the third side of the vertical third side and fourth side,
The data system package terminal group is disposed across two corners of the wiring board corresponding to the first side and the fourth side of the data processing semiconductor chip, and the data processing semiconductor chip. The wiring board is disposed across two corners of the wiring board corresponding to the second side and the fourth side of the chip and straddling the corner, and the address command system package terminal group is the first side of the data processing semiconductor chip. A semiconductor device arranged along one side of the wiring board corresponding to three sides.
前記チップ端子群の端子ピッチは前記パッケージ端子群の端子ピッチよりも小さい、請求項9記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 9, wherein a terminal pitch of the chip terminal group is smaller than a terminal pitch of the package terminal group. 前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群の間にはデータ系チップ端子以外の端子が配置されている、請求項10記載の半導体装置。   11. The semiconductor device according to claim 10, wherein terminals other than data system chip terminals are disposed between the divided data system chip terminal groups. 前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群は、少なくともデータストローブ端子と当該データストローブ端子のデータストローブ信号に同期して変化されるデータに割当てられたデータ端子とのペアを含む、請求項11記載の半導体装置。   12. Each of the divided data system chip terminal groups includes a pair of at least a data strobe terminal and a data terminal assigned to data changed in synchronization with a data strobe signal of the data strobe terminal. The semiconductor device described. 前記分割配置された夫々のデータ系チップ端子群のデータ端子は8ビットの整数倍のビット数である、請求項11記載の半導体装置。   12. The semiconductor device according to claim 11, wherein the data terminals of each of the divided data system chip terminal groups have a bit number that is an integer multiple of 8 bits. 前記チップ端子はアナログ端子群を含み、
データ処理用半導体チップの同一辺に沿って配置された前記アナログ端子群と前記分割配置されたデータ系チップ端子群との夫々は、データ処理用半導体チップの異なるコーナー部に離間されて配置され又はデータ処理用半導体チップのコーナー部を挟んで異なる辺に沿って配置される、請求項9記載の半導体装置。
The chip terminal includes an analog terminal group,
Each of the analog terminal group arranged along the same side of the data processing semiconductor chip and the divided data system chip terminal group are arranged separately at different corners of the data processing semiconductor chip, or The semiconductor device according to claim 9, wherein the semiconductor device is disposed along different sides across a corner portion of the data processing semiconductor chip.
JP2010038858A 2010-02-24 2010-02-24 Semiconductor device Expired - Fee Related JP5586267B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010038858A JP5586267B2 (en) 2010-02-24 2010-02-24 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010038858A JP5586267B2 (en) 2010-02-24 2010-02-24 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011176109A JP2011176109A (en) 2011-09-08
JP5586267B2 true JP5586267B2 (en) 2014-09-10

Family

ID=44688719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010038858A Expired - Fee Related JP5586267B2 (en) 2010-02-24 2010-02-24 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5586267B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6058349B2 (en) * 2012-10-24 2017-01-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Electronic device and semiconductor device
JP6449132B2 (en) * 2015-11-04 2019-01-09 アルプス電気株式会社 Signal processing device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430984B1 (en) * 1996-12-04 2004-05-12 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Semiconductor device
JP2006032379A (en) * 2004-07-12 2006-02-02 Akita Denshi Systems:Kk Multilayer semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5222509B2 (en) * 2007-09-12 2013-06-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011176109A (en) 2011-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6117787B2 (en) Packaging of DRAM and SOC in IC package
CN100433324C (en) Stacked LSI semiconductor device with small, thin package
US7598617B2 (en) Stack package utilizing through vias and re-distribution lines
TW501269B (en) Semiconductor apparatus
US8680667B2 (en) Semiconductor devices, package substrates, semiconductor packages, package stack structures, and electronic systems having functionally asymmetric conductive elements
KR101766725B1 (en) Semiconductor device having a chip stack, Semiconductor system and fabrication method thereof
JP6200236B2 (en) Electronic equipment
US9123554B2 (en) Semiconductor device
US20100327457A1 (en) Semiconductor chip and semiconductor device
US20110089973A1 (en) Semiconductor device and information processing system including the same
US20200402959A1 (en) Stacked semiconductor package having an interposer
JP4707446B2 (en) Semiconductor device
US10679956B2 (en) Semiconductor memory chip, semiconductor memory package, and electronic system using the same
JP2010010288A (en) Stacked semiconductor device
JP5586267B2 (en) Semiconductor device
JP2015177171A (en) semiconductor device
JP2016004860A (en) Semiconductor device
US12532756B2 (en) Semiconductor package, and memory module including the same
US20140319701A1 (en) Semiconductor chip and a semiconductor package having a package on package (pop) structure including the semiconductor chip
JP3574918B2 (en) CSP pin arrangement method compatible with TSOP and pin arrangement structure thereby
US9226398B1 (en) Printed circuit board and package substrate having additional conductive pathway space
JP7226055B2 (en) Semiconductor equipment and systems
JP2011082451A (en) Package substrate for semiconductor and semiconductor device equipped with the same
TWI864514B (en) Memory module
KR20230024195A (en) Package on package and package module comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120809

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140612

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140703

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140722

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5586267

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees