JP5511564B2 - Regulator device - Google Patents
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Description
本発明は、高耐圧のDC−DC変換器としてのレギュレータ装置に関する。 The present invention relates to a regulator device as a high breakdown voltage DC-DC converter.
レギュレータ装置として、非特許文献1に記載のものがある。これは、STB端子(スタンバイモード設定端子)を0.5V以下に設定すればスタンバイモードに、2.4V〜2.6Vの範囲の電圧に設定すれば制御回路の発振器以外を動作させるスレーブモードに、3.0V以上にすれば制御回路の発振器も含む全体を動作させるマスタモード(通常動作モード)に設定できる。このレギュレータ装置では、これを2個使用してマスタ・スレーブ機能を発揮させるときは、マスタ側レギュレータ装置で生成した基準電圧VREF(2.5V)をスレーブ側レギュレータ装置のSTB端子に入力する。 There exists a thing of a nonpatent literature 1 as a regulator apparatus. This is a standby mode when the STB terminal (standby mode setting terminal) is set to 0.5 V or less, and a slave mode that operates other than the oscillator of the control circuit when set to a voltage in the range of 2.4 V to 2.6 V. If it is set to 3.0 V or higher, the master mode (normal operation mode) in which the entire control circuit including the oscillator is operated can be set. In this regulator device, when two of them are used to exert the master / slave function, the reference voltage VREF (2.5 V) generated by the master side regulator device is input to the STB terminal of the slave side regulator device.
ところが、このレギュレータ装置を2個使用してマスタ・スレーブ機能を発揮させるには、上記のようにスレーブ側レギュレータ装置のSTB端子に、特別に基準電圧VREFを入力させることが必要であった。また、このレギュレータ装置を単体として使用するときは、STB端子に電圧を印加して起動させるので、発振器を停止させるスレーブモードでは、起動する以前は基準電圧VREFが発生しておらず、起動ができない。 However, in order to exhibit the master / slave function using two regulator devices, it is necessary to input the reference voltage VREF specifically to the STB terminal of the slave regulator device as described above. Further, when this regulator device is used as a single unit, it is activated by applying a voltage to the STB terminal. Therefore, in the slave mode in which the oscillator is stopped, the reference voltage VREF is not generated before the activation and cannot be activated. .
本発明の目的は、外部からの電圧が入力しなくても起動でき、また制御回路内の発振器の停止機能も備えたレギュレータ装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a regulator device that can be started without an external voltage input and that also has a function of stopping an oscillator in a control circuit.
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明のレギュレータ装置は、定電流が供給される1又は2以上の直列接続のダイオード(MN2,MN3)によりイネーブル端子(2)に第1閾値電圧より高い定電圧を印加する定電圧生成回路(4)と、前記イネーブル端子(2)に前記第1閾値電圧以上の電圧が印加しているとき動作して、入力電圧を降圧処理した電圧を出力電圧として出力するレギュレータ回路(5)と、内部に発振器(62)を備え前記レギュレータ回路(5)の前記出力電圧が動作電圧として入力する制御回路(6)を備え、該制御回路(6)は、前記イネーブル端子(2)に前記第1閾値電圧より高い第2閾値電圧以上の電圧が印加しているとき全体が動作し、前記イネーブル端子(2)に前記第2閾値電圧未満の電圧が印加しているときは、前記発振器(62)が動作停止することを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のレギュレータ装置において、前記定電圧生成回路(4)が、第1のツェナーダイオード(ZD2)と、該第1のツェナーダイオード(ZD2)で設定された電圧により動作する第1のトランジスタ(MND1)と、該第1のトランジスタ(MND1)に直列接続され前記定電流を生成して前記ダイオード(MN2,MN3)に供給する第2のトランジスタ(MN1)とを備えることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1又は2に記載のレギュレータ装置において、前記レギュレータ回路(5)が、前記イネーブル端子(2)に前記第1閾値電圧以上の電圧が印加しているとき動作する第3のトランジスタ(MND2)と、該第3のトランジスタ(MND2)が動作すると動作して第2のツェナーダイオード(ZD3)に電流を流す第4のトランジスタ(MPD1)と、前記第2のツェナーダイオード(ZD3)で設定された電圧により動作し前記入力電圧を降圧して前記出力電圧を生成する第5のトランジスタ(MND3)と、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a regulator device according to a first aspect of the present invention includes a first threshold voltage applied to an enable terminal (2) by one or more series-connected diodes (MN2, MN3) to which a constant current is supplied. A constant voltage generation circuit (4) that applies a higher constant voltage, and operates when a voltage equal to or higher than the first threshold voltage is applied to the enable terminal (2), and outputs a voltage obtained by stepping down the input voltage A regulator circuit (5) that outputs as a voltage, and a control circuit (6) that includes an oscillator (62) inside and that outputs the output voltage of the regulator circuit (5) as an operating voltage. The control circuit (6) When the voltage higher than the second threshold voltage higher than the first threshold voltage is applied to the enable terminal (2), the whole operates, and the enable terminal (2) is less than the second threshold voltage. When pressure is applied, characterized in that the oscillator (62) stops operating.
According to a second aspect of the present invention, in the regulator device according to the first aspect, the constant voltage generating circuit (4) is set by a first Zener diode (ZD2) and the first Zener diode (ZD2). A first transistor (MND1) that is operated by the selected voltage, and a second transistor (MN1) that is connected in series to the first transistor (MND1), generates the constant current, and supplies the constant current to the diodes (MN2, MN3). It is characterized by providing.
The invention according to
請求項1にかかる発明によれば、イネーブル端子を接地に接続すれば、第1の閾値電圧より低い電圧がイネーブル端子に印加することになり、レギュレータ回路が動作停止する。また、イネーブル端子をオープンにすれば、定電圧生成回路に発生した定電圧がイネーブル端子に印加し、レギュレータ回路が動作して所定の出力電圧を生成するので、制御回路の発振器を除いた回路が動作する。さらに、イネーブル端子に第2閾値電圧以上の電圧を印加すれば制御回路の全体も動作するようになる。つまり、レギュレータ回路と制御回路の発振器を除く回路部分とは、イネーブル端子に外部から電圧を入力しなくても動作する。よって、このレギュレータ装置を単独起動できる。また、このレギュレータ装置を2個使用してマスタ・スレーブ機能を発揮させるとき、スレーブ側に特別の電圧を入力させる必要がない。また、請求項2,3にかかる発明によれば、定電圧生成回路やレギュレータ回路に本発明のトランジスタを使用すると、それに直列に接続されるトランジスタには、本発明のトランジスタより低耐圧のトランジスタを使用できる。 According to the first aspect of the present invention, when the enable terminal is connected to the ground, a voltage lower than the first threshold voltage is applied to the enable terminal, and the regulator circuit stops operating. If the enable terminal is opened, the constant voltage generated in the constant voltage generation circuit is applied to the enable terminal, and the regulator circuit operates to generate a predetermined output voltage. Operate. Furthermore, if a voltage equal to or higher than the second threshold voltage is applied to the enable terminal, the entire control circuit also operates. In other words, the circuit portion excluding the oscillator of the regulator circuit and the control circuit operates without inputting a voltage from the outside to the enable terminal. Therefore, this regulator device can be activated independently. Further, when two regulator devices are used to exert the master / slave function, it is not necessary to input a special voltage to the slave side. According to the second and third aspects of the invention, when the transistor of the present invention is used in a constant voltage generation circuit or a regulator circuit, a transistor having a lower breakdown voltage than that of the transistor of the present invention is used as a transistor connected in series to the transistor. Can be used.
<第1の実施例>
図1に本発明の第1の実施例のレギュレータ装置を示す。1は高電位の入力電圧VDDが入力する電源端子、2はイネーブル信号ENが入力するイネーブル端子、3は出力電圧Voutの出力端子、4は定電圧を生成してイネーブル端子2に印加する定電圧生成回路、5はイネーブル端子2が第1閾値電圧以上のとき入力電圧VDDを降圧処理して所望の出力電圧Voutを生成するレギュレータ回路、6はレギュレータ回路5の出力電圧Voutによって動作する制御回路である。この制御回路6は、制御回路本体61に三角波等を生成する発振器62を備え、また、イネーブル端子2が第1閾値電圧より高い第2閾値電圧以上のときその発振器62の動作させる比較器63を備える。
<First embodiment>
FIG. 1 shows a regulator device according to a first embodiment of the present invention. 1 is a power supply terminal to which a high potential input voltage VDD is input, 2 is an enable terminal to which an enable signal EN is input, 3 is an output terminal of an output voltage Vout, 4 is a constant voltage that generates a constant voltage and applies it to the enable terminal 2
定電圧生成回路4は、入力保護用のツェナーダイオードZD1、抵抗R1,R2、N型エンハンスメント高耐圧MOSトランジスタMND1、ツェナーダイオードZD2、N型デプレッション低耐圧MOSトランジスタMN1、ダイオード接続された2個のN型エンハンスメント低耐圧MOSトランジスタMN2,MN3を有する。ダイオード接続トランジスタは、2個に限られずず、1個または3個以上の直列接続であってもよい。 The constant voltage generation circuit 4 includes an input protection Zener diode ZD1, resistors R1 and R2, an N-type enhancement high voltage MOS transistor MND1, a Zener diode ZD2, an N-type depletion low voltage MOS transistor MN1, and two diode-connected N Type enhancement low breakdown voltage MOS transistors MN2 and MN3. The number of diode-connected transistors is not limited to two, and one or three or more series-connected transistors may be used.
ここでは、ツェナーダイオードZD2で発生するツェナー電圧Vzd2によってバイアスされるトランジスタMND1が導通すると、ノードN1が低電圧(Vzd2−Vgsmnd1)となる。Vgsmnd1はトランジスタMND1のゲート・ソース間電圧である。これにより、トランジスタMN1〜MN3に低耐圧のトランジスタを使用できる。トランジスタMN1は定電流源として機能し、この定電流がダイオード接続のトランジスタMN2,MN3に流れることで、イネーブル端子2に後記する第1閾値電圧よりも高い定電圧(Vgsmn2+Vgsmn3)が生成される。Vgsmn2,Vgsmn3はトランジスタMN2,MN3のゲート・ソース間電圧である。そして、デプレッショントランジスタMN1の電流温度特性とエンハンスメントトランジスタMN2,MN3の閾値電圧温度特性とにより、この定電圧の温度による変動を少なくすることができる。
Here, when the transistor MND1 biased by the Zener voltage Vzd2 generated in the Zener diode ZD2 becomes conductive, the node N1 becomes a low voltage (Vzd2-Vgsmnd1). Vgsmnd1 is a gate-source voltage of the transistor MND1. Thereby, low breakdown voltage transistors can be used for the transistors MN1 to MN3. The transistor MN1 functions as a constant current source, and a constant voltage (Vgsmn2 + Vgsmn3) higher than a first threshold voltage to be described later is generated in the enable
レギュレータ回路5は、定電流源として機能するN型デプレッション低耐圧MOSトランジスタMN4と、N型エンハンスメント高耐圧MOSトランジスタMND2,MND3と、P型エンハンスメント高耐圧MOSトランジスタMPD1と、P型エンハンスメント低耐圧MOSトランジスタMP1と、抵抗R3,R4,R5と、ツェナーダイオードZD3,ZD4とを有する。トランジスタMND2は、イネーブル端子2が第1閾値電圧以上のとき動作する。
The
ここでは、イネーブル端子2の電圧が第1閾値電圧以上になると、トランジスタMND2が導通するので、抵抗R3に発生する電圧によりトランジスタMP1が導通し、トランジスタMND2,MN4を経由してバイアス電流が流れ、ノードN2の電位を低下させて、トランジスタMPD1を導通させ、そこに電流が流れる。この電流は、Vgsmp1/R3となる。Vgsmp1はトランジスタMP1のゲート・ソース間電圧である。トランジスタMPD1のゲート電圧(ノードN2)は、抵抗R3の電圧降下Vr3とトランジスタMPD1のゲート・ソース間電圧Vgsmpd1の加算値(=Vr3+Vgsmpd1)となる。よって、トランジスタMPD1のゲート耐圧およびトランジスタMP1の耐圧を越えることなく、それらのトランジスタMPD1,MP1を動作させることができる。また、デプレッショントランジスタが1素子となるため、レイアウト上の素子面積を最小限にすることができる。以上により、ツェナーダイオードZD3に定電圧Vzd3が発生してトランジスタMND3のゲートに印加し、トランジスタMND3の内部抵抗が制御され、所望の出力電圧Voutが生成され、制御回路6に供給される。そして、出力電圧Voutは、Vout=Vzd3−Vgsmnd3となる。Vgsmnd3はトランジスタMND3のゲート・ソース間電圧である。
Here, when the voltage of the enable
なお、ツェナーダイオードZD4はトランジスタMP1の保護のためのダイオードである。また、抵抗R4はトランジスタMND2が遮断したときにトランジスタMPD1を強制遮断させるためのゲートプルアップ抵抗である。さらに、抵抗R5はトランジスタMPD1が遮断したときにトランジスタMND3を強制遮断させるためのゲートプルダウン抵抗である。 The Zener diode ZD4 is a diode for protecting the transistor MP1. The resistor R4 is a gate pull-up resistor for forcibly turning off the transistor MPD1 when the transistor MND2 is turned off. Furthermore, the resistor R5 is a gate pull-down resistor for forcibly turning off the transistor MND3 when the transistor MPD1 is turned off.
制御回路6の制御回路本体61は、レギュレータ回路5の出力電圧Voutを入力して動作し、例えば、外部入力する信号(図示せず)を発振器62で生成した三角波信号と比較してPWM信号を生成する処理を行ったり、他の信号処理を行う。発振器62は、イネーブル端子2の電圧が第2閾値電圧(Vref)未満では比較器63によって動作停止されるが、その第2閾値電圧を越えると動作する。
The
さて、図4の(a)に示すように、イネーブル端子2を接地GNDに接続した場合は、レギュレータ回路5のトランジスタMND2は、そのゲートが接地電位となり第1閾値電圧以下となるので、遮断する。したがって、レギュレータ回路5ではトランジスタMPD1が遮断し、ツェナーダイオードZD3に電流が流れず、トランジスタMND3が抵抗R5で接地GNDにプルダウンされるので、そのトランジスタMND3が遮断する。よって、出力電圧Voutがゼロとなって、制御回路6は動作しない。
As shown in FIG. 4A, when the enable
また、図4の(b)に示すように、イネーブル端子2をオープンにした場合は、イネーブル端子2には、定電圧生成回路4において、トランジスタMN2,MN3のゲート・ソース間電圧加算値(Vgsmn2+Vgsmn3)で決まる定電圧が生成するので、レギュレータ回路5のトランジスタMND2はそのゲート電位が第1閾値電圧を越えて導通し、トランジスタMPD1,MND3が導通して、所望の出力電圧Voutを出力する。この結果、制御回路6はその出力電圧Voutによって動作状態となる。ただし、制御回路6の比較器63の第2閾値電圧(Vref)の値を、Vref>(Vgsmn2+Vgsmn3)に設定しておけば、比較器63の出力はロウレベルとなるので、制御回路本体61内の発振器62は動作停止となる。
Further, as shown in FIG. 4B, when the enable
さらに、図4の(c)に示すように、イネーブル端子2に電圧Vaを印加し、あるいは、図4の(d)に示すように、抵抗R6を介して電源端子1に接続して、そのイネーブル端子2に前記した第2閾値電圧(Vref)を越える電圧が印加するようにしたときは、レギュレータ回路5が動作するとともに、制御回路6の比較器63の出力がハイレベルとなり、発振器62が動作する。つまり、制御回路本体61が完全動作する。なお、図4の(c),(d)に示す場合は、トランジスタMN1のドレイン電圧が高くなり、基板効果によりそのトランジスタMN1の閾値が高くなるので、イネーブル端子2に流れる電流が前記した図4の(a)、(b)の場合よりも減少する。
Further, as shown in FIG. 4C, the voltage Va is applied to the enable
<第2の実施例>
図2に本発明の第2の実施例のレギュレータ装置を示す。このレギュレータ装置は、ツェナーダイオードZD2と抵抗R2の間に、ドレインとゲートを共通接続したN型エンハンスメント高耐圧MOSトランジスタMND4を接続し、さらに、イネーブル端子2とトランジスタMND2のゲート(ノードN3)の間にバッファ回路51を接続して、そのバッファ回路51の電源電圧として、ノードN1の電圧を供給し、イネーブル端子2に第1閾値電圧を越える電圧が印加したとき、バッファ回路51からノードN1の電圧をノードN3に出力してトランジスタMND2のゲートに入力させるようにしたものである。
<Second embodiment>
FIG. 2 shows a regulator device according to a second embodiment of the present invention. In this regulator device, an N-type enhancement high voltage MOS transistor MND4 having a drain and a gate connected in common is connected between a Zener diode ZD2 and a resistor R2, and further, between the
ここでは、トランジスタMND1のゲート・ソース間電圧がトランジスタMND4のゲート・ソース間電圧でキャンセルされるので、ノードN1の電圧が、ツェナーダイオードZD2のツェナー電圧Vzd2に等しくなり、第1の実施例の場合より高くなる。よって、イネーブル端子2がオープン、あるいは第2閾値電圧以上の電圧がイネーブル端子2に印加されたとき、ノードN1の電圧がトランジスタMND2のゲートに印加し、そのトランジスタMND2を確実に導通させ、レギュレータ回路5を安定動作させる。
Here, since the gate-source voltage of the transistor MND1 is canceled by the gate-source voltage of the transistor MND4, the voltage of the node N1 becomes equal to the Zener voltage Vzd2 of the Zener diode ZD2, which is the case of the first embodiment. Get higher. Therefore, when the enable
図3にバッファ回路51の内部回路を示した。このバッファ回路51は、N型エンハンスメント低耐圧MOSトランジスタMN11と抵抗R11からなる第1閾値電圧設定部と、N型エンハンスメント低耐圧MOSトランジスタMN12およびP型エンハンスメント低耐圧MOSトランジスタMP11からなるCMOSインバータとから構成されている。
FIG. 3 shows an internal circuit of the
このバッファ回路51では、イネーブル端子2の電圧が第1閾値電圧以上になると、トランジスタMN11が導通してトランジスタMP11が導通し、ノードN3にノードN1の電圧を出力する。つまり、ツェナーダイオードZD2のツェナー電圧Vzd2がトランジスタMND2のゲート印加し、そのトランジスタMND2の導通が確実になる。
In the
1:電源端子
2:イネーブル端子
3:出力端子
4:定電圧生成回路
5:レギュレータ回路、51:バッファ回路
6:制御回路、61:制御回路本体、62:発振器、63:比較器
1: power supply terminal 2: enable terminal 3: output terminal 4: constant voltage generation circuit 5: regulator circuit, 51: buffer circuit 6: control circuit, 61: control circuit body, 62: oscillator, 63: comparator
Claims (3)
前記イネーブル端子に前記第1閾値電圧以上の電圧が印加しているとき動作して、入力電圧を降圧処理した電圧を出力電圧として出力するレギュレータ回路と、
内部に発振器を備え前記レギュレータ回路の前記出力電圧が動作電圧として入力する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記イネーブル端子に前記第1閾値電圧より高い第2閾値電圧以上の電圧が印加しているとき全体が動作し、前記イネーブル端子に前記第2閾値電圧未満の電圧が印加しているときは、前記発振器が動作停止することを特徴とするレギュレータ装置。 A constant voltage generation circuit that applies a constant voltage higher than the first threshold voltage to the enable terminal by one or two or more series-connected diodes supplied with a constant current;
A regulator circuit that operates when a voltage equal to or higher than the first threshold voltage is applied to the enable terminal and outputs a voltage obtained by stepping down the input voltage as an output voltage;
An internal oscillator, and a control circuit for inputting the output voltage of the regulator circuit as an operating voltage.
The control circuit operates as a whole when a voltage equal to or higher than a second threshold voltage higher than the first threshold voltage is applied to the enable terminal, and a voltage lower than the second threshold voltage is applied to the enable terminal. The regulator device characterized in that the operation of the oscillator is stopped when it is in operation.
前記定電圧生成回路は、第1のツェナーダイオードと、該第1のツェナーダイオードで設定された電圧により動作する第1のトランジスタと、該第1のトランジスタに直列接続され前記定電流を生成して前記ダイオードに供給する第2のトランジスタと、を備えることを特徴とするレギュレータ装置。 The regulator device according to claim 1,
The constant voltage generating circuit includes a first Zener diode, a first transistor that operates with a voltage set by the first Zener diode, and a series connection of the first transistor to generate the constant current. And a second transistor that supplies the diode.
前記レギュレータ回路は、前記イネーブル端子に前記第1閾値電圧以上の電圧が印加しているとき動作する第3のトランジスタと、該第3のトランジスタが動作すると動作して第2のツェナーダイオードに電流を流す第4のトランジスタと、前記第2のツェナーダイオードで設定された電圧により動作し前記入力電圧を降圧して前記出力電圧を生成する第5のトランジスタと、を備えることを特徴とするレギュレータ装置。
In the regulator device according to claim 1 or 2,
The regulator circuit operates when a voltage equal to or higher than the first threshold voltage is applied to the enable terminal, and operates when the third transistor operates to supply current to the second Zener diode. A regulator device comprising: a fourth transistor that flows; and a fifth transistor that operates by a voltage set by the second Zener diode and that steps down the input voltage to generate the output voltage.
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