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JP5540689B2 - Radiation-sensitive composition, cured film and method for forming the same - Google Patents

Radiation-sensitive composition, cured film and method for forming the same Download PDF

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JP5540689B2 JP2009288504A JP2009288504A JP5540689B2 JP 5540689 B2 JP5540689 B2 JP 5540689B2 JP 2009288504 A JP2009288504 A JP 2009288504A JP 2009288504 A JP2009288504 A JP 2009288504A JP 5540689 B2 JP5540689 B2 JP 5540689B2
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Description

本発明は、感放射線性組成物、この組成物から形成される硬化膜、及びこの硬化膜の形成方法に関する。   The present invention relates to a radiation-sensitive composition, a cured film formed from the composition, and a method for forming the cured film.

液晶表示素子等は、その製造工程中に、溶剤、酸又はアルカリ溶液等による浸漬処理が行なわれる。また、このような液晶表示素子は、スパッタリングにより配線電極層を形成する際に、素子表面が局部的に高温に曝される。従って、このような溶剤等による浸漬処理や高温処理によって液晶表示素子が劣化あるいは損傷することを防止するために、これらの処理に対して耐性を有する保護膜を素子の表面に設けることが行なわれている。また液晶表示素子等には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁するための層間絶縁膜や、二枚の基板間の間隔(セルギャップ)を一定に保つためのスペーサーが設けられている。   A liquid crystal display element or the like is subjected to an immersion treatment with a solvent, an acid, an alkali solution or the like during its manufacturing process. In such a liquid crystal display element, the surface of the element is locally exposed to a high temperature when the wiring electrode layer is formed by sputtering. Accordingly, in order to prevent the liquid crystal display element from being deteriorated or damaged by such immersion treatment with a solvent or the like or high temperature treatment, a protective film having resistance to these treatments is provided on the surface of the element. ing. In addition, liquid crystal display elements and the like are generally provided with an interlayer insulating film for insulating between wirings arranged in layers, and a spacer for keeping a distance (cell gap) between two substrates constant. .

このような保護膜、層間絶縁膜及びスペーサー等(以下、保護膜等とも言う。)の材料としては、必要とするパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、感放射線性組成物が幅広く使用されている。この保護膜等の材料は、当該保護膜等を形成すべき基板又は下層、さらに各層等の上に形成される層に対して硬化した際の密着性が高いものであること、透明性を有するものであること、塗布性、パターニング性が優れていること等の性能が要求される。これらの諸特性を満たす保護膜等を形成するための材料としては、アクリル系樹脂が主に使用されている。これに対し、アクリル系樹脂よりも耐熱性及び透明性に優れたポリシロキサン系材料を感放射線性組成物の成分として用いる試みがなされている(特開2000−1648号公報、特開2006−178436号公報参照)。しかし、ポリシロキサン系材料は、屈折率がアクリル系樹脂よりも低いため、例えばITO(インジウムスズ酸化物)透明導電膜パターンなどの他の層の表面に塗布した際、屈折率差が大きくなるためITOパターンが見えやすくなってしまい、液晶表示画面の視認性が低下するという不都合が存在する。   As a material for such a protective film, an interlayer insulating film, a spacer, etc. (hereinafter also referred to as a protective film), a material having a small number of steps for obtaining a required pattern shape and having sufficient flatness is used. Because of its preference, radiation sensitive compositions are widely used. The material such as the protective film has high adhesion when cured to the substrate or lower layer on which the protective film or the like is to be formed, and further to the layer formed on each layer, and has transparency. Performances such as being excellent, coating properties and patterning properties are required. An acrylic resin is mainly used as a material for forming a protective film or the like that satisfies these various characteristics. On the other hand, an attempt has been made to use a polysiloxane material, which is superior in heat resistance and transparency as compared with an acrylic resin, as a component of the radiation-sensitive composition (JP 2000-1648 A, JP 2006-178436 A). No. publication). However, since the refractive index of the polysiloxane material is lower than that of the acrylic resin, the difference in refractive index becomes large when applied to the surface of another layer such as an ITO (indium tin oxide) transparent conductive film pattern. There is an inconvenience that the ITO pattern becomes easy to see and the visibility of the liquid crystal display screen is lowered.

また、このような感放射線性組成物は、このような感放射線性組成物は、例えば層間絶縁膜におけるコンタクトホール形成の優位性の観点等から、ポジ型感放射線性硬化性組成物が好適に使用されている。しかし、ポリシロキサン系材料におけるポジ型感放射線性組成物としては、パターニング性の高さから感放射線性酸発生剤として、キノンジアジド化合物を用いた組成物が一般的に用いられているが、このキノンジアジド化合物の使用がコスト高の要因となっている。   Further, such a radiation sensitive composition is preferably a positive radiation sensitive curable composition from the viewpoint of superiority of contact hole formation in an interlayer insulating film, for example. It is used. However, as a positive radiation sensitive composition in a polysiloxane-based material, a composition using a quinone diazide compound is generally used as a radiation sensitive acid generator because of its high patterning property. The use of compounds is a factor in high costs.

また、半導体封止用材料、半導体アンダーフィル用材料、半導体保護膜用材料、半導体層間絶縁膜用材料、回路基材用材料、平坦化材料、回路基板保護用材料、エッチングレジスト用材料、めっきレジスト用材料、又は液晶封止用材料としても、耐熱性、密着性及び電気絶縁性等に優れた硬化膜を短時間で得ることができる感放射線性組成物はない(米国特許第5385955号公報参照)。   Also, semiconductor sealing materials, semiconductor underfill materials, semiconductor protective film materials, semiconductor interlayer insulating film materials, circuit substrate materials, planarization materials, circuit board protection materials, etching resist materials, plating resists There is no radiation-sensitive composition capable of obtaining a cured film excellent in heat resistance, adhesion, electrical insulation and the like in a short time as a material for sealing or liquid crystal sealing (see US Pat. No. 5,385,955). ).

特開2000−1648号公報JP 2000-1648 A 特開2006−178436号公報JP 2006-178436 A 米国特許第5385955号公報US Pat. No. 5,385,955

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、従来の保護膜等を形成する材料に必要とされるパターニング性を有し、得られた硬化物が透明性及び密着性に加えて高屈折率を備え、かつ、ポジ型の感放射線特性を備えることができるポリシロキサン系の感放射線性組成物、その組成物から形成された硬化物、及びこれらの形成方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made based on such circumstances, and has patterning properties required for a material for forming a conventional protective film, etc., and the obtained cured product is added to transparency and adhesion. A polysiloxane-based radiation-sensitive composition having a high refractive index and a positive radiation-sensitive property, a cured product formed from the composition, and a method for forming the same Objective.

さらに、半導体封止用材料、半導体アンダーフィル用材料、半導体保護膜用材料、半導体層間絶縁膜用材料、回路基材用材料、平坦化材料、回路基板保護用材料、エッチングレジスト用材料、めっきレジスト用材料、又は液晶封止用材料等として使用することで、耐熱性、密着性及び電気絶縁性等に優れた硬化膜を短時間で得ることができる感放射線性組成物を提供することも目的とする。   Furthermore, semiconductor sealing materials, semiconductor underfill materials, semiconductor protective film materials, semiconductor interlayer insulating film materials, circuit substrate materials, planarization materials, circuit board protection materials, etching resist materials, plating resists Another object of the present invention is to provide a radiation-sensitive composition capable of obtaining a cured film excellent in heat resistance, adhesion, electrical insulation, and the like in a short time by being used as a material for sealing or a liquid crystal sealing material. And

上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]シロキサンポリマー、
[B]金属酸化物粒子、及び
[C]感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤
を含有し、
上記[B]金属酸化物粒子は、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物粒子である感放射線性組成物である。
The invention made to solve the above problems is
[A] siloxane polymer,
[B] metal oxide particles, and [C] a radiation sensitive acid generator or a radiation sensitive base generator,
[B] The metal oxide particles are a radiation-sensitive composition that is oxide particles of at least one metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, titanium, zinc, indium, tin, antimony, and cerium.

当該感放射線性組成物は、上記各成分を含有することで、高いパターニング性を有し、得られた硬化物が高い透明性及び密着性を備えることができる。特に、当該感放射線性組成物によれば、[B]成分として上記種類の金属酸化物粒子を含有することで、得られる硬化物の屈折率が向上する。また、当該感放射線性組成物は、[B]成分の金属酸化物粒子として上記酸化物粒子を用いることでパターニング性が高いポジ型の感放射線特性を発揮することができる。   The said radiation sensitive composition has high patternability by containing said each component, and the obtained hardened | cured material can be equipped with high transparency and adhesiveness. In particular, according to the said radiation sensitive composition, the refractive index of the hardened | cured material obtained improves by containing the said kind of metal oxide particle as a [B] component. Moreover, the said radiation sensitive composition can exhibit a positive radiation sensitive characteristic with high patternability by using the said oxide particle as a metal oxide particle of [B] component.

[A]シロキサンポリマーが、下記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であるとよい。
(R−Si−(OR4−n (1)
(式(1)中、Rは、各々独立に、水素又は炭素数1〜20の非加水分解性の有機基である。Rは、各々独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアシル基又は炭素数6〜15のアリール基である。nは0〜3の整数である。)
[A] The siloxane polymer may be a hydrolysis condensate of a hydrolyzable silane compound represented by the following formula (1).
(R 1) n -Si- (OR 2) 4-n (1)
(In formula (1), each R 1 is independently hydrogen or a non-hydrolyzable organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 2 is each independently hydrogen or alkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group, an acyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, n is an integer of 0 to 3).

[A]シロキサンポリマーが、上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることで、当該感放射線性組成物は、高い塗布性、放射線感度及びパターニング性を有し、得られた硬化物がさらに高い透明性及び密着性を備えることができる。   [A] Since the siloxane polymer is a hydrolysis condensate of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1), the radiation-sensitive composition has high coatability, radiation sensitivity, and patternability. And the obtained hardened | cured material can be equipped with still higher transparency and adhesiveness.

当該感放射線性組成物は、[D]分散剤をさらに含有するとよい。当該感放射線性組成物は、[D]分散剤を含有することで、[B]成分の金属酸化物粒子を均一に分散させることができ、塗布性がさらに高まり、得られる硬化膜の密着性がよりに高まるとともに、屈折率が均一化される。   The radiation-sensitive composition may further contain a [D] dispersant. By containing the [D] dispersant, the radiation-sensitive composition can uniformly disperse the metal oxide particles of the component [B], further improve applicability, and adherence of the resulting cured film. Increases more and the refractive index becomes uniform.

[D]分散剤が、下記式(2)、式(3)若しくは式(4)で表される化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、アルキルグルコシド、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル又は脂肪酸アルカノールアミドであることが好ましい。   [D] The dispersant is a compound represented by the following formula (2), formula (3) or formula (4), polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenol ether, alkyl glucoside, polyoxyethylene fatty acid ester, It is preferably a sugar fatty acid ester, a sorbitan fatty acid ester, a polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester or a fatty acid alkanolamide.

Figure 0005540689
(式(2)中、Rは、各々独立に、C2q+1−CHO−(CHCHO)−CHCHO−である。pは8〜10、qは12〜16、xは1〜3の整数である。)
Figure 0005540689
(In the formula (2), R 3 is, independently, C q H 2q + 1 -CH 2 O- (CH 2 CH 2 O) p -CH 2 CH 2 O- in which .p is 8 to 10, q is 12-16, x is an integer of 1-3.)

Figure 0005540689
(式(3)中、r及びsは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求められたポリスチレン換算数平均分子量が、10,000〜40,000となるように選択される数である。)
Figure 0005540689
(In Formula (3), r and s are numbers selected so that the polystyrene-equivalent number average molecular weight determined by gel permeation chromatography is 10,000 to 40,000.)

Figure 0005540689
(式(4)中、t及びuは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求められたポリスチレン換算数平均分子量が1,000〜30,000となるように選択される数である。)
Figure 0005540689
(In formula (4), t and u are numbers selected such that the polystyrene-equivalent number average molecular weight determined by gel permeation chromatography is 1,000 to 30,000.)

当該感放射線性組成物によれば、[D]成分の分散剤が上記化合物であることで、ポジ型の感放射線特性を有するさらに高いパターニング性を発揮することができる。   According to the radiation-sensitive composition, when the dispersant of the component [D] is the above compound, it is possible to exhibit higher patterning properties having positive radiation-sensitive characteristics.

本発明の感放射線組成物は、パターニングされた硬化膜を形成するために好適に用いられ、これらの硬化膜の形成方法は、
(1)感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を含んでいる。
The radiation-sensitive composition of the present invention is suitably used for forming a patterned cured film.
(1) The process of forming the coating film of a radiation sensitive composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) a step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a step of heating the coating film developed in step (3).

当該方法においては、優れたパターニング性を有する上記感放射線性組成物を用い、感放射線性を利用した露光・現像によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する各硬化膜を形成することができる。   In the method, each cured film having a fine and elaborate pattern can be easily formed by using the radiation-sensitive composition having excellent patternability and forming a pattern by exposure and development utilizing radiation sensitivity. Can be formed.

従って、本発明の感放射線性組成物から形成されるパターニングされた硬化膜は、高い透明性、密着性に加えて、高屈折性を備えているため、液晶表示画面の視認性を高めることができ、液晶表示素子等の材料として好適に用いることができる。また、本発明の感放射線性組成物から形成されるパターニングされた硬化膜は、高い透明性、密着性、高屈折率性を備えているため、半導体用の保護膜や層間絶縁膜、LED用のレンズ等の材料としても好適に用いられる。   Therefore, the patterned cured film formed from the radiation-sensitive composition of the present invention has high refraction in addition to high transparency and adhesiveness, so that the visibility of the liquid crystal display screen can be improved. And can be suitably used as a material for liquid crystal display elements and the like. In addition, the patterned cured film formed from the radiation-sensitive composition of the present invention has high transparency, adhesion, and high refractive index, so that it can be used for semiconductor protective films, interlayer insulating films, and LEDs. It can also be suitably used as a material for the lens.

さらに、本発明の感放射線性組成物を、半導体封止用材料、半導体アンダーフィル用材料、回路基材用材料、平坦化材料、回路基板保護用材料、エッチングレジスト用材料、めっきレジスト用材料、又は液晶封止用材料等として使用することで、耐熱性、密着性及び電気絶縁性等に優れた硬化膜を短時間で得ることができる。   Further, the radiation-sensitive composition of the present invention comprises a semiconductor sealing material, a semiconductor underfill material, a circuit substrate material, a planarizing material, a circuit board protecting material, an etching resist material, a plating resist material, Alternatively, by using it as a liquid crystal sealing material or the like, a cured film excellent in heat resistance, adhesion, electrical insulation and the like can be obtained in a short time.

以上説明したように、本発明の感放射線性組成物は、上記[A]〜[C]成分を含んでいることで、高いパターニング性を有するとともに、当該組成物から得られる硬化物は高い透明性、密着性に加え、高屈折性を備えている。更には、本発明の感放射線性組成物は[D]成分の分散剤を含有させることで、塗布性及びポジ型の感放射線特性をさらに高めることができる。従って、本発明の感放射線性組成物から形成されるパターニングされた硬化膜は、高い透明性、密着性に加え、高屈折性を備えているため、液晶表示素子用の各硬化膜、半導体用の各硬化膜、LED用のレンズ等の各材料等として好適に用いることができる。   As described above, the radiation-sensitive composition of the present invention contains the above [A] to [C] components, so that it has high patternability and a cured product obtained from the composition is highly transparent. In addition to adhesiveness and adhesion, it has high refraction. Furthermore, the radiation-sensitive composition of the present invention can further improve coating properties and positive radiation-sensitive characteristics by containing a dispersant of the component [D]. Accordingly, the patterned cured film formed from the radiation-sensitive composition of the present invention has high refraction in addition to high transparency and adhesion, so each cured film for liquid crystal display elements, for semiconductors It can be used suitably as each material etc. of each cured film, LED lens, etc.

さらに、本発明の感放射線性組成物を、半導体封止用材料、半導体アンダーフィル用材料、回路基材用材料、平坦化材料、回路基板保護用材料、エッチングレジスト用材料、めっきレジスト用材料、液晶封止用材料等として使用することで、耐熱性、密着性、及び電気絶縁性等に優れた硬化膜を短時間で得ることができる。   Further, the radiation-sensitive composition of the present invention comprises a semiconductor sealing material, a semiconductor underfill material, a circuit substrate material, a planarizing material, a circuit board protecting material, an etching resist material, a plating resist material, By using it as a liquid crystal sealing material or the like, a cured film excellent in heat resistance, adhesion, electrical insulation and the like can be obtained in a short time.

本発明の感放射線性組成物は、[A]シロキサンポリマー、[B]金属酸化物粒子、[C]感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤を含み、必要に応じて[D]分散剤及びその他の任意成分を含有する。   The radiation-sensitive composition of the present invention contains [A] a siloxane polymer, [B] metal oxide particles, [C] a radiation-sensitive acid generator or a radiation-sensitive base generator, and if necessary, [D] Contains a dispersant and other optional ingredients.

[A]成分:シロキサンポリマー
[A]成分のシロキサンポリマーは、シロキサン結合を有する化合物のポリマーである限りは特に限定されるものではない。この[A]成分は、加水分解縮合し、硬化物を形成する。
[A] component: siloxane polymer The siloxane polymer of the [A] component is not particularly limited as long as it is a polymer of a compound having a siloxane bond. This [A] component hydrolyzes and condenses to form a cured product.

[A]成分のシロキサンポリマーとしては、上記式(1)で示される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることが好ましい。   The siloxane polymer of the component [A] is preferably a hydrolysis condensate of a hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1).

本願における加水分解性シラン化合物とは、通常、無触媒、過剰の水の共存下、室温(約25℃)〜約100℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解してシラノール基を生成することができる基、又は、シロキサン縮合物を形成することができる「加水分解性の基」を有する化合物を指す。また、「非加水分解性の基」とは、そのような加水分解条件下で、加水分解又は縮合を起こさず、安定に存在する基を指す。   The hydrolyzable silane compound in the present application is usually hydrolyzed to form a silanol group by heating in the temperature range of room temperature (about 25 ° C.) to about 100 ° C. in the presence of a catalyst and excess water. Or a compound having a “hydrolyzable group” capable of forming a siloxane condensate. Further, the “non-hydrolyzable group” refers to a group that does not cause hydrolysis or condensation and exists stably under such hydrolysis conditions.

上記式(1)で示される加水分解性シラン化合物の加水分解反応においては、一部の加水分解性基が未加水分解の状態で残っていてもよい。また、ここで言う「加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物」は、加水分解されたシラン化合物の一部のシラノール基同士が反応・縮合した加水分解縮合物を意味する。   In the hydrolysis reaction of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1), some hydrolyzable groups may remain in an unhydrolyzed state. The “hydrolyzable condensate of hydrolyzable silane compound” referred to here means a hydrolyzed condensate obtained by reacting and condensing some silanol groups of the hydrolyzed silane compound.

上記Rで表される炭素数が1〜20である非加水分解性の有機基としては、炭素数1〜20の無置換、もしくはビニル基、(メタ)アクリロイル基又はエポキシ基で1個以上置換されたアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基等が挙げられる。これらは、直鎖状、分岐状、又は環状であってよく、同一分子内に複数のRが存在するときはこれらの組み合わせであってもよい。また、Rは、ヘテロ原子を有する構造単位を含んでいてもよい。そのような構造単位としては、例えばエーテル、エステル、スルフィド等が挙げられる。 As the non-hydrolyzable organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 , one or more unsubstituted, vinyl, (meth) acryloyl or epoxy groups having 1 to 20 carbon atoms are used. Examples include substituted alkyl groups, aryl groups having 6 to 20 carbon atoms, and aralkyl groups having 7 to 20 carbon atoms. These may be linear, branched, or cyclic, and when a plurality of R 1 are present in the same molecule, a combination thereof may be used. R 1 may include a structural unit having a hetero atom. Examples of such a structural unit include ether, ester, sulfide and the like.

上記Rで表される基としては、加水分解の容易性の観点から、水素又は炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、水素、メチル基又はエチル基が特に好ましい。 The group represented by R 2 is preferably hydrogen or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably hydrogen, a methyl group, or an ethyl group, from the viewpoint of ease of hydrolysis.

また、添え字nは0〜3の整数であるが、より好ましくは0〜2の整数であり、特に好ましくは0又は1であり、最も好ましくは1である。nが0〜2の整数である場合には、加水分解・縮合反応の進行がより容易となり、その結果、[A]成分の硬化反応の速度がさらに大きくなり、ひいては当該組成物の現像後の加熱工程における耐メルトフロー性を向上させることができる。   The subscript n is an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, particularly preferably 0 or 1, and most preferably 1. When n is an integer of 0 to 2, the hydrolysis / condensation reaction proceeds more easily, and as a result, the rate of the curing reaction of the component [A] is further increased. Melt flow resistance in the heating process can be improved.

上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物としては、4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、2個の非加水分解性基と2個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、3個の非加水分解性基と1個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、又はそれらの混合物を挙げることができる。   The hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1) is a silane compound substituted with four hydrolyzable groups, substituted with one non-hydrolyzable group and three hydrolyzable groups. Silane compound substituted with two non-hydrolyzable groups and two hydrolyzable groups, substituted with three non-hydrolyzable groups and one hydrolyzable group Mention may be made of silane compounds or mixtures thereof.

このような上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の具体例としては、
4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラベンジロキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン等;
1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−i−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−i−プロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロポキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等;
2個の非加水分解性基と2個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン等;
3個の非加水分解性基と1個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、トリブチルメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリブチルエトキシシラン等をそれぞれ挙げることができる。
As a specific example of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1),
Examples of the silane compound substituted with four hydrolyzable groups include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, tetraphenoxysilane, tetrabenzyloxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, etc. ;
As a silane compound substituted with one non-hydrolyzable group and three hydrolyzable groups, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, ethyltrimethoxy Silane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-i-propoxysilane, ethyltributoxysilane, butyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltri-n-propoxysilane 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypro Le trimethoxysilane, .gamma.-glycidoxypropyl triethoxy silane, beta-(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane and the like;
As a silane compound substituted with two non-hydrolyzable groups and two hydrolyzable groups, dimethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, dibutyldimethoxysilane and the like;
Examples of the silane compound substituted with three non-hydrolyzable groups and one hydrolyzable group include tributylmethoxysilane, trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, tributylethoxysilane, and the like.

これらの上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物のうち、4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物(n=0)、及び1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物(n=1)が好ましく、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物(n=1)が特に好ましい。この好ましい加水分解性シラン化合物の具体例としては、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−i−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランが挙げられる。このような加水分解性シラン化合物は、一種単独で使用しても、又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。   Of these hydrolyzable silane compounds represented by the above formula (1), silane compounds substituted with four hydrolyzable groups (n = 0), one non-hydrolyzable group and three A silane compound (n = 1) substituted with one hydrolyzable group is preferred, and a silane compound (n = 1) substituted with one non-hydrolyzable group and three hydrolyzable groups is particularly preferred. preferable. Specific examples of this preferred hydrolyzable silane compound include tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, phenyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyl Examples include triethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltributoxysilane, butyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 3-methacryloxypropyltriethoxysilane. . Such hydrolyzable silane compounds may be used alone or in combination of two or more.

上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物を加水分解・縮合させる条件は、上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の少なくとも一部を加水分解して、加水分解性基をシラノール基に変換し、縮合反応を起こさせるものである限り、特に限定されるものではないが、一例として以下のように実施することができる。   The conditions for hydrolyzing and condensing the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1) are hydrolyzable by hydrolyzing at least a part of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1). Although it does not specifically limit as long as it converts a group into a silanol group and causes a condensation reaction, it can implement as follows as an example.

上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に用いられる水は、逆浸透膜処理、イオン交換処理、蒸留等の方法により精製された水を使用することが好ましい。このような精製水を用いることによって、副反応を抑制し、加水分解の反応性を向上させることができる。水の使用量は、上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解性基(−OR)の合計量1モルに対して、好ましくは0.1〜3モル、より好ましくは0.3〜2モル、さらに好ましくは0.5〜1.5モルの量である。このような量の水を用いることによって、加水分解・縮合の反応速度を最適化することができる。 The water used for hydrolysis / condensation of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1) is preferably water purified by a method such as reverse osmosis membrane treatment, ion exchange treatment or distillation. By using such purified water, side reactions can be suppressed and the reactivity of hydrolysis can be improved. The amount of water used is preferably from 0.1 to 3 mol, more preferably from 1 mol of the total amount of hydrolyzable groups (—OR 2 ) of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1). Is an amount of 0.3-2 mol, more preferably 0.5-1.5 mol. By using such an amount of water, the hydrolysis / condensation reaction rate can be optimized.

上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に使用することができる溶剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピオン酸エステル類が挙げられる。これらの溶剤の中でも、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート又は3−メトキシプロピオン酸メチルが、特に好ましい。   The solvent that can be used for hydrolysis / condensation of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1) is not particularly limited, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ether acetate and diethylene glycol dialkyl ether. , Propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and propionic acid esters. Among these solvents, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate or methyl 3-methoxypropionate is particularly preferable.

上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合反応は、好ましくは酸触媒(例えば、塩酸、硫酸、硝酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、リン酸、酸性イオン交換樹脂、各種ルイス酸)、塩基触媒(例えば、アンモニア、1級アミン類、2級アミン類、3級アミン類、ピリジンなどの含窒素化合物;塩基性イオン交換樹脂;水酸化ナトリウムなどの水酸化物;炭酸カリウムなどの炭酸塩;酢酸ナトリウムなどのカルボン酸塩;各種ルイス塩基)、又は、アルコキシド(例えば、ジルコニウムアルコキシド、チタニウムアルコキシド、アルミニウムアルコキシド)等の触媒の存在下で行われる。例えば、アルミニウムアルコキシドとしては、テトラ−i−プロポキシアルミニウムを用いることができる。触媒の使用量としては、加水分解・縮合反応の促進の観点から、加水分解性シラン化合物のモノマー1モルに対して、好ましくは10−6モル以上0.2モル以下であり、より好ましくは0.00001以上0.1モル以下である。 The hydrolysis / condensation reaction of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1) is preferably an acid catalyst (for example, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid, trifluoroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid). , Phosphoric acid, acidic ion exchange resins, various Lewis acids), basic catalysts (eg, nitrogen-containing compounds such as ammonia, primary amines, secondary amines, tertiary amines, pyridine; basic ion exchange resins; water) In the presence of a catalyst such as hydroxide such as sodium oxide; carbonate such as potassium carbonate; carboxylate such as sodium acetate; various Lewis bases] or alkoxide (eg, zirconium alkoxide, titanium alkoxide, aluminum alkoxide). Done. For example, tetra-i-propoxyaluminum can be used as the aluminum alkoxide. The amount of the catalyst used is preferably 10 −6 mol or more and 0.2 mol or less, more preferably 0, with respect to 1 mol of the hydrolyzable silane compound monomer from the viewpoint of promoting hydrolysis / condensation reaction. It is 0.0001 or more and 0.1 mol or less.

上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合における反応温度及び反応時間は、適宜に設定される。例えば、下記の条件が採用できる。反応温度は、好ましくは40〜200℃、より好ましくは50〜150℃である。反応時間は、好ましくは30分〜24時間、より好ましくは1〜12時間である。このような反応温度及び反応時間とすることによって、加水分解・縮合反応を最も効率的に行うことができる。この加水分解・縮合においては、反応系内に加水分解性シラン化合物、水及び触媒を一度に添加して反応を一段階で行ってもよく、あるいは、加水分解性シラン化合物、水及び触媒を、数回に分けて反応系内に添加することによって、加水分解及び縮合反応を多段階で行ってもよい。なお、加水分解・縮合反応の後には、脱水剤を加え、次いでエバポレーションにかけることによって、水及び生成したアルコールを反応系から除去することができる。   The reaction temperature and reaction time in hydrolysis / condensation of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1) are appropriately set. For example, the following conditions can be adopted. The reaction temperature is preferably 40 to 200 ° C, more preferably 50 to 150 ° C. The reaction time is preferably 30 minutes to 24 hours, more preferably 1 to 12 hours. By setting such reaction temperature and reaction time, the hydrolysis / condensation reaction can be performed most efficiently. In this hydrolysis / condensation, the reaction may be carried out in one step by adding a hydrolyzable silane compound, water and a catalyst to the reaction system at one time. Alternatively, the hydrolyzable silane compound, water and the catalyst may be The hydrolysis and condensation reaction may be performed in multiple stages by adding them into the reaction system in several times. After the hydrolysis / condensation reaction, water and the produced alcohol can be removed from the reaction system by adding a dehydrating agent and then subjecting it to evaporation.

上記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物の分子量は、移動相にテトラヒドロフランを使用したGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)を用い、ポリスチレン換算の数平均分子量として測定することができる。そして、加水分解縮合物の数平均分子量は、通常500〜10000の範囲内の値とするのが好ましく、1000〜5000の範囲内の値とするのがさらに好ましい。加水分解縮合物の数平均分子量の値を500以上とすることによって、ポジ型感放射線性組成物の塗膜の成膜性を改善することができる。一方、加水分解縮合物の数平均分子量の値を10000以下とすることによって、感放射線性組成物の感放射線性の低下を防止することができる。   The molecular weight of the hydrolysis condensate of the hydrolyzable silane compound represented by the above formula (1) is measured as a number average molecular weight in terms of polystyrene using GPC (gel permeation chromatography) using tetrahydrofuran as a mobile phase. be able to. The number average molecular weight of the hydrolysis-condensation product is usually preferably a value within the range of 500 to 10,000, and more preferably within the range of 1000 to 5000. By setting the value of the number average molecular weight of the hydrolysis-condensation product to 500 or more, the film formability of the coating film of the positive radiation sensitive composition can be improved. On the other hand, the fall of the radiation sensitivity of a radiation sensitive composition can be prevented by making the value of the number average molecular weight of a hydrolysis-condensation product into 10,000 or less.

[B]成分:金属酸化物粒子
[B]成分の金属酸化物粒子は、本発明の組成物中に含有されることで、得られる硬化物の屈折率を向上させることができる。
[B] component: metal oxide particles The metal oxide particles of the [B] component can be contained in the composition of the present invention, whereby the refractive index of the resulting cured product can be improved.

[B]成分の金属酸化物粒子としては、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物粒子であり、この中でもジルコニウム、チタニウム又は亜鉛の酸化物粒子が好ましく、ジルコニウム又はチタニウムの酸化物粒子が特に好ましい。これらは1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、この金属酸化物粒子としては、上記金属の複合酸化物粒子であってもよい。この複合酸化物粒子としては例えば、ATO(antimoy−tin oxide)、ITO(indium−tin oxide)、IZO(indium−zinc oxide)等が挙げられる。これらの金属酸化物粒子としては、市販のもの、例えば、シーアイ化成(株) ナノテック等を使用することができる。   [B] The metal oxide particles of the component are oxide particles of at least one metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, titanium, zinc, indium, tin, antimony and cerium. Among these, zirconium, titanium or Zinc oxide particles are preferred, and zirconium or titanium oxide particles are particularly preferred. These can be used alone or in combination of two or more. The metal oxide particles may be composite oxide particles of the above metals. Examples of the composite oxide particles include ATO (antimoy-tin oxide), ITO (indium-tin oxide), and IZO (indium-zinc oxide). As these metal oxide particles, commercially available ones such as Nanotech, CCI Kasei Co., Ltd. can be used.

[B]成分の金属酸化物粒子として上記種類の粒子を用いることで、当該感放射線性組成物は、高いパターニング性を有するポジ型の感放射線性特性を発揮することができる。上記種類の金属酸化物粒子を用いることで、ポジ型の感放射線特性を有する理由は定かではないが、例えば、紫外線等の放射線の照射によって上記の金属酸化物粒子の表面が光触媒的に作用し、金属酸化物粒子を覆う[A]成分のシロキサンポリマー等が分解を起こし組成物が溶融するためなどが考えられる。   By using the above-mentioned types of particles as the metal oxide particles of the component [B], the radiation sensitive composition can exhibit positive radiation sensitive characteristics having high patterning properties. The reason for having positive radiation sensitive characteristics by using the above-mentioned types of metal oxide particles is not clear, but for example, the surface of the metal oxide particles acts as a photocatalyst upon irradiation with radiation such as ultraviolet rays. It is conceivable that the [A] component siloxane polymer covering the metal oxide particles is decomposed and the composition is melted.

また、上記の好ましい酸化物粒子(ジルコニウム、チタニウム、及び亜鉛)を用いた際にポジ型のパターニング性がさらに高まる理由としては定かではないが、これらの金属酸化物の光触媒能の高さが影響すると考えられる。また、特に好ましい金属として、ジルコニウムやチタニウムを用いた場合は、さらに高い屈折率を得ることができ、また、ポジ型のパターニング性を高めることができる。ジルコニウムやチタニウムを用いることで更に屈折率が高まる理由としては定かではないが、電気陰性度の低さから、粒子内の分極が高く、その結果、屈折率が向上することなどが考えられる。従って、[B]成分の金属酸化物粒子としては、電気陰性度1.7以下の金属の酸化物粒子が好ましく、電気陰性度1.6以下の金属の酸化物粒子が特に好ましい。なお、この電気陰性度はポーリングの値を用いることとする。   In addition, the reason why the positive patterning property is further enhanced when the above-mentioned preferable oxide particles (zirconium, titanium, and zinc) are used is not clear, but the high photocatalytic ability of these metal oxides has an influence. I think that. In addition, when zirconium or titanium is used as a particularly preferable metal, a higher refractive index can be obtained, and positive patterning property can be enhanced. The reason why the refractive index is further increased by using zirconium or titanium is not clear, but due to the low electronegativity, the polarization in the particles is high, and as a result, the refractive index can be improved. Therefore, the metal oxide particles of the component [B] are preferably metal oxide particles having an electronegativity of 1.7 or less, and particularly preferably metal oxide particles having an electronegativity of 1.6 or less. The electronegativity is a polling value.

当該金属酸化物粒子の形状は、特に限定されず、球状でも不定形のものでもよく、中空粒子、多孔質粒子、コア・シェル型粒子等であっても構わない。また、動的光散乱法で求めた当該金属酸化物粒子の数平均粒子径は5nm以上200nm以下が好ましく、5nm以上100nm以下がさらに好ましく、10nm以上80nm以下が特に好ましい。当該金属酸化物粒子の数平均粒子径が5nm未満であると、硬化膜の硬度が低下するおそれがあり、200nmを超えると硬化膜のヘイズが高くなるおそれがある。   The shape of the metal oxide particles is not particularly limited, and may be spherical or indefinite, and may be hollow particles, porous particles, core / shell particles, or the like. The number average particle diameter of the metal oxide particles determined by the dynamic light scattering method is preferably 5 nm to 200 nm, more preferably 5 nm to 100 nm, and particularly preferably 10 nm to 80 nm. If the number average particle diameter of the metal oxide particles is less than 5 nm, the hardness of the cured film may be reduced, and if it exceeds 200 nm, the haze of the cured film may be increased.

当該金属酸化物粒子の配合量としては、特に限定されないが、[A]成分のシロキサンポリマー100質量部に対して、0.1質量部位上50質量部以下が好ましく、1質量部以上20質量部以下が特に好ましい。金属酸化物粒子の配合量が0.1質量部以下であると、得られる硬化物の屈折率向上性が高くない。逆に、金属酸化物粒子の配合量が100質量部を超えると塗布性が低下し、また、得られる硬化膜のヘイズが高くなるおそれがある。   Although it does not specifically limit as a compounding quantity of the said metal oxide particle, 50 mass parts or less are preferable on a 0.1 mass site | part with respect to 100 mass parts of [A] component siloxane polymers, 1 mass part or more and 20 mass parts The following are particularly preferred: The refractive index improvement property of the hardened | cured material obtained as the compounding quantity of a metal oxide particle is 0.1 mass part or less is not high. On the contrary, when the compounding amount of the metal oxide particles exceeds 100 parts by mass, the applicability is lowered, and the haze of the obtained cured film may be increased.

当該金属酸化物粒子の比表面積(窒素を用いたBET比表面積測定法による)は、10m/g以上1000m/g以下が好ましく、100m/g以上500m/g以下がさらに好ましい。当該金属酸化物粒子の比表面積が上記範囲であることで、上記光触媒的な作用が効果的に発現し、さらに高い所望の感放射線特性が発揮される。 The specific surface area of the metal oxide particles (by the BET specific surface area measurement method using nitrogen) is preferably 10 m 2 / g or more and 1000 m 2 / g or less, and more preferably 100 m 2 / g or more and 500 m 2 / g or less. When the specific surface area of the metal oxide particles is in the above range, the photocatalytic action is effectively exhibited, and higher desired radiation sensitive characteristics are exhibited.

[C]成分:感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤
[C]成分の感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤は、放射線を照射することにより、[A]成分のシロキサンポリマーを縮合・硬化反応させる際の触媒として作用する酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出することができる化合物と定義される。なお、[C]成分を分解し、酸性活性物質のカチオン又は塩基性活性物質のアニオンを発生するために照射する放射線としては、可視光、紫外線、赤外線、X線、α線、β線、γ線等を挙げることができる。これらの放射線の中でも、一定のエネルギーレベルを有し、大きな硬化速度を達成可能であり、しかも照射装置が比較的安価かつ小型であることから、紫外線を使用することが好ましい。
Component [C]: Radiation sensitive acid generator or radiation sensitive base generator [C] The radiation sensitive acid generator or radiation sensitive base generator of component [A] It is defined as a compound capable of releasing an acidic active substance or a basic active substance that acts as a catalyst in the condensation / curing reaction of a siloxane polymer. The radiation irradiated to decompose the component [C] and generate a cation of an acidic active substance or an anion of a basic active substance includes visible light, ultraviolet rays, infrared rays, X-rays, α rays, β rays, γ A line etc. can be mentioned. Among these radiations, it is preferable to use ultraviolet rays because they have a constant energy level, can achieve a high curing rate, and the irradiation device is relatively inexpensive and small.

なお、当該感放射線性組成物によれば、[B]成分の金属酸化物粒子として上記のものを用いることで、[C]成分の感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤として特定のものを用いることなく、ポジ型の高いパターニング性を発揮することができる。特に、通常、ポジ型のポリシロキサン型感放射線性組成物としては、酸発生剤として、キノンジアジド化合物が多用されるが、当該感放射線性組成物によれば、上述のように[B]成分の金属酸化物粒子として所定のものを用いることで、[C]成分の感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤を特定のものを用いることなく、ポジ型の高いパターニング性を発揮させることができる。   In addition, according to the said radiation sensitive composition, it specified as a radiation sensitive acid generator or a radiation sensitive base generator of a [C] component by using the said thing as a metal oxide particle of a [B] component. The positive patterning property can be exhibited without using any of those. In particular, as a positive polysiloxane-type radiation-sensitive composition, a quinonediazide compound is often used as an acid generator. According to the radiation-sensitive composition, the component [B] is used as described above. By using a predetermined metal oxide particle, positive type high patterning property can be exhibited without using a specific [C] component radiation sensitive acid generator or radiation sensitive base generator. Can do.

[C]成分の感放射線性酸発生剤としては、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等のオニウム塩、スルホンイミド化合物が挙げられる。なお、キノンジアジド化合物も放射線によりカルボン酸を発生する感放射線性酸発生剤である。しかし、発生する酸が酸性度の低いカルボン酸であり、縮合・硬化反応させる際の触媒としては十分ではない。従って、[C]成分の感放射線性酸発生剤としては、キノンジアジド化合物以外であることが好ましい。   As the radiation sensitive acid generator of component [C], diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, ammonium salt, phosphonium salt, onium salt such as tetrahydrothiophenium salt, sulfonimide Compounds. The quinonediazide compound is also a radiation sensitive acid generator that generates carboxylic acid by radiation. However, the acid generated is a carboxylic acid having a low acidity, which is not sufficient as a catalyst for the condensation / curing reaction. Therefore, the radiation sensitive acid generator of the [C] component is preferably other than the quinonediazide compound.

ジフェニルヨードニウム塩の例としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。   Examples of diphenyliodonium salts include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, diphenyl Iodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarce Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluorometa Examples include sulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, and the like. .

トリフェニルスルホニウム塩の例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。   Examples of triphenylsulfonium salts include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenyl Examples include sulfonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.

スルホニウム塩の例としては、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等を挙げることができる。   Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts and the like.

これらのスルホニウム塩としては、
アルキルスルホニウム塩として、例えば4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等;
ベンジルスルホニウム塩として、例えばベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等;
ジベンジルスルホニウム塩として、例えばジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等;
置換ベンジルスルホニウム塩として、例えばp−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等をそれぞれ挙げることができる。
As these sulfonium salts,
Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- ( Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, etc .;
Examples of benzylsulfonium salts include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and benzyl-4-methoxyphenylmethyl. Sulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethyl Sulfonium hexafluorophosphate, etc .;
Examples of dibenzylsulfonium salts include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyl dibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexa Fluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4 -Hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like;
Examples of substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium. Hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro Examples include -4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

ベンゾチアゾニウム塩の例としては、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of benzothiazonium salts include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p-methoxy Benzyl) benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like.

テトラヒドロチオフェニウム塩の例としては、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。   Examples of tetrahydrothiophenium salts include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium Nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1,2,2-tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-Butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2, 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydro Ofenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1 -Naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and the like.

スルホンイミド化合物の例としては、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−101」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド(商品名「PI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−100」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−101」(みどり化学(株)製))、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−105」(みどり化学(株)製))、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−109」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−106」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−101」(みどり化学(株)製))、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−100」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−109」(みどり化学(株)製))、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−1004」(みどり化学(株)製))、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミドなどが挙げられる。   Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-”). 106 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide (trade name" SI-101 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenyl) Sulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide N- (2-fluoropheny Sulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide (trade name “PI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy ) Diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyl) Oxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) ) Bishik [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-101” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2. 2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (nonafluorobutanesulfonyloxy) bicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-106” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- 5- Ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4- Methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept -5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- ( 2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4- (Luorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- ( Camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- , 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- ( Trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide (trade name “NAI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyimide (trade name “NAI-106” (Midori Chemical) N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-101” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (Trade name “NAI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenol) Nylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyl Imido, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (propylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-1004” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (pentylsulfonyloxy) na Tildicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyldi Examples thereof include carboxylimide.

これらの感放射線性酸発生剤の中でも、感放射線性組成物の放射線感度及び得られる硬化物の密着性の向上の観点から、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、スルホンイミド化合物が好ましく用いられる。この中でも特に、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミドが好ましく用いられる。   Among these radiation-sensitive acid generators, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, tetrahydrothiophene are used from the viewpoint of improving the radiation sensitivity of the radiation-sensitive composition and the adhesion of the resulting cured product. Nilium salts and sulfonimide compounds are preferably used. Among these, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium Hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexa Fluorophosphate, 1- (4-n-butoxynaphtha N-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide Preferably used.

感放射線性塩基発生剤の例としては、コバルトなど遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジルカルバメート類、アシルオキシイミノ類などを挙げることができる。   Examples of the radiation sensitive base generator include transition metal complexes such as cobalt, orthonitrobenzyl carbamates, α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl carbamates, acyloxyiminos and the like.

遷移金属錯体の例としては、ブロモペンタアンモニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプロピルアミンコバルト過塩素酸塩などが挙げられる。   Examples of transition metal complexes include bromopentammonium cobalt perchlorate, bromopentamethylamine cobalt perchlorate, bromopentapropylamine cobalt perchlorate, hexaammonium cobalt perchlorate, hexamethylamine cobalt perchlorate. Examples include chlorate and hexapropylamine cobalt perchlorate.

オルトニトロベンジルカルバメート類の例としては、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]メチルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]プロピルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]アニリン、[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ピペリジン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]フェニレンジアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]トルエンジアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ジアミノジフェニルメタン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ピペラジン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]メチルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]プロピルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]アニリン、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ピペリジン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]フェニレンジアミン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]トルエンジアミン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ジアミノジフェニルメタン、ビス[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ピペラジンなどが挙げられる。   Examples of orthonitrobenzyl carbamates include [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] methylamine, [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] propylamine, [[(2-nitrobenzyl) oxy]. Carbonyl] hexylamine, [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] aniline, [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] piperidine, bis [ [(2-Nitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexamethylenediamine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] phenylenediamine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] toluenediamine, bis [[ (2-Nitrobenzyl) oxy] ca Bonyl] diaminodiphenylmethane, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] piperazine, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] methylamine, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl ] Propylamine, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexylamine, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] Carbonyl] aniline, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] piperidine, bis [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexamethylenediamine, bis [[(2,6-dinitrobenzyl) Oxy] carbonyl] phenylenediamine, bis [[( , 6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] toluenediamine, bis [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] diaminodiphenylmethane, bis [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] piperazine and the like. It is done.

α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジルカルバメート類の例としては、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]メチルアミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]プロピルアミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキシルアミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]アニリン、[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]ピペリジン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]フェニレンジアミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]トルエンジアミン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]ジアミノジフェニルメタン、ビス[[(α,α−ジメチル−3,5−ジメトキシベンジル)オキシ]カルボニル]ピペラジンなどが挙げられる。   Examples of α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl carbamates include [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] methylamine, [[(α, α-dimethyl. −3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] propylamine, [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] hexylamine, [[(α, α-dimethyl-3,5 -Dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] aniline, [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy ] Carbonyl] piperidine, bis [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] hexa Tylenediamine, bis [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] phenylenediamine, bis [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] toluenediamine Bis [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] diaminodiphenylmethane, bis [[(α, α-dimethyl-3,5-dimethoxybenzyl) oxy] carbonyl] piperazine, and the like. It is done.

アシルオキシイミノ類の例としては、プロピオニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオキシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセトフェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、アクロイルアセトンオキシムなどが挙げられる。   Examples of acyloxyiminos include propionyl acetophenone oxime, propionyl benzophenone oxime, propionyl acetone oxime, butyryl acetophenone oxime, butyryl benzophenone oxime, butyryl acetone oxime, adipoyl acetophenone oxime, adipoyl benzophenone oxime, adipoyl Acetone oxime, acryloyl acetophenone oxime, acryloyl benzophenone oxime, acryloyl acetone oxime and the like can be mentioned.

感放射線性塩基発生剤のその他の例としては、2−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、O−カルバモイルヒドロキシアミド、O−カルバモイルヒドロキシアミド等があげられる。   Other examples of the radiation sensitive base generator include 2-nitrobenzylcyclohexyl carbamate, O-carbamoylhydroxyamide, O-carbamoylhydroxyamide and the like.

[C]成分の感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤は、酸又は塩基のいずれかが使用され、1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。[C]成分の使用量は、[A]成分100質量部に対して、好ましくは0.1質量部以上20質量部以下、更に好ましくは1質量部以上10質量部以下である。[C]成分の使用量を0.1質量部以上20質量部以下とすることによって、放射線感度、及び形成される硬化物の密着性のバランスが良い、優れた感放射線性組成物を得ることができ、また、塗膜の形成工程において析出物の発生を防止し、塗膜形成を容易にすることが可能となる。   As the radiation-sensitive acid generator or radiation-sensitive base generator of component [C], either an acid or a base is used, and one kind may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used. May be. The amount of component [C] used is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, relative to 100 parts by weight of component [A]. Obtaining an excellent radiation-sensitive composition having a good balance of radiation sensitivity and adhesion of the cured product formed by setting the amount of the component [C] to be 0.1 to 20 parts by mass. In addition, it is possible to prevent the formation of precipitates in the coating film forming step and facilitate the formation of the coating film.

[D]成分:分散剤
本発明の感放射線性組成物には、[A]〜[C]成分に加え、[D]分散剤を含有させることが好ましい。当該感放射線性組成物は、[D]分散剤をさらに含有することにより均一に[B]金属酸化物粒子を分散させ、塗布性を高めることができ、得られる硬化膜の密着性を高め、屈折率を偏り無く一様に高めることができる。
[D] Component: Dispersant The radiation-sensitive composition of the present invention preferably contains a [D] dispersant in addition to the [A] to [C] components. The radiation-sensitive composition can further disperse [B] metal oxide particles by further containing [D] a dispersant, thereby improving the coating property, and improving the adhesion of the resulting cured film, The refractive index can be increased uniformly without bias.

[D]成分の分散剤としては、ノニオン系分散剤、カチオン系分散剤、アニオン系分散剤等を挙げることができるが、ポジ型の感放射線特性及びパターニング性の向上の観点からは、ノニオン系分散剤が好ましい。当該感放射線性組成物が[D]成分の分散剤としてノニオン系分散剤を用いることで、ポジ型の感放射線特性及びパターニング性が向上する理由は定かではないが、例えば以下のことが考えられる。ノニオン系分散剤は、分極している共有結合部分を備える。[B]成分の金属酸化物粒子は、ノニオン系分散剤の分極している共有結合部分が、放射線及び金属酸化物の光触媒的作用によって切れやすいため、放射線の照射の際にポジ型として組成物の露光部分が溶融し、高いパターニング性を示すと考えられる。   Examples of the dispersant for the component [D] include nonionic dispersants, cationic dispersants, anionic dispersants, etc. From the viewpoint of improving positive radiation sensitivity and patterning properties, nonionic dispersants A dispersant is preferred. The reason why the radiation-sensitive composition improves the positive radiation-sensitive characteristics and patterning properties by using a nonionic dispersant as a dispersant for the component [D] is not clear, but the following may be considered, for example. . Nonionic dispersants include a covalently bonded moiety that is polarized. [B] The metal oxide particles of the component are composed of a positive-type composition when irradiated with radiation because the polarized covalent bond portion of the nonionic dispersant is easily cut by the photocatalytic action of the radiation and metal oxide. It is considered that the exposed portion of the film melts and exhibits high patterning properties.

このノニオン系分散剤としては、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、高分子量ポリカルボン酸のアミドアミン塩、エチレンジアミンPO−EO縮合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、アルキルグルコシド、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル又は脂肪酸アルカノールアミドであることが好ましい。   As this nonionic dispersant, polyoxyethylene alkyl phosphate ester, amide amine salt of high molecular weight polycarboxylic acid, ethylenediamine PO-EO condensate, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenol ether, alkyl glucoside, polyoxyethylene Fatty acid esters, sucrose fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters or fatty acid alkanolamides are preferred.

ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステルとしては、上記式(2)で表されるものが好ましい。上記式(2)で表される分散剤の市販品としては、楠本化成(株)製PLAAD ED151等が挙げられる。当該ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステルによれば、金属酸化物粒子の均一分散性をさらに向上させることができる。   As a polyoxyethylene alkyl phosphate ester, what is represented by the said Formula (2) is preferable. As a commercial item of the dispersant represented by the above formula (2), PLAAD ED151 manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd. and the like can be mentioned. According to the polyoxyethylene alkyl phosphate ester, the uniform dispersibility of the metal oxide particles can be further improved.

高分子量ポリカルボン酸のアミドアミン塩としては、上記式(3)で表されるものが好ましい。上記式(3)で表される分散剤の市販品としては、楠本化成(株)製PLAAD ED211等が挙げられる。当該高分子量ポリカルボン酸のアミドアミン塩によっても金属酸化物粒子の均一分散性をさらに向上させることができる。   As an amide amine salt of high molecular weight polycarboxylic acid, what is represented by the said Formula (3) is preferable. As a commercial item of the dispersant represented by the above formula (3), PLAAD ED211 manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd. may be mentioned. The uniform dispersibility of the metal oxide particles can be further improved by the amide amine salt of the high molecular weight polycarboxylic acid.

エチレンジアミンPO−EO縮合物としては上記式(4)で表されるものが好ましい。上記式(4)で表される分散剤の市販品としては、旭電化工業(株)製アデカプルロニックTR−701、TR−702、TR−704等が挙げられる。当該エチレンジアミンPO−EO縮合物によっても、金属酸化物粒子の均一分散性をさらに向上させることができる。   The ethylenediamine PO-EO condensate is preferably represented by the above formula (4). As a commercial item of the dispersant represented by the above formula (4), Adeka Pluronic TR-701, TR-702, TR-704, etc. manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd. may be mentioned. Even with the ethylenediamine PO-EO condensate, the uniform dispersibility of the metal oxide particles can be further improved.

ポリオキシエチレンアルキルエーテルとしては、下記式(5)で表されるものが好ましい。   As polyoxyethylene alkyl ether, what is represented by following formula (5) is preferable.

Figure 0005540689
(式(5)中、Rは炭素数1〜20のアルキル基である。vは10〜300の整数である。)Rとしては、炭素数1〜12にアルキル基が特に好ましい。上記式(5)で表される分散剤の市販品としては、アデカ(株)製アデカトールTN/SO/UAシリーズ等が挙げられる。
Figure 0005540689
(In the formula (5), R 4 is .v an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is an integer of 10 to 300.) As R 4 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. As a commercial item of a dispersing agent denoted by the above-mentioned formula (5), Adeka Co., Ltd. Adekatol TN / SO / UA series etc. are mentioned.

ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテルとしては、下記式(6)で表されるものが好ましい。   As polyoxyethylene alkylphenol ether, what is represented by following formula (6) is preferable.

Figure 0005540689
(式(6)中、Rは炭素数1〜12のアルキル基である。wは10〜300の整数である。)上記式(6)で表される分散剤の市販品としては、アデカ(株)製アデカトールSP/PCシリーズ等が挙げられる。
Figure 0005540689
(In formula (6), R 5 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. W is an integer of 10 to 300.) As a commercial product of the dispersant represented by the above formula (6), ADEKA Examples include Adecatol SP / PC series manufactured by Co., Ltd.

アルキルグルコシドとしては、下記式(7)で表されるものが好ましい。   As alkyl glucoside, what is represented by following formula (7) is preferable.

Figure 0005540689
(式(7)中、R、R、R、R及びR10は、各々独立して、水素又は炭素数1〜12のアルキル基である。)
Figure 0005540689
(In formula (7), R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.)

ポリオキシエチレン脂肪酸エステルとしては下記式(8)で表されるものが好ましい。   As polyoxyethylene fatty acid ester, what is represented by following formula (8) is preferable.

Figure 0005540689
(式(8)中、R11は、炭素数1〜20のアルキル基である。R12は、水素又は炭素数2〜13のアシル基である。yは10〜300の整数である。)R11としては、炭素数1〜12のアルキル基が特に好ましい。上記式(8)で表される分散剤の市販品としては、アデカ(株)製アデカエストールOEGシリーズ、アデカエストールTLシリーズ等が挙げられる。
Figure 0005540689
(In Formula (8), R 11 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. R 12 is hydrogen or an acyl group having 2 to 13 carbon atoms. Y is an integer of 10 to 300.) R 11 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. As a commercial item of the dispersing agent represented by the said Formula (8), Adeka Co., Ltd. Adeka Estor OEG series, Adeka Estor TL series, etc. are mentioned.

ショ糖脂肪酸エステルとしては、下記式(9)で表されるものが好ましい。   As a sucrose fatty acid ester, what is represented by following formula (9) is preferable.

Figure 0005540689
(式(9)中、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19及びR20は各々独立して、水素又は炭素数2〜13のアシル基である。)
Figure 0005540689
(In formula (9), R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 and R 20 are each independently hydrogen or an acyl group having 2 to 13 carbon atoms.)

ソルビタン脂肪酸エステルとしては、下記式(10)で表されるものが好ましい。   As sorbitan fatty acid ester, what is represented by following formula (10) is preferable.

Figure 0005540689
(式(10)中、R21は、−(CHCHO)−Hで表される基である。zは、10〜300の整数である。)上記式(10)で表される分散剤の市販品としては、アデカ(株)製アデカエストールSシリーズ等が挙げられる。
Figure 0005540689
(In formula (10), R 21 is a group represented by — (CH 2 CH 2 O) z —H. Z is an integer of 10 to 300.) Examples of commercially available dispersants include ADEKA ESTOR S series manufactured by ADEKA Corporation.

ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルとしては、下記式(11)で表されるものが好ましい。   As polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, what is represented by following formula (11) is preferable.

Figure 0005540689
(式(11)中、R22、R23、R24は、各々独立して、水素又は−(CHCHO)−Hで表される基である。kは、10〜300の整数である。)
Figure 0005540689
(In the formula (11), R 22, R 23, R 24 are each independently hydrogen or - is (CH 2 CH 2 O) groups represented by k -H .k, 10 to 300 (It is an integer.)

脂肪酸アルカノールアミドとしては、下記式(12)で表されるものが好ましい。   As fatty acid alkanolamide, what is represented by following formula (12) is preferable.

Figure 0005540689
(式(12)中、R25は、炭素数1〜20のアルキル基である。)R25としては、炭素数1〜12のアルキル基が特に好ましい。上記式(12)で表される分散剤の市販品としては、アデカ(株)製アデカソールシリーズ等が挙げられる。
Figure 0005540689
(In the formula (12), R 25 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.) As R 25 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Examples of commercially available dispersants represented by the above formula (12) include Adekasol series manufactured by Adeka Corporation.

[D]成分の分散剤の配合量としては、特に限定されないが、[B]成分の金属酸化物粒子100質量部に対して、0.1質量部以上100質量部以下が好ましく、10質量部以上60質量部以下がさらに好ましい。[D]成分の分散剤の配合量が0.1質量部より小さいと、金属粒子の分散性が低下することによる組成物の塗布性が低下するとともに、パターニング性が低下するおそれがある。逆にこの配合量が100質量部を超えると、ポジ型の感放射線特性が低下するおそれがある。また、分散剤の配合が多すぎることによって、得られる硬化物の密着性が低下するおそれがある。   The blending amount of the component [D] dispersant is not particularly limited, but is preferably 0.1 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, and 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal oxide particles of the [B] component. More preferred is 60 parts by mass or less. When the blending amount of the dispersant of the component [D] is less than 0.1 parts by mass, the applicability of the composition due to the decrease in the dispersibility of the metal particles is lowered, and the patterning property may be lowered. On the other hand, when the blending amount exceeds 100 parts by mass, the positive radiation sensitive characteristics may be deteriorated. Moreover, there exists a possibility that the adhesiveness of the hardened | cured material obtained may fall because there are too many compounding of a dispersing agent.

その他の任意成分
本発明の感放射線性組成物は、上記の[A]〜[D]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、さらにその他の任意成分として[E]分散媒、[F]界面活性剤等を含有することができる。
Other optional components In addition to the above-mentioned components [A] to [D], the radiation-sensitive composition of the present invention can be used as other optional components as necessary within the range not impairing the effects of the present invention. ] A dispersion medium, [F] surfactant and the like can be contained.

[E]成分:分散媒
[E]成分の分散媒は、[B]成分の金属酸化物粒子を均一に分散可能であれば、特に限定されない。[E]成分の分散媒は、[C]成分のノニオン系分散剤を効果的に機能させ、[B]成分の金属酸化物粒子を均一に分散させることができ、分散媒の種類によっては、その他の[A]成分等の溶媒としても機能する。
[E] Component: Dispersion Medium The dispersion medium of the [E] component is not particularly limited as long as the metal oxide particles of the [B] component can be uniformly dispersed. The dispersion medium of the [E] component can effectively function the nonionic dispersant of the [C] component and can uniformly disperse the metal oxide particles of the [B] component. Depending on the type of the dispersion medium, It also functions as a solvent for other components [A].

分散媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル類;ジメチルフォルムアミド、N,N−ジメチルアセトアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類を用いることができる。中でも、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メタノール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましく、メチルエチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルがより好ましい。分散媒は一種又は二種以上を混合して用いることができる。   Examples of the dispersion medium include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, and octanol; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether acetate; ethylene Ethers such as glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether; Amides such as dimethylformamide, N, N-dimethylacetoacetamide and N-methylpyrrolidone; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and ethylbenzene can be used. Among these, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, benzene, toluene, xylene, methanol, isopropyl alcohol, and propylene glycol monomethyl ether are preferable, and methyl ethyl ketone and propylene glycol monomethyl ether are more preferable. A dispersion medium can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

[E]成分の分散媒の配合量としては、用途に応じて適宜設定できるが、[B]成分の金属酸化物粒子100質量部に対して、100質量部以上100,000質量部以下が好ましく、200質量部以上10,000質量部以下が特に好ましい。   [E] The amount of the dispersion medium of the component can be appropriately set according to the use, but is preferably 100 parts by mass or more and 100,000 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the metal oxide particles of the component [B]. 200 parts by mass or more and 10,000 parts by mass or less is particularly preferable.

[F]成分:界面活性剤
[F]成分の界面活性剤は、感放射線性組成物の塗布性の改善、塗布ムラの低減、放射線照射部の現像性を改良するために添加することができる。なお、この[F]成分の界面活性剤には、[C]成分のノニオン系分散剤は含まれないものとする。好ましい界面活性剤の例としては、フッ素系界面活性剤及びシリコーン系界面活性剤が挙げられる。
[F] Component: Surfactant The surfactant of the [F] component can be added to improve the coating property of the radiation-sensitive composition, reduce coating unevenness, and improve the developability of the radiation irradiated part. . The surfactant of [F] component does not include the nonionic dispersant of [C] component. Examples of preferable surfactants include fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants.

フッ素系界面活性剤としては、例えば1,1,2,2−テトラフルオロオクチル(1,1,2,2−テトラフルオロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロペンチル)エーテル等のフルオロエーテル類;パーフルオロドデシルスルホン酸ナトリウム;1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフルオロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロデカン等のフルオロアルカン類;フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム類;フルオロアルキルオキシエチレンエーテル類;フルオロアルキルアンモニウムヨージド類;フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル類;パーフルオロアルキルポリオキシエタノール類;パーフルオロアルキルアルコキシレート類;フッ素系アルキルエステル類等を挙げることができる。   Examples of the fluorosurfactant include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl hexyl ether, octa Ethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2, , 2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether and other fluoroethers; sodium perfluorododecylsulfonate; 1,1,2, 2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexa Fluoroalkanes such as lurodecane; sodium fluoroalkylbenzenesulfonates; fluoroalkyloxyethylene ethers; fluoroalkylammonium iodides; fluoroalkylpolyoxyethylene ethers; perfluoroalkylpolyoxyethanols; perfluoroalkylalkoxylates And fluorine-based alkyl esters.

これらのフッ素系界面活性剤の市販品としては、エフトップEF301、303、352(新秋田化成(株)製)、メガファックF171、172、173(大日本インキ(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC−101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、FTX−218((株)ネオス製)等を挙げることができる。   Commercially available products of these fluorosurfactants include F-top EF301, 303, 352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), MegaFuck F171, 172, 173 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Florard FC430, 431 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, 102, 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), FTX-218 (manufactured by Neos Co., Ltd.) Etc.

シリコーン系界面活性剤の例としては、市販されている商品名で、SH200−100cs、SH28PA、SH30PA、ST89PA、SH190、SH 8400 FLUID(東レダウコーニングシリコーン(株)製)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)等が挙げられる。   Examples of silicone-based surfactants are commercially available under the trade names SH200-100cs, SH28PA, SH30PA, ST89PA, SH190, SH8400 FLUID (manufactured by Toray Dow Corning Silicone), organosiloxane polymer KP341 (Shin-Etsu) Chemical Industry Co., Ltd.).

[F]界面活性剤を使用する場合の量は、[A]成分100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上10質量部以下、より好ましくは0.05質量部以上5質量部以下である。[F]界面活性剤の使用量を0.01質量部以上10質量部以下とすることによって、感放射線性組成物の塗布性を最適化することができる。   [F] The amount of the surfactant used is preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component [A]. It is as follows. [F] By making the usage-amount of surfactant into 0.01 mass part or more and 10 mass parts or less, the applicability | paintability of a radiation sensitive composition can be optimized.

感放射線性組成物
本発明の感放射線性組成物は、上記の[A]成分のシロキサンポリマー、[B]成分の金属酸化物粒子、[C]成分の感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤、さらに必要に応じて、[D]成分の分散剤、その他の任意成分を所定の割合で混合することで、調製される。通常、当該感放射線性組成物は、[B]成分の金属酸化物粒子と[D]成分の分散剤と、[E]成分の分散媒とを所定の割合で混合し、分散液とした上で、この分散液と、[A]成分のシロキサンポリマー、[C]成分の感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤、さらに必要に応じて任意成分を混合することで、分散液状態の感放射線性組成物を調製することができる。
Radiation sensitive composition The radiation sensitive composition of the present invention comprises the above-mentioned [A] component siloxane polymer, [B] component metal oxide particles, [C] component radiation sensitive acid generator or radiation sensitive. It is prepared by mixing a base generator, and if necessary, a dispersant for the [D] component and other optional components at a predetermined ratio. Usually, the radiation-sensitive composition is prepared by mixing the metal oxide particles of the [B] component, the dispersant of the [D] component, and the dispersion medium of the [E] component at a predetermined ratio to obtain a dispersion. In this dispersion, the siloxane polymer of the [A] component, the radiation sensitive acid generator or the radiation sensitive base generator of the [C] component, and optional components as necessary are mixed to form a dispersion state. The radiation sensitive composition can be prepared.

なお、上記分散液を調整する際の分散は、ペイントシェーカ、SCミル、アニュラー型ミル、ピン型ミル等を用いて通常周速5〜15m/sで、粒径の低下が観察されなくなるまで継続することによって行われるとよい。この継続時間としては、通常数時間である。また、この分散の際に、ガラスビーズ等の分散ビーズを用いることが好ましい。このビーズ径は特に限定されないが、好ましくは0.05〜0.5mm、より好ましくは0.08〜0.5mm、特に好ましくは0.08〜0.2mmである。   Dispersion during the preparation of the above dispersion is usually continued at a peripheral speed of 5 to 15 m / s using a paint shaker, SC mill, annular mill, pin mill, etc. until no decrease in particle size is observed. It is good to be done by doing. This duration is usually several hours. In this dispersion, it is preferable to use dispersed beads such as glass beads. The bead diameter is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 0.5 mm, more preferably 0.08 to 0.5 mm, and particularly preferably 0.08 to 0.2 mm.

硬化膜(液晶表示素子用の保護膜、層間絶縁膜若しくはスペーサー、半導体用の保護膜若しくは層間絶縁膜、又はLED用レンズ材等)の形成
次に、上記の感放射線性組成物を用いて、基板上にパターニングされた透明な硬化膜(液晶表示素子用の保護膜、層間絶縁膜若しくはスペーサー、半導体用の保護膜若しくは層間絶縁膜、又はLED用レンズ材等)を形成する方法について説明する。当該方法は、以下の工程を含む。
Formation of cured film (protective film for liquid crystal display element, interlayer insulating film or spacer, protective film for semiconductor or interlayer insulating film, LED lens material, etc.) Next, using the above radiation sensitive composition, A method for forming a patterned transparent cured film (a protective film for a liquid crystal display element, an interlayer insulating film or a spacer, a semiconductor protective film or an interlayer insulating film, an LED lens material, or the like) on a substrate will be described. The method includes the following steps.

(1)本発明の感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
(1) The process of forming the coating film of the radiation sensitive composition of this invention on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) A step of heating the coating film developed in step (3).

(1)感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程
上記工程(1)において、基板上に本発明の感放射線性組成物を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することにより溶剤を除去して、塗膜を形成する。使用できる基板の例としては、ガラス、石英、シリコン、樹脂等を挙げることができる。樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等を挙げることができる。
(1) Step of forming a coating film of a radiation sensitive composition on a substrate In the step (1), after applying the radiation sensitive composition of the present invention on a substrate, the coated surface is preferably heated (prebaked). By removing the solvent, a coating film is formed. Examples of the substrate that can be used include glass, quartz, silicon, and resin. Specific examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and hydrogenated products thereof.

組成物分散液の塗布方法としては、特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、特にスピンコート法又はスリットダイ塗布法が好ましい。プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、好ましくは70〜120℃で1〜10分間程度とすることができる。   The coating method of the composition dispersion is not particularly limited, and for example, an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, or the like can be adopted. it can. Among these coating methods, a spin coating method or a slit die coating method is particularly preferable. Prebaking conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, and the like, but can be preferably about 70 to 120 ° C. for about 1 to 10 minutes.

(2)塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程
上記工程(2)では、形成された塗膜の少なくとも一部に露光する。この場合、塗膜の一部に露光する際には、通常、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。これらの放射線の中でも、波長が190〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、特に365nmの紫外線を含む放射線が好ましい。
(2) Step of irradiating at least a part of the coating film In the step (2), at least a part of the formed coating film is exposed. In this case, when exposing to a part of coating film, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern. As radiation used for exposure, visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays, and the like can be used, for example. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is particularly preferable.

当該工程における露光量は、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates Inc.製)により測定した値として、好ましくは100〜10,000J/m、より好ましくは500〜6,000J/mである。 The amount of exposure in this step is preferably 100 to 10,000 J / m 2 , more preferably 500 to 500, as a value measured with a luminometer (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.) at a wavelength of 365 nm. 6,000 J / m 2 .

(3)現像工程
上記工程(3)では、露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(ポジ型の場合は、放射線の照射部分。ネガ型の場合は、放射線の非照射部分。)を除去して、所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ(塩基性化合物)の水溶液が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等を挙げることができる。
(3) Development step In the above step (3), the exposed coating film is developed, so that an unnecessary portion (in the case of a positive type, a portion irradiated with radiation. In the case of a negative type, a portion not irradiated with radiation). ) Is removed to form a predetermined pattern. The developer used in the development step is preferably an aqueous solution of an alkali (basic compound). Examples of alkalis include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. be able to.

また、このようなアルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、好ましくは0.1質量%以上5質量%以下とすることができる。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、感放射線性組成物の組成によって異なるが、好ましくは10〜180秒間程度である。このような現像処理に続いて例えば流水洗浄を30〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。   In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant can be added to such an alkaline aqueous solution. The concentration of the alkali in the alkaline aqueous solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. As a developing method, for example, an appropriate method such as a liquid filling method, a dipping method, a rocking dipping method, a shower method, or the like can be used. The development time varies depending on the composition of the radiation-sensitive composition, but is preferably about 10 to 180 seconds. Following such development processing, for example, washing with running water is performed for 30 to 90 seconds, and then a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

(4)加熱工程
上記工程(4)では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を比較的高温で加熱することによって、上記[A]成分の縮合反応を促進し、確実に硬化物を得ることができる。当該工程における加熱温度は、例えば120〜250℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱工程を行う場合には5〜30分間、オーブン中で加熱工程を行う場合には30〜90分間とすることができる。2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする硬化物に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成することができる。
(4) Heating step In the above step (4), the patterned thin film is heated at a relatively high temperature using a heating device such as a hot plate or an oven, thereby promoting the condensation reaction of the above [A] component. A cured product can be obtained. The heating temperature in the said process is 120-250 degreeC, for example. Although heating time changes with kinds of heating apparatus, for example, when performing a heating process on a hotplate, it can be set to 30 to 90 minutes when performing a heating process in an oven. The step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target cured product can be formed on the surface of the substrate.

硬化膜(液晶表示素子用の保護膜、層間絶縁膜若しくはスペーサー、半導体用の保護膜若しくは層間絶縁膜、又はLED用レンズ材等)
このように形成された硬化膜は、透明性が高く、また、高い屈折率を有している。本発明の組成物から得られる硬化膜の屈折率としては、各成分の配合比等によって異なるが、1.5以上、さらには1.6以上の高い値を有している。
Cured film (protective film for liquid crystal display element, interlayer insulating film or spacer, protective film for semiconductor or interlayer insulating film, LED lens material, etc.)
The cured film thus formed has high transparency and a high refractive index. The refractive index of the cured film obtained from the composition of the present invention has a high value of 1.5 or more, and further 1.6 or more, although it varies depending on the blending ratio of each component.

また、このようにパターニング形成された硬化膜は、液晶表示素子用の保護膜、層間絶縁膜若しくはスペーサー、半導体用の保護膜若しくは層間絶縁膜、LED用レンズ材等として好適に用いられる。これらの硬化膜の膜厚としては、好ましくは0.1〜8μm、より好ましくは0.1〜6μm、さらに好ましくは0.1〜4μmである。本発明の感放射線性組成物から形成されたこれらの硬化膜は、下記の実施例からも明らかにされるように透明性及び密着性を備え、かつ高屈折率を有している。   Further, the cured film thus patterned is suitably used as a protective film for a liquid crystal display element, an interlayer insulating film or spacer, a semiconductor protective film or interlayer insulating film, an LED lens material, and the like. The thickness of these cured films is preferably 0.1 to 8 μm, more preferably 0.1 to 6 μm, and still more preferably 0.1 to 4 μm. These cured films formed from the radiation-sensitive composition of the present invention have transparency and adhesion, and have a high refractive index, as will be apparent from the following examples.

また、本発明の感放射線性組成物は、上記のパターニング形成された硬化膜の用途に限らず、例えば、半導体封止用材料、半導体アンダーフィル用材料、回路基材用材料、平坦化材料、回路基板保護用材料、エッチングレジスト用材料、めっきレジスト用材料、又は液晶封止用材料等として使用することができる。これらの硬化膜は、本発明の感放射線性組成物から形成されることで、短時間で得ることができ、また、耐熱性、密着性及び電気絶縁性等に優れている。   The radiation-sensitive composition of the present invention is not limited to the use of the above-described cured film formed by patterning, for example, a semiconductor sealing material, a semiconductor underfill material, a circuit substrate material, a planarizing material, It can be used as a circuit board protecting material, an etching resist material, a plating resist material, or a liquid crystal sealing material. These cured films can be obtained in a short time by being formed from the radiation-sensitive composition of the present invention, and are excellent in heat resistance, adhesion, electrical insulation and the like.

以下に合成例、実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   The present invention will be described more specifically with reference to synthesis examples and examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

以下の合成例から得られた加水分解縮合体の数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)は、下記の仕様によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定した。   The number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) of the hydrolysis-condensation product obtained from the following synthesis examples were measured by gel permeation chromatography (GPC) according to the following specifications.

装置:GPC−101(昭和電工(株)製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804(昭和電工(株)製)を結合したもの
移動相:テトラヒドロフラン
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko KK)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 (manufactured by Showa Denko KK) combined Mobile phase: Tetrahydrofuran

[合成例1]
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル144質量部を仕込み続いて、メチルトリメトキシシラン(MTMS)13質量部、及びγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GPTMS)5質量部、フェニルトリメトキシシラン(PTMS)6質量部を仕込み、溶液温度が60℃になるまで加熱した。溶液温度が60℃に到達後、イオン交換水7質量部を仕込み、75℃になるまで加熱し、3時間保持した。次いで脱水剤としてオルト蟻酸メチル25質量部を加え、1時間攪拌した。さらに溶液温度を40℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、水及び加水分解縮合で発生したアルコールを除去した。以上により、シロキサンポリマー(A−1)を得た。得られた加水分解縮合体の数平均分子量(Mn)は2,500であり、分子量分布(Mw/Mn)は2であった。
[Synthesis Example 1]
In a vessel equipped with a stirrer, 144 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was charged, followed by 13 parts by mass of methyltrimethoxysilane (MTMS), 5 parts by mass of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (GPTMS), phenyltrimethylsilane. 6 parts by mass of methoxysilane (PTMS) was charged and heated until the solution temperature reached 60 ° C. After the solution temperature reached 60 ° C., 7 parts by mass of ion exchange water was charged, heated to 75 ° C., and held for 3 hours. Next, 25 parts by mass of methyl orthoformate was added as a dehydrating agent and stirred for 1 hour. Further, the temperature of the solution was set to 40 ° C., and evaporation was performed while maintaining the temperature, thereby removing water and alcohol generated by hydrolysis condensation. Thus, a siloxane polymer (A-1) was obtained. The number average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolysis-condensation product was 2,500, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.

[合成例2]
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル144質量部を仕込み続いて、メチルトリメトキシシラン(MTMS)13質量部、及びテトラメトキシシラン(TMOS)11質量部を仕込み、溶液温度が60℃になるまで加熱した。溶液温度が60℃に到達後、イオン交換水7質量部を仕込み、75℃になるまで加熱し、3時間保持した。次いで脱水剤としてオルト蟻酸メチル25質量部を加え、1時間攪拌した。さらに溶液温度を40℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、水及び加水分解縮合で発生したアルコールを除去した。以上によりシロキサンポリマー(A−2)を得た。得られた加水分解縮合体の数平均分子量(Mn)は2,500であり、分子量分布(Mw/Mn)は2であった。
[Synthesis Example 2]
In a vessel equipped with a stirrer, 144 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was charged, followed by 13 parts by mass of methyltrimethoxysilane (MTMS) and 11 parts by mass of tetramethoxysilane (TMOS), and the solution temperature reached 60 ° C. Heated until. After the solution temperature reached 60 ° C., 7 parts by mass of ion exchange water was charged, heated to 75 ° C., and held for 3 hours. Next, 25 parts by mass of methyl orthoformate was added as a dehydrating agent and stirred for 1 hour. Further, the temperature of the solution was set to 40 ° C., and evaporation was performed while maintaining the temperature, thereby removing water and alcohol generated by hydrolysis condensation. Thus, a siloxane polymer (A-2) was obtained. The number average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolysis-condensation product was 2,500, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.

感放射線性組成物の調製
[実施例1]
[D]成分の分散剤として(D−1)ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル3質量部、[E]成分の分散媒としてメチルエチルケトン90質量部を混合し、ホモジナイザーで撹拌しながら[B]成分の金属酸化物粒子として(B−1)ジルコニウム酸化物粒子(ZrO粒子)7質量部を約10分間にわたって徐々に加えた。粒子添加後約15分撹拌した。得られたスラリーをSCミルを用いて分散し、分散液を得た。
Preparation of radiation sensitive composition [Example 1]
[D] Component (D-1) 3 parts by weight of polyoxyethylene alkyl phosphate ester as a dispersant, [E] component dispersion medium 90 parts by weight of methyl ethyl ketone are mixed and stirred with a homogenizer. As metal oxide particles, 7 parts by mass of (B-1) zirconium oxide particles (ZrO 2 particles) were gradually added over about 10 minutes. Stir for about 15 minutes after adding the particles. The obtained slurry was dispersed using an SC mill to obtain a dispersion.

[A]成分として合成例で得られたシロキサンポリマーを含む溶液(シロキサンポリマー100質量部(固形分)に相当する量)に、上記分散液100質量部、[C]成分として(C−1)光酸発生剤6質量部、[F]成分として、シリコン系界面活性剤であるSH8400 FLUID(東レダウコーニングシリコーン(株)製)0.3質量部加え、感放射線性組成物を調製した。   In a solution containing the siloxane polymer obtained in the synthesis example as the [A] component (an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the siloxane polymer), 100 parts by mass of the dispersion and (C-1) as the [C] component A radiation-sensitive composition was prepared by adding 6 parts by mass of a photoacid generator and 0.3 parts by mass of SH8400 FLUID (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.), which is a silicon surfactant, as the [F] component.

[実施例2〜18及び比較例1〜4]
[A]〜[F]成分の種類及び量を表1及び表2に記載の通りとした以外は、実施例1と同様にして感放射線性組成物を調製した。なお、表1及び表2中の成分は以下の通りである。
[Examples 2 to 18 and Comparative Examples 1 to 4]
A radiation-sensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts of the components [A] to [F] were as shown in Tables 1 and 2. In addition, the component in Table 1 and Table 2 is as follows.

(C−1)光酸発生剤:1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
(C−2)光塩基発生剤:2−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート
(D−1)ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル:上記式(2)において、p=約9、q=約13、x=約3の化合物
(D−2)アミドアミン塩:上記式(3)において、数平均分子量40,000の高分子ポリカルボン酸のアミドアミン塩(楠本化成(株)製 PLAAD ED211)
(D−3)エチレンジアミンPO−EO縮合物:上記式(4)のエチレンジアミンPO−EO縮合物(旭電化工業(株)製 アデカプルロニックTR−702)
(D−4)ポリオキシエチレンアルキルエーテル:上記式(5)においてRがメチル基、v=約200の化合物
(D−5)ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル:上記式(6)において、Rがメチル基、n=約200の化合物
(D−6)アルキルグルコシド:上記式(7)において、R、R、R、R及びR10がn−ブチル基である化合物
(D−7)ポリオキシエチレン脂肪酸エステル:上記式(8)において、R11がエチル基、R12がアセチル基、y=約200である化合物
(D−8)ショ糖脂肪酸エステル:上記式(9)において、R13〜R20がエチル基である化合物
(D−9)ソルビタン脂肪酸エステル:上記式(10)において、z=約100である化合物
(D−10)ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル:上記式(11)においてR22がHで、R23及びR24がk=約100の基である化合物
(D−11)脂肪酸アルカノールアミド:上記式(12)においてR25がヘキシル基である化合物
(C-1) Photoacid generator: 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate (C-2) Photobase generator: 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate (D- 1) Polyoxyethylene alkyl phosphate ester: a compound in which p = about 9, q = about 13, x = about 3 in the above formula (2) (D-2) amidoamine salt: in the above formula (3), number average Amidoamine salt of high molecular weight polycarboxylic acid with molecular weight of 40,000 (Plaad ED211 manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd.)
(D-3) Ethylenediamine PO-EO condensate: ethylenediamine PO-EO condensate of the above formula (4) (Adeka Pluronic TR-702, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.)
(D-4) Polyoxyethylene alkyl ether: a compound in which R 4 is a methyl group in the above formula (5), and v = about 200. (D-5) Polyoxyethylene alkyl phenyl ether: In the above formula (6), R 5 Is a methyl group, n = about 200 compound (D-6) alkyl glucoside: In the above formula (7), R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are n-butyl groups (D- 7) Polyoxyethylene fatty acid ester: a compound in which R 11 is an ethyl group, R 12 is an acetyl group, and y = about 200 in the above formula (8). (D-8) Sucrose fatty acid ester: in the above formula (9) compound R 13 to R 20 is an ethyl group (D-9) sorbitan fatty acid esters: in the above formula (10), z = compound is about 100 (D-10) polyoxyethylene In R 22 in the formula (11) is H, the compound R 23 and R 24 is k = approximately 100 groups (D-11) fatty acid alkanolamide: Nsorubitan fatty acid esters R 25 in formula (12) Compounds that are hexyl groups

物性評価
上記のように調製した感放射線性組成物を使用し、以下のように当該組成物、硬化膜としての各種の特性を評価した。結果を表1及び表2に示す。
Evaluation of Physical Properties Using the radiation-sensitive composition prepared as described above, various properties as the composition and a cured film were evaluated as follows. The results are shown in Tables 1 and 2.

〔感放射性樹脂組成物の塗布性の評価〕
シリコン基板上に、調製した組成物溶液を、スピンナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で100℃にて2分間プレベークして塗膜を形成し、シリコン基板上からの膜厚が4μmの膜を形成した。
[Evaluation of coating properties of radiation-sensitive resin composition]
After the prepared composition solution is applied on a silicon substrate using a spinner, it is pre-baked on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes to form a coating film, and the film thickness on the silicon substrate is 4 μm. Formed.

膜表面をナトリウムランプにて照らし、目視にて塗布膜面を確認した。筋状ムラ、モヤムラ(雲状のムラ)がはっきりと確認できた場合は×、僅かに確認できた場合は△、殆ど確認できなかった場合は○と表記する。   The surface of the film was illuminated with a sodium lamp, and the coated film surface was visually confirmed. If streaky unevenness or haze unevenness (cloud-like unevenness) can be confirmed clearly, it is indicated as “X”, if it is slightly confirmed, “△”, and if it is hardly confirmed, it is indicated as “◯”.

〔感放射線性組成物のパターニング性の評価〕
上記にて得られた塗膜に対し、キヤノン(株)製PLA−501F露光機(超高圧水銀ランプ)を用い、6.0μmのライン・アンド・スペース(1対1)のパターンを有するマスクを介して露光時間を変化させて露光を行った後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃、80秒間、液盛り法で現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、乾燥させてシリコン基板上にパターンを形成した。パターンを形成後、露光部分がパターン形成されていれば、ネガ型であり、未露光部分がパターン形成されていれば、ポジ型と判断できる。また、パターンが極めて明瞭に形成された場合を◎、明瞭なものを○、やや不明瞭なものを△、不明瞭なものを×としてパターニング性を評価した。なお、表中、パターンが不明瞭なものについてポジ型かネガ型か判断できないものについては、「−」で示した。
[Evaluation of patterning property of radiation-sensitive composition]
A mask having a 6.0 μm line-and-space (one-to-one) pattern is applied to the coating film obtained above using a PLA-501F exposure machine (extra-high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc. Then, exposure was performed while changing the exposure time, and then development was performed with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 80 seconds by a puddle method. Next, running water was washed with ultrapure water for 1 minute and dried to form a pattern on the silicon substrate. After the pattern is formed, if the exposed portion is patterned, it is a negative type. If the unexposed portion is patterned, it can be determined as a positive type. Further, the patterning property was evaluated with ◎ when the pattern was formed very clearly, ◯ when the pattern was clear, Δ when the pattern was slightly unclear, and x when the pattern was unclear. In addition, in the table, those that cannot be determined whether the pattern is unclear or positive type or negative type are indicated by "-".

〔硬化膜の光線透過率(透明性)の評価〕
上記「パターニング性の評価」においてシリコン基板の代わりにガラス基板(「コーニング7059」(コーニング社製))を用いたこと以外は同様にして、ガラス基板上に塗膜を形成した。その後、クリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱することにより硬化膜を得た。この硬化膜が形成されたガラス基板の光線透過率を、分光光度計「150−20型ダブルビーム」((株)日立製作所製)を用いて400〜800nmの範囲の波長で測定した。最低光線透過率が92%以上の時、光線透過率は良好であると言える。なお光線透過率の評価においては、形成する膜のパターニングは不要のため、現像工程を省略し、塗膜形成工程、放射線照射工程及び加熱工程のみ行い評価に供した。
[Evaluation of light transmittance (transparency) of cured film]
A coating film was formed on the glass substrate in the same manner except that a glass substrate (“Corning 7059” (manufactured by Corning)) was used in place of the silicon substrate in the “evaluation of patterning”. Then, the cured film was obtained by heating at 220 degreeC in a clean oven for 1 hour. The light transmittance of the glass substrate on which this cured film was formed was measured at a wavelength in the range of 400 to 800 nm using a spectrophotometer “150-20 type double beam” (manufactured by Hitachi, Ltd.). When the minimum light transmittance is 92% or more, it can be said that the light transmittance is good. In the evaluation of the light transmittance, since the patterning of the film to be formed is unnecessary, the development process was omitted, and only the coating film forming process, the radiation irradiation process, and the heating process were performed.

〔硬化膜の屈折率の評価〕
アッベ屈折計を用いて、上記「硬化膜の光線透過率(透明性)の評価」の方法によって得られた硬化膜の25℃、633nmの光線における屈折率を測定した。
[Evaluation of refractive index of cured film]
Using an Abbe refractometer, the refractive index at 25 ° C. and 633 nm of the cured film obtained by the method of “Evaluation of light transmittance (transparency) of the cured film” was measured.

〔硬化膜のITO(インジウムスズ酸化物)基板への密着性の評価〕
ITO付基板を用いた以外は、「光線透過率の評価」と同様に硬化膜を形成し、プレッシャークッカー試験(120℃、湿度100%、4時間)を行った。その後、JIS K−5400−1990の8.5.3付着性碁盤目テープ法を行い、碁盤目100個中で残った碁盤目の数を求め、保護膜のITO密着性を評価した。碁盤目100個中で残った碁盤目の数が80個以下の場合ITO密着性は不良と言える。
[Evaluation of adhesion of cured film to ITO (indium tin oxide) substrate]
A cured film was formed in the same manner as in “Evaluation of light transmittance” except that a substrate with ITO was used, and a pressure cooker test (120 ° C., humidity 100%, 4 hours) was performed. Thereafter, the 8.5.3 adhesive cross-cut tape method of JIS K-5400-1990 was performed to determine the number of cross-cuts remaining in 100 cross-cuts, and the ITO adhesion of the protective film was evaluated. When the number of grids remaining in 100 grids is 80 or less, it can be said that the ITO adhesion is poor.

Figure 0005540689
Figure 0005540689

Figure 0005540689
Figure 0005540689

表1及び表2の結果から明らかなように、[A]〜[C]成分を含む実施例1〜18の感放射線性組成物はパターニング性に優れ、ポジ型の感放射線特性を示し、また、得られた硬化膜は高い屈折率及び密着性を有していた。特に、[D]成分としてノニオン系分散剤を含む実施例1〜17の組成物は、極めて高いパターニング性を有し、塗布性にも優れていた。   As is apparent from the results of Tables 1 and 2, the radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 18 containing the components [A] to [C] are excellent in patterning property and exhibit positive radiation-sensitive characteristics. The obtained cured film had a high refractive index and adhesiveness. In particular, the compositions of Examples 1 to 17 containing a nonionic dispersant as the [D] component had extremely high patterning properties and excellent coating properties.

本発明の感放射線性組成物は、上述のように、高い塗布性及びパターニング性を有し、得られた硬化物は高い透明性及び密着性に加え、高い屈折率を備えている。従って、本発明の感放射線性組成物は、液晶表示素子用の保護膜、層間絶縁膜若しくはスペーサー、半導体用の保護膜若しくは層間絶縁膜、LED用レンズ材等として使用することができる。また、本発明の感放射線性組成物は、さらには、半導体封止用材料、半導体アンダーフィル用材料、回路基材用材料、平坦化材料、回路基板保護用材料、エッチングレジスト用材料、めっきレジスト用材料、液晶封止用材料等として使用することができる。   As described above, the radiation-sensitive composition of the present invention has high coatability and patternability, and the obtained cured product has a high refractive index in addition to high transparency and adhesion. Therefore, the radiation-sensitive composition of the present invention can be used as a protective film for liquid crystal display elements, an interlayer insulating film or spacer, a semiconductor protective film or interlayer insulating film, an LED lens material, and the like. The radiation-sensitive composition of the present invention further includes a semiconductor sealing material, a semiconductor underfill material, a circuit substrate material, a planarizing material, a circuit board protecting material, an etching resist material, and a plating resist. It can be used as a material for sealing, a liquid crystal sealing material, and the like.

Claims (5)

透明硬化膜形成用の感放射線性組成物であって
[A]シロキサンポリマー、
[B]金属酸化物粒子
[C]感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤、及び
[D]ノニオン系分散剤
を含有し、
上記[B]金属酸化物粒子が、ジルコニウム、チタニウム及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物粒子である感放射線性組成物。
A radiation-sensitive composition for forming a transparent cured film, comprising [A] a siloxane polymer,
[B] metal oxide particles ,
[C] a radiation sensitive acid generator or a radiation sensitive base generator ; and
[D] a nonionic dispersant ,
The [B] metal oxide particles, di- Rukoniumu, at least one oxide particles radiation-sensitive composition is a metal selected from titanium and zinc or Ranaru group.
[A]シロキサンポリマーが、下記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物である請求項1に記載の感放射線性組成物。
(R−Si−(OR4−n (1)
(式(1)中、Rは、各々独立に、水素又は炭素数1〜20の非加水分解性の有機基である。Rは、各々独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアシル基又は炭素数6〜15のアリール基である。nは0〜3の整数である。)
[A] The radiation-sensitive composition according to claim 1, wherein the siloxane polymer is a hydrolysis-condensation product of a hydrolyzable silane compound represented by the following formula (1).
(R 1) n -Si- (OR 2) 4-n (1)
(In formula (1), each R 1 is independently hydrogen or a non-hydrolyzable organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 2 is each independently hydrogen or alkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group, an acyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, n is an integer of 0 to 3).
[D]ノニオン系分散剤が、下記式(2)、式(3)若しくは式(4)で表される化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、アルキルグルコシド、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル又は脂肪酸アルカノールアミドである請求項1又は請求項2に記載の感放射線性組成物。
Figure 0005540689
(式(2)中、Rは、各々独立に、C2q+1−CHO−(CHCHO)−CHCHO−である。pは8〜10、qは12〜16、xは1〜3の整数である。)
Figure 0005540689
(式(3)中、r及びsは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求められたポリスチレン換算数平均分子量が、10,000〜40,000となるように選択される数である。)
Figure 0005540689
(式(4)中、t及びuは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求められたポリスチレン換算数平均分子量が1,000〜30,000となるように選択される数である。)
[D] The nonionic dispersant is a compound represented by the following formula (2), formula (3) or formula (4), polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenol ether, alkyl glucoside, polyoxyethylene fatty acid ester The radiation-sensitive composition according to claim 1, which is sucrose fatty acid ester, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester or fatty acid alkanolamide.
Figure 0005540689
(In the formula (2), R 3 is, independently, C q H 2q + 1 -CH 2 O- (CH 2 CH 2 O) p -CH 2 CH 2 O- in which .p is 8 to 10, q is 12-16, x is an integer of 1-3.)
Figure 0005540689
(In Formula (3), r and s are numbers selected so that the polystyrene-equivalent number average molecular weight determined by gel permeation chromatography is 10,000 to 40,000.)
Figure 0005540689
(In formula (4), t and u are numbers selected such that the polystyrene-equivalent number average molecular weight determined by gel permeation chromatography is 1,000 to 30,000.)
(1)請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を含む透明硬化膜の形成方法。
(1) The process of forming the coating film of the radiation sensitive composition of Claim 1, Claim 2 or Claim 3 on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A process for developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a method for forming a transparent cured film, comprising the step of heating the coating film developed in step (3).
請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性組成物から形成された透明硬化膜。
The transparent cured film formed from the radiation sensitive composition of Claim 1, Claim 2 or Claim 3 .
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013182174A (en) * 2012-03-02 2013-09-12 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd Photosensitive resin composition
TWI567498B (en) * 2012-04-06 2017-01-21 Az電子材料盧森堡有限公司 Negative-type photosensitive siloxane composition
JP6323225B2 (en) * 2013-11-01 2018-05-16 セントラル硝子株式会社 Positive photosensitive resin composition, film production method using the same, and electronic component
EP3098653B1 (en) * 2014-01-24 2020-07-29 Toray Industries, Inc. Negative photosensitive resin composition, cured film obtained by curing same, method for producing cured film, optical device provided with cured film, and backside-illuminated cmos image sensor
KR20170103762A (en) * 2015-01-08 2017-09-13 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive composition and pattern forming method
JP6715597B2 (en) * 2015-12-29 2020-07-01 帝人株式会社 Photosensitive resin composition and semiconductor device manufacturing method
JP7275862B2 (en) * 2018-05-29 2023-05-18 東洋インキScホールディングス株式会社 Molding composition, molded article and laminate using the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63285538A (en) * 1987-05-18 1988-11-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern forming material and multi-layered wiring board formed by using said material
JP4061749B2 (en) * 1998-11-06 2008-03-19 Jsr株式会社 Circuit board and manufacturing method thereof
JP2003020335A (en) * 2001-05-01 2003-01-24 Jsr Corp Polysiloxane and radiation-sensitive resin composition
JP4332360B2 (en) * 2003-02-28 2009-09-16 大日本印刷株式会社 Wetting pattern forming coating liquid and pattern forming body manufacturing method
JP4217886B2 (en) * 2003-06-25 2009-02-04 Jsr株式会社 Radiation sensitive refractive index changing composition, pattern forming method and optical material
CN1886410A (en) * 2003-10-15 2006-12-27 Jsr株式会社 Silane compound, polysiloxane and radiation-sensitive resin composition
KR101221450B1 (en) * 2005-07-19 2013-01-11 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition comprising organic and inorganic compound
JP4765820B2 (en) * 2006-08-03 2011-09-07 東レ株式会社 Photosensitive paste and method of manufacturing electronic component using the same
JP2009237294A (en) * 2008-03-27 2009-10-15 The Inctec Inc Photosensitive resin composition for forming black matrix
JP5344843B2 (en) * 2008-03-31 2013-11-20 富士フイルム株式会社 Polymerizable composition and solid-state imaging device

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