JP5511557B2 - ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 151
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 13
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000005356 container glass Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
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- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
本発明は、基板に複数の貫通電極を形成する製造方法及びこれを用いた電子部品の製造方法に関する。
近年、携帯電話や携帯情報端末機器の時刻源やタイミング源に水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。圧電振動子には様々なものが知られているが、その一つとして表面実装型の圧電振動子が知られている。この圧電振動子として、圧電振動片が形成された圧電基板をベース基板とリッド基板で上下から挟みこんで接合した３層構造タイプのものが知られている。圧電振動片はベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納されている。
また、最近では、２層構造タイプの圧電振動子が開発されている。このタイプは、ベース基板とリッド基板を直接接合した２層構造タイプのパッケージからなり、ベース基板とリッド基板の間に構成されるキャビティ内に圧電振動片が収納されている。２層構造タイプの圧電素子は３層構造タイプに比べて薄型化を図ることができるなどの点において優れている。
特許文献１及び特許文献２には２層構造タイプの水晶振動子パッケージが記載されている。ベース基板やリッド基板のパッケージ材料としてガラス材料を使用している。ガラス材料を使用するので、セラミックスを使用した場合と比べて成形が容易であり、製造コストを下げることができる。また、ガラス材料は熱伝導率が小さいので断熱性に優れ、内部の圧電振動子を温度変化から保護することができる。
特許文献３には、上記と同様の２層構造タイプの水晶振動子パッケージが記載されている。この場合も、ベース基板にガラス材料を用い、このベース基板に金属材料を用いた貫通電極を形成する方法が記載されている。ガラス材料に貫通電極を形成する際に、まずガラス板に貫通孔を形成している。図１６は、ガラス板１３１に金属ピン１１５からなる貫通電極を形成する方法を表している（特許文献３の図３）。図１６（ａ）はガラス板１３１に貫通孔１１９を形成する方法を示す。ガラス板１３１をダイ１２６の底部に設置する。ダイ１２６にはヒータ１２５が設置され、ガラス板１３１を加熱することができる。ダイ１２６の上部にはパンチ１２９からなる穴開け機が設置されている。パンチ１２９のガラス板１３１側には孔開けピン１２８が設置され、また、パンチ１２９にもヒータ１２７が設置されている。そして、ガラス板１３１を所定の温度に加熱した後に、パンチ１２９を下げて貫通孔１１９を形成する。
図１６（ｂ）はガラス板１３１の貫通孔１１９に金属ピン１１５を打ち込む方法を示している。貫通孔１１９を形成したガラス板１３１を台１３５に設置し、ガラスフリット吹き付け機１３３により貫通孔１１９にガラスフリット１３２を吹き付け、金属ピン打ち込み機１３４により金属ピン１１５を貫通孔１１９に打ち込む。
図１７は、プレス成型工程を表している（特許文献３の図４）。図１７（ａ）に示されるように、金属ピン１１５を貫通孔１１９に打ち込んだガラス板１３１をプレス下型１３６とプレス上型１３７の間に設置する。プレス上型１３７には間仕切り凸条１３８、ピン頭収納凹部１３９や凹部形成用凸条１４１が形成されている。この型を電気炉に投入して、プレス上型１３７をプレス下型１３６に押圧しながら温度１０００℃以上に加熱する。その結果、図１７（ｂ）に示されるように、プレス上型１３７の表面の凹凸がガラス板１３１に転写され、分割用溝１４２や凹部１１６がガラス板１３１に形成される。同時にシール性が確保された金属ピン１１５からなる貫通電極がガラス板１３１に形成される。
しかしながら、ガラス板１３１を加熱して貫通孔１１９を形成し、その後ガラス板１３１を冷却すると、ガラス板１３１は内部応力により歪み、ガラス板１３１の平坦性が低下した。また、ガラス板１３１にプレス上型１３７の表面形状を転写した後に冷却すると、転写時のガラスの流動や、冷却時の熱の不均一性により、金属ピン１１５が傾く、また、金属ピン１１５の位置ずれが発生する、或いは内部応力によりガラス板１３１が複雑に歪んだ。更に、研削して反りを修正しようとすると、研削量が多くなって加工に長時間要する、あるいは所期形状の取り個数が減少した。また、凹部１１６の底面に露出した金属ピン１１５が傾斜して貫通電極の位置ずれが発生した。また、凹部１１６を囲む側壁上面の平坦性が悪いと、この上面に接合する蓋の気密性が確保できなくなり、電子部品の信頼性が低下する、という課題があった。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、貫通電極を高位置精度で設置した平坦性に優れたガラス基板を提供することができる。
本発明によるガラス基板の製造方法は、２枚の基台の間に複数の導電体から成るワイヤーを平行に張るワイヤー張り工程と、前記基台間の複数のワイヤーをガラスに埋め込むワイヤー埋め込み工程と、前記ガラスを冷却し、ワイヤーが埋め込まれたガラスインゴットを形成するインゴット形成工程と、前記インゴットをスライスしてガラス板を形成する切断工程と、前記ガラス板を研磨し、表面と裏面に前記複数のワイヤーを露出させて貫通電極とする研磨工程と、を備える。
また、前記ワイヤー張り工程は、２枚の基台に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記複数の貫通孔に複数のワイヤーを通すワイヤー装着工程と、前記ワイヤーの一端を基台に係止させる係止部を形成する係止部形成工程と、前記ワイヤーに張力を付与する張力付与工程と、を備えることとした。
また、前記取り出し工程において、前記ガラス基板の歪点よりも５０℃高い温度までの冷却速度よりも、歪点よりも５０℃高い温度から歪点よりも５０℃低い温度までの冷却速度を遅くすることとした。
また、前記ワイヤーの熱膨張率は前記ガラスと同程度とした。
本発明による電子部品の製造方法は、上記いずれかに記載の貫通電極付きガラス基板の製造方法に基づいてガラス基板を形成し、前記ガラス基板に電極を形成してベース基板とするベース基板形成工程と、前記ベース基板に電子部品を実装する実装工程と、前記電子部品を実装したベース基板にリッド基板を接合する接合工程を備える。
本発明のガラス基板の製造方法は、２枚の基台の間に複数の導電体から成るワイヤーを平行に張るワイヤー張り工程と、この基台間の複数のワイヤーをガラスに埋め込むワイヤー埋め込み工程と、このガラスを冷却し、ワイヤーが埋め込まれたガラスインゴットを形成するインゴット形成工程と、インゴットをスライスしてガラス板を形成する切断工程と、ガラス板を研磨し、表面と裏面に複数のワイヤーを露出させて貫通電極とする研磨工程と、を備える。これにより、ワイヤーの位置を高精度で制御することができるとともに、ガラスインゴットを冷却後にスライスするので、反りがなく気密性の高い貫通電極付きのガラス基板を形成することができる。
図１は、本発明に係る貫通電極付きガラス基板の製造方法を表す工程図であり、本発明の基本的構成を表す。まず、ワイヤー張り工程Ｓ１において、耐熱性の材料、例えばカーボンなどから成る２つの基台の間に複数のワイヤーを平行に張る。ワイヤーとしてはガラス基板の熱膨張係数に近い材料を選定する。次に、ワイヤー埋め込み工程Ｓ２において、複数のワイヤーを張った２つの基台を例えば耐熱性の容器に投入し、この容器に溶融したガラスを流し込んで複数のワイヤーをガラスに埋め込む。この場合に、ガラスを１０００℃以上の温度に加熱し、必要に応じて溶融ガラスを加圧してガラスの流動を促進させる。また、ワイヤーを張った２つの基台を耐熱性容器に投入することに代えて、ワイヤーを張る２つの基台により容器を構成し、この容器にガラスを流し込むようにしてもよい。
次に、インゴット形成工程Ｓ３において、ガラスを冷却してガラスインゴットを形成する。ワイヤーを張った２つの基台を容器に投入した場合は、容器からガラスインゴットを取り出し、２つの基台が容器を構成する場合は、基台部分を除去してガラスインゴットを得る。次に、切断工程Ｓ５において、ワイヤーソー等のスライサーを用いてガラスインゴットを輪切りにする。次に、研削工程Ｓ６において、スライスしたガラス板の両面を研削及び研磨してガラス板の両面にワイヤーの断面を露出させて、貫通電極付きガラス基板とする。このように、複数のワイヤーに張力を与え、溶融ガラスにより埋め込み、冷却後に切断するので、反りのない貫通電極付きのガラス基板を得ることができる。
図２は、本発明に係る貫通電極付きガラス基板の他の製造方法を表す工程図である。ワイヤー張り工程Ｓ１は、２枚の基台に複数の貫通孔を形成する基台貫通孔形成工程Ｓ６と、複数の貫通孔に複数のワイヤーを通すワイヤー装着工程Ｓ７と、通したワイヤーの一端を基台に係止させるためにワイヤーの先端に係止部を形成する係止部形成工程Ｓ８とを備える。ワイヤー装着工程Ｓ７においては、例えば貫通孔の位置合わせを行った２枚の基台を振動板上に設置する。そして、一端に台座を設置したワイヤーを用意する。台座は貫通口の径よりも大きく、ワイヤーは貫通口の径よりわずかに小さい。このワイヤーを上記振動する２枚の基台の上に載置する。これにより、基台に多数の貫通孔が存在する場合でもその貫通孔にワイヤーを容易に挿入することができる。この場合、ワイヤーの台座がストッパーとなる。
次に、係止部形成工程Ｓ８において、上方の基台を上昇させ、２枚の台座を離間させて固定する。そして、下方の基台の下面から突出するワイヤーの突出部に係止部を形成する。次に、張力付与工程Ｓ９において、２枚の基台を引き離すように応力を加える。つまり装着した複数のワイヤーに張力を付与する。これにより、２枚の基台間に多数のワイヤーを容易に張ることができる。
また、インゴット形成工程Ｓ３において、ガラス基板の歪点よりも５０℃高い温度までの冷却速度よりも、歪点よりも５０℃高い温度から歪点よりも５０℃低い温度までの冷却速度を遅くすることができる。これにより、ガラス基板に残留する歪みが低減し、ワイヤーとガラス基板との間に生じる間隙やクラックの発生を防止し、気密性の高い貫通電極を形成することができる。また、ワイヤーの熱膨張率をガラスと同程度にすれば、熱膨張差による残留応力を低減し、貫通電極とガラス間に間隙やクラックの発生を防止することができる。以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。
（第一実施形態）
図３〜図７は本発明の第一実施形態を表す説明図である。図３は上基台１ａと下基台１ｂの間にワイヤー２を装着した状態を表し、図４は装着したワイヤー２に張力を付与する状態を表し、いずれもワイヤー張り工程Ｓ１を説明するための図である。
図３〜図７は本発明の第一実施形態を表す説明図である。図３は上基台１ａと下基台１ｂの間にワイヤー２を装着した状態を表し、図４は装着したワイヤー２に張力を付与する状態を表し、いずれもワイヤー張り工程Ｓ１を説明するための図である。
図３に示すように、上基台１ａと下基台１ｂに図示しない複数の貫通孔を形成し、各貫通孔にワイヤー２を通す。そして、図４に示すように、複数のワイヤー２を張った上下基台１ａ、１ｂの両端又は四方に上張力付加部材３ａ及び下張力付加部材３ｂを取り付け、バネ部材４により上下間を引き離すように応力Ｔを加える。これにより、上及び上基台１ａ、１ｂ間の複数のワイヤー２に張力を付与することができる。上基台１ａ及び下基台１ｂはカーボン材料やセラミックス材料を使用し、板面の同じ位置に貫通孔を形成した。上張力付加部材３ａ及び下張力付加部材３ｂも同様にカーボン材料やセラミックス材料を使用することができる。ワイヤー２はＦｅ−Ｎｉ合金、例えば４２アロイやコバールを使用することができる。これらの合金を使用すれば熱膨張係数をガラスと近似させることができ、熱変化に対してガラスとワイヤー間の界面の劣化を低減させることができる。ワイヤー２の直径は０．０５ｍｍ〜１ｍｍであり、ワイヤー２間の最短距離を０．５ｍｍ〜２ｍｍとし、上基台１ａ及び下基台１ｂの直径を１インチ〜４インチとした。上下基台１ａ、１ｂはカーボンを使用した。なお、上下基台１ａ、１ｂは四角形であっても多角形であってもよい。
図５は容器６に上下基台１ａ、１ｂや上下張力付加部材３ａ、３ｂを投入した状態を表したワイヤー埋め込み工程Ｓ２の説明図である。ワイヤー２、上下基台１ａ、１ｂ及び上下張力付加部材３ａ、３ｂを耐熱性の容器６に収納する。次に、容器６ごと１０００℃以上に加熱して溶融ガラスを上部開口部から注ぎ込みワイヤー２をガラス材料５に埋め込む。更に容器６の上部に蓋７を被せ、溶融したガラス材料５に圧力Ｐを加え、ガラス材料５の流動を促進させることができる。ガラス材料５としてはソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス等を使用することができる。なお、図５において、耐熱性の容器６を使用することに代えて、上下基台により耐熱性の容器及びその蓋を構成し、上下基台間に複数のワイヤーを張り、耐熱性容器としての上下基台に溶融ガラスを注ぎ込むようにすることができる。これにより、ガラスや容器の消費量を削減することができる。
図６はインゴット形成工程Ｓ３及び切断工程Ｓ４を説明するための図である。容器６及びガラス材料５を冷却し、容器６から上下張力付加部材３ａ、３ｂ及び上下基台１ａ、１ｂを取り出し、上下張力付加部材３ａ、３ｂを除去してガラスインゴットを得る。そして、ダイシングソーやワイヤーソーを用いてガラスインゴット８を輪切りにし、ガラス板９を得る。ガラスインゴット８を冷却した後に切断するので切断後のガラス板９は反りが小さい。次に研削工程Ｓ５においてガラス板９の両面を研削及び研磨して貫通電極１０が埋め込まれたガラス基板１１を得る。貫通電極１０の表面とガラス材料５の表面を面一にした平坦性の良好なガラス基板１１を形成することができる。
なお、インゴット形成工程Ｓ３において、ガラス基板の歪点よりも５０℃高い温度までの冷却速度よりも、歪点よりも５０℃高い温度から歪点よりも５０℃低い温度までの冷却速度を遅くすることができる。これにより、ガラス基板に残留する歪みが低減し、ワイヤー２とガラス板９との間に生じる間隙やクラックの発生を防止し、気密性の高い貫通電極を形成することができる。
図７（ａ）はガラス基板１１の縦断面模式図であり、（ｂ）はガラス基板１１の上面模式図である。貫通電極１０とガラス５とは融着しているので密閉性が優れている。ガラス基板１１の表面の反りが少ないので短時間で研削及び研磨することができ、更にガラスの研削量も少ない。図７（ｂ）に示すように、２個の貫通電極１０を有し切断ライン１２により区画される単位セルを多数同時に形成する。
（第二実施形態）
図８〜図１１は、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法を説明するための図であり、ワイヤー張り工程Ｓ１を具体的に表している。その他の工程は第一実施形態と同様なので、説明を省略する。
図８〜図１１は、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法を説明するための図であり、ワイヤー張り工程Ｓ１を具体的に表している。その他の工程は第一実施形態と同様なので、説明を省略する。
図８は、落とし蓋状の上基台１ａと筒状の下基台１ｂに多数の貫通孔１３を形成し、上基台１ａと下基台１ｂの貫通孔を位置合わせして積層した基台貫通孔形成工程Ｓ６を表している。上下基台１ａ、１ｂとしてカーボン材料やセラミックス材料を使用することができる。貫通孔１３はダイヤモンドドリル等を用いて穿設することができる。また、予めグリーンシートに貫通孔を形成し、これを焼結して貫通孔付き基台とすることができる。なお、上下基台１ａ、１ｂを円盤又は円筒状としているが、これに限定されない。
図９は、上下基台１ａ、１ｂにワイヤー２を装着するワイヤー装着工程Ｓ７を表す。まず、ワイヤー２よりも大きな直径の台座２ａを一端に設け、他端を針状に尖らせたワイヤー２を準備する。台座２ａは上下基台１ａ、１ｂに設けた貫通孔１３の直径よりも大きく、ワイヤー２は貫通孔１３の直径よりわずかに小さく形成する。次に、上基台１ａを下基台１ｂの内側に落とし込み、上基台１ａと下基台１ｂの貫通孔１３を位置合わせする。次に、上記台座２ａを設けた多数のワイヤー２を先端が尖った方向を下向きにして下基台１ｂ内の上基台１ａ上に垂直に投入する。そして、下基台１ａを図示しない振動発生機に載置して上下左右に振動を与える。これにより、多数の貫通孔１３にワイヤー２を短時間で挿着することができる。
図１０は、上基台１ａを引き上げて下基台１ｂの底面より離間させ、下基台１ｂの裏面側に突出したワイヤー２の先端に係止部１４を形成する係止部形成工程Ｓ８を表す。台座２ａの直径は貫通孔１３よりも大きいので、上基台１ａを引き上げることによりワイヤー２も引き上げられる。そして、ガラスインゴット８の長さに上基台１ａを引き上げた後にワイヤー２の先端部を溶融し貫通孔１３の径よりも大きな径の係止部１４を形成する。これにより、上基台１ａと下基台１ｂを広げる方向に応力Ｔを加えて多数のワイヤー２に張力を付与する。なお、係止部１４は下基台１ｂに係止できればよいので、ワイヤー２の先端を溶融することに代えて、下基台１ｂから背面側に突出したワイヤー２を束ねる、あるいは折り曲げて下基台１ｂの内側に抜けないようにしてもよい。
図１１は、ワイヤー２に張力を付与する張力付与工程Ｓ９を表す。上基台１ａの外周部を固定し、下基台１ｂの円筒上端部を収納可能に形成し、この収納部２４にバネ部材４を組み込んで下基台１ｂと上基台１ａを離間する方向に付勢する張力付加部材３を設置した。張力付加部材３の上基台１ａ近傍の側面には図示しないガラス材料導入孔を備えており、上基台１ａ、下基台１ｂ及び張力付加部材３により作られる内部空間に溶融したガラスを充填することができる。この構成により、ガラス材料を無駄なく使用することができる。
（第三実施形態）
図１２は、本発明の第三実施形態に係る電子部品の製造方法を表す工程図である。ガラス基板に実装する電子部品として圧電振動子を用いた例を示す。図１３は、貫通電極１０が形成されたガラス基板１１に圧電振動片１８を実装した状態を表す断面模式図であり、図１４は完成した圧電振動子２０の断面模式図である。本第三実施形態はベース基板形成工程Ｓ４０、リッド基板形成工程Ｓ２０、及び圧電振動片作成工程Ｓ３０を備えている。以下、順に説明する。
図１２は、本発明の第三実施形態に係る電子部品の製造方法を表す工程図である。ガラス基板に実装する電子部品として圧電振動子を用いた例を示す。図１３は、貫通電極１０が形成されたガラス基板１１に圧電振動片１８を実装した状態を表す断面模式図であり、図１４は完成した圧電振動子２０の断面模式図である。本第三実施形態はベース基板形成工程Ｓ４０、リッド基板形成工程Ｓ２０、及び圧電振動片作成工程Ｓ３０を備えている。以下、順に説明する。
まず、ガラス材料等準備工程Ｓ０において、ガラス基板１１を形成するためのガラス材料と貫通電極１０を形成するためのワイヤー２等を準備する。ワイヤー張り工程Ｓ１において、上基台１ａと下基台１ｂに複数の貫通孔を形成し、導電体から成る複数のワイヤー２を上記貫通孔に通して張る。次に、ワイヤー埋め込み工程Ｓ２において、上基台１ａと下基台１ｂの間のワイヤーに溶融ガラスを流し込んでワイヤー２をガラスに埋め込む。次に、インゴット形成工程Ｓ３において、ガラスを冷却してワイヤー２が埋め込まれたガラスインゴット８を取り出す。次に、切断工程Ｓ４において、上記ガラスインゴット８を輪切りにしてガラス板９を形成する。次に、研削工程Ｓ５において、切り出したガラス板９の両面を研磨してその表面と裏面にワイヤー２を露出させて貫通電極１０とする。以上がガラス基板形成工程Ｓ４１である。
次に、接合膜形成工程Ｓ４２において、ガラス基板１１の周囲となる領域に陽極接合を行うための接合膜を堆積する。接合膜としてアルミニュウム膜を堆積した。次に、引回し電極形成工程Ｓ４３において、一方の貫通電極１０の上面からガラス基板１１の外周部に沿って引回し電極１６を形成してベース基板２３とする。引回し電極１６、１６’は、スパッタリング法によりＡｕ／Ｃｒ膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング処理によりパターニングして形成した。引回し電極１６、１６’は、スパッタリング法に代えて、印刷法等により形成することができる。以上がベース基板形成工程Ｓ４０である。
次に、リッド基板形成工程Ｓ２０を説明する。リッド基板１９はベース基板２３と接合したときの熱膨張差を縮小させるためにベース基板２３と同じ材料を使用することが好ましい。ベース基板２３としてソーダ石灰ガラスを使用したときは、リッド基板１９も同じソーダ石灰ガラスを使用する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ２１において、ガラス基板を研磨し、ガラス基板をエッチング処理して最表面の加工変質層を除去し、洗浄する。
次に、凹部形成工程Ｓ２２において、型成形により凹部２２を形成する。凹部２２は凸部を有する受型と凹部を有する加圧型の間にガラス基板を挟持し、ガラス材料の軟化点以上に加熱し押圧して成型する。成形用型は、カーボン材料から形成するのが好ましい。ガラスに対する離型性、気泡の吸収性が優れているからである。次に、研磨工程Ｓ２３において、ベース基板２３に接合する接合面を平坦面に研磨する。これにより、ベース基板２３と接合したときの密閉性を向上させることができる。
次に、圧電振動片作成工程Ｓ３０において、水晶板からなる圧電振動片１８を準備する。圧電振動片１８の両表面には互いに電気的に分離した図示しない励振電極を形成し、圧電振動片１８の一端の表面に形成した端子電極に電気的に接続しておく。次に、実装工程Ｓ１１において、ベース基板２３の貫通電極１０と引回し電極１６’の端部に又は圧電振動片１８の端子電極に導電性接着材１７、例えば金バンプを形成する。この導電性接着材１７により圧電振動片１８を片持ち梁状に実装する。これにより、圧電振動片１８の両面に形成した励振電極は互いに電気的に分離して２つの貫通電極１０に導通する。
次に、周波数調整工程Ｓ１２において、圧電振動片１８の振動周波数を所定の周波数に調整する。次に、重ね合せ工程Ｓ１３において、ベース基板２３の上にリッド基板１９を設置し接合材２１を介して重ね合わせる。次に、接合工程Ｓ１４において、重ね合わせたベース基板２３とリッド基板１９を加熱し、ベース基板２３とリッド基板１９間に高電圧を印加して陽極接合する。次に、外部電極形成工程Ｓ１５において、ベース基板２３の外面に貫通電極１０のそれぞれに電気的に接続する外部電極１５を形成する。次に、切断工程Ｓ１６において、切断ラインに沿って分離切断して、個々の圧電振動子２０を得る。
このように、上下基台１ａ、１ｂ間に複数のワイヤー２を張り、このワイヤーに溶融ガラスを流し込み、冷却してガラスインゴット８を形成し、このガラスインゴット８をスライスし、研磨して作製したガラス基板１１は、気密性の優れた高位置精度の貫通電極１０を形成することができるとともに平坦性が優れているので、ベース基板２３とリッド基板１９間の気密性を保持することができる。これにより信頼性の高い圧電振動子２０を提供することができる。なお、上記実施形態において、外部電極形成工程Ｓ１５において形成する外部電極１５をガラス基板形成工程Ｓ４０において先に形成しておいてもよい。また、周波数調整工程Ｓ１２は切断工程Ｓ１６の後に行ってもよい。
図１５は、上記第三実施形態において説明した製造方法により製造した圧電振動子２０を組み込んだ発振器４０の上面模式図である。図１５に示すように、発振器４０は、基板４３、この基板上に設置した圧電振動子２０、集積回路４１及び電子部品４２を備えている。圧電振動子２０は、外部電極６、７に与えられる駆動信号に基づいて一定周波数の信号を生成し、集積回路４１及び電子部品４２は、圧電振動子２０から供給される一定周波数の信号を処理して、クロック信号等の基準信号を生成する。本発明による圧電振動子２０は、高信頼性でかつ小型に形成することができるので、発振器４０の全体を一層コンパクトに構成することができる。
１ａ 上基台
１ｂ 下基台
２ ワイヤー
３ 張力付加部材
４ バネ部材
５ ガラス
６ 容器
７ 蓋
８ ガラスインゴット
９ ガラス板
１０ 貫通電極
１１ ガラス基板
１２ 切断ライン
１８ 圧電振動片
１９ リッド基板
２０ 圧電振動子
１ｂ 下基台
２ ワイヤー
３ 張力付加部材
４ バネ部材
５ ガラス
６ 容器
７ 蓋
８ ガラスインゴット
９ ガラス板
１０ 貫通電極
１１ ガラス基板
１２ 切断ライン
１８ 圧電振動片
１９ リッド基板
２０ 圧電振動子
Claims (3)
- ２枚の基台の間に複数の導電体から成るワイヤーを平行に張るワイヤー張り工程と、
前記基台間の複数のワイヤーをガラスに埋め込むワイヤー埋め込み工程と、
前記ガラスを冷却し、ワイヤーが埋め込まれたガラスインゴットを形成するインゴット形成工程と、
前記インゴットをスライスしてガラス板を形成する切断工程と、
前記ガラス板を研磨し、表面と裏面に前記複数のワイヤーを露出させて貫通電極とする研磨工程と、を備え、
前記ワイヤー張り工程は、
２枚の基台に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記複数の貫通孔に複数のワイヤーを通すワイヤー装着工程と、
前記ワイヤーの一端を基台に係止させる係止部を形成する係止部形成工程と、
前記ワイヤーに張力を付与する張力付与工程と、を備えるガラス基板の製造方法。 - 前記ワイヤーの熱膨張率は前記ガラスと同程度であることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記請求項１又は２に記載の貫通電極付きガラス基板の製造方法に基づいてガラス基板を形成し、前記ガラス基板に電極を形成してベース基板とするベース基板形成工程と、
前記ベース基板に電子部品を実装する実装工程と、
前記電子部品を実装したベース基板にリッド基板を接合する接合工程を備える電子部品の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010156172A JP5511557B2 (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| TW100122617A TW201225362A (en) | 2010-07-08 | 2011-06-28 | Method for producing glass substrate and method for producing electronic part |
| US13/135,498 US20120006061A1 (en) | 2010-07-08 | 2011-07-07 | Method of manufacturing glass substrate and method of manufacturing electronic components |
| KR1020110067211A KR20120005396A (ko) | 2010-07-08 | 2011-07-07 | 유리 기판의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 방법 |
| CN2011101971061A CN102332883A (zh) | 2010-07-08 | 2011-07-08 | 玻璃基板的制造方法及电子部件的制造方法 |
| EP11173343.2A EP2405472A3 (en) | 2010-07-08 | 2011-07-08 | Method of manufacturing glass substrate and method of manufacturing electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010156172A JP5511557B2 (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012019417A JP2012019417A (ja) | 2012-01-26 |
| JP5511557B2 true JP5511557B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=44514494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010156172A Expired - Fee Related JP5511557B2 (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120006061A1 (ja) |
| EP (1) | EP2405472A3 (ja) |
| JP (1) | JP5511557B2 (ja) |
| KR (1) | KR20120005396A (ja) |
| CN (1) | CN102332883A (ja) |
| TW (1) | TW201225362A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012019108A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Seiko Instruments Inc | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2287598A (en) * | 1937-12-28 | 1942-06-23 | Polaroid Corp | Method of manufacturing lightpolarizing bodies |
| US3193907A (en) * | 1960-03-22 | 1965-07-13 | Litton Prec Products Inc | High speed cathode-ray direct writing tube |
| US3305334A (en) * | 1960-03-22 | 1967-02-21 | Litton Prec Products Inc | Method of making a glass sheet having a plurality of spaced wires therein |
| US3999004A (en) * | 1974-09-27 | 1976-12-21 | International Business Machines Corporation | Multilayer ceramic substrate structure |
| US4209481A (en) * | 1976-04-19 | 1980-06-24 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an anisotropically electroconductive sheet |
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| JP2002124845A (ja) | 2000-08-07 | 2002-04-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 水晶振動子パッケージ及びその製造方法 |
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| JP2003209198A (ja) | 2001-11-09 | 2003-07-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子部品パッケージ |
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| TWI220162B (en) * | 2002-11-29 | 2004-08-11 | Ind Tech Res Inst | Integrated compound nano probe card and method of making same |
| KR100583138B1 (ko) * | 2004-10-08 | 2006-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시장치 |
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| JP5216290B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-06-19 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
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| TW200952184A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-16 | Univ Nat Taiwan | Structure of mixed type heterojunction thin film solar cells and its manufacturing method |
| US20100159242A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | Venkata Adiseshaiah Bhagavatula | Semiconductor Core, Integrated Fibrous Photovoltaic Device |
| JP2012019108A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Seiko Instruments Inc | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| US20120138977A1 (en) * | 2010-12-05 | 2012-06-07 | Chia-Mao Li | Annual packaging structure for led lamps |
-
2010
- 2010-07-08 JP JP2010156172A patent/JP5511557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-28 TW TW100122617A patent/TW201225362A/zh unknown
- 2011-07-07 KR KR1020110067211A patent/KR20120005396A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-07-07 US US13/135,498 patent/US20120006061A1/en not_active Abandoned
- 2011-07-08 CN CN2011101971061A patent/CN102332883A/zh active Pending
- 2011-07-08 EP EP11173343.2A patent/EP2405472A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102332883A (zh) | 2012-01-25 |
| US20120006061A1 (en) | 2012-01-12 |
| EP2405472A3 (en) | 2013-05-29 |
| EP2405472A2 (en) | 2012-01-11 |
| JP2012019417A (ja) | 2012-01-26 |
| KR20120005396A (ko) | 2012-01-16 |
| TW201225362A (en) | 2012-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130510 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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