JP5491273B2 - Wafer chamfering device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子の素材となるシリコン等のウェーハの外周の面取り加工を行うウェーハ面取り装置に関する。 The present invention relates to a wafer chamfering apparatus that performs chamfering processing on the outer periphery of a wafer such as silicon used as a material of a semiconductor element.
各種結晶ウェーハその他の半導体デバイスウェーハ等の集積回路用基板として用いられる円盤状薄板材、その他金属材料を含む硬い材料からなる円盤状薄板材、例えばシリコン(Si)単結晶、ガリュウム砒素(GaAs)、水晶、石英、サファイヤ、フェライト、炭化珪素(SiC)等からなるもの(これらを総称して単にウェーハという)は、インゴットの状態からスライシングマシンにて薄く切り出された後、エッジ(周縁部)を砥石で研削され、所定の形状と所定の表面粗さに面取り加工される。 Disc-like thin plate materials used as substrates for integrated circuits such as various crystal wafers and other semiconductor device wafers, and other disc-like thin plate materials made of hard materials including metal materials, such as silicon (Si) single crystal, gallium arsenide (GaAs), Quartz, quartz, sapphire, ferrite, silicon carbide (SiC), etc. (collectively these are simply referred to as wafers) are thinly cut out from an ingot by a slicing machine, and then the edges (peripheries) are ground. And chamfered to a predetermined shape and a predetermined surface roughness.
このような面取り加工がなされるウェーハ1には、図13に示すように、周方向の基準位置を示すためのV字形又はU字形のノッチ1nが刻設されており、これも面取り加工される。
As shown in FIG. 13, a V-shaped or
ウェーハ1のエッジ1aについては、図14に示すように、上平面に対して角度α1(約22°)だけ傾斜した上斜面1auと、下平面に対し角度α1(約22°)だけ傾斜した下斜面1adと、これらの間を滑らかに接続する半径R1の円弧1cとからなる断面形状(全体としてほぼ三角形状)に加工する場合がある。
この場合、上斜面1auの水平長さを「面取り幅X1」と呼び、下斜面1adの水平長さを「面取り幅X2」と呼ぶ。
また、図15に示すように、ウェーハ1のエッジ1aを、上平面に対して角度α2だけ傾斜した上斜面1auと、下平面に対して角度α2だけ傾斜した下斜面1adと、エッジ1aの端面を形成する垂直な周端面1bと、同じ半径R2を有する2つの円弧であって上斜面1auと周端面1bとの間および下斜面1adと周端面1bとの間を滑らかに接続する円弧1c,1cとからなる断面形状(ほぼ台形形状)に加工する場合がある。
この場合も、上斜面1auの水平長さを「面取り幅X1」、下斜面1adの水平長さを「面取り幅X2」、周端1bの面幅の長さを「面取り幅X3」とそれぞれ呼ぶ。
As shown in FIG. 14, the
In this case, the horizontal length of the upper slope 1au is referred to as “chamfer width X1”, and the horizontal length of the lower slope 1ad is referred to as “chamfer width X2”.
Further, as shown in FIG. 15, the
Also in this case, the horizontal length of the upper slope 1au is referred to as “chamfer width X1”, the horizontal length of the lower slope 1ad is referred to as “chamfer width X2”, and the length of the face width of the
従来の面取り装置には、ウェーハ1を戴置する1つの加工テーブル41とウェーハ1を面取り加工するための砥石42、43とを有する1つの加工部40が設けられていた(図16、17参照)。
また、この面取り装置には、この加工部40のほかに、加工前のウェーハ1を格納する2つのカセット12と、加工前にウェーハ1の厚さを測定するとともにウェーハ1の中心とノッチ1nの方向(ウェーハの円周方向)とを設定する前設定部45と、加工したウェーハ1を洗浄する洗浄部47と、加工したウェーハの形状寸法を測定する後測定部50と、加工の完了したウェーハ1を格納するカセット13とが設けられていた。
The conventional chamfering apparatus is provided with one
The chamfering apparatus includes, in addition to the
この面取り装置では、ウェーハ1を乗せて搬送できる搬入アーム48によってカセット12から取り出されたウェーハ1は、前設定部45へ搬送され、厚さを測定および円周方向を概略設定される。次いで、ウェーハ1は搬入アーム48によって加工テーブル41の上方まで搬送され、搬入アーム48から加工搬送部44に受け渡される。この加工搬送部44は、2つのローラと1つの位置決め駒でウェーハ1を挟んで支持し、上下移動が可能で、ウェーハ1の中心と加工テーブル41の中心とを一致させ、ウェーハ1の円周方向位置を正確に位置決めして加工テーブル41に戴置する。
In this chamfering apparatus, the
加工部40には、ウェーハ1の円周部のエッジ1aを研削する砥石42と、ノッチ1nを研削する砥石43とを有していた。加工部40には、エッジ用砥石42とノッチ用砥石43とのそれぞれにつき、粗研用と精研用との2種類を備えるようにしてもよい。ウェーハ1は、加工テーブル41に負圧等で吸着固定され、加工テーブル41に伴って回転するとともに、回転する砥石42を押し当てられてエッジ1aを面取り加工される。
また、加工テーブル41を静止させた状態でウェーハ1のノッチ1nに砥石43が押し当てられ、面取り加工される。
The
Further, the
加工済みのウェーハ1は、4つのローラを有する洗浄搬送部46に挟持されて加工テーブル41から洗浄部47へ搬送され、洗浄部47にて洗浄される。次いで、ウェーハ1は洗浄搬送部46によって洗浄部47から後測定部50へ搬送される。後測定部50で形状寸法を測定されたウェーハ1は、搬出アーム49に乗せられてカセット13に搬送され、収納される。
The processed
このような従来のウェーハの面取り装置の中では、カセット12からウェーハ1を取り出す時間、加工前にウェーハ1の円周位置を設定する時間、ウェーハ1を加工部40で面取り加工する時間、加工したウェーハ1を洗浄する時間、洗浄したウェーハ1の形状寸法を測定する時間、カセット13に加工したウェーハ1を格納する時間を比較すると、一般に面取り加工の時間が最も長くなっていた。
よって、ウェーハの面取り装置のスループット(単位時間あたりの処理量)は、面取り加工の時間の長さに影響されていた。
In such a conventional wafer chamfering apparatus, the time for taking out the
Therefore, the throughput (processing amount per unit time) of the wafer chamfering apparatus is affected by the length of the chamfering process.
そのため、特許文献1には、複数の加工部を設けてスループットを向上させたウェーハの面取り装置が記載されている。図16、図17は、特許文献1の図1および図2を引用したものである。
この面取り装置は複数の加工部40を有し、各加工部40に、加工テーブル41と、加工特性(ウェーハの加工箇所や粗さ等)の異なる砥石42、43のユニットとをそれぞれ備えている。
また、加工搬送部44は前設定部45から各加工部40にウェーハ1を供給できる可動範囲を有し、同様に洗浄搬送部46も、各加工部40から洗浄部47にウェーハ1を搬送できる可動範囲を有している。
その他の構成においては、前記従来の面取り装置と概ね同様である。
Therefore,
This chamfering apparatus has a plurality of
Further, the processing /
Other configurations are substantially the same as those of the conventional chamfering apparatus.
この面取り装置では、前設定部45で厚さを測定され円周方向位置を概略設定されたウェーハ1は、搬入アーム48と加工搬送部44によって加工部40に搬送され、面取り加工される。加工部40で前のウェーハ1が面取り加工されている間に前設定部45での測定および設定が完了した次のウェーハ1は、搬入アーム48と加工搬送部44とによって別の加工部40に搬入され、面取り加工される。
このように、特許文献1の面取り装置では、複数の加工部40に順次ウェーハ1を供給し、複数の加工部40で同時並行してウェーハ1を面取り加工し、加工の完了したウェーハ1を順次洗浄部47へ搬送することによって、スループットを大きくすることができた。
In this chamfering apparatus, the
As described above, in the chamfering apparatus of
また、他の面取り装置として、一枚のウェーハに対し、要求されるウェーハ断面形状と一致する溝を刻設してある総形砥石で粗研削した後、回転する円盤状のレジンボンド砥石またはゴム砥石で精研削して、面取り精度と表面粗さを改善したものがあった(特許文献2、特許文献3)。
In addition, as another chamfering device, a disk-shaped resin bond grindstone or rubber that is rotated after rough grinding is performed on a single wafer with a grindstone with grooves that match the required cross-sectional shape of the wafer. There were some which were precisely ground with a grindstone to improve chamfering accuracy and surface roughness (
しかし、特許文献1の面取り装置では、複数の加工部40を設置し、それぞれの加工部40に複数種類の砥石42、43を一組ずつ設けていたため、一つの面取り装置で、加工部40の数に砥石42、43の種類を乗じた数の砥石および砥石位置を精密移動させる装置を設ける必要があり、装置のコストとサイズが大きなものとなっていた。
また、面取り装置全体で同一加工特性の砥石(たとえば砥石42)を複数有していたため、同一加工特性の砥石42の間で摩耗度合いに差が出た場合にはウェーハ1の品質にばらつきを生じることとなり、加えて、複数の砥石42を管理する手間がかかっていた。たとえば、一つの砥石42を交換する場合には、他の加工部40の同一加工特性の砥石42との間で面取り精度にばらつきが出ないように、直径や面取り幅等の加工仕上げ寸法を入力する制御部の設定を調整する必要があった。
さらに、砥石42、43を回転させるスピンドルモータは、一旦面取り加工を開始すると、通常、砥石42、43がウェーハ1を加工していない間も稼動させ続けておくため、加工部40を増やした分だけ電力と冷却水を浪費する量が増大し、ランニングコストの増加を招いていた。
However, in the chamfering device of
Further, since the entire chamfering apparatus has a plurality of grindstones having the same processing characteristics (for example, the grindstone 42), the quality of the
Further, once the chamfering process is started, the spindle motor that rotates the
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、複数の加工テーブルで並行してウェーハを面取り加工し、スループットを向上させるとともに、砥石の総数を抑えて装置全体のコストやサイズを低減させ、維持管理も容易であるウェーハの面取り装置を提供することを課題とする。
また、他の課題は、一枚のウェーハを面取り加工する際に、面取り加工前の処理、面取り加工、面取り加工後の処理のほとんどを一つの加工テーブルおよびその近傍で行うことができて、装置全体のコストやサイズを低減させることのできるウェーハの面取り装置を提供することにある。
The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and chamfering a wafer in parallel with a plurality of processing tables to improve throughput and reduce the total number of grindstones, thereby reducing the cost and size of the entire apparatus. It is an object of the present invention to provide a wafer chamfering apparatus which can be reduced and easily maintained.
Another problem is that when chamfering a single wafer, most of the processing before chamfering, chamfering, and processing after chamfering can be performed on one processing table and its vicinity. An object of the present invention is to provide a wafer chamfering apparatus capable of reducing the overall cost and size.
本発明において、上記課題が解決される手段は以下の通りである。
第1の発明に係るウェーハの面取り装置は、ウェーハを戴置する複数の加工テーブルと、上記ウェーハの周縁部を面取りするための複数種類の加工工程にそれぞれ対応した異なる加工特性を有する複数の砥石と、上記各砥石をそれぞれ上記加工テーブル間で移動させる砥石移動手段とを有し、上記各砥石が、それぞれ一つの加工テーブルに接近してウェーハを面取り加工し、次いで他の加工テーブルに順次移動して加工することを繰り返すことにより、複数の上記ウェーハを上記複数の砥石が同時並行して面取りすることを特徴とする。
In the present invention, means for solving the above problems are as follows.
A wafer chamfering apparatus according to a first invention includes a plurality of processing tables for placing a wafer and a plurality of grindstones having different processing characteristics respectively corresponding to a plurality of types of processing steps for chamfering the peripheral edge of the wafer. And a grindstone moving means for moving the grindstones between the processing tables. The grindstones chamfer the wafer by approaching one processing table, and then sequentially move to the other processing tables. Then, the plurality of wafers are chamfered in parallel by the plurality of grindstones by repeating the processing.
第2の発明に係るウェーハの面取り装置は、上記砥石移動手段が、上記加工テーブルに戴置された上記ウェーハを面取りする際に、上記加工テーブル間の移動方向に上記砥石の位置を精密移動させることを特徴とする。 In the wafer chamfering apparatus according to the second invention, when the grindstone moving means chamfers the wafer placed on the processing table, the position of the grindstone is precisely moved in the moving direction between the processing tables. It is characterized by that.
第3の発明に係るウェーハの面取り装置は、ウェーハを戴置する複数の加工テーブルと、上記ウェーハの周端面を面取りする砥石と、上記ウェーハの面取り前にウェーハの形状または戴置位置を検出するためにそれぞれ異なる測定対象を測定する1以上の加工前センサーと、上記加工前センサーを上記加工テーブル間で移動させる加工前センサー移動手段とを有して、上記加工前センサーが、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハの形状または戴置位置を検出することを特徴とする。
加工前センサーの測定対象としては、例えば、ウェーハの直径、厚み、中心位置、ノッチ位置などをあげることができる。
面取り装置が上記加工前センサーを複数有する場合には、各加工前センサーごとに上記加工前センサー移動手段を設けてもよく、いくつかの加工前センサーを1つの加工前センサー移動手段によって移動するユニットとして形成してもよい。
A wafer chamfering apparatus according to a third aspect of the invention detects a plurality of processing tables for placing a wafer, a grindstone for chamfering the peripheral end surface of the wafer, and a wafer shape or placement position before chamfering the wafer. Therefore, the pre-processing sensor has at least one pre-processing sensor for measuring different measurement objects and a pre-processing sensor moving means for moving the pre-processing sensor between the processing tables. The shape or placement position of the wafer is detected at a position held above the processing table or a position placed on each processing table.
Examples of the measurement target of the pre-processing sensor include the diameter, thickness, center position, and notch position of the wafer.
When the chamfering apparatus has a plurality of the pre-processing sensors, the pre-processing sensor moving means may be provided for each pre-processing sensor, and a unit for moving several pre-processing sensors by one pre-processing sensor moving means. You may form as.
第4の発明に係るウェーハの面取り装置は、ウェーハを戴置する複数の加工テーブルと、上記ウェーハの周端面を面取りするための砥石と、上記ウェーハの面取り後にウェーハの形状を検出するためにそれぞれ異なる測定対象を測定する1以上の加工後センサーと、上記加工後センサーを上記加工テーブル間で移動させる加工後センサー移動手段とを有して、上記加工後センサーが、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハの形状を測定することを特徴とする。
面取り装置が上記加工後センサーを複数有する場合には、各加工後センサーごとに上記加工後センサー移動手段を設けてもよく、また、いくつかの加工後センサーを一体化して1つの加工後センサー移動手段によって移動するように形成してもよい。
A wafer chamfering apparatus according to a fourth aspect of the present invention includes a plurality of processing tables for placing a wafer, a grindstone for chamfering the peripheral end surface of the wafer, and a shape of the wafer after chamfering the wafer. One or more post-processing sensors for measuring different measurement objects, and post-processing sensor moving means for moving the post-processing sensors between the processing tables, wherein the post-processing sensor is configured to transfer the wafer to each processing table. The shape of the wafer is measured at a position held above or a position placed on each processing table.
When the chamfering device has a plurality of post-processing sensors, the post-processing sensor moving means may be provided for each post-processing sensor, or several post-processing sensors are integrated into one post-processing sensor movement. You may form so that it may move by a means.
第5の発明に係るウェーハの面取り装置は、ウェーハを戴置する複数の加工テーブルと、上記ウェーハの周端面を面取りするための砥石と、上記ウェーハの面取り後にウェーハを洗浄するウェーハ洗浄機構と、洗浄後に上記ウェーハを乾燥させるウェーハ乾燥機構と、上記ウェーハ洗浄機構およびウェーハ乾燥機構を上記加工テーブル間で移動させる後処理機構移動手段とを有して、上記ウェーハ洗浄機構またはウェーハ乾燥機構が、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハを洗浄または乾燥することを特徴とする。
このような面取り装置では、ウェーハ洗浄機構とウェーハ乾燥機構とに各別の後処理機構移動手段を設けてもよく、また、ウェーハ洗浄機構およびウェーハ乾燥機構が1つの後処理機構移動手段によって移動するユニットとして形成してもよい。
A wafer chamfering apparatus according to a fifth invention includes a plurality of processing tables for placing a wafer, a grindstone for chamfering the peripheral end surface of the wafer, a wafer cleaning mechanism for cleaning the wafer after chamfering the wafer, A wafer drying mechanism for drying the wafer after cleaning, and a post-processing mechanism moving means for moving the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism between the processing tables. The wafer is washed or dried at a position where the wafer is held above each processing table or a position where the wafer is placed on each processing table.
In such a chamfering apparatus, the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism may be provided with different post-processing mechanism moving means, and the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism are moved by one post-processing mechanism moving means. It may be formed as a unit.
第6の発明は、上記ウェーハを上記加工テーブルの上方に保持して上記ウェーハ洗浄機構によって洗浄すると同時に上記加工テーブルを洗浄し、次いで上記ウェーハ乾燥機構によってウェーハを乾燥させると同時に上記加工テーブルを乾燥させることを特徴とする。 In a sixth aspect of the invention, the wafer is held above the processing table and cleaned by the wafer cleaning mechanism, and at the same time the processing table is cleaned, and then the wafer is dried by the wafer drying mechanism and at the same time the processing table is dried. It is characterized by making it.
第7の発明は、上記加工前センサー、上記加工後センサー、上記ウェーハ洗浄機構、または上記ウェーハ乾燥機構のいずれかを、面取り加工の前後に上記ウェーハを格納するカセットと上記各加工テーブルとの間で上記ウェーハを搬送するアームに設けたことを特徴とする。 In a seventh aspect of the present invention, any of the pre-processing sensor, the post-processing sensor, the wafer cleaning mechanism, or the wafer drying mechanism is provided between a cassette for storing the wafer before and after chamfering and each processing table. And provided on an arm for transporting the wafer.
第8の発明は、上記複数の加工テーブルが直線状に配置されることを特徴とする。 The eighth invention is characterized in that the plurality of processing tables are arranged linearly.
第9の発明は、上記砥石移動手段、上記加工前センサー移動手段、上記加工後センサー移動手段、または上記後処理機構移動手段のいずれかの移動方向に対し水平直交方向に上記加工テーブルを移動させる加工テーブル接近離間手段と、上記加工テーブルを回転させる加工テーブル回転手段とを設けたことを特徴とする。 According to a ninth aspect of the present invention, the processing table is moved in a horizontal orthogonal direction with respect to any of the movement directions of the grindstone moving means, the pre-processing sensor moving means, the post-processing sensor moving means, or the post-processing mechanism moving means. A processing table approaching / separating means and a processing table rotating means for rotating the processing table are provided.
第1の発明によれば、ウェーハを戴置する複数の加工テーブルと、上記ウェーハの周縁部を面取りするための複数種類の加工工程にそれぞれ対応した異なる加工特性を有する複数の砥石と、上記各砥石をそれぞれ上記加工テーブル間で移動させる砥石移動手段とを有し、上記各砥石が、それぞれ一つの加工テーブルに接近してウェーハを面取り加工し、次いで他の加工テーブルに順次移動して加工することを繰り返すことにより、複数の上記ウェーハを上記複数の砥石が同時並行して面取りすることにより、面取り装置のスループットを高めることができる。また、面取り装置全体の砥石の数を抑えられるため、砥石のコストを低減することができるとともに砥石の管理負担を軽減することができる。
また、面取り装置では、ウェーハを面取り加工していない遊びの時間にも砥石を回転させ続け、スピンドルモータに冷却水を使用する必要があるが、第1の発明にかかる面取り装置では、砥石の数が抑えられるとともに各砥石の遊びの時間が少なくなるため、電力および冷却水の浪費を低減させることができる。
According to the first invention, a plurality of processing tables for placing a wafer, a plurality of grindstones having different processing characteristics respectively corresponding to a plurality of types of processing steps for chamfering the peripheral edge of the wafer, And a grindstone moving means for moving the grindstone between the processing tables. The grindstones each approach the one processing table to chamfer the wafer, and then sequentially move to another processing table for processing. By repeating this, the plurality of wafers can be chamfered in parallel by the plurality of grindstones, thereby increasing the throughput of the chamfering apparatus. Moreover, since the number of grindstones in the entire chamfering device can be suppressed, the cost of the grindstone can be reduced and the management burden of the grindstone can be reduced.
Further, in the chamfering apparatus, it is necessary to continue to rotate the grindstone even during play time when the wafer is not chamfered and to use cooling water for the spindle motor. In the chamfering apparatus according to the first invention, the number of grindstones is required. Since the time of play of each grindstone is reduced and waste of electric power and cooling water can be reduced.
第2の発明によれば、上記砥石移動手段が、上記加工テーブルに戴置された上記ウェーハを面取りする際に、上記加工テーブル間の移動方向に上記砥石の位置を精密移動させることにより、1つの砥石移動手段で加工テーブル間の大きな移動とウェーハの面取り加工時の精密な移動とを兼ねることができて、面取り装置における砥石移動手段のコストを低減することができる。 According to the second invention, when the grindstone moving means chamfers the wafer placed on the processing table, the position of the grindstone is precisely moved in the moving direction between the processing tables, so that 1 One grindstone moving means can serve as both a large movement between processing tables and a precise movement at the time of chamfering a wafer, and the cost of the grindstone moving means in the chamfering apparatus can be reduced.
第3の発明によれば、上記ウェーハの面取り前にウェーハの形状または戴置位置を検出するためにそれぞれ異なる測定対象を測定する1以上の加工前センサーと、上記加工前センサーを上記加工テーブル間で移動させる加工前センサー移動手段とを有して、上記加工前センサーが、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハの形状または戴置位置を検出することにより、面取り前の測定のために独立のスペースを設ける必要がないため、面取り装置を省スペース化するとともに、ウェーハの移動にかかる時間を省略してスループットを向上させることができる。 According to the third aspect of the present invention, one or more pre-processing sensors for measuring different measurement objects to detect the shape or placement position of the wafer before chamfering the wafer, and the pre-processing sensor between the processing tables. And a pre-processing sensor moving means for moving the wafer at a position where the pre-processing sensor holds the wafer above each processing table or a position on each processing table. By detecting this, it is not necessary to provide an independent space for the measurement before chamfering, so that the chamfering device can be saved and the throughput can be improved by omitting the time required for moving the wafer.
第4の発明によれば、上記ウェーハの面取り後にウェーハの形状を検出するためにそれぞれ異なる測定対象を測定する1以上の加工後センサーと、上記加工後センサーを上記加工テーブル間で移動させる加工後センサー移動手段とを有して、上記加工後センサーが、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハの形状を測定することにより、面取り後の測定のために独立のスペースを設ける必要がないため、面取り装置を省スペース化するとともに、ウェーハの移動にかかる時間を省略してスループットを向上させることができる。 According to the fourth aspect of the present invention, one or more post-processing sensors that measure different measurement objects to detect the shape of the wafer after chamfering the wafer, and post-processing that moves the post-processing sensor between the processing tables. A sensor moving means, and the post-processing sensor measures the shape of the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or placed on each processing table. Since it is not necessary to provide an independent space for the measurement, the chamfering device can be saved, and the time required for moving the wafer can be omitted to improve the throughput.
第5の発明によれば、上記ウェーハの面取り後にウェーハを洗浄するウェーハ洗浄機構と、洗浄後に上記ウェーハを乾燥させるウェーハ乾燥機構と、上記ウェーハ洗浄機構およびウェーハ乾燥機構を上記加工テーブル間で移動させる後処理機構移動手段とを有して、上記ウェーハ洗浄機構またはウェーハ乾燥機構が、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハを洗浄または乾燥することにより、洗浄および乾燥のための独立のスペースを設ける必要がないため、面取り装置を省スペース化するとともに、ウェーハの移動にかかる時間を省略してスループットを向上させることができる。また、洗浄前にウェーハを加工テーブル付近から移動させる必要がないため、移動により汚れを周囲に撒き散らすことがない。 According to the fifth invention, a wafer cleaning mechanism for cleaning the wafer after chamfering the wafer, a wafer drying mechanism for drying the wafer after cleaning, and the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism are moved between the processing tables. And a post-processing mechanism moving means, wherein the wafer cleaning mechanism or the wafer drying mechanism cleans or dries the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or placed on each processing table. Accordingly, it is not necessary to provide an independent space for cleaning and drying, so that the chamfering device can be saved in space and the throughput can be improved by omitting the time required for moving the wafer. In addition, since there is no need to move the wafer from the vicinity of the processing table before cleaning, dirt is not scattered around by the movement.
第6の発明によれば、上記ウェーハを上記加工テーブルの上方に保持して上記ウェーハ洗浄機構によって洗浄すると同時に上記加工テーブルを洗浄し、次いで上記ウェーハ乾燥機構によってウェーハを乾燥させると同時に上記加工テーブルを乾燥させることにより、加工テーブルの洗浄および乾燥のために特別の時間を設ける必要がなく、十分な洗浄および乾燥の時間が確保できるとともに面取り加工装置のスループットを向上させることができる。 According to a sixth aspect of the invention, the wafer is held above the processing table and cleaned by the wafer cleaning mechanism, and at the same time the processing table is cleaned, and then the wafer is dried by the wafer drying mechanism and at the same time the processing table. By drying the substrate, it is not necessary to provide a special time for cleaning and drying the processing table, and sufficient cleaning and drying time can be secured and the throughput of the chamfering processing apparatus can be improved.
第7の発明によれば、上記加工前センサー、上記加工後センサー、上記ウェーハ洗浄機構、または上記ウェーハ乾燥機構のいずれかを、面取り加工の前後に上記ウェーハを格納するカセットと上記各加工テーブルとの間で上記ウェーハを搬送するアームに設けたことにより、このアームが、加工前センサー移動手段、加工後センサー移動手段、または後処理機構移動手段の役割を兼ね、面取り装置全体のコストを低減するとともに省スペース化することができる。 According to the seventh invention, any one of the pre-processing sensor, the post-processing sensor, the wafer cleaning mechanism, or the wafer drying mechanism is provided with a cassette for storing the wafer before and after chamfering, and each processing table. By providing the arm for transferring the wafer between the two, this arm also serves as a pre-processing sensor moving means, a post-processing sensor moving means, or a post-processing mechanism moving means, and reduces the cost of the entire chamfering apparatus. In addition, space can be saved.
第8の発明によれば、上記複数の加工テーブルが直線状に配置されることにより、デッドスペースの少ない面取り装置とすることができる。 According to the eighth invention, the plurality of processing tables are arranged in a straight line, whereby a chamfering device with little dead space can be obtained.
第9の発明によれば、上記砥石移動手段、上記加工前センサー移動手段、上記加工後センサー移動手段、または上記後処理機構移動手段のいずれかの移動方向に対し水平直交方向に上記加工テーブルを移動させる加工テーブル接近離間手段と、上記加工テーブルを回転させる加工テーブル回転手段とを設けたことにより、必要に応じて加工テーブルを砥石等に接近離間させ、所望の断面形状となるようにウェーハの面取り加工を行うとともに、加工テーブルを回転させて、ウェーハのエッジの全周およびノッチを面取りすることができる。 According to the ninth invention, the processing table is arranged in a direction perpendicular to the moving direction of any one of the grinding wheel moving means, the pre-processing sensor moving means, the post-processing sensor moving means, or the post-processing mechanism moving means. By providing a processing table approaching / separating means for moving and a processing table rotating means for rotating the processing table, the processing table is moved closer to and away from a grindstone as necessary, so that the wafer has a desired cross-sectional shape. The chamfering process can be performed and the processing table can be rotated to chamfer the entire periphery and notch of the wafer edge.
以下、本発明の実施形態に係るウェーハの面取り装置について、図面に基づいて説明する。
図1に示すように、この面取り装置は、ウェーハ1を戴置する複数の加工テーブル2を有し、また、複数の面取り工程にそれぞれ対応した異なる加工特性(粗さやウェーハの加工箇所など)を有する複数の砥石3、4、5、6を有するものであって、各砥石3、4、5、6が加工テーブル2の間で移動可能であることを特徴とする。
また同様に、面取り加工の前後にウェーハ1の測定、洗浄および乾燥を行うセンサー7、8、9、洗浄機構10、乾燥機構11が、加工テーブル2の間で移動可能であることを特徴とする。
以下で詳述する。
Hereinafter, a wafer chamfering apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, this chamfering apparatus has a plurality of processing tables 2 on which a
Similarly, the
This will be described in detail below.
この面取り装置は、図1に示すように、未加工のウェーハ1を格納しておく2つのカセット12、12と、ウェーハ1を戴置して面取り加工する4台の加工テーブル2(2A〜2D)と、加工済みのウェーハ1を格納しておく2つのカセット13、13とを有する。
また、面取り装置には、ウェーハ1を搬送するために、ウェーハ1をカセット12から取り出しあるいはカセット13に格納するカセットアーム14と、このカセットアーム14からウェーハ1を受け取って各加工テーブル2に戴置する搬入アーム15と、加工されたウェーハ1を加工テーブル2からカセットアーム14に受け渡す搬出アーム16とが設けられている。
ウェーハ1の面取り加工のために、この面取り装置は、エッジ1aの粗研用の総形砥石3と、エッジ1aのコンタリング加工(精研)用の一対の円盤砥石4a、4aと、ノッチ1nの粗研用の総形砥石5と、ノッチ1nの精研用の砥石6とを有している。
As shown in FIG. 1, this chamfering apparatus includes two
Further, the chamfering apparatus takes out the
For the chamfering of the
図1に示すように、4台の加工テーブル2は、略一直線上に直列に配置されている。以下、この並びの方向をX軸方向という。
図2に示すように、加工テーブル2の上部には、ウェーハ1が戴置されるステージ17が設けられている。このステージ17はウェーハ1よりも小径に形成され、戴置されたウェーハ1を負圧によって固定する吸着チャックを有している。
また、図2、図7に示すように、加工テーブル2には、モータを用いた加工テーブル回転機構18が設けられ、ウェーハ1の面取り加工の際にステージ17を回転させて、ウェーハ1のエッジ1aを全周に亘って面取り加工できるようになっている。さらに、加工テーブル2は、レールまたはボールねじ等で構成される加工テーブル接近離間機構19によって、X軸と直交する水平な方向(以下、Y軸方向という)に移動が可能であり、ウェーハ1を上記各砥石3、4、5、6と接近離間させて面取り加工することができる。
As shown in FIG. 1, the four processing tables 2 are arranged in series on a substantially straight line. Hereinafter, this arrangement direction is referred to as an X-axis direction.
As shown in FIG. 2, a
As shown in FIGS. 2 and 7, the processing table 2 is provided with a processing
図1に示すように、未加工のウェーハ1を格納しておくカセット12および加工済みのウェーハ1を格納しておくカセット13も、X軸方向に沿って配置されている。
カセット12、13の列と加工テーブル2の列の間には、カセットアーム14が設けられている。このカセットアーム14は、ウェーハ1を乗せて搬送する略Y字状のアーム部14aを有している。さらに、カセットアーム14には、図2に示すように、X軸方向に移動するためのカセットアームX軸移動機構20が設けられるとともに、アーム部14aをY軸方向に移動するためのカセットアームY軸移動機構21、昇降させるカセットアーム昇降機構22および水平に旋回させるカセットアーム旋回機構23が設けられている。
As shown in FIG. 1, a
A
搬入アーム15は、図2、図3に示すように、加工テーブル2近傍の天井側から吊るされて、水平方向にアーム部15aを突設しており、このアーム部15aの先端には、負圧によって上方からウェーハを吸着する吸着チャック15bが設けられ、ウェーハ1を保持することができる。吸着チャック15bの直上にはダイレクトドライブモータ15cが設けられ、保持したウェーハ1を円周方向に回転させて、後述のように測定および戴置することができる。
搬入アーム15には、X軸方向に移動するための搬入アーム移動機構24(図2)およびアーム部15aを昇降させる搬入アーム昇降機構(図示せず)が設けられており、カセットアーム14から各加工テーブル2への未加工のウェーハ1の受け渡しを行うことができる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the carry-in
The carry-in
また、搬入アーム15には、アーム部15aと略同じ高さに、上下一対でウェーハ1の直径(図13中D)または半径(同R)、中心、ノッチ1nの位置を測定するアラインメントセンサー7が設けられている(図2ではアラインメントセンサー7を省略している)。
図3に示すように、アラインメントセンサー7は搬入アーム15に対し旋回可能に取り付けられるため、ウェーハ1を吸着チャック15bと吸着または取り外しする際にはアラインメントセンサー7が接触しないように逃がすことができ、搬入アーム15がウェーハ1を保持した状態でアラインメントセンサー7をウェーハ1の上下に旋回させてウェーハ1を測定できる。また、搬入アーム15に対してアラインメントセンサー7を昇降させるアラインメントセンサー昇降機構(図示せず)が設けられ、ウェーハ1の測定に際してアラインメントセンサー7の高さを調整することができる。
搬入アーム15は、アラインメントセンサー7の測定結果から設定したウェーハ1の円周方向の戴置角度に基づいて、ウェーハ1を回転させて所望の戴置角度で加工テーブル2に戴置する。このとき、ウェーハ1の中心と加工テーブル2のステージ17の中心が一致するようにする。
In addition, an
As shown in FIG. 3, since the
The carry-in
さらに搬入アーム15には、アーム部15aよりも下方に、上下一対の厚さセンサー8を設けており、ウェーハ1を加工テーブル2に戴置した後にウェーハ1の上面および下面の高さを測定し、その差からウェーハ1の厚さを検出する。
なお、厚さセンサー8は、搬入アーム15がウェーハ1を保持した状態でウェーハ1の厚さを測定するように構成してもよい。
Further, the carry-in
Note that the
エッジ粗研砥石3は、図4、図5に示すように、ウェーハ1の要求される断面形状と一致する溝を周端面に刻設してある水平な総形砥石であって、加工テーブル2と互いに逆向きに異なる回転速度で回転させたまま、加工テーブル接近離間機構19によって加工テーブル2をY軸方向に移動させて、ウェーハ1のエッジ1aを砥石溝に押し付けて、エッジ1aの粗研を行う。
ノッチ粗研砥石5は、図5に示すように、エッジ粗研砥石3と同様にウェーハ1の要求される断面形状と一致する溝を周端面に刻設してある総形砥石であって、エッジ粗研砥石3と同じ向きに回転させたまま、加工テーブル接近離間機構19による加工テーブル2のY軸方向移動と、後述の粗研砥石移動機構27によるノッチ粗研砥石のX軸方向移動とを用いて、ノッチ1nの形状に沿わせて粗研を行う。
図2、図5に示すように、エッジ粗研砥石3およびノッチ粗研砥石5は、一つの砥石支持装置26に取り付けられて、ウェーハ1を面取り加工する。また、砥石支持装置26は面取り装置の側壁29上部に取り付けられ、X軸方向に移動するための粗研砥石移動機構27および昇降するための粗研砥石昇降機構28を有している。一例として、粗研砥石移動機構27は、側壁29に取り付けられるX軸方向のねじ軸と砥石支持装置26に取り付けられるナットとからなるボールねじを用いて、サーボモータを駆動力として構成することができる。同様に、粗研砥石昇降機構28も、ボールねじを用いて構成することができる。
As shown in FIGS. 4 and 5, the
As shown in FIG. 5, the
As shown in FIGS. 2 and 5, the
エッジ精研砥石4は、図6に示すように、近傍で盤面を対向させた一対の垂直な円盤状の砥石4a、4aからなり、それぞれを垂直かつ互いに逆向きに回転させて、水平に回転するウェーハ1に押し付けることで、エッジ1aの精密な面取り加工を行う。
このため、図2、図7、図8に示すように、エッジ精研砥石4は砥石支持装置30に支持され、各砥石4a、4aは砥石を回転させるスピンドルモータを介して砥石支持装置30に取り付けられている。また、砥石支持装置30全体を昇降させる支持装置昇降機構31を設けるとともに、各砥石4a、4aを各別に昇降させるエッジ精研砥石昇降機構32、32を設けており、各砥石4a、4aを同じ高さに維持してウェーハ1のエッジ1aを面取り加工する(図6)こともできるが、各砥石4a、4aの高さを異ならせて、ウェーハ1を上下から挟むようにして上斜面1auおよび下斜面1adの面取り加工をすることもできる(図9)。
また、図2に示すように、エッジ精研砥石4を取り付ける砥石支持装置30は面取り装置の側壁29下部に組み付けられ、X軸方向に移動するためのエッジ精研砥石移動機構33を有している。一例として、エッジ精研砥石移動機構33は、側壁29に取り付けられるX軸方向のねじ軸と砥石支持装置30に取り付けられるナットとからなるボールねじを用いて、サーボモータを駆動力として構成することができる。
As shown in FIG. 6, the edge
Therefore, as shown in FIGS. 2, 7, and 8, the
As shown in FIG. 2, the
ノッチ精研砥石6は、図10に示すように、研摩材を含んだゴムで形成された薄い円盤状の砥石であって、垂直に設置され、垂直方向に回転させたまま、加工テーブル接近離間機構19による加工テーブル2のY軸方向移動と、後述のノッチ精研砥石移動機構35によるノッチ精研砥石6のX軸方向移動とを用いて、ノッチ1nの形状に沿わせて精密な研削を行う。
図10に示すように、ノッチ精研砥石6は砥石支持装置34に支持され、砥石を回転させるスピンドルモータの回転を先端部34aで変換することで、垂直方向に回転するように取り付けられている。
また、図2、図10に示すように、ノッチ精研砥石6を取り付ける砥石支持装置34は、加工テーブル2とカセット12、13との間に設置される面取り装置の中壁37下部に取り付けられ、X軸方向に移動するためのノッチ精研砥石移動機構35および昇降するためのノッチ精研砥石昇降機構36を有している。一例として、ノッチ精研砥石移動機構35は、中壁37に取り付けられるX軸方向のねじ軸と砥石支持装置34に取り付けられるナットとからなるボールねじを用いて、サーボモータを駆動力として構成することができる。同様に、ノッチ精研砥石昇降機構36も、ボールねじを用いて構成することができる。
As shown in FIG. 10, the notch
As shown in FIG. 10, the notch
As shown in FIGS. 2 and 10, the
図2、図11に示すように、搬出アーム16は、加工テーブル2近傍で側壁29側の天井側から吊るされて、水平方向にアーム部16aを突設しており、このアーム部16aの先端には、負圧によって上方からウェーハを吸着する吸着チャック16bが設けられ、ウェーハ1を保持することができる。吸着チャック16bの直上にはダイレクトドライブモータ16cが設けられ、保持したウェーハ1を円周方向に回転させて、後述のように洗浄、乾燥および測定することができる。
搬出アーム16には、X軸方向に移動するための搬出アーム移動機構38、アーム部16aを昇降させる搬出アーム昇降機構(図示せず)およびアーム部16aを旋回させる搬出アーム旋回機構(図示せず)が設けられており、各加工テーブル2からカセットアーム14への加工済みのウェーハ1の受け渡しを行うことができる。
As shown in FIGS. 2 and 11, the carry-out
The carry-out
また、図11に示すように、搬出アーム16は、洗浄液を放出する上下3つの水ノズル10a、10b、10cからなる洗浄機構10と、乾燥風を放出する上下3つのエアーノズル11a、11b、11cからなる乾燥機構11とを備えている。搬出アーム16のアーム部16aでウェーハ1を保持した場合、上段の水ノズル10aおよびエアーノズル11aはウェーハ1より上位で下方に傾斜して設置され、ウェーハ1の上面を洗浄し、乾燥させる。中段の水ノズル10bおよびエアーノズル11bはウェーハ1より下位で上方に傾斜して設置され、ウェーハ1の下面を洗浄し、乾燥させる。下段の水ノズル10cおよびエアーノズル11cは下方に傾斜して設置され、加工テーブル2のステージ17を洗浄し、乾燥させる。
本実施例では、ウェーハ1を加工テーブル2の上方に保持して、ウェーハ1の洗浄および乾燥を行いながら、加工テーブル2のステージ17の洗浄および乾燥を行えるように洗浄機構10と乾燥機構11とを構成したが、ウェーハ1を加工テーブル2に戴置した状態でウェーハ1の洗浄および乾燥を行うように構成してもよい。
As shown in FIG. 11, the carry-out
In this embodiment, the
さらに、搬出アーム16には、上下一対の部材からなりウェーハ1の半径、ノッチ1nの形状を測定する加工後センサー9が設けられている。加工後センサー9は上側の部材からレーザーを照射し、下側の部材で受容するレーザーがウェーハ1に遮られることで、ウェーハ1の周端面1bおよびノッチ1nの形状を測定して、ウェーハ1の中心との距離からウェーハ1の半径を検出する。
加工後センサー9は搬出アーム16に対し旋回可能に取り付けられるため、ウェーハ1の形状を測定するには、まず、搬出アーム16がウェーハ1を保持した状態で加工後センサー9をウェーハ1の真上から逃がす。次いで、アーム部16aの高さを加工後センサー9の高さに上昇させ、加工後センサー9を旋回させてウェーハ1の上下に配置し、ウェーハ1の形状を測定できる。また、加工後センサー9は、洗浄機構10または乾燥機構11の上方に設けてあり、ウェーハ1の洗浄または乾燥の際に汚れないようになっている。このほかに、ウェーハ1を加工テーブル2に戴置した状態で、加工後センサー9がウェーハ1の形状を測定するように構成してもよい。
また、必要に応じて、加工後センサー9にカメラを搭載し、エッジ1aの面取り幅X1、X2、X3やチッピング(欠け)の有無を測定できるようにしてもよい。
Further, the unloading
Since the
If necessary, a camera may be mounted on the
次に、この面取り装置におけるウェーハ1の面取り工程および各部の制御について説明する。
この面取り装置では、1台の加工テーブル2につき第一工程、第二工程、第三工程、第四工程を順に繰り返すことにより、4台の加工テーブル2で効率的にウェーハ1を面取り加工することができる。
Next, the chamfering process of the
In this chamfering device, the first process, the second process, the third process, and the fourth process are sequentially repeated for one processing table 2 to efficiently chamfer the
第一工程では、加工テーブル2に加工済みのウェーハ1がある場合には搬出アーム16がこれを吸着して加工テーブル2上方で回転させながらウェーハ1および加工テーブル2を洗浄し、乾燥させ、加工後センサー9でウェーハ1の形状を測定し(図11参照)、搬出アーム16からカセットアーム14へウェーハ1を受け渡し、カセット13に格納する(図2参照)。次いで、カセットアーム14によりカセット12から未加工のウェーハ1を取り出し、搬入アーム15がこれを受け取り(図2参照)、アラインメントセンサー7の測定に基づいた正しい戴置位置で加工テーブル2に戴置し、厚さセンサー8でウェーハ1の厚さを測定する(図3参照)。
In the first step, when there is a processed
第二工程では、粗研砥石移動機構27により砥石支持装置26をX軸方向に加工テーブル2の位置まで移動させ、加工テーブル接近離間機構19により加工テーブル2を砥石支持装置26に接近させ、エッジ粗研砥石3でウェーハ1のエッジ1aを面取り加工し、次いでノッチ粗研砥石5でノッチ1nを面取り加工する(図5参照)。
面取り加工において、ウェーハ1に対するエッジ粗研砥石3またはノッチ粗研砥石5の位置をX軸方向に移動させながら精密加工するときには、粗研砥石移動機構27によって精密に移動させることができる。
In the second step, the
In chamfering, when the precise processing is performed while moving the position of the
第三工程では、エッジ精研砥石移動機構33により砥石支持装置30をX軸方向に加工テーブル2の位置まで移動させ、加工テーブル接近離間機構19により加工テーブル2を砥石支持装置30に接近させ、エッジ精研砥石4でウェーハ1のエッジ1aを面取り加工する(図6、図7参照)。
面取り加工において、ウェーハ1に対するエッジ精研砥石4の位置をX軸方向に移動させながら精密加工するときには、エッジ精研砥石移動機構33によって精密に移動させることができる。
In the third step, the edge precision grinding
In the chamfering process, when the precision machining is performed while moving the position of the edge
第四工程では、ノッチ精研砥石移動機構35により砥石支持装置34をX軸方向に加工テーブル2の位置まで移動させ、加工テーブル接近離間機構19により加工テーブル2を砥石支持装置34に接近させ、ノッチ精研砥石6でウェーハ1のノッチ1nを面取り加工する(図10参照)。
面取り加工において、ウェーハ1に対するノッチ精研砥石6の位置をX軸方向に移動させながら精密加工するときには、ノッチ精研砥石移動機構35によって精密に移動させることができる。
この面取り装置においては、第一工程、第二工程、第三工程、第四工程の施工時間がいずれも80〜120秒程となり、施工時間のばらつきが少なくなる。
In the fourth step, the notch precision grinding
In chamfering, when the precision machining is performed while moving the position of the notch
In this chamfering apparatus, the construction time of the first process, the second process, the third process, and the fourth process are all about 80 to 120 seconds, and variations in the construction time are reduced.
図12は、面取り装置でウェーハ1の面取り加工を行うタイミングチャートである。図12中、縦方向は各加工テーブル2を、横方向は経過時間を表している。
以下では、4台の加工テーブル2を、加工テーブル2A、2B、2C、2Dとして区別する。
この面取り装置で、全ての加工テーブル2でウェーハ1が戴置されていない状態から面取り加工を開始すると、まず、加工テーブル2Aにおいて、第一工程の後半工程、すなわちカセット12のウェーハ1を取り出してから加工テーブル2A上で厚さを測定するまでの工程が行われる(t1)。
FIG. 12 is a timing chart for chamfering the
Hereinafter, the four processing tables 2 are distinguished as processing tables 2A, 2B, 2C, and 2D.
With this chamfering device, when chamfering is started from a state where the
それが完了すると、次に、加工テーブル2Aで第二工程が行われると同時に、加工テーブル2Bで第一工程の後半工程が行われる(t2)。
加工テーブル2A,2Bの動作がともに完了すると、次に、加工テーブル2Aで第三工程が行われると同時に、加工テーブル2Bで第二工程が行われ、加工テーブル2Cで第一工程の後半工程が行われる(t3)。
When this is completed, the second step is then performed on the processing table 2A, and at the same time, the latter half of the first step is performed on the processing table 2B (t2).
When the operations of the processing tables 2A and 2B are completed, the third step is performed at the processing table 2A, the second step is performed at the processing table 2B, and the second step of the first step is performed at the processing table 2C. Is performed (t3).
加工テーブル2A〜2Cの動作が全て完了すると、次に、加工テーブル2Aで第四工程が行われると同時に、加工テーブル2Bで第三工程が行われ、加工テーブル2Cで第二工程が行われ、加工テーブル2Dで第一工程の後半工程が行われる(t4)。
全ての加工テーブル2A〜2Dで動作が完了すると、次に、加工テーブル2Aでは第一工程の全工程が行われて、ウェーハ1の面取り加工に伴う全工程を終了し、新たなウェーハ1の面取り加工を開始する。同時に、加工テーブル2Bで第四工程が行われ、加工テーブル2Cで第三工程が行われ、加工テーブル2Dで第二工程が行われる(t5)。
When all the operations of the processing tables 2A to 2C are completed, the fourth step is performed at the processing table 2A, the third step is performed at the processing table 2B, and the second step is performed at the processing table 2C. The second half of the first step is performed on the processing table 2D (t4).
When the operation is completed in all the processing tables 2A to 2D, next, all the processes of the first process are performed in the processing table 2A, and all the processes associated with the chamfering process of the
その後も各加工テーブル2で第一工程から第四工程までが順に繰り返され、各加工テーブル2では、砥石等によって異なる工程が同時並行して行われる。
各砥石3、4、5、6、搬入アーム15および搬出アーム16は、それぞれ一つの加工テーブル2に接近してウェーハ1を加工または処理し、次いで他の加工テーブル2に順次移動して加工または処理することを繰り返すことになる。その加工テーブル2間の移動においては、砥石支持装置26と砥石支持装置30、ならびに搬入アーム15と搬出アーム16とがすれ違うことがあるが、その際にはそれぞれの昇降機構によって高さを異ならせ、これらが接触することなくすれ違えるようにする(図2)。
Thereafter, the first process to the fourth process are sequentially repeated in each processing table 2, and in each processing table 2, different processes depending on the grindstone and the like are performed in parallel.
Each
このような面取り装置では、ウェーハ1の面取りにおける複数種類の加工工程(第一工程から第四工程)にそれぞれ対応する複数の砥石3、4、5、6、センサー7、8、9、洗浄機構10および乾燥機構11に、それぞれを加工テーブル2間で移動させる移動機構を設けたことにより、複数の加工テーブル2で異なる加工工程を同時並行して行うことができ、面取り装置のスループットを高めることができる。また、面取り装置全体における砥石、センサー、洗浄機構および乾燥機構の数が抑えられるため、面取り装置のコストを低減するとともに砥石の管理負担を軽減することができる。
In such a chamfering apparatus, a plurality of
また、粗研砥石移動機構27、エッジ精研砥石移動機構33、ノッチ精研砥石移動機構35にボールねじ等を用いることで、各砥石3、4、5、6を加工テーブル2間(X軸方向)で移動させるとともに、面取り加工の際に各砥石3、4、5、6をX軸方向に精密移動できるようにしたので、面取り装置全体における砥石の精密移動用機械のコストを節減することができる。
Further, by using a ball screw or the like for the rough grinding
また、センサー7、8、9、洗浄機構10および乾燥機構11が、ウェーハ1を各加工テーブル2の上方に保持した位置または各加工テーブル2に戴置した位置で、測定、洗浄および乾燥を行うことにより、ウェーハ1の面取り加工に伴う全工程を1台の加工テーブル2の付近で行うことができ、測定、洗浄および乾燥のための独立のスペースを設ける必要がないため、面取り装置を省スペース化するとともに、面取り加工に伴う第一工程の時間を短縮してスループットを向上させることができる。
Further, the
特に、搬出アーム16がウェーハ1を加工テーブル2の上方に保持して、洗浄機構10によってウェーハ1を洗浄すると同時に加工テーブル2を洗浄し、次いで乾燥機構11によってウェーハ1を乾燥すると同時に加工テーブル2を乾燥させることにより、第一工程にかかる時間を一層短縮して、面取り加工装置のスループットを向上させることができる。
In particular, the unloading
また、未加工のウェーハ1をカセット12から各加工テーブル2へ搬送する搬入アーム15にアラインメントセンサー7および厚さセンサー8を設けるとともに、加工済みのウェーハ1を各加工テーブル2からカセット13へ搬送する搬出アーム16に加工後センサー9、洗浄機構10および乾燥機構11を設けたことにより、各センサー7、8、9、洗浄機構10および乾燥機構11のX軸方向の移動用機械を独立に設ける必要がなく、面取り装置全体のコストを低減するとともに省スペース化することができる。
In addition, an
また、4台の加工テーブル2を直線状に配置したため、(環状に配置される場合等に比較して)デッドスペースが小さく、面取り装置を省スペース化することができる。
また、各加工テーブル2に、加工テーブル接近離間機構19と加工テーブル回転機構18とを設けたことにより、必要に応じて加工テーブル2を砥石3、4、5、6に接近離間させ、要求される断面形状に面取り加工するとともに、加工テーブル2を回転させて、ウェーハ1のエッジ1aの全周およびノッチ1nを面取りすることができる。
Further, since the four processing tables 2 are arranged in a straight line, the dead space is small (compared to a case where the processing tables 2 are arranged in an annular shape), and the chamfering device can be saved.
Further, by providing the machining table 2 with the machining table approaching /
1 ウェーハ
1a エッジ
1b 周端面
1n ノッチ
2 加工テーブル
3 (エッジ粗研)砥石
4 (エッジ精研)砥石
4a (円盤)砥石
5 (ノッチ粗研)砥石
6 (ノッチ精研)砥石
7 (アラインメント)センサー
8 (厚さ)センサー
9 (加工後)センサー
10 洗浄機構
10a〜c 水ノズル
11 乾燥機構
11a〜c エアーノズル
12 カセット
13 カセット
14 カセットアーム
14a アーム部
15 搬入アーム
15a アーム部
15b 吸着チャック
15c ダイレクトドライブモータ
16 搬出アーム
16a アーム部
16b 吸着チャック
16c ダイレクトドライブモータ
17 ステージ
18 加工テーブル回転機構
19 加工テーブル接近離間機構
20 カセットアームX軸移動機構
21 カセットアームY軸移動機構
22 カセットアーム昇降機構
23 カセットアーム旋回機構
24 搬入アーム移動機構
26 砥石支持装置
27 粗研砥石移動機構
28 粗研砥石昇降機構
30 砥石支持装置
31 支持装置昇降機構
32 エッジ精研砥石昇降機構
33 エッジ精研砥石移動機構
34 砥石支持装置
35 ノッチ精研砥石移動機構
36 ノッチ精研砥石昇降機構
38 搬出アーム移動機構
40 加工部
41 加工テーブル
42 砥石
43 砥石
45 前設定部
47 洗浄部
X、Y 水平方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 1a Edge 1b Peripheral end surface 1n Notch 2 Processing table 3 (Edge roughing) Grinding wheel 4 (Edge fine study) Grinding wheel 4a (Disk) Grinding stone 5 (Notch rough grinding) Grinding stone 6 (Notch fine study) Grinding stone 7 (Alignment) sensor 8 (Thickness) sensor 9 (After processing) Sensor 10 Cleaning mechanism 10a to c Water nozzle 11 Drying mechanism 11a to c Air nozzle 12 Cassette 13 Cassette 14 Cassette arm 14a Arm unit 15 Loading arm 15a Arm unit 15b Adsorption chuck 15c Direct drive Motor 16 Unloading arm 16a Arm portion 16b Adsorption chuck 16c Direct drive motor 17 Stage 18 Processing table rotating mechanism 19 Processing table approaching / separating mechanism 20 Cassette arm X-axis moving mechanism 21 Cassette arm Y-axis moving mechanism 22 Cassette Arm lifting mechanism 23 cassette arm turning mechanism 24 carry-in arm moving mechanism 26 grinding wheel support device 27 rough grinding wheel moving mechanism 28 rough grinding wheel lifting mechanism 30 grinding wheel support device 31 supporting device lifting mechanism 32 edge precision grinding stone lifting mechanism 33 edge precision grinding stone Moving mechanism 34 Grinding wheel support device 35 Notch precision grinding wheel moving mechanism 36 Notch precision grinding wheel lifting mechanism 38 Unloading arm moving mechanism 40 Processing unit 41 Processing table 42 Grinding stone 43 Grinding wheel 45 Pre-setting unit 47 Cleaning unit X, Y Horizontal direction
Claims (10)
上記複数の加工テーブルにそれぞれ戴置されたウェーハの周縁部を面取りするための複数種類の加工工程にそれぞれ対応した異なる加工特性を有する複数の砥石と、
上記複数種類の加工工程にそれぞれ対応した異なる加工特性を有する複数の砥石をそれぞれ独立して上記複数の加工テーブル間で移動させる砥石移動手段とを有し、
1つの砥石が1つの加工テーブルに戴置されたウェーハを加工している間に他の1つの砥石が別の加工テーブルに戴置された別のウェーハを加工するとともに、各砥石が複数の加工テーブルを順次移動して各加工テーブルに戴置されたウェーハを順次加工することにより
複数の上記ウェーハを上記複数の砥石が同時並行して面取りすることを特徴とするウェーハの面取り装置。 A plurality of processing tables each carrying one wafer;
A plurality of grindstones having different processing characteristics respectively corresponding to a plurality of types of processing steps for chamfering the peripheral edge of the wafer placed on each of the plurality of processing tables ;
A grindstone moving means for independently moving a plurality of grindstones having different processing characteristics corresponding to the plurality of types of processing steps, respectively, between the plurality of processing tables;
While one grindstone is processing a wafer placed on one processing table, another grindstone is processing another wafer placed on another processing table, and each grindstone is processed multiple times. A wafer chamfering apparatus, wherein the plurality of wafers chamfer the plurality of wafers simultaneously in parallel by sequentially moving the table and sequentially processing the wafers placed on each processing table .
上記複数の加工テーブルにそれぞれ戴置されたウェーハの周端面を面取りする砥石と、
上記砥石を上記複数の加工テーブル間で移動させる砥石移動手段と、
上記ウェーハの面取り前に、上記ウェーハを戴置されるべき加工テーブルの上方に保持した位置でウェーハの形状または戴置位置を検出する加工前センサーと、
上記加工前センサーを上記複数の加工テーブル間で移動させる加工前センサー移動手段とを有して、
上記砥石が1つの加工テーブルに戴置されたウェーハを加工している間に同時並行して上記加工前センサーが別の加工テーブルの上方で別のウェーハの形状または戴置位置を検出することを特徴とするウェーハの面取り装置。 A plurality of processing tables each carrying one wafer;
A grindstone that chamfers the peripheral end surface of the wafer placed on each of the plurality of processing tables ,
Whetstone moving means for moving the whetstone between the plurality of processing tables;
Before chamfering of the wafer, and machining before sensors that detect the shape or the placing position of the wafer at a position held above the work table to be the placing of the wafer,
A pre-processing sensor moving means for moving the pre-processing sensor between the plurality of processing tables;
While the grindstone is processing a wafer placed on one processing table, the pre-processing sensor detects the shape or placement position of another wafer above another processing table in parallel. A wafer chamfering device.
上記複数の加工テーブルにそれぞれ戴置されたウェーハの周端面を面取りするための砥石と、
上記ウェーハの面取り後にウェーハの形状を検出するためにそれぞれ異なる測定対象を測定する1以上の加工後センサーと、
上記加工後センサーを上記加工テーブル間で移動させる加工後センサー移動手段とを有して、
上記加工後センサーが、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハの形状を測定することを特徴とするウェーハの面取り装置。 A plurality of processing tables each carrying one wafer;
A grindstone for chamfering the peripheral end surface of each wafer placed on each of the plurality of processing tables ;
One or more post-processing sensors for measuring different measurement objects to detect the shape of the wafer after chamfering the wafer;
A post-processing sensor moving means for moving the post-processing sensor between the processing tables;
The wafer chamfering apparatus, wherein the post-processing sensor measures the shape of the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or placed on each processing table.
上記複数の加工テーブルにそれぞれ戴置されたウェーハの周端面を面取りするための砥石と、
上記ウェーハの面取り後にウェーハを洗浄するウェーハ洗浄機構と、
洗浄後に上記ウェーハを乾燥させるウェーハ乾燥機構と、
上記ウェーハ洗浄機構およびウェーハ乾燥機構を上記加工テーブル間で移動させる後処理機構移動手段とを有して、
上記ウェーハ洗浄機構またはウェーハ乾燥機構が、上記ウェーハを各加工テーブルの上方に保持した位置または各加工テーブルに戴置した位置で上記ウェーハを洗浄または乾燥することを特徴とするウェーハの面取り装置。 A plurality of processing tables each carrying one wafer;
A grindstone for chamfering the peripheral end surface of each wafer placed on each of the plurality of processing tables ;
A wafer cleaning mechanism for cleaning the wafer after chamfering the wafer;
A wafer drying mechanism for drying the wafer after cleaning;
A post-processing mechanism moving means for moving the wafer cleaning mechanism and the wafer drying mechanism between the processing tables;
A wafer chamfering apparatus, wherein the wafer cleaning mechanism or the wafer drying mechanism cleans or dries the wafer at a position where the wafer is held above each processing table or a position where the wafer is placed on each processing table.
上記加工テーブルを回転させる加工テーブル回転手段とを設けたことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のウェーハの面取り装置。 A processing table for moving the processing table in a direction perpendicular to the moving direction of any one of the grinding wheel moving means, the pre-processing sensor moving means, the post-processing sensor moving means, or the post-processing mechanism moving means. Access and separation means;
6. The wafer chamfering apparatus according to claim 1, further comprising processing table rotating means for rotating the processing table.
上記複数の加工テーブルにそれぞれ戴置されたウェーハの周端面を面取りする砥石と、A grindstone that chamfers the peripheral end surface of the wafer placed on each of the plurality of processing tables,
上記砥石を上記複数の加工テーブル間で移動させる砥石移動手段と、Whetstone moving means for moving the whetstone between the plurality of processing tables;
上記ウェーハの面取り前に、上記ウェーハを上記加工テーブルに戴置した位置でウェーハの厚さを検出する加工前センサーと、Before chamfering the wafer, a pre-processing sensor that detects the thickness of the wafer at a position where the wafer is placed on the processing table;
上記加工前センサーを上記複数の加工テーブル間で移動させる加工前センサー移動手段とを有して、A pre-processing sensor moving means for moving the pre-processing sensor between the plurality of processing tables;
上記砥石が1つの加工テーブルに戴置されたウェーハを加工している間に同時並行して上記加工前センサーが別の加工テーブルで別のウェーハの厚さを検出することを特徴とするウェーハの面取り装置。While the grindstone is processing a wafer placed on one processing table, the pre-processing sensor detects the thickness of another wafer on another processing table simultaneously in parallel. Chamfering device.
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