[go: up one dir, main page]

JP5517726B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display Download PDF

Info

Publication number
JP5517726B2
JP5517726B2 JP2010099875A JP2010099875A JP5517726B2 JP 5517726 B2 JP5517726 B2 JP 5517726B2 JP 2010099875 A JP2010099875 A JP 2010099875A JP 2010099875 A JP2010099875 A JP 2010099875A JP 5517726 B2 JP5517726 B2 JP 5517726B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
transistor
liquid crystal
film
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010099875A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011232385A5 (en
JP2011232385A (en
Inventor
健太郎 縣
孝洋 落合
弘子 勢籏
啓之 東島
正博 干場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd, Japan Display Inc filed Critical Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Priority to JP2010099875A priority Critical patent/JP5517726B2/en
Publication of JP2011232385A publication Critical patent/JP2011232385A/en
Publication of JP2011232385A5 publication Critical patent/JP2011232385A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5517726B2 publication Critical patent/JP5517726B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

本発明は液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device.

コンピュータ等の情報通信端末やテレビ受像機の表示デバイスとして、液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置は、2つの基板の間に封じ込められた液晶組成物の配向を、電界を変化させることにより変え、2つの基板と液晶組成物を通過する光の透過度合いを制御することにより画像を表示させる装置である。   Liquid crystal display devices are widely used as display devices for information communication terminals such as computers and television receivers. The liquid crystal display device changes the orientation of the liquid crystal composition enclosed between two substrates by changing the electric field, and controls the degree of transmission of light passing through the two substrates and the liquid crystal composition to display an image. It is a device to display.

液晶表示装置のように、所定の階調値に対応する電圧を画面の各画素に印加する表示装置では、各画素に階調値に対応する電圧を印加するための画素トランジスタが配置されている。一般に、画面の1ライン分の画素トランジスタのゲート電極は一つの信号線(「走査線」という。)に接続され、この走査線は、シフトレジスタ回路と呼ばれる駆動回路により、各ライン毎に順にトランジスタを導通させるアクティブ電圧を出力するように制御されている。   In a display device that applies a voltage corresponding to a predetermined gradation value to each pixel of the screen, such as a liquid crystal display device, a pixel transistor for applying a voltage corresponding to the gradation value is arranged in each pixel. . In general, the gate electrodes of the pixel transistors for one line of the screen are connected to one signal line (referred to as “scanning line”), and the scanning line is sequentially turned on each line by a driving circuit called a shift register circuit. Is controlled so as to output an active voltage for conducting.

特許文献1には、このようなシフトレジスタのうち、各ラインのアクティブ/非アクティブを安定して制御するシフトレジスタ回路の一例が示されている。   Patent Document 1 discloses an example of a shift register circuit that stably controls active / inactive of each line among such shift registers.

特開2007−95190号公報JP 2007-95190 A

近年の携帯情報端末やデジタルカメラ等における小型化/低消費電力化の要請により、上述のようなシフトレジスタ回路においても性能を維持しつつ、回路規模を小さくすることが求められている。   Due to recent demands for miniaturization / low power consumption in portable information terminals, digital cameras, and the like, it is required to reduce the circuit scale while maintaining the performance of the shift register circuit as described above.

本発明は、上述の事情を鑑みてされたものであり、シフトレジスタ回路の性能を維持しつつ、回路規模を小さくした液晶表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a reduced circuit scale while maintaining the performance of a shift register circuit.

本発明の液晶表示装置は、表示領域に配置された各画素の液晶組成物の配向を電界の形成により制御する画素トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板を備える液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタ基板は、前記表示領域を覆うように配置され、前記電界が生じていないときの前記液晶組成物の配向を決定する配向膜と、前記配向膜の外縁に前記配向膜を堰き止めるように配置された透明導電膜である配向膜堰止め導電膜と、前記画素トランジスタのゲート電極に電圧を印加する出力配線を有するシフトレジスタ回路と、を備え、前記シフトレジスタ回路は、前記出力配線がソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された出力トランジスタを有し、前記配向膜堰止め導電膜は、前記シフトレジスタ回路の一部を形成している、ことを特徴とする液晶表示装置である。   The liquid crystal display device of the present invention is a liquid crystal display device comprising a thin film transistor substrate having a pixel transistor for controlling the orientation of the liquid crystal composition of each pixel arranged in the display region by forming an electric field, wherein the thin film transistor substrate is An alignment film arranged to cover the display region and determining the alignment of the liquid crystal composition when the electric field is not generated; and a transparent conductive film arranged to dam the alignment film on an outer edge of the alignment film And a shift register circuit having an output wiring for applying a voltage to the gate electrode of the pixel transistor, wherein the output wiring is one of the source and drain electrodes. The alignment transistor blocking conductive film forms a part of the shift register circuit. Is a liquid crystal display device according to claim.

また、本発明の液晶表示装置は、前記配向膜堰止め導電膜は、前記出力トランジスタのゲート電極と電気的に接続されると共に、前記出力配線と絶縁膜を介して、前記薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合に、前記出力配線と重なるように形成されることにより、前記出力配線と協働して容量を形成していてもよい。   In the liquid crystal display device of the present invention, the alignment film blocking conductive film is electrically connected to the gate electrode of the output transistor, and on the surface of the thin film transistor substrate via the output wiring and the insulating film. A capacitance may be formed in cooperation with the output wiring by being formed so as to overlap the output wiring when projected in the vertical direction.

また、本発明の液晶表示装置は、前記シフトレジスタ回路は、前記出力トランジスタのゲート電極が前記出力トランジスタを導通させるアクティブ電位のときに、非アクティブ電位となり、前記出力トランジスタのゲート電極が非アクティブ電位のときに、アクティブ電位となる出力制御配線を更に有し、前記配向膜堰止め導電膜は、前記出力制御配線と絶縁膜を介して、前記薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合に、前記出力制御配線と重なるように形成されることにより、前記出力制御配線と容量を形成してもよい。   In the liquid crystal display device of the present invention, the shift register circuit has an inactive potential when the gate electrode of the output transistor has an active potential for conducting the output transistor, and the gate electrode of the output transistor has an inactive potential. In this case, when the output control wiring having an active potential is further provided, and the alignment film blocking conductive film is projected in a vertical direction on the surface of the thin film transistor substrate through the output control wiring and the insulating film, The output control wiring and the capacitor may be formed by overlapping with the output control wiring.

また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板は、前記画素トランジスタのソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された画素電極と、前記画素電極と共に、前記液晶組成物を配向させるための電界を形成する共通電極と、を更に有し、前記配向膜堰止め導電膜は、前記共通電極と電気的に接続されていてもよい。   Further, in the liquid crystal display device of the present invention, the thin film transistor substrate has a pixel electrode connected to one of the source / drain electrodes of the pixel transistor and the pixel electrode for aligning the liquid crystal composition. A common electrode that forms an electric field, and the alignment film blocking electrically conductive film may be electrically connected to the common electrode.

また、本発明の液晶表示装置は、前記出力トランジスタのソースドレイン電極の配線のうちの一方であり、前記出力配線に接続されている出力電極配線は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記ソースドレイン電極の配線うちの他方である入力電極配線の外側に配線され、前記出力トランジスタのゲート電極膜と前記入力電極配線の重なり合う面積が、前記ゲート電極膜と前記出力電極配線の重なり合う面積より小さくてもよい。   The liquid crystal display device according to the present invention is one of the wirings of the source and drain electrodes of the output transistor, and the output electrode wiring connected to the output wiring has a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. The gate electrode film of the output transistor and the input electrode wiring are overlapped with each other so that the overlapping area of the gate electrode film and the input electrode wiring overlaps the gate electrode film and the output electrode wiring. It may be smaller than the area.

また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記出力トランジスタのゲート電極膜は、前記出力トランジスタの半導体膜を覆っている、とすることができる。   In the liquid crystal display device of the present invention, the gate electrode film of the output transistor covers the semiconductor film of the output transistor in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate.

また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記シフトレジスタ回路内のトランジスタのゲート電極膜は、前記トランジスタの半導体膜を覆っている、とすることができる。   In the liquid crystal display device of the present invention, the gate electrode film of the transistor in the shift register circuit covers the semiconductor film of the transistor in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. it can.

また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記シフトレジスタ回路内のすべてのトランジスタの各々のゲート電極膜は、前記トランジスタの各々の半導体膜を覆っている、とすることができる。   In the liquid crystal display device of the present invention, the gate electrode films of all the transistors in the shift register circuit cover the respective semiconductor films of the transistors in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. It can be said.

本発明の液晶表示装置の一実施形態に係る携帯端末装置を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the portable terminal device which concerns on one Embodiment of the liquid crystal display device of this invention. 図1の携帯端末装置の表示部をII−II線で切断した場合の一部断面を示す図である。It is a figure which shows the partial cross section at the time of cut | disconnecting the display part of the portable terminal device of FIG. 1 by the II-II line | wire. 配向膜堰止め導電膜の配置の様子について示す薄膜トランジスタ基板の平面図である。It is a top view of the thin-film transistor substrate shown about the mode of arrangement | positioning of the alignment film blocking electrically conductive film. シフトレジスタ回路の回路構成について示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of a shift register circuit. 図4のシフトレジスタ回路の動作のタイミングチャートである。5 is a timing chart of the operation of the shift register circuit of FIG. 薄膜トランジスタ基板の配向膜堰止め導電膜が形成されている付近の一部断面について示す図である。It is a figure shown about the partial cross section of the vicinity of the alignment film damming conductive film of a thin-film transistor substrate. 薄膜トランジスタ基板の配向膜堰止め導電膜が形成されている付近の別の一部断面について示す図である。It is a figure shown about another partial cross section of the vicinity of the alignment film damming conductive film of a thin-film transistor substrate. シフトレジスタ回路に含まれる、あるトランジスタのゲート電極、アモルファスシリコン層、ソース電極及びドレイン電極について、薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合の配置の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of arrangement | positioning at the time of projecting in the perpendicular direction on the surface of a thin-film transistor substrate about the gate electrode of a certain transistor, an amorphous silicon layer, a source electrode, and a drain electrode contained in a shift register circuit. シフトレジスタ回路に含まれる表示領域に近い側のトランジスタのゲート電極、アモルファスシリコン層、ソース電極及びドレイン電極について、薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合の配置の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of arrangement | positioning at the time of projecting in the orthogonal | vertical direction on the surface of a thin-film transistor substrate about the gate electrode of the transistor near the display area included in a shift register circuit, an amorphous silicon layer, a source electrode, and a drain electrode. 図4のトランジスタT5のゲート電極、アモルファスシリコン層、ソース電極及びドレイン電極について、薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合の配置の様子を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a state of arrangement when a gate electrode, an amorphous silicon layer, a source electrode, and a drain electrode of the transistor T5 in FIG. 4 are projected in a direction perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図1には、本発明の液晶表示装置の一実施形態に係る携帯端末装置100が概略的に示されている。この図1に示されるように、携帯端末装置100は、使用者が携帯端末装置100の機能を使用するためにキー入力による指示を行う操作部104と、使用者の指示に対する応答や無線通信の状況を出力するための表示部106と、操作部104及び表示部106を固定させるための筐体102と、各機能の演算処理を行う不図示の中央処理部等とを備えている。   FIG. 1 schematically shows a portable terminal device 100 according to an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. As shown in FIG. 1, the mobile terminal device 100 includes an operation unit 104 that gives an instruction by key input so that the user can use the functions of the mobile terminal device 100, a response to the user's instruction, and wireless communication A display unit 106 for outputting the situation, a casing 102 for fixing the operation unit 104 and the display unit 106, a central processing unit (not shown) that performs arithmetic processing of each function, and the like are provided.

図2は、図1の携帯端末装置100の表示部106をII−II線で切断した場合の、一部断面を示す図である。図2に示されるように、表示部106は、筐体102の内側で、液晶表示モジュール200を支える第1フレーム108及び第2フレーム110と、液晶表示モジュール200とを備え、液晶表示モジュール200は、表示領域において、表示面と反対側に配置され、表示面に向けて光を照射する光源であるバックライト装置201と、バックライト装置201からの光を画面全体に均一な光に変える光学シート203と、電界を発生させることにより液晶組成物の配向を制御する薄膜トランジスタ基板207と、薄膜トランジスタ基板207のバックライト装置201側に設置され、ある偏光成分のみを通過させる第1偏光板205と、薄膜トランジスタ基板207の液晶層側に設置され、電界が発生していない時の液晶組成物の配向を決定するための配向膜209と、液晶組成物が充填された液晶層211と、液晶層211を通過した光を赤(R)、緑(G)及び青(B)の色の光に変えるカラーフィルタ基板215と、カラーフィルタ基板215の液晶層側に設置され、電界が発生していない時の液晶組成物の配向を決定するための配向膜213と、ある偏光成分のみを通過させる第2偏光板217と、を備えている。   FIG. 2 is a diagram illustrating a partial cross section when the display unit 106 of the mobile terminal device 100 of FIG. 1 is cut along a line II-II. As shown in FIG. 2, the display unit 106 includes a first frame 108 and a second frame 110 that support the liquid crystal display module 200 inside the housing 102, and the liquid crystal display module 200. In the display area, a backlight device 201 that is disposed on the opposite side of the display surface and irradiates light toward the display surface, and an optical sheet that changes light from the backlight device 201 into uniform light over the entire screen 203, a thin film transistor substrate 207 that controls the orientation of the liquid crystal composition by generating an electric field, a first polarizing plate 205 that is installed on the backlight device 201 side of the thin film transistor substrate 207 and passes only a certain polarization component, and a thin film transistor It is installed on the liquid crystal layer side of the substrate 207 and determines the orientation of the liquid crystal composition when no electric field is generated. Alignment film 209, liquid crystal layer 211 filled with a liquid crystal composition, and a color filter that changes light that has passed through liquid crystal layer 211 into light of red (R), green (G), and blue (B) colors A substrate 215, an alignment film 213 that is disposed on the liquid crystal layer side of the color filter substrate 215 and determines the alignment of the liquid crystal composition when no electric field is generated, and a second polarizing plate that allows only a certain polarization component to pass therethrough 217.

また、液晶表示モジュール200は、更に、図に示される表示領域の外側のいわゆる額縁領域において、薄膜トランジスタ基板207とカラーフィルタ基板215との間で、液晶組成物を封止するためのシール223と、シール223の表示面側において、額縁領域を定義するブラックマトリクス225と、シール223のバックライト側において、薄膜トランジスタ基板207に成膜されたシフトレジスタ回路219と、シフトレジスタ回路219へバックライト装置201からの光が照射されるのを防ぐ遮光テープ227と、薄膜トランジスタ基板207上の薄膜パタンの1つであり、透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)で形成された配向膜209を堰止めるための配向膜堰止め導電膜221と、を備えている。   The liquid crystal display module 200 further includes a seal 223 for sealing the liquid crystal composition between the thin film transistor substrate 207 and the color filter substrate 215 in a so-called frame region outside the display region shown in the figure. A black matrix 225 defining a frame region on the display surface side of the seal 223, a shift register circuit 219 formed on the thin film transistor substrate 207 on the backlight side of the seal 223, and the shift register circuit 219 from the backlight device 201 Is one of the thin film patterns on the thin film transistor substrate 207 and is used for blocking the alignment film 209 formed of ITO (Indium Tin Oxide), which is a transparent conductive film. And an alignment film wetting conductive film 221.

図3は、配向膜堰止め導電膜221の配置の様子について示す薄膜トランジスタ基板207の平面図である。この図3に示されるように、シフトレジスタ回路219は、表示領域230の両側に形成され、配向膜堰止め導電膜221は、表示領域230を囲むように形成される。配向膜209は、表示領域を覆うように印刷されるが、配向膜209の流動性により広がっていく。配向膜堰止め導電膜221は、配向膜209の広がりを堰止め、配向膜209が、額縁領域を浸食し、シール223が配向膜堰止め導電膜221上に形成されてシーリング不備となるのを防いでいる。   FIG. 3 is a plan view of the thin film transistor substrate 207 showing how the alignment film blocking conductive film 221 is arranged. As shown in FIG. 3, the shift register circuit 219 is formed on both sides of the display region 230, and the alignment film blocking conductive film 221 is formed so as to surround the display region 230. The alignment film 209 is printed so as to cover the display region, but spreads due to the fluidity of the alignment film 209. The alignment film blocking conductive film 221 blocks the spread of the alignment film 209, the alignment film 209 erodes the frame region, and the seal 223 is formed on the alignment film blocking film 221 to cause a sealing defect. It is preventing.

図4は、出力Gを出力するシフトレジスタ回路219の回路構成について示す図であり、図5は、図4のシフトレジスタ回路219の動作のタイミングチャートである。図4に示されるように、シフトレジスタ回路219は、主駆動回路部219AとLow固定回路部219Bとに分けられる。 Figure 4 is a diagram showing a circuit configuration of the shift register circuit 219 for outputting an output G i, Fig. 5 is a timing chart of the operation of the shift register circuit 219 of FIG. 4. As shown in FIG. 4, the shift register circuit 219 is divided into a main drive circuit unit 219A and a low fixed circuit unit 219B.

最初に、主駆動回路部219Aの動作について説明する。ここで、Vはクロック信号、VSTはスタート信号を表し、図中期間において、VGPLの電位はLowに固定され、VGPHはHighに固定されている。これらの信号はいずれも外部から入力される。また、図5の時刻tは2H(2水平同期期間)ごとに記されている。 First, the operation of the main drive circuit unit 219A will be described. Here, V i is the clock signal, VST denotes a start signal, the drawing period, the potential of VGPL is fixed to Low, VGPH is fixed to High. All of these signals are input from the outside. Further, time t in FIG. 5 is written every 2H (two horizontal synchronization periods).

主駆動回路部219Aは、まず、図5の時刻t2のタイミングにおいて、ノードN1の2水平駆動期間前の信号であるノードN1i−2がHighになると、このノードN1i−2はトランジスタT7Aのゲートに入力されているため、トランジスタT7Aが導通することによりノードN2はVGPLに接続されLowとなる。また、出力Gi−2は、ダイオード接続されたトランジスタT1に入力されているため、これに接続されたノードN1はHighとなり、容量C1に電位差を生じさせると共に、トランジスタT5を導通させる。ノードN1はトランジスタT4のゲート信号にもなっているため、ノードN2はトランジスタT4によってもVGPLと接続され、Lowとなる。 Main drive circuit section 219A, first, at the timing of time t2 in FIG. 5, the node N1 i-2 is a 2 horizontal drive period prior to the signal of the node N1 i is High, the node N1 i-2 is the transistor T7A Since the transistor T7A is turned on, the node N2 is connected to VGPL and becomes Low. Further, since the output Gi -2 is input to the diode-connected transistor T1, the node N1 connected thereto becomes High, causing a potential difference in the capacitor C1 and making the transistor T5 conductive. Since the node N1 is also a gate signal of the transistor T4, the node N2 is also connected to VGPL by the transistor T4 and becomes Low.

次に、時刻t3において、クロック信号VがHighになると、トランジスタT5が導通していることから容量C1の一方の電極の電位がHighとなり、いわゆるブートストラップにより他方の電極側であるトランジスタT5のゲート電位はより押し上げられる。これにより、出力GのHighは確定され、後述する時刻t4の出力Gの立ち下がりの際に、印加された階調値に基づく電圧が画素に保持される。 Next, at time t3, the clock signal V i is High, the potential of one electrode of the capacitor C1 since the transistor T5 is conducting the next High, the transistor T5, which is the other electrode side by a so-called bootstrap The gate potential is pushed up more. Thereby, the high level of the output G i is determined, and the voltage based on the applied gradation value is held in the pixel when the output G i falls at time t4 described later.

時刻t4において、クロック信号VがLowとなると、出力GもLowとなるが、これを確定させるため、同じ時刻t4においてHighになった出力Gi+2をトランジスタTG及びトランジスタT9のゲートに入力して、トランジスタTG及びトランジスタT9を導通させ、出力G及びノードN1をそれぞれVGPLに接続し、出力G及びノードN1を共にLowとする。 When the clock signal V i becomes low at time t4, the output G i also becomes low. To determine this, the output G i + 2 that has become high at the same time t4 is input to the gates of the transistor TG and the transistor T9. Te, made conductive transistor TG and the transistor T9, and connect the output G i and node N1 VGPL respectively, and both Low output G i and node N1.

一方、同じ時刻t4のタイミングでHighになるクロック信号Vi+2をトランジスタT3のゲートに入力し、トランジスタT3を導通させることにより、ノードN2をVGPHに接続させ、ノードN2をHighとする。このノードN2のHighは後述するLow固定回路部219Bに入力される。 On the other hand, the clock signal V i + 2 that goes High at the same time t4 is input to the gate of the transistor T3, and the transistor T3 is turned on, whereby the node N2 is connected to VGPH and the node N2 is High. The high level of the node N2 is input to the low fixed circuit unit 219B described later.

Low固定回路部219Bには、それぞれ2V(2垂直同期期間)で反転する交流信号VGL_AC1、VGL_AC1B、VGL_AC2及びVGL_AC2Bが入力されているが、図5のタイミングチャートでは、VGL_AC1がHighであり、VGL_AC2がLowである2V(2垂直同期期間)中の一部期間について示されている。この図5において、Highのゲート信号を入力しているトランジスタTA1及びトランジスタTA4は導通し、Lowのゲート信号を入力しているトランジスタTA3及びトランジスタTA2は非導通である。ここで、時刻t4においてHighになっているノードN2の信号は導通しているトランジスタTA1を通り、トランジスタT2及びトランジスタT6のゲートに入力され、これらのトランジスタを導通させる。このトランジスタT2及びトランジスタT6は、Low信号であるVGL_AC2と、ノードN1及び出力Gをそれぞれ接続する。 The low fixed circuit portion 219B receives AC signals VGL_AC1, VGL_AC1B, VGL_AC2, and VGL_AC2B that are inverted at 2V (two vertical synchronization periods). In the timing chart of FIG. 5, VGL_AC1 is High and VGL_AC2 is VGL_AC2. A partial period in 2V (two vertical synchronization periods) which is Low is shown. In FIG. 5, the transistors TA1 and TA4 that receive a high gate signal are turned on, and the transistors TA3 and TA2 that receive a low gate signal are turned off. Here, the signal of the node N2 that is High at the time t4 passes through the transistor TA1 that is turned on, and is input to the gates of the transistors T2 and T6, thereby turning on these transistors. The transistor T2 and the transistor T6 includes a VGL_AC2 a Low signal, connects the node N1 and the output G i, respectively.

図6は、薄膜トランジスタ基板207の配向膜堰止め導電膜221が形成されている付近の一部断面について示す図である。この図6に示されるように、この断面では、図4の回路図における出力GとノードN1の配線が現われており、容量C1付近の断面となっている。この図においては配向膜堰止め導電膜221は2箇所で分断されることにより、3つの独立した配向膜堰止め導電膜221a、221b及び221cとなっている。ここで、配向膜堰止め導電膜221a及び221cは、画素電極と協働して電界を形成する共通電極Vcomに電気的に接続されており、共通電極Vcomの電位を有する。一方、配向膜堰止め導電膜221bは、ノードN1に電気的に接続され、薄膜トランジスタ基板207の面に垂直な方向に投影した場合に出力Gの配線と重なるように形成されることにより、電気的な容量を形成している。これにより、配向膜堰止め導電膜221bと出力Gの配線との重なり部分の面積分だけ、容量C1の電気的容量を大きくしているため、ノードN1の配線と出力Gの配線との重なり部分の面積を小さくしたとしても、容量を確保できる。したがって、結果として、容量C1の回路の占める面積を小さくすることができるため、シフトレジスタ回路219の占める面積を小さくすることができ、結果として額縁領域を小さくすることができる。 FIG. 6 is a diagram showing a partial cross section of the thin film transistor substrate 207 near the alignment film blocking conductive film 221 formed thereon. As shown in FIG. 6, in this section, which appear wire output G i and a node N1 in the circuit diagram of FIG. 4, it has a cross section in the vicinity of the capacitance C1. In this figure, the alignment film blocking conductive film 221 is divided into two portions, thereby forming three independent alignment film blocking conductive films 221a, 221b, and 221c. Here, the alignment film blocking conductive films 221a and 221c are electrically connected to the common electrode Vcom that forms an electric field in cooperation with the pixel electrode, and have the potential of the common electrode Vcom. On the other hand, the alignment film blocking conductive film 221b is electrically connected to the node N1, by being formed so as to overlap with the wiring of the output G i when projected in a direction perpendicular to the plane of the thin film transistor substrate 207, electrical Capacity is formed. Thus, the alignment film blocking conductive film 221b only area fraction of the overlapping portion between the wiring of the output G i, because it increases the electrical capacitance of the capacitor C1, the wiring of the output G i and the wiring of the node N1 Even if the area of the overlapping portion is reduced, the capacity can be secured. Therefore, as a result, since the area occupied by the circuit of the capacitor C1 can be reduced, the area occupied by the shift register circuit 219 can be reduced, and as a result, the frame region can be reduced.

図7には、薄膜トランジスタ基板207の配向膜堰止め導電膜221が形成されている付近の図6とは異なる部分における、一部断面が示されている。この図7に示されるように、この断面では、図4の回路図における入力VGPLとノードN2の配線が現われており、容量C3付近の断面となっている。ここで、配向膜堰止め導電膜221dは、図6の配向膜堰止め導電膜221aと221cと同様に、共通電極Vcomに電気的に接続されて、共通電極Vcomの電位を有している。配向膜堰止め導電膜221dは、ノードN2の配線の上層に絶縁膜を隔てて、表示面に垂直な方向に投影した場合に重なるように形成されることにより、ノードN2との間に電気的な容量を形成している。これにより、動作時の多くの時間をLowに保たれるノードN2の信号が、配向膜堰止め導電膜221dとの電気容量で固定されることにより浮き上がらないようにしている。   FIG. 7 shows a partial cross section of a portion different from FIG. 6 in the vicinity of the alignment film blocking conductive film 221 of the thin film transistor substrate 207. As shown in FIG. 7, in this section, the wiring of the input VGPL and the node N2 in the circuit diagram of FIG. 4 appears, and the section is in the vicinity of the capacitor C3. Here, the alignment film blocking conductive film 221d is electrically connected to the common electrode Vcom and has the potential of the common electrode Vcom, similarly to the alignment film blocking conductive films 221a and 221c of FIG. The alignment film blocking conductive film 221d is formed so as to overlap with the node N2 when projected in a direction perpendicular to the display surface with an insulating film interposed above the wiring of the node N2. A large capacity is formed. As a result, the signal of the node N2, which is kept low for a long time during operation, is prevented from floating by being fixed by the electric capacity with the alignment film blocking conductive film 221d.

図8は、シフトレジスタ回路219に含まれる、1つのトランジスタのゲート電極10g、アモルファスシリコン層10a、ソース電極10s及びドレイン電極10dについて、薄膜トランジスタ基板207の面に垂直方向に投影した場合の配置の様子を示す図であり、図9は、シフトレジスタ回路219に含まれる他のトランジスタのゲート電極20g、アモルファスシリコン層20a、ソース電極20s及びドレイン電極20dについて、図8と同様の視野で示す図である。   FIG. 8 shows an arrangement of the gate electrode 10g, the amorphous silicon layer 10a, the source electrode 10s, and the drain electrode 10d included in the shift register circuit 219 when projected onto the surface of the thin film transistor substrate 207 in the vertical direction. FIG. 9 is a diagram showing the gate electrode 20g, the amorphous silicon layer 20a, the source electrode 20s, and the drain electrode 20d of other transistors included in the shift register circuit 219 in the same field of view as FIG. .

ここで、図2に示されるように、シフトレジスタ回路219の位置では、バックライト装置201からの光は、遮光テープ227により遮光されてシフトレジスタ回路219に極力照射されないようになっている。これは、トランジスタのアモルファスシリコン層に、光が照射された場合に、フォトコンダクタと同様に、トランジスタのソース・ドレイン間が導通してしまうからである。しかし、額縁領域を小さくする関係上、シフトレジスタ回路219は、表示領域の近くに配置されるため、表示領域に近い側の回路には光が照射される恐れがある。   Here, as shown in FIG. 2, at the position of the shift register circuit 219, light from the backlight device 201 is shielded by the light shielding tape 227 so that the shift register circuit 219 is not irradiated as much as possible. This is because when the amorphous silicon layer of the transistor is irradiated with light, the source and the drain of the transistor are conducted like the photoconductor. However, because the shift register circuit 219 is arranged near the display area in order to reduce the frame area, there is a possibility that light is irradiated to a circuit near the display area.

そこで、シフトレジスタ回路219の一部には、この図9に示されるように、ゲート電極20gが、アモルファスシリコン層20aを完全に覆うように形成され、アモルファスシリコン層20aに光があたるのを防ぐトランジスタが使用されている。   Therefore, as shown in FIG. 9, in part of the shift register circuit 219, the gate electrode 20g is formed so as to completely cover the amorphous silicon layer 20a, thereby preventing the amorphous silicon layer 20a from being exposed to light. Transistors are used.

一方、図9のような構成をすべてのトランジスタに適用するとシフトレジスタ回路219自体の面積が大きくなってしまい、結果として額縁領域を大きくしてしまう。したがって、図9のような構成のトランジスタは、表示領域に近い側のトランジスタにのみに適用し、表示領域から遠い、光のあたりにくい領域では、図8に示したトランジスタを使用することにより、シフトレジスタ回路219の規模をより小さくすることができる。また、本実施形態においては、図4において、通電時間が長くなると閾値VthがディプリートするトランジスタT3及びT10と、トランジスタがオフの際に通電しても実質的に影響のないトランジスタTA2及びTA4とには、図8の回路面積の小さなトランジスタを用いている。   On the other hand, when the configuration as shown in FIG. 9 is applied to all transistors, the area of the shift register circuit 219 itself increases, resulting in an increase in the frame area. Accordingly, the transistor having the configuration as shown in FIG. 9 is applied only to the transistor closer to the display region, and in the region far from the display region and difficult to receive light, the transistor shown in FIG. The scale of the register circuit 219 can be further reduced. Further, in the present embodiment, in FIG. 4, the transistors T3 and T10 whose threshold Vth is depleted when the energization time is increased, and the transistors TA2 and TA4 which are substantially unaffected even when the transistor is energized when the transistor is turned off. Uses a transistor having a small circuit area in FIG.

図10は、図4のトランジスタT5のゲート電極30g、アモルファスシリコン層30a、ソース電極30s及びドレイン電極30dについて、薄膜トランジスタ基板207の面に垂直方向に投影した場合の配置の様子を示す図である。図10に示されるように、トランジスタT5は、図9と比較すると、ドレイン電極30dとソース電極30sとの間の容量は保ったまま、ソース電極30sをドレイン電極30dの外側に配置し、ドレイン電極30dとゲート電極30gとの間の重なり合う面積をより小さくすることにより、ドレイン電極30dとゲート電極30gとの間の容量を小さくしている。   FIG. 10 is a diagram showing the arrangement of the gate electrode 30g, the amorphous silicon layer 30a, the source electrode 30s, and the drain electrode 30d of the transistor T5 in FIG. 4 when projected onto the surface of the thin film transistor substrate 207 in the vertical direction. As shown in FIG. 10, as compared with FIG. 9, the transistor T5 has the source electrode 30s arranged outside the drain electrode 30d while maintaining the capacitance between the drain electrode 30d and the source electrode 30s. By reducing the overlapping area between 30d and gate electrode 30g, the capacitance between drain electrode 30d and gate electrode 30g is reduced.

トランジスタT5のドレイン電極30dは、トランジスタT5が導通していなくても絶えずクロック信号Vが入力されるため、ドレイン電極30dとゲート電極30gとの間で充放電を繰り返す。したがって、このドレイン電極30dとゲート電極30gとの間の容量を小さくすることによりこの負荷を減らすことができ、消費電力を小さくすることができると共に、クロック信号Vの波形鈍りを抑えることができる。なお、ソース電極30sは、出力Gに接続されており、容量が大きいため、トランジスタT5における容量が増加しても、影響が小さい。 A drain electrode 30d of the transistor T5, the transistor T5 is constant clock signal V i even without conducting is input, repeated charging and discharging between the drain electrode 30d and the gate electrode 30g. Therefore, by reducing the capacitance between this drain electrode 30d and the gate electrode 30g can reduce this load, it is possible to reduce power consumption, it is possible to suppress the waveform blunting of the clock signal V i . The source electrode 30s is connected to the output G i, because the capacity is large, even if the increased capacity in the transistor T5 is affected is small.

したがって、本実施形態によれば、シフトレジスタ回路219の性能を損なうことなく、回路規模を小さくすることができるため、表示装置の小型化及び低消費電力化を実現することができる。   Therefore, according to the present embodiment, since the circuit scale can be reduced without impairing the performance of the shift register circuit 219, the display device can be reduced in size and power consumption.

なお、本実施形態では、配向膜堰止め導電膜221a、221c及び221dは共通電極Vcomに接続されていることとしたが、他の配線と接続されていてもよいし、独立してフローティングとなっていてもよい。   In the present embodiment, the alignment film blocking conductive films 221a, 221c, and 221d are connected to the common electrode Vcom. However, they may be connected to other wirings, and are independently floating. It may be.

また、本実施形態では、液晶表示装置を携帯端末装置としたが、テレビやデジタルカメラ等その他の液晶表示装置であってもよい。   In the present embodiment, the liquid crystal display device is a portable terminal device, but other liquid crystal display devices such as a television and a digital camera may be used.

また、上述の実施形態の液晶表示装置は、特に方式を指定していないが、IPS(In-Plane Switching)方式、VA(Vertically Aligned)方式及びTN(Twisted Nematic)方式のいずれの方式の液晶表示装置であっても適用することができる。   In addition, the liquid crystal display device of the above-described embodiment does not specify a method, but any of liquid crystal displays of an IPS (In-Plane Switching) method, a VA (Vertically Aligned) method, and a TN (Twisted Nematic) method. Even an apparatus can be applied.

100 携帯端末装置、102 筐体、104 操作部、106 表示部、108,110 フレーム、200 液晶表示モジュール、201 バックライト装置、203 光学シート、205 偏光板、207 薄膜トランジスタ基板、209 配向膜、211 液晶層、213 配向膜、215 カラーフィルタ基板、217 偏光板、219 シフトレジスタ回路、219A 主駆動回路部、219B 固定回路部、221 配向膜堰止め導電膜、223 シール、225 ブラックマトリクス、227 遮光テープ、230 表示領域、10s,20s,30s ソース電極、10d,20d,30d ドレイン電極、10a,20a,30a アモルファスシリコン層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Portable terminal device, 102 Housing | casing, 104 Operation part, 106 Display part, 108,110 frame, 200 Liquid crystal display module, 201 Backlight apparatus, 203 Optical sheet, 205 Polarizing plate, 207 Thin-film transistor substrate, 209 Alignment film, 211 Liquid crystal Layer, 213 alignment film, 215 color filter substrate, 217 polarizing plate, 219 shift register circuit, 219A main drive circuit section, 219B fixed circuit section, 221 alignment film wetting conductive film, 223 seal, 225 black matrix, 227 shading tape, 230 Display area, 10s, 20s, 30s Source electrode, 10d, 20d, 30d Drain electrode, 10a, 20a, 30a Amorphous silicon layer.

Claims (7)

表示領域に配置された各画素の液晶組成物の配向を電界の形成により制御する画素トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板を備える液晶表示装置であって、
前記薄膜トランジスタ基板は、
前記表示領域を覆うように配置され、前記電界が生じていないときの前記液晶組成物の配向を決定する配向膜と、
前記配向膜の外縁に前記配向膜を堰き止めるように配置された透明導電膜である配向膜堰止め導電膜と、
前記画素トランジスタのゲート電極に電圧を印加する出力配線を有するシフトレジスタ回路と、を備え、
前記シフトレジスタ回路は、
前記出力配線がソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された出力トランジスタと、
前記出力トランジスタのゲート電極が前記出力トランジスタを導通させるアクティブ電位のときに、非アクティブ電位となり、前記出力トランジスタのゲート電極が非アクティブ電位のときに、アクティブ電位となる出力制御配線と、を有し、
前記配向膜堰止め導電膜は、絶縁膜を介して、前記薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合に、前記出力制御配線と重なるように形成されることにより、前記出力制御配線と容量を形成している、ことを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display device comprising a thin film transistor substrate having a pixel transistor for controlling the orientation of a liquid crystal composition of each pixel arranged in a display region by forming an electric field,
The thin film transistor substrate is
An alignment film that is disposed so as to cover the display region and determines the alignment of the liquid crystal composition when the electric field is not generated;
An alignment film damming conductive film which is a transparent conductive film arranged to dam the alignment film on the outer edge of the alignment film;
A shift register circuit having an output wiring for applying a voltage to the gate electrode of the pixel transistor,
The shift register circuit includes:
An output transistor in which the output wiring is connected to one of the source and drain electrodes ;
An output control wiring that becomes an inactive potential when the gate electrode of the output transistor is at an active potential for conducting the output transistor, and becomes an active potential when the gate electrode of the output transistor is at an inactive potential. ,
The alignment film blocking conductive film is formed so as to overlap with the output control wiring when projected on the surface of the thin film transistor substrate through the insulating film in the vertical direction, thereby reducing the capacity of the output control wiring and the capacitance. A liquid crystal display device characterized by being formed .
前記配向膜堰止め導電膜は、前記出力トランジスタのゲート電極と電気的に接続されると共に、前記出力配線と絶縁膜を介して、前記薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合に、前記出力配線と重なるように形成されることにより、前記出力配線と協働して容量を形成している、ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The alignment film blocking conductive film is electrically connected to the gate electrode of the output transistor, and the output when projected in a direction perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate through the output wiring and the insulating film. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a capacitor is formed in cooperation with the output wiring by being formed so as to overlap with the wiring. 前記薄膜トランジスタ基板は、
前記画素トランジスタのソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された画素電極と、
前記画素電極と共に、前記液晶組成物を配向させるための電界を形成する共通電極と、を更に有し、
前記配向膜堰止め導電膜は、前記共通電極と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
The thin film transistor substrate is
A pixel electrode connected to one of the source and drain electrodes of the pixel transistor;
A common electrode that forms an electric field for aligning the liquid crystal composition together with the pixel electrode;
The alignment layer dammed conductive film, a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the common electrode and are electrically connected, it is characterized.
前記出力トランジスタのソースドレイン電極の配線のうちの一方であり、前記出力配線に接続されている出力電極配線は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記ソースドレイン電極の配線うちの他方である入力電極配線の外側に配線され、前記出力トランジスタのゲート電極膜と前記入力電極配線の重なり合う面積が、前記ゲート電極膜と前記出力電極配線の重なり合う面積より小さい、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 The output electrode wiring connected to the output wiring is one of the wirings of the source / drain electrodes of the output transistor, and the output electrode wiring connected to the output wiring of the wirings of the source / drain electrodes in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. The area where the gate electrode film of the output transistor overlaps with the input electrode wiring is smaller than the area of overlap between the gate electrode film and the output electrode wiring, which is wired outside the other input electrode wiring. Item 4. The liquid crystal display device according to any one of Items 1 to 3 . 前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記出力トランジスタのゲート電極膜は、前記出力トランジスタの半導体膜を覆っている、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 In the field of view of the direction perpendicular to the plane of the thin film transistor substrate, a gate electrode film of said output transistor, according to any one of claims 1 to 4, characterized in that, covering the semiconductor film of said output transistor Liquid crystal display device. 前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記シフトレジスタ回路内のトランジスタのゲート電極膜は、前記トランジスタの半導体膜を覆っている、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 In the field of view of the direction perpendicular to the plane of the thin film transistor substrate, a gate electrode film of a transistor in said shift register circuit, any one of claims 1 to 5, characterized in that, covering the semiconductor film of the transistor The liquid crystal display device according to item. 前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記シフトレジスタ回路内のすべてのトランジスタの各々のゲート電極膜は、前記トランジスタの各々の半導体膜を覆っている、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 2. The gate electrode film of each of all the transistors in the shift register circuit covers each semiconductor film of the transistor in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. or liquid crystal display device according to any one of 6.
JP2010099875A 2010-04-23 2010-04-23 Liquid crystal display Active JP5517726B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010099875A JP5517726B2 (en) 2010-04-23 2010-04-23 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010099875A JP5517726B2 (en) 2010-04-23 2010-04-23 Liquid crystal display

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011232385A JP2011232385A (en) 2011-11-17
JP2011232385A5 JP2011232385A5 (en) 2013-05-02
JP5517726B2 true JP5517726B2 (en) 2014-06-11

Family

ID=45321783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010099875A Active JP5517726B2 (en) 2010-04-23 2010-04-23 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5517726B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5971679B2 (en) 2011-11-21 2016-08-17 株式会社ジャパンディスプレイ Liquid crystal display
JP2014238464A (en) 2013-06-06 2014-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ Multi-faced circuit substrate for liquid-crystal display panel, and liquid-crystal display panel manufacturing method
KR102376292B1 (en) * 2017-07-26 2022-03-18 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100918180B1 (en) * 2003-03-04 2009-09-22 삼성전자주식회사 Shift register
KR101026807B1 (en) * 2004-06-09 2011-04-04 삼성전자주식회사 Drive device and display panel for display device
KR101056375B1 (en) * 2004-10-01 2011-08-11 삼성전자주식회사 Shift register, gate driving circuit and display panel using same
JP4651580B2 (en) * 2006-05-31 2011-03-16 株式会社 日立ディスプレイズ Liquid crystal display device
JP2010008444A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011232385A (en) 2011-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7116390B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus comprising the same
US8194217B2 (en) Electro-optical apparatus and electronic device having particular pixel configuration
US20150301415A1 (en) Liquid crystal display device
US8247818B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
KR100891228B1 (en) Liquid crystal display device and electronic apparatus
KR20100106240A (en) Flexible substrate, photoelectric device, and electronic device
US20180373070A1 (en) Display substrate and display device
US20180373091A1 (en) Display panel
JP5517726B2 (en) Liquid crystal display
JP5575412B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP4367506B2 (en) Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus
KR102621447B1 (en) Liquid crystal display device
US8643014B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US20100201679A1 (en) Driving circuit, driving method, electro-optical apparatus and electronic apparatus
JP2011090155A (en) Control device and electronic equipment
JP2009145639A (en) Driving system, electro-optical device and electronic device
JP2009139783A (en) Electro-optic device, electronic equipment and power supply control circuit
JP5347412B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2009157306A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5045107B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus including the same
JP5286782B2 (en) Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2009098256A (en) Liquid crystal panel, electronic apparatus, and liquid crystal panel driving method
JP2007057752A (en) Liquid crystal device
JP2008070734A (en) Liquid crystal display and electronic equipment
KR20160125275A (en) Liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130313

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130313

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130724

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5517726

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250