JP5570338B2 - 多重チョッパ装置 - Google Patents
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Description
上記演算比較回路からの出力に基づいて上記チョッパ装置の間の電流アンバランスを抑制する補正を行う補正回路と、を有し、上記サンプリング期間は各々の上記チョッパ装置の内の複数台から高圧側へ電流が流れる期間が含まれることを特徴としている。
図1は本発明の実施の形態1における多重チョッパ装置を示す回路構成図である。
図4は本発明の実施の形態2における多重チョッパ装置のサンプリング期間電流抽出回路、および演算比較回路の詳細を示す回路構成図である。
{(IA+IB)+(IB+IC)+(IC+ID)}/3=2(IA+IB+IC)/3
(IB+IC)−2(IA+IB+IC)/3=(IA+IB+IC)/3−IA
(IA+IC)−2(IA+IB+IC)/3=(IA+IB+IC)/3−IB
(IA+IB)−2(IA+IB+IC)/3=(IA+IB+IC)/3−IC
というように平均電流(IA+IB+IC)/3との電流偏差を求める。
図8は本発明の実施の形態3における多重チョッパ装置を示す回路構成図である。
上記の各実施の形態1〜3では、発明の理解を図るためと説明の便宜上、2台〜4台のチョッパ装置100A〜100Dを並列に接続した場合について説明したが、本発明において、チョッパ装置の台数はこのような2台〜4台のものに限定されるものではなく、一般的な構成として、例えばN台(N≧5)のチョッパ装置100A〜100Nを並列に接続した場合についても適用できるのは勿論である。例えば、実施の形態1、2の構成を一般化して図10に示すような構成とすることも可能である。また、実施の形態3で説明したように、全電流を検出する電流検出器11を設けただけでは各チョッパ装置相互間の電流アンバランスを適切に補正できない場合には、図10の構成に加えて、複数台の内の1台のチョッパ装置から高圧側に流れる電流を検出する第2の電流検出器24を設けることが望ましい。
6A〜6N,7A〜7N スイッチング素子、8A〜8N,9A〜9N ダイオード、
11 電流検出器(第1の電流検出器)、13 補正回路、
14A〜14N,25 サンプリング回路、
15A〜15N,26 サンプリング期間電流抽出回路、16 演算比較回路、
24 第2の電流検出器。
Claims (4)
- 低圧側に接続されたリアクトルと上記リアクトルに接続されたスイッチング素子とダイオードとで構成されるチョッパ装置を複数台並列に接続し、各々の上記チョッパ装置の上記スイッチング素子を、互いに位相差をもたせてオン/オフすることにより、低圧側と高圧側との間で直流変換を行う多重チョッパ装置において、
各々の上記チョッパ装置から高圧側に流れる全電流を検出する電流検出器と、
各々の上記チョッパ装置の運転に同期した複数のサンプリング期間を設定するサンプリング回路と、
上記サンプリング回路によって設定された複数のサンプリング期間中に、上記電流検出器で得られる電流を抽出するサンプリング期間電流抽出回路と、
上記サンプリング期間電流抽出回路で抽出された上記電流検出器の電流に基づいて上記チョッパ装置の間の電流偏差を求める演算比較回路と、
上記演算比較回路からの出力に基づいて上記チョッパ装置の間の電流アンバランスを抑制する補正を行う補正回路と、を有し、
上記サンプリング期間は各々の上記チョッパ装置の内の複数台から高圧側へ電流が流れる期間が含まれる多重チョッパ装置。 - 低圧側に接続されたリアクトルと上記リアクトルに接続されたスイッチング素子とダイオードとで構成されるチョッパ装置を複数台並列に接続し、各々の上記チョッパ装置の上記スイッチング素子を、互いに位相差をもたせてオン、オフすることにより、低圧側と高圧側との間で直流変換を行う多重チョッパ装置において、
各々の上記チョッパ装置から高圧側に流れる全電流を検出する第1の電流検出器と、
複数台の内の1台の上記チョッパ装置から高圧側に流れる電流を検出する第2の電流検出器と、
各々の上記チョッパ装置の運転に同期した複数のサンプリング期間を設定するサンプリング回路と、
各々の上記サンプリング回路によって設定された複数のサンプリング期間中に、上記第1、第2の各電流検出器で得られる電流をそれぞれ抽出するサンプリング期間電流抽出回路と、
上記サンプリング期間電流抽出回路で抽出された上記第1、第2の電流検出器の各電流に基づいて上記チョッパ装置の間の電流偏差を求める演算比較回路と、
上記演算比較回路からの出力に基づいて上記チョッパ装置の間の電流アンバランスを抑制する補正を行う補正回路と、
を有する多重チョッパ装置。 - 上記サンプリング期間は、各々の上記チョッパ装置の内の1台分からは高圧側へ電流が流れない期間である請求項1または請求項2に記載の多重チョッパ装置。
- 上記スイッチング素子をワイドバンドギャップ半導体で形成した請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の多重チョッパ装置。
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