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JP5500276B2 - Substrate with character symbol - Google Patents

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JP5500276B2
JP5500276B2 JP2013010957A JP2013010957A JP5500276B2 JP 5500276 B2 JP5500276 B2 JP 5500276B2 JP 2013010957 A JP2013010957 A JP 2013010957A JP 2013010957 A JP2013010957 A JP 2013010957A JP 5500276 B2 JP5500276 B2 JP 5500276B2
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茂一 藤本
正彰 栗原
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は,半導体製造用位相シフトマスク、光学製品加工用マスク、他光学製品に関し、特に、基板の一面に基板を彫り込んだ凹溝からなるスリット状ないし格子状等のパターンを、文字および/または記号の形状に合せた所定の領域にだけ設け、文字記号部とした文字記号部を有する基板に関する。 The present invention relates to a phase shift mask for manufacturing semiconductors, a mask for processing optical products, and other optical products, and in particular, a slit-like or lattice-like pattern composed of a concave groove formed by engraving a substrate on one side of the substrate, characters and / or provided at a predetermined region tailored to the symbol shape of only about the substrate that have a character symbol section that is a character symbol section.

近年、半導体チップの回路の高密度化、微細化要求は強く、より微細な回路パターンをウエハ上のレジストに転写するためのフォトマスクとしては、従来の遮光部と透明部とで回路パターンが形成されるバイナリーマスクでは限界に達するようになってきた。
これら要求に対応した、光リソグラフィー技術の進歩はめざましく、最近では、投影露光装置の解像度を向上させる一手法として、フォトマスク上の隣接する2箇所の透明部分を透過する光の位相を互いに変え、パターン解像度を上げる位相シフト法が採られている。
尚、この位相シフト法に用いられる位相シフトマスクも各種開発され、それぞれ、目的に応じて使用されているが、中でも、基板を彫り込みシフタ部を形成する彫り込み型の位相シフトマスクは、最近では、多く使用されるようになってきた。
そして、主に半導体製造用ではないが光学製品加工用マスクとして、基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクも、光ファイバー加工用等に使用されるようになってきた。
尚、各種位相シフトマスクに用いられる遮光層は、クロム層、酸化クロム層、酸化窒化クロム層等のクロム系の金属層が用いられるため、ここでは、遮光層を持たず、透明な基板の一面に凹溝を形成してこれをシフタ部としている位相シフトマスクを基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクと言っている。
In recent years, there has been a strong demand for higher density and miniaturization of semiconductor chip circuits. As a photomask for transferring a finer circuit pattern to a resist on a wafer, a circuit pattern is formed with a conventional light-shielding part and transparent part. Binary masks that are being used have reached their limits.
In response to these demands, the progress of optical lithography technology is remarkable. Recently, as a technique for improving the resolution of a projection exposure apparatus, the phases of light transmitted through two adjacent transparent portions on a photomask are changed, A phase shift method for increasing the pattern resolution is employed.
In addition, various phase shift masks used for this phase shift method have been developed and used according to the purpose, respectively. Many have come to be used.
Further, although not mainly for semiconductor manufacturing, a substrate-engraved chromeless phase shift mask has also been used for optical fiber processing and the like as a mask for processing optical products.
In addition, since the light shielding layer used for various phase shift masks is a chromium-based metal layer such as a chromium layer, a chromium oxide layer, a chromium oxynitride layer, etc. A phase shift mask in which a concave groove is formed and used as a shifter portion is called a substrate-engraved chromeless phase shift mask.

上記転写用のフォトマスクにおいては、文字や記号をマスク上に配設しておくことも要求されており、マスク部の回路パターンの作製とともに、文字や記号をマスク上に形成するため、その作業がますます複雑化してきている。
できるだけ、フォトマスクの作製工程中で、文字、記号を形成することが要求されるため、従来、例えば、基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクは、その製造途中工程では、図3(a)のB1部の文字「2」は、図3(b)のように、遮光膜を開口して形成され、そのB2部の拡大概略平面図は図3(c)のようになっており、且つ、図3(c)のB3−B4における断面図は図3(d)のように形成されていた。
従来の基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクの製造は、文字記号部の形成を本パターンの形成工程と同時に行ない、このようになる。
しかし、この基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクの製造方法においては、文字、記号の形成工程に続き、遮光膜を一部もしくは全部をウエットエッチングする工程があり、この工程において、パターン化された文字が、図3(c1)、図3(d1)のように消失してしまうことがあった。
このため、耐ウエットエッチング性の保護膜で文字、記号を覆い、ウエットエッチングを行ない、パターン化された文字、記号の消失を防ぐ方法も採られたが、この場合は、余分な遮光膜が文字近傍に残ること、保護膜を塗布する工程が増え、作業効率が悪くなる等の問題があった。
尚、図3(a)は従来の文字、記号を有する基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクの加工途中の概略平面図で、図3(b)は図3(a)のB1部における文字を拡大して示した概略図で、図3(c)は図3(b)のB2部の拡大図で、図3(d)は図3(c)のB3−B4における断面図で、図3(c1)、図3(d1)はそれぞれ、図3(c)、図3(d)に対応する加工後の状態である。
また、図3中、200は位相シフトマスク、210は透明な基板、220は本パターン部、230は文字記号部、231は遮光膜、232は(遮光膜の)開口部、215は凹溝部である。
In the transfer photomask, it is also required to arrange characters and symbols on the mask, and in order to form the characters and symbols on the mask along with the production of the circuit pattern of the mask portion, the work It is becoming increasingly complex.
Since it is required to form characters and symbols in the photomask manufacturing process as much as possible, conventionally, for example, a substrate-engraved chromeless phase shift mask is shown in FIG. The character “2” in the B1 part is formed by opening a light shielding film as shown in FIG. 3B, and an enlarged schematic plan view of the B2 part is as shown in FIG. 3C. The cross-sectional view taken along B3-B4 in FIG. 3C was formed as shown in FIG.
The manufacture of the conventional substrate-engraved chromeless phase shift mask is performed by forming the character / symbol portion simultaneously with the process of forming the pattern.
However, in the method of manufacturing the substrate-engraved chromeless phase shift mask, following the character and symbol forming step, there is a step of wet etching part or all of the light-shielding film. The characters sometimes disappeared as shown in FIGS. 3 (c1) and 3 (d1).
For this reason, a method of covering characters and symbols with a wet etching-resistant protective film and performing wet etching to prevent the disappearance of patterned characters and symbols was also adopted. There existed problems, such as remaining in the vicinity, the process of apply | coating a protective film increased, and working efficiency worsened.
FIG. 3A is a schematic plan view in the middle of processing of a conventional engraved chromeless phase shift mask having characters and symbols, and FIG. 3B is a diagram of characters B1 in FIG. 3C is an enlarged schematic view, FIG. 3C is an enlarged view of a portion B2 in FIG. 3B, FIG. 3D is a cross-sectional view taken along B3-B4 in FIG. (C1) and FIG. 3 (d1) are the states after processing corresponding to FIG. 3 (c) and FIG. 3 (d), respectively.
In FIG. 3, reference numeral 200 denotes a phase shift mask, 210 denotes a transparent substrate, 220 denotes a main pattern portion, 230 denotes a character symbol portion, 231 denotes a light shielding film, 232 denotes an opening (of the light shielding film), and 215 denotes a concave groove portion. is there.

特開平11−204419号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-204419

上記の通り、従来、基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクの製造においては、品質的に問題なく、作業効率良く、文字、記号を配設できるものが求められていた。
本発明は、品質的に問題なく、作業効率良く、文字、記号を配設できる文字記号部を有する基板を提供しようとするものである。
As described above, conventionally, in the production of the phase shift mask chromeless substrate engraving type, without problems in quality, the working efficiency, a character, a symbol can disposed shall had sought Me.
An object of the present invention is to provide a substrate having a character / symbol part on which characters and symbols can be arranged with no problem in quality and with high work efficiency.

本発明の文字記号部を有する基板は、半導体製造用の透明な基板の一面に、回路パターンと文字および/または記号からなる文字記号部とを配設した基板であって、前記回路パターンと前記文字記号部とは、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるパターンであって、前記透明な基板の同一面に形成されているものであり、前記文字記号部は、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるスリット状ないし格子状のパターンを、文字および/または記号の形状に合せた所定の領域に有し、且つ、前記透明な基板がガラス基板であり、該ガラス基板を原版として凹凸が逆の型を作製するための基板であることを特徴とするものである。
そして、上記の文字記号部を有する基板であって、スリット状ないし格子状のパターンは、その溝部の幅と溝部間のスペースの幅とが1:1で構成されていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれか1項に記載の文字記号部を有する基板であって、文字記号部がアライメントマーク、エリアコード、バーコードであることを特徴とするものである。
A substrate having a character symbol section of the present invention, on one surface of a transparent substrate for semiconductor manufacturing, a substrate is disposed and a character symbol unit composed of a circuit pattern and the character and / or symbol, and the circuit pattern The character symbol part is a pattern composed of a concave groove engraved with the transparent substrate, and is formed on the same surface of the transparent substrate, and the character symbol part includes the transparent substrate. It has a slit-like or lattice-like pattern composed of engraved concave grooves in a predetermined region that matches the shape of characters and / or symbols , and the transparent substrate is a glass substrate, and the glass substrate is used as an original plate. It is a substrate for producing a mold having concavities and convexities reversed .
And it is a board | substrate which has said character symbol part, Comprising: The width | variety of the groove part and the width | variety of the space between groove parts are comprised by the slit shape or a grid | lattice-like pattern, It is characterized by the above-mentioned. It is.
And it is a board | substrate which has a character symbol part of any one of the above-mentioned, Comprising: A character symbol part is an alignment mark, an area code, and a barcode, It is characterized by the above-mentioned.

本発明に関わる文字記号部を有する基板における文字記号部の加工方法は、透明な樹脂基板の一面に、文字および/または記号からなる文字記号部を配設した基板で、且つ、文字記号部が、前記透明な樹脂基板を彫り込んだ凹溝からなるスリット状ないし格子状のパターンを文字および/または記号の形状に合せた所定の領域にだけ設けた文字記号部を有する、フォトマスクを作製する際の文字記号部の加工方法であって、文字記号部を形成する加工は、(a)その一面の少なくとも文字記号部形成領域に遮光膜を設けた透明なガラス基板の前記遮光膜上に、電子線に感光性のレジストを配設するレジスト配設工程と、(b)レジストを電子線露光装置等の露光装置により、選択的に露光し、更にレジストを現像して、前記凹溝からなるスリット状ないし格子状のパターンを形成する部分を開口したレジスト像を形成するレジスト像形成工程と、(c)レジスト像の開口から露出した遮光膜をエッチングし、凹溝からなるパターンを形成する部分を開口した遮光膜を形成するエッチング工程と、(d)レジストおよび遮光膜の開口から露出した透明な基板部をエッチングにより彫り込む基板彫り込み工程と、(e)レジストおよび遮光膜を除去する工程とを有する加工方法により、文字記号部を有する基板を作製した後、該作製された基板を原版として、これと凹凸逆の母型を作り、更に母型から凹凸逆の複製を樹脂にて作製して、これを、透明な基板が樹脂基板からなる文字記号部を有する基板とするものであることを特徴とするものである。 A processing method of a character symbol portion in a substrate having a character symbol portion according to the present invention is a substrate in which a character symbol portion composed of characters and / or symbols is disposed on one surface of a transparent resin substrate, and the character symbol portion is When producing a photomask having a character symbol portion in which a slit-like or lattice-like pattern made of a concave groove engraved with the transparent resin substrate is provided only in a predetermined region matching the shape of the character and / or symbol The processing for forming the character symbol portion is as follows: (a) an electron is formed on the light shielding film of a transparent glass substrate provided with a light shielding film in at least the character symbol portion forming region on one side thereof; A resist disposing step of disposing a photosensitive resist on the line; and (b) selectively exposing the resist with an exposure apparatus such as an electron beam exposure apparatus, further developing the resist, and A resist image forming step for forming a resist image in which a portion for forming a toroidal pattern or a lattice pattern is opened; and (c) a portion for forming a pattern made of a groove by etching the light shielding film exposed from the opening of the resist image. An etching process for forming a light shielding film having openings, (d) a substrate engraving process for etching the transparent substrate portion exposed from the openings of the resist and the light shielding film, and (e) a process for removing the resist and the light shielding film. After manufacturing a substrate having a character and symbol part by a processing method having the above, a substrate having the opposite surface to the uneven surface is made using the formed substrate as a master, and a replica having the uneven surface is further made from the base material using a resin. Thus, this is characterized in that the transparent substrate is a substrate having a character symbol portion made of a resin substrate.

(作用)
本発明の文字記号部を有する基板は、このような構成にすることにより、透明な基板に凹溝を形成しただけで、文字、記号を認識できる文字記号部を有する基板の提供を可能にしている。
特に、品質的に問題なく、作業効率良く、文字、記号を配設できる製造方法を採れる、文字記号部を有する基板の提供を可能としている。
具体的には、半導体製造用の透明な基板の一面に、回路パターンと文字および/または記号からなる文字記号部とを配設した基板であって、前記回路パターンと前記文字記号部とは、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるパターンであって、前記透明な基板の同一面に形成されているものであり、前記文字記号部は、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるスリット状ないし格子状のパターンを、文字および/または記号の形状に合せた所定の領域に有し、且つ、前記透明な基板がガラス基板であり、該ガラス基板を原版として凹凸が逆の型を作製するための基板であることにより、これを達成している。
詳しくは、凹溝部からなるパターンを文字および/または記号の形状に合せた所定の領域にだけ設けたものであることより、反射光による文字、記号の識別を可能としている。 尚、文字記号部を鏡像パターンにて作成することにより、裏側から見ても確認することができる。
(Function)
The substrate having the character symbol part according to the present invention has such a configuration, and thus it is possible to provide a substrate having a character symbol part capable of recognizing characters and symbols simply by forming a concave groove on a transparent substrate. Yes.
In particular, it is possible to provide a substrate having a character symbol portion that can adopt a manufacturing method in which characters and symbols can be arranged with no problem in quality and with high work efficiency.
Specifically, on one surface of a transparent substrate for semiconductor manufacturing, a substrate is disposed and a character symbol unit composed of a circuit pattern and the character and / or symbol, and the circuit pattern and the character symbol section , A pattern composed of a concave groove engraved with the transparent substrate, which is formed on the same surface of the transparent substrate, and the character symbol portion is composed of a concave groove engraved with the transparent substrate. A slit-like or lattice-like pattern is provided in a predetermined region that matches the shape of characters and / or symbols , and the transparent substrate is a glass substrate, and the glass substrate is used as an original plate and the concaves and convexes are reversed. This is achieved by being a substrate for manufacturing .
Specifically, since the pattern composed of the concave grooves is provided only in a predetermined region matching the shape of the characters and / or symbols, the characters and symbols can be identified by reflected light. In addition, by creating the character symbol part with a mirror image pattern, it can be confirmed even when viewed from the back side.

そして、凹溝からなるパターンとしては、凹溝からなるパターンがスリット状ないし格子状のパターンが簡単なパターンであり、実用的である。
凹溝からなるパターンがスリット状ないし格子状のパターンが、その溝部の幅と溝部間のスペースの幅とが1:1で構成されている場合には、視認性の面で好ましい。
この溝部の幅と溝部間のスペースのピッチは0. 2μm〜10μmで一般には構成される。
文字記号部としては、フォトマスクやウエハの描画時に必要なアライメントマークや、エリアコード、バーコードであっても良く、それぞれ、目的に応じて設ければ良い。
文字としては、アルファベット、数字、平仮名、片仮名や他の文字でも良い。
このような、文字記号部を有する基板としては、フォトマスクが挙げられ、特に、フォトマスクが基板彫り込み型の位相シフトマスクである場合には、先に述べたように有効である。
文字記号部を有する基板が半導体製造用マスクである場合、描画装置などにマスクを装着する時にマスクの型名、その他の情報を確認するために用いることができる。
And as a pattern which consists of a ditch | groove, the pattern which consists of a ditch | groove is a slit pattern or a lattice-like pattern, and it is practical.
When the pattern formed by the concave grooves is a slit-like or lattice-like pattern and the width of the groove portions and the width of the space between the groove portions are 1: 1, it is preferable in terms of visibility.
The width of the groove and the pitch of the space between the grooves are generally 0.2 μm to 10 μm.
The character symbol part may be an alignment mark, an area code, or a bar code necessary for drawing a photomask or wafer, and may be provided according to the purpose.
The characters may be alphabets, numbers, hiragana, katakana and other characters.
Examples of such a substrate having a character symbol portion include a photomask. In particular, when the photomask is a substrate-engraved phase shift mask, it is effective as described above.
When the substrate having the character symbol portion is a semiconductor manufacturing mask, it can be used to confirm the mask type name and other information when the mask is mounted on a drawing apparatus or the like.

本発明に関わる文字記号部を有する基板における文字記号部の加工方法は、このような構成にすることにより、特に、品質的に問題なく、作業効率良く、文字、記号を配設できる文字記号部を有する基板の提供を可能にしている。
尚、彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクの製造の場合において、文字記号部はフォトマスクの本パターン(回路パターンのこと)と同一面に構成されるため、従来、図3(b)に示すような文字記号部を得るため、2回製版となっていた工程も、本パターンと文字記号部とを同じ工程で同時に作製することができるため、1回の製版で作製できる。
そして、文字記号部の近傍に遮光膜を残さないでも、基板への反射光により識別することが可能な文字記号部を有するマスクの作製を可能にしている。
Character processing method of the character symbol section of a substrate having a character symbol section according to the present onset Ming, by adopting such a configuration, which can be arranged in particular, no problem in quality, the working efficiency, a character, a symbol A substrate having a symbol portion can be provided.
In the case of manufacturing the engraving type chromeless phase shift mask, the character and symbol portion is formed on the same surface as the main pattern (circuit pattern) of the photomask, so that as shown in FIG. In order to obtain a simple character and symbol part, the process that has been performed by two-time plate making can also be produced by one plate making because the present pattern and the character and symbol part can be simultaneously produced in the same process.
Further, it is possible to manufacture a mask having a character symbol portion that can be identified by reflected light to the substrate without leaving a light shielding film in the vicinity of the character symbol portion.

本発明は、上記のように、透明な基板に凹溝を形成しただけで、文字、記号を認識できる文字記号部を有する基板の提供を可能にした。
特に、文字記号部を有する基板基板が、フォトマスクである場合には、遮光膜のパターニングにより文字記号部が形成されていなくても、文字、記号を認識できるため、フォトマスク製造方法の自由度を上げ、結果、文字記号部の品質に問題なく、作業効率良く、文字、記号を配設することを可能とした。
As described above, the present invention makes it possible to provide a substrate having a character symbol portion that can recognize characters and symbols simply by forming a concave groove on a transparent substrate.
In particular, when the substrate substrate having the character symbol part is a photomask, the character and the symbol can be recognized even if the character symbol part is not formed by patterning the light shielding film. As a result, it is possible to arrange characters and symbols with good work efficiency without any problem in the quality of the character symbol portion.

図1(a)は本発明の文字記号部を有する基板の実施の形態の1例である位相シフトマスクの概略平面図で、図1(b)は図1(a)のA1部における文字を拡大して示した概略図で、図1(c)は図1(b)のA2部の拡大図で、図1(d)は図1(c)のA3−A4における断面図である。FIG. 1A is a schematic plan view of a phase shift mask which is an example of an embodiment of a substrate having a character symbol portion of the present invention, and FIG. 1B shows characters in the A1 portion of FIG. FIG. 1 (c) is an enlarged view of a portion A2 in FIG. 1 (b), and FIG. 1 (d) is a cross-sectional view taken along A3-A4 in FIG. 1 (c). 図2は図1に示す文字記号部の加工工程図である。FIG. 2 is a process chart of the character symbol portion shown in FIG. 図3(a)は従来の文字、記号を有する基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクの加工途中の概略平面図で、図3(b)は図3(a)のB1部における文字を拡大して示した概略図で、図3(c)は図3(b)のB2部の拡大図で、図3(d)は図3(c)のB3−B4における断面図で、図3(c1)、図3(d1)はそれぞれ、図3(c)、図3(d)に対応する加工後の状態である。FIG. 3 (a) is a schematic plan view in the middle of processing a conventional chromeless phase shift mask of a substrate engraving type having characters and symbols, and FIG. 3 (b) is an enlarged view of the characters at B1 in FIG. 3 (a). 3 (c) is an enlarged view of a portion B2 in FIG. 3 (b), FIG. 3 (d) is a sectional view taken along B3-B4 in FIG. 3 (c), and FIG. ) And FIG. 3 (d1) are states after processing corresponding to FIG. 3 (c) and FIG. 3 (d), respectively.

本発明の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図1(a)は本発明の文字記号部を有する基板の実施の形態の1例である位相シフトマスクの概略平面図で、図1(b)は図1(a)のA1部における文字を拡大して示した概略図で、図1(c)は図1(b)のA2部の拡大図で、図1(d)は図1(c)のA3−A4における断面図で、図2は図1に示す文字記号部の加工工程図である。
図1、図2中、100は文字記号部を有する基板(位相シフトマスクあるいは単に基板とも言う)、110は透明なガラス基板(Qz基板)、112は本パターン部、113は文字記号部、115は凹溝、120は遮光膜、125は(遮光膜の)開口部、130はレジスト層(単にレジストとも言う)、130Aはレジスト像(単にレジストとも言う)、135はレジスト層の開口である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a schematic plan view of a phase shift mask which is an example of an embodiment of a substrate having a character symbol portion of the present invention, and FIG. 1B shows characters in the A1 portion of FIG. 1 (c) is an enlarged view of a portion A2 in FIG. 1 (b), FIG. 1 (d) is a cross-sectional view taken along A3-A4 in FIG. 1 (c), and FIG. FIG. 2 is a process diagram of a character symbol portion shown in FIG. 1.
1 and 2, 100 is a substrate having a character symbol portion (also referred to as a phase shift mask or simply a substrate), 110 is a transparent glass substrate (Qz substrate), 112 is a main pattern portion, 113 is a character symbol portion, 115 Is a groove, 120 is a light shielding film, 125 is an opening (of the light shielding film), 130 is a resist layer (also simply referred to as resist), 130A is a resist image (also simply referred to as resist), and 135 is an opening in the resist layer.

本発明の文字記号部を有する基板の実施の形態例を図1に基づいて説明する。
図1(a)に示す実施の形態例の文字記号部を有する基板100は、基板彫り込み型のクロムレスの位相シフトマスクで文字記号部113を本パターン112とは別の領域に配設したもので、文字記号部113は、図1(c)、図1(d)に示すように、透明なガラス基板110を彫り込んだ凹溝115からなるスリット状のパターンを、文字および/または記号の形状に合せた所定の領域にだけ設けたものである。
そして、凹溝115からなるスリットのパターンは、その溝部の幅と溝部間のスペースの幅とが1:1で構成されている。
この凹溝115の幅と凹溝115間のスペースのピッチは、現状の作製可能最小寸法は0. 2μm程度で、視認性からは10μm以下であることが好ましい。
尚、位相シフトマスク用の透明なガラス基板110としては、石英基板(単にQzあるいは石英ガラスとも言う)が一般には用いられる。
An embodiment of a substrate having a character symbol portion according to the present invention will be described with reference to FIG.
The substrate 100 having the character symbol portion of the embodiment shown in FIG. 1A is a substrate engraved chromeless phase shift mask in which the character symbol portion 113 is arranged in a region different from the pattern 112. As shown in FIGS. 1 (c) and 1 (d), the character symbol portion 113 is formed into a character and / or symbol shape by changing a slit-like pattern made of a concave groove 115 in which a transparent glass substrate 110 is engraved. It is provided only in a predetermined area.
The slit pattern composed of the concave grooves 115 is configured such that the width of the groove and the width of the space between the grooves are 1: 1.
Regarding the width of the concave groove 115 and the pitch of the space between the concave grooves 115, the minimum size that can be produced at present is about 0.2 μm, and it is preferable that it is 10 μm or less from the viewpoint of visibility.
As the transparent glass substrate 110 for the phase shift mask, a quartz substrate (also simply referred to as Qz or quartz glass) is generally used.

本例の変形例としては、文字記号部113の凹溝115を格子状等、スリット状ではないパターンにて形成したものが挙げられる。
また、別の変形例としては、文字記号部にアライメントマーク、エリアコード、バーコードを、目的に応じて設けたものを挙げることができる。
As a modified example of this example, there is an example in which the concave groove 115 of the character symbol portion 113 is formed in a non-slit pattern such as a lattice shape.
As another modified example, a character symbol portion provided with an alignment mark, an area code, and a bar code according to the purpose can be cited.

次いで、本例の文字記号部を有する基板における文字記号部の加工を、図2に基づいて、簡単に、説明しておく。
透明なガラス基板110の一面に遮光膜120を全面に形成し、更に遮光膜120上全面にレジスト層130を形成しておく。(図2(a))
遮光膜としては、クロム、酸化クロム、酸化窒化クロム等、クロム系の金属膜が通常用いられるが、これに限定はされない。
遮光膜120の形成は、スパッタリング、蒸着等の手段にて行なわれる。
レジスト層は所望の解像性を有し、処理性の良いものが使用され、レジスト層の形成は、通常、スピンコートにて行なう。
次いで、電子線描画装置等の露光装置にて、選択的に露光し、更にレジストを現像して、文字記号部形成領域のスリット状の凹溝形成部と本パターンのシフタ形成部とを開口したレジスト像130Aを形成する。(図2(b))
次いで、レジスト像130Aの開口135から露出した遮光膜120をエッチングし(図2(c))、更に、レジスト像130Aおよび遮光膜120の開口から露出した透明な基板部をエッチングにより彫り込む。(図2(d))
遮光膜120のエッチングは、レジスト像130Aを耐エッチングマスクとして、遮光膜がクロム系の金属膜の場合は、硝酸第二セリウムアンモン水溶液を用いたウエットエッチング、あるいは塩素系のガスを用いたドライエッチングにて行なう。
透明なガラス基板(Qz基板)110のエッチングは、シフタ部の形成と文字記号部のスリット状の凹溝115の形成を同時に行なうため、エッチングはシフタ部の形成に合せるもので、フッ素系のガスを用いたドライエッチングにて行なう。
次いで、エッチング処理を終えた後、レジスト130Aを剥離し(図2(e))、更に、遮光膜120をウェットエッチングにより全面除去する。(図2(f))
このようにして、本パターンの形成と同時に、文字記号部の形成を行なうことができる。
Next, processing of the character symbol portion in the substrate having the character symbol portion of this example will be briefly described with reference to FIG.
A light shielding film 120 is formed on the entire surface of the transparent glass substrate 110, and a resist layer 130 is formed on the entire surface of the light shielding film 120. (Fig. 2 (a))
As the light shielding film, a chromium-based metal film such as chromium, chromium oxide, chromium oxynitride, or the like is usually used, but is not limited thereto.
The light shielding film 120 is formed by means such as sputtering or vapor deposition.
A resist layer having a desired resolution and good processability is used, and the resist layer is usually formed by spin coating.
Next, it is selectively exposed by an exposure apparatus such as an electron beam drawing apparatus, and the resist is further developed to open the slit-shaped groove forming part of the character symbol part forming area and the shifter forming part of this pattern. A resist image 130A is formed. (Fig. 2 (b))
Next, the light shielding film 120 exposed from the opening 135 of the resist image 130A is etched (FIG. 2C), and the transparent substrate portion exposed from the opening of the resist image 130A and the light shielding film 120 is further etched. (Fig. 2 (d))
The light shielding film 120 is etched by using the resist image 130A as an etching resistant mask, and when the light shielding film is a chromium-based metal film, wet etching using a ceric ammonium nitrate aqueous solution or dry etching using a chlorine-based gas. At.
Etching of the transparent glass substrate (Qz substrate) 110 simultaneously forms the shifter portion and the slit-like concave groove 115 of the character / symbol portion. Therefore, the etching is performed in accordance with the formation of the shifter portion. Performed by dry etching using
Next, after the etching process is completed, the resist 130A is peeled off (FIG. 2E), and the light shielding film 120 is further removed by wet etching. (Fig. 2 (f))
In this manner, the character symbol portion can be formed simultaneously with the formation of this pattern.

100 文字記号部を有する基板(位相シフトマスクあるいは単に基板とも言う)
110 透明なガラス基板(Qz基板)
112 本パターン部
113 文字記号部
115 凹溝
120 遮光膜
125 (遮光膜の)開口部
130 レジスト層(単にレジストとも言う)
130A レジスト像(単にレジストとも言う)
135 レジスト層の開口
200 位相シフトマスク
210 透明な基板
220 本パターン部
230 文字記号部
231 遮光膜
232 (遮光膜の)開口部
215 凹溝部
A substrate having 100 character symbols (also called a phase shift mask or simply a substrate)
110 Transparent glass substrate (Qz substrate)
112 pattern portion 113 character symbol portion 115 concave groove 120 light shielding film 125 (light shielding film) opening 130 resist layer (also simply referred to as resist)
130A resist image (also simply called resist)
135 resist layer opening 200 phase shift mask 210 transparent substrate 220 main pattern part 230 character symbol part 231 light shielding film 232 (light shielding film) opening part 215 concave groove part

Claims (3)

半導体製造用の透明な基板の一面に、回路パターンと文字および/または記号からなる文字記号部とを配設した基板であって、前記回路パターンと前記文字記号部とは、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるパターンであって、前記透明な基板の同一面に形成されているものであり、前記文字記号部は、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるスリット状ないし格子状のパターンを、文字および/または記号の形状に合せた所定の領域に有し、且つ、前記透明な基板がガラス基板であり、該ガラス基板を原版として凹凸が逆の型を作製するための基板であることを特徴とする文字記号部を有する基板。 On one surface of a transparent substrate for semiconductor manufacturing, a substrate is disposed and a character symbol unit composed of a circuit pattern and the character and / or symbol, and the circuit pattern and the character symbol section, said transparent substrate Is formed on the same surface of the transparent substrate, and the character symbol portion is a slit shape or a lattice shape formed of a concave groove engraved with the transparent substrate. substrate pattern having a predetermined area according to the shape of the characters and / or symbols, and the transparent substrate is the glass substrate, for irregularities of the glass substrate as an original to produce a reverse mold a substrate having a character symbol section, characterized in that it. 請求項1に記載の文字記号部を有する基板であって、スリット状ないし格子状のパターンは、その溝部の幅と溝部間のスペースの幅とが1:1で構成されていることを特徴とする文字記号部を有する基板。 The substrate having the character symbol portion according to claim 1, wherein the slit-like or lattice-like pattern is configured such that the width of the groove portion and the width of the space between the groove portions are 1: 1. A substrate having a character symbol portion to be used. 請求項1ないし2のいずれか1項に記載の文字記号部を有する基板であって、文字記号部がアライメントマーク、エリアコード、バーコードであることを特徴とする文字記号部を有する基板。 3. A substrate having a character symbol portion according to claim 1, wherein the character symbol portion is an alignment mark, an area code, or a bar code.
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