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JP5546985B2 - 半導体装置製造用フィルム、半導体装置製造用フィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法。 - Google Patents

半導体装置製造用フィルム、半導体装置製造用フィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法。 Download PDF

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JP5546985B2
JP5546985B2 JP2010169556A JP2010169556A JP5546985B2 JP 5546985 B2 JP5546985 B2 JP 5546985B2 JP 2010169556 A JP2010169556 A JP 2010169556A JP 2010169556 A JP2010169556 A JP 2010169556A JP 5546985 B2 JP5546985 B2 JP 5546985B2
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豪士 志賀
文輝 浅井
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Nitto Denko Corp
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    • H01L2224/81095—Temperature settings
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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    • H01L2224/838—Bonding techniques
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    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
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Description

本発明は、半導体装置製造用フィルム、半導体装置製造用フィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面を保護フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある。
特開２００８−１６６４５１号公報 特開２００８−００６３８６号公報 特開２００７−２６１０３５号公報 特開２００７−２５０９７０号公報 特開２００７−１５８０２６号公報 特開２００４−２２１１６９号公報 特開２００４−２１４２８８号公報 特開２００４−１４２４３０号公報 特開２００４−０７２１０８号公報 特開２００４−０６３５５１号公報
本発明者らは、半導体チップの裏面を保護するフィルムについて検討を行った。その結果、ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムを用いて、半導体チップの裏面にフィルムを貼着する方法を発明するに至った。
前記接着剤層付きダイシングテープは、貼り付ける半導体ウェハの形状（例えば、円形状）に予め加工しておくプリカット加工が施されている。そして、前記接着剤層付きダイシングテープは、半導体ウェハへの貼り合わせの際にセパレータから剥離される。しかしながら、接着剤層付きダイシングテープの物性や、装置の条件等によっては、好適に接着剤層付きダイシングテープがセパレータから剥離できない場合があるといった新たな課題が発生した。
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムにおいて、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから好適に剥離することが可能な半導体装置製造用フィルム、その製造方法、及び、当該半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置製造用フィルムについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから好適に剥離することが可能であることを見出して本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係る半導体装置製造用フィルムは、ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、前記接着剤層を貼り合わせ面にして、所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムであって、前記セパレータは、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みがあり、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下であることを特徴とする。
前記構成によれば、前記セパレータは、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みが形成されている。従って、当該切れ込みを起点として、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから容易に剥離することが可能となる。また、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下であるため、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータが裂けてしまうことを防止することができる。その結果、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから好適に剥離する（ベロ出しする）ことができる。
また、本発明に係る半導体装置製造用フィルムの製造方法は、ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、前記接着剤層を貼り合わせ面にしてセパレータに積層されたセパレータ付フィルムを準備する工程と、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する工程とを具備しており、前記切断は、前記ダイシングテープ側から前記セパレータの厚さの２／３以下の深さまで行うことを特徴とする。
前記構成によれば、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する際、前記切断は、前記ダイシングテープ側から前記セパレータの厚さの２／３以下の深さまで行われる。その結果、製造される半導体装置製造用フィルムは、セパレータに、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みが形成されており、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下のものとなる。従って、本発明に係る半導体装置製造用フィルムの製造方法により製造される半導体装置製造用フィルムは、当該切れ込みを起点として、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから容易に剥離することが可能となる。また、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下であるため、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータが裂けてしまうことを防止することができる。その結果、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから好適に剥離する（ベロ出しする）ことができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載の半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離する工程と、前記接着剤層上に半導体ウエハを貼着する工程とを具備することを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載の半導体装置製造用フィルムを用いるため、セパレータへの切り込み深さが前記セパレータの厚さの２／３以下である。従って、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータが裂けてしまうことを防止することができ、好適に接着剤層上に半導体ウエハを貼着することが可能となる。
また、本発明に係る半導体装置製造用フィルムは、ダイシングテープが所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムであって、前記セパレータは、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みがあり、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下であることを特徴とする。
前記構成によれば、前記セパレータは、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みが形成されている。従って、当該切れ込みを起点として、ダイシングテープをセパレータから容易に剥離することが可能となる。また、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下であるため、ダイシングテープをセパレータから剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータが裂けてしまうことを防止することができる。その結果、ダイシングテープをセパレータから好適に剥離する（ベロ出しする）ことができる。
また、本発明に係る半導体装置製造用フィルムの製造方法は、ダイシングテープとセパレータとが積層されたセパレータ付フィルムを準備する工程と、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する工程とを具備しており、前記切断は、前記ダイシングテープ側から前記セパレータの厚さの２／３以下の深さまで行うことを特徴とする。
前記構成によれば、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する際、前記切断は、前記ダイシングテープ側から前記セパレータの厚さの２／３以下の深さまで行われる。その結果、製造される半導体装置製造用フィルムは、セパレータに、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みが形成されており、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下のものとなる。従って、本発明に係る半導体装置製造用フィルムの製造方法により製造される半導体装置製造用フィルムは、当該切れ込みを起点として、ダイシングテープをセパレータから容易に剥離することが可能となる。また、前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下であるため、ダイシングテープをセパレータから剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータが裂けてしまうことを防止することができる。その結果、ダイシングテープをセパレータから好適に剥離する（ベロ出しする）ことができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載の半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離する工程と、前記ダイシングテープ上に半導体ウエハを貼着する工程とを具備することを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載の半導体装置製造用フィルムを用いるため、セパレータへの切り込み深さが前記セパレータの厚さの２／３以下である。従って、ダイシングテープをセパレータから剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータが裂けてしまうことを防止することができ、好適に接着剤層上に半導体ウエハを貼着することが可能となる。
（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置製造用フィルムの一例を示す断面模式図であり、（ｂ）は、その部分平面図である。 本実施形態に係る接着剤層付きダイシングテープを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である。
本発明の実施の一形態について、図１を参照しながら説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置製造用フィルムの一例を示す断面模式図であり、図１（ｂ）は、その部分平面図である。ある。なお、本明細書において、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。
（半導体装置製造用フィルム）
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、半導体装置製造用フィルム４０は、長尺のセパレータ４２上に平面視円形状の接着剤層付きダイシングテープ１が所定の間隔をおいて積層された構成を有する。
（接着剤層付きダイシングテープ）
接着剤層付きダイシングテープ１は、基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と、粘着剤層３２上に設けられた接着剤層２を備える構成である。なお、接着剤層２の径は、ダイシングテープ３の径と同一であるか、図１（ｂ）に示すように、ダイシングテープ３よりも小さい方が好ましい。接着剤層付きダイシングテープ１は、接着剤層２を貼り合わせ面にして、セパレータ４２に積層されている。セパレータ４２には、深さがセパレータ４２の厚さの２／３以下の切れ込み４４がダイシングテープ３の外周に沿って、ダイシングテープ３側から形成されている。切れ込み４４の前記深さは、１／６以上２／３以下であることが好ましく、１／３以上２／３以下であることがより好ましい。セパレータ４２は、ダイシングテープ３の外周に沿った切れ込み４４が形成されているため、切れ込み４４を起点として、接着剤層付きダイシングテープ１をセパレータ４２から容易に剥離することが可能となる。また、切れ込み４４の深さがセパレータ４２の厚さの２／３以下であるため、接着剤層付きダイシングテープ１をセパレータ４２から剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータ４２が裂けてしまうことを防止することができる。その結果、接着剤層付きダイシングテープ１をセパレータ４２から好適に剥離する（ベロ出しする）ことができる。
（セパレータ）
セパレータ４２としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。セパレータ４２は単層であってもよく２種以上の複層でもよい。なお、セパレータ４２の製造方法としては、従来公知の方法により形成することができる。
セパレータ４２は、少なくとも接着剤層２が積層される面が剥離処理されていることが好ましい。
前記剥離処理に用いられる離型剤としては、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤、シリコーン系離型剤等を挙げることができる。なかでも、シリコーン系剥離剤が好ましい。
セパレータ４２の厚さは、特に制限されないが、３〜３００μｍが好ましく、５〜２００μｍがより好ましく、１０〜１００μｍがさらに好ましい。セパレータ４２の厚さを１０μｍ以上とすることにより、セパレータに切れ込みを形成する際、セパレータ４２の厚さの２／３以下とし易い。
（接着剤層）
接着剤層２はフィルム状の形態を有している。接着剤層２は、通常、製品としての接着剤層付きダイシングテープ１又は半導体装置製造用フィルム４０の形態では、未硬化状態（半硬化状態を含む）であり、接着剤層付きダイシングテープ１を半導体ウエハに貼着させた後に熱硬化される。
前記接着剤層は、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、更に少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることがより好ましい。少なくとも熱硬化性樹脂により形成することで、接着剤層は接着機能を有効に発揮させることができる。
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。
また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
前記熱硬化性樹脂の含有量としては、接着剤層における全樹脂成分に対して５重量％以上９０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上８５重量％以下であることがより好ましく、１５重量％以上８０重量％以下であることがさらに好ましい。前記含有量を、５重量％以上にすることにより、熱硬化収縮量を２体積％以上とし易くすることができる。また、封止樹脂を熱硬化させる際に、接着剤層を十分に熱硬化させることができ、半導体素子の裏面に確実に接着固定させて、剥離のないフリップチップ型の半導体装置の製造が可能になる。一方、前記含有量を９０重量％以下にすることにより、パッケージ（PKG：フリップチップ型の半導体装置）の反りを抑制することができる。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
前記接着剤層としては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。
接着剤層２は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。接着剤層２は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。接着剤層２を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
接着剤層の半導体ウエハに対する接着力（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．５Ｎ／２０ｍｍ〜１５Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．７Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましい。０．５Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、優れた密着性で半導体ウエハや半導体素子に貼着されており、浮き等の発生を防止することができる。また、半導体ウエハのダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することもできる。一方、１５Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、ダイシングテープから容易に剥離することができる。
前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、通常７重量部以下（例えば、０．０５重量部〜７重量部）とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部に対して７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上であることが好ましい。
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
前記接着剤層は着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された接着剤層は、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、接着剤層を介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。また、接着剤層は着色されているので、ダイシングテープと、接着剤層とを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。接着剤層を有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。
本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。
また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。
なお、本実施の形態において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。
接着剤層を着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。
特に、色材として染料を用いると、接着剤層中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な接着剤層（ひいては接着剤層付きダイシングテープ）を容易に製造することができる。そのため、色材として染料を用いると、接着剤層付きダイシングテープにおける接着剤層は、着色濃度を均一又はほぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。
黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。
具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。
本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。
このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。
黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。
また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。
マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。
また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。
シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。
接着剤層２を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、接着剤層は、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよい。また、少なくとも熱硬化性樹脂により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、接着剤層２が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の接着剤層２としては、樹脂層／着色剤層／樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の２つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。
接着剤層２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、接着剤層に導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、接着剤層２としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
前記充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対して８０重量部以下（０重量部〜８０重量部）であることが好ましく、特に０重量部〜７０重量部であることが好適である。
また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
接着剤層２は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、前記樹脂組成物を、ダイシングテープの粘着剤層３２上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層（又は接着剤層）を形成し、これを粘着剤層３２上に転写（移着）する方法などにより、接着剤層としてのフィルム状の層（接着剤層）を形成することができる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。
なお、接着剤層２が、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、接着剤層は、半導体ウエハに適用する前の段階では、熱硬化性樹脂が未硬化又は部分硬化の状態である。この場合、半導体ウエハに適用後に（具体的には、通常、フリップチップボンディング工程で封止材をキュアする際に）、接着剤層中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。
このように、接着剤層は、熱硬化性樹脂を含んでいても、該熱硬化性樹脂は未硬化又は部分硬化の状態であるため、接着剤層のゲル分率としては、特に制限されないが、例えば、５０重量％以下（０重量％〜５０重量％）の範囲より適宜選択することができ、好ましくは３０重量％以下（０重量％〜３０重量％）であり、特に１０重量％以下（０重量％〜１０重量％）であることが好適である。接着剤層のゲル分率の測定方法は、以下の測定方法により測定することができる。
＜ゲル分率の測定方法＞
接着剤層から約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌのトルエン中に室温で１週間浸漬させる。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）をトルエンから取り出し、１３０℃で約２時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（ａ）よりゲル分率（重量％）を算出する。
ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００ （ａ）
なお、接着剤層のゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。
本発明において、接着剤層は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されたフィルム状物である場合、半導体ウエハに対する密着性を有効に発揮することができる。
尚、半導体ウエハのダイシング工程では切削水を使用することから、接着剤層が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、フリップチップボンディングを行うと、接着剤層２と半導体ウエハ又はその加工体（半導体）との接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、接着剤層としては、透湿性の高いコア材料を両面に設けた構成とすることにより、水蒸気が拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、コア材料の片面又は両面に接着剤層２、１２を形成した多層構造を接着剤層として用いてもよい。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
接着剤層２の厚さ（積層フィルムの場合は総厚）は特に限定されないが、例えば、２μｍ〜２００μｍ程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは４μｍ〜１６０μｍ程度が好ましく、６μｍ〜１００μｍ程度がより好ましく、１０μｍ〜８０μｍ程度が特に好ましい。
前記接着剤層２の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上（例えば、１ＧＰａ〜５０ＧＰａ）であることが好ましく、より好ましくは２ＧＰａ以上であり、特に３ＧＰａ以上であることが好適である。前記引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であると、半導体チップを接着剤層２と共に、ダイシングテープの粘着剤層３２から剥離させた後、接着剤層２を支持体上に載置して、輸送等を行った際に、接着剤層が支持体に貼着するのを有効に抑制又は防止することができる。尚、前記支持体は、例えば、キャリアテープにおけるトップテープやボトムテープなどをいう。なお、接着剤層２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前述のように、熱硬化性樹脂は、通常、未硬化又は部分硬化の状態であるので、接着剤層の２３℃における弾性率は、通常、熱硬化性樹脂が未硬化状態又は部分硬化状態での２３℃における弾性率となる。
ここで、接着剤層２は単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、積層フィルムの場合、前記未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は積層フィルム全体として１ＧＰａ以上（例えば、１ＧＰａ〜５０ＧＰａ）の範囲であればよい。また、接着剤層の未硬化状態における前記引張貯蔵弾性率（２３℃）は、樹脂成分（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）の種類やその含有量、シリカフィラー等の充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。なお、接着剤層２が複数の層が積層された積層フィルムである場合（接着剤層が積層の形態を有している場合）、その積層形態としては、例えば、ウエハ接着層とレーザーマーク層とからなる積層形態などを例示することができる。また、このようなウエハ接着層とレーザーマーク層との間には、他の層（中間層、光線遮断層、補強層、着色層、基材層、電磁波遮断層、熱伝導層、粘着層など）が設けられていてもよい。なお、ウエハ接着層はウエハに対して優れた密着性（接着性）を発揮する層であり、ウエハの裏面と接触する層である。一方、レーザーマーク層は優れたレーザーマーキング性を発揮する層であり、半導体チップの裏面にレーザーマーキングを行う際に利用される層である。
尚、前記引張貯蔵弾性率は、ダイシングテープ３に積層させずに、未硬化状態の接着剤層２を作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて測定して、得られた引張貯蔵弾性率の値とした。
また、接着剤層２における可視光（波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、例えば、２０％以下（０％〜２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％〜１０％）、特に好ましくは５％以下（０％〜５％）である。接着剤層２は、可視光透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れがある。また、前記可視光透過率（％）は、接着剤層２の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。
接着剤層２の可視光透過率（％）は、次の通りにして測定することができる。即ち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの接着剤層２単体を作製する。次に、接着剤層２に対し、波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＳＰＥＣＴＲＯ ＰＨＯＴＯＭＥＴＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。更に、可視光線が接着剤層２を透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。尚、２０μｍの厚さでない接着剤層２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の値により、厚さ：２０μｍの接着剤層２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）を導き出すことも可能である。また、本発明では、厚さ２０μｍの接着剤層２の場合における可視光透過率（％）を求めているが、本発明に係る接着剤層は厚さ２０μｍのものに限定される趣旨ではない。
また、接着剤層２としては、その吸湿率が低い方が好ましい。具体的には、前記吸湿率は１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である。前記吸湿率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、接着剤層２と半導体素子との間でボイドの発生などを抑制又は防止することもできる。尚、前記吸湿率は、接着剤層２を、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置する前後の重量変化により算出した値である。接着剤層２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記吸湿率は、熱硬化後の接着剤層に対し、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの値を意味する。また、前記吸湿率は、例えば、無機フィラーの添加量を変化させることにより調整することができる。
また、接着剤層２としては、揮発分の割合が少ない方が好ましい。具体的には、加熱処理後の接着剤層２の重量減少率（重量減少量の割合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、例えば、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間である。前記重量減少率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、フリップチップ型の半導体装置にクラックが発生するのを抑制又は防止することができる。前記重量減少率は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発生を減少させ得る無機物を添加することにより、調整することができる。なお、接着剤層２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記重量減少率は、熱硬化後の接着剤層に対し、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間の条件下で加熱したときの値を意味する。
（ダイシングテープ）
前記ダイシングテープ３は、基材３１上に粘着剤層３２が形成されて構成されている。このように、ダイシングテープ３は、基材３１と、粘着剤層３２とが積層された構成を有していればよい。基材（支持基材）は粘着剤層等の支持母体として用いることができる。前記基材３１は放射線透過性を有していることが好ましい。前記基材３１としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。
また基材３１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材３１を熱収縮させることにより粘着剤層３２と接着剤層２との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
基材３１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
前記基材３１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材３１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材３１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材３１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
基材３１の厚さ（積層体の場合は総厚）は、特に制限されず強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１μｍ〜１０００μｍ）、好ましくは１０μｍ〜５００μｍ、さらに好ましくは２０μｍ〜３００μｍ、特に３０μｍ〜２００μｍ程度であるが、これらに限定されない。
なお、基材３１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。
前記粘着剤層３２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（例えば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
前記粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体又は共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。
前記アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状の何れであっても良い。
なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種又は２種以上使用できる。
粘着剤として放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、例えば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、例えば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。
本発明では、粘着剤層３２には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。
前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
粘着剤層３２は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材３１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して粘着剤層３２を形成し、これを基材３１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層３２を形成することができる。
粘着剤層３２の厚さは特に制限されず、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは５μｍ〜２００μｍ、さらに好ましくは５μｍ〜１００μｍ、特に好ましくは７μｍ〜５０μｍ）程度である。粘着剤層３２の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層３２は単層、複層の何れであってもよい。
前記ダイシングテープ３の粘着剤層３２の接着剤層２に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．０５Ｎ／２０ｍｍ〜５Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましい。前記接着力を０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、半導体ウエハのダイシングの際に半導体素子がチップ飛びするのを防止することができる。その一方、前記接着力を１０Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、半導体素子をピックアップする際に、当該半導体素子の剥離が困難になったり、糊残りが発生するのを防止することができる。
なお、本発明では、接着剤層２や、接着剤層付きダイシングテープ１には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによる半導体ウエハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材３１、粘着剤層３２乃至接着剤層２へ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材３１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層を付設する方法等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記接着剤層２は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
また、半導体装置製造用フィルム４０は、ロール状に巻回された形態で形成されていてもよく、シート（フィルム）が積層された形態で形成されていてもよい。なお、ロール状に巻回された形態の半導体装置製造用フィルム４０としては、基材３１と、前記基材３１の一方の面に形成された粘着剤層３２と、前記粘着剤層３２上に形成された接着剤層と、前記基材３１の他方の面に形成された剥離処理層（背面処理層）とで構成されていてもよい。
なお、接着剤層付きダイシングテープ１の厚さ（接着剤層の厚さと、基材３１及び粘着剤層３２からなるダイシングテープの厚さの総厚）としては、例えば、８μｍ〜１５００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは２０μｍ〜８５０μｍ（さらに好ましくは３１μｍ〜５００μｍ、特に好ましくは４７μｍ〜３３０μｍ）である。
接着剤層２において、接着剤層２の厚さと、ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さとの比としては、特に制限されないが、例えば、接着剤層２の厚さ／ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さ＝１５０／５〜３／１００の範囲から適宜選択することができ、好ましくは１００／５〜３／５０であり、特に６０／５〜３／４０であることが好適である。接着剤層２の厚さと、ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さとの比が、３／１００以上とすることにより、粘着力が高くなりすぎることを防止することができる。一方、１５０／５以下とすることにより、粘着力が低くなりすぎること防止することができる。
また、接着剤層２において、接着剤層２の厚さと、ダイシングテープ３の厚さ（基材３１及び粘着剤層３２の総厚）との比としては、特に制限されないが、例えば、接着剤層２の厚さ／ダイシングテープ３の厚さ＝１５０／５０〜３／５００の範囲から適宜選択することができ、好ましくは１００／５０〜３／３００であり、特に６０／５０〜３／１５０であることが好適である。接着剤層２の厚さと、ダイシングテープ３の厚さとの比が、３／５００以上とすることにより、ピックアップし易くすることができる。一方、１５０／５０以下とすることにより、ダイシング時の側面残渣が多くなることを防止できる。
このように、接着剤層２の厚さと、ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さとの比や、接着剤層２の厚さと、ダイシングテープ３の厚さ（基材３１及び粘着剤層３２の総厚）との比をコントロールすることにより、ダイシング工程時のダイシング性、ピックアップ工程時のピックアップ性などを向上させることができ、半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて有効に利用することができる。
（半導体装置製造用フィルムの製造方法）
本実施形態に係る半導体装置製造用フィルムの製造方法について、図１に示す半導体装置製造用フィルム４０を例にして説明する。本実施形態に係る半導体装置製造用フィルム４０の製造方法は、ダイシングテープ３上に接着剤層２が積層された接着剤層付きダイシングテープ１が、接着剤層２を貼り合わせ面にしてセパレータ４２に積層されたセパレータ付フィルムを準備する工程と、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する工程とを具備する。前記切断は、ダイシングテープ３側からセパレータ４２の厚さの２／３以下の深さまで行う。
先ず、基材３１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、基材３１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層３２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材３１に塗布して、基材３１上に粘着剤層３２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層３２を形成させた後、該粘着剤層３２を基材３１に転写させてもよい。これにより、基材３１上に粘着剤層３２を形成されたダイシングテープ３が作製される。
一方、接着剤層２を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、塗布層を形成する。その後、塗布層を所定条件下で乾燥させ、接着剤層２を形成する。
次に、接着剤層２を、貼り付ける半導体ウェハの形状に合わせて打ち抜き、ダイシングテープ３に貼り合わせる。その後、接着剤層２を貼り合わせ面にしてセパレータ４２に積層することにより、セパレータ付フィルムを得る。なお、セパレータ４２は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する。この切断は、ダイシングテープ３側からセパレータ４２の厚さの２／３以下の深さまで行う（図１（ｂ）参照）。これにより、セパレータ４２にダイシングテープ３の外周に沿った切れ込みがあり、前記切れ込みの深さがセパレータ４２の厚さの２／３以下である半導体装置製造用フィルム４０が得られる。なお、接着剤層２を打ち抜かないままダイシングテープ３に貼り付け、さらに、そのままセパレータに積層してセパレータ付フィルムを作製し、その後、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断してもよい。この場合、切断は、接着剤層２とダイシングテープ３との切断と、切り込み４４の形成とが同時に行われることとなる。
前記切り込みを形成する方法は、特に限定されないが、例えば、ロータリーを用いる方法や、型抜き用の刃（例えばトムソン刃）を用いる方法、レーザー加工等を挙げることができる。なかでも、ロータリーは、形成する切り込みの深さの精度を高くすることができる点で好ましい。また、型抜き用の刃を用いる場合、刃の内部及び／又は外部にスペーサーを設置することが好ましい。これにより、形成する切り込みの深さの精度を高くすることができる。すなわち、従来、セパレータに切り込みを形成する場合、単に型抜き用の刃を用いて切り込みを形成するだけでは、その精度が低く、セパレータの厚さの２／３より深い切り込みが形成されてしまう場合があった。また、セパレータまで刃が届かずダイシングテープも切断されない場合があった。しかしながら、ロータリーを用いたり、刃の内部及び／又は外部にスペーサーを設置すると、形成する切り込みの深さの精度を高くすることができる。
（半導体ウエハ）
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。
（半導体装置の製造方法）
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図２を参照しながら以下に説明する。図２は、本実施形態に係る接着剤層付きダイシングテープを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である
前記半導体装置の製造方法は、半導体装置製造用フィルム４０を用いて半導体装置を製造することができる。具体的には、半導体装置製造用フィルム４０からセパレータ４２を剥離する工程と、接着剤層２上に半導体ウエハを貼着する工程とを少なくとも具備する。
まず、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す半導体装置製造用フィルム４０を準備し、半導体装置製造用フィルム４０からセパレータ４２を剥離する。半導体装置製造用フィルム４０は、上述のように、セパレータ４２に切り込みが形成されており、セパレータ４２への切り込み深さはセパレータ４２の厚さの２／３以下である。従って、半導体装置製造用フィルム４０からセパレータ４２を剥離しようとした際に、切り込み部分からセパレータ４２が裂けてしまうことを防止することができる。剥離条件としては、１〜１００ｍｍ／秒とすることができる。
［マウント工程］
次に、図２（ａ）で示されるように、接着剤層付きダイシングテープ１の接着剤層２上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき前記接着剤層２は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、接着剤層付きダイシングテープ１は、半導体ウエハ４の裏面に貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。
［ダイシング工程」
次に、図２（ｂ）で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、接着剤層付きダイシングテープ１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、接着剤層２を有する接着剤層付きダイシングテープ１により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。なお、接着剤層２がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において接着剤層の接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。
なお、接着剤層付きダイシングテープ１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介して接着剤層付きダイシングテープ１を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さく接着剤層付きダイシングテープを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。
［ピックアップ工程］
接着剤層付きダイシングテープ１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、図２（ｃ）で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５を接着剤層２とともにダイシングテープ３より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５を接着剤層付きダイシングテープ１の基材３１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ５は、その裏面が接着剤層２により保護されている。
［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップ５は、図２（ｄ）で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。
被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。
なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。本発明の接着剤層付きダイシングテープは、接着剤層をエポキシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。
本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明の接着剤層付きダイシングテープにおける接着剤層は、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これらの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液としては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により洗浄させることができる。
次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。当該工程における熱処理においては、封止樹脂だけでなく接着剤層２の熱硬化も同時に行われる。これにより、封止樹脂及び接着剤層２の双方が、熱硬化の進行に伴い硬化収縮をする。その結果、封止樹脂の硬化収縮に起因して半導体チップ５に加えられる応力は、接着剤層２が硬化収縮することにより相殺ないし緩和することができる。また、当該工程により、接着剤層２を完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体素子の裏面に貼着させることができる。更に、本発明に係る接着剤層２は、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、接着剤層２を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。
前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。
上述した実施形態では、ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープと、セパレータと積層された半導体装置製造用フィルムについて説明した。しかしながら、本発明の半導体装置製造用フィルムは接着剤層が積層されていなくともよい。すなわち、本発明の半導体装置製造用フィルムは、ダイシングテープが所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムであってもよい。この場合、前記半導体装置製造用フィルムの製造方法は、ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、前記接着剤層を貼り合わせ面にしてセパレータに積層されたセパレータ付フィルムを準備する工程と、貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する工程とを具備しており、前記切断は、前記ダイシングテープ側から前記セパレータの厚さの２／３以下の深さまで行う。また、ダイシングテープが所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムを用いる場合の半導体装置の製造方法としては、半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離する工程と、ダイシングテープ上に半導体ウエハを貼着する工程とを少なくとも具備していればよい。なお、ダイシングテープ上に半導体ウエハを貼着する工程の後、例えば、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程を経て、半導体装置を製造することかできる。
前記半導体装置製造用フィルムを用いて製造された半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、半導体チップの裏面に接着剤層が貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことができる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーが好適である。
本発明の半導体装置製造用フィルムを用いて製造された半導体装置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このため、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。
上述した実施形態では、半導体装置製造用フィルムをフリップチップ型の半導体装置の製造に用いる場合について説明した。しかしながら本発明の半導体装置製造用フィルムは、この例に限定されず、フリップチップ型の半導体装置以外の半導体装置の製造に用いてもよい。例えば、半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離した後、接着剤層付きダイシングテープの接着剤層と半導体ウェハ（半導体チップ）の表面とを貼り合わせて使用してもよい。この場合、半導体装置製造用フィルムが備える接着剤層付きダイシングテープは、従来公知のダイシング・ダイボンドフィルムとして使用することができる。
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。
（実施例１）
＜接着剤層の作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」ＪＥＲ株式会社製）：１１３部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）：１２１部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：２４６部、染料１（商品名「ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２」オリエント化学工業株式会社製）：５部、染料２（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）：５部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、セパレータ上に厚さ（平均厚さ）２０μｍの接着剤層Ａが積層されたフィルムＡを作製した。
＜半導体装置製造用フィルムの作製＞
１．セパレータ付フィルムの作製
上記フィルムＡを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ−８−Ｔ」日東電工株式会社製；基材の平均厚さ：65μｍ、粘着剤層の平均厚さ：10μｍ）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、接着剤層付きダイシングテープがセパレータに積層されたセパレータ付フィルムＡを作製した。
２．プリカット加工
上記セパレータ付フィルムＡを円状のトムソン刃を用いてプリカット加工を行い、半導体装置製造用フィルムを得た。尚プリカット加工深さはトムソン刃内外部にスペーサーを導入することで調節した。具体的には、セパレータへの切り込み深さが１３μｍとなるようにスペーサーを導入した。
なお、実施例１に係る半導体装置製造用フィルムにおいて、接着剤層の厚さ（平均厚さ）は２０μｍである。また、ダイシングテープ（商品名「Ｖ−８−Ｔ」日東電工株式会社製）は、基材の厚さ（平均厚さ）が65μｍであり、粘着剤層の厚さ（平均厚さ）が10μｍであり、総厚が75μｍである。従って、実施例１〜３に係る半導体装置製造用フィルムにおいて、接着剤層の厚さと、ダイシングテープの粘着剤層の厚さとの比（平均厚さの比）は、20／10であり、接着剤層の厚さと、ダイシングテープの厚さ（基材及び粘着剤層の総厚）との比（平均厚さの比）は、20／75である。
（実施例２）
プリカット加工におけるセパレータへの切り込み深さを２０μｍとなるようにスペーサーを導入した以外は、実施例１と同様にして実施例２に係る半導体装置製造用フィルムを得た。
（比較例１）
プリカット加工におけるセパレータへの切り込み深さを２７μｍとなるようにスペーサーを導入した以外は、実施例１と同様にして比較例１に係る半導体装置製造用フィルムを得た。
＜評価＞
実施例１、実施例２、及び、比較例１の半導体装置製造用フィルムについて以下に示すセパレータ剥離評価を行った。
半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ；シリコンミラーウエハ）を裏面研磨処理し、厚さ０．２ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。半導体装置製造用フィルムからセパレータを剥離しながら、その接着剤層上にミラーウェハ（ワーク）を７０℃でロール圧着して貼り合わせた。なお、半導体ウェハ研削条件、貼り合わせ条件は下記のとおりである。
（半導体ウェハ研削条件）
研削装置：商品名「ＤＦＧ−８５６０」ディスコ社製
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．２ｍｍに裏面研削）
（貼り合わせ条件）
貼り付け装置：商品名「ＭＡ−３０００III」日東精機株式会社製
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：７０℃
このウエハマウントにて、セパレータを良好に剥離できた場合を「○」とし、良好に行うことができなかった場合を「×」として、ウエハマウント性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 0005546985
表１より、実施例１、２に係る半導体装置製造用フィルムでは、セパレータを良好に剥離できた。一方、比較例１に係る半導体装置製造用フィルムでは、切り込み部分からセパレータが裂けてしまい、セパレータを良好に剥離することができなかった。
１ 接着剤層付きダイシングテープ
２ 接着剤層
３ ダイシングテープ
３１ 基材
３２ 粘着剤層
４０ 半導体装置製造用フィルム
４２ セパレータ
４４ 切れ込み
３３ 半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
５１ 半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
６ 被着体
６１ 被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材

Claims (1)

  1. ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、前記接着剤層を貼り合わせ面にして、所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムであって、
    前記セパレータは、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みがあり、
    前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの２／３以下であり、
    前記接着剤層は、着色剤が添加されており、フリップチップ実装の半導体装置が有する半導体チップの裏面に貼着されるものであることを特徴とする半導体装置製造用フィルム。
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