JP5517726B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
本発明は液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device.
コンピュータ等の情報通信端末やテレビ受像機の表示デバイスとして、液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置は、2つの基板の間に封じ込められた液晶組成物の配向を、電界を変化させることにより変え、2つの基板と液晶組成物を通過する光の透過度合いを制御することにより画像を表示させる装置である。 Liquid crystal display devices are widely used as display devices for information communication terminals such as computers and television receivers. The liquid crystal display device changes the orientation of the liquid crystal composition enclosed between two substrates by changing the electric field, and controls the degree of transmission of light passing through the two substrates and the liquid crystal composition to display an image. It is a device to display.
液晶表示装置のように、所定の階調値に対応する電圧を画面の各画素に印加する表示装置では、各画素に階調値に対応する電圧を印加するための画素トランジスタが配置されている。一般に、画面の1ライン分の画素トランジスタのゲート電極は一つの信号線(「走査線」という。)に接続され、この走査線は、シフトレジスタ回路と呼ばれる駆動回路により、各ライン毎に順にトランジスタを導通させるアクティブ電圧を出力するように制御されている。 In a display device that applies a voltage corresponding to a predetermined gradation value to each pixel of the screen, such as a liquid crystal display device, a pixel transistor for applying a voltage corresponding to the gradation value is arranged in each pixel. . In general, the gate electrodes of the pixel transistors for one line of the screen are connected to one signal line (referred to as “scanning line”), and the scanning line is sequentially turned on each line by a driving circuit called a shift register circuit. Is controlled so as to output an active voltage for conducting.
特許文献1には、このようなシフトレジスタのうち、各ラインのアクティブ/非アクティブを安定して制御するシフトレジスタ回路の一例が示されている。
近年の携帯情報端末やデジタルカメラ等における小型化/低消費電力化の要請により、上述のようなシフトレジスタ回路においても性能を維持しつつ、回路規模を小さくすることが求められている。 Due to recent demands for miniaturization / low power consumption in portable information terminals, digital cameras, and the like, it is required to reduce the circuit scale while maintaining the performance of the shift register circuit as described above.
本発明は、上述の事情を鑑みてされたものであり、シフトレジスタ回路の性能を維持しつつ、回路規模を小さくした液晶表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a reduced circuit scale while maintaining the performance of a shift register circuit.
本発明の液晶表示装置は、表示領域に配置された各画素の液晶組成物の配向を電界の形成により制御する画素トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板を備える液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタ基板は、前記表示領域を覆うように配置され、前記電界が生じていないときの前記液晶組成物の配向を決定する配向膜と、前記配向膜の外縁に前記配向膜を堰き止めるように配置された透明導電膜である配向膜堰止め導電膜と、前記画素トランジスタのゲート電極に電圧を印加する出力配線を有するシフトレジスタ回路と、を備え、前記シフトレジスタ回路は、前記出力配線がソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された出力トランジスタを有し、前記配向膜堰止め導電膜は、前記シフトレジスタ回路の一部を形成している、ことを特徴とする液晶表示装置である。 The liquid crystal display device of the present invention is a liquid crystal display device comprising a thin film transistor substrate having a pixel transistor for controlling the orientation of the liquid crystal composition of each pixel arranged in the display region by forming an electric field, wherein the thin film transistor substrate is An alignment film arranged to cover the display region and determining the alignment of the liquid crystal composition when the electric field is not generated; and a transparent conductive film arranged to dam the alignment film on an outer edge of the alignment film And a shift register circuit having an output wiring for applying a voltage to the gate electrode of the pixel transistor, wherein the output wiring is one of the source and drain electrodes. The alignment transistor blocking conductive film forms a part of the shift register circuit. Is a liquid crystal display device according to claim.
また、本発明の液晶表示装置は、前記配向膜堰止め導電膜は、前記出力トランジスタのゲート電極と電気的に接続されると共に、前記出力配線と絶縁膜を介して、前記薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合に、前記出力配線と重なるように形成されることにより、前記出力配線と協働して容量を形成していてもよい。 In the liquid crystal display device of the present invention, the alignment film blocking conductive film is electrically connected to the gate electrode of the output transistor, and on the surface of the thin film transistor substrate via the output wiring and the insulating film. A capacitance may be formed in cooperation with the output wiring by being formed so as to overlap the output wiring when projected in the vertical direction.
また、本発明の液晶表示装置は、前記シフトレジスタ回路は、前記出力トランジスタのゲート電極が前記出力トランジスタを導通させるアクティブ電位のときに、非アクティブ電位となり、前記出力トランジスタのゲート電極が非アクティブ電位のときに、アクティブ電位となる出力制御配線を更に有し、前記配向膜堰止め導電膜は、前記出力制御配線と絶縁膜を介して、前記薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合に、前記出力制御配線と重なるように形成されることにより、前記出力制御配線と容量を形成してもよい。 In the liquid crystal display device of the present invention, the shift register circuit has an inactive potential when the gate electrode of the output transistor has an active potential for conducting the output transistor, and the gate electrode of the output transistor has an inactive potential. In this case, when the output control wiring having an active potential is further provided, and the alignment film blocking conductive film is projected in a vertical direction on the surface of the thin film transistor substrate through the output control wiring and the insulating film, The output control wiring and the capacitor may be formed by overlapping with the output control wiring.
また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板は、前記画素トランジスタのソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された画素電極と、前記画素電極と共に、前記液晶組成物を配向させるための電界を形成する共通電極と、を更に有し、前記配向膜堰止め導電膜は、前記共通電極と電気的に接続されていてもよい。 Further, in the liquid crystal display device of the present invention, the thin film transistor substrate has a pixel electrode connected to one of the source / drain electrodes of the pixel transistor and the pixel electrode for aligning the liquid crystal composition. A common electrode that forms an electric field, and the alignment film blocking electrically conductive film may be electrically connected to the common electrode.
また、本発明の液晶表示装置は、前記出力トランジスタのソースドレイン電極の配線のうちの一方であり、前記出力配線に接続されている出力電極配線は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記ソースドレイン電極の配線うちの他方である入力電極配線の外側に配線され、前記出力トランジスタのゲート電極膜と前記入力電極配線の重なり合う面積が、前記ゲート電極膜と前記出力電極配線の重なり合う面積より小さくてもよい。 The liquid crystal display device according to the present invention is one of the wirings of the source and drain electrodes of the output transistor, and the output electrode wiring connected to the output wiring has a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. The gate electrode film of the output transistor and the input electrode wiring are overlapped with each other so that the overlapping area of the gate electrode film and the input electrode wiring overlaps the gate electrode film and the output electrode wiring. It may be smaller than the area.
また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記出力トランジスタのゲート電極膜は、前記出力トランジスタの半導体膜を覆っている、とすることができる。 In the liquid crystal display device of the present invention, the gate electrode film of the output transistor covers the semiconductor film of the output transistor in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate.
また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記シフトレジスタ回路内のトランジスタのゲート電極膜は、前記トランジスタの半導体膜を覆っている、とすることができる。 In the liquid crystal display device of the present invention, the gate electrode film of the transistor in the shift register circuit covers the semiconductor film of the transistor in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. it can.
また、本発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタ基板の面に対し垂直方向の視野において、前記シフトレジスタ回路内のすべてのトランジスタの各々のゲート電極膜は、前記トランジスタの各々の半導体膜を覆っている、とすることができる。 In the liquid crystal display device of the present invention, the gate electrode films of all the transistors in the shift register circuit cover the respective semiconductor films of the transistors in a visual field perpendicular to the surface of the thin film transistor substrate. It can be said.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
図1には、本発明の液晶表示装置の一実施形態に係る携帯端末装置100が概略的に示されている。この図1に示されるように、携帯端末装置100は、使用者が携帯端末装置100の機能を使用するためにキー入力による指示を行う操作部104と、使用者の指示に対する応答や無線通信の状況を出力するための表示部106と、操作部104及び表示部106を固定させるための筐体102と、各機能の演算処理を行う不図示の中央処理部等とを備えている。
FIG. 1 schematically shows a
図2は、図1の携帯端末装置100の表示部106をII−II線で切断した場合の、一部断面を示す図である。図2に示されるように、表示部106は、筐体102の内側で、液晶表示モジュール200を支える第1フレーム108及び第2フレーム110と、液晶表示モジュール200とを備え、液晶表示モジュール200は、表示領域において、表示面と反対側に配置され、表示面に向けて光を照射する光源であるバックライト装置201と、バックライト装置201からの光を画面全体に均一な光に変える光学シート203と、電界を発生させることにより液晶組成物の配向を制御する薄膜トランジスタ基板207と、薄膜トランジスタ基板207のバックライト装置201側に設置され、ある偏光成分のみを通過させる第1偏光板205と、薄膜トランジスタ基板207の液晶層側に設置され、電界が発生していない時の液晶組成物の配向を決定するための配向膜209と、液晶組成物が充填された液晶層211と、液晶層211を通過した光を赤(R)、緑(G)及び青(B)の色の光に変えるカラーフィルタ基板215と、カラーフィルタ基板215の液晶層側に設置され、電界が発生していない時の液晶組成物の配向を決定するための配向膜213と、ある偏光成分のみを通過させる第2偏光板217と、を備えている。
FIG. 2 is a diagram illustrating a partial cross section when the
また、液晶表示モジュール200は、更に、図に示される表示領域の外側のいわゆる額縁領域において、薄膜トランジスタ基板207とカラーフィルタ基板215との間で、液晶組成物を封止するためのシール223と、シール223の表示面側において、額縁領域を定義するブラックマトリクス225と、シール223のバックライト側において、薄膜トランジスタ基板207に成膜されたシフトレジスタ回路219と、シフトレジスタ回路219へバックライト装置201からの光が照射されるのを防ぐ遮光テープ227と、薄膜トランジスタ基板207上の薄膜パタンの1つであり、透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)で形成された配向膜209を堰止めるための配向膜堰止め導電膜221と、を備えている。
The liquid
図3は、配向膜堰止め導電膜221の配置の様子について示す薄膜トランジスタ基板207の平面図である。この図3に示されるように、シフトレジスタ回路219は、表示領域230の両側に形成され、配向膜堰止め導電膜221は、表示領域230を囲むように形成される。配向膜209は、表示領域を覆うように印刷されるが、配向膜209の流動性により広がっていく。配向膜堰止め導電膜221は、配向膜209の広がりを堰止め、配向膜209が、額縁領域を浸食し、シール223が配向膜堰止め導電膜221上に形成されてシーリング不備となるのを防いでいる。
FIG. 3 is a plan view of the thin
図4は、出力Giを出力するシフトレジスタ回路219の回路構成について示す図であり、図5は、図4のシフトレジスタ回路219の動作のタイミングチャートである。図4に示されるように、シフトレジスタ回路219は、主駆動回路部219AとLow固定回路部219Bとに分けられる。
Figure 4 is a diagram showing a circuit configuration of the
最初に、主駆動回路部219Aの動作について説明する。ここで、Viはクロック信号、VSTはスタート信号を表し、図中期間において、VGPLの電位はLowに固定され、VGPHはHighに固定されている。これらの信号はいずれも外部から入力される。また、図5の時刻tは2H(2水平同期期間)ごとに記されている。
First, the operation of the main
主駆動回路部219Aは、まず、図5の時刻t2のタイミングにおいて、ノードN1iの2水平駆動期間前の信号であるノードN1i−2がHighになると、このノードN1i−2はトランジスタT7Aのゲートに入力されているため、トランジスタT7Aが導通することによりノードN2はVGPLに接続されLowとなる。また、出力Gi−2は、ダイオード接続されたトランジスタT1に入力されているため、これに接続されたノードN1はHighとなり、容量C1に電位差を生じさせると共に、トランジスタT5を導通させる。ノードN1はトランジスタT4のゲート信号にもなっているため、ノードN2はトランジスタT4によってもVGPLと接続され、Lowとなる。
Main
次に、時刻t3において、クロック信号ViがHighになると、トランジスタT5が導通していることから容量C1の一方の電極の電位がHighとなり、いわゆるブートストラップにより他方の電極側であるトランジスタT5のゲート電位はより押し上げられる。これにより、出力GiのHighは確定され、後述する時刻t4の出力Giの立ち下がりの際に、印加された階調値に基づく電圧が画素に保持される。 Next, at time t3, the clock signal V i is High, the potential of one electrode of the capacitor C1 since the transistor T5 is conducting the next High, the transistor T5, which is the other electrode side by a so-called bootstrap The gate potential is pushed up more. Thereby, the high level of the output G i is determined, and the voltage based on the applied gradation value is held in the pixel when the output G i falls at time t4 described later.
時刻t4において、クロック信号ViがLowとなると、出力GiもLowとなるが、これを確定させるため、同じ時刻t4においてHighになった出力Gi+2をトランジスタTG及びトランジスタT9のゲートに入力して、トランジスタTG及びトランジスタT9を導通させ、出力Gi及びノードN1をそれぞれVGPLに接続し、出力Gi及びノードN1を共にLowとする。 When the clock signal V i becomes low at time t4, the output G i also becomes low. To determine this, the output G i + 2 that has become high at the same time t4 is input to the gates of the transistor TG and the transistor T9. Te, made conductive transistor TG and the transistor T9, and connect the output G i and node N1 VGPL respectively, and both Low output G i and node N1.
一方、同じ時刻t4のタイミングでHighになるクロック信号Vi+2をトランジスタT3のゲートに入力し、トランジスタT3を導通させることにより、ノードN2をVGPHに接続させ、ノードN2をHighとする。このノードN2のHighは後述するLow固定回路部219Bに入力される。
On the other hand, the clock signal V i + 2 that goes High at the same time t4 is input to the gate of the transistor T3, and the transistor T3 is turned on, whereby the node N2 is connected to VGPH and the node N2 is High. The high level of the node N2 is input to the low fixed
Low固定回路部219Bには、それぞれ2V(2垂直同期期間)で反転する交流信号VGL_AC1、VGL_AC1B、VGL_AC2及びVGL_AC2Bが入力されているが、図5のタイミングチャートでは、VGL_AC1がHighであり、VGL_AC2がLowである2V(2垂直同期期間)中の一部期間について示されている。この図5において、Highのゲート信号を入力しているトランジスタTA1及びトランジスタTA4は導通し、Lowのゲート信号を入力しているトランジスタTA3及びトランジスタTA2は非導通である。ここで、時刻t4においてHighになっているノードN2の信号は導通しているトランジスタTA1を通り、トランジスタT2及びトランジスタT6のゲートに入力され、これらのトランジスタを導通させる。このトランジスタT2及びトランジスタT6は、Low信号であるVGL_AC2と、ノードN1及び出力Giをそれぞれ接続する。
The low fixed
図6は、薄膜トランジスタ基板207の配向膜堰止め導電膜221が形成されている付近の一部断面について示す図である。この図6に示されるように、この断面では、図4の回路図における出力GiとノードN1の配線が現われており、容量C1付近の断面となっている。この図においては配向膜堰止め導電膜221は2箇所で分断されることにより、3つの独立した配向膜堰止め導電膜221a、221b及び221cとなっている。ここで、配向膜堰止め導電膜221a及び221cは、画素電極と協働して電界を形成する共通電極Vcomに電気的に接続されており、共通電極Vcomの電位を有する。一方、配向膜堰止め導電膜221bは、ノードN1に電気的に接続され、薄膜トランジスタ基板207の面に垂直な方向に投影した場合に出力Giの配線と重なるように形成されることにより、電気的な容量を形成している。これにより、配向膜堰止め導電膜221bと出力Giの配線との重なり部分の面積分だけ、容量C1の電気的容量を大きくしているため、ノードN1の配線と出力Giの配線との重なり部分の面積を小さくしたとしても、容量を確保できる。したがって、結果として、容量C1の回路の占める面積を小さくすることができるため、シフトレジスタ回路219の占める面積を小さくすることができ、結果として額縁領域を小さくすることができる。
FIG. 6 is a diagram showing a partial cross section of the thin
図7には、薄膜トランジスタ基板207の配向膜堰止め導電膜221が形成されている付近の図6とは異なる部分における、一部断面が示されている。この図7に示されるように、この断面では、図4の回路図における入力VGPLとノードN2の配線が現われており、容量C3付近の断面となっている。ここで、配向膜堰止め導電膜221dは、図6の配向膜堰止め導電膜221aと221cと同様に、共通電極Vcomに電気的に接続されて、共通電極Vcomの電位を有している。配向膜堰止め導電膜221dは、ノードN2の配線の上層に絶縁膜を隔てて、表示面に垂直な方向に投影した場合に重なるように形成されることにより、ノードN2との間に電気的な容量を形成している。これにより、動作時の多くの時間をLowに保たれるノードN2の信号が、配向膜堰止め導電膜221dとの電気容量で固定されることにより浮き上がらないようにしている。
FIG. 7 shows a partial cross section of a portion different from FIG. 6 in the vicinity of the alignment film blocking
図8は、シフトレジスタ回路219に含まれる、1つのトランジスタのゲート電極10g、アモルファスシリコン層10a、ソース電極10s及びドレイン電極10dについて、薄膜トランジスタ基板207の面に垂直方向に投影した場合の配置の様子を示す図であり、図9は、シフトレジスタ回路219に含まれる他のトランジスタのゲート電極20g、アモルファスシリコン層20a、ソース電極20s及びドレイン電極20dについて、図8と同様の視野で示す図である。
FIG. 8 shows an arrangement of the
ここで、図2に示されるように、シフトレジスタ回路219の位置では、バックライト装置201からの光は、遮光テープ227により遮光されてシフトレジスタ回路219に極力照射されないようになっている。これは、トランジスタのアモルファスシリコン層に、光が照射された場合に、フォトコンダクタと同様に、トランジスタのソース・ドレイン間が導通してしまうからである。しかし、額縁領域を小さくする関係上、シフトレジスタ回路219は、表示領域の近くに配置されるため、表示領域に近い側の回路には光が照射される恐れがある。
Here, as shown in FIG. 2, at the position of the
そこで、シフトレジスタ回路219の一部には、この図9に示されるように、ゲート電極20gが、アモルファスシリコン層20aを完全に覆うように形成され、アモルファスシリコン層20aに光があたるのを防ぐトランジスタが使用されている。
Therefore, as shown in FIG. 9, in part of the
一方、図9のような構成をすべてのトランジスタに適用するとシフトレジスタ回路219自体の面積が大きくなってしまい、結果として額縁領域を大きくしてしまう。したがって、図9のような構成のトランジスタは、表示領域に近い側のトランジスタにのみに適用し、表示領域から遠い、光のあたりにくい領域では、図8に示したトランジスタを使用することにより、シフトレジスタ回路219の規模をより小さくすることができる。また、本実施形態においては、図4において、通電時間が長くなると閾値VthがディプリートするトランジスタT3及びT10と、トランジスタがオフの際に通電しても実質的に影響のないトランジスタTA2及びTA4とには、図8の回路面積の小さなトランジスタを用いている。
On the other hand, when the configuration as shown in FIG. 9 is applied to all transistors, the area of the
図10は、図4のトランジスタT5のゲート電極30g、アモルファスシリコン層30a、ソース電極30s及びドレイン電極30dについて、薄膜トランジスタ基板207の面に垂直方向に投影した場合の配置の様子を示す図である。図10に示されるように、トランジスタT5は、図9と比較すると、ドレイン電極30dとソース電極30sとの間の容量は保ったまま、ソース電極30sをドレイン電極30dの外側に配置し、ドレイン電極30dとゲート電極30gとの間の重なり合う面積をより小さくすることにより、ドレイン電極30dとゲート電極30gとの間の容量を小さくしている。
FIG. 10 is a diagram showing the arrangement of the
トランジスタT5のドレイン電極30dは、トランジスタT5が導通していなくても絶えずクロック信号Viが入力されるため、ドレイン電極30dとゲート電極30gとの間で充放電を繰り返す。したがって、このドレイン電極30dとゲート電極30gとの間の容量を小さくすることによりこの負荷を減らすことができ、消費電力を小さくすることができると共に、クロック信号Viの波形鈍りを抑えることができる。なお、ソース電極30sは、出力Giに接続されており、容量が大きいため、トランジスタT5における容量が増加しても、影響が小さい。
A
したがって、本実施形態によれば、シフトレジスタ回路219の性能を損なうことなく、回路規模を小さくすることができるため、表示装置の小型化及び低消費電力化を実現することができる。
Therefore, according to the present embodiment, since the circuit scale can be reduced without impairing the performance of the
なお、本実施形態では、配向膜堰止め導電膜221a、221c及び221dは共通電極Vcomに接続されていることとしたが、他の配線と接続されていてもよいし、独立してフローティングとなっていてもよい。
In the present embodiment, the alignment film blocking
また、本実施形態では、液晶表示装置を携帯端末装置としたが、テレビやデジタルカメラ等その他の液晶表示装置であってもよい。 In the present embodiment, the liquid crystal display device is a portable terminal device, but other liquid crystal display devices such as a television and a digital camera may be used.
また、上述の実施形態の液晶表示装置は、特に方式を指定していないが、IPS(In-Plane Switching)方式、VA(Vertically Aligned)方式及びTN(Twisted Nematic)方式のいずれの方式の液晶表示装置であっても適用することができる。 In addition, the liquid crystal display device of the above-described embodiment does not specify a method, but any of liquid crystal displays of an IPS (In-Plane Switching) method, a VA (Vertically Aligned) method, and a TN (Twisted Nematic) method. Even an apparatus can be applied.
100 携帯端末装置、102 筐体、104 操作部、106 表示部、108,110 フレーム、200 液晶表示モジュール、201 バックライト装置、203 光学シート、205 偏光板、207 薄膜トランジスタ基板、209 配向膜、211 液晶層、213 配向膜、215 カラーフィルタ基板、217 偏光板、219 シフトレジスタ回路、219A 主駆動回路部、219B 固定回路部、221 配向膜堰止め導電膜、223 シール、225 ブラックマトリクス、227 遮光テープ、230 表示領域、10s,20s,30s ソース電極、10d,20d,30d ドレイン電極、10a,20a,30a アモルファスシリコン層。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記薄膜トランジスタ基板は、
前記表示領域を覆うように配置され、前記電界が生じていないときの前記液晶組成物の配向を決定する配向膜と、
前記配向膜の外縁に前記配向膜を堰き止めるように配置された透明導電膜である配向膜堰止め導電膜と、
前記画素トランジスタのゲート電極に電圧を印加する出力配線を有するシフトレジスタ回路と、を備え、
前記シフトレジスタ回路は、
前記出力配線がソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された出力トランジスタと、
前記出力トランジスタのゲート電極が前記出力トランジスタを導通させるアクティブ電位のときに、非アクティブ電位となり、前記出力トランジスタのゲート電極が非アクティブ電位のときに、アクティブ電位となる出力制御配線と、を有し、
前記配向膜堰止め導電膜は、絶縁膜を介して、前記薄膜トランジスタ基板の面に垂直方向に投影した場合に、前記出力制御配線と重なるように形成されることにより、前記出力制御配線と容量を形成している、ことを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display device comprising a thin film transistor substrate having a pixel transistor for controlling the orientation of a liquid crystal composition of each pixel arranged in a display region by forming an electric field,
The thin film transistor substrate is
An alignment film that is disposed so as to cover the display region and determines the alignment of the liquid crystal composition when the electric field is not generated;
An alignment film damming conductive film which is a transparent conductive film arranged to dam the alignment film on the outer edge of the alignment film;
A shift register circuit having an output wiring for applying a voltage to the gate electrode of the pixel transistor,
The shift register circuit includes:
An output transistor in which the output wiring is connected to one of the source and drain electrodes ;
An output control wiring that becomes an inactive potential when the gate electrode of the output transistor is at an active potential for conducting the output transistor, and becomes an active potential when the gate electrode of the output transistor is at an inactive potential. ,
The alignment film blocking conductive film is formed so as to overlap with the output control wiring when projected on the surface of the thin film transistor substrate through the insulating film in the vertical direction, thereby reducing the capacity of the output control wiring and the capacitance. A liquid crystal display device characterized by being formed .
前記画素トランジスタのソースドレイン電極のうちの一方の電極に接続された画素電極と、
前記画素電極と共に、前記液晶組成物を配向させるための電界を形成する共通電極と、を更に有し、
前記配向膜堰止め導電膜は、前記共通電極と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 The thin film transistor substrate is
A pixel electrode connected to one of the source and drain electrodes of the pixel transistor;
A common electrode that forms an electric field for aligning the liquid crystal composition together with the pixel electrode;
The alignment layer dammed conductive film, a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the common electrode and are electrically connected, it is characterized.
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